DE2233734A1

DE2233734A1 - Verfahren und vorrichtung zur epitaktischen ablagerung einer schicht aus kristallinem material auf einer flachen seite eines einkristallinen substrats aus einer fluessigkeitsphase

Info

Publication number: DE2233734A1
Application number: DE19722233734
Authority: DE
Inventors: Elie Andre
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1971-07-13
Filing date: 1972-07-08
Publication date: 1973-01-18
Also published as: FR2145831A6; CA978663A; BE786137A; NL7209537A; GB1399918A; DE2233734C3; DE2233734B2; IT964629B; JPS5219191B1

Description

GÜNTHER M. DAVID . 223373Λ

PctontassGssor
Anmelder: N.V. PHiLiPS¹ GLOEiLAMPENFABRlEKEN . -*" ..

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Anmeldung vomi

SLV. Philips¹ Gloeilampenfabrieken, Eindhoven/Holland

Verfahren und Vorrichtung

zur epitaktischen Ablagerung einer Schicht aus kristallinem Material auf einer flachen Seite eines einkristallinen Substrats aus einer iTüssigkeitsphase

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur epitaktischen Ablagerung einer kristallisierten Schicht auf einem einkristallinen Substrat aus einem Material in flüssigem Zustand, bei dem das Substrat und das erwähnte Material in eine lehre gesetzt sind, die von einem Ofen erhitzt wird, wobei das Material außer Kontakt mit dem Substrat in flüssigem Zustand gebildet wird, wonach dieses Material in flüssigem Zustand mit der mit der epitaktischen Schicht zu überziehenden Sub st rat'oberf lache in Berührung gebracht und anschliessend die epitaktische Schicht durch Abscheidung des Materials in flüssigem Zustand auf der Substratoberfläche gebildet wird,

PHN 5948

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Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf eine Vorrichtung sum epi.taktischen Abscheiden, einer Schicht aus kristallinem Material auf einem einkristallinen Substrat durch Abscheidung aus einem Material in flüssigem Zustand, welche Vorrichtung sich zum Durchführen des vorerwähnten Verfahrens eignet.

Nach einem derartigen in der niederländischen Offenlegungsschrift 6 919 464 beschriebenen Verfahren wird eine lehre mit verschiebbarer Wand verwendet, wobei in einer bestimmten Lage der verschiebbaren Wand das Material in flüssigem Zustand außer Berührung mit dem Substrat gehalten wird, wonach bei einer geeigneten Temperatur durch Verschiebung die-

,der Kpntakt
ser Wand/zwischen dem Material in geschmolzenem Zustand und der Substratoberfläche hergestellt wird. Durch gleichmäßige Abkühlung wird dann auf der Substratoberfläche die epitaktische Schicht aus dem flüssigen Material abgelagert, wonach dadurch, daß die verschiebbare Wand aufs neue verschoben wird, das Material in geschmolzenem Zustand von dem Substrat getrennt wird. Die verschiebbare Wand ist an einem Ende mit einem Ziehmechanismus verbunden, so daß die Verschiebung der Wand außerhalb des verwendeten Ofens vor sich gehen kann.

Die Abscheidung epitaktischer Schichten auf einem einkristallinen Träger ist insbesondere in der Technik der Herstellung von Halbleiteranordnungen, und zwar insbesondere zur Abschei-

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dung epitaktischer Schichten vom A B -Typ, z.B. zur Abscheidung von Galliumarsenid aus einer Lösung von Galliumarsenid in geschmolzenem Gallium, entwickelt worden. Die Anwendung epitaktischer aus der Flüssigkeitsphase abgeschiedener Schichten beschränkt sich aber nicht auf Halbleitermaterialien. Im allgemeinen ist die Anwendung von Flüssigkeitsepitaxie grundsätzlich in denjenigen Fällen möglich, in denen die Abscheidung dünner einkristalliner Schichten auf einem einkristallinen Substrat erwünscht ist und das Material für eine solche Schicht aus^veinem flüssigen Material abgeschieden werden kann.

