WO2025004806A1 - 配線基板 - Google Patents

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航介 浦島
広明 根本
圭太 曽根
元気 米倉
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    • H05K2201/083—Magnetic materials
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Definitions

  • This disclosure relates to a wiring board.
  • This disclosure provides a wiring board that can achieve both good adhesion between the conductor wiring and the insulating layer and reduced scattering loss.
  • the substrate wiring of the first aspect is A conductor wiring; an insulating layer having a first main surface to which a surface of the conductor wiring is in close contact and a second main surface opposite to the first main surface; a magnetic layer located on the second main surface side of the insulating layer; a conductor layer located on the opposite side of the insulating layer with respect to the magnetic layer,
  • the surface or the first main surface has an arithmetic mean roughness of 0.1 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • a second aspect is the wiring board of the first aspect,
  • the magnetic layer has a thickness of 0.1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • a third aspect is the wiring board of the first or second aspect,
  • the magnetic layer has a relative permeability of 1.5 or more at a frequency of 30 GHz or more.
  • a fourth aspect is a wiring board according to any one of the first to third aspects,
  • the magnetic layer has a portion that is wider than the conductive wiring.
  • a fifth aspect is a wiring board according to any one of the first to fourth aspects,
  • the insulating layer has a portion that is the same as or thinner than the thickness of the magnetic layer.
  • a sixth aspect is the wiring board according to any one of the first to fifth aspects, A second insulating layer is provided between the magnetic layer and the conductive layer.
  • This disclosure makes it possible to provide a wiring board that can achieve both good adhesion between the conductor wiring and the insulating layer and reduced scattering loss.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a breakdown of transmission loss.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a configuration example of a wiring board according to the first embodiment; 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a wiring board according to a first embodiment;
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of a current distribution in a conductor wiring when there is no magnetic layer.
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of a current distribution in a conductor wiring when a magnetic layer is present.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a configuration example of a wiring board according to a second embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the concept of a scattering loss evaluation method.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the concept of a scattering loss evaluation method.
  • FIG. 8 is a simulation diagram showing an example of scattering loss calculated using the evaluation method of FIG. 7 .
  • 11 is a table showing an example of calculation results of scattering losses of the wiring board of the first embodiment and a wiring board of a comparative embodiment.
  • 5 is a graph showing an example of calculation results of scattering loss of the wiring board of the first embodiment and a wiring board of a comparative embodiment.
  • 5 is a graph showing an example of calculation results of scattering loss of the wiring board of the first embodiment and a wiring board of a comparative embodiment.
  • 13 is a graph showing an example of calculation results of scattering loss of the wiring board of the second embodiment and a wiring board of a comparative embodiment.
  • each part in the drawings may differ from the actual scale.
  • Directions such as parallel, right angle, orthogonal, horizontal, vertical, up, down, left, and right are permitted to a degree that does not impair the action and effect of the embodiment.
  • the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction respectively represent directions parallel to the X-axis, Y-axis, and Z-axis.
  • the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction are mutually perpendicular.
  • the XY plane, YZ plane, and ZX plane respectively represent imaginary planes parallel to the X-axis direction and Y-axis direction, imaginary planes parallel to the Y-axis direction and Z-axis direction, and imaginary planes parallel to the Z-axis direction and X-axis direction.
  • the term "layer” may include a structure having a shape formed on the entire surface as well as a structure having a shape formed on a part of the surface when observed in a plan view.
  • the materials exemplified below may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified.
  • a numerical range indicated using “ ⁇ ” indicates a range including the numerical values before and after " ⁇ " as the minimum and maximum values, respectively.
  • the upper or lower limit of a numerical range of a certain stage may be replaced by the upper or lower limit of a numerical range of another stage.
  • the upper or lower limit of the numerical range may be replaced by the values shown in the examples.
  • Transmission loss refers to the degree to which signals such as electrical, optical, or acoustic signals attenuate in a communication path depending on the distance, etc. In the case of a wiring board on which a transmission line such as a microstrip line is formed, the higher the frequency of the signal, the greater the transmission loss.
  • Figure 1 is a diagram to explain the breakdown of transmission loss.
  • Transmission loss is equal to the sum of dielectric loss, scattering loss, and conductor loss.
  • Dielectric loss is a phenomenon in which, when an AC electric field is applied to a dielectric, part of the electrical energy supplied by the AC electric field is lost as heat inside the dielectric. Dielectric loss depends on the dielectric properties of the dielectric. Specifically, the magnitude of dielectric loss varies depending on the dielectric tangent and dielectric constant. The higher the frequency, the greater the dielectric loss, and the greater the dielectric tangent or dielectric constant.
  • conductor wiring 11 is formed on or above and below substrate 12, which is a dielectric.
  • substrate 12 which is a dielectric.
  • Conductor loss refers to the phenomenon in which part of the energy of a signal transmitted through the conductor wiring 11 becomes Joule heat inside the conductor wiring 11 and is lost due to the resistance or skin effect of the conductor wiring 11.
  • the current signal is direct current
  • the current signal is alternating current
  • the higher the frequency of the signal the shallower the skin depth becomes due to the skin effect.
  • Skin depth is an index that indicates how far below the surface of the conductor the current flows. The shallower the skin depth, the higher the resistance of the conductor wiring 11 becomes for an AC signal. For this reason, when an AC current signal is transmitted through the conductor wiring 11, the higher the frequency of the signal, the greater the conductor loss.
  • Scattering loss refers to the phenomenon in which, when a high-frequency electric field is applied to the conductor wiring 11, the signal transmitted through the conductor wiring 11 is scattered and lost as heat due to roughened areas on the surface of the conductor wiring 11 or on the interface between the conductor wiring 11 and the substrate 12.
  • a roughened area refers to an uneven area on the surface or interface.
  • the surface of conductor wiring 11 or the interface between conductor wiring 11 and substrate 12 is often roughened to improve adhesion between conductor wiring 11 and substrate 12.
  • the higher the frequency band of the signal the greater the skin effect. Therefore, scattering due to the roughened parts of the surface of conductor wiring 11 or the interface between conductor wiring 11 and substrate 12 can be a major factor affecting transmission loss.
  • FIG. 2 is a perspective view showing an example of the configuration of the wiring board of the first embodiment.
  • Fig. 3 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the wiring board of the first embodiment.
  • Figs. 2 and 3 may show an example of the configuration in which a part of the wiring board of the first embodiment is cut out. This also applies to the drawings showing other embodiments described later.
  • the first embodiment will be described with reference to Figs. 2 and 3.
  • the wiring board 101 shown in Figures 2 and 3 includes a substrate 12 and conductor wiring 11.
  • the substrate 12 includes an insulating layer 20, a magnetic layer 30, and a conductor layer 50.
  • the conductor wiring 11 is a conductive signal line extending in the Y-axis direction.
  • the conductor wiring 11 has an input end 15 facing the negative Y-axis direction, an output end 16 facing the positive Y-axis direction, an upper surface 14 facing the positive Z-axis direction, and a lower surface 13 facing the negative Z-axis direction.
  • the lower surface 13 is a surface that is in close contact with the first main surface 21 of the insulating layer 20.
  • the high-frequency current signal transmitted through the conductor wiring 11 flows from the input end 15 to the output end 16.
  • the conductor wiring 11 has a wiring length L in the Y-axis direction from the input end 15 to the output end 16, a wiring width w1 in the X-axis direction from one side to the other side, and a wiring thickness d1 in the Z-axis direction from the bottom surface 13 to the top surface 14.
  • the conductor wiring 11 is a signal line of a transmission line formed on the wiring board 101.
  • Examples of the transmission line include a microstrip line, a coplanar line, and a strip line.
  • the conductor layer 50 functions as a ground pattern of the transmission line.
  • the conductor wiring 11 is formed of a conductive metal such as copper.
  • the insulating layer 20 is an insulator that extends along the XY plane.
  • the insulating layer 20 has a first main surface 21 that faces the positive Z-axis direction and a second main surface 22 that faces the negative Z-axis direction.
  • the second main surface 22 is the surface opposite the first main surface 21 in the Z-axis direction.
  • the insulating layer 20 has a width w2 along the X-axis direction, a length L along the Y-axis direction, and a thickness d2 along the Z-axis direction.
  • the thickness d2 of the insulating layer 20 can be set appropriately according to the wiring thickness d1 of the conductor wiring 11 to be formed, and may be, for example, 30 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, 5 ⁇ m or less, or 3 ⁇ m or less.
  • the thickness d2 of the insulating layer 20 may be 1 ⁇ m or more from the viewpoint of insulation reliability.
  • the magnetic layer 30 is a magnetic material that extends along the XY plane and has a relative permeability greater than 1.
  • the magnetic layer 30 is located on the second main surface 22 side of the insulating layer 20 and may be in contact with the second main surface 22.
  • the magnetic layer 30 is located away from the conductor wiring 11 without contacting the conductor wiring 11, since the insulating layer 20 is sandwiched between the magnetic layer 30 and the conductor wiring 11.
  • the magnetic layer 30 has a width w2 along the X-axis direction, a length L along the Y-axis direction, and a thickness d3 along the Z-axis direction.
  • the magnetic layer 30 is located between the insulating layer 20 and the conductor layer 50.
  • the magnetic layer 30 is, for example, an insulating magnetic layer having an insulator containing a magnetic material.
  • An insulator containing a magnetic material is also called a magnetic insulator.
  • the composition for forming the insulating magnetic layer will be described later.
  • the conductor layer 50 is located on the opposite side of the magnetic layer 30 from the insulating layer 20.
  • the conductor layer 50 is a conductor that extends along the XY plane.
  • the conductor layer 50 functions as a ground pattern for the transmission line formed on the wiring board 101.
  • the conductor layer 50 may be the same type of conductor as the conductor wiring 11, or may be a different type of conductor from the conductor wiring 11.
  • the conductor layer 50 may be in contact with the bottom surface of the magnetic layer 30.
  • Figure 4 is a diagram showing an example of current distribution in the conductor wiring 11 when there is no magnetic layer 30.
  • Figure 5 is a diagram showing an example of current distribution in the conductor wiring 11 when there is a magnetic layer 30.
  • Figures 4 and 5 are contour diagrams showing the current density in the ZX cross section of the conductor wiring 11 through which a high-frequency current of 0.1 GHz flows. The lower surface 13 of the conductor wiring 11 contacts the first main surface 21 of the insulating layer 20.
  • the lower surface 13 of the conductor wiring 11 or the first main surface 21 of the insulating layer 20 has an arithmetic mean roughness of 0.1 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • the arithmetic mean roughness is also referred to as Ra.
  • the surface roughness of the lower surface 13 or the first main surface 21 is greater than when Ra is less than 0.1 ⁇ m. This improves adhesion between the conductor wiring 11 and the insulating layer 20.
  • the surface roughness of the lower surface 13 or the first main surface 21 is smaller than when Ra exceeds 5.0 ⁇ m. This reduces scattering loss caused by the roughened portion of the lower surface 13 of the conductor wiring 11 or the interface between the lower surface 13 and the first main surface 21.
  • the lower surface 13 of the conductor wiring 11 or the first main surface 21 of the insulating layer 20 has an arithmetic mean roughness of 0.1 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less, thereby achieving both adhesion between the conductor wiring 11 and the insulating layer 20 and suppression of scattering loss occurring between the conductor wiring 11 and the insulating layer 20.
  • Ra is preferably 0.1 ⁇ m or more, more preferably 0.2 ⁇ m or more, and even more preferably 0.5 ⁇ m or more. In terms of suppressing scattering loss that occurs between the conductor wiring 11 and the insulating layer 20, Ra is preferably 5.0 ⁇ m or less, more preferably 3.0 ⁇ m or less, and even more preferably 1.0 ⁇ m or less.
  • the lower surface 13 has a portion with an Ra of 0.1 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less in a portion that overlaps with the first main surface 21 in a planar view of the wiring board 101 in the Z-axis direction, thereby ensuring adhesion and suppressing scattering loss.
  • the first main surface 21 has a portion with an Ra of 0.1 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less in a portion that overlaps with the lower surface 13 in a planar view of the wiring board 101 in the Z-axis direction, thereby ensuring adhesion and suppressing scattering loss.
  • Ra is measured, for example, in accordance with JIS B0601-2001.
  • the average line for measuring Ra is, for example, a line extending along the Y-axis direction in which the current signal flows through the conductor wiring 11.
  • the thickness d3 may be 0.2 ⁇ m or more and 80 ⁇ m or less, or 0.5 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less.
  • the magnetic layer 30 can suppress scattering loss if it has a relative permeability of 1.5 or more.
  • the relative permeability of the magnetic layer 30 may be 2 or more, 3 or more, 10 or more, or 20 or more.
  • the upper limit of the relative permeability of the magnetic layer 30 is not particularly limited, but is, for example, a value of 1000 or less.
  • the frequency of the signal transmitted through the conductor wiring 11 is not particularly limited, but is, for example, a value of 100 GHz or less.
  • the magnetic layer 30 has a portion that is wider than the conductor wiring 11, scattering loss can be suppressed.
  • the magnetic layer 30 illustrated in Figures 2 and 3 has a width w2 that is wider than the wiring width w1 of the conductor wiring 11.
  • the insulating layer 20 has a portion that is the same as the thickness d3 of the magnetic layer 30 or is thinner than the thickness d3 of the magnetic layer 30, scattering loss can be suppressed.
  • the insulating layer 20 has a thickness d2 that is the same as the thickness d3 of the magnetic layer 30 or is thicker than the thickness d3.
  • Second Embodiment 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of a wiring board according to the second embodiment.
  • the description of the configuration, operation, and effect similar to those of the first embodiment will be omitted or simplified by invoking the above description.
  • the wiring board 102 of the second embodiment shown in FIG. 6 differs from the wiring board 101 of the first embodiment shown in FIG. 3 in that it further includes an insulating layer 40.
  • the wiring board 102 shown in FIG. 6 includes an insulating layer 40 between the magnetic layer 30 and the conductor layer 50.
  • the insulating layer 40 is an example of a second insulating layer, and is an insulator that extends along the XY plane.
  • the insulating layer 40 has a thickness d4 along the Z-axis direction.
  • the insulating layer 40 may be the same type of insulator as the insulating layer 20, or may be a different type of insulator from the insulating layer 20.
  • the insulating layer 40 may be in contact with the lower surface of the magnetic layer 30.
  • the insulating layer 40 may be in contact with the upper surface of the conductor layer 50.
  • the insulating layer 40 is disposed so as to sandwich the magnetic layer 30 between the insulating layer 40 and the insulating layer 20.
  • the insulating layer 40 may be in contact with the magnetic layer 30.
  • the insulating layer 40 has a width w2 in the X-axis direction and a length L in the Y-axis direction.
  • the insulating layer 40 for example, a substrate obtained by laminating several sheets of known prepregs and subjecting them to a pressure and heat treatment can be used. Such prepregs can be made by impregnating a fiber base material (reinforced fiber) such as glass fiber or organic fiber with a prepared resin varnish using a known method, for example, a glass epoxy composite substrate can be used. In addition, a metal substrate or a ceramic substrate can be used as the core material to which the prepregs are laminated. Furthermore, as the insulating layer 40, a known low-dielectric substrate can be used, such as a substrate using a low-dielectric resin material such as polyimide resin, fluorine resin, or liquid crystal polymer (LCP).
