DE2334306A1 - Vorrichtung zur herstellung von epitaktischen schichten auf substraten aus verbindungshalbleiter-material - Google Patents
Vorrichtung zur herstellung von epitaktischen schichten auf substraten aus verbindungshalbleiter-materialInfo
- Publication number
- DE2334306A1 DE2334306A1 DE19732334306 DE2334306A DE2334306A1 DE 2334306 A1 DE2334306 A1 DE 2334306A1 DE 19732334306 DE19732334306 DE 19732334306 DE 2334306 A DE2334306 A DE 2334306A DE 2334306 A1 DE2334306 A1 DE 2334306A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- melt
- gap
- capacity
- vpa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 230000035943 smell Effects 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000002631 hypothermal effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/061—Tipping system, e.g. by rotation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Vorrichtung zur Herstellung von eoitaktischen Schichten
auf Substraten aus Verbindungshalbleiter-Material.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur
Herstellung von epitaktischen Schichten auf Substraten aus Verbindungshalbleiter-Katerial, bei der das Substrat
in einem Spalt angeordnet ist, eine das epitaktisch abzuscheidende
Material enthaltende Schmelze im Spalt auf die Substratoberfläche aufgebracht und des Material durch
Unterkühlung der Schmelze zur Abscheidung gebracht wird.
Bei der Herstellimg von Halbleiterbauelementen aus Verbindungshalblei
t.er-Material, beispielsweise Lumineszenzdioaen,
werden epitaktische Schichten durch die sog. Schmelzepitexie hergestellt. Dabei kann es sich beispielsweise um einen
Ausgangsköroer - Substrat - aus Galliumarsenid eines LeitunerstvOS
handeln, auf den eine Schicht aus Galliumarsenid des anderen Leitungstyps epitaktisch abgeschieden wird.
Die das abzuscheidende Material in Sättigung enthaltende Schmelze wird dabei bei der Ausganp-stemperatur für die
Abscheidung auf die Substratoberfläche aufgebracht und abgekühlt, wodurch das abzuscheidende Material zur Kristallisation
gebracht wird. Durch die Abkühlung wird· die Schmelz-
VPA 9/110/3058 Lz/Poh
A098Ö5/1135
— 2 —
lösung übersättigt, bzw. unterkühlt; dieser Vorgang wird als konstitutionelle Unterkühlung bezeichnet.
Die Kristallisation erfolgt zunächst auf dem Substrat, das ein Kristallisationskeime ist. Wird die konstitutionelle
Unterkühlung zu groß, so bilden sich auch in der Schmelze selbst Keime, d.h. die Schmelze verkrustet.
Dadurch ergeben sich unerwünschte unebene epitaktische
Schichten.
Um die konstitutionelle Unterkühlung zu verringern, muß die Schmelze gegenüber dem Substrat eine höhere
Temperatur besitzen, d.h., zwischen Schmelze und Substrat muß ein Temperaturgradient vorhanden sein.
Es ist bereits bekannt geworden (DT-OS 2 028 108), das Substrat zur Verbesserung der Oberflächenqualität der
epitaktischen Schichten in einem Spalt anzuordnen und den epitaktischen Abscheidungsprozeß in diesem Spalt
ablaufEn zu lassen. Der Gedanke ist da.bei der, die Substratoberfläche relativ nahe an der nächsten festen
Wand der Epitaxie-Vorrichtung anzuordnen. Dabei wird jedoch der oben erwähnte Temperaturgradient durch
eine spezielle relative räumliche Anordnung von Substrat und Schmelze sowie Heizeinrichtung erzeugt. Eine solche
Ausgestaltung macht die Realisierung steiler Temperaturgradienten schwierig, wenn nicht gar unmöglich. DarüberhinauB
kann der Spalt aus Gründen der Oberflächenspannung der Schmelze nicht beliebig eng gemacht werden,
da von einer gewissen unteren Grenze der Spaltbreite an die Schmelze nicht mehr in den Spalt läuft.
VPA 9/110/3058 - 3 -
409885/1 135
„In zu weiter Spalt bringt wiederum die Tendenz zur
Krustenbildung der Schmelze mit sich, so daß bei der vorbekannten Vorrichtung die Oberflächenbeschaffenheit
der epitaktischen Schicht gegenüber einer Epitaxie ohne Spalt nicht verbessert wird. Der vorliegenden
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der in Rede stehenden Art anzugeben, bei der die
vorgenannten Nachteile bekannter Vorrichtungen vermieden werden.
