JP2001152343A - Vaporizer - Google Patents

Vaporizer

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JP2001152343A
JP2001152343A JP33663799A JP33663799A JP2001152343A JP 2001152343 A JP2001152343 A JP 2001152343A JP 33663799 A JP33663799 A JP 33663799A JP 33663799 A JP33663799 A JP 33663799A JP 2001152343 A JP2001152343 A JP 2001152343A
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vaporizer
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vaporizer which can increase the feed quantity of a raw gas generated by vaporizing a raw liquid to be fed to a CVD apparatus. SOLUTION: The vaporizer comprises a vaporizing chamber 2 to vaporize the raw liquid 1, a nozzle 3 to atomize the raw liquid 1 and inject it into the vaporizing chamber 2, and an atomizing unit which adds the predetermined energy to raw liquid particles 4 ejected from the nozzle 3 and divides them into smaller ones for vaporization, a high frequency oscillating plate 5 e.g. is installed on the atomizing unit, a heater 21 is disposed around the vaporizer, and heaters 22 and 23 are disposed on the nozzle 3 so that the whole vaporizer, the raw liquid 1 and the nozzle 3 are heated to a highest temperature in a range where the raw liquid is not changed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、化学気相成長(C
VD)法により半導体ウエハ上に種々の薄膜を形成する
成膜装置に用いられる気化装置に関し、特に、液体原料
を気化して成膜装置に供給する気化装置に関する。
The present invention relates to a chemical vapor deposition (C) process.
The present invention relates to a vaporizer used for a film forming apparatus for forming various thin films on a semiconductor wafer by a VD) method, and particularly relates to a vaporizer for vaporizing a liquid material and supplying the liquid material to the film forming apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体デバイスの製造において
は、半導体膜、絶縁膜、金属膜等の成膜をウエハ上に施
す必要があり、成膜方法としてCVD法が一般的に用い
られている。このCVD法は、処理対象であるウエハ
を、膜となる材質を含む原料ガスの雰囲気中に置き、熱
や光などのエネルギーを与えて原料ガスを分解し、ウエ
ハ上に各種の膜を形成する方法である。このCVD法に
よる成膜に用いられる原料には液体状態のものがあり、
この場合、液体原料を気化装置により気化させて原料ガ
スとしている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices, it is necessary to form a semiconductor film, an insulating film, a metal film, and the like on a wafer, and a CVD method is generally used as a film forming method. In this CVD method, a wafer to be processed is placed in an atmosphere of a source gas containing a material to be a film, and energy such as heat or light is applied to decompose the source gas to form various films on the wafer. Is the way. Raw materials used for film formation by the CVD method include those in a liquid state,
In this case, the liquid raw material is vaporized by a vaporizer to obtain a raw material gas.

【0003】近年、半導体デバイスのコストの低減を図
るために、CVD法による成膜装置には高スループット
が要求されており、気化装置にも液体原料を気化した原
料ガスの供給量を増大することが要求されている。
In recent years, in order to reduce the cost of semiconductor devices, high throughput is required for a film forming apparatus using a CVD method, and an increase in the supply amount of a source gas obtained by evaporating a liquid source is also required for a vaporizer. Is required.

【0004】このような気化装置の従来例としては、例
えば、特開平11−111644号公報に示されるよう
な気化装置がある。図7はこの従来の気化装置の一例を
示す構成図である。
[0004] As a conventional example of such a vaporizer, there is, for example, a vaporizer as disclosed in JP-A-11-111644. FIG. 7 is a configuration diagram showing an example of this conventional vaporizer.

【0005】図7に示す従来の気化装置は、液体原料1
を気化させる空間としての球形をした球形気化室13
と、液体原料1を球形気化室13内に供給する液体原料
供給管14と、球形気化室13内にあって液体原料供給
管14から供給された液体原料1に超音波振動を加えて
霧化させる超音波霧化素子15と、球形気化室13に接
続され、霧化された液体原料1を旋回流による加熱によ
って気化させるための所定温度のキャリアガス16を供
給するキャリアガス供給管17と、同じく球形気化室1
3に接続され、液体原料1を気化した原料ガス20のバ
ッファとなるバッファタンク18と、このバッファタン
ク18に接続され、原料ガス20をCVD装置に輸送す
るための原料ガス輸送管7とで構成されている。
[0005] The conventional vaporizer shown in FIG.
Spherical vaporizing chamber 13 as a space for vaporizing
And a liquid raw material supply pipe 14 for supplying the liquid raw material 1 into the spherical vaporizing chamber 13, and atomizing by applying ultrasonic vibration to the liquid raw material 1 in the spherical vaporizing chamber 13 and supplied from the liquid raw material supply pipe 14. An ultrasonic atomizing element 15 to be made, a carrier gas supply pipe 17 connected to the spherical vaporizing chamber 13 and supplying a carrier gas 16 at a predetermined temperature for vaporizing the atomized liquid material 1 by heating by a swirling flow, Spherical vaporization chamber 1
3, a buffer tank 18 serving as a buffer for the source gas 20 which has vaporized the liquid source 1 and a source gas transport pipe 7 connected to the buffer tank 18 for transporting the source gas 20 to the CVD apparatus. Have been.

【0006】この図7に示す従来の気化装置によれば、
液体原料供給管14によって球形気化室13に供給され
た液体原料1は、超音波霧化素子15に接触して超音波
振動によって霧化される。そして、キャリアガス供給管
17によって球形気化室13内に供給された所定温度の
キャリアガス16は、球形気化室13が球形をしている
ため球形気化室13内で旋回流となる。このキャリアガ
ス16の旋回流によって、超音波霧化素子15により霧
化された液体原料1は加熱され気化される。
According to the conventional vaporizer shown in FIG.
The liquid raw material 1 supplied to the spherical vaporizing chamber 13 by the liquid raw material supply pipe 14 contacts the ultrasonic atomizing element 15 and is atomized by ultrasonic vibration. The carrier gas 16 at a predetermined temperature supplied into the spherical vaporizing chamber 13 by the carrier gas supply pipe 17 is swirled in the spherical vaporizing chamber 13 because the spherical vaporizing chamber 13 has a spherical shape. The liquid raw material 1 atomized by the ultrasonic atomizing element 15 is heated and vaporized by the swirling flow of the carrier gas 16.

【0007】また、従来の気化装置における他の例とし
て、例えば、特開平7−94426号公報に示されるよ
うな気化装置も提案されている。図8は、この従来の気
化装置における他の例を示す構成図である。
As another example of a conventional vaporizer, a vaporizer as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-94426 has been proposed. FIG. 8 is a configuration diagram showing another example of the conventional vaporizer.

【0008】図8に示す従来の気化装置は、液体原料1
を気化させる空間としての第4の気化室48と、液体原
料1を第4の気化室48内に噴射する第4のノズル49
と、この第4のノズル49の外周に設けられ、希釈ガス
50を第4の気化室48に導入するための流路となるテ
ーパ状細管であって、希釈ガス50の流速が最大となる
個所に第4のノズル49の先端が位置するように配置さ
れた希釈ガス供給管51と、第4の気化室48で生成さ
れた原料ガス34をCVD装置に輸送する輸送管41と
で構成されている。
[0008] The conventional vaporizer shown in FIG.
And a fourth nozzle 49 for injecting the liquid material 1 into the fourth vaporization chamber 48.
And a tapered thin tube provided on the outer periphery of the fourth nozzle 49 and serving as a flow path for introducing the dilution gas 50 into the fourth vaporization chamber 48, where the flow rate of the dilution gas 50 is maximized. And a transport pipe 41 for transporting the raw material gas 34 generated in the fourth vaporization chamber 48 to the CVD apparatus. I have.

【0009】この図8に示す従来の気化装置によれば、
液体原料1は第4のノズル49によって第4の気化室4
8内に噴射される。このとき、同時に希釈ガス供給管5
1から希釈ガス50を導入すると、希釈ガス50の流れ
によって液体原料1が微粒化され、気化が行われる。
According to the conventional vaporizer shown in FIG.
The liquid raw material 1 is supplied to the fourth vaporization chamber 4 by the fourth nozzle 49.
8 is injected. At this time, the dilution gas supply pipe 5
When the dilution gas 50 is introduced from 1, the liquid raw material 1 is atomized by the flow of the dilution gas 50 and vaporized.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示した従来の気化装置は、液体原料1を超音波霧化素子
15に供給してそのまま霧化しているだけなので、原料
ガス供給量を大きくすることができないという問題があ
る。
However, the conventional vaporizer shown in FIG. 7 only supplies the liquid raw material 1 to the ultrasonic atomizing element 15 and atomizes the liquid raw material 1 as it is. There is a problem that you can not.

