WO2025258696A1 - 樹脂基板の製造方法 - Google Patents

樹脂基板の製造方法

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WO2025258696A1
WO2025258696A1 PCT/JP2025/021541 JP2025021541W WO2025258696A1 WO 2025258696 A1 WO2025258696 A1 WO 2025258696A1 JP 2025021541 W JP2025021541 W JP 2025021541W WO 2025258696 A1 WO2025258696 A1 WO 2025258696A1
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WO
WIPO (PCT)
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resin substrate
compound
formula
substrate according
producing
Prior art date
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Pending
Application number
PCT/JP2025/021541
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English (en)
French (fr)
Inventor
昌久 上坂
智文 大西
匡史 真野
浩行 向山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Lens Thailand Ltd
Original Assignee
Hoya Lens Thailand Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Hoya Lens Thailand Ltd filed Critical Hoya Lens Thailand Ltd
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Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G75/02—Polythioethers
    • C08G75/06—Polythioethers from cyclic thioethers
    • C08G75/08—Polythioethers from cyclic thioethers from thiiranes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/02—Viewing or reading apparatus

Definitions

  • This disclosure relates to a method for manufacturing a resin substrate.
  • AR augmented reality
  • FOV field of view
  • the projected light emitted from this type of AR wearable device passes through a light guide plate and travels to the field of vision of the wearer, where it is focused using a diffraction grating or similar device, and transmitted light from outside is delivered to the wearer's field of vision along with the projected light.
  • the present disclosure therefore aims to provide a method for manufacturing a resin substrate that suppresses the occurrence of striae.
  • the inventors have discovered that by adjusting the catalyst content within a specific range in a polymerizable composition containing an epithio compound, it is possible to provide a method for producing a resin substrate that suppresses the occurrence of striae.
  • One embodiment of the present disclosure is a method for manufacturing a resin substrate, Formula (E1): (wherein X is S or O, a is an integer of 0 to 1, R is a divalent hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, b is an integer of 0 to 1, and c is an integer of 0 to 2), a thioether compound having mercapto groups with two or more functional groups, and an ammonium salt in an amount of 0.025 to 0.07% by mass relative to the total amount of the epithio compound and the thioether compound;
  • the present invention relates to a method for manufacturing a resin substrate, including:
  • This disclosure provides a method for manufacturing a resin substrate that suppresses the occurrence of striae.
  • FIG. 1 is a diagram showing a method for manufacturing a resin substrate according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing an embodiment of the resin substrate according to this embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the light guide plate according to the present embodiment.
  • the method for manufacturing a resin substrate includes the steps of: Formula (E1): (wherein X is S or O, a is an integer of 0 to 1, R is a divalent hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, b is an integer of 0 to 1, and c is an integer of 0 to 2), a thioether compound having mercapto groups with two or more functional groups, and an ammonium salt in an amount of 0.025 to 0.07% by mass relative to the total amount of the epithio compound and the thioether compound; Includes:
  • the above-described configuration provides a method for manufacturing a resin substrate that suppresses the occurrence of striae.
  • the manufacturing method also provides a resin, a resin substrate, a light guide plate, a waveguide device, an eyewear optical member, and a wearable device that use the same, with reduced yellowness.
  • the method for manufacturing a resin substrate according to this embodiment may be carried out according to the procedure shown in FIG.
  • the method for producing a resin substrate according to this embodiment includes a step of curing a polymerizable composition in a molding die (hereinafter also referred to as a "cast polymerization step").
  • the method for producing a resin substrate according to this embodiment includes the steps of: an annealing step to remove residual stress by heat treatment;
  • the method may further include a slicing step of slicing the resin substrate to obtain a resin substrate having a desired thickness, and a polishing step of polishing the resin substrate with a polishing device to achieve a predetermined roughness and flatness.
  • the polymerizable composition contains an epithio compound, a thioether compound having a di- or higher functional mercapto group, and an ammonium salt in an amount of 0.025 to 0.07% by mass, based on the total amount of the epithio compound and the thioether compound.
  • the ammonium salt is used as a polymerization catalyst.
  • Use of the ammonium salt as a polymerization catalyst can suppress the occurrence of striae in the resulting cured product. By using the ammonium salt in an amount within this range, the occurrence of striae can be suppressed in the step of curing the polymerizable composition in a molding die.
  • the content of the ammonium salt is preferably 0.030 to 0.065% by mass, more preferably 0.04 to 0.060% by mass, based on the total amount of the epithio compound and the thioether compound.
  • ammonium salts include quaternary ammonium salts.
  • quaternary ammonium salts include tetraalkylammonium salts.
  • the tetraalkylammonium salt is preferably a tetraalkylammonium salt having at least one benzyl group.
  • tetraalkylammonium salts include benzyltriethylammonium chloride, benzyltrimethylammonium chloride, benzyltripropylammonium chloride, and benzyltributylammonium chloride. Of these, benzyltriethylammonium chloride is preferred.
  • the epithio compound is Formula (E1): (wherein X is S or O, a is an integer of 0 to 1, R is a divalent hydrocarbon having 1 to 10 carbon atoms, b is an integer of 0 to 1, and c is an integer of 0 to 2) (hereinafter also referred to as "compound (1)").
  • the term "epithio compound” is a general term for epithio compounds contained in the polymerizable composition.
  • X is preferably S.
  • a is preferably 0.
  • the number of carbon atoms in R is preferably 1 to 4, and more preferably 2 or 3.
  • Examples of the divalent hydrocarbon group represented by R include an ethylene group, a propylene group, and a butylene group.
  • compound (1) include bis( ⁇ -epithiopropyl) sulfide, bis( ⁇ -epithiopropyl) disulfide, bis( ⁇ -epithiopropyl) trisulfide, bis( ⁇ -epithiopropylthio)methane, 1,2-bis( ⁇ -epithiopropylthio)ethane, 1,3-bis( ⁇ -epithiopropylthio)propane, 1,3-bis( ⁇ -epithiopropyloxy)propane, 1,4-bis( ⁇ -epithiopropylthio)butane, and bis( ⁇ -epithiopropylthioethyl)sulfide.
  • the compound represented by formula (E1) is a compound represented by the following formula (1-1): It is more preferable that the compound is a compound represented by the following formula:
  • the content (also referred to as purity) of compound (1) in the epithio compound of this embodiment is preferably 90% by mass or more, more preferably 95% by mass or more, even more preferably 98% by mass or more, and even more preferably 99% by mass or more, based on the total amount of the epithio compound.
  • the content of the epithio compound is preferably 50 to 98% by mass, more preferably 60 to 96% by mass, and even more preferably 70 to 96% by mass, based on the total amount of the polymerizable composition.
  • the polymerizable composition according to this embodiment contains an epithio compound including a compound represented by formula (E1) and a thioether compound including at least one compound selected from the group consisting of a compound represented by formula (T1) and a compound represented by formula (T2).
  • the thioether compound having a mercapto group is preferably a compound represented by the formula (T1):
  • R 1 and R 2 each independently represent a divalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms; m and n each independently represent an integer of 0 to 2.
  • the polymerizable composition according to this embodiment can obtain a resin that exhibits a high Abbe number.
  • compounds represented by formula (T1) include 2,5-bis(mercaptoethyl)-1,4-dithiane and 2,5-bis(mercaptomethyl)-1,4-dithiane.
  • the thioether compound having a mercapto group preferably contains at least one selected from the group consisting of these. Of these, 2,5-bis(mercaptomethyl)-1,4-dithiane is preferred.
  • the content of the compound represented by formula (T1) may be 50% by mass or more, 80% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass or more, or even 100% by mass, based on the total amount of thioether compounds having a mercapto group.
  • the thioether compound is preferably represented by formula (T2): (In the formula, R 11 and R 12 are each independently a hydrogen atom or a mercaptomethyl group; and p is 1 or 2.
  • the polymerizable composition according to this embodiment can obtain a resin that exhibits a high Abbe number.
  • compounds represented by formula (T2) include bis(mercaptoethylthio)mercaptopropane and bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecanedithiol. Of these, bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecanedithiol is preferred.
  • Bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecanedithiol may also be a mixture of 4,7-bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecane-1,11-dithiol, 4,8-bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecane-1,11-dithiol, and 5,7-bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecane-1,11-dithiol.
  • the content of the compound represented by formula (T2) may be 50% by mass or more, 80% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass or more, or even 100% by mass, based on the total amount of thioether compounds having a mercapto group.
  • the content of the thioether compound having a mercapto group is preferably 5 to 50 parts by mass, more preferably 8 to 30 parts by mass, and even more preferably 10 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the epithio compound.
  • the content of the thioether compound having a mercapto group is 10 to 20% by mass, more preferably 12 to 19% by mass, and even more preferably 13 to 18% by mass, based on the total amount of the polymerizable composition.
  • the polymerizable composition preferably further contains elemental sulfur in combination with the epithio compound.
  • the content of elemental sulfur is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 5 to 20% by mass, and even more preferably 10 to 20% by mass or more, based on the total amount of the polymerizable composition.
  • the polymerizable composition may contain other additives such as ultraviolet absorbers, release agents, colorants, antioxidants, refractive index modifiers, birefringence modifiers, color inhibitors, and fluorescent brighteners. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the polymerizable composition preferably contains an ultraviolet absorber.
  • an ultraviolet absorber improves the weather resistance of the resin, preventing deterioration and yellowing over time and maintaining transparency during use.
  • ultraviolet absorbers examples include benzotriazole compounds, benzophenone compounds, dibenzoylmethane, and 4-tert-butyl-4'-methoxybenzoylmethane. Of these, benzotriazole compounds are preferred.
  • the polymerizable composition contains, as a benzotriazole-based compound, a compound of the formula (U1): (wherein R3 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, and m is an integer of 1 to 2.
  • U1 a compound of the formula (U1): (wherein R3 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, and m is an integer of 1 to 2.
  • R3 is preferably an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkoxy group of R3 is preferably 1 to 20, more preferably 3 to 18, and even more preferably 6 to 16.
  • Examples of the alkoxy group of R3 include a methoxy group, an ethoxy group, a propyloxy group, a hexyloxy group, an octyloxy group, a dodecenyloxy group, and a lauryloxy group.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group of R3 is preferably 1 to 20, more preferably 3 to 18, and even more preferably 6 to 16.
  • Examples of the alkyl group of R3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a tertiary butyl group, a hexyl group, an octyl group, a dodecenyl group, and a lauryl group.
  • m is preferably 1.
