NL1037060C2 - SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER. - Google Patents
SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1037060C2 NL1037060C2 NL1037060A NL1037060A NL1037060C2 NL 1037060 C2 NL1037060 C2 NL 1037060C2 NL 1037060 A NL1037060 A NL 1037060A NL 1037060 A NL1037060 A NL 1037060A NL 1037060 C2 NL1037060 C2 NL 1037060C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor
- successive
- tunnel
- semiconductor substrate
- layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
Semiconductor installatie, bevattende tenminste mede een lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-opstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor 5 behandelings-proces van de daarin verplaatsende substraat.Semiconductor installation, comprising at least partly a long narrow semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement for the purpose of continuous operation of a total semiconductor treatment process of the substrate moving therein during its operation.
In deze semiconductor installatie volgens de uitvinding vindt de jaarproductie van circa 0,4 miljard chips plaats.In this semiconductor installation according to the invention the annual production of approximately 0.4 billion chips takes place.
Zulk een semiconductor installatie is nog niet bekend.Such a semiconductor installation is not yet known.
10 Daarbij de reeds in de bijgaande Nederlandse Octrooiaanvrage No. 1 van de aanvrager omschreven voordelen van zulk een installatie ten opzichte van de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van tenminste mede individuele semiconductor modules en - wafers.10 In addition, the Netherlands Patent Application no. 1 of the applicant's described advantages of such an installation compared to the existing semiconductor installations using at least partly individual semiconductor modules and wafers.
15 De typisch minder dan 15 meter lange semiconductor installatie heeft slechts een breedte van minder dan 2 meter ten behoeve van daarin tijdens de werking ervan het verkrijgen van chips uit de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.The semiconductor installation typically less than 15 meters long has only a width of less than 2 meters for the purpose of obtaining chips from the subsequent semiconductor substrate sections during its operation.
Daarbij in zulk een installatie de opname van tenminste 20 mede een semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling. en waarin tijdens de werking ervan in opvolgende behandelings-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor 25 substraat-gedeeltes en zulks typisch onder toepassing van een ononderbroken folie of band als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.In addition, the inclusion of at least 20 a semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement in such an installation. and wherein during its operation in successive treatment sections the continuous occurrence of successive semiconductor treatments of the successive continuously moving semiconductor substrate sections and typically using a continuous film or tape as at least temporary semiconductor substrate.
In een volgende gunstige uitvoering van deze installatie daarin de opname van een inrichting ten behoeve van de opslag 30 van een zodanig lange folie, dat gedurende een lange tijd, tenminste circa 0,2 jaar, een tenminste nagenoeg ononderbroken verplaatsing ervan door zulk een tunnel-opstelling geschiedt.In a further favorable embodiment of this installation, the incorporation therein of a device for the purpose of storing a film so long that for a long time, at least approximately 0.2 years, an at least substantially uninterrupted movement thereof through such a tunnel. set up.
Verder bevat zulk een folie/band evenwijdige opstaande zijwanden en heeft deze een breedte, welke in'geringe mate 35 kleiner is dan die van de doorgang van zulk een tunnel.Furthermore, such a foil / tape contains upright side walls and has a width which is somewhat smaller than that of the passage of such a tunnel.
In een gunstige uitvoering is zulk een tunnel-opstelling ononderbroken en strekt zich uitsluitend lineair uit.In a favorable embodiment, such a tunnel arrangement is continuous and extends exclusively linearly.
Daarbij is de doorgang ervan ten behoeve van de verplaatsing erdoorheen van de opvolgende substraat-gedeeltes tijdens de 1037060 2 werking alleen ter plaatse van de in- en uitgangszijde ervan in open verbinding met de atmospherische buitenlucht onder toepassing van een gasvormig mediumslot aan tenminste de ingangszijde ervan.Thereby, its passage for the displacement therethrough of the successive substrate portions during the 1037060 2 operation is only open at the input and output side thereof with the atmospheric outside air using a gaseous medium slot on at least the input side thereof .
Verder in een gunstige uitvoering van deze installatie achter zulk een 5 tunnel-opstelling de opname van een inrichting ten behoeve van daarin tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken semiconductor behandelde semiconductor substraat-gedeeltes, de bewerkstelliging van semiconductor chips.Furthermore, in a favorable embodiment of this installation behind such a tunnel arrangement, the incorporation of a device for at least partly by dividing the subsequent semiconductor substrate parts treated therein, the realization of semiconductor chips.
Verder bevat deze installatie middelen ten behoeve van de besturing 10 van tenminste mede de opvolgende semiconductor behandelingen in zulk een tunnel-opstelling en het semiconductor substraat transfersysteem ten behoeve van een tenminste nagenoeg ononderbroken gelijkmatige verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen.Furthermore, this installation comprises means for the control of at least partly the subsequent semiconductor treatments in such a tunnel arrangement and the semiconductor substrate transfer system for an at least substantially uninterrupted uniform displacement of the subsequent semiconductor substrate sections therethrough.
Voor deze installatie personeel ten behoeve van het plaatsvinden van 15 tenminste mede het navolgende: a) het opstarten van de werking van zulk een semiconductor tunnel-opstelling en beëindiging ervan? en b) controle van de correcte continue werking van deze tunnel-opstelling en het onderhoud ervan.For this installation personnel for the purpose of taking place at least partly the following: a) starting up the operation of such a semiconductor tunnel arrangement and ending it? and b) checking the correct continuous operation of this tunnel setup and its maintenance.
20 Verder bevat deze installatie inrichtingen ten behoeve van het navolgende: a) starten en beëindigen van de toe- en afvoer van de semiconductor behandelingsmediums en de transfermediums; en b) onderhouden van een continue toe- en afvoer van deze mediums.Furthermore, this installation comprises devices for the following: a) starting and ending the supply and discharge of the semiconductor treatment media and the transfer media; and b) maintaining a continuous supply and removal of these mediums.
25 De installatie bevat typisch verder de opslag-opstellingen van de verschillende semiconductor behandelings- en transfermediums.The installation typically further comprises the storage arrangements of the various semiconductor treatment and transfer mediums.
In een gunstige alternatieve uitvoering ervan bevat deze middelen ten behoeve van in het uitgangsgedeelte ervan het verwijderen van de opvolgende metalen folie-gedeeltes vanaf de opvolgende semiconductor 30 substraat-gedeeltes als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.In a favorable alternative embodiment thereof, it comprises means for removing in its exit portion the subsequent metal foil portions from the subsequent semiconductor substrate portions as a temporary semiconductor substrate thereof.
Daarbij bevat deze installatie in een volgende gunstge uitvoering ervan aan de uitgangszijde van de tunnel-opstelling middelen ten behoeve van via een reinigings-inrichting verplaatsen van deze folie naar een opslagrol ervoor.In addition, in a subsequent favorable embodiment thereof, this installation comprises means on the exit side of the tunnel arrangement for displacing this foil via a cleaning device to a storage roll before it.
35 In een volgende gunstige uitvoering van deze installatie daarbij de opname van een rol-opstelling aan de ingangszijde van de tunnel-opstelling ten behoeve van het opnieuw invoeren van de gereinigde folie daarin.In a further favorable embodiment of this installation, the inclusion of a roll arrangement on the entrance side of the tunnel arrangement for the purpose of re-introducing the cleaned film therein.
Daarbij daartoe achter zulk een onder deze tunnel—Opstelling opgenomen 3 reinigings-inrichting voor deze metalen folie de npnamt» van een inrichting ten behoeve van het daarin op de bovenwand ervan opbouwen van een pm hoge laag vloeibaar geleidingsmedium voor een ganakkelijke verplaatsing ervan door deze tunnel-opstel1ing.To that end, behind such a cleaning device included for this metal foil included under this tunnel arrangement, a device is taken for the purpose of building a pm high layer of liquid conducting medium thereon on the upper wall thereof for easy movement thereof through this tunnel setup1.
5 Verder fungeert in een gunstige uitvoering van deze installatie zulk een folie als een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/ transfer band ten behoeve van het nabij de ingang van de daarin opgenanen tunnel-opstelling opbrengen erop van opvolgende typisch kunststoffen folie-gedeeltes, welke daartoe afkcmstig zijn van een folie-opslagrol.Furthermore, in a favorable embodiment of this installation, such a film functions as a continuous metal semiconductor substrate carrier / transfer band for the purpose of applying on it, near the entrance of the tunnel arrangement accommodated therein, successive typical plastic film sections which are suitable for that purpose. are of a foil storage roll.
