JPH1081542A - 情報記録媒体用基板に用いる材料、これを用いる基板及びこの基板を用いる磁気ディスク - Google Patents
情報記録媒体用基板に用いる材料、これを用いる基板及びこの基板を用いる磁気ディスクInfo
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- JPH1081542A JPH1081542A JP8233936A JP23393696A JPH1081542A JP H1081542 A JPH1081542 A JP H1081542A JP 8233936 A JP8233936 A JP 8233936A JP 23393696 A JP23393696 A JP 23393696A JP H1081542 A JPH1081542 A JP H1081542A
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Abstract
して好ましいSiO2−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二価金
属である)の高い比弾性率を示す新たなガラス材料、こ
の材料を用いた情報記録媒体用基板、及びこの基板を用
いた情報記録媒体を提供すること。 【解決手段】 SiO2−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二価
金属である)のガラスからなる情報記録媒体用基板に用
いる材料であって、上記ガラスが20モル%以上のAl2O3
を含有する材料。SiO2−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二
価金属である)のガラスからなる情報記録媒体用基板に
用いる材料であって、上記ガラスがROとしてMgO を20
モル%以上含有する材料。SiO2−Al2O3 −RO系(ただ
し、Rは二価金属である)のガラスからなる情報記録媒
体用基板に用いる材料であって、上記ガラスがさらにY2
O3を例えば0.5〜17モル%含有する材料。上記の材
料からなる情報記録媒体用基板。上記の基板上に、少な
くとも磁性層を有する磁気ディスク。
Description
情報記録媒体用基板に用いられる材料に関し、特に、ガ
ラスからなる情報記録媒体用基板材料、この材料からな
る基板、及びこの基板を用いた情報記録媒体に関する。
ィスク)用の基板としては、アルミニウム基板、ガラス
基板、セラミック基板、カーボン基板等があり、サイズ
や用途に応じて、主に、アルミニウム基板とガラス基板
とが実用されている。中でもガラス基板は、表面の平滑
性や機械的強度が優れていることから、現在及び将来的
な基板としても注目を浴びている。そのようなガラス基
板としては、ガラス基板表面をイオン交換で強化した化
学強化ガラス基板や、実質的にアルカリを含まない無ア
ルカリガラス基板が知られている。例えば、化学強化ガ
ラス基板として、特開平1−239036号公報には、
重量%でSiO2を60〜70%、Al2O3 を0.5〜14
%、R2O (ただしRはアルカリ金属)を10〜32%、
ZnO を1〜15%、B2O3を1.1〜14%含むガラスを
イオン交換することにより強化した磁気記録媒体用ガラ
ス基板が開示されている。また、無アルカリガラス基板
として、特開平8−169724号公報に、重量%で、
SiO2+Al2O3 を35〜55%、B2O3を0〜10%、CaO
+BaO を40〜60%、ただしCaO ≧5%、ZnO +SrO
+MgO を0〜10%、TiO2を0〜5%、ZrO2を0〜5
%、As2O3 および/またはSb2O3 を0〜1%を含有する
組成の磁気ディスク用ガラス基板が開示されている。
D(Hard disk driver)は、パソコンの高性能化に対応
して記録容量を高めることが要求されており、さらに、
パソコンの小型化と高性能化に対応してディスク基板の
小型化及び薄型化が提言されている。将来の2.5インチ
のディスク基板の厚さは、現在の0.631 mmから0.43mm、
さらには0.381mmへと薄くなることが予想されている。
ところで、ディスク基板は薄くなればなるほど、たわみ
や反りが生じやすくなる。一方、記録密度を高めること
を目的として、ディスクと磁気ヘッドとの間隔は狭くな
る一方であり、上記のような基板のたわみや反りは、磁
気ディスクの破損の原因となる。ところが、現在、ハー
ドディスクに使用されているガラスからなる基板を現在
より薄くした場合、上記たわみや反りによる問題が顕在
