NL1037193C2 - SEMICONDUCTOR TUNNEL SET UP, CONTAINING IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A MEDIUM SUPPLY DEVICE. - Google Patents

SEMICONDUCTOR TUNNEL SET UP, CONTAINING IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A MEDIUM SUPPLY DEVICE. Download PDF

Info

Publication number
NL1037193C2
NL1037193C2 NL1037193A NL1037193A NL1037193C2 NL 1037193 C2 NL1037193 C2 NL 1037193C2 NL 1037193 A NL1037193 A NL 1037193A NL 1037193 A NL1037193 A NL 1037193A NL 1037193 C2 NL1037193 C2 NL 1037193C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
typically
semiconductor
tunnel
strip
medium
Prior art date
Application number
NL1037193A
Other languages
Dutch (nl)
Other versions
NL1037193A (en
Inventor
Edward Bok
Original Assignee
Edward Bok
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Edward Bok filed Critical Edward Bok
Priority to NL1037193A priority Critical patent/NL1037193C2/en
Publication of NL1037193A publication Critical patent/NL1037193A/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1037193C2 publication Critical patent/NL1037193C2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende in het boventunnelblok ervan een njedium-toeyoerinrichting.Semiconductor tunnel arrangement, comprising a medium feed device in its upper tunnel block.

De semiconductor substraat transfer/behandelings-5 tunnelopstelling volgens de uitvinding bevat een stripvormige medium-toevoer inrichting, welke tenminste gedeeltelijk is opgenomen in het boventunnelblok ervan ten behoeve van het daarin ononderbroken toevoeren van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en 10 waarbij daarin de opname van een tweetal opvolgende meng-inrichtingen ten behoeve van in de eerste meng-inrichting ervan het mengen van een zeer hoog percentage van een vloeibaar draagmedium met tenminste mede zulk een substantie en in de tweede, daarop-volgende, typisch eronder-gelegen 15 meng-inrichtingjhet mengen van deze combinatie met wederom een hoog percentage vloeibaar draagmedium plaats vindt.The semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement according to the invention comprises a strip-shaped medium supply device, which is at least partially accommodated in its upper tunnel block for the purpose of continuously supplying therein the combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance and 10 wherein the incorporation therein of two successive mixing devices for the purpose of mixing in its first mixing device a very high percentage of a liquid carrier medium with at least such a substance and in the second, subsequent, typically below Located in a mixing device, the mixing of this combination with again a high percentage of liquid carrier medium takes place.

In een aantal van de op 23 Juni j.1. gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen zijn voor zulk een semiconductor tunnel-opstelling reeds stripvormige 20 toevoer-inrichtingen aangegeven ten behoeve van de toevoer erdoorheen van de combinatie van typisch laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare of vaste vorm ervan.In some of the on June 23 j.1. Dutch Patent applications simultaneously submitted by the applicant have already been indicated for such a semiconductor tunnel arrangement strip-shaped feeders for the feed therethrough of the combination of typical low-boiling liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in a liquid or fixed form.

Bij een breedte van de tunnel-door gang van circa 200 mm en 25 een verplaatsings-snelheid van de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes van typisch slechts 2 mm per seconde en zulks in combinatie met veelal slechts een circa 1 micrometer hoge op te bouwen laag van een semiconductor substantie in een vaste - of vloeibare 30 vorm ervan is aldus het ononderbroken toegevoerde volume ervan beperkt tot daarbij slechts circa 0,4 mm^ per seconde.With a width of the tunnel passage of approximately 200 mm and a displacement speed of the subsequent semiconductor substrate portions moving through it, typically only 2 mm per second and this in combination with often only an approximately 1 micron high at The layer to be built of a semiconductor substance in a solid or liquid form thereof is thus its continuously supplied volume is limited to only about 0.4 mm 2 per second.

Hierdoor is vooral bij toepassing van deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan een zeer hoog percentage van dit vloeibare draagmedium gewenst, met 35 typisch een meng-verhouding van circa 10 000 : 1 en waarbij dan een ononderbroken toevoer erdoorheen van circa 4 cm3 per seconde van zulk een combinatie plaats vindt.As a result, especially when using particles of a semiconductor substance in a solid form thereof, a very high percentage of this liquid carrier medium is desired, with a mixing ratio of approximately 10,000: 1 and with a continuous supply therethrough of approximately 4 cm 3 being desired. such a combination takes place per second.

Zoals in deze reeds ingediende Octrooi-aanvragen reeds in 1037193 2 zulk een toevoer-inrichting de opname van een typisch cilindrische meng-inrichting is aangegeven, welke zich in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling uitstrekt en waarin een mini roterende nokkenas is opgenomen, wordt dan 5 toch daarmede een gelijkmatige verdeling van deze deeltjes semiconductor substantie in dit vloeibare draagmedium veelal moeilijk te bewerkstelligen.As in these patent applications already filed, in 1037193 2 such a supply device is indicated the incorporation of a typical cylindrical mixer, which extends transversely of this tunnel arrangement and in which a mini rotating camshaft is received. 5 nevertheless with that uniform distribution of these particles of semiconductor substance in this liquid carrier medium is often difficult to achieve.

Met de toevoer-inrichting volgens de uitvinding wordt nu beoogd om dit mogelijke bezwaar op te heffen en waarbij daartoe . 10 daarin een tweetal in hoogte-richting opvolgende cilindrische meng-inrichtingen zijn opgenomen.The aim of the supply device according to the invention is now to eliminate this possible drawback and to that end. 10 two cylindrical mixing devices succeeding in height are included therein.