  • benzotriazole compounds include 2-(2-hydroxy-5-methylphenyl)-2H-benzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-tert-amylphenyl)-2H-benzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-tert-butylphenyl)-2H-benzotriazole, 2-(2-hydroxy-5-tert-butylphenyl)-2H-benzotriazole, 2-(2-hydroxy-5-tert-octylphenyl)-2H-benzotriazole, and 2-(2-hydroxy-4-octyloxyphenyl)-2H-benzotriazole. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, 2-(2-hydroxy-4-octyloxyphenyl)-2H-benzotriazole is preferred.
  • benzophenone compounds include 2,4-dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone-5-sulfonic acid, 2-hydroxy-4-n-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-n-dodecyloxybenzophenone, 2-hydroxy-4-benzyloxybenzophenone, and 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone.
  • the content of the ultraviolet absorber is preferably 0.001% to 5% by mass, more preferably 0.01% to 3% by mass, and even more preferably 0.05% to 1% by mass, based on the total amount of the epithio compound and the thioether compound.
  • colorant L a colorant having a maximum absorption wavelength of 550 nm or more and 600 nm or less in a 20 ppm by mass toluene solution in the polymerizable composition be 0.1 mass% or less.
  • colorant L has a maximum absorption wavelength of 550 nm or more and 600 nm or less in a 20 ppm by mass toluene solution.
  • the maximum absorption wavelength of colorant L is preferably 550 nm or longer, more preferably 560 nm or longer, and even more preferably 580 nm or longer, from the viewpoint of obtaining a lens substrate with a slightly bluish, favorable color tone.
  • the maximum absorption wavelength of colorant L is preferably 600 nm or shorter, and even more preferably 590 nm or shorter, from the viewpoint of obtaining a resin with a slightly bluish, favorable color tone.
  • colorant L examples include C.I. Solvent Violet 11, 13, 14, 26, 31, 33, 36, 37, 38, 45, 47, 48, 51, 59, and 60; and C.I. Disperse Violet 26, 27, and 28.
  • C.I. Disperse Violet 27, C.I. Solvent Violet 13, and 31 are preferred, and C.I. Disperse Violet 27 and C.I. Solvent Violet 13 are more preferred, with C.I. Disperse Violet 27 being even more preferred, from the viewpoint of high stability and minimal change in color tone even during polymerization of the polymerizable composition.
  • the content of colorant L is preferably 0.01% by mass or less, more preferably 0.001% by mass or less, and even more preferably 0.001% by mass or less.
  • antioxidants examples include phenol-based antioxidants, epoxy-based antioxidants, sulfur-based antioxidants, and phosphorus-based antioxidants.
  • Phenol-based antioxidants include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol and phenol.
  • Epoxy-based antioxidants include, for example, bisphenol A diglycidyl ether.
  • Sulfur-based antioxidants include, for example, dilauryl 3,3'-thiodipropionate.
  • Phosphorus-based antioxidants include, for example, phosphite compounds such as triphenyl phosphite, trioctyl phosphite, and tridecyl phosphite. Antioxidants can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of antioxidant added is preferably 0.001% to 5% by mass, more preferably 0.01% to 3% by mass, and even more preferably 0.1% to 2% by mass, based on the total amount of the polymerizable composition.
  • the curing method in the cast polymerization step is not particularly limited, but the polymerizable composition can be cured by heating.
  • the lens substrate is obtained, for example, by injecting a polymerizable composition into a mold that combines a glass or metal mold with tape or a gasket, and then polymerizing the composition.
  • Polymerization conditions can be set appropriately depending on the polymerizable composition.
  • the polymerization initiation temperature is preferably 0°C or higher, more preferably 10°C or higher, and preferably 50°C or lower, more preferably 40°C or lower. It is preferable to raise the temperature from the polymerization initiation temperature and then heat to harden and form the composition.
  • the maximum temperature is usually 80°C or higher and 130°C or lower.
  • the method for producing a resin substrate according to this embodiment may further include an annealing step of removing residual stress by heat treatment.
  • the heat treatment temperature in the annealing step is preferably 80 to 150°C.
  • the method for producing a resin substrate according to this embodiment may further include a slicing step of slicing the resin substrate to obtain a resin substrate having a desired thickness. After the cast polymerization step, the resin substrate released from the mold may be sliced into a predetermined thickness of 0.3 to 2.0 mm using a wire saw.
  • the method for producing a resin substrate according to this embodiment may further include a polishing step of polishing the resin substrate with a polishing device in order to give the resin substrate a predetermined roughness and flatness.
  • a resin substrate raw material liquid is poured into a cavity formed by two molds placed at a specified distance.
  • the resin substrate is formed by a curing reaction of the raw material liquid, and then released from the molds.
  • the substrate can be polished with a polishing device with sufficient removal until the wire saw marks disappear, leaving a resin substrate with a thickness of 0.1 to 1.5 mm. If necessary, the outer periphery of the released resin substrate can be cut to create a smooth surface, and then sliced with a wire saw.
  • the polishing device may be any device capable of polishing the substrate surface without imparting anisotropy, and specifically, a lapping device can be preferably used.
  • a resin substrate is placed on a flat surface plate, and a slurry of alumina or silica or the like is poured over the surface plate and the resin substrate, which are then rotated relative to each other while being pressed down at a predetermined pressure, thereby removing scratches and residual stress from the surface of the resin substrate.
  • Either a single-sided polishing machine or a double-sided polishing machine can be used to polish the resin substrate, and both wire saw marks and residual stresses generated on both sides of the substrate can be uniformly removed, thereby minimizing flatness.
  • the resin substrate according to this embodiment contains the resin obtained by the manufacturing method according to this embodiment described above.
  • 2 is a diagram showing a schematic shape of a resin substrate according to this embodiment.
  • the resin substrate 100 has a disk shape.
  • a base material for a light guide plate 10 (described later) is cut out from the resin substrate 100 and used.
  • the density of the resin in the resin substrate is preferably 0.93 to 2.10 g/ cm3 , more preferably 1.20 to 1.80 g/ cm3 , and even more preferably 1.30 to 1.50 g/ cm3 . Having the density within this range enables the light guide plate to be made lighter.
  • the resin density can be measured by the underwater displacement method in accordance with JIS K7112-1:2023.
  • the refractive index of the resin in the resin substrate is preferably 1.60 or higher, more preferably 1.65 or higher, and even more preferably 1.70 or higher. There is no particular upper limit to the refractive index of the resin, but it is, for example, 2.00 or lower. By keeping the refractive index of the substrate within this range, the viewing angle can be widened.
  • the refractive index can be measured in accordance with JIS K7142:2014.
  • the average internal transmittance IT 420-780 of the resin substrate for light with wavelengths of 420 nm to 780 nm is preferably 95% or more, more preferably 97% or more, and even more preferably 98% or more, from the viewpoint of suppressing an effect on the color tone of an image passing through the light guide plate.
  • the average internal transmittance IT 420-780 is the average value of the internal transmittance IT w of light in the wavelength range of 420 nm to 780 nm.
  • the internal transmittance IT w is calculated for each wavelength using the following formula by preparing two samples with different thicknesses.
  • T w1 is the transmittance of light of wavelength w (nm) through a measurement sample having a specific thickness
  • T w2 is the transmittance of light of wavelength w (nm) through a measurement sample having a thickness greater than T w1
  • ⁇ d is the difference in thickness (mm) between T w2 and T w1 .
  • the above-mentioned internal transmittance IT w refers to the internal transmittance at a thickness of 10 mm.
  • the transmittance at each wavelength of light can be measured using a UV-Vis-NIR spectrophotometer "UH4150" (product name, Hitachi High-Tech Corporation).
  • the average internal transmittance IT 420-780 can be achieved by using a resin material with little coloring and by not containing pigments such as bluing agents.
  • the internal transmittance IT w of the resin substrate is preferably 83% or more for all light having wavelengths of 420 nm to 780 nm. From the viewpoint of further suppressing the influence on the color tone of an image passing through the light guide plate, the internal transmittance IT w is more preferably 85% or more, even more preferably 90% or more, and even more preferably 95% or more for all light having wavelengths of 420 nm to 780 nm.
  • the method for measuring the internal transmittance IT w is as described above.
  • the condition for the internal transmittance IT w can be achieved by using a material that is less colored as the resin material and by not containing a dye such as a bluing agent.
  • the average internal transmittance IT 550-650 of light having a wavelength of 550 nm to 650 nm is preferably 95% or more, more preferably 96% or more, and even more preferably 98% or more.
  • the average internal transmittance IT 550-650 is the average value of the internal transmittance IT w of light having a wavelength of 420 nm to 780 nm.
  • the measurement and calculation methods are the same as those for the average internal transmittance IT 420-780 described above, except that the wavelength range of light is different.
  • the value of (IT 420-780 - IT 550-650 )/IT 420-780 is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, and even more preferably 1% or less. This value is calculated from the above-mentioned average internal transmittance IT 420-780 and average internal transmittance IT 550-650 .
  • the average internal transmittance IT 300-380 of a resin substrate for light with a wavelength of 300 to 380 nm is preferably 50% or less, more preferably 30% or less, even more preferably 10% or less, and still more preferably 1% or less, from the viewpoint of improving the light resistance of the resin.
  • the average internal transmittance IT 300-380 is the average value of the internal transmittance IT w of light with a wavelength of 300 nm to 380 nm.
  • the measurement and calculation methods are the same as those for the above-mentioned average internal transmittance IT 420-780 , except that the wavelength range of light is different.
  • the average internal transmittance IT 300-320 of a resin substrate for light with a wavelength of 300 to 320 nm is preferably 30% or less, more preferably 10% or less, even more preferably 1% or less, and even more preferably 0.1% or less, from the viewpoint of improving the light resistance of the resin.
  • the average internal transmittance IT 300-320 is the average value of the internal transmittance IT w of light with a wavelength of 300 nm to 320 nm.
  • the measurement and calculation methods are the same as those for the average internal transmittance IT 420-780 described above, except that the wavelength range of light is different.
  • the thickness of the resin substrate is preferably 0.1 to 2.0 mm, more preferably 0.2 to 1.5 mm, and even more preferably 0.3 to 1.0 mm.
  • the thickness of the resin substrate is the thickness of the light guide plate.
  • the thickness of the resin substrate or the substrate of the light guide plate can be measured using an ultrasonic thickness gauge.
  • the resin substrate according to this embodiment may have any shape, but may be a disk.
  • the diameter of the disk is also not limited to any particular shape, but may be, for example, 50 mm to 450 mm, or 60 mm to 150 mm.
  • the resin substrate according to this embodiment may also have a shape that does not have a base curve, such as a convex or concave surface, like a lens substrate, and may be, for example, flat.
  • the flatness of the resin substrate is preferably 25.0 ⁇ m or less, more preferably 20.0 ⁇ m or less, even more preferably 12.0 ⁇ m or less, and even more preferably 10.0 ⁇ m or less.
  • Flatness measures the flatness of one side of the substrate, and tends to be higher if the substrate is curved or warped. Flatness can be measured using a Nidek flatness tester (FT-15). By removing residual stress, it is possible to adjust the flatness value of the resin substrate to a smaller value.