化し、薄型化に対応できない。ディスク基板がどの程度
のたわみや反り生じるかは、基板材料の比弾性率(=ヤ
ング率/比重)から評価できる。薄型化した場合でも基
板のたわみや反りを問題が生じない程度に抑えるために
は、比弾性率がより高い材料が必要となる。ところが、
ある特定の系のガラス組成において、どのような成分が
比弾性率にどの様な影響を与えるかは、必ずしも明確に
分かっていない。
との理論関係を確立し、それに基づいた計算から磁気デ
ィスク基板等の情報記録媒体用基板として好ましいSiO2
−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二価金属である)のガラ
スに注目し、かつこのガラスおいて、ガラス成分が比弾
性率に与える影響を調べ、かつ現在知られている材料よ
り高い比弾性率を示す新たなガラス材料を提供すること
を目的とする。さらに本発明は、上記材料を用いた情報
記録媒体用基板、及びこの基板を用いた情報記録媒体を
提供することを目的とする。
に本発明は、以下のとおりである。SiO2−Al2O3 −RO系
(ただし、Rは二価金属である)のガラスからなる情報
記録媒体用基板に用いる材料であって、上記ガラスが20
モル%以上のAl2O3 を含有することを特徴とする材料
〔請求項1〕、SiO2−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二価
金属である)のガラスからなる情報記録媒体用基板に用
いる材料であって、上記ガラスがROとしてMgO を20モ
ル%以上含有することを特徴とする材料〔請求項2〕 SiO2−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二価金属である)の
ガラスからなる情報記録媒体用基板に用いる材料であっ
て、上記ガラスがさらにY2O3を含有することを特徴とす
る材料〔請求項3〕、Y2O3を0.5〜17モル%含有す
る上記の材料〔請求項4〕、TiO2及びZrO2のいずれか一
方または両方を含有する上記のいずれかの材料〔請求項
5〕、前記本発明の材料からなることを特徴とする情報
記録媒体用基板〔請求項6〕、情報記録媒体が、磁気デ
ィスクである上記の基板〔請求項7〕、及び上記本発明
の基板上に、少なくとも磁性層を有することを特徴とす
る磁気ディスク〔請求項8〕。
3 、MgO 、及びY2O3が比弾性率及びヤング率の向上に寄
与し、Al2O3 又はMgO を比較的多量に含有させること、
又はY2O3を添加することにより、比弾性率が高いガラス
が得られることを見出した。この事実に基づき、ガラス
の組成を適宜決定することにより、所望の比弾性率及び
ヤング率のガラスを得ることができる。
する。情報記録媒体用基板材料及び基板の説明 (本発明のガラスに共通する事項の説明)本発明で用い
るSiO2−Al2O3 −RO系ガラスにおいて、ガラスの基本成
分の一つであるSiO2は、網目構造形成酸化物として働
き、ガラス構造の結晶化安定性を向上させる作用を有す
る。尚、SiO2の含有量は25〜55モル%とすることが
好ましい。25モル%以下であるとガラスの結晶化安定
性が悪化し、量産できるほどの安定したガラスを造るこ
とが困難である。また、55モル%を超えると、ガラス
の比弾性率やヤング率が急に低下する。さらに好ましく
は、30〜50モル%である。二価金属の酸化物である
ROとしては、MgO 、CaO 、ZnO 、NiO 等を用いることが
できる。但し、これらに限定する意図はない。
させるために、さらにTiO2及びZrO2 から選ばれる一種を
加えることが好ましい。その場合、TiO2及び/又はZrO2
は、合計5モル%以上とすることにより、比弾性率及び
ヤング率を向上させる効果を得ることができる。TiO
2は、ガラスの比重をあまり増加させることなくヤング
率を向上させることができる。しかしながら、あまり多
く含有させると、ガラスの分相傾向が強まり、かえって
ガラスの結晶化安定性及び均質性を悪化させる恐れがあ
るので、25モル%以下とすることが好ましく、20モ
ル%以下とすることがさらに好ましい。ZrO2の含有量は
8モル%以下に抑えることが好ましい。8モル%を超え
ると、ガラスの高温溶解性が著しく悪化し、ガラスの表
面平坦性も悪くなり、比重も増加してしまうからであ
る。さらには、6モル%以下とすることが好ましい。
2Oを加えることもできる。但し、あまり多く加えるとヤ
ング率が小さくなる傾向があるので、少量( 例えば、2
モル%以下)とすることが好ましい。また、Li2Oを含有
