WO2025192256A1

WO2025192256A1 - 半導体装置

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Publication number: WO2025192256A1
Application number: PCT/JP2025/006256
Authority: WO
Inventors: 一樹吉田
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2024-03-12
Filing date: 2025-02-25
Publication date: 2025-09-18
Anticipated expiration: 2026-09-12

Abstract

半導体装置は、半導体素子と、導通部材と、第１接合層とを備える。前記半導体素子は、第１方向の一方側に位置する第１電極を有している。前記導通部材は、前記第１電極に導電接合されている。前記第１接合層は、前記第１電極と前記導通部材とを導電接合する。前記第１電極は、前記第１方向に対して直交する方向において互いに離れた第１部および第２部を含む。前記第１方向に視て、前記第２部の面積は、前記第１部の面積より小さい。

Description

半導体装置

　本開示は、半導体装置に関する。

　特許文献１には、導体層に複数の半導体素子が接合された半導体装置（パワーモジュール）の一例が開示されている。当該半導体装置は、導体層と複数の半導体素子とに接合された複数の接続金属部材（導通部材）を備える。これにより、複数の半導体素子により大きな電流を流すことができる。

　特許文献１に開示されている半導体装置の製造の際、複数の接続金属部材のいずれかが、その接合対象となる半導体素子の電極に対して回転することがある。接続金属部材が回転すると、半導体素子の電極と当該接続金属部材との界面にせん断応力が発生する。回転に伴う接続金属部材の変位が大きくなると、当該せん断応力がより大きくなる。これにより、当該せん断応力が半導体素子により集中するため、当該半導体素子に亀裂が発生するなどの不具合が生じるおそれがある。

特開２０１６－１６２７７３号公報

［概要］
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記事情に鑑み、装置の製造の際、半導体素子の電極に対する導通部材の回転を抑制することが可能な半導体装置を提供することを一の課題とする。

　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１方向の一方側に位置する第１電極を有する半導体素子と、前記第１電極に導電接合された導通部材と、前記第１電極と前記導通部材とを導電接合する第１接合層とを備える。前記第１電極は、前記第１方向に対して直交する方向において互いに離れた第１部および第２部を含む。前記第１方向に視て、前記第２部の面積は、前記第１部の面積より小さい。

　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。図２は、図１に対応する平面図であり、導通部材、第１接合層および第２接合層をさらに透過している。図３は、図１に示す半導体装置の底面図である。図４は、図１に示す半導体装置の右側面図である。図５は、図１に示す半導体装置の背面図である。図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図８の部分拡大図である。図１０は、図１に示す半導体装置の第１変形例に係る平面図であり、図２に対応している。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図１に示す半導体装置の第２変形例に係る平面図であり、図２に対応している。図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図１４は、図１２のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。図１５は、図１に示す半導体装置の第３変形例に係る平面図であり、図２に対応している。図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。図１７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図１９は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。図２１は、図１９に示す半導体装置の変形例に係る平面図であり、図１９に対応している。図２２は、図２１のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図２３は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。図２４は、図２３のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。図２５は、図２３のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図である。

［詳細な説明］
　本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。

　第１実施形態：
　図１～図９に基づき、本開示の第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、たとえばＤＣ－ＤＣコンバータといった、電力変換回路を備える電子機器などに使用される。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０、導電接合層１９、第１リード２１、第２リード２２、第３リード２３、導通部材３０、第１接合層６１、第２接合層６２、ワイヤ４０および封止樹脂５０を備える。ここで、図１は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図２は、理解の便宜上、図１に対して導通部材３０、第１接合層６１および第２接合層６２をさらに透過している。図１および図２では、透過した封止樹脂５０を想像線（二点鎖線）で示している。図２では、透過した導通部材３０を想像線で示している。

　半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、後述する第２リード２２の搭載面２２１の法線方向を「第１方向ｚ」と呼ぶ。第１方向ｚに対して直交する方向を「第２方向ｘ」と呼ぶ。第１方向ｚおよび第２方向ｘの各々に対して直交する方向を「第３方向ｙ」と呼ぶ。

　半導体素子１０は、図１、図２、図６～図８に示すように、第２リード２２に搭載されている。半導体素子１０は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この他、半導体素子１０は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子や、ダイオードでもよい。半導体装置Ａ１０の説明においては、半導体素子１０は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。半導体素子１０は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。図２、および図６～図８に示すように、半導体素子１０は、第１電極１１、第２電極１２、第３電極１３および保護層１４を有する。

　図６～図８に示すように、第１電極１１は、第１方向ｚの一方側に位置する。第１電極１１には、半導体素子１０により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極１１は、半導体素子１０のソースに相当する。

　図２、図６および図８に示すように、第１電極１１は、第１方向ｚに対して直交する方向において互いに離れた第１部１１１、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４を含む。第１方向ｚに視て、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４の各々は、第１部１１１よりも外方に位置する。第１方向ｚに視て、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４の各々の面積は、第１部１１１の面積より小さい。第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４の各々の面積は、第１部１１１の面積の５０％以下である。図１に示すように、第１部１１１、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４の各々は、導通部材３０よりも外方にはみ出した部分を含む。

　図２、図６および図８に示すように、第１部１１１は、主部１１１Ａ、第１凸部１１１Ｂおよび第２凸部１１１Ｃを有する。第１凸部１１１Ｂは、第３方向ｙにおいて主部１１１Ａを基準として第１リード２１とは反対側に位置する。第１凸部１１１Ｂは、主部１１１Ａから第３方向ｙに突出している。第２凸部１１１Ｃは、第２方向ｘにおいて主部１１１Ａを基準として第３電極１３とは反対側に位置する。第２凸部１１１Ｃは、主部１１１Ａから第２方向ｘに突出している。したがって、第２凸部１１１Ｃが突出する方向は、第１凸部１１１Ｂが突出する方向とは異なる。第１方向ｚに視て、第１凸部１１１Ｂおよび第２凸部１１１Ｃの各々の面積は、主部１１１Ａの面積より小さい。

　図２および図８に示すように、第２部１１２および第３部１１３は、第２方向ｘにおいて第１部１１１の第１凸部１１１Ｂを間に挟んで、互いに反対側に位置する。

　図６～図８に示すように、第２電極１２は、第１方向ｚにおいて第１電極１１とは反対側に位置しており、かつ第２リード２２に対向している。第２電極１２には、半導体素子１０により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２電極１２は、半導体素子１０のドレインに相当する。