  • the TTV of the resin substrate is preferably 3 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, and even more preferably 0.5 ⁇ m or less. There is no particular lower limit to the TTV, but it is, for example, 0.01 ⁇ m or more.
  • TTV refers to the difference between the maximum and minimum values of the thickness (i.e., the distance between the first surface 10a and the second surface 10b of the light guide plate substrate) (i.e., TTV (Total Thickness Variation)).
  • TTV can be measured using the Bow/Warp measuring device SBW-331ML/d manufactured by Kobelco Research Institute Co., Ltd.
  • the resin substrate is preferably for use as a light guide plate for a cross reality device.
  • Cross reality is a technology that combines images from the real world and the virtual world, and is a general term that encompasses technologies such as VR (virtual reality), AR (augmented reality), and MR (mixed reality).
  • a cross reality device is a device used for this cross reality, such as a head-mounted display.
  • a light guide plate is used in a cross reality device to project images onto the wearer's retina.
  • the resin substrate of this embodiment is preferably used for this light guide plate.
  • a substrate to be used for the light guide plate is cut out from the resin substrate of this embodiment.
  • [Waveguide device] 3 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a waveguide device according to the present invention.
  • the waveguide device 1 includes a light guide plate 10 containing a resin, a diffraction grating 52, and a diffraction grating 32.
  • the diffraction grating 52 and the diffraction grating 32 are each formed on one main surface of the light guide plate 10. Light of each wavelength is introduced into the diffraction grating 52 from the image display device 24.
  • the image display device 24 is, for example, a transmissive liquid crystal display (LCD T-LCOS) panel driven by a field sequential method.
  • the image display device 24 modulates light of each wavelength according to the image signal generated by the image engine (not shown) of the signal processing device 5.
  • the light of each wavelength modulated by the pixels in the effective area of the image display device 24 is incident on the light guide plate 10 with a predetermined beam cross section (approximately the same shape as the effective area).
  • the image display device 24 can also be replaced with other types of display elements, such as a DMD (Digital Mirror Device), a reflective liquid crystal display (LCOS) panel, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), organic EL (Electro-Luminescence), or inorganic EL.
  • a diffraction grating 52 is laminated on the second surface 10b of the light guide plate 10.
  • the diffraction grating 52 may have, for example, an interference fringe pattern pitch. Note that the diffraction grating 52 may also be a hologram.
  • the light of each wavelength modulated by the image display device 24 is sequentially incident on the first surface 10a into the light guide plate 10.
  • the diffraction grating 52 diffracts the light of each wavelength incident sequentially at a predetermined angle to guide it to the wearer's eye.
  • the light of each wavelength diffracted by the diffraction grating 52 is repeatedly totally reflected at the interface between the light guide plate 10 and the air, propagates within the light guide plate 10, and is then incident on the diffraction grating 32.
  • the light of each wavelength incident on the diffraction grating 32 is diffracted by the diffraction grating 32 and sequentially emitted approximately perpendicularly to the outside from the second surface 10b of the light guide plate 10.
  • the light of each wavelength emitted in this manner as approximately parallel light is focused on the wearer's retina as a virtual image I of the image generated by the image display device 24.
  • the light guide plate 10 in the waveguide device 1 according to this embodiment contains the resin according to this embodiment described above.
  • a substrate containing the resin according to this embodiment as the substrate, it is possible to use a material that has a high refractive index but a relatively low density, which enables a light guide plate to be obtained that can reduce the weight of a wearable device and has reduced yellowness.
  • the shape of the substrate of the light guide plate is not particularly limited, but it may be a quadrilateral plate.
  • the eyewear optical member according to this embodiment includes a resin lens substrate and the waveguide device according to this embodiment.
  • the refractive index (RW) of the light guide plate is greater than the refractive index (RT) of the lens substrate, and the difference (RW-RT) between the refractive index (RW) of the light guide plate and the refractive index (RT) of the lens substrate is preferably 0.2 to 1.0, more preferably 0.3 to 0.8, and even more preferably 0.3 to 0.5.
  • the eyewear optical component may be, for example, a spectacle lens to be applied to a spectacle-type wearable device.
  • the lens substrate has the shape of a spectacle lens substrate.
  • the spectacle lens substrate does not necessarily have to have a spherical surface, and may be a flat plate shaped to fit a spectacle-type frame.
  • the head-mounted display includes, for example, a spectacle-type frame worn on the head of a wearer and an eyewear optical element according to this embodiment attached to the frame.
  • the spectacle-type frame may be equipped with a backlight for illuminating images, a signal processing device for displaying images, a speaker for reproducing sound, and the like.
  • ⁇ 3> The method for producing a resin substrate according to ⁇ 2>, wherein the quaternary ammonium salt includes a tetraalkylammonium salt.
  • the tetraalkylammonium salt is at least one selected from the group consisting of benzyltriethylammonium chloride, benzyltrimethylammonium chloride, benzyltripropylammonium chloride, and benzyltributylammonium chloride.
  • ⁇ 5> ⁇ 4> The method for producing a resin substrate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the compound represented by formula (E1) includes bis-( ⁇ -epithiopropyl) sulfide or bis-( ⁇ -epithiopropyl) disulfide.
  • the thioether compound includes a compound having a cyclic thioether skeleton.
  • the thioether compound is represented by formula (T1): (In the formula, R 1 and R 2 each independently represent a divalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms; m and n each independently represent 0 to 2.
  • the thioether compound is represented by formula (T2): (In the formula, R 11 and R 12 are each independently hydrogen or a mercaptomethyl group; p is 1 or 2.
  • T1 The thioether compound
  • R 11 and R 12 are each independently hydrogen or a mercaptomethyl group
  • p is 1 or 2.
  • R3 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms
  • m is an integer of 1 to 2.
  • ⁇ 12> ⁇ 12> The method for producing a resin substrate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, wherein the resin substrate has an average internal transmittance IT 420-780 of 95% or more for light having a wavelength of 420 nm to 780 nm.
  • ⁇ 13> ⁇ 13> The method for producing a resin substrate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12>, wherein the resin substrate has an internal transmittance IT w of 83% or more for light having a wavelength of 420 nm to 780 nm.
  • ⁇ 14> ⁇ 14> The method for producing a resin substrate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 13>, wherein the resin substrate has an average internal transmittance IT 300-380 of 50% or less for light with a wavelength of 300 to 380 nm.
  • ⁇ 15> ⁇ 15> The method for producing a resin substrate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 14>, wherein the resin substrate has an average internal transmittance IT 300-320 of 30% or less for light with a wavelength of 300 to 320 nm.
  • ⁇ 16> The method for producing a resin substrate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 15>, wherein the resin substrate has an average internal transmittance IT 550-650 of 95% or more for light having a wavelength of 550 nm to 650 nm.
  • ⁇ 17> ⁇ 17>
  • ⁇ 18> ⁇ 18>
  • Abbe number ⁇ d (nd ⁇ 1)/(nF ⁇ nC) nd is the refractive index measured at the d line, nF is the refractive index measured at the F line, and nC is the refractive index measured at the C line.
  • Tg Glass transition temperature
  • Thermo Plus EVO2 manufactured by Rigaku Corporation
  • the yellowness index (YI) was measured in accordance with JIS K 7373:2006 using a spectrophotometer "U-4100" (manufactured by Hitachi, Ltd.) as the measuring device.
  • the yellowness index YI is a numerical value indicating the intensity of yellowness, with a larger YI value indicating a stronger yellowness.
  • the internal transmittance ITw was calculated for each wavelength using the following formula by preparing two samples with different thicknesses.
  • Tw1 is the transmittance of light of wavelength w (nm) in a measurement sample having a specific thickness
  • Tw2 is the transmittance of light of wavelength w (nm) in a measurement sample having a thickness greater than Tw1
  • ⁇ d is the difference in thickness (mm) between Tw2 and Tw1 .
  • the transmittance of light of each wavelength was measured by the method shown in "Transmittance" above.
  • the internal transmittance ITw indicates the value of internal transmittance at a thickness of 10 mm.
  • a projection test was carried out using an appearance inspection device, "Optical Modulex SX-UI251HQ" (manufactured by Ushio Inc.).
  • a high-pressure UV lamp, "USH-102D,” was used as the light source, and a white screen was placed at a distance of 1 m.
  • the test resin was inserted between the light source and the screen, and the projected image on the screen was observed and judged according to the following criteria.
  • B There are very faint linear irregularities in the projection image.
  • C There are faint linear irregularities in the projection image.
  • D There are severe linear irregularities in the projection image.
  • E There are significant linear irregularities in the projection image.
  • Example 1 200 parts by mass of bis-( ⁇ -epithiopropyl) sulfide, 30 parts by mass of 2,5-bismercaptomethyl-1,4-dithiane, 0.060% by mass (relative to the resin component) of benzyltriethylammonium chloride as a catalyst, and 0.20 parts by mass of 2-(2-hydroxy-4-octyloxyphenyl)-2H-benzotriazole as an ultraviolet absorber were added and mixed under a reduced pressure of 10 mmHg for 10 minutes to obtain a polymerizable composition.
  • the polymerizable composition was injected into a cavity formed by two flat molds spaced a predetermined distance apart.
  • a resin substrate was formed by the curing reaction of the polymerizable composition, and the resin substrate was released from the mold to obtain a 10 mm thick resin substrate.
  • Various resin properties were measured using the methods described above and are shown in Table 1.
  • Examples 2 and 3 and Comparative Examples 1 and 2 A resin substrate having a thickness of 10 mm was obtained in the same manner as in Example 1, except that the amount of catalyst was changed to the amount shown in Table 1. Various resin properties were measured by the above-mentioned methods and are shown in Table 1.
  • E1-1 Bis( ⁇ -epithiopropylthio)sulfide
  • T1-1 2,5-mercaptomethyl-1,4-dithiane
  • T2-1 4-mercaptomethyl-3,6-dithia-1,8-octanedithiol
  • T2-2 Mixture of 4,7-bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecane-1,11-dithiol, 4,8-bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecane-1,11-dithiol, and 5,7-bis(mercaptomethyl)-3,6,9-trithiaundecane-1,11-dithiol
  • T-51 Dimercaptoethyl sulfide
  • U-1 2-(2-hydroxy-4-octoxyphenyl)-2H-benzotriazole
  • C-1 Benzyltriethylammonium chloride
  • Example 3 The polymerizable composition described in Example 1 was injected into a cavity formed by two molds arranged at a predetermined distance. A resin substrate was formed by the curing reaction of the raw material liquid and then released from the mold. The released resin substrate was then sliced using a wire saw to obtain multiple resin substrates with a thickness of 1.1 mm. To remove residual stress caused by slicing due to scratches during processing, the multiple resin substrates were stacked with spacers interposed between them and annealed at 170°C for 3 hours. Subsequently, the resin substrates were polished at a pressure of 6 kPa using a double-side lapping polishing machine using an alumina slurry with an average particle size of 0.5 ⁇ m. A resin substrate with a thickness of 1.0 mm was formed using the above method. The flatness of the resin substrate was 3.5 ⁇ m, and the total thickness variation (TTV) of the resin substrate was 0.8 ⁇ m.
  • TTV total thickness variation
  • Waveguide device 10 Light guide plate 24 Image display device 32, 52 Diffraction grating

