AT156767B - Keramischer Isolator und Verfahren zu seiner Herstellung. - Google Patents

Keramischer Isolator und Verfahren zu seiner Herstellung.

Info

Publication number
AT156767B
AT156767B AT156767DA AT156767B AT 156767 B AT156767 B AT 156767B AT 156767D A AT156767D A AT 156767DA AT 156767 B AT156767 B AT 156767B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
titanium dioxide
sintering
temperature
dielectric
sintered
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Application granted granted Critical
Publication of AT156767B publication Critical patent/AT156767B/de

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Keramischer Isolator und Verfahren zu seiner Herstellung. 



   Die Erfindung bezweckt die Herstellung geeigneter keramischer Isolatoren mit einem dielektrischen Verlustfaktor, der bei einer Wellenlänge von 200 m kleiner als 2.   10-3 ist, welche   besonders zur Verwendung als Dielektrikum für Kondensatoren geeignet sind. Die Erfindung betrifft insbesonders die Verwendung des Titandioxyds, dessen Rutilmodifikation bereits als Dielektrikum für Kondensatoren empfohlen wurde. 



   Kleine Platten, Röhren od. dgl. aus gesintertem Titandioxyd können durch die bekannten keramischen Verfahren, z. B. durch Erhitzen des Titandioxyds, Mahlen des erhitzten Stoffes und Pressen mit Hilfe eines   organisehen   Bindemittels hergestellt werden, das während des auf das Pressen folgenden Sinterns vollständig verbrennt. 



   Wir haben nun gefunden, dass besondere Vorkehrungen bei der Verarbeitung von Titandioxyd in Form starrer dicht gesinterter keramischer Gegenstände getroffen werden müssen, um Produkte mit geringen dielektrischen Verlusten zu bekommen, da es sich gezeigt hat, dass auch im Falle eines sorgfältig durchgeführten oxydierenden Sinterns Produkte entstehen können, deren hoher dielektrischer Verlustfaktor sie z. B. für Verwendung in Kondensatoren ungeeignet macht. Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass dies im wesentlichen auf die Art der   Abkühlung   nach dem Sintern zurückzuführen ist. 



   Gemäss der Erfindung lässt man, nachdem der Gegenstand bei der Abkühlung eine Temperatur von etwa   10000 bis 11000 C erreicht   hat, zum Zwecke der Erzielung eines Produktes mit einem bei 200m Wellenlänge 2.   10-3 unterschreitenden Yerlustfaktor   die Weiterkühlung, jedenfalls bis annähernd   7000   C genügend schnell vor sich gehen, da unterhalb dieser letzteren Temperatur nur noch geringe Änderungen auftreten. 



   Es ist in bezug auf das Sintern zu bemerken, dass sich in den in der keramischen Industrie allgemein verwendeten Öfen Verbrennungsgase entwickeln. Dies hat zur Folge, dass   sieh   das zu sinternde Material in einer Atmosphäre befindet, die nicht ausschliesslich aus Luft besteht, sondern mehr oder weniger Verbrennungsgase enthält. Auch wenn eine solche Sauerstoffmenge im Verhältnis zu 
 EMI1.1 
 eine oxydierende betrachtet werden muss, tritt Dissoziation des Titandioxyds unter Bildung eines elektrisch leitenden Titanoxyds von niedrigerer   Valenzstufe   auf. Je stärker die Atmosphäre durch die Anwesenheit von Verbrennungsgasen verunreinigt ist, um so niedriger ist die Temperatur, bei der diese Dissoziation einsetzt. 



   Gemäss der Erfindung wird zur Vermeidung dieser Dissoziation des Titandioxyds, die für den dielektrischen Verlustfaktor von Nachteil ist, dem Gegenstand Zeit und Gelegenheit gegeben, wieder Sauerstoff zur Rückbildung von Titandioxyd aufzunehmen. Dies kann dadurch in die Wege geleitet werden, dass der Gegenstand genügend langsam von der zwischen 1400 und 15000 C liegenden Sinterungtemperatur, u. zw. wenigstens bis zu der Temperatur abgekühlt wird, bei der die Dissoziation eingesetzt hat oder eine genügend lange Zeit auf einer Temperatur gehalten wird, die unterhalb dieser   Dissoziationstemperatur   liegt, bei der aber die Reaktionsgeschwindigkeit noch genügend gross ist. 



