WO2025239331A1 - 磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法

Info

Publication number
WO2025239331A1
WO2025239331A1 PCT/JP2025/017254 JP2025017254W WO2025239331A1 WO 2025239331 A1 WO2025239331 A1 WO 2025239331A1 JP 2025017254 W JP2025017254 W JP 2025017254W WO 2025239331 A1 WO2025239331 A1 WO 2025239331A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
magnetic disk
substrate
straightness
heating
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2025/017254
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
伸二 江田
ヴー クアン ズン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of WO2025239331A1 publication Critical patent/WO2025239331A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/097—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing phosphorus, niobium or tantalum
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/82—Disk carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers

Definitions

  • This disclosure relates to magnetic disks, magnetic disk substrates, uses of magnetic disk substrates, and methods for manufacturing magnetic disks.
  • HAMR heat-assisted magnetic recording
  • a sputtering method is used, but this method has the problem of the magnetic disk substrate deforming due to exposure to high temperature conditions. For this reason, a magnetic disk that is less likely to deform is desired.
  • the present disclosure therefore aims to provide a magnetic disk, a magnetic disk substrate, a use of the magnetic disk substrate, and a method for manufacturing a magnetic disk that are suitable for use in thermally assisted magnetic recording.
  • One embodiment of the present disclosure is a magnetic disk, a substrate having a pair of main surfaces and an outer peripheral edge surface; a magnetic layer having an L10 structure on the pair of main surfaces and the outer peripheral end surface of the substrate, The magnetic disk is heated under the following heating conditions, and then the straightness measured under the following measuring conditions is 90 ⁇ m or less.
  • One embodiment of the present disclosure is a magnetic disk substrate having a pair of main surfaces and an outer peripheral end surface, The magnetic disk substrate is heated under the following heating conditions, and then the straightness measured under the following measuring conditions is 90 ⁇ m or less.
  • One embodiment of the present disclosure is a method for manufacturing a magnetic disk, comprising: a step of heating the substrate until the substrate surface temperature reaches 600 to 780°C, and then forming a magnetic layer having an L10 structure;
  • the method relates to a magnetic disk manufacturing method in which the substrate is a magnetic disk substrate having a pair of main surfaces and an outer peripheral end surface, and after heating the magnetic disk substrate under the following heating conditions, the magnetic disk substrate has a straightness of 90 ⁇ m or less as measured under the following measuring conditions.
  • the surface temperature of the magnetic disk is heated from room temperature to 600° C. in 25 seconds, then heated to 700° C. in 35 seconds, and then cooled to room temperature in 120 seconds.
  • the maximum valley depth Sv is measured in three directions, each oriented 120 degrees apart, over a measurement range of at least 88 mm in length using a surface roughness measuring device, and the number average value of the maximum valley depth Sv is determined as the straightness value.
  • This embodiment provides a magnetic disk, magnetic disk substrate, use of the magnetic disk substrate, and method for manufacturing a magnetic disk that are suitable for use in thermally assisted magnetic recording.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a magnetic disk according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the magnetic disk according to this embodiment.
  • FIG. 3 is a front view showing the measurement points of the straightness of the magnetic disk according to this embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing a temperature rise program for the heating test.
  • the magnetic disk according to this embodiment is a substrate having a pair of main surfaces and an outer peripheral edge surface; a magnetic layer having an L10 structure on the pair of main surfaces and the outer peripheral end surface of the substrate, The magnetic disk is heated under the following conditions, and then the straightness measured under the following conditions is 90 ⁇ m or less. According to the above configuration, it is possible to provide a magnetic disk suitable for use in thermally assisted magnetic recording.
  • Heating conditions The surface temperature of the magnetic disk is heated from room temperature to 600° C. in 25 seconds, then heated to 700° C. in 35 seconds, and then cooled to room temperature in 120 seconds.
  • the straightness can be measured by the following method.
  • the maximum valley depth Sv is measured in three directions, each oriented 120 degrees apart, over a measurement range of at least 88 mm in length using a surface roughness measuring device, and the number average value of the maximum valley depth Sv is determined as the straightness value.
  • the straightness is measured in a measurement range of at least 88 mm in length.
  • the measurement position on the magnetic disk can be a measurement range on a straight line of 88 mm in length shown by the dotted line in Figure 3.
  • the straightness is measured by measuring the maximum valley depth Sv in three directions that are 120 degrees apart as shown in Figure 3, and the number average of the measured values is taken as the straightness.
  • a product named "Surftest-VS2100" manufactured by Mitutoyo Corporation can be used as the surface roughness measuring instrument.
  • the magnetic disk according to this embodiment has a straightness of 90 ⁇ m or less when measured after heating under the above conditions (hereinafter simply referred to as "straightness after heating").
  • the straightness after heating is preferably 80 ⁇ m or less, more preferably 70 ⁇ m or less, and even more preferably 60 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the straightness after heating is not particularly limited, but is, for example, 20 ⁇ m or more. To obtain this straightness, the above-mentioned range can be achieved, for example, by adjusting the glass transition temperature, thermal expansion coefficient, specific elastic modulus, etc.
  • the composition of the material of the magnetic disk used by adjusting the plate thickness of the magnetic disk, or by changing the manufacturing method (for example, a method in which molten glass is molded into a sheet and rapidly cooled to obtain plate glass, which is then processed into the shape of the substrate, or by using a down-draw method when molding into a sheet).
  • the straightness value after heating is also affected by the thickness of the substrate, and the rate at which straightness increases as the substrate thickness is reduced varies depending on the material. It is preferable for the increase in straightness value after heating to be small even when the substrate thickness is reduced.
  • the product of the straightness ( ⁇ m) of a glass substrate after heating and the substrate thickness (mm) is preferably 50.0 ( ⁇ m ⁇ mm) or less, more preferably 40.0 ( ⁇ m ⁇ mm) or less, and even more preferably 35.0 ( ⁇ m ⁇ mm) or less.
  • the magnetic disk according to this embodiment preferably has a change in straightness between before and after heating under the above conditions (hereinafter simply referred to as "change in straightness") of 10 to 80 ⁇ m.
  • change in straightness a change in straightness between before and after heating under the above conditions
  • the amount of change in straightness is preferably 15 to 75 ⁇ m, more preferably 15 to 70 ⁇ m, even more preferably 15 to 60 ⁇ m, and still more preferably 15 to 50 ⁇ m.
  • the magnetic disk according to this embodiment preferably has a straightness of 30 ⁇ m or less before heating (hereinafter also referred to as "straightness before heating").
  • the straightness before heating is preferably 20 ⁇ m or less, more preferably 15 ⁇ m or less, even more preferably 10 ⁇ m or less, and even more preferably 5 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the straightness before heating is not particularly limited, but is, for example, 1 ⁇ m or more.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a magnetic disk 21 according to this embodiment.
  • the magnetic disk 21 is annular in shape and has a spindle hole 215.
  • the magnetic disk 21 has main surfaces 216 that face each other.
  • the pair of main surfaces are approximately parallel.
  • approximately parallel means that the parallelism is, for example, 5 ⁇ m or less.
  • the magnetic disk 21 has an outer peripheral end surface 217 that connects the pair of main surfaces.
  • the magnetic disk 21 also has an inner peripheral end surface 218 that connects the pair of main surfaces.
  • the magnetic disk 21 includes a substrate 211 and a magnetic layer 214 containing a magnetic material containing an L1 0 -FePt alloy.
  • the magnetic disk 21 may further include a first underlayer 213 containing MgO.
  • the magnetic disk 21 may also further include a second underlayer 212 containing a Cr alloy.
  • the magnetic layer 214 may be a single layer, or may have a multi-layer laminate structure.
  • the magnetic disk 21 may have a protective layer 215 and a lubricating layer 216.
  • a soft magnetic layer and a heat sink layer may be added as appropriate.
  • the magnetic disk substrate (hereinafter simply referred to as "substrate”) according to this embodiment preferably has a thickness of 0.2 to 0.6 mm.
  • the thickness of the substrate is preferably 0.30 to 0.55 mm, more preferably 0.35 to 0.50 mm, and even more preferably 0.41 to 0.45 mm.
  • Substrate materials include, for example, metal materials such as stainless steel, titanium, aluminum, and aluminum alloys, ceramics, and glass. Of these, glass substrates are preferred.
  • the glass composition of the glass substrate preferably contains 55 to 80 mol% of SiO2 , 5 to 25 mol% of Al2O3 , 0 to 8 mol% of B2O3 , 0 to 5 mol% of P2O5 , 5 to 25 mol% of MO (MO is at least one selected from MgO, CaO, SrO, and BaO, and the content thereof is the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO), and 0 to 15 mol% of M2O ( M2O is at least one selected from Li2O , Na2O , and K2O , and the content thereof is the total content of Li2O , Na2O , and K2O ).
  • MO is at least one selected from MgO, CaO, SrO, and BaO, and the content thereof is the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO
  • M2O is at least one selected from Li2O , Na2O , and K2O
  • the preferred content of each component in the glass composition of the glass substrate is as follows:
  • SiO2 is a network-forming component of glass. From the viewpoint of enhancing the stability of the glass and improving the meltability during production, the content of SiO2 is preferably 55 to 80 mol%, more preferably 57 to 75 mol%, and even more preferably 60 to 70 mol%.
  • the content of Al 2 O 3 is preferably 5 to 25 mol %, more preferably 10 to 20 mol %, and even more preferably 12 to 18 mol %, from the viewpoint of improving the heat resistance and stability of the glass.
  • B 2 O 3 is a component that forms a network of glass.
  • the content of B 2 O 3 is preferably 0 to 8 mol %, more preferably 0 to 1.5 mol %, and even more preferably 0.1 to 0.8 mol %.
  • the content of P 2 O 5 is preferably 0 to 5 mol %, more preferably 0 to 3 mol %, and even more preferably 0.1 to 3 mol %.
  • MO is at least one selected from MgO, CaO, SrO, and BaO, and its content is the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO.
  • the content of MO is preferably 5 to 25 mol%, more preferably 6 to 20 mol%, and even more preferably 14 to 18 mol%.
  • the content of MgO is preferably 3 to 20 mol %, more preferably 4 to 19 mol %, and even more preferably 8 to 18 mol %.
  • the CaO content is preferably 0 to 10 mol%, more preferably 0 to 8 mol%, and even more preferably 0 to 6 mol%.
  • the SrO content is preferably 0 to 5 mol%, more preferably 0 to 3 mol%, and even more preferably 0 to 1.5 mol%.
  • the BaO content is preferably 0 to 5 mol%, more preferably 0 to 4 mol%, and even more preferably 0 to 1.5 mol%.
