NL1039189C2 - SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF. - Google Patents

SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF. Download PDF

Info

Publication number
NL1039189C2
NL1039189C2 NL1039189A NL1039189A NL1039189C2 NL 1039189 C2 NL1039189 C2 NL 1039189C2 NL 1039189 A NL1039189 A NL 1039189A NL 1039189 A NL1039189 A NL 1039189A NL 1039189 C2 NL1039189 C2 NL 1039189C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
installation
individual
chip
following
Prior art date
Application number
NL1039189A
Other languages
Dutch (nl)
Inventor
Edward Bok
Original Assignee
Edward Bok
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Edward Bok filed Critical Edward Bok
Priority to NL1039189A priority Critical patent/NL1039189C2/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1039189C2 publication Critical patent/NL1039189C2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67138—Apparatus for wiring semiconductor or solid state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

Semiconductor chip, vervaardigd in een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen en waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol, bevattende een zeer lange folie, in de daaropvolgende inrichtingen daarop de 5 bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit daarvan.Semiconductor chip, manufactured in a number of successive individual semiconductor devices and wherein in the first device the inclusion of a film storage roll, containing a very long film, in the subsequent devices thereon the realization of successive individual rectangular substrate sections, with in the last device by successive divisions thereof obtaining therefrom.

Semiconductor chip, waarbij ten behoeve van de bewerkstelli-10 ging ervan de toepassing van tenminste mede een aantal individuele semiconductor inrichtingen, met als eerste inrichting een opslagrol voor het daarin opslaan van een zeer lange folie ten behoeve van het typisch ononderbroken verplaatsen ervan door een aantal volgende inrichtingen, in een eerste, doch 15 secundaire semiconductor tunnel-opstelling als tweede inrichting in het uitgangs-gedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van een di-electrische laag op het centrale semiconductor behande-lings-gedeelte van de opvolgende folie-gedeeltes onder het verkregen zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeel-20 tes, bevattende deze di-electrische bovenlaag, in de daarachter gelegen tweede, doch primaire tunnel-opstelling als derde inrichting aan de uitgangszijde ervan het verkregen zijn van opvolgende, zich verplaatsende substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan in het achtergedeelte ervan het verkregen 25 zijn van opvolgende rechthoekige semiconductor platen, bevattende een zeer groot aantal basis-chips, met een tijdelijke opslag ervan in een cassette, vervolgens in de daaropvolgende vierde inrichting, met typisch een aantal naast elkaar gelegen gedeeltes ervan, op deze platen opvolgend aanbrengen van 30 electrische aansluit-contacten, en vervolgens in eveneens typisch een aantal daaropvolgende naast elkaar gelegen inrichtingen door deling ervan de bewerkstelliging van deze semiconductor chips.Semiconductor chip, the application of at least a number of individual semiconductor devices for the purpose of processing thereof, the first device being a storage roll for storing a very long film therein for the purpose of typically uninterrupted movement thereof by a number of subsequent devices, in a first, but secondary, semiconductor tunnel arrangement as a second device in its output portion being the establishment of a dielectric layer on the central semiconductor treatment portion of the subsequent film portions below the obtained of successive semiconductor substrate sections, comprising this dielectric top layer, in the second, but primary tunnel arrangement behind it as the third device on the output side thereof, are the result of successive, moving substrate sections, from which dividing it in the rear of it is the result of succession nth rectangular semiconductor plates, containing a very large number of basic chips, with a temporary storage thereof in a cassette, then in the subsequent fourth device, with typically a number of adjacent parts thereof, subsequently applying electrical connections to these plates. contacts, and then in also typically a number of subsequent adjacent devices by dividing them the realization of these semiconductor chips.

Binnen het kader van de uitvinding kunnen deze beide 35 tunnel-opstellingen als alternatief aaneengesloten zijn.These two tunnel arrangements can alternatively be contiguous within the scope of the invention.

Verder de mogelijke combinaties van deze semiconductor opstellingen, welke zijn aangegeven in de daarmede corresponderende Figuren.Furthermore, the possible combinations of these semiconductor arrangements, which are indicated in the corresponding Figures.

1039189 21039189 2

Binnen het kader van de uitvinding kan deze folie bestaan uit elk soort van substantie, zoals onder andere papier, een voldoend harde kunststof of een combinatie van substanties.Within the scope of the invention, this film can consist of any kind of substance, such as paper, a sufficiently hard plastic or a combination of substances.

Verder de mogelijkheid om de verplaatsing van zulk een 5 folie door deze beide tunnel-opstellingen typisch te doen plaatsvinden met behulp van opvolgende stromen transfer-medium langs de onderzijde van deze folie of een ononderbroken metale transfer-band onder de toepassing van een rol-opstel— ling aan het begin- en achtergedeelte van zulk een tunnel-10 opstelling.Furthermore, the possibility of causing the movement of such a film through these two tunnel arrangements to take place typically with the aid of successive flows of transfer medium along the underside of this film or an uninterrupted metal transfer belt using a roll arrangement - at the beginning and rear of such a tunnel arrangement.

Verder als alternatief kan op deze vanaf een folie-opslag-rol toegevoerde folie zulk een uiterst dunne di-electrische laag op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan reeds zijn aangebracht onder toepassing van zulk een 15 eerste tunnel-opstelling, met opslag ervan in een volgende folie-opslagrol.Furthermore, as an alternative to this film supplied from a film-storage roll, such an extremely thin dielectric layer can already be applied to its central semiconductor treatment part using such a first tunnel arrangement, with storage thereof in a following foil storage roll.

