NL1037192C2 - SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED. - Google Patents

SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED. Download PDF

Info

Publication number
NL1037192C2
NL1037192C2 NL1037192A NL1037192A NL1037192C2 NL 1037192 C2 NL1037192 C2 NL 1037192C2 NL 1037192 A NL1037192 A NL 1037192A NL 1037192 A NL1037192 A NL 1037192A NL 1037192 C2 NL1037192 C2 NL 1037192C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
tunnel
medium
carrier medium
liquid carrier
strip
Prior art date
Application number
NL1037192A
Other languages
Dutch (nl)
Other versions
NL1037192A (en
Inventor
Edward Bok
Original Assignee
Edward Bok
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Edward Bok filed Critical Edward Bok
Priority to NL1037192A priority Critical patent/NL1037192C2/en
Publication of NL1037192A publication Critical patent/NL1037192A/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1037192C2 publication Critical patent/NL1037192C2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Description

Semiconductor tunnel-opstelling , bevattende in het boventunnelblok ervan meerdere inrichtingen ten behoeve van het daarmede opbrengen van een nanometer hoge vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 5 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.Semiconductor tunnel arrangement, comprising in its upper tunnel block a plurality of devices for thereby applying a nanometer-high liquid adhesive to the subsequent, continuously moving semiconductor substrate portions therethrough.

De semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling volgens de uitvinding bevat mede typisch een aantal stripvormige medium-toevoerinrichtingen, welke in 10 hoofdzaak zijn op ge nomen in het boventunnelblok ervan ten behoeve van het tijdens de werking ervan daarin ononderbroken toevoeren van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare hecht-substantie en waarbij daarin tevens typisch de opname van een tweetal opvolgende meng-15 inrichtingen ten behoeve van in de eerste meng-inrichting ervan het mengen van een hoog percentage van een vloeibaar draagmedium met tenminste mede zulk een substantie en in de tweede daarop-volgende, typisch eronder-gelegen meng-inrichting, het mengen van deze combinatie met wederom een 20 hoog percentage vloeibaar draagmedium plaats vindt.The semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement according to the invention also typically comprises a number of strip-shaped medium supply devices, which are substantially included in its upper tunnel block for the purpose of continuously supplying the combination of liquid carrier medium therein during its operation. and particles of a liquid adhesive substance and wherein therein also typically comprises two successive mixing devices for the purpose of mixing in the first mixing device a high percentage of a liquid carrier medium with at least one such substance and in the second subsequent, typically underlying mixing device, the mixing of this combination with again a high percentage of liquid carrier medium takes place.

In de gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage voor zulk een semiconductor tunnel-opstelling is reeds zulk een stripvormige medium-toevoer-inrichting aangegeven ten behoeve van de ononderbroken 25 toevoer erdoorheen van de combinatie van typisch laag- kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare of vaste vorm ervan.In the Dutch Patent Application for such a semiconductor tunnel arrangement simultaneously submitted by the applicant, such a strip-shaped medium supply device has already been indicated for the continuous supply therethrough of the combination of typical low-boiling liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in a liquid or solid form thereof.

Bij een breedte van de tunnel-door gang van circa 200 mm en een verplaatsings-snelheid van de opvolgende, zich erdoorheen 30 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes van typisch slechts 2 mm per seconde en zulks in combinatie met typisch een minder dan 500 nanometer hoge op te bouwen laag van zulk een vloeibare hecht-substantie is aldus het ononderbroken toegevoerde volume ervan beperkt tot typisch minder dan 35 0,2 mm3 per seconde.With a width of the tunnel passage of approximately 200 mm and a displacement speed of the subsequent semiconductor substrate portions moving through it, typically only 2 mm per second and this in combination with typically less than 500 nanometers high at The layer of such a liquid adhesive substance to be built is thus its continuously supplied volume limited to typically less than 0.2 mm 3 per second.

Hierdoor is een zeer hoog percentage van dit vloeibare draagmedium gewenst, met typisch een meng-verhouding van circa 2500 : 1 en waarbij dan een ononderbroken toevoer 1037192 2 erdoorheen van circa 500 mm3 per seconde van zulk een combinatie plaats vindt.As a result, a very high percentage of this liquid carrier medium is desired, with a typical mixing ratio of approximately 2500: 1 and in which case a continuous supply therethrough of approximately 500 mm 3 per second of such a combination takes place.

Aldus vindt nu met behulp van deze tweetal aanvullende meng-inrichtingen in zulk een stripvormige medium-5 toevoer inrichting een voldoende verdunning van deze vloeibare hecht-substantie plaats.Thus, with the aid of these two additional mixing devices, a sufficient dilution of this liquid adhesive substance takes place in such a strip-shaped medium-feeding device.

Daarbij onder de daarop-volgende, in het boventunnelblok opgenomen stripvormige tril/verdampings-inrichting door verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium de 10 vorming van de combinatie van dampvormig medium en deeltjes van deze vloeibare hecht-substantie onder neerslag ervan op de boven-topography van de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en zulks mede onder tril-conditie van deze tril/verdampings-inrichting.The formation of the combination of vaporous medium and particles of this liquid adhesive substance on top of the above, under the subsequent strip-shaped vibrating / evaporating device included in the upper tunnel block, by evaporation of the low-boiling liquid carrier medium. topography of the succeeding semiconductor substrate sections moving underneath it, and this also under the vibrating condition of this vibrator / evaporator.

15 Aldus een optimaal semiconductor neerslag-proces met behulp van deze combinatie van deeltjes vloeibare hecht-substantie en zulk een zeer hoog percentage van het verdampbare vloeibare draagmedium.Thus an optimum semiconductor precipitation process with the aid of this combination of particles of liquid adhesive substance and such a very high percentage of the evaporable liquid carrier medium.

Daarbij vindt tevens een uiterst snelle verdamping van dit 20 laag-kokende vloeibare draagmedium in de onder deze tril/ verdampings-inrichting gelegen bovenspleet-sectie plaats, met daardoor slechts een geringe benodigde breedte van zulk een inrichting in de lengte-richting van deze tunnel, typisch minder dan 50 mm, en waarbij een ononderbroken afvoer van 25 deze gevormde damp in -de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting in het boventunnelblok.An extremely rapid evaporation of this low-boiling liquid carrier medium also takes place in the upper slit section below this vibrating / evaporating device, with as a result only a small required width of such a device in the longitudinal direction of this tunnel, typically less than 50 mm, and wherein an uninterrupted discharge of this formed vapor into the subsequent strip-shaped discharge device in the upper tunnel block.

Als een uiterst gunstige tril/verwarmings-inrichting daar bij typisch de toepassing van een stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok 30 onmiddellijk achter deze medium-toevoerinrichting.As an extremely favorable vibration / heating device there is typically the use of a strip-shaped transducer arrangement which is included in the upper tunnel block 30 immediately behind this medium supply device.

Daarbij in een gunstige tr il-conditie ervan het tevens onderhouden van de combinatie van een snelle neerwaartse -en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van deze trillingen ten behoeve van het bijdragen in zulk een 35 optimaal neerslag-proces.Thereby, in a favorable tri-condition thereof, also maintaining the combination of a rapid downward and a subsequent slow upward displacement of these vibrations for the purpose of contributing to such an optimum precipitation process.

In een volgende gunstige werkwijze het in deze medium-toevoerinrichting tevens toepassen van een hoog-kokend vloeibaar draagmedium, waarbij dan typisch in dit 3 boventunnelblok de opname van een tweede stripvormige tril/ verdampings-inrichting achter deze eerste combinatie van een tril/verdampings-inrichting en medium-afvoer inrichting en waarin dan het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van 5 dit hoger-kokende vloeibare draagmedium.In a further favorable method, also using a high-boiling liquid carrier medium in this medium-supply device, wherein in this top-tier block block typically the accommodation of a second strip-shaped vibration / evaporation device behind this first combination of a vibration / evaporation device and medium discharge device and in which then the continuous occurrence of evaporation of this higher-boiling liquid carrier medium takes place.