Vooral bij de toevoer van typisch kleiner dan 20 nanometer grote deeltjes van een vaste semiconductor substantie, zoals onder andere metaal-deeltjes ten behoeve van het daarmede 15 vullen van de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde, typisch minder dan 40 nanometer brede semiconductor uitsparingen (crevices) is het gewenst om deze in zulk een voorgaande gescheiden toevoer-inrichting met behulp van een laag percentage vloeibaar medium te mengen en' deze combinatie 20 vervolgens toe te voeren naar zulk een hoofd-toevoer-inrichting.Particularly with the supply of typically smaller than 20 nanometer large particles of a solid semiconductor substance, such as, among other things, metal particles for the purpose of filling the semiconductor recesses realized in a preceding tunnel section, typically less than 40 nanometer wide ( crevices), it is desirable to mix it in such a previous separate feeder with the help of a low percentage of liquid medium and then feed this combination to such a main feeder.

Als alternatief, in deze toevoer-inrichting de toevoer van verdund vloeibaar semiconductor behandelings-medium, zoals onder andere een reinigings-, ets-, strip- of spoel-medium,en 25 waarbij onder zulk een tril./verdampings-inrichting door verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium de vorming van de combinatie van dampvormig medium en deeltjes van dit behandelings-medium onder inwerking ervan op de boven-topography van de opvolgende eronderlangs verplaatsende 30 semiconductor substraat-gedeeltes onder tril-conditie van zulk een tril/verdampings-inrichting.Alternatively, in this feed device the feed of diluted liquid semiconductor treatment medium, such as, among other things, a cleaning, etching, stripping or rinsing medium, and wherein under such a vibrating / evaporating device by evaporation of the low-boiling liquid carrier medium the formation of the combination of vaporous medium and particles of this treatment medium under its effect on the top-topography of the subsequent semiconductor substrate portions moving therebetween under the vibration condition of such a vibration / evaporation design.

Aldus een optimaal semiconductor behandelings-proces met behulp van de combinatie van deeltjes vloeibaar behandelings-medium en een hoog percentage van het verdampbare vloeibare 35 draagmedium.Thus an optimum semiconductor treatment process with the aid of the combination of particles of liquid treatment medium and a high percentage of the vaporizable liquid carrier medium.

Daarbij onder andere een reinigings- en een daarop-volgend schoonspoel-proces van in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde nanometer wijde uitsparingen (crevices).Among other things, a cleaning and a subsequent cleaning-rinsing process of nanometer-wide recesses realized in a preceding tunnel section (crevices).

33

Zoals daarbij achter deze toevoer-inrichting zulk een stripvormige tril/verdampings-inrichting is opgenomen, vindt daarin mede door deze nog uiterst geringe, typisch minder dan 5 cm3 per seconde toevoer van deze combinatie van een 5 semiconductor substantie en zulk een laag-kokend vloeibaar draagmedium een uiterst snelle verdamping ervan in de eronder gelegen bovenspleet-sectie plaats, met daardoor slechts een benodigde breedte van zulk een inrichting in de lengte-richting van deze tunnel van typisch minder dan 50 mm, 10 en waarbij een ononderbroken afvoer van deze gevormde damp in een daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting in het boventunnelblok.As such a strip-shaped vibrator / evaporator is included behind this feed device, partly due to this still very small, typically less than 5 cm 3 per second supply of this combination of a semiconductor substance and such a low-boiling liquid. carrier medium, an extremely rapid evaporation thereof takes place in the upper slit section below, with thereby only a required width of such a device in the longitudinal direction of this tunnel of typically less than 50 mm, and wherein a continuous discharge of this formed vapor in a subsequent strip-shaped discharge device in the upper tunnel block.

Als een uiterst gunstige tril/verwarmings-inrichting daarbij typisch de toepassing van een stripvormige transducer-15 opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok onmiddellijk achter deze medium-toevoerinrichting.As an extremely favorable vibration / heating device, typically the use of a strip-shaped transducer arrangement, which is incorporated in the upper tunnel block immediately behind this medium supply device.

In een volgende gunstige werkwijze het in deze toevoer-inrichting toepassen van een hoog-kokend vloeibaar draagmedium voor tenminste één van dit tweede of derde 20 vloeibare draagmedium en zulks typisch eveneens voor het eerste draagmedium.In a further favorable method the use in this feed device of a high-boiling liquid carrier medium for at least one of this second or third liquid carrier medium and this is typically also the case for the first carrier medium.

Daarbij typisch in dit boventunnelblok de opname van een tweede stripvormige tril/verdampings-inrichting achter deze eerste verdampings-inrichting en waarin dan het plaatsvinden 25 van verdamping van dit hoger-kokende vloeibare draagmedium.In addition, typically in this upper tunnel block the incorporation of a second strip-shaped vibrator / evaporator behind this first evaporator and in which the evaporation of this higher-boiling liquid carrier medium then takes place.

