JP2024081275A - 蒸着マスクおよび有機発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】蒸着時における蒸着マスクの蒸着ケラレや蒸着ボケを低減する技術を提供する。【解決手段】本開示に係る蒸着マスクは、非磁性体により形成される蒸着マスクであって、前記蒸着マスクの基板に対向する面内に、前記基板に蒸着される蒸着パターンに対応する開口部が形成され、前記蒸着マスクの前記基板に対向する面の前記開口部間に、磁性体からなる構造物が形成されている。【選択図】図３

Description

本開示は、所望のパターンを基板に真空蒸着するための蒸着マスクおよび蒸着マスクを用いた有機発光素子の製造方法に関する。

有機発光素子は、低電圧駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。有機発光素子は、一般的に基板上に陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極といった複数の積層構造で形成されている。この積層構造を形成する方法として、蒸発や昇華を用いた基板への真空蒸着方法、溶媒に有機材料を溶解させインクジェットやスピンコート等を用いた成膜方法が挙げられる。中でも低分子材料を用いた積層構造の形成においては、パターンを配したマスクを用いた真空蒸着法を用いるのが一般的である。真空蒸着法では、基板上に所望のパターンを成膜するために、所望の画素開口部のパターンを有する蒸着マスクを、基板と蒸着材料の加熱部との間に設置し成膜する。

近年、有機発光素子の高精細化が求められている。有機発光素子の高精細化を実現するには、基板と蒸着マスクとを非常に近接させ、蒸着時の蒸着ボケや蒸着ケラレの低減が求められる。蒸着ボケとは、所望の蒸着範囲を越えた広範囲に蒸着材料が成膜されることである。これには、基板と蒸着マスクとの距離が重要である。蒸着時に基板と蒸着マスクを想定の位置関係に設置できたとしても、蒸着マスクの中央部分等は、画素開口を区画する桟部が、マスクの自重によって撓むことにより、蒸着ボケが引き起こされる。また、蒸着ケラレとは、蒸着マスクの桟部や枠部の厚みの影響で蒸着範囲が削られてしまうことで発生する。蒸着ボケや蒸着ケラレの影響を小さくするには、桟部や枠部を薄くすることが必要となる。

有機ＥＬ等で求められる画素単位での高精細化を実現するためには、蒸着マスクの薄膜化および蒸着マスクと基板との距離を数μｍ以下に密着させることが必要である。そのために、磁性体のマスクを用いた場合において、基板の裏面にマグネットを設置し、磁力により磁性体のマスクを基板に引き付ける方法が提案されている。また、Ｓｉ製、樹脂製等、非磁性体のマスクを用いた場合は、特許文献１に記載されているように、非磁性体のマスクの基板側と反対側に磁性部材を設置することで、非磁性体のマスクを基板に引き付ける方法がある。また、特許文献２に記載されているように、基板と密着させる側の非磁性体のマスクの表面に磁性体膜を形成し、非磁性体のマスクを基板に引き付ける方法も提案されている。

特開２００６－１９９９９８号公報 特開２００６－２３３２８６号公報

しかしながら、非磁性の蒸着マスクを用いて画素単位での高精細化を実現するには、蒸着マスク全体の強度を保つことを目的として、チップの開口部周りにマスク厚の厚い部分を設けたり、画素単位の開口をチップ内に設けたりする必要がある。また、蒸着時の蒸着ケラレを防ぐため、画素単位の開口が設けられているマスク部分の厚さを薄くする必要がある。

このような構成の非磁性の蒸着マスクにおいて、特許文献１では、開口部に対応する形状を有する磁性部材を磁石で基板側に引きつけて、非磁性のマスクを基板に押し付ける構成が採用されている。しかしながら、開口部のマスク厚の厚い部分は、磁石によって基板側に引けつけることはできるが、薄膜のマスク部分は自重で撓んでしまい蒸着ボケが発生する。

また、特許文献２では、非磁性体の開口部の周りのマスク表面に磁性体膜を設け、磁石によって磁性体膜を引き付ける構成が採用されている。しかしながら、特許文献１と同様に、開口部のマスク厚の厚い部分を磁石によって基板側に引けつけることはできるが、薄膜のマスク部分は自重で撓んでしまい蒸着ボケが発生する。

本開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであり、蒸着時における蒸着マスクの蒸着ケラレや蒸着ボケを低減する技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本開示に係る蒸着マスクは、非磁性体により形成される蒸着マスクであって、前記蒸着マスクの基板に対向する面内に、前記基板に蒸着される蒸着パターンに対応する開口部が形成され、前記蒸着マスクの前記基板に対向する面の前記開口部間に、磁性体からなる構造物が形成されていることを特徴とする蒸着マスクを含む。

また、上記目的を達成するために、本開示に係る有機発光素子の製造方法は、上記の蒸着マスクを用いて、有機発光素子を構成する有機化合物層を形成することを特徴とする有機発光素子の製造方法を含む。
また、上記目的を達成するために、本開示に係る表示装置は、上記の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える表示装置を含む。
また、上記目的を達成するために、本開示に係る撮像装置は、上記の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える撮像装置を含む。
また、上記目的を達成するために、本開示に係る電子機器は、上記の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える電子機器を含む。
また、上記目的を達成するために、本開示に係る照明装置は、上記の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える照明装置を含む。
また、上記目的を達成するために、本開示に係る移動体は、上記の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える移動体を含む。