  • a low-dielectric resin material such as polyimide resin, fluorine resin, or liquid crystal polymer (LCP).
  • Examples of the resin material constituting the insulating layer 40 include thermosetting resins and thermoplastic resins.
  • the resin materials may be used alone or in combination of two or more types.
  • thermosetting resins include polycarbonate resin, thermosetting polyimide resin, thermosetting fluorinated polyimide resin, epoxy resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, thermosetting urethane resin, fluororesin, liquid crystal polymer, etc.
  • fluororesin include polymers of fluorine-containing olefins such as polytetrafluoroethylene (PTFE).
  • thermoplastic resins include olefin resins, acrylic resins, polystyrene resins, polyester resins, polyacrylonitrile resins, maleimide resins, polyvinyl acetate resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, polyvinyl alcohol resins, polyamide resins, polyvinyl chloride resins, polyacetal resins, polyphenylene oxide resins, polyphenylene sulfide resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyetheretherketone resins, polyarylsulfone resins, thermoplastic polyimide resins, thermoplastic fluorinated polyimide resins, thermoplastic urethane resins, polyetherimide resins, polymethylpentene resins, cellulose resins, liquid crystal polymers, and ionomers.
  • olefin resins acrylic resins, polystyrene resins, polyester resins, polyacrylonitrile resins, maleimide resins, polyvin
  • the insulating layer 40 may be a single layer or a multilayer.
  • the insulating layer 40 may have an adhesive layer on its surface.
  • the thickness of the insulating layer 40 may be between 10 ⁇ m and 1 mm.
  • the lower surface 13 of the conductor wiring 11 or the first main surface 21 of the insulating layer 20 has an arithmetic mean roughness of 0.1 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less. This makes it possible to achieve both adhesion between the conductor wiring 11 and the insulating layer 20 and suppression of scattering loss that occurs between the conductor wiring 11 and the insulating layer 20.
  • Fig. 7 is a diagram for explaining an example of the concept of a scattering loss evaluation method. A method for calculating the magnitude of scattering loss has not been established at present. For this reason, in this specification, as shown in Fig. 7, the loss amount obtained by subtracting the transmission loss amount calculated when the interface has roughness from the transmission loss amount calculated when the interface does not have roughness is defined as the magnitude of scattering loss generated by the roughened portion of the interface.
  • FIG. 8 is a simulation diagram showing an example of scattering loss calculated using the evaluation method of FIG. 7.
  • S21 is one of the S parameters, and represents the transmission coefficient from the input end 15 to the output end 16 in the conductor wiring 11.
  • S11 is one of the S parameters, and represents the input reflection coefficient indicating the ratio of a signal reflected at the input end 15 to a signal input to the input end 15 in the conductor wiring 11. The smaller S21_rev is, the larger the transmission loss of the conductor wiring 11 is.
  • FIG. 9 is a table showing an example of the results of calculating the scattering loss of the wiring board of the first embodiment and the wiring board of the comparative embodiment using the evaluation method shown in FIG. 7 and FIG. 8.
  • the wiring board of the comparative embodiment corresponds to the calculation result when the relative permeability ⁇ of the magnetic layer 30 of the wiring board 101 of the first embodiment shown in FIG. 3 is set to 1.
  • "Loss ratio” represents the degree of reduction in scattering loss of the wiring board 101 of the first embodiment relative to the scattering loss of the wiring board of the comparative embodiment. The smaller the loss ratio, the higher the effect of reducing scattering loss.
  • FIG. 9 shows the scattering loss calculated for each dimension example of pattern 1 to pattern 9.
  • the dimensions and parameters used in the calculation shown in FIG. 9 are as follows: Wiring width w1: 100 ⁇ m Wiring thickness d1: 20 ⁇ m Thickness d2 of the insulating layer 20: 10 ⁇ m, 20 ⁇ m or 30 ⁇ m Thickness d3 of the magnetic layer 30: 10 ⁇ m, 20 ⁇ m or 30 ⁇ m Dielectric tangent of insulating layer 20: 0.03 @ 60 GHz Relative dielectric constant of insulating layer 20: 5 @ 60 GHz Ra of the lower surface 13 or the first main surface 21: 0.5 ⁇ m Let us assume that.
  • FIG. 10 is a graph showing an example of the calculation results of the scattering loss of the wiring board of the first embodiment and a wiring board of a comparative embodiment.
  • FIG. 10 shows the simulation results of the scattering loss calculated for each of the dimension examples of patterns 1 to 9 shown in FIG. 9. As shown in FIGS. 9 and 10, in any of patterns 1 to 9, when the magnetic layer 30 is provided, the scattering loss can be suppressed compared to when the magnetic layer 30 is not provided.
  • patterns 1, 2, and 3 are calculation groups in which the thickness d2 of the insulating layer 20 is set to different values while the thickness d3 of the magnetic layer 30 is fixed to 10 ⁇ m.
  • Patterns 4, 5, and 6 are calculation groups in which the thickness d2 of the insulating layer 20 is set to different values while the thickness d3 of the magnetic layer 30 is fixed to 20 ⁇ m.
  • Patterns 7, 8, and 9 are calculation groups in which the thickness d2 of the insulating layer 20 is set to different values while the thickness d3 of the magnetic layer 30 is fixed to 30 ⁇ m. In all calculation groups, the effect of suppressing scattering loss is enhanced by having the thickness d2 of the insulating layer 20 be the same as or thinner than the thickness d3 of the magnetic layer 30.
  • ⁇ Scattering Loss Evaluation Result Example 2> 11 is a graph showing an example of the calculation results of the scattering loss of the wiring board of the first embodiment and the wiring board of the comparative embodiment.
  • the wiring board of the comparative embodiment corresponds to the calculation results when the relative permeability ⁇ of the magnetic layer 30 of the wiring board 101 of the first embodiment shown in FIG. 3 is set to 1.0.
  • FIG. 11 shows the scattering loss calculated for three different Ra.
  • the dimensions and parameters used in the calculation shown in FIG. 11 are as follows: Wiring width w1: 100 ⁇ m Wiring thickness d1: 20 ⁇ m Thickness d2 of the insulating layer 20: 20 ⁇ m Thickness d3 of the magnetic layer 30: 10 ⁇ m Dielectric tangent of insulating layer 20: 0.03 @ 60 GHz Relative dielectric constant of insulating layer 20: 5 @ 60 GHz Ra of the lower surface 13 or the first main surface 21: 0.1 ⁇ m, 0.2 ⁇ m or 0.3 ⁇ m Let us assume that.
  • ⁇ Scattering Loss Evaluation Result Example 3> 12 is a graph showing an example of the calculation results of the scattering loss of the wiring board of the second embodiment and the wiring board of the comparative embodiment.
  • the wiring board of the comparative embodiment corresponds to the calculation results when the relative permeability ⁇ of the magnetic layer 30 of the wiring board 102 of the second embodiment shown in FIG. 6 is set to 1.0.
  • FIG. 12 shows the scattering loss calculated for three different Ra.
  • the dimensions and parameters used in the calculation shown in FIG. 12 are as follows: Wiring width w1: 100 ⁇ m Wiring thickness d1: 20 ⁇ m Thickness d2 of the insulating layer 20: 20 ⁇ m Thickness d3 of the magnetic layer 30: 10 ⁇ m Thickness d4 of the insulating layer 40: 10 ⁇ m Dielectric tangent of insulating layer 20: 0.03 @ 60 GHz Relative dielectric constant of insulating layer 20: 5 @ 60 GHz Ra of the lower surface 13 or the first main surface 21: 0.1 ⁇ m, 0.2 ⁇ m or 0.3 ⁇ m Let us assume that.
  • the insulating magnetic layer-forming composition is a curable composition that contains a magnetic material, and can be formed, for example, by mixing a binder resin varnish and a magnetic powder.
  • the magnetic material may be, for example, at least one type of magnetic powder selected from the group consisting of a simple metal, an alloy, and a metal compound.
  • the alloy may include at least one type selected from the group consisting of a solid solution, a eutectic, an amorphous metal, and an intermetallic compound.
  • the metal compound may be a metal oxide.
  • the magnetic material may be a metal oxide or an amorphous metal, or may be a metallic glass magnetic powder.
  • metal oxides include ferrite.
  • amorphous metals include Fe-based nanocrystalline alloys and Co-based nanocrystalline alloys.
  • the magnetic powder may contain one type of metal element or multiple types of metal elements.
  • the metal element contained in the magnetic powder may be, for example, a base metal element, a precious metal element, a transition metal element, or a rare earth element.
  • the metal element contained in the magnetic powder may be, for example, at least one element selected from the group consisting of iron (Fe), copper (Cu), titanium (Ti), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), aluminum (Al), tin (Sn), chromium (Cr), barium (Ba), strontium (Sr), lead (Pb), silver (Ag), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), and dysprosium (Dy).
  • the magnetic powder may contain elements other than metal elements.
  • the magnetic powder may contain, for example, oxygen, boron, or silicon.
  • At least one composition selected from the group consisting of Fe-Si alloys, Fe-Si-Al alloys (Sendust), Fe-Ni alloys (Permalloy), Fe-Cu-Ni alloys (Permalloy), Fe-Cr-Si alloys, Fe-Cr alloys, Fe-Ni-Cr alloys (electromagnetic stainless steel), Nd-Fe-B alloys (rare earth magnets), Al-Ni-Co alloys (Alnico magnets), and ferrites can be used.
  • the ferrites may be, for example, spinel ferrites, hexagonal ferrites, or garnet ferrites.
  • the Fe-based alloy may be an Fe-amorphous alloy.
  • the Fe-amorphous alloy powder is an amorphous powder obtained by rapidly cooling an alloy in which the main component Fe is melted at high temperature together with other elements such as Si, and is also known as metallic glass.
  • the Fe-amorphous alloy powder can be produced according to a method well known in the art.
  • the Fe-amorphous alloy powder may be commercially available products such as those manufactured by Epson Atmix Corporation under the product names "AW2-08" and "KUAMET-6B2", those manufactured by Daido Steel Co., Ltd.
  • the magnetic powder may contain one of the above elements and compositions, or may contain multiple of the above elements and compositions.
  • the magnetic powder may be spherical, nearly spherical, flake-like, or elliptical.
  • the magnetic powder may also be in various other shapes, including corners. From the viewpoint of excellent fluidity, the magnetic powder may be spherical.
  • the average particle size of the magnetic powder may be 0.005 to 50 ⁇ m.
  • the "average particle size” refers to the particle size at an integrated value of 50% (volume basis) in the particle size distribution.
  • the magnetic powder may be a mixture of particles with two or three different average particle sizes so as to achieve close packing.
  • the magnetic powder may have a coating on the surface.
  • the coating may be formed, for example, from an inorganic salt, an acrylic resin, a silicon acid compound, or the like.
  • the magnetic powder may also have the entire or part of its surface coated with a surface treatment agent.
  • the surface treatment agent may be, for example, an inorganic oxide, a phosphoric acid compound, a phosphate compound, an inorganic surface treatment agent such as a silane coupling agent, an organic surface treatment agent such as montan wax, or a hardened resin. Coupling agents, which will be described later, may also be used as the surface treatment agent.
  • the surface of a metal-based magnetic powder such as an Fe-based alloy may be entirely or partly coated with an insulating material. Examples of insulating materials include silica, titania, calcium phosphate, montan wax, and hardened epoxy resin.
  • the magnetic powder may include magnetic powder whose surface is coated with an insulating material (hereinafter referred to as insulating coated magnetic powder).
  • the insulating coated magnetic powder may be used alone or in combination of two or more types.
  • the average particle diameters of the two or more types of insulating coated magnetic powder may be the same or different.
  • insulating coated magnetic powder may be used in combination with magnetic powder that does not have an insulating coating (hereinafter referred to as uncoated magnetic powder).
  • the average particle diameter of the uncoated magnetic powder may be the same as or different from the average particle diameter of the insulating coated magnetic powder.
  • the average particle diameter of the uncoated magnetic powder may be smaller than the average particle diameter of the insulating coated magnetic powder.
  • the insulating coated magnetic powder may be Fe amorphous alloy powder having an insulating coating.
  • Fe amorphous alloy powder having an insulating coating.
  • commercially available products such as "KUAMET9A4" (Fe-Si-B alloy, D50: 20 ⁇ m, with insulating coating) manufactured by Epson Atmix Corporation and "SAP-2D(C)" (Fe-Si-B-PNb-Cr alloy, D50: 2.3 ⁇ m, with insulating coating) manufactured by Shinto Kogyo Co., Ltd. can be used as the insulating coated magnetic powder.
  • the content of the magnetic powder in the insulating magnetic layer forming composition may be 70 to 99 parts by mass, or 80 to 90 parts by mass, when the total mass of the composition is 100 parts by mass.
  • the binder resin varnish can be a resin composition.
  • the resin composition may contain an epoxy resin.
  • Epoxy resins include, for example, epoxy resins having a condensed ring structure such as naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, naphthol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, naphthol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, and dicyclopentadiene type epoxy resins; bisphenol A type epoxy resins; bisphenol F type epoxy resins; bisphenol S type epoxy resins; bisphenol AF type epoxy resins; trisphenol type epoxy resins; Examples of such epoxy resins include novolac-type epoxy resins, naphthol novolac-type epoxy resins, phenol novolac-type epoxy resins, tert-butyl-catechol-type epoxy resins, gly
  • the epoxy resin may be an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule.
  • the epoxy resin may be in a liquid or solid state at a temperature of 25°C.
  • liquid epoxy resins As epoxy resins that are liquid at 25°C (hereinafter also referred to as "liquid epoxy resins"), bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, alicyclic epoxy resins having an ester skeleton, cyclohexane dimethanol type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure can be used.
  • liquid epoxy resins bisphenol A type epoxy resins
  • bisphenol F type epoxy resins bisphenol AF type epoxy resins
  • naphthalene type epoxy resins glycidyl ester type epoxy resins
  • glycidyl amine type epoxy resins glycidyl amine type epoxy resins
  • phenol novolac type epoxy resins ali
  • Liquid epoxy resins include "HP4032”, “HP4032D”, and “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resins) manufactured by DIC Corporation, “828US”, “jER828EL” (bisphenol A type epoxy resin), “jER807” (bisphenol F type epoxy resin), “jER152” (phenol novolac type epoxy resin), “630", and “630LSD” (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and “ZX1059” (a mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd.
  • EX-721 (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation, "Celloxide 2021P” (alicyclic epoxy resin with an ester structure) and “PB-3600” (epoxy resin with a butadiene structure) manufactured by Daicel Corporation
  • ZX1658 and “ZX1658GS” (liquid 1,4-glycidylcyclohexane) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.
  • 630LSD (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
  • EP-3980S (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by ADEKA Corporation.
  • Epoxy resins that are solid at 25°C include naphthalene-type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolac-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, trisphenol-type epoxy resins, naphthol-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, naphthylene ether-type epoxy resins, anthracene-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, and tetraphenylethane-type epoxy resins.
  • Solid epoxy resins include "HP4032H” (naphthalene-type epoxy resin), “HP-4700”, “HP-4710” (naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin), “N-690” (cresol novolac-type epoxy resin), “N-695", “N-680” (cresol novolac-type epoxy resin), “HP-7200” (dicyclopentadiene-type epoxy resin), "HP-7200HH”, and "HP- 7200H", "EXA-7311”, “EXA-7311-G3", “EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S”, "HP6000” (naphthylene ether type epoxy resin), Nippon Kayaku's "EPPN-502H” (trisphenol type epoxy resin), "NC7000L” (naphthol novolac type epoxy resin), "NC3000H", “NC3000”, “NC3000L”, “NC Commercially available products such as "3100” (bipheny
  • the resin composition may contain a curing agent.