10 Daarbij is in een gunstige uitvoering van deze band de bovenwand tenminste ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan verdiept ten behoeve van het daarin opnemen van deze opvolgende folie-gedeeltes en wordt daarbij typisch een mechanisch contact onderhouden tussen deze opvolgend band- en folie-gedeeltes.In a favorable embodiment of this belt, the top wall is deepened at least at the location of the central semiconductor treatment part thereof for the purpose of accommodating these successive film parts therein and a mechanical contact is typically maintained between these successive belt and film sections. foil sections.
15 Bij de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van opslag van semiconductor wafers in cassettes ai transfer ervan naar ai vanaf opvolgende semiconductor behandelings-modules ten behoeve van de vervaardiging van semiconductor chips tenminste mede de reeds deze bijgaande Nedelandse Octrooi-aanvrage No. 1 cmschreven nadelen ervan.With the existing semiconductor installations using storage of semiconductor wafers in cassettes ai transfer thereof to ai from subsequent semiconductor treatment modules for the manufacture of semiconductor chips, at least also the already this accompanying Dutch Patent Application no. 1 cm disadvantages.
20 Verder daarbij aanvullend het navolgende:20 In addition, the following:
Bij toepassing daarin van de ccmbinatie van een nagenoeg cilindrische wafer als semiconductor substraat en opvolgende semiconductor substraat behandelings-modules, waarin geen mogelijke lineaire verplaatsing ervan erdoorheen, noet daarbij ten behoeve van de bewerkstelliging van een 25 semiconductor substraat, waaruit door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips, aldus de noodzakelijke opbouw van een aantal opvolgende semiconductor lagen, welke uitsluitend in hoogterichting op elkaar liggen met tussengelegen typisch di-electrische semiconductor lagen, bevattende metalen semiconductor doorverbindingen voor deze 30 semiconductor lagen.When a combination of a substantially cylindrical wafer is used as a semiconductor substrate and subsequent semiconductor substrate treatment modules, in which no possible linear displacement thereof passes through, it is necessary for the purpose of effecting a semiconductor substrate from which, by dividing it, to obtain semiconductor chips, thus the necessary construction of a number of successive semiconductor layers, which are only superimposed in height direction with intermediate typical dielectric semiconductor layers, containing metal semiconductor interconnections for these semiconductor layers.
Daarbij geen enkele mogelijkheid van zulke semiconductor lagen cm opvolgend in een lineaire richting naast elkaar te liggen.In addition, there is no possibility of such semiconductor layers being placed next to each other in a linear direction.
Aldus de noodzaak van een uiterst dure en complexe semiconductor installatie, bevattende een zeer groot aantal semiconductor behandelings-35 modules.Thus the need for an extremely expensive and complex semiconductor installation, containing a very large number of semiconductor treatment modules.
Daarbij bij toepassing van een vijftal op elkaar gelegen semiconductor lagen, met voor elke typisch nagenoeg ronde laag een benodigde individuele belichtingspatroon-opbreng-inrichting en een groot aantal 4 individuele semiconductor benandelings-inrichtingen en bevattende eveneens een aanzienlijke ontvang ervan.With the use of five superimposed semiconductor layers, with for each typically substantially round layer a required individual exposure pattern application device and a large number of 4 individual semiconductor treatment devices and also containing a substantial reception thereof.
Zulks tevens voor de daarbij tussengelegen viertal semiconductor verbindingslagen met eveneens tenminste mede de noodzakelijke toepassing 5 van een groot aantal van zulke semiconductor inrichtingen.This is also the case for the intervening four semiconductor connection layers with at least also the necessary application of a large number of such semiconductor devices.
Aldus mede daardoor de noodzaak van een groot aantal benodigde semiconductor reini g ings-behandelingen ten behoeve van de bewerkstelliging van een totaal semiconductor behandelings-proces voor zulk een semiconductor substraat met typisch een daarbij benodigde de-10 electrische onderlaag ervan voor het daaruit verkrijqen vah zulke chips.Thus, partly because of this, the need for a large number of semiconductor cleaning treatments required for the realization of a total semiconductor treatment process for such a semiconductor substrate with typically a de-electric underlayment required therefrom for obtaining such a semiconductor substrate. potato chips.
Daarbij mede door de steeds verdere verkleining van de breedte van de metalen semiconductor verbindingen in zulk een semiconductor laag, nu reeds typisch minder dan 40 nanometer, een steeds verdere bemoeilijking van het totale semiconductor behandelings-proces en zulks tevens door 15 het uiterst nauwkeurig boven elkaar moeten liggen van deze opvolgende semiconductor lagen met de tussengelegen metalen doorverbindingen.In addition, partly due to the ever further reduction of the width of the metal semiconductor connections in such a semiconductor layer, now already typically less than 40 nanometers, an ever further complication of the total semiconductor treatment process and this also due to the extremely accurate superimposition of one another must lie of these subsequent semiconductor layers with the intermediate metal interconnections.
In deze nieuwe semiconductor installatie nu echter mede door deze nanometer grote lijnbreedtes de mogelijke ideale bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeelteS) bevattende slechts één 20 semiconductor laag en waaruit in een inrichting achter zulk een semiconductor tunnel-opstelling door deling «van het verkrijgen van semiconductor chips met slechts deze enkele semiconductor laag en toch daarbij een toelaatbare omvang ervan.In this new semiconductor installation, however, partly due to these nanometer wide line widths, the possible ideal realization of successive semiconductor substrate portion (S) containing only one semiconductor layer and from which in a device behind such a semiconductor tunnel arrangement by division «of obtaining semiconductor chips with only this single semiconductor layer and yet with a permissible size.
In deze semiconductor installatie volgens de uitvinding tevens de 25 mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor inrichtingen, welke door de aanvrager zijn omschreven in de gelijktijdig hiermede ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.In this semiconductor installation according to the invention also the possible application of several of the means and methods of the semiconductor devices, which have been described by the applicant in the Dutch Patent applications filed herewith.
Verder in deze semiconductor installatie de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor 30 wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven inFurthermore in this semiconductor installation the possible application of all already commonly used semiconductor treatments for 30 wafers in semiconductor modules, also those already described in
Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module.Patents, if therein the mention in the text and Conclusions of the following: a) an individual semiconductor wafer or substrate; and / or b) an individual or non-individual semiconductor processing module.
35 Verder zijn de in deze Octrooi-aanvrage ontschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar in de semiconductor installaties of delen ervan, welke zijn ontschreven in de gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.Furthermore, the means and methods described in this Patent Application are also applicable to the semiconductor installations or parts thereof, which are described in the Dutch Patent Applications submitted simultaneously by the applicant.
55
Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie volgens de uitvinding in een zijaanzicht ervan.Figure 1 schematically shows the semiconductor installation according to the invention in a side view thereof.
Figuur 2 toont een doorsnede over de lijn 2-2 van de in deze installatie opgenanen semiconductor tunnel-opstelling ter plaatse van het 5 ingangsgedeelte ervan.Figure 2 shows a cross-section along the line 2-2 of the semiconductor tunnel arrangement accommodated in this installation at the location of its entrance portion.
Figuur 3 toont een langsdoorsnede van het begingedeelte van deze semiconductor tunnel ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.Figure 3 shows a longitudinal section of the initial part of this semiconductor tunnel at the location of the central semiconductor treatment part thereof.
Figuur 3A toont daarbij sterk vergroot een tunneldoortocht-gedeelte ter 10 plaatse van de in de bovenwand van het boventunnelblok opgencmen stripvormige transduoer-opstelling.Figure 3A shows a greatly enlarged tunnel passage section at the location of the strip-shaped transducer arrangement included in the upper wall of the upper tunnel block.
OO
Figuur 3 toont daarbij sterk vergroot de tunneldoorgang achter deze transducer-opstelling.Figure 3 shows the tunnel passage behind this transducer arrangement greatly enlarged.
Figuur 4 toont sterk vergroot een langsdoorsnede-gedeelte van de 15 tunneldoorgang ter plaatse van een toe- en afvoergroef in het ondertunnelblok voor vloeibaar transfer/geleidingsmedium.Figure 4 shows a greatly enlarged longitudinal sectional portion of the tunnel passage at the location of a supply and discharge groove in the sub-tunnel block for liquid transfer / conducting medium.
Figuur 5 toont schematisch de semiconductor installatie in een alternatieve uitvoering ervan en waarbij daarin in een inrichting achter de tunnel-opstelling het met behulp van een rol-opstelling plaatsvinden 20 van scheiding van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes van de opvolgende folie-gedeeltes onder daarbij opslag van deze opvolgend folie-gedeeltes in een folie-opslagrol-opstelling.Figure 5 shows schematically the semiconductor installation in an alternative embodiment thereof and in which a separation of the successive semiconductor substrate sections from the successive foil sections takes place therein in a device behind the tunnel arrangement storage of these successive foil sections in a foil storage roll arrangement.
