WO2023047236A1 - 電子機器、及び通信システム - Google Patents
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Abstract
多機能な表示装置または電子機器を提供する。ＶＲ表示とＡＲ表示を切り替えることのできる電子機器を提供する。 電子機器は、第１の表示装置と、第２の表示装置と、レンズと、スクリーンと、装着具と、筐体と、を有する。装着具は、筐体を頭部に固定させる機能を有する。筐体は、視界を遮るように閉じた第１の形態と、前方が視認できるように開いた第２の形態と、に変形する機能を有する。また電子機器は、第１の形態において、レンズ及びスクリーンを介して第１の表示装置に表示された第１の画像を提供する機能と、第２の形態において、第２の表示装置からスクリーンに投影された第２の画像を提供する機能と、を有する。
Description
本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置を備える電子機器に関する。本発明の一態様は、電子機器の通信システムに関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。
拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）又は仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）用の表示装置が設けられる電子機器として、ウェアラブル型の電子機器、及び据え置き型の電子機器などが普及しつつある。ウェアラブル型の電子機器としては、例えば、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ：Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）、眼鏡型の電子機器等がある。据え置き型の電子機器としては、例えば、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ：Ｈｅａｄ−Ｕｐ Ｄｉｓｐｌａｙ）等がある。
ＨＭＤ等、表示部と使用者の距離が近い電子機器では使用者が画素を視認しやすく、粒状感を強く感じてしまうことから、ＡＲまたはＶＲでの没入感、または臨場感が薄れる場合がある。このため、ＨＭＤには、使用者に画素を視認されないように微細な画素を備える表示装置を設けることが好ましい。特許文献１では、微細で高速駆動が可能なトランジスタを用いることにより、微細な画素を有するＨＭＤを実現する方法が開示されている。
本発明の一態様は、多機能な表示装置または電子機器を提供することを課題の一とする。または、ＶＲ表示とＡＲ表示を切り替えることのできる表示装置または電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な構成を有するウェアラブルな電子機器を提供することを課題の一とする。または、視認性の高い表示装置または電子機器を提供することを課題の一とする。または、低消費電力な表示装置または電子機器を提供することを課題の一とする。または、直感的な操作が可能な表示装置または電子機器を提供することを課題の一とする。または、小型化が容易な電子機器を提供することを課題の一とする。または、軽量化が容易な電子機器を提供することを課題の一とする。
本発明の一形態は、新規な構成の表示装置、または新規な構成の電子機器を提供することを課題の一とする。または、本発明の一形態は、新規な構成の表示装置の駆動方法、または新規な構成の電子機器の駆動方法を提供することを課題の一とする。または、本発明の一形態は、新規な構成の表示装置の駆動方法、または新規な構成の電子機器の駆動方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を、少なくとも軽減することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の表示装置と、第２の表示装置と、レンズと、スクリーンと、装着具と、筐体と、を有する電子機器である。装着具は、筐体を頭部に固定させる機能を有する。筐体は、視界を遮るように閉じた第１の形態と、前方が視認できるように開いた第２の形態と、に変形する機能を有する。また電子機器は、第１の形態において、レンズ及びスクリーンを介して第１の表示装置に表示された第１の画像を提供する機能と、第２の形態において、第２の表示装置からスクリーンに投影された第２の画像を提供する機能と、を有する。
また、本発明の他の一態様は、第１の表示装置と、第２の表示装置と、レンズと、スクリーンと、装着具と、筐体と、通信部と、を有する電子機器である。装着具は、筐体を頭部に固定させる機能を有する。筐体は、視界を遮るように閉じた第１の形態と、前方が視認できるように開いた第２の形態と、に変形する機能を有する。電子機器は、第１の形態において、レンズ及びスクリーンを介して第１の表示装置に表示された第１の画像を提供する機能と、第２の形態において、第２の表示装置からスクリーンに投影された第２の画像を提供する機能と、を有する。通信部は、有線、または無線で、端末機と通信する機能を有する。第１の表示装置に供給する第１の画像データ、及び第２の表示装置に供給する第２の画像データは、それぞれ端末機から供給される。
また、上記いずれかにおいて、筐体は、開閉する第１の部分と、第１のスクリーンに固定された第２の部分と、を有することが好ましい。さらに、第１の表示装置及びレンズは、第１の部分に設けられ、第２の表示装置は、第２の部分に設けられることが好ましい。
また、上記いずれかにおいて、第１の表示装置は、表示領域の面積が、第２の表示装置よりも大きいことが好ましい。
また、上記いずれかにおいて、第２の表示装置は、精細度が第１の表示装置よりも高いことが好ましい。
また、上記いずれかにおいて、第１の表示装置及び第２の表示装置は、それぞれ精細度が３０００ｐｐｉ以上１００００ｐｐｉ以下であることが好ましい。
また、上記いずれかにおいて、第１の表示装置は、表示領域の大きさが、対角１．３インチ以上１．７インチ以下であることが好ましい。
また、上記いずれかにおいて、さらに一対の第１のカメラと、一対の第２のカメラと、を有することが好ましい。このとき、第１のカメラは、筐体の前方を撮像する機能を有し、第２のカメラは、ユーザーの目を撮像する機能を有することが好ましい。さらに電子機器は、第１のカメラを用いて、ジェスチャー情報を取得する機能と、第２のカメラを用いて、虹彩の情報、または視線の動きの情報を取得する機能と、を有することが好ましい。
また、上記において、さらに一対の第３のカメラを有することが好ましい。第３のカメラは、筐体の前方を撮像する機能を有することが好ましい。このとき、第３のカメラは、第１のカメラよりも画角が狭いことが好ましい。
また、本発明の他の一態様は、上記電子機器と、端末機と、サーバと、を有する通信システムである。通信システムは、電子機器と前記端末機とが通信可能な状態であり、端末機とサーバとが、ネットワークを介して接続される。
本発明の一態様によれば、多機能な表示装置または電子機器を提供することができる。または、ＶＲ表示とＡＲ表示を切り替えることのできる表示装置または電子機器を提供することができる。または、新規な構成を有するウェアラブルな電子機器を提供することができる。または、視認性の高い表示装置または電子機器を提供することができる。または、低消費電力な表示装置または電子機器を提供することができる。または、直感的な操作が可能な表示装置または電子機器を提供することができる。または、小型化が容易な電子機器を提供することができる。または、軽量化が容易な電子機器を提供することができる。
また、本発明の一形態によれば、新規な構成の表示装置、または新規な構成の電子機器を提供することができる。または、本発明の一形態によれば、新規な構成の表示装置の駆動方法、または新規な構成の電子機器の駆動方法を提供することができる。または、本発明の一形態によれば、新規な構成の表示装置、または新規な構成の表示システムを提供することができる。また、本発明の一態様によれば、先行技術の問題点の少なくとも一を、少なくとも軽減することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
図１Ａ及び図１Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図２は、電子機器の構成例を示す図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図４は、電子機器の構成例を示すブロック図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、電子機器及び端末機の構成例を示す図である。
図６Ａは、電子機器及び端末機の構成例を示す図である。図６Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図１０は、電子機器及び端末機の構成例を示すブロック図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、電子機器及び端末機の構成例を示す図である。
図１２は、電子機器の動作方法を説明するフローチャートである。
図１３は、電子機器の動作方法を説明するフローチャートである。
図１４Ａ乃至図１４Ｃは、電子機器の画像の一例を示す図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｄは、電子機器の画像の一例を示す図である。
図１６Ａおよび図１６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１７は、表示装置の構成例を示す図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｃは、表示モジュールの斜視図である。
図１９Ａおよび図１９Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図２２は、表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
図２３Ａおよび図２３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２４Ａおよび図２４Ｂは、表示装置の動作例を示す図である。
図２５Ａおよび図２５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図２７Ａ乃至図２７Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図２８は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
図２９は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
図３０Ａおよび図３０Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図３１は、表示装置の構成例を示す図である。
図３２は、表示装置の構成例を示す図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図３４Ａ乃至図３４Ｆは、画素の構成例を示す図である。
図３５Ａ及び図３５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図３６は、表示装置の構成例を示す図である。
図３７は、表示装置の構成例を示す図である。
図３８は、表示装置の構成例を示す図である。
図３９は、表示装置の構成例を示す図である。
図４０は、表示装置の構成例を示す図である。
図４１は、表示装置の構成例を示す図である。
図４２は、表示装置の構成例を示す図である。
図４３Ａ乃至図４３Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図４４Ａ乃至図４４Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２は、電子機器の構成例を示す図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図４は、電子機器の構成例を示すブロック図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、電子機器及び端末機の構成例を示す図である。
図６Ａは、電子機器及び端末機の構成例を示す図である。図６Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、電子機器の構成例を示す図である。
図１０は、電子機器及び端末機の構成例を示すブロック図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、電子機器及び端末機の構成例を示す図である。
図１２は、電子機器の動作方法を説明するフローチャートである。
図１３は、電子機器の動作方法を説明するフローチャートである。
図１４Ａ乃至図１４Ｃは、電子機器の画像の一例を示す図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｄは、電子機器の画像の一例を示す図である。
図１６Ａおよび図１６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図１７は、表示装置の構成例を示す図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｃは、表示モジュールの斜視図である。
図１９Ａおよび図１９Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図２２は、表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
図２３Ａおよび図２３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２４Ａおよび図２４Ｂは、表示装置の動作例を示す図である。
図２５Ａおよび図２５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図２７Ａ乃至図２７Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図２８は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