  • the curing agent include phenol-based curing agents, naphthol-based curing agents, benzoxazine-based curing agents, and cyanate ester-based curing agents.
  • the curing agents may be used alone or in combination of two or more.
  • Phenol-based and naphthol-based hardeners that can be used include phenol-based hardeners with a novolac structure, naphthol-based hardeners with a novolac structure, nitrogen-containing phenol-based hardeners, and triazine skeleton-containing phenol-based hardeners.
  • Phenol-based and naphthol-based hardeners include Meiwa Kasei's “MEH-7700”, “MEH-7810”, and “MEH-7851”, Nippon Kayaku's “NHN”, “CBN”, and “GPH”, Nippon Steel & Sumikin Chemical's “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475", “SN485", “SN495V”, “SN375”, and “SN395", and DIC's "TD2090".
  • benzoxazine-based hardeners include “HFB2006M” manufactured by Showa Polymer Co., Ltd., and “P-d” and “F-a” manufactured by Shikoku Chemical Industries Co., Ltd.
  • Cyanate ester curing agents include, for example, bifunctional cyanate resins such as bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanate phenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanate phenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanate phenyl)thioether, and bis(4-cyanate phenyl)ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac and cresol novolac, and prepolymers in which these cyanate resins
  • cyanate ester curing agents commercially available products such as “PT30” and “PT60” (both phenol novolac type multifunctional cyanate ester resins), “BA230” and “BA230S75” (prepolymers in which part or all of bisphenol A dicyanate has been converted to triazine and formed into a trimer) manufactured by Lonza Japan can be used.
  • the content of the curing agent in the resin composition may be 0.1 parts by mass or more, 0.3 parts by mass or more, or 0.5 parts by mass or more, and may be 5 parts by mass or less, 3 parts by mass or less, or 2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the resin component in the resin composition.
  • the resin composition may contain a curing accelerator.
  • the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators.
  • the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators.
  • the curing accelerators may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of phosphorus-based curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyltriphenylphosphonium thiocyanate.
  • Amine-based curing accelerators include, for example, trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene, etc., such as 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene.
  • Imidazole-based hardening accelerators include, for example, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2 -phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoeth
  • Imidazole-based curing accelerators can be commercially available products such as "P200-H50” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
  • guanidine-based curing accelerators include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, and 1-(o-tolyl)biguan
  • Metal-based curing accelerators include, for example, organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin.
  • Organometallic complexes include organocobalt complexes such as cobalt(II) acetylacetonate and cobalt(III) acetylacetonate, organocopper complexes such as copper(II) acetylacetonate, organozinc complexes such as zinc(II) acetylacetonate, organoiron complexes such as iron(III) acetylacetonate, organonickel complexes such as nickel(II) acetylacetonate, and organomanganese complexes such as manganese(II) acetylacetonate.
  • Organometallic salts include zinc octoate, tin octoate, zinc naphthenate, co
  • the content of the curing accelerator in the resin composition may be 0.001 parts by mass or more, 0.005 parts by mass or more, or 0.01 parts by mass or more, and may be 0.1 parts by mass or less, 0.08 parts by mass or less, or 0.05 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the non-volatile components in the resin composition.
  • the resin composition may contain a thermoplastic resin.
  • the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, siloxane resin, poly(meth)acrylic resin, polyalkylene resin, polyalkyleneoxy resin, polyisoprene resin, polyisobutylene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene ether resin, polycarbonate resin, polyetheretherketone resin, and polyester resin.
  • Phenoxy resins include “1256” and “4250” (both phenoxy resins containing bisphenol A structure), “YX8100” (phenoxy resin containing bisphenol S structure), and “YX6954” (phenoxy resin containing bisphenol acetophenone structure) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
  • the thermoplastic resin may have one or more structures selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule. These structures may be included in the main chain or in the side chain.
  • the polybutadiene structure may be partially or completely hydrogenated.
  • the polyalkyleneoxy structure may be a polyalkyleneoxy structure having 2 to 15 carbon atoms, a polyalkyleneoxy structure having 3 to 10 carbon atoms, or a polyalkyleneoxy structure having 5 to 6 carbon atoms.
  • the thermoplastic resin may have a number average molecular weight (Mn) of 1,000 or more, 1,500 or more, 3,000 or more, or 5,000 or more, and may be 1,000,000 or less, or 900,000 or less.
  • Mn number average molecular weight refers to the number average molecular weight in terms of polystyrene measured using GPC (gel permeation chromatography).
  • the thermoplastic resin may have a functional group capable of reacting with an epoxy resin.
  • the functional group capable of reacting with an epoxy resin may be one or more functional groups selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group.
  • Polybutadiene resins that can be used include commercially available products such as "Ricon 130MA8", “Ricon 130MA13", “Ricon 130MA20”, “Ricon 131MA5", “Ricon 131MA10”, “Ricon 131MA17”, “Ricon 131MA20”, and “Ricon 184MA6” (polybutadiene containing acid anhydride groups) manufactured by Cray Valley Corporation, "GQ-1000” (polybutadiene with hydroxyl and carboxyl groups introduced), “G-1000", “G-2000”, and “G-3000” (polybutadiene with hydroxyl groups at both ends), “GI-1000", “GI-2000”, and “GI-3000” (hydrogenated polybutadiene with hydroxyl groups at both ends) manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., and "FCA-061L” (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Corporation.
  • Poly(meth)acrylic resins that can be used include commercially available products such as Teisan Resin manufactured by Nagase ChemteX Corporation, and ME-2000, W-116.3, W-197C, KG-25, and KG-3000 manufactured by Negami Chemical Industries, Ltd.
  • Polycarbonate resins that can be used include commercially available products such as “T6002” and “T6001” (polycarbonate diols) manufactured by Asahi Kasei Chemicals Corporation, and “C-1090", “C-2090”, and “C-3090” (polycarbonate diols) manufactured by Kuraray Co., Ltd.
  • Thermoplastic resins include Shin-Etsu Silicone's "SMP-2006”, “SMP-2003PGMEA”, and “SMP-5005PGMEA", linear polyimides made from amine-terminated polysiloxane and tetrabasic acid anhydride (see, for example, International Publication No.
  • KS-1 BL series
  • BM series New Japan Chemical's Rikacoat SN20 and Rikacoat PN20
  • Toyobo's Viromax HR11NN and Viromax HR16NN Hitachi Chemical's KS9100 and KS9300
  • Sumitomo Chemical's PES5003P Solvay Advanced Polymers' polysulfone P1700 and P3500, and Ganz Chemical's AC3832 may also be used.
  • the content of the thermoplastic resin in the resin composition may be 0.1 parts by mass or more, 0.3 parts by mass or more, or 0.5 parts by mass or more, and may be 20 parts by mass or less, 10 parts by mass or less, 5 parts by mass or less, or 3 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the non-volatile components in the resin composition.
  • the resin composition may contain an active ester compound having one or more active ester groups in one molecule.
  • the active ester compound may be used alone or in combination of two or more types.
  • active ester compound compounds having two or more highly reactive ester groups in one molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, can be used.
  • active ester compounds include those obtained by the condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and/or a thiol compound.
  • the active ester compound may be an active ester compound obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound, or may be an active ester compound obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and/or a naphthol compound.
  • the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.
  • phenol compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, catechol, ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol compounds, and phenol novolak.
  • dicyclopentadiene-type diphenol compounds refer to diphenol compounds obtained by condensing one molecule of dicyclopentadiene with two molecules of phenol.
  • active ester compounds include active ester compounds containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated phenol novolac, and active ester compounds containing a benzoylated phenol novolac.
  • dicyclopentadiene-type diphenol structure refers to a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.
  • Active ester compounds containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure include "EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, "HPC-8000-65T”, “HPC-8000H-65TM”, “EXB-8000L-65TM”, and “EXB-8150-65T” (manufactured by DIC Corporation); an active ester compound containing a naphthalene structure includes “EXB9416-70BK” (manufactured by DIC Corporation); an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac includes "DC808 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), as an active ester compound containing a benzoyl compound of phenol novolac, "YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), as an active ester compound which is an acetylated product of phenol novolac, "DC808” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), as an active este
  • the ratio of the epoxy resin to the active ester compound expressed as the ratio of [total number of epoxy groups in the epoxy resin]:[total number of active ester groups in the active ester compound] may be 1:0.01 to 1:5, 1:0.05 to 1:3, or 1:0.1 to 1:1.5.
  • the content of the active ester compound in the resin composition may be 1 part by mass or more, 1.5 parts by mass or more, or 2 parts by mass or more, and may be 40 parts by mass or less, 30 parts by mass or less, 20 parts by mass or less, 10 parts by mass or less, 8 parts by mass or less, or 5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the non-volatile components in the resin composition.
  • a carbodiimide compound having two or more carbodiimide groups in one molecule may be used.
  • the carbodiimide compound may be used alone or in combination of two or more types.
  • the number of carbon atoms in the cycloalkylene group represented by X may be 3 to 20, 3 to 12, or 3 to 6.
  • Examples of cycloalkylene groups include cyclopropylene groups, cyclobutylene groups, cyclopentylene groups, and cyclohexylene groups.
  • the arylene group represented by X is a group in which two hydrogen atoms on the aromatic ring are removed from an aromatic hydrocarbon.
  • the number of carbon atoms in the arylene group (not including the number of carbon atoms in the substituents) may be 6 to 24, 6 to 18, 6 to 14, or 6 to 10.
  • Examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, and an anthracenylene group.
  • the alkylene group, cycloalkylene group or aryl group represented by X may have a substituent.
  • substituents include a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyl group, a cycloalkyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an acyl group and an acyloxy group.
  • halogen atom used as a substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
  • the alkyl group and the alkoxy group as the substituent may be either linear or branched, and may have 1 to 20, 1 to 10, 1 to 6, 1 to 4 or 1 to 3 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group and the cycloalkyloxy group as the substituent may have 3 to 20, 3 to 12 or 3 to 6 carbon atoms.
  • the aryl group as the substituent is a group obtained by removing one hydrogen atom on the aromatic ring from an aromatic hydrocarbon, and may have 6 to 24, 6 to 18, 6 to 14 or 6 to 10 carbon atoms.
  • the aryloxy group as the substituent may have 6 to 24, 6 to 18, 6 to 14 or 6 to 10 carbon atoms.
  • the alkyl group represented by R1 may be either linear or branched, and may have 1 to 20, 1 to 10, 1 to 6, 1 to 4, or 1 to 3 carbon atoms.
  • the aryl group represented by R1 may have 6 to 24, 6 to 18, 6 to 14, or 6 to 10 carbon atoms.
  • p represents an integer from 1 to 5. p may be 1 to 4, 2 to 4, 2, or 3.
  • the content of the structure represented by formula (A) in the carbodiimide compound may be 50 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, 70 parts by mass or more, 80 parts by mass or more, or 90 parts by mass or more when the mass of the entire molecule of the carbodiimide compound is 100 parts by mass.
  • the carbodiimide compound may essentially consist of the structure represented by formula (A) except for the terminal structure. Examples of the terminal structure of the carbodiimide compound include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group, which may have a substituent.
  • the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group used as the terminal structure may be the same as the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group described for the substituent that the group represented by X may have.
  • the substituent that the group used as the terminal structure may have may be the same as the substituent that the group represented by X may have.
  • the weight average molecular weight of the carbodiimide compound may be 500 or more, 600 or more, 700 or more, 800 or more, 900 or more, or 1000 or more, and may be 5000 or less, 4500 or less, 4000 or less, 3500 or less, or 3000 or less.
  • the weight average molecular weight of the carbodiimide compound can be measured, for example, by gel permeation chromatography (GPC) (polystyrene equivalent).
  • the content of the isocyanate group in the carbodiimide compound may be 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1% by mass or less, or 0.5% by mass or less.
  • the carbodiimide compound may be a commercially available product such as Carbodilite (registered trademark) V-02B, V-03, V-04K, V-07, and V-09 manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., or Stavaxol (registered trademark) P, P400, and Hi-Kasil 510 manufactured by Rhein Chemie.
  • the content of the carbodiimide compound in the resin composition may be 0.1 parts by mass or more, 0.3 parts by mass or more, or 0.5 parts by mass or more, and may be 3 parts by mass or less, 2 parts by mass or less, or 1.5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the non-volatile components in the resin composition.
  • the resin composition may further contain other additives as necessary.
  • additives include flame retardants, organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds, and organocobalt compounds, resin additives such as binders, thickeners, defoamers, leveling agents, adhesion promoters, and colorants.
  • the insulating magnetic layer forming composition may be in the form of a paste (hereinafter referred to as "paste").
  • the paste may contain magnetic powder, an epoxy group-containing compound, and a curing agent.
  • the magnetic powder can be the magnetic powder described above.
  • the average particle size of the magnetic powder contained in the paste may be 0.05 to 200 ⁇ m, 0.5 to 100 ⁇ m, or 1 to 50 ⁇ m. If the magnetic powder is coated, the average particle size of the magnetic powder including the coating film may be within the above range.
  • the magnetic powder content in the paste may be 70% by mass or more, or 80% by mass or more, and 99% by mass or less, or 90% by mass or less, based on the total mass of the paste.
  • the magnetic powder content in the paste may be 70-99% by mass, or 80-90% by mass, based on the total mass of the paste.
  • the epoxy group-containing compound means a compound having one or more epoxy groups in the molecule, and may be in the form of any of a monomer, an oligomer, and a polymer having a structural unit formed by polymerization of the monomer.
  • the epoxy group-containing compound is cured by heat treatment and can function as a binder resin that binds the metal element-containing powder.
  • An example of an epoxy group-containing compound is an oligomer and a polymer having two or more epoxy groups in the molecule, which are generally known as epoxy resins.
  • Another example of an epoxy group-containing compound is a compound having one or more epoxy groups in the molecule but not containing a structural unit formed by polymerization (hereinafter referred to as an epoxy compound).
  • Such an epoxy compound is generally known as a reactive diluent.
  • the epoxy group-containing compound preferably includes at least one selected from the group consisting of epoxy resins and epoxy compounds.
  • the epoxy resin may be the same as that blended in the resin composition described above. good.
  • the molecular weight of the epoxy compound may be 100 or more, 150 or more, or 200 or more.
  • an epoxy compound with a molecular weight of 100 or more volatilization before reaction with the curing agent can be suppressed by setting appropriate curing conditions.
  • a low molecular weight reduces the distance between crosslinking points after reaction, making the cured product more likely to crack, which is a defect.
  • the molecular weight of the epoxy compound may be 700 or less, 500 or less, or 300 or less. When an epoxy compound with a molecular weight of 700 or less is used, it is easy to obtain an appropriate viscosity as a diluent.
  • the molecular weight of the epoxy compound may be 100 to 700, 150 to 500, or 200 to 300.
  • an epoxy compound having a molecular weight in such a range it becomes easier to adjust the viscosity of the paste.
  • epoxy compounds harden when heated and are incorporated into the hardened product. Therefore, when an epoxy compound is used, it contributes to adjusting the viscosity of the paste, while at the same time making it possible to suppress a decrease in the properties of the hardened product.