Tevens vindt moge 1 ijk typisch mede een zeer beperkte ongunstige aanhechting van zulke deeltjes van deze hecht-substantie tegen tenminste het onderwand-gedeelte van deze inrichting plaats, waardoor dan tevens zulk een 10 aanhechten op deze onderwand zich uitstrekt tot deze daaropvolgende stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in het boventunnelblok.It is also possible that a very limited unfavorable adherence of such particles of this adhesive substance to at least the bottom wall part of this device also takes place, whereby such adherence to this bottom wall then also extends to this subsequent strip-shaped discharge device. , which is also included in the upper tunnel block.

In een gunstige uitvoering van deze tunnel-opstelling vindt daarbij daartoe in een daarop-volgende stripvormige toevoer-15 inrichting de ononderbroken toevoer van vloeibaar reinigings-medium naar deze afvoer-inrichting plaats ten behoeve van het daarin mede afvoeren van deze deeltjes hecht-substantie en waarbij typisch daarachter de opname van een stripvormige inrichting voor typisch gasvormig slot-medium, waardoor 20 daarachter een schoon onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok wordt onderhouden.In a favorable embodiment of this tunnel arrangement the continuous supply of liquid cleaning medium to this discharge device takes place in a subsequent strip-shaped feed device for the purpose of co-discharging these particles of adhesive substance therein and wherein behind it typically the inclusion of a strip-shaped device for typical gaseous lock medium, thereby maintaining a clean bottom wall portion of this upper tunnel block behind it.

Indien benodigd ten behoeve van de bewerkstelliging van een ultra gelijkmatige hoogte van zulk een bewerkstelligde laag vloeibare hecht-substantie, in dit boventunnelblok 25 achter deze tweede afyoer-inrichting de opname van nog een derde stripvormige tril-inrichting.If necessary for the purpose of achieving an ultra-uniform height of such a layered liquid adhesive substance, the inclusion of another third strip-shaped vibrator in this upper tunnel block 25 behind this second afyur device.

De totale lengte van zulk een tunnel-gedeelte, waarin het opbrengen van zulk een nanometer hoge vloeibare hechtlaag, inclusief zelfs een drietal tril/verwarmings-inrichtingen, 30 bedraagt daarbij typisch toch nog minder dan 70 cm.The total length of such a tunnel section, in which the application of such a nanometer-high liquid adhesive layer, including even three vibrating / heating devices, is typically still less than 70 cm.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, 35 - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke door de aanvrager zijn aangegeven en omschreven in de door hem recent ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.Furthermore, this tunnel arrangement is designed and contains such means that it also includes the possible application of several of the means and methods of the semiconductor facility, installation, tunnel arrangements and devices indicated by the applicant. and described in the Dutch Patent Applications recently submitted by him concerning such a semiconductor tunnel arrangement.

44

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin mogelijk de toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor 5 modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-10 module.Furthermore, this tunnel arrangement is designed and contains such means that it may include the use of all semiconductor treatments that are already generally used for wafers in semiconductor modules, including those already described in Patents, if the mention thereof in the text and Claims of the following: a) an individual semiconductor wafer or substrate; or b) an individual or non-individual semiconductor processing-10 module.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooiaanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze boven-ver melde semiconductor tunnel-opstellingen.Furthermore, this tunnel arrangement is designed and contains means such that the means and methods described in this Patent Application can also be used in these semiconductor tunnel arrangements mentioned above.

15 De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in de Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van de constructies volgens de uitvinding.The invention will be explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments of the constructions according to the invention shown in the Figures.

Figuur 1 toont wederom de in de Figuur 1 van deze eerste aanvage aangegeven semiconductor tunnel-opstelling, met daarin 20 een stripvormige medium-toevoerinrichting, waarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare en/of vaste vorm ervan en waar bij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van een eerste 25 typisch cilindrische meng-inrichting ten behoeve van het daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulk een semiconductor substantie met een typisch hoger percentage vloeibaar draagmedium en waarbij deze meng-inr ichting aan de onderzijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen 30 medium-toevoerkanalen is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting, met daarin eveneens de toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde vloeibare draagmedium ten behoeve van het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie van dit 35 draagmedium en zulke deeltjes van een semiconductor substantie naar het eronder-gelegen stripvormige toevoer-gedeelte van de bovenspleet boven de ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.Figure 1 again shows the semiconductor tunnel arrangement shown in Figure 1 of this first claim, containing a strip-shaped medium supply device, in which there is a continuous supply of the combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in a liquid and / or solid form thereof and including therein in the upper part thereof a first typically cylindrical mixing device for mixing therein a low percentage of at least partly such a semiconductor substance with a typically higher percentage of liquid carrier medium and wherein this mixing device is connected on its underside via typically a number of adjacent medium supply channels to a second, likewise typically cylindrical mixing device, which also contains therein the supply of a considerably higher percentage of typically the same liquid carrier medium for draining downwards of this combination of this carrier medium and such particles of a semiconductor substance to the underlying strip-shaped feed portion of the upper slit above the continuously moving semiconductor substrate portions therethrough.

55

Figuur 2 toont in deze tunnel-opstelling achter deze medium-toevoerinrichting een in het boventunnelblok opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, waarbij in het compartiment ervan de opname van een transducer ten 5 behoeve van typisch het daarmede verdampen van het laag- kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij via het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte met 10 een toenemende hoogte ervan afvoer van het gevormde dampvormige medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok.Figure 2 shows in this tunnel arrangement behind this medium supply device an interchangeable strip-shaped transducer arrangement included in the upper tunnel block, wherein in its compartment the accommodation of a transducer for the purpose of evaporating the low-boiling liquid carrier medium therewith precipitation of the particulate semiconductor substance on the successive, continuously moving semiconductor substrate portions therebetween and wherein via the superimposed upper slit portion with an increasing height thereof discharge of the formed vaporous medium to the subsequent strip-shaped discharge device, which also is included in this upper tunnel block.

Daarbij dus typisch uitsluitend de toepassing van laag-15 kokend vloeibaar draagmedium.Thereby, therefore, typically only the use of low-boiling liquid carrier medium.

Figuren 2^ ® tonen zeer sterk vergroot de opvolgende phasen van het neerslag-proces van deze vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.Figures 2 ^ ® show greatly enlarged the successive phases of the deposition process of this liquid adhesive substance on the successive, continuously moving semiconductor substrate sections underneath it.

20 Figuren 2Ei F en G tonen zeer sterk vergroot de neerslag van deze vloeibare hecht-substantie op een metalen di-electrische - en kunststof-onderlaag.Figures 2Ei F and G show greatly increased the deposition of this liquid adhesive on a metal, dielectric and plastic substrate.

Figuur 3 toont achter deze transducer-opstelling een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigingsmedium, met 25 afvoer ervan via deze- af voer-inrichting ten behoeve van het gereinigd houden van tenminste het tussen-gelegen onderwand-gedeelte van het boventunnelblok.Figure 3 shows behind this transducer arrangement a strip-shaped supply device for cleaning medium, with its discharge via this discharge device for the purpose of keeping at least the intermediate lower wall part of the upper tunnel block cleaned.