Figuur 6 toont een alternatieve uitvoering van de installatie volgens de Figuur 5 en waarbij daarin ter plaatse van de ingang van deze 25 semiconductor tunnel-opstelling de opname van een rol-opstelling ten behoeve van het mede daarmede bewerkstelligen van een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transferband en waarbij op deze band het opbrengen van opvolgende typisch kunststoffen folie-gedeeltes, welke afkomstig zijn van een in deze installatie opgencmen folie-opslagrol.Figure 6 shows an alternative embodiment of the installation according to Figure 5 and in which there, at the location of the entrance of this semiconductor tunnel arrangement, supports the incorporation of a roll arrangement for the purpose of thereby bringing about a continuous metal semiconductor substrate / transfer belt and wherein on this belt the application of subsequent typical plastic film sections, which originate from a film storage roller included in this installation.
30 Figuur 7 toont een dwarsdoorsnede van een band-uitvoering met een verdiept centraal gedeelte van de bovenwand ervan ten behoeve van het daarin opnemen van de opvolgende folie-gedeeltes.Figure 7 shows a cross-section of a tape version with a recessed central portion of its upper wall for the purpose of receiving the subsequent foil portions therein.
Figuur 8 toont een gedeelte van een alternatieve uitvoering van de semiconductor installatie met daarin het ononderbroken door de tunnel-35 opstelling ervan verplaatsen van een ononderbroken folie draag/ transf erband met daarop een tweetal opvolgend® aaneengesloten f oliën.Figure 8 shows a part of an alternative embodiment of the semiconductor installation with therein continuously moving through the tunnel arrangement an uninterrupted foil carrier / transfer belt with two consecutive ® contiguous foils thereon.
Figuur 9 toont een gedeeltelijk bovenaanzicht van de opvolgende, door de inrichting achter de uitgang van de tunnel-opstelling verplaatsende 6 semiconductor substraat-gedeeltes,Figure 9 shows a partial plan view of the successive 6 semiconductor substrate portions moving through the device behind the exit of the tunnel arrangement,
Figuur 10 toont sterk vergroot een bovenaanzicht van de na deling van deze opvolgende semiconductor subetraat-gedeeltes bewerkstelligde semiconductor chipty bevattende daarbij typisch slechts één semiconductor 5 bovenlaag.Figure 10 shows a highly enlarged top plan view of the semiconductor chipty achieved after division of these successive semiconductor subetrate sections, typically comprising only one semiconductor top layer.
De uitvinding zal hieronder nader woden uiteengezet aan de hand van een aantal in de Figuren weergegeven uitvoeringsvoorbeelden van de installatie-opbouw.The invention will be explained in more detail below with reference to a number of exemplary embodiments of the installation structure shown in the Figures.
Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie in een 10 zijaanzicht ervan.Figure 1 schematically shows the semiconductor installation in a side view thereof.
Zulk een semiconductor installatie bestaat daarbij typisch in hoofdzaak uit een zich in de lengterichting ervan uitstrekkende semiconductor subtraat transfer/behandelingstunnel-opstelling 12» bevattende een bcventunnelblok 14, een ondertunnelblok 16 en de ertussen opgenomen 15 centrale tunneldoortocht 18, Figuren 2 ei 3.Such a semiconductor installation typically consists essentially of a longitudinally extending semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement 12, comprising a tunnel tunnel block 14, a tunnel tunnel block 16 and the central tunnel passage 18 included therebetween, Figures 2 and 3.
In zulk een semiconductor installatie nabij de ingangszgde 20 van deze semiconductor tunnel-opetelling 12 de' opname van een opslagrol-opstelling 22 ten behoeve van tijdens de werking ervan de ononderbroken toevoer van een zeer lange folie met typische slechts een minder dan 0,1 ιπη dikte 20 ervan en bevattende een typisch tenminste nagenoeg evenwijdige opstaande zijwand-gedeeltes 26 en 28.In such a semiconductor installation near the entrance 20 of this semiconductor tunnel arrangement 12, the inclusion of a storage roll arrangement 22 for the continuous operation during its operation of a very long film with typically only less than 0.1. thickness 20 and containing a typical at least substantially parallel upright sidewall portions 26 and 28.
Tijens de werking van zulk een semiconductor installatie vindt daarbij een ononderbroken lineaire verplaatsing van deze folie 24 door deze tunneldoortocht 18 plaats.During the operation of such a semiconductor installation, continuous linear displacement of this foil 24 through this tunnel passage 18 takes place.
25 Daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorocht 18 het ononderbroken plaatsvinden van opbouw van tenminste één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende zich ononderbroken onderlangs dit boven-behandelingsgedeelte van deze 30 tuuneldoortocht verplaatsende semiconductor subetraat-gedeeltes^In the subsequent sections of the central upper semiconductor treatment section of the tunnel passageway 18 there is the uninterrupted occurrence of the construction of at least one semiconductor layer on the upper side of this film under the effect of successive uninterrupted along this upper treatment section of this 30 tuuneldarrangement moving semiconductor subetrate sections ^
Figuur 3 toont een langsdoorsnede van het begingedeelte nan deze semiconductor tunnel 12 ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.Figure 3 shows a longitudinal section of the initial part of this semiconductor tunnel 12 at the location of the central semiconductor treatment part thereof.
Ten behoeve van verankering van de eerste semiconductor laag op deze 35 folie 24 nabij de ingang 20 van deze tunneldoorgang 18 vindt achter de stripvormige slotsectie 30 en zulks via de stripvonnige toevoer sectie 32 in het bcventunnelblok 14 ter plaatse van het bovenspleet-gedeelte van de tunneldoorgang 18 het ononderbroken toevoeren van de combinatie van 7 laagkokend vloeibaar draagmedium 36 en deeltjes vloeibaar hechtmedium 38 plaats en waarbij met behulp van een in de onderwand van dit tunnelblok opgencmen stripvomige transducer-opstelling 40, welke tevens fungeert als warmtebron, het in het eronder gelegen gedeelte van deze boven-5 behandelingsspleetgedeelte ' plaatsvinden van verdamping van dit laagkokende vloeibare draagmedium 36, met daarbij neerslag van deze deeltjes vloeibaar hechtmedium 38 op de opvolgende eronderlangs verplaatsende folie-gedeeltes, onder de vorming van een gelijkmatige jum hoge film van deze vloeibare hechtsubstantie 38 en waarbij in een daarop 10 volgende stripvormige afvoersectie 42 in dit boventunnelblok het plaatsvinden van afvoer van dit verdampte medium.For the purpose of anchoring the first semiconductor layer on this foil 24 near the entrance 20 of this tunnel passage 18, behind the strip-shaped lock section 30 and this via the strip-shaped supply section 32 in the tunnel tunnel block 14 at the top of the tunnel split section of the tunnel passage 18 the uninterrupted supply of the combination of 7 low-boiling liquid carrier medium 36 and particles of liquid adhesive medium 38 takes place, and with the aid of a strip-shaped transducer arrangement 40, which also functions as a heat source, in the subjacent part thereof of this above treatment slit portion, evaporation of this low-boiling liquid carrier medium 36, with deposition of these particles of liquid adhesive medium 38 on the subsequent film portions moving therethrough, to form a uniform, high film of this liquid adhesive substance 38 and wherein in a subsequent one strip-shaped discharge section 42 in this upper tunnel block the discharge of this evaporated medium.
Daarbij toont Figuur 3 sterk vergroot een gedeelte van deze bovenspleet 34 onder deze transducer-opstelling 40, met daarin reeds het plaatsvinden van neerslag van deeltjes vloeibare hechtsubstantie 38 op de opvolgende, o 15 eronderlangs folie-gedeeltes 24 en Figuur 3 een gedeelte van deze bovenspleet 34. achter deze afvoersectie 42 en waarbij ter plaatse zulk een opgebouwde pm hoge laag van dit hechtmedium 38 op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende folie-gedeeltes 24.Figure 3 shows, greatly enlarged, a part of this upper gap 34 under this transducer arrangement 40, with the deposition of particles of liquid adhesive substance 38 already taking place thereon on the subsequent film sections 24 below it and Figure 3 shows a part of this upper gap 34. behind this discharge section 42 and with such a built-up pm high layer of this adhesive medium 38 on these successive foil sections 24 moving underneath.