　図２に示すように、第３電極１３は、第１方向ｚにおいて第１電極１１と同じ側に位置する。第３電極１３は、第３方向ｙにおいて第１電極１１の第１部１１１の主部１１１Ａを基準として、第１電極１１の第３部１１３とは反対側に位置する。第３電極１３には、半導体素子１０を駆動するためのゲート電圧が印加される。第１方向ｚに視て、第３電極１３の面積は、第１電極１１の第１部１１１の面積より小さい。

　図２および図９に示すように、保護層１４は、第１方向ｚにおいて第１電極１１と同じ側に位置する。第１方向ｚに視て、保護層１４は、第１電極１１の第１部１１１、および第１電極１１の第２部１１２の各々を囲んでいる。保護層１４は、絶縁体である。保護層１４は、封止樹脂５０に接している。保護層１４は、たとえばポリイミドを含む材料からなる。

　図９に示すように、第１電極１１の第１部１１１および第２部１１２の各々は、基部１１Ａおよび保護部１１Ｂを有する。保護部１１Ｂは、基部１１Ａを覆っている。保護部１１Ｂのうち基部１１Ａを覆う部分の第１方向ｚの寸法は、基部１１Ａの第１方向ｚの寸法より小さい。第１部１１１および第２部１１２の各々の基部１１Ａの一部は、保護層１４に覆われている。基部１１Ａの組成は、たとえばアルミニウム（Ａ１）を含む。保護部１１Ｂは、複数の金属層を含む。当該複数の金属層は、基部１１Ａに近い順からチタン（Ｔｉ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、銀（Ａｇ）層の順に積層されている。したがって、保護部１１Ｂは、組成に銀を含む導体である。保護部１１Ｂは、第１接合層６１および封止樹脂５０に接している。保護部１１Ｂは、保護層１４の一部を覆っている。

　第１リード２１、第２リード２２および第３リード２３は、導通部材３０とともに半導体装置Ａ１０の導電経路をなす。第１リード２１、第２リード２２および第３リード２３は、同一のリードフレームから構成されている。当該リードフレームは、銅（Ｃｕ）、または銅合金である。このため、第１リード２１、第２リード２２および第３リード２３の各々の組成は、銅を含む。

　第１リード２１は、図１および図２に示すように、第３方向ｙの一方側に位置する。第１リード２１は、導通部材３０を介して半導体素子１０の第１電極１１に導通している。したがって、第１リード２１は、半導体装置Ａ１０のソース端子をなす。図１～図３に示すように、第１リード２１は、第１接続面２１１、第１実装面２１２、複数の第１端面２１３および第１張出部２１４を有する。

　図６に示すように、第１接続面２１１は、第１方向ｚにおいて導通部材３０に対向する側を向く。第１接続面２１１の上には、ニッケル、または銀などを組成に含むめっき層を設けてもよい。

　図６に示すように、第１実装面２１２は、第１方向ｚにおいて第１接続面２１１とは反対側を向く。図３に示すように、第１実装面２１２は、封止樹脂５０から露出している第１実装面２１２の上には、錫（Ｓｎ）などを組成に含むめっき層を設けてもよい。

　図２および図６に示すように、複数の第１端面２１３は、第３方向ｙにおいて半導体素子１０が位置する側とは反対側を向く。複数の第１端面２１３は、第１接続面２１１および第１実装面２１２につながっている。複数の第１端面２１３は、第２方向ｘに沿って配列されている。図４に示すように、複数の第１端面２１３は、封止樹脂５０から露出している。

　図３および図６に示すように、第１張出部２１４は、第１方向ｚに視て第１実装面２１２から第１方向ｚに対して直交する方向に張り出している。第１接続面２１１の一部は、第１張出部２１４に含まれる。

　第１張出部２１４は、中間面２１４Ａおよび露出面２１４Ｂを含む。図６に示すように、中間面２１４Ａは、第１方向ｚにおいて第１接続面２１１とは反対側を向く。中間面２１４Ａは、第１方向ｚにおいて第１接続面２１１と第１実装面２１２との間に位置する。中間面２１４Ａは、封止樹脂５０に接している。露出面２１４Ｂは、第１接続面２１１および中間面２１４Ａにつながり、かつ第２方向ｘを向く。露出面２１４Ｂは、封止樹脂５０から露出している。露出面２１４Ｂの面積は、複数の第１端面２１３の各々の面積より小さい。

　第２リード２２は、図１および図２に示すように、第３方向ｙにおいて第１リード２１および第３リード２３の各々から離れている。第２リード２２は、半導体素子１０の第２電極１２に導通している。したがって、第２リード２２は、半導体装置Ａ１０のドレイン端子をなす。図１～図３に示すように、第２リード２２は、搭載面２２１、裏面２２２、複数の第２端面２２３、および第２張出部２２４を有する。

　図６に示すように、搭載面２２１は、第１方向ｚにおいて第１リード２１の第１接続面２１１と同じ側を向く。搭載面２２１の第１方向ｚの位置は、第１リード２１の第１接続面２１１の第１方向ｚの位置に等しい。搭載面２２１には、半導体素子１０が搭載されている。搭載面２２１の上には、ニッケル、または銀などを組成に含むめっき層を設けてもよい。

　図６～図８に示すように、裏面２２２は、第１方向ｚにおいて半導体素子１０が位置する側とは反対側を向く。図３に示すように、裏面２２２は、封止樹脂５０から露出している。第１方向ｚに視て、裏面２２２は、半導体素子１０に重なっている。裏面２２２の上には、錫などを組成に含むめっき層を設けてもよい。

　図１および図２に示すように、複数の第２端面２２３の各々は、第３方向ｙにおいて第１リード２１の第１端面２１３の各々とは反対側を向く。複数の第２端面２２３は、搭載面２２１および裏面２２２につながっている。複数の第２端面２２３は、第２方向ｘに沿って配列されている。図６に示すように、複数の第２端面２２３は、封止樹脂５０から露出している。

　図３、図６および図７に示すように、第２張出部２２４は、第１方向ｚに視て裏面２２２から第１方向ｚに対して直交する方向に張り出している。搭載面２２１の一部は、第２張出部２２４に含まれる。

