AT212882B - Verfahren zur Herstellung von Reinstsilizium - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von ReinstsiliziumInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Herstellung von Reinstsilizium Das Stammpatent Nr. 205548 betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Reinstsilizium, das als Grundmaterial für elektrische Halbleitergeräte geeignet ist, bei dem das Silizium aus der Gasphase eines Halogenides durch chemische Umsetzung innerhalb eines durchsichtigen Reaktionsgefässes aus Glas oder Quarz auf einem vorzugsweise aus Silizium bestehenden elektrisch mittels Stromdurchgang erhitzten Trägerkörper abgeschieden und die Temperatur des Reaktionsgefässes während der Abscheidung zwischen etwa 300 C und 800 C gehalten wird. Es hat sich nun erwiesen, dass besonders bei grösserem Gasdurchsatz unter Umständen die Zylinderwand bis unter die Mindesttemperatur abgekühlt werden kann. Dieser Nachteil wird nach der vorliegenden Erfindung dadurch vermieden, dass das Reaktionsgasgemisch vor dem Eintritt in das Reaktionsgefäss vorgeheizt wird. Natürlich darf die Vorheizung nicht so stark sein, dass etwa die obere Grenze des erwähnten Temperaturbereiches überschritten wird. Die aus dem Reaktionsgefäss austretenden heissen Restgase können mittels eines Wärmeaustauschers zur Vorheizung des zugeführten Reaktionsgasgemisches verwendet werden. Die Vorheizung kann in einfacher Weise dadurch ausgeführt werden, dass das Zuleitungsrohr für das Reaktionsgasgemisch über eine ausreichende Länge durch das Austrittsrohr der heissen Restgase dem Reaktionsgefäss zugeführt wird. Zu diesem Zweck wird das Gaszuleitungsrohr zur besseren Wärme- übertragung vorteilhaft aus einem gut wärmeleitenden Material, beispielsweise Silber oder Kupfer, hergestellt. Das Gasaustrittsrohr wird gegen Wärmeabstrahlung nach aussen isoliert. Das Gasgemisch kann ferner dadurch vorgeheizt werden, dass das Gaszuleitungsrohr vor dem Reaktionsgefäss über eine ausreichende Länge elektrisch geheizt oder durch einen Ofen geführt wird. Eine Anordnung, mit der das erfindungsgemässe Verfahren in einfacher Weise durchgeführt werden kann, ist in der Figur veranschaulicht. Der erforderliche Wasserstoff wird einer Gasflasche 1 über ein Absperrventil 2 und ein mehrstufiges Reduzierventil 3 sowie einem Gas-Durchflussmesser 4 entnommen und der Gas-Verdampferanlage 5 zugeführt. Dort mischt er sich mit dem verdampften Reaktionsgas und wird dann durch das Gaszuleitungsrohr 6 über eine Düse 7, die eine turbulente Strömung erzeugt, zu den mit Hilfe einer Wechselspannungsquelle S beheizten Trägerstäben 9 geführt. Die Trägerstäbe sind in einem luftdicht abgeschlossenen Quarzzylinder 10 auf einer Graphithalterung 11 freistehend angeordnet und an ihren oberen Enden durch eine Siliziumbrücke 12 stromleitend miteinander verbunden. Die verbrauchten Restgase treten durch das wärmeisolierte Austrittsrohr 13 aus und strömen in entgegengesetzter Richtung zum zugeführten Reaktionsgasgemisch am Gaszuleitungsrohr 6 entlang. PATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Herstellung von Reinstsilizium für elektrische Halbleitergeräte, bei welchem das Silizium aus der Gasphase eines Halogenids durch chemische Umsetzung innerhalb eines durchsichtigen Reaktionsgefässes aus Glas oder Quarz auf einem vorzugsweise aus Silizium bestehenden elektrisch mittels Stromdurchgang erhitzten Trägerkörper abgeschieden und die Temperatur des Reaktionsgefässes während der Abscheidung zwischen etwa 300 C und 800 C gehalten wird, nach Patent Nr. 205548, dadurch gekennzeichnet, dass das Reaktionsgemisch vor dem Eintritt in das Reaktionsgefäss vorgeheizt wird. **WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Reaktionsgasgemisch mit den aus dem Reaktionsgefäss austretenden verbrauchten Restgasen vorgewärmt wird. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT205548D | |||
| DE212882T | 1958-12-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT212882B true AT212882B (de) | 1961-01-10 |
Family
ID=29712846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT608359A AT212882B (de) | 1958-12-09 | 1959-08-20 | Verfahren zur Herstellung von Reinstsilizium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT212882B (de) |
-
1959
- 1959-08-20 AT AT608359A patent/AT212882B/de active
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