図２９は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
図３０Ａおよび図３０Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図３１は、表示装置の構成例を示す図である。
図３２は、表示装置の構成例を示す図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図３４Ａ乃至図３４Ｆは、画素の構成例を示す図である。
図３５Ａ及び図３５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図３６は、表示装置の構成例を示す図である。
図３７は、表示装置の構成例を示す図である。
図３８は、表示装置の構成例を示す図である。
図３９は、表示装置の構成例を示す図である。
図４０は、表示装置の構成例を示す図である。
図４１は、表示装置の構成例を示す図である。
図４２は、表示装置の構成例を示す図である。
図４３Ａ乃至図４３Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図４４Ａ乃至図４４Ｃは、発光デバイスの構成例を示す図である。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、または発光層を含む積層体を示すものとする。
本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。
また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、及び表示装置を備える電子機器について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、及び表示装置を備える電子機器について説明する。
本発明の一態様は、頭部に装着可能な電子機器である。電子機器は、様々な表示モードで表示する機能を有する。例えば、ＡＲ表示モードと、ＶＲ表示モードとを切り替えることができる。ＡＲ表示モードは、スクリーン越しに視認される現実の風景を、当該スクリーンに表示された画像に重ねて表示することができるモードである。ＶＲモードは、視界を遮断して現実の風景を視認できない状態で、画像を表示することのできるモードである。
本発明の一態様の電子機器は、開閉可能な機構を有する筐体と、頭部に装着するための装着具と、を有する。筐体内には、２つの表示装置（第１の表示装置、第２の表示装置）を有する。ＶＲモードでは、筐体を閉じてユーザーの視界を遮った状態で、筐体の内側に配置された第１の表示装置の表示部に表示された画像をユーザーに提示する。また、ＡＲモードでは、筐体を開いてユーザーが透光性のスクリーン越しに現実の風景を視認できる状態で、第２の表示装置からスクリーンに投影された画像をユーザーに提示する。
また、筐体には、複数のイメージセンサ（カメラ）を設けることが好ましい。筐体の外側に向けられたカメラにより手元を撮像することで、手の動き（ジェスチャー）を情報として取得することができ、ジェスチャー操作が可能となるため、直感的な操作が可能となる。また、筐体の内側に向けられたカメラにより、ユーザーの目を撮像することで、認証処理、健康管理、または視線追跡（アイトラッキング）に用いる目の情報、視線の動きの情報などを取得することができる。当該情報は、電子機器自体で処理してもよいし、電子機器とは別の端末機またはサーバに送信され、処理されもよい。
第１の表示装置及び第２の表示装置は、極めて精細度が高いことが好ましい。例えば、精細度が１０００ｐｐｉ以上、好ましくは２０００ｐｐｉ以上、より好ましくは３０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは４０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、１００００ｐｐｉ以下、９０００ｐｐｉ以下、または８０００ｐｐｉ以下である表示装置を用いることができる。
第１の表示装置及び第２の表示装置は、画素数（解像度）が多いほど好ましい。例えば、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）といった解像度とすることができる。また、第１の表示装置及び第２の表示装置は、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ２Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ４Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。なお、第１の表示装置及び第２の表示装置の表示領域のアスペクト比が１：１またはその近傍である場合には、上記に限られず、信号線の本数及び走査線の本数が共に１０００本以上とすることが好ましい。
第１の表示装置及び第２の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、第１の表示装置及び第２の表示装置としては、それぞれ１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。
また、直視型として用いる第１の表示装置は、表示領域の大きさ（面積）が第２の表示装置よりも大きいことが好ましい。これにより、直視用の光学系が有するレンズなどを薄くすることができるだけでなく、レンズによる画像の歪も小さくできる。例えば第１の表示装置は、対角のサイズが０．５インチ以上、好ましくは０．７インチ以上、より好ましくは１インチ以上、さらに好ましくは１．３インチ以上であって、２インチ以下、または１．７インチ以下のサイズとすることが好ましい。具体的には、１．５インチまたはその近傍のサイズとすることが好ましい。
一方、投影型として用いる第２の表示装置は、スクリーンに画像を拡大して投影することが可能であるため、小型の表示装置を用いることで、電子機器の軽量化につながる。また、第２の表示装置の精細度は、第１の表示装置の精細度よりも高いことが好ましい。これにより、スクリーンに拡大して表示された画像であっても、粒状感を感じさせることなく、没入感を損なわない画像を表示することができる。
ここで、電子機器は、情報端末機（以下、端末機ともよぶ）と有線、または無線での通信が可能な構成とすることが好ましい。端末機は、コンピュータ、ゲーム機、スマートフォン、タブレット端末機、腕時計型端末機などの情報端末機を用いることができる。電子機器と、端末機とは、通信によるデータのやりとりを行い、一方の端末機の画面に表示される画像データの一部または全部を、電子機器の第１の表示装置または第２の表示装置に表示することができる。すなわち、第１の表示装置に供給する画像データ（第１の画像データ）と、第２の表示装置に供給する画像データ（第２の画像データ）とは、端末機から電子機器に供給される。電子機器に表示される画像は、アップコンバート、またはダウンコンバートなどの加工方法により、加工された画像であってもよい。
また、端末機は電子機器と通信するための第１の通信部と、インターネット、イントラネットなどの通信網と接続し、通信を行うための第２の通信部と、を有することが好ましい。例えば、電子機器で表示するコンテンツは、端末機を通じて電子機器に送られ、実行される。
端末機には、電子機器の各コンポーネントの制御を行う機能を持たせることができる。例えば、端末機には、電子機器が有する第１の表示装置、第２の表示装置、複数のカメラ、各種センサなどの制御を行う機能を持たせることができる。端末機は、電子機器を駆動するための各種デバイスドライバ、及びアプリケーションソフトウェアなどをインストールすることにより、電子機器の制御が可能な状態とすることができる。これにより、電子機器自体は大規模な演算を行う必要がなくなるため、構成を簡略化でき、電子機器の小型化、軽量化が容易となる。頭部に装着する電子機器は、出来るだけ軽量であることが好ましい。
また、端末機は、電子機器に電力を供給するためのバッテリ、及び当該バッテリを充電するための回路などを有していることが好ましい。端末機から電子機器に電力を供給する構成とすることで、電子機器を軽量にできるため、ユーザーの負担を軽減できる。また、電子機器にもバッテリを設けてもよい。電子機器にもバッテリを設けることで、電子機器単体でも駆動することができる。なお、電子機器に搭載するバッテリは、端末機よりも小さい容量とすることで、電子機器の重量の増加を低減できるため好ましい。
以下では、より具体的な例について図面を参照して説明する。
［電子機器の構成例］
図１Ａ、図１Ｂに、電子機器５００の断面概略図を示す。図１Ａは、ＶＲモードの形態に対応し、図１Ｂは、ＡＲモードの形態に対応する。
図１Ａ、図１Ｂに、電子機器５００の断面概略図を示す。図１Ａは、ＶＲモードの形態に対応し、図１Ｂは、ＡＲモードの形態に対応する。
電子機器５００は、携帯情報端末としての機能を有し、インターネットに接続することで様々なプログラムを実行すること、及び様々なコンテンツを再生すること、などができる。例えば、電子機器５００は、ＡＲモードで拡張現実のコンテンツを表示する機能、及びＶＲモードで仮想現実のコンテンツを表示する機能を有する。なお、電子機器５００は、ＡＲ、ＶＲの他に、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）、または複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）のコンテンツを表示する機能を有していてもよい。
電子機器５００は、片手または両手を用いたジェスチャー操作により、直感的に操作することができる。例えば従来のスマートフォン、またはタブレット端末等では、一方の手で本体を把持し、当該把持している手、または他方の手の指で画面を操作する必要があり、画面が小さい機器であっても、少なくとも一方の手が塞がってしまうといった不便さがあった。一方、本発明の一態様の電子機器５００では、ハンズフリーな操作を行うことができるため、好ましい。
電子機器５００は、筐体５０１、光学部材５０４、装着具５０５等を有する。筐体５０１は、第１の部分５０２と第２の部分５０３を有する。第２の部分５０３は、光学部材５０４及び装着具５０５と固定される。第１の部分５０２は、開閉する機構を有する。
第１の部分５０２は、表示装置５１１と、レンズ５１２を有する。ユーザーは光学部材５０４及びレンズ５１２を介して表示装置５１１に表示された画像を見ることができる。
また第１の部分５０２は、表示装置５１１とレンズ５１２との距離、またはこれらの角度を調整する機構を有することが好ましい。これによりピント調整、画像の拡大、縮小を行うことができる。例えば、表示装置５１１またはレンズ５１２の一方または双方が、高軸方向に移動可能な構成とすればよい。
第２の部分５０３は、表示装置５２１と、反射板５２２を有する。また、光学部材５０４の内部には、スクリーンとして機能する反射面５２３が形成されている。反射面５２３はハーフミラーとして機能し、光を透過する。図１Ｂ中の矢印で示すように、表示装置５２１から出た光は、反射板５２２により反射され、光学部材５０４に入射される。当該光は光学部材５０４内を全反射し、反射面５２３に到達することで、反射面５２３に画像が投影される。ユーザーは反射面５２３を透過した透過像に重ねて、反射面５２３に投影された画像を見ることができる。
装着具５０５は、ユーザーの頭部に固定することができれば、様々な形態をとることができる。図１Ａ等では、メガネのつる（テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着具５０５は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型、またはバンド型の形状としてもよい。
図２には、電子機器５００を上部から見た時の模式図を示している。図２に示すように、電子機器５００は、光学部材５０４、装着具５０５、表示装置５１１、及びレンズ５１２をそれぞれ一対ずつ有する。なお表示装置５１１は一対ではなく、一つの表示装置としてもよい。
電子機器５００は、外側を撮像するための２種類の撮像装置（カメラ５３１、カメラ５３２）を有する。カメラ５３１は、筐体５０１の前方を撮像する機能を有し、例えば電子機器５００から距離約１ｍの範囲を撮像するための広角レンズを備える。カメラ５３１は、主にユーザーの手の動きによりジェスチャー操作を行うための画像を撮像するための撮像装置である。また、カメラ５３２は、主に風景を撮像するための撮像装置であり、カメラ５３１よりも望遠のレンズを有する。すなわち、カメラ５３２は、カメラ５３１よりも焦点距離が長く、且つ、画角が狭い。カメラ５３１及びカメラ５３２は、焦点距離を変化させるズーム機構を有していてもよい。その場合は、カメラ５３１の最大焦点距離よりも、カメラ５３２の最大焦点距離が大きくなるように、カメラ５３２を選択すればよい。
図２では、電子機器５００がカメラ５３１及びカメラ５３２をそれぞれ一対ずつ有する構成を示している。これにより、ステレオ撮像が可能となり、３Ｄ映像を撮像できるほか、対象物の距離を算出することもできる。なお電子機器５００は、カメラ５３１及びカメラ５３２を、それぞれ一つずつ有する構成としてもよい。
また、電子機器５００は、内側を撮像するための一対の撮像装置（カメラ５３３）を有する。一対のカメラ５３３は、それぞれ右目または左目を撮像するためのカメラである。カメラ５３３は、赤外光に感度を有することが好ましい。カメラ５３３により、ユーザーの右目と左目をそれぞれ撮像することができるため、その画像を虹彩認証、ヘルスケア、アイトラッキングなどに用いることができる。なおここでは示さないが、照明のための赤外光を発する光源を有することが好ましい。なお電子機器５００は、両目を撮像するカメラ５３３を一つ有する構成としてもよい。
図２には、カメラ５３１、カメラ５３２、及びカメラ５３３の撮像範囲の一例を一点鎖線でそれぞれ示している。
なお、ここではカメラ５３１を有する例を示したが、カメラ５３１として、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設けてもよい。すなわち、カメラ５３１は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、またはライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。
続いて、図５Ａ、図５Ｂ、及び図６Ａには、電子機器５００と、端末機５５０を有する例を示す。電子機器５００は、ケーブル５２０を介して、端末機５５０と接続されている。ここでは、端末機５５０として、スマートフォンを用いた場合の例を示している。