Figuur 4 toont in deze tunnel-opstelling achter deze medium-toevoerinrichting, waarin het plaatsvinden van de toevoer van 30 de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie,na deze eerste uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling een tweede uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, waarbij in het compartiment ervan de 35 opname van wederom typisch zulk een stripvormige transducer als tril/verdampings-inrichting ten behoeve van het verdampen van het resterende, nog niet verdampte hoog-kokende vloeibare draagmedium onder eveneens neerslag van de deeltjes van een 6 semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij via het erboven-gelegen bovenspleet-gedeelte, met eveneens een toenemende hoogte ervan, afvoer van het gevormde dampvormige 5 medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting in dit boventunnelblok.Figure 4 shows in this tunnel arrangement behind this medium supply device, in which the supply of the combination of low-boiling liquid carrier medium and high-boiling liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance takes place after this first interchangeable strip-shaped transducer arrangement a second interchangeable strip-shaped transducer arrangement, wherein in its compartment the accommodation of again typically such a strip-shaped transducer as a vibrator / evaporator for the purpose of evaporating the remaining, not yet evaporated, high-boiling liquid carrier medium under also precipitation of the particles of a 6 semiconductor substance on the subsequent semiconductor substrate portions moving alongside it and wherein via the upper slit portion above it, also with an increasing height thereof, discharge of the formed vaporous medium to the subsequent strip-shaped discharge device in this upper tunnel block.

Figuur 5 toont achter deze stripvormige afvoer-inrichting wederom een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium, met eveneens afvoer ervan via deze afvoer-inrichting 10 ten behoeve van het gereinigd houden van tenminste het tussen-gelegen onderwand-gedeelte van het boventunnelblok, met daar bij daarachter de opname van een toevoer-inr ichting ten behoeve van het onderhouden van een medium-slot achter deze reinigings-sectie.Figure 5 again shows behind this strip-shaped discharge device a strip-shaped supply device for cleaning medium, with also discharge thereof via this discharge device 10 for keeping at least the intermediate lower wall part of the upper tunnel block clean, with the inclusion of a supply device for maintaining a medium lock behind this cleaning section.

15 De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in deze Figuren aangegeven inrichtingen ten behoeve van de opbouw van een nanometer hoge vloeibare hechtlaag op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.The invention will be explained in more detail below with reference to the devices shown in these Figures for the construction of a nanometer-high liquid adhesive layer on the subsequent semiconductor substrate sections.

Figuur 1 toont in het boventunnelblok 12 van de 20 semiconductor tunnel-opstelling 10 de opname van de stripvormige medium-toevoerinrichting 14, waarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 16 en deeltjes 18 van een vloeibare hecht-substantie en waarbij daarin in het bovenste 25 gedeelte ervan de opname van typisch de eerste cilindrische meng-inrichting 20 ten behoeve van het daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulke deeltjes 18 met een hoog percentage vloeibaar draagmedium, welke daarbij typisch gelijk kan zijn aan dit draagmedium 16, en waarbij deze meng-30 inrichting 20 aan de onder zijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-afvoerkanalen 24 is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting 26, met .daarin eveneens de continue toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde 35 vloeibare draagmedium 16 ten behoeve van het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie draagmedium 16 en zulke deeltjes 18 van deze vloeibare hecht-substantie via een groot aantal naast elkaar gelegen kanalen 28 naar het 7 eronder gelegen stripvorroige toevoer-gedeelte 30 van de bovenspleet 32 van deze tunnel-opstelling 10 boven de eveneens tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor 5 substraat-gedeeltes 34.Figure 1 shows in the upper tunnel block 12 of the semiconductor tunnel arrangement 10 the accommodation of the strip-shaped medium supply device 14, in which there is a continuous supply of the combination of liquid carrier medium 16 and particles 18 of a liquid adhesive substance and wherein therein, in the upper part thereof, the accommodation of typically the first cylindrical mixing device 20 for the purpose of mixing therein a low percentage of at least such particles 18 with a high percentage of liquid carrier medium, which can thereby typically be equal to this carrier medium 16, and wherein this mixing device 20 is connected at its underside via typically a number of adjacent medium discharge channels 24 to a second, likewise typically cylindrical mixing device 26, with therein also the continuous supply of a considerable higher percentage of typically the same liquid carrier medium 16 for the downward direction g discharging this combination of carrier medium 16 and such particles 18 from this liquid adhesive substance via a large number of adjacent channels 28 to the 7 strip-shaped feed section 30 of the upper slit 32 of this tunnel arrangement 10 above the also during the operation of this tunnel arrangement continuously moving semiconductor 5 substrate portions 34 through it.

Figuur 2 toont in deze tunnel-opstelling 10 achter deze medium-toevoerinrichting 14 de in het boventunnelblok 12 opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 38, waarbij in het compartiment 40 ervan de opname van de 10 stripvormige transducer 42 ten behoeve van typisch het daarmede verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van deze deeltjes 18 op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34 onder tril-conditie ervan en waarbij 15 via het erboven gelegen gedeelte 44 met een toenemende hoogte ervan afvoer van het gevormde dampvormige medium 46 plaats vindt naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting 48, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok 12.Figure 2 shows in this tunnel arrangement 10 behind this medium supply device 14 the interchangeable strip-shaped transducer arrangement 38 included in the upper tunnel block 12, in which compartment 40 thereof accommodates the strip-shaped transducer 42 for the purpose of typically evaporating therewith. the low-boiling liquid carrier medium depositing these particles 18 on the successive, continuously moving semiconductor substrate portions 34 thereof under the vibrating condition thereof, and wherein via the superimposed portion 44 with an increasing height thereof discharge of the formed vaporous medium 46 takes place to the subsequent strip-shaped discharge device 48, which is also included in this upper tunnel block 12.

20 Figuren 2^> B en C tonen zeer sterk vergroot de neerslag van de combinatie van deze vloeibare hecht-substantie 18 en vloeibaar draagmedium 16 op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 34, welke worden meeverplaatst door de metalen band 36 onder daarbij een afnemende hoogte van deze 25 combinatie.Figures 2 ^ B and C show greatly increased precipitation of the combination of this liquid adhesive substance 18 and liquid carrier medium 16 on the subsequent semiconductor substrate portions 34, which are co-displaced by the metal strip 36 with thereby a decreasing height of this combination.

Figuur 2^ toont zeer sterk vergroot de neerslag van uitsluitend deze deeltjes vloeibare hecht-substantie 18 op deze opvolgende substraat-gedeeltes 34 ter plaatse van het achter-gedeelte van deze transducer 42.Figure 2 shows a very large increase in the deposition of these particles of liquid adhesive substance 18 on these successive substrate portions 34 at the rear portion of this transducer 42.

30 Figuur 2^ toont daarbij zeer sterk vergroot de neerslag van uitsluitend deze vloeibare hecht-substantie 18 op de metalen semiconductor onderlaag 76.Figure 2 shows very greatly the precipitation of only this liquid adhesive substance 18 on the metal semiconductor substrate 76.

Figuur 2^ toont zulk een neerslag van deze vloeibare hecht-substantie op de di-electrische bovenlaag 78 van de 35 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 34.Figure 2 shows such a deposit of this liquid adhesive substance on the dielectric top layer 78 of the subsequent semiconductor substrate portions 34.

Figuur 2G toont zulk een neerslag van deze vloeibare hecht-substantie 18 op de kunststof bovenlaag 80 van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.Figure 2G shows such a deposit of this liquid adhesive substance 18 on the plastic top layer 80 of the subsequent semiconductor substrate portions.

88

In de Figuur 3 is achter deze afvoer-inrichting 62 de stripvormige toevoer-inrichting 64 voor typisch reinigings-medium 66 aangegeven, met mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting, ten behoeve van het gereinigd/schoonhouden van 5 het tussengelegen onderwand-gedeelte 68 van het boventunnelblok 12.Figure 3 shows behind this discharge device 62 the strip-shaped feed device 64 for typical cleaning medium 66, including its discharge via this discharge device, for the purpose of cleaning / keeping the intermediate lower wall part 68 clean of the upper tunnel block 12.

