WO2023119041A1 - 電子機器 - Google Patents

Abstract

高い没入感を得られる電子機器を提供する。低消費電力な電子機器を提供する。 電子機器は、第１の表示装置、第２の表示装置、第１のハーフミラー、接眼レンズ、及び第１のレンズを有する。第１の表示装置は第１の画像を表示し、第２の表示装置は第２の画像を表示する。第１の表示装置は第１の画像が第１のハーフミラーを反射して接眼レンズに入射する位置に設けられる。第２の表示装置は第２の画像が第１のハーフミラーに透過して接眼レンズに入射する位置に設けられる。第１のレンズは第２の表示装置と第１のハーフミラーとの間に設けられる。第１の表示装置と第２の表示装置は画素密度が等しい。第１の画像は接眼レンズを介して第１の視野角で提示され、第２の画像は接眼レンズを介して第１の視野角より大きい第２の視野角で提示される。

Description

電子機器

　本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置を有する電子機器に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

　拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）又は仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）用の表示装置が設けられる電子機器として、ウェアラブル型の電子機器が普及しつつある。ウェアラブル型の電子機器としては、例えば、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ：Ｈｅａｄ　Ｍｏｕｎｔｅｄ　Ｄｉｓｐｌａｙ）、眼鏡型の電子機器等がある。

　ＨＭＤ等、表示部と使用者の距離が近い電子機器では使用者が画素を視認しやすく、粒状感を強く感じてしまうことから、ＡＲまたはＶＲでの没入感、または臨場感が薄れる場合がある。このため、ＨＭＤには、使用者に画素を視認されないように微細な画素を備える表示装置を設けることが好ましい。特許文献１では、微細で高速駆動が可能なトランジスタを用いることにより、微細な画素を有するＨＭＤを実現する方法が開示されている。

特開２０００−２８５６号公報

　本発明の一態様は、高い没入感を得られる電子機器を提供することを課題の一とする。または、表示品位の高い電子機器を提供することを課題の一とする。または、注視点に近いほど高い解像度で画像を表示可能な電子機器を提供することを課題の一とする。または、低消費電力な電子機器を提供することを課題の一とする。または、低コストで作製可能な電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な構成を有する電子機器を提供することを課題の一とする。

　本発明の一態様は、新規な構成の表示装置、または新規な構成の電子機器を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を、少なくとも軽減することを課題の一とする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の表示装置と、第２の表示装置と、接眼レンズと、第１のレンズと、を有する表示装置である。第１の表示装置は、第１の画像を表示する機能を有する。第２の表示装置は、第２の画像を表示する機能を有する。第１の表示装置と第２の表示装置とは、画素密度が等しい。第１の画像は接眼レンズを介して提示される。第２の画像は第１のレンズで拡大されて、接眼レンズを介して提示される。

　また、本発明の他の一態様は、第１の表示装置と、第２の表示装置と、第１のハーフミラーと、接眼レンズと、第１のレンズと、を有する。第１の表示装置は、第１の画像を表示する機能を有する。第２の表示装置は、第２の画像を表示する機能を有する。第１の表示装置は、第１の画像が第１のハーフミラーに反射して接眼レンズに入射する位置に設けられる。第２の表示装置は、第２の画像が第１のハーフミラーを透過して接眼レンズに入射する位置に設けられる。第１のレンズは、第２の表示装置と第１のハーフミラーとの間に設けられる。第１の表示装置と、第２の表示装置とは、画素密度が等しい。第１の画像は、接眼レンズを介して第１の視野角で提示される。第２の画像は、接眼レンズを介して第１の視野角より大きい第２の視野角で提示される。

　また、本発明の他の一態様は、第１の表示装置と、第２の表示装置と、第１のハーフミラーと、接眼レンズと、第１のレンズと、を有する。第１の表示装置は、第１の画像を表示する機能を有する。第２の表示装置は、第２の画像を表示する機能を有する。第１の表示装置は、第１の画像が第１のハーフミラーを透過して接眼レンズに入射する位置に設けられる。第２の表示装置は、第２の画像が第１のハーフミラーに反射して接眼レンズに入射する位置に設けられる。第１のレンズは、第２の表示装置と第１のハーフミラーとの間に設けられる。第１の表示装置と、第２の表示装置とは、画素密度が等しい。第１の画像は、接眼レンズを介して第１の視野角で提示される。第２の画像は、接眼レンズを介して、第１の視野角より大きい第２の視野角で提示される。

　また、上記いずれかにおいて、第１の表示装置と第１のハーフミラーとの間に、第２のレンズを有することが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第１の視野角は、５°以上３０°以下であることが好ましい。また、第２の視野角は、第１の視野角よりも大きく、２２０°以下であることが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第１の画像は輪郭が円形または楕円形であることが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第１の画像は、中央部が第１の解像度で示され、中央部よりも外側の外周部が第１の解像度よりも低い第２の解像度で示されることが好ましい。さらに第２の解像度は、接眼レンズを介して見た時の第２の画像の解像度以上であることが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第１の表示装置及び第２の表示装置は、それぞれ画素密度が１０００ｐｐｉ以上２００００ｐｐｉ以下であることが好ましい。

　また、上記いずれかにおいて、第３の表示装置と、第３のレンズと、第２のハーフミラーと、をさらに有することが好ましい。このとき、第３の表示装置は、第３の画像を表示する機能を有する。さらに第３の表示装置は、第３の画像が第２のハーフミラーに反射して接眼レンズに入射する位置に設けられる。また、第３のレンズは、第３の表示装置と、第２のハーフミラーとの間に設けられる。

　また、上記いずれかにおいて、第１の表示装置と第２の表示装置とは、それぞれ複数の発光素子と、カラーフィルタと、を有することが好ましい。このとき、発光素子は白色光を呈する有機層を有することが好ましい。またこのとき、有機層は隣接する２つの発光素子の間で分断されていることが好ましい。

　または、上記いずれかにおいて、第１の表示装置と、第２の表示装置とは、それぞれ第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有することが好ましい。さらに、第１の発光素子と、第２の発光素子とは、異なる発光材料を有することが好ましい。

　本発明の一態様によれば、高い没入感を得られる電子機器を提供できる。または、表示品位の高い電子機器を提供できる。または、注視点に近いほど高い解像度で画像を表示可能な電子機器を提供できる。または、低消費電力な電子機器を提供できる。または、低コストで作製可能な電子機器を提供できる。または、新規な構成を有する電子機器を提供できる。

　本発明の一態様によれば、新規な構成の表示装置、または新規な構成の電子機器を提供できる。本発明の一態様によれば、先行技術の問題点の少なくとも一を少なくとも軽減できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

図１Ａ乃至図１Ｃは、電子機器の構成例を説明する図である。
図２Ａ乃至図２Ｃは、電子機器の構成例を説明する図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、電子機器の構成例を説明する図である。
図４Ａ乃至図４Ｃは、電子機器の構成例を説明する図である。
図５は、電子機器の構成例を説明する図である。
図６Ａ乃至図６Ｃは、電子機器の構成例を説明する図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、電子機器の構成例を説明する図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｆは、画素の構成例を示す図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１２は、表示装置の構成例を示す図である。
図１３は、表示装置の構成例を示す図である。
図１４は、表示装置の構成例を示す図である。
図１５は、表示装置の構成例を示す図である。
図１６は、表示装置の構成例を示す図である。
図１７は、表示装置の構成例を示す図である。
図１８は、表示装置の構成例を示す図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

　また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

　本発明の一態様の電子機器は、頭部に装着可能な電子機器である。電子機器は、視差を利用した三次元画像をユーザーに提示することができる。すなわち、電子機器は、ＶＲ機器として用いることができる。また、電子機器は、カメラで撮像した前方の景色を表示する機能（ビデオシースルー機能ともいう）を有していてもよい。さらに、その前方の景色に他の画像を合成して表示する、いわゆるＡＲ表示を行うこともできる。