In een gunstige uitvoering van deze tunnel-opstelling is daar bij de breedte van deze uit sparingen/crevices beperkt tot 20 nanometer, typisch zelfs zirca 16 nanometer.In a favorable embodiment of this tunnel arrangement, the width of this from recesses / crevices is limited to 20 nanometers, typically even about 16 nanometers.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en 30 bevattende zodanige middelen, dat daar bij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie en - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke door de aanvrager zijn aangegeven en omschreven in de door hèm op 35 23 Juni en lJuni j.1. ingediende Nederlandse Octrooi aanvragen .Furthermore, this tunnel arrangement is designed and contains such means that therein there is also the possible application of several of the means and methods of the semiconductor facility, installation and tunnel arrangements and devices, which are requested by the applicant. indicated and described in the by him on 35 June 23 and June 23. apply for a Dutch Patent.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daar bij daarin moge lijk de 4 de toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het 5 navolgende: aj een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .Furthermore, this tunnel arrangement is designed and contains such means that it may include the application of all semiconductor treatments that are already generally used for wafers in semiconductor modules, including those already described in Patents, if the mention therein the text and claims of the following: aj an individual semiconductor wafer or substrate; or b) an individual or non-individual semiconductor processing module.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en 10 bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooiaanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze boven-vermelde semiconductor tunnel-opstellingen.Furthermore, this tunnel arrangement is designed in such a way and including means that the means and methods described in this Patent Application can also be used in these semiconductor tunnel arrangements mentioned above.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan 15 de hand van de in de Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van de constructies volgens de uitvinding.The invention will be explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments of the constructions according to the invention shown in the Figures.

Figuur 1 toont in het boventunnelblok van de semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling de opname van een stripvormige medium-toevoerinrichting, waarin het 20 plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare en/of vaste vorm ervan en waarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van een eerste typisch cilindrische meng-inrichting ten behoeve van het 25 daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulk een semiconductor substantie met een typisch hoger percentage vloeibaar draagmedium en waarbij deze meng-inrichting aan de onderzijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-toevoerkanalen is aangesloten op een tweede, eveneens 30 typisch cilindrische meng-inrichting, met daarin eveneens de toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde vloeibare draagmedium ten behoeve van het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie van dit draagmedium en zulke deeltjes van een semiconductor substantie 35 naar het eronder-gelegen stripvormige toevoer-gedeelte van de bovenspleet boven de ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.Figure 1 shows in the upper tunnel block of the semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement the incorporation of a strip-shaped medium supply device, in which there is a continuous supply of the combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in a liquid and / or solid form thereof and wherein the upper portion thereof accommodates a first typical cylindrical mixing device for mixing a low percentage of at least partly such a semiconductor substance with a typically higher percentage of liquid carrier medium and wherein said mixing device on its underside is connected via a number of adjacent medium supply channels to a second, also typically cylindrical mixing device, which also contains therein the supply of a considerably higher percentage of typically the same liquid carrier medium for the purpose of drain downwards of this combination of this carrier medium and such particles from a semiconductor substance 35 to the underlying strip-shaped feed portion of the upper slit above the continuously moving semiconductor substrate portions therethrough.

Figuur 2 toont in deze tunnel-opstelling achter deze 5 medium-toevoerinrichting een in het boventunnelblok opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, waarbij in het compartiment ervan de opname van een transducer ten behoeve van typisch het daarmede verdampen van het laag-5 kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij via het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte met een toenemende hoogte ervan afvoer van het gevormde 10 dampvormige medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok.Figure 2 shows in this tunnel arrangement behind this medium supply device an interchangeable strip-shaped transducer arrangement included in the upper tunnel block, wherein in its compartment the accommodation of a transducer for the purpose of evaporating the low-boiling liquid carrier medium therewith depositing the particulate semiconductor substance on the successive, continuously moving semiconductor substrate sections beneath it, and wherein, via the upper slit section with an increasing height thereof, discharge of the formed vaporous medium to the subsequent strip-shaped discharge device, which is also included in this upper tunnel block.

Daarbij dus typisch uitsluitend de toepassing van laag-kokend vloeibaar draagmedium.Thereby, therefore, typically only the use of low-boiling liquid carrier medium.

15 Figuur 3 toont in deze tunnel-opstelling achter deze medium-toevoer inrichting , waarin het plaatsvinden van de toevoer van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie,na deze eerste uitwisselbare stripvormige 20 transducer-opstelling een tweede uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, waarbij in het compartiment ervan de opname van wederom typisch zulk een stripvormige transducer als tril/verdampings-inrichting ten behoeve van het verdampen van het resterende, nog niet verdampte hoog-kokende vloeibare 25 draagmedium onder eveneens neerslag van de deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij via het erboven-gelegen bovenspleet-gedeelte, met eveneens een toenemende hoogte ervan, afvoer van het gevormde dampvormige 30 medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting in dit boventunnelblok.Figure 3 shows in this tunnel arrangement behind this medium-supply device, in which the supply of the combination of low-boiling liquid carrier medium and high-boiling liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance takes place after this first interchangeable strip-shaped 20 transducer arrangement a second interchangeable strip-shaped transducer arrangement, wherein in its compartment the accommodation of again typically such a strip-shaped transducer as a vibrator / evaporator for the purpose of evaporating the remaining, not yet evaporated, high-boiling liquid carrier medium under also precipitation of the particles of a semiconductor substance on the subsequent semiconductor substrate portions moving alongside it, and via the upper slit portion above it, also with an increasing height thereof, discharging the formed vaporous medium to the subsequent strip-shaped discharge device in this upper tunnel block.