【0011】すなわち、液体原料1は超音波霧化素子1
5によって加えられた超音波振動により霧化するが、超
音波振動による原料液体の霧化は液体の表面から行われ
る。そこで、原料ガス供給量を大きくしようとする場
合、液体原料1の供給量も大きくする必要があるが、図
7の従来の気化装置では液体原料1をそのまま超音波霧
化装置15に供給しており、供給量の増加に対して表面
積の増加は少ないため霧化量はそれほど増加せず、従っ
て原料ガス供給量もそれほど増加しない。
That is, the liquid raw material 1 is an ultrasonic atomizing element 1
Atomization is carried out by the ultrasonic vibration applied by 5, and atomization of the raw material liquid by the ultrasonic vibration is performed from the surface of the liquid. Therefore, in order to increase the supply amount of the raw material gas, it is necessary to increase the supply amount of the liquid raw material 1. However, in the conventional vaporizer of FIG. 7, the liquid raw material 1 is supplied to the ultrasonic atomizer 15 as it is. Since the increase in the surface area is small with respect to the increase in the supply amount, the amount of atomization does not increase so much, and therefore the supply amount of the raw material gas does not increase so much.

【0012】そのため、原料ガス供給量を大きくするに
は、液体原料1の供給量の増加に応じて超音波霧化素子
15の出力も大きくするしかないが、この出力増大には
当然のことながら装置上の制限があるので、図7に示し
た従来の気化装置では、所定以上に原料ガス供給量を大
きくすることはできない。
Therefore, the only way to increase the supply amount of the raw material gas is to increase the output of the ultrasonic atomizing element 15 as the supply amount of the liquid raw material 1 increases. Due to restrictions on the apparatus, the conventional vaporizer shown in FIG. 7 cannot increase the supply amount of the source gas beyond a predetermined value.

【0013】また、図7に示した従来の気化装置は、液
体原料1の気化を所定温度のキャリアガス16の旋回流
による加熱によって行なっているので、キャリアガス1
6を所定量以上に供給する必要がある。しかし、液体原
料1の気化量は飽和蒸気圧によって制限を受けるため、
キャリアガスを用いることで原料ガスの分圧が小さくな
り、原料ガス供給量は小さくなるという問題がある。
In the conventional vaporizer shown in FIG. 7, the vaporization of the liquid raw material 1 is performed by heating the carrier gas 16 at a predetermined temperature by a swirling flow.
6 must be supplied in a predetermined amount or more. However, since the vaporization amount of the liquid raw material 1 is limited by the saturated vapor pressure,
There is a problem in that the use of the carrier gas reduces the partial pressure of the source gas and reduces the supply amount of the source gas.

【0014】一方、図8に示した従来の気化装置におい
ても、図7に示したのと同様、原料ガス供給量を大きく
できないという問題がある。これは、液体原料1の気化
量が気化室内の飽和蒸気圧によって制限を受けるためで
あり、そこで原料ガス供給量を最大にするには、原料ガ
ス34の濃度を飽和蒸気圧で決まる最大値にする必要が
ある。
On the other hand, the conventional vaporizer shown in FIG. 8 also has a problem that the supply amount of the source gas cannot be increased, as shown in FIG. This is because the amount of vaporization of the liquid raw material 1 is limited by the saturated vapor pressure in the vaporization chamber. In order to maximize the supply amount of the raw material gas, the concentration of the raw material gas 34 is set to a maximum value determined by the saturated vapor pressure. There is a need to.

【0015】しかし、第4のノズル49から噴射する液
体原料1の供給量と得られる粒子の大きさとはトレード
オフの関係にあり、供給量を大きくしようとするとノズ
ル径を大きくする必要があるため、得られる粒子の大き
さが大きくなる。液体の気化は液体の表面から行われ、
気化の際には気化熱により液体の温度が下がるため、粒
子の大きさが大きくなると表面だけが気化されて一部は
気化されずに残ってしまう。従って、第4のノズル49
から噴射する液体原料1の供給量を増加させても、原料
ガス34の濃度は飽和蒸気圧で決まる最大値にまで達す
ることはできない。
However, there is a trade-off between the supply amount of the liquid raw material 1 ejected from the fourth nozzle 49 and the size of the obtained particles, and it is necessary to increase the nozzle diameter to increase the supply amount. And the size of the particles obtained is increased. The vaporization of the liquid takes place from the surface of the liquid,
At the time of vaporization, the temperature of the liquid decreases due to the heat of vaporization. Therefore, when the size of the particles increases, only the surface is vaporized and a part thereof remains without being vaporized. Therefore, the fourth nozzle 49
Even if the supply amount of the liquid raw material 1 to be injected from is increased, the concentration of the raw material gas 34 cannot reach the maximum value determined by the saturated vapor pressure.

【0016】そこで、図8に示す従来の気化装置におい
ては、第4のノズル49から噴射される液体原料1を完
全に気化させるために、希釈ガス50の流れによって粒
子径を小さくしている。液体原料1の気化量は飽和蒸気
圧によって制限を受けることは先に述べたが、希釈ガス
50を導入すると原料ガス34の分圧は小さくなるた
め、原料ガス供給量は小さくなってしまう。
Therefore, in the conventional vaporizer shown in FIG. 8, the particle diameter is reduced by the flow of the dilution gas 50 in order to completely vaporize the liquid raw material 1 injected from the fourth nozzle 49. As described above, the amount of vaporization of the liquid raw material 1 is limited by the saturated vapor pressure. However, when the diluent gas 50 is introduced, the partial pressure of the raw material gas 34 becomes small, so that the supply amount of the raw material gas becomes small.

【0017】本発明の目的は、以上の問題点を解決し、
原料ガス供給量を大きくすることができる気化装置を提
供することにある。
An object of the present invention is to solve the above problems,
An object of the present invention is to provide a vaporizer capable of increasing a supply amount of a source gas.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明の気化装置は、液
体原料を気化させて生成した原料ガスをCVD装置に供
給するための気化装置であって、液体原料を気化させる
ための気化室と、液体原料を粒子化して気化室内に噴射
するノズルと、ノズルから噴射された液体原料粒子に所
定のエネルギーを加えてさらに小さい微粒子に分割して
気化させる微粒化部とで構成されていることを特徴とす
る。
A vaporizer according to the present invention is a vaporizer for supplying a raw material gas generated by vaporizing a liquid raw material to a CVD apparatus, comprising a vaporizing chamber for vaporizing the liquid raw material. A nozzle that atomizes the liquid raw material and injects it into the vaporization chamber, and an atomization unit that applies predetermined energy to the liquid raw material particles injected from the nozzle and divides the liquid raw material particles into smaller particles for vaporization. Features.

【0019】また上記微粒化部は、ノズルに対向して配
置された高周波振動板を含んで構成され、液体原料粒子
の微粒化を高周波振動により行なうことを特徴とし、ま
た、上記微粒化部は、それぞれ対向して配置された液体
原料を粒子化して気化室内に噴射する2つのノズルを含
んで構成され、液体原料粒子の微粒化を液体原料粒子ど
うしの衝突により行なうことを特徴とし、また、上記気
化装置は、装置の周囲に配置した複数本のヒータを含ん
で構成され、装置全体を原料が変化しない範囲の最高の
温度に加熱して、液体原料が気化する際に気化熱が奪わ
れることによる気化量の減少、ならびに装置壁面への結
露や液化を防止することを特徴とし、さらに、上記気化
装置は、ノズルの周囲に配置した複数本のヒータを含ん
で構成され、液体原料とノズルを原料が変化しない範囲
の最高の温度に加熱して、液体原料が気化室内に噴射さ
れるまでの間に温度が低下して気化しにくくなるのを防
止することを特徴とする。
Further, the atomizing section is constituted to include a high-frequency vibrating plate arranged opposite to the nozzle, wherein the atomization of the liquid raw material particles is performed by high-frequency vibration. The liquid source particles are configured to include two nozzles configured to convert the liquid source particles, which are disposed to face each other, into particles and eject the particles into the vaporization chamber, wherein the atomization of the liquid source particles is performed by collision of the liquid source particles, The vaporizer includes a plurality of heaters arranged around the apparatus, and heats the entire apparatus to the highest temperature in a range where the raw material does not change, so that heat of vaporization is taken when the liquid raw material is vaporized. It is characterized in that the amount of vaporization is reduced, and that dew condensation and liquefaction on the device wall are prevented, and the vaporizer is configured to include a plurality of heaters arranged around a nozzle, The charge and nozzle material is heated to a maximum temperature in a range that does not vary, the temperature until the liquid material is injected into the vaporization chamber, characterized in that to prevent the hardly vaporized decreases.