  • M 2 O is at least one selected from Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O, and the content thereof is the total value of Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O.
  • the content of M 2 O is preferably 0 to 15 mol %, more preferably 0 to 10 mol %, and even more preferably 0.01 to 9 mol %.
  • the content of Li 2 O is preferably 0 to 5 mol %, more preferably 0 to 7 mol %, and even more preferably 0.01 to 6 mol %.
  • the content of Na 2 O is preferably 0 to 10 mol %, more preferably 0 to 7 mol %, and even more preferably 0.01 to 5 mol %.
  • the content of K 2 O is preferably 0 to 3 mol %, more preferably 0 to 1 mol %, and even more preferably 0 to 0.3 mol %.
  • the glass composition is expressed as a glass composition based on oxides.
  • glass composition based on oxides means a glass composition obtained by converting the glass raw materials into oxides that are present in the glass after being completely decomposed during melting.
  • the glass composition in the present disclosure can be determined by a method such as ICP-AES (Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry). Quantitative analysis is performed for each element using ICP-AES. The analytical values are then converted into oxide notation.
  • the analytical values obtained by ICP-AES may contain a measurement error of, for example, about ⁇ 5% of the analytical value. Therefore, the oxide notation values converted from the analytical values may also contain an error of about ⁇ 5%.
  • a content of 0 mol% of a constituent component means that the constituent component is substantially absent, and indicates that the content of the constituent component is at or below the impurity level, for example, less than 0.01 mol%.
  • the magnetic disk substrate according to this embodiment has a straightness of 90 ⁇ m or less when measured after heating under the above conditions (hereinafter simply referred to as "straightness after heating"). By having this straightness, a magnetic disk substrate suitable for use in thermally assisted magnetic recording can be obtained.
  • the straightness after heating is preferably 80 ⁇ m or less, more preferably 70 ⁇ m or less, and even more preferably 60 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the straightness after heating is not particularly limited, but is, for example, 20 ⁇ m or more.
  • the magnetic disk substrate according to this embodiment preferably has a change in straightness between before and after heating under the above conditions (hereinafter simply referred to as "change in straightness") of 80 ⁇ m or less.
  • change in straightness is preferably 70 ⁇ m or less, more preferably 60 ⁇ m or less, even more preferably 50 ⁇ m or less, and even more preferably 40 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the change in straightness is not particularly limited, but is, for example, 20 ⁇ m or more.
  • the magnetic disk substrate according to this embodiment preferably has a straightness of 50 ⁇ m or less before heating (hereinafter also referred to as "straightness before heating").
  • the straightness before heating is preferably 40 ⁇ m or less, more preferably 30 ⁇ m or less, even more preferably 20 ⁇ m or less, and even more preferably 15 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the straightness before heating is not particularly limited, but is, for example, 20 ⁇ m or more.
  • the Young's modulus of the substrate is preferably 80 GPa or more, more preferably 80 to 110 GPa, and even more preferably 85 to 105 GPa.
  • the glass transition temperature of the substrate is preferably 700°C or higher, more preferably 710 to 850°C, and even more preferably 720 to 840°C.
  • the thermal expansion coefficient of the substrate at 100 to 300° C. (unit: ⁇ 10 ⁇ 7 /K) is preferably 10 to 110, more preferably 25 to 98, and even more preferably 30 to 55.
  • the value of the specific elastic modulus E/d of the substrate is preferably 31.0 ⁇ 10 6 m 2 /s 2 or more, more preferably 31.5 ⁇ 10 6 m 2 /s 2 or more, and preferably 34.0 ⁇ 10 6 m 2 /s 2 or more.
  • the substrate has a specific elastic modulus E/d within this range, impact resistance is further improved.
  • the substrate has a thickness of 0.51 mm or less, the above-mentioned effect is more pronounced when the substrate has a specific elastic modulus E/d within the above-mentioned range.
  • the specific elastic modulus E/d means the value obtained by dividing Young's modulus by specific gravity.
  • the magnetic disk 21 includes a magnetic layer 214.
  • the magnetic disk 21 may have, for example, a second underlayer 212 containing a Cr alloy, a first underlayer 213 containing MgO, the magnetic layer 214, a protective layer 215, and a lubricating layer 216 stacked on the main surface of a smoothly polished glass substrate in this order from the closest to the main surface.
  • the second underlayer may be made of, for example, a Cr alloy, more specifically, CrTi, CrB, etc.
  • the thickness of the second underlayer may be, for example, 1 to 30 nm.
  • the first underlayer may be made of a material containing, for example, Ru or MgO, and preferably contains MgO. By using a first underlayer containing MgO, it becomes easier to form an L1 0 -FePt alloy when forming the magnetic layer.
  • the thickness of the first underlayer may be, for example, 5 to 30 nm.
  • the first and second underlayers are formed sequentially on the main surfaces of the glass substrate, for example, by placing the glass substrate in a vacuum-drawn film-forming apparatus and depositing them sequentially on the main surfaces of the glass substrate in an Ar atmosphere using DC (Direct Current) magnetron sputtering.
  • DC Direct Current
  • the magnetic layer preferably has an L10 structure to achieve ultra-high recording density on magnetic disks. It has a granular structure including magnetic grains containing an FePt alloy and grain boundary portions.
  • the grain boundary portions contain non-magnetic materials such as C, B, BN, Al2O3 , SiO2 , TiO2 , and Cr2O3 .
  • the granular structure is also called a granular structure.
  • the magnetic material is not limited to a ferromagnetic material, but may also be an alternating magnetic material. Using an alternating magnetic material eliminates the influence of external magnetic fields, allowing the grain size of the magnetic material to be 10 nm or less, preferably 4 nm or less, and more preferably 2 nm or less, thereby further improving recording density.
  • the magnetic layer is preferably composed of an L1 0 -FePt alloy material.
  • “based" means to contain.
  • Specific examples of the L1 0 -FePt alloy material that constitutes the magnetic layer include FePt and FePtAg (FePt alloyed with Ag) containing C (carbon), and FePt and FePtAg (FePt alloyed with Ag) containing Si (silicon).
  • magnetic materials having an L1 0 structure can be composed of rare earth magnet materials such as CoPt alloys, Nd 2 Fe 14 B, and SnCo 5 , in addition to FePt alloys.
  • the magnetic layer preferably has a composition represented by formula (1).
  • (Fe x Pt 1-x ) 1-z Ag z -C v ...(1) (wherein 0.4 ⁇ x ⁇ 0.55, 0 ⁇ z ⁇ 0.2, 0 ⁇ v ⁇ 50 vol% (preferably 30 vol% ⁇ v ⁇ 50 vol%), and (Fe x Pt 1-x ) 1-z Ag z is (100 ⁇ v) vol%.)
  • the composition Fe:Pt By setting the composition Fe:Pt to be close to 1:1, the order-disorder transformation temperature of the L1 0 type/A1 phase becomes the highest, and a high driving force for the L1 0 order can be obtained.
  • the C in the FePt--C layer or FePtAg--C layer phase-separates from the FePt or FePtAg to form a non-magnetic matrix with a granular structure.
  • the magnetic grains containing the L1 0 -FePt alloy are preferably island-shaped magnetic grains.
  • the grain size of the magnetic grains is preferably smaller. To obtain magnetic grains with a small grain size, it is sufficient to form a thin film with a thickness of, for example, 20 nm or less.
  • an alloy target containing the above materials is prepared as the non-magnetic material that constitutes the grain boundary portion.
  • simultaneous sputtering is performed, the respective targets are prepared and films are formed simultaneously.
  • simultaneous sputtering may be performed using two targets: an FePt alloy and a compound that will become the non-magnetic matrix.
  • the volume fraction of the non-magnetic matrix can be changed by controlling the deposition rate.
  • simultaneous sputtering (co-sputtering) of FePt and C can be employed.
  • a preferred method is to use an FePt alloy target and a C target, and to control the power of the C target during FePt sputtering to change the film deposition rate of C, as shown in the examples.
  • the thickness of the magnetic layer may be, for example, 1 to 20 nm.
  • An auxiliary recording layer may also be provided above or below the magnetic layer.
  • the magnetic recording layer can achieve high heat resistance in addition to high-density recording, low noise, and coercive force control.
  • the composition of the auxiliary recording layer can be, for example, a ferromagnetic alloy containing FePt with an A1 structure. Instead of forming a ferromagnetic layer, a portion of an FePt magnetic material having an L1 0 structure can be disordered into an A1 structure by ion irradiation or plasma damage, thereby controlling the coercive force.
  • the thickness of the auxiliary recording layer is preferably about 0 to 10 nm.
  • the auxiliary recording layer can be formed, for example, by sputtering.
  • an exchange coupling control layer may be provided between the magnetic layer and the auxiliary recording layer.
  • the exchange coupling control layer may be made of, for example, Ru or a Ru alloy.
  • the thickness of the exchange coupling control layer is preferably approximately 0 to 10 nm.
  • the exchange coupling control layer can be formed, for example, by sputtering.
  • a carbon-based protective layer is preferable as the material for the protective layer.
  • the protective layer can be formed, for example, by depositing the protective layer using C 2 H 4 by a chemical vapor deposition (CVD) method, and then performing a nitriding process in the same chamber to introduce nitrogen into the surface.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the thickness of the protective layer can be, for example, 3 to 7 nm.
  • the lubricating layer may contain PFPE (polyfluoropolyether).
  • the lubricating layer can be formed, for example, by applying PFPE (polyfluoropolyether) to the protective layer using a dip coating method.
  • the method for manufacturing a magnetic disk includes the steps of: The method includes a step of heating the substrate until the substrate surface temperature reaches 600 to 780° C., and then forming a magnetic layer having an L10 structure.
  • the substrate here is a magnetic disk substrate having a pair of main surfaces and an outer peripheral end surface, and after heating the magnetic disk substrate under the aforementioned heating conditions, the straightness measured under the aforementioned measurement conditions is 90 ⁇ m or less.
  • the magnetic layer formation process it is preferable to form the magnetic layer on the substrate by sputtering.
  • sputtering process various types of equipment and conditions can be used as appropriate, including known methods.
  • DC magnetron sputtering is particularly preferable, as it allows for uniform film formation.
  • an alloy having an ordered L10 structure with high uniaxial magnetic anisotropy In order to form an alloy with high coercivity for a magnetic disk, it is preferable to produce an alloy having an ordered L10 structure with high uniaxial magnetic anisotropy. In this embodiment, in order to grow FePt alloy particles having a highly ordered L10 structure in an island shape, it is preferable to maintain the substrate temperature at 650°C or higher during sputtering film formation.
