WO2025154339A1 - ポリアミド酸、ポリアミド酸組成物、ポリアミド酸フィルム、ポリイミド、ポリイミドフィルム、配線回路基板、半導体パッケージ、および、電子機器 - Google Patents

ポリアミド酸、ポリアミド酸組成物、ポリアミド酸フィルム、ポリイミド、ポリイミドフィルム、配線回路基板、半導体パッケージ、および、電子機器

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film
polyimide
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Nitto Denko Corp
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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate

Definitions

  • the present invention relates to polyamic acid, a polyamic acid composition, a polyamic acid film, a polyimide, a polyimide film, a wiring circuit board, a semiconductor package, and an electronic device.
  • polyamic acid obtained by reacting pyromellitic dianhydride with diamine components (2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine and 3,5-diaminobenzamide) has been known as a precursor of polyimide film that can be used as an interlayer insulating film (see, for example, Patent Document 1 below).
  • the dry film is thermally cured while its surface is uneven, the unevenness will remain on the surface of the cured insulating layer, which may make it difficult to form a conductive pattern on the insulating layer.
  • the present invention provides a polyamic acid, a polyamic acid composition, and a polyamic acid film that can improve the flatness of an insulating layer, a polyimide and a polyimide film made from the polyamic acid, a wiring circuit board having an insulating layer made from the polyamic acid, and a semiconductor package and an electronic device that have the wiring circuit board.
  • the present invention is a precursor of a polyimide used as an insulating layer of a printed circuit board, and contains a polyamic acid, which is a reaction product of 3,4'-oxydiphthalic dianhydride and a diamine component containing an etherdiamine.
  • the present invention [2] includes the polyamic acid of [1] above, in which the ratio of the ether diamine in the diamine component is 0.5 moles or more per mole of 3,4'-oxydiphthalic dianhydride.
  • the present invention [5] is a polyamic acid composition containing any one of the polyamic acids [1] to [4] above and a solvent.
  • the flatness of the insulating layer can be improved.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor package substrate shown in FIG. 3A to 3C show manufacturing steps for the semiconductor package substrate shown in FIG. 1, in which FIG. 3A shows a step of forming a dry film of the polyamic acid composition, FIG. 3B shows a step of heat-pressing the dry film of the polyamic acid composition, and FIG. 3C shows a step of forming a conductor pattern on an insulating layer.
  • the polyamic acid of the present invention is used for manufacturing a wiring circuit board. More specifically, the polyamic acid of the present invention is a precursor of a polyimide used as an insulating layer of a wiring circuit board. Preferably, the polyamic acid of the present invention is a precursor of a polyimide used as an interlayer insulating layer 22 (see FIG. 2) of a semiconductor package substrate 2 (see FIG. 1). The semiconductor package substrate 2 will be described later.
  • Polyamic acid is the reaction product of 3,4'-oxydiphthalic dianhydride ( ⁇ -ODPA) and a diamine component.
  • ⁇ -ODPA 3,4'-oxydiphthalic dianhydride
  • ⁇ -ODPA has a molecular structure in which two phthalic anhydrides are bonded together through an ether bond.
  • the ether bond connects the carbon at position 3 of one phthalic anhydride to the carbon at position 4 of the other phthalic anhydride. Therefore, the molecular structure of ⁇ -ODPA is asymmetric when the oxygen atom of the ether bond is taken as the center of symmetry. In other words, ⁇ -ODPA is an asymmetric tetracarboxylic dianhydride.
  • the diamine component contains at least one diamine.
  • the diamine component contains only diamine.
  • the diamine component contains, for example, an ether diamine.
  • An ether diamine is a diamine that has an ether bond.
  • ether diamines include aromatic diamines having an ether bond (aromatic ether diamines) and aliphatic diamines having an ether bond (aliphatic ether diamines).
  • Aromatic ether diamines include, for example, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene (1,3,4-APB), 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene (1,3,3-APB), 4,4'-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, and 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene.
  • aliphatic ether diamines examples include poly(propylene glycol) diamine, 1,4-butanediol bis(3-aminopropyl) ether, 1,2-bis(2-aminoethoxy)ethane, diethylene glycol bis(3-aminopropyl) ether, 2,2'-oxybis(ethylamine), 1,14-diamino-3,6,9,12-tetraoxatetradecane, polyethylene glycol bis(3-aminopropyl) ether, and polyethylene glycol diamine.
  • ether diamine preferably, an aromatic ether diamine is used, and more preferably, 1,3,4-APB is used.
  • the heat resistance of the insulating layer can be improved.
  • the ratio of ether diamine in the diamine component is, for example, 0.5 moles or more, preferably 0.7 moles or more, per mole of ⁇ -ODPA.
  • the proportion of etherdiamine in the diamine component is equal to or greater than the lower limit above, the flatness of the insulating layer can be improved.
  • the upper limit of the proportion of etherdiamine in the diamine component is not limited.
  • the proportion of etherdiamine in the diamine component may be equimolar to ⁇ -ODPA.
  • the diamine component may contain only etherdiamine.
  • the diamine component may contain, in addition to ether diamines, diamines that do not have an ether bond.
  • diamines that do not have an ether bond examples include aromatic diamines that do not have an ether bond and aliphatic diamines that do not have an ether bond.