【0020】また、本発明の気化装置は、液体原料を気
化させて生成した原料ガスをCVD装置に供給するため
の気化装置であって、液体原料を微粒化して気化室内に
噴射するノズルをそれぞれ備えた前記気化室を複数段に
配置してそれぞれを導管で接続し、液体原料の気化量を
段階的に飽和蒸気圧で決まる最大値にすることを特徴と
する。
Further, the vaporizer of the present invention is a vaporizer for supplying a raw material gas generated by vaporizing a liquid raw material to a CVD apparatus, wherein a nozzle for atomizing the liquid raw material and injecting it into the vaporization chamber is provided. The vaporization chambers provided are arranged in a plurality of stages and connected to each other by conduits, so that the vaporization amount of the liquid raw material is gradually increased to a maximum value determined by a saturated vapor pressure.

【0021】また、上記気化装置における複数の気化室
の底部にそれぞれ超音波振動板を配置し、各気化室の底
部に溜まった未気化の液体原料に超音波振動を加え、再
度微粒化して気化させることを特徴とし、また、上記気
化装置における複数の気化室の底部にそれぞれ加熱板を
配置し、各気化室の底部に溜まった未気化の液体原料
を、原料が変化しない範囲で最高の温度に加熱して気化
させることを特徴とし、また、上記気化装置における複
数の気化室の各底部に、超音波振動板と加熱板とを平面
内に複数交互に配置し、超音波振動板を用いた再微粒化
による気化と、加熱板の加熱による気化との2つを併用
したことを特徴とし、また、上記気化装置において、複
数段の装置全体を原料が変化しない範囲の最高の温度に
ヒータで加熱し、液体原料が気化する際に気化熱が奪わ
れることによる気化量の減少、ならびに装置壁面への結
露や液化を防止することを特徴とし、さらに、上記気化
装置において、液体原料および複数段の各ノズルを、そ
れぞれ原料が変化しない範囲の最高の温度にヒータで加
熱し、各気化室内に噴射されるまでの間に液体原料の温
度が低下して気化しにくくなるのを防止することを特徴
とする。
Further, ultrasonic vibrating plates are arranged at the bottoms of a plurality of vaporizing chambers in the vaporizing apparatus, respectively, and ultrasonic vibration is applied to the unvaporized liquid raw material accumulated at the bottom of each vaporizing chamber to atomize again and vaporize. In addition, a heating plate is arranged at the bottom of each of a plurality of vaporization chambers in the vaporization apparatus, and the unvaporized liquid raw material collected at the bottom of each vaporization chamber is heated to the highest temperature within a range where the raw material does not change. It is characterized in that it is heated and vaporized, and at each bottom of the plurality of vaporization chambers in the vaporizer, a plurality of ultrasonic vibration plates and heating plates are alternately arranged in a plane, and the ultrasonic vibration plate is used. And vaporization by heating of a heating plate, and in the vaporization apparatus, the entirety of the plurality of stages is heated to a maximum temperature within a range where the raw material does not change. Heat with liquid When the raw material is vaporized, the amount of vaporization is reduced by deprivation of the heat of vaporization, and it is characterized by preventing dew condensation and liquefaction on the apparatus wall. In addition, the temperature of the liquid raw material is heated by a heater to the highest temperature in a range in which the raw material does not change, so that the temperature of the liquid raw material is prevented from lowering and becoming difficult to be vaporized before being injected into each vaporizing chamber.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明にお
ける第1の実施の形態を示す構成図である。
Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【0023】図1に示す気化装置は、液体原料1を気化
させる空間としての気化室2と、液体原料1を粒子化し
て気化室2内に噴射するノズル3と、ノズル3に対向し
て配置されノズル3から噴射された液体原料粒子4に高
周波振動を加えて微粒化する高周波振動板5と、高周波
振動板5を高周波振動させる高周波振動発生器6と、気
化室2に接続され液体原料1を気化した原料ガス20を
CVD装置に輸送するための原料ガス輸送管7と、装置
の周囲に配置され装置全体を原料が変化しない範囲で最
高の温度に加熱する複数本の第1のヒータ21と、液体
原料1が変化しない範囲の最高の温度に加熱する複数本
の第2のヒータ22と、ノズル3を原料が変化しない範
囲の最高の温度に加熱する複数本の第3のヒータ23と
で構成されている。
The vaporizer shown in FIG. 1 is provided with a vaporizing chamber 2 as a space for vaporizing the liquid raw material 1, a nozzle 3 for turning the liquid raw material 1 into particles and injecting the liquid raw material 1 into the vaporizing chamber 2, and facing the nozzle 3. A high-frequency vibration plate 5 for applying high-frequency vibration to the liquid raw material particles 4 ejected from the nozzle 3 to atomize the liquid raw material particles 4, a high-frequency vibration generator 6 for high-frequency vibration of the high-frequency vibration plate 5, and a liquid raw material 1 connected to the vaporization chamber 2 And a plurality of first heaters 21 arranged around the apparatus for heating the entire apparatus to a maximum temperature within a range in which the raw material does not change. A plurality of second heaters 22 for heating the liquid raw material 1 to the highest temperature in a range where the raw material does not change; and a plurality of third heaters 23 for heating the nozzle 3 to the highest temperature in a range where the raw material does not change. Consists of

【0024】次に、上述した第1の実施の形態における
気化装置の動作について説明する。まず、図1に示すよ
うに、液体原料1は、ノズル3により粒子化されて液体
原料粒子4として気化室2内に噴射される。次に、ノズ
ル3から噴射された液体原料粒子4は、ノズル3に対向
して配置されている高周波振動板5に接触する。このと
き、高周波振動板5は高周波振動発生器6により高周波
振動をしており、この高周波振動が液体原料粒子4に加
えられることにより、液体原料粒子4はさらに小さい微
粒子に分割されて気化が行われ、液体原料1を気化した
原料ガス20は原料ガス輸送管7でCVD装置に輸送さ
れる。
Next, the operation of the vaporizer in the first embodiment will be described. First, as shown in FIG. 1, a liquid raw material 1 is formed into particles by a nozzle 3 and injected into a vaporization chamber 2 as liquid raw material particles 4. Next, the liquid raw material particles 4 ejected from the nozzle 3 come into contact with the high-frequency vibration plate 5 arranged to face the nozzle 3. At this time, the high-frequency vibration plate 5 is vibrating at a high frequency by the high-frequency vibration generator 6, and the high-frequency vibration is applied to the liquid raw material particles 4, whereby the liquid raw material particles 4 are divided into smaller fine particles and vaporized. The source gas 20 obtained by evaporating the liquid source 1 is transported to the CVD apparatus through the source gas transport pipe 7.

【0025】ここでいうノズルとは、液体を加圧して微
小な絞りから噴射することで液体を粒子化する一流体ス
プレーノズルであり、例えば、(株)いけうち等から市
販されているようなものをいう。以下に述べる実施の形
態においても、同様のノズルを用いるものとする。
The nozzle referred to here is a one-fluid spray nozzle which pressurizes the liquid and ejects it from a minute restrictor to form the liquid into particles. For example, a nozzle commercially available from Ikeuchi Co., Ltd. Say. Similar nozzles are used in the embodiments described below.