Zulke middelen van verplaatsing van de opvolgende substraat-gedeeltes zijn reeds aangegeven in de vele tunnel-opstellingen, waarvoor door de aanvrager inmiddels Neder-20 landse Octrooien zijn verkregen.Such means of displacing the subsequent substrate sections have already been indicated in the many tunnel arrangements, for which the applicant has meanwhile obtained Dutch patents.

Daarbij zijn eveneens elke breedte en lengte van zulk een bewerkstellige semiconductor plaat mogelijk, typisch minder dan 150 mm, om in zulk een installatie ook de goedkoopste semiconductor chips met behulp van zulk een typisch papieren 25 of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaardigen.In addition, any width and length of such a machined semiconductor plate is possible, typically less than 150 mm, in order to be able to manufacture the cheapest semiconductor chips in such an installation with the aid of such a typical paper or plastic substrate.

Verder, zoals daarbij tevens de mogelijke toepassing van cassettes voor het daarin tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde rechthoekige platen, daartoe eveneens een opslag-breedte en -lengte met zulk een grootte ervan, dat daarbij de 30 mogelijke verplaatsing van deze uiterst dunne platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuwkracht van de volgende plaat ten behoeve van opslag ervan in zulk een cassette.Furthermore, such as also the possible use of cassettes for temporarily storing therein realized rectangular plates, to that end also a storage width and length with such a size that the possible displacement of these extremely thin plates into such a cassette is effected with the aid of the thrust of the next plate for storage thereof in such a cassette.

Door de enorme productie van zulke platen in zulk een 35 installatie zijn typisch meerdere inrichtingen benodigd ten behoeve van het al dan niet gelijktijdig aanbrengen van elec-trische aansluitingen, met daarbij toevoer van opvolgende platen ernaartoe vanuit deze aanvoer-cassettes en afvoer 3 ervan naar volgende, daarachter gelegen ontvangst-cassettes.Due to the enormous production of such plates in such an installation, a plurality of devices are typically required for the purpose of making electrical connections, whether or not simultaneously, with subsequent supply of subsequent plates therefrom from these supply cassettes and discharge 3 therefrom to following , receiving cassettes located behind it.

De inrichtingen zijn verder zodanig uitgevoerd en bevatten zodanige middelen, dat daarbij de mogelijke toepassing van inrichtingen of gedeeltes ervan, welke reeds zijn omschreven 5 en aangegeven in tenminste mede Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en/of Conclusies.van het riovolgende: a) een individuele-semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing- mofule of - installatie.The devices are further designed and contain such means that the possible application of devices or parts thereof, which have already been described and indicated in at least co-patents, if therein the mention in the text and / or Conclusions of the following: a) an individual semiconductor wafer or substrate; or b) an individual or non-individual semiconductor processing module or installation.

10 Verder zijn deze inrichtingen zodanig uit gevoerd en bevatten zodanige middelen, dat deze tevens toepasbaar zijn in de semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende semiconductor tunnel-15 opstellingen en de gelijktijdig hiermede ingediende Octrooiaanvrage ,Furthermore, these devices are designed and contain such means that they can also be applied in the semiconductor tunnel arrangements, which are indicated and described in the Dutch Patent Applications already submitted by the applicant concerning semiconductor tunnel arrangements and the simultaneous applications. Patent application filed herewith,

Verder zijn deze inrichtingen zodanig uitgevoerd en bevatten deze zodanige middelen, dat daarbij de toepasbaarheid van de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-20 aanvragen betreffende zulk een tunnel-opstelling.Furthermore, these devices are designed and contain such means that the applicability of the Dutch Patent Applications already submitted by the applicant concerning such a tunnel arrangement is thereby applicable.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in een aantal Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van deze installatie-opbouw, welke echter binnen het kader van de uitvinding kan variëren.The invention will be explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments of this installation structure shown in a number of Figures, which however may vary within the scope of the invention.

25 Figuur 1 toont een semiconductor installatie, waarin de opname van alle benodigde semiconductor inrichtingen ten behoeve van in de laatste inrichting ervan door deling van de daarin opvolgend ingebrachte rechthoekige semiconductor platen de bewerkstelliging van semiconductor chips.Figure 1 shows a semiconductor installation, in which the incorporation of all required semiconductor devices for the purpose of the latter device by dividing the successively inserted rectangular semiconductor plates into the realization of semiconductor chips.

30 Figuur 2 toont een gedeelte van de vanuit de folie-opslag-rol toegevoerde folie.Figure 2 shows a part of the film supplied from the film-storage roll.

Figuur 3 toont achter de uitgang van de eerste daarin opgenomen semiconductor tunnel-opstelling het bewerkstelligd zijn van een di-electrische laag daarop.Figure 3 shows behind the exit of the first semiconductor tunnel arrangement included therein the establishment of a dielectric layer thereon.

35 Figuren 4A? 4B en 4C tonen de drietal opvolgende phasen van het met behulp van een inrichting bewerkstelligen van nanometer grote indrukkingen in de bovenwand van een -zich eronder bevindend semiconductor substraat-gedeelte.Figures 4A? 4B and 4C show the three successive phases of effecting nanometer-sized indentations in the upper wall of a semiconductor substrate part located below it by means of a device.

44

Figuur 5 toont een in een iprichting opgenomen rechthoe- i kige semiconductor plaat, welke door afsnijding van opvolgende substraat-gedeeltes, welke zich door een tunnel-opstelling verplaatsen, met het daarbij aangeven van een groot aantal 5 daarin opgenomen basis-chips.Figure 5 shows a rectangular semiconductor plate included in an IP device, which is cut by successive substrate portions, which move through a tunnel arrangement, with a large number of base chips included therein.