　電子機器は、２つの表示装置（第１の表示装置及び第２の表示装置）と、接眼レンズと、を有する。ユーザーは、第１の表示装置が表示する第１の画像と、第２の表示装置が表示する第２の画像を合成した画像を、接眼レンズ越しに見ることができる。

　より具体的には、電子機器はハーフミラーを有することが好ましい。第１の画像及び第２の画像のうち、一方はハーフミラーを透過して接眼レンズに達し、他方はハーフミラーに反射して接眼レンズに達する。このように、第１の表示装置、第２の表示装置、ハーフミラー、及び接眼レンズを配置することで、ユーザーは接眼レンズ越しに第１の画像と第２の画像が重ね合された（合成された）画像を見ることができる。

　さらに、電子機器は接眼レンズとは他にレンズを有することが好ましい。当該レンズは、第２の表示装置とハーフミラーとの間に設けられ、第２の画像を拡大する機能を有する。これにより、ユーザーは接眼レンズ越しに、第１の画像と、拡大された第２の画像と、が合成された画像を見ることができる。このとき、第１の画像が中央に位置し、第２の画像の一部が第１の画像を取り囲むように位置する。

　第１の表示装置と第２の表示装置には、画素密度が同じ表示装置を用いることができる。このとき、ユーザーから見て中央に位置する第１の画像は高解像度の表示を行うことができ、第１の画像よりも外側に見える第２の画像の一部は、レンズにより拡大されるため、第１の画像よりも低い解像度で表示される。一般に、人の視野特性は、視野の中心（注視点）に近いほど識別能力が高く、注視点から離れるほど識別能力が低下する傾向がある。そのため、ユーザーには、中央に位置する第１の画像は高解像度で提示され、その周囲に位置する第２の画像の一部を第１の画像よりも低解像度で提示されたとしても、ユーザーには違和感のない高解像度の画像として視認される。

　ここで、表示装置は高い画素密度と大きな画面サイズを両立することは困難である。そのため、画素密度の高い表示装置を１枚用いる構成の場合は、視野角を大きくすることが難しく、解像度が高いとしても高い没入感を得ることができない。また、レンズにより視野角を広げようとすると、周囲の画面のゆがみ、収差の影響に加えて、拡大による解像度の低下も生じるため、没入感が低下してしまう。一方、本発明の一態様の電子機器では、２枚の表示装置を用いることで、高解像度の表示と大きな視野角を両立することができるため、ユーザーは極めて高い没入感を得ることができる。

　なお、本明細書等において、電子機器における視野角は、ユーザーがレンズ等の光学部材を通して画像を見ることのできる範囲を示す。また特に断りのない場合、視野角と記載した場合には、水平方向の視野角を示すものとする。なお、視野角には、片目当たりの視野角と、両目での視野角とがあり、一般には両目での視野角の方が広い。視野角はＦＯＶ（Ｆｉｅｌｄ　ｏｆ　Ｖｉｅｗ）とも呼ばれる場合がある。

　さらに、第１の表示装置と第２の表示装置には、同じ製品を用いることができる。これにより、２種類の表示装置を用いる必要がなく同じ表示装置を用いることができるため、電子機器の作製コストを削減することができる。

　以下では、電子機器のより具体的な例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
　図１Ａ及び図１Ｂに、本発明の一態様の電子機器１０の一部の構成の斜視図を示す。電子機器１０は、表示装置１１ａ、表示装置１１ｂ、レンズ１２、レンズ１３、及びハーフミラー１４を有する。また図１Ａ及び図１Ｂには、レンズ１２の近傍にあるユーザーの目２０を模式的に示している。

　表示装置１１ａと表示装置１１ｂはそれぞれ画像を表示する機能を有する。表示装置１１ａと表示装置１１ｂとは、同じ構成を有することが好ましい。これにより、異なる種類の表示装置を用いる場合に比べて電子機器１０のコストを低減できる。また、同じ構成の表示装置を用いることで、表示装置１１ａと表示装置１１ｂとの間の特性（色調、輝度、色再現性、応答速度など）の差を小さくできるため、異なる種類の表示装置を用いる場合に比べて、特性を揃えるための補正が容易になる。

　表示装置１１ａと表示装置１１ｂとには、少なくとも画素密度の等しい表示装置を用いることができる。また、表示装置１１ａと表示装置１１ｂには、画素数、画面サイズ、画面のアスペクト比、表示素子の種類、電源電圧、駆動周波数（フレーム周波数ともいう）のうち、一つ以上が等しい表示装置を用いることが好ましい。特に、表示装置１１ａと表示装置１１ｂとは、製造メーカ、製造工場、及び製造ラインが同じ表示装置であることが好ましい。

　なお、表示装置１１ａと表示装置１１ｂとには、配線、端子、ドライバ（駆動回路）などの配置が全て同じ表示装置を用いてもよいし、これらの一以上が異なる表示装置を用いてもよい。

　表示装置１１ａと表示装置１１ｂとは、画素密度が高いほど好ましい。例えば、画素密度が１０００ｐｐｉ以上２００００ｐｐｉ以下、好ましくは２０００ｐｐｉ以上１５０００ｐｐｉ以下、より好ましくは３０００ｐｐｉ以上１００００以下、さらに好ましくは４０００ｐｐｉ以上９０００ｐｐｉ以下、さらに好ましくは、５０００ｐｐｉ以上８０００ｐｐｉ以下とすることができる。

　表示装置１１ａと表示装置１１ｂの表示部のサイズが大きいほど、レンズ１２が有するレンズを薄くすることができるだけでなく、レンズによる画像の歪も小さくできる。例えば第１の表示装置は、表示部の対角のサイズが０．３インチ以上、または０．５インチ以上、好ましくは０．７インチ以上、より好ましくは１インチ以上、さらに好ましくは１．３インチ以上であって、２インチ以下、または１．７インチ以下のサイズとすることが好ましい。具体的には、１．５インチまたはその近傍のサイズとすることが好ましい。

　表示装置１１ａと表示装置１１ｂは、表示部の対角のサイズがレンズ１２の径よりも小さいことが好ましい。例えば、表示装置１１ａまたは表示装置１１ｂの表示部の対角サイズが、レンズ１２の径に対して、９０％以下、好ましくは８０％以下、さらに好ましくは７０％以下とすることが好ましい。これにより、レンズ１２を介して見ることのできる画像の歪を小さくでき、より没入感を高めることができる。レンズ１２の径よりも表示装置１１ａ及び表示装置１１ｂの表示部の対角のサイズが大きいと、表示部の一部が視野から外れてしまう恐れがある。

　また、表示装置１１ｂは、表示部の対角のサイズがレンズ１３の径よりも小さいことが好ましい。例えば、表示装置１１ｂの表示部の対角サイズが、レンズ１３の径に対して、９０％以下、好ましくは８０％以下、さらに好ましくは７０％以下とすることが好ましい。これにより、レンズ１２を介して見ることのできる画像の歪を小さくでき、より没入感を高めることができる。レンズ１３の径よりも表示装置１１ｂの表示部の対角のサイズが大きいと、表示部の一部が視野から外れてしまう恐れがある。

　なお、表示装置１１ａと表示装置１１ｂの画素密度、及び表示部のサイズは上記に限られない。例えば高い解像度を必要としない場合には、画素密度が１０００ｐｐｉ未満の表示装置を用いてもよいし、対角のサイズが２インチを超える表示装置を用いることもできる。