電子機器５００は、端末機５５０から出力される映像コンテンツを表示することができる。電子機器５００は、映像表示機としての機能を有するともいえる。例えば、ＡＲ、ＶＲに加えて、ＳＲまたはＭＲのコンテンツを表示する機能を有していてもよい。
また、電子機器５００は、携帯情報端末としての機能を有していてもよい。例えば電子機器５００は、それ自体でインターネットに接続することで様々なプログラムを実行すること、及び様々なコンテンツを再生すること、などができてもよい。
ここで、図１Ｂ、及び図５Ｂでは、反射板５２２と反射面５２３を用いて、表示装置５２１を用いた画像表示を行う例を示したが、異なる構成とすることもできる。例えば、図６Ｂでは、光学部材５２４と光学部材５２５を用いた構成を示している。表示装置５２１は、下側に向けて画像（光）を射出するように配置される。表示装置５２１から出た光の一部は、光学部材５２４により光学部材５２５側に反射され、光学部材５２５に投影される。光学部材５２５に反射された光の一部は、光学部材５２４を透過してユーザーの目に到達する。これにより、表示装置５２１の映像を実際の背景に重ねて表示することができる。
また、表示装置５２１の表面側には、レンズ５２６を設けてもよい。さらに、表示装置５２１とレンズ５２６との間に、マイクロレンズアレイを設けてもよい。
光学部材５２４、及び光学部材５２５は、偏光板、円偏光板、レンズ、ハーフミラーなどを有する構成とすることができる。例えば、光学部材５２４は、ビームスプリッタとして機能し、所定の偏光の光を透過し、他の偏光の光を反射する機能を有する。光学部材５２５は、光学部材５２４から反射した光を集光及び反射するとともに、光学部材５２４を透過するように偏光させる機能を有する。
図３Ａ、図３Ｂには、上記とは異なる電子機器５００の構成例を示す。
図３Ａ、図３Ｂに示す電子機器は、装着具５０５がバンド状の形状を有する。これにより、図１Ａ等に示す構成に比べてずれにくいため、アトラクションなど、運動量の比較的大きいコンテンツを楽しむ場合には、好適である。なお、ここでは図示していないが、装着具５０５の部分５０６と対向する位置（後頭部側）にバッテリなどを内蔵してもよい。部分５０６の重さと、バッテリの重さとのバランスを図ることで、電子機器５００の重心を調整することができ、装着感を向上させることができる。
また装着具５０５は、ユーザーの額を覆う部分５０６を有する。部分５０６を有することで、よりずれにくくすることができる。また、部分５０６の額に触れる部分に電極を設け、当該電極により脳波を測定することもできる。
図７Ａ、図７Ｂには、上記とは異なる電子機器５００の構成例を示す。図７Ａに示すように、第１の部分５０２は、閉じた状態のときに、顔の前方だけでなく側方も覆う形状を有する。これにより、ユーザーの視界を外光から遮蔽できるため、臨場感、及び没入感を高めることができる。例えば、表示するコンテンツによっては、ユーザーが感じる恐怖感を高めることもできる。
また、図７Ａ、図７Ｂでは、装着具５０５の後頭部側にバッテリ５０７が内蔵されている例を示している。さらに図７Ａ、図７Ｂでは、装着具５０５にケーブル５２０が接続されている例を示している。
また、図８Ａ、図８Ｂには、上記と異なる電子機器５００の構成例を示す。図８Ａは第１の部分５０２を閉じた状態、図８Ｂは第１の部分５０２を開いた状態を、それぞれ示している。
図８Ａ及び図８Ｂに示す電子機器５００は、装着具５０５が耳に掛けて固定する形態である。装着具５０５は、骨伝導を利用したスピーカー、マイク、またはその両方としての機能を有していてもよい。すなわち、装着具５０５はその内部に骨伝導を利用したスピーカー、マイク、またはその両方を備え、少なくとも頭部の一部に接する構成とすることができる。
図９Ａ、図９Ｂには、上記と異なる電子機器５００の構成例を示す。
筐体５０１の、第２の部分５０３には、端末機５５０を挿入するスロットが設けられている。当該スロットに端末機５５０を挿入することにより、電子機器５００と端末機５５０とが通信可能な状態となる。このように、電子機器５００が、端末機５５０を保持できる機構を有することで、ユーザーは、端末機５５０を入れておくためのポケット等を有する衣服を選択すること、またはカバンなどを装着することが不要となるため好ましい。
また、ここでは端末機５５０が表示部を有するスマートフォンである場合を示している。このとき、端末機５５０の画面を、第２の部分５０３に設けられる表示装置５２１として用いてもよい。すなわち、端末機５５０の画面が下側に位置する様に、スロットに挿入し、画面に表示された画像を、光学部材５０４が有する反射面５２３に投影する構成としてもよい。このような構成とすることで、電子機器５００の構成を簡略化でき、低コスト化、軽量化、及び小型化が容易となる。
また、図９Ｂに示すように、第１の部分５０２は、脱着可能な構成としてもよい。図９Ｂでは、第１の部分５０２、及び端末機５５０を取り外したときの様子を示している。
［電子機器のハードウェア構成の例］
図４は、電子機器５００の一部のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。電子機器５００は、制御部５５１、記憶部５５２、カメラ５３１、カメラ５３３、開閉センサ５５３、表示装置５１１、表示装置５２１、通信部５５４等を有する。各構成（コンポーネント）はバスラインを介して互いに電気的に接続されている。
図４は、電子機器５００の一部のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。電子機器５００は、制御部５５１、記憶部５５２、カメラ５３１、カメラ５３３、開閉センサ５５３、表示装置５１１、表示装置５２１、通信部５５４等を有する。各構成（コンポーネント）はバスラインを介して互いに電気的に接続されている。
なお以下では、説明を容易にするため、電子機器５００が有する制御部５５１以外の構成要素について区別しない場合には、これらを単にコンポーネントなどと呼ぶことがある。
制御部５５１は、例えば中央演算装置（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）として機能することができる。制御部５５１は、各コンポーネントを制御する機能を有する。
記憶部５５２は、プログラムデータ、システムデータ、ユーザーデータなど、様々なデータを格納することができる。制御部５５１は、記憶部５５２からデータを読み出すこと、及び記憶部５５２にデータを格納すること、ができる。
開閉センサ５５３は、筐体５０１の第１の部分５０２の開閉状態を取得し、その情報を制御部５５１に出力する機能を有する。開閉センサ５５３は、機械的、光学的、または電気的なスイッチを有し、筐体５０１の開閉状態を取得することができる。
脳波センサ５５５は、ユーザーの脳波を取得して、その情報を制御部５５１に出力する機能を有する。脳波センサは、例えばユーザーの額に接触する電極を一以上有する。脳波センサ５５５は、α波、β波、θ波、及びδ波などの脳波について、周波数と振幅の情報を取得することができる。制御部５５１は、脳波の情報からユーザーの覚醒状態などを推定し、覚醒状態に応じて処理を実行することができる。
制御部５５１と各コンポーネントとは、バスラインを介して信号の伝達が行われる。制御部５５１は、バスラインを介して接続された各コンポーネントから入力される信号を処理する機能、及び各コンポーネントへ出力する信号を生成する機能等を有し、バスラインに接続された各コンポーネントを統括的に制御することができる。
なお、制御部５５１、または他のコンポーネントが有するＩＣ等に、チャネル形成領域に酸化物半導体を用い、極めて低いオフ電流が実現されたトランジスタを利用することもできる。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、当該トランジスタを記憶素子として機能する容量素子に流入した電荷（データ）を保持するためのスイッチとして用いることで、データの保持期間を長期にわたり確保することができる。この特性を制御部５５１のレジスタ、キャッシュメモリなどに用いることで、必要なときだけ制御部５５１を動作させ、他の場合には直前の処理の情報を当該記憶素子に待避させることにより、使用しないときには制御部５５１の電源を遮断する、いわゆるノーマリーオフコンピューティングが可能となり、電子機器５００の低消費電力化を図ることができる。
制御部５５１は、プロセッサにより種々のプログラムからの命令を解釈し実行することで、各種のデータ処理及びプログラム制御を行う。プロセッサにより実行しうるプログラムは、プロセッサが有するメモリ領域に格納されていてもよいし、記憶部５５２に格納されていてもよい。
制御部５５１としては、ＣＰＵのほか、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等の他のマイクロプロセッサを単独で、または組み合わせて用いることができる。またこれらマイクロプロセッサをＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）またはＦＰＡＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ａｎａｌｏｇ Ａｒｒａｙ）といったＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）によって実現した構成としてもよい。
制御部５５１はメインメモリを有していてもよい。メインメモリは、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、などの揮発性メモリ、または、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）などの不揮発性メモリを備えることができる。
メインメモリに設けられるＲＡＭとしては、例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）が用いられ、制御部５５１の作業空間として仮想的にメモリ空間が割り当てられ利用される。記憶部５５２に格納されたオペレーティングシステム、アプリケーションプログラム、プログラムモジュール、プログラムデータ等は、実行のためにＲＡＭにロードされる。ＲＡＭにロードされたこれらのデータ、プログラム、及びプログラムモジュール等は、制御部５５１に直接アクセスされ、操作される。
一方、ＲＯＭには書き換えを必要としないＢＩＯＳ（Ｂａｓｉｃ Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ Ｓｙｓｔｅｍ）、及びファームウェア等を格納することができる。ＲＯＭとしては、マスクＲＯＭ、ＯＴＰＲＯＭ（Ｏｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、またはＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等を用いることができる。ＥＰＲＯＭとしては、紫外線照射により記憶データの消去を可能とするＵＶ−ＥＰＲＯＭ（Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどが挙げられる。
また、制御部５５１は、ＣＰＵよりも並列演算に特化したプロセッサを有することが好ましい。例えば、ＧＰＵ、ＴＰＵ（Ｔｅｎｓｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＮＰＵ（Ｎｅｕｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などの、並列処理可能なプロセッサコアを多数（数十~数百個）有するプロセッサを有することが好ましい。これにより、制御部５５１は特にニューラルネットワークに係る演算を高速で行うことができる。
記憶部５５２としては、例えば、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ）などの不揮発性の記憶素子が適用された記憶装置、またはＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ）、またはＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）などの揮発性の記憶素子が適用された記憶装置等を用いてもよい。また例えばハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）、またはソリッドステートドライブ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ：ＳＳＤ）などの記録メディアドライブを用いてもよい。
通信部５５４は、無線により外部の通信機器とデータのやり取りを行うことができる。例えば通信部５５４、アンテナを介して通信を行うことができる。通信部５５４の通信手段（通信方法）としては、例えばＷｏｒｌｄ Ｗｉｄｅ Ｗｅｂ（ＷＷＷ）の基盤であるインターネット、イントラネット、エクストラネット、ＰＡＮ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＣＡＮ（Ｃａｍｐｕｓ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＭＡＮ（Ｍｅｔｒｏｐｏｌｉｔａｎ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＷＡＮ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＧＡＮ（Ｇｌｏｂａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等のコンピュータネットワークに各装置を接続させ、通信を行うことができる。無線通信を行う場合、通信プロトコル又は通信技術として、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ：登録商標）、ＥＤＧＥ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄａｔａ Ｒａｔｅｓ ｆｏｒ ＧＳＭ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、ＣＤＭＡ２０００（Ｃｏｄｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ａｃｃｅｓｓ ２０００）、Ｗ−ＣＤＭＡ（登録商標）などの通信規格、またはＷｉ−Ｆｉ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＺｉｇＢｅｅ（登録商標）等のＩＥＥＥにより通信規格化された仕様を用いることができる。
