AT9671U2 - Vorrichtung zur erzeugung von plasma oder radikalen mittels mikrowellen - Google Patents
Vorrichtung zur erzeugung von plasma oder radikalen mittels mikrowellen Download PDFInfo
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- AT9671U2 AT9671U2 AT0055207U AT5522007U AT9671U2 AT 9671 U2 AT9671 U2 AT 9671U2 AT 0055207 U AT0055207 U AT 0055207U AT 5522007 U AT5522007 U AT 5522007U AT 9671 U2 AT9671 U2 AT 9671U2
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
Claims (8)
- 5 AT 009 671 U2 regt, der dem Taktverhältnis der Energieeinspeisung entspricht. Der in die Prozesskammer 8 eingeleitete Gasstrom besteht somit auch bei vollständiger Aktivierung des Prozessgases während der Energieeinspeisung aus einer Mischung angeregter Teilchen mit Molekülen des nicht angeregten Prozessgases. Diese nicht angeregten Bestandteile beeinflussen die Reaktionskinetik so, dass die gewünschten Prozesse im Allgemeinen verlangsamt werden. Zudem werden die Reaktionsgleichgewichte beeinflusst, sodass auch qualitative Änderungen des Endzustands bewirkt werden können. Um zu verhindern, dass während der Taktpausen nicht aktiviertes Prozessgas in die Prozesskammer 8 gelangt, kann in der Zuleitung 7 des Prozessgases ein Ventil 5 angeordnet sein, das mit der Einrichtung 4 zur Lieferung einer gepulsten Spannungsversorgung für das Magnetron 3 synchronisiert wird. Das Ventil 5 kann durch ein mechanisch oder elektrisch schaltbares Ventil realisiert sein, das während der Taktpausen den Zufluss von Prozessgas über die Zuleitung 7 in das Reaktionsrohr 1 verhindert oder deutlich verringert. Für einen minimalen Anteil an nicht aktiviertem Prozessgas ist bei der Synchronisation eine Zeitverschiebung einzustellen, die der Strömungszeit des Prozessgases vom Ventil 5 bis zum Wechselwirkungsvolumen 9 entspricht. Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, dass zum Zwecke der Anpassung zum Schutz des Magnetrons 3 vor reflektierter Leistung bzw. für Mess- und Regelzwecke zwischen dem Magnetron 3 und dem Reaktionsrohr 1 auch aus der Mikrowellentechnik bekannte Bauelemente, wie beispielsweise Stifttuner, Zirkulatoren mit Wasserlast, Messrichtkoppler oder Potentialsonden eingefügt werden können. Ansprüche: 1. Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma oder Radikalen für Ätz- und Abscheideprozesse in der Halbleitertechnologie, mit einem an beiden Enden abgeschlossenen Hohlleiter (2) mit einer Gesamtlänge (L) und einem rechteckigen Querschnitt mit einer inneren Länge (a) und einer inneren Breite (b), einem Magnetron (3) zur Einspeisung von Mikrowellenenergie in den Hohlleiter (2) zur Bildung eines stehenden Mikrowellenfeldes mit einer Wellenlänge (λ) im Hohlleiter (2), und mit einem Reaktionsrohr (1) aus dielektrischem Material zur Führung eines Prozessgases, welches Reaktionsrohr (1) den Hohlleiter (2) in Richtung der Querschnittslänge (a) durchdringt, und mit einer Zuleitung (7) für das Prozessgas verbunden ist und in einer Prozesskammer (8) mündet, wobei in dem als Wechselwirkungsvolumen (9) bezeichneten Bereich des Reaktionsrohres (1) innerhalb des Hohlleiters (2) das Prozessgas durch das Mikrowellenfeld angeregt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Reaktionsrohr (1) in Längsrichtung des Hohlleiters (2) im Bereich maximaler magnetischer und minimaler elektrischer Feldstärke des Mikrowellenfeldes positioniert ist, dass das Magnetron (3) mit einer Einrichtung (4) zur Lieferung einer gepulsten Spannungsversorgung verbunden ist, und dass das Prozessgas einen Druck zwischen 50 Pa und 500 Pa aufweist.
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in der Zuleitung (7) für das Prozessgas ein Ventil (5) angeordnet ist, welches Ventil (5) durch die Einrichtung (4) zur Lieferung einer gepulsten Spannungsversorgung steuerbar ist, sodass während der Taktpausen ein reduzierter Anteil an Prozessgas in das Reaktionsrohr (1) zuleitbar ist.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtlänge (L) des Hohlleiters (2) um einen Faktor (n/2 + 0,75 ± 0,03) größer ist als die Wellenlänge (λ) des im Hohlleiter (2) aufgebauten Mikrowellenfeldes, wobei n eine natürliche ganze Zahl ist.
- 4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis des Innendurchmessers (Dj) des Reaktionsrohres (1) zur Wellenlänge (λ) des im Hohlleiter (2) aufgebauten Mikrowellenfeldes im Bereich 0,20 ± 0,04 liegt. 0 AT 009 671 U2
- 5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlleiter (2) an seinen Enden mit Leitungen (6) zur Führung eines Kühlgases in Längsrichtung des Hohlleiters (2) verbunden ist.
- 6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlleiter (2) im Bereich der Verbindung mit dem Magnetron (3) entlang der Breite (b) mit Leitungen zur Führung eines Kühlgases zur Kühlung der Stabantenne des Magnetrons (3) verbunden ist.
- 7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Außendurchmesser (Da) des Reaktionsrohres (1) um maximal 5 mm kleiner ist als die innere Breite (b) des rechteckigen Querschnitts des Hohlleiters (2).
- 8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis der Länge (a) zur Breite (b) des Hohlleiters (2) mit rechteckigem Querschnitt 2,05 bis 2,2 beträgt. Hiezu 1 Blatt Zeichnungen
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AT0055207U AT9671U3 (de) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | Vorrichtung zur erzeugung von plasma oder radikalen mittels mikrowellen |
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AT0055207U AT9671U3 (de) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | Vorrichtung zur erzeugung von plasma oder radikalen mittels mikrowellen |
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AT9671U2 true AT9671U2 (de) | 2008-01-15 |
AT9671U3 AT9671U3 (de) | 2008-05-15 |
Family
ID=38654923
Family Applications (1)
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AT0055207U AT9671U3 (de) | 2007-09-14 | 2007-09-14 | Vorrichtung zur erzeugung von plasma oder radikalen mittels mikrowellen |
Country Status (1)
Country | Link |
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AT (1) | AT9671U3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112840443A (zh) * | 2018-10-18 | 2021-05-25 | 应用材料公司 | 辐射装置、用于在基板上沉积材料的沉积设备和用于在基板上沉积材料的方法 |
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2007
- 2007-09-14 AT AT0055207U patent/AT9671U3/de not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112840443A (zh) * | 2018-10-18 | 2021-05-25 | 应用材料公司 | 辐射装置、用于在基板上沉积材料的沉积设备和用于在基板上沉积材料的方法 |
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AT9671U3 (de) | 2008-05-15 |
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