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Abstract

樹脂基板の製造方法であって、式（Ｅ１）：（式中、ＸはＳ又はＯであり、ａは０～１の整数であり、Ｒは炭素数１～１０の２価の炭化水素であり、ｂは０～１の整数であり、ｃは０～２の整数である。）で表される化合物を含むエピチオ化合物と、メルカプト基を有するチオエーテル化合物と、前記エピチオ化合物及び前記チオエーテル化合物の合計量に対し０．０２５～０．０７質量％のアンモニウム塩とを含む重合性組成物を成型型内で硬化させる工程、を含む、樹脂基板の製造方法。

Description

樹脂基板の製造方法
　本開示は、樹脂基板の製造方法に関する。
　ヘッドマウントディスプレイ等の拡張現実（ＡＲ）ウェアラブルデバイスにおいて、視野角（ＦＯＶ）を拡大する等の観点から高屈折率のガラス基板からなる導光板を用いることが提案されてきた（例えば、特許文献１）。
　この種のＡＲウェアラブルデバイスから出射された投影光を導光板を通過させてディバイス装用者の視界まで移動させ、回折格子等を使って投影光を結像させるとともに、外部からの透過光を投影光と併せてディバイス装用者の視覚へと届ける構造となっている。
特開２０２２－９７８２４号公報
　密度の大きい（３．０－５．５ｇ／ｃｍ３）ガラス組成を選択することで、ガラス基板の屈折率を高くすることができるが、その場合、ウェアラブルデバイスの軽量化を阻害するとともに、ガラス基板の製造歩留まり及び加工性が低下する原因となっていた。そこで、低密度で屈折率の高い樹脂組成物によって導光板を製造することが検討されている。
　樹脂材料として、エピチオ化合物を含む重合性組成物を用いると、低密度で高い屈折率を有する樹脂組成物が得られる傾向にある。しかしながら、エピチオ化合物を含む重合性組成物において、アンモニウム塩を触媒として用いると黄色度が低く抑えられるなどの利点を有するが、脈理が発生することが見いだされた。
　そこで本開示においては、脈理の発生を抑制する、樹脂基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、エピチオ化合物を含む重合性組成物において、触媒の含有量を所定の範囲とすることで、脈理の発生を抑制する、樹脂基板の製造方法を提供することができることを見出した。
　本開示の一実施形態は、樹脂基板の製造方法であって、
　式（Ｅ１）：
 
（式中、ＸはＳ又はＯであり、ａは０～１の整数であり、Ｒは炭素数１～１０の２価の炭化水素であり、ｂは０～１の整数であり、ｃは０～２の整数である。）で表される化合物を含むエピチオ化合物と、２官能基以上のメルカプト基を有するチオエーテル化合物と、前記エピチオ化合物及び前記チオエーテル化合物の合計量に対し０．０２５～０．０７質量％のアンモニウム塩とを含む重合性組成物を成型型内で硬化させる工程、
を含む、樹脂基板の製造方法に関する。
　本開示は、脈理の発生を抑制する、樹脂基板の製造方法を提供することができる。
図１は本実施形態に係る樹脂基板の製造方法を示す図である。 図２は本実施形態に係る樹脂基板の一実施形態を示す概念図である。 図３は本実施形態に係る導光板の一実施形態を示す模式的断面図である。
　以下、本開示の実施形態（以下、「本実施形態」という。）について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。なお、本明細書において、例えば「１～１００」との数値範囲の表記は、その下限値「１」及び上限値「１００」の双方を包含するものとする。また、他の数値範囲の表記も同様である。
［樹脂基板の製造方法］
　本実施形態に係る樹脂基板の製造方法は、
　式（Ｅ１）：
 
（式中、ＸはＳ又はＯであり、ａは０～１の整数であり、Ｒは炭素数１～１０の２価の炭化水素であり、ｂは０～１の整数であり、ｃは０～２の整数である。）で表される化合物を含むエピチオ化合物と、２官能基以上のメルカプト基を有するチオエーテル化合物と、前記エピチオ化合物及び前記チオエーテル化合物の合計量に対し０．０２５～０．０７質量％のアンモニウム塩とを含む重合性組成物を成型型内で硬化させる工程、
を含む。
　以上の構成により、脈理の発生を抑制する、樹脂基板の製造方法を提供することができる。また、当該製造方法により、黄色度の抑制された樹脂、樹脂基板、導光板、それを用いた導波路装置、アイウェア用光学部材及びウェアラブルデバイスが得られる。
　本実施形態に係る樹脂基板の製造方法は、図１に示す手順で行われてもよい。
　本実施形態に係る樹脂基板の製造方法は、重合性組成物を成型型内で硬化させる工程（以下、「注型重合工程」ともいう）を含む。
　本実施形態に係る樹脂基板の製造方法は、注型重合工程に加え、
　熱処理により残留応力を除去するアニール工程、
　樹脂基板をスライスして所望の厚みを有する樹脂基板を得るスライス工程、及び
　樹脂基板を所定の粗さ、平坦度とする目的で、研磨装置により研磨する研磨工程
を更に有していてもよい。
＜重合性組成物＞
　重合性組成物は、エピチオ化合物と、２官能基以上のメルカプト基を有するチオエーテル化合物と、エピチオ化合物及びチオエーテル化合物の合計量に対し０．０２５～０．０７質量％のアンモニウム塩とを含む。当該組成物において、アンモニウム塩は重合触媒として用いられる。重合触媒として、アンモニウム塩を用いることで、得られる硬化物の脈理の発生を抑制することができる。アンモニウム塩の使用量を当該範囲とすることで、重合性組成物を成型型内で硬化させる工程において、脈理の発生を抑制することができる。アンモニウム塩の含有量は、エピチオ化合物及びチオエーテル化合物の合計量に対し、好ましくは０．０３０～０．０６５質量％であり、より好ましくは０．０４～０．０６０質量％である。
　アンモニウム塩としては、例えば、４級アンモニウム塩が挙げられる。４級アンモニウム塩としては、例えばテトラアルキルアンモニウム塩が挙げられる。テトラアルキルアンモニウム塩は、少なくとも１つのベンジル基を有するテトラアルキルアンモニウム塩であることが好ましい。テトラアルキルアンモニウム塩としては、例えば、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリプロピルアンモニウムクロライド、又はベンジルトリブチルアンモニウムクロライドが挙げられる。これらの中でも、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライドが好ましい。
　本実施形態に係る重合性組成物において、エピチオ化合物は、
　式（Ｅ１）：
 