本発明によれば、蒸着マスクのマスク圧の薄い部分に形成された磁性体の構造物が、磁石に引き寄せられることで、マスクが撓まずに基板に密着できることで、蒸着ケラレや蒸着ボケが低減され、歩留まり低下の改善が期待できる。

蒸着マスクの蒸着ケラレおよび蒸着ボケを例示する断面図 一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す図 一実施形態に係る蒸着マスクの断面図 一実施形態に係る蒸着マスクの平面図 一実施形態に係る蒸着マスクの蒸着ボケの評価についての説明図 一実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置の一例を示す図 一実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置の一例を示す図 一実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置と電子機器の一例を示す図 一実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置の一例を示す模式図 一実施形態に係る有機発光素子を有する照明装置と移動体の一例を示す図 一実施形態に係る有機発光素子を有する眼鏡の一例を示す模式図

以下、本開示の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本開示は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下で説明する図面において、同じ機能を有するものは同一の符号を付し、その説明を省略または簡潔にすることもある。

＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態で用いられる蒸着マスクについて説明する。本実施形態で用いる蒸着マスクは、真空蒸着法によって、基板上に所望のパターンを形成する目的で用いられるものである。従来技術の蒸着マスクでは磁性を有する金属を用いたマスクを使用するが、ウェットエッチング加工や電鋳加工等の加工方法の加工精度の限界により、薄く高精度な加工は困難である。そのため、樹脂やシリコンといった非磁性の材料を使用したマスクが開発されているが、本開示の実施形態に係る蒸着マスクに用いられる部材は、特に限定されるものではない。さらに当該部材は、単独で蒸着マスクを形成していてもよいし、複数が組み合わさっていてもよい。

次に、図１Ａを参照しながら、蒸着マスクにおいて発生する蒸着ケラレについて説明する。図１Ａは、蒸着時の蒸着マスクの断面図を示す。基板１０１上には、蒸発源１０５から蒸発した蒸着材料が蒸着マスク１０２の開口部１０４を通り抜けた蒸着膜１０３が成膜される。その際、蒸発源１０５から蒸発した蒸着材料が蒸着マスク１０２の蒸発源１０５側の端部の陰になり、蒸着膜１０３の端部の膜厚が薄くなり膜厚ムラが生じることを蒸着ケラレという。蒸着マスク１０２の厚さが厚くなると蒸着ケラレは大きくなる。

また、図１Ｂを参照しながら、蒸着マスクにおいて発生する蒸着ボケについて説明する。図１Ｂは、蒸着時の蒸着マスクの断面図を示す。基板１０１上には、蒸発源１０５から蒸発した蒸着物が蒸着マスク１０２の開口部１０４を通り抜けた蒸着膜が成膜される。その際、蒸発源１０５から蒸発した蒸着材料が蒸着マスク１０２の基板１０１側との間隔１０６が大きいと、蒸着物が基板１０１上に回り込む。蒸着膜１０７のように、開口部１０４よりも広範囲に蒸着材料が成膜される。このように所望の蒸着範囲を越える範囲に蒸着材料が成膜されること蒸着ボケという。

以下に説明するように、本実施形態に係る蒸着マスクによれば、蒸着時における蒸着ケラレや蒸着ボケを低減することが期待できる。

本実施形態における非磁性のシリコン製の蒸着マスクの製造方法は、一例として、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハを加工する方法が挙げられる。なお、本開示の実施形態に係る蒸着マスクの製造方法は、これらの製造方法に限定されるわけではない。図２Ａに、本実施形態に係るシリコン製の蒸着マスクの一例を模式的に示す。図２Ａに示すように、ここではＳＯＩウエハにおける２つのＳｉ層のうち、厚い層をＳｉ支持層２００、薄い層をＳｉ機能層２０１と呼び、ＳＯＩウエハの表面側がＳｉ機能層２０１である。また、酸化シリコン層２０２は２つのＳｉ層２００、２０１に挟まれている。

