JP2933982B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光の発生に利用する。特に、半導体レ
ーザや半導体光増幅器における光利得スペクトルの制御
に関する。
ーザや半導体光増幅器における光利得スペクトルの制御
に関する。
本発明は、pn構造を用いた半導体発光素子において、 互いにバンドギャップエネルギの異なる二つの活性層
をpnp構造またはnpn構造を用いて同一導波構造内に形成
することにより、 互いの光利得スペクトルの重ね合わせを利用して、半
導体発光素子の発振波長を可変に制御し、利得スペクト
ル幅を広げ、スペクトル形状を電気的に制御するもので
ある。
をpnp構造またはnpn構造を用いて同一導波構造内に形成
することにより、 互いの光利得スペクトルの重ね合わせを利用して、半
導体発光素子の発振波長を可変に制御し、利得スペクト
ル幅を広げ、スペクトル形状を電気的に制御するもので
ある。
発振波長が可変の半導体レーザとしては、多電極形の
分布ブラッグ反射レーザ（DBRレーザ）や、pnp構造また
はnpn構造の二つのpn接合にそれぞれ活性層と変調層を
設けたもの（TTGレーザ、tunable twing−guide lase
r）が知られている。
分布ブラッグ反射レーザ（DBRレーザ）や、pnp構造また
はnpn構造の二つのpn接合にそれぞれ活性層と変調層を
設けたもの（TTGレーザ、tunable twing−guide lase
r）が知られている。
第７図は従来例多電極分布ブラッグ反射レーザの例を
示す。
示す。
このレーザは、ｐ型とｎ型との導電性が異なる二つの
半導体層131、134の間に光導波路層132が設けられ、光
導波路層132の一端の領域に活性層133が設けられ、光導
波路層132の他端には回折格子135が設けられた構造をも
つ。この素子の電極は三つの領域に分割して設けられ
る。第一の電極136は活性層133の領域に設けられ、レー
ザ発振に必要な電流を供給する。この領域を以下「発光
部」という。第二の電極137は、活性層133も回折格子13
5も設けられていない領域に形成される。この領域を以
下「位相調整部」という。また、第三の電極138は、回
折格子135の領域に設けられる。この領域を以下「波長
選択部」という。
半導体層131、134の間に光導波路層132が設けられ、光
導波路層132の一端の領域に活性層133が設けられ、光導
波路層132の他端には回折格子135が設けられた構造をも
つ。この素子の電極は三つの領域に分割して設けられ
る。第一の電極136は活性層133の領域に設けられ、レー
ザ発振に必要な電流を供給する。この領域を以下「発光
部」という。第二の電極137は、活性層133も回折格子13
5も設けられていない領域に形成される。この領域を以
下「位相調整部」という。また、第三の電極138は、回
折格子135の領域に設けられる。この領域を以下「波長
選択部」という。
この素子は垂直方向がすべてpn構造となっており、こ
のpn構造に流す電流により光導波路層132のキャリア密
度が変化し、これにより屈折率が変化する。このような
屈折率変化はプラズマ効果として知られている。
のpn構造に流す電流により光導波路層132のキャリア密
度が変化し、これにより屈折率が変化する。このような
屈折率変化はプラズマ効果として知られている。
この素子構造は、例えば、ムラタ他、エレクトロニク
ス・レターズ、第23巻第403頁、1987年（S.Murata et a
l.,Electron.Lett.,Vol.23,pp.403,1987）に示されてい
る。
ス・レターズ、第23巻第403頁、1987年（S.Murata et a
l.,Electron.Lett.,Vol.23,pp.403,1987）に示されてい
る。
第８図はpnp構造の半導体レーザの基本的な構造を示
す断面図である。
す断面図である。
ｐ形InP基板１上にはｐ形InPバッファ層２が形成さ
れ、さらに、inGaAsP変調層３、ｎ形InP分離層４、InGa
AsP活性層５およびｐ形InPクラド層６がメサ形に形成さ
れる。このメサ形の構造は、ｎ形InP埋め込み層７によ
り埋め込まれる。クラッド層６はｐ形InGaAsコンタクト
層８を介して電極11に接続され、埋め込み層７はｎ形In
GaAsコンタクト層９を介して電極12に接続される。コン
タクト層８、９の間、および電極11、12の間はSiO2絶縁
層10により電気的に絶縁される。基板１の裏面には電極
13が設けられる。
れ、さらに、inGaAsP変調層３、ｎ形InP分離層４、InGa
AsP活性層５およびｐ形InPクラド層６がメサ形に形成さ