   Hiezu ist zu bemerken, dass der vorher erwähnte Wunsch nach einer langsamen Kühlung unter gewissen ungünstigen Bedingungen dem Bedürfnis nach schneller Kühlung von einer Temperatur von annähernd 1000 bis 1100  C auf mindestens 700  C entgegenstehen kann ; wenn nämlich die Bildung eines niedrigeren Titanoxyds in wesentlichem   Masse   erfolgt ist, kann es vorkommen, dass die Temperatur, 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 temperatur an auf eine Temperatur ganz nahe bei oder sogar unterhalb der vorerwähnten Temperatur von 1000 bis   1100    C fortgesetzt werden müsste, so dass die Erzielung eines guten Endergebnisses schwierig bzw. unmöglich wird.

   Ein solcher Umstand kann vorliegen, wenn die Verbrennungsgase des Ofens direkt mit dem zu sinternden Titandioxyd in Berührung kommen, wie dies   z.   B. in kontinuierlichen   Durehführungsofen   der Fall sein kann. Die Bedingungen zur Erzielung eines guten Endergebnisses sind wesentlich vorteilhafter, wenn indirekte Gasheizung angewendet wird. Hiebei wirkt nämlich 
 EMI2.2 
 der zu   sinternde Titandioxydgegenstand enthalten   ist, trennende, feuerfeste Wand hindurch diffundiert. Es ist deshalb von besonderem Vorteil, auch bei indirekter Gasheizung für besondere Lufterneuerung 
 EMI2.3 
 
Wenn die   Gasvenmreingung   in der oxydierenden Atmosphäre, z.

   B. durch Erhitzung in einem elektrischen Ofen mit einer   Platinwicklung   als Heizelement, vermieden oder ganz ausgeschlossen wird, 
 EMI2.4 
 an der Luft sogar von der Sinterungstemperatur bis zur Zimmertemperatur der fertige Gegenstand so wenig vom niedrigeren Titanoxyd   enthält, dass   der dielektrische Verlust bei einer Wellenlänge von 200 m kleiner ist,   als 2. 10-3.   



   Es ist zu erwähnen, dass die Erfindung mit gutem Erfolg auch bei einem bereits gesinterten Titandioxydgegenstand angewendet werden kann, bei dessen Herstellung die vorher erwähnten Vor- 
 EMI2.5 
 dass der vorhandene Sauerstoff Zeit und Gelegenheit hat zwecks Bildung von   Ti02   hineinzudiffundieren, wie dies vorher auseinandergesetzt wurde. Zu diesem Zweck wird diese Erhitzung während einer hinreichend langen Zeit in einer geeigneten oxydierenden Atmosphäre auf einer Temperatur von z. B. 



    1 : : 00  C durchgeführt und   darauf wird genügend schnell bis zur Zimmertemperatur gekühlt. 



   Bedingt dadurch, dass keine der dielektrischen Konstante nachteiligen keramischen Hilfs- 
 EMI2.6 
 den besonderen Vorteil eines niedrigen dielektrischen Verlustfaktors sowie einer besonders hohen dielektrischen Konstante. Auf diese Weise kann ein keramischer Stoff mit einer dielektrischen Konstante von etwa 90 erhalten werden. Bekanntlich können   Verunreinigungen,   wie Alkaliverbindungen den   dielektrischen Verlustfaktor schädlich beeinflussen.   Es ist deshalb erwünscht, von einem nicht zu   unreinen     Titandioxydhandelsprodukt auszugehen   und ferner zu verhindern, dass während des Brennens 
 EMI2.7 
 
Beispiel1 : Titandioxyd in der Anatasmodifikation wird für 15   j : Iinuten auf 13000 C   erhitzt, wobei das Material sintert und in Rutil   übergeführt   wird.