  • Aromatic diamines without an ether bond include, for example, p-phenylenediamine, 4,4'-diaminophenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 1,4-diaminobenzene, 2,5-diaminotoluene, and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, 1,5-diaminonaphthalene, ⁇ , ⁇ '-bis(4-aminophenyl)-1,4-diisopropylbenzene, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 3-aminobenzylamine, 4-aminobenzylamine, bis(3-aminophenyl)sulfone, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 1,3-bis[2-(4-aminophenyl)-3-prop
  • Aliphatic diamines without ether bonds include, for example, 1,12-dodecanediamine, 1,6-diaminohexane, 1,3-bis(aminomethyl)cyclohexane, 1,4-bis(aminomethyl)cyclohexane, 1,2-cyclohexanediamine, ethylenediamine, 3,3'-diamino-N-methyldipropylamine, N,N'-bis(3-aminopropyl)ethylenediamine, 1,10-diaminodecane, 1,12-dia
  • the ratio of "diamine having no ether bond" in the diamine component is, for example, less than 0.5 mol, preferably 0.3 mol or less, per 1 mol of ⁇ -ODPA.
  • the glass transition temperature (Tg) of the polyimide film is, for example, 140°C or higher. There is no upper limit to the glass transition temperature (Tg) of the polyimide film.
  • the conductor pattern 23A is disposed on one side of the insulating layer 22A in the thickness direction.
  • the semiconductor package substrate 2 also has a plurality of insulating layers 24 (see FIG. 1) and a plurality of conductor patterns on the other side of the core layer 21 in the thickness direction.
  • the conductor pattern 23A is connected to the conductor pattern on the other side in the thickness direction through a via (not shown) that penetrates the insulating layer 22A and the core layer 21.
  • the conductor pattern 23B is disposed on one side of the insulating layer 22B in the thickness direction.
  • the conductor pattern 23B is connected to the conductor pattern 23A through a via 25A.
  • the conductor pattern 23C is disposed on one side of the insulating layer 22C in the thickness direction.
  • the conductor pattern 23C is connected to the conductor pattern 23B through a via 25B.
  • An example of the material of each of the conductor patterns is copper.
  • each of the conductor patterns 23A, 23B, and 23C is, for example, 5 ⁇ m to 40 ⁇ m.
  • the coating of the polyamic acid composition is dried by heating.
  • the drying temperature is, for example, 120°C to 140°C, and preferably 125°C to 135°C.
  • a dry film F of the polyamic acid composition is formed.
  • the dry film F is an example of the polyamic acid film described above.
  • the polyamic acid described above is a reaction product of ⁇ -ODPA and a diamine component containing an ether diamine.
  • the surface of the dry film F can be easily molded into a flat shape by heat pressing, as shown in Figure 3B.
  • the heating temperature in the heat press is, for example, 140°C to 200°C, preferably 180°C to 190°C.
  • the pressure in the heat press is, for example, 0.1 MPa to 3 MPa, preferably 1 MPa to 2 MPa.
  • the insulating layer 22 is formed by curing if necessary.
  • a through hole 221 for passing the via 25 is formed in the insulating layer 22, for example, by laser processing.
  • the semiconductor package substrate 2 is completed by forming the insulating layers 22 and the conductor patterns 23 alternately using the core layer 21 as the starting material to form the desired number of layers of conductor patterns 23.
  • the polyamic acid of the present invention is a reaction product of ⁇ -ODPA and a diamine component containing an ether diamine.
  • ⁇ -ODPA is an asymmetric tetracarboxylic dianhydride having a molecular structure in which two phthalic anhydrides are bonded by an ether bond.
  • the dry film F (polyamic acid film) made from the polyamic acid can be easily molded by heat pressing.
  • the surface of the dry film F can be easily molded flat by heat pressing.
  • the flatness of the insulating layer 22 can be improved.
  • Example 1 3,4'-oxydiphthalic dianhydride ( ⁇ -ODPA) and 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene (1,3,4-APB) were dissolved in N-methylpyrrolidone (solvent) in a molar ratio ( ⁇ -ODPA:1,3,4-APB) of 1:1. The resulting solution was stirred at 25°C to prepare a polyamic acid composition.
  • ⁇ -ODPA 3,4'-oxydiphthalic dianhydride
  • solvent N-methylpyrrolidone
  • Comparative Example 2 A polyamic acid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy)diphthalic anhydride (BPADA) was used instead of ⁇ -ODPA as the tetracarboxylic dianhydride.
  • BPADA 4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy)diphthalic anhydride
  • the resulting laminate was heat-pressed at 185°C for 15 minutes at 2 MPa using a vacuum heat pressurizing device (VS20-3430, manufactured by Mikado Technos Co., Ltd.).
  • the maximum measured depth is shown in Table 1. The smaller the value, the better the flatness.
  • the substrate was heated at 200°C to 400°C in an environment with a reduced pressure of less than 10 Pa to produce a polyimide film on the substrate.
  • the substrate was removed using a ferric chloride solution to obtain a polyimide film.
  • the dielectric constant and dielectric loss tangent of the resulting polyimide film at 10 GHz were measured using an electrical characteristics device (10 GHz SPDR resonator, manufactured by QWED).