  • simultaneous sputtering may be performed using separate targets of Fe and Pt that make up an FePt alloy, or separate targets of Fe, Pt, and Ag that make up an FePtAg alloy, or sputtering may be performed using an FePt alloy target or FePtAg alloy target whose composition has been preliminarily adjusted.
  • the alloy target mainly composed of Fe and Pt is preferably prepared so that the composition of Fe and Pt in the magnetic layer to be formed is close to 1:1, specifically, Fe x Pt 1-x , where x is 0.4 ⁇ x ⁇ 0.55. Furthermore, when separate targets of Fe and Pt are used, the film formation rate can be made approximately 1:1 by controlling the power input to each target.
  • the substrate may be heat-treated (annealed) if necessary.
  • the annealing temperature is preferably 300 to 700°C.
  • a magnetic disk a substrate having a pair of main surfaces and an outer peripheral edge surface; a magnetic layer having an L10 structure on the pair of main surfaces and the outer peripheral end surface of the substrate,
  • the magnetic disk is heated under the following heating conditions, and then the straightness measured under the following measuring conditions is 90 ⁇ m or less.
  • Heating conditions The surface temperature of the magnetic disk is heated from room temperature to 600° C. in 25 seconds, then heated to 700° C. in 35 seconds, and then cooled to room temperature in 120 seconds.
  • the maximum valley depth Sv is measured in three directions, each oriented 120 degrees apart, within a measurement range of at least 88 mm in length using a surface roughness measuring device, and the number average value of the maximum valley depth Sv is determined as the straightness value.
  • ⁇ 4> The magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the change in straightness before and after heating under the heating conditions is 15 to 70 ⁇ m.
  • ⁇ 5> The magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the magnetic layer has a granular structure including magnetic grains containing an L1 0 -FePt alloy and grain boundary portions.
  • ⁇ 6> The magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, further comprising a first underlayer containing MgO on the pair of main surfaces and the outer peripheral end face of the substrate.
  • ⁇ 7> The magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, further comprising a second underlayer containing a Cr alloy on the pair of main surfaces and the outer peripheral end face of the substrate.
  • ⁇ 8> The magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, wherein the substrate is a glass substrate.
  • the substrate is ⁇ 8> A magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, containing 55 to 80 mol% of SiO2, 5 to 25 mol% of Al2O3 , 0 to 8 mol% of B2O3 , 0 to 5 mol% of P2O5 , 5 to 25 mol% of MO (MO is at least one selected from MgO, CaO, SrO, and BaO, and the content thereof is the total value of the contents of MgO, CaO, SrO, and BaO), and 0 to 15 mol% of M2O ( M2O is at least one selected from Li2O , Na2O , and K2O , and the content thereof is the total value of Li2O , Na2O , and K2O ).
  • MO is at least one selected from MgO, CaO, SrO, and BaO, and the content thereof is the total value of the contents of MgO, CaO, SrO, and BaO
  • M2O
  • ⁇ 10> The magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9>, wherein the substrate has a thickness of 0.2 to 0.6 mm.
  • ⁇ 11> The magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 10>, wherein the substrate has a Young's modulus of 80 GPa or more.
  • ⁇ 12> The magnetic disk according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, wherein the substrate has a glass transition temperature of 700° C. or higher.
  • ⁇ 13> A magnetic disk substrate having a pair of main surfaces and an outer peripheral end surface, The magnetic disk substrate is heated under the following heating conditions, and then the straightness measured under the following measuring conditions is 90 ⁇ m or less.
  • the surface temperature of the magnetic disk is heated from room temperature to 600° C. in 25 seconds, then heated to 700° C. in 35 seconds, and then cooled to room temperature in 120 seconds.
  • the maximum valley depth Sv is measured in three directions, each oriented 120 degrees apart, within a measurement range of at least 88 mm in length using a surface roughness measuring device, and the number average value of the maximum valley depth Sv is determined as the straightness value.
  • ⁇ 15> ⁇ 13> or ⁇ 14> wherein the magnetic disk substrate has a straightness of 80 ⁇ m or less as measured under the measurement conditions after heating the magnetic disk under the heating conditions.
  • ⁇ 16> ⁇ 16> The magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 13> to ⁇ 15>, wherein the change in straightness before and after heating under the heating conditions is 15 to 70 ⁇ m.
  • ⁇ 17> The magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 13> to ⁇ 16>, wherein the substrate is made of glass.
  • the substrate is ⁇ 13> - ⁇ 17>
  • the magnetic disk substrate contains 55 to 80 mol% of SiO2 , 5 to 25 mol% of Al2O3 , 0 to 8 mol% of B2O3 , 5 to 25 mol% of MO (MO is at least one selected from MgO, CaO, SrO, and BaO, and the content is the total value of the contents of MgO, CaO, SrO , and BaO ), and 0 to 15 mol% of M2O ( M2O is at least one selected from Li2O , Na2O , and K2O , and the content is the total value of Li2O , Na2O, and K2O).
  • ⁇ 19> The magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 13> to ⁇ 18>, wherein the substrate has a thickness of 0.2 to 0.6 mm.
  • ⁇ 20> The magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 13> to ⁇ 19>, wherein the substrate has a Young's modulus of 80 GPa or more.
  • ⁇ 21> The magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 13> to ⁇ 20>, wherein the substrate has a glass transition temperature of 700° C. or higher.
  • ⁇ 22> The magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 13> to ⁇ 21>, which is for thermally assisted recording.
  • a method for manufacturing a magnetic disk comprising: a step of heating the substrate until the substrate surface temperature reaches 600 to 780°C, and then forming a magnetic layer having an L10 structure; The method for manufacturing a magnetic disk, wherein the substrate is a magnetic disk substrate having a pair of main surfaces and an outer peripheral end surface, and after heating the magnetic disk substrate under the following heating conditions, the magnetic disk substrate has a straightness of 90 ⁇ m or less as measured under the following measurement conditions. (Heating conditions) The surface temperature of the magnetic disk is heated from room temperature to 600° C.
  • the maximum valley depth Sv is measured in three directions, each oriented 120 degrees apart, within a measurement range of at least 88 mm in length using a surface roughness measuring device, and the number average value of the maximum valley depth Sv is determined as the straightness value.
  • the method for producing a magnetic disk according to ⁇ 24> wherein the change in straightness before and after heating under the heating conditions is 10 to 80 ⁇ m.
  • ⁇ 27> ⁇ 27> The method for manufacturing a magnetic disk according to any one of ⁇ 24> to ⁇ 26>, wherein the change in straightness before and after heating under the heating conditions is 15 to 70 ⁇ m.
  • the straightness was measured using a surface roughness measuring instrument (product name "Surftest-VS2100” manufactured by Mitutoyo Corporation). The measurement was performed in a measurement range on a straight line of 88 mm in length shown by the dotted line in Figure 3. Measurement was performed in three directions, each 120 degrees apart, and the number average of the measured values was taken as the straightness.
  • a magnetic disk (substrate) is placed between two ceramic panel heaters, and the substrate is left in place for 60 seconds, after which it is removed.
  • Four cartridge heaters 500 W were inserted into one ceramic panel (AIN (aluminum nitride)). Two such panels were prepared, and the heater panel surfaces were spaced 18 mm apart.
  • a thermocouple (Cerathermo Thermocouple Type K, wire diameter ⁇ 0.1) placed on the magnetic disk surface was used to adjust the panel temperature so that the disk surface reached a predetermined temperature, and non-contact heating was performed in the atmosphere.
  • the magnetic disk was heated to 700°C in 60 seconds, as shown in the graph below, and then the magnetic disk was removed. As shown in Figure 4, the magnetic disk was heated from room temperature to 600°C in 25 seconds, and then heated to 700°C in 35 seconds. It was then cooled to room temperature over 120 seconds.
  • the Young's modulus E of the substrate was measured based on JIS R1602: 1995.
  • a test piece for measurement was cut out from the magnetic disk as a rectangular parallelepiped having a length of 50 mm, a width of 10 mm, and a thickness the same as that of the magnetic disk, and the measurement was performed at room temperature.
  • ⁇ Glass transition temperature> Using a thermomechanical analyzer, a graph was created from the amount of change in the probe position due to thermal expansion caused by a temperature rise, and the glass transition temperature was read from the change in the slope of the graph.
  • the thermal expansion coefficient of the substrate was determined by measuring the change in length of a sample cut out from the magnetic disk to a size of 50 mm in length and 10 mm in width, using a thermal dilatometer based on laser interferometry, over a specified temperature range, and using this as the average linear expansion coefficient value from 100 to 300°C.
  • Magnetic disk substrate diameter 97 mm, inner diameter 25 mm, plate thickness 0.5 mm or 0.43 mm
  • Thickness t Thickness of the glass substrate (mm) Straightness before heating C1: Straightness before heating ( ⁇ m) Straightness after heating C2: Straightness after heating ( ⁇ m) Change in straightness before and after heating dC: Change in straightness C2-C1 ( ⁇ m) (magnetic disk substrate)
  • SU-1 Glass substrate (a 0.43 mm thick glass substrate was obtained using alkali-containing glass having a glass transition temperature of 752°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 43 (10 -7 /K), a Young's modulus of 90 (GPa), and a specific elastic modulus of 36.1 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 16.3 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • the alkali-containing glass used had a B 2 O 3 content of 0 mol %, a total MgO and CaO content of 18.5 mol %, a Li 2 O content of 1.0 mol %, and a Na 2 O content of 3.0 mol %).
  • SU-2 Glass substrate (a 0.43 mm thick glass substrate was obtained using alkali-containing glass having a glass transition temperature of 737°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 43 (10 -7 /K), a Young's modulus of 93 (GPa), and a specific elastic modulus of 36.8 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 25.4 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • the alkali-containing glass used had a B 2 O 3 content of 0.3 mol %, a total content of MgO and CaO of 16.5 mol %, a Li 2 O content of 0.8 mol %, and a Na 2 O content of 3.0 mol %).
  • SU- 3 Glass substrate (a 0.50 mm thick glass substrate was obtained using alkali-free glass formed by down-drawing, which had a glass transition temperature of 810°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 39 (10 -7 /K), a Young's modulus of 83 (GPa), and a specific elastic modulus of 31.4 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 29.5 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • the alkali-free glass used had a B 2 O 3 content of 0.8 mol %, a total content of MgO and CaO of 11.0 mol %, and a Li 2 O and Na 2 O content of 0 mol %).