図２Ｂ～図２Ｉを参照しながら、より具体的に蒸着マスクの製造方法について説明する。
（１）図２Ｂに示すように、ＳＯＩウエハ表面のＳｉ機能層２０１上に、蒸着材料を通過させ、所望サイズの蒸着層を形成するための孔を有する第１のレジストパターン２０３をフォトリソグラフィ技術で形成する。
（２）次に、図２Ｃに示すように、ＳＯＩウエハ表面のＳｉ機能層２０１をドライエッチングすることにより、第１のレジストパターン２０３を転写した第１のＳｉ孔２０４を形成する。このとき、Ｓｉ機能層２０１の下に形成されている酸化シリコン層２０２はエッチングストップ層として機能する。
（３）次に、図２Ｄに示すように、第１のレジストパターン２０３を酸素プラズマアッシングで除去する。
（４）次に、図２Ｅに示すように、ＳＯＩウエハ表面に形成した第１のＳｉ孔２０４を保護するために、ＳＯＩウエハ表面にレジストを塗布し保護層２０５を形成する。
（５）次に、図２Ｆに示すように、ＳＯＩウエハ裏面のＳｉ支持層２００に、第１のＳｉ孔２０４の集合体サイズの第２のレジストパターン２０６をフォトリソグラフィ技術で形成する。ここで、第１のＳｉ孔の集合体サイズとは、例えば１つの表示デバイスチップサイズに対応した大きさである。
（６）次に、図２Ｇに示すように、ＳＯＩウエハ裏面のＳｉ支持層２００をドライエッチングすることにより、第２のレジストパターンを転写した第２のＳｉ孔２０７を形成する。このときも酸化シリコン層２０２はエッチングストップ層として機能する。
（７）次に、図２Ｈに示すように、バッファードフッ酸によるウェットエッチングを行い、酸化シリコン層２０２をエッチングする。このとき、エッチングされる酸化シリコン層２０２のサイズは、ＳＯＩウエハ裏面に形成した第２のＳｉ孔のサイズとなる。
（８）次に、図２Ｉに示すように、第２のレジストパターン２０８を有機系ウエット処理により除去することで蒸着マスク２１０が完成する。

次に、本開示の実施形態で用いる磁性体からなる構造物について説明する。図３に示すように、磁性体からなる構造物３０５は、蒸着マスク２１０の基板２１１に対向する側の凹部３０３内のマスク表面に形成する。

磁性体からなる構造物３０５の素材は、磁性体であれば、特に限定されるものではない。好ましくはコバルトＣｏ、鉄Ｆｅ、若しくはニッケルＮｉおよびそれらの含有物質から選ばれる。具体的には、Ｎｉ－Ｆｅ－ＰやＣｏ―Ｎｉ―Ｐ等を、無電解メッキ法や真空スパッタ法等を用いて、構造物３０５を形成することができる。

ここで、構造物３０５の形状と大きさについて説明する。図３に示すように、蒸着マスク２１０は、基板２１１に対向する面に構造物３０５を有する。構造物３０５は、上記素材による磁性体によって形成される。また、図３に示すように、蒸着マスク２１０は、基板２１１に対向する面が底面となる凹部３０３を有する。また、図３に示すように、凹部３０３の底面には、複数の開口部３０４が形成され、凹部３０３のマスク厚は、凹部３０３の周辺部分のマスク厚よりも薄くなるように形成されている。

また、図４Ａに、本実施形態に係る蒸着マスク２１０の一例を、図３の基板２１１がある側とは反対側から見たときの平面視を示す。図４Ａに示すように、蒸着マスク２１０には複数の凹部３０３が形成されている。蒸着マスク２１０の上面視において、それぞれの凹部３０３の間隔および形状は、蒸着パターンに応じて適宜決定されてよい。

図４Ｂは、図４Ａに示す蒸着マスク２１０の一部を図３の基板２１１がある側から見たときの平面視を示す。図４Ｂに示すように、それぞれの凹部３０３において、凹部内には複数の開口部３０４および構造物３０５が形成されている。それぞれの構造物３０５は、対応する開口部３０４を囲むように、開口部間に形成される。

図４Ｂの例では、構造物３０５は開口部３０４の形状に応じて円筒型の構造物として形成されているが構造物３０５の形状はこれに限られない。構造物３０５の形状としては、蒸着マスク２１０の上面視において円形、半円形、楕円形、多角形等が挙げられる。また
、蒸着マスク２１０の側面視における構造物３０５の形状としては、円筒型、釣り鐘型等が挙げられるが、構造物３０５の形状は、これらの形状に限定されるものではない。

また、図３に示すように、基板２１１と蒸着マスク２１０を密着させる際に、マグネット３０１によって凹部３０３に形成された磁性体からなる構造物３０５が引き寄せられることで、凹部３０３と基板２１１との密着が確保される。

［有機発光素子の構成］
次に、本実施形態において蒸着マスク２１０を用いて製造される有機発光素子について説明する。本実施形態において、有機発光素子は、基板の上に、絶縁層、第１電極、有機化合物層、第２電極を形成して設けられる。陰極の上には、保護層、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を設けてよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層との間に平坦化層を設けてよい。平坦化層はアクリル樹脂等で構成することができる。カラーフィルタとマイクロレンズとの間において、平坦化層を設ける場合も同様である。

［基板］
有機発光素子を構成する基板の材料としては、石英、ガラス、シリコン、樹脂、金属の少なくとも１つの材料が挙げられる。また、基板上には、トランジスタ等のスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層としては、第１電極との間に配線が形成可能なように、コンタクトホールを形成可能で、かつ接続しない配線との絶縁を確保できれば、材料は問わない。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化シリコン、窒化シリコン等を用いることができる。

［電極］
有機発光素子の電極は、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。

陽極の構成材料としては仕事関数がなるべく大きいものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体やこれらを含む混合物が陽極に使用できる。あるいは、これらの金属単体を組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が陽極に使用されてもよい。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも陽極に使用できる。

