JP6119567B2 - ガラス積層体の製造方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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ところで、特許文献1に記載の方法では、積層後に、加熱処理を行なっている。そこで、本発明者らは、上記特定の組成を用いた無機層上にガラス基板を積層した後に、特許文献1に具体的に記載されている条件で加熱処理を行なった。その結果、該加熱処理を行なった積層体については、切り折りや研磨を行なう際に、積層状態が維持されない場合があることが分かった。この場合、該加熱処理を行なった積層体のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成する際に、ガラス基板に剥がれが生じて、得られる電子デバイスに不具合が発生するおそれがある。
(1)支持基板および上記支持基板上に配置された無機層を有する無機層付き支持基板と、上記無機層上に剥離可能に積層されたガラス基板と、を備えるガラス積層体を得る、ガラス積層体の製造方法であって、上記無機層上に上記ガラス基板を積層させる積層工程と、上記積層工程の後に加熱処理を行う加熱処理工程と、を備え、上記無機層が、炭化ケイ素、炭化酸化ケイ素、窒化ケイ素および窒化酸化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、上記加熱処理が、下記(a)〜(d)の条件を満たす、ガラス積層体の製造方法。
(a)昇温速度:300℃/分以下
(b)加熱温度:150〜600℃
(c)保持時間:0.5分以上
(d)雰囲気:大気圧状態もしくは減圧状態の大気雰囲気もしくは不活性ガス雰囲気、または、真空雰囲気
(2)上記(a)昇温速度が、200℃/分以下である、上記(1)に記載のガラス積層体の製造方法。
(3)上記支持基板が、ガラス基板である、上記(1)または(2)に記載のガラス積層体の製造方法。
(4)上記(1)〜(3)のいずれかに記載のガラス積層体の製造方法により得られたガラス積層体中の上記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、上記電子デバイス用部材付き積層体から上記無機層付き支持基板を剥離し、上記ガラス基板および上記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
図1は、本発明に係るガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。
図1に示すように、ガラス積層体10は、支持基板12および無機層14からなる無機層付き支持基板16と、ガラス基板18とを有する。ガラス積層体10中において、無機層付き支持基板16の無機層14の無機層表面14a(支持基板12側とは反対側の表面)と、ガラス基板18の第1主面18aとを積層面として、無機層付き支持基板16とガラス基板18とが剥離可能に積層している。つまり、無機層14は、その一方の面が支持基板12の層に固定されると共に、その他方の面がガラス基板18の第1主面18aに接し、無機層14とガラス基板18との界面は剥離可能に密着されている。言い換えると、無機層14は、ガラス基板18の第1主面18aに対して易剥離性を具備している。
また、剥離可能な密着とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。つまり、本発明のガラス積層体10において、ガラス基板18と支持基板12とを分離する操作を行った場合、密着された面(無機層14とガラス基板18との界面)で剥離し、固定された面では剥離しないことを意味する。したがって、ガラス積層体10をガラス基板18と支持基板12とに分離する操作を行うと、ガラス積層体10はガラス基板18と無機層付き支持基板16との2つに分離される。
無機層付き支持基板16は、支持基板12と、その表面上に配置(固定)される無機層14とを備える。無機層14は、後述するガラス基板18と剥離可能に密着するように、無機層付き支持基板16中の最外側に配置される。
以下に、支持基板12、および、無機層14の態様について詳述する。
支持基板12は、第1主面と第2主面とを有し、第1主面上に配置された無機層14と協働して、ガラス基板18を支持して補強し、後述する部材形成工程(電子デバイス用部材を製造する工程)において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板18の変形、傷付き、破損などを防止する基板である。
支持基板12としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、SUS板などの金属板などが用いられる。支持基板12は、部材形成工程が熱処理を伴う場合、ガラス基板18との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板18と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板12はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板12は、ガラス基板18と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
無機層14は、支持基板12の主面上に配置(固定)され、ガラス基板18の第1主面18aと接触する層である。本発明においては、無機層14の組成として、炭化ケイ素(以下、「SiC」とも表記する)、炭化酸化ケイ素(以下、「SiCO」とも表記する)、窒化ケイ素(以下、「SiN」とも表記する)および窒化酸化ケイ素(以下、「SiNO」とも表記する)からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む。なお、無機層14の組成は、X線光電子分光法(XPS)により測定できる。
このような無機層14を支持基板12上に設けることにより、高温条件下の長時間処理後においても、ガラス基板18の接着を抑制でき、剥離性に優れる。この理由は明らかではないが、SiとCまたはNとの電気陰性度の差が比較的小さいことで、高温条件下の長時間処理後においても、無機層とガラス基板との間で化学結合について、弱い結合から強い結合への転換が行われにくくなったりするためと考えられる。
無機層14は、図1において単層として記載されているが、2層以上の積層であってもよい。2層以上の積層の場合、各層ごとが異なる組成であってもよい。