（式中、ＸはＳ又はＯであり、ａは０～１の整数であり、Ｒは炭素数１～１０の２価の炭化水素であり、ｂは０～１の整数であり、ｃは０～２の整数である。）で表される化合物（以下、「化合物（１）」ともいう）を含む。
　なお、本開示において、「エピチオ化合物」は、重合性組成物に含まれるエピチオ化合物の総称である。
　Ｘは、好ましくはＳである。なお、ＸがＯである場合、ａは０が好ましい。
　Ｒの炭素数は、好ましくは１～４、より好ましくは２又は３である。
　Ｒの２価の炭化水素は、例えば、エチレン基、プロピレン基、及びブチレン基が挙げられる。
　化合物（１）としては、具体的には、例えば、ビス（β－エピチオプロピル）スルフィド、ビス（β－エピチオプロピル）ジスルフィド、ビス（β－エピチオプロピル）トリスルフィド、ビス（β－エピチオプロピルチオ）メタン、１，２－ビス（β－エピチオプロピルチオ）エタン、１，３－ビス（β－エピチオプロピルチオ）プロパン、１，３－ビス（β－エピチオプロピルオキシ）プロパン、１，４－ビス（β－エピチオプロピルチオ）ブタン、ビス（β－エピチオプロピルチオエチル）スルフィドが挙げられる。これらの中でも、ビス（β－エピチオプロピル）スルフィド、ビス（β－エピチオプロピル）ジスルフィドが好ましく、ビス（β－エピチオプロピル）スルフィドがより好ましい。つまり、式（Ｅ１）で表される化合物が、下記式（１－１）：
 
で表される化合物であることがより好ましい。
　本実施形態に係るエピチオ化合物における化合物（１）の含有量（純度ともいう）は、エピチオ化合物全量に対して、好ましくは９０質量％以上であり、より好ましくは９５質量％以上であり、更に好ましくは９８質量％以上であり、更により好ましくは９９質量％以上である。化合物（１）の含有量は、その上限は特に限定されないが、エピチオ化合物全量に対して、１００質量％以下であってもよい。
　エピチオ化合物の含有量は、重合性組成物全量に対して、好ましくは５０～９８質量％であり、より好ましくは６０～９６質量％であり、更に好ましくは７０～９６質量％である。
　本実施形態に係る重合性組成物は、式（Ｅ１）で表される化合物を含むエピチオ化合物と、式（Ｔ１）で表される化合物、及び式（Ｔ２）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むチオエーテル化合物を含有する。重合性組成物は当該チオエーテル化合物を含有することで、得られるエピスルフィド樹脂の黄色度をより低く抑えることができる。
　メルカプト基を有するチオエーテル化合物は、得られる樹脂の黄色度をより抑制する観点から、好ましくは、式（Ｔ１）：
 
（式中、
　Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に炭素数１～６の２価の炭化水素基であり、
　ｍ及びｎは、それぞれ独立に０～２である。）で表される化合物を含む。また、本実施形態に係る重合性組成物は、式（Ｔ１）で表される化合物を含むことで、高いアッベ数を示す樹脂を得ることができる。
　式（Ｔ１）で表される化合物としては、具体的には、例えば、２，５－ビス（メルカプトエチル）－１,４－ジチアン及び２，５－ビス（メルカプトメチル）－１,４－ジチアンが挙げられる。メルカプト基を有するチオエーテル化合物は、これらのからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。これらの中でも、２，５－ビス（メルカプトメチル）－１,４－ジチアンが好ましい。
　式（Ｔ１）で表される化合物の含有量は、メルカプト基を有するチオエーテル化合物全量に対して、５０質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよく、９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
　チオエーテル化合物は、好ましくは、式（Ｔ２）：
 
（式中、
　Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素又はメルカプトメチル基であり、
　ｐは、１又は２である。）で表される化合物を含む。また、本実施形態に係る重合性組成物は、式（Ｔ２）で表される化合物を含むことで、高いアッベ数を示す樹脂を得ることができる。
　式（Ｔ２）で表される化合物としては、具体的には、例えば、ビス（メルカプトエチルチオ）メルカプトプロパン、ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカンジチオールが挙げられる。これらの中でも、ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカンジチオールが好ましい。なお、ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカンジチオールは、４，７－ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカン－１，１１－ジチオール、４，８－ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカン－１，１１－ジチオール、及び５，７－ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカン－１，１１－ジチオールの混合物であってもよい。
　式（Ｔ２）で表される化合物の含有量は、メルカプト基を有するチオエーテル化合物全量に対して、５０質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよく、９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
　メルカプト基を有するチオエーテル化合物の含有量は、得られる樹脂の黄色度をより抑制する観点から、エピチオ化合物１００質量部に対して、好ましくは５～５０質量部であり、より好ましくは８～３０質量部であり、更に好ましくは１０～２０質量部である。
　メルカプト基を有するチオエーテル化合物の含有量は、重合性組成物全量に対して、１０～２０質量％であり、より好ましくは１２～１９質量％であり、より好ましくは１３～１８質量％である。
　重合性組成物は、エピチオ化合物との組合せで、元素状硫黄を更に含有することが好ましい。元素状硫黄の含有量は、重合性組成物全量に対して、好ましくは１～３０質量％であり、より好ましくは５～２０質量％であり、更に好ましくは１０～２０質量％以上である。
　重合性組成物は、紫外線吸収剤、離型剤、着色剤、酸化防止剤、屈折率調整剤、複屈折調整剤、着色防止剤、蛍光増白剤等のその他の添加剤を含んでいてもよい。これらは、１種又は２種以上を用いてもよい。
　重合性組成物は、紫外線吸収剤を含有することが好ましい。紫外線吸収剤を含有することで樹脂の対候性を向上させ経年劣化及び黄変を防止して、使用時の透明性を維持することができる。
　紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ジベンゾイルメタン、４－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－メトキシベンゾイルメタン等が挙げられる。これらの中でもベンゾトリアゾール系化合物が好ましい。
　重合性組成物は、ベンゾトリアゾール系化合物として、式（Ｕ１）：
 
