WO2024201548A1 - 蒸着装置、表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着装置、表示装置の製造方法 Download PDF

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WO2024201548A1
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WO
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crucible
deposition
deposition device
shell
inner shell
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PCT/JP2023/011690
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English (en)
French (fr)
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真博 犬塚
学 二星
真一 江角
英幸 鈴木
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Sharp Display Technology Corp
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Sharp Display Technology Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation

Definitions

  • This disclosure relates to a deposition apparatus for forming a deposition film and a method for manufacturing a display device using the deposition apparatus.
  • a known method for forming a thin film is a vapor deposition method in which a material in a crucible is melted and evaporated using a heater, and then brought into contact with the surface of an object positioned above the crucible and solidified to form a thin film containing the material on the surface of the object.
  • a vapor deposition method using a vapor deposition apparatus may be adopted to form each layer of the light-emitting element in order to reduce deterioration of the layers.
  • Patent Document 1 discloses a method for forming an organic layer of an organic EL element in a vapor deposition process using a vapor deposition apparatus.
  • the deposition rate of the deposited film may change due to uneven heating inside the crucible, bias in the deposition material remaining in the crucible, etc. Changes in the deposition rate of the deposited film during the deposition process can lead to a decrease in the quality of the deposited film, or an extension of the takt time or an increase in costs associated with the execution of a process to stabilize the deposition rate.
  • the deposition apparatus includes a crucible including an outer shell having an opening for releasing deposition material toward a deposition target, and an inner shell that is in contact with at least a portion of the inner surface of the outer shell and has a higher specific heat than the outer shell.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional side view of a vapor deposition apparatus according to a first embodiment.
  • 1 is a schematic side cross-sectional view of a display device according to each embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a crucible according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a crucible according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional side view of a deposition apparatus in a deposition step according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional side view of a vapor deposition apparatus according to a second embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional side view of a vapor deposition apparatus according to a third embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional side view of a vapor deposition apparatus according to embodiment 4.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a crucible according to a fourth embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional side view of a vapor deposition apparatus according to embodiment 5.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a crucible according to a fifth embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of another crucible according to embodiment 5.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional side view of a vapor deposition apparatus according to embodiment 6.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of a crucible according to a sixth embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of another crucible according to embodiment 6.
  • FIG. 2 is a schematic side cross-sectional view of a display device 100 according to this embodiment.
  • the display device 100 is a device that can be used, for example, as a display for a television or a smartphone.
  • the display device 100 includes a substrate 101, for example a TFT substrate, and a plurality of light-emitting elements 102 formed on the substrate 101.
  • the light-emitting element 102 has, for example, from the substrate 101 side, anode 103 as a first electrode, hole injection layer 104, hole transport layer 105, light-emitting layer 106, electron transport layer 107, and cathode 108 as a second electrode.
  • the structure of the light-emitting element 102 is not limited to the above configuration, and may have, from the substrate 101 side, cathode 108, electron transport layer 107, light-emitting layer 106, hole transport layer 105, hole injection layer 104, and anode 103.
  • the light-emitting element 102 has at least the light-emitting layer 106 between the anode 103 and the cathode 108, it is not necessary to have at least one of the hole injection layer 104, hole transport layer 105, and electron transport layer 107.
  • the light-emitting element 102 has a functional layer including at least the light-emitting layer 106 between the anode 103 and the cathode 108.
  • the light-emitting element 102 may also have further functional layers, including, for example, an electron injection layer between the electron transport layer 107 and the cathode 108.
  • the display device 100 applies a voltage between the anode 103 and the cathode 108 of each light-emitting element 102 via a driver (not shown) formed on the substrate 101.
  • Each light-emitting element 102 to which a voltage is applied injects holes from the anode 103 into the light-emitting layer 106 via the hole injection layer 104 and the hole transport layer 105, and also injects electrons from the cathode 108 into the light-emitting layer 106 via the electron transport layer 107.
  • the light-emitting layer 106 has a light-emitting material, for example an organic light-emitting material, and emits light due to excitons generated by recombination of the injected holes and electrons.
  • At least one of the anode 103 and the cathode 108 is a transparent electrode that is light-transmitting, and the light-emitting element 102 extracts light generated from the light-emitting layer 106 to the side of the transparent electrode. In this way, the display device 100 displays by extracting light individually from each light-emitting element 102.
  • the manufacturing method of the display device 100 according to this embodiment includes, for example, a method of sequentially depositing each layer of the light-emitting element 102 on the substrate 101.
  • a method of sequentially depositing each layer of the light-emitting element 102 on the substrate 101 includes, for example, a method of sequentially depositing each layer of the light-emitting element 102 on the substrate 101.
  • at least one of the layers of the light-emitting element 102 is deposited by a deposition method using a deposition apparatus described below.
  • Fig. 1 is a schematic cross-sectional side view of the deposition device 1 according to the present embodiment.
  • each schematic cross-sectional side view of the deposition device according to the present disclosure shows a cross section passing through a plurality of openings 45 described later and along the normal direction of the inner surface of the bottom 41, and members located on the back side of the cross section as viewed from the paper surface are omitted.
  • members formed as an integral unit are marked with the same hatching.
  • the deposition apparatus 1 includes a vacuum chamber 10, a crucible 20, and a heater unit 30.
  • the crucible 20 includes an outer shell 40 having an opening 45 for releasing the deposition material toward the deposition target, and an inner shell 50 that contacts at least a portion of the inner surface of the outer shell 40 and has a higher specific heat than the outer shell 40.
  • the deposition apparatus 1 reduces changes in the deposition rate of the deposition film.
  • the deposition apparatus 1, including the above, will be described in detail below.
  • Vacuum chamber 10 has a housing 11, a target holder 12, and a crucible holder 13. Housing 11 is hollow and has an airtight interior. Target holder 12 and crucible holder 13 may protrude from the inner surface of housing 11, for example, or may be integral with housing 11.
  • the housing 11 may have an entrance through which the deposition target on which the deposition film is formed by the deposition device 1 can be inserted and removed, and a door section that can close and seal the entrance.
  • the target holder 12 may be capable of holding a deposition target that is introduced from outside the housing 11 through the entrance.
  • the vacuum chamber 10 can create a vacuum inside the housing 11 with a pump (not shown).
  • the shape of the housing 11 may be cylindrical from the viewpoint of maintaining strength when the inside is made vacuum, but is not limited to this and may also be rectangular.
  • the crucible 20 described below is placed on the crucible holder 13, which holds the crucible 20 inside the housing 11.
  • the crucible holder 13 may hold the crucible 20 inside the housing 11 with a distance between the inner surface of the housing 11 and the crucible 20.
  • crucible> When a deposition material described later is placed in the crucible 20, the inside of the crucible 20 is heated by the heater unit 30, and the crucible 20 releases the deposition material toward the deposition target held by the target holder 12.
  • the crucible 20 includes an outer shell 40 and an inner shell 50.
  • Fig. 3A is a schematic plan view of the crucible 20
  • Fig. 3B is a schematic cross-sectional view of the crucible 20.
  • Fig. 3A is a schematic plan view of the crucible 20 when viewed in the direction A shown in Fig. 1, in other words, when the crucible 20 is viewed in a plan view from above to below.
  • Fig. 3B is a cross-sectional view of the crucible 20 taken along the line B-B shown in Fig. 1, in other words, a schematic cross-sectional view of the crucible 20 showing a horizontal cross section of the inner surface of the bottom 41 of the outer shell 40, which will be described later, and which passes through the opening 45 side of the inner shell 50.
  • each crucible according to this embodiment also show components located further back on the paper than the cross-section in order to show each part of the crucible in more detail. Also, all of the schematic cross-sectional views of each crucible according to this embodiment show a cross-section of the crucible that corresponds to the cross-section of crucible 20 shown in FIG. 3B.
  • the outer shell 40 includes a bottom 41, a side 42, a top plate 43, a top plate protrusion 44, and an opening 45.
  • the outer shell 40 has an internal space, for example a substantially rectangular shape, formed by the bottom 41, the side 42, and the top plate 43.
  • the bottom 41 and the top plate 43 may be rectangular plate-like members facing each other.
  • the side 42 is a side portion relative to the bottom 41, and in particular protrudes from the outer edge of the bottom 41 of the outer shell 40 towards the top plate 43 and connects to the outer edge of the top plate 43.
  • the top plate protrusions 44 are formed on the outer surface of the top plate 43, in other words, they protrude toward the outside of the crucible 20.
  • the openings 45 are formed on the inside of the top plate protrusions 44, and communicate the inside and outside of the outer shell 40. Therefore, the openings 45 are located between the bottom 41 and the position of the vapor deposition target placed on the target holder 12, in other words, the bottom 41 is located on the opposite side to the openings 45. Therefore, when the vapor deposition material is introduced into the crucible 20 and the inside of the crucible 20 is heated, the openings 45 release the vapor deposition material toward the vapor deposition target held by the target holder 12.
  • the inner shell 50 is located inside the outer shell 40, and in particular, is in contact with at least a portion of the inner surface of the outer shell 40.
  • the crucible 20 has a double structure of the outer shell 40 and the inner shell 50, which improves its strength.
  • the inner shell 50 according to this embodiment has a higher specific heat than the outer shell 40.
  • the outer shell 40 may contain a metal from the viewpoint of improving the strength of the crucible 20, and the inner shell 50 may contain a ceramic having a relatively higher specific heat than a metal.
