DE102006026576A1 - Apparatus and method for evaporating a powdery organic starting material - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, wobei das organische Material als pulverförmiger Ausgangsstoff (10) vorliegt, der bei einer Temperatur, die unterhalb der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle liegt, in einem Vorratsbehälter (1) bevorratet wird, von wo aus er dosiert in eine Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird, wo er zufolge Wärmezufuhr verdampft. Um das eingangs genannte Verfahren bzw. die eingangs genannte Vorrichtung zum Aufdampfen eines pulverförmigen Materials zu verbessern, insbesondere die Dampferzeugungsrate zu erhöhen, wird vorgeschlagen, dass der pulverförmige Ausgangsstoff (10) von einem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird und die Wärmezufuhr durch Aufheizen des Trägergases erfolgt.The invention relates to a method for coating a surface of a substrate (17) with an organic material, wherein the organic material is present as a powdery starting material (10) which is at a temperature which is below the decomposition temperature of the organic material forming molecules in one Reservoir (1) is stored, from where it is metered into an evaporation device (2), where it evaporates due to heat supply. In order to improve the method mentioned at the outset or the device for evaporating a pulverulent material mentioned above, in particular to increase the steam generation rate, it is proposed that the pulverulent starting material (10) is brought into the evaporation device (2) by a carrier gas and the heat is supplied Heating the carrier gas takes place.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates mit einem organischen Material, wobei das organische Material als pulverförmiger Ausgangsstoff vorliegt, der bei einer Temperatur, die unterhalb der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle liegt, in einem Vorratsbehälter bevorratet wird, von wo aus er dosiert in eine Verdampfungseinrichtung gebracht wird, wo er zufolge Wärmezufuhr verdampft.The The invention relates to a method for coating a surface of a Substrates with an organic material, wherein the organic material as powdered Starting material is present at a temperature below the decomposition temperature of the molecules forming the organic material, in a storage container is stored, from where he dosed in an evaporation device is brought where he says heat input evaporated.

Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates mit einem organischen Material, mit einem Vorratsbehälter, in welchem das aus einem Pulver bestehende organische Material bei einer Temperatur unter der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle bevorratet ist, mit einer Einrichtung zum Einbringen des Pulvers in eine Verdampfungseinrichtung, wo das Pulver durch Wärmezufuhr verdampft.The The invention further relates to a device for coating a surface a substrate with an organic material, with a reservoir, in in which the existing of a powder organic material a temperature below the decomposition temperature of the organic Material-forming molecules stocked with a means for introducing the powder in an evaporation device, where the powder by heat evaporated.

Ein gattungsgemäßes Verfahren bzw. eine gattungsgemäße Vorrichtung ist aus der US 2005/0208220 A1 vorbekannt. Diese Schrift beschreibt eine Vakuumbeschichtungseinrichtung mit einem Vorratsbehälter für einen pulverförmigen organischen Ausgangsstoff. Bei dem Ausgangsstoff handelt es sich um sog. "Small Molecules", die zur Herstellung von organischen lichtemittierenden Dioden (OLED) verwendet werden. Das Ausgangsmaterial liegt dort in Pulverform vor. Die Moleküle besitzen eine geringe Temperaturstabilität. Sie werden im Vorratsbehälter bei einer Temperatur gelagert, die deutlich unterhalb der Zerlegungstemperatur dieser Moleküle liegt. Es ist eine Einrichtung vorgesehen, mit der die Pulverteilchen in einen fließfähigen Zustand gebracht werden. Der Stand der Technik nennt hierzu Vibrationsmittel oder überkritische Koh lensäure. Mit dieser Einrichtung wird das Pulver durch eine Leitung in einen Verdampfer gebracht, in dem sich eine Fritte befindet, die beheizt ist. Die Pulverteilchen treten in Kontakt mit den Wänden dieses porösen Materials, um dort zu verdampfen. Der verdampfte Ausgangsstoff wird dann in eine Prozesskammer eines Reaktors geleitet, wo die kleinen Moleküle auf einer Substratoberfläche kondensieren. Bei allen anderen bekannten Vorrichtungen ist die Rate zur Dampferzeugung durch die Kontaktoberfläche begrenzt. Der Dampf wird nur dort erzeugt, wo die erforderliche Wärme auf das Pulverteilchen übertragen wird. Bei einer Vakuumvorrichtung ist dies die Oberfläche eines geheizten Körpers. Es handelt sich hier um eine die Verdampfungsrate begrenzende Fläche.A generic method or a generic device is from the US 2005/0208220 A1 previously known. This document describes a vacuum coating device with a reservoir for a powdery organic starting material. The starting material is a so-called "small molecule", which are used for the production of organic light-emitting diodes (OLED). The starting material is present there in powder form. The molecules have a low temperature stability. They are stored in the reservoir at a temperature which is well below the decomposition temperature of these molecules. A device is provided with which the powder particles are brought into a flowable state. The state of the art calls for this vibration or supercritical Koh acid. With this device, the powder is brought through a line in an evaporator, in which there is a frit, which is heated. The powder particles come into contact with the walls of this porous material to evaporate there. The vaporized feedstock is then passed into a process chamber of a reactor where the small molecules condense on a substrate surface. In all other known devices, the rate of vapor generation through the contact surface is limited. The steam is generated only where the required heat is transferred to the powder particle. In a vacuum device, this is the surface of a heated body. This is an area limiting the evaporation rate.