  • SU- 4 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.50 mm was obtained using a down-drawn alkali-free glass having a glass transition temperature of 805°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 34 (10 -7 /K), a Young's modulus of 83 (GPa), and a specific elastic modulus of 31.5 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 34.5 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-5 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.50 mm was obtained using alkali-containing glass having a glass transition temperature of 710°C, a thermal expansion coefficient of 45 (10 -7 /K) at 100 to 300°C, a Young's modulus of 98 (GPa), and a specific elastic modulus of 38.2 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 35.0 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-6 Glass substrate (a 0.43 mm thick glass substrate was obtained using alkali-containing glass having a glass transition temperature of 727°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 45 (10 -7 /K), a Young's modulus of 96 (GPa), and a specific elastic modulus of 37.9 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 33.5 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • the alkali-containing glass used had a B 2 O 3 content of 1.5 mol %, a total MgO and CaO content of 21.5 mol %, a Li 2 O content of 0.5 mol %, and a Na 2 O content of 2.5 mol %).
  • SU-7 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.43 mm was obtained using alkali-free glass formed by down-drawing, which had a glass transition temperature of 810°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 39 (10 -7 /K), a Young's modulus of 83 (GPa), and a specific elastic modulus of 31.4 ( 10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 35.7 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-8 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.43 mm was obtained using alkali-free glass formed by down-drawing, which had a glass transition temperature of 805°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 34 (10 -7 /K), a Young's modulus of 83 (GPa), and a specific elastic modulus of 31.5 ( 10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 37.4 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-9 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.50 mm was obtained using alkali-free glass formed by the float method, which had a glass transition temperature of 782°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 35 (10 -7 /K), a Young's modulus of 85 (GPa), and a specific elastic modulus of 32.8 ( 10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 42.5 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-10 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.43 mm was obtained using alkali-containing glass having a glass transition temperature of 710°C, a thermal expansion coefficient of 45 (10 -7 /K) at 100 to 300°C, a Young's modulus of 98 (GPa), and a specific elastic modulus of 38.2 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 44.3 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-11 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.43 mm was obtained using alkali-free glass formed by the float method, which had a glass transition temperature of 782°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 35 (10 -7 /K), a Young's modulus of 85 (GPa), and a specific elastic modulus of 32.8 ( 10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 51.2 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-12 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.50 mm was obtained using alkali-free glass formed by down-drawing, which had a glass transition temperature of 780°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 36 (10 -7 /K), a Young's modulus of 84 (GPa), and a specific elastic modulus of 33.1 ( 10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 58.0 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-13 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.43 mm was obtained using alkali-free glass formed by down-drawing, which had a glass transition temperature of 780°C, a thermal expansion coefficient at 100 to 300°C of 36 (10 -7 /K), a Young's modulus of 84 (GPa), and a specific elastic modulus of 33.1 ( 10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 56.3 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-14 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.50 mm was obtained using alkali-containing glass having a glass transition temperature of 691°C, a thermal expansion coefficient of 51 (10 -7 /K) at 100 to 300°C, a Young's modulus of 95 (GPa), and a specific elastic modulus of 36.6 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 138.0 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • SU-15 Glass substrate (a glass substrate having a thickness of 0.43 mm was obtained using alkali-containing glass having a glass transition temperature of 691°C, a thermal expansion coefficient of 51 (10 -7 /K) at 100 to 300°C, a Young's modulus of 95 (GPa), and a specific elastic modulus of 36.6 (10 6 m 2 /s 2 ).
  • the product of the straightness C2 ( ⁇ m) of the glass substrate after heating and the thickness (mm) of the substrate was 164.7 ( ⁇ m ⁇ mm).
  • the value of C2 x t is 34.0 ( ⁇ m/mm) or less.
  • the change in straightness dC before and after heating tends to increase, but for substrates with a C2 x t value of 34.0 ( ⁇ m/mm) or less, the change in straightness dC before and after heating can be kept sufficiently small even if the thickness is 0.43 mm or less.
  • all of the magnetic disk substrates in each example contained 55 to 80 mol% SiO2 , 5 to 25 mol % Al2O3 , 0 to 8 mol% B2O3 , 0 to 5 mol% P2O5 , 5 to 25 mol% MO (MO is at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO, and its content is the total content of MgO, CaO, SrO and BaO), and 0 to 15 mol% M2O ( M2O is at least one selected from Li2O , Na2O and K2O , and its content is the total value of Li2O , Na2O and K2O ).
  • MO is at least one selected from MgO, CaO, SrO and BaO, and its content is the total content of MgO, CaO, SrO and BaO
  • M2O is at least one selected from Li2O , Na2O and K2O , and its content is the total value of Li2O , Na2O
  • the magnetic disk substrates of Examples 1, 2, 3, and 6 contained 0 to 15 mol % M2O and 5 to 25 mol % MO. Furthermore, in these magnetic disk substrates, the B2O3 content was 0 to 1.5 mol %, and the total content of MgO and CaO was 5.0 to 25.0 mol %. Because these magnetic disk substrates have a low B2O3 content , they are preferable because they can reduce the change in straightness dC after heating even if the plate thickness is small.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法を提供する。　本開示は、磁気ディスクであって、一対の主表面及び外周端面を有する基板と、前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、Ｌ１０構造を有する磁性層と、を有し、前記磁気ディスクを下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスク。 （加熱条件）磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。 （真直度の測定条件）１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。