させた場合、ガラスの強度を高めるためにイオン交換に
よる化学強化処理を行うことが可能である。一方、Li2O
を含有させない無アルカリガラスの場合は、このガラス
からなる基板上に薄膜を形成した場合、アルカリ成分が
基板上に薄膜に拡散し、悪影響を及ぼすことを防止でき
る。また、ガラスの結晶化安定性等を向上するために、
B2O3、P2O5、V2O5、GeO2、Ga2O3 、HfO2等を加えること
ができる。また、ガラスの均質化を図るための脱胞剤と
して、As2O3 、Sb2O3 等を少量(例えば3モル%以下)
加えてもよい。また、ZnO 、SrO 、NiO 、CoO 、Fe2O
3 、CuO 、Cr2O3 、B2O3、P2O5、V2O5等をガラスの高温
溶解性や物理的な物性を調整するために添加してもよ
い。少量のV2O5、Cr2O3 、CuO 、CoO などの着色剤をガ
ラスに添加する場合、ガラスに赤外線吸収特性を持た
せ、加熱ランプ照射による磁性層の加熱処理を効果的に
行うことができる。
は、特に限定されず、各種ガラスの製造方法を用いるこ
とができる。例えば、高温溶融法、即ち所定の割合のガ
ラス原料を空気中又は不活性ガス雰囲気中で溶解し、バ
ブリングや脱泡剤の添加や攪拌などによってガラスの均
質化を行い、周知のプレス法やダウンドーロ成形などの
方法により板ガラスに成形され、その後、研削、研磨な
どの加工が施され所望のサイズ、形状の基板とされる。
なお、研磨ではラッピング及び酸化セリウムなどの研磨
粉によるポリッシング加工を行うことで、表面精度を例
えば3〜5オングストロームの範囲にすることができ
る。
有する。SiO2−Al2O3−RO系ガラスにおいて、Al2O3 含
有量を増すほど比弾性率は高くなる。そしてAl2O3 含有
量が20モル%以上になると、従来情報記録媒体用基板
として知られているガラスより大きな比弾性率、例え
ば、38×106Nm/kg以上の比弾性率を有するガラスを得
ることができる。尚、Al2O3 含有量の上限は、好ましく
は40モル%である。Al2O3 が40モル%より多いとガ
ラスの高温熔融性が悪化及び結晶化安定性が得られない
恐れがある。Al2O3 含有量は、好ましくは21〜35モ
ル%、さらに好ましくは25〜35モル%の範囲であ
る。Al2O3 を20モル%以上含有する場合、ROとして、
MgO 及びCaO から選ばれる少なくとも一種を用いること
が好ましい。これらの成分は、Al2O3 を多く含有した場
合に、ガラス構造の安定化や高温粘性を低めて溶解を容
易にする等の成分として効果的に働く。但し、これらの
成分は、あまり多く含有するとガラスの結晶化安定性を
損ねる可能性がある。そこで、MgO +CaO は15〜40
モル%の範囲とすることが適当である。
以上含有する。SiO2−Al2O3 −RO系ガラスにおいて、Mg
O 含有量を増すほど比弾性率は高くなる。そしてMgO 含
有量が20モル%以上になると、従来情報記録媒体用基
板として知られているガラスより大きな比弾性率、例え
ば、38×106Nm/kg以上の比弾性率を有するガラスを得
ることができる。尚、MgO 含有量の上限は、45モル%
であることが好ましい。MgO 含有量が45モル%より多
いとガラスの結晶化安定性が得られない恐れがある。Mg
O 含有量は、好ましくは20〜40モル%の範囲であ
る。また、MgO を20モル%以上含有する場合、Al2O3
は5〜40モル%とすることが好ましい。Al2O3 が5モ
ル%より少ないとガラス構造の安定化が損なわれる可能
性があり、40モル%を超えるとガラスの高温熔融性が
悪化及び結晶化安定性が得られない恐れがある。ROとし
てMgO 以外にCaO を含有させることもできる。CaO は、
主にガラスの高温熔融性、結晶化安定性を改善する働き
をする。但し、CaO 含有量が多くなり過ぎると、ガラス
の比弾性率を低下させる可能性がある。そこでCaO 含有
量は27モル%以下とすることが好ましい。
−Al2O3 −RO系ガラスにおいて、Y2O3を含有させること
により比弾性率を高めることができる。Y2O3の含有量は
0.5〜17モル%とすることが好ましい。Y2O3はヤン
グ率を向上させ、その結果比弾性率を向上させるが、
0.5モル%ではその効果が現れ難い。一方、Y2O3はヤ
ング率を増加させるとともに比重も増大させるので、一
定量以上の含有量よなると比弾性率の増加効果が頭打ち
になる。即ち、Y2O3含有量が17モル%を超えてしまう
と、比弾性率の向上に寄与しなくなる。さらにまた、Y2
O3は高価であるという観点からも加える量は少量に留め