　図７に示すように、第２張出部２２４は、中間面２２４Ａ、および一対の露出面２２４Ｂを含む。中間面２２４Ａは、第１方向ｚにおいて搭載面２２１とは反対側を向く。中間面２２４Ａは、第１方向ｚにおいて搭載面２２１と裏面２２２との間に位置する。中間面２２４Ａは、封止樹脂５０に接している。一対の露出面２２４Ｂは、第２方向ｘにおいて互いに反対側を向く。一対の露出面２２４Ｂの各々は、搭載面２２１および中間面２２４Ａにつながっている。一対の露出面２２４Ｂの各々は、封止樹脂５０から露出している。一対の露出面２２４Ｂの各々の面積は、複数の第２端面２２３の各々の面積より小さい。

　導電接合層１９は、図６～図８に示すように、第２リード２２の搭載面２２１と、半導体素子１０の第２電極１２との間に位置する。導電接合層１９は、搭載面２２１および第２電極１２に接している。導電接合層１９は、第２リード２２と第２電極１２とを導電接合する。これにより、第２リード２２は、第２電極１２に導通している。導電接合層１９の組成は、錫を含む。導電接合層１９は、ハンダである。

　第３リード２３は、図１および図２に示すように、第２方向ｘにおいて第１リード２１から離れている。第３リード２３は、半導体素子１０の第３電極１３に導通している。したがって、第３リード２３は、半導体装置Ａ１０のゲート端子をなす。図１～図３に示すように、第３リード２３は、第２接続面２３１、第２実装面２３２、第３端面２３３および第３張出部２３４を有する。

　図２に示すように、第２接続面２３１は、第１方向ｚにおいて第１リード２１の第１接続面２１１と同じ側を向く。第２接続面２３１の第１方向ｚの位置は、第１リード２１の第１接続面２１１の第１方向ｚの位置に等しい。第２接続面２３１の上には、ニッケル、または銀などを組成に含むめっき層を設けてもよい。

　図３に示すように、第２実装面２３２は、第１方向ｚにおいて第２接続面２３１とは反対側を向く。図３に示すように、第２実装面２３２は、封止樹脂５０から露出している。第１実装面２１２の上には、錫などを組成に含むめっき層を設けてもよい。

　図１および図２に示すように、第３端面２３３は、第３方向ｙにおいて第１リード２１の複数の第１端面２１３の各々と同じ側を向く。第３端面２３３は、第２接続面２３１および第２実装面２３２につながっている。図４に示すように、第３端面２３３は、封止樹脂５０から露出している。

　図３に示すように、第３張出部２３４は、第１方向ｚに視て第２実装面２３２から第１方向ｚに対して直交する方向に張り出している。第２接続面２３１の一部は、第３張出部２３４に含まれる。

　第３張出部２３４は、中間面２３４Ａおよび露出面２３４Ｂを含む。中間面２３４Ａは、第１方向ｚにおいて第２接続面２３１とは反対側を向く。中間面２３４Ａは、第１方向ｚにおいて第２接続面２３１と第２実装面２３２との間に位置する。中間面２３４Ａは、封止樹脂５０に接している。露出面２３４Ｂは、第２接続面２３１および中間面２３４Ａにつながり、かつ第２方向ｘを向く。図１および図２に示すように、露出面２３４Ｂは、第２方向ｘにおいて第１リード２１の露出面２１４Ｂが向く側とは反対側を向く。図５に示すように、露出面２３４Ｂは、封止樹脂５０から露出している。露出面２３４Ｂの面積は、第３端面２３３の面積より小さい。

　導通部材３０は、半導体素子１０の第１電極１１と、第１リード２１とに導電接合されている。これにより、第１リード２１は、第１電極１１に導通している。導通部材３０の組成は、銅を含む。導通部材３０は、金属クリップである。図１および図６に示すように、導通部材３０は、第１リード２１と第２リード２２との間を跨いでいる。第１方向ｚに視て、導通部材３０は、半導体素子１０の第３電極１３から離れている。導通部材３０は、第１接合部３１、第２接合部３２および中間部３３を有する。

　図６～図８に示すように、第１接合部３１は、半導体素子１０の第１電極１１に対向している。図１に示すように、第１接合部３１の全体が、第２リード２２の搭載面２２１に重なっている。第１接合部３１は、第１接合面３１１を有する。第１接合面３１１は、第１電極１１の第１部１１１、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４の各々に対向している。

　図６に示すように、第２接合部３２は、第１リード２１の第１接続面２１１に対向している。第２接合部３２は、第１方向ｚに起立している。第２接合部３２は、第２接合面３２１を有する。第２接合面３２１は、第１接続面２１１に対向するとともに、第１接続面２１１に接している。

　図１および図６に示すように、中間部３３は、第３方向ｙにおいて第１接合部３１と第２接合部３２との間に位置する。中間部３３は、第１接合部３１と第２接合部３２とを連結している。中間部３３は、第１リード２１と第２リード２２との間を跨いでいる。

　第１接合層６１は、図１、および図６～図８に示すように、半導体素子１０の第１電極１１と、導通部材３０の第１接合部３１とを導電接合する。第１電極１１の第１部１１１、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４の各々と、第１接合部３１の第１接合面３１１とは、第１接合層６１に接している。第１接合層６１の組成は、錫を含む。第１接合層６１は、ハンダである。

　第２接合層６２は、図１および図６に示すように、第１リード２１と、導通部材３０の第２接合部３２とを導電接合する。第１リード２１の第１接続面２１１と、第２接合部３２とは、第２接合層６２に接している。第１方向ｚに視て、第２接合層６２は、第２接合部３２の第２接合面３２１を囲んでいる。第２接合層６２の組成は、錫を含む。第２接合層６２は、ハンダである。

　ワイヤ４０は、図１に示すように、半導体素子１０の第３電極１３と、第３リード２３の第２接続面２３１とに導電接合されている。これにより、第３リード２３は、第３電極１３に導通している。ワイヤ４０の組成は、金（Ａｕ）を含む。この他、ワイヤ４０の組成は、アルミニウムを含む場合や、銅を含む場合でもよい。

　封止樹脂５０は、図６～図８に示すように、半導体素子１０および導通部材３０を覆っている。さらに封止樹脂５０は、第１リード２１、第２リード２２および第３リード２３の各々の一部と、ワイヤ４０とを覆っている。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂５０は、頂面５１、底面５２、第１側面５３、第２側面５４、第３側面５５、第４側面５６、および一対の第５側面５７を有する。