Daarbij, zoals is aangegeven in de Figuren 3 en sterk vergroot 20 Figuur 4, teminste mede plaatselijk in tenminste de bovenwand van het ondertunnelblok 16 de opname van, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 44, opvolgende, in de lengterichting van deze tunnel uitstrekkende groeven 46 met aan de ingangszijde ervan aansluiting erop 25 van een stripvormige toevoersectie 48 voor typisch hoogkokend vloeibaar transfer/geleidingsmedium 50, met aan de uitgangszijde ervan de aansluiting erop van een stripvormige afvoersectie 54 ten behoeve van het continue onderhouden van opvolgende stromen ervan langs de onderwand van deze opvolgende folie-gedeeltes onder het daarbij gelijktijdig onderhouden 30 van een jum hoge film ervan in tenminste mede de tussengelegen onderpleet-sectie .58 en ondersteunen van de verplaatsing van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes door de tunneldoorgang 18.Thereby, as indicated in Figs. 3 and greatly enlarged, Fig. 4, at least partly locally in at least the upper wall of the sub-tunnel block 16, the incorporation of, viewed in the direction of movement of these successive continuous semiconductor substrate portions 44 passing along it, into, grooves 46 extending in the longitudinal direction of this tunnel with connection thereto at its inlet 25 of a strip-shaped supply section 48 for typical high-boiling liquid transfer / conducting medium 50, with at its output side the connection thereto of a strip-shaped discharge section 54 for the continuous maintenance of subsequent flows thereof along the bottom wall of these successive film portions while simultaneously maintaining a high film thereof in at least the intermediate lower gap section .58 and supporting the movement of these successive semiconductor substrate portions through the tunnel passage 18 .
Daarbij, zoals verder is aangegeven in de Figuur 4, in de opvolgende secties van het centrale boven-semiconductorbehandelingsgedee1te 60 van 35 deze tunneldoortocht het ononderbroken dpbouwen van de opvolgende semiconductor lagen op de bovenzijde van deze folie 24 onder de bewerkstelliging van deze opvolgende, zich ononderbroken onderlangs dit centrale boven-semiconductor behandelingsspleetgedeelte 34 verplaatsende 8 semiconductor substraat-gedeeltes 44.In addition, as indicated further in Figure 4, in the subsequent sections of the central upper semiconductor treatment section 60 of this tunnel passage, the continuous construction of the subsequent semiconductor layers was on the upper side of this foil 24 under the effect of this successive, continuous 8 semiconductor substrate portions 44 moving along this central upper semiconductor processing slit portion 34.
In de Figuur 5 is een schematisch zijaanzicht van de alternatieve semiconductor installatie 10' aangegeven, waarbij daarin tijdens de werking ervan in de inrichting 62 het ononderbroken plaatsvinden van 5 scheiding van de opvolgende gedeeltes van de metalen folie 24' van de daarop in de semiconductor tunnel-opstelling 12' opgebrachte opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44’.Figure 5 shows a schematic side view of the alternative semiconductor installation 10 ', in which, during its operation in the device 62, uninterrupted separation of the successive parts of the metal foil 24' from the one in the semiconductor tunnel thereon takes place. arrangement 12 'applied successive semiconductor substrate portions 44'.
Deze opvolgende folie-gedeeltes zijn daarbij afkomstig uit de folie-opslagrol 22'.These successive film portions are thereby taken from the film storage roll 22 '.
10 Ten behoeve van de bewerkstelliging van zulk een scheiding daarbij het voorafgaand in het begingedeelte van de tunnel-opstelling 12' op deze opvolgende folie-gedeeltes aangebracht zijn van een pm hoge film zeer hoogkokend vloeibaar medium, typisch gallium, op tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.For the purpose of effecting such a separation, prior to the initial portion of the tunnel arrangement 12 'having been applied to these successive film portions of a µm high-film very high-boiling liquid medium, typically gallium, on at least the central semiconductor treatment portion thereof.
15 Daarbij via mede de rol-opstelling 64 het verplaatsen van deze opvolgende folie-gedeeltes naar de reinigings-inrichting 66 ten behoeve van het daarin ononderbroken plaatsvinden van reiniging van in het bijzonder het boven-oppervlak ervan.Thereby moving these successive film portions to the cleaning device 66 for the purpose of continuous cleaning of, in particular, the upper surface thereof, via the roller arrangement 64.
Vervolgens vindt daarbij in de rol-opstelling 68 opslag van deze 20 opvolgende folie-gedeeltes plaats.Subsequently, in the roll arrangement 68, these 20 successive foil sections are stored.
Daarbij fungeert deze rol-opstelling 68 tevens ten behoeve van het daarbij uitoefenen van een trekkracht op deze opvolgende folie-gedeeltes.This roller arrangement 68 also functions for the purpose of exerting a tensile force on these successive film sections.
In de aangepaste inrichting 70 vindt daarbij na reiniging van de opvolgende, daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor substraat-25 gedeeltes 44' deling ervan in semiconductor chips 72 plaats.In the adapted device 70, after cleaning of the subsequent semiconductor substrate portions continuously supplied therein, division thereof into semiconductor chips 72 takes place.
De in tenminste de Figuren 1, 2 en 5 aangegeven folie 24 bestaat typisch uit kunststof of een metaal en waarbij aldus de semiconductor onderlaag van de in de tunnel-opstelling 12 van deze semiconductor installatie 10 bewerkstelligde opvolgende semiconductoe substraat-30 gedeeltes 44 en daarmede eveneens zulk een semiconductor chip 72 tenminste mede uit zulk een kunststof of metaal bestaat.The foil 24 shown at least in Figs. 1, 2 and 5 typically consists of plastic or a metal and the semiconductor substrate of the successive semiconductor substrate portions 30 effected in the tunnel arrangement 12 of this semiconductor installation 10 and thus also such a semiconductor chip 72 at least partly comprises such a plastic or metal.
Figuur 6 toont de semiconductor installatie 10", waarbij in de ingang van de tunnel-opstelling 12" de rol-opstelling 78 ten behoeve van het wedercm invoeren van de in de inrichting 66" gereinigde opvolgende 35 gedeeltes van de folie 24"in deze semiconductor tunnel-opstelling 12", met het typisch fungeren ervan als een ononderbroken semiconductor draag/trans ferband.Figure 6 shows the semiconductor installation 10 ", wherein at the entrance to the tunnel arrangement 12" the roll arrangement 78 for re-introducing the successive portions of the film 24 "cleaned in the device 66" into this semiconductor tunnel arrangement 12 ", with it typically functioning as a continuous semiconductor carrier / transfer band.
In de inrichting 80 vindt daartoe na deze reinigings-inrichting 66" 9 daarbij het mede plaatsvinden van het ophouwen van een jjm hoge film tijdelijke vloeibare hechtsubstantie 82 op de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende, mede daartoe in geringe mate dikkere metalen band 76.To this end, in device 80, after this cleaning device 66 "9, co-occurrence of the raising of a high-speed film of temporary liquid adhesive substance 82 to the subsequent, continuously moving therethrough, partly for that purpose slightly thicker metal strip 76.
Daarbij in een gunstige werking van deze installatie 10" vindt een 5 ononderbroken toevoer van opvolgende folie-gedeeltes74 vanaf de folie-opslagrol 22" plaats ten behoeve van het in het in het ingangs-gedeelte 20" van deze tunnel-opstel ling 12" opbrengen ervan op deze band 76 met daarbij deze tussengelegen um hoge laag tijdelijke hechtsubstantie 82.Thereby, in a favorable operation of this installation 10 ", a continuous supply of successive film sections74 from the film storage roller 22" takes place for the purpose of placing in the entrance section 20 "of this tunnel arrangement 12". thereof on this belt 76 with this intermediate um high layer temporary adhesive substance 82.
Verder met behulp van deze hechtsubstantie het in voldoende mate 10 zodanig tijdelijk verankeren op de opvolgende bandgédeeltes 76 van de in deze tunnel-opstelling 12” bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44", dat in de inrichting 62" achter deze tunnel-opstelling het mogelijk plaatsvinden van scheiding van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes van de opvolgende bandgedeeltes 15 Figuur 7 toont een gunstige uitvoering van deze semiconductor substraat draag/transferband 76, waarbij de bovenwand tenminste ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 60" in geringe mate verdiept is ten behoeve van het daarin opbouwen van zulke opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44'11, met typisch de 20 opvolgende folie-gedeeltes 74 als een definitieve semiconductor onderlaag ervan.Furthermore, with the aid of this adhesive substance, anchoring to a sufficient extent sufficiently on the successive tape sections 76 of the successive semiconductor substrate portions 44 "arranged in this tunnel arrangement 12" that in the device 62 "behind this tunnel arrangement it is possible separation of these successive semiconductor substrate parts from the successive band parts Figure 7 shows a favorable embodiment of this semiconductor substrate carrier / transfer band 76, wherein the upper wall is slightly deepened at least at the location of the central semiconductor treatment part 60 " for the purpose of building therein such successive semiconductor substrate portions 44'11, with typically the successive foil portions 74 as a final semiconductor substrate thereof.