  • the epoxy compound may contain one or more epoxy groups in the molecule.
  • the epoxy compound may be, for example, at least one selected from the group consisting of n-butyl glycidyl ether, versatic acid glycidyl ether, styrene oxide, ethylhexyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, butylphenyl glycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, and trimethylolpropane triglycidyl ether.
  • the epoxy compound may have ionic impurities such as free Na ions and free Cl ions of 500 ppm or less.
  • the epoxy equivalent of the epoxy group-containing compound may be 80 g/eq to 350 g/eq, 100 g/eq to 300 g/eq, or 120 g/eq to 250 g/eq.
  • the viscosity of the epoxy group-containing compound itself is low, making it easy to adjust the viscosity of the paste.
  • the epoxy group-containing compound preferably includes an epoxy group-containing compound that is liquid at 25°C.
  • liquid at 25°C means that the viscosity of the epoxy group-containing compound at 25°C is 200 Pa ⁇ s or less.
  • the above viscosity is a value measured using an E-type viscometer under the following conditions: temperature: 25°C, cone plate type: SPP, cone angle: 1°34', rotation speed: 2.5 rpm.
  • the E-type viscometer for example, a TV-33 type viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. can be used.
  • the amount of volatile components such as organic solvents that are normally used to obtain fluidity can be significantly reduced.
  • a paste that does not contain organic solvents can be formed.
  • the magnetic powder content can be easily increased while ensuring appropriate fluidity as a paste. From these perspectives, the viscosity of the epoxy group-containing compound may be 100 Pa ⁇ s or less, 50 Pa ⁇ s or less, or 10 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity of the epoxy compound among the above epoxy group-containing compounds may be lower than the viscosity of the liquid epoxy resin in terms of adjusting the paste viscosity.
  • the viscosity of the epoxy compound may be 1 Pa ⁇ s or less, 0.5 Pa ⁇ s or less, or 0.1 Pa ⁇ s or less.
  • the epoxy group-containing compound that is liquid at 25°C may contain at least one selected from the group consisting of an epoxy resin that is liquid at 25°C and an epoxy compound that is liquid at 25°C.
  • the content of the epoxy resin that is liquid at 25°C may be 50 mass% or more, 70 mass% or more, 90 mass% or more, or 100 mass% based on the total mass of the epoxy group-containing compound.
  • the liquid epoxy resin at 25°C may contain at least one liquid epoxy resin selected from, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, and aminoglycidyl ether type epoxy resin.
  • liquid epoxy resin selected from, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, and aminoglycidyl ether type epoxy resin.
  • Epoxy group-containing compounds that are liquid at 25°C are also available as commercial products. For example, they are sold by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. as liquid bisphenol A type epoxy resin and liquid bisphenol F type epoxy resin.
  • liquid bisphenol F type epoxy resin can be used with the product name "YDF-8170C” (epoxy equivalent 165, viscosity 1,000 to 1,500 mPa ⁇ s).
  • Epoxy compounds include the Adeka Glysilol (product name) series manufactured by ADEKA Corporation.
  • product name "Adeka Glysilol ED-503G” epoxy equivalent 135, viscosity 15 mPa ⁇ s
  • the paste may further contain other resins in addition to the epoxy group-containing compound.
  • the other resins may include at least one selected from the group consisting of thermosetting resins (excluding epoxy resins) and thermoplastic resins.
  • the thermosetting resin may be, for example, at least one selected from the group consisting of phenolic resins, acrylic resins, polyimide resins, and polyamideimide resins. When a phenolic resin is used in addition to the epoxy group-containing compound, the phenolic resin can also function as a curing agent for the epoxy group-containing compound.
  • the thermoplastic resin may be, for example, at least one selected from the group consisting of acrylic resin, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, and polyethylene terephthalate.
  • the resin component may further contain a silicone resin in addition to the epoxy group-containing compound.
  • the content of the other resin may be 50 mass % or less, 30 mass % or less, or 10 mass % or less based on the total mass of the resin in the paste.
  • the blending amount can be adjusted within a range in which the viscosity of the mixture of the epoxy group-containing compound and the other resin is 50 Pa ⁇ s or less at 25°C.
  • the above viscosity is a value measured using an E-type viscometer under the following conditions: temperature: 25°C, cone plate type: SPP, cone angle: 1°34', rotation speed: 2.5 rpm.
  • the E-type viscometer for example, a TV-33 type viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. can be used.
  • the hardener a compound that can impart appropriate viscosity to the paste and react with the epoxy groups of the epoxy group-containing compound to form a hardened product can be used.
  • a well-known hardener that is generally used as a hardener for epoxy resins can be used. Examples of hardeners include phenol-based hardeners, acid anhydride-based hardeners, and amine-based hardeners.
  • Curing agents are classified into those that cure epoxy resins in the temperature range from low temperature to room temperature, and heat-curing curing agents that cure epoxy resins by heating.
  • curing agents that cure epoxy resins in the temperature range from low temperature to room temperature include aliphatic polyamines, polyaminoamides, and polymercaptans.
  • heat-curing curing agents include aromatic polyamines, acid anhydrides, phenol novolac resins, and dicyandiamide (DICY).
  • a liquid curing agent at 25°C can be used from the viewpoint of reducing the viscosity of the paste.
  • the liquid curing agent for example, at least one selected from the group consisting of aliphatic polyamines, polymercaptans, aromatic polyamines, acid anhydrides, and imidazole-based curing agents can be used. If the increase in the viscosity of the paste can be suppressed, a solid curing agent at 25°C may be used, or a liquid curing agent and a solid curing agent may be used in combination.
  • solid curing agent for example, dicyandiamide, tertiary amines, imidazole-based curing agents, and imidazoline-based curing agents can be used.
  • the exemplified solid curing agents are polyfunctional or act catalytically, so they can function sufficiently even in small amounts.
  • the curing agent may include at least one selected from the group consisting of amine-based curing agents, imidazole-based curing agents, and imidazoline-based curing agents.
  • the curing agent may include at least an amine-based curing agent.
  • Amine-based curing agents (more specifically, tertiary amines), imidazole-based curing agents, and imidazoline-based curing agents may also be used as curing accelerators in combination with other curing agents.
  • the amine-based curing agent may be a compound having at least two amino groups in the molecule.
  • the amine-based curing agent includes at least one selected from the group consisting of aliphatic amines and aromatic amines.
  • the aliphatic amine compound include diethylenetriamine, triethylenetetramine, n-propylamine, 2-hydroxyethylaminopropylamine, cyclohexylamine, and 4,4'-diamino-dicyclohexylmethane.
  • the aromatic amine compound include 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2-methylaniline, an amine compound represented by the following formula (1), and an amine compound represented by the following formula (2).
  • the imidazole-based curing agent is a compound having an imidazole skeleton, and may be an imidazole-based compound in which hydrogen atoms in the molecule are substituted with a substituent.
  • the imidazole-based curing agent may be a compound having an imidazole skeleton, such as an alkyl group-substituted imidazole.
  • Examples of the imidazole-based curing agent include imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, and 2-isopropylimidazole.
  • a commercially available product such as "Curezol 2E4MZ" (2-ethyl-4-methylimidazole) manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd. may be used.
  • the imidazoline-based hardener is a compound having an imidazoline skeleton, and may be an imidazoline-based compound in which hydrogen atoms in the molecule are replaced with a substituent.
  • the imidazoline-based hardener may be a compound having an imidazoline skeleton, such as an alkyl group-substituted imidazoline. Examples of imidazoline-based hardeners include imidazoline, 2-methylimidazoline, and 2-ethylimidazoline.
  • the curing agent may contain an aromatic amine.
  • the aromatic ring of the aromatic amine may have a substituent other than an amino group.
  • it may have an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or an alkyl group having 1 or 3 carbon atoms.
  • the number of aromatic rings in the aromatic amine may be one or two or more. When the number of aromatic rings is two or more, the aromatic rings may be bonded to each other by a single bond or via a linking group such as an alkylene group.
  • the curing agent contains a liquid aromatic amine.
  • a liquid aromatic amine for example, at least one selected from the group consisting of the compound represented by the above formula (1) and the compound represented by the above formula (2) can be used.
  • Liquid aromatic amines that can be used as curing agents are also available commercially. Examples include “Grade: jER Cure WA” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation and “Kayahard AA” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • the content of the curing agent in the paste can be set in consideration of the ratio between the number of equivalents of the epoxy groups in the epoxy group-containing compound, such as the epoxy resin, and the number of equivalents of the active groups in the curing agent.
  • the ratio of the curing agent to 1 equivalent of the epoxy groups in the epoxy group-containing compound may be 0.5 to 1.5 equivalents, 0.9 to 1.4 equivalents, or 1.0 to 1.2 equivalents.
  • the ratio of active groups in the curing agent is 0.5 equivalents or more, the amount of OH per unit weight of the epoxy resin after heat curing is reduced, and the curing speed of the epoxy resin can be prevented from decreasing. In addition, the glass transition temperature of the resulting cured product and the elastic modulus of the cured product can be prevented from decreasing. Furthermore, the insulation reliability of the cured product can be prevented from decreasing due to unreacted resin components in the binder resin. On the other hand, when the ratio of active groups in the curing agent is 1.5 equivalents or less, the mechanical strength of the insulating magnetic layer formed from the paste after heat curing can be prevented from decreasing. In addition, the insulation properties of the cured product can be prevented from decreasing due to unreacted curing agent.
  • the paste may further include a hardening accelerator, if necessary.
  • the paste may include a magnetic powder, an epoxy group-containing compound, a hardener, and a hardening accelerator.
  • the paste may further include additives such as a coupling agent and a flame retardant in addition to the above components.
  • the curing accelerator is not limited as long as it is a compound that can accelerate the curing reaction between the epoxy resin and the curing agent.
  • the curing accelerator include tertiary amines, imidazole-based curing accelerators, imidazoline-based curing accelerators, and phosphorus compounds.
  • the compounds exemplified above as the imidazole-based curing agent and the imidazoline-based curing accelerator may be used as the imidazole-based curing agent and the imidazoline-based curing agent.
  • a curing accelerator can be used in combination.
  • the paste may contain one or more types of curing accelerators. When a curing accelerator is used, the mechanical strength of the insulating magnetic layer formed from the paste is improved, and the curing temperature of the paste can be easily lowered.
  • the amount of the curing accelerator is not particularly limited as long as it is an amount that can achieve a curing acceleration effect.
  • the amount of the curing accelerator may be 0.001 parts by mass or more per 100 parts by mass of the epoxy resin and the curing agent combined.
  • the amount of the curing accelerator may be 0.01 parts by mass or more, or 0.1 parts by mass or more.
  • the amount of the curing accelerator may be 5 parts by mass or less, 4 parts by mass or less, or 3 parts by mass or less.
  • the coupling agent may be, for example, at least one selected from the group consisting of silane-based compounds (silane coupling agents), titanium-based compounds, aluminum compounds (aluminum chelates), and aluminum/zirconium-based compounds.
  • the silane coupling agent may be, for example, at least one selected from the group consisting of epoxy silane, mercapto silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, acid anhydride silane, and vinyl silane.
  • the silane coupling agent may also be an aminophenyl-based silane coupling agent.
  • the paste may contain at least one of the above coupling agents, or may contain two or more of the above coupling agents.
  • the paste may contain a flame retardant for the sake of environmental safety, recyclability, moldability, and low cost of the paste.
  • the flame retardant may be, for example, at least one selected from the group consisting of bromine-based flame retardants, phosphorus-based flame retardants, hydrated metal compound-based flame retardants, silicone-based flame retardants, nitrogen-containing compounds, hindered amine compounds, organometallic compounds, and aromatic engineering plastics.
  • the paste may contain one or more of the flame retardants exemplified above.
  • the paste may contain an organic solvent as necessary.
  • the organic solvent is not particularly limited.
  • an organic solvent capable of dissolving the binder resin may be used.
  • the organic solvent may be, for example, at least one selected from the group consisting of acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, benzene, toluene, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, cyclohexanone, and xylene.
  • the organic solvent may be liquid at room temperature (25°C).
  • the boiling point of the organic solvent may be 50°C or higher and 160°C or lower.
  • the content may be 5% by mass or less, 3% by mass or less, or 1% by mass or less, based on the total mass of the paste.
  • the paste may be substantially free of organic solvent. In this specification, “substantially free” means that no organic solvent has been intentionally added to the paste. Therefore, the paste may contain, for example, an organic solvent that was used during the production of the resin and remains in the resin.
  • the viscosity of the paste may be 1 Pa ⁇ s or more, 10 Pa ⁇ s or more, or 100 Pa ⁇ s or more. By adjusting the viscosity to 1 Pa ⁇ s or more, dripping after application is suppressed, and it is easy to prevent the pattern shape from collapsing after printing. It also prevents the magnetic powder in the paste from settling, and it is easy to improve the deterioration of the application property over time after stirring the paste.
  • the viscosity of the paste may be 600 Pa ⁇ s or less, 400 Pa ⁇ s or less, or 200 Pa ⁇ s or less. By adjusting the viscosity to 600 Pa ⁇ s or less, the paste becomes fluid, and good application property can be easily obtained.
  • the viscosity of the paste may be 10 Pa ⁇ s to 400 Pa ⁇ s, 50 Pa ⁇ s to 300 Pa ⁇ s, or 100 Pa ⁇ s to 250 Pa ⁇ s.
  • the viscosity of the paste can be freely adjusted by the structure and properties of the epoxy group-containing compound, the structure and properties of the curing agent, and the combination and compounding ratio of these, as well as the structure and compounding ratio of additives such as a curing accelerator and a coupling agent.
  • the paste may contain additives such as a viscosity modifier, a thixotropic agent, and a dispersion stabilizer.