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So ist es z.B. bekannt, eine dünne Schicht aus einem Material, in dem magnetische "Bubbles", auch als zylindrische magnetische Domänen bezeichnet, erzeugt werden können, für welches Material insbesondere spezielle Oxide anwendbar sind, in einkristalliner Form durch epitaktische Ablagerung auf einem einkristallinen Substrat aus nichtmägnetisierbarem Material, das insbesondere auch aus einem geeigneten Oxid besteht, aus einem Material in flüssigem Zustand zu erhalten, welches Material in flüssigem Zustand z.B. aus einer Lösung"der Oxidbestandteile der abzulagernden Schicht in einem niedrigschmelzenden Lösungsmittel, wie Bleiboratglas, besteht.

Erwünschtenfalls kann ein Material aus einer einfachen oder komplexen Verbindung fester Zusammensetzung abgelagert werden, aber grundsätzlich ist es auch möglich, auf diese Weise einkristalline Schichten aus Mischkristallen zu bilden, wie dies z.B. bei den genannten "Bubble"-Materialien und auch bei Halbleitermaterialien, z.B
miniumarsenid, üblich ist.

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Halbleitermaterialien, z.B. vom Α^ΛΧΧΒ -Typ, wie Gallium-Alu-

Durch den Ablagerungsvorgang zur Bildung der ,epitaktischen Schicht wird sich die Zusammensetzung des Materials in geschmolzenem Zustand im allgemeinen ändern. Dies kann zur Folge haben, daß die zugesetzten Dotierungen inhomogen über die Schichtdicke verteilt werden. Insbesondere in dem Falle, in dem das abgeschiedene Material aus einem Mischkristall besteht, kann durch einen Unterschied in der Segregation der zusammensetzenden Verbindungen des Mischkristalls eine erhebliche Änderung der Zusammensetzung des Mischkristalls in der Dickenrichtung der epitaktisch abgelagerten Schicht auftreten. Dies kann zur Folge haben, daß die angestrebten Eigenschaften der epitaktischen Schicht nicht nach Wunsch erhalten werden, oder daß die Reproduzierbarkeit erschwert wird. So wurde z.B. bei der Herstellung epitaktischer Schichten aus einem Mischkristall von Galliumarsenid und Aluminiumarsenid aus einer Lösung in Gallium gefunden, daß bei der Ablagerung das Aluminiumarsenid

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soviel besser segregiert, daß der Aluminiumgehalt in dem flüssigen Material schnell abnimmt. In der erhaltenen epitaktischen Schicht nimmt der Aluminiumgehalt von dem Substrat her allmählich ab.

Die vorliegende Erfindung bezweckt u.a., bei der Ablagerung der epitaktischen Schicht die Zusammensetzung des Materials in flüssigem Zustand, aus dem diese Schicht abgelagert wird, zu beeinflussen. Insbesondere hat die Erfindung den Zweck, die oben beschriebene Abnahme des Gehalts an einem besser segregierenden Bestandteil des abgelagerten Materials von der Substratoberfläche her wenigstens in erheblichem Maße auszugleichen. Nach der Erfindung ist ein Verfahren der in der Einleitung genannten Art dadurch gekennzeichnet, daß das Material in flüssigem Zustand während des Ablagerungsvorganges ergänzt und/oder die Zusammensetzung des Materials geändert wird, dadurch, daß durch die Verschiebund mindestens einer in der Lehre vorgesehenen verschiebbaren Wand mindestens eine genau abgemessene Menge eines zweiten Materials in flüssigem Zustand, das von dem ersten Material getrennt ist, dem ersten Material in flüssigem Zustand hinzugefügt wird..

Auf diese Weise kann in der epitaktischen Schicht ein Übergang, wie ein pn-übergang bei der Bildung einer epitaktischen Halbleiterschicht, dadurch erhalten werden, daß eine Dotierung zugesetzt wird. Auch kann die Erschöpfung eines bestimmten besser segregierenden Bestandteils durch einen dotierten Zusatz eines solchen Bestandteils gehemmt werden. Das letztere Verfahren eignet sich besonders gut zur Ablagerung einer Schicht aus einem Mischkristall, wobei die größere Abnahme des besser segregierenden Bestandteils oder der besser segregierenden Bestandteile dieses Mischkristalls in dem Material in flüsaigem Zustand durch den Zusatz der genau abgemessenen Menge(n) flüssigen Materials ausgeglichen werden kann, so daß über die ganze epitaktische Schicht die Zusammensetzung des Mischkristalls innerhalb angemessener Toleranzen konstant gehalten werden kann.

