ATE44163T1 - Verfahren zur abscheidung auf einem substrat von einer, im wesentlichen aus siliciumcarbid bestehenden schicht. - Google Patents

Verfahren zur abscheidung auf einem substrat von einer, im wesentlichen aus siliciumcarbid bestehenden schicht.

Info

Publication number
ATE44163T1
ATE44163T1 AT86200336T AT86200336T ATE44163T1 AT E44163 T1 ATE44163 T1 AT E44163T1 AT 86200336 T AT86200336 T AT 86200336T AT 86200336 T AT86200336 T AT 86200336T AT E44163 T1 ATE44163 T1 AT E44163T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
deposition
substrate
silicon carbide
layer mainly
mainly consisting
Prior art date
Application number
AT86200336T
Other languages
English (en)
Inventor
Jacob Pieter C O Int Oc Jensma
Gerrit C O Int Octrooi Verspui
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Application granted granted Critical
Publication of ATE44163T1 publication Critical patent/ATE44163T1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
AT86200336T 1985-03-07 1986-03-04 Verfahren zur abscheidung auf einem substrat von einer, im wesentlichen aus siliciumcarbid bestehenden schicht. ATE44163T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8500645A NL8500645A (nl) 1985-03-07 1985-03-07 Werkwijze voor het afzetten van een laag, die in hoofdzaak uit siliciumcarbide bestaat op een substraat.
EP86200336A EP0193998B1 (de) 1985-03-07 1986-03-04 Verfahren zur Abscheidung auf einem Substrat von einer, im wesentlichen aus Siliciumcarbid bestehenden Schicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE44163T1 true ATE44163T1 (de) 1989-07-15

Family

ID=19845641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT86200336T ATE44163T1 (de) 1985-03-07 1986-03-04 Verfahren zur abscheidung auf einem substrat von einer, im wesentlichen aus siliciumcarbid bestehenden schicht.

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0193998B1 (de)
JP (1) JPS61213373A (de)
AT (1) ATE44163T1 (de)
DE (1) DE3664056D1 (de)
NL (1) NL8500645A (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6362867A (ja) * 1986-09-02 1988-03-19 Seikosha Co Ltd 有色物品
DE3640966A1 (de) * 1986-11-29 1988-06-09 Klaus Kalwar Verfahren zur herstellung einer koronaelektrode
GB8629496D0 (en) * 1986-12-10 1987-01-21 British Petroleum Co Plc Silicon carbide
US4866005A (en) * 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4869929A (en) * 1987-11-10 1989-09-26 Air Products And Chemicals, Inc. Process for preparing sic protective films on metallic or metal impregnated substrates
DE3838905A1 (de) * 1988-11-17 1990-05-31 Knut Dipl Phys Dr Enke Kratzfester gebrauchsgegenstand, verfahren zu seiner herstellung sowie vorrichtung zur durchfuehrung dieser verfahren
DE69023478T2 (de) * 1990-03-05 1996-06-20 Ibm Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidschichten mit vorherbestimmter Spannungskraft.
JPH0649645A (ja) * 1992-07-31 1994-02-22 Yoshida Kogyo Kk <Ykk> 硬質多層膜形成体およびその製造方法
US5465680A (en) * 1993-07-01 1995-11-14 Dow Corning Corporation Method of forming crystalline silicon carbide coatings
KR960012710B1 (ko) * 1993-10-11 1996-09-24 한국화학연구소 단일 유기규소 화합물을 이용한 탄화규소 막의 제조
CN111261861B (zh) * 2020-01-22 2021-08-10 金雪莉 一种连续制备高纯碳硅纳米材料的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61213373A (ja) 1986-09-22
DE3664056D1 (en) 1989-07-27
EP0193998A1 (de) 1986-09-10
EP0193998B1 (de) 1989-06-21
NL8500645A (nl) 1986-10-01
JPH0559986B2 (de) 1993-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE8205274L (sv) Sker samt metod for tillverkning av detsamma
ATE44163T1 (de) Verfahren zur abscheidung auf einem substrat von einer, im wesentlichen aus siliciumcarbid bestehenden schicht.
DE3789852D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, mit gleichzeitigem Aufwachsen epitaktischer und polykristallinischer Si-Schichten auf einem selektiv oxydierten Si-Substrat mittels Gasphasenabscheidung.
DE3787381T2 (de) Verfahren zur Beschichtung eines Substrats mit einem Silicium und Stickstoff enthaltenden keramischen Material.
ATE75167T1 (de) Verfahren und vorrichtung fuer gasstrahlniederschlag von leitfaehigen und dielektrischen duennen festfilmen und so hergestellte erzeugnisse.
DE3879143D1 (de) Verfahren zur zuechtung einer beta-siliziumcarbid-einkristall-schicht auf einem siliziumsubstrat.
DE3676458D1 (de) Verfahren zum chemischen polieren zur herstellung einer koplanaren schicht aus isolator-metall auf einem substrat.
DE3763902D1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterelementes, einschliesslich der abscheidung von schichten auf ein substrat aus der gasphase.
DE69231321D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Substrates von SOI-Type mit einer monokristallinen Schicht aus Silizium auf einer isolierenden Schicht
DE69008862T2 (de) Procede de metallisation sous vide permettant le depot d&#39;un compose organo-metallique sur un substrat.
DE3788678D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Substrat.
DE68918150D1 (de) Verfahren zum Aufwachsen einer Galliumarsenid-Schicht auf einem Silizium-Substrat.
DE3855249T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats
GB1420483A (en) Carbon-coated articles and method of making same
KR920700306A (ko) 다이아몬드 피복부재 및 그 제조방법
DE69029341D1 (de) Halbleiterbauelement mit einer auf einem Substrat aufgewachsenen epitaxialen Schicht
DE3585982D1 (de) Struktur mit einer epitaxialen schicht die auf einem substrat mit veraenderlicher zusammensetzung aufgewachsen ist und verfahren zum aufwachsen dieser schicht.
DE68921559D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer vom Substrat elektrisch isolierten Halbleiterschicht.
DE3874411T2 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer schicht aus titan-wolfram.
WO1994008076A1 (de) Heteroepitaktisch abgeschiedenes diamant
DE3780562D1 (de) Chemischer dampfniederschlag mit waermestrahlung von einer isolierschicht auf ein substrat aus iii-v-material, verwendung zur herstellung einer mis-struktur.
DE3581353D1 (de) Halbleiteranordnung mit monokristalliner schicht aus ga-as auf einem substrat aus silicium und verfahren zu deren herstellung.
DE3578618D1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen mit einer ueberlagerten schicht aus polykristallinem silizium.
CA1268846C (en) SEMICONDUCTOR LASER WITH MESA STRUCTURE
DE68915354D1 (de) Entfernen von Kohlenstoff aus keramischen Schichtsubstraten.

Legal Events

Date Code Title Description
UEP Publication of translation of european patent specification
REN Ceased due to non-payment of the annual fee