これらの電極材料はいずれかを単独で使用してもよいし、２種類以上の材料を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

有機発光素子の電極を、反射電極として構成する場合には、電極材料には、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、またはこれらの合金、積層したもの等を用いることができる。上記の材料にて、電極としての役割を有さない、反射膜として機能することも可能である。また、透明電極として用いる場合には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛等の酸化物透明導電層を用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。

一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さなものがよい。例えばリチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀
、鉛、クロム等の金属単体またはこれらを含む混合物が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム、アルミニウム－マグネシウム、銀－銅、亜鉛－銀等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。中でも銀を用いることが好ましく、銀の凝集を低減するため、銀合金とすることがさらに好ましい。銀の凝集が低減できれば、合金の比率は問わない。例えば、銀：他の金属が、１：１、３：１等であってよい。

陰極は、ＩＴＯ等の酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）等の反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法としては、特に限定されないが、直流および交流スパッタリング法等を用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすいためより好ましい。

［画素分離層］
画素分離層は、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）を用いて形成されたシリコン窒化物（ＳｉＮ）膜やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）膜やシリコン酸化物（ＳｉＯ）膜で形成される。有機化合物層の面内方向の抵抗を上げるために、有機化合物層、特に正孔輸送層は、画素分離層の側壁において薄く成膜されることが好ましい。具体的には、画素分離層の側壁のテーパー角や画素分離層の膜厚を厚くし、蒸着時のケラレを増加させることにより、側壁の膜厚を薄く成膜することができる。

一方で、画素分離層は、その上に形成される保護層に空隙が形成されない程度に、画素分離層の側壁テーパー角や画素分離層の膜厚を調整することが好ましい。保護層に空隙が形成されないため、保護層に欠陥が発生することを低減できる。保護層に欠陥の発生を低減するので、ダークスポットの発生や、第２電極の導通不良の発生等の信頼性低下を低減することができる。

本実施形態によれば、画素分離層の側壁のテーパー角が急峻でなくとも、隣接画素への電荷漏れを効果的に抑制することが可能になる。本願発明者による検討の結果、テーパー角が６０度以上９０度以下の範囲であれば十分低減できることが分かった。画素分離層の膜厚は１０ｎｍ以上から１５０ｎｍ以下であることが望ましい。また、画素分離層を有さない画素電極のみで構成されていても同様の効果が得られる。ただし、この場合画素電極の膜厚は有機層の半分以下するか、画素電極端部を６０度未満の順テーパーにすることで、有機発光素子の短絡が低減できるので好ましい。

［有機化合物層］
有機発光素子の有機化合物層は、単層で形成されても、複数層で形成されてもよい。複数層を有する場合には、その機能によって、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層と呼ばれてよい。有機化合物層は、主に有機化合物で構成されるが、無機原子、無機化合物を含んでいてもよい。例えば、銅、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、イリジウム、白金、モリブデン、亜鉛等を有してよい。有機化合物層は、第１電極と第２電極との間に配置されてよく、第１電極および第２電極に接して配されてよい。

［保護層］
本実施形態の有機発光素子では、第２電極の上に保護層を設けてもよい。例えば、第２電極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を低減し、表示不良の発生を低減することができる。また、別の実施形態としては、陰極上に
窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設け、有機化合物層に対する水等の浸入を低減してもよい。例えば、陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層としてもよい。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いた保護層を設けてもよい。ＡＬＤ法による膜の材料は限定されないが、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等であってよい。ＡＬＤ法で形成した膜の上に、さらにＣＶＤ法で窒化ケイ素を形成してよい。ＡＬＤ法による膜は、ＣＶＤ法で形成した膜よりも小さい膜厚であってよい。具体的には、５０％以下、さらには、１０％以下であってよい。

［カラーフィルタ］
本実施形態の有機発光素子では、保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、それと有機発光素子を設けた基板と貼り合わせてもよいし、上記で示した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されてよい。

［平坦化層］
本実施形態の有機発光素子では、カラーフィルタと保護層との間に平坦化層を有してもよい。平坦化層は、下の層の凹凸を低減する目的で設けられる。なお、目的を制限しない場合、平坦化層は樹脂層と呼ばれる場合もある。平坦化層は有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよいが、高分子であることが好ましい。

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであっても異なってもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられる。

［マイクロレンズ］
有機発光素子は、その光出射側にマイクロレンズ等の光学部材を有してよい。マイクロレンズは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等で構成されうる。マイクロレンズは、有機発光素子から取り出す光量の増加、取り出す光の方向の制御を目的としてよい。マイクロレンズは、半球の形状を有してよい。半球の形状を有する場合、当該半球に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半球との接点がマイクロレンズの頂点である。マイクロレンズの頂点は、任意の断面図においても同様に決定することができる。つまり、断面図におけるマイクロレンズの半円に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半円との接点がマイクロレンズの頂点である。