【0026】また、液体の気化は液体の表面から行われ
るが、気化の際には気化熱により液体の温度が下がるた
め、所定以上の大きさを持つ液体の場合には一部が気化
されなくなる。そこで、気化装置において原料ガス供給
量を大きくしようとする場合には、液体原料1の供給量
を大きくする必要があるが、液体原料1をそのまま供給
したのでは、上記の理由により一部が気化されずに残
る。
Further, the liquid is vaporized from the surface of the liquid, but the vaporization heat lowers the temperature of the liquid at the time of vaporization, so that in the case of a liquid having a predetermined size or more, a part of the liquid is not vaporized. . In order to increase the supply amount of the raw material gas in the vaporizer, it is necessary to increase the supply amount of the liquid raw material 1. However, if the liquid raw material 1 is supplied as it is, a part of the liquid raw material 1 is vaporized for the above-described reason. It remains without being.

【0027】これを解決するには、供給された液体原料
1の総体積に対する総表面積の比を大きくすればよく、
具体的には液体原料1をできるだけ小さい径の微粒子に
すればよい。これは、液体原料1の微粒化の際に、粒子
1個当たりの体積が径の3乗で減少するのに対して表面
積は2乗でしか減少しないことによるものである。気化
が行われるのは液体の表面であるから、各粒子の表面積
を合わせた総表面積の大きさが重要であり、微粒化する
ことで体積に対する表面積を増加させることができる。
To solve this problem, the ratio of the total surface area to the total volume of the supplied liquid raw material 1 may be increased.
Specifically, the liquid raw material 1 may be made into fine particles having a diameter as small as possible. This is because when the liquid raw material 1 is atomized, the volume per particle decreases by the cube of the diameter, whereas the surface area decreases only by the square. Since the vaporization is performed on the surface of the liquid, the size of the total surface area including the surface area of each particle is important, and the surface area with respect to the volume can be increased by atomization.

【0028】一般的に、液体を微粒化するにはノズルに
よる噴射が用いられる。しかし、ノズルによる微粒化の
場合、その供給量と得られる粒子の大きさはトレードオ
フの関係にある。そこで、供給量を大きくしようとする
とノズル径を大きくする必要があるため、得られる粒子
径も大きくなってしまい、やはり一部が気化されずに残
ることになる。また、ノズルを2つ並列に配置して気化
させても、同一の気化室内で行なうと、気化しない粒子
どうしの接触で粒子径が大きくなって表面積が減るた
め、気化量はそれほど増加しない。
Generally, spraying by a nozzle is used to atomize the liquid. However, in the case of atomization by a nozzle, the supply amount and the size of the obtained particles are in a trade-off relationship. Therefore, in order to increase the supply amount, it is necessary to increase the nozzle diameter, so that the obtained particle diameter also increases, and a part thereof remains without being vaporized. Further, even when two nozzles are arranged in parallel and vaporized, if the vaporization is performed in the same vaporization chamber, the particle diameter increases due to the contact between particles that do not vaporize and the surface area decreases, so that the vaporization amount does not increase so much.

【0029】液体を微粒化するには、粒子がちぎれて分
離するだけのエネルギーを与えてやればよい。しかし、
粒子径が小さくなればなるほど粒子を分割するのに必要
なエネルギーは大きくなる。そこで本発明では、微粒化
を2段階に分け、ノズル3によりある程度の大きさの微
粒子を作りだし、その微粒子にさらに所定のエネルギー
を加えてさらに小さい微粒子に分割して気化させること
を特徴としている。
In order to atomize the liquid, it suffices to give energy enough to break up and separate the particles. But,
The smaller the particle size, the greater the energy required to split the particles. Therefore, the present invention is characterized in that the atomization is divided into two stages, fine particles of a certain size are produced by the nozzle 3, and the fine particles are further applied with a predetermined energy to be divided into smaller particles and vaporized.

【0030】本第1の実施の形態では、液体原料粒子4
を高周波振動板5に接触させ、液体原料粒子4に高周波
振動を加えてさらに小さい微粒子に分割し、総表面積を
増大することによって供給された液体原料1の気化量を
増大させている。
In the first embodiment, the liquid raw material particles 4
Is brought into contact with a high-frequency vibrating plate 5 and high-frequency vibration is applied to the liquid raw material particles 4 to divide the liquid raw material particles 4 into smaller fine particles, thereby increasing the total surface area to increase the amount of vaporization of the supplied liquid raw material 1.

【0031】また、装置全体は、装置の周囲に配置した
第1のヒータ21により加熱し、液体原料1が気化する
際に気化熱が奪われることで気化量が少なくなってしま
うのと、装置壁面への結露や液化が生ずることを防止し
ている。ただし、液体原料1の種類によっては、低い温
度でも材料が析出する等の変化を起こすものがあるた
め、加熱温度は原料が変化しない範囲の最高の温度にす
る。
Further, the entire apparatus is heated by a first heater 21 disposed around the apparatus, and when the liquid material 1 is vaporized, the amount of vaporization is reduced due to deprivation of vaporization heat. Prevents condensation and liquefaction on the wall. However, depending on the type of the liquid raw material 1, a change such as deposition of the material may occur even at a low temperature. Therefore, the heating temperature is set to the highest temperature in a range where the raw material does not change.

【0032】さらに、液体原料1とノズル3も、それぞ
れ第2のヒータ22と第3のヒータ23とで原料が変化
しない範囲の最高の温度に加熱しておき、各気化室内に
噴射されるまでの間に液体原料1の温度が低下して気化
しにくくなるのを防止している。なお、液体原料1の露
点や装置の周りの環境温度によっては、第1、第2、第
3のヒータ21,22,23を、冷却も可能な温調ユニ
ットに変えて構成してもよい。
Further, the liquid raw material 1 and the nozzle 3 are also heated to the highest temperature in a range where the raw material does not change by the second heater 22 and the third heater 23, respectively, until they are injected into each vaporizing chamber. During this period, the temperature of the liquid raw material 1 is prevented from lowering and becoming less likely to evaporate. Note that, depending on the dew point of the liquid raw material 1 and the environmental temperature around the apparatus, the first, second, and third heaters 21, 22, and 23 may be changed to a temperature control unit capable of cooling.

【0033】また、気化された液体原料1の積極的な輸
送を行なうために、いわゆるキャリアガスを用いてもよ
い。ただし、液体原料1の気化量は飽和蒸気圧によって
制限を受け、キャリアガスを用いることで原料ガス20
の分圧が小さくなり原料ガス供給量が小さくなるため、
キャリアガスを用いる場合にはキャリアガスの供給量は
必要最小限にしておく。
A so-called carrier gas may be used to actively transport the vaporized liquid raw material 1. However, the amount of vaporization of the liquid raw material 1 is limited by the saturated vapor pressure, and by using a carrier gas,
Because the partial pressure of
When a carrier gas is used, the supply amount of the carrier gas is kept to a necessary minimum.

【0034】次に、本発明における第2の実施の形態に
ついて説明する。図2は第2の実施の形態を示す構成図
である。図2に示す気化装置は、液体原料1を気化させ
る空間としての気化室2と、液体原料1を粒子化して気
化室2内に噴射する第1のノズル8と、第1のノズル8
に対向して配置され、液体原料1を粒子化して気化室2
内に噴射し、第1のノズル8から噴射された液体原料粒
子4に衝突させる第2のノズル9と、気化室2に接続さ
れ液体原料1を気化した原料ガス20をCVD装置に輸
送するための原料ガス輸送管7と、装置の周囲に配置さ
れ装置全体を原料が変化しない範囲で最高の温度に加熱
する複数本の第1のヒータ21と、液体原料1が変化し
ない範囲の最高の温度に加熱する複数本の第2のヒータ
22と、第1のノズル8と第2のノズル9を原料が変化
しない範囲の最高の温度に加熱する複数本の第3のヒー
タ23とで構成されている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a configuration diagram showing the second embodiment. The vaporizing device shown in FIG. 2 includes a vaporizing chamber 2 as a space for vaporizing the liquid raw material 1, a first nozzle 8 that granulates the liquid raw material 1 and injects it into the vaporizing chamber 2, and a first nozzle 8
, And the liquid raw material 1 is turned into particles and vaporized.
And a second nozzle 9, which is jetted into the inside and collides with the liquid source particles 4 jetted from the first nozzle 8, and a source gas 20 connected to the vaporization chamber 2, which vaporizes the liquid source 1 and transports the source gas 20 to the CVD apparatus. A plurality of first heaters 21 arranged around the apparatus and heating the entire apparatus to the highest temperature in a range where the raw material does not change, and a highest temperature in a range where the liquid raw material 1 does not change And a plurality of third heaters 23 for heating the first nozzle 8 and the second nozzle 9 to the highest temperature in a range where the raw material does not change. I have.