ここで、重剥離化とは、無機層14とガラス基板18との界面の剥離強度が、支持基板12と無機層14との界面の剥離強度、および、無機層14の材料自体の強度(バルク強度)のいずれかよりも大きくなることをいう。無機層14とガラス基板18との界面で重剥離化が起こると、ガラス基板18表面に無機層14の成分が付着しやすく、その表面の清浄化が困難となりやすい。ガラス基板18表面への無機層14の付着とは、無機層14全体がガラス基板18表面に付着すること、および、無機層14表面が損傷し無機層14表面の成分の一部がガラス基板18表面に付着すること、などを意味する。
無機層付き支持基板16の製造方法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、または、CVD法などの方法を採用できるが、スパッタリング法の場合、具体的には、例えば、SiCターゲットまたはSiNターゲットを用いて、Ar等の不活性ガス、または、不活性ガスとO2もしくはCO2等の酸素原子含有ガスとの混合ガスを導入しながら、支持基板12上に、上述した無機層表面14aの組成を有する無機層14を設ける方法が挙げられる。なお、製造条件は、使用される材料等に応じて、適宜最適な条件が選択される。
ガラス基板18は、第1主面18aが無機層14と密着し、無機層14側とは反対側の第2主面18bに後述する電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板18の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板18は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている線膨張係数が用いられる。
無機薄膜層がガラス基板18上に配置(固定)される場合、ガラス積層体中においては、無機層付き支持基板16の無機層14と無機薄膜層とが接触する。無機薄膜層をガラス基板18上に設けることにより、高温条件下の長時間処理後においても、ガラス基板18と無機層付き支持基板16との接着をより抑制できる。
無機薄膜層の態様は特に限定されないが、好ましくは、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、金属炭化物、金属炭窒化物、金属珪化物および金属弗化物からなる群から選ばれる少なくとも1つを含む。なかでも、ガラス基板18の剥離性がより優れる点で、金属酸化物を含むことが好ましく、酸化インジウムスズがより好ましい。
本発明のガラス積層体10は、上述した無機層付き支持基板16の無機層表面14aとガラス基板18の第1主面18aとを積層面として、無機層付き支持基板16とガラス基板18とを剥離可能に積層してなる積層体である。言い換えると、支持基板12とガラス基板18との間に、無機層14が介在する積層体である。
(積層工程)
本発明のガラス積層体の製造方法は、無機層14上にガラス基板18を積層させる積層工程を備える。ここで、ガラス基板18を積層させる方法としては、特に限定されないが、具体的には、常圧環境下で無機層付き支持基板16とガラス基板18とを重ねた後に、例えば、ガラス基板18の自重またはガラス基板18の第2主面18bを軽く一か所押すことにより、重ね合わせ面内に密着起点を発生させ、その密着起点から密着を自然に広げる方法;ロールやプレスを用いて圧着することで、密着起点からの密着を広げる方法;等が挙げられる。ロールやプレスによる圧着は、無機層14とガラス基板18とがより密着するうえ、両者の間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
洗浄の方法は特に限定されないが、例えば、無機層14またはガラス基板18の表面をアルカリ水溶液で洗浄した後、さらに水を用いて洗浄する方法が挙げられる。
本発明のガラス積層体の製造方法は、積層工程の後に、下記(a)〜(d)の条件を満たす加熱処理を行う加熱処理工程を備える。
(a)昇温速度:300℃/分以下
(b)加熱温度:150〜600℃
(c)保持時間:0.5分以上
(d)雰囲気:大気圧状態もしくは減圧状態の大気雰囲気もしくは不活性ガス雰囲気、または、真空雰囲気
無機層付き支持基板16が、上述した組成を採用した無機層14を有する場合においては、(a)〜(d)の条件を満たす加熱処理を施すことで、積層維持性が優れる。これは、積層工程において無機層14とガラス基板18との界面に働くのは弱い分子間力(例えば、ファンデルワールス力や水素結合など)である一方、上記(a)〜(d)の条件の範囲内で適切な熱を加えると、その分子間力に加え、界面での適度な酸素拡散反応が起き、これにより接着力が向上するためであると考えられる。
ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる。
次に、電子デバイスおよびその製造方法の好適実施態様について詳述する。
図2は、本発明の電子デバイスの製造方法の好適実施態様における各製造工程を順に示す模式的断面図である。本発明の電子デバイスの好適実施態様は、部材形成工程および分離工程を備える。
以下に、図2を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、部材形成工程について詳述する。
部材形成工程は、ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成する工程である。
より具体的には、図2(A)に示すように、本工程において、ガラス基板18の第2主面18b上に電子デバイス用部材20が形成され、電子デバイス用部材付き積層体22が製造される。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材20について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
電子デバイス用部材20は、ガラス積層体10中のガラス基板18の第2主面18b上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材20としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材が挙げられる。表示装置用パネルとしては、有機ELパネル、フィールドエミッションパネル等が含まれる。
また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用部材としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
上述した電子デバイス用部材付き積層体22の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体10のガラス基板18の第2主面表面18b上に、電子デバイス用部材20を形成する。
