WO2024127188A1 - 電子機器 - Google Patents

Abstract

着脱が容易な電子機器を提供する。 ゴーグル型の電子機器であって、フレームと、表示パネルおよび光学機器が組み込まれた筐体を有する。フレームは頭部に装着することができ、装着面の反対側に金属プレートを有する。また、筐体の一つの面には電磁石が設けられている。電磁石に通電することで金属プレートを引き付けることができ、フレームに筐体を固定することができる。当該構成により、使用者は電子機器として作用する部分の着脱を容易に行うことができる。

Description

電子機器

本発明の一態様は、電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの動作方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路は半導体装置の一態様である。また、記憶装置、表示装置、撮像装置、電子機器は、半導体装置を有する場合がある。

仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けなどの電子機器として、ゴーグル型デバイスおよび眼鏡型デバイスが開発されている。

また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶素子を備える表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子または発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等を備える表示装置が挙げられる。

有機ＥＬ素子が備えられた表示装置は、液晶表示装置で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

特開２０１８−１０７４４４号公報

ＶＲまたはＡＲ等に適用される電子機器はウェアラブルデバイスの一種であり、携帯性および装着性を向上させるために、小型かつ軽量であることが好ましい。

一方で、表示パネル、光学機器、コントローラ、電池およびそれらを収める筐体などの軽量化には限度があり、使用者は多少なりとも頭部に重さを感じる。そのため、使用者は長時間の使用により疲労してしまうことがある。また、電子機器の頭部への着脱作業は煩雑である課題があった。

そのため、このような電子機器には、重さを感じにくく、着脱が容易であることが望まれる。

したがって、本発明の一態様は、着脱作業が容易である電子機器を提供することを目的の一つとする。または、重さを感じにくい電子機器を提供することを目的の一つとする。または、新規な電子機器を提供することを目的の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、着脱が容易な電子機器に関する。

本発明の一態様は、ゴーグル型の電子機器であって、フレームと、筐体と、を有し、筐体は内部に表示パネルおよび光学機器を有し、筐体は第１の面に電磁石を有し、フレームは頭部に装着される面の反対側に金属プレートを有し、電磁石が金属プレートを引き付けることにより、筐体の第１の面と金属プレートを向い合わせて固定する電子機器である。

金属プレートの表面側に凸部を有し、筐体は第１の面に凹部を有し、凸部を凹部に合致させることにより位置合わせを行うことができる。

金属プレートの表面側は凸曲面を有し、筐体の第１の面は凹曲面を有することができる。

金属プレートの表面および筐体の第１の面は平面を有することができる。

筐体には助力装置が接続されていてもよい。助力装置は、多関節型アーム、スライド機構、バランサーから選ばれた一つ以上で構成されることが好ましい。

表示パネルは、有機ＥＬ素子を有することが好ましい。光学機器は、ハーフミラー、レンズ、位相差板、および反射偏光板を有することが好ましい。

本発明の一態様により、頭部への取り付け、取り外しが容易である電子機器を提供することができる。または、重さを感じにくい電子機器を提供することができる。または、新規な電子機器を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａおよび図１Ｂは、電子機器を説明する図である。
図２Ａおよび図２Ｂは、電子機器を説明する図である。
図３Ａおよび図３Ｂは、電子機器を説明する図である。
図４Ａは、電子機器に接続する助力装置を説明する図である。図４Ｂ１乃至図４Ｂ５は、助力装置の動作を説明する図である。
図５Ａおよび図５Ｂは、電子機器に接続する助力装置を説明する図である。
図６Ａおよび図６Ｂは、光学ユニットを説明する図である。
図７Ａ乃至図７Ｃは、表示パネルを説明する図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示パネルの構成例を説明する図である。
図９Ａおよび図９Ｂは、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｆは、画素の構成例を説明する図である。
図１１Ａおよび図１１Ｂは、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１２は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１３は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１４は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１５は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１６は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１７は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１８Ａおよび図１８Ｂは、縦型トランジスタを説明する図である。
図１９Ａおよび図１９Ｂは、縦型トランジスタを説明する図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略することがある。なお、図を構成する同じ要素のハッチングを異なる図面間で適宜省略または変更する場合もある。

また、回路図上では単一の要素として図示されている場合であっても、機能的に不都合がなければ、当該要素が複数で構成されてもよい。例えば、スイッチとして動作するトランジスタは、複数が直列または並列に接続されてもよい場合がある。また、キャパシタを分割して複数の位置に配置する場合もある。

また、一つの導電体が、配線、電極および端子などの複数の機能を併せ持っている場合があり、本明細書においては、同一の要素に対して複数の呼称を用いる場合がある。また、回路図上で要素間が直接接続されているように図示されている場合であっても、実際には当該要素間が一つ以上の導電体を介して接続されている場合があり、本明細書ではこのような構成でも直接接続の範疇に含める。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

本発明の一態様は、ゴーグル型の電子機器である。当該電子機器は、フレームと、表示パネルおよび光学機器が組み込まれた筐体を有する。

フレームは頭部（顔面）に装着することができ、装着面の反対側に金属プレートを有する。また、筐体の一つの面には電磁石が設けられている。電磁石に通電することで金属プレートを引き付けることができ、フレームに筐体を固定することができる。

このような構成とすることで、使用者はフレームを頭部に装着した状態で、必要なときに筐体をフレームに取り付けることができる。また、不必要なときは、筐体のみをフレームから取り外すことができる。つまり、電子機器として作用する部分の着脱を容易に行うことができる。

また、筐体には助力装置を接続することができる。なお、助力装置とは、重量物の持ち上げなどの人の動作を補助し、身体的負担を軽減する機器である。使用者はフレームを頭部に装着し、必要なときに助力装置が接続された筐体をフレームに取り付けることができる。このような構成とすることで、使用者が感じる筐体の重さを軽減することができ、使用者の疲労を少なくすることができる。

図１Ａ、図１Ｂは、本発明の一態様のゴーグル型の電子機器を説明する斜視図である。電子機器は、頭部に装着するフレーム１０、および映像表示などを担う要素が組み込まれた筐体２０を有し、それらが分離できる構成となっている。

図２Ａに示すように、フレーム１０は保持具１３によって人の頭部に装着することができる。なお、図２Ａに示すバンド状の保持具１３は一例であり、耳掛け型、帽子型などの保持具を用いてフレーム１０を頭部に装着してもよい。

フレーム１０の装着面側は人の頭部に装着しやすいように凹曲面を有し、装着時に眼の前方となる領域には開口部を有する。フレーム１０は、中空形状であるということもできる。フレーム１０の装着面側の材質は軽量の樹脂などを用いることが好ましく、顔面に接する部分は弾性材料で形成されていてもよい。

フレーム１０の装着面の反対側には強磁性（鉄、ニッケル、コバルト、またはそれらを一つ以上含む合金など）の金属プレート１１が設けられる。なお、図１Ａでは、額縁状の金属プレート１１を設けた例を示しているが、複数の小片の金属プレート１１を設けてもよい。

フレーム１０の装着面側と反対側および金属プレート１１の表面側は、凸曲面を有することが好ましい。このような形状とすることでフレーム１０を薄型にすることができ、広い視野を確保することができる。