Landscapes

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Abstract

導体配線と、前記導体配線の表面が密着する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する絶縁層と、前記絶縁層の前記第２主面側に位置する磁性層と、前記磁性層に対して前記絶縁層とは反対側に位置する導体層と、を備え、前記表面または前記第１主面は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の算術平均粗さを有する、配線基板。

Description

配線基板
　本開示は、配線基板に関する。
　回路基板における電気信号の減衰の要因の一つとして、配線を含む導体層の表面粗度が大きいことが知られている。特に高周波の電気信号が用いられる場合においては、導体層の表面粗度が大きいことによる伝送損失が顕著である。サーバー向けなどの電気信号の高速伝送が求められるいわゆる高周波回路基板においては、特に導体層の表面粗度を小さくすることが望まれる（例えば、特許文献１参照）。
特開２０２１－０１６００６号公報
　導体配線が絶縁層に密着する場合、導体配線または絶縁層の表面粗さが大きいほど、アンカー効果により導体配線と絶縁層との密着性は高まる。しかしながら、導体配線または絶縁層の表面粗さが大きくなると、散乱損失が大きくなるおそれがある。散乱損失とは、導体配線の表面または導体配線と絶縁層との間の界面の粗化部分により電気信号が散乱することで熱として失われる現象のことをいう。
　本開示は、導体配線と絶縁層との密着性と、散乱損失の抑制とを両立可能な配線基板を提供する。
　第１態様の基板配線は、
　導体配線と、
　前記導体配線の表面が密着する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する絶縁層と、
　前記絶縁層の前記第２主面側に位置する磁性層と、
　前記磁性層に対して前記絶縁層とは反対側に位置する導体層と、を備え、
　前記表面または前記第１主面は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の算術平均粗さを有する。
　第２態様は、第１態様の配線基板であって、
　前記磁性層は、０．１μｍ以上１００μｍ以下の厚さを有する。
　第３態様は、第１または第２態様の配線基板であって、
　前記磁性層は、３０ＧＨｚ以上の周波数において、１．５以上の比透磁率を有する。
　第４態様は、第１から第３のいずれか一つの態様の配線基板であって、
　前記磁性層は、前記導体配線よりも幅広な部分を有する。
　第５態様は、第１から第４のいずれか一つの態様の配線基板であって、
　前記絶縁層は、前記磁性層の厚さと同じまたは前記磁性層の厚さよりも薄い部分を有する。
　第６態様は、第１から第５のいずれか一つの態様の配線基板であって、
　前記磁性層と前記導体層との間に第２絶縁層を備える。
　本開示によれば、導体配線と絶縁層との密着性と、散乱損失の抑制とを両立可能な配線基板を提供できる。
伝送損失の内訳を説明するための図である。 第１実施形態の配線基板の一構成例を示す斜視図である。 第１実施形態の配線基板の一構成例を示す断面図である。 磁性層がない場合の導体配線の電流分布の一例を示す図である。 磁性層がある場合の導体配線の電流分布の一例を示す図である。 第２実施形態の配線基板の一構成例を示す断面図である。 散乱損失の評価方法の考え方の一例を説明するための図である。 図７の評価方法を用いて計算された散乱損失の一例を示すシミュレーション図である。 第１実施形態の配線基板と比較形態の配線基板の散乱損失の計算結果の一例を示す表である。 第１実施形態の配線基板と比較形態の配線基板の散乱損失の計算結果の一例を示すグラフである。 第１実施形態の配線基板と比較形態の配線基板の散乱損失の計算結果の一例を示すグラフである。 第２実施形態の配線基板と比較形態の配線基板の散乱損失の計算結果の一例を示すグラフである。
　以下、各実施形態について説明する。本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。
　なお、理解の容易のため、図面における各部の縮尺は、実際とは異なる場合がある。平行、直角、直交、水平、垂直、上、下、左、右などの方向には、実施形態の作用および効果を損なわない程度のずれが許容される。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は、それぞれ、Ｘ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向を表す。Ｘ軸方向とＹ軸方向とＺ軸方向は、互いに直交する。ＸＹ平面、ＹＺ平面、ＺＸ平面は、それぞれ、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な仮想平面、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に平行な仮想平面、Ｚ軸方向およびＸ軸方向に平行な仮想平面を表す。
　「層」という語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含されてよい。以下で例示する材料は、特に断らない限り、一種単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　＜伝送損失について＞
　はじめに、伝送損失について説明する。伝送損失とは、通信経路において、電気、光または音などの信号が距離などに応じて減衰する度合いのことをいう。マイクロストリップ線路等の伝送線路が形成された配線基板の場合、信号の周波数が高くなるほど、伝送損失は大きくなる。
　図１は、伝送損失の内訳を説明するための図である。伝送損失は、誘電損失と散乱損失と導体損失との合計に等しい。
　誘電損失とは、誘電体に交流電場を加えたとき、交流電場によって供給される電気エネルギーの一部が誘電体内部で熱として失われる現象のことをいう。誘電損失は、誘電体の誘電特性に依存する。具体的には、誘電損失の大きさは、誘電正接と誘電率によって変化する。高周波になるほど誘電損失は大きくなり、誘電正接または誘電率が大きいほど誘電損失は大きくなる。
　配線基板１０の場合、誘電体である基板１２の上または上下に導体配線１１が形成されている。導体配線１１に交流の電流信号が流れると、誘電体である基板１２に交流電場が加わる。信号のエネルギーの一部が誘電損失として基板１２の内部で失われると、その分、元の信号のエネルギーが減衰する。
　導体損失とは、導体配線１１の抵抗または表皮効果によって、導体配線１１を伝送する信号のエネルギーの一部が導体配線１１の内部でジュール熱となって失われる現象のことをいう。信号である電流が直流の場合、導体配線１１の抵抗が高いほど、ジュール熱が大きくなる。このため、直流の電流信号が導体配線１１を伝送する場合、導体配線１１の抵抗が高いほど、導体損失は、大きくなる。一方、信号である電流が交流の場合、信号が高周波になるほど、表皮効果により表皮深さが浅くなる。表皮深さとは、導体の表面からどの程度の位置まで電流が流れるかを表す指標である。表皮深さが浅くなるほど、導体配線１１の抵抗は、交流信号では、高くなる。このため、交流の電流信号が導体配線１１を伝送する場合、信号が高周波になるほど、導体損失は、大きくなる。
　散乱損失とは、導体配線１１に高周波電場を加えたとき、導体配線１１の表面または導体配線１１と基板１２との間の界面の粗化部分により、導体配線１１を伝送する信号が散乱することで熱として失われる現象のことをいう。粗化部分とは、表面または界面が凸凹した部分をいう。
　配線基板１０の場合、導体配線１１と基板１２との密着性を上げるため、導体配線１１の表面または導体配線１１と基板１２との間の界面が粗面化処理されている場合が多い。一方、信号が高周波数帯になるほど表皮効果が大きくなる。そのため、導体配線１１の表面または導体配線１１と基板１２との間の界面の粗化部分による散乱が、伝送損失に影響を与える大きな要因となる場合がある。
　なお、導体の表面または界面の粗化処理による損失は、表皮効果による損失として、導体損失に含まれるとする考え方もある。しかしながら、既に計算式が確立されている表皮深さを抵抗増として考慮した導体損失と、計算式が議論中である粗化処理による損失とは、別々に定義した方がわかりやすいと考えられる。そのため、本開示は、散乱損失を、導体損失とは異なる損失として扱う。
　＜第１実施形態＞
　図２は、第１実施形態の配線基板の一構成例を示す斜視図である。図３は、第１実施形態の配線基板の一構成例を示す断面図である。図２および図３は、第１実施形態の配線基板の一部を切り出した構成例を示すものでもよい。この点は、後述の他の実施形態を示す図面についても同様である。以下、図２および図３を参照して、第１実施形態について説明する。
　図２および図３に示す配線基板１０１は、基板１２および導体配線１１を備える。基板１２は、絶縁層２０、磁性層３０および導体層５０を備える。
　導体配線１１は、Ｙ軸方向に延伸する導電性の信号線路である。導体配線１１は、負のＹ軸方向に面する入力端１５と、正のＹ軸方向に面する出力端１６と、正のＺ軸方向に面する上面１４と、負のＺ軸方向に面する下面１３と、を有する。下面１３は、絶縁層２０の第１主面２１に密着する表面である。
　導体配線１１を伝送する高周波の電流信号は、入力端１５から出力端１６へ流れる。導体配線１１は、入力端１５から出力端１６までのＹ軸方向の配線長Ｌと、一方の側面から他方の側面までのＸ軸方向の配線幅ｗ１と、下面１３から上面１４までのＺ軸方向の配線厚ｄ１と、を有する。
　導体配線１１は、配線基板１０１に形成された伝送線路の信号線である。伝送線路として、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路またはストリップ線路などが挙げられる。なお、図２および図３では、導体層５０は、伝送線路のグランドパターンとして機能する。導体配線１１は、銅などの導電性の金属により形成されている。
　絶縁層２０は、ＸＹ平面に沿って拡がる絶縁体である。絶縁層２０は、正のＺ軸方向に面する第１主面２１と、負のＺ軸方向に面する第２主面２２と、を有する。第２主面２２は、Ｚ軸方向において第１主面２１とは反対側の表面である。絶縁層２０は、Ｘ軸方向に沿った幅ｗ２と、Ｙ軸方向に沿った長さＬと、Ｚ軸方向に沿った厚さｄ２と、を有する。
　絶縁層２０の厚さｄ２は、形成する導体配線１１の配線厚ｄ１に合わせて適宜設定することができ、例えば、３０μｍ以下、２０μｍ以下、１０μｍ以下、５μｍ以下、又は３μｍ以下であってもよい。絶縁層２０の厚さｄ２は、絶縁信頼性の観点から１μｍ以上であってもよい。
　磁性層３０は、ＸＹ平面に沿って拡がる磁性体であり、１よりも大きな比透磁率を有する。磁性層３０は、絶縁層２０の第２主面２２側に位置し、第２主面２２に接触してよい。磁性層３０は、導体配線１１との間に絶縁層２０を挟むので、導体配線１１とは接触せずに導体配線１１から離れた位置に配置されている。磁性層３０は、Ｘ軸方向に沿った幅ｗ２と、Ｙ軸方向に沿った長さＬと、Ｚ軸方向に沿った厚さｄ３と、を有する。磁性層３０は、絶縁層２０と導体層５０との間に位置する。
　磁性層３０は、例えば、磁性材を含む絶縁体を有する絶縁磁性層である。磁性材を含む絶縁体は、磁性絶縁体とも称する。絶縁磁性層形成用組成物については、後述する。
　導体層５０は、磁性層３０に対して絶縁層２０とは反対側に位置する。導体層５０は、ＸＹ平面に沿って拡がる導体である。導体層５０は、配線基板１０１に形成された伝送線路のグランドパターンとして機能する。導体層５０は、導体配線１１と同じ種類の導体でもよいし、導体配線１１とは異なる種類の導体でもよい。導体層５０は、磁性層３０の下面に接触してもよい。
　ここで、図４及び図５を参照して、磁性層３０の機能について説明する。図４は、磁性層３０がない場合の導体配線１１の電流分布の一例を示す図である。図５は、磁性層３０がある場合の導体配線１１の電流分布の一例を示す図である。図４及び図５は、０．１ＧＨｚの高周波電流が流れる導体配線１１のＺＸ断面における電流密度を表すコンター図である。導体配線１１の下面１３は、絶縁層２０の第１主面２１に接触する。
　高周波電流が導体配線１１に流れると、導体配線１１の電流密度は、表皮効果により、導体配線１１の表面に近いほど高くなる。磁性層３０がない図４の場合、グランドパターンに比較的近い下面１３に沿った電流密度は、高くなる。一方、磁性層３０がある図５の場合、磁性層３０の存在により、下面１３に沿った電流密度は低下するとともに、導体配線１１の側面、上面１４および上角部に沿った電流密度は増加する。下面１３に沿った電流密度が低下するので、導体配線１１の下面１３または下面１３と第１主面２１との間の界面の粗化部分により発生する散乱損失が抑制される。
　図２および図３に示す第１実施形態の配線基板１０１では、導体配線１１の下面１３または絶縁層２０の第１主面２１は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の算術平均粗さを有する。算術平均粗さは、Ｒａとも称される。
　Ｒａが０．１μｍ以上の場合、Ｒａが０．１μｍ未満の場合に比べて、下面１３または第１主面２１の表面粗さは大きくなる。このため、導体配線１１と絶縁層２０との密着性は高まる。一方、Ｒａが５．０μｍ以下の場合、Ｒａが５．０μｍを超える場合に比べて、下面１３または第１主面２１の表面粗さは小さくなる。このため、導体配線１１の下面１３または下面１３と第１主面２１との間の界面の粗化部分により発生する散乱損失が抑制される。このように、導体配線１１の下面１３または絶縁層２０の第１主面２１は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の算術平均粗さを有することで、導体配線１１と絶縁層２０との密着性と、導体配線１１と絶縁層２０との間に生ずる散乱損失の抑制とを両立できる。
　下面１３または第１主面２１の密着性の向上の点で、Ｒａは、０．１μｍ以上が好ましく、０．２μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましい。導体配線１１と絶縁層２０との間に生ずる散乱損失の抑制の点で、Ｒａは、５．０μｍ以下が好ましく、３．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。
　下面１３は、Ｒａが０．１μｍ以上５．０μｍ以下である箇所を、Ｚ軸方向での配線基板１０１の平面視で第１主面２１に重なる部分に有することで、密着性の確保と散乱損失の抑制を両立できる。第１主面２１は、Ｒａが０．１μｍ以上５．０μｍ以下である箇所を、Ｚ軸方向での配線基板１０１の平面視で下面１３に重なる部分に有することで、密着性の確保と散乱損失の抑制を両立できる。
　Ｒａは、例えば、ＪＩＳ　Ｂ０６０１－２００１に準拠して測定される。Ｒaを測定するための平均線は、例えば、電流信号が導体配線１１を流れるＹ軸方向に沿って延伸する線である。
　磁性層３０は、０．１μｍ以上１００μｍ以下の厚さｄ３を有すると、散乱損失を抑制できる。散乱損失の抑制の点で、厚さｄ３は、０．２μｍ以上８０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上６０μｍ以下でもよい。
　磁性層３０は、３０ＧＨｚ以上の周波数の信号が導体配線１１を伝送する場合において、１．５以上の比透磁率を有すると、散乱損失を抑制できる。散乱損失の抑制の点で、磁性層３０の比透磁率は、３０ＧＨｚ以上の周波数の信号が導体配線１１を伝送する場合において、２以上でもよく、３以上でもよく、１０以上でもよく、２０以上でもよい。磁性層３０の比透磁率の上限値は、特に限定されないが、例えば１０００以下の値である。導体配線１１を伝送する信号の周波数は、特に限定されないが、例えば１００ＧＨｚ以下の値である。
　磁性層３０は、導体配線１１よりも幅広な部分を有すると、散乱損失を抑制できる。図２及び図３に例示する磁性層３０は、導体配線１１の配線幅ｗ１よりも広い幅ｗ２を有する。
　絶縁層２０は、磁性層３０の厚さｄ３と同じまたは磁性層３０の厚さｄ３よりも薄い部分を有すると、散乱損失を抑制できる。例えば、絶縁層２０は、磁性層３０の厚さｄ３と同じまたは厚さｄ３よりも厚い厚さｄ２を有する。
　＜第２実施形態＞
　図６は、第２実施形態の配線基板の一構成例を示す断面図である。第２実施形態において、第１実施形態と同様の構成、作用および効果についての説明は、上述の説明を援用することで省略または簡略する。
　図６に示す第２実施形態の配線基板１０２は、図３に示す第１実施形態の配線基板１０１に対して、絶縁層４０を更に備える点で、配線基板１０１と相違する。図６に示す配線基板１０２は、磁性層３０と導体層５０との間に絶縁層４０を備える。
　絶縁層４０は、第２絶縁層の一例であり、ＸＹ平面に沿って拡がる絶縁体である。絶縁層４０は、Ｚ軸方向に沿って厚さｄ４を有する。絶縁層４０は、絶縁層２０と同じ種類の絶縁体でもよいし、絶縁層２０とは異なる種類の絶縁体でもよい。絶縁層４０は、磁性層３０の下面に接触してもよい。絶縁層４０は、導体層５０の上面に接触してもよい。
　絶縁層４０は、絶縁層２０との間に磁性層３０を挟むように配置されている。絶縁層４０は、磁性層３０と接触してもよい。絶縁層４０は、Ｘ軸方向の幅ｗ２と、Ｙ軸方向の長さＬと、を有する。
　絶縁層４０としては、例えば、公知のプリプレグを数枚張り合わせ、加圧加熱処理を行って得られる基板が使用できる。かかるプリプレグとしては、調製された樹脂ワニスをガラス繊維、有機繊維等の繊維基材（強化繊維）に含浸させて公知の方法により作製されたものを用いることができ、例えば、ガラスエポキシ複合基板が挙げられる。また、プリプレグを貼り合わせるコア材として、金属基板又はセラミック基板を用いてもよい。更に、絶縁層４０としては、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の低誘電樹脂材料を用いた基板など、公知の低誘電基板が使用できる。
　絶縁層４０を構成する樹脂材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂が挙げられる。樹脂材料は、単独使用又は２種以上の併用であってもよい。
　熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、熱硬化性フッ化ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマーなどが挙げられる。フッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の含フッ素オレフィンの重合体が挙げられる。
　熱可塑性樹脂としては、例えば、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、マレイミド樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリルスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱可塑性フッ化ポリイミド樹脂、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、セルロース樹脂、液晶ポリマー、アイオノマーなどが挙げられる。
　絶縁層４０は、単層であってもよく、多層であってもよい。絶縁層４０は、表面に接着層を有していてもよい。
　絶縁層４０の厚さは、１０μｍ～１ｍｍであってもよい。
　図６に示す第２実施形態の配線基板１０２では、導体配線１１の下面１３または絶縁層２０の第１主面２１は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の算術平均粗さを有する。これにより、導体配線１１と絶縁層２０との密着性と、導体配線１１と絶縁層２０との間に生ずる散乱損失の抑制とを両立できる。
　＜散乱損失の評価方法＞
　図７は、散乱損失の評価方法の考え方の一例を説明するための図である。散乱損失の大きさの計算方法は、現時点、確立されていない。このため、本明細書では、図７に示すように、界面の粗さがある場合に計算される伝送損失量から当該界面の粗さがない場合に計算される伝送損失量を差し引いた損失量を、当該界面の粗化部分により発生する散乱損失の大きさと定義する。