ることが好ましい。Y2O3添加効果は、SiO2−Al2O3 −RO
系ガラスにおけるAl2O3 やROとしてのMgOの含有量に係
わらず得られるが、上記本発明のAl2O3 を20モル%以
上含有するガラス及びMgO を20モル%以上含有するガ
ラスにY2O3を添加することもできる。特に、Al2O3 を2
0モル%以上含有するガラスの場合、Y2O3の添加は、比
弾性率の向上とともにガラスの高温熔融性を改善するの
に効果的である。
からなる材料からなることを特徴とする。情報記録媒体
としては、例えば、磁気記録媒体を挙げることができ、
磁気記録媒体としては、例えば、ハードディスク等の磁
気ディスクを挙げることができる。基板のサイズや形状
は、用途に応じて適宜決定できる。さらに本発明の基板
は、高い表面平滑性を有することを特徴とする。高い表
面平滑性とは、具体的には、表面粗さ(Ra) が5Å以下
であることを意味する。基板表面の平滑性は、磁気ディ
スクとした場合の、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔
を低減して、記録密度を高めることができるという利点
がある。
基板の主表面に、少なくとも磁性層を形成したことを特
徴とする。磁性層以外の層としては、公知の各種の層を
必要により適宜設けることができる。そのような層は、
機能面から、下地層、保護層、潤滑層、凹凸制御層など
が挙げられる。これらの各層の形成には各種薄膜形成技
術が利用される。磁性層の材料は特に制限されない。磁
性層としては、例えば、Co系の他、フェライト系、鉄―
希土類系などが挙げられる。磁性層は、水平磁気記録、
垂直磁気記録のいずれの磁性層でもよい。磁性層として
は、具体的には、例えば、Coを主成分とするCoPt、CoC
r、CoNi、CoNiCr、CoCrTa、CoPtCrやCoNiCrPt、CoNiCrT
a、CoCrPtTa、CoCrPtSiO などの磁性薄膜が挙げられ
る。また、磁性層を非磁性層で分割してノイズ低減を図
った多層構成としてもよい。磁性層における下地層は、
磁性層に応じて選択される。下地層としては、例えば、
Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Alなどの非磁性金属から
選ばれる少なくとも一種以上の材料、又はそれらの金属
の酸化物、窒化物、炭化物等からなる下地層等が挙げら
れる。Coを主成分とする磁性層の場合には、磁気特性向
上の観点からCr単体やCr合金であることが好ましい。下
地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複
数層構造とすることもできる。例えば、Al/Cr/CrMo、
Al/Cr/Cr等の多層下地層等が挙げられる。
に、磁気ヘッドと磁気ディスクが吸着することを防止す
るための凹凸制御層を設けてもよい。この凹凸制御層を
設けることによって、磁気ディスクの表面粗さは適度に
調整されるので、磁気ヘッドと磁気ディスクが吸着する
ことがなくなり、信頼性の高い磁気ディスクが得られ
る。凹凸制御層の材料及び形成方法は多種知られてお
り、特に制限されない。例えば、凹凸制御層の材料とし
ては、Al、Ag、Ti、Nb、Ta、Bi、Si、Zr、Cr、Cu、Au、
Sn、Pd、Sb、Ge、Mgなどから選ばれる少なくとも一種以
上の金属、又はそれらの合金、あるいは、それらの酸化
物、窒化物、炭化物等からなる下地層等が挙げられる。
形成が容易であるという観点からは、Al単体やAl合金、
酸化Al、窒化AlといったAlを主成分とする金属であるこ
とが望ましい。また、ヘッドスティクションを考慮する
と、凹凸形成層の表面粗さは、Rmax=50〜300オン
グストロームであることが好ましい。より好ましい範囲
は、Rmax=100〜200オングストロームである。Rm
axが50オングストローム未満の場合、磁気ディスク表
面が平坦に近いため、磁気ヘッドと磁気ディスクが吸着
し、磁気ヘッドや磁気ディスクが吸着し、磁気ヘッドや
磁気ディスクが傷ついてしまったり、吸着によるヘッド
クラッシュを起こすので好ましくない。また、Rmaxが3
00オングストロームを超える場合、グライド高さ(グ
ライドハイト)が大きくなり記録密度の低下を招くので
好ましくない。尚、凹凸制御層を設けずに、ガラス基板
表面に、エッチング処理やレーザー光の照射等の手段で
凹凸を付け、テクスチャリング処理を施してもよい。
膜、炭素膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げられる。