【0035】図1に示した第1の実施の形態が、液体原
料粒子4の微粒化を高周波振動で行なうのに対して、本
第2の実施の形態では、液体原料粒子4の微粒化を液体
原料粒子4どうしの衝突により行なうことが特徴であ
り、この液体原料粒子4を微細化する部分以外は第1の
実施の形態と構成、動作とも同一であるため、以下には
第2の実施の形態による微粒化する部分についての動作
のみ説明する。
In the first embodiment shown in FIG. 1, the liquid material particles 4 are atomized by high frequency vibration, whereas in the second embodiment, the liquid material particles 4 are atomized. It is characterized in that it is performed by collision of the liquid raw material particles 4 and the configuration and operation are the same as those of the first embodiment except for the part where the liquid raw material particles 4 are miniaturized. Only the operation of the part to be atomized according to the above embodiment will be described.

【0036】まず、図2に示すように第1のノズル8で
気化室2内に液体原料1を粒子化して噴射するが、この
とき、同時に第1のノズル8と対向して配置した第2の
ノズル9からも気化室2内に液体原料1を粒子化して噴
射する。すると、2つのノズルは対向して配置されてい
るため、それぞれのノズルから噴射された液体原料粒子
4どうしが所定の速度をもって衝突し、この衝突によっ
て液体原料粒子4はさらに小さい微粒子に分割される。
First, as shown in FIG. 2, the liquid material 1 is formed into particles by the first nozzle 8 and injected into the vaporization chamber 2. At this time, the second material disposed at the same time as the first nozzle 8 is disposed. The liquid raw material 1 is also atomized and injected into the vaporization chamber 2 from the nozzle 9. Then, since the two nozzles are arranged to face each other, the liquid raw material particles 4 ejected from the respective nozzles collide with each other at a predetermined speed, and the collision divides the liquid raw material particles 4 into smaller fine particles. .

【0037】次に、本発明における第3の実施の形態に
ついて説明する。図3は第3の実施の形態を示す構成図
である。図3に示す気化装置は、液体原料1を気化させ
る空間としての第1の気化室32と、液体原料1を微粒
化して第1の気化室32内に所定量噴射する第1のノズ
ル33と、第1の気化室32で生成された原料ガス34
を次段に導く第1の導管35と、第1の導管35に接続
された原料ガス34の濃度を高める空間としての第2の
気化室36と、液体原料1を微粒化して第2の気化室3
6内に第1のノズル33の噴射量よりも少ない所定量を
噴射する第2のノズル37と、第2の気化室36で濃度
を高められた原料ガス34を次段に導く第2の導管38
と、第2の導管38に接続された原料ガス34の濃度を
高める空間としての第3の気化室39と、液体原料1を
微粒化して第3の気化室39内に第2のノズル37の噴
射量よりも少ない所定量を噴射する第3のノズル40と
を有する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a configuration diagram showing the third embodiment. The vaporizer shown in FIG. 3 includes a first vaporization chamber 32 as a space for vaporizing the liquid raw material 1, a first nozzle 33 for atomizing the liquid raw material 1 and injecting a predetermined amount into the first vaporization chamber 32. Source gas 34 generated in the first vaporization chamber 32
To the next stage, a second vaporization chamber 36 connected to the first conduit 35 as a space for increasing the concentration of the raw material gas 34, and the second vaporization by atomizing the liquid raw material 1. Room 3
A second nozzle 37 for injecting a predetermined amount smaller than the injection amount of the first nozzle 33 into the nozzle 6; and a second conduit for guiding the source gas 34 whose concentration has been increased in the second vaporization chamber 36 to the next stage. 38
A third vaporization chamber 39 as a space for increasing the concentration of the raw material gas 34 connected to the second conduit 38, and a second nozzle 37 inside the third vaporization chamber 39 by atomizing the liquid raw material 1. A third nozzle 40 for injecting a predetermined amount smaller than the injection amount.

【0038】そして、さらに第3の気化室39で濃度を
高められた原料ガス34をCVD装置に輸送する輸送管
41と、装置の周囲に配置され装置全体を原料が変化し
ない範囲の最高の温度に加熱する複数本の第1のヒータ
52と、液体原料1が変化しない範囲の最高の温度に加
熱する複数本の第2のヒータ53と、第1、第2、第3
のノズル33,37,40のそれぞれを原料が変化しな
い範囲の最高の温度に加熱する複数本の第3のヒータ5
4とで構成されている。
Further, a transport pipe 41 for transporting the source gas 34 whose concentration has been further increased in the third vaporization chamber 39 to the CVD apparatus, and a maximum temperature within a range where the raw material does not change and which is arranged around the apparatus and where the raw material does not change. A plurality of first heaters 52, a plurality of second heaters 53 for heating to a maximum temperature in a range where the liquid raw material 1 does not change, and a first, second, and third heater.
A plurality of third heaters 5 for heating each of the nozzles 33, 37, and 40 to the highest temperature in a range where the raw material does not change.
4.

【0039】次に、上述した本第3の実施の形態におけ
る気化装置の動作について、図3で説明する。まず、液
体原料1は、第1のノズル33により微粒化されて第1
の気化室32内に噴射され、気化が行われて原料ガス3
4となる。このとき、液体原料1の気化量は第1の気化
室32内の飽和蒸気圧によって制限を受け、原料ガス3
4の濃度は飽和蒸気圧で制限される値以上にはならない
ので、液体原料1が気化した原料ガス34の供給量を最
大にするには、原料ガス34の濃度を飽和蒸気圧で決ま
る最大値にすればよい。
Next, the operation of the vaporizer in the third embodiment will be described with reference to FIG. First, the liquid raw material 1 is atomized by the first nozzle 33 and
Is injected into the vaporization chamber 32 of the raw material gas 3 and is vaporized.
It becomes 4. At this time, the vaporization amount of the liquid raw material 1 is limited by the saturated vapor pressure in the first vaporization chamber 32, and the raw material gas 3
4 does not exceed the value limited by the saturated vapor pressure. Therefore, in order to maximize the supply amount of the raw material gas 34 in which the liquid raw material 1 is vaporized, the concentration of the raw material gas 34 is set to the maximum value determined by the saturated vapor pressure. What should I do?

【0040】そこで、本第3の実施の形態では、気化室
を多段にし、原料ガス34の濃度を飽和蒸気圧で決まる
最大値まで段階的に近づけるようにしている。すなわ
ち、第1の気化室32で生成された原料ガス34は、第
1の導管35を通って第2の気化室36に移動する。さ
らに、第2の気化室36内には、第2のノズル37によ
り微粒化された液体原料1が噴射され、気化が行われて
原料ガス34の濃度が高められる。
Therefore, in the third embodiment, the vaporization chamber is provided in multiple stages, and the concentration of the raw material gas 34 is made to gradually approach the maximum value determined by the saturated vapor pressure. That is, the source gas 34 generated in the first vaporization chamber 32 moves to the second vaporization chamber 36 through the first conduit 35. Further, the liquid material 1 atomized by the second nozzle 37 is injected into the second vaporization chamber 36, and is vaporized to increase the concentration of the raw material gas 34.

【0041】ただし、第2の気化室36に移動した原料
ガス34は、飽和蒸気圧までは達していなくても所定の
濃度を有しているため、第2の気化室36における気化
量は第1の気化室32における気化量よりも少ない。そ
こで、第2の気化室36の底部に未気化の液体原料1が
溜まる速度を小さくするために、第2のノズル37から
噴射する液体原料1の量を第1のノズル33から噴射す
る量よりも少なくしておく。
However, since the raw material gas 34 that has moved to the second vaporization chamber 36 has a predetermined concentration even if it does not reach the saturated vapor pressure, the vaporization amount in the second vaporization chamber 36 is It is smaller than the amount of vaporization in one vaporization chamber 32. Therefore, in order to reduce the speed at which the unvaporized liquid raw material 1 accumulates at the bottom of the second vaporization chamber 36, the amount of the liquid raw material 1 injected from the second nozzle 37 is made smaller than the amount injected from the first nozzle 33. Also reduce.