  • the polyamic acid, polyamic acid composition, polyamic acid film, polyimide, and polyimide film of the present invention can be used to manufacture wiring circuit boards.
  • the wiring circuit board of the present invention can be used, for example, in semiconductor packages and electronic devices.

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Abstract

ポリアミド酸は、配線回路基板の絶縁層として用いられるポリイミドの前駆体である。ポリアミド酸は、３，４'－オキシジフタル酸二無水物と、エーテルジアミンを含有するジアミン成分との反応生成物である。

Description

ポリアミド酸、ポリアミド酸組成物、ポリアミド酸フィルム、ポリイミド、ポリイミドフィルム、配線回路基板、半導体パッケージ、および、電子機器
　本発明は、ポリアミド酸、ポリアミド酸組成物、ポリアミド酸フィルム、ポリイミド、ポリイミドフィルム、配線回路基板、半導体パッケージ、および、電子機器に関する。
　従来、層間絶縁フィルムとして使用可能なポリイミドフィルムの前駆体として、ピロメリット酸二無水物と、ジアミン成分（２，２'－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および、３，５－ジアミノベンズアミド）との反応により得られたポリアミド酸が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
特開２０１９－１２７５０３号公報
　しかし、特許文献１に記載されるようなポリアミド酸のワニスでは、表面に凹凸を有する基材にポリアミド酸のワニスを塗布した場合、塗布された表面の凹凸に応じて、ポリアミド酸ワニスの乾燥フィルムの表面に凹凸が生じてしまう場合がある。
　乾燥フィルムの表面に凹凸が存在している状態で乾燥フィルムが熱硬化してしまうと、硬化物である絶縁層の表面に凹凸が残ってしまい、絶縁層上に導体パターンを形成することが困難になる可能性がある。
　本発明は、絶縁層の平坦性を向上させることができるポリアミド酸、ポリアミド酸組成物およびポリアミド酸フィルム、そのポリアミド酸から作られたポリイミドおよびポリイミドフィルム、そのポリアミド酸から作られた絶縁層を備える配線回路基板、および、その配線回路基板を備える半導体パッケージおよび電子機器を提供する。
　本発明［１］は、配線回路基板の絶縁層として用いられるポリイミドの前駆体であって、３，４’－オキシジフタル酸二無水物と、エーテルジアミンを含有するジアミン成分との反応生成物である、ポリアミド酸を含む。
　本発明［２］は、前記ジアミン成分中の前記エーテルジアミンの割合が、３，４’－オキシジフタル酸二無水物１モルに対して、０．５モル以上である、上記［１］のポリアミド酸を含む。
　本発明［３］は、前記ジアミン成分が前記エーテルジアミンのみを含有する、上記［１］または［２］のポリアミド酸を含む。
　本発明［４］は、前記エーテルジアミンが１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼンである、上記［１］～［３］のいずれか１つのポリアミド酸を含む。
　本発明［５］は、上記［１］～［４］のいずれか１つのポリアミド酸と、溶剤とを含有する、ポリアミド酸組成物。
　本発明［６］は、上記［５］のポリアミド酸組成物の乾燥物である、ポリアミド酸フィルムを含む。
　本発明［７］は、上記［１］～［４］のいずれか１つのポリアミド酸のイミド化物である、ポリイミドを含む。
　本発明［８］は、上記［７］のポリイミドからなるフィルムである、ポリイミドフィルムを含む。
　本発明［９］は、上記［７］のポリイミドからなる絶縁層と、導体パターンとを備える、配線回路基板を含む。
　本発明［１０］は、上記［９］の配線回路基板と、前記配線回路基板に実装された半導体チップとを備える、半導体パッケージを含む。
　本発明［１１］は、上記［１０］の半導体パッケージを備える、電子機器を含む。
　本発明のポリアミド酸は、３，４’－オキシジフタル酸二無水物と、エーテルジアミンを含有するジアミン成分との反応生成物である。３，４’－オキシジフタル酸二無水物は、２つの無水フタル酸がエーテル結合によって結合した分子構造を有する非対称性のテトラカルボン酸二無水物である。
　そのため、そのポリアミド酸から作られた乾燥フィルム（ポリアミド酸フィルム）は、熱プレスによって、容易に成形できる。
　そのため、絶縁層を形成する工程において、ポリアミド酸から作られた乾燥フィルムの表面を、熱プレスによって、容易に平坦に成形できる。
　その結果、絶縁層の平坦性を向上させることができる。
図１は、本発明の半導体パッケージの一実施形態を示す斜視図である。 図２は、図１に示す半導体パッケージ基板の断面図である。 図３Ａ～図３Ｃは、図１に示す半導体パッケージ基板の製造工程を示し、図３Ａは、ポリアミド酸組成物の乾燥フィルムを形成する工程を示し、図３Ｂは、ポリアミド酸組成物の乾燥フィルムを熱プレスする工程を示し、図３Ｃは、絶縁層の上に導体パターンを形成する工程を示す。
　１．ポリアミド酸
　本発明のポリアミド酸は、配線回路基板の製造に用いられる。詳しくは、本発明のポリアミド酸は、配線回路基板の絶縁層として用いられるポリイミドの前駆体である。好ましくは、本発明のポリアミド酸は、半導体パッケージ基板２（図１参照）の層間絶縁層２２（図２参照）として用いられるポリイミドの前駆体である。半導体パッケージ基板２については、後で説明する。