　レンズ１２は、目２０側に最も近く位置するレンズであり、接眼レンズとも呼ぶことができる。レンズ１２には凸レンズを用いることが好ましい。

　レンズ１３は、レンズ１２と組み合わせて、表示装置１１ｂに表示される画像を拡大する機能を有する。レンズ１３としては、例えば１つの凸レンズを用いることができる。なお、レンズ１３としてはこれに限られず、凹レンズ及び凸レンズを１つ以上有する構成、またはこれらの双方を有する構成とすることができる。なお、レンズ１３としては、表示装置１１ｂに表示される画像を拡大する機能を実現できればよく、レンズに限られず、光の反射、屈折、偏光、回折、または散乱などの特性を利用した他の光学部材を用いることもできる。

　ハーフミラー１４は、可視光に対して反射性と透過性の両方を有する光学部材である。例えば、ガラス、石英または樹脂などの透明な基材に薄い金属膜を形成したもの、または、誘電体多層膜を形成したものを用いることができる。ハーフミラー１４は、透過率と反射率の割合が１：１であるものを用いることが好ましい。また、表示装置１１ｂの光はレンズ１３により拡大されることから、ユーザーから見た時の輝度の低下を抑制するために、ハーフミラー１４に、反射率よりも透過率の高い光学部材を用いてもよい。なお、ハーフミラー１４としては、２つの画像を合成する機能を実現できればよく、ハーフミラーに限られず、光の反射、屈折、偏光、回折、または散乱などの特性を利用した他の光学部材を用いることもできる。

　図１Ａには、表示装置１１ａが発する光（画像）の軌跡を点線で示している。表示装置１１ａの画像は、ハーフミラー１４で反射し、レンズ１２を通って目２０に到達する。ユーザーから見ると、レンズ１２越しに表示装置１１ａに表示される画像が拡大されて見えることになる。

　図１Ｂには、表示装置１１ｂが発する光の軌跡を点線で示している。表示装置１１ｂの画像は、レンズ１３及びハーフミラーを透過してレンズ１２に到達する。ユーザーから見ると、レンズ１２越しに表示装置１１ｂに表示される画像が、さらに拡大されて見えることとなる。

　図１Ｃには、表示装置１１ａと表示装置１１ｂとを同時に表示させた際に、ユーザーがレンズ１２越しに見ることのできる画像３０を模式的に示している。画像３０は、中央に位置する領域３１ａと、それよりも外側に位置する領域３１ｂとを有する。領域３１ａは表示装置１１ａにより表示される部分であり、領域３１ｂは表示装置１１ｂにより表示される部分である。領域３１ａは、領域３１ｂよりも解像度が高い。

　表示装置１１ａで表示する画像と、表示装置１１ｂで表示する画像とは、ハーフミラー１４によって合成される。そのため、異なる２つの画像が重なった領域ができないように、表示装置１１ａと表示装置１１ｂのそれぞれに表示する画像を調整することが重要である。例えば、表示装置１１ｂでは、領域３１ａと重なる領域は表示しない（すなわち、黒表示する）ようにすることができる。または、表示装置１１ａの領域３１ａに表示する画像の解像度をダウンサイジングした画像を、表示装置１１ｂの中央部（領域３１ａに位置する部分）に表示することで、領域３１ａでは、表示装置１１ａからの解像度の高い画像と、表示装置１１ｂからの解像度の低い画像とが重畳して表示されてもよい。

　ここで、一般に人間の視野は、個人差はあるが大きく次の５つに分類される。弁別視野は、視力、色の識別などの視機能が最も優れている領域であり、視野の中心の約５°以内の注視点を含む領域を指す。有効視野は、眼球運動だけで瞬時に特定情報を識別できる領域であり、視野の中心（注視点）の水平約３０°以内、垂直約２０°以内で、弁別視野の外側で隣接する領域を指す。安定注視野は、頭部運動を伴って無理なく特定情報を識別できる領域であり、視野の中心の水平約９０°以内、垂直約７０°以内で、有効視野の外側で隣接する領域を指す。誘導視野は、特定対象の存在はわかるが、識別能力は低い領域であり、視野の中心の水平約１００°以内、垂直約８５°以内で、安定注視野の外側で隣接する領域を指す。補助視野は、特定対象の識別能力が著しく低く、刺激の存在がわかる程度の領域であり、視野の中心の水平約１００°~２００°以内、垂直約８５°~１３０°以内で、誘導視野の外側で隣接する領域を指す。

　そのため、領域３１ａは、少なくとも弁別視野が収まる視野角であることが好ましい。より具体的には、領域３１ａは、水平方向の視野角が５°以上３０°以内であることが好ましい。また、領域３１ｂは、視野角が大きいほど没入感が高まるため、補助視野を包含する視野角であることが好ましい。より具体的には、領域３１ｂは、水平方向の視野角が領域３１ａの視野角よりも大きく、２２０°以下であることが好ましい。

　なお、本明細書等において特に説明のない場合には、視野角と示した場合には水平方向の視野角を示すこととする。

　続いて、電子機器１０のより具体的な構成について説明する。図２Ａは、電子機器１０の模式図である。図２Ａでは、レンズ１３及びレンズ１２の光軸に垂直な向きから見たときの模式図を示している。

　レンズ１２とレンズ１３とは、光軸が一致するように設けられている。表示装置１１ｂは、当該光軸上に設けられている。また、レンズ１２とレンズ１３との間に、ハーフミラー１４が設けられている。ここではハーフミラー１４がレンズ１２の光軸に対して４５°の角度で設けられ、表示装置１１ａがハーフミラー１４の反射面に対して４５°の角度で配置されている例を示している。なお、ハーフミラー１４などの角度はこれに限られない。

　レンズ１２の目２０側の焦点を焦点ｆ１ａ、反対側の焦点を焦点ｆ１ｂとする。ここでは目２０が焦点ｆ１ａに位置している場合の例を示している。

　表示装置１１ａの表示面から、ハーフミラー１４の反射面を通ってレンズ１２の中心までの経路に沿った距離が、レンズ１２の焦点距離よりも短くなるように、表示装置１１ａを配置することが好ましい。

　図２Ｂには、表示装置１１ａに着目した図を示す。表示装置１１ａの表示面から垂直に出た光（破線で示す）はハーフミラー１４で反射され、レンズ１２に到達する。当該光はレンズ１２で集光され、目２０に到達する。ユーザーには、表示装置１１ａに表示される画像が、レンズ１２越しに拡大されて見える。

　ここで、目２０で見える画像は、表示装置１１ａの表示部に表示される画像に対して、ハーフミラー１４によって上下または左右が反転する。そのため、表示装置１１ａには、あらかじめ上下または左右が反転した画像を表示することが好ましい。

　続いて、レンズ１３の目２０側の焦点を焦点ｆ２ａ、反対側の焦点をｆ２ｂとする。表示装置１１ｂは、焦点ｆ２ｂよりも外側に設けられている。

　図２Ｃには、表示装置１１ｂに着目した図を示す。表示装置１１ｂの表示面から出た光（破線で示す）は、レンズ１３で屈折し、焦点ｆ２ａよりも遠い位置で結像して像２１が形成される。このとき、像２１が形成される位置が、レンズ１２と焦点ｆ１ｂとの間に位置するように、レンズ１３及び表示装置１１ｂを設置する。ユーザーには、レンズ１２越しに像２１がさらに拡大され、像２２として見ることができる。

　ここで、像２１は倒立像（実像）であり、像２２は像２１を拡大した像となるため、目２０で見える画像は、表示装置１１ｂの表示部に表示される画像に対して上下左右が反転する。そのため、表示装置１１ｂには、あらかじめ上下左右が反転した画像を表示することが好ましい。

［画像の例］
　続いて、電子機器１０により、ユーザーに提示することのできる画像３０の例を説明する。図３Ａ乃至図３Ｃには、画像３０の例を示している。

　図３Ａには、高解像度の領域３１ａ及び領域３１ａよりも解像度の低い領域３１ｂを示している。ここでは、領域３１ａが円形の形状となるように表示した場合の例である。ここでは、表示装置１１ａの領域３２ａを破線で示している。