　図６～図８に示すように、頂面５１は、第１方向ｚにおいて第２リード２２の搭載面２２１と同じ側を向く。底面５２は、第１方向ｚにおいて頂面５１とは反対側を向く。図３に示すように、底面５２から第１リード２１の第１実装面２１２、第２リード２２の裏面２２２、および第３リード２３の第２実装面２３２が露出している。

　図３、図５および図６に示すように、第１側面５３は、第３方向ｙの一方側を向く。第１側面５３は、底面５２につながっている。図４に示すように、第１側面５３から、第１リード２１の複数の第１端面２１３、および第３リード２３の第３端面２３３が露出している。第２側面５４は、第３方向ｙにおいて第１側面５３と同じ側を向く。第２側面５４は、第１方向ｚにおいて第１側面５３を基準として底面５２とは反対側に位置する。第２側面５４は、頂面５１につながっている。第１方向ｚに視て、第２側面５４は、第１側面５３よりも外方に位置する。

　図３、図５および図６に示すように、第３側面５５は、第３方向ｙにおいて第１側面５３とは反対側を向く。第３側面５５は、底面５２につながっている。第３側面５５から、第２リード２２の複数の第２端面２２３が露出している。第４側面５６は、第３方向ｙにおいて第３側面５５と同じ側を向く。第４側面５６は、第１方向ｚにおいて第３側面５５を基準として底面５２とは反対側に位置する。第４側面５６は、頂面５１につながっている。第１方向ｚに視て、第４側面５６は、第３側面５５よりも外方に位置する。

　図３、図４、図７および図８に示すように、一対の第５側面５７は、第２方向ｘにおいて互いに反対側を向く。一対の第５側面５７の各々は、頂面５１および底面５２につながっている。一対の第５側面５７から、第２リード２２の一対の露出面２２４Ｂが個別に露出している。一対の第５側面５７のうち一方の第５側面５７から、第１リード２１の露出面２１４Ｂが露出している。一対の第５側面５７のうち他方の第５側面５７から、第３リード２３の露出面２３４Ｂが露出している。露出面２１４Ｂ、一対の露出面２２４Ｂ、および露出面２３４Ｂの各々は、一対の第５側面５７のいずれかと面一である。

　次に、図１０および図１１に基づき、半導体装置Ａ１０の第１変形例である半導体装置Ａ１１について説明する。ここで、図１０は、半導体装置Ａ１０を示す図２に対応している。図１０では、透過した導通部材３０および封止樹脂５０の各々を想像線で示している。

　半導体装置Ａ１１においては、半導体素子１０の第１電極１１の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。図１０および図１１に示すように、第１電極１１は、第１部１１１、第２部１１２および第３部１１３を含む。第２部１１２および第３部１１３は、第２方向ｘにおいて第１部１１１を間に挟んで互いに反対側に位置する。第２部１１２および第３部１１３の各々は、第３方向ｙに延びている。第３部１１３の第３方向ｙの寸法は、第２部１１２の第３方向ｙの寸法より小さい。

　次に、図１２～図１４に基づき、半導体装置Ａ１０の第２変形例である半導体装置Ａ１２について説明する。ここで、図１２は、半導体装置Ａ１０を示す図２に対応している。図１２では、透過した導通部材３０および封止樹脂５０の各々を想像線で示している。

　半導体装置Ａ１２においては、半導体素子１０の第１電極１１の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。図１２に示すように、第１電極１１は、第１部１１１、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４を含む。第２部１１２および第３部１１３は、第２方向ｘにおいて第１部１１１を間に挟んで互いに反対側に位置する。第２部１１２および第３部１１３の各々は、第３方向ｙに延びている。第３部１１３の第３方向ｙの寸法は、第２部１１２の第３方向ｙの寸法より小さい。

　図１２および図１３に示すように、第４部１１４は、第１部１１１の第３方向ｙの一方側に位置する。第４部１１４は、第３方向ｙにおいて第１部１１１を基準として第１リード２１とは反対側に位置する。第４部１１４は、第２方向ｘに延びている。図１４に示すように、第２方向ｘに視て、第４部１１４は、第２部１１２および第３部１１３の各々に重なっている。

　次に、図１５および図１６に基づき、半導体装置Ａ１０の第３変形例である半導体装置Ａ１３について説明する。ここで、図１５は、半導体装置Ａ１０を示す図２に対応している。図１０では、透過した導通部材３０および封止樹脂５０の各々を想像線で示している。

　半導体装置Ａ１３においては、半導体素子１０の第１電極１１の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。図１５および図１６に示すように、第１電極１１は、第１部１１１および第２部１１２を含む。第１方向ｚに視て、第２部１１２は、第１部１１１に囲まれている。

　次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。

　半導体装置Ａ１０は、第１電極１１を有する半導体素子１０と、第１電極１１に導電接合された導通部材３０と、第１電極１１と導通部材３０とを導電接合する第１接合層６１とを備える。第１電極１１は、第１方向ｚに対して直交する方向において互いに離れた第１部１１１および第２部１１２を含む。第１方向ｚに視て、第２部１１２の面積は、第１部１１１の面積より小さい。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０の製造において導通部材３０を第１電極１１に導電接合する際、第１接合層６１と第１部１１１との界面と、第１接合層６１と第２部１１２との界面とは、第１方向ｚに対して直交する方向に互いに離れた状態となる。これにより、第１部１１１に接する第１接合層６１の部分と、第２部１１２に接する第１接合層６１の部分との各々に、セルフアライメントが作用する。したがって、導通部材３０が第１方向ｚの回りに回転しようとすると、当該回転の向きとは逆回りの向きの回転抑止力が導通部材３０に作用する。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ１０の製造の際、半導体素子１０の第１電極１１に対する導通部材３０の回転を抑制することが可能となる。

　第１方向ｚに視て、第１電極１１の第２部１１２は、第１電極１１の第１部１１１よりも外方に位置する。本構成をとることにより、第１接合層６１のセルフアライメントに起因した導通部材３０に作用する回転抑止力の増加を図ることができる。

　半導体装置Ａ１０および半導体装置Ａ１２においては、第１方向ｚに視て、第１電極１１の第１部１１１の周囲に第１電極１１の第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４が位置する。本構成は、導通部材３０に作用する回転抑止力の増加を図る上で好ましい。

　第１電極１１の第１部１１１および第２部１１２の各々は、基部１１Ａおよび保護部１１Ｂを有する。保護部１１Ｂは、組成に銀を含む導体である。保護部１１Ｂは、第１接合層６１および封止樹脂５０に接している。本構成をとることにより、溶融した第１接合層６１に起因した熱衝撃から基部１１Ａを保護しつつ、半導体素子１０に対する封止樹脂５０の剥離を抑制できる。