  • the temperature of the inner shell 50 increases more slowly than that of the outer shell 40 because the specific heat of the inner shell 50 is higher than that of the outer shell 40. Therefore, by including the outer shell 40 and the inner shell 50, the temperature of the entire inner surface of the crucible 20 in contact with the deposition material increases more slowly than when the crucible 20 only has the outer shell 40.
  • the vapor deposition device 1 heats the vapor deposition material inside the crucible 20 more uniformly.
  • the vapor deposition device 1 reduces differences in the consumption rate of the vapor deposition material depending on the position inside the crucible 20.
  • the inner shell 50 experiences a smaller increase in temperature when the same amount of heat is applied, and a smaller drop in temperature when the same amount of heat is removed. Therefore, the inner surface of the crucible 20 is less susceptible to temperature fluctuations compared to the outer surface of the crucible 20. Therefore, the deposition apparatus 1 can more easily maintain a constant temperature inside the crucible 20.
  • the deposition apparatus 1 reduces the difference in the amount of remaining deposition material depending on the position inside the crucible 20, and reduces the difference in the amount of deposition material consumed depending on the position inside the crucible 20.
  • the deposition apparatus 1 also reduces the temperature change inside the crucible 20 over time, and reduces the change over time in the consumption rate of the deposition material inside the crucible 20. Therefore, the deposition apparatus 1 can make the consumption rate of the deposition material inside the crucible 20 more uniform regardless of the position inside the crucible 20 or the implementation time of the deposition film process, and thus makes the deposition rate of the deposition film more stable.
  • a method of more uniformly heating the deposition material inside the crucible 20 is to mix a heat isolating material with high thermal conductivity.
  • deposition materials are generally solid at room temperature, and the deposition material remaining inside the crucible 20 after the deposition process is completed hardens. For this reason, if a heat isolating material is mixed with the deposition material inside the crucible 20, it becomes difficult to separate the deposition material and the heat isolating material inside the crucible 20, which in turn makes it difficult to reuse the deposition material.
  • mixing the deposition material with the heat isolating material may result in a longer heating time due to an increase in the specific heat of the deposition material, or the deposition material may be contaminated by the heat isolating material. As described above, mixing a heat isolating material with the deposition material makes it more difficult to handle the deposition material.
  • the deposition device 1 includes a crucible 20 that has an outer shell 40 and an inner shell 50 that has a higher specific heat than the outer shell 40, thereby enabling more uniform heating of the deposition material inside. Therefore, the deposition device 1 does not require the above-mentioned heat equalizer in order to heat the deposition material inside the crucible 20 more uniformly. Therefore, the deposition device 1 can heat the deposition material inside the crucible 20 more uniformly while making it easier to handle the deposition material.
  • the inner shell 50 has a higher heat capacity than the outer shell 40. This allows the deposition device 1 to further reduce localized heating of the inner surface of the crucible 20.
  • the inner shell 50 contacts at least a portion of the side portion 42. This allows the deposition apparatus 1 to reduce localized heating of the inner surface of the inner shell 50 when the crucible 20 is heated from the side.
  • the inner shell 50 contacts at least a portion of the bottom 41 and the side of the side portion 42 of the bottom 41. In this case, direct contact of the deposition material inside the crucible 20 with the inner surface of the portion of the inner shell 50 that is not in contact with the outer shell 40 or with the inner surface of the outer shell 40 is reduced. Therefore, with the above configuration, the deposition device 1 reduces localized heating of the deposition material regardless of a reduction in the deposition material inside the crucible 20.
  • the inner shell 50 contacts the entire surface of the bottom 41 and the sides of the bottom 41 of each side 42.
  • the deposition device 1 reduces localized heating of the deposition material on both the sides and below the crucible 20, regardless of a reduction in the deposition material inside the crucible 20.
  • the inner shell 50 may have a rectangular bottom and sides protruding from each of multiple sides that define the outer edge of the bottom.
  • the display portion of a display device is often rectangular. Therefore, by having the bottoms of the outer shell 40 and inner shell 50 be rectangular, the uniformity of the film thickness or quality of the evaporated film formed on the rectangular display portion of the display device 100 can be improved compared to other shapes such as a circle.
  • the outer shell 40 and the inner shell 50 according to this embodiment are not particularly limited, so long as the inner shell 50 is in contact with at least a portion of the inner surface of the outer shell 40 and the specific heat of the inner shell 50 is higher than the specific heat of the outer shell 40.
  • the inner shell 50 may be in contact with at least one of the bottom 41 and the side 42.
  • the inner shell 50 may be in contact with the inner surface of the side 42 along the longitudinal direction of the bottom 41.
  • the inner shell 50 of this embodiment is removably attached to the outer shell 40. Therefore, the deposition device 1 of this embodiment makes it easier to clean the inner surface of the crucible 20 or change the deposition material for the following reasons.
  • deposition material may remain on the inner surface of the crucible of the deposition device even after the deposition film formation process, and periodic maintenance is required, including removing the deposition material and cleaning the inner surface of the crucible. Furthermore, when changing the material of the deposition film, replacing all of the deposition material inside the crucible can cause deposition material containing a different material to be mixed into the deposition material inside the crucible.
  • the inner surface of the inner shell 50 can be more easily cleaned by removing the inner shell 50 from the outer shell 40 and cleaning the inner shell 50 outside the vacuum chamber 10. Also, by attaching a new inner shell 50 to the outer shell 40 while cleaning the inner shell 50, the deposition device 1 can continue to form a deposition film during the above cleaning.
  • the vapor deposition device 1 can more easily change the material of the vapor deposition material inside the crucible 20.
  • the heater unit 30 is disposed inside the housing 11, and heats the crucible 20 from the outside, thereby heating the crucible 20.
  • the heater unit 30 includes a bottom heater 31 and a side heater 32 as heaters.
  • the bottom heater 31 is disposed between the housing 11 and the bottom 41
  • the side heater 32 is disposed between the housing 11 and the side 42.
  • each heater included in the heater section 30 is disposed in a position facing the inner shell 50 via the outer shell 40.
  • heat from the heater section 30 is efficiently transmitted to the inner shell 50 via the outer shell 40. Therefore, the deposition device 1 can heat the inner shell 50 more efficiently using the heater section 30. Therefore, in addition to the above configuration, considering that the specific heat of the inner shell 50 is higher than the specific heat of the outer shell 40, the deposition device 1 can efficiently heat the inside of the crucible 20 while reducing localized heating inside the crucible 20.
  • the deposition apparatus 1 includes a single crucible 20, but is not limited thereto.
  • the deposition apparatus 1 may include a plurality of crucibles 20 in which the deposition materials stored therein contain different materials.
  • the deposition apparatus 1 may include a control unit (not shown) that controls the operation of each unit.
  • the control unit may control evacuation of the inside of the vacuum chamber 10 and heating of the inside of the crucible 20 through control of the heater unit 30.
  • Fig. 4 is a schematic side cross-sectional view of the deposition apparatus 1 in a deposition process.
  • Fig. 4 also illustrates a deposition target X (to be described later) on whose surface a deposition film is formed by the deposition apparatus 1, and a deposition material M (material of the deposition film) stored inside a crucible 20.
  • the manufacturing method of the display device 100 includes the step of sequentially depositing each layer of the light-emitting element 102 on the substrate 101, and at least one of the layers of the light-emitting element 102 is deposited using the deposition apparatus 1.
  • the functional layers of the light-emitting element 102 including the hole injection layer 104, the hole transport layer 105, the light-emitting layer 106, and the electron transport layer 107, contain an organic material
  • the functional layers may be formed by a deposition method in order to reduce deterioration of the functional layers.
  • the new layer when a new layer is formed on the layer containing the organic material after it has been deposited, the new layer may be formed by a deposition method in order to reduce deterioration of the layer that has already been formed.
  • a laminate including the substrate 101, in which the layers on the substrate 101 side from the layer to be formed are formed is placed inside the vacuum chamber 10 as the deposition target X.
  • the laminate is placed on the target holder 12 with the surface on which the deposition film is to be formed facing downward, in other words, toward the crucible 20.
  • the deposition apparatus 1 evacuates the inside of the vacuum chamber 10, creating a vacuum inside the vacuum chamber 10.
  • the deposition material M may include, for example, a deposition material having sublimation properties, or may include a deposition material having melting properties.
  • the deposition apparatus 1 heats the crucible 20, in which the material of the layer to be formed is stored as the deposition material M, to vaporize the deposition material M.
  • the vaporized deposition material M inside the crucible 20 is released from the opening 45 of the outer shell 40 toward the laminate, which is the deposition target X.
  • vaporization refers to a phase transition in which a liquid becomes a gas, or a phase transition in which a solid sublimes into a gas.
  • the deposition apparatus 1 may heat the deposition material M inside the crucible 20 to change the deposition material M from a solid to a gas via a liquid, or may sublimate the deposition material M from a solid to a gas.
  • the deposition material M released from the opening 45 reaches the surface of the laminate. Upon reaching the surface of the laminate, the deposition material M is cooled by contact with the surface of the laminate and becomes solid again. As a result, a deposition film containing the deposition material M is formed on the surface of the laminate facing the crucible 20.
  • the layers of the light-emitting element 102 for example at least one of the anode 103 and the cathode 108, and the light-emitting layer 106 may be formed in an island shape for each subpixel on the substrate 101.
  • deposition of each layer may be performed through a deposition mask, such as a metal mask, that is arranged on the crucible 20 side of the laminate and has openings at positions corresponding to each subpixel.
  • a layer containing multiple materials may be formed by co-deposition in which multiple crucibles 20 are heated simultaneously to form a film.