Diese Aufgabe wird bei einer Vorrichtung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
der Spalt durch eine Substratträger und einen Körper großer Wärmekapazität gebildet ist, daß auf dem
Körper großer Wärmekapazität ein die Schmelze aufnehmendes Schiffchen angeordnet ist und daß zwischen
Subtratträger und dem Körper großer Wärmekapazität ein keilförmiger, die Schmelze aus dem Schiffchen auf das
Subtrat führender Schlitz vorgesehen ist.
Durch eine derartige Ausgestaltung der Vorrichtung wird einerseits der Vorteil erzielt, daß der für
die konstitutionelle Unterkühlung erforderliche Temperaturgradient allein durch die Begrenzungen
des Spaltes bestimmt ist. Da nämlich die Begrenzung des Spaltes auf der Seite der Schmelze durch den
Körper großer Wärmekapazität gebildet wird, kann der Temperaturgradient in einfacher Weise sehr groß
gemacht werden, wenn die Spaltbreite klein und die Abkühlrate groß ist. Es ist dann immer gewährleistet,
VPA 9/110/3058 - 4 -
409885/1135
daß die Schmelze heißer als das Substrat ist, wodurch eine Krustenbildung der Schmelze vermieden wird.
Andererseits kann der Spalt sehr eng gemacht werden, weil die Schmelze aus dem auf dem Körper großer
Wärmekapazität befindlichen Schiffchen durch einen keilförmigen Spalt auf die Subtratoberfläche aufgebracht
wird, wodurch die Oberflächenspannung der Schmelze aufgrund der kinetischen Energie beim Durchfallen
des keilförmigen Schlitzes überwunden wird.
Es ist aufgrund dieser Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung außer der Einsparung an benötigter
Schmelzmenge durch die Enge des Spaltes weiterhin möglich, sehr dicke Schichten abzuscheiden, da das gesamte in
der Schmelze gelöste Material ohne Krustenbildung, also ausschließlich auf dem Substrat abgeschieden werden
kann.
Schließlich wird auch Raum gespart, da mehrere Scheiben ohne weitere Hilfsmittel im Spalt direkt nebeneinander
auf dem Substratträger liegend epitaxiert werden können.
Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der einzigen Figur der Zeichnung,
welche eine perspektivische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zeigt.
Bei der in der Figur dargestellten Ausführungsform der Erfindung ist auf einer Welle 1 ein Subtratträger
angebracht. Dieser Substratträger 2 ist gemäß einer Weiter-
VPA 9/110/3058 - 5 -
A09885/1 135
bildung der Erfindung als Winkelelement ausgebildet, dessen Schenkel einen stumpfen Winkel miteinander
bilden. Auf diesem Substratträger 2 ist ein Körper 4
großer Wärmekapazität angeordnet, der gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung aus Quarz oder
Aluminiumoxid besteht und durch Stege 3 auf dem Substrat 2 gehaltert ist. In seinem mittleren Bereich
besitzt der Körper 4 eine Ausnehmung 5, so daß in diesem Bereich zwischen dem Substratträger 2 und dem
Körper 4 ein durch diese Ausnehmung 5 definierter Spalt gebildet wird. Dieser Spalt dient zur Aufnahme
mindestens eines Substrats 6, auf dem eine epitaktische Schicht abgeschieden werden soll. Zwischen einem
Schenkel des Substratträgers 2 und dem Körper 4 großer Wärmekapazität ist ein keilförmig gegen das Substrat
zulaufender Schlitz 7 ausgebildet.
Auf dem Körper 4 wird über jeder Substratscheibe ein durch Flansche 9 und 10 auf diesem gehaltertes Schiffchen
8 angeordnet, das eine das epitaktisch auf dem Substrat 6 abzuscheidende Material enthaltende Schmelze
aufnimmt.
Zur Durchführung der epitaktischen Abscheidung wird die gesamte vorbeschriebene Vorrichtung auf die notwendige
Ausgangstemperatur aufgeheizt. Sodann wird die Vorrichtung um die Achse 1 derart gekippt, daß
die Schmelze 11 in den keilförmigen Schlitz 7 fällt und
in den das Substrat 6 enthaltenden Schlitz auf die Substratoberfläche laufen kann. Dann wird die Vorrichtung
in die Ausgangslage zurück gedreht. Danach wird die Verrichtung abgekühlt, so daß der Aufwachsvorgang in
der eben beschriebenen Weise ablaufen kann.