Figuur 4 toont een gedeelte van een alternatieve uitvoering van deze tunnel-opstelling en waarin zulk een eerste stripvormige meng-inrichting via een aantal toevoer-leidingen 35 is gekoppeld met deze tweede stripvormige meng-inrichting, welke deel uitmaakt van het gedeelte van de medium-toevoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in het boventunnelblok.Figure 4 shows a part of an alternative embodiment of this tunnel arrangement and in which such a first strip-shaped mixing device is coupled via a number of supply lines 35 to this second strip-shaped mixing device, which forms part of the part of the medium feeding device, which is also included in the upper tunnel block.

Figuur 4A toont nog sterk vergroot het ondergedeelte van 6 zulk een medium-toevoerinrichting en waarbij onmiddellijk ter plaatse ervan reeds een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte.Figure 4A shows still greatly enlarged the lower part of 6 such a medium supply device and with an increasing height of the upper slit part immediately at its location.

5 Figuur 1 toont in het boventunnelblok 12 van de semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel-opstelling 10 de opname van de stripvormige medium-toevoer-inrichting 14, waarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 16 en 10 deeltjes 18 van een semiconductor substantie in vloeibare en/of vaste vorm ervan en waarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van typisch de eerste cilindrische meng-inrichting 20 ten behoeve van het daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulke deeltjes 18 met een 15 hoog percentage vloeibaar draagmedium 22, welke daarbij typisch gelijk kan zijn aan dit draagmedium 16, en waarbij deze meng-inr ichting 20 aan de onderzijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-afvoerkanalen 24 is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-20 inrichting' 26, met daarin eveneens de continue toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde vloeibare draagmedium 22 ten behoeve van het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie van draagmediums 16 en22 en zulke deeltjes 18 van deze semiconductor substantie via een 25 groot aantal naast elkaar gelegen kanalen 28 naar het eronder . gelegen stripvormige toevoer-gedeelte 30 van de bovenspleet 32 van deze tunnel-opstelling 10 boven de eveneens tijdens de werking ervan ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34.Figure 1 shows in the upper tunnel block 12 of the semiconductor substrate transfer / treatment tunnel arrangement 10 the accommodation of the strip-shaped medium supply device 14, in which there is a continuous supply of the combination of liquid carrier medium 16 and 10 particles 18 of a semiconductor substance in liquid and / or solid form thereof and wherein the upper portion thereof typically accommodates the first cylindrical mixing device 20 for the purpose of mixing a low percentage of at least such particles 18 with a 15 high percentage of liquid carrier medium 22, which can thereby typically be equal to this carrier medium 16, and wherein this mixing device 20 is connected at its bottom via typically a number of adjacent medium discharge channels 24 to a second, likewise typically cylindrical, mixer -20 device '26, which also includes the continuous supply of a considerably higher percentage of typically the same v movable carrier medium 22 for the purpose of discharging this combination of carrier mediums 16 and 22 and such particles 18 of this semiconductor substance downwardly via a large number of adjacent channels 28 to the subsurface. located strip-shaped supply portion 30 of the upper slit 32 of this tunnel arrangement 10 above the semiconductor substrate portions 34, also continuously interrupted therethrough during its operation.

30 Figuur 2 toont in deze tunnel-opstelling 10 achter deze medium-toevoerinrichting 14 de in het boventunnelblok 12 opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 38, waarbij in het compartiment 40 ervan de opname van de stripvormige transducer 42 ten behoeve van typisch het 35 daarmede verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium 22 en typisch tevens het vloeibare draagmedium 16 onder neerslag van tenminste deze deeltjes 18 op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende 7 semiconductor substraat-gedeeltes 34 onder tril-conditie ervan en waarbij via het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte 44 met een toenemende hoogte ervan afvoer van het gevormde dampvormige medium 46 plaats vindt naar de daarop-5 volgende stripvormige afvoer-inrichting 48, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok 12.Figure 2 shows in this tunnel arrangement 10 behind this medium supply device 14 the exchangeable strip-shaped transducer arrangement 38 included in the upper tunnel block 12, wherein in its compartment 40 the accommodation of the strip-shaped transducer 42 for the purpose of typically evaporating therewith is shown. of the low-boiling liquid carrier medium 22 and typically also the liquid carrier medium 16 with precipitation of at least these particles 18 onto the successive, continuously moving 7 semiconductor substrate portions thereof under vibrating condition and wherein via the upper slit portion 44 located above it with an increasing height thereof, the vaporous medium 46 formed takes place to the subsequent strip-shaped discharge device 48, which is also included in this upper tunnel block 12.

Figuur 3 toont in deze tunnel-opstelling achter deze medium-toevoer-inrichting 14, waarin tijdens de werking ervan het plaatsvinden van de ononderbroken toevoer van de 10 combinatie van de laag-kokende vloeibare draagmediums 16 en 22 en deeltjes 18 van een semiconductor substantie en hoger-kokend vloeibaar draagmedium 50,na deze eerste uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 38 de tweede uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 52, waarbij in het 15 compartiment 54 ervan de opname van de stripvormige transducer 56 ten behoeve van het daarmede tenminste mede verdampen van dit resterende, nog niet verdampte hoger-kokende vloeibare draagmedium 50 onder gelijktijdig neerslag van zulke deeltjes 18 op de opvolgende, eronderlangs 20 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34 en zulks eveneens onder tril-conditie van deze transducer.Figure 3 shows in this tunnel arrangement behind this medium supply device 14, in which during its operation the uninterrupted supply of the combination of the low-boiling liquid carrier media 16 and 22 and particles 18 of a semiconductor substance takes place and higher boiling liquid carrier medium 50, after this first interchangeable strip-shaped transducer arrangement 38, the second interchangeable strip-shaped transducer arrangement 52, wherein in its compartment 54 the accommodation of the strip-shaped transducer 56 for at least co-evaporating this remaining not yet evaporated higher boiling liquid carrier medium 50 with simultaneous precipitation of such particles 18 on the subsequent semiconductor substrate portions 34 moving underneath it, and this also under the vibrating condition of this transducer.