   Die so erhaltenen harten Brocken werden 
 EMI2.8 
 guten dielektrischen Eigenschaften besteht, unter Zusatz von destilliertem Wasser   zermahlen.   Darauf wird das Titandioxyd'mit Tragant und destilliertem Wasser gemischt, in Form kleiner Röhren gepresst und getrocknet. Die so erhaltenen   Röhrchen   werden in passende Kassetten aus gesintertem reinen Aluminiumoxyd geschoben und in einem Ofen, mit dem kontinuierlich gearbeitet werden kann und in dem die Verbrennungsgase nicht von den erhitzten Kassetten getrennt gehalten werden, geheizt, wobei   die Röhrchen sich annähernd zehn   Minuten in der heissesten Zone (annähernd 1470  C) befinden und darauf in annähernd einer halben Stunde bis auf annähernd   5000 C abkiihlen,

     worauf eine Abkühlung 
 EMI2.9 
 Ofens an der Luft bis auf   Zimmertemperatur   abkühlen. 



   Das so erhaltene Produkt hat einen dielektrischen Verlustfaktor von   0'7   bis   l'O.     10-3   bei 200 m Wellenlänge   und   eine dielektrische Konstante von 90. 



   Beispiel 2 : Eine kleine auf die in Beispiel 1 beschriebene Weise geformte und getrocknete Titandioxydplatte wird in einem waagrecht angeordneten Rohrofen an einem Aluminiumoxydstäbchen 
 EMI2.10 
 lässt man den Ofen in 20 Minuten bis auf   1J00O C abkÜhlen   und nimmt dann das Plättchen aus dem Ofen, um es in Luft bis auf Zimmertemperatur ferner   abkühlen   zu lassen. 



   Das so erhaltene Produkt hat einen dielektrischen Verlustfaktor von   0'3.     103   bei 200 m Wellenlänge und eine dielektrische Konstante von   90.   



     Beispiel : 3 :   Ein auf die in Beispiel 1 beschriebene Weise geformter und getrockneter Titan- 
 EMI2.11 
 bis auf   11000 C   in weniger heissen Zonen des Ofens vor sich geht oder auch zieht man den Gegenstand schnell aus dem Ofen und bringt ihn in einen kleinen elektrischen Ofen von 1000  C mit Nickelehrom-   windungen   ein, wo er für   annähernd   eine Minute verbleibt und darauf lässt man ihn ausserhalb des 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 
 EMI3.1 
 



   Beispiel 4 : Ein auf die im Beispiel 1 beschriebene Weise geformter und getrockneter Titandioxydgegenstand wird in einen elektrischen Ofen, dessen Heizelement aus einer Platindrahtwicklung besteht, für zehn Minuten auf   1470  erhitzt,   worauf eine Abkühlung ausserhalb des Ofens bis auf Zimmertemperatur folgt. 



   Das so erhaltene Produkt hat einen dielektrischen Verlustfaktor von   1'3.     10-3   bei 200 m Wellenlänge und eine dielektrische Konstante von 90. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Herstellung eines besonders als Dielektrikum für Kondensatoren geeigneten keramischen Isolators, dadurch gekennzeichnet, dass man einen in oxydierender Atmosphäre dichtgesinterten Titandioxydkörper, der keine nennenswerte Menge eines niedrigeren Titanoxyds enthält, wenigstens von annähernd 1100  C an genügend schnell abkühlen lässt, damit der dielektrische Verlustfaktor bei einer Wellenlänge von 200 m kleiner als 2.   10-3   wird.