Figuur 6 toont een gedeelte van de plaat volgens de Figuur 5 en waarbij in tenminste één inrichting, met aan één zijde ervan een cassette, op zulk een basis-chip het opgebracht zijn van een tweetal electrische aansluit-contacten, onder het 10 bewerkstelligd zijn van een semiconductor chip.Figure 6 shows a part of the plate according to Figure 5 and wherein in at least one device, with a cassette on one side thereof, the application of two electrical connection contacts on such a base chip has been effected, a semiconductor chip.

Figuur 7 toont een gedeelte van zulk een plaat met aan het begin-gedeelte ervan eveneens de opname van een cassette en waarby op zulke daarin opgenomen basis-chips het opgebracht zijn van electrische aansluit-contacten.Figure 7 shows a portion of such a plate with, at the start portion thereof, also the recording of a cassette, and on which such base chips incorporated therein are provided with electrical connection contacts.

15 Figuur 8 toont na deling in een inrichting van zulk een plaat volgens de Figuur 7 het bewerkstelligd zijn van één van de vele semiconductor chips.Figure 8 shows, after division in an arrangement of such a plate according to Figure 7, the realization of one of the many semiconductor chips.

Figuur 9 toont een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen ten behoeve van het in de laatste inrich-20 ting door deling van een rechthoekige semiconductor plaat de bewerkstelliging van semiconductor chips.Figure 9 shows a number of successive individual semiconductor devices for the purpose of producing semiconductor chips in the last device by dividing a rectangular semiconductor plate.

Figuur 10 toont achter de uitgang van de tweede tunnel-opstelling een verwijderbare cassette ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van een semiconductor plaat en waarbij 25 na het gevuld zijn van een sectie ervan daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan voor het vervolgens vullen van een volgende sectie ervan met zulk een plaat.Figure 10 shows behind the exit of the second tunnel arrangement a removable cassette for the temporary storage therein of a semiconductor plate and wherein after a section thereof has been filled therewith, moving it downward a small distance for subsequent filling of a subsequent section thereof with such a plate.

Figuur 11 toont de doorsnede over de lijn 11-11 van de 30 cassette volgens de Figuur 10 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie ervan.Figure 11 shows the section along the line 11-11 of the cassette according to Figure 10, showing such a plate in a section thereof.

Figuur 12 toont een alternatieve uitvoering van de cassette volgens de Figuur 10 en waarbij daarin op elkaar liggende opvolgend toegevoerde platen.Fig. 12 shows an alternative embodiment of the cassette according to Fig. 10 and with successively supplied plates lying thereon.

35 Figuur 13 toont het verwijderen van de cassette volgens de Figuur 10 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in de onderste positie ervan.Figure 13 shows the removal of the cassette according to Figure 10 from the underlying displacement device in its lower position.

Figuur 14 toont voor zulk een semiconductor inrichting de 5 opname van een verwijderbare zend-cassette ten behoeve van het daaruit opvolgend toevoeren van een semiconductor plaat voor het daarin plaatsvinden van een semiconductor behandeling ervan en daarachter een ontvangst-cassette ten behoeve van 5 het tijdelijk opvolgend ontvangen van zulke behandelde platen.Figure 14 shows, for such a semiconductor device, the inclusion of a removable transmitting cassette for the subsequent supply of a semiconductor plate for a semiconductor treatment thereof to take place therein, and thereafter a receiving cassette for the temporarily succeeding received from such treated plates.

Figuur 1 toont voor de installatie 10 de rol-opstelling 12, bevattende de zeer lange typisch kunststoffen of papieren folie 14, zoals mede is aangegeven in de Figuur 2.Figure 1 shows the roll arrangement 12 for the installation 10, containing the very long typical plastic or paper foil 14, as is also indicated in Figure 2.

In het volgend gedeelte van deze installatie een eerste 10 semiconductor tunnel-opstelling 16 ten behoeve van het op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze folie 14 het bewerkstelligen van een ultra-vlakke di-electrische laag 18, hetgeen is aangegeven in de Figuur 3.In the next part of this installation a first semiconductor tunnel arrangement 16 for the purpose of effecting on the central semiconductor treatment part of this foil 14 an ultra-flat dielectric layer 18, which is indicated in Figure 3 .

Achter deze eerste tunnel-opstelling 16 de daaropvolgende 15 typisch gescheiden tweede semiconductor tunnel-opstelling 20.Behind this first tunnel arrangement 16 the subsequent typically separated second semiconductor tunnel arrangement 20.

Deze tunnel-opstelling bevat de op het boventunnelblok ervan gemonteerde stripvormige inrichting 22 en waarbij in het ondergedeelte ervan de opname van de stripvormige plaat 24, met in de onderwand 26 ervan de nanometer-grote nokken 28 ten 20 behoeve van het daarmede bewerkstelligen van nanometer-diepe uitsparingen 30 in de bovenwand 32 van deze di-electrische laag 18 ter plaatse van dit centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze ultra-vlakke di-electrische laag 18.This tunnel arrangement comprises the strip-shaped device 22 mounted on its upper tunnel block and wherein in its lower part the accommodation of the strip-shaped plate 24, with the nanometer-large cams 28 in its lower wall 26 for the purpose of effecting nanometer- deep recesses 30 in the top wall 32 of this dielectric layer 18 at the location of this central semiconductor treatment portion of this ultra-flat dielectric layer 18.

De inrichting en werkwijzen van deze inrichting 22 zijn 25 omschreven in voorgaande Octrooi-aanvragen van de aanvrager.The device and methods of this device 22 are described in the applicant's previous Patent applications.