また、マイクロレンズの中点を定義することもできる。マイクロレンズの断面において、円弧の形状が終了する点から別の円弧の形状が終了する点までの線分を仮想し、当該線分の中点がマイクロレンズの中点と呼ぶことができる。頂点、中点を判別する断面は、絶縁層に垂直な断面であってよい。

マイクロレンズは凸部を有する第１面と、第１面と反対の第２面を有する。第２面が第１面よりも機能層側に配されていることが好ましい。このような構成を取るためには、発光素子上にマイクロレンズを形成する必要がある。機能層が有機層の場合には、製造工程において高温になるプロセスは避ける方が好ましい。また、第２面が第１面よりも機能層側に配されている構成を取る場合には、有機層を構成する有機化合物のガラス転移温度がすべて１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましい。

［対向基板］
本実施形態の有機発光素子では、平坦化層の上に対向基板を有してよい。対向基板は、前述の基板と対応する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の構成材料は、上記の基板と同じであってよい。対向基板は、上記の基板を第１基板とした場合、第２基板とすることができる。

［有機層］
本実施形態の有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成される。

本実施形態の有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いて形成することができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。

ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。

バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されない。また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマーまたは共重合体として１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。

［画素回路］
本実施形態の有機発光素子を有する発光装置は、有機発光素子に接続されている画素回路を有してよい。画素回路は、第１の有機発光素子、第２の有機発光素子をそれぞれ独立に発光制御するアクティブマトリックス型であってよい。アクティブマトリックス型の回路は電圧プログラミングであっても、電流プログラミングであってもよい。駆動回路は、画素毎に画素回路を有する。画素回路は、有機発光素子、有機発光素子の発光輝度を制御するトランジスタ、発光タイミングを制御するトランジスタ、発光輝度を制御するトランジスタのゲート電圧を保持する容量、発光素子を介さずにＧＮＤに接続するためのトランジスタを有してよい。

発光装置は、表示領域と、表示領域の周囲に配されている周辺領域とを有する。表示領域には画素回路を有し、周辺領域には表示制御回路を有する。画素回路を構成するトランジスタの移動度は、表示制御回路を構成するトランジスタの移動度よりも小さくてよい。画素回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きは、表示制御回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きよりも小さくてよい。電流電圧特性の傾きは、いわゆるＶｇ－Ｉｇ特性により測定できる。画素回路を構成するトランジスタは、第１の有機発光素子等の発光素子に接続されているトランジスタである。

［画素］
本実施形態の有機発光素子は、複数の画素を有する。画素は互いに他と異なる色を発光する副画素を有する。副画素は、例えば、それぞれＲＧＢの発光色を有してよい。画素は、画素開口とも呼ばれる領域において発光する。この領域は第１領域と同じである。画素開口は１５μｍ以下であってよく、５μｍ以上であってよい。より具体的には、１１μｍ
、９．５μｍ、７．４μｍ、６．４μｍ等であってよい。副画素間は、１０μｍ以下であってよく、具体的には、８μｍ、７．４μｍ、６．４μｍであってよい。

画素は、平面図において、公知の配置形態をとりうる。例えば、ストライプ配置、デルタ配置、ペンタイル配置、ベイヤー配置であってよい。副画素の平面図における形状は、公知のいずれの形状をとってもよい。例えば、長方形、ひし形等の四角形、六角形等である。なお、副画素の形状は、例えば長方形に近い形をしていれば、長方形に含まれるものとする。したがって、副画素の形状は、上記の公知のいずれの形状に近似される形状であればよい。画素は、副画素の形状と画素配列とを組み合わせて構成することができる。

［有機発光素子の用途］
本実施形態に係る有機発光素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、有機発光素子の用途としては、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等の用途が挙げられる。

表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。

また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

次に、図面を参照しながら本実施形態に係る有機発光素子を備える表示装置について説明する。図６Ａおよび図６Ｂは、有機発光素子とこの有機発光素子に接続されるトランジスタとを有する表示装置の例を示す断面模式図である。トランジスタは、能動素子の一例である。トランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であってもよい。

図６Ａは、本実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置の構成要素である画素の一例である。画素は、副画素３０を有している。副画素はその発光により、３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂに分けられている。発光色は、発光層から発光される波長で区別されても、副画素から出社する光がカラーフィルタ等により、選択的透過または色変換が行われてもよい。それぞれの副画素は、層間絶縁層３１の上に第１電極である反射電極３２、反射電極３２の端を覆う絶縁層３３を有する。さらに、副画素は、反射電極３２と絶縁層３３とを覆う有機化合物層３４、第２電極である透明電極３５、保護層３６、カラーフィルタ３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを有する。

層間絶縁層３１は、その下層または内部にトランジスタ、容量素子を配されていてよい。また、トランジスタと第１電極は不図示のコンタクトホール等を介して電気的に接続されていてよい。

絶縁層３３は、バンク、画素分離膜とも呼ばれる。第１電極の端を覆っており、第１電極を囲って配されている。絶縁層の配されていない部分が、有機化合物層３４と接し、発光領域となる。有機化合物層３４は、正孔注入層３４１、正孔輸送層３４２、第１発光層３４３、第２発光層３４４、電子輸送層３４５を有する。