これらの保護膜は、下地層、磁性層等とともにインライ
ン型スパッタ装置等で連続して形成できる。また、これ
らの保護膜は、単層としてもよく、あるいは、同一又は
異種の膜からなる多層構成としてもよい。上記保護層上
に、あるいは上記保護膜に替えて、他の保護層を形成し
てもよい。例えば、上記保護層上にテトラアルコキシラ
ンをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシ
リカ微粒子を分散して塗布し、さらに小生して酸化ケイ
素(SiO2)膜を形成してもよい。この場合、保護膜と凹
凸制御層の両方の機能を果たす。潤滑層としては多種多
様な提案がなされているが、一般的には、液体潤滑剤で
あるパーフルオロポリエーテルをフレオン系などの溶媒
で希釈し、媒体表面にディッピング法、スピンコート
法、スプレイ法によって塗布し、必要に応じて加熱処理
を行って形成する。
的に説明する。磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 以下、実施例に基づき本発明をさらに詳しく説明する。 実施例1〜10 出発原料として、SiO2、Al2O3 、Al(OH)3 、MgO 、Ca
CO3 、Y2O3、TiO2、ZrO2、Li2Oなどを用いて、所定の割
合に250〜300g秤量し、十分に混合して調合バッ
チと成し、これを白金るつぼに入れ、1550℃で空気
中3〜5時間ガラスの熔融を行った。熔融後、ガラス融
液を所定のカーボン金型に流し、ガラスの転移点温度ま
で放冷してから直ちにアニール炉に入れ、ガラスの転移
温度範囲で約1時間アニールにて炉内で室温まで放冷し
た。得られたガラスは顕微鏡で観察できる結晶が析出し
ない、実質的に結晶粒子を含まないガラスである。得ら
れたガラス試料をディスク状に切断し、主表面を酸化セ
リウムにてポリッシング加工することによって磁気ディ
スク用ガラス基板を得た。得られた磁気ディスク用ガラ
ス基板の組成、表面粗さ(Ra)、比重、ヤング率、比
弾性率の測定結果を表1に示す。 比較例1 比較のため、特開平1―239036号公報に記載され
たイオン交換による化学強化ガラス基板(比較例1)の
組成及び特性を表2に示す。
ると、ヤング率及び比弾性率に寄与すると考えられる主
な成分Al2O3 、MgO 、Y2O3のうち、Al2O3 のみを変化さ
せた場合、Al2O3 を多く含有することにより、ヤング率
が増大し、逆に比重は減少しており、その結果、比弾性
率が増加していることがわかる。実施例1と実施例5、
及び実施例3と実施例4を比較すると、ヤング率及び比
弾性率に寄与すると考えられる主な成分Al2O3 、MgO 、
Y2O3のうち、MgO のみを変化させた場合、MgO を多く含
有することにより、ヤング率及び比弾性率が増加してい
ることがわかる。実施例6と実施例7を比較すると、Y2
O3を含有させることにより、ヤング率及び比弾性率が増
加していることがわかる。実施例1〜10の結果から、
さらに、TiO2やZrO2を加えたものは、高いヤング率及び
比弾性率が得られることがわかる。このように、Al2O3
を20モル%以上含有すること、MgO を20モル%以上
含有すること、又はY2O3を含有することにより、ヤング
率及び比弾性率を効果的に向上させることができる。こ
れに対して、比較例1の化学強化ガラス基板、Al2O3 の
含有量が少なく、MgO 、Y2O3が含まれないので、ヤング
率、比弾性率が本発明に比べて著しく劣る。
3のガラス基板上に、順次、凹凸制御層3、下地層4、
磁性層5、保護層6、潤滑層7を形成したものである。
各層について具体的に説明すると、基板1は、外径65
mmφ、中心部の穴径20mmφ、厚さ0.381mm
の円板上に加工したものであって、その両主表面を表面
粗さがRa=4オングストローム、Rmax=40オングス
トロームとなるように精密研磨したものである。凹凸制
御層は、平均粗さ50オングストローム、表面粗さRmax
が150オングストローム、窒素の含有量が5〜35%
のAlNの薄膜である。下地層は、厚さ約600オングス
トロームのCrVの薄膜で、組成比はCr:83at%、
V:17at%である。磁性層は、厚さ約300オング
ストロームのCoPtCrの薄膜で、組成比はCo:76at
%、Pt:6.6at%、Cr:17.4at%である。保
護層は、厚さ約100オングストロームのカーボン薄膜
である。潤滑層は、パーフルオロポリエーテルからなる
潤滑層をスピンコート法によって、カーボン保護層上に
塗布して厚さ8オングストロームに形成したものであ