れる。このメサ形の構造は、ｎ形InP埋め込み層７によ
り埋め込まれる。クラッド層６はｐ形InGaAsコンタクト
層８を介して電極11に接続され、埋め込み層７はｎ形In
GaAsコンタクト層９を介して電極12に接続される。コン
タクト層８、９の間、および電極11、12の間はSiO2絶縁
層10により電気的に絶縁される。基板１の裏面には電極
13が設けられる。
電極11、12の間に電流を供給すると、その電流は、コ
ンタクト層８、クラッド層６、活性層５、埋め込み層７
およびコンタクト層９を経由して流れる。この電流値が
しきい値以上であれば、活性層５でレーザ発振が生じ
る。
ンタクト層８、クラッド層６、活性層５、埋め込み層７
およびコンタクト層９を経由して流れる。この電流値が
しきい値以上であれば、活性層５でレーザ発振が生じ
る。
また、電極13、12の間に電流を供給すると、その電流
は、基板１、バッファ層２、変調層３、分離層４、埋め
込み層７およびコンタクト層９を経由して流れる。この
電流により、変調層３のキャリア濃度が制御され、プラ
ズマ効果により屈折率や吸収係数が変化する。この変化
により、活性層５の発振強度、波長または位相を調整
し、さらにはレーザ発振光を直接変調できる。
は、基板１、バッファ層２、変調層３、分離層４、埋め
込み層７およびコンタクト層９を経由して流れる。この
電流により、変調層３のキャリア濃度が制御され、プラ
ズマ効果により屈折率や吸収係数が変化する。この変化
により、活性層５の発振強度、波長または位相を調整
し、さらにはレーザ発振光を直接変調できる。
このような半導体レーザの具体的な構造については、
例えば、アマン他、「チューナブル・ツインガイド・レ
ーザ：ア・ノーベル・レーザ・ダイオード・ウィズ・イ
ンプルーブド・チューニング・パフォーマンス」アプラ
イド・フィジクス・レターズ第54巻第25号、1989年６月
19日（M.C.Amann,S.Illek,C.Schanen and W.Thulke,“T
unable twin−guide laser:A novel laser diode with
improved tuning performance"Appl.Phys.Lett.54（2
5）,19 June 1989）にも示されている。
例えば、アマン他、「チューナブル・ツインガイド・レ
ーザ：ア・ノーベル・レーザ・ダイオード・ウィズ・イ
ンプルーブド・チューニング・パフォーマンス」アプラ
イド・フィジクス・レターズ第54巻第25号、1989年６月
19日（M.C.Amann,S.Illek,C.Schanen and W.Thulke,“T
unable twin−guide laser:A novel laser diode with
improved tuning performance"Appl.Phys.Lett.54（2
5）,19 June 1989）にも示されている。
従来の半導体レーザは、波長可変を実現するために、
回折格子による共振器のフィルタ特性の変化を利用して
いる。このため、波長可変範囲が、一つの活性層におけ
る光利得スペクトルにより限定されていた。また、半導
体レーザ構造を用い、その端面に反射防止被膜を設けて
光増幅器として使用する場合に、光利得の得られる波長
が、活性層の光利得スペクトルにより限定されていた。
回折格子による共振器のフィルタ特性の変化を利用して
いる。このため、波長可変範囲が、一つの活性層におけ
る光利得スペクトルにより限定されていた。また、半導
体レーザ構造を用い、その端面に反射防止被膜を設けて
光増幅器として使用する場合に、光利得の得られる波長
が、活性層の光利得スペクトルにより限定されていた。
本発明は、以上の課題を解決し、光利得スペクトルを
変化させることによる波長可変の発光素子を提供すると
ともに、光利得スペクトル形状を制御できる半導体光増
幅器を提供することを目的とする。
変化させることによる波長可変の発光素子を提供すると
ともに、光利得スペクトル形状を制御できる半導体光増
幅器を提供することを目的とする。
本発明の半導体発光素子は、互いに導電性が異なる二
つの半導体層を含む第一のpn構造を備え、この二つの半
導体層の間にはその二つの半導体層よりバンドギャップ
エネルギの小さい第一の活性層が形成された半導体発光
素子において、二つの半導体層の一方の側の同一導波構
造内に、第一のpn構造との間でpnp構造またはnpn構造を
形成する第二のpn構造を備え、この第二のpn構造のpn接
合部には、その両側の半導体層よりバンドギャップエネ
ルギが小さく第一の活性層とはバンドギャップエネルギ
が異なる第二の活性層が形成されたことを特徴とする。
つの半導体層を含む第一のpn構造を備え、この二つの半