Description

磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法
　本開示は、磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法に関する。
　近年のコンピュータ技術の発展に伴い、より大記憶容量、且つ、省スペースの磁気記録装置が求められ、より高い記録密度を有する記録媒体が求められている。これを実現するために結晶磁気異方性Ｋｕの大きな強磁性材料を用いることが好ましく、Ｌ１０の規則構造を有するＦｅＰｔが注目されている。ＦｅＰｔは、高い磁気異方性を有するので、４ｎｍまで粒子径を小さくすることが可能である。しかし、微粒子サイズを小さくすると同時に、磁化反転磁場が３Ｔ以上の大きな値となり、書き込み用の磁気ヘッドが発生できる磁場（約１Ｔ）を上回り、現行の記録方式では書き込みができない。この問題を解決する新しい磁気記録方式として、書き込みの時のみ局所的に媒体をキュリー点（強磁性が消滅する温度）近くまで温度を上げ、書き込みを行う熱アシスト磁気記録（Ｈｅａｔ　Ａｓｓｉｓｔｅｄ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ,　ＨＡＭＲ）が提案されている（例えば、特許文献１）。
特開２０１１－１９８４５５号公報
　Ｌ１０構造を有する磁性層を磁気ディスク基板上に形成するためには、例えば、スパッタ法などを用いるが、高温条件にさらされるため、磁気ディスクの基板が変形するという問題を有していた。このことから、変形の生じにくい磁気ディスクが求められる。
　そこで本開示は、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一実施形態は、磁気ディスクであって、
　一対の主表面及び外周端面を有する基板と、
　前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、Ｌ１０構造を有する磁性層と、を有し、
　前記磁気ディスクを下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスクに関する。
　本開示の一実施形態は、一対の主表面及び外周端面を有する磁気ディスク基板であって、
　前記磁気ディスク基板を下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスク基板に関する。
　本開示の一実施形態は、磁気ディスクの製造方法であって、
　基板を、前記基板表面温度が６００～７８０℃となるまで加熱した後に、Ｌ１０構造を有する磁性層を形成する工程を有し、
　前記基板が、一対の主表面及び外周端面を有する磁気ディスク基板であって、前記磁気ディスク基板を下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスクの製造方法に関する。
（加熱条件）
　磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。
（真直度の測定条件）
　１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。
　本実施形態によれば、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法を提供することができる。
図１は、本実施形態に係る磁気ディスクの外観斜視図である。 図２は、本実施形態に係る磁気ディスクの断面図である。 図３は、本実施形態に係る磁気ディスクの真直度の測定箇所を示す正面図である。 図４は、加熱試験の昇温プログラムを示す図である。
　添付図面を参照して、本開示の好適な実施形態について説明する（なお、各図において、同一の符号を付したものは、同一又は同様の構成を有する。）。以下に説明する実施形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。実施形態が備える各要素並びにその配置、材料、条件、形状及びサイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、異なる実施形態で示した構成同士を部分的に置換し又は組み合わせることが可能である。
［磁気ディスク］
　本実施形態に係る磁気ディスクは、
　一対の主表面及び外周端面を有する基板と、
　前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、Ｌ１０構造を有する磁性層と、を有し、
　前記磁気ディスクを下記の条件で加熱した後、下記条件で測定した真直度が９０μｍ以下である。
　以上の構成によれば、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスクを提供することができる。
（加熱条件）
　磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。
＜真直度＞
　真直度は、以下の方法により測定できる。
（真直度の測定条件）
　１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。
　真直度の測定は、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で行う。例えば、磁気ディスクにおける測定位置は、図３の点線に示す長さ８８ｍｍの直線上の測定範囲で測定することができる。真直度の測定は、図３に示すように１２０度向きが異なる３方向で最大谷深さＳｖの値を測定し、各測定値の数平均値を真直度とする。
　なお、表面粗さ測定機としては、例えば、製品名「Ｓｕｒｆｔｅｓｔ－ＶＳ２１００」株式会社ミツトヨ社製を用いることができる。
　本実施形態に係る磁気ディスクは、上記の条件で加熱した後に測定した真直度（以下、単に「加熱後の真直度」ともいう）が、９０μｍ以下である。当該真直度を有することで、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスクが得られる。
　加熱後の真直度は、好ましくは８０μｍ以下であり、より好ましくは７０μｍ以下であり、更に好ましくは６０μｍ以下である。加熱後の真直度は、その下限値は特に限定されないが、例えば２０μｍ以上である。
　当該真直度を得るためには、例えば、使用する磁気ディスクの材料の組成変更によるガラス転移温度、熱膨張係数、比弾性率などを調整すること、磁気ディスクの板厚を調整すること、製法（例えば、溶融ガラスをシート状に成型し、急冷して板状ガラスを得たのちに、基板の形状に加工する方法、又は、シート状に成形する際にダウンドロー方式を採用する）の変更によって、上述の範囲とすることができる。
　さらに、加熱後の真直度の値は基板の厚さによっても影響を受け、基板の厚さを薄くすることによる真直度の増加の割合は材料によって異なる。基板の厚さを薄くしても加熱後の真直度の値の増加が小さいものが好ましい。基板の厚さを考慮して、ガラス基板の加熱後の真直度（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値は、好ましくは５０．０（μｍ・ｍｍ）以下であり、より好ましくは４０．０（μｍ・ｍｍ）以下、さらに好ましくは３５．０（μｍ・ｍｍ）以下である。
　本実施形態に係る磁気ディスクは、上記の条件で加熱する前の真直度と、上記の条件で加熱した後の真直度の変化量（以下、単に「真直度の変化量」ともいう）は、１０～８０μｍであることが好ましい。当該真直度を有することで、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスクが得られる。
　真直度の変化量は、好ましくは１５～７５μｍであり、より好ましくは１５～７０μｍであり、更に好ましくは１５～６０μｍであり、更に好ましくは１５～５０μｍである。
　本実施形態に係る磁気ディスクは、加熱する前の真直度（以下、「加熱前の真直度」ともいう）は、３０μｍ以下であることが好ましい。当該真直度を有することで、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスクが得られる。
　加熱前の真直度は、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１５μｍ以下であり、更に好ましくは１０μｍ以下であり、更に好ましくは５μｍ以下である。加熱前の真直度は、その下限値は特に限定されないが、例えば１μｍ以上である。
　図１は、本実施形態に係る磁気ディスク２１の外観斜視図である。磁気ディスク２１は、円環形状を成しており、スピンドルホール２１５を有する。磁気ディスク２１は、互いに対向する主表面２１６を備える。一対の主表面は略平行である。ここで、略平行とは、例えば平行度が５μｍ以下であることを意味する。磁気ディスク２１は、一対の主表面をつなぐ外周端面２１７を有する。また、磁気ディスク２１は、一対の主表面をつなぐ内周端面２１８を有する。
　図２は、本実施形態に係る磁気ディスク２１の断面図である。磁気ディスク２１は、基板２１１と、Ｌ１０－ＦｅＰｔ合金を含有する磁性材料を含む磁性層２１４と含む。磁気ディスク２１は、ＭｇＯを含む第１下地層２１３を更に有してもよい。また、磁気ディスク２１は、Ｃｒ合金を含む第２下地層２１２を更に有してもよい。
　磁性層２１４は、単層であってもよいが、複数層の積層構造を有していてもよい。
　磁気ディスク２１は、保護層２１５を有していてもよく、潤滑層２１６を有していてもよい。なお、適宜、軟磁性層やヒートシンク層が追加されてもよい。
　本実施形態に係る磁気ディスク基板（以下、単に「基板」ともいう。）は、０．２～０．６ｍｍの板厚を有することが好ましい。基板の厚みは、好ましくは０．３０～０．５５ｍｍであり、より好ましくは０．３５～０．５０ｍｍであり、更に好ましくは０．４１～０．４５ｍｍである。
　基板の材料は、例えば、ステンレス、チタン、アルミニウム、及びアルミニウム合金等の金属材料、セラミックス、及びガラスが挙げられる。これらの中でも基板は、好ましくはガラス基板である。
　ガラス基板のガラス組成は、好ましくは
　ＳｉＯ２を５５～８０ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を５～２５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を０～８ｍｏｌ％、Ｐ２Ｏ５を０～５ｍｏｌ％、ＭＯを５～２５ｍｏｌ％（ＭＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの含有量の合計値である。）、０～１５ｍｏｌ％のＭ２Ｏ（Ｍ２Ｏは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合計値である。）を含有する。ガラス基板のガラス組成は、これらの成分からなるものであってもよい。
　ガラス基板のガラス組成における各成分の好ましい含有量は以下のとおりである。
　ＳｉＯ２は、ガラスのネットワーク形成成分である。ＳｉＯ２の含有量は、ガラスの安定性を高める観点及び生産時の溶融性向上の観点から、好ましくは５５～８０ｍｏｌ％であり、より好ましくは５７～７５ｍｏｌ％であり、更に好ましくは６０～７０ｍｏｌ％である。
　Ａｌ２Ｏ３の含有量は、ガラスの耐熱性向上の観点及びガラスの安定性を高める観点から、好ましくは５～２５ｍｏｌ％であり、より好ましくは１０～２０ｍｏｌ％であり、更に好ましくは１２～１８ｍｏｌ％である。
　Ｂ２Ｏ３は、ガラスのネットワーク形成成分である。Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは０～８ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～１．５ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０．１～０．８ｍｏｌ％である。
　Ｐ２Ｏ５の含有量は、好ましくは０～５ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～３ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０．１～３ｍｏｌ％である。
　ＭＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの含有量の合計値である。ＭＯの含有量は、ヤング率を調整する観点から、好ましくは５～２５ｍｏｌ％であり、より好ましくは６～２０ｍｏｌ％であり、更に好ましくは１４～１８ｍｏｌ％である。
　ＭｇＯの含有量は、ヤング率を調整する観点から、好ましくは３～２０ｍｏｌ％であり、より好ましくは４～１９ｍｏｌ％であり、更に好ましくは８～１８ｍｏｌ％である。
　ＣａＯの含有量は、生産性向上の観点から、好ましくは０～１０ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～８ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０～６ｍｏｌ％である。
　ＳｒＯの含有量は、ガラスの低比重化の観点から、好ましくは０～５ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～３ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０～１．５ｍｏｌ％である。
　ＢａＯの含有量は、ガラスの低比重化の観点から、好ましくは０～５ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～４ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０～１．５ｍｏｌ％である。
　Ｍ２Ｏは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合計値である。Ｍ２Ｏの含有量は、好ましくは０～１５ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～１０ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０．０１～９ｍｏｌ％である。
　Ｌｉ２Ｏの含有量は、耐熱性向上の観点から、好ましくは０～５ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～７ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０．０１～６ｍｏｌ％である。
　Ｎａ２Ｏの含有量は、好ましくは０～１０ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～７ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０．０１～５ｍｏｌ％である。
　Ｋ２Ｏの含有量は、好ましくは０～３ｍｏｌ％であり、より好ましくは０～１ｍｏｌ％であり、更に好ましくは０～０．３ｍｏｌ％である。
　本開示では、ガラス組成を、酸化物基準のガラス組成で示す。ここで「酸化物基準のガラス組成」とは、ガラス原料が熔融時にすべて分解されてガラス中で酸化物として存在するものとして換算することにより得られるガラス組成を意味する。
　本開示におけるガラス組成は、例えばＩＣＰ－ＡＥＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ－Ａｔｏｍｉｃ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）等の方法により求めることができる。定量分析は、ＩＣＰ－ＡＥＳを用い、各元素別に行われる。その後、分析値は酸化物表記に換算される。ＩＣＰ－ＡＥＳによる分析値は、例えば、分析値の±５％程度の測定誤差を含んでいることがある。したがって、分析値から換算された酸化物表記の値についても、同様に±５％程度の誤差を含んでいることがある。