（式中
　Ｒ3は、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数１～２０のアルコキシ基であり、
　ｍは、１～２の整数である。）で表される紫外線吸収剤を更に含有することが好ましい。当該紫外線吸収剤を使用することで、高エネルギーの光の吸収による樹脂の劣化を抑制しながら、可視光領域における吸収がほとんどなく、導光板を通過する画像情報の劣化を抑制することができる。
　Ｒ3は、好ましくは炭素数１～２０のアルコキシ基である。Ｒ3のアルコキシ基の炭素数は、好ましくは１～２０であり、より好ましくは３～１８であり、更に好ましくは６～１６である。Ｒ3のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデセニルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられる。
　Ｒ3のアルキル基の炭素数は、好ましくは１～２０であり、より好ましくは３～１８であり、更に好ましくは６～１６である。Ｒ3のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ターシャリーブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデセニル基、ラウリル基などが挙げられる。
　ｍは、好ましくは１である。
　ベンゾトリアゾール系化合物としては、例えば、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔｅｒｔ－アミルフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔｅｒｔ－オクチルフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール及び２－（２－ヒドロキシ－４－オクチルオキシフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系化合物が挙げられる。これらは、１種を単独で、又は２種類以上を組み合わせて使用してもよい。これらの中でも、２－（２－ヒドロキシ－４－オクチルオキシフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾールが好ましい。
　ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、２，４－ジヒドロキシベンゾフェノン、２－ヒドロキシ－４－メトキシベンゾフェノン、２－ヒドロキシ－４－メトキシベンゾフェノン－５－スルホニックアシッド、２－ヒドロキシ－４－ｎ－オクトキシベンゾフェノン、２－ヒドロキシ－４－ｎ－ドデシルオキシベンゾフェノン、２－ヒドロキシ－４－ベンジルオキシベンゾフェノン及び２，２’－ジヒドロキシ－４－メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。
　紫外線吸収剤の含有量は、エピチオ化合物及びチオエーテル化合物の合計量に対し、好ましくは０．００１質量％～５質量％であり、より好ましくは０．０１質量％～３質量％であり、更に好ましくは０．０５質量％～１質量％である。
　重合性組成物において、高い内部透過率を有する樹脂基板を得る観点から、２０質量ｐｐｍのトルエン溶液中で５５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に最大吸収波長を有する着色剤（以下、「着色剤Ｌ」ともいう）の含有量が、０．１質量％以下であることが好ましい。
　着色剤Ｌは、わずかに青みを帯びた良好な色調の樹脂を得る観点から、２０質量ｐｐｍのトルエン溶液中で５５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下に最大吸収波長を有する。なお、２０質量ｐｐｍのトルエン溶液とは、トルエン溶液全体に対する溶質の割合を意味する。
　また、着色剤Ｌの最大吸収波長は、わずかに青みを帯びた良好な色調のレンズ基材を得る観点から、好ましくは５５０ｎｍ以上、好ましくは５６０ｎｍ以上、好ましくは５８０ｎｍ以上である。そして、着色剤Ｌの最大吸収波長は、わずかに青みを帯びた良好な色調の樹脂を得る観点から、好ましくは６００ｎｍ以下、好ましくは５９０ｎｍ以下である。
　着色剤Ｌとしては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット１１、１３、１４、２６、３１、３３、３６、３７、３８、４５、４７、４８、５１、５９、６０；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット２６、２７、２８；が挙げられる。これらの中でも、Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット２７、Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット１３、３１が好ましく、重合性組成物の重合によっても安定性が高く色調の変化が少ないという観点から、Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット２７、Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット１３がより好ましく、Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット２７が更に好ましい。
　着色剤Ｌの含有量は、好ましくは０．０１質量％以下であり、より好ましくは０．００１質量％以下であり、更に好ましくは０．００１質量％以下である。
　酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、エポキシ系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、及びリン系酸化防止剤が挙げられる。
　フェノール系酸化防止剤としては、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、フェノールなどが挙げられる。エポキシ系酸化防止剤としては、例えばビスフェノールＡジグリシジルエーテルなどが挙げられる。硫黄系酸化防止剤としては、例えば、ジラウリル３，３’－チオジプロピオネートが挙げられる。リン系酸化防止剤としては、例えば、トリフェニルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリデシルホスファイト等のホスファイト化合物が挙げられる。酸化防止剤は、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　酸化防止剤の添加量は、重合性組成物全量に対して、好ましくは０．００１質量％～５質量％であり、より好ましくは０．０１質量％～３質量％であり、更に好ましくは０．１質量％～２質量％である。
＜注型重合工程＞
　注型重合工程における硬化方法は、特に限定されないが、重合性組成物は、加熱により硬化させることができる。
　注型重合工程における重合は、成型型内で行われる。レンズ基材は、例えば、重合性組成物を、ガラス又は金属製のモールドと、テープ又はガスケットとを組み合わせたモールド型に注入して重合を行うことで得られる。
　重合条件は、重合性組成物に応じて、適宜設定することができる。重合開始温度は、好ましくは０℃以上、より好ましくは１０℃以上であり、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下である。重合開始温度から昇温し、その後、加熱して硬化形成することが好ましい。例えば、昇温最高温度は、通常８０℃以上１３０℃以下である。
＜アニール工程＞
　本実施形態に係る樹脂基板の製造方法は、熱処理により残留応力を除去するアニール工程を更に有していてもよい。アニール工程における熱処理の温度は、好ましくは８０～１５０℃である。
＜スライス工程＞
　本実施形態に係る樹脂基板の製造方法は、樹脂基板をスライスして所望の厚みを有する樹脂基板を得るスライス工程を更に有していてもよい。注型重合工程後、離型した樹脂基板をワイヤソーを用いて０．３～２．０ｍｍの所定の厚みにスライスしてもよい。
＜研磨工程＞
　本実施形態に係る樹脂基板の製造方法は、樹脂基板を所定の粗さ、平坦度とする目的で、研磨装置により研磨する研磨工程を更に有していてもよい。
　具体的には、所定の間隔をもって配置される２つのモールドにより形成されるキャビティ内に樹脂基板の原料液を注入する。原料液の硬化反応により樹脂基板を形成し、モールドより離型する。
　その後、研磨装置によりワイヤソー痕が消失するまで十分な取り代で研磨し、厚みが０．１～１．５ｍｍの樹脂基板としてもよい。なお、離型した樹脂基板は必要に応じて外周を切断してなめらかな面としたうえで、ワイヤソーでスライスしてもよい。
　研磨装置は、基板表面に異方性を与えることなく研磨できるものであればよく、具体的にはラップ研磨装置を好ましく用いることができる。
　平面定盤の上に樹脂基板を配置し、アルミナ又はシリカ等のスラリーを流して定盤及び樹脂基板を所定の圧力で押さえながら互いに回転させて研磨することで、樹脂基板表面のキズ及び残留応力除去することができる。樹脂基板の研磨には、片面研磨装置及び両面研磨装置のいずれも使用することが可能であるが、ワイヤソー痕など基板両面に生じた加工痕や残留応力を均等に除去して平坦度を小さく抑えることができる。
［樹脂基板］
　本実施形態に係る樹脂基板は、上述の本実施形態に係る製造方法により得られる樹脂を含有する。
　図２は、本実施形態に係る樹脂基板の概略形状を示す図面である。樹脂基板１００は、円盤形状を有する。樹脂基板１００の中から後述する導光板１０の基材を切り出して使用する。
　樹脂基板における樹脂の密度は、好ましくは０．９３～２．１０ｇ／ｃｍ３であり、より好ましくは１．２０～１．８０ｇ／ｃｍ３であり、更に好ましくは１．３０～１．５０ｇ／ｃｍ３である。密度が当該範囲であることで、導光板の軽量化を可能とする。樹脂の密度は、ＪＩＳ　Ｋ７１１２－１：２０２３に準拠して、水中置換法により測定することができる。
　樹脂基板における樹脂の屈折率は、好ましくは１．６０以上であり、より好ましくは１．６５以上であり、更に好ましくは１．７０以上である。樹脂の屈折率の上限は特に限定されないが、例えば、２．００以下である。基板の屈折率を当該範囲とすることで視野角を広くすることができる。屈折率は、ＪＩＳ　Ｋ７１４２：２０１４に準拠して測定することができる。
　樹脂基板における、波長４２０ｎｍ～７８０ｎｍの光の平均内部透過率ＩＴ４２０－７８０は、導光板を通過する画像の色調へ影響を抑制する観点から、好ましくは９５％以上であり、より好ましくは９７％以上であり、更に好ましくは９８％以上である。
　平均内部透過率ＩＴ４２０－７８０は、波長４２０ｎｍ～７８０ｎｍにおける光の内部透過率ＩＴｗの平均値である。内部透過率ＩＴｗは、厚みの異なる二つの試料を作成し、波長ごとに以下の式から算出する。
 