導体層の間にはその二つの半導体層よりバンドギャップ
エネルギの小さい第一の活性層が形成された半導体発光
素子において、二つの半導体層の一方の側の同一導波構
造内に、第一のpn構造との間でpnp構造またはnpn構造を
形成する第二のpn構造を備え、この第二のpn構造のpn接
合部には、その両側の半導体層よりバンドギャップエネ
ルギが小さく第一の活性層とはバンドギャップエネルギ
が異なる第二の活性層が形成されたことを特徴とする。
化合物半導体にpnpまたはnpnの層構造が得られるよう
に不純物を添加し、その二つのpn接合部に、それぞれバ
ンドギャップエネルギの小さい組成の活性層を設ける。
このとき、この二つの活性層のバンドギャップエネルギ
を互いにわずかに異なるものにする。これにより、それ
ぞれの活性層へキャリアを注入した場合の光利得スペク
トルを別々に制御できる。素子全体としての光利得スペ
クトルは、おおよそこの二つの光利得スペクトルの重ね
合わせとなるので、素子の光利得スペクトルを電気的に
制御できる。
に不純物を添加し、その二つのpn接合部に、それぞれバ
ンドギャップエネルギの小さい組成の活性層を設ける。
このとき、この二つの活性層のバンドギャップエネルギ
を互いにわずかに異なるものにする。これにより、それ
ぞれの活性層へキャリアを注入した場合の光利得スペク
トルを別々に制御できる。素子全体としての光利得スペ
クトルは、おおよそこの二つの光利得スペクトルの重ね
合わせとなるので、素子の光利得スペクトルを電気的に
制御できる。
第１図は本発明第一実施例半導体レーザの斜視図を示
し、第２図はそのＡ−Ａ方向（導波方向を横切る方向）
の断面図を示す。この例は、本発明をpnp構造の半導体
レーザで実施したものである。
し、第２図はそのＡ−Ａ方向（導波方向を横切る方向）
の断面図を示す。この例は、本発明をpnp構造の半導体
レーザで実施したものである。
この半導体レーザは、互いに導電性が異なる二つの半
導体層を含む第一のpn構造として、p+型InP基板１、バ
ッファ層２、拡散層23およびｐ形層22からなるｐ形InP
層と、ｎ形InP分離層４とを備え、この二つの半導体層
の間には、この二つの半導体層よりバンドギャップエネ
ルギの小さい第一の活性層５−１が形成される。
導体層を含む第一のpn構造として、p+型InP基板１、バ
ッファ層２、拡散層23およびｐ形層22からなるｐ形InP
層と、ｎ形InP分離層４とを備え、この二つの半導体層
の間には、この二つの半導体層よりバンドギャップエネ
ルギの小さい第一の活性層５−１が形成される。
ここで本実施例の特徴とするところは、分離層４側
に、第一のpn構造との間でpnp構造またはnpn構造を形成
する第二のpn構造としてｎ形の分離層４に対してｐ形In
Pクラッド層６を備え、この第二のpn構造のpn接合部に
は、その両側の半導体層よりバンドギャップエネルギが
小さくかつ第一の活性層５−１とはバンドギャップエネ
ルギが異なる第二の活性層５−２が形成されたことにあ
る。
に、第一のpn構造との間でpnp構造またはnpn構造を形成
する第二のpn構造としてｎ形の分離層４に対してｐ形In
Pクラッド層６を備え、この第二のpn構造のpn接合部に
は、その両側の半導体層よりバンドギャップエネルギが
小さくかつ第一の活性層５−１とはバンドギャップエネ
ルギが異なる第二の活性層５−２が形成されたことにあ
る。
ｐ形層22の一部、活性層５−１、分離層４、活性層５
−２およびクラッド層６はメサ構造を構成する。このメ
サ構造は埋め込み層７により埋め込まれる。
−２およびクラッド層６はメサ構造を構成する。このメ
サ構造は埋め込み層７により埋め込まれる。
クラッド層６はｐ形InGaAsコンタクト層８を介して電
極11に接続され、埋め込み層７はｎ形InGaAsコンタクト
層９を介して電極12に接続される。コンタクト層８、９
の間、および電極11、12の間はSiO2絶縁層10により電気
的に絶縁される。基板１の裏面には電極13が設けられ
る。
極11に接続され、埋め込み層７はｎ形InGaAsコンタクト
層９を介して電極12に接続される。コンタクト層８、９
の間、および電極11、12の間はSiO2絶縁層10により電気
的に絶縁される。基板１の裏面には電極13が設けられ
る。
活性層５−１でレーザ発振させるには、電極13から基
板１、バッファ層２、活性層５−１、分離層４、埋め込
み層７およびコンタクト層９を経由して電極12に電流を
供給し、この活性層５−１にキャリアを注入する。ま
た、活性層５−２でレーザ発振させるには、電極11から
コンタクト層８、クラッド層６、活性層５−２、埋め込
み層７およびコンタクト層９を経由して電極12に電流を