Zulk een toevoer-inrichting voor reinigings-medium is onder andere gewenst bij toepassing van de via deze toevoer-inrichting toegevoerde vloeibare hecht-substantie 18’, 10 ' waarbij het mogelijk tevens plaatsvinden van een beperkte neerslag van deeltjes op het voorgaande onderwand-gedeelte 68.Such a supply device for cleaning medium is desirable inter alia when using the liquid adhesive substance 18 ', 10' fed via this supply device, whereby it is also possible for a limited precipitation of particles to occur on the preceding bottom wall portion 68. .

Achter deze toevoer-inrichting 64 de opname van de stripvormige toevoer-inrichting 70 ten behoeve van het 15 ononderbroken toevoeren van gasvormig medium 72, met mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting 62 ten behoeve van het tevens onderhouden van zulk een schoonhouden van tevens het tussen-gelegen onderwand-gedeelte 74 van dit blok 12.Behind this supply device 64 the accommodation of the strip-shaped supply device 70 for the uninterrupted supply of gaseous medium 72, including its discharge through this discharge device 62 for the purpose of also maintaining such a cleaning of the intermediate bottom wall portion 74 of this block 12.

Figuur A toont in deze tunnel-opstelling achter deze 20 medium-toevoer-inrichting 14, waarin tijdens de werking ervan het plaatsvinden van de ononderbroken toevoer van de combinatie van het laag-kokende vloeibare draagmedium 16 met deeltjes 18 van een semiconductor substantie en hoger-kokend vloeibaar draagmedium 50,na deze eerste uitwisselbare 25 stripvormige transducer-opstelling 38 de tweede uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 52, waarbij in het compartiment 54 ervan de opname van de stripvormige transducer 56 ten behoeve van het daarmede tenminste mede verdampen van dit resterende, nog niet verdampte hoger-30 kokende vloeibare draagmedium 50 onder gelijktijdig neerslag van zulke deeltjes 18 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34 en zulks eveneens onder tril-conditie van deze transducer.Figure A shows in this tunnel arrangement behind this medium supply device 14, in which during its operation the uninterrupted supply of the combination of the low-boiling liquid carrier medium 16 with particles 18 of a semiconductor substance and higher takes place. boiling liquid carrier medium 50, after this first interchangeable strip-shaped transducer arrangement 38, the second interchangeable strip-shaped transducer arrangement 52, wherein the compartment 54 thereof accommodates the strip-shaped transducer 56 for at least co-evaporating this remaining, still non-evaporated higher boiling liquid carrier medium 50 with simultaneous precipitation of such particles 18 on the subsequent semiconductor substrate portions 34 moving underneath it and this also under the vibrating condition of this transducer.

Daarbij tevens via het erboven gelegen bovenspleet-35 gedeelte 58, met eveneens een toenemende hoogte ervan, afvoer van het gevormde dampvormige medium 60 naar de daaropvolgende stripvormige af voer-inrichting 62 in dit boventunnelblok 12.Thereby also via the upper slit portion 58 above it, with an increasing height thereof, discharge of the formed vaporous medium 60 to the subsequent strip-shaped discharge device 62 in this upper tunnel block 12.

99

Daarbij is achter deze afvoer-inrichting 62 wederom de opname van de stripvormige toevoer-inrichting 64 voor typisch het reinigings-medium 66 aangegeven, met eveneens mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting, ten behoeve 5 van het eveneens gereinigd/schoonhouden van het tussengelegen onderwand-gedeelte 68 van het boventunnelblok 12, Figuur 5.In addition, after this discharge device 62, the accommodation of the strip-shaped feed device 64 for typically the cleaning medium 66 is indicated, along with also its removal via this discharge device, for the purpose of keeping the intermediate also cleaned / clean. bottom wall portion 68 of the top tunnel block 12, Figure 5.

Met behulp van zulk een zeer sterk verdunde vloeibare substantie kunnen tevens een aantal andere nanometer hoge filmen vloeibaar medium woden opgebouwd, zoals onder andere 10 nitride filmen, welke reeds algemeen worde toegepast bij de productie van semiconductor wafers.With the aid of such a highly diluted liquid substance, a number of other nanometer-high films of liquid medium can also be built up, such as, among other things, nitride films, which are already generally used in the production of semiconductor wafers.

Verder de moge lijke toepassing van nitrogene ionen ten behoeve van het opbouwen van een circa 3 nanometer hoge GaN (gallium-nitride) film.Furthermore, the possible use of nitrogen ions for the construction of an approximately 3 nanometer high GaN (gallium-nitride) film.

15 Tevens nanometer hoge filmen ten behoeve van de productie van LED's.15 Also nanometer-high films for the production of LEDs.

10371921037192

Claims (48)

