AT213959B - Empfangsschaltung - Google Patents

Description

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  Empfangsschaltung 
Die Erfindung betrifft eine Empfangsschaltung mit einem in Reflexschaltung betriebenen Transistor. 



  Sie beabsichtigt, eine besonders empfindliche Schaltung anzugeben und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Antennenschwingungen in den Emitterkreis und die durch Mischung, vorzugsweise in einer selbstschwingenden Mischstufe, erhaltenen Schwingungen niedrigerer Frequenz (insbesondere der Zwischenfrequenz) in den Basiskreis des Transistors eingeführt werden. 



   Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass der Betrieb des Transistors in Emitterschaltung üblicherweise eine höhere Leistungsverstärkung ermöglicht als wenn der Transistor in   Basisschaltung   betrieben wird ; wenn aber die Signalfrequenz höher ist als die Grenzfrequenz des Transistors, ermöglicht die Basisschaltung eine höhere Leistungsverstärkung als die Emitterschaltung. 



   Die erfindungsgemässe Schaltung ist in der beiliegenden Zeichnung veranschaulicht worden. 



   Die Antennenschwingungen werden über den abgestimmten Kreis 1 in den Emitterkreis des Transistors 2 eingeführt. Die folglich über dem abgestimmten Kreis 3 erzeugten verstärkten Antennenschwingungen werden dem Emitter der selbstschwingenden Transistormischstufe 4 mit   Oszillatorkreis   5 und Zwischenfrequenz-Ausgangskreis 6 zugeführt. 



   Die über dem abgestimmten Kreis 6 erzeugten   Zwischenfcequenzschwingungen   werden nach der Erfindung der Basis des Transistors 2 zugeführt und nochmals verstärkt ; die verstärkten Schwingungen werden dem auf diese Schwingungen abgestimmten Kreis 7 entnommen. Der Transistor 2 wird somit für die Antennenschwingungen inBasisschaltung und für die   Zwischenfrequenzschwingungen   in Emitterschaltung betrieben, weil die im Basis- bzw. im Emitterkreis dieses Transistors liegenden Impedanzen vernachlässigbar sind für die Antennen-bzw. für die ZF-Schwingungen. Die Grenzfrequenz des Transistors 2 in Emitterschaltung liegt dabei zwischen dem Wert der Zwischenfrequenz und dem der Antennenfrequenz. Die Kreise 1 und 3 bzw. 6 und 7 sind dabei für maximale Leistungsverstärkung bemessen. 



   Zur Unterdrückung ungewünschter Rückwirkungen ist ein auf die Zwischenfrequenz abgestimmter   Reihenresonanzkreis   8 im Emitterzweig des Transistors 4 vorgesehen. Die Übersteuerung der Mischstufe 4 wird durch selbsttätige Verstärkungsregelung des Transistors 2 mittels eines den Klemmen 9 zugeführten Regelstroms verhütet. 

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Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH : Empfangsschaltung mit einem in Reflexschaltung betriebenen Transistor, dadurch gekennzeichnet, dass die Antennenschwingungen in den Emitterkreis und die durch Mischung, vorzugsweise in einer selbstschwingenden Mischstufe, erhaltenen Schwingungen niedrigerer Frequenz (insbesondere der Zwischenfrequenz) in den Basiskreis des Transistors eingeführt werden. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.