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Schaltungsanordnung zur Begrenzung elektrischer Signale
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Begrenzung elektrischer Signale, bei der die
Schwingungen einem Parallelresonanzkreis zugeführt werden, dem die Emitter-Kollektorstrecke eines
Transistors, vorzugsweise eines symmetrischen Transistors, parallelgeschaltet ist und deren Mittelanzap- fung über eine für die Modulationsfrequenzen durchlässige Parallelschaltung eines Widerstandes und eines i Kondensators mit der Basis des Transistors verbunden ist, nach dem österr. Patent Nr. 207895. Diese An- ordnung hat den Nachteil, dass der Transistor den Resonanzkreis zu stark dämpfen kann, was insbesondere für kleine Empfangssignale unerwünscht ist.
Die vorliegende Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine konstante Sperrspannung im Kreis zwischen der Mittelanzapfung des Parallelresonanzkreises und der
Basis des Transistors wirksam gemacht wird. Dadurch wird erzielt, dass die Ruhedämpfung des Resonanz- kreises für die ungenügend grossen Signale herabgesetzt wird.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 veranschaulicht ein Prinzipschaltbild nach der Erfindung, Fig. 2 eine Abänderung der Anord- nung nach Fig. 1, Fig. 3 zeigt die Anwendung der Anordnung nach Fig. 2 in einer Rundfunkempfangs- schaltung und Fig. 4 veranschaulicht eine besondere Ausführung der Anordnung nach Fig. 2.
Die zu begrenzenden Schwingungen werden einemParaIlelresonanzkreis l hoherGüte zugeführt. Diesem
Kreis 1 ist die Emitter-Kollektorstrecke eines Transistors 2, insbesondere eines symmetrischen Grenz- schichttransistors, parallelgeschaltet.
Mit"symmetrischem Transistor"wird dabei gemeint, dass die Kennlinien des Transistors nach Um- wechslung der Emitter-und Kollektorelektroden unverändert bleiben. Der Kreis 1 ist mit einer Mitteln- zapfung 3 versehen, die über die Parallelschaltung eines Widerstandes 4 und eines Kondensators 5 mit der
Basis des Transistors 2 verbunden ist. Die Zeitkonstante der Widerstand-Kondensator-Parallelschaltung ist so gross bemessen, dass die Modulationsfrequenzen von dieser Parallelschaltung durchgelassen werden. Über der RC-Parallelschaltung 4,5 wird somit eine der mittleren Signalamplitude entsprechende Sperrspannung erzeugt, und Amplitudenschwankungen des Signals, die über diese Vorspannung hinausgehen, bewirken erhebliche Stromänderungen durch den Transistor, die den Kreis 1 derartig dämpfen, dass diese Schwan- kungen unterdrückt werden.
In der Praxis wird der Widerstand 4 so gewählt, dass bei der mittleren Signalamplitude durch den
Transistor 2 eip so grosser Vorstrom fliesst, dass die der zu unterdrückenden Amplitudenmodulation ent- sprechenden Stromänderungen kleiner als dieser Vorstrom bleiben. Dieser Vorstrom bewirkt aber eine we- sentliche Ruhedämpfung des Kreises 1. Zur Herabsetzung dieser Ruhedämpfung wird nach der Erfindung eine weitere Sperrspannung im Kreis zwischen der Mittelanzapfung 3 und der Basis des Transistors 2 wirk- sam gemacht.
Nach Fig. l wird dies dadurch erzielt, dass diesem Kreis ein zusätzlicher Strom aus einer gesondertenQuelle 6 über einen Widerstand 7 zugeführt wird. Die Ruhedämpfung der ungenügend grossen Signale wird dadurch wesentlich geringer, weil die Quelle 6 über den Widerstand 4 bereits einen Teil der erforderlichen Vorspannung erzeugt und der Vorstrom durch den Transistor 2 somit kleiner sein kann, ohne dabei die Amplitudenmodulationsunterdrückung der grossen Signale zu beeinträchtigen. Die Spannung der Quelle 6 entspricht dabei vorzugsweise der mittleren Signalstärke, das Verhältnis der Widerstände 7 und 4 dem Ver-
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hältnis zwischen dieser mittleren und der kleinsten noch zu begrenzenden Signalstärke.