  • At least one of the layers of the light-emitting element 102 may be formed by a vapor deposition method using the vapor deposition apparatus 1.
  • some of the layers of the light-emitting element 102 may be formed by a method other than the vapor deposition method, such as a sputtering method, a photolithography method, or an inkjet method.
  • the deposition material M inside the crucible 20 is always in contact with the inner wall 50 regardless of the decrease in the deposition material M. Therefore, the deposition device 1 can more uniformly heat the deposition material M in contact with the inner wall 50, which has a higher specific heat than the outer wall 40. Therefore, the manufacturing method of the display device 100 makes the deposition rate of the deposition film more uniform, improves the quality of the deposition film, and improves the characteristics, life, etc. of the light-emitting element 102.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus 2 according to this embodiment.
  • the deposition apparatus 2 differs in configuration from the deposition apparatus 1 according to the previous embodiment only in that it includes a crucible 21 instead of the crucible 20.
  • the crucible 21 differs in configuration from the crucible 20 only in that it includes an inner shell 51 instead of the inner shell 50.
  • the inner shell 51 has a tapered portion 52 whose thickness decreases from the end side of the bottom 41 toward the center. Except for the above points, the inner shell 51 has the same configuration as the inner shell 50.
  • the inner shell 51 is in contact with at least a portion of the inner surface of the outer shell 40, and has a higher specific heat than the specific heat of the outer shell 40. Therefore, the deposition device 2 according to this embodiment can further reduce localized heating of the inner surface of the crucible 21, and more stabilize the deposition rate of the deposition film.
  • the inner shell 51 of the crucible 21 has a tapered portion 52
  • the vapor deposition material inside the crucible 21 is concentrated at the center of the crucible 21. Therefore, even when the amount of vapor deposition material inside the crucible 21 is small, the vapor deposition device 2 heats the vapor deposition material more uniformly, making the deposition rate of the vapor deposition film more stable. Furthermore, the vapor deposition material inside the crucible 20 is separated from the side portion 42 of the crucible 20 by the tapered portion 52. Therefore, even when the heating of the side portion 42 of the crucible 21 is insufficient, the vapor deposition device 2 reduces adhesion of the vapor deposition material to the side portion 42 of the inner surface of the crucible 21.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus 3 according to this embodiment.
  • the deposition apparatus 3 differs in configuration from the deposition apparatus 2 according to the previous embodiment only in that it includes a crucible 22 instead of the crucible 21.
  • the crucible 22 differs in configuration from the crucible 21 only in that it includes an inner shell 53 instead of the inner shell 51.
  • the inner shell 53 has the tapered portion 52 described above, and a protruding portion 54 that protrudes toward the opening 45 at a position closer to the center than the tapered portion 52. Except for the above, the inner shell 53 has the same configuration as the inner shell 51. For example, the inner shell 53 is in contact with at least a portion of the inner surface of the outer shell 40, and has a higher specific heat than the specific heat of the outer shell 40. Therefore, the deposition device 3 according to this embodiment can further reduce localized heating of the inner surface of the crucible 22, and more stabilize the deposition rate of the deposition film.
  • the deposition material inside the crucible 22 is concentrated on the side of the protruding portion 54.
  • the protruding portion 54 is thicker than the surrounding area, even if the deposition material is concentrated around the protruding portion 54, the protruding portion 54 reduces the increase in the thickness of the deposition material, thereby reducing insufficient heating of the deposition material. Therefore, the deposition device 3 heats the deposition material more uniformly even if the deposition material is concentrated on the center side of the crucible 22, making the deposition rate of the deposition film more stable.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a vapor deposition apparatus 4 according to this embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 4 differs in configuration from the vapor deposition apparatus 1 according to the above-described embodiment 1 only in that it includes a crucible 23 instead of the crucible 20.
  • the crucible 23 differs in configuration from the crucible 20 only in that it includes an inner shell 55 instead of the inner shell 50.
  • the inner shell 55 has at least one partition wall 56 that protrudes into the inside of the crucible 23. Therefore, a portion of the internal space of the crucible 23 on the side of the bottom 41 is divided into multiple spaces by the partition wall 56. As a result, a portion of the deposition material introduced into the inside of the crucible 23 on the side of the bottom 41 is divided by the partition wall 56. Except for the above points, the inner shell 55 has the same configuration as the inner shell 50. For example, the inner shell 55 is in contact with at least a portion of the inner surface of the outer shell 40, and has a specific heat higher than that of the outer shell 40.
  • the crucible 23 When the crucible 23 is heated by the heater section 30, the heat propagated to the inner wall 55 also propagates to the partition wall 56. Therefore, the crucible 23 can heat the deposition material located on the central side, which is farther away from each heater section 30, particularly each side heater 32, through the partition wall 56. Therefore, the deposition device 4 can heat the deposition material more uniformly regardless of the position inside the crucible 23.
  • the partition 56 in this embodiment protrudes in approximately the same direction as the normal direction C of the inner surface of the bottom 41. Therefore, no space is formed in the crucible 23 below the partition 56. Therefore, the deposition device 4 reduces the vaporized deposition material coming into contact with the partition 56 and solidifying, and increases the deposition material that reaches the deposition target. Note that in this embodiment, "approximately the same direction” does not mean that the two are completely the same, but allows for some deviation in the direction of the two, including manufacturing errors, etc.
  • the inner shell 55 has multiple partition walls 56. This allows the deposition device 4 to more efficiently heat the deposition material located toward the center of the crucible 23 through the multiple partition walls 56. Therefore, the deposition device 4 can heat the deposition material more uniformly regardless of the position inside the crucible 23.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the crucible 23 according to this embodiment.
  • the partition 56 When viewed in the normal direction to the inner surface of the bottom 41, as shown in FIG. 8, the partition 56 extends parallel to one of the multiple sides that define the outer edge of the bottom 41. In particular, the partition 56 extends parallel to the short direction of the outer edge of the bottom 41. Note that in this embodiment, "parallel" does not mean that the two are completely aligned in the same direction, but rather allows for misalignment of the directions of the two, including manufacturing errors, etc.
  • the deposition device 4 can reduce the difference in the heating conditions of the deposition material between the multiple regions, and can heat the deposition material more uniformly.
  • the partition 56 is located between the first and second sides of the multiple sides that define the outer edge of the bottom 41.
  • the partition 56 is located between two sides of the outer edge of the bottom 41 that face each other and run along the longitudinal direction.
  • the deposition device 4 can heat each of the partitioned deposition materials more uniformly by reducing the heat capacity of each of the partitioned deposition materials.
  • the uniform heating of the deposition material in each of the above spaces of the crucible 23 in this embodiment becomes noticeable when the deposition material inside the crucible 23 is consumed and the upper surface of the deposition material falls below the upper end of the partitions 56.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus 5 according to this embodiment.
  • the deposition apparatus 5 differs in configuration from the deposition apparatus 4 according to the previous embodiment only in that it includes a crucible 24 instead of the crucible 23.
  • the crucible 24 differs in configuration from the crucible 23 only in that it includes an inner shell 57 instead of the inner shell 55.
  • the inner shell 57 of this embodiment has at least one partition wall 58 that protrudes inwardly into the crucible 24.
  • the partition wall 58 of this embodiment protrudes in a direction different from the normal direction C of the inner surface of the bottom 41.
  • the inner shell 57 has the same configuration as the inner shell 55.
  • the inner shell 57 is at least partially in contact with the inner surface of the outer shell 40, and has a specific heat higher than that of the outer shell 40.
  • the position of the crucible is fixed relative to the vacuum chamber, but this is not limited to the above.
  • the deposition apparatus including each of the deposition devices described above may heat the deposition material while changing the position of the crucible relative to the deposition target to form a deposition film on the deposition target.
  • the deposition material including the material of the deposition film is a meltable material
  • the deposition material may flow inside the crucible as the crucible moves. The flow of the deposition material inside the crucible leads to a decrease in the uniformity of heating of the deposition material.
  • the partition 58 in this embodiment protrudes in a direction different from the normal direction C of the inner surface of the bottom 41, so even if the deposition material, which is a fusible material, flows horizontally and collides with the partition 58, the turbulence caused by the collision is mitigated by the partition 58. As a result, the partition 58 more restricts the flow of the deposition material inside the inner shell 57 in response to the movement of the crucible 24 than the partition 56 described above. Therefore, the deposition device 5 in this embodiment can heat the deposition material more uniformly regardless of the movement of the crucible 24.
  • FIGs. 10A and 10B are schematic cross-sectional views of the crucible 24 according to this embodiment.
  • Fig. 10A shows a schematic cross-sectional view of crucible 24A, which is an example of the crucible 24 according to this embodiment
  • Fig. 10B shows a schematic cross-sectional view of crucible 24B, which is another example of the crucible 24.
  • crucible 24A has partition 58A as partition 58.
  • partition 58A extends along a direction intersecting with any of the sides of bottom 41 among the multiple sides that define the outer edge of bottom 41 when viewed in the normal direction to the inner surface of bottom 41. Therefore, even if the deposition material, which is a meltable material, flows horizontally and collides with partition 58A, the turbulence caused by the collision is mitigated by partition 58A. Therefore, even in deposition device 5 equipped with crucible 24A, the deposition material can be heated more uniformly regardless of the movement of crucible 24A.
  • the partitions 58A are located between two opposing longitudinal sides of the outer edge of the bottom 41. As a result, a portion of the vapor deposition material inside the crucible 24A on the side of the bottom 41 is divided into multiple sections by the partitions 58A.