　図３Ａに示すように、表示装置１１ａの領域３２ａの形状が矩形形状であっても、領域３１ａの形状を他の形状にすることができる。このとき、表示装置１１ａでは円形の画像の外側を非表示（黒表示）とし、その非表示の部分には表示装置１１ｂによる表示を重ねることで、継ぎ目のない画像３０を表示することができる。

　なお、ここでは領域３１ｂの輪郭を矩形で示しているが、レンズ１２などにより像が歪む場合には、輪郭が湾曲した形状となる場合がある。また、表示装置１１ｂに表示する画像の輪郭を、矩形以外の画像としてもよい。

　ここで、領域３１ａの水平方向の視野角をＨ１、垂直方向の視野角をＶ１とする。また領域３１ｂの水平方向の視野角をＨ２、垂直方向の視野角をＶ２とする。Ｈ２はＨ１より大きく、Ｖ２はＶ１より大きい。

　ここで、図３Ａでは領域３１ａを円形として示しているが、これに限られず、長方形、五角形以上の多角形、または楕円形であってもよい。または、角の丸い四角形など、任意の曲線に囲まれた形状、または曲線と直線とによって囲まれた形状を用いることができる。

　領域３１ａを円形及び正方形以外の形状とする場合には、水平方向の視野角Ｈ１が、垂直方向の視野角Ｖ１よりも大きい形状とすることが好ましい。例えば長軸が水平方向に平行な楕円形とすることができる。このとき、短軸に対する長軸の比が１１０％以上、好ましくは１２０％以上、より好ましくは１３０％以上であって、１８０％以下、好ましくは１７０％以下、より好ましくは１６０％以下とする。人の視野は完全な円対称ではなく、横長の形状であるため、領域３１ａの形状をこのような形状とすることで、より違和感を与えづらい電子機器を実現できる。

　図３Ｂでは、領域３１ａと領域３１ｂとの間に、領域３１ｃを有する。領域３１ｃは、領域３２ａの内側に位置し、且つ、解像度が領域３１ａよりも低く、領域３１ｂよりも高い領域である。領域３１ａと領域３１ｂに表示される画像は、表示装置１１ａにより表示される画像である。

　ここで、領域３１ａの水平方向の視野角をＨ１ａ、垂直方向の視野角をＶ１ａとし、領域３１ｃの水平方向の視野角をＨ１ｃ、垂直方向の視野角をＶ１ｃとする。Ｈ１ｃはＨ１ａより大きく、Ｖ１ｃはＶ１ａより大きい。

　図３Ｃは図３Ｂと比較して、２つの画像の拡大率の差を小さくした場合の例である。図３Ｃでは、Ｈ１ｃがＨ２の５０％であり、Ｖ１ｃがＶ２の５０％になるように各画像の拡大率を調整した場合の例である。

　図３Ｂ及び図３Ｃにおける領域３１ａ及び領域３１ｃの輪郭は、円形に限られない。他の形状については、上記領域３１ａの記載を参照することができる。

［構成例２］
　以下では、電子機器１０の他の構成例について説明する。

　図４Ａに示す電子機器１０は、筐体１５を有し、筐体１５の内部に、表示装置１１ａ、表示装置１１ｂ、レンズ１３、及びハーフミラー１４などが配置されている。また接眼レンズとして機能するレンズ１２は、筐体１５から露出するように設けられている。ユーザーは、筐体１５を頭部に装着することができ、レンズ１２を通して画像を見ることができる。

　図４Ｂは、表示装置１１ａと表示装置１１ｂの位置を変更した場合の例である。すなわち、表示装置１１ａの画像は、ハーフミラー１４を透過してレンズ１２に到達する。一方表示装置１１ｂの画像は、レンズ１３を透過し、ハーフミラー１４で反射してレンズ１２に到達する。

　このとき、ハーフミラー１４に、透過率よりも反射率の高い光学部材を用いてもよい。

　図４Ｃは、表示装置１１ａの光路上にレンズ１３ａが、表示装置１１ｂの光路上にレンズ１３ｂが、それぞれ設けられている例である。このとき、レンズ１３ａによる拡大率と、レンズ１３ｂによる拡大率とが異なるように、構成要素を配置することが好ましい。具体的には、レンズ１３ａがレンズ１３ｂよりも拡大率が大きくなるように、またはレンズ１３ｂがレンズ１３ａよりも拡大率が大きくなるように、レンズ１３ａとレンズ１３ｂとを選択することができる。

［変形例１］
　図５には、ハーフミラー１４に代えて、湾曲面を有するハーフミラー１６を用いた電子機器１０ａの例を示している。ハーフミラー１６は、表示装置１１ｂからみて凹面鏡として機能するため、表示装置１１ｂの画像を拡大する機能を有する。

　このような構成とすることで、ハーフミラー１６がレンズ１３としての機能を兼ねることができる。そのため電子機器１０ａの部品点数を削減することができる。また、電子機器１０ａを軽量化することができる。

［変形例２］
　図６Ａには、上記とは異なる構成を有する電子機器１０ｂを示している。電子機器１０ｂは、表示装置１１ｃ、レンズ１３ｃ、及びハーフミラー１４ｂを有する点、及びハーフミラー１４の代わりにハーフミラー１４ａを有する点で、図４Ａで例示した電子機器１０と主に相違している。

　表示装置１１ｃの画像は、レンズ１３ｃを透過し、ハーフミラー１４ｂで反射してハーフミラー１４ａを透過してレンズ１２に到達する。ユーザーは、レンズ１３ｃ及びレンズ１２によって拡大された画像を見ることができる。

　図６Ａに示す電子機器１０ｂは、３つの表示装置でそれぞれ表示された３つの画像を合成した画像を提示することができる。なお、ここでは３つの表示装置を有する構成を示したが、４つ以上の表示装置を有する構成としてもよい。

　図６Ｂには、電子機器１０ｂによってユーザーが見ることのできる画像３０ａの例を示している。画像３０ａは、中央に位置する領域３１ａ、領域３１ｂ、及びこれらの間に、領域３１ｃを有する。領域３１ｃは、解像度が領域３１ａよりも低く、領域３１ｂよりも高い。

　また、図６Ｃには、領域３１ａ及び領域３１ｃの輪郭を円形にした場合の画像３０ｂの例である。図６Ｃには、表示装置１１ａの表示領域に対応する領域３２ａ、及び表示装置１１ｃの表示領域に対応する領域３２ｃを、それぞれ破線で示している。

　以上が、変形例についての説明である。

［構成例３］
　図７Ａ、図７Ｂに、電子機器４０の斜視図を示す。図７Ａは、電子機器４０の正面、平面、及び左側面を示す斜視図であり、図７Ｂは、電子機器４０の背面、底面、及び右側面を示す斜視図である。電子機器４０は、いわゆるゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）であり、頭部に装着することができる。

　電子機器４０は、ＶＲ向けの電子機器として用いることができる。電子機器４０を装着したユーザーは、左右異なる映像により、視差を用いた３次元映像を視聴することができる。

　電子機器４０は、筐体１５と、装着具４２と、を有する。装着具４２は、頭部に筐体１５を固定する機能を有する。

　筐体１５の表面には、カメラ４１Ｒ及びカメラ４１Ｌが設けられている。カメラ４１Ｒ及びカメラ４１Ｌで撮像した映像をリアルタイムで表示することで、電子機器４０を装着した状態であっても、ユーザーは外部の状況を把握することができる。また、ビデオシースルー機能を実現することができる。２つ以上のカメラを用いることで、視差を利用した３次元映像を作成することができる。