Daarbij in de bovenste positie van deze plaat 24, welke is aangegeven in de Figuur 4A, bevindt deze zich op enige afstand vanaf deze bovenwand 32.In addition, in the upper position of this plate 24, which is indicated in Figure 4A, it is located at some distance from this upper wall 32.

In de Figuur 4B drukt deze plaat 24 op deze relatief zachte 30 di-electrische laag 18 onder de bewerkstelliging van deze nokken 28 en de daarmede corresponderende uitsparingen 30.In Figure 4B, this plate 24 presses on this relatively soft dielectric layer 18 under the effect of these cams 28 and the corresponding recesses 30.

In de Figuur 4C bevindt deze plaat 24 zich wederom in zijn bovenste positie onder het bewerkstelligd zijn van deze uitsparingen 30.In Fig. 4C, this plate 24 is again in its upper position under the realization of these recesses 30.

35 Deze uitsparingen vormen daarbij de in deze di-electrische laag bewerkstelligde, in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze tunnel-opstelling 20 naast elkaar gelegen basischips .These recesses thereby form the base chips located adjacent to each other in this longitudinal and transverse direction of this tunnel arrangement 20 in this dielectric layer.

66

Door deling van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in het achtergedeelte 34 van deze tunnel- opstelling 20 de bewerkstelliging van de opvolgende individuele platen, Figuur 5, welke opvolgend worden toegevoerd naar de 5 inrichting 38, bevattende mede ontvangst-cassette 40,By dividing the succeeding semiconductor substrate portions in the rear portion 34 of this tunnel arrangement 20, the realization of the succeeding individual plates, Figure 5, which are successively supplied to the device 38, including co-receiving cassette 40,

Figuur 10.Figure 10.

Vervolgens geschiedt de verwijdering van deze cassette 40 vanaf deze tunnel-opstelling 20 naar de inrichting 44, bevattende tevens de toevoer-cassette 42, en waarin het op deze 10 plaat 36 aanbrengen van de di-electrische aansluit-contacten 46 onder de bewerkstelliging van de platen 48, welke waren opgenomen in zulk een toevoer-cassette 42, geschiedt.Subsequently, the removal of this cassette 40 takes place from this tunnel arrangement 20 to the device 44, which also comprises the supply cassette 42, and in which the dielectric connection contacts 46 are provided on this plate 36 while the plates 48 which were included in such a feed cassette 42.

Daarbij vindt op deze platen 36 het aanbrengen van de electrische aansluit-contacten 46 plaats onder de bewerkstel-15 liging van de platen 48, welke worden opgeslagen in zulk een ontvangst-cassette 40.The electrical connection contacts 46 are provided on these plates 36 under the processing of the plates 48, which are stored in such a receiving cassette 40.

Vervolgens vindt in de inrichting 52 door deling van deze bewerkstelligde platen het verkrijgen plaats vaïi de semiconductor chips 50.Subsequently, in the device 52, the semiconductor chips 50 are obtained by dividing these realized plates.

20 Figuur 7 toont een gedeelte van zulk een plaat 36 en waarbij in de inrichting 44, zie tevens de Figuur 1, op zulke basischips het aangebracht zijn van de electrische aansluit-contacten 46 onder de bewerkstelliging van de platen 48.Figure 7 shows a part of such a plate 36 and wherein in the device 44, see also Figure 1, the electrical connection contacts 46 are arranged on such basic chips under the realization of the plates 48.

Figuur 8 toont na deling in de inrichting 52 van zulk een 25 plaat 48 volgens de Figuur 7 het in tenminste één ervan het opvolgend bewerkstelligen van de vele semiconductor chips 50.Figure 8 shows, after division in the device 52 of such a plate 48 according to Figure 7, the successive realization of the many semiconductor chips 50 in at least one of them.

Figuur 9 toont een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen ten behoeve van het in de laatste inrichting 52 door deling van deze rechthoekige plaat 48 de bewerk-30 stelliging van zulke chips 50.Figure 9 shows a number of successive individual semiconductor devices for the purpose of processing the chips of such chips 50 in the last device 52 by dividing this rectangular plate 48.

Figuur 10 toont achter de uitgang van deze tunnel-opstelling 20 zulk een verwijderbare cassette 42 ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulke semiconductor platen 36 en waarbij met behulp van de inrichting 54 na het gevuld zijn van 35 sectie 56 ervan daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan voor het vullen van de volgende sectie 56 ervan met zulk een plaat 36.Figure 10 shows behind the exit of this tunnel arrangement 20 such a removable cassette 42 for the temporary storage therein of such semiconductor plates 36 and wherein, with the aid of the device 54, after it has been filled section 56 thereof, it is over a moving it a short distance downwards to fill its next section 56 with such a plate 36.

Figuur 11 toont de doorsnede over de lijn 11-11 van de 7 cassette 42 volgens de Figuur 10 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie 56 ervan.Figure 11 shows the section along the line 11-11 of the 7 cassette 42 of Figure 10 showing such a plate in a section 56 thereof.

Figuur 12 toont een alternatieve uitvoering 58 van de cassette volgens de Figuur 10 en waarbij daarin op elkaar 5 liggende opvolgend toegevoerde platen 36.Figure 12 shows an alternative embodiment 58 of the cassette according to Figure 10 and with plates 36 successively supplied therein superimposed thereon.

Figuur 13 toont het verwijderen van de cassette 42 volgens de Figuur 10 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrich-ting 54 in de onderste positie ervan.Figure 13 shows the removal of the cassette 42 according to Figure 10 from the underlying displacement device 54 in its lower position.