透明電極３５は、第２電極として透明電極であっても、反射電極であっても、半透過電極であってもよい。保護層３６は、有機化合物層に水分が浸透することを低減する。保護
層３６は、１層のように図示されているが、複数層であってよい。層ごとに無機化合物層、有機化合物層があってよい。カラーフィルタは、その色によりカラーフィルタ３７Ｒ、カラーフィルタ３７Ｇ、カラーフィルタ３７Ｂに分けられる。カラーフィルタは、不図示の平坦化膜上に形成されてよい。また、カラーフィルタ上に不図示の樹脂保護層を有してよい。また、カラーフィルタは、保護層３６上に形成されてよい。あるいは、カラーフィルタは、ガラス基板等の対向基板上に設けられた後に、貼り合わせられよい。

図６Ｂに、本実施形態の有機発光素子を有する表示装置１００を示す。表示装置１００は、有機発光素子２６とトランジスタの一例としてＴＦＴ１８とを有する。ガラス、シリコン等の基板１１とその上部に絶縁層１２が設けられている。絶縁層の上には、ＴＦＴ等の能動素子１８が配されており、能動素子のゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、半導体層１５が配置されている。ＴＦＴ１８は、他にも半導体層１５とドレイン電極１６とソース電極１７とで構成されている。ＴＦＴ１８の上部には絶縁膜１９が設けられている。絶縁膜に設けられたコンタクトホール２０を介して有機発光素子２６を構成する陽極２１とソース電極１７とが接続されている。

なお、有機発光素子２６に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図６Ｂに示される態様に限られるものではない。つまり陽極または陰極のうちいずれか一方とＴＦＴソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。ＴＦＴは、薄膜トランジスタを指す。

図６Ｂの表示装置１００では有機化合物層を１つの層として図示をしているが、有機化合物層２２は、複数層であってもよい。陰極２３の上には有機発光素子の劣化を低減するための第１の保護層２４や第２の保護層２５が設けられている。

図６Ｂの表示装置１００ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えて他のスイッチング素子として用いてもよい。また、図６Ｂの表示装置１００に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体が挙げられる。なお、薄膜トランジスタはＴＦＴ素子とも呼ばれる。

図６Ｂの表示装置１００に含まれるトランジスタは、Ｓｉ基板等の基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板等の基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていることを意味してもよい。

本実施形態に係る有機発光素子はスイッチング素子の一例であるＴＦＴにより発光輝度が制御され、有機発光素子を複数面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。なお、本実施形態に係るスイッチング素子は、ＴＦＴに限られず、低温ポリシリコンで形成されているトランジスタ、Ｓｉ基板等の基板上に形成されたアクティブマトリクスドライバーであってもよい。基板上とは、その基板内ということもできる。基板内にトランジスタを設けるか、ＴＦＴを用いるかは、表示部の大きさによって選択され、例えば０．５インチ程度の大きさであれば、Ｓｉ基板上に有機発光素子を設けることが好ましい。

次に、図７に、本実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置の一例を表す模式図を示す。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッ
テリー１００８、を有してよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタがプリントされている。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。

表示装置１０００は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。また、表示装置１０００は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。

また、表示装置１０００は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。

次に、図８Ａに、本実施形態に係る有機発光素子を有する撮像装置の一例を表す模式図を示す。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。ビューファインダ１１０１は、本実施形態に係る表示装置を有してよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。

撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、本実施形態の有機発光素子を用いて応答速度が速い表示装置を構成すると好適である。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が求められる、これらの装置、液晶表示装置よりも好適に用いることができる。

撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。撮像装置は光電変換装置と呼ばれてもよい。光電変換装置は逐次撮像するのではなく、前画像からの差分を検出する方法、常に記録されている画像から切り出す方法等を撮像の方法として含むことができる。

図８Ｂは、本実施形態に係る有機発光素子を有する電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器１２００は、レンズと、撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部に映される。電子機器としては、スマートフォン、ノートパソコン等があげられる。

次に、図９Ａに、本実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置の一例を表す模式図を示す。図９Ａは、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置１３００を示す。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２には、本実施形態に係る有機発光素子が用いられてよい。また、表示装置１３００は、額縁１３０１と、
表示部１３０２を支える土台１３０３を有している。土台１３０３は、図９Ａの形態に限られない。額縁１３０１の下辺が土台を兼ねてもよい。また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

また、図９Ｂは、本実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置の別の例を表す模式図である。図９Ｂの表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第１表示部１３１１、第２表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第１表示部１３１１、第２表示部１３１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第１表示部と第２表示部とで１つの画像を表示してもよい。

次に、図１０Ａに、本実施形態に係る有機発光素子を有する照明装置の一例を表す模式図を示す。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有してよい。光源は、本実施形態に係る有機発光素子を有する。光学フィルタは光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部は、ライトアップ等、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルタ、光拡散部は、照明の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。

照明装置１４００は、例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置１４００は、本実施形態に係る有機発光素子とそれに接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。また、照明装置１４００は、カラーフィルタを有してもよい。また、照明装置１４００は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。