筐体２０の内部には、表示パネル（図示せず）、光学機器２１などが組み込まれている。また、筐体２０の第１の面２４は金属プレート１１の表面側の形状と合致する凹曲面を有し、第１の面２４には電磁石２３が設けられる。電磁石２３の数は必要に応じて調整すればよい。また、電磁石２３の表面形状は丸形、楕円型に限らず、多角形であってもよい。

筐体２０の第１の面２４と金属プレート１１を近づけた状態で電磁石２３に通電することで、電磁石２３が金属プレート１１を引き付けることができる。このようにして、図２Ｂに示すように、筐体の第１の面２４と金属プレート１１を向い合わせて固定することができる。すなわち、筐体２０をフレーム１０に固定することができる。

なお、筐体２０は電池を組み込みやすい形態であるため、電磁石２３は筐体２０に設けることが好ましいが、フレーム１０に電池を組み込める場合は、フレーム１０に電磁石２３を設け、筐体２０に金属プレート１１を設ける構成であってもよい。

なお、筐体２０が軽量であり、強力な磁力を必要としない場合は、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。また、電磁石と永久磁石の両方を用いてもよい。また、フレーム１０側および筐体２０側の一方がオス型、他方がメス型の接手などを用いることもできる。

金属プレート１１の表面側には、ピン型、半球型または円錐型などの凸部１２が設けられていることが好ましい。また、筐体２０の第１の面２４には、凸部１２を挿入または重ねて合致させることができる凹部２２が設けられていることが好ましい。図２Ａの破線矢印で示すように、凸部１２と凹部２２を合致させることで、フレーム１０を直接目視できない状態でも位置合わせを容易に行うことができる。

なお、凸部１２は、金属プレート１１の一部であってもよいし、金属プレート１１に固定された構成であってもよい。または、フレーム１０の装着面の反対側に凸部１２を設け、金属プレート１１に当該凸部１２を貫通する開口部が設けられていてもよい。

なお、図３Ａ、図３Ｂに示すように、フレーム１０の装着面と反対側の形状および金属プレート１１の表面、ならびに筐体２０の第１の面２４を平面としてもよい。このような構成では、図１Ａ、図１Ｂに示す構成と比べてフレーム１０の厚みが増すが、筐体２０を小さくすることができる。また、金属プレート１１と筐体２０が接する面が平面であるため、上述した凸部１２および凹部２２の位置合わせが容易になり、着装しやすくなる。

図１Ａ、図１Ｂまたは図３Ａ、図３Ｂに示すような、フレーム１０および筐体２０を分離型の構成とすることで、比較的重量のある筐体２０と軽量のフレーム１０のそれぞれの着脱作業を分けることができる。したがって、軽量のフレーム１０は常時装着し、必要なときに筐体２０を取り付けるような使い方をすることで、着脱時の煩雑さを解消することができる。また、比較的重量のある筐体２０のみを簡単に取り外すことができるため、使用者の疲労も低減することができる。

また、筐体２０には、助力装置を接続してもよい。図４Ａは、筐体２０に助力装置を接続した例を説明する図である。図４Ａでは、多関節型アーム３０と、ブッシュ３３（内面にベアリングが設けられた筒状のスライド部）およびシャフト３４を有するスライド機構と、バランサー３６を組み合わせた構成の助力装置を例示している。

なお、バランサーとは、ゼンマイなどの張力を利用してバランスをとることで、吊り下げた物の重さをゼロに近づけ、軽い力で物を上下移動するための機器である。

多関節型アーム３０は曲げまたは回転が行える複数の軸３２を有し、様々な方向に動かされた筐体２０に追随し支持することができる。なお、図４Ａに図示している多関節型アーム３０は一例であり、さらに多くの軸を有する多関節型アームであってもよい。または、動く方向が１方向（上下または左右）または２方向（上下および左右）のみに限定されるような軸を備えた多関節型アームであってもよい。また、多関節型アームは、スプリング、伸縮アームなどを有していてもよい。

スライド機構は、表面が平滑な金属製のシャフト３４に嵌め込まれたブッシュ３３を有し、ブッシュ３３を直線移動させることができる。多関節型アーム３０にスライド機構を接続することで、筐体２０が上下に動かされた場合の抵抗を多関節型アーム３０のみよりも低下させることができる。なお、スライド機構を設けない構成とすることもできる。

スライド機構により抵抗は低減するが、多関節型アーム３０の重量が筐体にかかるため、バランサー３６により重量感を低減させることが好ましい。例えば、シャフト３４の上部にスプリング式のバランサー３６を設置し、ワイヤー３５を介してブッシュ３３とバランサー３６を接続する。このような構成とすることで、多関節型アームが接続されたブッシュ３３を上下方向に移動させる際の重さを軽減させることができ、かつブッシュ３３を任意の位置で停止させることができる。

なお、スライド機構を設けない場合は、多関節型アーム３０と筐体２０との接続部近傍または筐体２０にワイヤー３５を接続してもよい。

また、筐体２０は、ケーブル３８を介して制御ユニット３７と接続することができる。制御ユニット３７は、ケーブル３８を介して映像データおよび電源等を筐体２０に供給することができる。ケーブル３８は助力装置を伝わせて筐体２０と接続することができるため、使用者はケーブル３８の抵抗をほとんど受けることがなく、動きやすくなる。また、ケーブル３８から映像データおよび電源を供給することができるため、無線機器および電池を不要にすることができ、筐体部全体の重さを低減することができる。

このように、助力装置を用いることで、図４Ｂ１乃至図４Ｂ５に示すように、様々な方向に筐体２０を動かした場合でも助力装置が追随して筐体部全体の重さを軽減させることができ、使用者の疲労を低減させることができる。

なお、図４Ａに示す助力装置と筐体２０との接続構成は一例であり、例えば、図５Ａに示すように天井５０に固定した多関節型アーム３０を筐体２０と接続してもよい。または、図５Ｂに示すように、天井５０に固定したバランサー３６と筐体２０をワイヤー３５を介して接続してもよい。なお、多関節型アームは、壁または床に固定することもできる。

図６Ａは、筐体２０に組み込まれる表示ユニット６０を説明する図である。図６Ｂは、表示ユニット６０の要素を説明する図である。

使用者は、光学機器２１近傍に眼を近づけることで、表示パネル６１で表示される画像を見ることができる。使用者は、光学機器２１によって視野角が広げられた状態で当該画像を視認することから、没入感、臨場感を得ることができる。

表示パネル６１の表示面には、直線偏光板６２および位相差板６３を貼り合わすことができる。

光学機器２１は、例えば、ハーフミラー７１と、レンズ７２と、位相差板７３と、反射偏光板７４と、レンズ７５を有する構成とすることができる。光学機器２１は、薄型である形状からパンケーキレンズと呼ばれることもある。

このような構成とし、表示パネル６１が発する光を直線偏光または円偏光に変換して利用することで、光路上に配置された要素で反射および透過を選択的に行うことができる。したがって、限られた空間内で光路長を確保することができ、光学機器の焦点距離を短くすることができる。

２組の表示ユニット６０は、レンズ７５の表面が内側に露出するように筐体２０に組み込まれる。一方の表示ユニット６０は右眼用、他方の表示ユニット６０は左眼用になり、それぞれの表示ユニット６０で視差に対応した画像を表示することで、画像の立体感を感じることができる。