なお、電子デバイス用部材20は、ガラス基板18の第2主面18bに最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。また、全部材付きガラス基板には、その剥離面(第1主面)に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から無機層付き支持基板16を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて電子デバイスを組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の無機層付き支持基板16を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。
なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板18の第2主面18bを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
分離工程は、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体22から無機層付き支持基板16を剥離して、電子デバイス用部材20およびガラス基板18を含む電子デバイス24(電子デバイス用部材付きガラス基板)を得る工程である。つまり、電子デバイス用部材付き積層体22を、無機層付き支持基板16と電子デバイス用部材付きガラス基板24とに分離する工程である。
剥離時のガラス基板18上の電子デバイス用部材20が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板18上に形成することもできる。
また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(幅90mm、奥行き30mm、厚さ0.5mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。
(SiCを含む無機層の形成)
支持基板の一方の主面をアルカリ性水溶液で洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、SiCターゲットを用いて、Arガスを導入しながら、マグネトロンスパッタリング法により、SiCを含む無機層(厚さ10nm、表面粗さRa0.4nm、以下同様)を形成し、無機層付き支持基板を得た。
Arガスに代えて、ArおよびO2の混合ガス(体積比(Ar/O2)=39/1)を導入した以外は、SiCを含む無機層の形成と同様にして、SiCOを含む無機層を形成し、無機層付き支持基板を得た。
SiCターゲットに代えて、SiNターゲットを用いた以外は、SiCを含む無機層の形成と同様にして、SiNを含む無機層を形成し、無機層付き支持基板を得た。
SiCターゲットに代えて、SiNターゲットを用いた以外は、SiCOを含む無機層の形成と同様にして、SiNOを含む無機層を形成し、無機層付き支持基板を得た。
(積層維持性の評価)
次に、ガラス基板の第1主面をアルカリ性水溶液で洗浄して清浄化した。各例の無機層付き支持基板の無機層の無機層表面と、ガラス基板の清浄化した第1主面とに、アルカリ水溶液による洗浄および水による洗浄を施し、両面を清浄化した。その後、無機層表面にガラス基板を重ね合わせ、真空プレスを用いて圧着し、無機層とガラス基板とを積層させて、ガラス積層体を得た。
そして、得られた各例のガラス積層体に対して、下記第1表に示す(a)〜(d)の条件で、加熱処理を行なった。なお、加熱処理を行わなかった場合は下記第1表に「−」を記載した。また、(d)雰囲気として下記第1表に記載した「大気」とは、「大気圧状態の大気雰囲気」を示す。
そして、加熱処理後(加熱処理を行わなかった場合も含む)、各例のガラス積層体について、切り折りおよび研磨を行ない、無機層とガラス基板との積層維持性を下記基準で評価した。
なお、「切り折り」は、市販の切り折りの機械を用いて行った。具体的には、各例のガラス積層体について、その両面にそれぞれの位置が重なるように切り線を入れた後、支持基板が上側となるようにして、切り線を台のエッジに沿わせて、ガラス積層体の片側を台上に固定し、もう片側を押し下げて折った。
また、「研磨」では、支持基板が上側、ガラス基板が下側となるようにして、ガラス積層体をポリウレタン製のテーブルパッド上に固定し、酸化セリウムと水との混合液を使用して、研磨パッドで5分間研磨を行った。
結果を下記第1表に示す。「○」または「△」であれば、積層維持性が優れるものとして評価できる。
○:無機層とガラス基板との積層状態が維持されていた。
△:概ね積層状態が維持されたが、局所的に剥がれが生じた。
×:積層状態が崩れ、全体的に剥がれが生じた。
図3は、剥離性の評価方法を示す模式的断面図である。
まず、積層維持性の評価と同様にして、無機層の無機層表面およびガラス基板の第1主面を清浄化した。その後、各例の無機層付き支持基板と、ガラス基板とを、奥行き方向の位置を揃えつつ、幅方向の長さが異なるため、図3に示すように一端で揃えて重ね合わせた。なお、一端を揃えたため、他端では、図3に示すように、無機層付き支持基板の一部がガラス基板から突出している。
重ね合わせた後、密着起点を発生させ、真空プレスを用いて圧着して、密着を重ね合わせ面内全体に渡らせて、各例のガラス積層体を得た。その後、積層維持性の評価と同様にして、得られた各例のガラス積層体に対して、下記第1表に示す(a)〜(d)の条件で、加熱処理を行なった。
そして、次に、大気雰囲気にて、600℃で1時間加熱処理を施した。
次に、剥離試験を行った。具体的には、まず、ガラス積層体におけるガラス基板の第2主面を固定台(図3中符号31で示す)上に両面テープを用いて固定した。
次に、図3に示すように、ガラス基板から突出している無機層付き支持基板の無機層表面に、L字型治具(図3中符号32で示す)を引っ掛けて、固定台から離れる方向に機械を用いて10mm/minで引き上げることで、無機層とガラス基板との剥離性を下記基準で評価した。結果を下記第1表に示す。なお、「○」であれば、高温条件下の長時間処理の後であっても剥離性が優れるものとして評価できる。
○:剥離できた。
×:剥離できなかった。
これに対して、加熱処理を行わなかったり、(a)〜(d)の条件が外れたりする例(比較例)は、積層維持性が劣っていた。
なお、上記結果より、実施例においては、無機層と支持基板の層との界面の剥離強度が、無機層とガラス基板との界面の剥離強度よりも大きいことが確認された。
本例では、例I−7の条件(加熱処理条件は上記第1表を参照)で製造された、ガラス積層体を用いてOLEDを作製した。
