NL1037192C2 - Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende in het boventunnelblok ervan meerdere inrichtingen ten behoeve van het daarmede opbrengen van een nanometer hoge vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. - Google Patents

Description

Semiconductor tunnel-opstelling , bevattende in het boventunnelblok ervan meerdere inrichtingen ten behoeve van het daarmede opbrengen van een nanometer hoge vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 5 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

De semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling volgens de uitvinding bevat mede typisch een aantal stripvormige medium-toevoerinrichtingen, welke in 10 hoofdzaak zijn op ge nomen in het boventunnelblok ervan ten behoeve van het tijdens de werking ervan daarin ononderbroken toevoeren van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare hecht-substantie en waarbij daarin tevens typisch de opname van een tweetal opvolgende meng-15 inrichtingen ten behoeve van in de eerste meng-inrichting ervan het mengen van een hoog percentage van een vloeibaar draagmedium met tenminste mede zulk een substantie en in de tweede daarop-volgende, typisch eronder-gelegen meng-inrichting, het mengen van deze combinatie met wederom een 20 hoog percentage vloeibaar draagmedium plaats vindt.

In de gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage voor zulk een semiconductor tunnel-opstelling is reeds zulk een stripvormige medium-toevoer-inrichting aangegeven ten behoeve van de ononderbroken 25 toevoer erdoorheen van de combinatie van typisch laag- kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare of vaste vorm ervan.

Bij een breedte van de tunnel-door gang van circa 200 mm en een verplaatsings-snelheid van de opvolgende, zich erdoorheen 30 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes van typisch slechts 2 mm per seconde en zulks in combinatie met typisch een minder dan 500 nanometer hoge op te bouwen laag van zulk een vloeibare hecht-substantie is aldus het ononderbroken toegevoerde volume ervan beperkt tot typisch minder dan 35 0,2 mm3 per seconde.

Hierdoor is een zeer hoog percentage van dit vloeibare draagmedium gewenst, met typisch een meng-verhouding van circa 2500 : 1 en waarbij dan een ononderbroken toevoer 1037192 2 erdoorheen van circa 500 mm3 per seconde van zulk een combinatie plaats vindt.

Aldus vindt nu met behulp van deze tweetal aanvullende meng-inrichtingen in zulk een stripvormige medium-5 toevoer inrichting een voldoende verdunning van deze vloeibare hecht-substantie plaats.

Daarbij onder de daarop-volgende, in het boventunnelblok opgenomen stripvormige tril/verdampings-inrichting door verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium de 10 vorming van de combinatie van dampvormig medium en deeltjes van deze vloeibare hecht-substantie onder neerslag ervan op de boven-topography van de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en zulks mede onder tril-conditie van deze tril/verdampings-inrichting.

15 Aldus een optimaal semiconductor neerslag-proces met behulp van deze combinatie van deeltjes vloeibare hecht-substantie en zulk een zeer hoog percentage van het verdampbare vloeibare draagmedium.

Daarbij vindt tevens een uiterst snelle verdamping van dit 20 laag-kokende vloeibare draagmedium in de onder deze tril/ verdampings-inrichting gelegen bovenspleet-sectie plaats, met daardoor slechts een geringe benodigde breedte van zulk een inrichting in de lengte-richting van deze tunnel, typisch minder dan 50 mm, en waarbij een ononderbroken afvoer van 25 deze gevormde damp in -de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting in het boventunnelblok.

Als een uiterst gunstige tril/verwarmings-inrichting daar bij typisch de toepassing van een stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok 30 onmiddellijk achter deze medium-toevoerinrichting.

Daarbij in een gunstige tr il-conditie ervan het tevens onderhouden van de combinatie van een snelle neerwaartse -en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van deze trillingen ten behoeve van het bijdragen in zulk een 35 optimaal neerslag-proces.

In een volgende gunstige werkwijze het in deze medium-toevoerinrichting tevens toepassen van een hoog-kokend vloeibaar draagmedium, waarbij dan typisch in dit 3 boventunnelblok de opname van een tweede stripvormige tril/ verdampings-inrichting achter deze eerste combinatie van een tril/verdampings-inrichting en medium-afvoer inrichting en waarin dan het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van 5 dit hoger-kokende vloeibare draagmedium.