Daarbij tevens via het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte 58, met eveneens een toenemende hoogte ervan, afvoer van het gevormde dampvormige medium 60 naar de daarop-25 volgende stripvormige afvoer-inrichting 62 in dit boventunnelblok 12.Thereby also via the upper slit portion 58 above, with an increasing height thereof, discharge of the formed vaporous medium 60 to the subsequent strip-shaped discharge device 62 in this upper tunnel block 12.

In de Figuur 3A is achter deze afvoer-inrichting 62 de stripvormige toevoer-inrichting 64 voor typisch reinigings-medium 66 aangegeven, met mede afvoer ervan via deze afvoer-30 inrichting, ten behoeve van het gereinigd/schoonhouden van het tussengelegen onderwand-gedeelte 68 van het boventunnelblok 12.Figure 3A shows behind this discharge device 62 the strip-shaped feed device 64 for typical cleaning medium 66, including its discharge via this discharge device, for the purpose of cleaning / keeping the intermediate lower wall part 68 clean of the upper tunnel block 12.

Zulk een toevoer-inrichting voor reinigings-medium is onder andere gewenst bij toepassing van de via deze toevoer-35 inrichting toegevoerde vloeinare hecht-substantie 18', ' waarbij het mogelijk tevens plaatsvinden van een beperkte neerslag van deeltjes op het voorgaande onderwand-gedeelte 68.Such a supply device for cleaning medium is desirable inter alia when using the liquid adhesive substance 18 'supplied via this supply device, whereby it is also possible for a limited precipitation of particles to occur on the preceding bottom wall portion 68. .

88

Zulk een toevoer-inrichting voor typisch reinigings-medium 66 is eveneens toepasbaar achter de atvoer-inrichting 48, welke is aangegeven in de Figuur 2A.Such a supply device for typical cleaning medium 66 is also applicable behind the supply device 48, which is shown in Figure 2A.

Figuur 4 toont de alternatieve uitvoering 14' van deze 5 medium-toevoerinrichting en waarbij in het boven-gedeelte 70 ervan zulk een eerste meng-inrichting 20' is opgenomen en welke via typisch een aantal toevoer-leidingen 72 is gekoppeld met de tweede meng-inrichting 26', welke daarbij deel uitmaakt van het onder-gedeelte 74 van deze toevoer-10 inrichting 14' en bevestigd is op het boventuunelblok 12.Figure 4 shows the alternative embodiment 14 'of this medium supply device and wherein in the upper part 70 thereof such a first mixing device 20' is included and which is coupled via typically a number of supply lines 72 to the second mixing device device 26 ', which thereby forms part of the lower portion 74 of this supply device 14' and is mounted on the upper unit block 12.

Figuur 4^ toont nog zeer sterk vergroot het ondergedeelte 76 van zulk een medium-toevoerinrichting 14' en waarbij onmiddellijk ter plaatse ervan een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte 78.Figure 4 ^ shows still a very large enlarged view of the lower part 76 of such a medium supply device 14 'and with an increasing height of the upper slit part 78 immediately at its location.

10371931037193

Claims (13)