In der Schaltung nach Fig. 2 ist zu der RC-Parallelschaltung 4, 5 eine Zenerdiode 10 in Reihe geschaltet. Die Emitter-Kollektorstrecke des Transistors 2 ist einem Teil des Resonanzkreises l parallelge- schaltet, und die Mittelanzapfung 3 ist entsprechend diesem Teil gewählt. Sobald die Teilspannungsam- plitude die Zenerspannung der Diode 10 überschreitet, erfolgt ein Durchschlagund der den Kreis 1 dämpfende Strom durch den Transistor wächst sehr schnell an. Weil aber nur ein sehr geringer Strom durch die Diode 10 zu fliessen braucht, ist eine Gefahr vor Überlastung dieser Diode nicht vorhanden. Durch Reihenanordnung derDiode 10 und des RC-Gliedes 4, 5 wird eine ähnliche Wirkung wie mit den Schaltelementen 6, 7 nach Fig. 1 erreicht.
InFig. 3 ist der Strom durch die Zenerdiode zur selbsttätigen Stärkeregelung einer FM-Rundfunkempfängerschaltung herangezogen. Infolge der plötzlichen Stromzunahme durch die Diode 10 wird eine Vor- stromverlagerung in dem Transistor 11 hervorgerufen, infolge welcher sich der Eingangsinnenwiderstand und folglich die Verstärkung des Transistors 11 in einem derartigen Sinne ändert, dass bei grösser werdenden Eingangssignalen die Verstärkung kleiner wird. Der Transistor 11 ist nach Fig. 3 im Zwischenfrequenzverstärker aufgenommen ; er kann aber gleichfalls im Hochfrequenzteil des Empfängers aufgenommen sein.
Der Kondensator 12 kann für die ungewilnschten Amplitudenmodulationsfrequenzen durchlässig sein, so dass eine übliche selbsttätige Stärkeregelung erhalten wird. Wenn er aber nur für die Zwischenfrequenz- schwingungen durchlässig ist, und also einimModulationsfrequenzrhythmus variierendes Signal über diesen Kondensator 12 erzeugt wird wird gleichzeitig eine Gegenmodulation der unerwünschten Amplitudenmo- dulation erhalten.
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dem Material des einen Leitfähigkeitstyps, auf dem drei Elektroden 22, 23 und 24 des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps angeordnet sind. Die Elektroden 22 und 23 sind vorzugsweise mit gleich grosser Oberfläche ausgestaltet, so dass sie die Eigenschaften des Emitters und des Kollektors eines symmetrischen Transistors erfüllen.
Die Durchschlagsspannung des zwischen der Elektrode 24 und dem Körper 21 gebildeten p-n-Überganges ist niedriger als die jeder der Grenzschichten zwischen den Elektroden 22 bzw. 23 unddemKörper21. Zu diesem Zweck kann die Elektrode 24 eine grössere Leitfähigkeit aufweisen als Jede der Elektroden 22 bzw. 23. und bzw. oder der Körper 21 kann in der Nähe der Elektrode 24 eine grössere Leitfähigkeit aufweisen als in der Nähe der Elektroden 22 bzw. 23.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Schaltungsanordnung zur Begrenzung elektrischer Signale, bei der die Schwingungen einem Parallelresonanzkreis zugeführt werden, dem die Emitter-Kollektorstrecke eines Transistors, vorzugsweise eines symmetrischen Transistors, parallelgeschaltet ist und dessen Mittelanzapfung über eine für die Mo- dulationsfrequenzendurchlässige Parallelschaltung eines Widerstandes und eines Kondensators mit der Basis des Transistors verbunden ist, nach dem österr. Patent Nr. 207895, dadurch gekennzeichnet, dass eine konstante Sperrspannung im Kreis zwischen der Mittelanzapfung des Parallelresonanzkreises und der Basis des Transistors wirksam gemacht wird.