　また、本開示において、構成成分の含有量が０ｍｏｌ％とは、この構成成分を実質的に含まないことを意味し、この構成成分の含有量が不純物レベル程度以下であることを指す。不純物レベル程度以下とは、例えば、０．０１ｍｏｌ％未満であることを意味する。
　本実施形態に係る磁気ディスク基板は、上記の条件で加熱した後に測定した真直度（以下、単に「加熱後の真直度」ともいう）が、９０μｍ以下である。当該真直度を有することで、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスク基板が得られる。
　加熱後の真直度は、好ましくは８０μｍ以下であり、より好ましくは７０μｍ以下であり、更に好ましくは６０μｍ以下である。加熱後の真直度は、その下限値は特に限定されないが、例えば２０μｍ以上である。
　本実施形態に係る磁気ディスク基板は、上記の条件で加熱する前の真直度と、上記の条件で加熱した後の真直度の変化量（以下、単に「真直度の変化量」ともいう）は、８０μｍ以下であることが好ましい。当該真直度を有することで、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスク基板が得られる。
　真直度の変化量は、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、更に好ましくは５０μｍ以下であり、更に好ましくは４０μｍ以下である。真直度の変化量は、その下限値は特に限定されないが、例えば２０μｍ以上である。
　本実施形態に係る磁気ディスク基板は、加熱する前の真直度（以下、「加熱前の真直度」ともいう）は、５０μｍ以下であることが好ましい。当該真直度を有することで、熱アシスト磁気記録に使用するに適した磁気ディスク基板が得られる。
　加熱前の真直度は、好ましくは４０μｍ以下であり、より好ましくは３０μｍ以下であり、更に好ましくは２０μｍ以下であり、更に好ましくは１５μｍ以下である。加熱前の真直度は、その下限値は特に限定されないが、例えば２０μｍ以上である。
　基板のヤング率は、好ましくは８０ＧＰａ以上であり、より好ましくは８０～１１０ＧＰａであり、更に好ましくは８５～１０５ＧＰａである。
　基板のガラス転移温度は、好ましくは７００℃以上であり、より好ましくは７１０～８５０℃であり、更に好ましくは７２０～８４０℃である。
　基板の１００～３００℃における熱膨張係数は、（単位：×１０－７／Ｋ）は、好ましくは１０～１１０であり、より好ましくは２５～９８であり、更に好ましくは３０～５５である。
　基板の比弾性率Ｅ／ｄの値は、好ましくは３１．０×１０６ｍ２／ｓ２以上であり、より好ましくは３１．５×１０６ｍ２／ｓ２以上であり、好ましくは３４．０×１０６ｍ２／ｓ２以上である。基板が当該範囲の比弾性率Ｅ／ｄを有することで、耐衝撃性がより向上する。なお、基板は０．５１ｍｍ以下の厚みの場合に、上述の範囲の比弾性率Ｅ／ｄの値を有することで上述の効果がより顕著に得られる。比弾性率Ｅ／ｄとは、ヤング率を比重で除した値を意味する。
　磁気ディスク２１は、磁性層２１４を備える。磁気ディスク２１は、例えば、平滑に研磨されたガラス基板の主表面上に、主表面に近いほうから順に積層された、Ｃｒ合金を含む第２下地層２１２、ＭｇＯを含む第１下地層２１３、磁性層２１４、保護層２１５、潤滑層２１６を有していてもよい。
　第２下地層としては、例えばＣｒ合金、より具体的には、ＣｒＴｉ、ＣｒＢ等を用いることができる。第２下地層の膜厚は、例えば、１～３０ｎｍとしてもよい。
　第１下地層としては、例えばＲｕやＭｇＯを含む材料を用いることができ、ＭｇＯを含むことが好ましい。ＭｇＯを含む第１下地層を用いることで、磁性層を形成する際に、Ｌ１０－ＦｅＰｔ合金を形成しやすくなる。第１下地層の膜厚は、例えば、５～３０ｎｍとしてもよい。
　第１下地層、及び第２下地層は、例えば、ガラス基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）マグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、ガラス基板の主表面上に順次成膜される。
　磁性層は、磁気ディスクの超高記録密度化のために、Ｌ１０構造を有していることが好ましい。ＦｅＰｔ合金を含有する磁性粒子及び粒界部分を含む粒状構造を有する。粒界部分は、例えばＣ、Ｂ、ＢＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、及びＣｒ２Ｏ３などの非磁性物質を含有する。なお、粒状構造は、グラニュラー構造ともいう。磁性体は強磁性体に限らずアルター磁性体であってもよい。アルター磁性体を用いることにより外部磁場の影響を無くし、磁性体の粒子径を１０ｎｍ以下、好ましくは４ｎｍ以下、さらに好ましくは２ｎｍ以下とすることができ記録密度をさらに向上させることができる。
　磁性層は、Ｌ１０－ＦｅＰｔ系合金材料より構成されることが好ましい。なお、ここで「系」とは、含有することを意味する。具体的な磁性層を構成するＬ１０－ＦｅＰｔ系合金材料としては、例えばＣ（カーボン）を含有するＦｅＰｔやＦｅＰｔＡｇ（ＦｅＰｔをＡｇで合金化したもの）、Ｓｉ（シリコン）を含有するＦｅＰｔやＦｅＰｔＡｇ（ＦｅＰｔをＡｇで合金化したもの）が挙げられる。さらに、Ｌ１０構造を有する磁性体として、ＦｅＰｔ系合金の他、ＣｏＰｔ合金、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ、ＳｎＣｏ５など希土類磁石材料からなるものとすることができる。
　磁性層は、式（１）で示す組成を有することが好ましい。
　（ＦｅｘＰｔ１－ｘ）１－ｚＡｇｚ－Ｃｖ　　・・・（１）
　（式中、０．４＜ｘ＜０．５５、０≦ｚ＜０．２であり、０≦ｖ≦５０ｖｏｌ％（好ましくは３０ｖｏｌ％≦ｖ≦５０ｖｏｌ％）であり、（ＦｅｘＰｔ１－ｘ）１－ｚＡｇｚは、（１００－ｖ）ｖｏｌ％である。）
　Ｆｅ：Ｐｔを１：１に近い組成とすることで、Ｌ１０型／Ａ１相の規則・不規則変態温度が最も高くなることから、高いＬ１０規則の駆動力が得られる。
　ＦｅＰｔのＬ１０型構造の規則化の促進を目的として、ＦｅＰｔをＡｇで合金化することが好ましい。この場合、上記のように、ＦｅＰｔに対しＡｇを原子比で０～２０％の割合で含ませることが好ましい。
　ＦｅＰｔ－Ｃ層又はＦｅＰｔＡｇ－Ｃ層中のＣは膜成長中に、ＦｅＰｔ又はＦｅＰｔＡｇと相分離し、グラニュラー構造の非磁性マトリックスを形成する。
　磁性層において、Ｌ１０－ＦｅＰｔ合金を含有する磁性粒子は、島状の磁性粒子とすることが好ましい。磁性粒の粒径は、より小さい方が好ましい。粒径の小さな磁性粒を得るためには膜厚を例えば２０ｎｍ以下となるように薄く成膜すればよい。
　粒界部分を構成する非磁性物質は、ＦｅＰｔ合金、ＦｅＰｔＡｇ合金を用いるスパッタリングの場合には、上記材料を含んだ合金ターゲットを用意し、同時スパッタリングの場合には、それぞれのターゲットを用意し同時に成膜を行う。
　また、ＦｅＰｔ合金＋非磁性マトリックスとなる化合物の２つのターゲットを使った同時スパッタリングでもよい。また、非磁性マトリックスの体積分率は成膜速度を制御することにより変更することができる。
　例えばＣを含有するＦｅＰｔ合金を成膜する場合には、ＦｅＰｔとＣの同時スパッタリング（コスパッタ）を採用することができる。ＦｅＰｔ合金ターゲットとＣターゲットを用い、実施例に示すように、ＦｅＰｔスパッタリング中に、Ｃターゲットの電力を制御し、Ｃの成膜速度を変化させる方法が好ましい。
　磁性層の膜厚は、例えば１～２０ｎｍであってもよい。
　また、磁性層の上部又は下部に補助記録層を設けてもよい。補助記録層を設けることによって、磁気記録層の高密度記録性と低ノイズ性、保磁力制御に加えて高熱耐性を付け加えることができる。補助記録層の組成は、例えばＡ１構造のＦｅＰｔを含む強磁性合金とすることができる。また強磁性層を成膜するかわりに、イオン照射やプラズマダメージによりＬ１０型構造を有するＦｅＰｔ磁性体の一部をＡ１構造に不規則化させ、保磁力を制御することもできる。補助記録層の膜厚は０～１０ｎｍ程度が好ましい。補助記録層は、例えばスパッタリング法で形成することができる。
　さらに、磁性層と補助記録層との間に、交換結合制御層を設けてもよい。交換結合制御層を設けることにより、グラニュラー磁性層と補助記録層との間の交換結合の強さを制御して記録再生特性を最適化することができる。交換結合制御層としては、例えば（ＲｕやＲｕ合金）などが用いられる。交換結合制御層の膜厚は０～１０ｎｍ程度が好ましい。交換結合制御層は、例えばスパッタリング法で形成することができる。
　保護層の材料としては、たとえば炭素系保護層が好ましい。保護層は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＣ２Ｈ４を用いて保護層を成膜し、同一チャンバ内で、表面に窒素を導入する窒化処理を行うことで形成できる。保護層を設けることにより、磁気ディスク上を浮上飛行する磁気ヘッドから磁気ディスク表面を保護することができる。保護層の膜厚は、例えば３～７ｎｍとすることができる。
　潤滑層は、ＰＦＰＥ（ポリフルオロポリエーテル）を含んでいてもよい。なお、潤滑層は、例えばＰＦＰＥ（ポリフルオロポリエーテル）をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
［磁気ディスクの製造方法］
　本実施形態に係る磁気ディスクの製造方法は、
　基板を、前記基板表面温度が６００～７８０℃となるまで加熱した後に、Ｌ１０構造を有する磁性層を形成する工程を有する。
　なお、ここでの基板は、一対の主表面及び外周端面を有する磁気ディスク基板であって、前記磁気ディスク基板を前述の加熱条件で加熱した後、前述の測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である。
　磁性層形成工程では、スパッタリングにより、基板上に磁性層を形成することが好ましい。スパッタリングそのもののプロセスについては公知のものをはじめとして各種の装置や条件を適宜に採用することができる。特にＤＣマグネトロンスパッタリング法で形成すると均一な成膜が可能となるので好ましい。
　磁気ディスクは、高保磁力を示す合金を形成するためには、高い一軸磁気異方性を有する規則化したＬ１０型構造を有する合金を生成することが好ましい。本実施形態において、高度に規則化したＬ１０型構造を有するＦｅＰｔ合金微粒子を島状に成長させるためには、スパッタリング成膜時の基板温度を６５０℃以上に維持することが好ましい。
　例えばＦｅＰｔ合金を構成するＦｅとＰｔの各々のターゲット、又はＦｅＰｔＡｇ合金を構成するＦｅとＰｔとＡｇの各々のターゲットを用いた同時スパッタリングでもよく、組成が予備的に調整されたＦｅＰｔ合金ターゲット、又はＦｅＰｔＡｇ合金ターゲットを用いたスパッタリングでもよい。
　上記のＦｅとＰｔを主成分とする合金ターゲットは、成膜される磁性層中のＦｅとＰｔの組成が１：１に近い組成、具体的には、ＦｅｘＰｔ１－ｘのｘが０．４＜ｘ＜０．５５となるように作製することが好ましい。また、ＦｅとＰｔの各々のターゲットを用いる場合は、各々のターゲットに投入する電力を制御することにより、およそ１：１の成膜速度にすることができる。
　上記磁性層形成工程後に、必要に応じて、基板を加熱処理（アニール処理）してもよい。この場合、アニール処理温度は、好ましくは３００～７００℃である。
　本開示は、以下の実施形態を包含する。
＜１＞
　磁気ディスクであって、
　一対の主表面及び外周端面を有する基板と、
　前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、Ｌ１０構造を有する磁性層と、を有し、
　前記磁気ディスクを下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスク。
（加熱条件）
　磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。
（真直度の測定条件）
　１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。
＜２＞
　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１０～８０μｍである、＜１＞に記載の磁気ディスク。
＜３＞
　前記磁気ディスクを前記加熱条件で加熱した後に前記測定条件で測定した真直度が８０μｍ以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の磁気ディスク。
＜４＞
　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１５～７０μｍである、＜１＞～＜３＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜５＞
　前記磁性層は、Ｌ１０－ＦｅＰｔ系合金を含有する磁性粒子及び粒界部分を含む粒状構造を有する、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜６＞
　前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、ＭｇＯを含む第１下地層を更に有する、＜１＞～＜５＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜７＞
　前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、Ｃｒ合金を含む第２下地層を更に有する、＜１＞～＜６＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜８＞
　前記基板が、ガラス基板である、＜１＞～＜７＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜９＞
　前記基板が、
　ＳｉＯ２を５５～８０ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を５～２５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を０～８ｍｏｌ％、Ｐ２Ｏ５を０～５ｍｏｌ％、ＭＯを５～２５ｍｏｌ％（ＭＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの含有量の合計値である。）、Ｍ２Ｏを０～１５ｍｏｌ％（Ｍ２Ｏは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合計値である。）を含有する、＜１＞～＜８＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜１０＞
　前記基板が、０．２～０．６ｍｍの板厚を有する、＜１＞～＜９＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜１１＞
　前記基板が、８０ＧＰａ以上のヤング率を有する、＜１＞～＜１０＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜１２＞
　前記基板が、７００℃以上のガラス転移温度を有する、＜１＞～＜１１＞のいずれかに記載の磁気ディスク。
＜１３＞
　一対の主表面及び外周端面を有する磁気ディスク基板であって、
　前記磁気ディスク基板を下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスク基板。
（加熱条件）
　磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。