Aus der DE 100 57 491 A1 ist eine Vorrichtung und ein Verfahren bekannt, bei dem mittels einer pulsierend arbeitenden Einspritzdüse ein flüssiger Ausgangsstoff in ein Gasvolumen eingebracht wird. Die Tröpfchen des dabei entstandenen Aerosols sollen verdampfen, wobei die Verdampfungswärme der Wärme des Trägergases entzogen wird.From the DE 100 57 491 A1 a device and a method is known in which by means of a pulsating injector, a liquid starting material is introduced into a gas volume. The droplets of the resulting aerosol should evaporate, the heat of vaporization being removed from the heat of the carrier gas.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs genannten Verfahren bzw. die eingangs genannte Vorrichtung zum Aufdampfen eines pulverförmigen Materials zu verbessern. Insbesondere ist vorgesehen, die Dampferzeugungsrate zu erhöhen.Of the Invention is based on the object, the aforementioned method or the device mentioned above for evaporating a powdery material to improve. In particular, it is provided, the steam generation rate to increase.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei jeder Anspruch eine eigenständige Lösung der Aufgabe darstellt und mit jedem anderen Anspruch kombinierbar ist.Is solved the object by the invention specified in the claims, Each claim is an independent solution to the problem and can be combined with any other claim.

Es ist zunächst und im Wesentlichen vorgesehen, dass der pulverförmige Ausgangsstoff von einem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung gebracht wird und die Wärmezufuhr durch Aufheizen des Trägergases erfolgt. Hierzu besitzt der Vorratsbehälter eine Gaszuleitung zum dosierten Einbringen eines Trägergases. Innerhalb des Vorratsbehälters befindet sich eine Einmischeinrichtung zum Einbringen des Pulvers in den Trägergasstrom. Das Pulvergasgemisch wird über eine Verbindungsleitung in die Verdampfungskammer geleitet. Diese besitzt Heizflächen zum Aufheizen des in die Verdampfungseinrichtung gebrachten, das Pulver tragenden Gases. Es ist ferner vorgesehen, dass mittelst einer weiteren Zuleitung ein zweites Trägergas in die Verdampfungskammer eingeleitet wird. Dieses Trägergas kann vorgeheizt sein, um so die erforderliche Wärme zur Verfügung zu stellen, mit der die das Pulver bildenden Festkörper verdampft werden. Die zur Verdampfung erforderliche Energie kann aber auch über die Wände der Verdampfungseinrichtung dem sich in der Verdampfungseinrichtung befindenden Gas zugeführt werden. Die Verdampfung der Partikel erfolgt im Wesentlichen kontaktfrei zu den Wänden. Der Wärmetransport von den Wänden der Verdampfungseinrichtung zu den Pulverteilchen erfolgt im Wesentlichen über Molekularbewegung. Die Pulverteilchen können einen Durchmesser von weniger als 10 μm besitzen. Bevorzugt beträgt der Durchmesser der Pulverteilchen etwa 5 μm. Um ein frei im Raum schwebendes Pulver von Molekülen zu erzeugen, muss in der Verdampfungskammer ein gasartiger Zustand bestehen. Dies bedeutet, dass die freie Weglänge der darin sich befindenden Moleküle deutlich geringer ist als der Wandabstand, damit durch eine ausreichend hohe Molekülkollisionszahl der erforderliche Wärmetransport stattfinden kann. Der Druck sollte deshalb größer als 0,1 mbar betragen. Es reicht aus, wenn der Druck 10 mbar beträgt. Der Prozess wird bevorzugt bei einem Druck von 1 bzw. 0,9 mbar durchgeführt. Die Dosierung des Trägergases erfolgt bevorzugt mittels eines Massenflussreglers. Innerhalb der Verbindungsleitung kann sich ein Dosierventil befinden. Es kann sich um ein Auf-/Zu-Ventil handeln. Die Verdampfungseinrichtung ist ein Volumen mit geheizten Wänden. Es kann sich um eine Stahlkammer handeln, die ein Volumen von um die 500 ml besitzt. Die Form ist bevorzugt die eines Zy linders. An seiner einen Stirnseite ist der Zylinder mit der Verbindungsleitung zum Vorratsbehälter verbunden. Dort mündet auch eine Zuleitung für ein weiteres Trägergas. Die dieser Stirnseite gegenüberliegende Stirnseite ist mit einer Ableitung verbunden, durch die das Trägergas und der darin gelöste Dampf des Ausgangsstoffes in ein Gaseinlassorgan transportiert werden. Das Gaseinlassorgan befindet sich in einem Beschichtungsreaktor. Bevorzugt ist das Gaseinlassorgan als "Showerhead" ausgebildet. Dieser besitzt einer Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen, die einem Substrat gegenüberliegen, das beschichtet werden soll. Auf der Oberfläche des Substrates kondensieren die Moleküle des organischen Ausgangsstoffes zu einer Schicht, um so organische Halbleiterbauelemente und insbesondere Leuchtdioden herzustellen. Es können unterschiedlich dotierte Schichten aufeinander abgeschieden werden.It is initially and essentially provided that the powdery starting material is brought from a carrier gas into the evaporation device and the heat is supplied by heating the carrier gas. For this purpose, the reservoir has a gas supply line for the metered introduction of a carrier gas. Within the reservoir is a mixing device for introducing the powder into the carrier gas stream. The powder gas mixture is passed through a connecting line in the evaporation chamber. This has heating surfaces for heating the brought into the evaporation device, the powder-bearing gas. It is further provided that by means of a further supply line, a second carrier gas is introduced into the evaporation chamber. This carrier gas may be preheated so as to provide the required heat at which the solids forming the powder are vaporized. However, the energy required for evaporation can also be supplied via the walls of the evaporation device to the gas located in the evaporation device. The evaporation of the particles takes place substantially contact-free to the walls. The heat transport from the walls of the evaporation device to the powder particles takes place essentially via molecular movement. The powder particles may have a diameter of less than 10 microns. Preferably, the diameter of the powder particles is about 5 microns. To create a free-floating powder of molecules, a gaseous state must exist in the vaporization chamber. This means that the free path of the molecules located therein is significantly smaller than the wall distance, so that a sufficiently high molecular collision number of the required heat transfer can take place. The pressure should therefore be greater than 0.1 mbar. It is sufficient if the pressure is 10 mbar. The process is preferably carried out at a pressure of 1 or 0.9 mbar. The dosage of the carrier gas is preferably carried out by means of a mass flow controller. Within the verbin There may be a dosing valve. It can be an on / off valve. The evaporation device is a volume with heated walls. It can be a steel chamber with a volume of around 500 ml. The shape is preferably that of a cylinder. At its one end, the cylinder is connected to the connecting line to the reservoir. There also opens a supply line for another carrier gas. The front side opposite this end face is connected to a discharge line through which the carrier gas and the dissolved therein vapor of the starting material are transported in a gas inlet member. The gas inlet member is located in a coating reactor. Preferably, the gas inlet member is designed as a "showerhead". This has a plurality of gas outlet openings, which are opposite to a substrate to be coated. On the surface of the substrate, the molecules of the organic starting material condense to form a layer so as to produce organic semiconductor components and in particular light-emitting diodes. Different doped layers can be deposited on each other.