る。
クの製造方法について説明する。まず、本実施例で製造
したガラスを、外径65mmφ、中心部の穴径20mm
φ、厚さ0.381mmの円板上に研削加工し、その両
主表面を表面粗さがRa=4オングストローム、Rmax=
40オングストロームとなるように精密研磨して磁気デ
ィスク用ガラス基板を得る。次いで、上記ガラス基板を
基板ホルダーにセットした後、インラインスパッタ装置
の仕込み室に送り込む。続いて、ガラス基板のセットさ
れたホルダーを、Alターゲットがエッチされた第一チャ
ンバーに送り込み、圧力4mtorr 、基板温度350℃、
Ar+N2ガス(N2=4%)雰囲気でスパッタリングする。
その結果、ガラス基板上に、表面粗さRmax=150オン
グストローム、膜厚50オングストロームのAlN薄膜
(凹凸形成層)が得られた。次に、AlNが成膜されたガ
ラス基板のセットされたホルダーを、CrV(Cr:83a
t%、V:17at%)ターゲットが設置された第二チ
ャンバー、CoPtCr(Co:76at%、Pt:6.6at
%、Cr:17.4at%)ターゲットが設置された第三
チャンバーに連続的に順次送り込み、基板上に成膜す
る。これらの膜は、圧力2mtorr 、基板温度350℃、
Ar雰囲気中でスパッタリングし、膜厚約600オングス
トロームのCrV下地層、膜厚約300オングストローム
のCoPtCr磁性層を得る。次いで、凹凸制御層、下地層、
磁性層が形成された積層体を、加熱処理するための加熱
ヒーターが設けられた第四チャンバーに送り込む。この
とき第四チャンバー内をArガス(圧力2mtorr )雰囲気
にし、表2に示すように、熱処理温度を変化させて熱処
理を行う。上記基板をカーボンターゲットが設置された
第五チャンバーに送り込み、Ar+H2ガス(H2=6%)雰
囲気中で成膜したこと以外は上記CrV下地層及びCoPtCr
磁性層と同じ成膜条件で、膜厚約100オングストロー
ムのカーボン保護層を得る。最後に、カーボン保護層の
形成までを終えた基板を上記インラインスパッタ装置か
ら取り出し、そのカーボン保護層の表面に、ディッピン
グ法によってパーフルオロポリエーテルを塗布して厚さ
8オングストロームの潤滑層を形成して磁気ディスクを
得た。以上、好ましい実施例を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
情報記録媒体用基板として好ましいSiO2−Al2O3 −RO系
(ただし、Rは二価金属である)のガラスにおいて、現
在知られている材料より高い比弾性率(=ヤング率/比
重)を示すガラス材料を提供することができる。さら
に、この材料を用いた薄型化が可能な情報記録媒体用基
板及び情報記録媒体を提供することができる。
地層4、磁性層5、保護層6、潤滑層7を形成した本発
明の磁気ディスク1の概略断面図。
Claims (8)
- 【請求項1】 SiO2−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二価
金属である)のガラスからなる情報記録媒体用基板に用
いる材料であって、 上記ガラスが20モル%以上のAl2O3 を含有することを特
徴とする材料。 - 【請求項2】 SiO2−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二価
金属である)のガラスからなる情報記録媒体用基板に用
いる材料であって、 上記ガラスがROとしてMgO を20モル%以上含有するこ
とを特徴とする材料。 - 【請求項3】 SiO2−Al2O3 −RO系(ただし、Rは二価
金属である)のガラスからなる情報記録媒体用基板に用
いる材料であって、 上記ガラスがさらにY2O3を含有することを特徴とする材
料。 - 【請求項4】 Y2O3を0.5〜17モル%含有する請求
項3記載の材料。 - 【請求項5】 TiO2及びZrO2のいずれか一方または両方
を含有する請求項1〜4のいずれか一項に記載の材料。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項に記載の材
料からなることを特徴とする情報記録媒体用基板。 - 【請求項7】 情報記録媒体が、磁気ディスクである請
求項6記載の基板。 - 【請求項8】 請求項7に記載の基板上に、少なくとも
磁性層を有することを特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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