図１０は、電子機器５００と、端末機５５０について、それらの一部のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。電子機器５００は、制御部５５１、表示装置５１１、表示装置５２１、カメラ５３１、カメラ５３３、通信部５５８、開閉センサ５５３、脳波センサ５５５、音声出力部５５６、マイク５５７などを有する。各構成（コンポーネント）はバスライン（図示しない）を介して互いに電気的に接続されている。
制御部５５１は、中央演算装置として機能し、各コンポーネントを制御する機能を有する。例えば、制御部５５１は、通信部５５８を介して端末機５５０から送信された命令に応じて、各コンポーネントを制御する。また、各コンポーネントから出力されたデータを、通信部５５８を介して端末機５５０に出力する機能を有する。
音声出力部５５６としては、スピーカー、骨伝導スピーカーなどの内蔵スピーカーを用いてもよい。また、無線、または有線により、イヤホン、ヘッドホン、外部スピーカーなどに音声データを出力する構成としてもよい。
端末機５５０は制御部５７１、記憶部５７２、通信部５７３、通信部５７４、表示装置５７５、カメラ５７６、及びセンサ５７７等を有する。なお、端末機５５０の構成はこれに限られず、端末機の種類に応じて、様々なコンポーネントを有していてもよい。
通信部５７４としては、通信部５５４の記載を参照することができる。
通信部５７３は、電子機器５００の通信部５５８と通信を行う機能を有する。有線接続による通信を行う場合には、通信部５７３は接続端子を含む構成とすることができる。例えばＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）などの汎用の外部接続端子を用いることができる。
通信部５７３として、無線接続により通信部５５８と通信を行う場合には、ハードウェアとしては通信部５７４と共有することができる。
制御部５７１としては、制御部５５１の記載を参照することができる。端末機５５０が有する制御部５７１は、電子機器５００の制御部５５１よりも演算性能の高いプロセッサを用いることが好ましい。
記憶部５７２としては、記憶部５５２の記載を参照することができる。
センサ５７７としては、端末機５５０の種類に応じて様々なセンサを用いることができる。例えば、タッチセンサ、照度センサ、加速度センサ、指紋センサ、温度センサ、湿度センサ、地磁気センサ、ＧＰＳなどの各種センサを用いることができる。
［端末機及び電子機器の具体例］
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、端末機と電子機器の具体例である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、端末機と電子機器の具体例である。
図１１Ａに、端末機５５０Ａと、電子機器５００Ａを示している。端末機５５０Ａと電子機器５００Ａは、それぞれ無線通信機能を有する。
端末機５５０Ａは、スマートフォンとして機能する携帯情報端末機である。端末機５５０Ａは、筐体５７０と、通信部５７４と、表示装置５７５と、を有する。ここでは、通信部５７４が通信部５７３を兼ねる場合の例を示している。すなわち、通信部５７４は、ネットワークを介してサーバ等と通信する機能と、電子機器５００Ａと通信する機能の両方を有する。なお、図１１Ａでは、端末機５５０Ａを操作している、ユーザーの右手５３０Ｒを示している。
また、電子機器５００Ａは図８Ａの構成を参照できる。電子機器５００Ａと端末機５５０Ａとの無線通信としては、通信部５７４と、通信部５５８との間で行うことができる。
図１１Ａでは、イヤホン５７９に音声を出力する機能を有する。ここでは、端末機５５０Ａから無線通信によりイヤホン５７９に音声情報を出力する例を示している。なお、これに限られず、電子機器５００Ａからイヤホン５７９に音声情報を出力してもよい。
図１１Ｂに示す端末機５５０Ｂは、腕時計型の携帯情報端末としての機能を有する。端末機５５０Ｂは、筐体５７０と、表示装置５７５と、通信部５７３と、通信部５７４と、バンド５７８と、を有する。また、図１１Ｂには、ユーザーの右手５３０Ｒと、左手５３０Ｌと、を示している。端末機５５０Ｂと電子機器５００Ｂとは、通信部５７３及び通信部５５８を介して無線通信が可能である。
電子機器５００Ｂは、骨伝導を利用した音声出力機能を有する。ここでは、装着具５０５が振動することにより、骨伝導を利用して音声をユーザーに提供する例を示している。
図１１Ｃに示す端末機５５０Ｃは、ゲーム機として機能する。端末機５５０Ｃは、少なくとも筐体５７０内に、通信部５７４と、制御部５７１と、を有する。通信部５７４は、通信部５７３を兼ねる。また図１１Ｃには、コントローラ５８０を示している。コントローラ５８０は、無線通信機能を有し、端末機５５０Ｃと接続されている。
端末機５５０Ｃは、プロセッサ、及び、ストレージなどを有する。ユーザーは、端末機５５０Ｃでアプリケーションを起動することにより、様々なゲームコンテンツを遊ぶことができる。また、端末機５５０Ｃはゲームコンテンツだけでなく、動画再生アプリケーション、画像再生アプリケーション、音楽再生アプリケーション、インターネットブラウザなどのアプリケーションを実行することができる。また、端末機５５０Ｃは、パーソナルコンピュータとして使用することもできる。
なお、ここではコントローラ５８０を用いる場合の例を示したが、電子機器５００Ｃのカメラを用いたジェスチャーコントロールにより、ゲームを楽しむ場合には、コントローラ５８０を用いなくてもよい。
電子機器５００Ｃは、有線のイヤホン５７９を備える。イヤホン５７９は、装着具５０５とケーブルを介して接続されている。
なお、電子機器と端末機の組み合わせは図１１Ａ乃至図１１Ｃで示した組み合わせに限定されない。すなわち、例えば、電子機器５００Ａは、端末機５５０Ａ、端末機５５０Ｂ、及び端末機５５０Ｃのいずれとも接続することができる。
このように、電子機器５００と端末機５５０とは、有線または無線で通信することができる。そのため、電子機器５００は、表示装置５１１及び表示装置５２１に表示するための映像コンテンツ（画像データ）を生成する機能を、端末機５５０に移すことができる。また、電子機器５００が有する複数のカメラで撮像したデータ、及び各種センサで取得したデータを処理する機能を、端末機５５０に移すことができる。このように、高い演算能力が必要な処理を端末機５５０に任せることにより、電子機器５００の構成を簡略化することができるため、低コスト化、軽量化、及び小型化が容易となる。
例えば、虹彩認証を行う場合には、電子機器５００の内部で処理を完結してもよいし、電子機器５００では撮像のみを行い、認証にかかる処理は端末機５５０で行ってもよい。具体的には、電子機器５００は、電子機器５００のカメラ５３３で取得した、ユーザーの目及びその周辺の画像データを端末機５５０に出力し、端末機５５０の制御部５７１は、端末機５５０の記憶部５７２等に格納されている真のユーザーの認証データを照合することにより、認証を行ってもよい。
また、電子機器５００及び端末機５５０にて高い演算能力が必要な処理を行わずに、ネットワークを介して接続されたサーバにて、当該処理を行ってもよい。このような処理は、シンクライアントとも呼称され、ユーザー側（クライアント側）の端末（ここでは、端末機５５０及び電子機器５００）では、限られた処理のみ実行し、アプリケーションの実行、及び管理などの高度な処理についてはサーバ側にて実行することで、クライアント側の端末の処理の規模を低減することができる。これにより、電子機器５００だけでなく、端末機５５０についても、高い演算性能を有する演算装置を用いる必要がないため、低コスト化、軽量化、及び小型化が容易となる。
例えば、ＡＲ表示およびＶＲ表示を行う際に、ヘッドトラッキング機能及びアイトラッキング機能を用いて、頭部の動き、及び視線の動きに合わせた映像を生成する処理を行う必要があり、当該処理を、サーバにより行うことができる。このような処理を実行する場合には、高速かつ低遅延である第５世代移動通信システム（通称５Ｇ）を用いることで、遅延を限りなく減らすことができ、頭部及び目の動きに対して映像が遅延することに伴う、いわゆるＶＲ酔いを軽減することができるため好ましい。
［電子機器の動作方法について］
続いて、図４で例示した電子機器５００の動作方法の一例について、フローチャートを用いて説明する。図１２に、フローチャートを示す。図１２に示すフローチャートは、電子機器５００の起動時にかかる動作方法のフローチャートである。図１２に示すフローチャートは、ステップＳ０１乃至ステップＳ０９を有する。
続いて、図４で例示した電子機器５００の動作方法の一例について、フローチャートを用いて説明する。図１２に、フローチャートを示す。図１２に示すフローチャートは、電子機器５００の起動時にかかる動作方法のフローチャートである。図１２に示すフローチャートは、ステップＳ０１乃至ステップＳ０９を有する。
ステップＳ０１において、処理が開始される。このとき、電子機器５００は電源が入った状態であるとする。
ステップＳ０２において、電子機器５００が装着される。制御部５５１は、加速度センサの出力データ、各種カメラの撮像データなどにより、電子機器５００が装着された状態であることを取得する。
ステップＳ０３において、開閉センサ５５３が、筐体５０１の開閉状態を取得し、その情報を制御部５５１に出力する。
ステップＳ０４において、カメラ５３３がユーザーの目を撮像し、撮像データを制御部５５１に出力する。
ステップＳ０５において、制御部５５１は、撮像データを基に認証処理を実行する。例えば、制御部５５１は撮像データを用いて虹彩認証の認証処理を実行することができる。具体的には、撮像した虹彩の画像の特徴点と、あらかじめ記憶部５５２の保持された真のユーザーの虹彩の特徴点とを照合し、これらが同一人物のものであるかどうかを判定する。そして、ステップＳ０６において、認証された（認証成功）場合にはステップＳ０７に移行する。
ステップＳ０６において、認証されなかった場合には、ステップＳ０４に戻る。なお、所定の回数認証に失敗した場合には、警告を出すなどの処理を実行してもよい。
ステップＳ０７において、筐体５０１が開状態である場合には、ステップＳ０８に移行し、閉状態である場合には、ステップＳ０９に移行する。
ステップＳ０８において、ＡＲモードを実行する。具体的には、表示装置５２１に画像が表示される。
ステップＳ０９において、ＶＲモードを実行する。具体的には、表示装置５１１に画像が表示される。
なお、ステップＳ０３は、ステップＳ０２より後であって、ステップＳ０７より前であればどの時点で行ってもよい。また、ステップＳ０３を、他のステップと並行して行ってもよい。
続いて、図１０等で例示した電子機器５００及び端末機５５０を有する構成について、動作方法の例を示す。図１３に示すフローチャートは、電子機器５００の起動時にかかる動作方法のフローチャートである。図１３に示すフローチャートは、ステップＳ１１乃至ステップＳ１９を有する。
ステップＳ１１において、処理が開始される。このとき、電子機器５００は電源が入った状態であるとする。また、電子機器５００と、端末機５５０とは接続状態であるとする。
ステップＳ１２において、電子機器５００が装着される。制御部５５１または制御部５７１は、加速度センサの出力データ、各種カメラの撮像データなどにより、電子機器５００が装着された状態であることを取得する。
ステップＳ１３において、開閉センサ５５３が、筐体５０１の開閉状態を取得し、その情報を制御部５５１に出力する。制御部５５１は、その情報を、通信部５５８を介して端末機５５０の制御部５７１に出力する。
ステップＳ１４において、カメラ５３３がユーザーの目を撮像し、撮像データを制御部５５１に出力する。
ステップＳ１５において、制御部５５１または制御部５７１は、撮像データを基に認証処理を実行する。例えば、制御部５５１または制御部５７１は撮像データを用いて虹彩認証の認証処理を実行することができる。具体的には、撮像した虹彩の画像の特徴点と、あらかじめ記憶部５７２等に保持された真のユーザーの虹彩の特徴点とを照合し、これらが同一人物のものであるかどうかを判定する。そして、ステップＳ１６において、認証された（認証成功）場合にはステップＳ１７に移行する。
ステップＳ１６において、認証されなかった場合には、ステップＳ１４に戻る。なお、所定の回数認証に失敗した場合には、警告を出すなどの処理を実行してもよい。
ステップＳ１７において、筐体５０１が開状態である場合には、ステップＳ１８に移行し、閉状態である場合には、ステップＳ１９に移行する。
ステップＳ１８において、ＡＲモードを実行する。具体的には、表示装置５２１に画像が表示される。
ステップＳ１９において、ＶＲモードを実行する。具体的には、表示装置５１１に画像が表示される。
なお、ステップＳ１３は、ステップＳ１２より後であって、ステップＳ１７より前であればどの時点で行ってもよい。また、ステップＳ１３を、他のステップと並行して行ってもよい。
以上が、動作方法の例についての説明である。
［画像の例］
以下では、本発明の一態様の表示システムによって、ユーザーが体験できる操作の例と、ユーザーに提示することのできる画像の一例について説明する。
以下では、本発明の一態様の表示システムによって、ユーザーが体験できる操作の例と、ユーザーに提示することのできる画像の一例について説明する。
図１４Ａには、ユーザー５４０が電子機器５００を装着した状態で、ジェスチャー操作をしている様子を示している。また、ユーザー５４０は、端末機５５０をポケットに有している。電子機器５００と端末機５５０とは通信状態である。このとき、電子機器５００は筐体が開いた状態であるため、ユーザー５４０は、ＡＲモードで表示された画像を見ることができる。なお、電子機器５００のみで使用する場合には、ユーザー５４０は、端末機５５０、及び端末機５５０を収納するポケットを必ずしも持っていなくてもよい。
図１４Ｂは、図１４Ａに示す、ユーザー５４０の視界５６０の例を示している。視界５６０には、床、壁、ドアなどの現実の室内の風景に重ねて、画像情報５６１が示されている。ここでは、画像情報５６１として、スマートフォンまたはタブレット端末の画面を模した画像が示されている。
ユーザーは、スマートフォンを操作する様に、空中に浮かぶように見える画像情報５６１を操作することができるため、違和感なく使用することができる。また、図１４Ｃに示すように画像情報５６１の端を操作することで、画像情報５６１を縦長の状態から横長の状態に回転させることができる。