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Wenn nur einmal eine genau abgemessene Menge dem Material in flüssigem Zustand während des epitaktischen Anwachsens zugesetzt zu werden braucht, ist es genügend, diese genau abgemessene Menge ohne weiteres auf der verschiebbaren Wand anzubringen und durch Verschiebung der Wand eine Vereinigung dieser Menge mit dem Material in geschmolzenem Zustand zu ermöglichen. Vorzugsweise werden zwei aufeinander liegende,, in bezug auf einander verschiebbare Wände verwendet, wobei die auf der unteren Wand liegende W_and mindestens eine Öffnung aufweist, in der die genau abgemessene(n) Menge(n) angebracht wird (werden), und wobei die untere Wand die Öffnung(en) auf der Unterseite verschließt und durch die gegenseitige Verschiebung der Wände der Verschluß auf der Unterseite mindestens einer der Öffnungen entfernt wird. Dabei ist es nicht erforderlich,, daß die Wände beide verschiebbar sind. Es ist genügend, wenn nur eine der Wände, entweder die untere oder die obere Wand, in bezug auf die Lehre verschiebbar ist. Dadurch, daß die untere Wand völlig unterhalb einer solchen Öffnung in der darauf liegenden Wand entfernt wird, kann die in einer solchen Öffnung angebrachte Menge zu dem Material in geschmolzenem Zustand abgeführt werden. Vorzugsweise weist die untere Wand mindestens eine Öffnung auf und wird der Verschluß einer Öffnung in der darauf liegenden Wand dadurch entfernt, daß durch gegenseitige Verschiebung der Wände eine Öffnung in der unteren Wand unter eine Öffnung in der darauf liegenden Wand gebracht wird. Z.Bi sind auf diese Weise verhältnismäßig geringe Verschiebungen genügend. Ferner können auf diese Weise verschiedene genau abgemessene Mengen zugleich-zu dem Material in geschmolzenem Zustand abgeführt werden. Insbesondere wenn das Material in flüssigem Zustand in Form einer Flüssigkeitsschicht angebracht wird, deren seitliche Abmessungen verhältnismäßig groß in bezug auf die von dem flüssigen Material beanspruchte Höhe sind, können durch eine Anzahl Öffnungen in der unteren Wand einige genau abgemessene Mengen zugleich und in gleichmäßiger Verteilung über die Oberfläche des Materials in flüssigem Zustand hinzugefügt werden, wodurch eine schnellere Vermischung zu einer homogenen Zusammensetzung des Materials in flüssigem Zustand erhalten wird.

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Eine solche genau abgemessene Menge kann vor dem Erhitzungsvorgang in einer solchen unterhalb der unteren Wand verschließbaren Öffnung angebracht werden. Auch kann nach einer bevorzugten Ausführungsform auf der Wand mit den auf der Unterseite verschließbaren Öffnungen eine dritte Wand angebracht werden, wobei die beiden letzteren Wände gegeneinander verschiebbar sind und die dritte Wand die Oberseite der Öffnung(en) zur Aufnahme der genau abgemessenen Menge(n) verschließt und in der Lehre ein Raum oberhalb der Wände vorhanden ist, in dem eine Schmelze mit der Zusammensetzung der zuzusetzenden Mengen angebracht wird, wobei durch die gegenseitige Verschiebung der beiden oberen Wände der Verschluß auf der Oberseite mindestens einer Öffnung für die genau abgemessene Menge entfernt und die Öffnung mit der abgemessenen Menge gefüllt wird, wonach durch eine weitere gegenseitige Verschiebung der beiden oberen Wände eine abgemessene Menge von der darüber liegenden Schmelze getrennt wird. Die Anbringung der abgemessenen Menge(n) findet vorzugsweise über mindestens eine Öffnung in der oberen Wand statt. Es versteht sich, daß beim Ausfüllen der Öffnungen zur Aufnahme der abgemessenen Mengen, welche Öffnungen in der zwischenliegenden Wand vorgesehen sind, diese Öffnungen vorzugsweise auf der Unterseite von der unteren Wand verschlossen werden. Die genau abgemessenen Mengen werden durch den Inhalt der Öffnungen in der zwischenliegenden Wand bestimmt. Selbstverständlich werden vorzugsweise die Oberseiten der Öffnungen in der zwischenliegenden Wand von der oberen Wand verschlossen, bevor diese abgemessenen Mengen dem Material in flüssigem Zustand zugesetzt werden. Es versteht sich, daß es nicht erforderlich ist, daß die Wände alle drei gegen die Lehre verschiebbar sind. Z.B. können die obere und die untere Wand verschiebbar ausgebildet sein, während die zwischenliegende Wand in der Lehre fixiert ist. Auch ist es mög-, lieh, daß die obere und die untere Wand fixiert sind, und. zwar derart, daß die Öffnungen in diesen Wänden nicht übereinander liegen. Die zwischenliegende Wand mit den Öffnungen zur Aufnahme der genau abgemessenen Mengen kann dann verschiebbar