Tevens vindt moge 1 ijk typisch mede een zeer beperkte ongunstige aanhechting van zulke deeltjes van deze hecht-substantie tegen tenminste het onderwand-gedeelte van deze inrichting plaats, waardoor dan tevens zulk een 10 aanhechten op deze onderwand zich uitstrekt tot deze daaropvolgende stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in het boventunnelblok.

In een gunstige uitvoering van deze tunnel-opstelling vindt daarbij daartoe in een daarop-volgende stripvormige toevoer-15 inrichting de ononderbroken toevoer van vloeibaar reinigings-medium naar deze afvoer-inrichting plaats ten behoeve van het daarin mede afvoeren van deze deeltjes hecht-substantie en waarbij typisch daarachter de opname van een stripvormige inrichting voor typisch gasvormig slot-medium, waardoor 20 daarachter een schoon onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok wordt onderhouden.

Indien benodigd ten behoeve van de bewerkstelliging van een ultra gelijkmatige hoogte van zulk een bewerkstelligde laag vloeibare hecht-substantie, in dit boventunnelblok 25 achter deze tweede afyoer-inrichting de opname van nog een derde stripvormige tril-inrichting.

De totale lengte van zulk een tunnel-gedeelte, waarin het opbrengen van zulk een nanometer hoge vloeibare hechtlaag, inclusief zelfs een drietal tril/verwarmings-inrichtingen, 30 bedraagt daarbij typisch toch nog minder dan 70 cm.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, 35 - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke door de aanvrager zijn aangegeven en omschreven in de door hem recent ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.

4

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin mogelijk de toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor 5 modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-10 module.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooiaanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze boven-ver melde semiconductor tunnel-opstellingen.

15 De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in de Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van de constructies volgens de uitvinding.

Figuur 1 toont wederom de in de Figuur 1 van deze eerste aanvage aangegeven semiconductor tunnel-opstelling, met daarin 20 een stripvormige medium-toevoerinrichting, waarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare en/of vaste vorm ervan en waar bij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van een eerste 25 typisch cilindrische meng-inrichting ten behoeve van het daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulk een semiconductor substantie met een typisch hoger percentage vloeibaar draagmedium en waarbij deze meng-inr ichting aan de onderzijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen 30 medium-toevoerkanalen is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting, met daarin eveneens de toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde vloeibare draagmedium ten behoeve van het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie van dit 35 draagmedium en zulke deeltjes van een semiconductor substantie naar het eronder-gelegen stripvormige toevoer-gedeelte van de bovenspleet boven de ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

5

Figuur 2 toont in deze tunnel-opstelling achter deze medium-toevoerinrichting een in het boventunnelblok opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, waarbij in het compartiment ervan de opname van een transducer ten 5 behoeve van typisch het daarmede verdampen van het laag- kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij via het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte met 10 een toenemende hoogte ervan afvoer van het gevormde dampvormige medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok.

Daarbij dus typisch uitsluitend de toepassing van laag-15 kokend vloeibaar draagmedium.

Figuren 2^ ® tonen zeer sterk vergroot de opvolgende phasen van het neerslag-proces van deze vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

20 Figuren 2Ei F en G tonen zeer sterk vergroot de neerslag van deze vloeibare hecht-substantie op een metalen di-electrische - en kunststof-onderlaag.

Figuur 3 toont achter deze transducer-opstelling een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigingsmedium, met 25 afvoer ervan via deze- af voer-inrichting ten behoeve van het gereinigd houden van tenminste het tussen-gelegen onderwand-gedeelte van het boventunnelblok.

Figuur 4 toont in deze tunnel-opstelling achter deze medium-toevoerinrichting, waarin het plaatsvinden van de toevoer van 30 de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie,na deze eerste uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling een tweede uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, waarbij in het compartiment ervan de 35 opname van wederom typisch zulk een stripvormige transducer als tril/verdampings-inrichting ten behoeve van het verdampen van het resterende, nog niet verdampte hoog-kokende vloeibare draagmedium onder eveneens neerslag van de deeltjes van een 6 semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij via het erboven-gelegen bovenspleet-gedeelte, met eveneens een toenemende hoogte ervan, afvoer van het gevormde dampvormige 5 medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting in dit boventunnelblok.