　半導体素子１０は、第１方向ｚに視て第１電極１１の第１部１１１および第２部１１２の各々を囲む保護層１４を有する。保護層１４は、絶縁体である。本構成をとることにより、溶融状態の第１接合層６１の流動が保護層１４により規制される。これにより、第１接合層６１と第１部１１１との界面と、第１接合層６１と第２部１１２との界面とが、より確実に互いに離れた状態となる。これにより、導通部材３０に作用する回転抑止力がより確実に発現する。

　半導体装置Ａ１０は、第１リード２１、第２リード２２、導電接合層１９および第２接合層６２をさらに備える。導電接合層１９、第１接合層６１および第２接合層６２の各々の組成は、錫を含む。本構成をとることにより、導電接合層１９、第１接合層６１および第２接合層６２の各々の融点を比較的低く設定しつつ、これらの融点を互いにほぼ等しくできる。これにより、半導体装置Ａ１０の製造の際、半導体素子１０を第２リード２２に接合するのと同時に、導通部材３０を半導体素子１０の第１電極１１と、第１リード２１とに導電接合することができる。

　半導体装置Ａ１０は、封止樹脂５０をさらに備える。第１リード２１は、第３方向ｙにおいて半導体素子１０が位置する側とは反対側を向く第１端面２１３を有する。第１端面２１３は、封止樹脂５０から露出している。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、ハンダが第１リード２１の第１実装面２１２と第１端面２１３に接触する。これにより、第１端面２１３を覆うハンダフィレットが形成される。したがって、配線基板に対する半導体装置Ａ１０の実装強度の向上を図ることができる。

　第２リード２２の裏面２２２は、封止樹脂５０から露出している。これにより、半導体装置Ａ１０の放熱性が向上する。

　導通部材３０の組成は、銅を含む。これにより、アルミニウムを組成に含むワイヤと比較して、導通部材３０の電気抵抗を低減させることができる。このことは、半導体素子１０により大きな電流を流すことに好適である。

　第２実施形態：
　図１７および図１８に基づき、本開示の第２実施形態に係る半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１７は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図１７では、透過した封止樹脂５０を想像線で示している。

　半導体装置Ａ２０は、導通部材３０の構成が半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。

　図１７に示すように、導通部材３０の第１接合部３１は、互いに離れた第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５を有する。第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の各々は、第１接合部３１の第１接合面３１１に設けられている。第１方向ｚに視て、第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５は、それぞれ第１電極１１の第１部１１１、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４に重なっている。第１方向ｚに視て、第１係合部３１２の面積は、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の各々の面積より大きい。

　図１８に示すように、第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の各々は、第１接合部３１の第１接合面３１１から突出している。第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５は、それぞれ第１電極１１の第１部１１１、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４に接している。第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の各々は、第１接合層６１に接している。

　本実施形態に係る導通部材３０の第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の構成は、半導体装置Ａ１０が具備する半導体素子１０の第１電極１１に対応した構成の他、先述した半導体装置Ａ１１、半導体装置Ａ１２および半導体装置Ａ１３の各々が具備する半導体素子１０の第１電極１１にそれぞれ対応した構成をとることができる。

　次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。

　半導体装置Ａ２０は、第１電極１１を有する半導体素子１０と、第１電極１１に導電接合された導通部材３０と、第１電極１１と導通部材３０とを導電接合する第１接合層６１とを備える。第１電極１１は、第１方向ｚに対して直交する方向において互いに離れた第１部１１１および第２部１１２を含む。第１方向ｚに視て、第２部１１２の面積は、第１部１１１の面積より小さい。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ２０の製造の際にも、半導体素子１０の第１電極１１に対する導通部材３０の回転を抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ２０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ２０においても当該構成に係る作用効果を奏する。

　半導体装置Ａ２０においては、導通部材３０は、互いに離れた第１係合部３１２および第２係合部３１３を有する。第１係合部３１２および第２係合部３１３の各々は、第１接合面３１１に設けられている。第１方向ｚに視て、第１係合部３１２は、第１電極１１の第１部１１１に重なっている。第２係合部３１３は、第１電極１１の第２部１１２に重なっている。第１係合部３１２および第２係合部３１３の各々は、第１接合層６１に接している。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０の製造において導通部材３０を第１電極１１に導電接合する際、溶融した第１接合層６１のセルフアライメントに起因した導通部材３０に作用する回転抑止力がより増加する。これにより、第１電極１１に対する導通部材３０の回転を効果的に抑制できる。

　半導体装置Ａ２０においては、第１係合部３１２および第２係合部３１３の各々は、第１接合面３１１から突出している。本構成をとることにより、第１接合層６１の第１方向ｚの寸法の過度な縮小が防止される。さらに、第１接合層６１に対する導通部材３０の接触面積がより拡大するため、第１電極１１に対する導通部材３０の接合強度が向上する。

　第１係合部３１２は、第１電極１１の第１部１１１に接している。本構成をとることにより、第１電極１１に対して導通部材３０の姿勢がより安定する。この場合において、第１方向ｚに視て、第１係合部３１２の面積が第２係合部３１３の面積より大きいことが、導通部材３０の姿勢をより効果的に安定させる上で好ましい。

　第３実施形態：
　図１９および図２０に基づき、本開示の第３実施形態に係る半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１９は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図１９では、透過した封止樹脂５０を想像線で示している。

　半導体装置Ａ３０は、導通部材３０の構成が、先述した半導体装置Ａ２０の当該構成と異なる。

　図１９に示すように、半導体装置Ａ２０と同様に、導通部材３０の第１接合部３１は、互いに離れた第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５を有する。図２０に示すように、第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の各々は、第１接合部３１の第１接合面３１１から開口している。半導体装置Ａ３０においては、第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の各々は、第１接合面３１１から凹んでいる。第１接合層６１は、第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の各々に陥入している。

　次に、図２１および図２２に基づき、半導体装置Ａ３０の変形例である半導体装置Ａ３１について説明する。ここで、図２１は、半導体装置Ａ３０を示す図１９に対応している。図２１では、透過した封止樹脂５０を想像線で示している。