【0042】さらに、第2の気化室36で生成された原
料ガス34は、第2の導管38を通って第3の気化室3
9に移動する。さらに、第3の気化室39内には、第3
のノズル40により微粒化された液体原料1が噴射さ
れ、気化が行われて原料ガス34の濃度が高められる。
ただし、第3の気化室39に移動した原料ガス34は、
第1の気化室32で生成された原料ガス34の濃度より
もさらに高い濃度を有しているため、第3の気化室39
における気化量は第2の気化室36における気化量より
もさらに少ない。そこで、第3の気化室39の底部に未
気化の液体原料1が溜まる速度を小さくするために、第
3のノズル40から噴射する液体原料1の量は第2のノ
ズル37から噴射する量よりもさらに少なくしておく。
Further, the raw material gas 34 generated in the second vaporization chamber 36 passes through the second conduit 38 to the third vaporization chamber 3.
Go to 9. Further, the third vaporization chamber 39 has a third
The atomized liquid raw material 1 is ejected by the nozzle 40, and vaporization is performed to increase the concentration of the raw material gas 34.
However, the source gas 34 that has moved to the third vaporization chamber 39 is
The third vaporization chamber 39 has a higher concentration than the concentration of the source gas 34 generated in the first vaporization chamber 32.
Is smaller than the amount of vaporization in the second vaporization chamber 36. Therefore, in order to reduce the rate at which the unvaporized liquid material 1 accumulates at the bottom of the third vaporization chamber 39, the amount of the liquid material 1 ejected from the third nozzle 40 is smaller than the amount ejected from the second nozzle 37. Also keep it low.

【0043】以上の動作により、原料ガス34の濃度は
飽和蒸気圧で決まる最大値近くまで高められ、この濃度
が最大値近くになった原料ガス34が輸送管41でCV
D装置に輸送される。
With the above operation, the concentration of the raw material gas 34 is increased to near the maximum value determined by the saturated vapor pressure, and the raw material gas 34 having this concentration near the maximum value is transported by the transport pipe 41 to the CV.
Transported to D equipment.

【0044】また、装置全体は、装置の周囲に配置した
第1のヒータ52により加熱し、液体原料1が気化する
際に気化熱が奪われることで気化量が少なくなってしま
うのと、壁面への結露や液化を防止する。ただし、液体
原料1の種類によっては、低い温度でも材料が析出する
等の変化を起こすものがあるため、加熱温度は原料が変
化しない範囲の最高の温度にする。
Further, the entire apparatus is heated by a first heater 52 disposed around the apparatus, and when the liquid raw material 1 is vaporized, heat of vaporization is taken away, and the amount of vaporization is reduced. Prevent dew condensation and liquefaction. However, depending on the type of the liquid raw material 1, a change such as deposition of the material may occur even at a low temperature. Therefore, the heating temperature is set to the highest temperature in a range where the raw material does not change.

【0045】また、液体原料1と第1、第2、第3のノ
ズル33,37,40も、それぞれ第2のヒータ53と
第3のヒータ54とで原料が変化しない範囲の最高の温
度に加熱しておき、各気化室内に噴射されるまでの間に
液体原料1の温度が低下して気化しにくくなるのを防止
する。原料ガス34の濃度を段階的に高めるための気化
室とノズルの段数は、特に3段である必要はない。液体
原料1の飽和蒸気圧とノズルの噴射量および噴射粒径に
より、最適な段数にすればよい。
The liquid raw material 1 and the first, second, and third nozzles 33, 37, and 40 are also heated to the highest temperature in a range where the raw material does not change by the second heater 53 and the third heater 54, respectively. Heating is performed to prevent the temperature of the liquid raw material 1 from decreasing and becoming difficult to vaporize before being injected into each vaporization chamber. The number of vaporization chambers and nozzles for increasing the concentration of the source gas 34 stepwise need not be three in particular. The optimum number of stages may be determined based on the saturated vapor pressure of the liquid raw material 1, the injection amount of the nozzle, and the injection particle size.

【0046】また、気化された液体原料1の積極的な輸
送を行なうために、いわゆるキャリアガスを用いてもよ
い。ただし、液体原料1の気化量は飽和蒸気圧によって
制限を受け、キャリアガスを用いることで原料ガス34
の分圧が小さくなり原料ガス供給量が少なくなるため、
キャリアガスを用いる場合にはキャリアガスの供給量を
必要最小限にしておく。
In order to positively transport the vaporized liquid material 1, a so-called carrier gas may be used. However, the amount of vaporization of the liquid raw material 1 is limited by the saturated vapor pressure, and by using a carrier gas,
Because the partial pressure of
When a carrier gas is used, the supply amount of the carrier gas is kept to a necessary minimum.

【0047】次に、本発明における第4の実施の形態に
ついて説明する。図4は第4の実施の形態を示す構成図
である。図4に示す気化装置は、図3で示した第3の実
施の形態における各気化室の底部に、第1、第2、第3
の超音波振動板42,43,44をそれぞれ配置し、各
気化室の底部に溜まった未気化の液体原料31に超音波
振動を加え、再度微粒化して気化させることを特徴とす
る気化装置であり、第1〜第3の超音波振動板42〜4
4以外は第3の実施の形態と構成、動作も同一であるた
め、以下には第1〜第3の超音波振動板42〜44につ
いてのみその動作を説明する。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a configuration diagram showing the fourth embodiment. The vaporizer shown in FIG. 4 includes first, second, and third components at the bottom of each vaporizer in the third embodiment shown in FIG.
The ultrasonic vibrating plates 42, 43, and 44 are arranged respectively, and ultrasonic vibration is applied to the unvaporized liquid raw material 31 accumulated at the bottom of each vaporizing chamber, and the liquid raw material 31 is again atomized and vaporized. Yes, first to third ultrasonic vibration plates 42 to 4
Since the configuration and operation of the third embodiment are the same as those of the third embodiment except for the fourth embodiment, only the operation of the first to third ultrasonic vibration plates 42 to 44 will be described below.

【0048】まず、第3の実施の形態で説明したように
各ノズルから噴射された液体原料1は、供給量が多くな
るとそのすべてが気化されず、気化されなかった未気化
液体原料31は第1,第2、第3の気化室32,36,
39の底部に溜まることになる。そこで、本第4の実施
の形態では、図4に示すように、各気化室の底部に溜ま
った未気化液体原料31にそれぞれ第1〜第3の超音波
振動板42〜44によって超音波振動を加え、液体原料
1を再度微粒化して気化させることで、原料ガス34の
濃度を最大値にする速度を大きくしている。
First, as described in the third embodiment, when the supply amount is large, the liquid raw material 1 injected from each nozzle is not entirely vaporized, and the unvaporized liquid raw material 31 that has not been vaporized is replaced with the first. 1, second and third vaporization chambers 32, 36,
It will collect at the bottom of 39. Therefore, in the fourth embodiment, as shown in FIG. 4, the un-evaporated liquid raw material 31 accumulated at the bottom of each vaporization chamber is subjected to ultrasonic vibration by the first to third ultrasonic vibration plates 42 to 44, respectively. Is added and the liquid raw material 1 is again atomized and vaporized, thereby increasing the speed at which the concentration of the raw material gas 34 is maximized.

【0049】次に、本発明における第5の実施の形態に
ついて説明する。図5は第5の実施の形態を示す構成図
である。図5に示す気化装置は、図4に示した第4の実
施の形態における第1〜第3の超音波振動板42〜44
の代わりに、各気化室32,36,39の底部に第1、
第2、第3の加熱板45,46,47をそれぞれ配置
し、各気化室の底部に溜まった未気化の液体原料31
を、原料が変化しない範囲で最高の温度に加熱して気化
させることを特徴とする気化装置であり、第1〜第3の
加熱板45〜47以外は、第4の実施の形態と構成、動
作とも同一であるため、以下には第1〜第3の加熱板4
5〜47についてのみその動作を説明する。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a configuration diagram showing the fifth embodiment. The vaporizer shown in FIG. 5 is similar to the first to third ultrasonic vibrating plates 42 to 44 in the fourth embodiment shown in FIG.
Instead of the first, at the bottom of each vaporization chamber 32, 36, 39
The second and third heating plates 45, 46 and 47 are respectively disposed, and the unvaporized liquid raw material 31 accumulated at the bottom of each vaporization chamber is provided.
Is a vaporizer characterized by heating and vaporizing to the highest temperature in a range where the raw material does not change, except for the first to third heating plates 45 to 47, the fourth embodiment and the configuration, Since the operation is the same, the first to third heating plates 4 will be described below.
The operation of only 5 to 47 will be described.