供給し、この活性層５−２にキャリアを注入する。
板１、バッファ層２、活性層５−１、分離層４、埋め込
み層７およびコンタクト層９を経由して電極12に電流を
供給し、この活性層５−１にキャリアを注入する。ま
た、活性層５−２でレーザ発振させるには、電極11から
コンタクト層８、クラッド層６、活性層５−２、埋め込
み層７およびコンタクト層９を経由して電極12に電流を
供給し、この活性層５−２にキャリアを注入する。
第３図は光利得スペクトルの変化を示す。
活性層５−１と活性層５−２とのバンドギャップが異
なるので、素子全体の光利得は、それぞれに供給する電
流とその大小関係とにより決定される。
なるので、素子全体の光利得は、それぞれに供給する電
流とその大小関係とにより決定される。
ここで、バンドギャップエネルギの大きい（発振波長
が短い）方の活性層５−１または５−２に流す電流を
I1、バンドギャップエネルギに相当する波長をλg1と
し、他方の活性層５−２または５−１に流す電流をI2、
波長をλg2とする。このとき、I1＜I2のときには、第３
図（ａ）に示すように、波長λg1よりも波長λg2に近い
側で光利得ピークが得られる。また、I1＝I2のときに
は、第３図（ｂ）に示すように、波長λg1とλg2とのほ
ぼ中間の波長で光利得ピークが得られる。さらに、I1＞
I2のときには、第３図（ｃ）に示すように、波長λg1付
近またはそれより短い側で光利得ピークが得られる。
が短い）方の活性層５−１または５−２に流す電流を
I1、バンドギャップエネルギに相当する波長をλg1と
し、他方の活性層５−２または５−１に流す電流をI2、
波長をλg2とする。このとき、I1＜I2のときには、第３
図（ａ）に示すように、波長λg1よりも波長λg2に近い
側で光利得ピークが得られる。また、I1＝I2のときに
は、第３図（ｂ）に示すように、波長λg1とλg2とのほ
ぼ中間の波長で光利得ピークが得られる。さらに、I1＞
I2のときには、第３図（ｃ）に示すように、波長λg1付
近またはそれより短い側で光利得ピークが得られる。
すなわち、活性層５−１、５−２への注入電流の割合
を連続的に変化させると、光利得のピーク波長を変化さ
せることができ、ファブリペロー形のレーザの発振中心
波長を可変に制御できる。また、二つの活性層５−１、
５−２のバンドギャップ波長を適当に選択することによ
り、素子全体としての光利得幅を広くでき、可変波長レ
ーザの光源としても有用である。
を連続的に変化させると、光利得のピーク波長を変化さ
せることができ、ファブリペロー形のレーザの発振中心
波長を可変に制御できる。また、二つの活性層５−１、
５−２のバンドギャップ波長を適当に選択することによ
り、素子全体としての光利得幅を広くでき、可変波長レ
ーザの光源としても有用である。
ただし、厳密には、短波長側の活性層の光利得は、長
波長側の活性層の光吸収のため、素子全体の光利得への
寄与は少し小さくなる。
波長側の活性層の光吸収のため、素子全体の光利得への
寄与は少し小さくなる。
長波長側の活性層による光吸収を削減するには、二つ
の活性層５−１、５−２を量子井戸構造で作成し、井戸
のバンドギャップ波長や厚さを変えることにより、実効
的に活性層の遷移エネルギをずらす。これにより、遷移
エネルギの小さい（波長の長い）側の活性層による光吸
収を小さく設定できる。
の活性層５−１、５−２を量子井戸構造で作成し、井戸
のバンドギャップ波長や厚さを変えることにより、実効
的に活性層の遷移エネルギをずらす。これにより、遷移
エネルギの小さい（波長の長い）側の活性層による光吸
収を小さく設定できる。
第４図はこの半導体レーザの製造方法を示す。
まず、第４図（ａ）に示すように、ｐ形InPの基板１
に、ｐ形InPとｎ形InPとをこの順に成長させ、バッファ
層２およびｎ形層21を形成する。
に、ｐ形InPとｎ形InPとをこの順に成長させ、バッファ
層２およびｎ形層21を形成する。
次に、第４図（ｂ）に示すように、プラズマCVDその
他の方法によりｎ形層21の表面にSiO2膜を堆積させ、ホ
トエッチング法により、ストライプ状の窓が設けられた
SiO2マスク24を形成する。続いて、このSiO2マスク24を
用いてZnその他のｐ形不純物を拡散させ、拡散層23を形
成する。
他の方法によりｎ形層21の表面にSiO2膜を堆積させ、ホ
トエッチング法により、ストライプ状の窓が設けられた
SiO2マスク24を形成する。続いて、このSiO2マスク24を
用いてZnその他のｐ形不純物を拡散させ、拡散層23を形
成する。
この後、SiO2マスク24を取り除いてから、第４図
（ｃ）に示すように、ｐ形層22、活性層５−１、分離層