また、筐体２０、フレーム１０または保持具１３に入力端子および出力端子が設けられていてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、電池を充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。出力端子としては、例えば音声出力端子として機能し、イヤフォン、ヘッドフォン等を接続することができる。なお、無線通信により音声データを出力可能な構成とする場合、または外部の映像出力機器から音声を出力する場合には、当該音声出力端子を設けなくてもよい。

また、筐体２０、フレーム１０または保持具１３の内部に無線通信モジュールおよび記憶モジュールなどが設けられていてもよい。無線通信モジュールにより無線通信を行い、視聴するコンテンツをダウンロードして記憶モジュールに保存しておくことができる。これにより、ユーザーはダウンロードしたコンテンツをオフラインで視聴することができる。

また、筐体２０内に視線検知センサが設けられていてもよい。例えば、電源オン、電源オフ、スリープ、音量調整、チャンネル変更、メニュー表示、選択、決定、戻る、などの操作ボタン、および動画の再生、停止、一時停止、早送り、早戻しなどの操作ボタンを表示させ、当該操作ボタンを視認することで、それぞれの操作を行うことができる。また、電磁石２３に通電するための操作ボタンを表示させ、視線検知による操作で筐体２０の着脱を行ってもよい。

また、筐体２０内に瞬きを検知する光センサを設け、上記に例示する操作を瞬き動作により行ってもよい。例えば、一定時間内の瞬き回数、眼を閉じている時間の違いなどを上記操作に割り当てることができる。また、筐体２０内にマイクを設け、上記に例示する操作を音声認識により行ってもよい。

上述した視線検知、瞬きの検出または音声認識により、電子機器の操作および筐体２０の着脱などを指等で筐体２０に触れることなく、衛生的に行うことができる。すなわち、本発明の一態様の電子機器は、手指での操作が困難な場合がある工事現場、医療現場などでの使用にも適する。なお、周囲の状況が把握できるように、筐体２０にはカメラが接続され、当該カメラで撮影される映像をリアルタイムに表示ユニット６０で表示できる構成を有していてもよい。

図７Ａは、図６Ｂに示す表示パネル６１を説明する図である。表示パネル６１は、画素アレイ８４と、回路８５と、回路８６を有する。画素アレイ８４は、列方向および行方向に配置された画素８０を有する。

画素８０は、複数の副画素８１を有することができる。副画素８１は、表示用の光を発する機能を有する。

なお、本明細書では、一つの「画素」の中で独立した動作が行われる最小単位を便宜的に「副画素」と定義して説明を行うが、「画素」を「領域」と置き換え、「副画素」を「画素」と置き換えてもよい。

副画素８１は、可視光を発する発光デバイスを有する。発光デバイスとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＥＬ素子を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、無機化合物（量子ドット材料など）などが挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

回路８５および回路８６は、副画素８１を駆動するためのドライバ回路である。回路８５はソースドライバ回路、回路８６はゲートドライバ回路としての機能を有することができる。回路８５および回路８６には、例えば、シフトレジスタ回路などを用いることができる。

なお、図７Ｂに示すように、回路８５および回路８６を層８７に設け、画素アレイ８４を層８８に設け、層８７と層８８が重なる構成としてもよい。当該構成とすることで、狭額縁の表示装置を形成することができる。

また、ドライバ回路を画素アレイ８４の下層に設けることで配線長を短く、配線容量を小さくすることができる。したがって、高速動作ができ、かつ低消費電力で動作する表示パネルとすることができる。

また、図７Ｂに示すように、回路８５および回路８６を分割配置することで、画素アレイ８４を部分的に駆動することができる。例えば、画素アレイ８４の部分的な画像データの書き換えを行うことができる。また、画素アレイ８４を部分的に異なる動作周波数で動作させることができる。

なお、図７Ｂに示す回路８５および回路８６の配置、面積は一例であり、適宜変更することができる。また、回路８５および回路８６の一部は、画素アレイ８４と同一の層に形成することもできる。また、層８７には、記憶回路、演算回路、および通信回路などの回路が設けられていてもよい。

当該構成は、例えば、層８７を単結晶シリコン基板に設け、回路８５および回路８６をチャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタ）で形成し、層８８に設ける画素アレイ８４が有する画素回路をチャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）で形成することができる。ＯＳトランジスタは薄膜で形成することができ、Ｓｉトランジスタ上に積層して形成することができる。

なお、図７Ｃに示すように、層８７と層８８との間にＯＳトランジスタが設けられる層８９を有する構成としてもよい。層８９には、画素アレイ８４が有する画素回路の一部をＯＳトランジスタで設けることができる。または、回路８５および回路８６の一部をＯＳトランジスタで設けることができる。または、層８７に設けることができる記憶回路、演算回路、および通信回路などの回路の一部をＯＳトランジスタで設けることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示パネルの構成例について説明する。以下で例示する表示パネルは、実施の形態１の表示パネル６１に適用することができる。

本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示パネルである。表示パネルは、発光色の異なる２つ以上の画素を有する。画素は、それぞれ発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。発光色の異なる２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる発光材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示パネルを実現できる。

発光色がそれぞれ異なる複数の発光素子を有する表示パネルを作製する場合、少なくとも発光材料を含む層（発光層）をそれぞれ島状に形成する必要がある。ＥＬ層の一部または全部を作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いた蒸着法により島状の有機膜を形成する方法が知られている。しかしながらこの方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、および蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の有機膜の形状および位置に設計からのずれが生じるため、表示パネルの高精細化、および高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示パネルを作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、および熱などによる変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。そのため、ペンタイル配列などの特殊な画素配列方式を採用することなどにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

なお、本明細書等において、島状とは、同一工程において同一材料を用いて形成された２以上の層が物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

本発明の一態様は、ＥＬ層をファインメタルマスク（ＦＭＭ）などのシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィ法を用いて、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示パネルを実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示パネルを実現できる。なお、例えば、ＥＬ層をメタルマスクと、フォトリソグラフィ法と、の双方を用いて微細なパターンに加工してもよい。

また、ＥＬ層の一部または全部を物理的に分断することができる。これにより、隣接する発光素子間で共通に用いる層（共通層ともいう）を介した、発光素子間のリーク電流を抑制することができる。これにより、意図しないクロストークに起因した発光を防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示パネルを実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示パネルを実現できる。

本発明の一態様は、白色発光の発光素子と、カラーフィルタとを組み合わせた表示パネルとすることもできる。この場合、異なる色の光を呈する画素（副画素）に設けられる発光素子に、それぞれ同じ構成の発光素子を適用することができ、全ての層を共通層とすることができる。さらに、それぞれのＥＬ層の一部または全部を、フォトリソグラフィ法を用いた工程で分断してもよい。これにより、共通層を介したリーク電流が抑制され、コントラストの高い表示パネルを実現できる。特に、導電性の高い中間層を介して、複数の発光層を積層したタンデム構造を有する素子では、当該中間層を介したリーク電流を効果的に防ぐことができるため、高い輝度、高い精細度、および高いコントラストを兼ね備えた表示パネルを実現できる。