1. Semiconductor tunnel-opstelling, waarin tijdens de werking ervan het ononderbroken erdoorheen verplaatsen van 5 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het boventunnelblok ervan de opname van typisch een uitwisselbare stripvormige medium-toevoerinrichting ten behoeve van tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een 10 ononderbroken toevoer van de combinatie van een uiterst hoog-kokende vloeibare semiconductor substantie en typisch tenminste één verdampbaar vloeibaar draagmedium, met daarachter in dit blok de opname van tenminste één, typisch uitwisselbare tril/verdampings-inrichting ten 15 behoeve van het daarmede ononderbroken, tenminste nagenoeg totaal, verdampen van zulk een toegevoerd vloeibaar draagmedium onder daar bij een trillende neerslag van tenminste mede de deeltjes van deze substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-20 gedeeltes.Claims 1. A semiconductor tunnel arrangement, wherein during its operation the continuous movement of successive semiconductor substrate portions through it, embodied and comprising means such that, in its upper tunnel block, the accommodation of typically an interchangeable strip-shaped medium feed device for the purpose of during its operation, a continuous supply of the combination of an extremely high-boiling liquid semiconductor substance and typically at least one vaporizable liquid carrier medium takes place, followed by the inclusion in this block of at least one, typically interchangeable vibrator / evaporator For the uninterrupted, at least substantially total, evaporation of such a supplied liquid carrier medium with a vibrating precipitate of at least the particles of this substance on these successive semiconductor substrate portions moving along it. 2. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een substantie een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie is ten behoeve van 25 het met behulp van zulk een tril/verdamings-inrichting bewerkstelligen van een typisch minder dan 1 micrometer hoge laag ervan.2. Tunnel arrangement as claimed in claim 1, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that a substance is thereby a very high-boiling liquid adhesive substance for the purpose of using such a vibrator / evaporator to effect a typically less than 1 micron high layer thereof. 3. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 30 zodanige middelen, dat daarbij zulke opvolgende substraat-gedeeltes deel uitmaken van een ononderbroken erdoorheen verplaatsende folie of band, met aldus de bewerkstelligde neerslag van zulk een vloeibare hecht-substantie op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.3. Tunnel arrangement as claimed in claim 2, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that such successive substrate portions form part of a continuous film or tape moving through it, with the resulting precipitation of such a liquid adhesive substance on the central semiconductor treatment portion thereof. 4. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een stripvormig opbreng-gedeelte ervan de toepassing van een definitieve vloeibare 1037192 hecht-substantte ten behoeve van het definitief verankeren van een volgende semiconductor laag op mede de bewerkstelligde typisch nanometer hoge vloeibare hechtlaag, zodat in een inrichting achter deze tunnel-opstelling door deling van de 5 daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips met een folie- of band-gedeelte als de semiconductor onderlaag ervan.Tunnel arrangement according to Claim 3, characterized in that it is further embodied such that it comprises means such that the use of a definitive liquid 1037192 adhesive substance for definitive anchoring in a strip-shaped application part thereof of a subsequent semiconductor layer on the typically nanometer-high liquid adhesive layer co-effected, so that in a device behind this tunnel arrangement by dividing the semiconductor substrate portions realized therein, obtaining semiconductor chips with a foil or tape portion as the semiconductor substrate. 5. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 10 zodanige middelen, dat daarbij het bewerkstelligd zijn van zulk een definitieve hecht-substantie op een metalen onderlaag, typisch een metalen folie.5. Tunnel arrangement as claimed in claim 4, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that a definitive adhesive substance on a metal substrate, typically a metal foil, is achieved. 6. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 15 zodanige middelen, dat daarbij het bewerkstelligd zijn van zulk een definitieve hecht-substantie op een kunststof-folie.6. Tunnel arrangement as claimed in claim 4, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that thereby achieving such a definitive adhesive substance on a plastic film. 7. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een 20 stripvormig opbreng-gedeelte ervan de toepassing van een zodanige vloeibare hecht-substantie, dat slechts gedurende de opvolgende phasen van de opbouw daarin van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, deze in een voldoende mate verankerd zijn op zulk een folie of band, zodat in een 25 inrichting achter de uitgang van deze tunnel deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes gescheiden worden van deze erdoorhéen verplaatsende folie- of band-gedeeltes ten behoeve van in een volgende inrichting door deling ervan het bewerkstelligd zijn van semiconductot chips zonder een folie- 30 of band-gedeelte als een semiconductor onderlaag ervan.7. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that, in a strip-shaped application portion thereof, the use of such a liquid adhesive substance that only during the successive phases of the construction therein of successive semiconductor substrate sections, which are anchored to such a degree to such a film or strip, that in a device behind the exit of this tunnel these successive semiconductor substrate sections are separated from these moving through them foil or tape portions for the purpose of in a subsequent device by dividing it into semiconductor chips without a foil or tape portion as a semiconductor substrate thereof. 8. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door zulk een tijdelijke vloeibare hecht-substantie het bewerkstelligd zijn van 35 semiconductor chips met typisch een di-electrische onderlaag ervan.8. Tunnel arrangement as claimed in claim 7, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that a semiconductor chips with a typical dielectric bottom layer are effected by such a temporary liquid adhesive substance. . 9. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij achter zulk een tril/ verdampings-inrichting de opname van een in dit boventunnelblok opgenomen stripvormige afvoer-inrichting voor het verdampte vloeibare draagmedium, daarachter de 5 opname in dit blok van een stripvormige toevoer-inrichting voor typisch vloeibaar reinigings-medium, met in hoofdzaak afvoer ervan via deze afvoer-inrichting ten behoeve van het vermijden, dat deeltjes van deze vloeibare hecht-substantie terecht komen op het tussen-liggende onderwand-gedeelte van 10 dit blok.Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that, as behind a vibrating / evaporating device, the accommodation of a strip-shaped discharge device included in this upper tunnel block for the evaporated liquid carrier medium , thereafter the inclusion in this block of a strip-shaped feed device for typical liquid cleaning medium, with its main discharge through this discharge device for the purpose of preventing particles of this liquid adhesive substance from falling onto the intermediate -lying bottom wall portion of this block. 10. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter deze stripvormige toevoer-inrichting voor typisch reinigings-medium in dit 15 boventunnelblok de opname van een stripvormige toevoer- inrichting voor typische gasvormig medium ten behoeve van in hoofdzaak afvoeren ervan via deze afvoer-inrichting. met het continue onderhouden van een gasvormig medium-slot in het tussen-gelegen bovenspleet-gedeelte.10. Tunnel arrangement as claimed in claim 9, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that behind this strip-shaped feed device for typical cleaning medium the inclusion of a strip-shaped feed device in this upper tunnel block for typical gaseous medium for the purpose of substantially discharging it via this discharge device. with the continuous maintenance of a gaseous medium slot in the intermediate upper gap. 11. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij naast de ononderbroken toevoer van tenminste deze deeltjes van een vloeibare hecht-substantie eveneens een ononderbroken 25 toevoer van laag-kokend vloeibaar draagmedium en hoog-kokend verdampbaar vloeibaar draagmedium plaats vindt, daarbij in het boventunnelblok achter een eerste tril/verwarmings-inrichting ten behoeve van het verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de combinatie van het hoog-30 kokende vloeibare draagmedium en deeltjes van zulk een hecht-substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting voor het verdampte laag-kokende vloeibare draagmedium en typisch tevens zulk een 35 stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium en een toevoer-inrichting voor gasvormig slot-medium, de opname in het boventunnelblok van tenminste mede een tweede tril/ verwarmings-inrichting ten behoeve van het daarmede verdampen van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van deze deeltjes van een vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.11. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that, in addition to the continuous supply of at least these particles of a liquid adhesive substance, also a continuous supply of layer boiling liquid carrier medium and high-boiling evaporable liquid carrier medium takes place, in the upper tunnel block behind a first vibrating / heating device for evaporating the low-boiling liquid carrier medium while precipitating the combination of the high-boiling liquid carrier medium carrier medium and particles of such an adhesive substance on the subsequent semiconductor substrate portions moving therebetween, with the subsequent strip-shaped discharge device for the evaporated low-boiling liquid carrier medium and typically also such a strip-shaped feed device for cleaning medium and a feed device for gaseous lock medium, the incorporation in the upper tunnel block of at least a second vibration / heating device for the purpose of vaporizing this high-boiling liquid carrier medium while depositing these particles of a liquid adhesive on the subsequent semiconductor substrate sections moving alongside it. 12. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het boventunnelblok eveneens achter deze tril/verwarmings-inrichting de opname van zulk een combinatie van de toevoer-inrichtingen voor zowel het 10 reinigings-medium als het slot-medium.Tunnel arrangement according to Claim 11, characterized in that it is further designed and comprises means such that, in the upper tunnel block, also behind this vibrating / heating device is the inclusion of such a combination of the feed devices for both the cleaning medium and the lock medium. 13. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij voor deze stripvormige tril/ verwarmings-inrichting de toepassing van een eveneens 15 stripvormige transducer-opstelling.13. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that for this strip-shaped vibration / heating device the use of a strip-shaped transducer arrangement is also used. 14. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin mede de toepassing van een stripvormige medium- 20 toevoerinrichting ten behoeve van het daarin mengen van tenminste de daarin ononderbroken toegevoerde zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie met tenminste mede een verdampbaar vloeibaar draagmedium.14. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising such means that therein also the use of a strip-shaped medium supply device for mixing therein at least the continuous therein very high boiling liquid adhesive substance supplied with at least a vaporizable liquid carrier medium. 15. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het 25 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in zulk een medium- toevoerinrichting de toepassing van een meng-inrichting ten behoeve van tydens de werking ervan daarin het ononderbroken plaatsvinden van menging van een uiterst geringe hoeveelheid 30 van tenminste zulk een zeer hoog kokende vloeibare hecht-substantie met een zodanig vloeibaar draagmedium, dat deze verdampbaar is met behulp van in het boventunnelblok achter deze stripvormige medium-toevoerinrichting opgenomen tril/ verdampings-inrichting.15. Tunnel arrangement as claimed in claim 14, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that in such a medium supply device the use of a mixing device for its operation therein is used. uninterrupted mixing of an extremely small amount of at least such a very high-boiling liquid adhesive substance with such a liquid carrier medium that it can be evaporated with the aid of a vibrator / evaporator arranged in the upper tunnel block behind this strip-shaped medium feed device. 16. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat deze verder zadanig is uitgevoerd, dat daarbij daartoe de toepassing van de medium-toevoerinrichting, welke is omschreven in de bijgaande Nederlande Octrooi-aanvrage No. 1 van de aanvrager .Tunnel arrangement according to Claim 15, characterized in that it is further designed in such a way that the use of the medium supply device described in the accompanying Netherlands Patent Application No. 5 1 from the applicant. 17. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze medium-toevoerinrichting 5 de opname van een bovenste meng-inrichting ten behoeve van het mengen van een daarin ononderbroken toegevoerd hoog percentage verdampbaar vloeibaar draagmedium met de daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van een verdampbaar vloeibaar draagmedium en zulk een zeer hoog-kokende vloeibare 10 hecht-substantie, en een onderste meng-inrichting tea behoeve van het daarin mengen ervan met een daarin ononderbroken toegevoerd hoog percentage van eveneens verdampbaar vloeibaar draagmedium.Tunnel arrangement according to Claim 16, characterized in that it is further designed and comprises means such that, in this medium supply device 5, the accommodation of an upper mixing device for the purpose of mixing an uninterrupted therein supplied high percentage of vaporizable liquid carrier medium with the combination of a vaporizable liquid carrier medium and such a very high-boiling liquid adhesive substance continuously supplied therein, and a lower mixing device for mixing therein with a high percentage continuously supplied therein of also vaporizable liquid carrier medium. 18. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 17, met het 15 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor elk van deze verdampbare vloeibare draagmediums de toepassing van hetzelfde, typisch laag-kokend vloeibaar draagmedium.18. Tunnel arrangement according to Claim 17, characterized in that it is further designed and comprises means such that the use of the same, typically low-boiling, liquid carrier medium is used for each of these evaporable liquid carrier media. 19. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 18, met het 20 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een individueel toegevoerd vloeibaar draagmedium de ononderbroken toevoer van een hoog percentage ervan ten opzichte van de in deze inrichting toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium 25 en deeltjes van deze vloeibare hecht-substantie.19. Tunnel arrangement as claimed in claim 18, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that, for such an individually supplied liquid carrier medium, the continuous supply of a high percentage thereof with respect to that in this device supplied combination of liquid carrier medium 25 and particles of this liquid adhesive substance. 20. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het plaatsvinden van een gescheiden toevoer van het laag-kokende vloeibare draagmedium 30 en het hoog-kokende vloeibare draagmedium en zulks met voor elk ervan een hoog percentage ervan.Tunnel arrangement according to Claim 19, characterized in that it is furthermore designed and comprising means such that a separate supply of the low-boiling liquid carrier medium 30 and the high-boiling liquid carrier medium takes place with a high percentage for each of them. 21. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de 35 mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke op 23 Juni en 6 Juli j.1. en heden door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling .21. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that therein also the possible application of several of the means and methods of the semiconductor facility, - installation, - tunnel configurations and installations, which on June 23 and July 6, j.1. and currently Dutch Patent Applications filed by the applicant regarding such a semiconductor tunnel arrangement. 22. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 5 bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het 10 navolgende: al een individuele semiconductor wafer of - substraat; of bj een al dan niet individuele semiconductor processing-module .22. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed in such a way and comprising such means that therein therein the possible use of all semiconductor treatments that are already generally used for wafers in semiconductor modules, including are described in Patents, if therein the mention in the text and Conclusions of the following: already an individual semiconductor wafer or substrate; or bj an individual or non-individual semiconductor processing module. 23. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooiaanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octrooi-aanvragen 20 van de aanvrager.Tunnel arrangement according to one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed and contains such means that the means and methods described in this Patent Application can also be applied in these other semiconductor tunnel arrangements, which are indicated and described in these other Patent applications 20 of the applicant. 24. Werkwijze van een semiconductor substraat transfer/ behandelings-tunnelopstelling, waarbij tijdens de werking ervan het ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en zoals daarbij in het 25 boventunnelblok ervan de opname van typisch een uitwisselbare stripvormige medium-toevoerinrichting, tijdens de werking ervan het plaatselijk plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van een zeer hoog-kokende semiconductor substantie en typisch tenminste één verdampbaar 30 vloeibaar draagmedium, en zoals daarachter in dit blok de opname van tenminste één, typisch uitwisselbare tril/ verdampings-inrichting, daarmede een ononderbroken, tenminste nagenoeg totaal, verdampen van zulk een toegevoerd vloeibaar draagmedium plaats vindt onder daarbij een trillende neerslag 35 van tenminste de deeltjes van deze substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.24. Method of a semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement, wherein during its operation the continuous movement of successive semiconductor substrate portions and, as thereby in its upper tunnel block, the incorporation of typically an interchangeable strip-shaped medium supply device, during operation the local occurrence of an uninterrupted supply of the combination of a very high-boiling semiconductor substance and typically at least one vaporizable liquid carrier medium, and, as behind this block, the incorporation of at least one, typically interchangeable vibrator / vaporizer, therewith a continuous, at least almost total, evaporation of such a supplied liquid carrier medium takes place, thereby vibrating a deposit of at least the particles of this substance on these successive, semiconductor substrate parts moving underneath it. 25. Werkwijze volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een substantie een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie is, met behulp van zulk een tril/ verdampings-inrichting het bewerkstelligen van een typisch minder dan 1 micrometer hoge laag ervan.Method according to Claim 24, characterized in that, as such a substance is a very high-boiling liquid adhesive substance, the effect of a typically less than 1 micron high layer is achieved with the aid of such a vibrating / evaporating device of it. 26. Werkwijze volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulke opvolgende substraat-gedeeltes deel uitmaken van een ononderbroken erdoorheen verplaatsende folie of band, het aldus bewerkstelligen van de neerslag van zulk een vloeibare hecht-substantie op het centrale 10 semiconductor behandelings-gedeelte ervan.26. A method according to Claim 25, characterized in that, as such subsequent substrate sections are part of a continuous film or tape moving through it, thus effecting the deposition of such a liquid adhesive on the central semiconductor treatment portion thereof. 27. Werkwijze volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat zoals daar bij in een stripvormig opbr eng-gedeelte ervan de toepassing van een definitieve vloeibare hecht-substantie, het daarmede definitief verankeren van een volgende 15 semiconductor laag op deze bewerkstelligde, typisch nanometer hoge vloeibare hechtlaag, zodat in een inrichting achter deze tunnel-opstelling door deling van de daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips met een folie- of band-20 gedeelte als de semiconductor onderlaag ervan.27. Method according to Claim 26, characterized in that, as in a strip-shaped embossing part thereof, the use of a definitive liquid adhesive substance, thereby definitively anchoring a subsequent semiconductor layer on this accomplished, typically nanometer high liquid adhesive layer, so that in a device behind this tunnel arrangement by dividing the semiconductor substrate portions arranged therein, obtaining semiconductor chips having a foil or tape portion as their semiconductor substrate. 28. Werkwijze volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat daarbij het bewerkstelligen van zulk een definitieve hecht-substantie op een metalen onderlaag, typisch een metalen folie.A method according to Claim 27, characterized in that thereby effecting such a definitive adhesive substance on a metal substrate, typically a metal foil. 29. Werkwijze volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat daarbij daartoe het bewerkstelligen van zulk een definitieve hecht-substantie op een kunststof-folie.A method according to Claim 27, characterized in that for this purpose the realization of such a definitive adhesive substance on a plastic film. 30. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormig opbr eng-gedeelte 30 van deze tunnel-opstelling de toepassing van een vloeibare hecht-substantie, daarbij slechts gedurende de opvolgende phasen van de opbouw daarin van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, deze in een voldoende mate verankerd zijn op zulk een folie of band, zodat, zoals in een inrichting 35 achter de uitgang van deze tunnel deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes gescheiden worden van deze erdoorheen verplaatsende folie- of band-gedeeltes, in een daarop-volgende inrichting door deling ervan het bewerkstelligen van semiconductor chips zonder een folie-of band^-gedeelte als een semiconductor onderlaag ervan.A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in this case in a strip-shaped embossing section 30 of this tunnel arrangement, the use of a liquid adhesive substance, in this case only during the subsequent phases of the construction therein of subsequent semiconductor substrate portions, these are sufficiently anchored on such a film or tape, so that, as in a device behind the exit of this tunnel, these successive semiconductor substrate portions are separated from these film or tape portions moving therethrough in a subsequent device by dividing it by effecting semiconductor chips without a foil or tape portion as a semiconductor substrate thereof. 31. Werkwijze volgens de Conclusie 30, met het kenmerk, dat daarbij door zulk een tijdelijke vloeibare hecht-substantie het 5 bewerkstelligen van semiconductor chips met typisch een di-electrische onderlaag ervan.31. A method according to Claim 30, characterized in that, by virtue of such a temporary liquid adhesive substance, the realization of semiconductor chips with typically a dielectric bottom layer thereof. 32. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij achter zulk een tril/ verdampings-inrichting de opname van een in dit 10 boventunnelblok opgenomen stripvormige afvoer-inrichting voor het verdampte vloeibare draagmedium en daarachter de opname in dit blok van een stripvormige toevoer-inrichting voor typisch vloeibaar reinigings-medium, met in hoofdzaak afvoer ervan via deze afvoer-inrichting, daardoor het 15 vermijden, dat deeltjes van deze vloeibare hecht-substantie terecht komen op het tussen-liggende onderwand-gedeelte van dit blok.32. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that, as is the case behind such a vibrating / evaporating device, the inclusion of a strip-shaped discharge device included in this upper tunnel block for the evaporated liquid carrier medium and thereafter the inclusion in this block of a strip-shaped feed device for typical liquid cleaning medium, with its main discharge through this discharge device, thereby avoiding particles of this liquid adhesive substance ending up on the intermediate bottom wall portion of this block. 33. Werkwijze volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat zoals daarbij achter deze stripvormige toevoer-inrichting 20 voor typisch reinigings-medium in dit boventunnelblok de opname van een stripvormige toevoer-inrichting voor typisch een gasvormig medium met in hoofdzaak het afvoeren ervan via deze afvoer-inrichting, het continue onderhouden van een gasvormig medium-slot in het tussen-gelegen 25 bovenspleet-gedeelte.A method according to Claim 32, characterized in that, as is the case behind this strip-shaped supply device 20 for typical cleaning medium in this upper tunnel block, the accommodation of a strip-shaped supply device for typically a gaseous medium with substantially its discharge via this discharge device, the continuous maintenance of a gaseous medium slot in the intermediate upper gap. 34. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij naast de ononderbroken toevoer van tenminste deze deeltjes van een vloeibare hecht-substantie eveneens een ononderbroken toevoer van 30 laag-kokend vloeibaar draagmedium en hoog-kokend verdampbaar vloeibaar draagmedium plaats vindt, daarbij in het boventunnelblok achter een eerste stripvormige tril/ verwarmings-inrichting , waarin het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare 35 draagmedium onder neerslag van de combinatie van het hoog-kokende vloeibare draagmedium en deeltjes van zulk een hecht-substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met de afvoer van het verdampte draagmedium via de daarop-volgende afvoer-inrichting in dit blok, en waarbij typisch erdoorheen mede de afvoer geschiedt van het via de daarop-volgende toevoer-inrichting toegevoerde reinigings-medium en tevens de afvoer 5 van het via de daarop-volgende toevoer-inrichting toegevoerde gasvormige slot-medium, en zoals in dit blok daarachter de opname van tenminste mede een tweede tril/ verwarmings-inrichting, het daarmede bewerkstelligen van verdamping van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium onder 10 neerslag van deze deeltjes van een vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.34. A method according to any one of the preceding claims, characterized in that, as in addition to the continuous supply of at least these particles of a liquid adhesive substance, a continuous supply of low-boiling liquid carrier medium and high-boiling evaporable liquid carrier medium also takes place. , in the upper tunnel block behind a first strip-shaped vibration / heating device, in which the continuous occurrence of evaporation of the low-boiling liquid carrier medium is precipitated by the combination of the high-boiling liquid carrier medium and particles of such an adhesive substance on the successive semiconductor substrate portions moving therebetween, with the evacuation of the evaporated carrier medium via the subsequent discharge device in this block, and wherein the cleaning of the cleaning agent supplied via the subsequent feeding device typically takes place therein medium and also the drainage through the subsequent one gaseous lock medium supplied to the feed device and, as in this block thereafter the inclusion of at least a second vibration / heating device, thereby effecting evaporation of this high-boiling liquid carrier medium while depositing these particles of a liquid bond Substance on the subsequent semiconductor substrate portions moving underneath. 35. Werkwijze volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het boventunnelblok eveneens achter deze 15 tweede tril/verwarmings-inrichting de opname van zulk een afvoer-inrichting voor het verdampte hoog-kokende draagmedium en zulk een combinatie van de toevoer-inrichtingen voor zowel het reinigings-medium als het slot-medium, eveneens de afvoer ervan plaats vindt via deze afvoer-sectie.35. A method according to Claim 34, characterized in that, as in the upper tunnel block, also behind this second vibrating / heating device, the accommodation of such a discharge device for the evaporated high-boiling carrier medium and such a combination of the feed devices for both the cleaning medium and the locking medium, also their discharge takes place via this discharge section. 36. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een stripvormige transducer-opstelling in het boventunnelblok als een tril/ verwarmings-inrichting, daarmede zulk een combinatie van het trillen ervan en het opwekken daarin van warmte plaats 25 vindt.36. A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that like the use of a strip-shaped transducer arrangement in the upper tunnel block as a vibrating / heating device, such a combination of vibrating and generating heat therein takes place. 25 finds. 37. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in zulk een medium-toevoer inrichting de toepassing van een meng-inrichting, tijdens de werking ervan daarin het ononderbroken plaatsvinden van menging van een 30 uiterst geringe hoeveelheid van tenminste zulk een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie met een vloeibaar draagmedium.37. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in such a medium supply device, the use of a mixing device, during its operation therein, the uninterrupted occurrence of mixing an extremely small amount of at least such a very high-boiling liquid adhesive substance with a liquid carrier medium. 38. Werkwijze volgens de Conclusie 37, met het kenmerk, dat zoals daar bij daar toe de toepassing van de medium-toevoer- 35 inrichting, welke is omschreven in de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 1 van de aanvrager, daarin zulk een menging plaats vindt.38. A method according to Claim 37, characterized in that, as in addition to that, the use of the medium feed device, which is described in the accompanying Netherlands Patent Application No. 1. 1 of the applicant, such a mixing takes place therein. 39. Werkwijze volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze medium-toevoerinrichting de opname van een bovenste meng-inrichting, daarin het mengen van een daarin ononderbroken toegevoerd hoog percentage verdampbaar vloeibaar draagmedium met de daarin ononderbroken 5 toegevoerde combinatie van een verdampbaar vloeibaar draagmedium en zulk een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie plaats vindt en in een onderste meng-inrichting het mengen ervan met een daarin ononderbroken toegevoerd hoog percentage van eveneens verdampbaar vloeibaar 10 draagmedium plaats vindt.39. A method according to Claim 38, characterized in that, as in this medium supply device, the inclusion of an upper mixing device is included therein, mixing a continuously high percentage of evaporable liquid carrier medium supplied therein with the combination of continuously supplied therein an evaporable liquid carrier medium and such a very high-boiling liquid adhesive substance takes place and in a lower mixing device the mixing thereof takes place with a continuously supplied high percentage of likewise vaporizable liquid carrier medium. 40. Werkwijze volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat daarbij voor elk van deze verdampbare vloeibare draagmediums de toepassing van hetzelfde, typisch laag-kokende vloeibare draagmedium.A method according to Claim 39, characterized in that the use of the same, typically low-boiling, liquid carrier medium is used for each of these vaporizable liquid carrier media. 41. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een individueel toegevoerd vloeibaar draagmedium een ononderbroken toevoer van een hoog » percentage ervan ten opzichte van de in deze inrichting toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes 20 van deze vloeibare hecht-substantie plaats vindt.41. A method according to any one of the preceding claims, characterized in that for such an individually supplied liquid carrier medium there is an uninterrupted supply of a high percentage thereof with respect to the combination of liquid carrier medium and particles of this liquid adhesive supplied in this device. substance takes place. 42. Werkwijze volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van een gescheiden toevoer van het laag-kokende vloeibare draagmedium en het hoog-kokende vloeibare draagmedium en zulks met voor elk ervan een hoog 25 percentage ervan.42. A method according to Claim 41, characterized in that a separate supply of the low-boiling liquid carrier medium and the high-boiling liquid carrier medium takes place with a high percentage thereof for each of them. 43. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel- 30 opstellingen en - inrichtingen, welke op 23 Juni en 6 Juli j.1. en heden door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.43. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that in this tunnel arrangement also the possible application of several of the methods of the semiconductor facility, - installation, - tunnel arrangements and devices, which takes place on 23 June and 6 July j.1. and currently Dutch Patent Applications filed by the applicant regarding such a semiconductor tunnel arrangement. 44. Werkwijze volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, dat 35 daarbij de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekstA method according to Claim 43, characterized in that the possible application of all semiconductor treatments for wafers in semiconductor modules, also those already described in Patents, is mentioned in the text 45. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in 5 deze andere 0ctrooi-aanvragen van de aanvrager.A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the methods described in this Patent Application are also applicable to these other semiconductor tunnel arrangements, which are indicated and described in these other patent applications of the applicant. 46. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling de bewerkstelliging van een nitride film.A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the attainment of a nitride film is effected in at least one strip-shaped part of this tunnel arrangement. 47. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling de opbouw van een circa 3 nanometer hoge GaN (gallium-nitride) film plaats vindt.A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the construction of an approximately 3 nanometer high GaN (gallium nitride) film takes place in at least one strip-shaped part of this tunnel arrangement. 48. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met' het 15 kenmerk, dat daarbij in tenminste één stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling de opbouw van een nanometer hoge film van een semiconductor substantie plaats vindt ten behoeve van de productie van LED's. 103719248. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that in at least one strip-shaped part of this tunnel arrangement the construction of a nanometer-high film of a semiconductor substance takes place for the production of LEDs. 1037192
NL1037192A 2009-08-11 2009-08-11 SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED. NL1037192C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1037192A NL1037192C2 (en) 2009-08-11 2009-08-11 SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1037192A NL1037192C2 (en) 2009-08-11 2009-08-11 SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED.
NL1037192 2009-08-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1037192A NL1037192A (en) 2011-02-14
NL1037192C2 true NL1037192C2 (en) 2011-11-24