図１５Ａは、ユーザー５４０が電子機器５００を装着した状態で、ブドウを食べようとしている様子を示している。このとき、電子機器５００は筐体が開いた状態であるため、ユーザー５４０は、ＡＲモードで表示された画像を見ることができる。
図１５Ｂは、ユーザー５４０の視界５６０の例を示している。電子機器５００は、ブドウの実を撮像した情報から、甘い実を判定し、現実の実に重ねて色を付けて目印として示すことができる。また、ユーザーの視界内には、選別した実の情報を示す画像情報５６２と、視界の外周には、メニューアイコンとして機能する画像５６３等が表示されている。
図１５Ｃは、ユーザー５４０が電子機器５００を装着した状態で、ジェスチャー操作をしている様子を示している。このとき、電子機器５００は筐体が閉じた状態であるため、ユーザー５４０は、ＶＲモードで表示された画像を見ることができる。
図１５Ｄは、ユーザー５４０の視界５６０の例を示している。ユーザーは仮想空間に表示されたオブジェクト５６４を用いて、３Ｄモデリング（造形）を行っている。視界５６０に映る右手５４０Ｒ及び左手５４０Ｌは、ユーザー５４０の右手及び左手と同じ動きをする画像である。オブジェクト５６４を掴む、つまむ、引っ張る、ねじるなどの様々な操作により、オブジェクト５６４を変形させることで造形することができる。また、メニューアイコン５６５を押すことで、ナイフ、ヘラなどの造形道具を使用することもできる。
このように、本発明の一態様の電子機器５００は、一つのデバイスでＡＲモードとＶＲモードの両方を体験することができる。さらに、電子機器５００は、筐体の開閉といった極めて単純な方法で、ＡＲモードとＶＲモードを切り替えることができる。
本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
以下では、実施の形態１で例示した電子機器の表示装置に適用可能な表示装置の構成例について図面を参照して説明する。
以下では、実施の形態１で例示した電子機器の表示装置に適用可能な表示装置の構成例について図面を参照して説明する。
図１６Ａは、実施の形態１で例示した電子機器の表示装置に適用可能な表示装置１０Ａの斜視図である。表示装置１０Ａは、表示装置５１１及び表示装置５２１に適用することができる。
表示装置１０Ａは、基板１１、基板１２を有する。表示装置１０Ａは、基板１１と基板１２との間に設けられる素子で構成される表示部１３を有する。表示部１３は、表示装置１０Ａにおける画像を表示する領域である。表示部１３は、複数の画素２３０を有する。画素２３０は、画素回路５１および発光素子６１（図示しない）を有する。
また、画素２３０を１９２０×１０８０画素のマトリクス状に配置すると、いわゆるフルハイビジョン（「２Ｋ解像度」、「２Ｋ１Ｋ」、または「２Ｋ」などとも言われる）の解像度で表示可能な表示部１３を実現できる。また、例えば、画素２３０を３８４０×２１６０画素のマトリクス状に配置すると、いわゆるウルトラハイビジョン（「４Ｋ解像度」、「４Ｋ２Ｋ」、または「４Ｋ」などとも言われる）の解像度で表示可能な表示部１３を実現できる。また、例えば、画素２３０を７６８０×４３２０画素のマトリクス状に配置すると、いわゆるスーパーハイビジョン（「８Ｋ解像度」、「８Ｋ４Ｋ」、または「８Ｋ」などとも言われる）の解像度で表示可能な表示部１３を実現できる。画素２３０を増やすことで、１６Ｋさらには３２Ｋの解像度で表示可能な表示部１３を実現することも可能である。
また、表示部１３の画素密度（精細度）は、１０００ｐｐｉ以上１００００ｐｐｉ以下が好ましい。例えば、２０００ｐｐｉ以上６０００ｐｐｉ以下であってもよいし、３０００ｐｐｉ以上５０００ｐｐｉ以下であってもよい。
なお、表示部１３の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。表示部１３は、例えば、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。
なお、本明細書等において、素子という用語を「デバイス」と言い換えることができる場合がある。例えば、表示素子、発光素子、および液晶素子は、表示デバイス、発光デバイス、および液晶デバイスと言い換えることができる。
表示装置１０Ａは、端子部１４を介して外部より各種信号および電源電位が入力され、表示部１３に設けられた表示素子を用いて画像表示を行うことができる。表示素子としては様々な素子を用いることができる。代表的には、有機ＥＬ素子およびＬＥＤ素子などの光を射出する機能を有する発光素子、液晶素子、またはＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子などを適用できる。
基板１１と基板１２との間には、複数の層が設けられ、各層には回路動作を行うためのトランジスタ、または光を射出する表示素子が設けられる。複数の層においては、表示素子の動作を制御する機能を有する画素回路、画素回路を制御する機能を有する駆動回路、駆動回路を制御する機能を有する機能回路等が設けられる。
図１６Ｂに、基板１１と基板１２との間に設けられる各層の構成を模式的に示した斜視図を示している。
基板１１上には、層２０が設けられる。層２０は、駆動回路３０、機能回路４０、および入出力回路８０を有する。層２０は、チャネル形成領域２２にシリコンを有するトランジスタ２１（Ｓｉトランジスタともいう）を有する。基板１１は、一例としては、シリコン基板である。シリコン基板は、ガラス基板と比較して熱伝導性が高いため好ましい。駆動回路３０、機能回路４０、および入出力回路８０を同じ層に設けることで、駆動回路３０、機能回路４０、および入出力回路８０を電気的に接続する配線を短くすることができる。よって、機能回路４０が駆動回路３０を制御するための制御信号の充放電時間が短くなり、消費電力を低減できる。また、入出力回路８０が、機能回路４０および駆動回路３０に信号を供給する時のための充放電時間が短くなり、消費電力を低減できる。
トランジスタ２１は、例えばチャネル形成領域に単結晶シリコンを有するトランジスタ（「ｃ−Ｓｉトランジスタ」ともいう）とすることができる。特に、層２０に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域に単結晶シリコンを有するトランジスタを用いると、当該トランジスタのオン電流を大きくすることができる。よって、層２０が有する回路を高速に駆動させることができるため、好ましい。またＳｉトランジスタは、チャネル長が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下といった微細加工で形成することができるため、ＣＰＵ、アプリケーションプロセッサ、またはＧＰＵなどのアクセラレータなどが表示部と一体に設けられた表示装置１０Ａとすることができる。
また、層２０に、チャネル形成領域に多結晶シリコンを有するトランジスタ（「Ｐｏｌｙ−Ｓｉトランジスタ」ともいう）を設けてもよい。多結晶シリコンとして、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）を用いてもよい。なお、チャネル形成領域にＬＴＰＳを有するトランジスタを「ＬＴＰＳトランジスタ」ともいう。また、層２０にＯＳトランジスタを設けてもよい。
駆動回路３０として、シフトレジスタ、レベルシフタ、インバータ、ラッチ、アナログスイッチ、および論理回路等の様々な回路を用いることができる。駆動回路３０は、例えば、ゲートドライバ回路、ソースドライバ回路等を有する。この他に、演算回路、メモリ回路、および電源回路等を有していてもよい。ゲートドライバ回路、ソースドライバ回路、およびその他の回路を、表示部１３に重ねて配置することが可能となるため、これら回路と、表示部１３とを並べて配置する場合と比較して、表示装置１０Ａの表示部１３の外周に存在する非表示領域（額縁ともいう）の幅を極めて狭くすることができ、表示装置１０Ａの小型化が実現できる。
機能回路４０は、例えば、表示装置１０Ａにおける各回路の制御、および各回路を制御するための信号を生成するためのアプリケーションプロセッサの機能を有する。また機能回路４０は、ＧＰＵなどの画像データを補正するための回路、およびＣＰＵを有していてもよい。また機能回路４０は、画像データ等を表示装置１０Ａの外部から受信するためのインターフェースとしての機能を有するＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）回路、ＭＩＰＩ（Ｍｏｂｉｌｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）回路、およびＤ／Ａ（Ｄｉｇｉｔａｌ ｔｏ Ａｎａｌｏｇ）変換回路等を有していてもよい。また機能回路４０は、画像データを圧縮・伸長するための回路、および電源回路等を有していてもよい。
層２０上には、層５０が設けられる。層５０は、複数の画素回路５１を含む画素回路群５５を有する。層５０にＯＳトランジスタを設けてもよい。画素回路５１はＯＳトランジスタを含んで構成してもよい。なお層５０は、層２０上に積層して設けることができる。
層５０にＳｉトランジスタを設けてもよい。例えば、画素回路５１をチャネル形成領域に単結晶シリコンまたは多結晶シリコンを有するトランジスタを含んで構成してもよい。多結晶シリコンとしては、ＬＴＰＳを用いてもよい。例えば、別の基板に層５０を形成し、層２０と貼り合わせることも可能である。
また、例えば、画素回路５１を異なる半導体材料を用いた複数種類のトランジスタで構成してもよい。画素回路５１が、異なる半導体材料を用いた複数種類のトランジスタで構成される場合、トランジスタの種類毎に異なる層にトランジスタを設けてもよい。例えば、画素回路５１が、Ｓｉトランジスタと、ＯＳトランジスタで構成される場合、ＳｉトランジスタとＯＳトランジスタを重ねて設けてもよい。トランジスタを重ねて設けることで、画素回路５１の占有面積が低減される。よって、表示装置１０Ａの精細度を高めることができる。なお、ＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。
ＯＳトランジスタであるトランジスタ５２として、チャネル形成領域５４にインジウム、元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズ）、亜鉛の少なくとも一を含む酸化物を有するトランジスタを用いることが好ましい。このようなＯＳトランジスタは、オフ電流が非常に低いという特性を有する。よって、特に画素回路に設けられるトランジスタとしてＯＳトランジスタを用いると、画素回路に書き込まれたアナログデータを長期間保持することができるため好ましい。
層５０上には、層６０が設けられる。層６０上には、基板１２が設けられる。基板１２は、透光性を有する基板あるいは透光性を有する材料でなる層であることが好ましい。層６０は、複数の発光素子６１が設けられる。なお層６０は、層５０上に積層して設ける構成とすることができる。発光素子６１としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともいう）などを用いることができる。ただし、発光素子６１は、これに限定されず、例えば無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。なお、「有機ＥＬ素子」と「無機ＥＬ素子」をまとめて「ＥＬ素子」と呼ぶ場合がある。発光素子６１は、量子ドットなどの無機化合物を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。
図１６Ｂに示すように本発明の一態様の表示装置１０Ａは、発光素子６１と、画素回路５１と、駆動回路３０および機能回路４０と、を積層した構成とすることができるため、画素の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば画素の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素回路５１を極めて高密度に配置することが可能で、画素の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示装置１０Ａの表示部１３（画素回路５１および発光素子６１が積層されて設けられる領域）では、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素を配置することが可能となる。
このような表示装置１０Ａは、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズ等の光学部材を通して表示装置１０Ａの表示部を視認する構成の場合であっても、表示装置１０Ａは極めて高精細な表示部を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。
なお、表示装置１０Ａを装着型のＶＲまたはＡＲ用の表示装置として用いる場合、表示部１３の対角サイズは、０．１インチ以上５．０インチ以下、好ましくは０．５インチ以上２．０インチ以下、さらに好ましくは、１インチ以上１．７インチ以下とすることができる。例えば、表示部１３の対角サイズを１．５インチ、または１．５インチ近傍にしてもよい。表示部１３の対角サイズを２．０インチ以下とすることで、露光装置（代表的にはスキャナー装置）の１回の露光処理で処理することが可能となるため、製造プロセスの生産性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る表示装置１０Ａは、装着型の電子装置以外にも適用できる。この場合、表示部１３の対角サイズは２．０インチを越えてもかまわない。表示部１３の対角サイズに応じて、画素回路５１に用いるトランジスタの構成を適宜選択してもよい。例えば、画素回路５１に単結晶Ｓｉトランジスタを用いる場合、表示部１３の対角サイズは０．１インチ以上３インチ以下が好ましい。また、画素回路５１にＬＴＰＳトランジスタを用いる場合、表示部１３の対角サイズは０．１インチ以上３０インチ以下が好ましく、１インチ以上３０インチ以下がより好ましい。また、画素回路５１にＬＴＰＯを用いる場合、表示部１３の対角サイズは０．１インチ以上５０インチ以下が好ましく１インチ以上５０インチ以下がより好ましい。また、画素回路５１にＯＳトランジスタを用いる場合、表示部１３の対角サイズは０．１インチ以上２００インチ以下が好ましく、５０インチ以上１００インチ以下がより好ましい。