Figuur 5 toont achter deze stripvormige afvoer-inrichting wederom een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium, met eveneens afvoer ervan via deze afvoer-inrichting 10 ten behoeve van het gereinigd houden van tenminste het tussen-gelegen onderwand-gedeelte van het boventunnelblok, met daar bij daarachter de opname van een toevoer-inr ichting ten behoeve van het onderhouden van een medium-slot achter deze reinigings-sectie.

15 De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in deze Figuren aangegeven inrichtingen ten behoeve van de opbouw van een nanometer hoge vloeibare hechtlaag op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuur 1 toont in het boventunnelblok 12 van de 20 semiconductor tunnel-opstelling 10 de opname van de stripvormige medium-toevoerinrichting 14, waarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 16 en deeltjes 18 van een vloeibare hecht-substantie en waarbij daarin in het bovenste 25 gedeelte ervan de opname van typisch de eerste cilindrische meng-inrichting 20 ten behoeve van het daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulke deeltjes 18 met een hoog percentage vloeibaar draagmedium, welke daarbij typisch gelijk kan zijn aan dit draagmedium 16, en waarbij deze meng-30 inrichting 20 aan de onder zijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-afvoerkanalen 24 is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting 26, met .daarin eveneens de continue toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde 35 vloeibare draagmedium 16 ten behoeve van het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie draagmedium 16 en zulke deeltjes 18 van deze vloeibare hecht-substantie via een groot aantal naast elkaar gelegen kanalen 28 naar het 7 eronder gelegen stripvorroige toevoer-gedeelte 30 van de bovenspleet 32 van deze tunnel-opstelling 10 boven de eveneens tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor 5 substraat-gedeeltes 34.

Figuur 2 toont in deze tunnel-opstelling 10 achter deze medium-toevoerinrichting 14 de in het boventunnelblok 12 opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 38, waarbij in het compartiment 40 ervan de opname van de 10 stripvormige transducer 42 ten behoeve van typisch het daarmede verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van deze deeltjes 18 op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34 onder tril-conditie ervan en waarbij 15 via het erboven gelegen gedeelte 44 met een toenemende hoogte ervan afvoer van het gevormde dampvormige medium 46 plaats vindt naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting 48, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok 12.

20 Figuren 2^> B en C tonen zeer sterk vergroot de neerslag van de combinatie van deze vloeibare hecht-substantie 18 en vloeibaar draagmedium 16 op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 34, welke worden meeverplaatst door de metalen band 36 onder daarbij een afnemende hoogte van deze 25 combinatie.

Figuur 2^ toont zeer sterk vergroot de neerslag van uitsluitend deze deeltjes vloeibare hecht-substantie 18 op deze opvolgende substraat-gedeeltes 34 ter plaatse van het achter-gedeelte van deze transducer 42.

30 Figuur 2^ toont daarbij zeer sterk vergroot de neerslag van uitsluitend deze vloeibare hecht-substantie 18 op de metalen semiconductor onderlaag 76.

Figuur 2^ toont zulk een neerslag van deze vloeibare hecht-substantie op de di-electrische bovenlaag 78 van de 35 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 34.

Figuur 2G toont zulk een neerslag van deze vloeibare hecht-substantie 18 op de kunststof bovenlaag 80 van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

8

In de Figuur 3 is achter deze afvoer-inrichting 62 de stripvormige toevoer-inrichting 64 voor typisch reinigings-medium 66 aangegeven, met mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting, ten behoeve van het gereinigd/schoonhouden van 5 het tussengelegen onderwand-gedeelte 68 van het boventunnelblok 12.

Zulk een toevoer-inrichting voor reinigings-medium is onder andere gewenst bij toepassing van de via deze toevoer-inrichting toegevoerde vloeibare hecht-substantie 18’, 10 ' waarbij het mogelijk tevens plaatsvinden van een beperkte neerslag van deeltjes op het voorgaande onderwand-gedeelte 68.

Achter deze toevoer-inrichting 64 de opname van de stripvormige toevoer-inrichting 70 ten behoeve van het 15 ononderbroken toevoeren van gasvormig medium 72, met mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting 62 ten behoeve van het tevens onderhouden van zulk een schoonhouden van tevens het tussen-gelegen onderwand-gedeelte 74 van dit blok 12.