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ausgebildet werden, so daß diese Öffnungen in einer Lage ausgefüllt und in einer anderen lage entleert werden. Vorzugsweise wird auch zur gegenseitigen Trennung des Materials in flüssigem Zustand und des Substrats eine verschiebbare Wand verwendet, wie an sich aus der vorerwähnten niederländischen Patentanmeldung 9 919 464 bekannt ist, welche Anmeldung der französischen Patentschrift 1 600 341 entspricht. Vorzugsweise ist jede in der Lehre verschiebbare Wand mit einer Ziehvorrichtung verbunden, mit deren Hilfe die Verschiebungen durchgeführt werden. Dies hat den Vorteil, daß die Lehre zentral In einem rohrförmigen Ofen angebracht werden kann, in dem sich eine gleichmäßige Temperatur besser einstellen läßt* Eine derartige zentrale Positionierung läßt sich mit einer an sich bekannten Lehre für ' flüssige Epitaxie, die durch Kippen betätigt werden muß, viel weniger leicht erzielen.

Die Erfindung bezieht sich auch auf eine Vorrichtung zur epitaktischen Ablagerung einer Schicht aus kristallinem Material auf einem einkristallinen Substrat durch Ablagerung aus einem Material in flüssigem Zustand, welche Vorrichtung zum Durchführen des vorerwähnten erfindungsgemäßen Verfahrens und vorzugsweise ebenfalls zum Durchführen der oben beschriebenen bevorzugten AusführungsforirP^es Verfahrens nach der Erfindung verwendet werden kann.

Die Erfindung läßt sich zur epitaktischen Ablagerung aus einer flüssigen Phase, z.B. von Halbleiterverbindungen, insbesondere zum Niederschlagen ternärer Verbindungen, anwenden, die die Elemente der Spalten III und V des Periodischen Systems der Elemente enthalten. Die Erfindung eignet sich insbesondere zur Anwendung bei der Ablagerung einer epitaktischen Schicht aus einem Mischkristall von Galliumarsenid und Aluminiumarsenid aus einer Lösung in Gallium, zur Herstellung elektrolumineszierender Vorrichtungen. Sie läßt sich jedoch auch bei der Ablagerung anderer Halbleitermaterialien und von Materialien anderer Art verwenden, z.B. Materialien, in denen sogenannte "magnetische Bubbles" erzeugt und verschoben werden können.

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Eine Ausführungsform der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher "beschrieben. Es zeigen

Fig. 1 schematisch einen Längsschnitt durch eine Ausführungsform einer Lehre zur Anwendung "bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens

und

Pig. 2 schematisch einen Querschnitt durch diese Lehre.

Die nachstehend zu beschreibende Vorrichtung enthält die er- ** forderlichen Mittel für die betreffende Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung. Diese Vorrichtung besteht aus einer schachtelförmigen Lehre 1 in Form eines nahezu rechteckigen Parallelepipedons. Diese Lehre besteht aus einem geeigneten Material, das erhebliche Temperaturänderungen oder Temperaturerhöhungen ohne Strukturänderung und ernsthafte Verunreinigung ihres Inhalts aushalten kann, z.B. Bornitrid. Der Tiegel 1 enthält eine verschiebbare, flache, zu dem Boden der Lehre parallel abgebogene Wand 2, die durch einen Spalt 3 entsprechenden Querschnittes geführt ist und im Inneren der Lehre über zwei Rippen 4 gleiten kann. Auf den Boden der Lehre können ein oder mehrere Substrate 5 gesetzt werden, die mit einer epitaktischen Schicht versehen werden müssen. Die verschiebbare Wand 2 ist z.B. derart angeordnet, daß ihre untere Fläche weniger als 1 mm von den Substraten entfernt ist. An dem aus der Lehre hervorragenden Ende der verschiebbaren Wand 2 ist ein (nicht dargestelltes) Glied zu deren Verschiebung angebracht, das z.B. aus einem Haken besteht und in einem in der Nähe dieses Endes durch Bohren erhaltenen Loch angeordnet werden kann. Das Material 6 in flüssigem Zustand, aus dem die epitaktische Ablagerung stattfinden soll, wird auf der verschiebbaren' Wand 2.angebracht.