　ポリアミド酸は、３，４’－オキシジフタル酸二無水物（α－ＯＤＰＡ）とジアミン成分との反応生成物である。
　α－ＯＤＰＡは、２つの無水フタル酸がエーテル結合によって結合した分子構造を有する。エーテル結合は、一方の無水フタル酸の３位の炭素と、他方の無水フタル酸の４位の炭素とを結合する。そのため、α－ＯＤＰＡの分子構造は、エーテル結合の酸素原子を対称中心とした場合に、非対称である。つまり、α－ＯＤＰＡは、非対称性のテトラカルボン酸二無水物である。
　なお、α－ＯＤＰＡの構造異性体である４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ｓ－ＯＤＰＡ）は、エーテル結合の酸素原子を対称中心とした場合に、対称である。つまり、ｓ－ＯＤＰＡは、対称性のテトラカルボン酸二無水物である。
　ジアミン成分は、少なくとも１種のジアミンを含有する。ジアミン成分は、ジアミンのみを含有する。ジアミン成分は、例えば、エーテルジアミンを含有する。エーテルジアミンは、エーテル結合を有するジアミンである。
　エーテルジアミンとして、例えば、エーテル結合を有する芳香族ジアミン（芳香族エーテルジアミン）、エーテル結合を有する脂肪族ジアミン（脂肪族エーテルジアミン）が挙げられる。
　芳香族エーテルジアミンとして、例えば、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３，４－ＡＰＢ）、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３，３－ＡＰＢ）、４，４’－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、１，４－ビス(４－アミノフェノキシ)ベンゼン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、３，３’－オキシジアニリン、３，４’－ジアミノジフェニルエーテルが挙げられる。
　脂肪族エーテルジアミンとして、例えば、ポリ（プロピレングリコール）ジアミン、１，４－ブタンジオールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、２，２’－オキシビス（エチルアミン）、１，１４－ジアミノ－３，６，９，１２－テトラオキサテトラデカン、ポリエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、および、ポリエチレングリコールジアミンが挙げられる。
　エーテルジアミンとして、好ましくは、芳香族エーテルジアミン、より好ましくは、１，３，４－ＡＰＢが挙げられる。
　エーテルジアミンが１，３，４－ＡＰＢであると、絶縁層の耐熱性を向上させることができる。
　ジアミン成分中のエーテルジアミンの割合は、α－ＯＤＰＡ１モルに対して、例えば、０．５モル以上、好ましくは、０．７モル以上である。
　ジアミン成分中のエーテルジアミンの割合が上記下限値以上であると、絶縁層の平坦性を向上させることができる。
　ジアミン成分中のエーテルジアミンの割合の上限値は、限定されない。ジアミン成分中のエーテルジアミンの割合は、α－ＯＤＰＡに対して、等モルであってもよい。ジアミン成分は、エーテルジアミンのみを含有してもよい。
　ジアミン成分は、エーテルジアミンに加えて、エーテル結合を有さないジアミンを含有してもよい。
　エーテル結合を有さないジアミンとして、例えば、エーテル結合を有さない芳香族ジアミン、および、エーテル結合を有さない脂肪族ジアミンが挙げられる。
　エーテル結合を有さない芳香族ジアミンとして、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、４,４'－ジアミノフェニルメタン、４,４'－ジアミノジフェニルスルホン、１,４－ジアミノベンゼン、２,５－ジアミノトルエン、および、２,２'－ビス(トリフルオロメチル)－４,４'－ジアミノビフェニル、１，５－ジアミノナフタレン、α，α’－ビス（４－アミノフェニル）－１，４－ジイソプロピルベンゼン、ｍ－キシリレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミン、３－アミノベンジルアミン、４－アミノベンジルアミン、ビス（３－アミノフェニル）スルホン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３－ビス［２－（４－アミノフェニル）－３－プロピル］ベンゼン、１，８－ジアミノナフタレン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－ｐ－テルフェニル、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－メチレンビス（２－エチル－６－メチルアニリン）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジエチルアニリン）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルアニリン）、１，４－フェニレンジアミン、１，３－フェニレンジアミン、１，３－フェニレンジアミン、ｏ－トリジン、ビス（４－アミノフェニル）スルフィド、３，３’，５，５’－テトラメチルベンジジン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジメチルジフェニルメタン、４，４’－エチレンジアニリン、および、４，４’－ジアミノ－２，２’－ジメチルビベンジルが挙げられる。