　半導体装置Ａ３１においては、導通部材３０の構成が半導体装置Ａ３０の当該構成と異なる。図２０および図２１に示すように、導通部材３０の第１接合部３１に設けられた第１係合部３１２、第２係合部３１３、第３係合部３１４および第４係合部３１５の各々は、第１接合面３１１から第１方向ｚに貫通している。

　次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。

　半導体装置Ａ３０は、第１電極１１を有する半導体素子１０と、第１電極１１に導電接合された導通部材３０と、第１電極１１と導通部材３０とを導電接合する第１接合層６１とを備える。第１電極１１は、第１方向ｚに対して直交する方向において互いに離れた第１部１１１および第２部１１２を含む。第１方向ｚに視て、第２部１１２の面積は、第１部１１１の面積より小さい。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ３０の製造の際にも、半導体素子１０の第１電極１１に対する導通部材３０の回転を抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ３０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ３０においても当該構成に係る作用効果を奏する。

　半導体装置Ａ３０においては、導通部材３０の第１接合面３１１に設けられた第１係合部３１２および第２係合部３１３の各々は、第１接合面３１１から開口している。本構成をとることにより、第１係合部３１２および第２係合部３１３の各々に第１接合層６１が陥入するため、第１接合層６１に対する導通部材３０の接触面積がより拡大する。あわせて、導通部材３０に対して第１接合層６１に投錨効果（アンカー効果）が発現するため、第１電極１１に対する導通部材３０の接合強度が向上する。

　第４実施形態：
　図２３～図２５に基づき、本開示の第４実施形態に係る半導体装置Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２３は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図２３では、透過した封止樹脂５０を想像線で示している。

　半導体装置Ａ４０は、導通部材３０の構成が半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。

　図２３～図２５に示すように、導通部材３０の第１接合部３１は、複数の溝３１６を有する。複数の溝３１６は、第１接合部３１の第１接合面３１１から凹んでいる。第１接合面３１１は、互いに離れた第１領域３１１Ａ、第２領域３１１Ｂ、第３領域３１１Ｃおよび第４領域３１１Ｄを含む。第１領域３１１Ａ、第２領域３１１Ｂ、第３領域３１１Ｃおよび第４領域３１１Ｄは、複数の溝３１６により互いに区画されている。第１方向ｚに視て、第１領域３１１Ａ、第２領域３１１Ｂ、第３領域３１１Ｃおよび第４領域３１１Ｄは、それぞれ第１電極１１の第１部１１１、第２部１１２、第３部１１３および第４部１１４に重なっている。

　次に、半導体装置Ａ４０の作用効果について説明する。

　半導体装置Ａ４０は、第１電極１１を有する半導体素子１０と、第１電極１１に導電接合された導通部材３０と、第１電極１１と導通部材３０とを導電接合する第１接合層６１とを備える。第１電極１１は、第１方向ｚに対して直交する方向において互いに離れた第１部１１１および第２部１１２を含む。第１方向ｚに視て、第２部１１２の面積は、第１部１１１の面積より小さい。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ４０の製造の際にも、半導体素子１０の第１電極１１に対する導通部材３０の回転を抑制することが可能となる。さらに半導体装置Ａ４０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ４０においても当該構成に係る作用効果を奏する。

　半導体装置Ａ４０においては、導通部材３０の第１接合面３１１は、互いに離れた第１領域３１１Ａおよび第２領域３１１Ｂを含む。第１方向ｚに視て、第１領域３１１Ａは、第１電極１１の第１部１１１に重なっている。第１方向ｚに視て、第２領域３１１Ｂは、第１電極１１の第２部１１２に重なっている。本構成をとることにより、半導体装置Ａ４０の製造において導通部材３０を第１電極１１に導電接合する際、第１接合層６１と第１領域３１１Ａとの界面と、第１接合層６１と第２領域３１１Ｂとの界面とは、第１方向ｚに対して直交する方向に互いに離れた状態となる。これにより、第１部１１１に接する第１接合層６１の部分と、第２部１１２に接する第１接合層６１の部分との各々に作用するセルフアライメントがより増大する。したがって、導通部材３０に作用する回転抑止力の増加を図ることができる。

