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1968-09-10
Verfahren zum Herstellen eines Kontaktes an einem Halbleiterkörper
CH398802A
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1966-03-15
Verfahren zum Anbringen eines elektrischen Anschlusses an einer Halbleiteranordnung
CH415856A
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1966-06-30
Verfahren zum Herstellen eines pn-Übergangs in einer Halbleiteranordnung
CH412821A
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1966-05-15
Verfahren zum Herstellen von einkristallinen, insbesondere dünnen, halbleitenden Schichten
CH369519A
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1963-05-31
Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten p-Bereiches an einem Halbleiterkörper
CH371187A
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1963-08-15
Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper
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1965-10-31
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen
CH374868A
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1964-01-31
Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang
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1965-04-30
Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
AT245040B
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1966-02-10
Verfahren zum Herstellen eines einkristallinen Halbleiterkörpers
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1966-06-15
Verfahren zum Herstellen eines halbleitenden Elements
CH387720A
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1965-02-15
Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrischen Bauelementes
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1965-07-31
Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium
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1964-02-25
Verfahren zum Herstellen eines halbleitenden Elektrodensystems mit einem Halbleiterkörper aus Galliumarsenid
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1966-05-31
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements
AT239854B
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1965-04-26
Verfahren zum Verbinden eines Metalleiters mit einem Halbleiterkörper
CH404778A
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1965-12-31
Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Körpers
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1964-03-15
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
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1965-11-15
Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern
CH400711A
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1965-10-15
Verfahren zum Herstellen eines einkristallinen, homogen dotierten Halbleiterkörpers
CH393545A
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1965-06-15
Verfahren zum grossflächigen Verbinden einer Elektrode einer Halbleiteranordnung mit einem Kontaktteil
CH550632A
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1974-06-28
Verfahren zum befestigen eines drahtes an einem halbleiterkoerper.
AT239311B
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1965-03-25
Verfahren zum Herstellen einer p-dotierten Zone in einem Körper aus Halbleitermaterial
CH410196A
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1966-03-31
Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
CH441238A
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1967-08-15
Verfahren zum Ändern der Fremdstoffkonzentration in einem Halbleiterkörper