　エーテル結合を有さない脂肪族ジアミンとして、例えば、１，１２－ドデカンジアミン、１，６－ジアミノヘキサン、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，２－シクロヘキサンジアミン、エチレンジアミン、３，３’－ジアミノ－Ｎ－メチルジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－アミノプロピル）エチレンジアミン、１，１０－ジアミノデカン、１，１２－ジアミノドデカン、１，７－ジアミノヘプタン、１，８－ジアミノオクタン、１，５－ジアミノペンタン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、１，１１－ジアミノウンデカン、２－メチル－１，５－ジアミノペンタン、２，２’－ジアミノ－Ｎ－メチルジエチルアミン、２－メチル－１，３－プロパンジアミン、４，４’－メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、および、１，３－ジアミノペンタンが挙げられる。
　ジアミン成分中の「エーテル結合を有さないジアミン」の割合は、α－ＯＤＰＡ１モルに対して、例えば、０．５モル未満、好ましくは、０．３モル以下である。
　２．ポリアミド酸組成物
　ポリアミド酸組成物は、液状（ワニス）である。ポリアミド酸組成物は、上記したポリアミド酸と、溶剤とを含有する。
　溶剤は、ポリアミド酸を溶解可能であれば、限定されない。溶剤として、例えば、非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
　非プロトン性極性溶媒としては、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、および、ヘキサメチルホスホルアミドが挙げられる。
　ポリアミド酸組成物中のポリアミド酸の割合は、例えば、５質量％以上、好ましくは、７．５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上である。
　ポリアミド酸組成物中のポリアミド酸の割合は、例えば、２０質量％以下、好ましくは、１６質量％以下、より好ましくは、１４質量％以下である。
　ポリアミド酸組成物中のポリアミド酸の割合は、５質量％～２０質量％、７．５質量％～１６質量％、または、１０質量％～１４質量％であってもよい。
　２５℃におけるポリアミド酸組成物の粘度は、例えば、５Ｐａ・ｓ以上、好ましくは、８Ｐａ・ｓ以上である。
　２５℃におけるポリアミド酸組成物の粘度は、例えば、１５Ｐａ・ｓ以下、好ましくは、１４Ｐａ・ｓ以下である。
　２５℃におけるポリアミド酸組成物の粘度は、５Ｐａ・ｓ～１５Ｐａ・ｓ、または、８Ｐａ・ｓ～１４Ｐａ・ｓであってもよい。
　ポリアミド酸組成物は、例えば、α－ＯＤＰＡとジアミン成分とを溶媒中で反応させることによって得られる。
　フォトリソグラフィ法によって配線回路基板の絶縁層をパターニングする場合、ポリアミド酸組成物は、ポリアミド酸および溶剤に加えて、感光剤と、現像促進剤とを含有してもよい。
　感光剤は、フォトリソグラフィ法の露光工程において、露光部分におけるポリアミド酸のイミド化を促進する。露光部分とは、ポリアミド酸組成物の乾燥フィルムのうち、露光された部分である。
　現像促進剤は、フォトリソグラフィ法の現像工程において、未露光部分の溶解を促進する。未露光部分とは、ポリアミド酸組成物の乾燥フィルムのうち、露光工程において露光されなかった部分である。
　３．ポリアミド酸フィルム、ポリイミド、および、ポリイミドフィルム
　本発明のポリアミド酸フィルムは、上記したポリアミド酸組成物の乾燥物である。ポリアミド酸フィルムは、例えば、ポリアミド酸組成物を基材に塗布し、乾燥することにより得られる。ポリアミド酸フィルムは、上記したポリアミド酸と、必要により、感光剤と、現像促進剤とを含有する。
　ポリアミド酸フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、１３５℃以下、好ましくは、１２０℃以下である。ポリアミド酸フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、６０℃以上である。ポリアミド酸フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃～１３５℃、または、６０℃～１２０℃であってもよい。
　ガラス転移温度（Ｔｇ）は、動的粘弾性測定装置（商品名：ＲＳＡ－Ｇ２、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン社製）を用いて、以下の測定条件で動的粘弾性を測定した場合の、損失正接（ｔａｎδ）が最大になる温度である。
　＜測定条件＞
　サンプルサイズ：幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ
　測定モード：引張モード
　測定温度範囲：０℃～２００℃
　昇温速度：５℃／分
　周波数：１Ｈｚ
　荷重（軸方向）：０．０１Ｎ
　本発明のポリイミドは、上記したポリアミド酸のイミド化物である。本発明のポリイミドフィルムは、ポリイミドから作られたフィルムである。ポリイミドフィルムは、例えば、上記したポリアミド酸フィルムを加熱してポリアミド酸をイミド化させることにより、得られる。
　ポリイミドフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、１４０℃以上である。ポリイミドフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）の上限値は、限定されない。
　ポリイミドフィルムの耐熱温度は、例えば、１３０℃以上、好ましくは、２００℃以上、より好ましくは、３００℃以上、より好ましくは、４００℃以上である。ポリイミドフィルムの耐熱温度の上限値は、限定されない。