 
ただし、Ｔｗ1は、特定の厚みを有する測定試料における波長ｗ（ｎｍ）の光の透過率であり、Ｔｗ２は、Ｔｗ1の厚みより、大きな厚みを有する測定試料における波長ｗ（ｎｍ）の光の透過率であり、Δｄは、Ｔｗ２とＴｗ1との厚みの差（ｍｍ）である。上述の内部透過率ＩＴｗは、１０ｍｍの厚みにおける内部透過率を意味する。各波長の光における透過率は、紫外可視近赤外分光光度計「ＵＨ４１５０」（商品名、株式会社日立ハイテク）を用いて測定可能である。なお、平均内部透過率ＩＴ４２０－７８０は、樹脂材料として着色の少ない材料を用いること、ブルーイング剤などの色素を含有しないことで、達成される。
　樹脂基板における、内部透過率ＩＴｗが、導光板を通過する画像の色調へ影響を抑制する観点から、波長４２０ｎｍ～７８０ｎｍの光においていずれも８３％以上であることが好ましい。内部透過率ＩＴｗは、導光板を通過する画像の色調へ影響をより抑制する観点から、波長４２０ｎｍ～７８０ｎｍの光においていずれも、より好ましくは８５％以上であり、更に好ましくは９０％以上であり、より更に好ましくは９５％以上である。内部透過率ＩＴｗの測定方法は、上述のとおりである。なお、当該内部透過率ＩＴｗの条件は、樹脂材料として着色の少ない材料を用いること、ブルーイング剤などの色素を含有しないことで、達成される。
　樹脂基板における、導光板を通過する画像の色調へ影響を抑制する観点から、波長５５０ｎｍ～６５０ｎｍの光の平均内部透過率ＩＴ５５０－６５０は、好ましくは９５％以上であり、より好ましくは９６％以上であり、更に好ましくは９８％以上である。平均内部透過率ＩＴ５５０－６５０は、波長４２０ｎｍ～７８０ｎｍにおける光の内部透過率ＩＴｗの平均値である。その測定方法及び算出方法は、光の波長範囲が異なること以外、上述の平均内部透過率ＩＴ４２０－７８０と同様である。
　（ＩＴ４２０－７８０－ＩＴ５５０－６５０）／ＩＴ４２０－７８０の値は、導光板を通過する画像の色調へ影響をより抑制する観点から、好ましくは５％以下であり、より好ましくは３％以下であり、更に好ましくは１％以下である。当該値は、上述の平均内部透過率ＩＴ４２０－７８０及び平均内部透過率ＩＴ５５０－６５０から算出する。
　樹脂基板における、波長３００～３８０ｎｍの光の平均内部透過率ＩＴ３００－３８０は、樹脂の耐光性を向上させる観点から、好ましくは５０％以下であり、より好ましくは３０％以下であり、更に好ましくは１０％以下であり、より更に好ましくは１％以下である。平均内部透過率ＩＴ３００－３８０は、波長３００ｎｍ～３８０ｎｍにおける光の内部透過率ＩＴｗの平均値である。その測定方法及び算出方法は、光の波長範囲が異なること以外、上述の平均内部透過率ＩＴ４２０－７８０と同様である。
　樹脂基板における、波長３００～３２０ｎｍの光の平均内部透過率ＩＴ３００－３２０は、樹脂の耐光性を向上させる観点から、好ましくは３０％以下であり、より好ましくは１０％以下であり、更に好ましくは１％以下であり、より更に好ましくは０．１％以下である。平均内部透過率ＩＴ３００－３２０は、波長３００ｎｍ～３２０ｎｍにおける光の内部透過率ＩＴｗの平均値である。その測定方法及び算出方法は、光の波長範囲が異なること以外、上述の平均内部透過率ＩＴ４２０－７８０と同様である。
　樹脂基板の厚みは、好ましくは０．１～２．０ｍｍであり、より好ましくは０．２～１．５ｍｍであり、更に好ましくは０．３～１．０ｍｍである。なお、樹脂基板の厚みは、導光板の厚みとなる。なお、樹脂基板又は導光板の基板の厚みは、超音波厚さ計を用いて測定することができる。
　本実施形態に係る樹脂基板は、その形状は特に限定されないが円盤であってもよい。円盤の直径は、特に限定されないが、例えば、５０ｍｍ～４５０ｍｍであってもよく、６０ｍｍ～１５０ｍｍであってもよい。また、本実施形態に係る樹脂基板は、レンズ基材のように凸面及び凹面などのベースカーブが形成されていない形状であってもよく、例えば平板形状であってもよい。
　樹脂基板の平坦度は、好ましくは２５．０μｍ以下、より好ましくは、２０．０μｍ以下、更に好ましくは１２．０μｍ以下、更に好ましくは１０．０μｍ以下である。平坦度は、その下限値は特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上である。平坦度は、基板片面の平坦さを測定するものであって、基板に湾曲・反りが発生していると値が大きくなる傾向にある。平坦度は、ニデック社製のフラットネステスター（ＦＴ－１５）で計測することができる。残留応力を除去することで、樹脂基板の平坦度の値を小さく調整することが可能となる。
　樹脂基板のＴＴＶは、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍ以下である。ＴＴＶは、その下限値は特に限定されないが、例えば、０．０１μｍ以上である。ＴＴＶとは、厚み（つまり、導光板の基板における第１面１０ａと第２面１０ｂの距離）の最大値と最小値の差（つまり、ＴＴＶ（Total Thickness Variation））を意味する。ＴＴＶは、コベルコ科研社製のＢｏｗ／Ｗａｒｐ測定装置ＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄで計測することができる。
　樹脂基板は、クロスリアリティデバイス導光板用であることが好ましい。クロスリアリティとは、現実世界と仮想世界の映像を融合する技術であり、ＶＲ（仮想現実）、ＡＲ（拡張現実）、ＭＲ（複合現実）等の包括的な総称である。クロスリアリティデバイスとは、当該クロスリアリティに用いられる装置であり、例えば、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。クロスリアリティデバイスには、前述のとおり、装用者の網膜に映像を映し出すために、導光板が用いられる。本実施形態に係る樹脂基板は、当該導光板に用いられることが好ましい。本実施形態に係る樹脂基板から、導光板に用いる基板を切り出して使用する。
［導波路装置］
　図３は本実施形態に係る導波路装置の一実施形態を示す模式的断面図である。導波路装置１は、樹脂を含む導光板１０と、回折格子５２と、回折格子３２とを備える。回折格子５２及び回折格子３２は、それぞれ導光板１０の一方の主面に形成されている。回折格子５２には、画像表示装置２４から各波長の光が導入される。
　画像表示装置２４は、例えばフィールドシーケンシャル方式で駆動する透過型液晶（ＬＣＤ　Ｔ－ＬＣＯＳ）パネルである。画像表示装置２４は、各波長の光に、信号処理機器５の画像エンジン（不図示）が生成する画像信号に応じた変調をかける。画像表示装置２４の有効領域の画素で変調された各波長の光は、所定の光束断面（該有効領域と略同じ形状）をもって導光板１０に入射される。なお、画像表示装置２４は、例えばＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｍｉｒｒｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅ）や反射型液晶（ＬＣＯＳ）パネル、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、無機ＥＬ等の他の形態の表示素子に置換することも可能である。
　図３に示すように、導光板１０の第２面１０ｂ上には回折格子５２が積層されている。回折格子５２には、例えば干渉縞パターンのピッチが形成されていてもよい。なお、回折格子５２は、ホログラムを用いてもよい。
　画像表示装置２４により変調された各波長の光は、第１面１０ａから導光板１０内部に順次入射される。
　回折格子５２は、順次入射される各波長の光を装用者の眼に導くため所定の角度を付与して回折する。回折格子５２により回折された各波長の光はそれぞれ、導光板１０と空気との界面で全反射を繰り返して導光板１０内部を伝搬し、回折格子３２に入射される。
　回折格子３２上に入射された各波長の光は、回折格子３２により回折されて導光板１０の第２面１０ｂから外部に略垂直に順次射出される。このように略平行光として射出された各波長の光はそれぞれ、画像表示装置２４により生成された画像の虚像Ｉとして装用者の網膜に結像する。
＜導光板＞
　本実施形態に係る導波路装置１における導光板１０は、上述の本実施形態に係る樹脂を含む。基材として上述の本実施形態に係る樹脂を含む基材を用いることで、高い屈折率を有しながら、比較的密度の小さい材料を利用することができるため、ウェアラブルデバイスの軽量化を可能とし、更には黄色度の抑制された導光板が得られる。
　導光板の基板の形状は特に限定されないが、四辺形板であってもよい。
［アイウェア用光学部材］
　本実施形態に係るアイウェア用光学部材は、樹脂製レンズ基材と、本実施形態に係る導波路装とを有する。
　なお、導光板の屈折率（ＲＷ）は、レンズ基材の屈折率（ＲＴ）より大きい。導光板の屈折率（ＲＷ）とレンズ基材の屈折率（ＲＴ）との差（ＲＷ－ＲＴ）は、好ましくは０．２～１．０であり、より好ましくは０．３～０．８であり、更に好ましくは０．３～０．５である。
　アイウェア用光学部材は、ウェアラブルデバイスに適用可能なものであれば特に限定されないが、例えば、眼鏡型のウェアラブルデバイスに適用する眼鏡レンズであってもよい。この場合、レンズ基材は、眼鏡レンズ基材形状を有する。眼鏡レンズ基材は、必ずしも球面を有している必要はなく、眼鏡型フレームに適合する形状の平板であってもよい。
［ウェアラブルデバイス］
　本実施形態に係る導光板を用いたウェアラブルデバイスとしては、例えば、ヘッドマウントディスプレイが挙げられる。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、装用者の頭部に装着される眼鏡型フレームと、フレーム内に取り付けられた本実施形態に係るアイウェア用光学部材とを有する。眼鏡型フレームには、画像を照明するためのバックライト、画像を映し出すための信号処理機器、及び音声を再生するスピーカーなどが取り付けられていてもよい。
　以上、本開示は、以下の実施形態を示す。
＜１＞
　樹脂基板の製造方法であって、
　式（Ｅ１）：
 
（式中、ＸはＳ又はＯであり、ａは０～１の整数であり、Ｒは炭素数１～１０の２価の炭化水素であり、ｂは０～１の整数であり、ｃは０～２の整数である。）で表される化合物を含むエピチオ化合物と、２官能基以上のメルカプト基を有するチオエーテル化合物と、前記エピチオ化合物及び前記チオエーテル化合物の合計量に対し０．０２５～０．０７質量％のアンモニウム塩とを含む重合性組成物を成型型内で硬化させる工程、
を含む、樹脂基板の製造方法。
＜２＞
　前記アンモニウム塩が、４級アンモニウム塩を含む、＜１＞に記載の樹脂基板の製造方法。
＜３＞
　前記４級アンモニウム塩が、テトラアルキルアンモニウム塩を含む、＜２＞に記載の樹脂基板の製造方法。
＜４＞
　前記テトラアルキルアンモニウム塩が、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリプロピルアンモニウムクロライド、及びベンジルトリブチルアンモニウムクロライドからなる群より選ばれる少なくとも１種である、＜３＞に記載の樹脂基板の製造方法。
＜５＞
　前記式（Ｅ１）で表される化合物は、ビス－（β－エピチオプロピル）スルフィド、又はビス－（β－エピチオプロピル）ジスルフィドを含む、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜６＞
　前記チオエーテル化合物が、環状チオエーテル骨格を有する化合物を含む、＜１＞～＜５＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜７＞
　前記チオエーテル化合物が、式（Ｔ１）：
 
（式中、
　Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に炭素数１～６の２価の炭化水素基であり、
　ｍ及びｎは、それぞれ独立に０～２である。）で表される化合物を含む、＜６＞に記載の樹脂基板の製造方法。
＜８＞
　前記チオエーテル化合物が、式（Ｔ２）：
 
（式中、
　Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素又はメルカプトメチル基であり、
　ｐは、１又は２である。）で表される化合物を含む、＜１＞～＜７＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜９＞
　前記チオエーテル化合物の含有量が、前記減圧後の重合性組成物全量に対して、１０～２０質量％である、＜１＞～＜８＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１０＞
　前記重合性組成物を得る工程で、式（Ｕ１）：
 