　本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

　本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　第１方向の一方側に位置する第１電極（１１）を有する半導体素子（１０）と、
　前記第１電極（１１）に導電接合された導通部材（３０）と、
　前記第１電極（１１）と前記導通部材（３０）とを導電接合する第１接合層（６１）と、を備え、
　前記第１電極（１１）は、前記第１方向に対して直交する方向において互いに離れた第１部（１１１）および第２部（１１２）を含み、
　前記第１方向に視て、前記第２部（１１２）の面積は、前記第１部（１１１）の面積より小さい、半導体装置（Ａ１０）。
　付記２．
　前記第１方向に視て、前記第２部（１１２）は、前記第１部（１１１）よりも外方に位置する、付記１に記載の半導体装置（Ａ１０）。
　付記３．
　前記第１電極（１１）は、前記第１方向に対して直交する方向において前記第１部（１１１）および前記第２部（１１２）の各々から離れた第３部（１１３）を含み、
　前記第１方向に視て、前記第３部（１１３）の面積は、前記第１部（１１１）の面積より小さい、付記２に記載の半導体装置（Ａ１０）。
　付記４．
　前記第１部（１１１）は、主部（１１１Ａ）と、前記主部（１１１Ａ）から前記第１方向に対して直交する方向に突出した第１凸部（１１１Ｂ）と、を有し、
　前記第２部（１１２）および前記第３部（１１３）は、前記第１凸部（１１１Ｂ）を間に挟んで互いに反対側に位置する、付記３に記載の半導体装置（Ａ１０）。
　付記５．
　前記第１電極（１１）は、前記第１方向に対して直交する方向において前記第１部（１１１）、前記第２部（１１２）および前記第３部（１１３）の各々から離れた第４部（１１４）を含み、
　前記第１方向に視て、前記第４部の面積（１１４）は、前記第１部（１１１）の面積より小さい、付記４に記載の半導体装置（Ａ１０）。
　付記６．
　前記第１部（１１１）は、前記主部（１１１Ａ）から前記第１方向に対して直交する方向に突出した第２凸部（１１１Ｃ）を有し、
　前記第２凸部（１１１Ｃ）が突出する方向は、前記第１凸部（１１１Ｂ）が突出する方向と異なっており、
　前記第２部（１１２）および前記第４部（１１４）は、前記第２凸部（１１１Ｃ）を間に挟んで互いに反対側に位置する、付記５に記載の半導体装置（Ａ１０）。
　付記７．
　前記第３部（１１３）は、前記第１方向に対して直交する第２方向において前記第１部（１１１）を間に挟んで前記第２部（１１２）とは反対側に位置する、付記３に記載の半導体装置（Ａ１１）。
　付記８．
　前記第２部（１１２）および前記第３部（１１３）の各々は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向に延びている、付記７に記載の半導体装置（Ａ１１）。
　付記９．
　前記第３部（１１３）の前記第３方向の寸法は、前記第２部（１１２）の前記第３方向の寸法より小さい、付記８に記載の半導体装置（Ａ１１）。
　付記１０．
　前記第１電極（１１）は、前記第１部（１１１）の前記第３方向の一方側に位置する第４部（１１４）を含み、
　前記第４部（１１４）は、前記第１方向に対して直交する方向において前記第１部（１１１）、前記第２部（１１２）および前記第３部（１１３）の各々から離れており、
　前記第１方向に視て、前記第４部（１１４）の面積は、前記第１部（１１１）の面積より小さく、
　前記第４部（１１４）は、前記第２方向に延びている、付記８に記載の半導体装置（Ａ１２）。
　付記１１．
　前記第２方向に視て、前記第４部（１１４）は、前記第２部（１１２）および前記第３部（１１３）の各々に重なっている、付記１０に記載の半導体装置（Ａ１２）。
　付記１２．
　前記第１方向に視て、前記第２部（１１２）は、前記第１部（１１１）に囲まれている、付記１に記載の半導体装置（Ａ１３）。
　付記１３．
　前記第１方向に視て、前記第１部（１１１）および前記第２部（１１２）の少なくともいずれかは、前記導通部材（３０）よりも外方に位置する、付記２ないし１２のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３）。
　付記１４．
　前記導通部材（３０）は、前記第１部（１１１）および前記第２部（１１２）の各々に対向する第１接合面（３１１）を有し、
　前記第１接合面（３１１）は、前記第１接合層（６１）に接している、付記２ないし１２のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０）。
　付記１５．
　前記導通部材（３０）は、互いに離れた第１係合部（３１２）および第２係合部（３１３）を有し、
　前記第１係合部（３１２）および前記第２係合部（３１３）の各々は、前記第１接合面（３１１）に設けられており、
　前記第１方向に視て、前記第１係合部（３１２）は、前記第１部（１１１）に重なっており、
　前記第１方向に視て、前記第２係合部（３１３）は、前記第２部（１１２）に重なっており、
　前記第１係合部（３１２）および前記第２係合部（３１３）の各々は、前記第１接合層（６１）に接している、付記１４に記載の半導体装置（Ａ２０，Ａ３０）。
　付記１６．
　前記第１係合部（３１２）および前記第２係合部（３１３）の各々は、前記第１接合面（３１１）から突出している、付記１５に記載の半導体装置（Ａ２０）。
　付記１７．
　前記第１係合部（３１２）は、前記第１部（１１１）に接している、付記１６に記載の半導体装置（Ａ２０）。
　付記１８．
　前記第１係合部（３１２）および前記第２係合部（３１３）の各々は、前記第１接合面（３１１）から開口している、付記１５に記載の半導体装置（Ａ３０）。
　付記１９．
　前記第１接合面（３１１）は、互いに離れた第１領域（３１１Ａ）および第２領域（３１１Ｂ）を含み、
　前記第１方向に視て、前記第１領域（３１１Ａ）は、前記第１部（１１１）に重なっており、
　前記第１方向に視て、前記第２領域（３１１Ｂ）は、前記第２部（１１２）に重なっている、付記１４に記載の半導体装置（Ａ４０）。
　付記２０．
　第１リード（２１）と、
　前記半導体素子（１０）および前記導通部材（３０）を覆う封止樹脂（５０）と、をさらに備え、
　前記導通部材（３０）は、前記第１リード（２１）に導電接合されており、
　前記第１リード（２１）は、前記封止樹脂から露出している、付記１４に記載の半導体装置（Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０）。
　付記２１．
　前記第１方向に視て、前記第２部（１１２）の面積は、前記第１部（１１１）の面積の５０％以下である、付記１３に記載の半導体装置（Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３）。
　付記２２．
　前記第１接合層（６１）の組成は、錫を含む、付記１４に記載の半導体装置（Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０）。
　付記２３．
　前記第１方向に視て、前記第１係合部（３１２）の面積は、前記第２係合部（３１３）の面積より大きい、付記１５に記載の半導体装置（Ａ２０，Ａ３０）。
　付記２４．
　前記第１係合部（３１２）および前記第２係合部（３１３）の各々は、前記第１接合面（３１１）から凹んでいる、付記１８に記載の半導体装置（Ａ３０）。
　付記２５．
　前記第１係合部（３１２）および前記第２係合部（３１３）の各々は、前記第１接合面（３１１）から前記第１方向に貫通している、付記１８に記載の半導体装置（Ａ３１）。
　付記２６．
　前記導通部材（３０）は、前記第１接合面（３１１）から凹む溝（３１６）を有し、
　前記溝（３１６）は、前記第１領域（３１１Ａ）と前記第２領域（３１１Ｂ）とを区画している、付記１９に記載の半導体装置（Ａ４０）。
　付記２７．
　前記第１部（１１１）および前記第２部（１１２）の各々は、基部（１１Ａ）と、前記基部（１１Ａ）を覆う保護部（１１Ｂ）と、を有し、
　前記保護部（１１Ｂ）は、組成に銀を含む導体であり、
　前記保護部（１１Ｂ）は、前記第１接合層（６１）および前記封止樹脂（５０）の各々に接している、付記２０に記載の半導体装置（Ａ１０）。
　付記２８．
　前記半導体素子（１０）は、前記第１方向に視て前記第１部（１１１）および前記第２部（１１２）の各々を囲む保護層（１４）を有し、
　前記保護層（１４）は、絶縁体であり、
　前記保護部（１１Ｂ）は、前記保護層（１４）の一部を覆っている、付記２７に記載の半導体装置（Ａ１０）。
　付記２９．
　前記半導体素子（１０）が搭載された第２リード（２２）をさらに備え、
　前記半導体素子（１０）は、前記第１方向において前記第１電極（１１）とは反対側に位置する第２電極（１２）を有し、
　前記第２電極（１２）は、前記第２リード（２２）に導電接合されており、
　前記第２リード（２２）は、前記第１方向において前記半導体素子（１０）が位置する側とは反対側を向く裏面（２２２）を有し、
　前記裏面（２２２）は、前記封止樹脂（５０）から露出している、付記２０に記載の半導体装置（Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０）。
付記３０．
　第３リード（２３）をさらに備え、
　前記半導体素子（１０）は、前記第１方向において前記第１電極（１１）と同じ側に位置する第３電極（１３）を有し、
　前記第３リード（２３）は、前記第３電極（１３）に導通している、付記２９に記載の半導体装置（Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０）。
　付記３１．
　前記第１方向に視て、前記導通部材（３０）は、前記第３電極（１３）から離れている、付記３０に記載の半導体装置（Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０）。