Das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die erfindungsgemäße Vorrichtung ist in der Lage, einen vergrößerten Mengendurchsatz zu verwirklichen. Hierdurch kann die Depositionsrate gesteigert werden. Die Depositionsrate hängt im Wesentlichen von dem Verhältnis aus verdampfender Oberfläche zur zu beschichtenden Oberfläche ab. Diese geometrische Limitierung liegt auch beim erfindungsgemäßen Verfahren vor. Die Oberfläche des zu verdampfenden Ausgangsstoffes wird allerdings dadurch drastisch erhöht, dass diese von den Oberflächen der frei im Gas schwebenden Pulverpartikel gebildet ist, welche deutlich größer ist als vorbekannte Vorrichtungen ergeben. Der "quasi kalte" Stoff, der sich im Vorratsbehälter befindet, wird bevorzugt mittelst einer Ultraschalleinrichtung "aufgewirbelt". Diese "Aufwirbelung" des Pulvers kann aber auch durch eine turbulente, mitreißende Strömung des Trägergases erfolgen. Dieses derart aufgestäubte Pulver wird zusammen mit dem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung eingeleitet. Dies erfolgt dosiert, damit die Verweildauer des Ausgangsstoffes in der beheizten Verdampfungseinrichtung so gering wie möglich ist, um eine Zerlegung des Ausgangsstoffes zu vermeiden. Das Gas-Pulver-Gemisch wird durch ein Dosierventil in das heiße Gasvolumen der Verdampfungseinrichtung injiziert. Es kann sich dabei um eine gepulste Injektion handeln. In die Verdampfungseinrichtung wird bevorzugt ein weiteres Trägergas eingeleitet, welches geheizt ist oder zumindest für den Energietransport sorgt. Die Energie zur Verdampfung des Ausgangsstoffes wird bevorzugt von den geheizten Wänden des Vorratsbehälters über Wärmeleitung zum Pulver gebracht. Hierzu kann die Wand des Vorratsbehälters beheizt sein.The inventive method or the device according to the invention is capable of increased mass flow to realize. This can increase the deposition rate become. The deposition rate depends essentially from the ratio from evaporating surface to the surface to be coated from. This geometric limitation also lies in the method according to the invention in front. The surface However, the starting material to be evaporated is drastically increased by the fact that these from the surfaces the free floating in the gas powder particles is formed, which clearly is larger as prior art devices. The "quasi cold" substance, which is in the storage container, is preferably "swirled" by means of an ultrasonic device. This "whirling up" of the powder can but also by a turbulent, entraining flow of the carrier gas. This way sputtered Powder gets along with the carrier gas introduced into the evaporation device. This is done dosed, thus the residence time of the starting material in the heated evaporation device as low as possible is to avoid decomposition of the starting material. The gas-powder mixture is passed through a metering valve in the hot gas volume of the evaporation device injected. It can be a pulsed injection. In the evaporation device, a further carrier gas is preferably introduced, which is heated or at least provides for the energy transport. The energy for the evaporation of the starting material is preferably from the heated walls of the reservoir via heat conduction brought to the powder. For this purpose, the wall of the reservoir can be heated be.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnung erläutert. Diese zeigt schematisch die einzelnen Komponenten der erfindungsgemäßen Vorrichtung.One embodiment The invention will be explained below with reference to the accompanying drawings. These schematically shows the individual components of the device according to the invention.

Die Vorrichtung besitzt einen Vorratsbehälter 1, in den ein das organische Ausgangsmaterial bildendes Pulver 10 bevorratet wird. Dort befindet sich eine Aufwirbelungseinrichtung in Form eines Ultraschallerregers 9.The device has a reservoir 1 into which the organic starting material forming powder 10 is stored. There is a Aufwirbelungseinrichtung in the form of an ultrasonic exciter 9 ,

Ein Trägergas, bei dem es sich um Stickstoff, ein Edelgas oder um Wasserstoff handeln kann, wird über eine Zuleitung 7 in den Vorratsbehälter 1 geleitet. Die Dosierung des Trägergases erfolgt mittelst eines Massenflussreglers 8, der sich in der Zuleitung 7 befindet. Das Trägergas durchströmt den Vorratsbehälter 1 und fließt aus einer Verbindungsleitung 6 aus dem Vorratsbehälter 1 in eine Verdampfungskammer 2 und von dort durch eine Ableitung 12 in ein Gaseinlassorgan 15 eines Reaktors 13.A carrier gas, which may be nitrogen, a noble gas or hydrogen, is via a feed line 7 in the reservoir 1 directed. The metering of the carrier gas is carried out by means of a mass flow controller 8th who is in the supply line 7 located. The carrier gas flows through the reservoir 1 and flows out of a connection line 6 from the reservoir 1 in an evaporation chamber 2 and from there by a derivative 12 in a gas inlet organ 15 a reactor 13 ,

Mittelst des Ultraschallerregers 9 wird ein Teil 11 des Pulvers 10 aufgewirbelt. Der aufgewirbelte Teil 11 des Pulvers 10 wird vom Trägergas durch die Verbindungsleitung 6 in die Verdampfungskammer 2 geleitet. Die Dosierung dieses Gas-Pulver-Gemisches erfolgt über ein Auf-/Zu-Ventil 5, welches sich in der Verbindungsleitung 6 befindet. Hierdurch ist sogar eine pulsierende Injektion des Gas-Pulver-Gemisches in die Verdampfungskammer 2 möglich.Center of the ultrasonic exciter 9 becomes a part 11 of the powder 10 whirled. The whirled up part 11 of the powder 10 is from the carrier gas through the connecting line 6 in the evaporation chamber 2 directed. The dosage of this gas-powder mixture via an on / off valve 5 , which is in the connecting line 6 located. This is even a pulsating injection of the gas-powder mixture in the evaporation chamber 2 possible.