【0050】まず、第4の実施の形態では、各気化室の
底部に溜まった未気化液体原料31に超音波振動を加え
て再度微粒化し、気化させることで原料ガス34の濃度
を最大値にする速度を大きくしているのにたいし、本第
5の実施の形態では、図5に示すように、各気化室の底
部に溜まった未気化液体原料31を第1〜第3の加熱板
45〜47により加熱して気化させることによって、原
料ガス34の濃度を最大値にする速度を大きくしてい
る。なお、液体原料1の種類によっては、低い温度でも
材料が析出する等の変化を起こすものがあるため、第1
〜第3の加熱板45〜47による加熱温度は、原料が変
化しない範囲で最高の温度になるように設定する。
First, in the fourth embodiment, the unvaporized liquid raw material 31 collected at the bottom of each vaporizing chamber is again subjected to ultrasonic vibration to be atomized again and vaporized, so that the concentration of the raw material gas 34 is maximized. However, in the fifth embodiment, as shown in FIG. 5, the unvaporized liquid raw material 31 accumulated at the bottom of each vaporization chamber is removed by the first to third heating plates. By heating and vaporizing by 45 to 47, the speed at which the concentration of the source gas 34 is maximized is increased. It should be noted that, depending on the type of the liquid raw material 1, a change such as deposition of the material occurs even at a low temperature.
The heating temperature of the third to fourth heating plates 45 to 47 is set to be the highest temperature in a range where the raw material does not change.

【0051】次に、本発明における第6の実施の形態に
ついて説明する。図6は第6の実施の形態を示す構成図
である。図6に示す気化装置は、図4に示した第4の実
施の形態における第1〜第3の超音波振動板42〜44
と、図5に示した第5の実施の形態における第1〜第3
の加熱板45〜47とを同時に備え、第4の実施の形態
における超音波振動板を用いた再微粒化による気化と、
第5の実施の形態における加熱による気化との2つを併
用したことを特徴とする気化装置であり、第1〜第3の
超音波振動板42〜44および第1〜第3の加熱板45
〜47を短冊状にして底部平面内に複数交互に配置した
ものである。その動作としては、第4の実施の形態と第
5の実施の形態との併用になっているものであるため、
特に説明はしない。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a configuration diagram showing the sixth embodiment. The vaporizer shown in FIG. 6 is similar to the first to third ultrasonic vibrating plates 42 to 44 in the fourth embodiment shown in FIG.
And the first to third parts in the fifth embodiment shown in FIG.
And heating plates 45 to 47 at the same time, and vaporization by re-atomization using the ultrasonic vibration plate in the fourth embodiment,
It is a vaporization apparatus characterized by using both of the vaporization by heating in the fifth embodiment and the first to third ultrasonic vibration plates 42 to 44 and the first to third heating plates 45.
47 are formed in a strip shape and a plurality of them are alternately arranged in the bottom plane. Since the operation is a combination of the fourth embodiment and the fifth embodiment,
No particular description is given.

【0052】なお、第1〜第3の超音波振動板42〜4
4と第1〜第3の加熱板45〜47との配置について
は、本実施の形態のように短冊状として平面内に複数交
互に配置するほか、同心円状に複数交互に配置してもよ
く、さらに格子状に複数交互に配置してもよい。
The first to third ultrasonic vibrating plates 42 to 4
Regarding the arrangement of 4 and the first to third heating plates 45 to 47, a plurality of strips may be alternately arranged in a plane as in the present embodiment, or a plurality of alternately arranged concentrically. , And a plurality of them may be alternately arranged in a grid pattern.

【0053】また、第1〜第3の超音波振動板42〜4
4および第1〜第3の加熱板45〜47を積み重ねるよ
うに配置して、第1〜第3の超音波振動板42〜44を
通して加熱したり、第1〜第3の加熱板45〜47を通
して超音波振動を加えてもよい。要は、各気化室の底部
に溜まった未気化液体原料31に超音波振動を加えて再
度微粒化し気化させる動作と、各気化室の底部に溜まっ
た未気化液体原料31を加熱して気化させる動作とを併
用することができる配置であればよい。
The first to third ultrasonic vibration plates 42 to 4
4 and the first to third heating plates 45 to 47 are arranged so as to be stacked and heated through the first to third ultrasonic vibration plates 42 to 44 or the first to third heating plates 45 to 47. Ultrasonic vibration may be applied through the In short, the operation of applying ultrasonic vibration to the unvaporized liquid raw material 31 stored at the bottom of each vaporization chamber to atomize and vaporize again, and heating the unvaporized liquid raw material 31 stored at the bottom of each vaporization chamber to vaporize it. Any arrangement can be used as long as the arrangement can be used together with the operation.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明の気化装
置は、液体原料そのものを超音波霧化素子により霧化し
て所定温度のキャリアガスの旋回流による加熱によって
気化を行なう代わりに、ノズルにより液体原料を微粒化
した後、所定のエネルギーを加えてさらに小さい微粒子
に分割して気化を行なうため、液体原料の総表面積が増
大することにより供給された液体原料の気化量を増大さ
せるので、原料ガス供給量を大きくできるという効果が
ある。
As described above, the vaporizing apparatus of the present invention uses a nozzle instead of atomizing a liquid raw material by an ultrasonic atomizing element and vaporizing the liquid raw material by a swirling flow of a carrier gas at a predetermined temperature. After atomizing the liquid raw material by applying predetermined energy and dividing it into smaller fine particles for vaporization, since the total surface area of the liquid raw material is increased, the amount of vaporization of the supplied liquid raw material is increased. There is an effect that the supply amount of the source gas can be increased.

【0055】また、本発明の気化装置は、ノズルから噴
出された液体原料を希釈ガスの流れにより微粒化して気
化を行なう代わりに、気化室とノズルを多段にし、原料
ガスの濃度を段階的に飽和蒸気圧で決まる最大値にする
ため、原料ガス供給量を大きくできるという効果があ
る。
In the vaporizer of the present invention, instead of performing the vaporization by atomizing the liquid raw material ejected from the nozzle by the flow of the diluent gas, the vaporization chamber and the nozzle are provided in multiple stages, and the concentration of the raw material gas is gradually increased. Since the maximum value is determined by the saturated vapor pressure, there is an effect that the supply amount of the source gas can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の気化装置における第1の実施の形態を
示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of a vaporizer according to the present invention.

【図2】本発明の気化装置における第2の実施の形態を
示す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of the vaporizer according to the present invention.

【図3】本発明の気化装置における第3の実施の形態を
示す構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram showing a third embodiment of the vaporization device of the present invention.

【図4】本発明の気化装置における第4の実施の形態を
示す構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of the vaporization device of the present invention.

【図5】本発明の気化装置における第5の実施の形態を
示す構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of the vaporization device of the present invention.

【図6】本発明の気化装置における第6の実施の形態を
示す構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a sixth embodiment of the vaporization device of the present invention.

【図7】従来の気化装置の一例を示す構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram illustrating an example of a conventional vaporizer.

【図8】従来の気化装置における他の例を示す構成図で
ある。
FIG. 8 is a configuration diagram showing another example of a conventional vaporizer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液体原料 2 気化室 3 ノズル 4 液体原料粒子 5 高周波振動板 6 高周波振動発生器 7 原料ガス輸送管 8 第1のノズル 9 第2のノズル 13 球形気化室 14 液体原料供給管 15 超音波霧化素子 16 キャリアガス 17 キャリアガス供給管 18 バッファタンク 20 原料ガス 21 第1のヒータ 22 第2のヒータ 23 第3のヒータ 31 未気化液体原料 32 第1の気化室 33 第1のノズル 34 原料ガス 35 第1の導管 36 第2の気化室 37 第2のノズル 38 第2の導管 39 第3の気化室 40 第3のノズル 41 輸送管 42 第1の超音波振動板 43 第2の超音波振動板 44 第3の超音波振動板 45 第1の加熱板 46 第2の加熱板 47 第3の加熱板 48 第4の気化室 49 第4のノズル 50 希釈ガス 51 希釈ガス供給管 52 第1のヒータ 53 第2のヒータ 54 第3のヒータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid raw material 2 Vaporization chamber 3 Nozzle 4 Liquid raw material particle 5 High frequency vibration plate 6 High frequency vibration generator 7 Raw material gas transport pipe 8 First nozzle 9 Second nozzle 13 Spherical vaporization chamber 14 Liquid raw material supply pipe 15 Ultrasonic atomization Element 16 Carrier gas 17 Carrier gas supply pipe 18 Buffer tank 20 Source gas 21 First heater 22 Second heater 23 Third heater 31 Unvaporized liquid raw material 32 First vaporization chamber 33 First nozzle 34 Raw material gas 35 1st conduit 36 2nd vaporization room 37 2nd nozzle 38 2nd conduit 39 3rd vaporization room 40 3rd nozzle 41 transportation pipe 42 1st ultrasonic vibration plate 43 2nd ultrasonic vibration plate 44 third ultrasonic vibration plate 45 first heating plate 46 second heating plate 47 third heating plate 48 fourth vaporization chamber 49 fourth nozzle 50 dilution gas 51 dilution gas Supply pipe 52 first heater 53 second heater 54 third heater

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液体原料を気化させて生成した原料ガス
をCVD装置に供給するための気化装置において、液体
原料を気化させるための気化室と、液体原料を粒子化し
て気化室内に噴射するノズルと、ノズルから噴射された
液体原料粒子に所定のエネルギーを加えてさらに小さい
微粒子に分割して気化させる微粒化部とで構成されてい
ることを特徴とする気化装置。
1. A vaporizer for vaporizing a liquid raw material and supplying a raw material gas generated by vaporizing the liquid raw material to a CVD apparatus, a vaporizing chamber for vaporizing the liquid raw material, and a nozzle for granulating the liquid raw material and injecting the liquid raw material into the vaporizing chamber. And an atomizing unit for applying predetermined energy to liquid raw material particles ejected from a nozzle to divide the liquid raw material particles into smaller fine particles and vaporize the fine particles.
【請求項2】 上記微粒化部は、ノズルに対向して配置
された高周波振動板を含んで構成され、液体原料粒子の
微粒化を高周波振動により行なうことを特徴とする請求
項1記載の気化装置。
2. The vaporizer according to claim 1, wherein the atomizing section includes a high-frequency vibrating plate disposed to face the nozzle, and performs the atomization of the liquid raw material particles by high-frequency vibration. apparatus.
【請求項3】 上記微粒化部は、それぞれ対向して配置
された液体原料を粒子化して気化室内に噴射する2つの
ノズルを含んで構成され、液体原料粒子の微粒化を液体
原料粒子どうしの衝突により行なうことを特徴とする請
求項1記載の気化装置。
3. The atomization section includes two nozzles for atomizing liquid raw materials disposed opposite to each other and injecting them into a vaporization chamber, and atomizes the liquid raw material particles between the liquid raw material particles. The vaporizer according to claim 1, wherein the vaporization is performed by collision.
【請求項4】 上記気化装置は、装置の周囲に配置した
複数本のヒータを含んで構成され、装置全体を原料が変
化しない範囲の最高の温度に加熱して、液体原料が気化
する際に気化熱が奪われることによる気化量の減少、な
らびに装置壁面への結露や液化を防止することを特徴と
する請求項1記載の気化装置。
4. The vaporization apparatus includes a plurality of heaters disposed around the apparatus, and heats the entire apparatus to the highest temperature in a range where the raw material does not change, so that the liquid raw material is vaporized. 2. The vaporizer according to claim 1, wherein a reduction in the amount of vaporization due to deprivation of vaporization heat, and dew condensation and liquefaction on the apparatus wall are prevented.
【請求項5】 上記気化装置は、ノズルの周囲に配置し
た複数本のヒータを含んで構成され、液体原料とノズル
を原料が変化しない範囲の最高の温度に加熱して、液体
原料が気化室内に噴射されるまでの間に温度が低下して
気化しにくくなるのを防止することを特徴とする請求項
1記載の気化装置。
5. The vaporizer includes a plurality of heaters arranged around the nozzle, and heats the liquid raw material and the nozzle to the highest temperature in a range where the raw material does not change, so that the liquid raw material is heated in the vaporization chamber. 2. The vaporizing apparatus according to claim 1, wherein the temperature is prevented from being reduced by the time before the liquid is injected into the fuel cell.
【請求項6】 液体原料を気化させて生成した原料ガス
をCVD装置に供給するための気化装置において、液体
原料を微粒化して気化室内に噴射するノズルをそれぞれ
備えた前記気化室を複数段に配置してそれぞれを導管で
接続し、液体原料の気化量を段階的に飽和蒸気圧で決ま
る最大値にすることを特徴とする気化装置。
6. A vaporizer for supplying a raw material gas generated by vaporizing a liquid raw material to a CVD apparatus, wherein the vaporization chambers each having a nozzle for atomizing the liquid raw material and jetting the liquid raw material into the vaporization chamber are provided in a plurality of stages. A vaporizer, wherein the vaporizers are arranged and connected by conduits, and a vaporization amount of the liquid raw material is gradually increased to a maximum value determined by a saturated vapor pressure.
【請求項7】 上記気化装置における複数の気化室の底
部にそれぞれ超音波振動板を配置し、各気化室の底部に
溜まった未気化の液体原料に超音波振動を加え、再度微
粒化して気化させることを特徴とする請求項6記載の気
化装置。
7. An ultrasonic vibration plate is arranged at the bottom of each of a plurality of vaporization chambers in the vaporization apparatus, and ultrasonic vibration is applied to the unvaporized liquid raw material accumulated at the bottom of each vaporization chamber to atomize again to vaporize. The vaporizer according to claim 6, wherein the vaporization is performed.
【請求項8】 上記気化装置における複数の気化室の底
部にはそれぞれ加熱板を配置し、各気化室の底部に溜ま
った未気化の液体原料を、原料が変化しない範囲で最高
の温度に加熱して気化させることを特徴とする請求項6
記載の気化装置。
8. A heating plate is arranged at the bottom of each of the plurality of vaporization chambers in the vaporizer, and heats the unvaporized liquid raw material collected at the bottom of each vaporization chamber to the highest temperature within a range where the raw material does not change. 7. The method of claim 6, further comprising:
A vaporizer as described.
【請求項9】 上記気化装置における複数の気化室の各
底部に、超音波振動板と加熱板とを平面内に複数交互に
配置し、超音波振動板を用いた再微粒化による気化と、
加熱板の加熱による気化との2つを併用したことを特徴
とする請求項6記載の気化装置。
9. A plurality of ultrasonic vibrating plates and heating plates are alternately arranged in a plane at each bottom of a plurality of vaporizing chambers in the vaporizing apparatus, and vaporization by re-atomization using the ultrasonic vibrating plate;
7. The vaporizer according to claim 6, wherein the vaporizer is heated by heating the heating plate.
【請求項10】 上記気化装置において、複数段の装置
全体を原料が変化しない範囲の最高の温度にヒータで加
熱し、液体原料が気化する際に気化熱が奪われることに
よる気化量の減少、ならびに装置壁面への結露や液化を
防止することを特徴とする請求項6記載の気化装置。
10. In the vaporizer, the entire apparatus in a plurality of stages is heated by a heater to a maximum temperature within a range in which the raw material does not change, and a reduction in the amount of vaporization due to deprivation of heat of vaporization when the liquid raw material is vaporized; The vaporizer according to claim 6, wherein dew condensation and liquefaction on the apparatus wall are prevented.
【請求項11】 上記気化装置において、液体原料およ
び複数段の各ノズルを、それぞれ原料が変化しない範囲
の最高の温度にヒータで加熱し、各気化室内に噴射され
るまでの間に液体原料の温度が低下して気化しにくくな
るのを防止することを特徴とする請求項6記載の気化装
置。
11. In the vaporizer, the liquid raw material and each of the nozzles in a plurality of stages are heated by a heater to a maximum temperature within a range in which the raw material does not change, and the liquid raw material is jetted into each vaporizing chamber until the liquid raw material is injected into each vaporizing chamber. 7. The vaporizer according to claim 6, wherein the temperature is prevented from lowering to make it difficult to vaporize.
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