Figuur 14 toont voor zulk een semiconductor inrichting 44 10 de opname van zulk een verwijderbare zend-cassette 42 ten behoeve van het daaruit opvolgend toevoeren van een semiconductor plaat 36 en daarachter een ontvangst-cassette 40 ten behoeve van het tijdelijk opvolgend ontvangen van zulke behandelde semiconductor platen 36.Fig. 14 shows for such a semiconductor device 44 the recording of such a removable transmitting cassette 42 for the subsequent feeding of a semiconductor plate 36 and thereafter a receiving cassette 40 for the temporary successive reception of such treated semiconductor plates 36.

10391891039189

Claims (21)

1. Semiconductor chip, tenminste mede bewerkstelligd in een semiconductor installatie, bevattende een individuele folie-opslagrol in het begin-gedeelte ervan, daarachter 5 typisch een eerste semiconductor tunnel-opstelling ten behoeve van op het centrale gedeelte van de daarin toegevoerde opvolgende folie-gedeeltes het opbrengen van een di-electrische laag, met daarachter een tweede tunnel-opstelling, waarin tenminste mede het bewerkstelligd zijn van opvolgende individuele 10 rechthoekige semiconductor platen, bevattende een groot aantal in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen semiconductor basis-chips, in een volgende individuele semiconductor inrichting, bevattende typisch een aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes ervan en welke al 15 dan niet is opgenomen in deze installatie, op deze basis-chips het aangebracht zijn van electrische aansluit-contacten onder het bewerkstelligd zijn van een groot aantal in zowel de lenge- als dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen semiconductor chips, en in tenminste één daarop-volgende semiconduc-20 tor inrichting, welke eveneens typisch een aantal in dwars-richtin naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bevat, door deling ervan het bewerkstelligd zijn van deze semiconductor chip.A semiconductor chip, at least partly realized in a semiconductor installation, comprising an individual foil storage roller in the initial part thereof, behind it typically a first semiconductor tunnel arrangement for the successive foil parts fed therein at the central part applying a dielectric layer, followed by a second tunnel arrangement, in which at least co-effect is made of successive individual rectangular semiconductor plates, comprising a large number of semiconductor base chips which are adjacent to each other in both their longitudinal and transverse directions , in a subsequent individual semiconductor device, typically comprising a number of transversely adjacent portions thereof and which may or may not be included in this installation, on these base chips the provision of electrical connection contacts while effecting a large number in both the longitudinal and transverse directions an adjacent semiconductor chips, and in at least one subsequent semiconductor device, which also typically comprises a plurality of transversely adjacent portions thereof, having this semiconductor chip realized by division. 2. Chip volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij 25 de toepassing van tenminste één van de verplaatsings-inrich-tingen voor de opvolgende substraat-gedeeltes ten behoeve van de verplaatsing van zulke substraat-gedeeltes door zulk een tunnel-doortocht, welke reeds zijn omschreven in meerdere van de inmiddels bewerkstelligde Nederlandse Octrooien van de 30 indiener van deze Octrooi-aanvrage in de voorgaande jaren.2. Chip according to Claim 1, characterized in that, for this purpose, this installation is further designed such that the use of at least one of the displacement devices for the subsequent substrate sections for the displacement of such substrate - portions through such a tunnel passage, which have already been described in several of the meanwhile realized Dutch Patents of the applicant of this Patent Application in the previous years. 3. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij voor deze tunnel-opstelling de opname van zulk een folie- 35 opslagrol, tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van toevoer van opvolgende dunne f olie-gedeeltes naar de ingangszijde van deze tunnel-opstelling en het vervolgens daarin fungeren ervan als een 1039189 definitieve onderlaag van zulke opvolgende substraat-gedeeltes.3. Chip as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that for this purpose this installation is further designed and comprising such means that, as therein, for this tunnel arrangement, the accommodation of such a foil-storing roller, at least during the operation thereof practically uninterrupted occurrence of the supply of successive thin film sections to the entrance side of this tunnel arrangement and the subsequent functioning therein as a definitive lower layer of such successive substrate sections. 4. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze installatie daartoe verder zodanig 5 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ervan het daarin in het achter-gedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende afsnijding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconductor plaat vanaf de volgen-10 de, zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.4. Chip as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that this installation is furthermore designed for this purpose and comprising such means that, during the operation of this tunnel arrangement thereof, therein in the rear part thereof takes place therein. subsequent cutting of rectangular substrate portions as such an individual rectangular semiconductor plate from the following substrate portions moving therethrough. 5. Chip volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes ten behoeve van het daarin tijdelijk 15 opslaan van zulke opvolgend toegevoerde platen.5. Chip according to Claim 4, characterized in that, for this purpose, this installation is further designed and comprises such means that the use of interchangeable individual cassettes for the purpose of temporarily storing such successively supplied plates therein. 6. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-behandelingsgedeel- 20 te van de tunnel-doortocht het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van typisch één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich • ononderbroken onderlangs zulk een•boven-behandelingsgedeelte verplaatsende substraat-gedeeltes.6. Chip as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that this installation is furthermore designed for this purpose and comprising such means that, in the subsequent sections of the central top treatment part of the tunnel passage, the uninterrupted occurrence of the build-up of typically one semiconductor layer on the top of this film under the effect of successive, uninterrupted bottom of such an upper-treatment portion. 7. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze een inrichting bevat ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk gedeelte van zulk een 30 plaat.7. Chip as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that for this purpose this installation is further designed and comprising such means that it comprises a device for the purpose of providing therein typically two electrical contacts on each part of such a device. plate. 8. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in tenminste één inrichting door een aantal opvolgende delingen 35 van zulk een plaat de bewerkstelliging ervan.8. Chip as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that this installation is furthermore designed for this purpose and comprising such means that the realization thereof is effected in at least one device by a number of successive divisions of such a plate. 9. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze tunnel-opstelling verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe de mogelijkheid van elke breedte en lengte van zulk een daarin bewerkstelligde plaat, typisch minder dan 100 mm, om daarin tevens de goedkoopste basis-chip met zulk een papieren of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaar-5 digen.9. A chip according to any one of the preceding claims, characterized in that this tunnel arrangement is further designed in such a way that it includes the possibility of any width and length of such a plate arranged therein, typically less than 100 mm, in order also to be able to manufacture therein the cheapest basic chip with such a paper or plastic substrate. 10. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor 10 uitvoeringen, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde Nederlandse Octrooien.10. Chip as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that this installation is furthermore designed for this purpose and comprising such means that therein therein the possible application of several of the semiconductor 10 embodiments, which are indicated and described in the specifications described by the applicant. already realized Dutch Patents. 11. Chip volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de mogelijke toepassing van semiconductor inrichtingen, welke 15 zijn opgenomen in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of 20 b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .11. A chip according to Claim 10, characterized in that, for this purpose, this installation is further designed such that the possible application of semiconductor devices included in the existing semiconductor installations using semiconductor modules already described in Patents, if therein the mention in the text and Conclusions of the following: a) an individual semiconductor wafer or substrate; and / or b) an individual or non-individual semiconductor processing module. 12. Werkwijze ten behoeve van de vervaardiging van semiconductor chips in tenminste mede een semiconductor installatie, bevattende een individuele folie-opslagrol in het begin- 25 gedeelte ervan en een aantal daaropvolgende individuele semiconductor behandelings-opstellingen en waarbij onderandere onmiddellijk achter deze f olie-opslagrol een individuele semiconductor tunnel-opstelling ervan en daarachter een aantal aanvullende individuele semiconductor behandelings-inrich- 30 tingen ten behoeve van tenminste daarin de bewerkstelliging van individuele rechthoekige semiconductor platen en in tenminste één volgende individuele semiconductor inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze installatie, door deling ervan het verkrijgen van zulk een individuele chip.12. Method for the manufacture of semiconductor chips in at least partly a semiconductor installation, comprising an individual foil storage roller in the initial part thereof and a number of subsequent individual semiconductor treatment arrangements and wherein, among others, immediately behind this oil storage roller an individual semiconductor tunnel arrangement thereof and thereafter a number of additional individual semiconductor treatment devices for at least therein the realization of individual rectangular semiconductor plates and in at least one subsequent individual semiconductor device, which may or may not be included in this installation by dividing it by obtaining such an individual chip. 13. Werkwijze volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarin achter deze tunnel-opstelling de toepassing van een aantal daaropvolgende semiconductor inrichtingen, en daarbij in de laatste inrichting ervan door deling ervan het verkrijgen van zulk een chip.A method according to Claim 12, characterized in that, as this installation is furthermore designed and comprising such means that the use of a number of subsequent semiconductor devices is used therein behind this tunnel arrangement, and in the latter device by division obtaining such a chip. 14. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 5 kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van toevoer van opvolgende dunne folie-gedeeltes naar de ingangszgde van deze tunnel-opstelling en het vervolgens daarin fungeren ervan als een 10 definitieve onderlaag van zulke substraat-gedeeltes, waaruit tenslotte door deling ervan de bewerkstelliging van zulke chips.14. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that like this installation is further designed such that during its operation the supply of successive thin foil sections to the entrance of this tunnel arrangement takes place substantially virtually uninterruptedly. and subsequently functioning therein as a final underlay of such substrate portions, from which, finally, by dividing it, the realization of such chips. 15. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij deze installatie daartoe verder 15 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ervan het daarin in het achter-gedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende afsnijding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconducto plaat vanaf de volgende, 20 zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.15. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that, as this installation is furthermore designed to this end and containing such means, during the operation of this tunnel arrangement thereof a successive occurrence takes place therein in the rear part thereof cutting off rectangular substrate portions as such an individual rectangular semiconducto plate from the following substrate portions moving therethrough. 16. Werkwijze volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij onder de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes, daarin het tijdelijk op- 25 slaan van zulke opvolgend toegevoerde platen plaats vindt.16. A method according to Claim 15, characterized in that, as this installation is furthermore designed and comprising such means that, while using interchangeable individual cassettes, temporary storage of such successively supplied plates takes place therein. 17. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze typisch tenminste één inrichting bevat achter zulk een cassette-opbouw, 30 het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk chip-gedeelte van zulk een plaat.17. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that like this installation is further designed and comprising means such that it typically comprises at least one device behind such a cassette structure, applying therein typically two electrical contacts on each chip portion of such a plate. 18. Werkwijze volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één inrichting door een aantal opvolgende delingen van zulk een plaat de bewerkstelliging van zulk een 35 chip.18. A method according to Claim 17, characterized in that in at least one device the realization of such a chip by a number of successive divisions of such a plate. 19. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie in verband met de enorme productie van zulke platen in zulk een tunnel-opstelling ervan, typisch geen inrichtingen ten behoeve van het aanbrengen daarop van electrische aansluitingen bevat, aldus de toevoer van zulke geproduceerde platen ernaartoe geschiedt vanuit zulke cassettes, welke zich dan niet bevinden in deze 5 installatie.A method according to any one of the preceding claims, characterized in that, as this installation, in connection with the enormous production of such plates in such a tunnel arrangement thereof, typically does not contain devices for the purpose of providing electrical connections thereto, supply of such produced plates thereto takes place from such cassettes, which are then not located in this installation. 20. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals mede deze installatie zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, daarbij de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen, welke zijn aangege- 10 ven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde Nederlandse Octrooien.20. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that, just like this installation is designed in such a way and containing such means, the possible application of several of the methods indicated and described in the application already described by the applicant. accomplished Dutch Patents. 21. Werkwijze volgens de Conclusie 20, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de mogelijke toepassing van de werkwijzen van de sémi- 15 conductor inrichtingen, welke zijn opgenomen in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: 20 a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module . 103918921. A method according to Claim 20, characterized in that, as this installation is further implemented such that the possible application of the methods of the semiconductor devices included in the existing semiconductor installations using semiconductor modules, which are already described in Patents, if therein the mention in the text and Conclusions of the following: a) an individual semiconductor wafer or substrate; and / or b) an individual or non-individual semiconductor processing module. 1039189
NL1039189A 2011-11-24 2011-11-24 SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF. NL1039189C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1039189A NL1039189C2 (en) 2011-11-24 2011-11-24 SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1039189A NL1039189C2 (en) 2011-11-24 2011-11-24 SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF.
NL1039189 2011-11-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1039189C2 true NL1039189C2 (en) 2013-05-27

