AT305378B - Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren mit isolierter TorelektrodeInfo
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
-
- H10P95/00—
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691920400 DE1920400A1 (de) | 1969-04-22 | 1969-04-22 | Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT305378B true AT305378B (de) | 1973-02-26 |
Family
ID=5731935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT358170A AT305378B (de) | 1969-04-22 | 1970-04-20 | Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS4826971B1 (enExample) |
| AT (1) | AT305378B (enExample) |
| CH (1) | CH501313A (enExample) |
| DE (1) | DE1920400A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2039341B1 (enExample) |
| GB (1) | GB1269605A (enExample) |
| NL (1) | NL7003476A (enExample) |
| SE (1) | SE355897B (enExample) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3445924A (en) * | 1965-06-30 | 1969-05-27 | Ibm | Method for fabricating insulated-gate field effect transistors having controlled operating characteristics |
| US3426422A (en) * | 1965-10-23 | 1969-02-11 | Fairchild Camera Instr Co | Method of making stable semiconductor devices |
| US3474310A (en) * | 1967-02-03 | 1969-10-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device having a sulfurtreated silicon compound thereon and a method of making the same |
-
1969
- 1969-04-22 DE DE19691920400 patent/DE1920400A1/de active Pending
-
1970
- 1970-03-11 NL NL7003476A patent/NL7003476A/xx unknown
- 1970-04-16 FR FR7013781A patent/FR2039341B1/fr not_active Expired
- 1970-04-17 CH CH571370A patent/CH501313A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-04-20 AT AT358170A patent/AT305378B/de active
- 1970-04-21 SE SE05507/70A patent/SE355897B/xx unknown
- 1970-04-21 GB GB08922/70A patent/GB1269605A/en not_active Expired
- 1970-04-22 JP JP45033934A patent/JPS4826971B1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH501313A (de) | 1970-12-31 |
| FR2039341B1 (enExample) | 1975-01-10 |
| NL7003476A (enExample) | 1970-10-26 |
| JPS4826971B1 (enExample) | 1973-08-17 |
| FR2039341A1 (enExample) | 1971-01-15 |
| GB1269605A (en) | 1972-04-06 |
| DE1920400A1 (de) | 1970-11-12 |
| SE355897B (enExample) | 1973-05-07 |
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