Family

ID=42782264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1037192A NL1037192C2 (en) 2009-08-11 2009-08-11 SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL1037192C2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1039188C2 (en) * 2011-11-24 2013-05-27 Edward Bok A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES, INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE AND IN THE FOLLOWING DEVICES THE FOLLOW-UP INDIVIDUAL SEQUENCE SECTOR INSERTED IN THE FOLLOWING SECTION. POTATO CHIPS.
NL1039189C2 (en) * 2011-11-24 2013-05-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF.

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8401776A (en) * 1984-06-04 1986-01-02 Bok Edward IMPROVED DOUBLE-FLOATING WAFER TRANSPORT / PROCESSING INSTALLATION.
WO1991012629A1 (en) * 1990-02-16 1991-08-22 Edward Bok Improved installation for wafer transfer and processing
US6682598B1 (en) * 2001-10-01 2004-01-27 Electronic Circuit Systems Apparatus for casting and drying ceramic tape
JP2005030682A (en) * 2003-07-14 2005-02-03 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Drying device, heat developable photosensitive material manufacturing device and manufacturing method for heat developable photosensitive material using them
US20050150155A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Clean Fuels Technology, Inc., A Nevada Corporation. Mixing apparatus and method for manufacturing an emulsified fuel
JP4807020B2 (en) * 2005-09-21 2011-11-02 東洋製罐株式会社 Method for producing binder composition for dispersing semiconductor fine particles
US7713835B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Brewer Science Inc. Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
US7799182B2 (en) * 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates

Also Published As

Publication number Publication date
NL1037192A (en) 2011-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106548928B (en) Method for the structural body and manufacture of the radio frequency applications structural body
NL1037191C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL INSTALLATION, INCLUDING MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSE OF PROCESSING A (SUB) NANOMETER HIGH LAYER OF PARTICLES OF A FIXED SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED, SEVERAL SACRED.
NL1037192C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED.
HK1116922A1 (en) Nitride semiconductor component and method for the production thereof
CN102428212B (en) Method for forming zirconia film
RU2005102394A (en) PLASMA SPRAYING
Deng et al. Self-assembly of quantum-dot molecules: heterogeneous nucleation of SiGe islands on Si (100)
CN101213029A (en) Method and apparatus for controlling nucleation in self-assembled films
ES2278206T3 (en) LAYER SYSTEM.
Owen et al. Patterned atomic layer epitaxy of Si/Si (001): H
TWI362425B (en) Process for preparing a composite material
Sivakov et al. Silicon nanowire growth by electron beam evaporation: kinetic and energetic contributions to the growth morphology
Kim et al. Relation between electrical properties of aerosol-deposited BaTiO 3 thin films and their mechanical hardness measured by nano-indentation
Lozovoy et al. Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
NL1037060C2 (en) SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER.
Gerhards et al. Self-organized nanoscale multilayer growth in hyperthermal ion deposition
NL1037473C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH THE PLACE OF SUCCESSIVE SEMICONDUCTOR TREATMENT OF SUCCESSIVE traveling therethrough SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS AND WHICH ALSO IN IT MORE STRIP-SHAPED MEDIUM FEED ESTABLISHMENTS IN AT LEAST THE TOP OF TUNNEL BLOCK WILL BE INCLUDED FOR A CONTINUOUS SUPPLY OF AT LEAST ALSO THE COMBINATION OF PARTICLES A CARRYING MEDIUM IN A GAS-SHAPED OR VAPORABLE LIQUID FORM.
Falyouni et al. Metal organic chemical vapor deposition growth and luminescence of ZnO micro-and nanowires
NL1037063C2 (en) SEMICONDUCTOR CHIP, WHICH IS MANUFACTURED IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANDFER / TUNING TUNNEL INSTALLATION FOR THE PURPOSE OF OPERATING THERE FOR THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DEPARTMENTAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATION DEPROCESSING SEPARATE DEPROCESSING SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSIONAL SEPARATE SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATE SEMICONDUCTOR CHIP.
NL1037068C2 (en) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / treatment-TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH IN ITS OPERATION IN MULTIPLE STRIP SHAPE UP SPLIT-SECTIONS IT ABOVE THE SUCCESSIVE, UNINTERRUPTED BENEATH ALONG moving SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS UNINTERRUPTED PLACE OF HEAT TREATMENT UNDER VIBRATION CONDITION OF IT IN THE PRECEDING PORTION THEREOF applied LAYER OF THE COMBINATION OF LIQUID CARRYING MEDIUM AND PARTICLES OF A SEMICONDUCTOR SUBSTANCE.
JP2001152343A (en) Vaporizer
NL1037193C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL SET UP, CONTAINING IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A MEDIUM SUPPLY DEVICE.
Li et al. Thermodynamic theory of two-dimensional to three-dimensional growth transition in quantum dots self-assembly
Chirita et al. Enhanced cluster mobilities on Pt (111) during film growth from the vapor phase
RU2516366C2 (en) METHOD OF DEPOSITION OF NANOSCALE FILM ALPHA- Al2O3 (0001) ON METAL SUBSTRATES

Legal Events

Date Code Title Description
SD Assignments of patents

Effective date: 20120919

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20140301