図１０Ｂは、本実施形態に係る有機発光素子を有する移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。

テールランプ１５０１は、本実施形態に係る有機発光素子を有する。テールランプは、有機ＥＬ素子を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。

自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。この場合、有機発光素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。

また、本実施形態に係る有機発光素子を有する移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は本実施形態に係る有機発光素子を有する。

また、本実施形態の有機発光素子を有する表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。

次に、図１１Ａに、本実施形態の有機発光素子を有する表示装置の適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を示す。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、上述した各実施形態の表示装置が設けられている。

眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

また、図１１Ｂに、本実施形態の有機発光素子を有する表示装置の別の適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を示す。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有している。当該制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、表示装置が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の表示装置が発する発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および表示装置の動作を制御する。制御装置は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。

赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。
より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。

本実施形態に係る有機発光素子を有する表示装置は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示装置の表示画像を制御してよい。

具体的には、表示装置は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第１の視界領域と、第１の視界領域以外の第２の視界領域とを決定する。第１の視界領域、第２の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを表示装置が受信してもよい。表示装置の表示領域において、第１の視界領域の表示解像度を第２の視界領域の表示解像度よりも高く制御してもよい。つまり、第２の視界領域の解像度を第１の視界領域よりも低くしてもよい。

また、表示領域は、第１の表示領域、第１の表示領域とは異なる第２の表示領域とを有し、表示装置は、視線情報に基づいて、第１の表示領域および第２の表示領域から優先度が高い領域を選択してもよい。第１の視界領域、第２の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを表示装置が受信してもよい。また
、表示装置は、優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり、表示装置は、優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

なお、表示装置は、第１の視界領域や優先度が高い領域の決定にＡＩ（Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ）を用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。また、ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置がＡＩプログラムを有する場合は、外部装置から通信を介して表示装置にＡＩプログラムが送信される。

表示装置が視認検知に基づいて表示制御する場合、表示装置は、外部を撮像する撮像装置をさらに有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

次に、本実施形態の蒸着マスク２１０の実施例について説明する。なお、本実施形態に係る蒸着マスク１は以下の実施例に示す蒸着マスクに限定されるものではない。

表１は、以下に説明する実施例による蒸着マスク２１０と、比較例としての従来技術による蒸着マスクの蒸着ボケに関する判定結果を示す。

なお、実施例と比較例に係る蒸着マスクの蒸着ボケの判定にあたって、蒸着ボケ量（μｍ）が隣の副画素に蒸着しないボケ量の範囲内であれば、良好（図中「○」）であるとする。また、蒸着ボケ量（μｍ）が隣の副画素に蒸着するボケ量となれば、不良（図中「×」）であるとする。ここで、一例として、隣の副画素に蒸着するボケ量は、「（隣接する副画素間の距離）－（画素開口の半径）」で決まるものとする。

図５Ａに、本開示の実施例１に係る蒸着マスク２１０を用いた場合の蒸着の例を示す。ここで例示する実施例１では、図４Ｂに示すようにＳＯＩウエハを加工して作成した蒸着マスク２１０を用いる。一例として、蒸着マスク２１０を、マスクΦ２００ｍｍ、厚さ５００μｍのＳｉマスクとする。また、蒸着マスク２１０の平面視において、凹部３０３の大きさを８×１０ｍｍの矩形とし、蒸着マスク２１０内に凹部３０３を１００個配置した。

また、実施例１では、図４Ｂに示すように、１つの凹部３０３において、凹部３０３の底面のマスク厚を６μｍとする。また、それぞれの開口部３０４の大きさは開口Φ２μｍとし、１つの凹部３０３内に開口部３０４を３００万個配置する。さらに、構造物３０５は、スパッタで成膜した厚さ５００ｎｍのＣｏ膜とし、図４Ｂに示すように開口部３０４を囲むように、開口部間に配置する。

ここで、構造物３０５の厚さ（蒸着マスク２１０の表面の法線方向の高さ）について説明する。基板２１１の裏面に配されるマグネット３０１の磁力により、基板２１１越しに蒸着マスク２１０表面に形成された磁性体の構造物３０５を引きつける。このため、蒸着マスク２１０のマスク厚が厚くなると、マスク重量が大きくなり、マグネット３０１の磁力で構造物３０５が引きつけられない可能性がある。したがって、構造物３０５の厚さは、「凹部３０３におけるマグネット３０１の磁力と構造物３０５の間に働く力（吸着力）＞凹部３０３における蒸着マスク２１０の自重（マスク厚に依存）」が満たされるように設定される。

蒸着ボケの評価について図５Ａおよび図５Ｂを用いて説明する。図５Ａおよび図５Ｂは蒸着マスクを用いて蒸着を行った後の基板５０１に蒸着膜５０７、５０８が成膜された様子を模式的に示している。図５Ａに示すように、基板５０１上の画素領域５０２に所望の発光材料を蒸着した際に、隣の画素領域５０３上に蒸着膜５０７が蒸着されていない。このような場合は、蒸着ボケの判定結果を「○」（良好）と評価する。一方、図５Ｂに示すように、基板５０１上の画素領域５０２に所望の発光材料を蒸着した際に、隣の画素領域５０３上まで、蒸着膜５０８が蒸着している。このような場合は、蒸着ボケの判定結果を「×」（不良）と評価する。