（真直度の測定条件）
　１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。
＜１４＞
　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１０～８０μｍである、＜１３＞に記載の磁気ディスク基板。
＜１５＞
　前記磁気ディスクを前記加熱条件で加熱した後に前記測定条件で測定した真直度が８０μｍ以下である、＜１３＞又は＜１４＞に記載の磁気ディスク基板。
＜１６＞
　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１５～７０μｍである、＜１３＞～＜１５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板。
＜１７＞
　前記基板が、ガラス製である、＜１３＞～＜１６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板。
＜１８＞
　前記基板が、
　ＳｉＯ２を５５～８０ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を５～２５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を０～８ｍｏｌ％、ＭＯを５～２５ｍｏｌ％（ＭＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの含有量の合計値である。）、Ｍ２Ｏを０～１５ｍｏｌ％（Ｍ２Ｏは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合計値である。）を含有する、＜１３＞～＜１７＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板。
＜１９＞
　前記基板が、０．２～０．６ｍｍの板厚を有する、＜１３＞～＜１８＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板。
＜２０＞
　前記基板が、８０ＧＰａ以上のヤング率を有する、＜１３＞～＜１９＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板。
＜２１＞
　前記基板が、７００℃以上のガラス転移温度を有する、＜１３＞～＜２０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板。
＜２２＞
　熱アシスト記録用である、＜１３＞～＜２１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板。
＜２３＞
　熱アシスト記録用磁気ディスク製造のための、＜１３＞～＜２２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の使用。
＜２４＞
　磁気ディスクの製造方法であって、
　基板を、前記基板表面温度が６００～７８０℃となるまで加熱した後に、Ｌ１０構造を有する磁性層を形成する工程を有し、
　前記基板が、一対の主表面及び外周端面を有する磁気ディスク基板であって、前記磁気ディスク基板を下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスクの製造方法。
（加熱条件）
　磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。
（真直度の測定条件）
　１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。
＜２５＞
　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１０～８０μｍである、＜２４＞に記載の磁気ディスクの製造方法。
＜２６＞
　前記磁気ディスクを前記加熱条件で加熱した後に前記測定条件で測定した真直度が８０μｍ以下である、＜２４＞又は＜２５＞に記載の磁気ディスクの製造方法。
＜２７＞
　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１５～７０μｍである、＜２４＞～＜２６＞のいずれかに記載の磁気ディスクの製造方法。
　以下、実施例により本実施形態をさらに具体的に説明するが、本実施形態は以下の実施例に限定されるものではない。
＜真直度＞
　表面粗さ測定機（製品名「Ｓｕｒｆｔｅｓｔ－ＶＳ２１００」株式会社ミツトヨ社製）にて真直度の測定を行った。
　測定位置は、図３の点線に示す長さ８８ｍｍの直線上の測定範囲で測定した。１２０度向きが異なる３方向で測定し、各測定値の数平均値を真直度とした。
＜加熱試験＞
　２枚のセラミックパネルヒータの間に磁気ディスク（基板）を配置し、６０秒基板を入れて、時間経過後取り出す。
　カートリッジヒータ（５００Ｗ）を４本１枚のセラミックパネル（ＡＩＮ（窒化アルミ））に挿入した。当該パネル２枚を準備し、ヒーターパネル表面間を１８ｍｍ間隔に設定した。
　磁気ディスク表面に配置した熱電対（セラサーモ 熱電対 タイプＫ線径φ０．１）によって、ディスク表面が所定の温度に到達するようにパネル温調設定し、大気中の非接触加熱を実施した。磁気ディスクの昇温速度は下記のグラフに示すとおり、６０秒で７００℃まで昇温し、磁気ディスクを取り出した。なお、図４に示すように、磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるように加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱した。また、その後１２０秒かけて常温となるまで冷却した。
＜ヤング率＞
　基板のヤング率Ｅは、ＪＩＳ　Ｒ１６０２：１９９５に基づいて測定した。測定のための試験片を、磁気ディスクから長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さを磁気ディスクの板厚と同じ厚さの直方体として切り出し、常温で測定した。
＜ガラス転移温度＞
　熱機械分析装置を用いて、温度上昇による熱膨張に伴うプローブの位置変化量からグラフを作成し、グラフの傾斜の変化からガラス転移温度を読み取った。
＜１００～３００℃における熱膨張係数＞
　基板の熱膨張率は、磁気ディスクから長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍの寸法で切り出した試料を、レーザ干渉法による熱膨張計を用いて、所定の温度範囲における長さの変化量を求め、１００～３００℃における平均線膨張係数の値とした。
＜比重＞
　比重は、アルキメデス法にて測定した。
＜比弾性率Ｅ／ｄ＞
　ヤング率を比重で除して算出した。
（実施例及び比較例）
　実施例及び比較例では、表１に示す組成の下記の磁気ディスク基板を作成し、加熱試験及び加熱試験前後の真直度の測定を行った。なお、磁性層などの他の層の形成による磁気ディスク基板の加熱後の真直度への影響は少なく磁気ディスク基板の真直度はそのまま磁気ディスクの真直度に反映される。
磁気ディスク基板：直径９７ｍｍ、内径２５ｍｍ、板厚０．５ｍｍ又は０．４３ｍｍ
 
　厚さｔ　　　　　　　　　　　　：ガラス基板の厚さ（ｍｍ）
　加熱前真直度Ｃ１　　　　　　　：加熱前の真直度（μｍ）
　加熱後真直度Ｃ２　　　　　　　：加熱後の真直度（μｍ）
　加熱前後の真直度の変化量ｄＣ　：真直度の変化量Ｃ２－Ｃ１（μｍ）
（磁気ディスク基板）
　ＳＵ－１：ガラス基板（ガラス転移温度が７５２℃、１００～３００℃における熱膨張係数が４３（１０―７／Ｋ）、ヤング率が９０（ＧＰａ）、比弾性率が３６．１（１０６ｍ２／ｓ２）のアルカリ含有ガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が１６．３（μｍ・ｍｍ）であった。また、使用したアルカリ含有ガラスにおいて、Ｂ２Ｏ３の含有量が０ｍｏｌ％、かつＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計が１８．５ｍｏｌ％、Ｌｉ２Ｏの含有量が１．０ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏの含有量が３．０ｍｏｌ％であった。）
　ＳＵ－２：ガラス基板（ガラス転移温度が７３７℃、１００～３００℃における熱膨張係数が４３（１０―７／Ｋ）、ヤング率が９３（ＧＰａ）、比弾性率が３６．８（１０６ｍ２／ｓ２）のアルカリ含有ガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が２５．４（μｍ・ｍｍ）であった。また、使用したアルカリ含有ガラスにおいて、Ｂ２Ｏ３の含有量が０．３ｍｏｌ％、かつＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計が１６．５ｍｏｌ％、Ｌｉ２Ｏの含有量が０．８ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏの含有量が３．０ｍｏｌ％であった。）
　ＳＵ－３：ガラス基板（ガラス転移温度が８１０℃、１００～３００℃における熱膨張係数が３９（１０―７／Ｋ）、ヤング率が８３（ＧＰａ）、比弾性率が３１．４（１０６ｍ２／ｓ２）のダウンドローにより形成された無アルカリガラスを用いて、厚さ０．５０ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が２９．５（μｍ・ｍｍ）であった。また、使用した無アルカリガラスにおいて、Ｂ２Ｏ３の含有量が０．８ｍｏｌ％、かつＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計が１１．０ｍｏｌ％、Ｌｉ２ＯおよびＮａ２Ｏの含有量が０ｍｏｌ％であった。）
　ＳＵ－４：ガラス基板（ガラス転移温度が８０５℃、１００～３００℃における熱膨張係数が３４（１０―７／Ｋ）、ヤング率が８３（ＧＰａ）、比弾性率が３１．５（１０６ｍ２／ｓ２）のダウンドローにより形成されたダウンドローにより形成された無アルカリガラスを用いて、厚さ０．５０ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が３４．５（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－５：ガラス基板（ガラス転移温度が７１０℃、１００～３００℃における熱膨張係数が４５（１０―７／Ｋ）、ヤング率が９８（ＧＰａ）、比弾性率が３８．２（１０６ｍ２／ｓ２）のアルカリ含有ガラスを用いて、厚さ０．５０ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が３５．０（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－６：ガラス基板（ガラス転移温度が７２７℃、１００～３００℃における熱膨張係数が４５（１０―７／Ｋ）、ヤング率が９６（ＧＰａ）、比弾性率が３７．９（１０６ｍ２／ｓ２）のアルカリ含有ガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が３３．５（μｍ・ｍｍ）であった。また、使用したアルカリ含有ガラスにおいて、Ｂ２Ｏ３の含有量が１．５ｍｏｌ％、かつＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計が２１．５ｍｏｌ％、Ｌｉ２Ｏの含有量が０．５ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏの含有量が２．５ｍｏｌ％であった。）
　ＳＵ－７：ガラス基板（ガラス転移温度が８１０℃、１００～３００℃における熱膨張係数が３９（１０―７／Ｋ）、ヤング率が８３（ＧＰａ）、比弾性率が３１．４（１０６ｍ２／ｓ２）のダウンドローにより形成された無アルカリガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が３５．７（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－８：ガラス基板（ガラス転移温度が８０５℃、１００～３００℃における熱膨張係数が３４（１０―７／Ｋ）、ヤング率が８３（ＧＰａ）、比弾性率が３１．５（１０６ｍ２／ｓ２）のダウンドローにより形成された無アルカリガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が３７．４（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－９：ガラス基板（ガラス転移温度が７８２℃、１００～３００℃における熱膨張係数が３５（１０―７／Ｋ）、ヤング率が８５（ＧＰａ）、比弾性率が３２．８（１０６ｍ２／ｓ２）のフロート法により形成された無アルカリガラスを用いて、厚さ０．５０ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が４２．５（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－１０：ガラス基板（ガラス転移温度が７１０℃、１００～３００℃における熱膨張係数が４５（１０―７／Ｋ）、ヤング率が９８（ＧＰａ）、比弾性率が３８．２（１０６ｍ２／ｓ２）のアルカリ含有ガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が４４．３（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－１１：ガラス基板（ガラス転移温度が７８２℃、１００～３００℃における熱膨張係数が３５（１０―７／Ｋ）、ヤング率が８５（ＧＰａ）、比弾性率が３２．８（１０６ｍ２／ｓ２）のフロート法により形成された無アルカリガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が５１．２（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－１２：ガラス基板（ガラス転移温度が７８０℃、１００～３００℃における熱膨張係数が３６（１０―７／Ｋ）、ヤング率が８４（ＧＰａ）、比弾性率が３３．１（１０６ｍ２／ｓ２）のダウンドローにより形成された無アルカリガラスを用いて、厚さ０．５０ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が５８．０（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－１３：ガラス基板（ガラス転移温度が７８０℃、１００～３００℃における熱膨張係数が３６（１０―７／Ｋ）、ヤング率が８４（ＧＰａ）、比弾性率が３３．１（１０６ｍ２／ｓ２）のダウンドローにより形成された無アルカリガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が５６．３（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－１４：ガラス基板（ガラス転移温度が６９１℃、１００～３００℃における熱膨張係数が５１（１０―７／Ｋ）、ヤング率が９５（ＧＰａ）、比弾性率が３６．６（１０６ｍ２／ｓ２）のアルカリ含有ガラスを用いて、厚さ０．５０ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が１３８．０（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ＳＵ－１５：ガラス基板（ガラス転移温度が６９１℃、１００～３００℃における熱膨張係数が５１（１０―７／Ｋ）、ヤング率が９５（ＧＰａ）、比弾性率が３６．６（１０６ｍ２／ｓ２）のアルカリ含有ガラスを用いて、厚さ０．４３ｍｍのガラス基板を得た。ガラス基板の加熱後の真直度Ｃ２（μｍ）と基板の厚さ（ｍｍ）の積の値が１６４．７（μｍ・ｍｍ）であった。）