　図８は、図７の評価方法を用いて計算された散乱損失の一例を示すシミュレーション図である。Ｓ２１＿ｒｅｖは、反射を考慮してＳ２１を規格化した値（＝損失量）であり、「Ｓ２１２／（１－Ｓ１１２）」により計算される。Ｓ２１は、Ｓパラメータの一つであり、導体配線１１において入力端１５から出力端１６への透過係数を表す。Ｓ１１は、Ｓパラメータの一つであり、導体配線１１において入力端１５に入力した信号に対して入力端１５で反射される信号の割合を示す入力反射係数を表す。Ｓ２１＿ｒｅｖが小さいほど、導体配線１１の伝送損失が大きいことを表す。「Ｓ２１＿ｒｅｖ＿μ＝１．０＿Ｒａ＝０．０」は、磁性層３０の比透磁率が１．０でＲａが０．０の場合を示し、つまり、界面の粗さがない場合に計算される伝送損失量の一例を表す。「Ｓ２１＿ｒｅｖ＿μ＝１．０＿Ｒａ＝１．０」は、磁性層３０の比透磁率が１．０でＲａが１．０の場合を示し、つまり、界面の粗さがある場合に計算される伝送損失量の一例を表す。「Ｓ２１＿ｒｅｖ＿μ＝１．０＿Ｒａ＝１．０」の伝送損失量から「Ｓ２１＿ｒｅｖ＿μ＝１．０＿Ｒａ＝０．０」の伝送損失量を差し引いて得られた値が、当該界面の粗化部分により発生する散乱損失の大きさに相当する。
　＜散乱損失の評価結果例１＞
　図９は、図７および図８に示す評価方法を用いて、第１実施形態の配線基板と比較形態の配線基板の散乱損失を計算した結果の一例を示す表である。「散乱損失[ｄＢ／ｍｍ] 磁性:μ＝３」は、図３に示す第１実施形態の配線基板１０１について磁性層３０の比透磁率μが３の場合の散乱損失を表す。「散乱損失[ｄＢ／ｍｍ] 磁性なし:μ＝１」は、磁性層３０が存在しない比較形態の配線基板の散乱損失を表す。比較形態の配線基板は、図３に示す第１実施形態の配線基板１０１の磁性層３０の比透磁率μを１に設定した場合の計算結果に相当する。「損失比」は、比較形態の配線基板の散乱損失に対する第１実施形態の配線基板１０１の散乱損失の低減度合いを表す。損失比が小さいほど、散乱損失の低減効果が高いことを表す。
　図９は、パターン１からパターン９までの各寸法例で計算された散乱損失を示している。図９に示す計算時の各寸法及びパラメータは、
　配線幅ｗ１：１００μｍ
　配線厚ｄ１：２０μｍ
　絶縁層２０の厚さｄ２：１０μｍ、２０μｍまたは３０μｍ
　磁性層３０の厚さｄ３：１０μｍ、２０μｍまたは３０μｍ
　絶縁層２０の誘電正接：０．０３＠６０ＧＨｚ
　絶縁層２０の比誘電率：５＠６０ＧＨｚ
　下面１３又は第１主面２１のＲａ：０．５μｍ
とする。
　図１０は、第１実施形態の配線基板と比較形態の配線基板の散乱損失の計算結果の一例を示すグラフである。図１０は、図９に示すパターン１からパターン９までの各寸法例で計算された散乱損失のシミュレーション結果を示している。図９及び図１０に示すように、パターン１からパターン９までのいずれのパターンでも、磁性層３０を備える場合、磁性層３０を備えない場合に比べて、散乱損失を抑制できる。
　図９において、パターン１，２，３は、磁性層３０の厚さｄ３を１０μｍに固定した状態で、絶縁層２０の厚さｄ２を異なる値に設定した計算グループである。パターン４，５，６は、磁性層３０の厚さｄ３を２０μｍに固定した状態で、絶縁層２０の厚さｄ２を異なる値に設定した計算グループである。パターン７，８，９は、磁性層３０の厚さｄ３を３０μｍに固定した状態で、絶縁層２０の厚さｄ２を異なる値に設定した計算グループである。いずれの計算グループでも、絶縁層２０の厚さｄ２が磁性層３０の厚さｄ３と同じまたは厚さｄ３よりも薄いことで、散乱損失の抑制効果は高まる。
　＜散乱損失の評価結果例２＞
　図１１は、第１実施形態の配線基板と比較形態の配線基板の散乱損失の計算結果の一例を示すグラフである。「μ＝２．０」は、図３に示す第１実施形態の配線基板１０１について磁性層３０の比透磁率μが２．０の場合の散乱損失を表す。「μ＝１．０」は、磁性層３０が存在しない比較形態の配線基板の散乱損失を表す。比較形態の配線基板は、図３に示す第１実施形態の配線基板１０１の磁性層３０の比透磁率μを１．０に設定した場合の計算結果に相当する。
　図１１は、３種類のＲaで計算された散乱損失を示している。図１１に示す計算時の各寸法及びパラメータは、
　配線幅ｗ１：１００μｍ
　配線厚ｄ１：２０μｍ
　絶縁層２０の厚さｄ２：２０μｍ
　磁性層３０の厚さｄ３：１０μｍ
　絶縁層２０の誘電正接：０．０３＠６０ＧＨｚ
　絶縁層２０の比誘電率：５＠６０ＧＨｚ
　下面１３又は第１主面２１のＲａ：０．１μｍ、０．２μｍまたは０．３μｍ
とする。
　図１１に示すように、０．１μｍ、０．２μｍおよび０．３μｍのいずれのＲaの場合でも、磁性層３０を備える場合、磁性層３０を備えない場合に比べて、散乱損失を抑制できることが確認できる。
　＜散乱損失の評価結果例３＞
　図１２は、第２実施形態の配線基板と比較形態の配線基板の散乱損失の計算結果の一例を示すグラフである。「μ＝２．０」は、図６に示す第２実施形態の配線基板１０２について磁性層３０の比透磁率μが２．０の場合の散乱損失を表す。「μ＝１．０」は、磁性層３０が存在しない比較形態の配線基板の散乱損失を表す。比較形態の配線基板は、図６に示す第２実施形態の配線基板１０２の磁性層３０の比透磁率μを１．０に設定した場合の計算結果に相当する。
　図１２は、３種類のＲaで計算された散乱損失を示している。図１２に示す計算時の各寸法及びパラメータは、
　配線幅ｗ１：１００μｍ
　配線厚ｄ１：２０μｍ
　絶縁層２０の厚さｄ２：２０μｍ
　磁性層３０の厚さｄ３：１０μｍ
　絶縁層４０の厚さｄ４：１０μｍ
　絶縁層２０の誘電正接：０．０３＠６０ＧＨｚ
　絶縁層２０の比誘電率：５＠６０ＧＨｚ
　下面１３又は第１主面２１のＲａ：０．１μｍ、０．２μｍまたは０．３μｍ
とする。
　図１２に示すように、０．１μｍ、０．２μｍおよび０．３μｍのいずれのＲaの場合でも、磁性層３０を備える場合、磁性層３０を備えない場合に比べて、散乱損失を抑制できることが確認できる。
　＜絶縁磁性層形成用組成物＞
　絶縁磁性層形成用組成物は、磁性材を含む硬化性の組成物である。絶縁磁性層形成用組成物は、例えば、バインダ樹脂ワニスと、磁性粉とを混合して形成することができる。
　磁性材としては、例えば、金属単体、合金及び金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の磁性粉であってよい。合金は、固溶体、共晶、アモルファス（非晶質）金属、及び金属間化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。金属化合物としては、金属酸化物が挙げられる。
　磁性材は、絶縁性の観点から、金属酸化物又はアモルファス（非晶質）金属であってもよく、金属ガラス磁性粉であってもよい。金属酸化物としては、フェライトが挙げられる。アモルファス（非晶質）金属としては、Ｆｅ基ナノ結晶合金、Ｃｏ基ナノ結晶合金が挙げられる。
　磁性粉は、一種の金属元素又は複数種の金属元素を含んでよい。磁性粉に含まれる金属元素は、例えば、卑金属元素、貴金属元素、遷移金属元素、又は希土類元素であってよい。磁性粉に含まれる金属元素は、例えば、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びジスプロシウム（Ｄｙ）からなる群より選ばれる少なくとも一種であってよい。磁性粉は、金属元素以外の元素を含んでもよい。磁性粉は、例えば、酸素、ホウ素、又はケイ素を含んでもよい。
　磁性粉としては、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金（センダスト）、Ｆｅ－Ｎｉ系合金（パーマロイ）Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｉ系合金（パーマロイ）、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金（電磁ステンレス鋼）、Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系合金（希土類磁石）、Ａｌ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金（アルニコ磁石）及びフェライトからなる群より選ばれる少なくとも一種の組成物を用いることができる。フェライトは、例えば、スピネルフェライト、六方晶フェライト、又はガーネットフェライトであってよい。
　Ｆｅ系合金は、Ｆｅアモルファス合金であってもよい。Ｆｅアモルファス合金粉は、主成分となるＦｅをＳｉ等の他の元素と一緒に高温溶融した合金を急冷して得られる非晶質の粉末であり、金属ガラスとしても知られている。Ｆｅアモルファス合金粉は、当技術分野で周知の方法に従って製造することができる。Ｆｅアモルファス合金粉は、エプソンアトミックス株式会社製の製品名「ＡＷ２－０８」、及び「ＫＵＡＭＥＴ－６Ｂ２」、大同特殊鋼株式会社製の製品名「ＤＡＰＭＳ３」、「ＤＡＰＭＳ７」、「ＤＡＰＭＳＡ１０」、「ＤＡＰＰＢ」、「ＤＡＰＰＣ」、「ＤＡＰＭＫＶ４９」、「ＤＡＰ４１０Ｌ」、「ＤＡＰ４３０Ｌ」、及び「ＤＡＰＨＹＢシリーズ」、並びに株式会社神戸製鋼所製の製品名「ＭＨ４５Ｄ」、「ＭＨ２８Ｄ」、「ＭＨ２５Ｄ」、及び「ＭＨ２０Ｄ」などの市販品を用いることができる。
　磁性粉は、上記の元素及び組成物のうち一種を含んでよく、上記の元素及び組成物のうち複数種を含んでもよい。
　磁性粉は、球状、略球状、フレーク状、又は楕円状であってもよい。また、磁性粉は、一部に角が形成されるその他の様々な形状であってもよい。流動性に優れる観点から、磁性粉は、球状であってもよい。
　磁性粉の平均粒子径は、０．００５～５０μｍであってもよい。本明細書において記載する「平均粒子径」は、粒度分布における積算値５０％（体積基準）での粒径を意味する。磁性粉は、細密充填するように、２～３種類の平均粒子径の粒子の混合物を用いることができる。
　磁性粉は、表面に被膜を有していてもよい。被膜は、例えば、無機塩、アクリル樹脂、ケイ素酸化合物などから形成することができる。また、磁性粉は、表面の全体又は一部が表面処理剤によって被覆されていてもよい。表面処理剤は、例えば、無機酸化物、リン酸系化合物及びリン酸塩系化合物、並びにシランカップリング剤等の無機系表面処理剤、モンタンワックス等の有機系表面処理剤、樹脂硬化物であってよい。表面処理剤として、後述するカップリング剤を使用することもできる。例えば、Ｆｅ系合金等の金属系の磁性粉は、その表面の全体又は一部が絶縁性材料によって被覆されていてもよい。絶縁性材料として、例えば、シリカ、チタニア、リン酸カルシウム、モンタンワックス、及びエポキシ樹脂硬化物が挙げられる。
　磁性粉は、表面が絶縁性材料で被覆された磁性粉（以下、絶縁被覆磁性粉という）を含んでよい。絶縁被覆磁性粉は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上の絶縁被覆磁性粉の平均粒子径は互いに同じであっても、異なっていてもよい。また、絶縁被覆磁性粉と、絶縁被覆を持たない磁性粉（以下、未被覆磁性粉という）とを併用してもよい。未被覆磁性粉の平均粒子径は、絶縁被覆磁性粉の平均粒子径と同じでもあっても、異なっていてもよい。例えば、絶縁性を発現させる観点から、未被覆磁性粉の平均粒子径は、絶縁被覆磁性粉の平均粒子径よりも小さくてもよい。
　絶縁被覆磁性粉は、絶縁被覆を有するＦｅアモルファス合金粉であってよい。このような絶縁被覆磁性粉は、例えば、エプソンアトミックス株式会社製の「ＫＵＡＭＥＴ９Ａ４」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ系合金、Ｄ５０：２０μｍ、絶縁被覆あり）、及び新東工業株式会社製の「ＳＡＰ－２Ｄ（Ｃ）」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－ＰＮｂ－Ｃｒ系合金、Ｄ５０：２．３μｍ、絶縁被覆あり）などの市販品を用いることができる。未被覆磁性粉は、例えば、新東工業株式会社製の「ＳＡＰ－２Ｄ」（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－ＰＮｂ－Ｃｒ系合金、Ｄ５０：２．３μｍ、絶縁被覆なし）や、戸田工業株式会社製のソフトフェライト粉「ＢＳＮ－１２５」（Ｎｉ－Ｚｎ系合金、Ｄ５０：１０μｍ、絶縁被覆なし）などの市販品を用いることができる。
　絶縁磁性層形成用組成物における磁性粉の含有量は、組成物の全質量を１００質量部としたときに、７０～９９質量部、又は８０～９０質量部であってもよい。
　バインダ樹脂ワニスは、樹脂組成物を用いることができる。
　樹脂組成物はエポキシ樹脂を含有することができる。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラック型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；ビキシレノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であってもよい。また、エポキシ樹脂は、温度２５℃で液状又は固体状であってもよい。
　２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」ともいう。）としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂を用いることができる。液状エポキシ樹脂は、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）、三菱ケミカル社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
　２５℃で固体状のエポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂を用いることができる。固体状エポキシ樹脂は、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」、「Ｎ－６８０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ノボラック型エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
　樹脂組成物は、硬化剤を含有してもよい。硬化剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、ノボラック構造を有するナフトール系硬化剤、含窒素フェノール系硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤を用いることできる。
　フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤は、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ２０９０」、「ＴＤ２０９０－６０Ｍ」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等の市販品を用いることができる。
　ベンゾオキサジン系硬化剤は、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」等の市販品を用いることができる。
　シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４'－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４'－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。
　シアネートエステル系硬化剤は、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等の市販品を用いることができる。
　樹脂組成物における硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、５質量部以下、３質量部以下、又は２質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が挙げられる。硬化促進剤は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。
　アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが挙げられる。
　イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２'－メチルイミダゾリル－（１'）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２'－ウンデシルイミダゾリル－（１'）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２'－エチル－４'－メチルイミダゾリル－（１'）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２'－メチルイミダゾリル－（１'）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。
　イミダゾール系硬化促進剤は、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等の市販品を用いることができる。
　グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。
　金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
　樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．００１質量部以上、０．００５質量部以上、又は０．０１質量部以上であってもよく、０．１質量部以下、０．０８質量部以下、又は０．０５質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有してもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、シロキサン樹脂、ポリ（メタ）アクリル樹脂、ポリアルキレン樹脂、ポリアルキレンオキシ樹脂、ポリイソプレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。
　フェノキシ樹脂は、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ構造含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン構造含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＸ７１８０」、「ＹＸ６９５４」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１」、「ＹＬ７４８２」等の市販品を用いることができる。
　熱可塑性樹脂は、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有していてもよい。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ポリブタジエン構造は、一部又は全てが水素添加されていてもよい。ポリアルキレンオキシ構造は、炭素原子数２～１５のポリアルキレンオキシ構造、炭素原子数３～１０のポリアルキレンオキシ構造、又は炭素原子数５～６のポリアルキレンオキシ構造であってもよい。
　熱可塑性樹脂は、数平均分子量（Ｍｎ）が１，０００以上、１，５００以上、３，０００以上、又は５，０００以上であってもよく、１，０００，０００以下、又は９００，０００以下であってもよい。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量を意味する。
　熱可塑性樹脂は、エポキシ樹脂と反応し得る官能基を有していてもよい。エポキシ樹脂と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基であってもよい。
　ポリブタジエン樹脂は、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ　１３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ　１３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ　１３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ　１３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ　１３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ　１３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ　１３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ　１８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＧＱ－１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ－１０００」、「Ｇ－２０００」、「Ｇ－３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ－１０００」、「ＧＩ－２０００」、「ＧＩ－３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ－０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等の市販品を用いることができる。