1. Semiconductor tunnel-opstelling, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen. 5 dat daarbij in het boventunnelblok ervan de opname van een stripvormige medium-toevoerinrichting ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare en/of vaste vorm 10 ervan en waarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van een eerste, typisch cilindrische meng-inrichting ten behoeve van het daarin tijdens de werking ervan mengen van een laag percentage van tenminste mede zulk een semiconductor substantie met een typisch hoger percentage 15 vloeibaar draagmedium en waarbij deze meng-inrichting aan de onderzijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-toevoerkanalen is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting ten behoeve van daarin de toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van 20 typisch hetzelfde vloeibare draagmedium voor het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie van dit draagmedium en zulke deeltjes van een semiconductor substantie naar typisch het eronder-gelegen stripvormige toevoer-gedeelte van de bovenspleet boven de ononderbroken 25 erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.A semiconductor tunnel arrangement, characterized in that it is designed in such a way and comprising such means. 5 thereby incorporating in its upper tunnel block a strip-shaped medium supply device for the purpose of a continuous supply therein of the combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in a liquid and / or solid form thereof and wherein therein in the upper part thereof the accommodation of a first, typically cylindrical mixing device for the purpose of mixing therein during operation a low percentage of at least partly such a semiconductor substance with a typically higher percentage of liquid carrier medium and wherein said mixing device at its underside via typically a number of adjacent medium supply channels is connected to a second, also typically cylindrical mixing device for the purpose of supplying therein a considerably higher percentage of typically the same liquid carrier medium for discharging downwardly of this combination of this dr Layer medium and such particles from a semiconductor substance to typically the underlying strip-shaped feed portion of the upper slit above the continuous semiconductor substrate portions passing therethrough. 2. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een eerste stripvormige meng-inrichting via een aantal toevoer-leidingen is gekoppeld met deze tweede stripvormige 30 meng-inrichting, welke deel uitmaakt van het gedeelte van de medium-toevoerinrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok.2. Tunnel arrangement according to Claim 1, characterized in that it is further designed in such a way that such a first strip-shaped mixing device is coupled via a number of supply lines to this second strip-shaped mixing device, which forms part of the portion of the medium supply device included in the upper tunnel block. 3. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij 35 achter deze medium-toevoerinrichting in het boventunnelblok een typisch uitwisselbare stripvormige opstelling is opgenomen en waarbij in het compartiment ervan de opname van een tril/verdampings-inrichting ten behoeve van typisch het 1037193 * daarmede verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij een erboven 5 gelegen bovenspleet-gedeelte met een toenemende hoogte ervan ten behoeve van de afvoer van het gevormde dampvormige medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok.3. Tunnel arrangement as claimed in claim 1, characterized in that it is further designed in such a way that a typically exchangeable strip-shaped arrangement is included in the upper tunnel block behind this medium supply device and wherein the accommodation of a vibration is accommodated in its compartment. An evaporator for typically the low boiling liquid carrier medium thereby depositing the particulate semiconductor substance on the successive continuous semiconductor substrate portions moving therebetween and with an upper slit portion above it having an increasing height for the discharge of the formed vaporous medium to the subsequent strip-shaped discharge device, which is also included in this upper tunnel block. 4. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 3, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij na deze eerste uitwisselbare opstelling de opname in het boventunnelblok van een tweede uitwisselbare opstelling, met daarbij in het compartiment ervan de opname van wederom typisch zulk een tril/verdampings-15 inrichting ten behoeve van het verdampen van het resterende, nog niet verdampte , typisch hoog-kokende vloeibare draagmedium onder mede neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij 20 eveneens een erboven gelegen bovenspleet-gedeelte met een toenemende hoogte ervan ten behoeve van de afvoer van het gevormde dampvormige medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting in dit boventunnelblok.4. Tunnel arrangement as claimed in claim 3, characterized in that it is further designed such that it comprises means such that, after this first interchangeable arrangement, the inclusion in the upper tunnel block of a second interchangeable arrangement, including in its compartment the incorporation of, again, typically such a vibrating / evaporating device for the purpose of evaporating the remaining, not yet evaporated, typically high-boiling liquid carrier medium while co-depositing these particles of a semiconductor substance on the subsequent semiconductor substrate moving underneath it portions and also having an upper slit portion above it with an increasing height thereof for the discharge of the formed vaporous medium to the subsequent strip-shaped discharge device in this upper tunnel block. 5. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, 25 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daar bij typisch de toepassing van een stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in een uitwisselbaar gedeelte van het boventunnelblok.5. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed such that, in the typical application of a strip-shaped transducer arrangement, which is included in an interchangeable part of the upper tunnel block. 6. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande6. Tunnel arrangement according to one of the preceding 30 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de breedte van de bewerkstelligde uitspar ingen/crevices in de bovenlaag van deze opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes beperkt is tot minder dan 35 30 nanometer, typisch slechts circa 20 nanometer.Claims, characterized in that it is further designed and comprising means such that the width of the recesses / crevices effected in the upper layer of these successive semiconductor substrate portions moving therethrough is limited to less than 35 nanometers , typically only around 20 nanometers. 7. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke door de aanvrager zijn aan gegeven en omschreven in de op 23 Juni en 5 1 Juli j.1. ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that therein also the possible application of several of the means and methods of the semiconductor facility, - installation, - tunnel. setups and installations specified and described by the applicant in the june 23 and 5 July 1. Dutch Patent Applications submitted. 8. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin mogelijk de toepassing van alle reeds algemeen gebruikt 10 wordende semiconductor modules ten behoeve van het daarin plaatsvinden van semiconductor behandelingen voor wafers, ook, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: aj een individuele semiconductor wafer of - substraat; of 15 bj een al dan niet individuele semiconductor processing-module .8. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further embodied such and comprising means such that the use thereof of all semiconductor modules that are already generally used for the purpose of taking place therein semiconductor treatments. for wafers, also, which are already described in Patents, if therein the mention in the text and Claims of the following: aj an individual semiconductor wafer or substrate; or 15 bj an individual or non-individual semiconductor processing module. 9. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in 20 deze Octrooi-aanvrage omschreven middelen tevens toepasbaar zijn in de in Conclusie 7 vermelde semiconductor tunnel-opstellingen.9. Tunnel arrangement as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that it is further designed and comprises means such that the means described in this Patent Application can also be used in the semiconductor tunnel arrangements mentioned in Claim 7. . 10. Werkwijze van een semiconductor transfer/behandelings-tunnelopstelling, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het 25 boventunnelblok ervan de opname van een stripvormige medium-toevoerinrichting, daarin tijdens de werking ervan een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare en ./of vaste vorm ervan en waarbij, zoals daarin 30 in het bovenste gedeelte ervan de opname van een eerste, typisch cilindrische meng-inrichting, het daarin plaatsvinden van menging van een laag percentage van tenminste mede zulk een semiconductor substantie met een typisch hoger percentage vloeibaar draagmedium, en zoals daarbij deze 35 meng-inrichting aan de onder zijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-toevoerkanalen is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting, daarin de ononderbroken toevoer plaats vindt van een aanzienlek hoger percentage van typisch hetzelfde vloeibare draagmedium voor het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie van dit draagmedium en zulke deeltjes van een semiconductor substantie naar 5 typisch het eronder gelegen stripvormige toevoer-gedeelte van de bovenspleet boven de ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.10. Method of a semiconductor transfer / treatment tunnel arrangement, characterized in that, as is the case in its upper tunnel block, the inclusion of a strip-shaped medium supply device, during its operation, a continuous supply of the combination of liquid carrier medium and particles of a semiconductor substance in a liquid and / or solid form thereof and wherein, such as the incorporation in the upper part thereof, of a first, typically cylindrical mixing device, mixing of a low percentage of at least one such semiconductor substance with a typically higher percentage of liquid carrier medium, and just as this mixing device is connected at its bottom via typically a number of adjacent medium supply channels to a second, likewise typically cylindrical mixing device, the uninterrupted supply therein takes place of a considerably higher percentage of typically the same liquid are carrier medium for downwardly discharging this combination of this carrier medium and such particles from a semiconductor substance to typically the underlying strip-shaped feed portion of the upper slit above the continuous semiconductor substrate portions passing therethrough. 11. Werkwijze volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een eerste stripvormige meng-inrichting 10 via een aantal toevoer-leidingen is gekoppeld met deze tweede stripvormige meng-inrichting, welke deel uitmaakt van het gedeelte van de medium-toevoerinrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok, daardoorheen zulk een ononderbroken medium-toevoer plaats vindt.A method according to Claim 10, characterized in that, as is the case here, such a first strip-shaped mixing device 10 is coupled via a number of supply lines to this second strip-shaped mixing device, which forms part of the part of the medium supply device which is included in the upper tunnel block, through which such a continuous medium supply takes place. 12. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij achter deze medium-toevoerinrichting in het boventunnelblok een typisch uitwisselbare stripvormige opstelling is opgenomen en waarbij in het compartiment ervan de opname van een tril/verdampings-20 inrichting, daarin typisch het daarmede plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, en zoals daarbij een 25 erboven gelegen bovenspleet-gedeelte met een toenemende hoogte ervan, erdoorheen de ononderbroken afvoer van het gevormde dampvormige medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok, plaats vindt.12. Method as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that a typical exchangeable strip-shaped arrangement is included behind this medium supply device in the upper tunnel block and wherein in its compartment the accommodation of a vibrating / evaporating device, typically therein the evaporation of the low-boiling liquid carrier medium thereby taking place while depositing the particles of semiconductor substance on the successive, continuously moving semiconductor substrate sections underneath it, and as therein an upper slit section with an increasing height thereof, passing through the continuous discharge of the formed vaporous medium to the subsequent strip-shaped discharge device, which is also included in this upper tunnel block, takes place. 13. Werkwijze volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat zoals daarbij na deze eerste uitwisselbare opstelling de opname in het boventunnelblok van een tweede uitwisselbare opstelling, met daarbij in het compartiment ervan de opname van wederom typisch zulk een tril/verdampings-inrichting, 35 daarin het verdampen van het resterende, nog niet verdampte, typisch hoog-kokende vloeibare draagmedium plaats vindt onder mede neerslag van deze deeltjes van de semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeles, en zoals daarby eveneens een erboven gelegen bovenspleet-gedeelte met een toenemende hoogte ervan, de ononderbroken afvoer van het gevormde medium naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting 5 in dit boventunnelblok plaats vindt. Ü ® 3 7 1 ®5A method according to Claim 12, characterized in that, as is the case after this first interchangeable arrangement, the inclusion in the upper tunnel block of a second interchangeable arrangement, including in its compartment the accommodation of, again, typically such a vibrator / evaporator, The evaporation of the remaining, not yet evaporated, typical, high-boiling liquid carrier medium takes place therein together with precipitation of these particles of the semiconductor substance on the subsequent semiconductor substrate portions moving underneath it, and, like that, also an upper slit above it. part with an increasing height thereof, the continuous discharge of the formed medium to the subsequent strip-shaped discharge device 5 takes place in this upper tunnel block. Ü ® 3 7 1 ® 5
NL1037193A 2009-08-11 2009-08-11 SEMICONDUCTOR TUNNEL SET UP, CONTAINING IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A MEDIUM SUPPLY DEVICE. NL1037193C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1037193A NL1037193C2 (en) 2009-08-11 2009-08-11 SEMICONDUCTOR TUNNEL SET UP, CONTAINING IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A MEDIUM SUPPLY DEVICE.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1037193 2009-08-11
NL1037193A NL1037193C2 (en) 2009-08-11 2009-08-11 SEMICONDUCTOR TUNNEL SET UP, CONTAINING IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A MEDIUM SUPPLY DEVICE.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1037193A NL1037193A (en) 2011-02-14
NL1037193C2 true NL1037193C2 (en) 2011-11-24