ＥＬ層をフォトリソグラフィ法を用いて加工する場合、発光層の一部が露出し、劣化の要因となる場合がある。そのため、少なくとも島状の発光層の側面を覆う絶縁層を設けることが好ましい。当該絶縁層は、島状のＥＬ層の上面の一部を覆う構成としてもよい。当該絶縁層としては、水および酸素に対してバリア性を有する材料を用いることが好ましい。例えば、水または酸素を拡散しにくい、無機絶縁膜を用いることができる。これにより、ＥＬ層の劣化を抑制し、信頼性の高い表示パネルを実現できる。

さらに、隣接する２つの発光素子間には、いずれの発光素子のＥＬ層も設けられない領域（凹部）を有する。当該凹部を覆って共通電極、または共通電極および共通層を形成する場合、共通電極がＥＬ層の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、ＥＬ層上の共通電極が絶縁してしまう場合がある。そこで、隣接する２つの発光素子間に位置する局所的な段差を、平坦化膜として機能する樹脂層により埋める構成（ＬＦＰ：Ｌｏｃａｌ　Ｆｉｌｌｉｎｇ　Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎともいう）とすることが好ましい。当該樹脂層は、平坦化膜としての機能を有する。これにより、共通層または共通電極の段切れを抑制し、信頼性の高い表示パネルを実現できる。

以下では、本発明の一態様の表示パネルの、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
図８Ａに、本発明の一態様の表示パネル１００の上面概略図を示す。表示パネル１００は、基板１０１上に、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、および青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図８Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図８Ａは、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列、ダイヤモンド配列などを用いることもできる。

発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂとしては、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、有機化合物だけでなく、無機化合物（量子ドット材料など）を用いることができる。

また、図８Ａには、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを示している。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、発光素子１１０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。

接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、帯状（長方形）、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。なお、本明細書等において、上面形状とは、平面視における形状、つまり、上から見た形状のことをいう。

図８Ｂ、図８Ｃはそれぞれ、図８Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、一点鎖線Ａ３−Ａ４に対応する断面概略図である。図８Ｂには、基板１０１上に設けられる発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂの断面概略図を示し、図８Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが接続される接続部１４０の断面概略図を示している。なお、基板１０１には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂがそれぞれ有する画素電極と接続する画素回路の要素が設けられている。

発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、有機層１１２Ｒ、共通層１１４、および共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１２Ｇ、共通層１１４、および共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１２Ｂ、共通層１１４、および共通電極１１３を有する。共通層１１４と共通電極１１３は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂに共通に設けられる。

発光素子１１０Ｒが有する有機層１１２Ｒは、少なくとも赤色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｇが有する有機層１１２Ｇは、少なくとも緑色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｂが有する有機層１１２Ｂは、少なくとも青色の光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、および有機層１１２Ｂは、それぞれＥＬ層とも呼ぶことができ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層）を有する。

以下では、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、発光素子１１０と呼称して説明する場合がある。同様に、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、および有機層１１２Ｂなど、アルファベットで区別する構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

有機層１１２、および共通層１１４は、それぞれ独立に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、および正孔輸送層のうち、一以上を有することができる。例えば、有機層１１２が、画素電極１１１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層構造を有し、共通層１１４が電子注入層を有する構成とすることができる。

画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、および画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３および共通層１１４は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示パネルとすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示パネルとすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示パネルとすることもできる。

共通電極１１３上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

画素電極１１１の端部はテーパ形状を有することが好ましい。画素電極１１１の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極１１１の端部に沿って設けられる有機層１１２も、テーパ形状とすることができる。画素電極１１１の端部をテーパ形状とすることで、画素電極１１１の端部を乗り越えて設けられる有機層１１２の被覆性を高めることができる。また、画素電極１１１の側面をテーパ形状とすることで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、またはパーティクルなどともいう）を、洗浄などの処理により除去することが容易となり好ましい。

なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。

有機層１１２は、フォトリソグラフィ法を用いて島状に加工されている。そのため、有機層１１２は、その端部において、上面と側面との成す角が９０度に近い形状となる。一方、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋ）などを用いて形成された有機膜は、その厚さが端部に近いほど徐々に薄くなる傾向があり、例えば１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にわたって、上面がスロープ状に形成されるため、上面と側面の区別が困難な形状となる。

隣接する２つの発光素子間には、絶縁層１２５、樹脂層１２６および層１２８を有する。

隣接する２つの発光素子間において、互いの有機層１１２の側面が樹脂層１２６を挟んで対向して設けられている。樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子の間に位置し、それぞれの有機層１１２の端部、および２つの有機層１１２の間の領域を埋めるように設けられている。樹脂層１２６は、滑らかな凸状の上面形状を有しており、樹脂層１２６の上面を覆って、共通層１１４および共通電極１１３が設けられている。

樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子間に位置する段差を埋める平坦化膜として機能する。樹脂層１２６を設けることにより、共通電極１１３が有機層１１２の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、有機層１１２上の共通電極が絶縁してしまうことを防ぐことができる。

樹脂層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、樹脂層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、およびこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、樹脂層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。

また、樹脂層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

樹脂層１２６は、可視光を吸収する材料を含んでいてもよい。例えば、樹脂層１２６自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、樹脂層１２６が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。樹脂層１２６としては、例えば、赤色、青色、または緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、またはカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂などを用いることができる。

絶縁層１２５は、有機層１１２の側面に接して設けられている。また絶縁層１２５は、有機層１１２の上端部を覆って設けられている。また絶縁層１２５の一部は、基板１０１の上面に接して設けられている。

絶縁層１２５は、樹脂層１２６と有機層１１２との間に位置し、樹脂層１２６が有機層１１２に接することを防ぐための保護膜として機能する。有機層１１２と樹脂層１２６とが接すると、樹脂層１２６の形成時に用いられる有機溶媒などにより有機層１１２が溶解する可能性がある。そのため、有機層１１２と樹脂層１２６との間に絶縁層１２５を設ける構成とすることで、有機層１１２の側面を保護することが可能となる。

絶縁層１２５としては、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、および窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、および酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜および窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特にＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。

なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

また、絶縁層１２５と、樹脂層１２６との間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、およびアルミニウムなどの中から選ばれる一または複数を含む金属膜）を設け、発光層から射出される光を上記反射膜により反射させる構成としてもよい。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。

層１２８は、有機層１１２のエッチング時に、有機層１１２を保護するための保護層（マスク層、犠牲層ともいう）の一部が残存したものである。層１２８には、上記絶縁層１２５に用いることのできる材料を用いることができる。特に、層１２８と絶縁層１２５とに同じ材料を用いると、加工のための装置等を共通に用いることができるため、好ましい。

特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜はピンホールが少ないため、ＥＬ層を保護する機能に優れ、絶縁層１２５および層１２８に好適に用いることができる。

保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料または導電性材料を用いてもよい。

保護層１２１としては、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

図８Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示している。接続部１４０では、接続電極１１１Ｃ上において、絶縁層１２５および樹脂層１２６に開口部が設けられる。当該開口部において、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続されている。