　ポリ（メタ）アクリル樹脂は、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ＭＥ－２０００」、「Ｗ－１１６．３」、「Ｗ－１９７Ｃ」、「ＫＧ－２５」、「ＫＧ－３０００」等の市販品を用いることができる。
　ポリカーボネート樹脂は、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等の市販品を用いることができる。
　熱可塑性樹脂は、信越シリコーン社製の「ＳＭＰ－２００６」、「ＳＭＰ－２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ－５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサンおよび四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号、特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等）、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ－１０００」、「ＰＴＸＧ－１８００」、クラレ社製の「ＫＬ－６１０」、「ＫＬ６１３」、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ－０７３Ｔ」（スチレン－イソブチレン－スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ－０４２Ｄ」（スチレン－イソブチレンジブロック共重合体）、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００－２」、「電化ブチラール５０００－Ａ」、「電化ブチラール６０００－Ｃ」、「電化ブチラール６０００－ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ－５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ－１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」、日立化成社製の「ＫＳ９１００」及び「ＫＳ９３００」、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」及び「Ｐ３５００」、ガンツ化成社製の「ＡＣ３８３２」等の市販品を用いてもよい。
　樹脂組成物における熱可塑性樹脂の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、２０質量部以下、１０質量部以下、５質量部以下、又は３質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、１分子中に活性エステル基を１個以上有する活性エステル化合物を含有することができる。活性エステル化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　活性エステル化合物としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物を用いることができる。このような活性エステル化合物は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが挙げられる。
　活性エステル化合物は、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル化合物であってもよく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル化合物であってもよい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
　活性エステル化合物の具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。なお、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
　ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８１５０－６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として、「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として、「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）等の市販品を用いてもよい。
　樹脂組成物が活性エステル化合物及びエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［活性エステル化合物の活性エステル基の合計数］の比率で、１：０．０１～１：５、１：０．０５～１：３、又は、１：０．１～１：１．５であってもよい。
　樹脂組成物における活性エステル化合物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、１質量部以上、１．５質量部以上、又は２質量部以上であってもよく、４０質量部以下、３０質量部以下、２０質量部以下、１０質量部以下、８質量部以下、又は５質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、１分子中にカルボジイミド基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｎ－）を１個以上有するカルボジイミド化合物を含有することができる。カルボジイミド化合物としては、１分子中にカルボジイミド基を２個以上有する化合物を用いてもよい。カルボジイミド化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　カルボジイミド化合物としては、下記式（Ａ）で表される構造を含有する化合物が挙げられる。
－（Ｘ）ｐ－Ｎ＝Ｃ＝Ｎ－　　　・・・（Ａ）
［式中、Ｘは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらは置換基を有していてもよい。ｐは１～５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なってもよい。］
　Ｘで表されるアルキレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が挙げられる。
　Ｘで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、３～２０、３～１２、３～６であってもよい。シクロアルキレン基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。
　Ｘで表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を２個除いた基である。アリーレン基の炭素原子数（置換基の炭素原子数は含まれない）は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基が挙げられる。
　Ｘで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基又はアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基及びアシルオキシ基が挙げられる。置換基として用いられるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換基としてのアルキル基、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。置換基としてのシクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、３～２０、３～１２、又は３～６であってもよい。置換基としてのアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いた基であり、その炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアリールオキシ基の炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアシル基は、式：－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、１～２０、１～１０、１～６、１～４、又は１～３であってもよい。Ｒ１で表されるアリール基の炭素原子数は、６～２４、６～１８、６～１４、又は６～１０であってもよい。置換基としてのアシルオキシ基は、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ２で表される基（式中、Ｒ２はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。
　式（Ａ）中、ｐは１～５の整数を表す。ｐは、１～４、２～４、２又は３であってもよい。
　カルボジイミド化合物における式（Ａ）で表される構造の含有量は、カルボジイミド化合物の分子全体の質量を１００質量部としたとき、５０質量部以上、６０質量部以上、７０質量部以上、８０質量部以上又は９０質量部以上であってもよい。カルボジイミド化合物は、末端構造を除いて、式（Ａ）で表される構造から実質的になってもよい。カルボジイミド化合物の末端構造としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。末端構造として用いられるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基について説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基と同じであってよい。また、末端構造として用いられる基が有していてもよい置換基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基と同じであってよい。
　カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、５００以上、６００以上、７００以上、８００以上、９００以上又は１０００以上であってもよく、５０００以下、４５００以下、４０００以下、３５００以下、又は３０００以下であってもよい。カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定することができる。
　カルボジイミド化合物が分子中にイソシアネート基（－Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）を含有する場合、カルボジイミド化合物中のイソシアネート基の含有量（「ＮＣＯ含有量」ともいう。）は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下又は０．５質量％以下であってもよい。
　カルボジイミド化合物は、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ－０２Ｂ、Ｖ－０３、Ｖ－０４Ｋ、Ｖ－０７及びＶ－０９、ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ、Ｐ４００、及びハイカジル５１０等の市販品を用いてもよい。
　樹脂組成物におけるカルボジイミド化合物の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量部としたときに、０．１質量部以上、０．３質量部以上、又は０．５質量部以上であってもよく、３質量部以下、２質量部以下、又は１．５質量部以下であってもよい。
　樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよい。他の添加剤としては、例えば、難燃剤、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、並びに着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
　絶縁磁性層形成用組成物は、ペースト状であってもよい（以下、「ペースト」という）。ペーストは、磁性粉と、エポキシ基含有化合物と、硬化剤と、を含んでいてもよい。
　磁性粉は、上述した磁性粉を用いることができる。
　ペーストに含まれる磁性粉の平均粒子径は、０．０５～２００μｍ、０．５～１００μｍ、又は１～５０μｍであってよい。磁性粉が被覆されている場合は、被覆膜を含めた磁性粉の平均粒子径が上記範囲内であってよい。
　ペーストにおける磁性粉の含有量は、ペーストの全質量を基準として、７０質量％以上、又は８０質量％以上であってよく、９９質量％以下、又は９０質量％以下であってよい。ペーストにおける磁性粉の含有量は、ペーストの全質量を基準として、７０～９９質量％、又は８０～９０質量％であってもよい。
　エポキシ基含有化合物は、分子内に１以上のエポキシ基を有する化合物を意味し、モノマー、並びにモノマーの重合化によって形成される構造単位を有するオリゴマー及びポリマーのいずれの形態であってもよい。エポキシ基含有化合物は、加熱処理によって硬化し、金属元素含有粉を結着するバインダ樹脂として機能することができる。エポキシ基含有化合物の一例として、一般的にエポキシ樹脂として知られる、分子内に２以上のエポキシ基を有するオリゴマー及びポリマーが挙げられる。エポキシ基含有化合物の他の例として、分子内に１以上のエポキシ基を有するが、重合化によって形成される構造単位を含まない化合物（以下、エポキシ化合物と称す）が挙げられる。このようなエポキシ化合物は、一般的に反応性希釈剤として知られている。エポキシ基含有化合物は、エポキシ樹脂、及びエポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
　エポキシ樹脂は、上述した樹脂組成物で配合されるものと同様のものを用いることができる。
よい。
　エポキシ化合物の分子量は、１００以上であってよく、１５０以上であってよく、２００以上であってよい。分子量が１００以上であるエポキシ化合物を使用した場合、適切な硬化条件を設定することで硬化剤と反応する前の揮発を抑制することができる。また、低分子量であることで反応後の架橋点間の距離が短く硬化物が割れやすくなる不具合の発生を低減できる。一方、エポキシ化合物の分子量は、７００以下であってよく、５００以下であってよく、３００以下であってよい。分子量が７００以下であるエポキシ化合物を使用した場合、希釈剤として適切な粘度を容易に得ることができる。
　エポキシ化合物の分子量は、１００～７００、１５０～５００、又は２００～３００であってもよい。このような範囲の分子量を有するエポキシ化合物を使用した場合、ペーストの粘度調整が容易となる。エポキシ化合物は、加熱時に揮発する有機溶剤等の成分とは異なり、加熱時に硬化して硬化物中に取り込まれる。そのため、エポキシ化合物を使用した場合、ペーストの粘度調整に寄与し、その一方で硬化物の特性低下を抑制することが可能である。
　エポキシ化合物は、分子内にエポキシ基を１個、又は２個以上含んでよい。エポキシ化合物は、例えば、ｎ－ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエーテル、スチレンオキサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、及びトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種であってよい。エポキシ化合物は、遊離Ｎａイオン、及び遊離Ｃｌイオンといったイオン性不純物が５００ｐｐｍ以下であってもよい。
　エポキシ基含有化合物のエポキシ当量は、８０ｇ／ｅｑ～３５０ｇ／ｅｑ、１００ｇ／ｅｑ～３００ｇ／ｅｑ、１２０ｇ／ｅｑ～２５０ｇ／ｅｑであってよい。エポキシ当量が上記範囲内である場合、エポキシ基含有化合物自体の粘度が低くなるため、ペーストの粘度を調整することが容易となる。
　エポキシ基含有化合物は、２５℃において液状であるエポキシ基含有化合物を含むことが好ましい。本明細書において「２５℃において液状である」とは、２５℃におけるエポキシ基含有化合物の粘度が、２００Ｐａ・ｓ以下であることを意味する。上記粘度は、Ｅ型粘度計を用い、温度：２５℃、コーンプレートタイプ：ＳＰＰ、コーン角度：１°３４'、回転速度：２．５ｒｐｍの条件下で測定した値である。Ｅ型粘度計として、例えば、東機産業株式会社製のＴＶ－３３型粘度計を使用することができる。
　２５℃において液状のエポキシ基含有化合物を使用した場合、通常、流動性を得るために使用される有機溶剤等の揮発性成分の配合量を大幅に減らすことができる。一実施形態において、有機溶剤を含まないペーストを構成することもできる。また、ペーストとして適切な流動性を確保しながら、磁性粉の含有量を容易に高めることができる。これらの観点から、エポキシ基含有化合物の粘度は、１００Ｐａ・ｓ以下、５０Ｐａ・ｓ以下、１０Ｐａ・ｓ以下であってよい。
　上記エポキシ基含有化合物のなかでもエポキシ化合物の粘度は、ペースト粘度を調整する観点から、液状エポキシ樹脂の粘度よりも低くてもよい。エポキシ化合物の粘度は、１Ｐａ・ｓ以下、０．５Ｐａ・ｓ以下、０．１Ｐａ・ｓ以下であってよい。
　２５℃において液状のエポキシ基含有化合物は、２５℃において液状のエポキシ樹脂、及び２５℃において液状のエポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。２５℃において液状のエポキシ樹脂の含有量は、エポキシ基含有化合物の全質量を基準として、５０質量％以上、７０質量％以上、９０質量％以上、又は１００質量％であってもよい。
　２５℃において液状のエポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びアミノグリシジルエーテル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種の液状エポキシ樹脂を含んでよい。
　２５℃において液状のエポキシ基含有化合物は、市販品として入手することもできる。例えば、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂として、新日鐵化学株式会社から販売されている。例えば、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂として、製品名「ＹＤＦ－８１７０Ｃ」（エポキシ当量１６５、粘度１，０００～１，５００ｍＰａ・ｓ）を用いることができる。エポキシ化合物として、株式会社ＡＤＥＫＡ製のアデカグリシロール（製品名）のシリーズが挙げられる。例えば、製品名「アデカグリシロールＥＤ－５０３Ｇ」（エポキシ当量１３５、粘度１５ｍＰａ・ｓ）を用いることができる。
　ペーストは、上記エポキシ基含有化合物に加えて、他の樹脂をさらに含んでもよい。他の樹脂は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂を除く）及び熱可塑性樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。熱硬化性樹脂は、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、及びポリアミドイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。エポキシ基含有化合物に加えてフェノール樹脂を使用した場合、フェノール樹脂は、エポキシ基含有化合物の硬化剤として機能することもできる。