４、活性層５−２およびクラッド層６をこの順序で成長
させる。活性層５−１、５−２としては、InGaAsPやInG
aAs/InGa AsPの量子井戸を用いる。
（ｃ）に示すように、ｐ形層22、活性層５−１、分離層
４、活性層５−２およびクラッド層６をこの順序で成長
させる。活性層５−１、５−２としては、InGaAsPやInG
aAs/InGa AsPの量子井戸を用いる。
クラッド層６を成長させた後、SiO2マスクを用いてホ
トエッチングを行い、下側の活性層５−１より深い位置
までメサ加工する。さらに、同じSiO2マスクを選択エピ
タキシャルマスクとして用い、第４図（ｄ）に示すよう
に、ｎ形InPの埋め込み層７を形成する。
トエッチングを行い、下側の活性層５−１より深い位置
までメサ加工する。さらに、同じSiO2マスクを選択エピ
タキシャルマスクとして用い、第４図（ｄ）に示すよう
に、ｎ形InPの埋め込み層７を形成する。
同様な選択エピタキシャル成長方法により、クラッド
層６と埋め込み層７の上部に、接触抵抗を低減するため
のｐ形InGaAsコンタクト層８、ｎ形InGaAsコンタクト層
９をそれぞれ成長させる。これに続き、SiO2を堆積さ
せ、ホトエッチングにより電極部分に窓を開けて絶縁層
10を形成する。さらに、ｐ形側の電極11として例えばAu
/Cr、ｎ形側の電極12として例えばAuGeNiをリフトオフ
法その他の方法により形成する。さらに、基板１の裏面
にもAu/Crの電極13を形成し、アロイングのための熱処
理を施す。これにより、第４図（ｅ）示した構造が得ら
れる。これを劈開してレーザチップが得られる。
層６と埋め込み層７の上部に、接触抵抗を低減するため
のｐ形InGaAsコンタクト層８、ｎ形InGaAsコンタクト層
９をそれぞれ成長させる。これに続き、SiO2を堆積さ
せ、ホトエッチングにより電極部分に窓を開けて絶縁層
10を形成する。さらに、ｐ形側の電極11として例えばAu
/Cr、ｎ形側の電極12として例えばAuGeNiをリフトオフ
法その他の方法により形成する。さらに、基板１の裏面
にもAu/Crの電極13を形成し、アロイングのための熱処
理を施す。これにより、第４図（ｅ）示した構造が得ら
れる。これを劈開してレーザチップが得られる。
この実施例は、導波路端面に無反射被膜を設けること
により、進行波形の光増幅器として使用できる。このと
き、活性層５−１、５−２への注入電流により、光の利
得スペクトルを可変に制御できる。
により、進行波形の光増幅器として使用できる。このと
き、活性層５−１、５−２への注入電流により、光の利
得スペクトルを可変に制御できる。
第５図および第６図は本発明第二実施例の可変波長分
布ブラッグ反射レーザを示す断面図であり、第５図は導
波路方向に沿った断面図、第６図は発光領域における導
波路方向を横切る方向の断面図である。
布ブラッグ反射レーザを示す断面図であり、第５図は導
波路方向に沿った断面図、第６図は発光領域における導
波路方向を横切る方向の断面図である。
電極11は発光部、位相調整部および波長選択部の三つ
の領域に対応して三つに分割され、SiO2絶縁層10′によ
り互いに電気的に絶縁される。電極12は発光部にのみ設
けられる。
の領域に対応して三つに分割され、SiO2絶縁層10′によ
り互いに電気的に絶縁される。電極12は発光部にのみ設
けられる。
発光部には、第一実施例と同等の構造が設けられる。
ただし、ｐ形層22内にInGaAsPガイド層22′が設けられ
たことが第一実施例と異なる。このガイド層22′は素子
の全長にわたり設けられる。活性層５−１、５−２およ
び分離層４は発光部だけに設けられる。
ただし、ｐ形層22内にInGaAsPガイド層22′が設けられ
たことが第一実施例と異なる。このガイド層22′は素子
の全長にわたり設けられる。活性層５−１、５−２およ
び分離層４は発光部だけに設けられる。
以上説明したように、本発明の半導体光学素子は、二
つの活性層に注入する電流により、光利得のピーク波長
を制御でき、発光または発振波長を変化させることがで
きる効果がある。また、光増幅器として使用した場合に
は、光利得スペクトルを可変に制御できる効果がある。
さらに、光利得スペクトルが広いレーザ光源が得られる
効果がある。
つの活性層に注入する電流により、光利得のピーク波長
を制御でき、発光または発振波長を変化させることがで
きる効果がある。また、光増幅器として使用した場合に
は、光利得スペクトルを可変に制御できる効果がある。
さらに、光利得スペクトルが広いレーザ光源が得られる
効果がある。
第１図は本発明第一実施例半導体レーザの斜視図。 第２図は第１図のＡ−Ａ断面図。 第３図は光利得スペクトルの変化を示す図。 第４図は第一実施例の製造方法を示す図。 第５図は本発明第二実施例可変波長分布ブラッグ反射レ