　筐体１５のユーザー側には、ユーザーの目の前に位置する部分に右目用の接眼レンズとして機能するレンズ１２Ｒ、左目用の接眼レンズとして機能するレンズ１２Ｌが設けられる。また、筐体１５の内部には、右目用の画像を表示するための表示装置１１ａＲ及び表示装置１１ｂＲと、左目用の画像を表示するための表示装置１１ａＬ及び表示装置１１ｂＬが設けられている。なお、光学系については上記で例示した様々な光学系を適用することができるため、ここではハーフミラー、レンズ等の構成要素は省略している。

　表示装置１１ａＲと表示装置１１ｂＲとは、相対位置がずれると画像が乱れてしまうため、例えば衝撃により相対位置がずれないよう、同じフレームに固定されることが好ましい。表示装置１１ａＬと表示装置１１ｂＬも同様である。一方、表示装置１１ａＲと表示装置１１ａＬとは、ユーザーの左右の目の位置などに合わせてそれぞれ上下、前後、左右に動く構成とすることが好ましい。そのため、表示装置１１ａＲと表示装置１１ａＬとは異なるフレームに固定される構成としてもよい。

　また、筐体１５表面には、入力端子および出力端子が設けられていてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、または筐体１５内に設けられるバッテリーを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。出力端子としては、例えば音声出力端子として機能し、イヤフォン、ヘッドフォン等を接続することができる端子などがある。なお、無線通信により音声データを出力可能な構成とする場合、または外部の映像出力機器から音声を出力する場合には、当該音声出力端子を設けなくてもよい。

　また、筐体１５の内部には、無線通信モジュール、及び記憶モジュールなどを有していてもよい。無線通信モジュールにより無線通信を行い、視聴するコンテンツをダウンロードして記憶モジュールに保存しておくことができる。これにより、ユーザーは好きなときにダウンロードしたコンテンツをオフラインで視聴することができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示装置の構成例について説明する。以下で例示する表示装置は、上記実施の形態１の表示装置１１ａ及び表示装置１１ｂ等に適用することができる。

　本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示装置である。表示装置は、発光色の異なる２つ以上の画素を有する。画素は、それぞれ発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。発光色の異なる２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる発光材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。

　発光色がそれぞれ異なる複数の発光素子を有する表示装置を作製する場合、少なくとも異なる発光材料を含む層（発光層）をそれぞれ島状に形成する必要がある。ＥＬ層の一部または全部を作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いた蒸着法により島状の有機膜を形成する方法が知られている。しかしながらこの方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び熱などによる変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。そのため、ペンタイル配列などの特殊な画素配列方式を採用することなどにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

　なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

　本発明の一態様は、ＥＬ層をファインメタルマスク（ＦＭＭ）などのシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィにより、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。なお、例えば、ＥＬ層をメタルマスクと、フォトリソグラフィと、の双方を用いて微細なパターンに加工してもよい。

　また、ＥＬ層の一部または全部を物理的に分断することができる。これにより、隣接する発光素子間で共通に用いる層（共通層ともいう）を介した、発光素子間のリーク電流を抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。

　本発明の一態様は、白色発光の発光素子と、カラーフィルタとを組み合わせた表示装置とすることもできる。この場合、異なる色の光を呈する画素（副画素）に設けられる発光素子に、それぞれ同じ構成の発光素子を適用することができ、全ての層を共通層とすることができる。さらに、それぞれのＥＬ層の一部または全部を、フォトリソグラフィにより分断してもよい。これにより、共通層を介したリーク電流が抑制され、コントラストの高い表示装置を実現できる。特に、導電性の高い中間層を介して、複数の発光層を積層したタンデム構造を有する素子では、当該中間層を介したリーク電流を効果的に防ぐことができるため、高い輝度、高い精細度、及び高いコントラストを兼ね備えた表示装置を実現できる。

　ＥＬ層をフォトリソグラフィ法により加工する場合、発光層の一部が露出し、劣化の要因となる場合がある。そのため、少なくとも島状の発光層の側面を覆う絶縁層を設けることが好ましい。当該絶縁層は、島状のＥＬ層の上面の一部を覆う構成としてもよい。当該絶縁層としては、水及び酸素に対してバリア性を有する材料を用いることが好ましい。例えば、水または酸素を拡散しにくい、無機絶縁膜を用いることができる。これにより、ＥＬ層の劣化を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。

　さらに、隣接する２つの発光素子間には、いずれの発光素子のＥＬ層も設けられない領域（凹部）を有する。当該凹部を覆って共通電極、または共通電極及び共通層を形成する場合、共通電極がＥＬ層の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、ＥＬ層上の共通電極が絶縁してしまう場合がある。そこで、隣接する２つの発光素子間に位置する局所的な段差を、平坦化膜として機能する樹脂層により埋める構成（ＬＦＰ：Ｌｏｃａｌ　Ｆｉｌｌｉｎｇ　Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎともいう）とすることが好ましい。当該樹脂層は、平坦化膜としての機能を有する。これにより、共通層または共通電極の段切れを抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。

　以下では、本発明の一態様の表示装置の、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
　図８Ａに、本発明の一態様の表示装置１００の上面概略図を示す。表示装置１００は、基板１０１上に、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図８Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図８Ａは、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列、ダイヤモンド配列などを用いることもできる。

　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂとしては、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、例えば蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、及び熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）が挙げられる。ＥＬ素子が有する発光物質としては、有機化合物だけでなく、無機化合物（量子ドット材料など）を用いることができる。

　また、図８Ａには、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを示している。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、発光素子１１０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。

　接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、帯状（長方形）、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。なお、本明細書等において、ある構成要素の上面形状とは、その平面視における当該構成要素の輪郭形状のことを言う。また平面視とは、当該構成要素の被形成面、または当該構成要素が形成される支持体（例えば基板）の表面の法線方向から見ることを言う。

　図８Ｂ、図８Ｃはそれぞれ、図８Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、一点鎖線Ａ３−Ａ４に対応する断面概略図である。図８Ｂには、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの断面概略図を示し、図８Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが接続される接続部１４０の断面概略図を示している。

　発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、有機層１１２Ｒ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１２Ｇ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１２Ｂ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。共通層１１４と共通電極１１３は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂに共通に設けられる。

　発光素子１１０Ｒが有する有機層１１２Ｒは、少なくとも赤色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｇが有する有機層１１２Ｇは、少なくとも緑色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｂが有する有機層１１２Ｂは、少なくとも青色の光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、それぞれＥＬ層とも呼ぶことができ、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（発光層）を有する。

　以下では、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、発光素子１１０と呼称して説明する場合がある。同様に、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂなど、アルファベットで区別する構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

　有機層１１２、及び共通層１１４は、それぞれ独立に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有することができる。例えば、有機層１１２が、画素電極１１１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層構造を有し、共通層１１４が電子注入層を有する構成とすることができる。

　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３及び共通層１１４は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。

　共通電極１１３上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

　画素電極１１１の端部はテーパ形状を有することが好ましい。画素電極１１１の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極１１１の端部に沿って設けられる有機層１１２も、テーパ形状とすることができる。画素電極１１１の端部をテーパ形状とすることで、画素電極１１１の端部を乗り越えて設けられる有機層１１２の被覆性を高めることができる。また、画素電極１１１の側面をテーパ形状とすることで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、またはパーティクルなどともいう）を、洗浄などの処理により除去することが容易となり好ましい。

　なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。

　有機層１１２は、フォトリソグラフィ法により島状に加工されている。そのため、有機層１１２は、その端部において、上面と側面との成す角が９０度に近い形状となる。一方、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋ）などを用いて形成された有機膜は、その厚さが端部に近いほど徐々に薄くなる傾向があり、例えば端部まで１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にわたって、上面がスロープ状に形成されるため、上面と側面の区別が困難な形状となる。