Claims (1)

  1. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein dichtgesinterter aber teilweise reduzierter Titandioxydkörper nach dem Sintern in der Weise Zeit und Gelegenheit hat, wieder Sauerstoff zum Zweck der Riickbildung Titandioxyds aufzunehmen, dass von der Sinterungstemperatur bis auf annähernd 11000 C genügend langsam abgekühlt wird oder der Gegenstand eine genügend lange Zeit auf einer unterhalb der Dissoziationstemperatur von Titandioxyd liegenden Temperatur, bei der aber die Reaktionsgeschwindigkeit noch genügend gross ist, gehalten wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Titandioxydkörper durch Mischen von Titandioxyd mit einem beim Sintern vollständig verbrennenden organischen Bindemittel gebildet wird und darauf Pressen und Trocknen folgt.
    4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Sintern mittels indirekter Gasheizung erfolgt und die Luft in dem Raum, in dem der zu sinternde Titandioxydkörper enthalten ist, erneuert wird.
    5. Ein keramischer Isolator, insbesondere ein Dielektrikum fiir Kondensatoren, der aus Titandioxyd besteht und bei einer Wellenlänge von 200 m einen dielektrischen Verlustfaktor kleiner als 2. 10-3 hat.
    6. Kondensator mit einem keramischen Dielektrikum nach Anspruch 5.
AT156767D 1937-04-06 1938-04-06 Keramischer Isolator und Verfahren zu seiner Herstellung. AT156767B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL156767X 1937-04-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT156767B true AT156767B (de) 1939-08-25

Family

ID=19776487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT156767D AT156767B (de) 1937-04-06 1938-04-06 Keramischer Isolator und Verfahren zu seiner Herstellung.

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT156767B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3538631C2 (de)
DE904036C (de) Dielektrische keramische Komposition und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2839976A1 (de) Halbleiterkeramik fuer grenzschichtkondensatoren
DE1108605B (de) Verfahren zur Herstellung von Mangan-Zink-Ferriten
AT156767B (de) Keramischer Isolator und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE916157C (de) Verfahren zum Herstellen eines dielektrischen keramischen Koerpers
DE1471158B1 (de) Verfahren zum Herstellen von halbleitenden mit Siliciumnitrid gebundenen Siliciumkarbidkoerpern fuer Niederspannungszuendkerzen
CH288263A (de) Keramischer, ferromagnetischer körper mit einer hohen Sättigungsinduktion und Verfahren zu dessen Herstellung.
DE1177538B (de) Verfahren zur Herstellung von dielektrischem Material
DE1080460B (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Isolatoren aus Titandioxyd
CH208423A (de) Verfahren zur Herstellung eines Gegenstandes aus keramischem Isolierstoff.
DE619504C (de) Verfahren zur Herstellung nichtmetallischer Heizwiderstaende aus Siliciumcarbid durch Rekristallisation
DE894261C (de) Verfahren zur Herstellung eines gesinterten keramischen Koerpers
DE914952C (de) Keramischer Isolator
DE1471158C (de) Verfahren zum Herstellen von halbierten den mit Siliciumnitrid gebundenen Silicium karbidkorpern fur Niederspannung szundkerze
DE661521C (de) Verfahren zur Herstellung einer Einbettmasse zur Isolation der Heizleiter elektrischer Heizgeraete
AT75079B (de) Verfahren zur Herstellung von Wolframdraht für elektrische Glühlampen.
DE848921C (de) Verfahren zur Herstellung eines hochwertigen Dielektrikums
DE887623C (de) Synthetischer Rutil und Verfahren zu seiner Herstellung
AT153204B (de) Keramisches Kondensatordielektrikum.
DE884622C (de) Verfahren zur Herstellung dielektrisch hochwertiger keramischer Stoffe
DE692461C (de) Verfahren zum Herstellen von aus einem einzigen Kristall oder aus Grosskristallen bestehenden Koerpern aus hochschmelzenden Metallen
DE827615C (de) Verbesserung von keramischem dielektrischem Material
DE1909037C3 (de) Verfahren zur Herstellung fester Pellets
DE975985C (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes mit negativem Temperaturkoeffizienten