単結晶Ｓｉトランジスタを用いた表示装置は、単結晶Ｓｉ基板の大型化が困難であるため、大型化が非常に困難である。また、表示装置にＬＴＰＳトランジスタを用いる場合は、製造工程にてレーザ結晶化装置を用いるため、大型化（代表的には、対角サイズにて３０インチを超える画面サイズ）への対応が難しい。一方でＯＳトランジスタは、製造工程にてレーザ結晶化装置などを用いる制約がない、または比較的低温のプロセス温度（代表的には４５０℃以下）で製造することが可能なため、比較的大面積（代表的には、対角サイズにて５０インチ以上１００インチ以下）の表示装置まで対応することが可能である。また、ＬＴＰＯについては、ＬＴＰＳトランジスタを用いる場合と、ＯＳトランジスタを用いる場合との間の対角サイズ（代表的には、１インチ以上５０インチ以下）に対応することが可能となる。
駆動回路３０および機能回路４０の具体的な構成例について、図１７を参照して説明する。図１７は、表示装置１０Ａにおける画素回路５１、駆動回路３０および機能回路４０を接続する複数の配線、および表示装置１０Ａ内のバス配線等を図示して示すブロック図である。
図１７に示す表示装置１０Ａにおいて、層５０は、複数の画素回路５１がマトリクス状に配置されている。
また、図１７に示す表示装置１０Ａにおいて、層２０は、駆動回路３０、機能回路４０、および入出力回路８０が配置されている。駆動回路３０は、一例として、ソースドライバ回路３１、デジタルアナログ変換回路（ＤＡＣ：Ｄｉｇｉｔａｌ ｔｏ Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）３２、増幅回路３５、ゲートドライバ回路３３、およびレベルシフタ３４を有する。機能回路４０は、一例として、記憶装置４１、ＧＰＵ（ＡＩアクセラレータ）４２、ＥＬ補正回路４３、タイミングコントローラ４４、ＣＰＵ４５、センサコントローラ４６、および電源回路４７を有する。機能回路４０は、アプリケーションプロセッサの機能を有する。
入出力回路８０は、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）などの伝送方式に対応し、入出力回路８０は端子部１４を介して入力される制御信号および画像データなどを、駆動回路３０および機能回路４０に振り分ける機能を有する。また、入出力回路８０は、表示装置１０Ａの情報を、端子部１４を介して外部に出力する機能を有する。
また、図１７の表示装置１０Ａでは、駆動回路３０に含まれる回路、および機能回路４０に含まれる回路のそれぞれが、バス配線ＢＳＬと電気的に接続する構成を例示している。
ソースドライバ回路３１は、一例として、画素２３０が有する画素回路５１に対して、画像データを送信する機能を有する。そのため、ソースドライバ回路３１は、配線ＳＬを介して、画素回路５１に電気的に接続されている。なおソースドライバ回路３１は、複数設けてもよい。
デジタルアナログ変換回路３２は、一例として、後述するＧＰＵ、補正回路などによってデジタル処理された画像データをアナログデータに変換する機能を有する。アナログデータに変換された画像データはオペアンプなどの増幅回路３５により増幅され、ソースドライバ回路３１を介して、画素回路５１に送信される。なお、ソースドライバ回路３１、デジタルアナログ変換回路３２、画素回路５１の順に画像データが送信される構成としてもよい。また、デジタルアナログ変換回路３２および増幅回路３５は、ソースドライバ回路３１に含まれていてもよい。
ゲートドライバ回路３３は、一例として、画素回路５１において、画像データの送信先となる画素回路を選択する機能を有する。そのため、ゲートドライバ回路３３は、配線ＧＬを介して、画素回路５１に電気的に接続されている。なおゲートドライバ回路３３は、ソースドライバ回路３１と対応して、複数設けてもよい。
レベルシフタ３４は、一例として、ソースドライバ回路３１、デジタルアナログ変換回路３２、ゲートドライバ回路３３などに対して入力される信号を適切なレベルに変換する機能を有する。
記憶装置４１は、一例として、画素回路５１に表示させる画像データを保存する機能を有する。なお、記憶装置４１は、画像データをデジタルデータまたはアナログデータとして保存する構成とすることができる。
また、記憶装置４１に画像データを保存する場合、記憶装置４１としては不揮発性メモリとすることが好ましい。この場合、記憶装置４１としては、例えば、ＮＡＮＤ型メモリなどを適用することができる。
また、記憶装置４１にＧＰＵ４２、ＥＬ補正回路４３、ＣＰＵ４５などで生じる一時データを保存する場合、記憶装置４１としては揮発性メモリとすることが好ましい。この場合、記憶装置４１としては、例えば、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などを適用することができる。
ＧＰＵ４２は、一例として、記憶装置４１から読み出された画像データを、画素回路５１に出力するための処理を行う機能を有する。特に、ＧＰＵ４２は、並列にパイプライン処理を行う構成となっているため、画素回路５１に出力する画像データを高速に処理することができる。また、ＧＰＵ４２は、エンコードされた画像を復元するためのデコーダとしての機能も有することができる。
また、機能回路４０には、表示装置１０Ａの表示品位を高めることができる回路が複数含まれていてもよい。当該回路としては、例えば、表示される画像の色ムラを検出して、当該色ムラを補正して最適な画像にする補正回路（調色、調光）を設けてもよい。例えば、表示素子に有機ＥＬが用いられた発光デバイスが適用されている場合、機能回路４０に、該発光デバイスの特性に応じて画像データを補正するＥＬ補正回路を設けてもよい。機能回路４０には、一例として、ＥＬ補正回路４３を含めている。
また、上記で説明した画像補正には、人工知能を用いてもよい。例えば、画素回路に流れる電流（または画素回路に印加される電圧）をモニタリングして取得し、表示された画像をイメージセンサなどで取得し、電流（または電圧）と画像を人工知能の演算（例えば、人工ニューラルネットワークなど）の入力データとして扱い、その出力結果で当該画像の補正の有無を判断させてもよい。
また、人工知能の演算は、画像補正だけでなく、画像データの解像度を高めるアップコンバート処理にも適用できる。一例として、図１７のＧＰＵ４２は、各種補正の演算を行うためのブロック（色ムラ補正回路４２ａ、アップコンバート回路４２ｂなど）を図示している。
画像データのアップコンバート処理を行なうためのアルゴリズムとしては、Ｎｅａｒｅｓｔ ｎｅｉｇｈｂｏｒ法、Ｂｉｌｉｎｅａｒ法、Ｂｉｃｕｂｉｃ法、ＲＡＩＳＲ（Ｒａｐｉｄ ａｎｄ Ａｃｃｕｒａｔｅ Ｉｍａｇｅ Ｓｕｐｅｒ−Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）法、ＡＮＲ（Ａｎｃｈｏｒｅｄ Ｎｅｉｇｈｂｏｒｈｏｏｄ Ｒｅｇｒｅｓｓｉｏｎ）法、Ａ＋法、ＳＲＣＮＮ（Ｓｕｐｅｒ−Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎａｌ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）法などから選択して行うことができる。
アップコンバート処理は、注視点に応じて決定される領域ごとに、アップコンバート処理に用いるアルゴリズムを変える構成としてもよい。例えば、注視点および注視点近傍の領域のアップコンバート処理を、処理速度が遅いが高精度なアルゴリズムで行ない、当該領域以外の領域のアップコンバート処理を、処理速度は速いが低精度なアルゴリズムで行なえばよい。当該構成とすることで、アップコンバート処理に必要な時間を短縮できる。また、アップコンバート処理に必要な消費電力を低減できる。
また、アップコンバート処理に限らず、画像データの解像度を下げるダウンコンバート処理を行なってもよい。画像データの解像度が表示部１３の解像度よりも大きい場合、画像データの一部が表示部１３に表示されない場合がある。このような場合、ダウンコンバート処理を行なうことで、当該画像データ全体を表示部１３に表示できる。
タイミングコントローラ４４は、一例として、画像を表示させる駆動周波数（フレーム周波数、フレームレート、またはリフレッシュレートなど）を制御する機能を有する。例えば、表示装置１０Ａで静止画を表示させる場合、タイミングコントローラ４４によって駆動周波数を下げることで、表示装置１０Ａの消費電力を低減できる。
ＣＰＵ４５は、一例として、オペレーティングシステムの実行、データの制御、各種演算、およびプログラムの実行など、汎用の処理を行う機能を有する。ＣＰＵ４５は、例えば、記憶装置４１における画像データの書き込み動作または読み出し動作、画像データの補正動作、後述するセンサへの動作、などの命令を行う役割を有する。また、例えば、ＣＰＵ４５は、機能回路４０に含まれる回路の少なくとも一に制御信号を送信する機能を有してもよい。
センサコントローラ４６は、一例として、センサを制御する機能を有する。また、図１７では、当該センサに電気的に接続するための配線として、配線ＳＮＣＬを図示している。
当該センサとしては、例えば、表示部１３に備えることができるタッチセンサとすることができる。または、当該センサとしては、例えば、照度センサとすることができる。
電源回路４７は、一例として、画素回路５１、駆動回路３０、および機能回路４０などに供給する電圧を生成する機能を有する。なお、電源回路４７は、電圧を供給する回路を選択する機能を有してもよい。例えば、電源回路４７は、静止画を表示させている期間では、ＣＰＵ４５、ＧＰＵ４２などに対しての電圧供給を停止することによって、表示装置１０Ａ全体の消費電力を低減することができる。
以上説明したように本発明の一態様の表示装置は、表示素子と、画素回路と、駆動回路および機能回路４０と、を積層した構成とすることができる。周辺回路である駆動回路および機能回路を画素回路と重ねて配置することができ、額縁の幅を極めて狭くすることができるため、小型化が図られた表示装置とすることができる。また本発明の一態様の表示装置は、各回路を積層した構成とすることにより、各回路間を接続する配線を短くすることができるため、軽量化が図られた表示装置とすることができる。また本発明の一態様の表示装置は、画素の精細度が高められた表示部を有することができるため、表示品位に優れた表示装置とすることができる。
＜表示モジュールの構成例＞
続いて、表示装置１０Ａを含む表示モジュールの構成例について説明する。
続いて、表示装置１０Ａを含む表示モジュールの構成例について説明する。
図１８Ａ乃至図１８Ｃは、表示モジュール７０の斜視図である。表示モジュール７０は、表示装置１０Ａの端子部１４にＦＰＣ７４（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を備えた構造を有する。ＦＰＣ７４は絶縁体でできたフィルムに配線を備えた構造を有する。また、ＦＰＣ７４は、可撓性を有する。ＦＰＣ７４は、外部から表示装置１０Ａにビデオ信号、制御信号、および電源電位などを供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ７４上にＩＣが実装されていてもよい。
図１８Ｂに示す表示モジュール７０は、プリント配線板７１上に表示装置１０Ａを備える構成を有する。プリント配線板７１は、絶縁体でできた基板の内部または表面、もしくは、内部と表面に配線を備えた構造を有する。
図１８Ｂに示す表示モジュール７０では、表示装置１０Ａの端子部１４と、プリント配線板７１の端子部７２がワイヤ７３を介して電気的に接続している。ワイヤ７３はワイヤボンディングで形成できる。また、ワイヤボンディングとしては、ボールボンディングまたはウェッジボンディングを用いることができる。
ワイヤ７３の形成後、樹脂材料などでワイヤ７３を覆ってもよい。なお、表示装置１０Ａとプリント配線板７１の電気的な接続は、ワイヤボンディング以外の方法で行なってもよい。例えば、表示装置１０Ａとプリント配線板７１の電気的な接続を、異方性導電接着剤またはバンプなどで実現してもよい。
また、図１８Ｂに示す表示モジュール７０は、プリント配線板７１の端子部７２がＦＰＣ７４と電気的に接続している。例えば、表示装置１０Ａの端子部１４が備える電極のピッチと、ＦＰＣ７４が備える電極のピッチが異なる場合は、プリント配線板７１を介して、端子部１４とＦＰＣ７４を電気的に接続してもよい。具体的には、プリント配線板７１に形成された配線を用いて、端子部１４が備える複数の電極の間隔（ピッチ）を、端子部７２が備える複数の電極の間隔に変換できる。すなわち、端子部１４が備える電極のピッチとＦＰＣ７４が備える電極のピッチが異なる場合においても、両者の電極の電気的な接続を実現できる。
また、プリント配線板７１には、抵抗素子、容量素子、半導体素子などの様々な素子を設けることができる。
また、図１８Ｃに示す表示モジュール７０のように、端子部７２をプリント配線板７１の下面（表示装置１０Ａが設けられていない側の面）に設けられた接続部７５と電気的に接続してもよい。例えば、接続部７５をソケット形式の接続部にすることで、表示モジュール７０と他の機器との脱着を容易に行える。
＜画素回路の構成例＞
図１９Ａおよび図１９Ｂでは、画素回路５１の構成例、および画素回路５１に接続される発光素子６１について示す。図１９Ａは各素子の接続を示す図、図１９Ｂは、駆動回路を備える層２０、画素回路が有する複数のトランジスタを備える層５０、発光素子を備える層６０の上下関係を模式的に示す図である。
図１９Ａおよび図１９Ｂでは、画素回路５１の構成例、および画素回路５１に接続される発光素子６１について示す。図１９Ａは各素子の接続を示す図、図１９Ｂは、駆動回路を備える層２０、画素回路が有する複数のトランジスタを備える層５０、発光素子を備える層６０の上下関係を模式的に示す図である。
図１９Ａおよび図１９Ｂに一例として示す画素回路５１は、トランジスタ５２Ａ、トランジスタ５２Ｂ、トランジスタ５２Ｃ、および容量５３を備える。トランジスタ５２Ａ、トランジスタ５２Ｂ、トランジスタ５２Ｃは、ＯＳトランジスタで構成することができる。トランジスタ５２Ａ、トランジスタ５２Ｂ、トランジスタ５２Ｃの各ＯＳトランジスタは、バックゲート電極を備えていることが好ましく、この場合、バックゲート電極にゲート電極と同じ信号を与える構成、バックゲート電極にゲート電極と異なる信号を与える構成とすることができる。
トランジスタ５２Ｂは、トランジスタ５２Ａと電気的に接続されるゲート電極と、発光素子６１と電気的に接続される第１の電極と、配線ＡＮＯと電気的に接続される第２の電極と、を備える。配線ＡＮＯは、発光素子６１に電流を供給するための電位を与えるための配線である。
トランジスタ５２Ａは、トランジスタ５２Ｂのゲート電極と電気的に接続される第１の端子と、ソース線として機能する配線ＳＬと電気的に接続される第２の端子と、ゲート線として機能する配線ＧＬ１の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を有するゲート電極と、を備える。