VPA 9/110/3058 409885/1135 -6-
Da, wie eingangs schon erwähnt, in der erfindungsgemäßen Vorrichtung eine Krustenbildung der Schmelze
vermieden wird, ist ee in vorteilhafter Weise auch möglich, mehrere Stoffe nach Maßgabe der Phasendiagramme
in der Reihenfolge ihrer Löslichkeit auf dem Substrat abzuscheiden. So kann beispielsweise bei
mit Silizium dotierten Galliumarsenid-Lumineszenzdioden eine Abscheidung des Siliziums in Form einer
dünnen Schicht erfolgen, wodurch gleichzeitig ohmsche Kontakte für die unter dieser dünnen Schicht liegenden
p-dotierten epitaktischen Schichten aus Galliumarsenid
realisierbar sind. Daraus ergibt sich der Vorteil, daß eine zusätzliche Kontaktdiffusion entbehrlich ist.
Weiterhin ist es in vorteilhafter Weise auch möglich,
während des epitaktischen Abscheidevorgangs - etwa dotierende - Stoffe gasförmig anzubieten, da die
erfindungsgemäße Vorrichtung in einfacher Weise ein
Durchströmen des Gases durch den Spalt erlaubt, weil dieser seitlich offen ist.
6 Patentansprüche
1 Figur
1 Figur
VPA 9/110/3058 - 7 -
409885/1135
Claims (6)
1. Vorrichtung zur Herstellung von eoitaktischen Schichten
auf Substraten aus Verbindungshalbleiter-Material, bei
der das Substrat in einem Spalt angeordnet ist, einecias
exiitaktiech abzuscheidende Material enthaltende Schmelze
im Spalt auf die Pubstratoberflache aufgebracht und dos
Material durch Unterkühlung der Schmelze zur Abscheidung gebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Snalt
durch einen Subs trat träger und einen Körper große V.rärmekapazität
gebildet ist, daß auf dem Köroer ein die Schmelze aufnehmendes Schiffchen angeordnet ist und daß
zwischen Substratträger und dem Körte r großer Wärmekapazität ein keilförmiger, die Schmelze aus dem Schiffchen
auf das Substrat führender Schlitz vorgesehen ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratträger als Winkelelement ausgebildet ist,
dessen Schenkel einen stumpfen V/inkel miteinander bilden.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper großer Y/ärmekapazität als Quader
ausgebildet ist, der in einem den SOaIt definierenden ■
Abstand über dem das Substrat tragenden Schenkel des Substratträgers angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper großer Wärmekapazität aus
Quarz besteht.
VPA 9/110/3058 409885/1135 -8-
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper großer
Wärmekapazität aus Aluminiumoxid besteht.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Spalt seitlich
offen ist und die Zuführung gasförmiger
Dotierstoffe erlaubt.
Dotierstoffe erlaubt.
VPA 9/110/3058
409885/113b
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2334306A DE2334306B2 (de) | 1973-07-05 | 1973-07-05 | Vorrichtung zur Herstellung von epitaktischen Schichten auf Substraten aus Verbindungshalbleiter-Material |
| GB2120774A GB1433568A (de) | 1973-07-05 | 1974-05-14 | |
| US485448A US3889635A (en) | 1973-07-05 | 1974-07-03 | Apparatus for producing epitaxial layers |
| FR7423284A FR2236270B1 (de) | 1973-07-05 | 1974-07-04 | |
| NL7409158A NL7409158A (nl) | 1973-07-05 | 1974-07-05 | Inrichting voor de vervaardiging van epitakti- sche lagen op substraten van verbindingshalf- geleidermateriaal. |
| JP7725274A JPS5738559B2 (de) | 1973-07-05 | 1974-07-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2334306A DE2334306B2 (de) | 1973-07-05 | 1973-07-05 | Vorrichtung zur Herstellung von epitaktischen Schichten auf Substraten aus Verbindungshalbleiter-Material |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2334306A1 true DE2334306A1 (de) | 1975-01-30 |
| DE2334306B2 DE2334306B2 (de) | 1978-08-03 |
| DE2334306C3 DE2334306C3 (de) | 1979-04-05 |
Family
ID=5886064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2334306A Granted DE2334306B2 (de) | 1973-07-05 | 1973-07-05 | Vorrichtung zur Herstellung von epitaktischen Schichten auf Substraten aus Verbindungshalbleiter-Material |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3889635A (de) |
| JP (1) | JPS5738559B2 (de) |
| DE (1) | DE2334306B2 (de) |
| FR (1) | FR2236270B1 (de) |
| GB (1) | GB1433568A (de) |
| NL (1) | NL7409158A (de) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2847091C3 (de) * | 1978-10-28 | 1982-03-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Ga↓1↓-↓x↓Al↓x↓ AS:Si-Epitaxieschichten |