　隣接する２つの発光素子間には、絶縁層１２５、樹脂層１２６及び層１２８を有する。

　隣接する２つの発光素子間において、互いの有機層１１２の側面が樹脂層１２６を挟んで対向して設けられている。樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子の間に位置し、それぞれの有機層１１２の端部、及び２つの有機層１１２の間の領域を埋めるように設けられている。樹脂層１２６は、滑らかな凸状の上面形状を有しており、樹脂層１２６の上面を覆って、共通層１１４及び共通電極１１３が設けられている。

　樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子間に位置する段差を埋める平坦化膜として機能する。樹脂層１２６を設けることにより、共通電極１１３が有機層１１２の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、有機層１１２上の共通電極が絶縁してしまうことを防ぐことができる。樹脂層１２６は、ＬＦＰ（Ｌｏｃａｌ　Ｆｉｌｌｉｎｇ　Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）層ともいうことができる。

　樹脂層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、樹脂層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、樹脂層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。

　また、樹脂層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　樹脂層１２６は、可視光を吸収する材料を含んでいてもよい。例えば、樹脂層１２６自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、樹脂層１２６が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。樹脂層１２６としては、例えば、赤色、青色、または緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、またはカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂などを用いることができる。

　絶縁層１２５は、有機層１１２の側面に接して設けられている。また絶縁層１２５は、有機層１１２の上端部を覆って設けられている。また絶縁層１２５の一部は、基板１０１の上面に接して設けられている。

　絶縁層１２５は、樹脂層１２６と有機層１１２との間に位置し、樹脂層１２６が有機層１１２に接することを防ぐための保護膜として機能する。有機層１１２と樹脂層１２６とが接すると、樹脂層１２６の形成時に用いられる有機溶媒などにより有機層１１２が溶解する可能性がある。そのため、有機層１１２と樹脂層１２６との間に絶縁層１２５を設ける構成とすることで、有機層１１２の側面を保護することが可能となる。

　絶縁層１２５としては、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。

　なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　また、絶縁層１２５と、樹脂層１２６との間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、及びアルミニウムなどの中から選ばれる一または複数を含む金属膜）を設け、発光層から射出される光を上記反射膜により反射させる構成としてもよい。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。

　層１２８は、有機層１１２のエッチング時に、有機層１１２を保護するための保護層（マスク層、犠牲層ともいう）の一部が残存したものである。層１２８には、上記絶縁層１２５に用いることのできる材料を用いることができる。特に、層１２８と絶縁層１２５とに同じ材料を用いると、加工のための装置等を共通に用いることができるため、好ましい。

　特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜はピンホールが少ないため、ＥＬ層を保護する機能に優れ、絶縁層１２５及び層１２８に好適に用いることができる。

　保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料または導電性材料を用いてもよい。

　保護層１２１としては、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

　図８Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示している。接続部１４０では、接続電極１１１Ｃ上において、絶縁層１２５及び樹脂層１２６に開口部が設けられる。当該開口部において、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続されている。

　なお、図８Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示しているが、接続電極１１１Ｃ上に共通層１１４を介して共通電極１１３が設けられていてもよい。特に共通層１１４にキャリア注入層を用いた場合などでは、当該共通層１１４に用いる材料の電気抵抗率が十分に低く、且つ厚さも薄く形成できるため、共通層１１４が接続部１４０に位置していても問題は生じない場合が多い。これにより、共通電極１１３と共通層１１４とを同じ遮蔽マスクを用いて形成することができるため、製造コストを低減できる。

［構成例２］
　以下では、上記構成例１とは一部の構成が異なる表示装置について説明する。なお、上記構成例１と共通する部分はこれを参照し、説明を省略する場合がある。

　図９Ａに、表示装置１００ａの断面概略図を示す。表示装置１００ａは、発光素子の構成が異なる点、及び着色層を有する点で、上記表示装置１００と主に相違している。

　表示装置１００ａは、白色光を呈する発光素子１１０Ｗを有する。発光素子１１０Ｗは、画素電極１１１、有機層１１２Ｗ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。有機層１１２Ｗは、白色発光を呈する。例えば、有機層１１２Ｗは、発光色が補色の関係となる２種類以上の発光材料を含む構成とすることができる。例えば、有機層１１２Ｗは、赤色の光を発する発光性の有機化合物と、緑色の光を発する発光性の有機化合物と、青色の光を発する発光性の有機化合物と、を有する構成とすることができる。また、青色の光を発する発光性の有機化合物と、黄色の光を発する発光性の有機化合物と、を有する構成としてもよい。

　隣接する２つの発光素子１１０Ｗ間において、それぞれの有機層１１２Ｗは分断されている。これにより、有機層１１２Ｗを介して隣接する発光素子１１０Ｗ間に流れるリーク電流を抑制することができ、当該リーク電流に起因したクロストークを抑制できる。そのため、コントラスト、及び色再現性の高い表示装置を実現できる。

　保護層１２１上には、平坦化膜として機能する絶縁層１２２が設けられ、絶縁層１２２上には着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、及び着色層１１６Ｂが設けられている。

　絶縁層１２２としては、有機樹脂膜、または上面が平坦化された無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２２は、着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、及び着色層１１６Ｂの被形成面を成すため、絶縁層１２２の上面が平坦であることで、着色層１１６Ｒ等の厚さを均一にできるため、色純度を高めることができる。なお、着色層１１６Ｒ等の厚さが不均一であると、光の吸収量が着色層１１６Ｒの場所によって変わるため、色純度が低下してしまう恐れがある。

［構成例３］
　図９Ｂに、表示装置１００ｂの断面概略図を示す。

　発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１、導電層１１５Ｒ、有機層１１２Ｗ、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１、導電層１１５Ｇ、有機層１１２Ｗ、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１、導電層１１５Ｂ、有機層１１２Ｗ、及び共通電極１１３を有する。導電層１１５Ｒ、導電層１１５Ｇ、及び導電層１１５Ｂはそれぞれ透光性を有し、光学調整層として機能する。

　画素電極１１１に、可視光を反射する膜を用い、共通電極１１３に、可視光に対して反射性と透過性の両方を有する膜を用いることにより、微小共振器（マイクロキャビティ）構造を実現することができる。このとき、導電層１１５Ｒ、導電層１１５Ｇ、及び導電層１１５Ｂの厚さをそれぞれ、最適な光路長となるように調整することで、白色発光を呈する有機層１１２を用いた場合であっても、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂからは、それぞれ異なる波長の光が強められた光を得ることができる。

　さらに、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの光路上には、それぞれ着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、着色層１１６Ｂが設けられることで、色純度の高い光を得ることができる。

　また、画素電極１１１及び光学調整層１１５の端部を覆う絶縁層１２３が設けられている。絶縁層１２３は、端部がテーパ形状を有していることが好ましい。絶縁層１２３を設けることで、その上に形成される有機層１１２Ｗ、共通電極１１３、及び保護層１２１などによる被覆性を高めることができる。

　有機層１１２Ｗ及び共通電極１１３は、それぞれ一続きの膜として、各発光素子に共通して設けられている。このような構成とすることで、表示装置の作製工程を大幅に簡略化できるため好ましい。

　ここで、画素電極１１１は、その端部が垂直に近い形状であることが好ましい。これにより、絶縁層１２３の表面に傾斜が急峻な部分を形成することができ、この部分を被覆する有機層１１２Ｗの一部に厚さの薄い部分を形成すること、または有機層１１２Ｗの一部を分断することができる。そのため、フォトリソグラフィ法などによる有機層１１２Ｗの加工を行うことなく、隣接する発光素子間に生じる有機層１１２Ｗを介したリーク電流を抑制することができる。

　以上が、表示装置の構成例についての説明である。

［画素のレイアウト］
　以下では、主に、図８Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。発光素子（副画素）の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。

　また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光素子の発光領域の上面形状に相当する。

　図１０Ａに示す画素１５０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１０Ａに示す画素１５０は、発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、発光素子１１０ａを青色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを緑色の発光素子としてもよい。