Family

ID=45926862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1039189A NL1039189C2 (en) 2011-11-24 2011-11-24 SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL1039189C2 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991012629A1 (en) * 1990-02-16 1991-08-22 Edward Bok Improved installation for wafer transfer and processing
NL1037060C2 (en) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER.
NL1037063C2 (en) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR CHIP, WHICH IS MANUFACTURED IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANDFER / TUNING TUNNEL INSTALLATION FOR THE PURPOSE OF OPERATING THERE FOR THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DEPARTMENTAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATION DEPROCESSING SEPARATE DEPROCESSING SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSIONAL SEPARATE SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATE SEMICONDUCTOR CHIP.
NL1037069C2 (en) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNEL TREATMENT SET-UP, INCLUDING AT LEAST IN THE UPPER AND / OR UNDER TUNNEL BLOCK THE RECORDING OF A SIDE-IN-DIRECTION DIRECTION OF THE STRENGTHENING OF THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCESS OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCESS OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCLUSION OF THE EXTENT STRIPPED PRESSURE PLATE-PART THEREOF.
NL1037068C2 (en) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / treatment-TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH IN ITS OPERATION IN MULTIPLE STRIP SHAPE UP SPLIT-SECTIONS IT ABOVE THE SUCCESSIVE, UNINTERRUPTED BENEATH ALONG moving SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS UNINTERRUPTED PLACE OF HEAT TREATMENT UNDER VIBRATION CONDITION OF IT IN THE PRECEDING PORTION THEREOF applied LAYER OF THE COMBINATION OF LIQUID CARRYING MEDIUM AND PARTICLES OF A SEMICONDUCTOR SUBSTANCE.
NL1037192A (en) * 2009-08-11 2011-02-14 Edward Bok SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED.
NL1037191A (en) * 2009-08-11 2011-02-14 Edward Bok SEMICONDUCTOR TUNNEL INSTALLATION, INCLUDING MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSE OF PROCESSING A (SUB) NANOMETER HIGH LAYER OF PARTICLES OF A FIXED SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED, SEVERAL SACRED.
NL1037473A (en) * 2009-11-17 2011-05-18 Edward Bok SEMICONDUCTOR TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH THE PLACE OF SUCCESSIVE SEMICONDUCTOR TREATMENT OF SUCCESSIVE traveling therethrough SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS AND WHICH ALSO IN IT MORE STRIP-SHAPED MEDIUM FEED ESTABLISHMENTS IN AT LEAST THE TOP OF TUNNEL BLOCK WILL BE INCLUDED FOR A CONTINUOUS SUPPLY OF AT LEAST ALSO THE COMBINATION OF PARTICLES A CARRYING MEDIUM IN A GAS-SHAPED OR VAPORABLE LIQUID FORM.
NL1037629C2 (en) * 2010-01-15 2011-07-18 Edward Bok SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, CONTAINING A STRIPPED EXPOSURE PATTERN DEVICE FOR THE TEMPORARY LOCATION THEREOF OF AN EXPOSURE PROCESS OF THESE FOLLOWING SUBSTRATE PARTS.