  • the vapor deposition device 5 equipped with the crucible 24A can therefore heat each of the vapor deposition materials more uniformly by reducing the heat capacity of each of the divided vapor deposition materials.
  • crucible 24B has partition 58B as partition 58.
  • partition 58B extends along a direction intersecting with any of the sides of bottom 41 among the multiple sides that define the outer edge of bottom 41 when viewed in the normal direction of the inner surface of bottom 41. Therefore, even in deposition device 5 equipped with crucible 24B, the deposition material can be heated more uniformly regardless of the movement of crucible 24B.
  • the partition 58B is located on a portion of the outer edge of the bottom 41 from the first side to the second side. Therefore, a portion of the internal space of the crucible 24B on the side of the bottom 41 is not partitioned by the partition 58B and becomes a single space. Therefore, the deposition device 5 equipped with the crucible 24B causes the deposition material to flow inside the crucible 24B, and heat is propagated between distant positions of the crucible 24B, thereby heating the deposition material more uniformly.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a deposition apparatus 6 according to this embodiment.
  • the deposition apparatus 6 differs in configuration from the deposition apparatus 5 according to the previous embodiment only in that it includes a crucible 25 instead of the crucible 24.
  • the crucible 25 differs in configuration from the crucible 24 only in that it includes an inner shell 59 instead of the inner shell 57.
  • the inner shell 59 according to this embodiment has at least one partition 60 that protrudes into the inside of the crucible 25.
  • the partition 60 according to this embodiment protrudes in a direction different from the normal direction C of the inner surface of the bottom 41.
  • any one of the multiple partitions 60 protrudes in a direction different from the protruding direction of any other partition 60.
  • the inner shell 59 has the same configuration as the inner shell 57.
  • the inner shell 59 is at least partially in contact with the inner surface of the outer shell 40, and has a specific heat higher than that of the outer shell 40.
  • the multiple partitions 60 in this embodiment protrude in different directions, when the vapor deposition material, which is a fusible material, flows horizontally and collides with a partition 60, the direction of flow changes depending on the partition 60 that collides.
  • the partition 60 further reduces turbulence of the vapor deposition material inside the inner shell 59 in response to the movement of the crucible 25, and further restricts the flow of the vapor deposition material. Therefore, the vapor deposition device 6 in this embodiment can heat the vapor deposition material more uniformly regardless of the movement of the crucible 25.
  • FIGS. 12A and 12B are schematic cross-sectional views of the crucible 25 according to this embodiment.
  • FIG. 12A shows a schematic cross-sectional view of crucible 25A, which is an example of the crucible 25 according to this embodiment
  • FIG. 12B shows a schematic cross-sectional view of crucible 25B, which is another example of the crucible 25.
  • the crucible 25A has a partition 60A as the partition 60.
  • any one of the multiple partitions 60A extends in a direction different from the extension direction of any other partition 60A.
  • the deposition device 6 including the crucible 25A further reduces turbulence of the deposition material inside the inner shell 59 in response to the movement of the crucible 25A, and heats the deposition material more uniformly regardless of the movement of the crucible 25A.
  • the partitions 60A are located between two opposing longitudinal sides of the outer edge of the bottom 41. As a result, a portion of the vapor deposition material inside the crucible 25A on the side of the bottom 41 is divided into multiple sections by the partitions 60A.
  • the vapor deposition device 6 equipped with the crucible 25A can therefore heat each of the vapor deposition materials more uniformly by reducing the heat capacity of each of the divided vapor deposition materials.
  • crucible 25B has partition 60B as partition 60.
  • any one of the multiple partitions 60B extends in a direction different from the extension direction of any other partition 60B. Therefore, deposition device 6 equipped with crucible 25B heats the deposition material more uniformly regardless of the movement of crucible 25B.