Oberhalb der Flüssigkeit .6 befinden sich zwei auf entsprechende Weise verschiebbare Wände 7 und 8, mit Öffnungen 14 bzw. 15, welche Wände durch Spalt« 11 bzw* 12 entsprechenden Querschnittes in die Lehre eingeführt sind. Die beiden verschiebbaren

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Wände können über einen außerhalb des schachteiförmigen Raumes der Lehre 1 liegenden Angriffpunkt mit einer Ziehvorrichtung zur Steuerung dieser Wände verbunden sein, welche Ziehvorrichtung z.B. der Vorrichtung zur Steuerung der verschiebbaren Wand 2 entspricht. Die verschiebbare Wand 8 kann im Inneren der Lehre auf den Rippen 9 und 10 gleiten. Die beiden verschiebbaren Wände 9 und 10 sind zu beiden Seiten und parallel zu einer Wand 13 mit Öffnungen 16 angebracht, welche Öffnungen die öffnungen 14 und 15 der verschiebbaren Wände 7 bzw. 8 in einer bestimmten Lage jeder dieser verschiebbaren Wände abdecken können. Auf der verschiebbaren Wand 7 wird ein zweites Material in flüssigem Zustand 17 angebracht, das das der Flüssigkeit 6 zuzusetzende Element in einer höheren Konzentration als in der letzteren Flüssigkeit enthält, wobei die verschiebbare Wand eine derartige Lage einnimmt, daß die Öffnungen 14 und 16 nicht miteinander in Verbindung stehen. Die Lehre wird in einer nicht dargestellten Behandlungskammer mit kontrollierter Atmosphäre in einem Ofen angeordnet, innerhalb dessen die Temperatur geregelt werden kann.

Nachdem die Substrate in ihren Lagerungen angebracht und die Bestandteile der Flüssigkeiten 6 und 17 in die Lehre eingeführt worden sind, wobei die verschiebbaren Wände die in Fig. 1 dargestellte Lage einnehmen, wird die Temperatur des Ganzen auf wenigstens die für die Epitaxie erforderliche Anfangstemperatur erhöht. Zu dem für die Ablagerung gewählten Zeitpunkt und bei der entsprechend gewählten Temperatur wird die verschiebbare Wand 2 verschoben, so daß die Flüssigkeit 6 auf die Substrate gelangt. Die Flüssigkeit 6 wird dann abgeklihlt, wobei kristallines Material abgeschieden wird, so daß eine epitaktische Schicht auf jedem der Substrate 5 gebildet wird. Während der Ablagerung kann die Flüssigkeit ärmer an einem der Bestandteile werden; z.B. wird bei Anwendung aluminiumhält igen Galliums die Galliumschmelze ärmer an Aluminium und hat die Konzentration des letzteren Elements die Neigung, in der Nähe des Obergangs zu der sich bildenden epitaktischen Schicht abzunehmen. Während der Behandlung werden die Öffnun- ■

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gen 16 in der festen Wand 13 mit Flüssigkeit 17 dadurch ausgefüllt, daß zeitweilig die Öffnungen 14 in der verschiebbaren Wand 7 oberhalb der Öffnungen 16 gebracht und nach dem Ausfüllen durch.Verschiebung der Wand 7 die Öffnungen 16 auf der Oberseite wieder verschlossen werden. Nach der ersten Ablagerungsphase, wenn die Flüssigkeit 6 ziemlich arm an dem besser segregierenden Bestandteil geworden ist, wird die verschiebbare Wand 8 verschoben, so daß ihre Öffnungen 15 unterhalb der Öffnungen 16 der festen Wand 13 zur Anlage kommen, wodurch der Inhalt der letzteren Öffnungen frei gelassen wird und in die Flüssigkeit 6 gelangt, wodurch die Konzentration an dem besser segregierenden Bestandteil auf einen besser angepaßten Wert erhöht wird.

