AT224690B - Schaltung mit einer Schaltdiode mit vier hintereinanderliegenden Zonen - Google Patents

Schaltung mit einer Schaltdiode mit vier hintereinanderliegenden Zonen

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AT224690B
AT224690B AT802459A AT802459A AT224690B AT 224690 B AT224690 B AT 224690B AT 802459 A AT802459 A AT 802459A AT 802459 A AT802459 A AT 802459A AT 224690 B AT224690 B AT 224690B
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Siemens Ag
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   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Schaltung mit einer Schaltdiode mit vier hintereinanderliegenden Zonen 
Die Erfindung betrifft eine Schaltung mit einer Schaltdiode mit vier hintereinanderliegenden Zonen, die abwechselnd p-und n-Störstellen enthalten, wobei nur einer der beiden äusseren pn-Übergänge mit einem Widerstand überbrückt ist. 



   Es ist bekannt, derartige Dioden wegen ihrer negativen Stromspannungscharakteristik als Schaltdioden zu verwenden. Zunächst soll kurz auf die Wirkungsweise derartiger bekannte ; Schaltelemente eingegangen werden. Dazu soll in Fig. 1 nur die Diode mit den vier Zonen I,   U,     III   und IV und den entsprechenden pn-Übergängen 1, 2 und 3 ohne den Nebenschluss über den Widerstand R betrachtet werden. Die Polung der Gleichstromquelle 3, die den Stromkreis über einen Vorwiderstand 4 schliesst, ist so gewählt, dass der mittlere   Pll- Ubergang   2 in Sperrichtung liegt. Die Schaltdiode sperrt dann für kleine Spannungen und die gesamte äussere Spannung liegt am mittleren pn-Übergang. Dieses Verhalten wird durch den Kurvenast A der in   Fig. 2 dargestellten Stromspannungscharakteristik wiedergegeben.

   Es werden nun von den   beiden Aussenzonen I bzw. IV Minoritätsträger in die jeweils benachbarte Mittelzone II bzw. m injiziert. 



  Diese erreichen   den mittleren pn - Übergang 2 und bewirken   dort eine Erhöhung des Sperrstroms. Der Sperrstrom wächst mit steigender Spannung und damit auch die Injektion der Minoritätsträger, die dann ihrerseits wieder eine Erhöhung des Sperrstroms zur Folge hat. Bei Erreichen der Durchbruchspannung des pn-Übergangs 2 wird das Element instabil. In der   Stromspannungscharakteristik   der Fig. 2 ist dieser Punkt 
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 schwemmt, so dass die Spannung an der Anordnung zusammenbricht. Dieses Verhalten wird durch den   KurvenastB inFig. 2   wiedergegeben. Beim Umpolen der äusseren Spannung liegen die pn-Übergänge 1 und 3 in Sperrichtung und die Anordnung sperrt so lange, bis der Zenerdurchbruch dieser beiden äusseren Übergänge erreicht ist.

   Dieses Verhalten entspricht dem Bereich, der durch den Kurvenast C'dargestellt ist. 



   Es ist bereits eine Anordnung zur Verwendung als Schalter in Stromkreisen bekannt, bei der die beiden äusseren   pn-Übergänge   durch je einen Widerstand überbrückt sind (siehe die USA-Patentschrift Nr. 2, 655, 610) ; bei einer weiteren Ausführungsform gemäss dieser Patentschrift können diese Widerstände auch regelbar sein. Zum Umschalten vom   Sperr- in   den Flusszustand wird bei dieser Einrichtung eine Spannung angelegt, die grösser als die Durchbruchsspannung ist. 



   Aus der   USA-Patentschrift Nr. 2,   655,608 ist es weiters bekanntgeworden, eine Schaltdiode, bestehend aus drei hintereinanderliegenden   p-bzw. n-Zonen   in Serie mit einem Widerstand an Spannung zu legen. 



  Dabei ist parallel zu diesem Widerstand ein Spitzenkontakt an der mit dem Widerstand verbundenen Zone vorgesehen, der durch einen Schichtkontakt ersetzt werden kann, so dass in diesem Falle ebenfalls eine Schaltdiode mit vier hintereinanderliegenden Zonen vorliegt, die abwechselnd p-und n-Störstellen enthalten, wobei nur einer der äusseren pn-Übergänge mit einem Widerstand überbrückt ist. 



   Die vorliegende Erfindung ist demgegenüber dadurch ausgezeichnet, dass der Widerstand in an sich bekannter Weise regelbar ist und der nicht überbrückte äussere   pu-übergang   eine sehr kleine Sperrspannung hat, so dass die Schaltdiode in der sonst sperrenden Richtung eine Flusscharakteristik aufweist. 