　熱可塑性樹脂は、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、及びポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。樹脂成分は、エポキシ基含有化合物に加えて、さらにシリコーン樹脂を含んでもよい。
　ペーストが、エポキシ基含有化合物以外の樹脂を含む場合、その他の樹脂の含有量は、エポキシ基含有化合物による効果を低減させない範囲で調整することが好ましい。例えば、その他の樹脂の含有量は、ペースト中の樹脂の全質量を基準として、５０質量％以下、３０質量％以下、又は１０質量％以下であってよい。エポキシ基含有化合物とその他の樹脂との混合物の粘度が、２５℃において５０Ｐａ・ｓ以下となる範囲で、配合量を調整することができる。上記粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、温度：２５℃、コーンプレートタイプ：ＳＰＰ、コーン角度：１°３４'、回転速度：２．５ｒｐｍの条件下で測定した値である。Ｅ型粘度計として、例えば、東機産業株式会社製のＴＶ－３３型粘度計を使用することができる。
　硬化剤としては、ペーストに適度な粘性を付与し、かつエポキシ基含有化合物のエポキシ基と反応し硬化物を形成することができる化合物を用いることができる。硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として一般的に使用される周知の硬化剤を用いることができる。硬化剤として、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、及びアミン系硬化剤が挙げられる。
　硬化剤は、低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤と、加熱に伴ってエポキシ樹脂を硬化させる加熱硬化型硬化剤とに分類される。低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤としては、例えば、脂肪族ポリアミン、ポリアミノアミド、及びポリメルカプタンが挙げられる。加熱硬化型硬化剤としては、例えば、芳香族ポリアミン、酸無水物、フェノールノボラック樹脂、及びジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）が挙げられる。低温から室温の温度範囲でエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤を用いた場合、エポキシ樹脂の硬化物のガラス転移点は低く、エポキシ樹脂の硬化物は軟らかい傾向がある。その結果、ペーストから形成された絶縁磁性層も軟らかくなる傾向がある。絶縁磁性層の耐熱性及び機械的強度を向上させる観点から、硬化剤は、加熱硬化型硬化剤を含むことが好ましい。
　加熱硬化型硬化剤のなかでも、ペーストの低粘度化の観点から、２５℃において液状の硬化剤を使用することができる。液状の硬化剤としては、例えば、脂肪族ポリアミン、ポリメルカプタン、芳香族ポリアミン、及び酸無水物、及びイミダゾール系硬化剤からなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。ペーストの粘度上昇を抑えることができれば、２５℃において固形の硬化剤を使用してもよく、液状の硬化剤と固形の硬化剤とを併用してもよい。固形の硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、三級アミン、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤を使用することができる。例示した固形の硬化剤は、多官能であるか、又は触媒的に作用するため、少量でも十分に機能することができる。
　硬化剤は、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤からなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。硬化剤は、少なくともアミン系硬化剤を含むことができる。アミン系硬化剤（より具体的には第３級アミン）、イミダゾール系硬化剤、及びイミダゾリン系硬化剤は、他の硬化剤との組合せにおいて硬化促進剤として使用することもできる。
　アミン系硬化剤は、分子内に少なくとも２つのアミノ基を有する化合物であってよい。アミン系硬化剤は、脂肪族アミン、及び芳香族アミンからなる群から選択される少なくとも１種を含む。脂肪族アミン化合物としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ｎ－プロピルアミン、２－ヒドロキシエチルアミノブロピルアミン、シクロへキシルアミン、４，４'－ジアミノ－ジシクロへキシルメタンが挙げられる。芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４'－ジアミノジフェニルメタン、２－メチルアニリン、下式（１）で表されるアミン化合物、下式（２）で表されるアミン化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　イミダゾール系硬化剤は、イミダゾール骨格を有する化合物であり、分子内の水素原子を置換基で置換したイミダゾール系化合物であってよい。イミダゾール系硬化剤は、アルキル基置換イミダゾール等のイミダゾール骨格を有する化合物であってよい。イミダゾール系硬化剤として、例えば、イミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、及び２－イソプロピルイミダゾールが挙げられる。イミダゾール系硬化剤は、四国化成工業株式会社製の「キュアゾール２Ｅ４ＭＺ」（２－エチル－４－メチルイミダゾール）などの市販品を使用することができる。
　イミダゾリン系硬化剤は、イミダゾリン骨格を有する化合物であり、分子内の水素原子を置換基で置換したイミダゾリン系化合物であってよい。イミダゾリン系硬化剤は、アルキル基置換イミダゾリン等のイミダゾリン骨格を有する化合物であってよい。イミダゾリン系硬化剤として、例えば、イミダゾリン、２－メチルイミダゾリン、及び２－エチルイミダゾリンが挙げられる。
　２５℃で液状のエポキシ樹脂との適合性及び保存安定性の観点から、硬化剤は芳香族アミンを含んでいてもよい。芳香族アミンの芳香環は、アミノ基以外の置換基を有していてもよい。例えば、炭素数１～５のアルキル基を有していてもよく、炭素数１又は３のアルキル基を有していてもよい。芳香族アミンにおける芳香環の数は、１つでも２つ以上であってもよい。芳香環の数が２以上である場合、芳香環同士は単結合で結合していても、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。
　ペーストの粘度の観点から、硬化剤は液状の芳香族アミンを含むことが好ましい。例えば、上記式（１）で表される化合物及び上記式（２）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種を使用することができる。
　硬化剤として使用できる液状の芳香族アミンは、市販品として入手することもできる。例えば、三菱ケミカル株式会社製の製品名「グレード：ｊＥＲキュアＷＡ」、日本化薬株式会社製の製品名「カヤハードＡＡ」が挙げられる。
　ペーストにおける硬化剤の含有量は、エポキシ樹脂等のエポキシ基含有化合物のエポキシ基の当量数と、硬化剤における活性基の当量数との比率を考慮して設定することができる。例えば、エポキシ基含有化合物のエポキシ基１当量に対する硬化剤の比率は、０．５～１．５当量であってよく、０．９～１．４当量であってよく、１．０～１．２当量であってよい。
　硬化剤における活性基の上記比率が０．５当量以上である場合、加熱硬化後のエポキシ樹脂の単位重量当たりのＯＨ量が少なくなり、エポキシ樹脂の硬化速度が低下することを抑制できる。また、得られる硬化物のガラス転移温度の低下、及び硬化物の弾性率の低下を抑制できる。さらに、バインダ樹脂中の未反応の樹脂成分よって硬化物の絶縁信頼性が低下することを抑制できる。一方、硬化剤中の活性基の比率が１．５当量以下である場合、ペーストから形成される加熱硬化後の絶縁磁性層の機械的強度の低下を抑制できる。また、未反応の硬化剤によって硬化物の絶縁性が低下することを抑制できる。
　ペーストは、必要に応じて、さらに硬化促進剤を含んでよい。ペーストは、磁性粉と、エポキシ基含有化合物と、硬化剤と、硬化促進剤とを含んでよい。他の実施形態において、ペーストは、上記成分に加えて、例えば、カップリング剤及び難燃剤等の添加剤をさらに含んでもよい。
　硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進できる化合物であれば限定されない。硬化促進剤として、例えば、第３級アミン、イミダゾール系硬化促進剤、イミダゾリン系硬化促進剤、及びリン化合物が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤及びイミダゾリン系硬化促進剤として、イミダゾール系硬化剤及びイミダゾリン系硬化剤として先に例示した化合物を使用してもよい。液状の硬化剤のなかでも、液状の酸無水物を使用した場合は、硬化促進剤を併用することができる。ペーストは、１種又は２種以上の硬化促進剤を含んでよい。硬化促進剤を使用した場合、ペーストから形成された絶縁磁性層の機械的強度を向上させ、またペーストの硬化温度を容易に低下させることができる。
　硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が得られる量であればよく、特に限定されない。ただし、ペーストの吸湿時の硬化性及び流動性を改善する観点からは、硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計１００質量部に対して、０．００１質量部以上であってよい。上記硬化促進剤の配合量は、０．０１質量部以上であってよく、０．１質量部以上であってよい。一方、上記硬化促進剤の配合量は、５質量部以下であってよく、４質量部以下であってよく、３質量部以下であってよい。硬化促進剤の配合量を０．００１質量部以上にした場合、十分な硬化促進効果を容易に得ることができる。硬化促進剤の配合量が５質量部以下である場合、ペーストにおいて優れた保存安定性を容易に得ることができる。
　カップリング剤を使用した場合、ペースト中の磁性粉の分散性の向上、及びペースト粘度の制御が容易となる。また、バインダ樹脂と、磁性粉との密着性の向上が容易となる。さらに、ペーストから形成される絶縁磁性層の導体配線に対する密着性、可撓性、機械的強度の向上が容易となる。カップリング剤は、例えば、シラン系化合物（シランカップリング剤）、チタン系化合物、アルミニウム化合物（アルミニウムキレート類）、及びアルミニウム／ジルコニウム系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。シランカップリング剤は、例えば、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、酸無水物系シラン及びビニルシランからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。また、シランカップリング剤は、アミノフェニル系のシランカップリング剤であってもよい。ペーストは、上記カップリング剤の少なくとも１種を含んでよく、上記２種以上のカップリング剤を含んでもよい。
　ペーストの環境安全性、リサイクル性、成形加工性及び低コストのために、ペーストは難燃剤を含んでよい。難燃剤は、例えば、臭素系難燃剤、リン系難燃剤、水和金属化合物系難燃剤、シリコーン系難燃剤、窒素含有化合物、ヒンダードアミン化合物、有機金属化合物及び芳香族エンジニアリングプラスチックからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。ペーストは、上記で例示した難燃剤の１種を含んでも、又は２種以上を含んでもよい。
　ペーストは、必要に応じて有機溶剤を含んでもよい。有機溶剤は、特に限定されない。例えば、バインダ樹脂を溶解可能な有機溶剤を使用することができる。有機溶剤は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、トルエン、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、シクロヘキサノン、及びキシレンからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。作業性の観点から、有機溶剤は、常温（２５℃）で液体であってもよい。作業性の観点から、有機溶剤の沸点は、５０℃以上、１６０℃以下であってもよい。
　ペーストが有機溶剤を含む場合、その含有量は、ペーストの全質量を基準として、５質量％以下、３質量％以下、又は１質量％以下であってもよい。ペーストは、実質的に有機溶剤を含まないものであってもよい。本明細書おいて「実質的に含まない」とは、ペーストに対して有機溶剤を意図的に添加していないことを意味する。そのため、ペーストは、例えば、樹脂の製造時に使用され、樹脂中に残存した有機溶剤を含んでいてもよい。
　ペーストの粘度は、１Ｐａ・ｓ以上、１０Ｐａ・ｓ以上、１００Ｐａ・ｓ以上であってよい。１Ｐａ・ｓ以上の粘度に調整することで、塗布後の液ダレを抑制し、印刷後にパターン形状が崩れることを容易に防止することができる。また、ペースト中の磁性粉の沈降を抑止し、ペースト撹拌後の時間経過による塗布性の低下を容易に改善することができる。一方、ペーストの粘度は、６００Ｐａ・ｓ以下、４００Ｐａ・ｓ以下、２００Ｐａ・ｓ以下であってよい。粘度を６００Ｐａ・ｓ以下に調整することで、ペーストに流動性が生じ、良好な塗布性を容易に得ることができる。
　ペーストをスクリーン印刷に適用する場合、ペーストの粘度は、１０Ｐａ・ｓ～４００Ｐａ・ｓ、５０Ｐａ・ｓ～３００Ｐａ・ｓ、又は１００Ｐａ・ｓ～２５０Ｐａ・ｓであってよい。粘度を上記範囲に調整した場合、スクリーン印刷においては、版の開口部をペーストが透過しなくなる不具合の発生を抑制することができる。ペーストの粘度は、エポキシ基含有化合物の構造及び特性、硬化剤の構造及び特性、並びにこれらの組合せ及び配合比、さらに硬化促進剤及びカップリング剤等の添加剤の構造及び配合比等によって自在に調整することができる。ペーストは、粘度調整剤、チキソ性付与剤、及び分散安定剤等の添加剤を含んでもよい。
　以上の通り、実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の組み合わせ、省略、置き換え、変更などを行うことが可能である。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
　本国際出願は、２０２３年６月２６日に出願した日本国特許出願第２０２３－１０４２２２号に基づく優先権を主張するものであり、日本国特許出願第２０２３－１０４２２２号の全内容を本国際出願に援用する。
　１０　配線基板
　１１　導体配線
　１２　基板
　１３　下面
　１４　上面
　１５　入力端
　１６　出力端
　２０　絶縁層
　２１　第１主面
　２２　第２主面
　３０　磁性層
　４０　絶縁層
　５０　導体層
　１０１，１０２　配線基板

Claims (6)

  1. 　導体配線と、
    　前記導体配線の表面が密着する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有する絶縁層と、
    　前記絶縁層の前記第２主面側に位置する磁性層と、
    　前記磁性層に対して前記絶縁層とは反対側に位置する導体層と、を備え、
    　前記表面または前記第１主面は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の算術平均粗さを有する、配線基板。
  2. 　前記磁性層は、０．１μｍ以上１００μｍ以下の厚さを有する、請求項１に記載の配線基板。
  3. 　前記磁性層は、３０ＧＨｚ以上の周波数において、１．５以上の比透磁率を有する、請求項１又は２に記載の配線基板。
  4. 　前記磁性層は、前記導体配線よりも幅広な部分を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板。
  5. 　前記絶縁層は、前記磁性層の厚さと同じまたは前記磁性層の厚さよりも薄い部分を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の配線基板。
  6. 　前記磁性層と前記導体層との間に第２絶縁層を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の配線基板。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000319386A (ja) 1999-04-30 2000-11-21 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン含有ポリイミド樹脂、シリコーン含有ポリアミック酸およびそれらの製造方法
JP2002012667A (ja) 2000-06-29 2002-01-15 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリイミドシリコーン樹脂、その溶液組成物、およびポリイミドシリコーン樹脂皮膜
JP2010083966A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sekisui Chem Co Ltd 樹脂組成物、硬化体及び積層体
WO2010053185A1 (ja) 2008-11-10 2010-05-14 味の素株式会社 プリント配線板用樹脂組成物
JP2019029396A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社デンソー 電子装置
WO2019102701A1 (ja) * 2017-11-21 2019-05-31 株式会社クオルテック 電子部品の製造方法及び電子部品
JP2021016006A (ja) 2020-11-18 2021-02-12 味の素株式会社 回路基板及びその製造方法
JP2021141295A (ja) * 2020-03-09 2021-09-16 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2023090331A (ja) * 2021-12-17 2023-06-29 味の素株式会社 樹脂シート
JP2023104222A (ja) 2022-01-17 2023-07-28 Ｎｓｋワーナー株式会社 ラチェット型クラッチ

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000319386A (ja) 1999-04-30 2000-11-21 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン含有ポリイミド樹脂、シリコーン含有ポリアミック酸およびそれらの製造方法
JP2002012667A (ja) 2000-06-29 2002-01-15 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリイミドシリコーン樹脂、その溶液組成物、およびポリイミドシリコーン樹脂皮膜
JP2010083966A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Sekisui Chem Co Ltd 樹脂組成物、硬化体及び積層体
WO2010053185A1 (ja) 2008-11-10 2010-05-14 味の素株式会社 プリント配線板用樹脂組成物
JP2019029396A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社デンソー 電子装置
WO2019102701A1 (ja) * 2017-11-21 2019-05-31 株式会社クオルテック 電子部品の製造方法及び電子部品
JP2021141295A (ja) * 2020-03-09 2021-09-16 味の素株式会社 樹脂組成物
JP2021016006A (ja) 2020-11-18 2021-02-12 味の素株式会社 回路基板及びその製造方法
JP2023090331A (ja) * 2021-12-17 2023-06-29 味の素株式会社 樹脂シート
JP2023104222A (ja) 2022-01-17 2023-07-28 Ｎｓｋワーナー株式会社 ラチェット型クラッチ

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