Der Vorgang zum Ausfüllen der Öffnungen 16 und zum Gießen ihres Inhalts in die Flüssigkeit 6 kann soviele Male wiederholt werden, wie es erforderlich ist. Ein Zyklus kann auferlegt werden und die Betätigung der verschiebbaren Wände und 8 kann leicht automatisiert werden.

Patentansprüche;

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Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur epitaktischen Ablagerung einer kristallisierten Schicht auf einem einkristallinen Substrat aus einem Material in flüssigem Zustand, bei dem das Substrat und das erwähnte Material in eine Lehre gesetzt werden, die von einem Ofen erhitzt wird, wobei das Material außer Berührung" mit dem Substrat in flüssigem Zustand gebildet wird, wonach dieses Material in flüssigem Zustand mit der mit der epitaktischen Schicht zu überziehenden Substratoberfläche gebracht und anschließend die epitaktische Schicht durch Abscheidung aus dem Material in flüssigem Zustand auf der Substratoberfläche gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Material in flüssigem Zustand während des Ablagerungsvorgangs ergänzt und/oder die Zusammensetzung des Materials geändert wird, dadurch, daß durch Verschiebung mindestens einer in der Lehre vorgesehenen verschiebbaren Wand mindestens eine genau abgemessene Menge eines zweiten Materials in flüssigem Zustand, das von dem ersten Material getrennt ist, dem ersten Material in flüssigem Zustand zugesetzt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei aufeinander liegende, gegeneinander verschiebbare Wände verwendet werden, wobei die auf der unteren Wand liegende Wand mindestens eine Öffnung aufweist, in der die genau abgemessene(n) Menge(n) angebracht wird (werden), und wobei die untere Wand die Öffnung(en) auf der Unterseite verschließt und durch die gegenseitige Verschiebung der Wände der Verschluß auf der"Unterseite mindestens einer der Öffnungen entfernt wird.

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3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Wand mindestens eine Öffnung enthält und der Verschluß einer Öffnung in der darüber liegenden Wand dadurch entfernt wird, daß mit Hilfe der gegenseitigen Verschiebung der Wände eine Öffnung in der unteren Wand unter eine Öffnung in der darüber liegenden Wand gebracht wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet« daß auf der Wand mit den auf der Unterseite verschließbaren Öffnungen eine dritte Wand vorgesehen ist, wobei die erwähnten Wände gegeneinander verschiebbar sind und die dritte Wand die Oberseite der Öffnung(en) zur Aufnahme der abgemessenen Menge(n) verschließt, während in der Lehre ein Raum oberhalb der Wände vorhanden ist, in dem eine Schmelze mit der Zusammensetzung der zuzusetzenden Mengen angebracht wird, wobei durch die gegenseitige Verschiebung der beiden oberen Wände der Verschluß auf der Oberseite mindestens einer Öffnung zur Aufnahme der abgemessenen Menge entfernt und die Öffnung mit der abgemessenen Menge ausgefüllt wird, wonach durch eine weitere gegenseitige Verschiebung der oberen Wände die abgemessene Menge von der darüber liegenden Schmelze getrennt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anbringung der abgemessenen Menge(n) über mindestens einer Öffnung in der oberen Wand stattfindet.

6. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Material in flüssigem Zustand zur Bildung der epitaktischen Schicht mittels einer in der Lehre verschiebbaren Wand von dem Substrat getrennt gehalten und mit dem Substrat in Berührung gebracht wird.

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7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede in der Lehre verschiebbare Wand mit einer Ziehvorrichtung verbunden ist, mit deren Hilfe die YerSchiebungen gesteuert werden.

8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine epitaktische Schicht aus einem Mischkristall abgelagert wird, wobei die größere Abnahme des besser segregierenden Bestandteiles (der Bestandteile) dieses Mischkristalls in dem Material in flüssigem Zustand mit Hilfe des Zusatzes der genau abgemessenen Menge(n) flüssigen Materials ausgeglichen wird.

9. Vorrichtung zur epitaktischen Ablagerung einer Schicht kristallinen Materials auf einem einkristallinen Substrat durch Ablagerung aus einem Material in flüssigem Zustand, welche Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8 verwendet werden kann.

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