ーザの導波路方向における断面図。 第６図は第二実施例の発光部における導波路方向を横切
る方向の断面図。 第７図は従来例多電極分布ブラッグ反射レーザの例の断
面図。 第８図は従来例TTGレーザの基本的な構造を示す図。 １……基板、２……バッファ層、３……変調層、４……
分離層、５−１、５−２……活性層、６……クラッド
層、７……埋め込み層、８、９……コンタクト層、10、
10′……絶縁層、11〜13……電極、21……ｎ形層、22…
…ｐ形層、22′……ガイド層、23……拡散層、24……Si
O2マスク。
ーザの導波路方向における断面図。 第６図は第二実施例の発光部における導波路方向を横切
る方向の断面図。 第７図は従来例多電極分布ブラッグ反射レーザの例の断
面図。 第８図は従来例TTGレーザの基本的な構造を示す図。 １……基板、２……バッファ層、３……変調層、４……
分離層、５−１、５−２……活性層、６……クラッド
層、７……埋め込み層、８、９……コンタクト層、10、
10′……絶縁層、11〜13……電極、21……ｎ形層、22…
…ｐ形層、22′……ガイド層、23……拡散層、24……Si
O2マスク。
Claims (1)
- 【請求項１】互いに導電性が異なる二つの半導体層を含
む第一のpn構造を備え、 前記二つの半導体層の間にはその二つの半導体層よりバ
ンドギャップエネルギの小さい第一の活性層が形成さ
れ、 前記二つの半導体層の一方の側には前記第一のpn構造と
の間でpnp構造またはnpn構造を形成する第二のpn構造を
備え、 この第二のpn構造のpn接合部には、その両側の半導体層
よりバンドギャップエネルギが小さい第二の活性層が形
成された 半導体発光素子において、 前記第一の活性層と前記第二の活性層とは、同一導波構
造内に、互いにバンドギャップが異なって形成された ことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13885790A JP2933982B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体発光素子 |
| EP19900306760 EP0404551A3 (en) | 1989-06-20 | 1990-06-20 | Optical semiconductor device |
| US07/540,593 US5084894A (en) | 1989-06-20 | 1990-06-20 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13885790A JP2933982B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432287A JPH0432287A (ja) | 1992-02-04 |
| JP2933982B2 true JP2933982B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=15231770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13885790A Expired - Lifetime JP2933982B2 (ja) | 1989-06-20 | 1990-05-29 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933982B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315706A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| DE102008045634A1 (de) * | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Ludwig-Maximilians-Universität München | Wellenlängenabstimmbare Lichtquelle |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP13885790A patent/JP2933982B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0432287A (ja) | 1992-02-04 |
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