トランジスタ５２Ｃは、配線Ｖ０と電気的に接続される第１の端子と、発光素子６１と電気的に接続される第２の端子と、ゲート線として機能する配線ＧＬ２の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を有するゲート電極と、備える。配線Ｖ０は、基準電位を与えるための配線、および画素回路５１を流れる電流を駆動回路３０または機能回路４０に出力するための配線である。
容量５３は、トランジスタ５２Ｂのゲート電極と電気的に接続される導電膜と、トランジスタ５２Ｃの第２の電極と電気的に接続される導電膜を備える。
発光素子６１は、トランジスタ５２Ｂの第１の電極に電気的に接続される第１の電極と、配線ＶＣＯＭに電気的に接続される第２の電極と、を備える。配線ＶＣＯＭは、発光素子６１に電流を供給するための電位を与えるための配線である。
これにより、トランジスタ５２Ｂのゲート電極に与えられる画像信号に応じて発光素子６１が射出する光の強度を制御することができる。またトランジスタ５２Ｃを介して与えられる配線Ｖ０の基準電位によって、トランジスタ５２Ｂのゲート−ソース間電圧のばらつきを抑制することができる。
また配線Ｖ０から、画素パラメータの設定に用いることのできる電流値を出力することができる。より具体的には、配線Ｖ０は、トランジスタ５２Ｂに流れる電流、または発光素子６１に流れる電流を、外部に出力するためのモニター線として機能させることができる。配線Ｖ０に出力された電流は、ソースフォロア回路などにより電圧に変換され、外部に出力される。または、Ａ−Ｄコンバータなどによりデジタル信号に変換され、機能回路４０等に出力することができる。
なお本発明の一態様で説明する発光素子は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ともいう）などの自発光型の表示素子をいう。なお画素回路に電気的に接続される発光素子は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、マイクロＬＥＤ、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、半導体レーザ等の、自発光性の発光素子とすることが可能である。
なお図１９Ｂに一例として示す構成では、画素回路５１と、駆動回路３０と、を電気的に接続する配線を短くすることができるため、当該配線の配線抵抗を小さくすることができる。よって、データの書き込みを高速に行うことができるため、表示装置１０Ａを高速に駆動させることができる。これにより、表示装置１０Ａが有する画素回路５１を多くしても十分なフレーム期間を確保することができるため、表示装置１０Ａの画素密度を高めることができる。また、表示装置１０Ａの画素密度を高めることにより、表示装置１０Ａにより表示される画像の精細度を高めることができる。例えば、表示装置１０Ａの画素密度を、１０００ｐｐｉ以上とすることができ、または５０００ｐｐｉ以上とすることができ、または７０００ｐｐｉ以上とすることができる。よって、表示装置１０Ａは、例えばＡＲ、またはＶＲ用の表示装置とすることができ、ＨＭＤ等、表示部とユーザの距離が近い電子装置に好適に適用することができる。
なお図１９Ａおよび図１９Ｂでは、計３つのトランジスタを有する画素回路５１を一例として示したが本発明の一態様はこれに限らない。以下では、画素回路５１に適用可能な画素回路の構成例、および駆動方法例について説明する。
図２０Ａに示す画素回路５１Ａは、トランジスタ５２Ａ、トランジスタ５２Ｂ、および容量５３を図示している。また図２０Ａでは、画素回路５１Ａに接続される発光素子６１を図示している。また、画素回路５１Ａには、配線ＳＬ、配線ＧＬ、配線ＡＮＯ、および配線ＶＣＯＭが電気的に接続されている。画素回路５１Ａは、図１９Ａに示す画素回路５１からトランジスタ５２Ｃを除き、かつ、配線ＧＬ１および配線ＧＬ２を配線ＧＬに置き換えた構成を有している。
トランジスタ５２Ａは、ゲートが配線ＧＬと、ソースおよびドレインの一方が配線ＳＬと、他方がトランジスタ５２Ｂのゲート、および容量Ｃ１の一方の電極と、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ５２Ｂは、ソースおよびドレインの一方が配線ＡＮＯと、他方が発光素子６１のアノードと、それぞれ電気的に接続されている。容量Ｃ１は、他方の電極が発光素子６１のアノードと電気的に接続されている。発光素子６１は、カソードが配線ＶＣＯＭと電気的に接続されている。
図２０Ｂに示す画素回路５１Ｂは、画素回路５１Ａに、トランジスタ５２Ｃを追加した構成である。また画素回路５１Ｂには、配線Ｖ０が電気的に接続されている。
図２０Ｃに示す画素回路５１Ｃは、上記画素回路５１Ａのトランジスタ５２Ａおよびトランジスタ５２Ｂに、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタを適用した場合の例である。また、図２０Ｄに示す画素回路５１Ｄは、画素回路５１Ｂに当該トランジスタを適用した場合の例である。これにより、トランジスタが流すことのできる電流を増大させることができる。なお、ここでは全てのトランジスタに、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタを適用したが、これに限られない。また、一対のゲートを有し、且つこれらが異なる配線と電気的に接続されるトランジスタを適用してもよい。例えば、ゲートの一方とソースとが電気的に接続されたトランジスタを用いることで、信頼性を高めることができる。
図２１Ａに示す画素回路５１Ｅは、上記の画素回路５１Ｂに、トランジスタ５２Ｄを追加した構成である。また、画素回路５１Ｅには、ゲート線として機能する配線ＧＬ１、配線ＧＬ２、および配線ＧＬ３が電気的に接続されている。なお、本実施の形態などにおいて、配線ＧＬ１、配線ＧＬ２、および配線ＧＬ３をまとめて配線ＧＬと呼ぶ場合がある。よって、配線ＧＬは１本に限らず、複数本の場合がある。
トランジスタ５２Ｄは、ゲートが配線ＧＬ３と、ソースおよびドレインの一方がトランジスタ５２Ｂのゲートと、他方が配線Ｖ０と、それぞれ電気的に接続されている。また、トランジスタ５２Ａのゲートが配線ＧＬ１と、トランジスタ５２Ｃのゲートが配線ＧＬ２と、それぞれ電気的に接続されている。
トランジスタ５２Ｃとトランジスタ５２Ｄを同時に導通状態とさせることで、トランジスタ５２Ｂのソースとゲートが同電位となり、トランジスタ５２Ｂを非導通状態とすることができる。これにより、発光素子６１に流れる電流を強制的に遮断することができる。このような画素回路は、表示期間と消灯期間を交互に設ける表示方法を用いる場合に適している。
図２１Ｂに示す画素回路５１Ｆは、上記画素回路５１Ｅに容量５３Ａを追加した場合の例である。容量５３Ａは保持容量として機能する。
図２１Ｃに示す画素回路５１Ｇ、および図２１Ｄに示す画素回路５１Ｈは、それぞれ上記画素回路５１Ｅまたは画素回路５１Ｆに、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタ５２Ａ、トランジスタ５２Ｃ、トランジスタ５２Ｄには、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタが適用され、トランジスタ５２Ｂには、一方のゲートがソースと電気的に接続されたトランジスタが適用されている。
次いで画素回路５１Ｅが適用された表示装置の駆動方法の一例について説明する。なお、画素回路５１Ｆ、５１Ｇ、および５１Ｈが適用された表示装置についても、同様の駆動方法を適用できる。
図２２に、画素回路５１Ｅが適用された表示装置の駆動方法にかかるタイミングチャートを示す。ここでは、ｋ行目のゲート線である配線ＧＬ１［ｋ］、配線ＧＬ２［ｋ］および配線ＧＬ３［ｋ］、並びにｋ＋１行目のゲート線である配線ＧＬ１［ｋ＋１］、配線ＧＬ２［ｋ＋１］、配線ＧＬ３［ｋ＋１］の電位の推移を示している。また、図２２には、ソース線として機能する配線ＳＬに与えられる信号のタイミングを示している。
ここでは、一水平期間を点灯期間と、消灯期間と、に分けて表示する駆動方法の例を示している。また、ｋ行目の水平期間と、ｋ＋１行目の水平期間とは、ゲート線の選択期間だけずれている。
ｋ行目の点灯期間において、まず配線ＧＬ１［ｋ］および配線ＧＬ２［ｋ］にハイレベル電位が与えられ、配線ＳＬにソース信号が与えられる。これにより、トランジスタ５２Ａとトランジスタ５２Ｃが導通状態となり、配線ＳＬからトランジスタ５２Ｂのゲートにソース信号に対応する電位が書き込まれる。その後、配線ＧＬ１［ｋ］および配線ＧＬ２［ｋ］にローレベル電位が与えられることで、トランジスタ５２Ａとトランジスタ５２Ｃが非導通状態となり、トランジスタ５２Ｂのゲート電位が保持される。
続いて、ｋ＋１行目の点灯期間に遷移し、上記と同様の動作によりデータが書き込まれる。
続いて、消灯期間について説明する。ｋ行目の消灯期間において、配線ＧＬ２［ｋ］と配線ＧＬ３［ｋ］にハイレベル電位が与えられる。これにより、トランジスタ５２Ｃとトランジスタ５２Ｄが導通状態となるため、トランジスタ５２Ｂのソースとゲートに同電位が供給されることで、トランジスタ５２Ｂにはほとんど電流が流れなくなる。これにより、発光素子６１が消灯する。ｋ行目に位置する全ての副画素が消灯することになる。ｋ行目の副画素は、次の点灯期間まで消灯状態が維持される。
続いて、ｋ＋１行目の消灯期間に遷移し、上記と同様にｋ＋１行目の副画素全てが消灯状態となる。
このように、一水平期間中常時点灯しているのではなく、一水平期間中に消灯期間を設ける駆動方法をデューティ駆動とも呼ぶことができる。デューティ駆動を用いることで、動画を表示する際の残像現象を低減することができるため、動画表示性能の高い表示装置を実現できる。特にＶＲ機器などでは、残像を低減することで、いわゆるＶＲ酔いを軽減することができる。
デューティ駆動において、一水平期間に対する点灯期間の割合を、デューティ比と呼ぶことができる。例えばデューティ比が５０％のとき、点灯期間と消灯期間が同じ長さであることを意味する。なお、デューティ比は自由に設定することが可能であり、例えば０％より高く、１００％以下の範囲で適宜調整することができる。
また上述した画素回路とは異なる構成について、図２３Ａ、図２３Ｂを参照して説明する。
図２３Ａに、画素２３０のブロック図を示す。図２３Ａに示す画素は、スイッチングトランジスタ（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｔｒ）、駆動トランジスタ（Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｔｒ）、発光素子（ＬＥＤ）に加えて、記憶回路ＭＥＭ（Ｍｅｍｏｒｙ）を有する。
記憶回路ＭＥＭには、配線ＳＬ２およびトランジスタ５２Ａを介してデータＤａｔａＷが供給される。画像データＤａｔａに加えて、データＤａｔａＷが画素に供給されることで、発光素子に流れる電流が大きくなり、表示装置は高い輝度を表現することができる。
図２３Ｂに、画素回路５１Ｉの具体的な回路図を示す。
図２３Ｂに示す画素回路５１Ｉは、トランジスタ５２ｗ、トランジスタ５２Ａ、トランジスタ５２Ｂ、トランジスタ５２Ｃ、容量５３ｓ、容量５３ｗを有する。また図２３Ｂでは、画素回路５１Ｉに接続される発光素子６１を図示している。
トランジスタ５２ｗはスイッチングトランジスタとして機能する。トランジスタ５２Ｂは駆動トランジスタとして機能する。トランジスタ５２ｗのソースまたはドレインの一方は、容量５３ｗの一方の電極と電気的に接続される。容量５３ｗの他方の電極は、トランジスタ５２Ａのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタ５２Ａのソースまたはドレインの一方は、トランジスタ５２Ｂのゲートと電気的に接続される。トランジスタ５２Ｂのゲートは、容量５３ｓの一方の電極と電気的に接続される。容量５３ｓの他方の電極は、トランジスタ５２Ｂのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタ５２Ｂのソースまたはドレインの一方は、トランジスタ５２Ｃのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタ５２Ｃのソースまたはドレインの一方は、発光素子６１の一方の電極と電気的に接続される。図２３Ｂに示す各トランジスタは、ゲートと電気的に接続されたバックゲートを有するが、バックゲートの接続はこれに限定されない。また、トランジスタにバックゲートを設けなくてもよい。
ここで、容量５３ｗの他方の電極、トランジスタ５２Ａのソースまたはドレインの一方、トランジスタ５２Ｂのゲート、および容量５３ｓの一方の電極が接続されるノードをノードＮＭとする。また、容量５３ｓの他方の電極、トランジスタ５２Ｂのソースまたはドレインの一方、トランジスタ５２Ｃのソースまたはドレインの一方、および発光素子６１の一方の電極が接続されるノードをノードＮＡとする。
トランジスタ５２ｗのゲートは、配線ＧＬ１と電気的に接続される。トランジスタ５２Ｃのゲートは、配線ＧＬ１と電気的に接続される。トランジスタ５２Ａのゲートは、配線ＧＬ２に電気的に接続される。トランジスタ５２ｗのソースまたはドレインの他方は、配線ＳＬ１と電気的に接続される。トランジスタ５２Ｃのソースまたはドレインの他方は、配線Ｖ０と電気的に接続される。トランジスタ５２Ａのソースまたはドレインの他方は、配線ＳＬ２と電気的に接続される。なお、本実施の形態などでは、配線ＳＬ１および配線ＳＬ２をまとめて配線ＳＬと呼ぶ場合がある。よって、配線ＳＬは１本に限らず、複数本の場合がある。
トランジスタ５２Ｂのソースまたはドレインの他方は、配線ＡＮＯと電気的に接続される。発光素子６１の他方の電極は、配線ＶＣＯＭと電気的に接続される。
配線ＧＬ１および配線ＧＬ２は、トランジスタの動作を制御するための信号線としての機能を有することができる。配線ＳＬ１は、画素に画像データＤａｔａを供給する信号線としての機能を有することができる。配線ＳＬ２は、記憶回路ＭＥＭにデータＤａｔａＷを書き込むための信号線としての機能を有することができる。例えば、配線ＳＬ２は、画素に補正信号を供給する信号線としての機能を有することができる。配線Ｖ０は、トランジスタ５２Ｂの電気特性を取得するためのモニター線としての機能を有する。また、配線Ｖ０からトランジスタ５２Ｃを介して容量５３ｓの他方の電極に特定の電位を供給することにより、画像信号の書き込みを安定化させることもできる。