Die Verdampfungskammer 2 besteht aus einem zylindrischen Körper. Dessen Achslänge kann etwa 10 cm und dessen Durchmesser kann etwa 8 cm betragen. Die Wände 3 der Verdampfungskammer 2 werden von einer Heizung 4 beheizt. In die eine Stirnseite der Verdampfungskammer 2 mündet die besagte Verbindungsleitung 6 und zusätzlich eine Zuleitung 18 für ein weiteres Trägergas, bei dem es sich ebenfalls um Stickstoff, Wasserstoff oder ein Edelgas handeln kann. Zufolge der Heizung 4 wird das sich in der Verdampfungskammer 2 befindende Gas auf eine Temperatur gebracht, die höher ist als die Verdampfungstemperatur des Ausgangsstoffes. Diese Temperatur ist auch deutlich höher als die Temperatur innerhalb des Vorratsbehälters 1, welche deutlich niedriger liegt als die Verdampfungstemperatur bzw. die Zerlegungstemperatur des organischen Ausgangsmaterials.The evaporation chamber 2 consists of a cylindrical body. Its axis length can be about 10 cm and its diameter can be about 8 cm. The walls 3 the evaporation chamber 2 be from a heater 4 heated. In the one end of the evaporation chamber 2 opens the said connection line 6 and in addition a supply line 18 for another carrier gas, which may also be nitrogen, hydrogen or a noble gas. Following the heating 4 that will be in the vaporization chamber 2 Gas is brought to a temperature which is higher than the evaporation temperature of the starting material. This temperature is also significantly higher than the temperature within the reservoir 1 , which is significantly lower than the evaporation temperature or the decomposition temperature of the organic starting material.

An der gegenüberliegenden Stirnseite der Verdampfungskammer 2 befindet sich die bereits erwähnte Ableitung 12, durch die das Trägergas und der verdampfte Ausgangsstoff in ein Gaseinlassorgan 15 geleitet werden. Das Gaseinlassorgan 15 besitzt eine siebartige Gasaustrittsfläche. Dieser Gasaustrittsfläche liegt ein Substrathalter 16 gegenüber. Der Substrathalter 16 kann gekühlt sein. Auf dem Substrathalter 16 befindet sich das Substrat 17, auf dem der verdampfte Ausgangsstoff schichtbildend kondensiert. Um das Substrat 17 in die Prozesskammer des Reaktors 13 einzubringen, besitzt dieser ein Beladetor 14.At the opposite end of the evaporation chamber 2 there is the already mentioned derivation 12 through which the carrier gas and the vaporized starting material into a gas inlet member 15 be directed. The gas inlet organ 15 has a sieve-like gas outlet surface. This gas outlet surface is a substrate holder 16 across from. The substrate holder 16 can be cooled. On the substrate holder 16 is the substrate 17 , on the condensed starting material condenses layer-forming. To the substrate 17 into the process chamber of the reactor 13 to bring in, this has a Beladetor 14 ,