（式中
　Ｒ3は、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数１～２０のアルコキシ基であり、
　ｍは、１～２の整数である。）で表される紫外線吸収剤を更に混合する、＜１＞～＜９＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１１＞
　前記紫外線吸収剤の含有量が、前記減圧後の重合性組成物全量に対して、０．００１質量％～５質量％である、＜１０＞に記載の樹脂基板の製造方法。
＜１２＞
　前記樹脂基板における、波長４２０ｎｍ～７８０ｎｍの光の平均内部透過率ＩＴ４２０－７８０が、９５％以上である、＜１＞～＜１１＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１３＞
　前記樹脂基板における、内部透過率ＩＴｗが、波長４２０ｎｍ～７８０ｎｍの光においていずれも８３％以上である、＜１＞～＜１２＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１４＞
　前記樹脂基板における、波長３００～３８０ｎｍの光の平均内部透過率ＩＴ３００－３８０が、５０％以下である、＜１＞～＜１３＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１５＞
　前記樹脂基板における、波長３００～３２０ｎｍの光の平均内部透過率ＩＴ３００－３２０が、３０％以下である、＜１＞～＜１４＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１６＞
　前記樹脂基板における、波長５５０ｎｍ～６５０ｎｍの光の平均内部透過率ＩＴ５５０－６５０が、９５％以上である、＜１＞～＜１５＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１７＞
　前記樹脂基板における、（ＩＴ４２０－７８０－ＩＴ５５０－６５０）／ＩＴ４２０－７８０の値が、５％以下である、＜１＞～＜１６＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１８＞
　前記樹脂基板の平行度が、１０μｍ以下である、＜１＞～＜１７＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜１９＞
　前記樹脂基板の厚みが、０．１～２．０ｍｍである、＜１＞～＜１８＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
＜２０＞
　前記樹脂基板が、クロスリアリティデバイス導光板用である、＜１＞～＜１９＞のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。
　以下、実施例により本実施形態を更に具体的に説明するが、本実施形態は以下の実施例に限定されるものではない。
＜屈折率及びアッベ数＞
　精密屈折率計「ＫＰＲ－２０００型」（カルニュー光学工業株式会社製）を用いて、２０℃でＦ線（４８６．１ｎｍ）、Ｃ線（６５６．３ｎｍ）、ｄ線（５８７．６ｎｍ）、ｅ線（５４６．１ｎｍ）、ｒ線（７０６．５２ｎｍ）、Ｃ’線（６４３．９ｎｍ）、Ｆ’線（４８８．０ｎｍ）で試料の屈折率を測定した。そして、下記の式からアッベ数を算出した。
　　　アッベ数νｄ＝（ｎｄ－１）／（ｎＦ－ｎＣ）
　ｎｄはｄ線で測定した屈折率であり、ｎＦはＦ線で測定した屈折率であり、ｎＣはＣ線で測定した屈折率である。
＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞
　熱機械分析装置「Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　ＥＶＯ２」（株式会社リガク製）を用いて、ペネトレーション法（サンプル厚３ｍｍ、ピン径０．５ｍｍ、加重１０ｇ、昇温速度１０℃／分）にて測定を行い、熱膨張が変化したピーク値の温度をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。ピーク値が観測されない場合、ガラス転移温度は、検出不可と評価した。
＜ＹＩ＞
　ＹＩ（Ｙｅｌｌｏｗｎｅｓｓ　Ｉｎｄｅｘ、黄色度）は、ＪＩＳ　Ｋ　７３７３：２００６に準拠し、測定装置として分光光度計「Ｕ－４１００」（株式会社日立製作所製）を使用して測定した。黄色度ＹＩは、黄色みの強さを示す数値であり、ＹＩ値が大きいほど黄色みが強いことを意味する。
＜透過率＞
　各波長の光における透過率は、紫外可視近赤外分光光度計「ＵＨ４１５０」（商品名、株式会社日立ハイテク）を用いて測定した。
＜内部透過率ＩＴｗ＞
　内部透過率ＩＴｗは、厚みの異なる二つの試料を作成し、波長ごとに以下の式から算出した。
 
ただし、Ｔｗ1は、特定の厚みを有する測定試料における波長ｗ（ｎｍ）の光の透過率であり、Ｔｗ２は、Ｔｗ1の厚みより、大きな厚みを有する測定試料における波長ｗ（ｎｍ）の光の透過率であり、Δｄは、Ｔｗ２とＴｗ1との厚みの差（ｍｍ）である。各波長の光における透過率は、上述の「透過率」に示す方法により測定した。内部透過率ＩＴｗは、１０ｍｍ厚における内部透過率の値を示す。
＜脈理＞
　外観検査装置「オプティカルモデュレックスＳＸ－ＵＩ２５１ＨＱ」（ウシオ電機株式会社製）を用いて、投影検査を行った。光源として、高圧ＵＶランプ「ＵＳＨ－１０２Ｄ」を用いて１ｍの距離に白色のスクリーンを設置し、被験樹脂を光源とスクリーン間に挿入し、スクリーン上の投影像を観察し、下記の基準により判定を行った。
　　Ａ：投影像に線状の不整がまったくない
　　Ｂ：投影像に線状のごく薄い不整がある
　　Ｃ：投影像に線状の薄い不整がある
　　Ｄ：投影像に線状の濃い不整がある
　　Ｅ：投影像に線状の著しい不整がある
［実施例１］
　ビス－（β－エピチオプロピル）スルフィド２００質量部、及び２，５－ビスメルカプトメチル－１，４－ジチアンを３０質量部、触媒としてベンジルトリエチルアンモニウムクロライド０．０６０質量％（対樹脂成分）、紫外線吸収剤として２－（２－ヒドロキシ－４－オクチルオキシフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾールを０．２０質量部加えて、１０ｍｍＨｇの減圧下で１０分間攪拌混合し重合性組成物を得た。所定の間隔をもって配置される２つの平坦なモールドにより形成されるキャビティ内に前述の重合性組成物を注入した。重合性組成物の硬化反応により樹脂基板を形成し、モールドより離型し厚さ１０ｍｍの樹脂基板を得た。上述の方法により各種樹脂特性を測定し、表１に示した。
［実施例２～３及び比較例１～２］
　触媒の量を表１に示す量に変更した以外は、実施例１と同様にして、厚さ１０ｍｍの樹脂基板を得た。上述の方法により各種樹脂特性を測定し、表１に示した。
 
表中の各種略語は以下のとおりの意味である。
　Ｅ１－１：ビス（β－エピチオプロピルチオ）スルフィド
　Ｔ１－１：２，５－メルカプトメチル－１，４－ジチアン
　Ｔ２－１：４－メルカプトメチル－３，６－ジチア－１，８－オクタンジチオール
　Ｔ２－２：４，７－ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカン－１，１１－ジチオール、４，８－ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカン－１，１１－ジチオール、及び５，７－ビス（メルカプトメチル）－３，６，９－トリチアウンデカン－１，１１－ジチオールの混合物
　Ｔ－５１：ジメルカプトエチルスルフィド
　Ｕ－１：２－（２－ヒドロキシ－４－オクトキシフェニル)－２Ｈ－ベンゾトリアゾール
　Ｃ－１：ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド
［実施例３］
　所定の間隔をもって配置される２つのモールドにより形成されるキャビティ内に実施例１で示した重合性組成物を注入した。原料液の硬化反応により樹脂基板を形成し、モールドより離型した。続いて離型した樹脂基板をワイヤソーを用いて１．１ｍｍの厚さの複数の樹脂基板をスライスすることで得た。スライスによって生じた加工時キズ等によって生じる残留応力を除去するため、複数の樹脂基板をスペーサを介して積層した状態で、１７０℃、３時間の条件でアニール処理を行った。その後、平均粒子径が０．５μｍのアルミナスラリーを用いて両面研磨方式のラップ研磨装置により６ｋＰａの圧力で研磨した。上述の方法により厚さ１．０ｍｍの樹脂基板が形成された。なお、樹脂基板の平坦度は３．５μｍであり、樹脂基板のＴＴＶは０．８μｍであった。
　１　　導波路装置
　１０　導光板
　２４　　　画像表示装置
　３２,５２　　回折格子
 

Claims (14)

  1. 　樹脂基板の製造方法であって、
    　式（Ｅ１）：
     
    （式中、ＸはＳ又はＯであり、ａは０～１の整数であり、Ｒは炭素数１～１０の２価の炭化水素であり、ｂは０～１の整数であり、ｃは０～２の整数である。）で表される化合物を含むエピチオ化合物と、２官能基以上のメルカプト基を有するチオエーテル化合物と、前記エピチオ化合物及び前記チオエーテル化合物の合計量に対し０．０２５～０．０７質量％のアンモニウム塩とを含む重合性組成物を成型型内で硬化させる工程、
    を含む、樹脂基板の製造方法。
  2. 　前記アンモニウム塩が、４級アンモニウム塩を含む、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
  3. 　前記４級アンモニウム塩が、テトラアルキルアンモニウム塩を含む、請求項２に記載の樹脂基板の製造方法。
  4. 　前記テトラアルキルアンモニウム塩が、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリプロピルアンモニウムクロライド、及びベンジルトリブチルアンモニウムクロライドからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項３に記載の樹脂基板の製造方法。
  5. 　前記式（Ｅ１）で表される化合物は、ビス－（β－エピチオプロピル）スルフィド、又はビス－（β－エピチオプロピル）ジスルフィドを含む、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
  6. 　前記チオエーテル化合物が、環状チオエーテル骨格を有する化合物を含む、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
  7. 　前記チオエーテル化合物が、式（Ｔ１）：
     
    （式中、
    　Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に炭素数１～６の２価の炭化水素基であり、
    　ｍ及びｎは、それぞれ独立に０～２である。）で表される化合物を含む、請求項６に記載の樹脂基板の製造方法。
  8. 　前記チオエーテル化合物が、式（Ｔ２）：
     
    （式中、
    　Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素又はメルカプトメチル基であり、
    　ｐは、１又は２である。）で表される化合物を含む、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
  9. 　前記チオエーテル化合物の含有量が、前記減圧後の重合性組成物全量に対して、１０～２０質量％である、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
  10. 　前記重合性組成物を得る工程で、式（Ｕ１）：
     
    （式中
    　Ｒ3は、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数１～２０のアルコキシ基であり、
    　ｍは、１～２の整数である。）で表される紫外線吸収剤を更に混合する、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
  11. 　前記紫外線吸収剤の含有量が、前記減圧後の重合性組成物全量に対して、０．００１質量％～５質量％である、請求項１０に記載の樹脂基板の製造方法。
  12. 　前記樹脂基板の平行度が、１０μｍ以下である、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
  13. 　前記樹脂基板の厚みが、０．１～２．０ｍｍである、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
  14. 　前記樹脂基板が、クロスリアリティデバイス導光板用である、請求項１に記載の樹脂基板の製造方法。
     
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