Daarbij zijn de op het verdiepte centrale gedeelte 84 van deze band 76 opgebrachte opvolgende folie-gedeeltes 74 als definitieve semiconductor onderlaag van zulke opvolgende semiconductor substraat-25 gedeeltes in voldoende mate daarop verankerd door een mechanisch contact van deze daartoe optimaal vlakke opvolgende folie-gedeeltes met de eveneens optimaal vlakke verdiepte bovenwand-gedeeltes van deze band.The successive foil portions 74 applied to the deepened central portion 84 of this belt 76 are then anchored sufficiently as a definitive semiconductor substrate of such successive semiconductor substrate portions by mechanical contact of these successively flat successive foil portions with the also optimally flat sunken upper wall sections of this belt.
Zulks mede door daarbij de toepassing van zulk een semiconductor substraat draag/transferband 7 6 , dat deze met tenminste één opstaande 30 zijwand 86 correspondeert met een vlakke opstaande zijwand 88 van deThis is partly due to the use of such a semiconductor substrate carrier / transfer belt 7 6, that it corresponds to at least one upright side wall 86 with a flat upright side wall 88 of the
I I II I I
tunneldoorgang 18tunnel passage 18
Verder, dat daarbij mede daartoe de opstaande zijwand 90 van dit . verdiepte gedeelte 84 van deze band 7 6 , welke correspondeert met deze opstaande zijwand 86 ervan, eveneens in voldoende mate in zowel de lengte-35 als hoogterichting vlak is en zulks tevens voor de daarmede corresponderende opstaande zijwand 26 van de opvolgende folie-gedeeltes 74.Furthermore, this also includes the upright side wall 90 of this. recessed portion 84 of this band 7, which corresponds to this upright side wall 86 thereof, is also sufficiently flat in both the length 35 and height direction, and this is also the case for the corresponding upright side wall 26 of the subsequent foil sections 74.
Verder, dat daarbij tijdens de wamte-behandeling van een bovenlaag-gedeelte van de opvolgende substraat-gedeeltes 44''', zoals is 10 anschreven in de toekomstige Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager, het mede beletten van een ontoelaatbare vervorming in dwarsrichting ervan.Furthermore, during the heat treatment of an upper layer portion of the subsequent substrate portions 44 '' ', as described in the future Dutch Patent Applications of the applicant, thereby also preventing an inadmissible transverse deformation thereof .
Daarbij daartoe in opvolgende semiconductor warmte-behandelingssecties 5 in de onderwand van het boventunnelblok 14 de opname van een ven grote electrische verwarmingsdraad, met het daarbij gedurende een zeer korte tijd opwarmen van slechts een (sub) urn hoge opgebrachte semiconductor substantie, zoals een di-electrische substantie en typisch in de lengterichting opzij ervan een afkoel-inrichting.To this end, in subsequent semiconductor heat treatment sections 5 in the lower wall of the upper tunnel block 14, the inclusion of a large electric heating wire, with heating of only a (sub) µm high applied semiconductor substance, such as a diode, for a very short time. electrical substance and typically a cooling device in the longitudinal direction aside thereof.
10 Verder mede daartoe het in een gunstige werkwijze in deze tunnel-opstelling 12 opbouwen van slechts één semiconductor bovenlaag op typisch een kunststoffen folie2 4, waardoor tenminste mede het navolgende: a) een geringe toelaatbare vervorming ervan tijdens zulk een oven- 15 behandelingsprooes; en b) een geringe toelaatbare uitrekking ervan in de lengterichting van de tunneldoorgang 18 tijdens de lineaire verplaatsing ervan erdoorheen, omdat daarbij in een stripvormige tunnelsectie slechts één enkel belichtingsproces benodigd is.Furthermore, partly for this purpose, in a favorable method in this tunnel arrangement 12, building up of only one semiconductor top layer on typically a plastic film 4, whereby at least partly the following: a) a low permissible deformation thereof during such an oven treatment process; and b) a slight permissible elongation thereof in the longitudinal direction of the tunnel passage 18 during its linear displacement therethrough, since only a single exposure process is required in a strip-shaped tunnel section.
20 Daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling met een ononderbroken verplaatsing van zulk een combinatie van ononderbroken band 76 en typisch ononderbroken opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44 net mede daarbij onderhouden van een nagenoeg evenwijdige positie van zulk een opstaande zijwand van deze folie 24 met de 25 daarmede corresponderende opstaande zijwand 8 8 van de tunneldoorgang 18 met behulp van opvolgende stromen gasvormig medium langs de bovenwand ervan en het daarhïj onderhouden van het navolgende: a) geleiding van deze band 76 langs zulk een opstaande zijwand van de tunneldoorgang 18; en 30 b) aanliggen van een opstaande zijwand92 van de opvolgende folie-gedeeltes 74 tegen de opstaande zijwand90 van dit verdiepte bovenwand-gedeelte 84 van deze band 76.In addition, during the operation of this tunnel arrangement with an uninterrupted displacement of such a combination of uninterrupted belt 76 and typically uninterrupted successive semiconductor substrate portions 44, while also maintaining a substantially parallel position of such an upright side wall of this foil 24 with the corresponding upstanding side wall 8 of the tunnel passage 18 with the aid of successive flows of gaseous medium along its upper wall and maintaining therein the following: a) guiding of this belt 76 along such an upstanding side wall of the tunnel passage 18; and b) abutting an upright side wall 92 of the subsequent foil sections 74 against the upright side wall 90 of this recessed upper wall section 84 of this band 76.
Figuur 8 toont voor de semiconductor installatie 10 middelen ten behoeve van het bewerkstelligen van tijdaas de werking ervan daarin in 35 het ingangsgedeelte 20 van de daarin opgencmen semiconductor tunnel- opstelling 12 het aansluiten op de achterzijde 94 van de reeds erdoorheen verplaatste folie 24 van de voorzijde96- van een volgende folie 24.Figure 8 shows, for the semiconductor installation 10, means for effecting time and time operation thereof therein in the entrance portion 20 of the semiconductor tunnel arrangement 12 accommodated therein, connecting to the rear side 94 of the foil 24 of the front side already moved therethrough96 - of a following film 24.
Daartoe bevatten deze foliën 24 aan de voorzijde ervan de vlakke 11 ópstaande zijwand 96 en aan de achterzijde de vlakke opstaande zijwand 94 en welke tenminste nagenoeg evenwijdig zijn.To this end, these foils 24 comprise, at the front thereof, the flat upright side wall 96 and at the rear side the flat upright side wall 94 and which are substantially parallel.
In een gunstige uitvoering van zulk een in de opslagrol 68 opgeslagen folie 24 is daarbij de lengte ervan groter dan die van deze tunnel-5 opstelling 12, typisch meer dan 20 meter en zelfs mogelijk 5000 meter ten behoeve van gedurende circa 2 maanden het onderhouden van een continue ononderbroken verplaatsing ervan erdoorheen en met een daarin gelijktijdig ononderbroken plaatsvinden van de opvolgende semiconductor behandelingen.In a favorable embodiment of such a foil 24 stored in the storage roller 68, the length thereof is thereby greater than that of this tunnel arrangement 12, typically more than 20 meters and even possibly 5000 meters for the purpose of maintaining for approximately 2 months. a continuous uninterrupted movement thereof through and with the subsequent continuous semiconductor treatments taking place simultaneously therein.
Zulks bij een verplaatsingssnelheid van deze folie van 2 nm/seoande.This at a displacement speed of this film of 2 nm / seoande.
10 Aldus tenminste een circa 3 uren tijdsduur, voordat een volgende folie moet worden ingebracht.Thus at least a duration of approximately 3 hours, before a next film must be introduced.
Daarbij bevat tunnel-ingangsgedeelte 20 in een gunstige uitvoering aan de bovenzijde ervan een open centraal gedeelte 100 ten behoeve van inspectie van zulk een bewerkstelligde critische aansluiting van deze 15 opvolgende foliën waarbij ter plaatse van de beide dwarsuiteinden ge van de tunneldoorgang 18 het plaatsvinden van geleiding van de ingebrachte volgende folie.In an advantageous embodiment, tunnel entrance portion 20 herein comprises an open central portion 100 at the top thereof for the purpose of inspecting such a critical connection of these successive films, whereby conductivity takes place at the two transverse ends of the tunnel passage 18 of the inserted next film.
Daarbij typisch tenminste mede met behulp van opvolgende stromen gasvomig medium langs deze nieuwe folie in de richting van de voorgaande 20 folie met het onderhouden van een in geringe mate hogere snelheid van het voorgedeelte van deze folie dan die van de voorgaande folie totdat zulk een aansluiting heeft plaats gevonden.Typically at least partly with the aid of successive flows of gaseous medium along this new film in the direction of the previous film while maintaining a slightly higher speed of the front part of this film than that of the previous film until such a connection has been made. place found.