  • the partition 60B is located on a portion of the outer edge of the bottom 41 from the first side to the second side. Therefore, the vapor deposition material inside the crucible 25B is not divided by the partition 60B but is integrated. Therefore, the vapor deposition device 5 equipped with the crucible 25B causes the vapor deposition material to flow inside the crucible 25B, and heat is propagated between distant positions of the crucible 25B, thereby heating the vapor deposition material more uniformly.
  • the inner shell of the deposition device according to each of the above-mentioned embodiments is detachably attached to the outer shell 40. Therefore, the deposition device according to each embodiment can easily change the inner shell attached to the outer shell 40 depending on the material to be deposited or the deposition target. For example, the deposition device according to each embodiment can easily change the presence or absence or shape of the above-mentioned tapered portion, protrusion, or partition in the inner shell by changing the inner shell attached to the outer shell. Therefore, the deposition device according to each embodiment makes it easy to form a deposition film using a crucible that is more suitable for the material of the deposition material and the deposition target.
  • Vapor deposition apparatus 10
  • Crucible 31
  • Bottom heater (heater) 32
  • Side heater (heater) 40
  • Outer shell 41
  • Bottom portion 42
  • Side portion 45
  • Opening portion 50
  • Inner shell 52
  • Tapered portion 54
  • Protruding portion 56
  • Partition wall 100
  • Display device 102 Light-emitting element

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Abstract

蒸着装置は坩堝を備え、坩堝は外殻と内殻とを含む。外殻は、蒸着材を蒸着対象に向けて放出する開口部を有する。内殻は、外殻の内面の少なくとも一部と接し、かつ、外殻よりも比熱が高い。

Description

蒸着装置、表示装置の製造方法
　本開示は、蒸着膜を形成するための蒸着装置および当該蒸着装置を用いた表示装置の製造方法に関する。
　薄膜の形成法として、坩堝中の材料をヒータにて溶融および蒸発させて、坩堝の上方に位置する物体の表面に接触させて凝固させることにより、当該材料を含む薄膜を物体の表面に形成する蒸着法が知られている。また、ＯＬＥＤ等の発光素子を備えた表示装置の製造方法において、発光素子の各層の劣化を低減するために、当該各層の形成に蒸着装置を用いた蒸着法が採用される場合がある。特許文献１には、蒸着装置を用いた蒸着工程において有機ＥＬ素子の有機層を成膜する方法が開示される。
日本国特開２０１０－４０５２９号公報
　特許文献１に記載されるような蒸着工程においては、坩堝内部における加熱ムラ、坩堝内に残存する蒸着材の偏り等に起因して、蒸着膜の成膜レートの変化が生じる場合がある。蒸着工程における蒸着膜の成膜レートの変化は、蒸着膜の品質低下、あるいは、成膜レートを安定させるための工程の実行に伴うタクトタイムの延長またはコストの増大につながる。
　本開示の一態様に係る蒸着装置は、蒸着材を蒸着対象に向けて放出する開口部を有する外殻と、前記外殻の内面の少なくとも一部と接し、かつ、前記外殻よりも比熱が高い内殻と、を含む坩堝を備える。
　蒸着装置による蒸着膜の成膜レートの変化を低減する。
実施形態１に係る蒸着装置の概略側断面図である。 各実施形態に係る表示装置の概略側断面図である。 実施形態１に係る坩堝の概略平面図である。 実施形態１に係る坩堝の概略断面図である。 実施形態１に係る蒸着工程における蒸着装置の概略側断面図である。 実施形態２に係る蒸着装置の概略側断面図である。 実施形態３に係る蒸着装置の概略側断面図である。 実施形態４に係る蒸着装置の概略側断面図である。 実施形態４に係る坩堝の概略断面図である。 実施形態５に係る蒸着装置の概略側断面図である。 実施形態５に係る坩堝の概略断面図である。 実施形態５に係る他の坩堝の概略断面図である。 実施形態６に係る蒸着装置の概略側断面図である。 実施形態６に係る坩堝の概略断面図である。 実施形態６に係る他の坩堝の概略断面図である。
　〔実施形態１〕
　＜表示装置＞
　以下、本開示の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において、同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
　本実施形態に係る表示装置について、図２を参照して説明する。図２は本実施形態に係る表示装置１００の概略側断面図である。表示装置１００は、例えば、テレビまたはスマートフォン等のディスプレイに用いることのできる装置である。表示装置１００は、例えばＴＦＴ基板である基板１０１と、基板１０１上に複数形成された発光素子１０２と、を備える。
　発光素子１０２は、例えば、基板１０１の側から順に、第１電極であるアノード１０３、正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、発光層１０６、電子輸送層１０７、および第２電極であるカソード１０８を有する。なお、発光素子１０２の構造は上記構成に限られず、基板１０１の側から順に、カソード１０８、電子輸送層１０７、発光層１０６、正孔輸送層１０５、正孔注入層１０４、およびアノード１０３を有してもよい。また、発光素子１０２は、アノード１０３とカソード１０８との間に、少なくとも発光層１０６を有する限り、正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、および、電子輸送層１０７のうち少なくとも一層を備えていなくともよい。換言すれば、発光素子１０２は、アノード１０３とカソード１０８との間に、少なくとも発光層１０６を含む機能層を有する。また、発光素子１０２は、例えば電子輸送層１０７とカソード１０８との間の電子注入層を含む、さらなる機能層を有してもよい。
　表示装置１００は、基板１０１に形成された不図示のドライバ等を介して各発光素子１０２のアノード１０３とカソード１０８との間に電圧を印加する。電圧を印加された各発光素子１０２は、アノード１０３から正孔注入層１０４および正孔輸送層１０５を介して発光層１０６に正孔を注入し、また、カソード１０８から電子輸送層１０７を介して発光層１０６に電子を注入する。発光層１０６は、例えば有機発光材料を含む発光材料を有し、注入された正孔と電子との再結合により生じた励起子によって発光する。アノード１０３およびカソード１０８の少なくとも一方は光透過性である透過電極であり、発光素子１０２は発光層１０６から生じた光を透過電極の側に取り出す。これにより、表示装置１００は各発光素子１０２から個々に光を取り出すことにより表示を行う。
　本実施形態に係る表示装置１００の製造方法としては、例えば、基板１０１上に発光素子１０２の各層を順に成膜する方法が挙げられる。ここで、特に本実施形態に係る表示装置１００の製造方法においては、発光素子１０２の各層のうち少なくとも一層は、後述する蒸着装置を用いた蒸着法により成膜される。
　＜蒸着装置：概要＞
　本実施形態に係る蒸着装置について図１を参照して説明する。図１は本実施形態に係る蒸着装置１の概略側断面図である。なお、図１を含む本開示の各蒸着装置の概略側断面図は、何れも後述する複数の開口部４５を通り、底部４１の内面の法線方向に沿う断面について示し、また、当該断面よりも紙面向かって奥側に位置する部材の図示を省略する。また、図１を含む本開示の各図において、一体として形成されている部材には同一のハッチングを付す。
　蒸着装置１は、真空チャンバ１０と、坩堝２０と、ヒータ部３０と、を備える。坩堝２０は、後述するように、蒸着材を蒸着対象に向けて放出する開口部４５を有する外殻４０と、外殻４０の内面の少なくとも一部と接し、かつ、外殻４０よりも比熱が高い内殻５０と、を含む。上記構成により、本実施形態に係る蒸着装置１は、蒸着膜の成膜レートの変化を低減する。以下、上記を含め蒸着装置１について詳細に説明する。
　＜蒸着装置：真空チャンバ＞
　真空チャンバ１０は、筐体１１と、対象保持部１２と、坩堝保持部１３と、を有する。筐体１１は中空であり、内部を気密する。対象保持部１２および坩堝保持部１３は、例えば筐体１１の内面から突出してもよく、換言すれば筐体１１と一体であってもよい。
　筐体１１は蒸着装置１により蒸着膜が形成される蒸着対象を出し入れ可能な出入口と、当該出入口を開閉可能に密閉する扉部と、を備えていてもよい。対象保持部１２には、筐体１１の外部から出入口を介して投入された蒸着対象を載置可能であってもよい。真空チャンバ１０は、対象保持部１２に蒸着対象Ｘを載置し、かつ、扉部により出入口を密閉した状態において、不図示のポンプにより筐体１１の内部を真空とすることができる。筐体１１の形状は、内部を真空とした場合における強度維持等の観点から、円筒形状を有してもよいが、これに限られず、直方形状を有してもよい。