In dem in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt das Einmischen des Pulvers in den Trägergasstrom über eine Ultraschalleinrichtung 9. Es ist aber auch möglich, einen turbulenten Gasstrom zu erzeugen, der das Pulver aufwirbelt. Es sind auch andere Methoden denkbar, mit denen der Gasstrom mit Pulver angereichert werden kann. Die Verwendung eines Ultraschallerregers 9 ist deshalb vorteilhaft, da über die Frequenz bzw. die Stärke des Ultraschalls eine Dosierung erfolgen kann. Wesentlich ist, dass als Oberfläche für die Wärmezuleitung innerhalb der Verdampfungskammer 2 die gesamte Oberflä che eines jeden Pulverteilchens zur Verfügung steht, die dann über den direkten Kontakt mit dem die Pulverteilchen umgebenden geheizten Gas der Wärmeenergieaufnahme zur Verfügung steht. Hierdurch wird eine deutlich vergrößerte Verdampfungsrate und damit ein vergrößerter Massendurchsatz erreicht. Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung lässt sich somit die Wachstumsrate der auf dem Substrat 17 abzuscheidenden Schichten deutlich erhöhen, ohne dass die Gefahr besteht, dass sich die Moleküle des Ausgangsstoffes thermisch zerlegen, da die Expositionszeit der erhöhten Verdampfungstemperatur sehr kurz gehalten werden kann.In the exemplary embodiment shown in the drawing, the mixing of the powder into the carrier gas stream takes place via an ultrasonic device 9 , But it is also possible to generate a turbulent gas stream, which stirs up the powder. There are also other methods conceivable with which the gas stream can be enriched with powder. The use of an ultrasonic exciter 9 is therefore advantageous because over the frequency or the strength of the ultrasound, a dosage can be done. It is essential that as a surface for the heat supply within the evaporation chamber 2 the entire Oberflä surface of each powder particle is available, which is then available via the direct contact with the surrounding the powder particles heated gas of thermal energy absorption. As a result, a significantly increased evaporation rate and thus an increased mass flow rate is achieved. With the device according to the invention can thus be the growth rate of the on the substrate 17 significantly increase the deposits to be deposited without the risk that the molecules of the starting material thermally decompose, since the exposure time of the increased evaporation temperature can be kept very short.

Anders als beim eingangs genannten Stand der Technik erfolgt die Wärmezufuhr zum Verdampfen des Pulvers ohne Kontakt mit den Heizflächen 3 der Verdampfungskammer 2. Die Wärmeübertragung erfolgt im Wesentlichen ausschließlich durch Molekülbewegung. Die Verdampfungswärme wird der Wärme der Gasumgebung entzogen, in welcher sich die freischwebenden Pulverpartikel befinden.Unlike the prior art mentioned above, the heat is applied to evaporate the powder without contact with the heating surfaces 3 the evaporation chamber 2 , The heat transfer occurs essentially exclusively by molecular motion. The heat of vaporization is removed from the heat of the gas environment, in which the free-floating powder particles are located.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.All disclosed features are (for itself) essential to the invention. In the disclosure of the application will hereby also the disclosure content of the associated / attached priority documents (Copy of the advance notice) fully included, too for the purpose, features of these documents in claims present Registration with.

Claims (16)

Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, wobei das organische Material als pulverförmiger Ausgangsstoff (10) vorliegt, der bei einer Temperatur, die unterhalb der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle liegt, in einem Vorratsbehälter (1) bevorratet wird, von wo aus er dosiert in eine Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird, wo er zufolge Wärmezufuhr verdampft, dadurch gekennzeichnet, dass der pulverförmige Ausgangsstoff (10) von einem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird und die Wärmezufuhr durch Aufheizen des Trägergases erfolgt.Method for coating a surface of a substrate ( 17 ) with an organic material, wherein the organic material is used as powdery starting material ( 10 ), which is at a temperature which is below the decomposition temperature of the organic material-forming molecules in a reservoir ( 1 ), from where it is metered into an evaporation device ( 2 ), where it evaporates according to heat supply, characterized in that the powdery starting material ( 10 ) from a carrier gas into the evaporation device ( 2 ) is brought and the heat is supplied by heating the carrier gas. Verfahren nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch ein zweites in die Verdampfungseinrichtung (2) eingeleitetes Trägergas.A method according to claim 1 or in particular according thereto, characterized by a second in the evaporation device ( 2 ) introduced carrier gas. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der das Pulver bildenden Teilchen < 10 μm, bevorzugt etwa 5 μm beträgt.Method according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the diameter the powder forming particles <10 microns, preferably about 5 microns. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Prozess bei einem Totaldruck von weniger als 10 mbar und/oder mehr als 0,1 mbar, insbesondere etwa 0,9 mbar durchgeführt wird.Method according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the process at a total pressure of less than 10 mbar and / or more than 0.1 mbar, in particular about 0.9 mbar is performed. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Wandabstand der Wände (3) der Verdampfungseinrichtung (2) größer ist als das Zehnfache der freien Weglänge des Trägergases.Method according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the wall distance of the walls ( 3 ) of the evaporation device ( 2 ) is greater than ten times the free path of the carrier gas. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Totaldruck innerhalb des Vorratsbehälters (1) im Wesentlichen dem Totaldruck innerhalb der Verdampfungseinrichtung (2) entspricht.Method according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the total pressure within the reservoir ( 1 ) substantially the total pressure within the evaporation device ( 2 ) corresponds. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampfung des ins Trägergas eingemischten Pulvers (10) im Wesentlichen ohne Kontakt der Pulverteilchen mit einer der Wände (3) der Verdampfungseinrichtung (2) erfolgt.Method according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the evaporation of the powder mixed into the carrier gas ( 10 ) substantially without contact of the powder particles with one of the walls ( 3 ) of the evaporation device ( 2 ) he follows. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der verdampfte Ausgangsstoff über eine Ableitung (12) einem Gaseinlassorgan (15) eines Beschichtungsreaktors (13) zugeleitet wird.Method according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the vaporized starting material via a derivative ( 12 ) a gas inlet member ( 15 ) of a coating reactor ( 13 ). Vorrichtung zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, mit einem Vorratsbehälter (1), in welchem das aus einem Pulver bestehende organische Material (10) bei einer Temperatur unter der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle bevorratet ist, mit einer Einrichtung (8, 5) zum Einbringen des Pulvers (10) in eine Verdampfungseinrichtung (2), wo das Pulver (10) durch Wärmezufuhr verdampft, gekennzeichnet durch eine Gaszuleitung (7) in den Vorratsbehälter (1) zum dosierten Einbringen eines Trägergases, mit einer Einmischeinrichtung (9) zum Einbringen des Pulvers (10) in den Trägergasstrom und mit der Verdampfungseinrichtung (2) zu geordneten Heizflächen (3) zum Aufheizen des in die Verdampfungseinrichtung (2) gebrachten, das Pulver (10) tragenden Gases.Device for coating a surface of a substrate ( 17 ) with an organic material, with a reservoir ( 1 ), in which the organic material consisting of a powder ( 10 ) at a temperature below the decomposition temperature of the molecules forming the organic material, with a device ( 8th . 5 ) for introducing the powder ( 10 ) in an evaporation device ( 2 ), where the powder ( 10 ) by heat ver steams, characterized by a gas supply line ( 7 ) in the reservoir ( 1 ) for the metered introduction of a carrier gas, with a mixing device ( 9 ) for introducing the powder ( 10 ) into the carrier gas stream and with the evaporation device ( 2 ) to orderly heating surfaces ( 3 ) for heating the evaporator ( 2 ), the powder ( 10 ) carrying gas. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Volumenstrom des Trägergases mittelst eines Massenflussreglers (8) dosiert wird.Apparatus according to claim 9 or in particular according thereto, characterized in that the volume flow of the carrier gas by means of a mass flow controller ( 8th ) is metered. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 9 oder 10 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch ein einer Verbindungsleitung (6) zwischen Vorratsbehälter (1) und Verdampfungskammer (2) zugeordnetes Dosierventil (5).Device according to one of the preceding claims 9 or 10 or in particular according thereto, characterized by a connecting line ( 6 ) between reservoir ( 1 ) and evaporation chamber ( 2 ) associated metering valve ( 5 ). Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 11 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampfungseinrichtung (2) von einem Zylinder ausgebildet wird.Device according to one or more of the preceding claims 9 to 11 or in particular according thereto, characterized in that the evaporation device ( 2 ) is formed by a cylinder. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 12 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Zylinder ein Volumen zwischen 100 ml und 1000 ml besitzt.Device according to one or more of the preceding claims 9 to 12 or in particular according thereto, characterized in that the cylinder has a volume between 100 ml and 1000 ml. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 13 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Wandabstand der Wände (3) der Verdampfungseinrichtung (2) zwischen 50 und 150 mm beträgt.Device according to one or more of the preceding claims 9 to 13 or in particular according thereto, characterized in that the wall distance of the walls ( 3 ) of the evaporation device ( 2 ) is between 50 and 150 mm. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 14 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Einmischeinrichtung zum Einbringen des Pulvers in den Trägergasstrom ein Ultraschallerreger (9) ist.Device according to one or more of the preceding claims 9 to 14 or in particular according thereto, characterized in that the mixing device for introducing the powder into the carrier gas stream is an ultrasonic generator ( 9 ). Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 15 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine auf der gegenüberliegenden Seite der Verbindungsleitung (6) der Verdampfungskammer (2) zugeordnete Ableitung (12) zur Ableitung des Trägergases und des darin gelösten verdampften Ausgangsstoffes in ein Gaseinlassorgan (15) eines Beschichtungsreaktors (13).Device according to one or more of the preceding claims 9 to 15 or in particular according thereto, characterized by a on the opposite side of the connecting line ( 6 ) the evaporation chamber ( 2 ) associated derivative ( 12 ) for discharging the carrier gas and the vaporized starting material dissolved therein into a gas inlet member ( 15 ) of a coating reactor ( 13 ).
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008045982A1 (en) 2008-09-05 2010-03-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Functionalizing surfaces comprises activating surface to form reactive groups on surface, depositing crosslinkable component e.g. oxirane by e.g. polyaddition and chemically bonding to reactive groups of surface, followed by crosslinking
WO2012175334A2 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and device for depositing oleds, in particular evaporation device therefor
DE102011051260A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and device for depositing OLEDs
WO2013010864A2 (en) 2011-07-19 2013-01-24 Aixtron Se Device and method for determining the vapour pressure of a starting substance vaporized in a carrier gas stream

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI458843B (en) 2011-10-06 2014-11-01 Ind Tech Res Inst Evaporation apparatus and method of forminf organic film
JP6584067B2 (en) * 2014-05-30 2019-10-02 日立造船株式会社 Vacuum deposition equipment
DE102014109196A1 (en) * 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Apparatus for generating a vapor from a solid or liquid source for a CVD or PVD device
CN107488831B (en) * 2017-08-21 2019-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 A kind of continuous evaporating-plating system
CN114309595B (en) * 2022-01-05 2023-05-30 西安交通大学 Method and system for coating Mo on surface of metal alloy powder in gas phase

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3729391A1 (en) * 1987-09-03 1989-03-16 Erno Raumfahrttechnik Gmbh Process for the production of powder material
DE4426264A1 (en) * 1994-07-25 1996-02-01 Siemens Ag Method and device for producing and metering a powder aerosol
EP0905276A2 (en) * 1997-09-30 1999-03-31 Japan Pionics Co., Ltd. Apparatus for vaporizing and supplying a material
US6180190B1 (en) * 1997-12-01 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Vapor source for chemical vapor deposition
DE10057491A1 (en) * 2000-11-20 2002-05-23 Aixtron Ag Process for introducing a liquid starting material brought into gas form into a chemical vapour deposition (CVD) reactor comprises forming an aerosol, vaporizing the heat supply and removing the heat of vaporization

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231963A (en) * 2002-02-12 2003-08-19 Sanyo Shinku Kogyo Kk Process and device for vacuum deposition
US7238389B2 (en) * 2004-03-22 2007-07-03 Eastman Kodak Company Vaporizing fluidized organic materials
FR2878453B1 (en) * 2004-11-30 2007-03-16 Centre Nat Rech Scient Cnrse DEVICE FOR SUPPLYING VAPORS FROM A SOLID PRECURSOR TO A PROCESSING APPARATUS
JP4789551B2 (en) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Organic EL film forming equipment

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3729391A1 (en) * 1987-09-03 1989-03-16 Erno Raumfahrttechnik Gmbh Process for the production of powder material
DE4426264A1 (en) * 1994-07-25 1996-02-01 Siemens Ag Method and device for producing and metering a powder aerosol
EP0905276A2 (en) * 1997-09-30 1999-03-31 Japan Pionics Co., Ltd. Apparatus for vaporizing and supplying a material
US6180190B1 (en) * 1997-12-01 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Vapor source for chemical vapor deposition
DE10057491A1 (en) * 2000-11-20 2002-05-23 Aixtron Ag Process for introducing a liquid starting material brought into gas form into a chemical vapour deposition (CVD) reactor comprises forming an aerosol, vaporizing the heat supply and removing the heat of vaporization

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ROGER,Christophe:Aerosol-assisted chemical vapor deposition of copper: A lipuid delivery approach to metal thin films.In:Appl.Phys.Lett. 65, (8), 1994,S.1021-1023; *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008045982A1 (en) 2008-09-05 2010-03-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Functionalizing surfaces comprises activating surface to form reactive groups on surface, depositing crosslinkable component e.g. oxirane by e.g. polyaddition and chemically bonding to reactive groups of surface, followed by crosslinking
WO2012175334A2 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and device for depositing oleds, in particular evaporation device therefor
DE102011051260A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and device for depositing OLEDs
DE102011051261A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and apparatus for depositing OLEDs in particular evaporation device to it
WO2012175307A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and device for depositing oleds
WO2013010864A2 (en) 2011-07-19 2013-01-24 Aixtron Se Device and method for determining the vapour pressure of a starting substance vaporized in a carrier gas stream
DE102011051931A1 (en) 2011-07-19 2013-01-24 Aixtron Se Apparatus and method for determining the vapor pressure of a starting material vaporized in a carrier gas stream
WO2013010864A3 (en) * 2011-07-19 2013-11-07 Aixtron Se Device and method for determining the vapour pressure of a starting substance vaporized in a carrier gas stream

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