　ポリイミドフィルムの耐熱温度は、後述する実施例に記載の方法で測定される。
　ポリイミドフィルムの１０ＧＨｚにおける誘電率は、例えば、３．０～４．０、好ましくは、３．２～３．５である。
　ポリイミドフィルムの１０ＧＨｚにおける誘電正接は、例えば、０．００５００～０．００８００、好ましくは、０．００５５０～０．００７００である。
　誘電率および誘電正接は、後述する実施例に記載の方法で測定される。
　４．半導体パッケージおよび配線回路基板
　半導体パッケージ１は、電子機器の回路基板を構成する一部品である。つまり、電子機器は、半導体パッケージ１を備える。
　図１に示すように、半導体パッケージ１は、配線回路基板の一例としての半導体パッケージ基板２と、半導体チップ３と、封止樹脂４とを備える。
　（１）半導体パッケージ基板
　図２に示すように、半導体パッケージ基板２は、コア層２１と、複数の絶縁層２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃと、複数の導体パターン２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃとを備える。
　コア層２１は、例えば、金属から作られる。金属として、例えば、アルミニウム、ステンレス、および、銅が挙げられる。コア層２１は、好ましくは、ステンレスから作られる。コア層２１の厚みは、限定されない。
　複数の絶縁層２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃは、半導体パッケージ基板２の厚み方向において、コア層２１の一方側に積層される。複数の絶縁層２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃのそれぞれは、ポリイミドから作られる。つまり、複数の絶縁層２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃのそれぞれは、上記したポリイミドフィルムの一例である。絶縁層２２Ａは、厚み方向において、導体パターン２３Ａとコア層２１との間に配置される。絶縁層２２Ｂは、厚み方向において、導体パターン２３Ｂと導体パターン２３Ａとの間に配置される。絶縁層２２Ｃは、厚み方向において、導体パターン２３Ｃと導体パターン２３Ｂとの間に配置される。
　複数の絶縁層２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃのそれぞれの厚みは、例えば、例えば、５μｍ～２０μｍ、好ましくは、５μｍ～１５μｍである。
　導体パターン２３Ａは、厚み方向において、絶縁層２２Ａの一方面上に配置される。なお、半導体パッケージ基板２は、厚み方向において、コア層２１の他方側にも、複数の絶縁層２４（図１参照）と、複数の導体パターンとを有する。導体パターン２３Ａは、絶縁層２２Ａおよびコア層２１を貫通する図示しないビアを介して、厚み方向における他方側の導体パターンと接続される。導体パターン２３Ｂは、厚み方向において、絶縁層２２Ｂの一方面上に配置される。導体パターン２３Ｂは、ビア２５Ａを介して、導体パターン２３Ａと接続される。導体パターン２３Ｃは、厚み方向において、絶縁層２２Ｃの一方面上に配置される。導体パターン２３Ｃは、ビア２５Ｂを介して、導体パターン２３Ｂと接続される。導体パターンのそれぞれの材料として、例えば、銅が挙げられる。
　導体パターン２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃのそれぞれの厚みは、例えば、５μｍ～４０μｍである。
　（２）半導体チップ
　図１に示すように、半導体チップ３は、半導体パッケージ基板２に実装される。半導体チップ３は、厚み方向において、半導体パッケージ基板２の一方面上に配置される。本実施形態では、半導体チップ３は、例えば、ワイヤ５を介して、導体パターン２３Ｃの端子２３１と電気的に接続される。
　（３）封止樹脂
　封止樹脂４は、厚み方向において、半導体パッケージ基板２の一方面上に配置される。封止樹脂４は、半導体チップ３を封止する。
　５．半導体パッケージ基板の製造
　上記した半導体パッケージ基板２の製造では、例えば、コア層２１を出発材料として、絶縁層２２と導体パターン２３とを、交互に形成する。つまり、半導体パッケージ基板２の製造方法は、絶縁層２２を形成する工程（図３Ａおよび図３Ｂ参照）と、導体パターン２３を形成する工程（図３Ｃ参照）とを含む。
　詳しくは、図３Ａに示すように、絶縁層２２を形成する工程では、まず、コア層２１または絶縁層２２の表面に、上記したポリアミド酸組成物を塗布する。
　次に、ポリアミド酸組成物の塗膜を、加熱により乾燥させる。乾燥温度は、溶剤を揮発させることができれば、限定されない。溶剤がＮ－メチル－２－ピロリドンである場合、乾燥温度は、例えば、１２０℃～１４０℃、好ましくは、１２５℃～１３５℃である。ポリアミド酸組成物の塗膜が乾燥することにより、ポリアミド酸組成物の乾燥フィルムＦが形成される。乾燥フィルムＦは、上記したポリアミド酸フィルムの一例である。
　このとき、溶剤の揮発、および、乾燥時の加熱による収縮（ポリアミド酸のイミド化に起因するポリアミド酸フィルムの収縮）によって、ポリアミド酸組成物が塗布された表面の凹凸に応じて、乾燥フィルムＦの表面に凹凸が生じてしまう場合がある。乾燥フィルムＦの表面に凹凸が存在している状態で、乾燥フィルムＦが熱硬化してしまうと、絶縁層２２の表面に凹凸が残ってしまい、導体パターン２３の形成が困難になる可能性がある。
　この点、上記したポリアミド酸は、α－ＯＤＰＡと、エーテルジアミンを含有するジアミン成分との反応生成物である。
　そのため、図３Ｂに示すように、熱プレスにより、乾燥フィルムＦの表面を、容易に平坦に成形できる。