Zulk een folie—toevoersysteem is gedetailleerd aangegeven en cmschreven inde binnenkort nog in te dienen corresponderende Octrooi- 25 aanvrage door de aanvrager.Such a foil feeding system is detailed and described in the corresponding Patent Application to be filed by the applicant in the near future.
De reinigings-inrichting 66 bevat daarbij verier zodanige middelen, dat daarin tevens het plaatsvinden van verwijdering van een eventueel op de op de daarbij toegepaste band 76 terechtgekomen substantie. Figuur 6.The cleaning device 66 furthermore comprises means such that it also involves the removal of any substance that has fallen on the belt 76 used therein. Figure 6.
Zulk een geringe tunnel lengte is ook mogelijk bij toepassing van 30 opvolgende semiconductor substraatgedeeltea 44 met typisch slechts één semiconductor bovenlaag en waaruit in de inrichting 62 door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips 72 met slechts zulk een enkele semiconductor opbouw ervan, Figuren 1 en 2.Such a short tunnel length is also possible with the application of successive semiconductor substrate portion 44 with typically only one semiconductor top layer and from which, by dividing it into device 62, the establishment of semiconductor chips 72 with only such a single semiconductor structure thereof, Figures 1 and 2 .
Zulk een mogelijke enkele semiconductorlaag in plaats van een aantal 35 boven elkaar gelegen semiconductor lagen, zoals tot op heden algemeen gebruikelijk is in de bestaande semiconductor industrie onder toepassing van nagenoeg cilindrische semiconductor wafers en tenminste mede individuele semiconductor behandelings-modules met verticale metalen 12 doorverbindingen ertussen.Such a possible single semiconductor layer instead of a number of superimposed semiconductor layers, as is generally accepted to date in the existing semiconductor industry using substantially cylindrical semiconductor wafers and at least partly individual semiconductor treatment modules with vertical metals 12 interconnections between them .
In een alternatieve mogelijke uitvoering van zulk een folie 24 is de lengte ervan minder dan die van deze semiconductor tunnel-ops teil ing 12, waardoor een daarbij noodzakelijke veelvuldige inbreng ing van zulk een 5 volgende folie, typisch daarbij binnen 2 uur.In an alternative possible embodiment of such a film 24, its length is less than that of this semiconductor tunnel storage 12, whereby a necessary frequent introduction of such a subsequent film is typically required within 2 hours.
Verder kan zulk een inbrengen van het begin van de volgende folie zover handmatig worden ondersteund totdat aansluiting ervan op deze voorgaande folie heeft plaats gevonden en waarbij vervolgens tijdens de verdere verplaatsing van deze combinatie van foliën door deze stromen 10 gasvormig median zulk een aansluiting blijft gehandhaafd.Furthermore, such introduction of the beginning of the next film can be supported manually until it has been connected to this previous film and, subsequently, such a connection is maintained during the further movement of this combination of films through these flows of gaseous streams.
Door zulk een in het ingangsgedeelte van de tunnel-opstelling aansluiten van de volgende folie op de voorgaande folie vindt daarbij aldus mogelijk tenminste mede een ononderbroken toe- en afvoer van semiconductor behandel ingsmedium naar en vanaf de opvolgende stripvomige 15 boven semiconductor behandelingsspleetsecties van deze semiconductor tunnel-opstelling plaats.By connecting the following foil to the preceding foil in the entrance part of the tunnel arrangement, there is thus at least possibly an uninterrupted supply and discharge of semiconductor treatment medium to and from the subsequent strip-shaped above semiconductor treatment gap sections of this semiconductor tunnel location.
Aldus een geheel nieuwe semiconductor transfer/behandelings-technologie onder de bewerkstelliging van semiconductor chips met daarbij de toepassing van elke mogelijke substantie voor zulk era semiconductor 20 folie of een combinatie van substanties ervoor, zoals mede is aangegeven en cmschreven in de vele, toekomstig in te dienen Octooi-aanvragen door de aanvrager, betreffende mede zulke semiconductor chips.Thus a completely new semiconductor transfer / treatment technology under the realization of semiconductor chips with the application of any possible substance for such era semiconductor film or a combination of substances for it, as indicated and written in the many to be included in the future. serve Octooi applications by the applicant, including such semiconductor chips.
Zulks mede door de in de· volgendeOctrooi-aanvragen aangegeven en cmschreven aanvullende middelen en werkwijzen ten behoeve van tenminste 25 mede een hoog effectieve en bijzondere cpbouw van tenminste één semiconductor laag op zulk een folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van de in deze semiconductor installatie bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan het verkrijgen van zulke semiconductor chips.This is partly due to the additional means and methods indicated and described in the following Patent Applications for at least 25 a highly effective and special construction of at least one semiconductor layer on such a film as at least a temporary semiconductor bottom layer of the semiconductor substrate realized in this semiconductor installation. successive semiconductor substrate portions, from which by dividing it, obtaining such semiconductor chips.
30 In de Figuur 9 is verder nog een gedeeltelijk bovenaanzicht aangegeven van de opvolgende, zich ononderbroken door de inrichting 62 achter de tunnel-uitgang 52, Figuur 1, verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44.Figure 9 furthermore shows a partial top view of the successive semiconductor substrate portions 44 moving continuously through the device 62 behind the tunnel output 52, Figure 1.
Daarbij bestaat zulk een semiconductor substraat-gedeelte 44 uit een 35 aantal opvolgende, in dwarsrichting naast elkaar gelegen semiconductor substraatsecties, waaruit door deling ervan in deze inrichting de bewerkstelliging van semiconductor chips 72, typisch bevattende slechts één enkele semiconductor bovenlaag op een typisch kunststoffen folie 24 13 als definitieve semiconductor onderlaag ervan.In addition, such a semiconductor substrate portion 44 consists of a number of consecutive transverse semiconductor substrate sections, from which, by dividing it into this device, the realization of semiconductor chips 72, typically containing only a single semiconductor top layer on a typical plastic film 24 13 as its final semiconductor substrate.
Figuur 10 toont sterk vergroot een bovenaanzicht van de bewerkstelligde semiconductor chip 72, bevattende op deze typisch kunststoffen onderlaag de semiconductor bovenlaag 104 in samengehechte toestand als vervanger 5 voor de bestaande semiconductor chips met een aantal boven elkaai gelegen semiconductor lagen met tussengelegen metalen semiconductor doorverbindingen.Figure 10 shows greatly enlarged a top view of the semiconductor chip 72 effected, comprising on this typical plastic bottom layer the semiconductor top layer 104 in the bonded state as a replacement 5 for the existing semiconductor chips with a number of semiconductor layers located above each other with intermediate metal semiconductor interconnections.
Daarbij is typisch de afmeting van zulk een semiconductor chip 72 in dwarsrichting circa gelijk aan die in de lengterichting ervan.In this case, the dimension of such a semiconductor chip 72 is approximately equal in the transverse direction to that in its longitudinal direction.
10 Verder voor zulk een semiconductor chip elk mogelijk aantal electrische aansluitingen. 106 en elke mogelijke positie ervan.Furthermore, for such a semiconductor chip, any possible number of electrical connections. 106 and every possible position thereof.
Verder voor de semiconductor grondlaag van zulk een chip elke moge lijke combinatie van boven elkaar gelegen pm hoge lagen, zoals onder andere een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische 15 bovenlaag.Furthermore, for the semiconductor base layer of such a chip, any possible combination of superimposed pm high layers, such as, inter alia, a dielectric lower layer, a metal intermediate layer and a dielectric upper layer.
Verder de mogelijke toepassing van een aantal boven elkaar gelegen semiconductor lagen met metalen doorverbindingen ertussen.Furthermore, the possible application of a number of superimposed semiconductor layers with metal interconnections between them.
Verder bevat deze semiconductor installatie zodanige middelen, dat daarbij met behulp van een in het boventunnelblok van de daarin opgencmen 20 semiconductor tunnel-ops telling stripvormige belichtingspatroon- cpbrenginrichting het plaatsvinden van het op de opvolgende eronder langs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opbrengen van een stripvozmig belichtingspatroon.Furthermore, this semiconductor installation comprises means such that, with the aid of a semiconductor tunnel-storing strip-forming exposure patterning device incorporated therein, the application of a strip-like exposure pattern moving along the subsequent semiconductor substrate sections along it .
Daarbij daartoe in de beide dwarsuiteinden van zulk een semiconductor 25 band of - folie het aangebracht zijn van opvolgende uitsparingen 100,Thereby, in the two transverse ends of such a semiconductor tape or foil, the provision of successive recesses 100,
Figuur 8, ten behoeve van het met behulp van deze band of folie mede-verplaatsen van deze belichtingspatroon-opbrenginrichting met de opgebrachte opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens het belichtingsproces.Figure 8 for the purpose of co-displacing this exposure pattern applying device with the applied successive semiconductor substrate portions during the exposure process with the aid of this tape or foil.