Ａ１０～Ａ４０：半導体装置　　　　１０：半導体素子
１１：第１電極　　　　１１Ａ：基部
１１Ｂ：保護部　　　　１１１～１１４：第１部～第４部
１１１Ａ：主部　　　　１１１Ｂ，１１１Ｃ：第１凸部，第２凸部
１２，１３：第２電極，第３電極　　　　１９：導電接合層
２１：第１リード　　　　２１１：第１接続面
２１２：第１実装面　　　　２１３：第１端面
２１４：第１張出部　　　　２１４Ａ：中間面
２１４Ｂ：露出面　　　　２２：第２リード
２２１：搭載面　　　　２２２：裏面
２２３：第２端面　　　　２２４：第２張出部
２２４Ａ：中間面　　　　２２４Ｂ：露出面
２３：第３リード　　　　２３１：第２接続面
２３２：第２実装面　　　　２３３：第３端面
２３４：第３張出部　　　　２２４Ａ：中間面
２２４Ｂ：露出面　　　　３０：導通部材
３１：第１接合部　　　　３１１：第１接合面
３１１Ａ～３１１Ｄ：第１領域～第４領域
３１２～３１５：第１係合部～第４係合部　　　　３１６；溝
３２：第２接合部　　　　３２１：第２接合面
３３：中間部　　　　４０：ワイヤ
５０：封止樹脂　　　　５１：頂面
５２：底面　　　　５３～５７：第１側面～第５側面
６１：第１接合層　　　　６２：第２接合層
ｚ，ｘ，ｙ：第１方向，第２方向，第３方向

Claims

　第１方向の一方側に位置する第１電極を有する半導体素子と、
　前記第１電極に導電接合された導通部材と、
　前記第１電極と前記導通部材とを導電接合する第１接合層と、を備え、
　前記第１電極は、前記第１方向に対して直交する方向において互いに離れた第１部および第２部を含み、
　前記第１方向に視て、前記第２部の面積は、前記第１部の面積より小さい、半導体装置。
　前記第１方向に視て、前記第２部は、前記第１部よりも外方に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
　前記第１電極は、前記第１方向に対して直交する方向において前記第１部および前記第２部の各々から離れた第３部を含み、
　前記第１方向に視て、前記第３部の面積は、前記第１部の面積より小さい、請求項２に記載の半導体装置。
　前記第１部は、主部と、前記主部から前記第１方向に対して直交する方向に突出した第１凸部と、を有し、
　前記第２部および前記第３部は、前記第１凸部を間に挟んで互いに反対側に位置する、請求項３に記載の半導体装置。
　前記第１電極は、前記第１方向に対して直交する方向において前記第１部、前記第２部および前記第３部の各々から離れた第４部を含み、
　前記第１方向に視て、前記第４部の面積は、前記第１部の面積より小さい、請求項４に記載の半導体装置。
　前記第１部は、前記主部から前記第１方向に対して直交する方向に突出した第２凸部を有し、
　前記第２凸部が突出する方向は、前記第１凸部が突出する方向と異なっており、
　前記第２部および前記第４部は、前記第２凸部を間に挟んで互いに反対側に位置する、請求項５に記載の半導体装置。
　前記第３部は、前記第１方向に対して直交する第２方向において前記第１部を間に挟んで前記第２部とは反対側に位置する、請求項３に記載の半導体装置。
　前記第２部および前記第３部の各々は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向に延びている、請求項７に記載の半導体装置。
　前記第３部の前記第３方向の寸法は、前記第２部の前記第３方向の寸法より小さい、請求項８に記載の半導体装置。
　前記第１電極は、前記第１部の前記第３方向の一方側に位置する第４部を含み、
　前記第４部は、前記第１方向に対して直交する方向において前記第１部、前記第２部および前記第３部の各々から離れており、
　前記第１方向に視て、前記第４部の面積は、前記第１部の面積より小さく、
　前記第４部は、前記第２方向に延びている、請求項８に記載の半導体装置。
　前記第２方向に視て、前記第４部は、前記第２部および前記第３部の各々に重なっている、請求項１０に記載の半導体装置。
　前記第１方向に視て、前記第２部は、前記第１部に囲まれている、請求項１に記載の半導体装置。
　前記第１方向に視て、前記第１部および前記第２部の少なくともいずれかは、前記導通部材よりも外方に位置する、請求項２ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　前記導通部材は、前記第１部および前記第２部の各々に対向する第１接合面を有し、
　前記第１接合面は、前記第１接合層に接している、請求項２ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　前記導通部材は、互いに離れた第１係合部および第２係合部を有し、
　前記第１係合部および前記第２係合部の各々は、前記第１接合面に設けられており、
　前記第１方向に視て、前記第１係合部は、前記第１部に重なっており、
　前記第１方向に視て、前記第２係合部は、前記第２部に重なっており、
　前記第１係合部および前記第２係合部の各々は、前記第１接合層に接している、請求項１４に記載の半導体装置。
　前記第１係合部および前記第２係合部の各々は、前記第１接合面から突出している、請求項１５に記載の半導体装置。
　前記第１係合部は、前記第１部に接している、請求項１６に記載の半導体装置。
　前記第１係合部および前記第２係合部の各々は、前記第１接合面から開口している、請求項１５に記載の半導体装置。
　前記第１接合面は、互いに離れた第１領域および第２領域を含み、
　前記第１方向に視て、前記第１領域は、前記第１部に重なっており、
　前記第１方向に視て、前記第２領域は、前記第２部に重なっている、請求項１４に記載の半導体装置。
　第１リードと、
　前記半導体素子および前記導通部材を覆う封止樹脂と、をさらに備え、
　前記導通部材は、前記第１リードに導電接合されており、
　前記第１リードは、前記封止樹脂から露出している、請求項１４に記載の半導体装置。