なお、図８Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示しているが、接続電極１１１Ｃ上に共通層１１４を介して共通電極１１３が設けられていてもよい。特に共通層１１４にキャリア注入層を用いた場合などでは、当該共通層１１４に用いる材料の電気抵抗率が十分に低く、且つ厚さも薄く形成できるため、共通層１１４が接続部１４０に位置していても問題は生じない場合が多い。これにより、共通電極１１３と共通層１１４とを同じ遮蔽マスクを用いて形成することができるため、製造コストを低減できる。

［構成例２］
以下では、上記構成例１とは一部の構成が異なる表示パネルについて説明する。なお、上記構成例１と共通する部分はこれを参照し、説明を省略する場合がある。

図９Ａに、表示パネル１００ａの断面概略図を示す。表示パネル１００ａは、発光素子の構成が異なる点、および着色層を有する点で、表示パネル１００と主に相違している。

表示パネル１００ａは、白色光を呈する発光素子１１０Ｗを有する。発光素子１１０Ｗは、画素電極１１１、有機層１１２Ｗ、共通層１１４、および共通電極１１３を有する。有機層１１２Ｗは、白色発光を呈する。例えば、有機層１１２Ｗは、発光色が補色の関係となる２種類以上の発光材料を含む構成とすることができる。例えば、有機層１１２Ｗは、赤色の光を発する発光性の有機化合物と、緑色の光を発する発光性の有機化合物と、青色の光を発する発光性の有機化合物と、を有する構成とすることができる。また、青色の光を発する発光性の有機化合物と、黄色の光を発する発光性の有機化合物と、を有する構成としてもよい。

隣接する２つの発光素子１１０Ｗ間において、それぞれの有機層１１２Ｗは分断されている。これにより、有機層１１２Ｗを介して隣接する発光素子１１０Ｗ間に流れるリーク電流を抑制することができ、当該リーク電流に起因したクロストークを抑制できる。そのため、コントラスト、および色再現性の高い表示パネルを実現できる。

保護層１２１上には、平坦化膜として機能する絶縁層１２２が設けられ、絶縁層１２２上には着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、および着色層１１６Ｂが設けられている。

絶縁層１２２としては、有機樹脂膜、または上面が平坦化された無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２２は、着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、および着色層１１６Ｂの被形成面を成すため、絶縁層１２２の上面が平坦であることで、着色層１１６Ｒ等の厚さを均一にできるため、色純度を高めることができる。なお、着色層１１６Ｒ等の厚さが不均一であると、光の吸収量が着色層１１６Ｒの場所によって変わるため、色純度が低下してしまう恐れがある。

［構成例３］
図９Ｂに、表示パネル１００ｂの断面概略図を示す。

発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１、導電層１１５Ｒ、有機層１１２Ｗ、および共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１、導電層１１５Ｇ、有機層１１２Ｗ、および共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１、導電層１１５Ｂ、有機層１１２Ｗ、および共通電極１１３を有する。導電層１１５Ｒ、導電層１１５Ｇ、および導電層１１５Ｂはそれぞれ透光性を有し、光学調整層として機能する。

画素電極１１１に、可視光を反射する膜を用い、共通電極１１３に、可視光に対して反射性と透過性の両方を有する膜を用いることにより、微小共振器（マイクロキャビティ）構造を実現することができる。このとき、導電層１１５Ｒ、導電層１１５Ｇ、および導電層１１５Ｂの厚さをそれぞれ、最適な光路長となるように調整することで、白色発光を呈する有機層１１２を用いた場合であっても、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂからは、それぞれ異なる波長の光が強められた光を得ることができる。

さらに、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂの光路上には、それぞれ着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、着色層１１６Ｂが設けられることで、色純度の高い光を得ることができる。

また、画素電極１１１、導電層１１５Ｒ、導電層１１５Ｇ、および導電層１１５Ｂの端部を覆う絶縁層１２３が設けられている。絶縁層１２３は、端部がテーパ形状を有していることが好ましい。絶縁層１２３を設けることで、その上に形成される有機層１１２Ｗ、共通電極１１３、および保護層１２１などによる被覆性を高めることができる。

有機層１１２Ｗおよび共通電極１１３は、それぞれ一続きの膜として、各発光素子に共通して設けられている。このような構成とすることで、表示パネルの作製工程を大幅に簡略化できるため好ましい。

ここで、画素電極１１１は、その端部が垂直に近い形状であることが好ましい。これにより、絶縁層１２３の表面に傾斜が急峻な部分を形成することができ、この部分を被覆する有機層１１２Ｗの一部に厚さの薄い部分を形成すること、または有機層１１２Ｗの一部を分断することができる。そのため、フォトリソグラフィ法などを用いた有機層１１２Ｗの加工を行うことなく、隣接する発光素子間に生じる有機層１１２Ｗを介したリーク電流を抑制することができる。

以上が、表示パネルの構成例についての説明である。

［画素のレイアウト］
以下では、主に、図８Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。発光素子（副画素）の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。

また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光素子の発光領域の上面形状に相当する。

図１０Ａに示す画素１５０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１０Ａに示す画素１５０は、発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、発光素子１１０ａを青色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを緑色の発光素子としてもよい。

図１０Ｂに示す画素１５０は、角が丸い略台形または略三角形の上面形状を有する発光素子１１０ａと、角が丸い略台形または略三角形の上面形状を有する発光素子１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する発光素子１１０ｃと、を有する。また、発光素子１１０ａは、発光素子１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各発光素子の形状およびサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、発光素子１１０ａを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

図１０Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１０Ｃでは、発光素子１１０ａおよび発光素子１１０ｂを有する画素１２４ａと、発光素子１１０ｂおよび発光素子１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

図１０Ｄおよび図１０Ｅに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有する。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

図１０Ｄは、各発光素子が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１０Ｅは、各発光素子が、円形の上面形状を有する例である。

図１０Ｆは、各色の発光素子がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの発光素子（例えば、発光素子１１０ａと発光素子１１０ｂ、または、発光素子１１０ｂと発光素子１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、発光素子の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

さらに、本発明の一態様の表示パネルの作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度およびレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

以上が、画素のレイアウトに関する説明である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示パネルの他の構成例について説明する。

本実施の形態の表示パネルは、高精細な表示パネルであり、特にヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、および、眼鏡型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることが適している。

［表示モジュール］
図１１Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示パネル２００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示パネルは表示パネル２００Ａに限られず、後述する表示パネル２００Ｂ乃至表示パネル２００Ｆのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１および基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、画像を表示する領域である。

図１１Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１１Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光素子１１０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１１０Ｇ、および、青色の光を発する発光素子１１０Ｂを有する。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａには、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示パネルが実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、および、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、記憶回路、および電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。また、回路部２８２に設けられるトランジスタが画素回路２８３ａの一部を構成してもよい。すなわち、画素回路２８３ａが、画素回路部２８３が有するトランジスタと、回路部２８２が有するトランジスタと、により構成されていてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号および電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３および回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、または眼鏡型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示パネル２００Ａ］
図１２に示す表示パネル２００Ａは、基板３０１、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、容量２４０、および、トランジスタ３１０を有する。

基板３０１は、図１１Ａおよび図１１Ｂにおける基板２９１に相当する。

トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、および、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。

絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、および絶縁層２５５ｃには、それぞれ無機絶縁膜を好適に用いることができる。例えば、絶縁層２５５ａおよび絶縁層２５５ｃに酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂに窒化シリコン膜を用いることが好ましい。これにより、絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜として機能させることができる。本実施の形態では、絶縁層２５５ｃの一部がエッチングされ、凹部が形成されている例を示すが、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられていなくてもよい。

絶縁層２５５ｃ上に発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および、発光素子１１０Ｂが設けられている。発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および、発光素子１１０Ｂの構成は、実施の形態２を参照できる。

表示パネル２００Ａは、発光色ごとに、発光デバイスを作り分けているため、低輝度での発光と高輝度での発光で色度の変化が小さい。また、有機層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂがそれぞれ離隔しているため、高精細な表示パネルであっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示パネルを実現することができる。

隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁層１２５、樹脂層１２６、および層１２８が設けられる。

発光素子の画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、および、画素電極１１１Ｂは、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、および、絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、および、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

また、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、および１１０Ｂ上には保護層１２１が設けられている。保護層１２１上には、接着層１７１によって基板１７０が貼り合わされている。

隣接する２つの画素電極１１１間には、画素電極１１１の上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光素子の間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示パネルとすることができる。

［表示パネル２００Ｂ］
図１３に示す表示パネル２００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示パネルの説明では、先に説明した表示パネルと同様の部分については説明を省略することがある。

表示パネル２００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５が設けられ、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上には絶縁層３４６を設けられている。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂおよび基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１２１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂおよび絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って、保護層として機能する絶縁層３４４を設けることが好ましい。

また、基板３０１Ｂは、絶縁層３４５の下側に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれており、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されている。また、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれており、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されている。

導電層３４１および導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１および導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示パネル２００Ｃ］
図１４に示す表示パネル２００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

図１４に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５および絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示パネル２００Ｄ］
図１５に示す表示パネル２００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示パネル２００Ａと主に相違する。

トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、および、導電層３２７を有する。

基板３３１は、図１１Ａおよび図１１Ｂにおける基板２９１に相当する。

基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、および半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極およびドレイン電極として機能する。

一対の導電層３２５の上面および側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、および半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

絶縁層３２８および絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部に、半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、および絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９および絶縁層２６５が設けられている。

絶縁層２６４および絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８および絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、および絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、および絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、および導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素および酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

なお、本実施の形態の表示パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ３２０には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタの半導体層に用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体、（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層に用いる金属酸化物のバンドギャップは、２ｅＶ以上が好ましく、２．５ｅＶ以上がより好ましい。バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、ＯＳトランジスタのオフ電流を低減することができる。

金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウムおよび亜鉛を有することがより好ましい。例えば、金属酸化物は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、およびコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。

または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

半導体層に用いることのできる金属酸化物としては、例えば、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、および亜鉛酸化物が挙げられる。また、金属酸化物は、インジウムと、元素Ｍと、亜鉛と、の中から選ばれる二種または三種を有することが好ましい。なお、元素Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、およびマグネシウムから選ばれた一種または複数種である。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、およびスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

なお、半導体層に金属酸化物を用いる場合、当該金属酸化物は、スパッタリング法、またはＡＬＤ法を用いて形成すると好適である。スパッタリング法を用いて金属酸化物を形成する場合、生産性を高めて、且つ膜密度を高めることができる。ＡＬＤ法を用いて金属酸化物を形成する場合、膜の被覆性を高めることができる。

特に、半導体層に用いる金属酸化物として、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、および亜鉛を含む酸化物（ＩＴＺＯ（登録商標）とも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、および亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、アルミニウム、および亜鉛を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、アルミニウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層に用いる金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、および、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

また、元素Ｍは、ガリウム、またはスズを用いることが好ましい。なお、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせてもよい。また、半導体層にＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４０：１：１０、およびその近傍の金属酸化物を用いることが好ましい。具体的には、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝４０：１：１０、およびその近傍の金属酸化物を好適に用いることができる。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

また、半導体層は、組成が異なる２層以上の金属酸化物層を有していてもよい。例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］もしくはその近傍の組成の第１の金属酸化物層と、当該第１の金属酸化物層上に設けられるＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］もしくはその近傍の組成の第２の金属酸化物層と、の積層構造を好適に用いることができる。また、元素Ｍとして、ガリウムまたはアルミニウムを用いることが特に好ましい。

また、例えばインジウム酸化物、インジウムガリウム酸化物、およびＩＧＺＯの中から選ばれるいずれか一と、ＩＡＺＯ、ＩＡＧＺＯ、およびＩＴＺＯ（登録商標）の中から選ばれるいずれか一と、の積層構造などを用いてもよい。

結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示パネルの消費電力を低減することができる。

また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化が小さい。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調数を多くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「消費電力の低減」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

［表示パネル２００Ｆ］
図１６に示す表示パネル２００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１および導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３および絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０およびトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示パネルを小型化することが可能となる。

［表示パネル２００Ｇ］
図１７に示す表示パネル２００Ｇは、図１６に示す表示パネル２００Ｆのトランジスタ３２０をトランジスタ３２０Ａ（縦型トランジスタ）に置き換えた構成である。なお、トランジスタ３２０をトランジスタ３２０Ａに置き換える構成は、図１５に示す表示パネル２００Ｄにも適用することができる。

トランジスタ３２０ＡのＸＺ平面における断面図を図１８Ａに示す。また、配線４４０を含む、ＸＹ平面における断面図を、図１８Ｂに示す。

トランジスタ３２０Ａは、酸化物半導体４７０と、絶縁体４３０と、導電体４２０を有する。酸化物半導体４７０は半導体層として機能し、絶縁体４３０はゲート絶縁体として機能し、導電体４２０はゲート電極として機能する。また、配線４５０は、トランジスタ３２０Ａのソース電極またはドレイン電極の一方として機能する領域を有する。また、配線４４０は、トランジスタ３２０Ａのソース電極またはドレイン電極の他方として機能する領域を有する。

配線４４０および絶縁体４８０には、配線４５０に達する開口部４９０が貫通して設けられている。開口部４９０は上面が概略円形の柱状形状を有する。このような構成にすることで、メモリセルの微細化または高集積化を図ることができる。なお、開口部４９０の側面は、配線４５０の上面に対して垂直であることが好ましい。

酸化物半導体４７０の少なくとも一部は、開口部４９０に配置されている。なお、酸化物半導体４７０は、開口部４９０において配線４５０の上面に接する領域と、配線４４０の側面に接する領域と、絶縁体４８０の側面に接する領域と、を有する。

絶縁体４３０は、少なくとも一部が開口部４９０を覆うように配置されている。導電体４２０は、少なくとも一部が開口部４９０に位置するように配置されている。なお、導電体４２０は、開口部４９０を埋め込むように設けることが好ましく、集積度を高めるために上面形状は概略円形であることが好ましい。

図１８Ａに示すように、酸化物半導体４７０は、領域４７０ｉと、領域４７０ｉを挟むように設けられる領域４７０ｎａおよび領域４７０ｎｂと、を有する。

領域４７０ｎａは、酸化物半導体４７０の配線４５０と接する領域である。領域４７０ｎａの少なくとも一部は、トランジスタ３２０Ａのソース領域およびドレイン領域の一方として機能する。領域４７０ｎｂは、酸化物半導体４７０の配線４４０と接する領域である。領域４７０ｎｂの少なくとも一部は、トランジスタ３２０Ａのソース領域およびドレイン領域の他方として機能する。図１８Ｂに示すように、配線４４０は酸化物半導体４７０の外周全体に接する。よって、トランジスタ３２０Ａのソース領域およびドレイン領域の他方は、酸化物半導体４７０の、配線４４０と同じ層に形成される部分の外周全体に形成されうる。