30 In zulk een semiconductor installatie 10,met de daarin opgencmen semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling 12, tenminste mede de toepassing van een folie-opslagrol 22 nabij de ingang ervan ten behoeve van tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken verplaatsing van de opvolgende folie-gedeeltes erdoorheen 35 en vindt daarbij in de achter de uitgang 52 van deze tunnel- opstelling opgencmen inrichting 62 tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips 72 met tenminste 14 mede een semiconductor laag-opbouw.In such a semiconductor installation 10, with the semiconductor substrate transfer / processing tunnel arrangement 12 included therein, at least also the use of a foil storage roller 22 near its entrance for the purpose of continuous movement of the successive foil sections therethrough, and thereby finds in the device 62 accommodated behind the exit 52 of this tunnel arrangement, at least partly by dividing the subsequent semiconductor substrate sections continuously supplied therein, the realization of semiconductor chips 72 with at least 14 partly a semiconductor low build.
Daarbij door het in deze tunnel-opstelling bewerkstelligd zijn van slechts één enkele semiconductor laag, welke tevens fungeert als semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 5 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, tenminste mede de navolgende semiconductor laag-opbouwen van zulke, daaruit verkregen semiconductor chips: a) de combinatie van een kunststoffen onderlaag en een di-electrische bovenlaag; of 10 b) de combinatie van een kunststoffen onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag; of c) de combinatie van een metalen onderlaag en een di-electrische bovenlaag; of d) uitsluitend een di-electrische bovenlaag; of 15 e) de combinatie van een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag.In addition, due to the fact that in this tunnel arrangement only a single semiconductor layer is effected, which also functions as a semiconductor top layer of the successive, continuously moving semiconductor substrate sections through it, at least also the following semiconductor layer structures of such semiconductor obtained therefrom chips: a) the combination of a plastic bottom layer and a dielectric top layer; or b) the combination of a plastic bottom layer, a metal intermediate layer and a dielectric top layer; or c) the combination of a metal bottom layer and a dielectric top layer; or d) only a dielectric top layer; or e) the combination of a dielectric lower layer, a metal intermediate layer and a dielectric upper layer.
Indien echter in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire tussenlagen, bevattende een aantal metalen doorverbindingen 20 tussen deze primaire semiconductor lagen, daarbij eveneens het mogelijk plaatsvinden van de onder a), b), C), d) ene) vermelde semiconductor laag-opbouwen van zulke, daaruit verkregen semiconductor chips.However, if in such a tunnel arrangement the realization of a number of superimposed primary semiconductor layers with secondary intermediate layers, comprising a number of metal interconnections between these primary semiconductor layers, thereby also the possible occurrence of the sub a), b), C ), d) a specified semiconductor layer build-up of such semiconductor chips obtained therefrom.
Indien in zulk een semiconductor tunnel-opstelling uitsluitend de toepassing van een ononderbroken metalen semiconductor substraatdraag/ 25 band 76 met de rol-opstellingen 64 en 78 nabij de uit- en ingang ervan, Figuur 6, en met daarin de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met slechte een enkele semiconductor laag, welke daarbij tevens fungeert als semiconductor bovenlaag ervan, daarbij echter slechts de semiconductor laag-opbouwen van de uit zulk een 30 inrichting verkregen semiconductor chips,welke zijn vermeld onder d) en e).If in such a semiconductor tunnel arrangement only the use of a continuous metal semiconductor substrate support / belt 76 with the roll arrangements 64 and 78 near the exit and entrance thereof, Figure 6, and including the realization of successive semiconductor substrate portions with only a single semiconductor layer, which thereby also functions as its semiconductor top layer, but only building up the semiconductor layer of the semiconductor chips obtained from such a device, which are mentioned under d) and e).
Als daarbij in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van, opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire semiconductor tussenlagen, waarin de opname van een aantal metalen 35 doorverbindingen tussen deze primaire lagen, daarbij eveneens voor de uit deze inrichting verkregen semiconductor chips slechts deze onder d) en e) vermelde semiconductor laag-opbouwen.In addition, in such a tunnel arrangement, the realization of successive semiconductor substrate sections, comprising a number of superimposed primary semiconductor layers with secondary semiconductor intermediate layers, in which the incorporation of a number of metal interconnections between these primary layers, also for the semiconductor chips obtained from this device only build up those semiconductor layers mentioned under d) and e).
Indien echter de toepassing van de combinatie van zulk een 15 ononderbroken semiconductor substraat draag/transferband en de daarop ononderbroken vanaf een opslagrol-opstelling erop opgebrachte opvolgende semiconductor folie-gedeeltes, daarbij wederom tenminste mede de onder a), b), c), d) en e) vermelde mogelijke semiconductor laag-opbouwen. van de 5 daaruit verkregen semiconductor chips.However, if the use of the combination of such a continuous semiconductor substrate carrier / transfer belt and the successive semiconductor foil portions applied thereto continuously from a storage roll arrangement, again including at least the points a), b), c), d ) and e) mentioned possible semiconductor layer construction. of the 5 semiconductor chips obtained therefrom.
Zulk een semiconductor kunststoffen folie of - laag bevat een voldoend hoge smelttemperatuur en di-electrische waarde ervan ten behoeve van het fungeren ervan als tenminste semiconductor onderlaag van de opvolgende, in deze semiconductor tunnel-opstelling bewerkstelligde semiconductor 10 substraat-gedeeltes en vervolgens in een daarachter opgencmen inrichting tenminste mede door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een semiconductor onderlaag ervan.Such a semiconductor plastic film or layer contains a sufficiently high melting temperature and dielectric value thereof for the purpose of functioning as at least a semiconductor bottom layer of the subsequent semiconductor 10 substrate parts arranged in this semiconductor tunnel arrangement and subsequently in a subsequent recording device at least in part by dividing it by obtaining semiconductor chips with such a semiconductor bottom layer thereof.
Verder is tevens een tenminste mede papieren folie in een daartoe geschikte uitvoering en samenstelling ervan toepasbaar voor tenminste 15 zulk een semiconductor onderlaag van de opvolgende, in deze tunnel-opstelling bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes en in de daarachter opgencmen inrichting door deling ervan opvolgende semiconductor chips.Furthermore, an at least co-paper film in a suitable embodiment and composition thereof can also be used for at least one such semiconductor substrate of the subsequent semiconductor substrate portions effected in this tunnel arrangement and in the device incorporated thereafter by dividing subsequent semiconductor chips .
Verder is elke afmeting van zulk een typisch rechthoekige 20 semiconductor chips met zulk een tenminste mede papieren onderlaag-gedeelte in zcwel de lengte- en dwarsrichting ervan mogelijk.Furthermore, any dimension of such a typically rectangular semiconductor chips with such an at least co-paper backing layer portion in both the longitudinal and transverse directions thereof is possible.
In een gunstige uitvoering van zulk een kunststoffen - of papieren folie vindt daarbij in een inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze semiconductor installatie, op tenminste het centrale 25 semiconductor behandelings-gedeelte ervan het opbrengen van een pm hoge laag di-electrische substantie plaats ten behoeve van het in de tunnel-opstelling ervan bewerkstelligen van met metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de bovenwand van de daarin bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en 30 vervolgens door tenminste mede deling ervan in de erachter opgencmen inrichting het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een semiconductor onder- en bovenlaag ervan.In a favorable embodiment of such a plastic or paper foil, in a device which may or may not be included in this semiconductor installation, the application of a pm high layer of dielectric substance on at least the central semiconductor treatment part thereof for the purpose of effecting, in the tunnel arrangement thereof, metal-filled nanometer-sized recesses in the upper wall of the successive semiconductor substrate portions effected therein and subsequently obtaining semiconductor chips with, at least, their division in the subsequent device such a semiconductor top and bottom layer.
Verder wordt in deze tunnel-opstelling met behulp van de opvolgende folie/band-gedeeltes in ccmbinatie met opvolgende stromen slotmedium in 35 de beide dwarsuiteinden van de tunneldoorgang een mediumslot onderhouden ten behoeve van het vooral terechtkomen van semiconductor behandelings-medium vanuit de primaire bovenspleet terecht kcmt in de secundaire onderspleet en medium vanuit deze onderspleet in deze bovenspleet.Furthermore, in this tunnel arrangement, a medium slot is maintained in the two transverse ends of the tunnel passage with the aid of the subsequent foil / tape sections in combination with successive streams of lock medium for the purpose of mainly ending up semiconductor treatment medium from the primary top slit. kcmt in the secondary under-gap and medium from this under-gap in this top gap.