実施例１に係る蒸着マスク２１０を使用して有機材料を基板に蒸着した結果、マスクΦ２００ｍｍのマスク内のすべての凹部３０３の開口部３０４について、蒸着ボケ量は１．０μｍ以下となり、蒸着マスク２１０内のすべてのチップが良品と判定された。

次に、本開示の実施例２について説明する。実施例２に係る蒸着マスク２１０は、磁性体の構造物３０５が無電解メッキ法によってＮｉ－Ｆｅ－Ｐで形成される点以外は、実施例１に係る蒸着マスク２１０と同じである。実施例２に係る蒸着マスクを用いて有機材料を基板に蒸着した結果、マスクΦ２００ｍｍのマスク内のすべての凹部３０３の開口部３０４について、蒸着ボケ量は１．０μｍ以下となり、蒸着マスク２１０内のすべてのチップが良品と判定された。したがって、実施例２に係る蒸着マスク２１０でも、実施例１と同様の蒸着ボケの低減効果が得られる。

次に、本開示の実施例３について説明する。実施例３に係る蒸着マスク２１０は、磁性体の構造物４０５の配置が異なる点以外は、実施例１に係る蒸着マスク２１０と同じである。図４Ｃに示すように、構造物４０５は、スパッタで成膜したΦ１．８μｍ、厚さ５００ｎｍのＣｏ膜とし、開口部４０４と別の開口部（例えば開口部４０６）との間に配置する。実施例３に係る蒸着マスクを用いて有機材料を基板に蒸着した結果、マスクΦ２００ｍｍのマスク内のすべての凹部４０３の開口部４０４について、蒸着ボケ量は１．０μｍ以下となり、蒸着マスク２１０内のすべてのチップが良品と判定された。したがって、実施例３に係る蒸着マスク２１０でも、実施例１と同様の蒸着ボケの低減効果が得られる。

次に、本開示の蒸着マスク２１０の比較例１について説明する。比較例１に係る蒸着マスクは、上記の蒸着マスク２１０において磁性体の構造物３０５を形成しない点以外は、実施例１の蒸着マスク２１０と同じである。比較例１に係る蒸着マスクを用いて有機材料を基板に蒸着した結果、マスクΦ２００ｍｍ内の１００チップで蒸着ボケ量が１０μｍ以上となり、不良品となるチップが発生した。

表中の本実施形態に係る蒸着マスクの実施例１、２の結果からわかるように、本実施形態によれば、蒸着マスクの材料の種類を問わず、構造物によって、比較例に示す従来の蒸着マスクに比べて蒸着ボケの発生を好適に抑えられる。

本実施形態の開示は、以下の構成を含む。
（構成１）
非磁性体により形成される蒸着マスクであって、
前記蒸着マスクの基板に対向する面内に、前記基板に蒸着される蒸着パターンに対応する開口部が形成され、
前記蒸着マスクの前記基板に対向する面の前記開口部間に、磁性体からなる構造物が形成されている
ことを特徴とする蒸着マスク。
（構成２）
前記開口部は、前記蒸着マスクの蒸発源に対向する面内に設けられた凹部内に形成され、
前記凹部のマスク厚は、前記凹部の周辺部分のマスク厚よりも薄い
ことを特徴とする構成１に記載の蒸着マスク。
（方法１）
構成１または２に記載の蒸着マスクを用いて、有機発光素子を構成する有機化合物層を形成することを特徴とする有機発光素子の製造方法。
（構成４）
構成１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える表示装置。
（構成５）
構成１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える撮像装置。
（構成６）
構成１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える電子機器。
（構成７）
構成１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える照明装置。
（構成８）
構成１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える移動体。

２１０ 蒸着マスク、３０３ 凹部、３０４ 開口部、３０５ 構造物

Claims (8)

1. 非磁性体により形成される蒸着マスクであって、
   前記蒸着マスクの基板に対向する面内に、前記基板に蒸着される蒸着パターンに対応する開口部が形成され、
   前記蒸着マスクの前記基板に対向する面の前記開口部間に、磁性体からなる構造物が形成されている
   ことを特徴とする蒸着マスク。
2. 前記開口部は、前記蒸着マスクの蒸発源に対向する面内に設けられた凹部内に形成され、
   前記凹部のマスク厚は、前記凹部の周辺部分のマスク厚よりも薄い
   ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着マスク。
3. 請求項１または２に記載の蒸着マスクを用いて、有機発光素子を構成する有機化合物層を形成することを特徴とする有機発光素子の製造方法。
4. 請求項１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える表示装置。
5. 請求項１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える撮像装置。
6. 請求項１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える電子機器。
7. 請求項１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える照明装置。
8. 請求項１または２に記載の蒸着マスクを用いて形成される有機化合物層を有する有機発光素子を備える移動体。

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