領域４７０ｉは、酸化物半導体４７０において、領域４７０ｎａと領域４７０ｎｂに挟まれる領域である。領域４７０ｉの少なくとも一部が、トランジスタ３２０Ａのチャネル形成領域として機能する。つまり、トランジスタ３２０Ａのチャネル形成領域は、配線４５０と配線４４０の間の領域に位置する酸化物半導体４７０の一部に形成される。また、トランジスタ３２０Ａのチャネル形成領域は、酸化物半導体４７０において、絶縁体４８０と接する領域またはその近傍の領域に位置する、ということもできる。

トランジスタ３２０Ａのチャネル長は、ソース領域とドレイン領域の間の距離となる。つまり、トランジスタ３２０Ａのチャネル長は、配線４５０上の絶縁体４８０の厚さによって決定される、ということができる。図１８Ａは、トランジスタ３２０Ａのチャネル長Ｌを破線の両矢印で示している。チャネル長Ｌは、断面視において、酸化物半導体４７０と配線４５０が接する領域の端部と、酸化物半導体４７０と配線４４０が接する領域の端部との距離となる。つまり、チャネル長Ｌは、断面視における絶縁体４８０の開口部４９０側の側面の長さに相当する。

従来のトランジスタでは、チャネル長がフォトリソグラフィの露光限界で設定されていたが、本発明の一態様においては、絶縁体４８０の膜厚でチャネル長を設定することができる。よって、トランジスタ３２０Ａのチャネル長をフォトリソグラフィの露光限界以下の非常に微細な構造（例えば、６０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下であって、１ｎｍ以上、または５ｎｍ以上）にすることができる。これにより、トランジスタ３２０Ａのオン電流を大きくすることができる。

さらに、上記のように、開口部４９０に、チャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を形成することができる。これにより、チャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域が、ＸＹ平面上に別々に設けられていた従来のトランジスタと比較して、トランジスタ３２０Ａの占有面積を低減できる。これにより、画素密度を高めることができる。

このように、開口部４９０において、絶縁体４８０の側面に沿ってチャネル形成領域を有するトランジスタを縦型トランジスタとも呼ぶ。

また、酸化物半導体４７０のチャネル形成領域を含むＸＹ平面においても、図１８Ｂと同様に、酸化物半導体４７０、絶縁体４３０、および導電体４２０は、同心円状に設けられる。よって、中心に設けられた導電体４２０の側面は、絶縁体４３０を介して、酸化物半導体４７０の側面と対向する。つまり、上面視において、酸化物半導体４７０の周全体がチャネル形成領域になる。このとき、例えば、酸化物半導体４７０の外周の長さによって、トランジスタ３２０Ａのチャネル幅が決まる。つまり、トランジスタ３２０Ａのチャネル幅は、開口部４９０の最大幅（上面視において開口部４９０が円形である場合は最大径）の大きさによって決定される、ということができる。図１８Ａおよび図１８Ｂは、開口部４９０の最大幅Ｄを二点鎖線の両矢印で示している。図１８Ｂは、トランジスタ３２０Ａのチャネル幅Ｗを一点鎖線の両矢印で示している。開口部４９０の最大幅Ｄの大きさを大きくすることで、単位面積当たりのチャネル幅を大きくし、オン電流を大きくすることができる。

フォトリソグラフィ法を用いて開口部４９０を形成する場合、開口部４９０の最大幅Ｄはフォトリソグラフィの露光限界で設定される。また、開口部４９０の最大幅Ｄは、開口部４９０に設ける、酸化物半導体４７０、絶縁体４３０、および導電体４２０それぞれの膜厚によって設定される。開口部４９０の最大幅Ｄは、例えば、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、または２０ｎｍ以上であって、１００ｎｍ以下、６０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、または３０ｎｍ以下が好ましい。なお、上面視において開口部４９０が円形である場合、開口部４９０の最大幅Ｄは開口部４９０の直径に相当し、チャネル幅Ｗは“Ｄ×π”と算出することができる。

また、本発明の一態様の記憶装置においては、トランジスタ３２０Ａのチャネル長Ｌは、少なくともトランジスタ３２０Ａのチャネル幅Ｗよりも小さいことが好ましい。本発明の一態様に係るトランジスタ３２０Ａのチャネル長Ｌは、トランジスタ３２０Ａのチャネル幅Ｗに対し、０．１倍以上０．９９倍以下、好ましくは０．５倍以上０．８倍以下である。このような構成にすることで、良好な電気特性および高い信頼性を有するトランジスタを実現できる。

また、上面視で概略円形になるように開口部４９０を形成することで、酸化物半導体４７０、絶縁体４３０、および導電体４２０は、同心円状に設けられる。これにより、導電体４２０と酸化物半導体４７０の距離が概略均一になるため、酸化物半導体４７０にゲート電界を概略均一に印加することができる。

半導体層に酸化物半導体を用いるトランジスタのチャネル形成領域は、ソース領域およびドレイン領域よりも、酸素欠損が少ない、または水素、窒素、金属元素などの不純物濃度が低いことが好ましい。例えば、酸化物半導体のチャネル形成領域におけるアルミニウムの濃度は、１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下が好ましく、１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下がより好ましく、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下がより好ましく、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下がより好ましく、１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下がより好ましく、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下がより好ましく、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下がさらに好ましい。

また、酸素欠損近傍の水素が、酸素欠損に水素が入った欠陥（以下、Ｖ_ＯＨと呼ぶ場合がある）を形成し、キャリアとなる電子を生成する場合があるため、チャネル形成領域においては、Ｖ_ＯＨも低減されていることが好ましい。このように、トランジスタのチャネル形成領域は、キャリア濃度が低い高抵抗領域である。よってトランジスタのチャネル形成領域は、ｉ型（真性）または実質的にｉ型であるということができる。

また、半導体層に酸化物半導体を用いるトランジスタのソース領域およびドレイン領域は、チャネル形成領域よりも、酸素欠損が多い、Ｖ_ＯＨが多い、または水素、窒素、金属元素などの不純物濃度が高い、ことでキャリア濃度が増加し、低抵抗化した領域である。すなわち、トランジスタのソース領域およびドレイン領域は、チャネル形成領域と比較して、キャリア濃度が高く、低抵抗なｎ型の領域である。

なお、図１８Ａ等では、開口部４９０の側面が配線４５０の上面に対して垂直となるように、開口部４９０を設けているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、開口部４９０の側面は、テーパ形状になってもよい。

図１９Ａには、図１８とは異なる構成を有する縦型トランジスタであるトランジスタ３２０Ｂの、ＸＺ平面における断面図を示している。また、図１９Ｂには、ＸＹ平面における断面図を示している。

トランジスタ３２０Ｂは、トランジスタ３２０Ａと比較して、配線４５０を有さない点、絶縁体４６０上に設けられる点、及び配線４４０に代えて配線４４０Ｓと配線４４０Ｄを有する点、酸化物半導体４７０の形状が異なる点で、主に相違している。配線４４０Ｓは、ソース電極としての機能を有し、配線４４０Ｄは、ドレイン電極としての機能を有する。

酸化物半導体４７０は環状の形状を有する。具体的には、開口部４９０において、配線４４０Ｓの側面に接する領域と、配線４４０Ｄの側面に接する領域と、絶縁体４８０の側面に接する領域と、を有する。ここでは、酸化物半導体４７０が配線４４０Ｓ及び配線４４０Ｄの上面と接しない構成としている。このような形状の酸化物半導体４７０は、例えば異方性のエッチングにより加工することで形成することができる。

図１９Ｂに示すように、配線４４０Ｓと配線４４０Ｄの幅Ｈは、開口部４９０の最大幅Ｄよりも小さい。このとき、開口部４９０の円周方向が、トランジスタ３２０Ｂのチャネル長方向に相当する。ここでは、酸化物半導体４７０が環状の形状を有するため、配線４４０Ｓから配線４４０Ｄへの電流経路（すなわちチャネル）が２種類存在する。なお、酸化物半導体４７０は必ずしも環状の形状とする必要はなく、配線４４０Ｓと配線４４０Ｄの両方と接する構成としてもよい。

チャネル長は、開口部４９０の形状、及び大きさによって制御することができる。例えばチャネル長を大きくしたい場合には、開口部４９０の周長を長くすればよい。また平面視において開口部４９０が円形である例について示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、平面視において開口部４９０が、円形の他、楕円形、角の丸い四角形などとすることができる。また、正三角形、正方形、正五角形をはじめとした正多角形、正多角形以外の多角形としてもよい。また、星形多角形などの、少なくとも一つの内角が１８０度を超える多角形である、凹多角形とすると、チャネル幅を大きくできる。そのほか、楕円形、角の丸い多角形、直線と曲線とを組み合わせた閉曲線などとすることができる。このとき、開口部４９０の最大幅は、開口部４９０の最上部の形状に合わせて適宜算出するとよい。例えば、平面視において開口部が正方形または長方形である場合、開口部４９０の最大幅は、開口部４９０の最上部の対角線の長さとするとよい。

また、図１９Ａに示すように、酸化物半導体４７０の高さがトランジスタ３２０Ｂのチャネル幅Ｗとなる。そのため、トランジスタ３２０Ｂのチャネル幅Ｗは、絶縁体４８０の厚さによって制御することができる。そのため、トランジスタ３２０Ｂのチャネル幅をフォトリソグラフィの露光限界以下の非常に微細な構造（例えば６０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、４０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下であって、１ｎｍ以上、または５ｎｍ以上）にすることができる。

トランジスタ３２０Ａは、チャネル長が極めて小さく、チャネル幅を大きくできるトランジスタであり、高いオン電流を実現することができる。一方、トランジスタ３２０Ｂはチャネル幅が極めて小さく、チャネル長を大きくできるトランジスタであり、適度なオン電流を実現でき、設計が容易となる。トランジスタ３２０Ａとトランジスタ３２０Ｂとは、作製工程の一部を兼ねることができ、同一基板上に作り分けることができる。例えば、表示装置においては、トランジスタ３２０Ｂを、発光素子に流れる電流を制御するための駆動トランジスタに適用し、トランジスタ３２０Ａを、スイッチとして機能するトランジスタに適用することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態および実施例と適宜組み合わせて実施することができる。

１０：フレーム、１１：金属プレート、１２：凸部、１３：保持具、２０：筐体、２１：光学機器、２２：凹部、２３：電磁石、２４：第１の面、３０：多関節型アーム、３２：軸、３３：ブッシュ、３４：シャフト、３５：ワイヤー、３６：バランサー、３７：制御ユニット、３８：ケーブル、５０：天井、６０：表示ユニット、６１：表示パネル、６２：直線偏光板、６３：位相差板、７１：ハーフミラー、７２：レンズ、７３：位相差板、７４：反射偏光板、７５：レンズ、８０：画素、８１：副画素、８４：画素アレイ、８５：回路、８６：回路、８７：層、８８：層、８９：層、１００ａ：表示パネル、１００ｂ：表示パネル、１００：表示パネル、１０１：基板、１１０ａ：発光素子、１１０Ｂ：発光素子、１１０ｂ：発光素子、１１０ｃ：発光素子、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１０Ｗ：発光素子、１１０：発光素子、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１：画素電極、１１２Ｂ：有機層、１１２Ｇ：有機層、１１２Ｒ：有機層、１１２Ｗ：有機層、１１２：有機層、１１３：共通電極、１１４：共通層、１１５Ｂ：導電層、１１５Ｇ：導電層、１１５Ｒ：導電層、１１６Ｂ：着色層、１１６Ｇ：着色層、１１６Ｒ：着色層、１２１：保護層、１２２：絶縁層、１２３：絶縁層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５：絶縁層、１２６：樹脂層、１２８：層、１４０：接続部、１５０：画素、１７０：基板、１７１：接着層、２００Ａ：表示パネル、２００Ｂ：表示パネル、２００Ｃ：表示パネル、２００Ｄ：表示パネル、２００Ｆ：表示パネル、２００Ｇ：表示パネル、２４０：容量、２４１：導電層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、４２０：導電体、４３０：絶縁体、４４０：配線、４４０Ｄ：配線、４４０Ｓ：配線、４５０：配線、４６０：絶縁体、４７０ｉ：領域、４７０ｎａ：領域、４７０ｎｂ：領域、４７０：酸化物半導体、４８０：絶縁体、４９０：開口部

Claims (8)

1. 　ゴーグル型の電子機器であって、
   　フレームと、筐体と、
   　を有し、
   　前記筐体は内部に表示パネルおよび光学機器を有し、
   　前記筐体は第１の面に電磁石を有し、
   　前記フレームは頭部に装着される面の反対側に金属プレートを有し、
   　前記電磁石が前記金属プレートを引き付けることにより、前記筐体の前記第１の面と前記金属プレートを向い合わせて固定する電子機器。
2. 　請求項１において、
   　前記金属プレートは表面に凸部を有し、
   　前記筐体は前記第１の面に凹部を有し、
   　前記凸部を前記凹部に合致させることにより位置合わせを行う電子機器。
3. 　請求項１において、
   　前記金属プレートの表面側は凸曲面を有し、
   　前記筐体の前記第１の面は凹曲面を有する電子機器。
4. 　請求項１において、
   　前記金属プレートの表面および前記筐体の前記第１の面は平面を有する電子機器。
5. 　請求項１乃至４のいずれか一項において、
   　前記筐体に助力装置が接続されている電子機器。
6. 　請求項５において、
   　前記助力装置は、多関節型アーム、スライド機構、バランサーから選ばれた一つ以上で構成される電子機器。
7. 　請求項１乃至４のいずれか一項において、
   　前記表示パネルは、有機ＥＬ素子を有する電子機器。
8. 　請求項１乃至４のいずれか一項において、
   　前記光学機器は、ハーフミラー、レンズ、位相差板、および反射偏光板を有する電子機器。

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