Figuur A toont in deze tunnel-opstelling achter deze 20 medium-toevoer-inrichting 14, waarin tijdens de werking ervan het plaatsvinden van de ononderbroken toevoer van de combinatie van het laag-kokende vloeibare draagmedium 16 met deeltjes 18 van een semiconductor substantie en hoger-kokend vloeibaar draagmedium 50,na deze eerste uitwisselbare 25 stripvormige transducer-opstelling 38 de tweede uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 52, waarbij in het compartiment 54 ervan de opname van de stripvormige transducer 56 ten behoeve van het daarmede tenminste mede verdampen van dit resterende, nog niet verdampte hoger-30 kokende vloeibare draagmedium 50 onder gelijktijdig neerslag van zulke deeltjes 18 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34 en zulks eveneens onder tril-conditie van deze transducer.

Daarbij tevens via het erboven gelegen bovenspleet-35 gedeelte 58, met eveneens een toenemende hoogte ervan, afvoer van het gevormde dampvormige medium 60 naar de daaropvolgende stripvormige af voer-inrichting 62 in dit boventunnelblok 12.

9

Daarbij is achter deze afvoer-inrichting 62 wederom de opname van de stripvormige toevoer-inrichting 64 voor typisch het reinigings-medium 66 aangegeven, met eveneens mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting, ten behoeve 5 van het eveneens gereinigd/schoonhouden van het tussengelegen onderwand-gedeelte 68 van het boventunnelblok 12, Figuur 5.

Met behulp van zulk een zeer sterk verdunde vloeibare substantie kunnen tevens een aantal andere nanometer hoge filmen vloeibaar medium woden opgebouwd, zoals onder andere 10 nitride filmen, welke reeds algemeen worde toegepast bij de productie van semiconductor wafers.

Verder de moge lijke toepassing van nitrogene ionen ten behoeve van het opbouwen van een circa 3 nanometer hoge GaN (gallium-nitride) film.

15 Tevens nanometer hoge filmen ten behoeve van de productie van LED's.

1037192

Claims (48)

1. Semiconductor tunnel-opstelling, waarin tijdens de werking ervan het ononderbroken erdoorheen verplaatsen van 5 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het boventunnelblok ervan de opname van typisch een uitwisselbare stripvormige medium-toevoerinrichting ten behoeve van tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een 10 ononderbroken toevoer van de combinatie van een uiterst hoog-kokende vloeibare semiconductor substantie en typisch tenminste één verdampbaar vloeibaar draagmedium, met daarachter in dit blok de opname van tenminste één, typisch uitwisselbare tril/verdampings-inrichting ten 15 behoeve van het daarmede ononderbroken, tenminste nagenoeg totaal, verdampen van zulk een toegevoerd vloeibaar draagmedium onder daar bij een trillende neerslag van tenminste mede de deeltjes van deze substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-20 gedeeltes.

2. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een substantie een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie is ten behoeve van 25 het met behulp van zulk een tril/verdamings-inrichting bewerkstelligen van een typisch minder dan 1 micrometer hoge laag ervan.

3. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 30 zodanige middelen, dat daarbij zulke opvolgende substraat-gedeeltes deel uitmaken van een ononderbroken erdoorheen verplaatsende folie of band, met aldus de bewerkstelligde neerslag van zulk een vloeibare hecht-substantie op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

4. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een stripvormig opbreng-gedeelte ervan de toepassing van een definitieve vloeibare 1037192 hecht-substantte ten behoeve van het definitief verankeren van een volgende semiconductor laag op mede de bewerkstelligde typisch nanometer hoge vloeibare hechtlaag, zodat in een inrichting achter deze tunnel-opstelling door deling van de 5 daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips met een folie- of band-gedeelte als de semiconductor onderlaag ervan.

5. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 10 zodanige middelen, dat daarbij het bewerkstelligd zijn van zulk een definitieve hecht-substantie op een metalen onderlaag, typisch een metalen folie.

6. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 15 zodanige middelen, dat daarbij het bewerkstelligd zijn van zulk een definitieve hecht-substantie op een kunststof-folie.

7. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een 20 stripvormig opbreng-gedeelte ervan de toepassing van een zodanige vloeibare hecht-substantie, dat slechts gedurende de opvolgende phasen van de opbouw daarin van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, deze in een voldoende mate verankerd zijn op zulk een folie of band, zodat in een 25 inrichting achter de uitgang van deze tunnel deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes gescheiden worden van deze erdoorhéen verplaatsende folie- of band-gedeeltes ten behoeve van in een volgende inrichting door deling ervan het bewerkstelligd zijn van semiconductot chips zonder een folie- 30 of band-gedeelte als een semiconductor onderlaag ervan.

8. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door zulk een tijdelijke vloeibare hecht-substantie het bewerkstelligd zijn van 35 semiconductor chips met typisch een di-electrische onderlaag ervan.

9. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij achter zulk een tril/ verdampings-inrichting de opname van een in dit boventunnelblok opgenomen stripvormige afvoer-inrichting voor het verdampte vloeibare draagmedium, daarachter de 5 opname in dit blok van een stripvormige toevoer-inrichting voor typisch vloeibaar reinigings-medium, met in hoofdzaak afvoer ervan via deze afvoer-inrichting ten behoeve van het vermijden, dat deeltjes van deze vloeibare hecht-substantie terecht komen op het tussen-liggende onderwand-gedeelte van 10 dit blok.

10. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter deze stripvormige toevoer-inrichting voor typisch reinigings-medium in dit 15 boventunnelblok de opname van een stripvormige toevoer- inrichting voor typische gasvormig medium ten behoeve van in hoofdzaak afvoeren ervan via deze afvoer-inrichting. met het continue onderhouden van een gasvormig medium-slot in het tussen-gelegen bovenspleet-gedeelte.

11. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij naast de ononderbroken toevoer van tenminste deze deeltjes van een vloeibare hecht-substantie eveneens een ononderbroken 25 toevoer van laag-kokend vloeibaar draagmedium en hoog-kokend verdampbaar vloeibaar draagmedium plaats vindt, daarbij in het boventunnelblok achter een eerste tril/verwarmings-inrichting ten behoeve van het verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de combinatie van het hoog-30 kokende vloeibare draagmedium en deeltjes van zulk een hecht-substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting voor het verdampte laag-kokende vloeibare draagmedium en typisch tevens zulk een 35 stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium en een toevoer-inrichting voor gasvormig slot-medium, de opname in het boventunnelblok van tenminste mede een tweede tril/ verwarmings-inrichting ten behoeve van het daarmede verdampen van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van deze deeltjes van een vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

12. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het boventunnelblok eveneens achter deze tril/verwarmings-inrichting de opname van zulk een combinatie van de toevoer-inrichtingen voor zowel het 10 reinigings-medium als het slot-medium.

13. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij voor deze stripvormige tril/ verwarmings-inrichting de toepassing van een eveneens 15 stripvormige transducer-opstelling.

14. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin mede de toepassing van een stripvormige medium- 20 toevoerinrichting ten behoeve van het daarin mengen van tenminste de daarin ononderbroken toegevoerde zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie met tenminste mede een verdampbaar vloeibaar draagmedium.

15. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het 25 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in zulk een medium- toevoerinrichting de toepassing van een meng-inrichting ten behoeve van tydens de werking ervan daarin het ononderbroken plaatsvinden van menging van een uiterst geringe hoeveelheid 30 van tenminste zulk een zeer hoog kokende vloeibare hecht-substantie met een zodanig vloeibaar draagmedium, dat deze verdampbaar is met behulp van in het boventunnelblok achter deze stripvormige medium-toevoerinrichting opgenomen tril/ verdampings-inrichting.

16. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat deze verder zadanig is uitgevoerd, dat daarbij daartoe de toepassing van de medium-toevoerinrichting, welke is omschreven in de bijgaande Nederlande Octrooi-aanvrage No. 1 van de aanvrager .

17. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze medium-toevoerinrichting 5 de opname van een bovenste meng-inrichting ten behoeve van het mengen van een daarin ononderbroken toegevoerd hoog percentage verdampbaar vloeibaar draagmedium met de daarin ononderbroken toegevoerde combinatie van een verdampbaar vloeibaar draagmedium en zulk een zeer hoog-kokende vloeibare 10 hecht-substantie, en een onderste meng-inrichting tea behoeve van het daarin mengen ervan met een daarin ononderbroken toegevoerd hoog percentage van eveneens verdampbaar vloeibaar draagmedium.

18. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 17, met het 15 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor elk van deze verdampbare vloeibare draagmediums de toepassing van hetzelfde, typisch laag-kokend vloeibaar draagmedium.

19. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 18, met het 20 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een individueel toegevoerd vloeibaar draagmedium de ononderbroken toevoer van een hoog percentage ervan ten opzichte van de in deze inrichting toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium 25 en deeltjes van deze vloeibare hecht-substantie.

20. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het plaatsvinden van een gescheiden toevoer van het laag-kokende vloeibare draagmedium 30 en het hoog-kokende vloeibare draagmedium en zulks met voor elk ervan een hoog percentage ervan.

21. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de 35 mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke op 23 Juni en 6 Juli j.1. en heden door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling .

22. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 5 bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het 10 navolgende: al een individuele semiconductor wafer of - substraat; of bj een al dan niet individuele semiconductor processing-module .

23. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooiaanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octrooi-aanvragen 20 van de aanvrager.

24. Werkwijze van een semiconductor substraat transfer/ behandelings-tunnelopstelling, waarbij tijdens de werking ervan het ononderbroken erdoorheen verplaatsen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en zoals daarbij in het 25 boventunnelblok ervan de opname van typisch een uitwisselbare stripvormige medium-toevoerinrichting, tijdens de werking ervan het plaatselijk plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van een zeer hoog-kokende semiconductor substantie en typisch tenminste één verdampbaar 30 vloeibaar draagmedium, en zoals daarachter in dit blok de opname van tenminste één, typisch uitwisselbare tril/ verdampings-inrichting, daarmede een ononderbroken, tenminste nagenoeg totaal, verdampen van zulk een toegevoerd vloeibaar draagmedium plaats vindt onder daarbij een trillende neerslag 35 van tenminste de deeltjes van deze substantie op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

25. Werkwijze volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een substantie een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie is, met behulp van zulk een tril/ verdampings-inrichting het bewerkstelligen van een typisch minder dan 1 micrometer hoge laag ervan.

26. Werkwijze volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulke opvolgende substraat-gedeeltes deel uitmaken van een ononderbroken erdoorheen verplaatsende folie of band, het aldus bewerkstelligen van de neerslag van zulk een vloeibare hecht-substantie op het centrale 10 semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

27. Werkwijze volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat zoals daar bij in een stripvormig opbr eng-gedeelte ervan de toepassing van een definitieve vloeibare hecht-substantie, het daarmede definitief verankeren van een volgende 15 semiconductor laag op deze bewerkstelligde, typisch nanometer hoge vloeibare hechtlaag, zodat in een inrichting achter deze tunnel-opstelling door deling van de daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes het verkrijgen van semiconductor chips met een folie- of band-20 gedeelte als de semiconductor onderlaag ervan.

28. Werkwijze volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat daarbij het bewerkstelligen van zulk een definitieve hecht-substantie op een metalen onderlaag, typisch een metalen folie.

29. Werkwijze volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat daarbij daartoe het bewerkstelligen van zulk een definitieve hecht-substantie op een kunststof-folie.

30. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormig opbr eng-gedeelte 30 van deze tunnel-opstelling de toepassing van een vloeibare hecht-substantie, daarbij slechts gedurende de opvolgende phasen van de opbouw daarin van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, deze in een voldoende mate verankerd zijn op zulk een folie of band, zodat, zoals in een inrichting 35 achter de uitgang van deze tunnel deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes gescheiden worden van deze erdoorheen verplaatsende folie- of band-gedeeltes, in een daarop-volgende inrichting door deling ervan het bewerkstelligen van semiconductor chips zonder een folie-of band^-gedeelte als een semiconductor onderlaag ervan.

31. Werkwijze volgens de Conclusie 30, met het kenmerk, dat daarbij door zulk een tijdelijke vloeibare hecht-substantie het 5 bewerkstelligen van semiconductor chips met typisch een di-electrische onderlaag ervan.

32. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij achter zulk een tril/ verdampings-inrichting de opname van een in dit 10 boventunnelblok opgenomen stripvormige afvoer-inrichting voor het verdampte vloeibare draagmedium en daarachter de opname in dit blok van een stripvormige toevoer-inrichting voor typisch vloeibaar reinigings-medium, met in hoofdzaak afvoer ervan via deze afvoer-inrichting, daardoor het 15 vermijden, dat deeltjes van deze vloeibare hecht-substantie terecht komen op het tussen-liggende onderwand-gedeelte van dit blok.