　熱プレスにおける加熱温度は、例えば、１４０℃～２００℃、好ましくは、１８０℃～１９０℃である。
　熱プレスにおける圧力は、例えば、０．１ＭＰａ～３ＭＰａ、好ましくは、１ＭＰａ～２ＭＰａである。
　熱プレスの後、必要によりキュアリングすることにより、絶縁層２２が形成される。
　次に、図３Ｃに示すように、絶縁層２２に、例えば、レーザー加工によって、ビア２５を通すための貫通穴２２１を形成する。
　次に、例えば、電解メッキにより、導体パターン２３およびビア２５を形成する。
　このように、コア層２１を出発材料として絶縁層２２と導体パターン２３とを交互に形成して、所望の層数の導体パターン２３を形成することにより、半導体パッケージ基板２が完成する。
　６．作用効果
　本発明のポリアミド酸は、α－ＯＤＰＡと、エーテルジアミンを含有するジアミン成分との反応生成物である。α－ＯＤＰＡは、２つの無水フタル酸がエーテル結合によって結合した分子構造を有する非対称性のテトラカルボン酸二無水物である。
　そのため、そのポリアミド酸から作られた乾燥フィルムＦ（ポリアミド酸フィルム）は、熱プレスによって、容易に成形できる。
　そのため、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、絶縁層２２を形成する工程において、乾燥フィルムＦの表面を、熱プレスによって、容易に平坦に成形できる。
　その結果、絶縁層２２の平坦性を向上させることができる。
　以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
　１．ポリアミド酸組成物の製造
　（１）実施例１
　３，４’－オキシジフタル酸二無水物（α－ＯＤＰＡ）と、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３，４－ＡＰＢ）とを、モル比（α－ＯＤＰＡ：１，３，４－ＡＰＢ）１：１で、Ｎ－メチルピロリドン（溶媒）に溶解させた。得られた溶液を２５℃で撹拌し、ポリアミド酸組成物を調製した。
　得られたポリアミド酸組成物の固形分と粘度を、表１に示す。
　なお、ポリアミド酸組成物の粘度（ａｔ２５℃）は、Ｅ型粘度計（ＲＥ－８５Ｕ、東機産業株式会社製）を用いて、２５℃で１分間プレヒートした後、２５℃で５分間、回転数２．５ｒｐｍで測定した。
　（２）実施例２
　ジアミンとして、１，３，４－ＡＰＢの代わりに、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３，３－ＡＰＢ）を使用した以外は、実施例１と同様にして、ポリアミド酸組成物を調製した。
　得られたポリアミド酸組成物の固形分と粘度を、表１に示す。
　（３）実施例３
　ジアミンとして、１，３，４－ＡＰＢに加えて１，１２－ドデカンジアミンを使用し、α－ＯＤＰＡと、１，３，４－ＡＰＢと、１，１２－ドデカンジアミンとを、モル比（α－ＯＤＰＡ：１，３，４－ＡＰＢ：１，１２－ドデカンジアミン）１：７：３で配合した以外は、実施例１と同様にして、ポリアミド酸組成物を調製した。
　得られたポリアミド酸組成物の固形分と粘度を、表１に示す。
　（４）比較例１
　テトラカルボン酸二無水物として、α－ＯＤＰＡの代わりに、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ｓ－ＯＤＰＡ）を使用した以外は、実施例１と同様にして、ポリアミド酸組成物を調製した。
　なお、比較例１では、１５時間撹拌した後の粘度（ａｔ２５℃）が１５Ｐａ・ｓ以上であったため、Ｎ－メチルピロリドンを追加して、粘度（ａｔ２５℃）を８Ｐａ・ｓから１４Ｐａ・ｓに調節した。
　得られたポリアミド酸組成物の固形分と粘度を、表１に示す。
　（５）比較例２
　テトラカルボン酸二無水物として、α－ＯＤＰＡの代わりに、４，４’－（４，４’－イソプロピリデンジフェノキシ)ジフタル酸無水物（ＢＰＡＤＡ）を使用した以外は、実施例１と同様にして、ポリアミド酸組成物を調製した。
　なお、比較例２では、１５時間撹拌した後の粘度（ａｔ２５℃）が１５Ｐａ・ｓ以上であったため、Ｎ－メチルピロリドンを追加して、粘度（ａｔ２５℃）を８Ｐａ・ｓから１４Ｐａ・ｓに調節した。
　得られたポリアミド酸組成物の固形分と粘度を、表１に示す。
　（６）比較例３
　テトラカルボン酸二無水物として、α－ＯＤＰＡの代わりに、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を使用し、ジアミンとして、１，３，４－ＡＰＢの代わりに、４，４’－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル（４，３－ＢＡＰＯＢＰ）を使用した以外は、実施例１と同様にして、ポリアミド酸組成物を調製した。
　なお、比較例１では、１５時間撹拌した後の粘度（ａｔ２５℃）が１５Ｐａ・ｓ以上であったため、Ｎ－メチルピロリドンを追加して、粘度（ａｔ２５℃）を８Ｐａ・ｓから１４Ｐａ・ｓに調節した。
　得られたポリアミド酸組成物の固形分と粘度を、表１に示す。
　２．評価
　（１）ポリイミドフィルムの平坦性
　ポリイミド層（厚み：１０μｍ）とステンレス層（厚み：２５μｍ）とからなる２層基材を準備し、ステンレス層に直径１００μｍの開口を形成した。
　次に、各実施例および各比較例のポリアミド酸組成物を、アプリケーター（塗工ギャップ：１５０μｍ）でステンレス層に塗布し、１３０℃で５分間、乾燥した。
　これにより、ポリイミド層（厚み：１０μｍ）／ステンレス層（厚み：２５μｍ）／ポリアミド酸フィルム（厚み：５μｍ）の積層体を作製した。
　次に、得られた積層体を、真空熱加圧装置（ＶＳ２０－３４３０、ミカドテクノス社製）を用いて、１８５℃で１５分間、２ＭＰａで熱プレスした。