| US4597823A (en) * | 1983-09-12 | 1986-07-01 | Cook Melvin S | Rapid LPE crystal growth |
| US4594128A (en) * | 1984-03-16 | 1986-06-10 | Cook Melvin S | Liquid phase epitaxy |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3522792A (en) * | 1967-11-14 | 1970-08-04 | Us Agriculture | Device for applying a coating of varying thickness |
| DE1922528B2 (de) * | 1969-05-02 | 1971-09-30 | Streichgeraet zum herstellen von duennschichtchromato graphieplatten | |
| US3791344A (en) * | 1969-09-11 | 1974-02-12 | Licentia Gmbh | Apparatus for liquid phase epitaxy |
| US3664294A (en) * | 1970-01-29 | 1972-05-23 | Fairchild Camera Instr Co | Push-pull structure for solution epitaxial growth of iii{14 v compounds |
| US3692592A (en) * | 1970-02-12 | 1972-09-19 | Rca Corp | Method and apparatus for depositing epitaxial semiconductive layers from the liquid phase |
| US3697330A (en) * | 1970-03-27 | 1972-10-10 | Sperry Rand Corp | Liquid epitaxy method and apparatus |
-
1973
- 1973-07-05 DE DE2334306A patent/DE2334306B2/de active Granted
-
1974
- 1974-05-14 GB GB2120774A patent/GB1433568A/en not_active Expired
- 1974-07-03 US US485448A patent/US3889635A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-07-04 FR FR7423284A patent/FR2236270B1/fr not_active Expired
- 1974-07-05 NL NL7409158A patent/NL7409158A/xx unknown
- 1974-07-05 JP JP7725274A patent/JPS5738559B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2334306C3 (de) | 1979-04-05 |
| NL7409158A (nl) | 1975-01-07 |
| JPS5039468A (de) | 1975-04-11 |
| GB1433568A (de) | 1976-04-28 |
| JPS5738559B2 (de) | 1982-08-16 |
| DE2334306B2 (de) | 1978-08-03 |
| FR2236270A1 (de) | 1975-01-31 |
| FR2236270B1 (de) | 1978-10-13 |
| US3889635A (en) | 1975-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60033252T2 (de) | Mehrschichtige halbleiter-struktur mit phosphid-passiviertem germanium-substrat | |
| DE2818261C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Galliumarsenid-Solarzellen | |
| DE1915549C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Siliciumcarbidschichten | |
| DE2359072C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Durchsicht-Photokathode | |
| DE2754652A1 (de) | Verfahren zum herstellen von silicium-photoelementen | |
| DE2120388A1 (de) | Verbindungshalbleitervorrichtung | |
| DE2509585C3 (de) | Halbleiterbauelement mit mehreren epitaktischen Halbleiterschichten, insbesondere Halbleiterlaser oder Feldeffektransistor, sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE69133388T2 (de) | Herstellungsmethode von Halbleiterstrukturen mit Qantumquellenleitungen | |
| DE3209548A1 (de) | Solarzellenanordnung in duennschichtbauweise aus halbleitermaterial sowie verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2425747C3 (de) | Verfahren zum Herstellen epitaktischer Schichten auf einem Substrat mittels Flüssigphasen-Epitaxie | |
| DE2334306A1 (de) | Vorrichtung zur herstellung von epitaktischen schichten auf substraten aus verbindungshalbleiter-material | |
| DE2517252A1 (de) | Halbleiterelement | |
| DE2730358C3 (de) | Verfahren zum aufeinanderfolgenden Abscheiden einkristalliner Schichten auf einem Substrat nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie | |
| DE2110961C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen eines ternären III-V-Mischkristalls | |
| DE2942203C2 (de) | ||
| DE1963131A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen | |
| DE1909720A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergang | |
| DE2200623A1 (de) | Verfahren zum Eindiffundieren einer Verunreinigung in einen Halbleiterkoerper | |
| DE1911335A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE2452197B2 (de) | Verfahren zum Abscheiden von unterschiedlich dotierten Halbleiterschichten auf einem Halbleitersubstrat | |
| DE2728771A1 (de) | Verfahren zur epitaktischen ablagerung eines halbleitermaterials | |
| DE2000096B2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum epitaktischen abscheiden einer schicht aus einem halbleitermaterial auf einer ebenen flaeche eines einkristallinen substrats | |
| DE3720750C2 (de) | ||
| DE1228340B (de) | Schnellschaltende Halbleiterdiode mit verringerter Erholungszeit und epitaktisches Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2709628A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleitern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |