JP7431160B2 - 基板を処理するための方法および結合されたシートを含む物品を製造するための方法 - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2203/00—Other substrates
- B05D2203/30—Other inorganic substrates, e.g. ceramics, silicon
- B05D2203/35—Glass
Description
図1および2に示されるように、物品2、例えばガラス物品は、厚さ8を有し、厚さ18を有するベース基板(例えば支持体)10、厚さ28を有する第2の基板(例えばシート)20、および厚さ38を有するコーティング層30を含む。第2の基板20の平均厚さ28は、例えば、約300マイクロメートル(μm)以下であってよく、これには、例えば、任意の範囲およびそれらの間の部分範囲を含む、約10~約50μm、約50~約100μm、約100~約150μm、約150~約300μm、約300μm、約250μm、約200μm、約190μm、約180μm、約170μm、約160μm、約150μm、約140μm、約130μm、約120μm、約110μm、約100μm、約90μm、約80μm、約70μm、約60μm、約50μm、約40μm、約30μm、約20μm、または約10μmの厚さが含まれるが、これらに限定されることはない。
コーティング層に使用可能な材料の例としては、フルオロカーボン、特にフルオロカーボンポリマーが挙げられる。そのようなフルオロカーボンポリマーは、ベース基板または第2の基板のいずれかに、少なくとも1つのフルオロカーボン含有モノマー化合物を含むポリマー形成フッ素ガス源からのガスを堆積させることにより形成することができる。
本明細書に記載の物品の製造において、コーティング層は、まずベース基板上に堆積させられ得る。図3に示されるような、コーティング層の堆積のためのベース基板(例えば支持体)を製造するための例示的なプロセスでは、ベース基板を、まずロードロックモジュール100に送り、そこでベース基板の周りの圧力を真空にすることができ、ベース基板の温度を上げることができる。続いて、ベース基板は、真空で維持されている間に移送モジュール200に送られ、これにより、ベース基板は、コーティング層が堆積させられるプロセスモジュール300に移送される。
本明細書で言及されているように、コーティング層の表面エネルギーは、コーティング層がベース基板上に存在するときの、コーティング層の露出表面(例えば結合表面)の表面エネルギーの尺度である。コーティング層は、1つの表面(極性成分および分散成分を含む)について測定して約48~約75mJ/m2の範囲の表面エネルギーを有する結合表面をもたらすことができ、それにより、表面は、別の基板との非永久的な結合を生じさせる。
プロセスモジュールでのコーティング層の堆積後に、コーティング層の表面は、第2の基板との結合のためのより望ましい特性を達成するために、プロセスモジュールの内部で処理されてもよい。ICPコイルに電力を供給して処理ガスプラズマを生成しながら、窒素などの処理ガスをガス供給入口に通して供給すると、コーティング層の表面エネルギーを、第2の基板との結合にとってより望ましい水準まで増加させることができる。さらに、処理ガスプラズマでの処理中にチャックに電力を供給すると、コーティング層内のフッ素原子が、ドリフトを介してコーティング層と基板との界面に向かって押し出され、それによっても、コーティング層の結合表面の表面エネルギーを、第2の基板との結合にとってより望ましい水準まで増加させることができる。幾つかの実施形態では、処理後のコーティング層の表面粗さは、約0.7nm未満、約0.6nm未満、または約0.5nm未満である。処理後のコーティング層の結合表面は、40%未満、35%未満、30%未満、25%未満、20%未満、または15%未満のフッ素の原子表面濃度を有する。
本明細書で言及されているように、コーティング層の結合エネルギーは、ベース基板と第2の基板とを結合する力の尺度である。一般的に、2つの表面間の接着エネルギー(すなわち、結合エネルギー)は、ダブルカンチレバービーム法またはウェッジ試験により測定することができる。これらの試験は、コーティング層とベース基板との間の、またはコーティング層と第2の基板との間の界面で、接着結合ジョイントに対する力および影響を質的にシミュレートする。ウェッジ試験は、一般的に、結合エネルギーを測定するために使用される。例えば、ASTM D5041, Standard Test Method for Fracture Strength in Cleavage of Adhesives in Bonded Joints、およびASTM D3762, Standard Test Method for Adhesive-Bonded Surface Durability of Aluminumは、ウェッジを有する基板の結合を測定するための標準的な試験方法である。
式中、γは結合エネルギーを表し、tbは刃、カミソリまたはウェッジの厚さを表し、E1はベース基板(例えばガラス支持体)のヤング率を表し、tw1はベース基板の厚さを表し、E2は第2の基板(例えばガラスシート)のヤング率を表し、tw2は第2の基板の厚さを表し、Lは、先に記載のカミソリの刃の挿入の際の、ベース基板と第2の基板との間の亀裂長さを表す。
物品を製作するために、コーティング層は、ベース基板、例えばベース基板10上に形成される。所望であれば、本明細書で説明されるように、コーティング層を、表面活性化などのステップにかけて、表面エネルギーを増加させ、表面からフッ素を減少させ、処理中のガス放出を低減させ、コーティング層の結合能力を改善してもよい。第2の基板、例えば第2のシートを結合するために、第2の基板は、コーティング層の露出した結合表面と接触させられる。コーティング層が十分に高い表面エネルギーを有する場合、第2の基板をコーティング層に導入すると、第2の基板が自己伝播結合を介してコーティング層に結合される。自己伝播結合は、組立時間および/またはコストを削減するのに有利である。しかしながら、自己伝播結合が生じない場合、第2の基板は、積層などの更なる技術を使用して、例えば、シートをローラーで一緒にプレスすることにより、または結合のために2片の材料を一緒にする積層の技術分野で公知の他の技術により、コーティング層に結合することが可能である。
基板またはシートへのコーティング層の結合エネルギーは、特定の加熱条件の後に試験された(「結合エネルギー試験」)。特定の表面コーティング層が、シートを支持体に結合したままにすることを可能にし、なおも加工後にシートを支持体から分離可能にするかどうかを確認するために、以下の試験を行った。物品(コーティング層を介して支持体に結合されたシート、またはコーティング層を介して基板に結合された第2の基板)を、毎秒4℃の速度で所望の処理試験温度に上昇する炉または急速熱処理(RTP)に入れた。その後、物品を炉(所望の処理試験温度に維持)内で10分にわたり保持した。その後、炉を45分で約150℃に冷却し、試料を取り出した。その後、本明細書に記載の結合エネルギー試験に従って、物品を結合エネルギーについて試験した。
本明細書に記載のコーティング層により、ガラス物品が上記の温度サイクルおよび熱試験にかけられた後に、第2の基板を2つ以上の小片に破壊することなく、第2の基板をベース基板から分離することが可能になる。
改質されたコーティング層を、本明細書に記載の結合表面の調製とともに使用すると、制御された結合領域、すなわち、物品をFPDタイプのプロセス(真空および湿式プロセスを含む)で加工するのに十分な、ベース基板と第2の基板との間の室温結合をもたらすことができる結合領域、さらには、物品の高温加工、例えばFPDタイプの加工またはLTPS加工後に、ベース基板を第2の基板から(これらの基板に損傷を与えずに)取り外すことができるようにベース基板と第2の基板との間の共有結合を(高温でさえも)制御する結合領域も達成することができる。FPD加工に適した再利用可能な支持体をもたらすであろう、潜在的な結合表面の調製、および様々な結合エネルギーを有するコーティング層を評価するために、一連の試験を使用して、それぞれの適合性を評価した。異なるFPD用途には異なる要件があるが、LTPSおよび酸化物TFTプロセスは、現段階では最も厳しいと思われる。したがって、これらのプロセスが物品2の所望の用途であることから、これらのプロセスのステップを代表する試験を選択した。酸化物TFTプロセスでは、約400℃のアニーリングが使用されるが、LTPS加工では、600℃超の結晶化およびドーパント活性化ステップが使用される。よって、以下の試験を実施して、特定の結合表面の調製およびコーティング層により、FPD加工中ずっと第2の基板をベース基板に結合したままにすることができる一方で、そのような加工(400℃以上~750℃の温度での加工を含む)後に、(第2の基板および/またはベース基板に損傷を与えずに)第2の基板をベース基板から取り外すことができる可能性について評価した。
第1の給電源に接続されたICPコイルに接続されたガス供給入口と、第2の独立した給電源に接続されたチャックとを有するプロセスチャンバ内で、支持体(0.5mmの厚さと、質量パーセントで、61.5のSiO2、19.7のAl2O3、1.7のB2O3、2.5のMgO、4.5のCaO、1.8のSrO、8.1のBaO、0.2のSnO2、0.03のFe2O3、0.03のZrO2の公称組成とを有するガラス)をチャック上に配置した。ICPコイルの出力を14kWに設定し、CHF3を、ガス供給入口およびICPコイルを通して、1250sccm(2.11Pa・m3/s)の流量および約8~約10mTorr(約1066.58mPa~約1333.22mPa)の圧力(試料1の場合は約10mTorr(約1333.22mPa)、試料2の場合は約8.2mTorr(約1093.24mPa)、試料3の場合は約9.2mTorr(約1226.57mPa)、試料4の場合は約10mTorr(約1333.22mPa)である)で反応器チャンバに供給した。反応チャンバは、ポリマー形成フッ素ガスのみ含んでいた。チャックバイアス電力を125Wに設定し、電力バイアスは1.5kVであり、約50Vの自己バイアスが生じた。チャックを40℃に維持する間、反応器チャンバの壁を60℃に維持した。約7秒未満(試料1の場合は約6.5秒、試料2の場合は約1.2秒、試料3の場合は約1秒、試料4の場合は約3秒)の処理時間にわたるCHF3プラズマにより、2nm未満の厚さを有する支持体上に、薄いフルオロカーボンポリマーコーティング層が堆積させられた。コーティング層の堆積後に、真空ポンプを使用して、反応器チャンバを数回ポンピングし、ガス/プラズマをパージした。ICPコイルの出力を14kWに再び設定し、反応チャンバにおいて、N2を、ガス供給入口およびICPコイル通して、1250sccm(2.11Pa・m3/s)の流量および約8~約10mTorr(約1066.58mPa~約1333.22mPa)の圧力(試料1の場合は約10mTorr(約1333.22mPa)、試料2の場合は約8.2mTorr(約1093.24mPa)、試料3の場合は約9.2mTorr(約1226.57mPa)、試料4の場合は約10mTorr(約1333.22mPa)である)で反応器チャンバに供給した。チャックバイアス電力を2182~4240Wに設定し、電力バイアスは1.5kVであり、約150~250Vの範囲の自己バイアスが生じた。チャックを40℃に維持する間、反応器チャンバの壁を60℃に維持した。約8秒未満(試料1の場合は約6.5秒、試料2の場合は約2.8秒、試料3の場合は約2.3秒、試料4の場合は約8秒)の処理時間にわたるチャックのN2プラズマ処理および自己バイアスにより、コーティング層の露出した表面上のF原子が、支持体/コーティング層の界面に向かってドリフトし、コーティング層の表面が、0.4nm以下の粗さ、約74mJ/m2の表面エネルギー、30%未満のF含量、および10%超のSi含量に処理された。その後、フッ素が減少したコーティング層の結合表面をガラスシート(0.1mmの厚さと、質量パーセントで、62.0のSiO2、18.3のAl2O3、4.2のB2O3、2.2のMgO、4.2のCaO、1.8のSrO、7.0のBaO、0.2のSnO2、0.02のFe2O3、0.02のZrO2の公称組成とを有するガラス)と結合して、ガラス物品を形成した。ガラス物品を空気中にて600℃で10分にわたりアニーリングした後、結合エネルギーは、500~600mJ/m2であった。ガラス物品の支持体およびガラスシートは、破損なく分離可能であった。
第1の給電源に接続されたICPコイルに接続されたガス供給入口と、第2の独立した給電源に接続されたチャックとを有するプロセスチャンバ内で、支持体(0.5mmの厚さと、質量パーセントで、61.5のSiO2、19.7のAl2O3、1.7のB2O3、2.5のMgO、4.5のCaO、1.8のSrO、8.1のBaO、0.2のSnO2、0.03のFe2O3、0.03のZrO2の公称組成とを有するガラス)をチャック上に配置した。ICPコイルの出力を10kWに設定し、CF4を、ガス供給入口およびICPコイルを通して、500sccm(0.85Pa・m3/s)の流量および約7mTorr(約933.26mPa)の圧力で反応器チャンバに供給した。反応チャンバは、ポリマー形成フッ素ガスのみ含んでいた。チャックバイアス電力を2000Wに設定し、電力バイアスは1.5kVであり、約141Vの自己バイアスが生じた。チャックを40℃に維持する間、反応器チャンバの壁を60℃に維持した。約30秒の処理時間にわたるCF4プラズマにより、2nm未満の厚さを有する支持体上に、薄いフルオロカーボンポリマーコーティング層が堆積させられた。コーティング層の堆積後に、真空ポンプを使用して、反応器チャンバを数回ポンピングし、ガス/プラズマをパージした。ICPコイルの出力を再び10kWに設定し、コーティング層の表面を処理するために、反応チャンバにおいて、CF4およびCHF3を、ガス供給入口およびICPコイルを通して、それぞれ937.5sccm(1.58Pa・m3/s)および312.5sccm(0.53Pa・m3/s)の流量ならびに約30mTorr(約3999.67mPa)の圧力で反応チャンバに供給した。チャックバイアス電力を3000Wに設定し、電力バイアスは1.5kVであり、約190Vの自己バイアスが生じた。チャックを40℃に維持する間、反応器チャンバの壁を60℃に維持した。CF4およびCHF3プラズマ処理は、約45秒の処理時間を有していた。その後、コーティング層の結合表面をガラスシート(0.1mmの厚さと、質量パーセントで、62.0のSiO2、18.3のAl2O3、4.2のB2O3、2.2のMgO、4.2のCaO、1.8のSrO、7.0のBaO、0.2のSnO2、0.02のFe2O3、0.02のZrO2の公称組成とを有するガラス)と結合して、ガラス物品を形成した。ガラス物品を空気中にて600℃で10分にわたりアニーリングした後、ガラス物品は、あまり良好に機能しなかった。
基板表面を処理するための方法であって、
a.ベース基板を反応チャンバ内のチャック上に配置するステップであって、前記反応チャンバが、誘導結合プラズマコイルおよびガス供給入口を含み、前記チャックおよび前記誘導結合プラズマコイルが、別々に給電源に接続されている、ステップと、
b.ポリマー形成フッ素ガス源を前記ガス供給入口に供給し、前記ポリマー形成フッ素ガス源を前記反応チャンバ内に流して、前記チャック上に配置された前記基板と接触させるステップであって、前記ポリマー形成フッ素ガス源が、式CxHzFyのフッ素成分を含み、式中、xが1~4より選択され、yが3~8より選択され、zが0~3より選択され、xが1のとき、yが3であり、zが1である、ステップと、
c.前記誘導結合プラズマコイルおよび前記チャックに電力を供給するステップと、
d.前記ポリマー形成フッ素ガス源に由来する炭素系材料を堆積させて、前記基板上にコーティング層を形成するステップと、
e.堆積した前記コーティング層を処理ガスに曝して、処理されたコーティング済みの基板を形成するステップと、
f.前記処理されたコーティング済みの基板を前記反応チャンバから取り出すステップと
を含む方法。
前記炭素系材料が、プラズマ重合フルオロポリマーを含む、実施形態1記載の方法。
前記プラズマ重合フルオロポリマーが、15%未満のフッ素の原子表面濃度を含む、実施形態2記載の方法。
前記ポリマー形成フッ素ガス源が、CHF3、C2F4、C3F8、C4F8、およびそれらの任意の組み合わせから成る群より選択されている、実施形態1から3までのいずれか1つ記載の方法。
前記ポリマー形成フッ素ガス源が、エッチングガスを含まない、実施形態1から4までのいずれか1つ記載の方法。
前記エッチングガスが、CF4、SF6、NF3、およびそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも1つを含む、実施形態5記載の方法。
前記コーティング層が、1~10nmの範囲の平均厚さを含む、実施形態1から6までのいずれか1つ記載の方法。
前記コーティング層が単層である、実施形態1から7までのいずれか1つ記載の方法。
前記ベース基板が、300μm以下の厚さを含むガラスである、実施形態1から8までのいずれか1つ記載の方法。
前記炭素系材料を堆積させる前記ステップの間、前記反応チャンバが、30Torr(3999.67Pa)未満の内部圧力を含む、実施形態1から9までのいずれか1つ記載の方法。
ステップcが、前記チャックに3~5W/m2の電力を供給するステップを含む、実施形態1から10までのいずれか1つ記載の方法。
前記チャックが、60V未満の自己バイアスで動作する、実施形態1から11までのいずれか1つ記載の方法。
前記処理ガスが、窒素、酸素、水素、二酸化炭素ガス、およびそれらの組み合わせのうちの少なくとも1つを含む、実施形態1から12までのいずれか1つ記載の方法。
前記チャックが、前記堆積したコーティング層を前記処理ガスに曝す間、150V~250Vの範囲の自己バイアスで動作する、実施形態1から13までのいずれか1つ記載の方法。
前記堆積したコーティング層が、0.5~10秒にわたり前記処理ガスに曝される、実施形態1から14までのいずれか1つ記載の方法。
前記処理されたコーティング済みの基板の前記コーティング層が、結合表面を含む、実施形態1から15までのいずれか1つ記載の方法。
前記結合表面が、40%未満のフッ素の原子表面濃度を含み、前記原子表面濃度が、前記結合表面を第2の基板と接触させる前に、前記結合表面から測定される、実施形態16記載の方法。
前記コーティング層が、0.5nm未満の表面粗さを含む、実施形態16または17記載の方法。
前記結合表面が、30%未満のフッ素の原子表面濃度を含む、実施形態16から18までのいずれか1つ記載の方法。
前記結合表面が、5%超のケイ素の原子表面濃度を含み、前記原子表面濃度が、前記結合表面を第2の基板と接触させる前に、前記結合表面から測定される、実施形態16から19までのいずれか1つ記載の方法。
前記結合表面が、8~12%の範囲のケイ素の原子表面濃度を含む、実施形態20記載の方法。
前記コーティング層を第2の基板と直接結合して、物品を形成するステップであって、前記コーティング層が、前記ベース基板と前記第2の基板との間に配置されている、ステップをさらに含む、実施形態1から21までのいずれか1つ記載の方法。
前記コーティング層と前記第2の基板との間の結合エネルギーが、前記物品を窒素雰囲気のもと750℃で10分にわたり保持した後、800mJ/m2未満である、実施形態22記載の方法。
前記ベース基板および前記第2の基板がガラスを含む、実施形態22または23記載の方法。
物品を製造する方法であって、
a.ベースガラス基板を反応チャンバ内のチャック上に配置するステップであって、前記反応チャンバが、誘導結合プラズマコイルおよびガス供給入口を含み、前記チャックが、第1の給電源に接続されており、前記誘導結合プラズマコイルが、第2の給電源に接続されている、ステップと、
b.ポリマー形成フッ素ガス源を前記ガス供給入口に供給し、前記ポリマー形成フッ素ガス源を前記反応チャンバ内に流して、前記チャック上に配置された前記基板と接触させるステップであって、前記ポリマー形成フッ素ガス源が、式CxHzFyのフッ素成分を含み、式中、xが1~4より選択され、yが3~8より選択され、zが0~3より選択され、xが1のとき、yが3であり、zが1である、ステップと、
c.前記誘導結合プラズマコイルおよび前記チャックに電力を供給するステップであって、前記チャックが、60V未満の自己バイアスで動作させられる、ステップと、
d.前記ポリマー形成フッ素ガス源に由来する炭素系材料を堆積させて、前記ガラス基板上にコーティング層を形成するステップと、
e.堆積した前記コーティング層を処理ガスに曝して、処理されたコーティング済みの基板を形成するステップであって、前記処理されたコーティング済みの基板の前記コーティング層が、結合表面を含み、前記結合表面が、40%未満のフッ素の原子表面濃度を含み、前記原子表面濃度が、前記結合表面を第2の基板と接触させる前に、前記結合表面から測定される、ステップと、
f.前記処理されたコーティング済みの基板を前記反応チャンバから取り出すステップと、
g.前記コーティング層を前記第2のガラス基板と直接結合して、物品を形成するステップであって、前記コーティング層が、前記ベースガラス基板と前記第2のガラス基板との間に配置されている、ステップと
を含む方法。
前記結合表面が、5%超のケイ素の原子表面濃度を含み、前記原子表面濃度が、前記結合表面を第2の基板と接触させる前に、前記結合表面から測定される、実施形態25記載の方法。
前記結合表面が、8~12%の範囲のケイ素の原子表面濃度を含む、実施形態26記載の方法。
前記結合表面が、20%未満のフッ素の原子表面濃度を含む、実施形態25から27までのいずれか1つ記載の方法。
前記コーティング層と前記第2の基板との間の結合エネルギーが、前記物品を窒素雰囲気のもと750℃で10分にわたり保持した後、800mJ/m2未満である、実施形態25から28までのいずれか1つ記載の方法。
前記チャックが、前記堆積したコーティング層を前記処理ガスに曝す間、150V~250Vの範囲の自己バイアスで動作し、前記堆積したコーティング層が、0.5~10秒にわたり前記処理ガスに曝される、実施形態25から29までのいずれか1つ記載の方法。
ステップcが、前記チャックに3~5W/m2の電力を供給するステップを含む、実施形態25から30までのいずれか1つ記載の方法。
前記炭素系材料が、プラズマ重合フルオロポリマーを含む、実施形態25から31までのいずれか1つ記載の方法。
前記プラズマ重合フルオロポリマーが、CHF3-C4F8プラズマ重合フルオロポリマーを含む、実施形態32記載の方法。
前記ポリマー形成フッ素ガス源が、CHF3、C2F4、C3F8、C4F8、およびそれらの任意の組み合わせから成る群より選択されている、実施形態25から33までのいずれか1つ記載の方法。
前記コーティング層が、1~10nmの範囲の平均厚さを含む、実施形態25から34までのいずれか1つ記載の方法。
前記炭素系材料が、前記反応チャンバ内にてエッチングガスなしで堆積させられる、実施形態25から35までのいずれか1つ記載の方法。
前記エッチングガスが、CF4、SF6、NF3、およびそれらの任意の組み合わせのうちの少なくとも1つを含む、実施形態36記載の方法。
Claims (7)
- 基板表面を処理するための方法であって、
a.ベース基板を反応チャンバ内のチャック上に配置するステップであって、前記ベース基板が、300μm以下の厚さを含むガラスであり、前記反応チャンバが、誘導結合プラズマコイルおよびガス供給入口を含み、前記チャックおよび前記誘導結合プラズマコイルが、別々に給電源に接続されている、ステップと、
b.ポリマー形成フッ素ガス源を前記ガス供給入口に供給し、前記ポリマー形成フッ素ガス源を前記反応チャンバ内に流して、前記チャック上に配置された前記基板と接触させるステップであって、前記ポリマー形成フッ素ガス源が、CHF3、C2F4、C3F8、C4F8、およびそれらの任意の組み合わせから成る群より選択され、かつ、CF 4 、SF 6 、NF 3 、およびそれらの任意の組み合わせを含まない、ステップと、
c.前記誘導結合プラズマコイルおよび前記チャックに電力を供給するステップと、
d.前記ポリマー形成フッ素ガス源に由来する炭素系材料を堆積させて、前記基板上にコーティング層を形成するステップと、
e.堆積した前記コーティング層を処理ガスに曝して、処理されたコーティング済みの基板を形成するステップであって、前記処理ガスが、窒素、酸素、水素、二酸化炭素ガス、およびそれらの組み合わせのうちの少なくとも1つである、ステップと、
f.前記処理されたコーティング済みの基板を前記反応チャンバから取り出すステップと
を含む方法。 - 基板表面を処理するための方法であって、
a.ベース基板を反応チャンバ内のチャック上に配置するステップであって、前記ベース基板が、300μm以下の厚さを含むガラスであり、前記反応チャンバが、誘導結合プラズマコイルおよびガス供給入口を含み、前記チャックおよび前記誘導結合プラズマコイルが、別々に給電源に接続されている、ステップと、
b.ポリマー形成フッ素ガス源を前記ガス供給入口に供給し、前記ポリマー形成フッ素ガス源を前記反応チャンバ内に流して、前記チャック上に配置された前記基板と接触させるステップであって、前記ポリマー形成フッ素ガス源が、CHF3、C2F4、C3F8、C4F8、およびそれらの任意の組み合わせから成る群より選択され、かつ、CF 4 、SF 6 、NF 3 、およびそれらの任意の組み合わせを含まない、ステップと、
c.前記誘導結合プラズマコイルおよび前記チャックに電力を供給するステップと、
d.前記ポリマー形成フッ素ガス源に由来する炭素系材料を堆積させて、前記基板上にコーティング層を形成するステップと、
e.堆積した前記コーティング層を処理ガスに曝して、処理されたコーティング済みの基板を形成するステップであって、前記処理ガスが、窒素、酸素、水素、二酸化炭素ガス、およびそれらの組み合わせのうちの少なくとも1つである、ステップと、
f.前記処理されたコーティング済みの基板を前記反応チャンバから取り出すステップと、
g.前記コーティング層を前記第2のガラス基板と直接結合して、物品を形成するステップであって、前記コーティング層が、前記ベースガラス基板と前記第2のガラス基板との間に配置されている、ステップと
を含む方法。 - 前記炭素系材料が、プラズマ重合フルオロポリマーを含む、請求項1または2記載の方法。
- 前記プラズマ重合フルオロポリマーが、15%未満のフッ素の原子表面濃度を含む、請求項3記載の方法。
- 前記コーティング層が、1~10nmの範囲の平均厚さを含む、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 前記コーティング層が単層である、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 前記炭素系材料を堆積させる前記ステップの間、前記反応チャンバが、30Torr(3999.67Pa)未満の内部圧力を含む、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
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