Family

ID=43646057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1037193A NL1037193C2 (en) 2009-08-11 2009-08-11 SEMICONDUCTOR TUNNEL SET UP, CONTAINING IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A MEDIUM SUPPLY DEVICE.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL1037193C2 (en)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8401776A (en) * 1984-06-04 1986-01-02 Bok Edward IMPROVED DOUBLE-FLOATING WAFER TRANSPORT / PROCESSING INSTALLATION.
EP0515488A1 (en) * 1990-02-16 1992-12-02 BOK, Edward Improved installation for wafer transfer and processing
US6682598B1 (en) * 2001-10-01 2004-01-27 Electronic Circuit Systems Apparatus for casting and drying ceramic tape
US6923213B2 (en) * 2002-09-18 2005-08-02 Imation Corp. Fluid processing device with annular flow paths
JP2005030682A (en) * 2003-07-14 2005-02-03 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Drying device, heat developable photosensitive material manufacturing device and manufacturing method for heat developable photosensitive material using them
US20050150155A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Clean Fuels Technology, Inc., A Nevada Corporation. Mixing apparatus and method for manufacturing an emulsified fuel
JP4807020B2 (en) * 2005-09-21 2011-11-02 東洋製罐株式会社 Method for producing binder composition for dispersing semiconductor fine particles
DE202006005163U1 (en) * 2006-03-30 2007-08-02 BACHELIER, Heinz-Jürgen Homogenizer for flowable materials comprises homogenizing chamber containing rotor and rotatable stator and preliminary chamber containing pumping device, allowing high material throughput