　坩堝保持部１３は、後述する坩堝２０が載置されることにより筐体１１の内部において坩堝２０を保持する。例えば、坩堝保持部１３は、筐体１１の内面と坩堝２０との距離をおいて、筐体１１の内部に坩堝２０を保持してもよい。
　＜蒸着装置：坩堝＞
　坩堝２０は、後述する蒸着材が投入された状態において内部をヒータ部３０によって加熱されることにより、蒸着材を対象保持部１２に保持された蒸着対象に向けて放出する。坩堝２０は、外殻４０と、内殻５０と、を含む。
　図１と併せて図３Ａおよび図３Ｂを参照し、坩堝２０についてより詳細に説明する。図３Ａは坩堝２０の概略平面図であり、図３Ｂは坩堝２０の概略断面図である。図３Ａは図１に示す方向Ａ、換言すれば、坩堝２０の上方から下方に向かって坩堝２０を平面視した場合における坩堝２０の概略平面図である。また、図３Ｂは坩堝２０の図１に示すＢ－Ｂ矢視断面図であり、換言すれば、後述する外殻４０の底部４１の内面の水平、かつ、内殻５０よりも開口部４５の側を通る断面について示す坩堝２０の概略断面図である。
　なお、図３Ｂを含む本実施形態に係る各坩堝の概略断面図は、坩堝の各部をより詳細に示すために、断面よりも紙面に向かって奥に位置する部材を併せて示している。また、本実施形態に係る各坩堝の概略断面図は、何れも図３Ｂに示す坩堝２０の断面と対応する坩堝の断面を示す。
　外殻４０は、底部４１と、側部４２と、天板部４３と、天板突出部４４と、開口部４５と、を含む。外殻４０は、底部４１、側部４２、および天板部４３により形成される例えば略直方形状の空間を内部に有する。この場合、底部４１と天板部４３とは互いに対向する四角形状の板状部材であってもよい。側部４２は底部４１に対する側部であり、特に外殻４０の底部４１の外縁から天板部４３に向かって突出し、天板部４３の外縁と接続する。
　天板突出部４４は、天板部４３の外面に複数形成され、換言すれば坩堝２０の外側に向かって突出する。開口部４５は天板突出部４４の内側に形成され、外殻４０の内外を連通する。このため、底部４１と対象保持部１２に載置された蒸着対象の位置との間に開口部４５が位置し、換言すれば、底部４１は開口部４５の側と反対の側に位置する。したがって、開口部４５は、坩堝２０の内部に蒸着材が投入された状態において坩堝２０の内部が加熱された際に、当該蒸着材を対象保持部１２に保持された蒸着対象に向けて放出する。
　内殻５０は、外殻４０の内側に位置し、特に、外殻４０の内面の少なくとも一部と接する。坩堝２０は外殻４０と内殻５０との二重構造を有していることにより強度を向上する。また、本実施形態に係る内殻５０は、外殻４０と比較して比熱が高い。例えば、外殻４０は坩堝２０の強度の向上等の観点から金属を含んでもよく、内殻５０は金属よりも比較的比熱の高いセラミックスを含んでもよい。
　後述するヒータ部３０により坩堝２０の内部が外殻４０および内殻５０を介して加熱された場合、外殻４０の比熱より内殻５０の比熱の方が高いことに起因して、外殻４０の温度上昇と比較して内殻５０の温度上昇はより緩やかに生じる。このため、坩堝２０は、外殻４０と内殻５０とを含むことにより、外殻４０のみを備える場合と比較して、蒸着材が接する坩堝２０の内面全体の温度上昇がより緩やかに生じる。
　したがって、蒸着装置１は、坩堝２０の外部からの加熱により外殻４０の温度にムラが生じた場合においても、外殻４０の熱が内殻５０に緩やかに伝搬するため、坩堝２０の内部が局所的に加熱されることを低減する。ゆえに蒸着装置１は、坩堝２０の内部の蒸着材をより均一に加熱する。坩堝２０の内部の蒸着材を均一に加熱することにより、蒸着装置１は、坩堝２０の内部の位置による、当該蒸着材の消費速度の差異を低減する。
　また、内殻５０は外殻４０と比較して、同量の熱量が与えられた場合において温度の上昇が小さく、また、同量の熱量が奪われた場合において温度の降下が小さい。このため、坩堝２０の内面は坩堝２０の外面と比較して温度の上下が生じにくい。したがって、蒸着装置１は坩堝２０の内部における温度をより一定に保持しやすい。
　これにより、蒸着装置１は、坩堝２０の内部の位置による残存する蒸着材の量の差異を低減し、坩堝２０の内部の位置による蒸着材の消費量の差異を低減する。また、蒸着装置１は、経時的な坩堝２０の内部の温度変化を低減し、坩堝２０の内部の蒸着材の消費速度の経時変化を低減する。したがって、蒸着装置１は、坩堝２０の内部の位置または蒸着膜の工程の実施時間等によらず、坩堝２０の内部の蒸着材の消費速度をより均一とでき、ひいては蒸着膜の成膜レートをより安定させる。
　例えば、坩堝２０の内部の蒸着材をより均一に加熱する方法としては、蒸着材に熱伝導率の高い均熱材を混合させる方法が考えられる。しかしながら、一般に蒸着材は常温にて固体であり、蒸着工程の完了後に坩堝２０の内部に残留した蒸着材は硬化する。このため、坩堝２０の内部の蒸着材に均熱材を混合させた場合、坩堝２０の内部に蒸着材と均熱材との分離が困難となり、ひいては蒸着材の再利用が困難となる。また、蒸着材と均熱材とを混合させることにより、蒸着材の比熱の上昇に伴う加熱時間の長時間化、あるいは、均熱材による蒸着材の汚染の可能性を招来する。以上の通り、均熱材を蒸着材に混合することは、蒸着材の取扱いをより困難とする。
　本実施形態に係る蒸着装置１は、外殻４０と当該外殻４０よりも比熱の高い内殻５０とを有することにより、内部の蒸着材の加熱をより均一とできる坩堝２０を備える。このため、蒸着装置１は、坩堝２０の内部の蒸着材をより均一に加熱するために、上述した均熱材を要しない。このため蒸着装置１は、蒸着材の取扱いをより容易としつつ、坩堝２０の内部の蒸着材をより均一に加熱できる。
　特に、本実施形態において、内殻５０は外殻４０よりも熱容量が高い。これにより蒸着装置１は、坩堝２０の内面の局所的な加熱をより低減できる。
　例えば内殻５０は、側部４２の少なくとも一部と接する。これにより蒸着装置１は、坩堝２０が側方から加熱された場合における内殻５０の内面の局所的な加熱を低減する。
　また、内殻５０は、底部４１の少なくとも一部、および側部４２の底部４１の側と接する。この場合、坩堝２０の内部の蒸着材が、外殻４０と触れていない内殻５０の部分の内面、あるいは、外殻４０の内面に直接接触することを低減する。したがって、上記構成により蒸着装置１は、坩堝２０の内部の蒸着材の減少に関わらず、蒸着材が局所的に加熱されることを低減する。
　特に、本実施形態に係る内殻５０は、底部４１の全面、および各側部４２の底部４１の側と接する。上記構成により蒸着装置１は、坩堝２０の内部の蒸着材の減少に関わらず、坩堝２０の側方および下方の双方における蒸着材の局所的な加熱を低減する。この場合、内殻５０は四角形状の底部と当該底部の外縁を規定する複数の辺のそれぞれから突出する側部とを有してもよい。
　一般に、上述した表示装置１００を含む表示装置の表示部は四角形状であることが多い。このため、外殻４０および内殻５０の底部が四角形状であることにより、円形状等他の形状である場合と比較して、表示装置１００の四角形状の表示部に形成される蒸着膜の膜厚または品質等の均一性を向上できる。
　ただし、本実施形態に係る外殻４０および内殻５０は、内殻５０が外殻４０の内面の少なくとも一部と接し、かつ、内殻５０の比熱が外殻４０の比熱よりも高い限り、特に限定されない。例えば、内殻５０は底部４１と側部４２との少なくとも一方と接してもよい。例えば、内殻５０は、坩堝２０の強度を確保する観点から、底部４１の長手方向に沿う側部４２の内面と接してもよい。
　本実施形態に係る内殻５０は外殻４０に着脱可能に取り付けられる。このため本実施形態に係る蒸着装置１は、以下の理由から、坩堝２０の内面の清掃または蒸着材の変更が、より容易に実行できる。
　一般に、蒸着装置の坩堝の内面には蒸着膜の形成工程後においても蒸着材が残存する場合があり、定期的に当該蒸着材を取り除く、坩堝の内面の清掃を含むメンテナンスが必要である。また、蒸着膜の材料を変更する場合、坩堝の内部の蒸着材を全て取り替える方法は、坩堝の内部の蒸着材への異なる材料を含む蒸着材の混入の原因となり得る。
　例えば、内殻５０を外殻４０から取り外し真空チャンバ１０の外部において内殻５０の清掃を実行することにより、内殻５０の内面はより容易に清掃できる。また、内殻５０の清掃を実行する間、新たな内殻５０を外殻４０に取り付けることにより、上記清掃の間蒸着装置１による蒸着膜の形成を継続できる。
　また、ある材料を含む蒸着材が格納された内殻５０を外殻４０から取り外した後、他の材料を含む蒸着材が格納された内殻５０を外殻４０に取り付けることにより、蒸着装置１はより容易に坩堝２０の内部の蒸着材の材料を変更できる。また、上記方法によれば、互いに異なる材料を含む蒸着材同士が直接接することを防止できるため、坩堝２０の内部の蒸着材への異なる材料を含む蒸着材の混入を低減できる。
　＜蒸着装置：ヒータ＞
　図１の参照に戻ると、ヒータ部３０は筐体１１の内部に配され、坩堝２０を外部から加熱することにより坩堝２０を加熱する。ヒータ部３０の具体的な加熱機構等は特に問われない。本実施形態において、ヒータ部３０はヒータとして底部ヒータ３１と側部ヒータ３２とを含む。底部ヒータ３１は筐体１１と底部４１との間に配され、側部ヒータ３２は筐体１１と側部４２との間に配される。
　このため、ヒータ部３０が含む各ヒータは外殻４０を介して内殻５０と対向する位置に配されている。この場合、ヒータ部３０からの熱は外殻４０を介して効率的に内殻５０に伝搬する。したがって、蒸着装置１は、ヒータ部３０によってより効率的に内殻５０を加熱できる。ゆえに、上記構成と併せて、外殻４０の比熱よりも内殻５０の比熱が高いことを鑑みると、蒸着装置１は効率的に坩堝２０の内部を加熱しつつ、坩堝２０の内部の局所的な加熱を低減できる。
　＜蒸着装置：補記＞
　蒸着装置１は単一の坩堝２０を備えているが、これに限られない。例えば、蒸着装置１は、内部に格納される蒸着材が含む材料が互いに異なる複数の坩堝２０を備えてもよい。蒸着装置１は、各部の動作を制御する不図示の制御部を備えてもよい。制御部は、例えば、真空チャンバ１０の内部の排気、およびヒータ部３０の制御を介した坩堝２０の内部の加熱を制御してもよい。
　＜表示装置の製造方法＞
　図４を参照し本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。図４は蒸着工程における蒸着装置１の概略側断面図である。図４は蒸着装置１によって表面に蒸着膜が形成される後述の蒸着対象Ｘ、および蒸着膜の材料であり坩堝２０の内部に格納される蒸着材Ｍについても図示している。