10370601037060
Claims (139)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1037060A NL1037060C2 (en) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER. |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1037060 | 2009-06-23 | ||
| NL1037060A NL1037060C2 (en) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1037060C2 true NL1037060C2 (en) | 2010-12-27 |
Family
ID=42096419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1037060A NL1037060C2 (en) | 2009-06-23 | 2009-06-23 | SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL1037060C2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1039112C2 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-22 | Edward Bok | SEMICONDUCTOR CHIPS PROCESSED IN A SEMICONDUCTOR INSTALLATION, AND IN WHICH IT IS IN A TUNNEL SET-UP THEREOF THE PRODUCTION OF RECTANGULAR PLATES AND FINALLY IN A DEVICE THROUGH SHARING OBTAINED. |
| NL1039113C2 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-22 | Edward Bok | SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING A SEMICONDUCTOR TUNNEL, IN WHICH THE PROCESSING OF FOLLOWING RECTANGULAR PLATES, CONTAINING A NUMBER OF SEMICONDUCTOR BASIC CHIPS, WITH A TEMPORARY STORAGE IN A LOCATED CASE. |
| NL1039114C2 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-22 | Edward Bok | SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING IN A SEMICONDUCTOR TUNNEL THE PROCESSING OF FOLLOWING RECTANGULAR PLATES, CONTAINING A NUMBER OF BASIC CHIPS FOR THE OBTAINING OF A CHIP DEVICE. |
| NL1039188C2 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-27 | Edward Bok | A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES, INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE AND IN THE FOLLOWING DEVICES THE FOLLOW-UP INDIVIDUAL SEQUENCE SECTOR INSERTED IN THE FOLLOWING SECTION. POTATO CHIPS. |
| NL1039189C2 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-27 | Edward Bok | SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4587002A (en) * | 1982-08-24 | 1986-05-06 | Edward Bok | Apparatus for floating transport and processing of substrate or tape |
| US4594129A (en) * | 1983-06-16 | 1986-06-10 | Edward Bok | Installation for floating transport and processing of substrates |
-
2009
- 2009-06-23 NL NL1037060A patent/NL1037060C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4587002A (en) * | 1982-08-24 | 1986-05-06 | Edward Bok | Apparatus for floating transport and processing of substrate or tape |
| US4594129A (en) * | 1983-06-16 | 1986-06-10 | Edward Bok | Installation for floating transport and processing of substrates |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1039112C2 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-22 | Edward Bok | SEMICONDUCTOR CHIPS PROCESSED IN A SEMICONDUCTOR INSTALLATION, AND IN WHICH IT IS IN A TUNNEL SET-UP THEREOF THE PRODUCTION OF RECTANGULAR PLATES AND FINALLY IN A DEVICE THROUGH SHARING OBTAINED. |
| NL1039113C2 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-22 | Edward Bok | SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING A SEMICONDUCTOR TUNNEL, IN WHICH THE PROCESSING OF FOLLOWING RECTANGULAR PLATES, CONTAINING A NUMBER OF SEMICONDUCTOR BASIC CHIPS, WITH A TEMPORARY STORAGE IN A LOCATED CASE. |
| NL1039114C2 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-22 | Edward Bok | SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING IN A SEMICONDUCTOR TUNNEL THE PROCESSING OF FOLLOWING RECTANGULAR PLATES, CONTAINING A NUMBER OF BASIC CHIPS FOR THE OBTAINING OF A CHIP DEVICE. |
| NL1039188C2 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-27 | Edward Bok | A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES, INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE AND IN THE FOLLOWING DEVICES THE FOLLOW-UP INDIVIDUAL SEQUENCE SECTOR INSERTED IN THE FOLLOWING SECTION. POTATO CHIPS. |
| NL1039189C2 (en) * | 2011-11-24 | 2013-05-27 | Edward Bok | SEMICONDUCTOR CHIP, MANUFACTURED IN A NUMBER OF FOLLOWING INDIVIDUAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INCLUDING IN THE FIRST DEVICE THE INCLUSION OF A FOIL STORAGE ROLE, INCLUDING A VERY LONG FOIL, IN THE FOLLOWING DEFECTIVE SECTOR IN THE FOLLOWING SECTOR THEREFORE. DEVICE BY FOLLOWING SHARES THEREOF FROM OBTAINING THEREOF. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL1037060C2 (en) | SEMICONDUCTOR INSTALLATION, INCLUDING AT LEAST A LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNING TUNNEL SETUP FOR THE FUNCTIONING OF THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCONTINUATION OF DISCLAIMER. | |
| Coe‐Sullivan et al. | Large‐area ordered quantum‐dot monolayers via phase separation during spin‐casting | |
| TW200949008A (en) | Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition | |
| TW201016474A (en) | Method and system for non-contact materials deposition | |
| TWI289883B (en) | Method and apparatus for manufacturing gallium nitride based single crystal substrate | |
| CN1307009C (en) | Semiconductor wafer cleaning systems and methods | |
| NL8103979A (en) | METHOD AND APPARATUS FOR APPLYING A FILM LIQUID MEDIUM TO A SUBSTRATE | |
| US6767439B2 (en) | High throughput thin film deposition and substrate handling method and apparatus for optical disk processing | |
| WO2010024678A1 (en) | Chip die clamping device and transfer method | |
| CN1114784A (en) | Collimator and manufacturing method therefor | |
| NL8202526A (en) | SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROVIDED WITH A FILM FROM A SEMICONDUCTIVE MATERIAL; METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | |
| NL1037063C2 (en) | SEMICONDUCTOR CHIP, WHICH IS MANUFACTURED IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANDFER / TUNING TUNNEL INSTALLATION FOR THE PURPOSE OF OPERATING THERE FOR THE UNINTERRUPTED PLACE OF A TOTAL SEMICONDUCTOR DEPARTMENTAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTIONAL DEPROCESSIONAL DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATION DEPROCESSING SEPARATE DEPROCESSING SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSIONAL SEPARATE SEPARATE SEPARATE DISPRODUCTION DEPROCESSED SEPARATE SEMICONDUCTOR CHIP. | |
| JP2015512769A (en) | Method for forming a structure by arranging a particle film on a substrate using a liquid transport device | |
| JP2022506168A (en) | Transfer tools and methods for transferring semiconductor chips | |
| Hanesch et al. | Mesoscopic self-organization induced by intrinsic surface stress on Pt (110) | |
| US7741722B2 (en) | Through-wafer vias | |
| NL1037191C2 (en) | SEMICONDUCTOR TUNNEL INSTALLATION, INCLUDING MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSE OF PROCESSING A (SUB) NANOMETER HIGH LAYER OF PARTICLES OF A FIXED SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED, SEVERAL SACRED. | |
| US9827799B2 (en) | Transfer printing substrate | |
| US20100139510A1 (en) | Printing form with thermally insulating layer | |
| NL1037473C2 (en) | SEMICONDUCTOR TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH THE PLACE OF SUCCESSIVE SEMICONDUCTOR TREATMENT OF SUCCESSIVE traveling therethrough SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS AND WHICH ALSO IN IT MORE STRIP-SHAPED MEDIUM FEED ESTABLISHMENTS IN AT LEAST THE TOP OF TUNNEL BLOCK WILL BE INCLUDED FOR A CONTINUOUS SUPPLY OF AT LEAST ALSO THE COMBINATION OF PARTICLES A CARRYING MEDIUM IN A GAS-SHAPED OR VAPORABLE LIQUID FORM. | |
| NL1037061C2 (en) | SEMICONDUCTOR FACILITY, CONTAINING AT LEAST ONE VERY LONG NARROW SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TREATMENT INSTALLATION. | |
| WO2011145930A1 (en) | Through silicon via treatment device and method for treatment of tsvs in a chip manufacturing process | |
| TWI253433B (en) | Substrate transportation device, substrate transportation method, and substrate transportation apparatus | |
| WO2012152672A2 (en) | Method for producing reconstituted wafers with support of the chips during their encapsulation | |
| NL1037068C2 (en) | SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / treatment-TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH IN ITS OPERATION IN MULTIPLE STRIP SHAPE UP SPLIT-SECTIONS IT ABOVE THE SUCCESSIVE, UNINTERRUPTED BENEATH ALONG moving SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS UNINTERRUPTED PLACE OF HEAT TREATMENT UNDER VIBRATION CONDITION OF IT IN THE PRECEDING PORTION THEREOF applied LAYER OF THE COMBINATION OF LIQUID CARRYING MEDIUM AND PARTICLES OF A SEMICONDUCTOR SUBSTANCE. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| SD | Assignments of patents |
Effective date: 20120919 |
|
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20140101 |