Also Published As

Publication number Publication date
NL1037193A (en) 2011-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI344868B (en) Apparatus and method for cleaning of objects,in particular of thin discs
US11857992B2 (en) Acoustic wave microfluidic devices with increased acoustic wave energy utilisation
CN103426797A (en) Substrate cleaning apparatus
US20150206738A1 (en) Surface Cleaning Method and Apparatus Using Surface Acoustic Wave Devices
DE102005062528A1 (en) Substrate e.g. silicon wafer, surface treatment e.g. layer removal, device, has conveyor arranged beneath transport level so that substrate contacts level to moisten surface with process medium in direct contact between conveyor and surface
NL1037193C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL SET UP, CONTAINING IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A MEDIUM SUPPLY DEVICE.
KR101271302B1 (en) Cleaning method and cleaning apparatus
CN107221508A (en) A kind of apparatus and method for handling substrate
CN110064611B (en) Processing device and method for manufacturing product
US20120199164A1 (en) Methods for Using Proximity Head With Configurable Delivery
CN108359960A (en) A kind of fast atoms layer depositing device of micro-nano granules
NL1037191C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL INSTALLATION, INCLUDING MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSE OF PROCESSING A (SUB) NANOMETER HIGH LAYER OF PARTICLES OF A FIXED SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED, SEVERAL SACRED.
CN100377297C (en) Substrate processor
KR101461175B1 (en) Method of low-k dielectric film repair
NL1037192C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP, INCLUDING IN THE TOP TUNNEL BLOCK, MULTIPLE DEVICES FOR THE PURPOSES OF A NANOMETER OF HIGH LIQUID HOF-MATERIAL SUBSTANCE ON THE FOLLOWING, UNINTERRUPTED SEVERALIZED SUBSTANCE OF THE UNSUPTED.
RU2595708C2 (en) Device and method for distribution of loose solid material
US8821826B2 (en) Method for regenerating silicon from silicon waste and silicon manufactured using the same
NL1037069C2 (en) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / TUNNEL TREATMENT SET-UP, INCLUDING AT LEAST IN THE UPPER AND / OR UNDER TUNNEL BLOCK THE RECORDING OF A SIDE-IN-DIRECTION DIRECTION OF THE STRENGTHENING OF THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCESS OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCESS OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXERCISE OF THE REMEDY ON THE EXCLUSION OF THE EXTENT STRIPPED PRESSURE PLATE-PART THEREOF.
KR101474363B1 (en) Linear source for OLED deposition apparatus
NL1037473C2 (en) SEMICONDUCTOR TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH THE PLACE OF SUCCESSIVE SEMICONDUCTOR TREATMENT OF SUCCESSIVE traveling therethrough SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS AND WHICH ALSO IN IT MORE STRIP-SHAPED MEDIUM FEED ESTABLISHMENTS IN AT LEAST THE TOP OF TUNNEL BLOCK WILL BE INCLUDED FOR A CONTINUOUS SUPPLY OF AT LEAST ALSO THE COMBINATION OF PARTICLES A CARRYING MEDIUM IN A GAS-SHAPED OR VAPORABLE LIQUID FORM.
NL1037068C2 (en) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE TRANSFER / treatment-TUNNEL ESTABLISHMENT WHICH IN ITS OPERATION IN MULTIPLE STRIP SHAPE UP SPLIT-SECTIONS IT ABOVE THE SUCCESSIVE, UNINTERRUPTED BENEATH ALONG moving SEMICONDUCTOR SUBSTRATE-SECTIONS UNINTERRUPTED PLACE OF HEAT TREATMENT UNDER VIBRATION CONDITION OF IT IN THE PRECEDING PORTION THEREOF applied LAYER OF THE COMBINATION OF LIQUID CARRYING MEDIUM AND PARTICLES OF A SEMICONDUCTOR SUBSTANCE.
NL1037064C2 (en) IN A SEMICONDUCTOR TUNNEL SET-UP THE INCLUSION IN THE TOP TUNNEL BLOCK OF A STRIPPED INPUT SECTION FOR IN THAT TIME THE UNINTERRUPTED SUPPLY OF A SEMICONDUCTOR TREATMENT AND A LONG-TERM DEVICE OF A LONGER AFFECTING A LONGER. THEREFORE FORM A MICRO-HEIGHT OF THE LOWER SPLIT-AREA BELOW AND IN A FOLLOWING SECTION THEREOF A STRIP-SHAPED TRANSDUCER SET-UP, ALSO FUNCTIONING AS A HEAT SOURCE, WITH A DIPPED AFTER-SIZE AFTER-FOLLOW-UP.
JP2006003036A (en) Drying device
US8584613B2 (en) Single substrate processing head for particle removal using low viscosity fluid
KR100979300B1 (en) System for silicon heating treatment on chip surface

Legal Events

Date Code Title Description
SD Assignments of patents

Effective date: 20120919

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20140301