　本実施形態に係る表示装置１００の製造方法は、上述の通り、基板１０１上に発光素子１０２の各層を順に成膜する工程を含み、発光素子１０２の各層のうち少なくとも一層は蒸着装置１を用いて成膜される。
　特に、発光素子１０２のうち、正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、発光層１０６、および電子輸送層１０７を含む機能層が有機材料を含む場合、当該機能層の劣化を低減する観点から、機能層は蒸着法によって成膜されてもよい。また、有機材料を含む層が蒸着された後、当該層上にさらに新たな層の成膜を行う場合にも、既に成膜された層の劣化を低減する観点から、新たな層は蒸着法によって成膜されてもよい。
　蒸着装置１を用いた発光素子１０２の何れかの層の成膜工程においては、例えば、成膜する層より基板１０１の側の各層までが形成された、基板１０１を含む積層体を蒸着対象Ｘとして真空チャンバ１０の内部に投入する。ここで積層体は蒸着膜が成膜される面を下側、換言すれば坩堝２０の側に向けて対象保持部１２上に載置される。次いで、蒸着装置１は、真空チャンバ１０の内部の排気を行い、真空チャンバ１０の内部を真空とする。
　ここまでに、坩堝２０の内部には成膜工程において成膜する層の材料が蒸着材Ｍとして内部に格納される。蒸着材Ｍは、例えば、昇華性を有する蒸着材を含んでもよく、あるいは、溶融性を有する蒸着材を含んでもよい。
　次いで、蒸着装置１は、成膜する層の材料が蒸着材Ｍとして内部に格納された坩堝２０を加熱し当該蒸着材Ｍを気化させる。これにより、坩堝２０の内部において気化した蒸着材Ｍは外殻４０の開口部４５から蒸着対象Ｘである積層体に向かって放出される。なお、本明細書における『気化』とは、液体が気体となる相転移、または固体が気体に昇華する相転移を指す。換言すれば、蒸着装置１は、坩堝２０の内部の蒸着材Ｍを加熱して、蒸着材Ｍを固体から液体を介して気体にしてもよく、あるいは蒸着材Ｍを固体から気体に昇華させてもよい。
　開口部４５から放出された蒸着材Ｍは積層体の表面に到達する。積層体の表面に到達した蒸着材Ｍは、積層体の表面との接触により冷却され再び固体となる。これにより、積層体の坩堝２０の側の表面には、蒸着材Ｍを含む蒸着膜が成膜される。
　発光素子１０２の各層のうち、例えばアノード１０３とカソード１０８との少なくとも一方、および発光層１０６は、基板１０１上のサブ画素ごとに島状に形成されてもよい。この場合、各層の蒸着は、積層体の坩堝２０の側に配置された、各サブ画素に対応する位置に開口を有するメタルマスク等の蒸着マスク越しに実行されてもよい。
　蒸着装置１が複数の坩堝２０を備える場合、上記方法においては、複数の坩堝２０を同時に加熱して成膜を行う共蒸着により、複数の材料を含む層を成膜してもよい。
　なお、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法においては、発光素子１０２の各層の少なくとも一層が蒸着装置１による蒸着法によって成膜されていればよい。例えば、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法においては、発光素子１０２の一部の層が、スパッタ法、フォトリソグラフィ法、またはインクジェット法等の蒸着法と異なる方法により成膜されてもよい。
　ここで、本実施形態においては、図４に示すように、坩堝２０の内部の蒸着材Ｍは、蒸着材Ｍの減少に関わらず常に内殻５０と接している。このため、蒸着装置１は、外殻４０よりも比熱の高い内殻５０と接する蒸着材Ｍをより均一に加熱できる。したがって、表示装置１００の製造方法は蒸着膜の成膜レートをより均一とし、当該蒸着膜の品質をより改善し、発光素子１０２の特性、寿命等をより改善する。
　〔実施形態２〕
　＜テーパー部＞
　図５は本実施形態に係る蒸着装置２の概略断面図である。蒸着装置２は前実施形態に係る蒸着装置１と比較して、坩堝２０に代えて坩堝２１を備える点においてのみ構成が異なる。坩堝２１は坩堝２０と比較して、内殻５０に代えて内殻５１を備える点においてのみ構成が異なる。
　内殻５１は、厚さが底部４１の端部側から中央側に向かって薄くなるテーパー部５２を有する。上記点を除き内殻５１は内殻５０と同一の構成を備える。例えば、内殻５１は外殻４０の内面と少なくとも一部が接し、外殻４０の比熱よりも高い比熱を有する。このため、本実施形態に係る蒸着装置２は、坩堝２１の内面の局所的な加熱をより低減でき、蒸着膜の成膜レートをより安定させる。
　また、坩堝２１の内殻５１がテーパー部５２を有するために、坩堝２１の内部の蒸着材は坩堝２１の中央側に集中する。このため、蒸着装置２は坩堝２１の内部の蒸着材の量が少ない場合においても蒸着材をより均一に加熱し、蒸着膜の成膜レートをより安定させる。また、坩堝２０の内部の蒸着材は、テーパー部５２により坩堝２０の側部４２の側から離れる。このため、蒸着装置２は、坩堝２１の側部４２の側の加熱が不十分である場合においても、坩堝２１の内面の側部４２の側に蒸着材が固着することを低減する。
　〔実施形態３〕
　＜突出部＞
　図６は本実施形態に係る蒸着装置３の概略断面図である。蒸着装置３は前実施形態に係る蒸着装置２と比較して、坩堝２１に代えて坩堝２２を備える点においてのみ構成が異なる。坩堝２２は坩堝２１と比較して、内殻５１に代えて内殻５３を備える点においてのみ構成が異なる。
　内殻５３は、上述したテーパー部５２と、テーパー部５２よりも中央側において開口部４５の側に突出する突出部５４を有する。上記点を除き内殻５３は内殻５１と同一の構成を備える。例えば、内殻５３は外殻４０の内面と少なくとも一部が接し、外殻４０の比熱よりも高い比熱を有する。このため、本実施形態に係る蒸着装置３は、坩堝２２の内面の局所的な加熱をより低減でき、蒸着膜の成膜レートをより安定させる。
　また、坩堝２２の内殻５３がテーパー部５２を有するために、坩堝２２の内部の蒸着材は突出部５４の側に集中する。ここで突出部５４は周囲と比較して厚さが厚いため、突出部５４の周囲に蒸着材が集中した場合においても、突出部５４は当該蒸着材の厚さの増大を低減することにより、蒸着材の加熱が不十分となることを低減する。したがって、蒸着装置３は、蒸着材が坩堝２２の中央側に集中した場合においても蒸着材をより均一に加熱し、蒸着膜の成膜レートをより安定させる。
　〔実施形態４〕
　＜隔壁＞
　図７は本実施形態に係る蒸着装置４の概略断面図である。蒸着装置４は前述の実施形態１に係る蒸着装置１と比較して、坩堝２０に代えて坩堝２３を備える点においてのみ構成が異なる。坩堝２３は坩堝２０と比較して、内殻５０に代えて内殻５５を備える点においてのみ構成が異なる。
　本実施形態に係る内殻５５は、坩堝２３の内側に突出する少なくとも一つの隔壁５６を有する。このため、坩堝２３の内部空間のうち底部４１の側の一部は、隔壁５６によって複数の空間に仕切られる。これにより、坩堝２３の内部に投入された蒸着材のうち底部４１の側の一部は隔壁５６によって仕切られる。上記点を除き内殻５５は内殻５０と同一の構成を備える。例えば、内殻５５は外殻４０の内面と少なくとも一部が接し、外殻４０の比熱よりも高い比熱を有する。
　坩堝２３をヒータ部３０によって加熱した場合、内殻５５に伝搬した熱は隔壁５６にも伝搬する。このため、坩堝２３は、各ヒータ部３０、特に各側部ヒータ３２からの距離が遠くなる中央の側に位置する蒸着材を、隔壁５６を介して加熱できる。したがって蒸着装置４は、坩堝２３の内部の位置によらずより均一に蒸着材を加熱できる。
　本実施形態に係る隔壁５６は、底部４１の内面の法線方向Ｃと略同一方向に突出する。このため坩堝２３には隔壁５６の下部に位置する空間が形成されない。したがって、蒸着装置４は気化した蒸着材が隔壁５６に接触し固化することを低減し、蒸着対象まで到達する蒸着材を増大させる。なお、本実施形態において、『略同一方向』とは２者が完全に同一であることを指さず、製造時の誤差等を含む２者の方向のずれを許容する。
　本実施形態において、内殻５５は複数の隔壁５６を有する。これにより蒸着装置４は、坩堝２３の中央の側に位置する蒸着材を、複数の隔壁５６を介してより効率的に加熱できる。したがって蒸着装置４は、坩堝２３の内部の位置によらずより均一に蒸着材を加熱できる。
　図７と併せて図８を参照し、本実施形態に係る隔壁５６についてより詳細に説明する。図８は本実施形態に係る坩堝２３の概略断面図である。底部４１の内面の法線方向にみて、図８に示すように、隔壁５６は底部４１の外縁を規定する複数の辺のうち何れかの辺と並行に延伸する。特に、隔壁５６は底部４１の外縁の短手方向と並行に延伸する。なお、本実施形態において、『並行』とは２者が完全に同一方向に沿うことを指さず、製造時の誤差等を含む２者の方向のずれを許容する。
　この場合、坩堝２３の平面視において、側部４２と隔壁５６または隔壁５６の長手方向の延長線とによって形成される複数の領域が、何れも四角形状となる。したがって蒸着装置４は、複数の領域の間における蒸着材の加熱条件の差異を低減でき、より蒸着材を均一に加熱できる。
　また、隔壁５６は、底部４１の外縁を規定する複数の辺のうち第１辺から第２辺にわたって位置する。特に、隔壁５６は底部４１の外縁のうち、互いに対向し、かつ、長手方向に沿う２辺の間にわたって位置する。
　このため、坩堝２３の内部空間のうち底部４１の側の一部は、隔壁５６によって複数の空間に区画される。このため坩堝２０の内部の蒸着材の一部についても、隔壁５６によって複数に区画される。したがって蒸着装置４は、区画された蒸着材それぞれの熱容量を低減することにより、当該蒸着材それぞれをより均一に加熱できる。本実施形態に係る坩堝２３の上記空間のそれぞれにおける蒸着材の加熱の均一化は、坩堝２３の内部の蒸着材が消費され、当該蒸着材の上面が隔壁５６の上端を下回った場合に顕著となる。
　〔実施形態５〕
　＜隔壁の他の例１＞
　図９は本実施形態に係る蒸着装置５の概略断面図である。蒸着装置５は前実施形態に係る蒸着装置４と比較して、坩堝２３に代えて坩堝２４を備える点においてのみ構成が異なる。坩堝２４は坩堝２３と比較して、内殻５５に代えて内殻５７を備える点においてのみ構成が異なる。
　本実施形態に係る内殻５７は、坩堝２４の内側に突出する少なくとも一つの隔壁５８を有する。特に、本実施形態に係る隔壁５８は、底部４１の内面の法線方向Ｃと異なる方向に突出する。上記点を除き内殻５７は内殻５５と同一の構成を備える。例えば、内殻５７は外殻４０の内面と少なくとも一部が接し、外殻４０の比熱よりも高い比熱を有する。
　上述の各蒸着装置を含む蒸着装置は、坩堝の位置が真空チャンバに対し固定されているが、これに限られない。例えば、上述の各蒸着装置を含む蒸着装置は、蒸着対象に対する坩堝の位置を変更しつつ蒸着材を加熱し蒸着対象への蒸着膜の形成を行ってもよい。ここで、蒸着膜の材料を含む蒸着材が溶融性材料の場合、坩堝の移動に伴い坩堝の内部を蒸着材が流動する場合がある。坩堝の内部にて蒸着材が流動することは、当該蒸着材の加熱の均一性が低下することにつながる。