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991012629A1 (en) * 1990-02-16 1991-08-22 Edward Bok Improved installation for wafer transfer and processing
NL1037060C2 (en) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER.
NL1037063C2 (en) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR CHIP, WHICH IS MANUFACTURED IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANDFER / TUNING TUNNEL INSTALLATION FOR THE PURPOSE OF OPERATING THERE FOR THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DEPARTMENTAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATION DEPROCESSING SEPARATE DEPROCESSING SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSIONAL SEPARATE SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATE SEMICONDUCTOR CHIP.
NL1037069C2 (en) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNEL TREATMENT SET-UP, INCLUDING AT LEAST IN THE UPPER AND / OR UNDER TUNNEL BLOCK THE RECORDING OF A SIDE-IN-DIRECTION DIRECTION OF THE STRENGTHENING OF THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCESS OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCESS OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCLUSION OF THE EXTENT STRIPPED PRESSURE PLATE-PART THEREOF.
NL1037068C2 (en) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / treatment-TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH IN ITS OPERATION IN MULTIPLE STRIP SHAPE UP SPLIT-SECTIONS IT ABOVE THE SUCCESSIVE, UNINTERRUPTED BENEATH ALONG moving SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS UNINTERRUPTED PLACE OF HEAT TREATMENT UNDER VIBRATION CONDITION OF IT IN THE PRECEDING PORTION THEREOF applied LAYER OF THE COMBINATION OF LIQUID CARRYING MEDIUM AND PARTICLES OF A SEMICONDUCTOR SUBSTANCE.
NL1037192A (en) * 2009-08-11 2011-02-14 Edward Bok SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED.
NL1037191A (en) * 2009-08-11 2011-02-14 Edward Bok SEMICONDUCTOR TUNNEL INSTALLATION, INCLUDING MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSE OF PROCESSING A (SUB) NANOMETER HIGH LAYER OF PARTICLES OF A FIXED SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED, SEVERAL SACRED.
NL1037473A (en) * 2009-11-17 2011-05-18 Edward Bok SEMICONDUCTOR TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH THE PLACE OF SUCCESSIVE SEMICONDUCTOR TREATMENT OF SUCCESSIVE traveling therethrough SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS AND WHICH ALSO IN IT MORE STRIP-SHAPED MEDIUM FEED ESTABLISHMENTS IN AT LEAST THE TOP OF TUNNEL BLOCK WILL BE INCLUDED FOR A CONTINUOUS SUPPLY OF AT LEAST ALSO THE COMBINATION OF PARTICLES A CARRYING MEDIUM IN A GAS-SHAPED OR VAPORABLE LIQUID FORM.
NL1037629C2 (en) * 2010-01-15 2011-07-18 Edward Bok SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, CONTAINING A STRIPPED EXPOSURE PATTERN DEVICE FOR THE TEMPORARY LOCATION THEREOF OF AN EXPOSURE PROCESS OF THESE FOLLOWING SUBSTRATE PARTS.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110741474B (en) Three-dimensional memory device having source contacts connected by adhesion layer and method of forming the same
CN104170061A (en) Vertical NAND device with partially silicided word lines and method for manufacturing same
CN1262456C (en) Method and device for producing thin wafers from a film of active ingredients
KR20120087955A (en) Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
US11081408B2 (en) Methods for wafer warpage control
JPS6121306A (en) Method of forming incomplete group of cigarette in cigarettepackaging machine
NL1039189C2 (en) SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF.
CN109791891B (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2007137459A (en) Method and apparatus for supplying pack
NL1039188C2 (en) A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES, INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE AND IN THE FOLLOWING DEVICES THE FOLLOW-UP INDIVIDUAL SEQUENCE SECTOR INSERTED IN THE FOLLOWING SECTION. POTATO CHIPS.
NL1037060C2 (en) SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER.
CN108538817B (en) Integrated structure, capacitor and method for forming capacitor
US3998136A (en) High speed partition assembling method and apparatus
NL1039112C2 (en) SEMICONDUCTOR CHIPS PROCESSED IN A SEMICONDUCTOR INSTALLATION, AND IN WHICH IT IS IN A TUNNEL SET-UP THEREOF THE PRODUCTION OF RECTANGULAR PLATES AND FINALLY IN A DEVICE THROUGH SHARING OBTAINED.
JP2009249113A (en) Compiling/carrying device of product
NL1039114C2 (en) SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING IN A SEMICONDUCTOR TUNNEL THE PROCESSING OF FOLLOWING RECTANGULAR PLATES, CONTAINING A NUMBER OF BASIC CHIPS FOR THE OBTAINING OF A CHIP DEVICE.
JP2004277013A5 (en)
NL1039113C2 (en) SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING A SEMICONDUCTOR TUNNEL, IN WHICH THE PROCESSING OF FOLLOWING RECTANGULAR PLATES, CONTAINING A NUMBER OF SEMICONDUCTOR BASIC CHIPS, WITH A TEMPORARY STORAGE IN A LOCATED CASE.
NL1039111C2 (en) EXCHANGEABLE SEMICONDUCTOR CASSETTE BEHIND A SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP FOR TEMPORARILY STORING THEREIN THE RECTANGULAR PLATES PROTECTED THEREIN, ALREADY CONTAINING BASIC CHIPS.
NL1037063C2 (en) SEMICONDUCTOR CHIP, WHICH IS MANUFACTURED IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANDFER / TUNING TUNNEL INSTALLATION FOR THE PURPOSE OF OPERATING THERE FOR THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DEPARTMENTAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATION DEPROCESSING SEPARATE DEPROCESSING SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSIONAL SEPARATE SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATE SEMICONDUCTOR CHIP.
NL1037191C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL INSTALLATION, INCLUDING MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSE OF PROCESSING A (SUB) NANOMETER HIGH LAYER OF PARTICLES OF A FIXED SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED, SEVERAL SACRED.
US546662A (en) Machine foe making sandwiches
NL1039461C2 (en) SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING THE RECORDING OF A TUNNEL SETUP, AND INCLUDING IN A SECTION THEREOF THE RECORDING OF AN EXTREMELY ULTRA VIOLET LITHOGRAPHY SYSTEM FOR THE USE OF AN EUV RADIATION OF A DISCUSSION OF A CONCLUSION UNINTERRUPTED SUBSTRATE.
US1888831A (en) Apparatus for distributing cigarettes from a container
NL1037473C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH THE PLACE OF SUCCESSIVE SEMICONDUCTOR TREATMENT OF SUCCESSIVE traveling therethrough SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS AND WHICH ALSO IN IT MORE STRIP-SHAPED MEDIUM FEED ESTABLISHMENTS IN AT LEAST THE TOP OF TUNNEL BLOCK WILL BE INCLUDED FOR A CONTINUOUS SUPPLY OF AT LEAST ALSO THE COMBINATION OF PARTICLES A CARRYING MEDIUM IN A GAS-SHAPED OR VAPORABLE LIQUID FORM.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20150601