　図１０Ｂに示す画素１５０は、角が丸い略台形の上面形状を有する発光素子１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する発光素子１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する発光素子１１０ｃと、を有する。また、発光素子１１０ａは、発光素子１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各発光素子の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、発光素子１１０ａを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

　図１０Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１０Ｃでは、発光素子１１０ａ及び発光素子１１０ｂを有する画素１２４ａと、発光素子１１０ｂ及び発光素子１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

　図１０Ｄ及び図１０Ｅに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有する。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

　図１０Ｄは、各発光素子が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１０Ｅは、各発光素子が、円形の上面形状を有する例である。

　図１０Ｆは、各色の発光素子がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの発光素子（例えば、発光素子１１０ａと発光素子１１０ｂ、または、発光素子１１０ｂと発光素子１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、発光素子の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示パネルの作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　以上が、画素のレイアウトに関する説明である。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示装置（表示パネル）の他の構成例について説明する。以下で例示する表示装置（表示パネル）は、上記実施の形態１の表示装置１１ａ及び表示装置１１ｂ等に適用することができる。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置は、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
　図１１Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置２００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示パネルは表示装置２００Ａに限られず、後述する表示装置２００Ｂ乃至表示装置２００Ｆのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、画像を表示する領域である。

　図１１Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１１Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光素子１１０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１１０Ｇ、及び、青色の光を発する発光素子１１０Ｂを有する。

　画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａには、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示パネルが実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。また、回路部２８２に設けられるトランジスタが画素回路２８３ａの一部を構成してもよい。すなわち、画素回路２８３ａが、画素回路部２８３が有するトランジスタと、回路部２８２が有するトランジスタと、により構成されていてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号及び電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置２００Ａ］
　図１２Ａに示す表示装置２００Ａは、基板３０１、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

　基板３０１は、図１１Ａ及び図１１Ｂにおける基板２９１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃには、それぞれ無機絶縁膜を好適に用いることができる。例えば、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃに酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂに窒化シリコン膜を用いることが好ましい。これにより、絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜として機能させることができる。本実施の形態では、絶縁層２５５ｃの一部がエッチングされ、凹部が形成されている例を示すが、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられていなくてもよい。

　絶縁層２５５ｃ上に発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び、発光素子１１０Ｂが設けられている。発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び、発光素子１１０Ｂの構成は、実施の形態１を参照できる。

　表示装置２００Ａは、発光色ごとに、発光デバイスを作り分けているため、低輝度での発光と高輝度での発光で色度の変化が小さい。また、有機層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂがそれぞれ離隔しているため、高精細な表示パネルであっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示パネルを実現することができる。

　隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁層１２５、樹脂層１２６、及び層１２８が設けられる。

　発光素子の画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び、画素電極１１１Ｂは、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

　また、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、及び１１０Ｂ上には保護層１２１が設けられている。保護層１２１上には、接着層１７１によって基板１７０が貼り合わされている。

　隣接する２つの画素電極１１１間には、画素電極１１１の上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光素子の間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。

［表示装置２００Ｂ］
　図１３に示す表示装置２００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示パネルの説明では、先に説明した表示パネルと同様の部分については説明を省略することがある。

　表示装置２００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５が設けられ、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上には絶縁層３４６を設けられている。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１２１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って、保護層として機能する絶縁層３４４を設けることが好ましい。

　また、基板３０１Ｂは、絶縁層３４５の下側に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれており、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されている。また、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれており、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されている。

　導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置２００Ｃ］
　図１４に示す表示装置２００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図１４に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置２００Ｄ］
　図１５に示す表示装置２００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置２００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図１１Ａ及び図１１Ｂにおける基板２９１に相当する。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部に、半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

　なお、本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ３２０には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタの半導体層に用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体、（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層に用いる金属酸化物のバンドギャップは、２ｅＶ以上が好ましく、２．５ｅＶ以上がより好ましい。バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、ＯＳトランジスタのオフ電流を低減することができる。

　金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウム及び亜鉛を有することがより好ましい。例えば、金属酸化物は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、及びコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。

　または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

　半導体層に用いることのできる金属酸化物としては、例えば、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、及び亜鉛酸化物が挙げられる。また、金属酸化物は、インジウムと、元素Ｍと、亜鉛と、の中から選ばれる二種または三種を有することが好ましい。なお、元素Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種である。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層に用いる金属酸化物として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＴＺＯ（登録商標）とも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、アルミニウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、アルミニウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

　半導体層に用いる金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、及び、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

　また、半導体層は、組成が異なる２層以上の金属酸化物層を有していてもよい。例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］もしくはその近傍の組成の第１の金属酸化物層と、当該第１の金属酸化物層上に設けられるＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］もしくはその近傍の組成の第２の金属酸化物層と、の積層構造を好適に用いることができる。また、元素Ｍとして、ガリウム又はアルミニウムを用いることが特に好ましい。

　また、例えばインジウム酸化物、インジウムガリウム酸化物、及びＩＧＺＯの中から選ばれるいずれか一と、ＩＡＺＯ、ＩＡＧＺＯ、及びＩＴＺＯ（登録商標）の中から選ばれるいずれか一と、の積層構造などを用いてもよい。

　結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

　ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化が小さい。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

［表示装置２００Ｅ］
　図１６に示す表示装置２００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置２００Ｄを参照することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置２００Ｆ］
　図１７に示す表示装置２００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示パネルを小型化することが可能となる。

［表示装置２００Ｇ］
　図１８に示す表示装置２００Ｇは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａは、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。トランジスタ３２０Ｂは、画素回路を構成するトランジスタとして用いてもよいし、上記駆動回路を構成するトランジスタとして用いてもよい。また、トランジスタ３１０、トランジスタ３２０Ａ、及びトランジスタ３２０Ｂは、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイス（発光素子）について説明する。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

　本明細書等では、発光波長が異なる発光デバイスで少なくとも発光層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

　本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

　本明細書等において、発光デバイス（発光素子ともいう）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。

　発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、及び、無機化合物（量子ドット材料等）が挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

　発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

　図１９Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。

　発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

　一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図１９Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　また、図１９Ｂは、図１９Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図１９Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

　なお、図１９Ｃ及び図１９Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図１９Ｃ及び図１９Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。

　また、図１９Ｅ及び図１９Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。

　なお、図１９Ｄ及び図１９Ｆは、表示装置が、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図１９Ｄは、層７６４が、図１９Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図１９Ｆは、層７６４が、図１９Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。

　層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。

　図１９Ｃ及び図１９Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図１９Ｄに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。

　また、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。

　例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、または、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。

　また、例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。当該構成をＢＹシングルと呼称する場合がある。

　図１９Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

　また、図１９Ｅ及び図１９Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。

　例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図１９Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。

　また、各色の光を呈する副画素に、図１９Ｅまたは図１９Ｆに示す構成の発光デバイスを用いる場合、副画素によって、異なる発光物質を用いてもよい。具体的には、赤色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ赤色の光を発する発光物質を用いてもよい。同様に、緑色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ緑色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。このような構成の表示装置は、タンデム構造の発光デバイスが適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。これにより、高輝度発光が可能であり、信頼性の高い発光デバイスを実現することができる。

　また、図１９Ｅ及び図１９Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図１９Ｆに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　なお、図１９Ｅ及び図１９Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。

　また、図１９Ｅ及び図１９Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。

　具体的には、図２０Ａ乃至図２０Ｃに示す発光デバイスの構成が挙げられる。

　図２０Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。

　また、図２０Ａに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

　なお、図２０Ａに示す構成においては、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、それぞれ同じ色の光を発する発光物質を有すると好ましい。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ赤色（Ｒ）の発光物質を有する構成（いわゆるＲ＼Ｒ＼Ｒの３段タンデム構造）、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ緑色（Ｇ）の発光物質を有する構成（いわゆるＧ＼Ｇ＼Ｇの３段タンデム構造）、または発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。

　なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質としては、上記の構成に限定されない。例えば、図２０Ｂに示すように、複数の発光物質を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスとしてもよい。図２０Ｂは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。

　図２０Ｂに示す構成においては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃを、補色の関係となる発光物質を選択し白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃを、補色の関係となる発光物質を選択し白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図２０Ｃに示す構成においては、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃの補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。

　また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼Ｙの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼Ｂの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。

　また、図２０Ｃに示すように、１つの発光物質を有する発光ユニットと、複数の発光物質を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。

　具体的には、図２０Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

　例えば、図２０Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。

　例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

　なお、図１９Ｃ、図１９Ｄにおいても、図１９Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　また、図１９Ｅ及び図１９Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。

　下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。

　また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

　下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

　発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）であることが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）であることが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　なお、半透過・半反射電極は、反射電極として用いることができる導電層と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）として用いることができる導電層と、の積層構造とすることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

　発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い材料を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。

　アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。

　例えば、正孔注入性の高い材料として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

　電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

　正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　また、電子注入性の高い材料のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）であることが好ましい。

　電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

　電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：ｈｉｇｈｅｓｔ　ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

　また、電荷発生層は、電子注入性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

　電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

　電荷発生層は、電子輸送性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

　電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

　なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。

　なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。

　発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１０ａ：電子機器、１０ｂ：電子機器、１０：電子機器、１１ａ：表示装置、１１ａＬ：表示装置、１１ａＲ：表示装置、１１ｂ：表示装置、１１ｂＬ：表示装置、１１ｂＲ：表示装置、１１ｃ：表示装置、１２Ｌ：レンズ、１２Ｒ：レンズ、１２：レンズ、１３ａ：レンズ、１３ｂ：レンズ、１３ｃ：レンズ、１３：レンズ、１４ａ：ハーフミラー、１４ｂ：ハーフミラー、１４：ハーフミラー、１５：筐体、１６：ハーフミラー、２０：目、２１：像、２２：像、３０ａ：画像、３０ｂ：画像、３０：画像、３１ａ：領域、３１ｂ：領域、３１ｃ：領域、３２ａ：領域、３２ｃ：領域、４０：電子機器、４１Ｌ：カメラ、４１Ｒ：カメラ、４２：装着具、１００ａ：表示装置、１００ｂ：表示装置、１００Ｗ：発光素子、１００：表示装置、１０１：基板、１１０ａ：発光素子、１１０Ｂ：発光素子、１１０ｂ：発光素子、１１０ｃ：発光素子、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１０：発光素子、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１：画素電極、１１２Ｂ：有機層、１１２Ｇ：有機層、１１２Ｒ：有機層、１１２Ｗ：有機層、１１２：有機層、１１３：共通電極、１１４：共通層、１１５Ｂ：導電層、１１５Ｇ：導電層、１１５Ｒ：導電層、１１５：光学調整層、１１６Ｂ：着色層、１１６Ｇ：着色層、１１６Ｒ：着色層、１２１：保護層、１２２：絶縁層、１２３：絶縁層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５：絶縁層、１２６：樹脂層、１２８：層、１４０：接続部、１５０：画素、１７０：基板、１７１：接着層

Claims (12)

1. 　第１の表示装置と、第２の表示装置と、接眼レンズと、第１のレンズと、を有し、
   　前記第１の表示装置は、第１の画像を表示する機能を有し、
   　前記第２の表示装置は、第２の画像を表示する機能を有し、
   　前記第１の表示装置と、前記第２の表示装置とは、画素密度が等しく、
   　前記第１の画像は、前記接眼レンズを介して提示され、
   　前記第２の画像は、前記第１のレンズで拡大され、前記接眼レンズを介して提示される、
   　電子機器。
2. 　第１の表示装置と、第２の表示装置と、第１のハーフミラーと、接眼レンズと、第１のレンズと、を有し、
   　前記第１の表示装置は、第１の画像を表示する機能を有し、
   　前記第２の表示装置は、第２の画像を表示する機能を有し、
   　前記第１の表示装置は、前記第１の画像が前記第１のハーフミラーに反射して前記接眼レンズに入射する位置に設けられ、
   　前記第２の表示装置は、前記第２の画像が前記第１のハーフミラーを透過して前記接眼レンズに入射する位置に設けられ、
   　前記第１のレンズは、前記第２の表示装置と前記第１のハーフミラーとの間に設けられ、
   　前記第１の表示装置と、前記第２の表示装置とは、画素密度が等しく、
   　前記第１の画像は、前記接眼レンズを介して第１の視野角で提示され、
   　前記第２の画像は、前記接眼レンズを介して前記第１の視野角より大きい第２の視野角で提示される、
   　電子機器。
3. 　第１の表示装置と、第２の表示装置と、第１のハーフミラーと、接眼レンズと、第１のレンズと、を有し、
   　前記第１の表示装置は、第１の画像を表示する機能を有し、
   　前記第２の表示装置は、第２の画像を表示する機能を有し、
   　前記第１の表示装置は、前記第１の画像が前記第１のハーフミラーを透過して前記接眼レンズに入射する位置に設けられ、
   　前記第２の表示装置は、前記第２の画像が前記第１のハーフミラーに反射して前記接眼レンズに入射する位置に設けられ、
   　前記第１のレンズは、前記第２の表示装置と前記第１のハーフミラーとの間に設けられ、
   　前記第１の表示装置と、前記第２の表示装置とは、画素密度が等しく、
   　前記第１の画像は、前記接眼レンズを介して第１の視野角で提示され、
   　前記第２の画像は、前記接眼レンズを介して、前記第１の視野角より大きい第２の視野角で提示される、
   　電子機器。
4. 　請求項２または請求項３において、
   　前記第１の表示装置と前記第１のハーフミラーとの間に、第２のレンズを有する、
   　電子機器。
5. 　請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
   　前記第１の視野角は、５°以上３０°以下であり、
   　前記第２の視野角は、前記第１の視野角よりも大きく、２２０°以下である、
   　電子機器。
6. 　請求項２乃至請求項５のいずれか一において、
   　前記第１の画像は、輪郭が円形または楕円形である、
   　電子機器。
7. 　請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
   　前記第１の画像は、中央部が第１の解像度で示され、前記中央部よりも外側の外周部が前記第１の解像度よりも低い第２の解像度で示され、
   　前記第２の解像度は、前記接眼レンズを介して見た時の前記第２の画像の解像度以上である、
   　電子機器。
8. 　請求項２乃至請求項７のいずれか一において、
   　前記第１の表示装置及び前記第２の表示装置は、それぞれ画素密度が１０００ｐｐｉ以上２００００ｐｐｉ以下である、
   　電子機器。
9. 　請求項２乃至請求項８のいずれか一において、
   　第３の表示装置と、第３のレンズと、第２のハーフミラーと、を有し、
   　前記第３の表示装置は、第３の画像を表示する機能を有し、
   　前記第３の表示装置は、前記第３の画像が前記第２のハーフミラーに反射して前記接眼レンズに入射する位置に設けられ、
   　前記第３のレンズは、前記第３の表示装置と、前記第２のハーフミラーとの間に設けられる、
   　電子機器。
10. 　請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
    　前記第１の表示装置と、前記第２の表示装置とは、それぞれ複数の発光素子と、カラーフィルタと、を有し、
    　前記発光素子は、白色光を呈する有機層を有する、
    　電子機器。
11. 　請求項１０において、
    　前記有機層は、隣接する２つの前記発光素子の間で分断されている、
    　電子機器。
12. 　請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
    　前記第１の表示装置と、前記第２の表示装置とは、それぞれ第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子とは、異なる発光材料を有する、
    　電子機器。

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