　本実施形態に係る隔壁５８は底部４１の内面の法線方向Ｃと異なる方向に突出するため、溶融性材料である蒸着材が水平方向に流動して隔壁５８に衝突した場合においても、衝突により生じる乱流が隔壁５８によって緩和される。これにより、隔壁５８は前述の隔壁５６と比較して、坩堝２４の移動に対する内殻５７の内部にて蒸着材の流動をより制限する。このため、本実施形態に係る蒸着装置５は坩堝２４の移動に関わらずより均一に蒸着材を加熱できる。
　図９と併せて図１０Ａおよび図１０Ｂを参照し、本実施形態に係る隔壁５８についてより詳細に説明する。図１０Ａおよび図１０Ｂは本実施形態に係る坩堝２４の概略断面図である。特に、図１０Ａには本実施形態に係る坩堝２４の例である坩堝２４Ａの概略断面図を示し、図１０Ｂには他の坩堝２４の例である坩堝２４Ｂの概略断面図を示す。
　図１０Ａに示すように、坩堝２４Ａは隔壁５８として隔壁５８Ａを有する。隔壁５８Ａは、図１０Ａに示すように、底部４１の内面の法線方向にみて、底部４１の外縁を規定する複数の辺のうち底部４１の何れの辺とも交わる方向に沿って延伸する。このため、溶融性材料である蒸着材が水平方向に流動して隔壁５８Ａに衝突した場合においても、衝突により生じる乱流が隔壁５８Ａによって緩和される。このため、坩堝２４Ａを備える蒸着装置５においても、坩堝２４Ａの移動に関わらずより均一に蒸着材を加熱できる。
　また、隔壁５８Ａは底部４１の外縁のうち、互いに対向し、かつ、長手方向に沿う２辺の間にわたって位置する。このため坩堝２４Ａの内部の蒸着材のうち底部４１の側の一部は、隔壁５８Ａによって複数に区画される。したがって坩堝２４Ａを備える蒸着装置５は、区画された蒸着材それぞれの熱容量を低減することにより、当該蒸着材それぞれをより均一に加熱できる。
　一方、図１０Ｂに示すように、坩堝２４Ｂは隔壁５８として隔壁５８Ｂを有する。隔壁５８Ｂは、図１０Ｂに示すように、底部４１の内面の法線方向にみて、底部４１の外縁を規定する複数の辺のうち底部４１の何れの辺とも交わる方向に沿って延伸する。このため、坩堝２４Ｂを備える蒸着装置５においても、坩堝２４Ｂの移動に関わらずより均一に蒸着材を加熱できる。
　また、隔壁５８Ｂは底部４１の外縁の第１辺から第２辺までの一部に位置する。このため坩堝２４Ｂの内部空間のうち底部４１の側の一部は、隔壁５８Ｂによっては区画されず一つの空間となる。したがって坩堝２４Ｂを備える蒸着装置５は、坩堝２４Ｂの内部において蒸着材を流動させ、坩堝２４Ｂの離れた位置の間における熱の伝搬が生じさせることにより、蒸着材をより均一に加熱する。
　〔実施形態６〕
　＜隔壁の他の例２＞
　図１１は本実施形態に係る蒸着装置６の概略断面図である。蒸着装置６は前実施形態に係る蒸着装置５と比較して、坩堝２４に代えて坩堝２５を備える点においてのみ構成が異なる。坩堝２５は坩堝２４と比較して、内殻５７に代えて内殻５９を備える点においてのみ構成が異なる。
　本実施形態に係る内殻５９は、坩堝２５の内側に突出する少なくとも一つの隔壁６０を有する。特に、本実施形態に係る隔壁６０は、底部４１の内面の法線方向Ｃと異なる方向に突出する。さらに、複数の隔壁６０のうち何れかの隔壁６０は、他の何れかの隔壁６０の突出方向と異なる方向に突出する。上記点を除き内殻５９は内殻５７と同一の構成を備える。例えば、内殻５９は外殻４０の内面と少なくとも一部が接し、外殻４０の比熱よりも高い比熱を有する。
　本実施形態に係る複数の隔壁６０は互いに突出する方向が異なるため、溶融性材料である蒸着材が水平方向に流動して隔壁６０に衝突した場合における流動の方向が、衝突する隔壁６０によって変化する。隔壁６０は前述の隔壁５８と比較して、坩堝２５の移動に対する内殻５９の内部における蒸着材の乱流をより低減し、蒸着材の流動をより制限する。このため、本実施形態に係る蒸着装置６は坩堝２５の移動に関わらずより均一に蒸着材を加熱できる。
　図１１と併せて図１２Ａおよび図１２Ｂを参照し、本実施形態に係る隔壁６０についてより詳細に説明する。図１２Ａおよび図１２Ｂは本実施形態に係る坩堝２５の概略断面図である。特に、図１２Ａには本実施形態に係る坩堝２５の例である坩堝２５Ａの概略断面図を示し、図１２Ｂには他の坩堝２５の例である坩堝２５Ｂの概略断面図を示す。
　図１２Ａに示すように、坩堝２５Ａは隔壁６０として隔壁６０Ａを有する。図１２Ａに示すように、底部４１の内面の法線方向にみて、複数の隔壁６０Ａのうち何れかの隔壁６０Ａは、他の何れかの隔壁６０Ａの延伸方向と異なる方向に延伸する。このため、上述した理由と同一の理由から、坩堝２５Ａを備える蒸着装置６は、坩堝２５Ａの移動に対する内殻５９の内部における蒸着材の乱流をより低減し、坩堝２５Ａの移動に関わらずより均一に蒸着材を加熱する。
　また、隔壁６０Ａは底部４１の外縁のうち、互いに対向し、かつ、長手方向に沿う２辺の間にわたって位置する。このため坩堝２５Ａの内部の蒸着材のうち底部４１の側の一部は、隔壁６０Ａによって複数に区画される。したがって坩堝２５Ａを備える蒸着装置６は、区画された蒸着材それぞれの熱容量を低減することにより、当該蒸着材それぞれをより均一に加熱できる。
　一方、図１２Ｂに示すように、坩堝２５Ｂは隔壁６０として隔壁６０Ｂを有する。図１２Ｂに示すように、底部４１の内面の法線方向にみて、複数の隔壁６０Ｂのうち何れかの隔壁６０Ｂは、他の何れかの隔壁６０Ｂの延伸方向と異なる方向に延伸する。このため、坩堝２５Ｂを備える蒸着装置６は、坩堝２５Ｂの移動に関わらずより均一に蒸着材を加熱する。
　また、隔壁６０Ｂは底部４１の外縁の第１辺から第２辺までの一部に位置する。このため坩堝２５Ｂの内部の蒸着材は、隔壁６０Ｂによっては区画されず一体となる。したがって坩堝２５Ｂを備える蒸着装置５は、坩堝２５Ｂの内部において蒸着材を流動させ、坩堝２５Ｂの離れた位置の間における熱の伝搬が生じさせることにより、蒸着材をより均一に加熱する。
　上述した各実施形態に係る蒸着装置の内殻は、外殻４０に対し着脱可能に取り付けられている。このため、各実施形態に係る蒸着装置は、蒸着する材料または蒸着対象に応じて外殻４０に取り付ける内殻を容易に変更できる。例えば、各実施形態に係る蒸着装置は、内殻における上述したテーパー部、突出部、または隔壁の有無あるいは形状等を、外殻に取り付ける内殻を変更することにより容易に変更できる。したがって、各実施形態に係る蒸着装置は、蒸着材の材料および蒸着対象により適する坩堝を用いて蒸着膜の形成を行うことを容易とする。
　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１　　　蒸着装置
２０　　坩堝
３１　　底部ヒータ（ヒータ）
３２　　側部ヒータ（ヒータ）
４０　　外殻
４１　　底部
４２　　側部
４５　　開口部
５０　　内殻
５２　　テーパー部
５４　　突出部
５６　　隔壁
１００　表示装置
１０２　発光素子

Claims (22)

  1. 　蒸着材を蒸着対象に向けて放出する開口部を有する外殻と、
    　前記外殻の内面の少なくとも一部と接し、かつ、前記外殻よりも比熱が高い内殻と、を含む坩堝を備えた蒸着装置。
  2. 　前記内殻はセラミックスを含む請求項１に記載の蒸着装置。
  3. 　前記外殻は金属を含む請求項１または２に記載の蒸着装置。
  4. 　前記坩堝の内部を加熱するヒータを備え、
    　前記ヒータは、前記外殻を介して前記内殻と対向する位置に配されている請求項１から３の何れか１項に記載の蒸着装置。
  5. 　前記内殻は前記外殻よりも熱容量が高い請求項１から４の何れか１項に記載の蒸着装置。
  6. 　前記内殻は前記外殻に着脱可能に取り付けられる請求項１から５の何れか１項に記載の蒸着装置。
  7. 　前記外殻は、前記開口部の側と反対の側の底部と、前記底部に対する側部とを有し、
    　前記内殻は前記側部の少なくとも一部の内面と接する請求項１から６の何れか１項に記載の蒸着装置。
  8. 　前記内殻は前記底部の少なくとも一部の内面と接しているとともに、前記側部の内面における前記底部の側と接している請求項７に記載の蒸着装置。
  9. 　前記外殻は前記開口部の側と反対の側の底部を有し、前記内殻は前記底部の少なくとも一部の内面と接する請求項１から６の何れか１項に記載の蒸着装置。
  10. 　前記内殻は、厚さが前記底部の端部側から中央側に向かって薄くなるテーパー部を有する請求項９に記載の蒸着装置。
  11. 　前記内殻は前記底部の中央側において前記開口部の側に突出する突出部を有する請求項１０に記載の蒸着装置。
  12. 　前記内殻は前記坩堝の内側に突出する少なくとも一つの隔壁を有する請求項７から１１の何れか１項に記載の蒸着装置。
  13. 　少なくとも一つの前記隔壁は前記底部の内面の法線方向と略同一方向に突出する請求項１２に記載の蒸着装置。
  14. 　少なくとも一つの前記隔壁は前記底部の内面の法線方向と異なる方向に突出する請求項１２または１３に記載の蒸着装置。
  15. 　前記底部の内面の法線方向にみて前記底部は四角形状である請求項１２から１４の何れか１項に記載の蒸着装置。
  16. 　前記底部の内面の法線方向にみて、少なくとも一つの前記隔壁は、前記底部の外縁を規定する複数の辺のうち何れかの辺と並行に延伸する請求項１５に記載の蒸着装置。
  17. 　前記底部の内面の法線方向にみて、少なくとも一つの前記隔壁は、前記底部の外縁を規定する複数の辺のうち前記底部の何れの辺とも交わる方向に沿って延伸する請求項１５または１６に記載の蒸着装置。
  18. 　少なくとも一つの前記隔壁は、前記底部の外縁を規定する複数の辺のうち第１辺から第２辺にわたって位置する請求項１５から１７の何れか１項に記載の蒸着装置。
  19. 　前記内殻は複数の前記隔壁を有する請求項１２から１８の何れか１項に記載の蒸着装置。
  20. 　何れかの前記隔壁は、他の何れかの前記隔壁の突出方向と異なる方向に突出する請求項１９に記載の蒸着装置。
  21. 　前記底部の内面の法線方向にみて、何れかの前記隔壁は、他の何れかの前記隔壁の延伸方向と異なる方向に延伸する請求項１９または２０に記載の蒸着装置。
  22. 　第１電極、第２電極、および前記第１電極と前記第２電極との間の少なくとも発光層を含む機能層をそれぞれ有する複数の発光素子を備えた表示装置の製造方法であって、
    　前記第１電極、前記第２電極、および前記機能層のうち少なくとも一層を請求項１から２１の何れか１項に記載の蒸着装置を用いて成膜する表示装置の製造方法。
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