　ｄＣ×ｔ２の値が１４（μｍ・ｍｍ・ｍｍ）以下の磁気ディスク基板においては、板厚が小さくなっても変形が生じ難い傾向にある。
　Ｃ２×ｔの値は３４．０（μｍ・ｍｍ）以下であることが好ましい。基板厚さが小さくなると加熱前後の真直度の変化量ｄＣは大きくなる傾向にあるが、Ｃ２×ｔの値が３４．０（μｍ・ｍｍ）以下である基板においては、厚さが０．４３ｍｍ以下であっても加熱前後の真直度の変化量ｄＣを十分に小さいものとすることができる。
　また、各実施例の磁気ディスク基板はいずれも、ＳｉＯ２を５５～８０ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を５～２５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を０～８ｍｏｌ％、Ｐ２Ｏ５を０～５ｍｏｌ％、ＭＯを５～２５ｍｏｌ％（ＭＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの含有量の合計値である。）、０～１５ｍｏｌ％のＭ２Ｏ（Ｍ２Ｏは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合計値である。）を含有するものであった。
　また、実施例１、２、３、６の磁気ディスク基板は、０～１５ｍｏｌ％のＭ２Ｏ、５～２５ｍｏｌ％のＭＯを含有するものであった。さらにこれらの磁気ディスク基板において、Ｂ２Ｏ３の含有量が０～１．５ｍｏｌ％かつＭｇＯおよびＣａＯの含有量の合計が５．０～２５．０ｍｏｌ％であった。これらの磁気ディスク基板では、Ｂ２Ｏ３の含有量が少ないため、板厚が小さくても加熱後の真直度の変化量ｄＣを小さくすることができ好ましい。

Claims (27)

  1. 　磁気ディスクであって、
    　一対の主表面及び外周端面を有する基板と、
    　前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、Ｌ１０構造を有する磁性層と、を有し、
    　前記磁気ディスクを下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスク。
    （加熱条件）
    　磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。
    （真直度の測定条件）
    　１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。
  2. 　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１０～８０μｍである、請求項１に記載の磁気ディスク。
  3. 　前記磁気ディスクを前記加熱条件で加熱した後に前記測定条件で測定した真直度が８０μｍ以下である、請求項１に記載の磁気ディスク。
  4. 　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１５～７０μｍである、請求項３に記載の磁気ディスク。
  5. 　前記磁性層は、Ｌ１０－ＦｅＰｔ系合金を含有する磁性粒子及び粒界部分を含む粒状構造を有する、請求項１に記載の磁気ディスク。
  6. 　前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、ＭｇＯを含む第１下地層を更に有する、請求項５に記載の磁気ディスク。
  7. 　前記基板の前記一対の主表面及び外周端面に、Ｃｒ合金を含む第２下地層を更に有する、請求項６に記載の磁気ディスク。
  8. 　前記基板が、ガラス基板である、請求項１に記載の磁気ディスク。
  9. 　前記基板が、
    　ＳｉＯ２を５５～８０ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を５～２５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を０～８ｍｏｌ％、Ｐ２Ｏ５を０～５ｍｏｌ％、ＭＯを５～２５ｍｏｌ％（ＭＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの含有量の合計値である。）、Ｍ２Ｏを０～１５ｍｏｌ％（Ｍ２Ｏは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合計値である。）を含有する、請求項８に記載の磁気ディスク。
  10. 　前記基板が、０．２～０．６ｍｍの板厚を有する、請求項１に記載の磁気ディスク。
  11. 　前記基板が、８０ＧＰａ以上のヤング率を有する、請求項１に記載の磁気ディスク。
  12. 　前記基板が、７００℃以上のガラス転移温度を有する、請求項１に記載の磁気ディスク。
  13. 　一対の主表面及び外周端面を有する磁気ディスク基板であって、
    　前記磁気ディスク基板を下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスク基板。
    （加熱条件）
    　磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。
    （真直度の測定条件）
    　１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。
  14. 　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１０～８０μｍである、請求項１３に記載の磁気ディスク基板。
  15. 　前記磁気ディスクを前記加熱条件で加熱した後に前記測定条件で測定した真直度が８０μｍ以下である、請求項１３に記載の磁気ディスク基板。
  16. 　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１５～７０μｍである、請求項１５に記載の磁気ディスク基板。
  17. 　前記基板が、ガラス製である、請求項１３に記載の磁気ディスク基板。
  18. 　前記基板が、
    　ＳｉＯ２を５５～８０ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を５～２５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を０～８ｍｏｌ％、ＭＯを５～２５ｍｏｌ％（ＭＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの含有量の合計値である。）、Ｍ２Ｏを０～１５ｍｏｌ％（Ｍ２Ｏは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種であり、その含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合計値である。）を含有する、請求項１７に記載の磁気ディスク基板。
  19. 　前記基板が、０．２～０．６ｍｍの板厚を有する、請求項１３に記載の磁気ディスク基板。
  20. 　前記基板が、８０ＧＰａ以上のヤング率を有する、請求項１３に記載の磁気ディスク基板。
  21. 　前記基板が、７００℃以上のガラス転移温度を有する、請求項１３に記載の磁気ディスク基板。
  22. 　熱アシスト記録用である、請求項１３に記載の磁気ディスク基板。
  23. 　熱アシスト記録用磁気ディスク製造のための、請求項１３～２２のいずれか一項に記載の磁気ディスク基板の使用。
  24. 　磁気ディスクの製造方法であって、
    　基板を、前記基板表面温度が６００～７８０℃となるまで加熱した後に、Ｌ１０構造を有する磁性層を形成する工程を有し、
    　前記基板が、一対の主表面及び外周端面を有する磁気ディスク基板であって、前記磁気ディスク基板を下記加熱条件で加熱した後、下記測定条件で測定した真直度が９０μｍ以下である、磁気ディスクの製造方法。
    （加熱条件）
    　磁気ディスクの表面温度が、常温から２５秒で６００℃となるまで加熱し、その後３５秒で７００℃となるまで加熱し、さらにその後１２０秒かけて常温となるまで冷却する。
    （真直度の測定条件）
    　１２０度向きが異なる３方向で、表面粗さ測定機にて、少なくとも長さ８８ｍｍの測定範囲で最大谷深さＳｖの値を測定し、前記最大谷深さＳｖの数平均値を真直度の値として求める。
  25. 　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１０～８０μｍである、請求項２４に記載の磁気ディスクの製造方法。
  26. 　前記磁気ディスクを前記加熱条件で加熱した後に前記測定条件で測定した真直度が８０μｍ以下である、請求項２４に記載の磁気ディスクの製造方法。
  27. 　前記加熱条件により加熱する前後の真直度の変化量が１５～７０μｍである、請求項２６に記載の磁気ディスクの製造方法。
PCT/JP2025/017254 2024-05-15 2025-05-12 磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法 Pending WO2025239331A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024-079073 2024-05-15
JP2024079073 2024-05-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2025239331A1 true WO2025239331A1 (ja) 2025-11-20

Family

ID=97719927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2025/017254 Pending WO2025239331A1 (ja) 2024-05-15 2025-05-12 磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2025239331A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004062995A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 垂直磁気記録媒体用基板およびその製造方法並びに垂直磁気記録媒体およびその製造方法
JP2016216355A (ja) * 2011-04-21 2016-12-22 Hoya株式会社 ガラスブランク
JP2019160384A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 株式会社Uacj 磁気ディスク用基板及びその製造方法、並びに、当該磁気ディスク用基板を用いた磁気ディスク
WO2023282262A1 (ja) * 2021-07-05 2023-01-12 Hoya株式会社 ガラス板、円板状ガラス、磁気ディスク用ガラス基板、およびガラス板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004062995A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 垂直磁気記録媒体用基板およびその製造方法並びに垂直磁気記録媒体およびその製造方法
JP2016216355A (ja) * 2011-04-21 2016-12-22 Hoya株式会社 ガラスブランク
JP2019160384A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 株式会社Uacj 磁気ディスク用基板及びその製造方法、並びに、当該磁気ディスク用基板を用いた磁気ディスク
WO2023282262A1 (ja) * 2021-07-05 2023-01-12 Hoya株式会社 ガラス板、円板状ガラス、磁気ディスク用ガラス基板、およびガラス板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103189917B (zh) 磁记录介质用玻璃基板、磁记录介质、以及磁记录介质用玻璃基板毛坯
US6905988B2 (en) Substrate for information recording medium and magnetic recording medium composed of crystallized glass
WO2008038664A1 (en) Magnetic recording medium
WO2015037609A1 (ja) 磁気記録媒体基板用ガラスおよび磁気記録媒体基板
JPH1081540A (ja) 情報記録媒体用基板に用いる材料、この材料を用いた情報記録媒体用基板及び磁気ディスク、並びにその製造方法
JP4745421B2 (ja) 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置
JP2008091024A (ja) 垂直磁気記録媒体
US6627565B1 (en) Crystallized glass substrate for information recording medium
JPH1081542A (ja) 情報記録媒体用基板に用いる材料、これを用いる基板及びこの基板を用いる磁気ディスク
WO2025239331A1 (ja) 磁気ディスク、磁気ディスク基板、磁気ディスク基板の使用及び磁気ディスクの製造方法
JP2000169184A (ja) 情報記録ディスク用結晶化ガラス及びその製造方法
JP3793401B2 (ja) 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体
JPH1074618A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法
JP7459715B2 (ja) 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体及び磁気記憶装置
US20080037407A1 (en) Method for Manufacturing Perpendicular Magnetic Recording Medium, Perpendicular Magnetic Recording Medium, and Magnetic Recording/Reproducing Apparatus
JP4708121B2 (ja) 磁性薄膜作成用ターゲット、磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記録再生装置
JP5981564B2 (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法
JP3657344B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
CN115132233B (zh) 磁记录介质及磁存储装置
JP7645649B2 (ja) 磁気記録媒体、磁気記録再生装置及び磁気記録媒体の製造方法
JP3793003B2 (ja) 情報記録媒体用結晶化ガラス基板
JP4043171B2 (ja) 情報記録ディスク用結晶化ガラスの製造方法
JP2000169186A (ja) 情報記録ディスク用結晶化ガラス
JP5593049B2 (ja) 垂直磁気記録媒体の製造管理方法
WO2025143137A1 (ja) 情報記録媒体用ディスク

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 25803575

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1