　次に、熱プレス後のポリアミド酸フィルム（すなわち、ポリイミドフィルム）の表面の凹みの深さを、レーザー顕微鏡（ＶＫ－Ｘ１０００－３００、キーエンス社製）を用いて測定した。
　測定された深さの最大値を表１に示す。数値が小さい方が平坦性に優れている。
　（２）ポリイミドフィルムの電気特性
　各実施例および各比較例のポリアミド酸組成物を、アプリケーター（塗工ギャップ：１５０μｍ）でステンレス製の基材（厚み：２０μｍ）に塗布し、１３０℃で５分間、次いで、１８５℃で５分間、乾燥した。
　次に、１０Ｐａ以下に減圧した環境下で、２００℃～４００℃で加熱処理し、基材上にポリイミドフィルムを作製した。
　次に、塩化第二鉄溶液で基材を除去し、ポリイミドフィルムを得た。
　電気特性装置（１０ＧＨｚＳＰＤＲ共振器、ＱＷＥＤ社製）を用いて、得られたポリイミドフィルムの１０ＧＨｚにおける誘電率および誘電正接を測定した。
　結果を表１に示す。
　（３）ポリイミドフィルムの耐熱温度
　各実施例および各比較例のポリアミド酸組成物を、アプリケーター（塗工ギャップ：２００μｍ）で離型フィルムに塗布し、１３０℃で５分間、乾燥した。
　次に、得られたポリアミド酸フィルムを離型フィルムから剥がし、高温観察装置（ＳＫ－５０００、山陽精工社製）の加熱チャンバ内に入れて、１２℃／分で４００℃まで昇温しつつ、フィルムの形状変化を観察した。
　フィルムが溶融した温度を耐熱温度とした。結果を表１に示す。
　（４）ポリイミドフィルムの柔軟性
　各実施例および各比較例のポリアミド酸組成物を、アプリケーター（塗工ギャップ：２００μｍ）で離型フィルムに塗布し、１３０℃で５分間、次いで、１８５℃で５分間、乾燥した。
　次に、得られたポリアミド酸フィルムを離型フィルムから剥がし、動的粘弾性測定装置（ＲＳＡ－Ｇ２、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン社製）を用いて、１８５℃での損失弾性率を測定した。結果を表１に示す。

　なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれる。
　本発明のポリアミド酸、ポリアミド酸組成物、ポリアミド酸フィルム、ポリイミド、および、ポリイミドフィルムは、配線回路基板の製造に利用可能である。本発明の配線回路基板は、例えば、半導体パッケージ、および、電子機器に利用可能である。
　１　　　半導体パッケージ
　２　　　半導体パッケージ基板（配線回路基板の一例）
　３　　　半導体チップ
　２２　　絶縁層
　２３　　導体パターン

Claims (11)

  1. 　配線回路基板の絶縁層として用いられるポリイミドの前駆体であって、
    　３，４’－オキシジフタル酸二無水物と、エーテルジアミンを含有するジアミン成分との反応生成物である、ポリアミド酸。
  2. 　前記ジアミン成分中の前記エーテルジアミンの割合は、３，４’－オキシジフタル酸二無水物１モルに対して、０．５モル以上である、請求項１に記載のポリアミド酸。
  3. 　前記ジアミン成分は、前記エーテルジアミンのみを含有する、請求項１に記載のポリアミド酸。
  4. 　前記エーテルジアミンは、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼンである、請求項１に記載のポリアミド酸。
  5. 　請求項１に記載のポリアミド酸と、
    　溶剤と
    を含有する、ポリアミド酸組成物。
  6. 　請求項５に記載のポリアミド酸組成物の乾燥物である、ポリアミド酸フィルム。
  7. 　請求項１に記載のポリアミド酸のイミド化物である、ポリイミド。
  8. 　請求項７に記載のポリイミドからなるフィルムである、ポリイミドフィルム。
  9. 　請求項７に記載のポリイミドからなる絶縁層と、
    　導体パターンと
    を備える、配線回路基板。
  10. 　請求項９に記載の配線回路基板と、
    　前記配線回路基板に実装された半導体チップと
    を備える、半導体パッケージ。
  11. 　請求項１０に記載の半導体パッケージを備える、電子機器。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003155343A (ja) * 2001-11-19 2003-05-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド樹脂及びポリイミド樹脂組成物
JP2016153829A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 コニカミノルタ株式会社 中間転写体、それを備えた画像形成装置、および、中間転写体の製造方法
CN112608675A (zh) * 2020-12-24 2021-04-06 武汉市美克亚胺科技有限责任公司 一种聚酰亚胺清漆的制备方法与用途

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003155343A (ja) * 2001-11-19 2003-05-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド樹脂及びポリイミド樹脂組成物
JP2016153829A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 コニカミノルタ株式会社 中間転写体、それを備えた画像形成装置、および、中間転写体の製造方法
CN112608675A (zh) * 2020-12-24 2021-04-06 武汉市美克亚胺科技有限责任公司 一种聚酰亚胺清漆的制备方法与用途

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