より具体的には、ガラス積層体におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第2主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース/ドレイン電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ガラス基板の第2主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜して、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
続いて、ガラス基板の第2主面側に、さらに蒸着法により正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜した。次に、ガラス基板の第2主面側にスパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。次に、対向電極を形成したガラス基板の第2主面上に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止した。上記手順によって得られた、ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体は、電子デバイス用部材付き積層体に該当する。
続いて、得られたガラス積層体の封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス積層体のコーナー部の無機層とガラス基板との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス積層体から無機層付き支持基板を分離して、OLEDパネル(電子デバイスに該当。以下パネルAという)を得た。作製したパネルAにICドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。
本例では、例I−7の条件(加熱処理条件は上記第1表を参照)で製造された、ガラス積層体を用いてLCDを作製した。
ガラス積層体を2枚用意し、まず、片方のガラス積層体におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第2主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース/ドレイン電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ガラス基板の第2主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。次に、画素電極を形成したガラス基板の第2主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。得られたガラス積層体を、ガラス積層体X1と呼ぶ。
次に、もう片方のガラス積層体におけるガラス基板の第2主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成した。次に、遮光層を設けたガラス基板の第2主面側に、さらにダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成した。次に、ガラス基板の第2主面側に、さらにスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成した。次に、対向電極を設けたガラス基板の第2主面上に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成した。次に、柱状スペーサを形成したガラス基板の第2主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。次に、ガラス基板の第2主面側に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上述したガラス積層体X1を用いて、2枚のガラス積層体のガラス基板の第2主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりLCDパネルを有する積層体を得た。ここでのLCDパネルを有する積層体を以下、パネル付き積層体X2という。
次に、パネル付き積層体X2から両面の無機層付き支持基板を剥離し、TFTアレイを形成した基板およびカラーフィルタを形成した基板からなるLCDパネルB(電子デバイスに該当)を得た。
作製したLCDパネルBにICドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。
12 支持基板
14 無機層
14a 無機層表面(無機層における支持基板側とは反対側の表面)
16 無機層付き支持基板
18 ガラス基板
18a ガラス基板の第1主面
18b ガラス基板の第2主面
20 電子デバイス用部材
22 電子デバイス用部材付き積層体
24 電子デバイス
31 固定台
32 L字型治具
Claims (4)
- 支持基板および前記支持基板上に配置された無機層を有する無機層付き支持基板と、前記無機層上に剥離可能に積層されたガラス基板と、を備えるガラス積層体を得る、ガラス積層体の製造方法であって、
前記無機層上に前記ガラス基板を積層させる積層工程と、
前記積層工程の後に加熱処理を行う加熱処理工程と、を備え、
前記無機層が、炭化ケイ素、炭化酸化ケイ素、窒化ケイ素および窒化酸化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも1種を含み、
前記加熱処理が、下記(a)〜(d)の条件を満たす、ガラス積層体の製造方法。
(a)昇温速度:300℃/分以下
(b)加熱温度:150〜600℃
(c)保持時間:0.5分以上
(d)雰囲気:大気圧状態もしくは減圧状態の大気雰囲気もしくは不活性ガス雰囲気、または、真空雰囲気 - 前記(a)昇温速度が、200℃/分以下である、請求項1に記載のガラス積層体の製造方法。
- 前記支持基板が、ガラス基板である、請求項1または2に記載のガラス積層体の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス積層体の製造方法により得られたガラス積層体中の前記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から前記無機層付き支持基板を剥離し、前記ガラス基板および前記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
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