   Diese Flusscharakteristik in der sonst sperrenden Richtung, wie sie eine Schaltung mit einer Schaltdiode gemäss der Erfindung aufweist, hat vor allem den Vorteil, dass ein Umschalten vom Sperrzustand in den Flusszustand schon bei wesentlich geringeren Spannungen als der Durchbruchsspannung erfolgen kann 

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 und'damit die aufzuwendende Schaltleistung erheblich verringert wird. 



   In Fig. 2 ist die Kennlinie 6 einer Anordnung gemäss der Erfindung, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist, bei der eine der Aussenzonen mit dem Winderstand R überbrückt ist und der nicht überbrückte Übergang eine sehr kleine Sperrspannung aufweist, gestrichelt gezeichnet dargestellt. Durch den Widerstand R wird die Durchbruchsspannung erhöht. Diese erhöhte Durchbruchsspannung ist mit UD, bezeichnet. Der Wert
UD, ist durch die Grösse des Widerstandes R bestimmt. UD, ist aber immer grösser als die Durchbruchs- spannung   UD   derSchaltdiode ohne Widerstand. Beim Umpolen der Spannung zeigt die   erfindungsgemässe  
Anordnung eine ausgeprägte Flusscharakteristik.

   Dabei ist vorausgesetzt, dass der pn-Übergang 3 oder all- gemein der nicht   überbrückte     pn-Übergang   eine sehr kleine Sperrspannung hat. Diese Flusscharakteristik im sonst sperrenden Bereich hat den Vorteil, dass man die Diode vom Sperrzustand in den Flusszustand schalten kann, ohne eine Spannung von der   Grösse   der Durchbruchsspannung aufbringen zu müssen. Will man vom Sperrzustand A in den leitenden Zustand B gelangen, so polt man kurz in Flussrichtung, die durch den Zustand C gegeben ist. Die Gebiete II und III sowie der pn-Übergang 2 werden mit Minoritäts-   trägern   überschwemmt und die Spannung UD'wird abgebaut, so dass man ohne grossen Spannungsaufwand vom Zustand C in den Zustand B gelangen kann. 



   Durch Änderung der Grösse des Widerstandes R kann auch der Verlauf des Kurvenastes C und damit die
Schaltzeit der Anordnung beeinflusst werden. 



   Es ist auch möglich und wird erfindungsgemäss weiter vorgeschlagen, an Stelle des Widerstandes R einen von der Spannungsrichtung abhängigen Widerstand, insbesondere einen Richtleiter, zu verwenden, der den Strom durch den Nebenschluss unterbindet, wenn der   pn-Übergang l   in Flussrichtung liegt. Man erhält dann die maximale   Minoritätsträgerinjektion   in die Zone II. Man kann mit dieser Anordnung eine niedrige Durchbruchspannung UD mit einer guten Flusskennlinie kombinieren. 



   Weiter ist es auch möglich, durch Parallelschaltung eines Kondensators zum Widerstand Rdie Schalt- diode zur Schwingungserzeugung zu benutzen. 



   Besonders günstige Verhältnisse ergeben sich, wenn der Wert des Widerstandes R in der Grössenord- nung des Flusswiderstandes des   überbrückten   pn-Übergangs liegt. 



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Schaltung mit einer Schaltdiode mit vier hintereinanderliegenden Zonen, die abwechselnd p-und   n-störstellen   enthalten, wobei nur einer der beiden äusseren   pn-Übergänge   mit einem Widerstand über-   brückt   ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand (R) in an sich bekannter Weise regelbar ist und der nicht überbrückte andere   äussere pn-Übergang   eine sehr kleine Sperrspannung hat, so dass die Schalt- diode in der sonst sperrenden Richtung eine Flusscharakteristik aufweist.

Claims (1)

  1. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Wert des Widerstandes R in der Grö- ssenordnung des Flusswiderstandes des überbrückten pn-Übergangs liegt.
    3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand (R) in an sich bekannter Weise einen von der Spannungsrichtung abhängigen Widerstandswert besitzt, insbesondere ein Richtleiter ist.
    4. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass dem Widerstand (R) ein Kondensator parallelgeschaltet ist.
AT802459A 1958-06-25 1959-04-13 Schaltung mit einer Schaltdiode mit vier hintereinanderliegenden Zonen AT224690B (de)

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AT224690B true AT224690B (de) 1962-12-10

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AT802459A AT224690B (de) 1958-06-25 1959-04-13 Schaltung mit einer Schaltdiode mit vier hintereinanderliegenden Zonen

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AT (1) AT224690B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1292754B (de) * 1963-10-31 1969-04-17 Siemens Ag Verfahren zur Erhoehung der zulaessigen Spannungsaenderungsgeschwindigkeit du/dt an der Schaltstrecke eines Thyristors und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1292754B (de) * 1963-10-31 1969-04-17 Siemens Ag Verfahren zur Erhoehung der zulaessigen Spannungsaenderungsgeschwindigkeit du/dt an der Schaltstrecke eines Thyristors und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

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