33. Werkwijze volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat zoals daarbij achter deze stripvormige toevoer-inrichting 20 voor typisch reinigings-medium in dit boventunnelblok de opname van een stripvormige toevoer-inrichting voor typisch een gasvormig medium met in hoofdzaak het afvoeren ervan via deze afvoer-inrichting, het continue onderhouden van een gasvormig medium-slot in het tussen-gelegen 25 bovenspleet-gedeelte.

34. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij naast de ononderbroken toevoer van tenminste deze deeltjes van een vloeibare hecht-substantie eveneens een ononderbroken toevoer van 30 laag-kokend vloeibaar draagmedium en hoog-kokend verdampbaar vloeibaar draagmedium plaats vindt, daarbij in het boventunnelblok achter een eerste stripvormige tril/ verwarmings-inrichting , waarin het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare 35 draagmedium onder neerslag van de combinatie van het hoog-kokende vloeibare draagmedium en deeltjes van zulk een hecht-substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met de afvoer van het verdampte draagmedium via de daarop-volgende afvoer-inrichting in dit blok, en waarbij typisch erdoorheen mede de afvoer geschiedt van het via de daarop-volgende toevoer-inrichting toegevoerde reinigings-medium en tevens de afvoer 5 van het via de daarop-volgende toevoer-inrichting toegevoerde gasvormige slot-medium, en zoals in dit blok daarachter de opname van tenminste mede een tweede tril/ verwarmings-inrichting, het daarmede bewerkstelligen van verdamping van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium onder 10 neerslag van deze deeltjes van een vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

35. Werkwijze volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het boventunnelblok eveneens achter deze 15 tweede tril/verwarmings-inrichting de opname van zulk een afvoer-inrichting voor het verdampte hoog-kokende draagmedium en zulk een combinatie van de toevoer-inrichtingen voor zowel het reinigings-medium als het slot-medium, eveneens de afvoer ervan plaats vindt via deze afvoer-sectie.

36. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een stripvormige transducer-opstelling in het boventunnelblok als een tril/ verwarmings-inrichting, daarmede zulk een combinatie van het trillen ervan en het opwekken daarin van warmte plaats 25 vindt.

37. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in zulk een medium-toevoer inrichting de toepassing van een meng-inrichting, tijdens de werking ervan daarin het ononderbroken plaatsvinden van menging van een 30 uiterst geringe hoeveelheid van tenminste zulk een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie met een vloeibaar draagmedium.

38. Werkwijze volgens de Conclusie 37, met het kenmerk, dat zoals daar bij daar toe de toepassing van de medium-toevoer- 35 inrichting, welke is omschreven in de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 1 van de aanvrager, daarin zulk een menging plaats vindt.

39. Werkwijze volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze medium-toevoerinrichting de opname van een bovenste meng-inrichting, daarin het mengen van een daarin ononderbroken toegevoerd hoog percentage verdampbaar vloeibaar draagmedium met de daarin ononderbroken 5 toegevoerde combinatie van een verdampbaar vloeibaar draagmedium en zulk een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie plaats vindt en in een onderste meng-inrichting het mengen ervan met een daarin ononderbroken toegevoerd hoog percentage van eveneens verdampbaar vloeibaar 10 draagmedium plaats vindt.

40. Werkwijze volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat daarbij voor elk van deze verdampbare vloeibare draagmediums de toepassing van hetzelfde, typisch laag-kokende vloeibare draagmedium.

41. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een individueel toegevoerd vloeibaar draagmedium een ononderbroken toevoer van een hoog » percentage ervan ten opzichte van de in deze inrichting toegevoerde combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes 20 van deze vloeibare hecht-substantie plaats vindt.

42. Werkwijze volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van een gescheiden toevoer van het laag-kokende vloeibare draagmedium en het hoog-kokende vloeibare draagmedium en zulks met voor elk ervan een hoog 25 percentage ervan.

43. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel- 30 opstellingen en - inrichtingen, welke op 23 Juni en 6 Juli j.1. en heden door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.

44. Werkwijze volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, dat 35 daarbij de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst

45. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in 5 deze andere 0ctrooi-aanvragen van de aanvrager.

46. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling de bewerkstelliging van een nitride film.

47. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling de opbouw van een circa 3 nanometer hoge GaN (gallium-nitride) film plaats vindt.

48. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met' het 15 kenmerk, dat daarbij in tenminste één stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling de opbouw van een nanometer hoge film van een semiconductor substantie plaats vindt ten behoeve van de productie van LED's. 1037192