トランジスタ５２Ａおよび容量５３ｗは、記憶回路ＭＥＭを構成する。ノードＮＭは記憶ノードであり、トランジスタ５２Ａを導通状態にすることで、配線ＳＬ２から供給されるデータＤａｔａＷをノードＮＭに書き込むことができる。トランジスタ５２Ａに極めてオフ電流が低いＯＳトランジスタを用いることで、ノードＮＭの電位を長時間保持することができる。
画素回路５１Ｉにおいて、配線ＳＬ１から供給される画像データＤａｔａは、トランジスタ５２ｗを介して容量５３ｗに供給される。トランジスタ５２ｗのソースまたはドレインの一方とノードＮＭは容量結合している。よって、データＤａｔａＷが書き込まれているノードＮＭの電位は、画像データＤａｔａに応じて変化する。また、ノードＮＡとノードＮＭは、容量５３ｓを介して容量結合している。よって、ノードＮＡの電位は、データＤａｔａＷおよび画像データＤａｔａに応じて変化する。
なお、トランジスタ５２ｗは、画像データＤａｔａの供給を受けるか否かを決定する選択トランジスタとして機能する。トランジスタ５２Ｃは、ノードＮＡの電位を配線Ｖ０と等しくするか否かを決定するリセットトランジスタとして機能する。
また、本発明の一態様の表示装置は、画素回路群５５と重ねて設けた機能回路４０を用いて、不良画素を検出することができる。この不良画素の情報を用いることで、不良画素による表示欠陥を補正し、正常な表示を行うことができる。
以下で例示する補正方法の一部または全部を、表示装置の外部に設けられた回路により実行してもよい。また、補正方法の一部を機能回路４０で実行し、他の一部を表示装置の外部に設けられた回路で実行してもよい。
以下では、より具体的な補正方法の例を示す。図２４Ａは、以下で説明する補正方法にかかるフローチャートである。
まず、ステップＥ１にて補正動作を開始する。
続いて、ステップＥ２にて、画素の電流を読み出す。例えば、画素と電気的に接続されるモニター線に、電流を出力するように、各画素を駆動することができる。
後述する表示装置１０Ｂなどの様に、画素回路群５５が複数の区画５９に分けられる場合、電流の読み出し動作は、区画５９毎に同時に行うことができる。画素回路群５５が複数の区画５９に分割されていることにより、全画素の電流の読み出し動作を極めて短時間で実施することができる。
続いて、ステップＥ３にて、読み出した電流を電圧に変換する。このとき、後の処理でデジタル信号を扱う場合には、ステップＥ３にてデジタルデータに変換することができる。例えば、アナログ−デジタル変換回路（ＡＤＣ）を用いることで、アナログデータをデジタルデータに変換することができる。
続いて、ステップＥ４にて、取得したデータに基づいて、各画素の画素パラメータを取得する。画素パラメータとしては、例えば駆動トランジスタのしきい値電圧、または電界効果移動度、発光素子の閾値電圧、所定の電圧における電流値などが挙げられる。
続いて、ステップＥ５にて、各画素について、画素パラメータに基づいて異常であるか否かの判定を行う。例えば、画素パラメータの値が所定のしきい値を超えた（または下回った）場合に、その画素が異常画素であると認定する。
異常としては、入力されたデータ電位に対して著しく輝度が低い暗点欠陥、または、著しく輝度が高い輝点欠陥などがある。
ステップＥ５において、異常画素のアドレスと、欠陥の種類を特定し、取得することができる。
続いて、ステップＥ６において、補正処理を行う。
補正処理の一例について図２４Ｂを用いて説明する。図２４Ｂには、３×３個の画素回路５１および発光素子６１を一組とする画素を模式的に示している。ここで、中央の画素が、暗点欠陥がある画素１５１であるとする。図２４Ｂでは、画素１５１が消灯し、その周囲の画素１５０が所定の輝度で点灯している様子を模式的に示している。
暗点欠陥は、画素に入力するデータ電位を高める補正を行ったとしても、画素の輝度が正常な輝度に達する見込みのない欠陥である。そこで、図２４Ｂに示すように、暗点欠陥がある画素１５１の周囲の画素１５０に対して、輝度を高める補正を行う。これにより、暗点欠陥が発生した場合であっても、正常な画像を表示することができる。
なお、輝点欠陥の場合には、周囲の画素の輝度を下げることで、輝点欠陥を目立たなくすることができる。
特に、高い精細度（例えば１０００ｐｐｉ以上）の表示装置の場合には、近接する複数の画素を分離して視認することは困難であるため、このような周囲の画素で異常画素を補うような補正方法を用いることは特に有効である。
一方、暗点欠陥、輝点欠陥などの異常が発生した画素には、データ電位を入力しないように補正することが好ましい。
このように、各画素について補正パラメータを設定することができる。補正パラメータを入力される画像データに適用することで、表示装置１０Ａに最適な画像を表示するための、補正画像データを生成することができる。
また、異常画素および異常画素の周囲の画素だけでなく、異常画素と判定されなかった画素についても、画素パラメータにばらつきが存在するため、画像を表示した際に、当該ばらつきに起因したムラが視認されてしまう場合がある。そこで、異常画素と判定されなかった画素については、画素パラメータのばらつきをキャンセル（平準化）するように、補正パラメータを設定することができる。例えば、一部または全ての画素についての画素パラメータの中央値または平均値などに基づいた基準値を設定し、所定の画素の画素パラメータについて、基準値からの差分をキャンセルするための補正値を、当該画素の補正パラメータとして設定することができる。
また、異常画素の周囲の画素については、補正データとして、異常画素を補うための補正量と、画素パラメータのばらつきをキャンセルするための補正量の両方を考慮した補正データを設定することが好ましい。
続いて、ステップＥ７にて、補正動作を終了する。
以降は、上記補正動作にて取得した補正パラメータと、入力される画像データに基づいて、画像の表示を行うことができる。
なお、補正動作のステップの一つに、ニューラルネットワークを用いてもよい。当該ニューラルネットワークにおいては、例えば、機械学習によって取得された推論結果に基づき、補正パラメータを決定することができる。例えば、ニューラルネットワークを用いて補正パラメータを決定する場合、補正のための詳細なアルゴリズムを用いなくても、異常画素が目立たないように高精度の補正を行うことができる。
以上が、補正方法についての説明である。
＜変形例１＞
図２５Ａおよび図２５Ｂに表示装置１０Ａの変形例である表示装置１０Ｂの斜視図を示す。図２５Ｂは表示装置１０Ｂが有する各層の構成を説明するための斜視図である。説明の繰り返しを減らすため、主に表示装置１０Ａと異なる点について説明する。
図２５Ａおよび図２５Ｂに表示装置１０Ａの変形例である表示装置１０Ｂの斜視図を示す。図２５Ｂは表示装置１０Ｂが有する各層の構成を説明するための斜視図である。説明の繰り返しを減らすため、主に表示装置１０Ａと異なる点について説明する。
表示装置１０Ｂは、複数の画素回路５１を含む画素回路群５５と駆動回路３０が重ねて設けられている。表示装置１０Ｂにおいて、画素回路群５５は複数の区画５９に分けられ、駆動回路３０は複数の区画３９に分けられる。複数の区画３９はそれぞれがソースドライバ回路３１とゲートドライバ回路３３を有する。
図２６Ａに、表示装置１０Ｂが有する画素回路群５５の構成例を示す。図２６Ｂに、表示装置１０Ｂが有する駆動回路３０の構成例を示す。区画５９および区画３９は、それぞれｍ行ｎ列（ｍおよびｎは、それぞれ１以上の整数）のマトリクス状に配置されている。本明細書等において、１行１列目の区画５９を区画５９［１，１］と示し、ｍ行ｎ列目の区画５９を区画５９［ｍ，ｎ］と示す。同様に、１行１列目の区画３９を区画３９［１，１］と示し、ｍ行ｎ列目の区画３９を区画３９［ｍ，ｎ］と示す。図２６Ａおよび図２６Ｂは、ｍが４で、ｎが８の場合を示している。すなわち、画素回路群５５と駆動回路３０が、それぞれ３２分割されている。
複数の区画５９のそれぞれは、複数の画素回路５１、複数の配線ＳＬ、および複数の配線ＧＬを有する。複数の区画５９のそれぞれにおいて、複数の画素回路５１の一は、複数の配線ＳＬの少なくとも一、および複数の配線ＧＬの少なくとも一と、電気的に接続される。
区画５９の一と区画３９の一は重ねて設けられる（図２６Ｃ参照）。例えば、区画５９［ｉ，ｊ］（ｉは１以上ｍ以下の整数。ｊは１以上ｎ以下の整数）と区画３９［ｉ，ｊ］は重ねて設けられる。区画３９［ｉ，ｊ］が有するソースドライバ回路３１［ｉ，ｊ］は、区画５９［ｉ，ｊ］が有する配線ＳＬと電気的に接続する。区画３９［ｉ，ｊ］が有するゲートドライバ回路３３［ｉ，ｊ］は、区画５９［ｉ，ｊ］が有する配線ＧＬと電気的に接続する。ソースドライバ回路３１［ｉ，ｊ］およびゲートドライバ回路３３［ｉ，ｊ］は、区画５９［ｉ，ｊ］が有する複数の画素回路５１を制御する機能を有する。
区画５９［ｉ，ｊ］と区画３９［ｉ，ｊ］を重ねて設けることで、区画５９［ｉ，ｊ］が有する画素回路５１と、区画３９［ｉ，ｊ］が有するソースドライバ回路３１およびゲートドライバ回路３３との接続距離（配線長）を極めて短くできる。その結果、配線抵抗および寄生容量が減るため、充放電にかかる時間が少なくなり、高速駆動が実現できる。また、消費電力を低減できる。また、小型化および軽量化が実現できる。
また、表示装置１０Ｂは、区画３９毎にソースドライバ回路３１およびゲートドライバ回路３３を有する構成である。よって、区画３９に対応する区画５９毎に表示部１３を分割し、画像データの書き換えを行うことができる。例えば、表示部１３のうち、画像に変化が生じた区画のみ画像データを書き換え、変化のない区画は画像データを保持することが可能となり、消費電力の低減が実現できる。
本実施の形態などでは、区画５９毎に分割された表示部１３の１つを副表示部１９と呼ぶ。よって、副表示部１９は区画３９毎に分割されているともいえる。図２５および図２６を用いて説明した表示装置１０Ｂでは、表示部１３が３２個の副表示部１９に分割される場合を示している（図２５Ａ参照）。副表示部１９は図１９等に示した画素２３０を複数含む。具体的には、１つの副表示部１９は、複数の画素回路５１を含む区画５９の１つと、複数の発光素子６１と、を含む。また、１つの区画３９は、１つの副表示部１９に含まれる複数の画素２３０を制御する機能を有する。
また、表示装置１０Ｂは、機能回路４０が有するタイミングコントローラ４４によって、画像表示時の駆動周波数を副表示部１９毎に任意に設定できる。機能回路４０は、複数の区画３９および複数の区画５９それぞれの動作を制御する機能を有する。すなわち、機能回路４０は、マトリクス状に配置された複数の副表示部１９それぞれの駆動周波数および動作タイミングを制御する機能を有する。また、機能回路４０は、副表示部間の同期調整を行なう機能を有する。
また、区画３９毎にタイミングコントローラ４４１および入出力回路４４２を設けてもよい（図２６Ｄ参照）。入出力回路４４２としては、例えば、Ｉ２Ｃ（Ｉｎｔｅｒ−Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）インターフェースなどを用いることができる。図２６では、区画３９［ｉ，ｊ］が有するタイミングコントローラ４４１を、タイミングコントローラ４４１［ｉ，ｊ］と示している。また、区画３９［ｉ，ｊ］が有する入出力回路４４２を、入出力回路４４２［ｉ，ｊ］と示している。
例えば、機能回路４０は、入出力回路４４２［ｉ，ｊ］に、ゲートドライバ回路３３［ｉ，ｊ］の走査方向および駆動周波数の設定信号、ならびに、解像度を低くする際の画像データ間引き画素数（画像データの書き換え時に、書き換えを行なわない画素の数）などの動作パラメータを供給する。ソースドライバ回路３１［ｉ，ｊ］およびゲートドライバ回路３３［ｉ，ｊ］は、当該動作パラメータに従って動作する。
また、副表示部１９が後述する受光素子を有する場合、入出力回路４４２は、受光素子で光電変換された情報を機能回路４０に出力する。
本発明の一態様の電子装置における表示装置１０Ｂは、画素回路５１と駆動回路３０を積層し、ユーザの視線の動きに応じて副表示部１９毎の駆動周波数を異ならせることで、低消費電力化を図ることができる。
図２７Ａに、４行８列の副表示部１９を有する表示部１３を示す。また図２７Ａでは、注視点Ｇを中心にする第１領域Ｓ１乃至第３領域Ｓ３を示している。ＣＰＵ４５は、複数の副表示部１９のそれぞれを、第１領域Ｓ１または第２領域Ｓ２と重なる第１区域２９Ａと、第３領域Ｓ３と重なる第２区域２９Ｂのいずれかに振り分ける。すなわち、ＣＰＵ４５は、複数の区画３９のそれぞれを、第１区域２９Ａまたは第２区域２９Ｂに振り分ける。この場合、第１領域Ｓ１または第２領域Ｓ２と重なる第１区域２９Ａは、注視点Ｇと重なる領域を含む。また、第２区域２９Ｂは第１区域２９Ａの外側に位置する副表示部１９を含む（図２７Ｂ参照）。
複数の区画３９それぞれが有する駆動回路（ソースドライバ回路３１およびゲートドライバ回路３３）の動作は機能回路４０により制御される。例えば、第２区域２９Ｂは、前述した安定注視野、誘導視野、および補助視野が含まれる第３領域Ｓ３と重なる区域であり、ユーザの識別力が低い区域である。よって、画像表示時において、単位時間当たりの画像データの書き換え回数（以下、「画像書き換え回数」ともいう）を、第１区域２９Ａより第２区域２９Ｂを少なくしても、ユーザが感じる実質的な表示品位（以下、「実質的な表示品位」ともいう）の低下は少ない。すなわち、第２区域２９Ｂに含まれる副表示部１９の駆動周波数（「第２駆動周波数」ともいう）を第１区域２９Ａに含まれる副表示部１９の駆動周波数（「第１駆動周波数」ともいう）よりも低くしても、実質的な表示品位の低下は少ない。
駆動周波数を低くすると、表示装置の消費電力を低減できる。その一方で、駆動周波数を低くすると、表示品位も低下する。特に、動画表示時の表示品位が低下する。本発明の一態様によれば、第２駆動周波数を第１駆動周波数よりも低くすることで、ユーザの視認性が低い区域の消費電力を低減しつつ、実質的な表示品位の低下を抑制できる。本発明の一態様によれば、表示品位の維持と消費電力の低減を両立できる。
第１駆動周波数は、３０Ｈｚ以上５００Ｈｚ以下、好ましくは６０Ｈｚ以上５００Ｈｚ以下とすればよい。第２駆動周波数は第１駆動周波数以下が好ましく、第１駆動周波数の１／２以下がより好ましく、第１駆動周波数の１／５以下がより好ましい。
また、第３領域Ｓ３に重なる副表示部１９のうち、第１区域２９Ａからより遠い区域を第３区域２９Ｃと設定し（図２７Ｃ参照）、第３区域２９Ｃに含まれる副表示部１９の駆動周波数（「第３駆動周波数」ともいう）を第２区域２９Ｂよりも低くしてもよい。第３駆動周波数は第２駆動周波数以下が好ましく、第２駆動周波数の１／２以下がより好ましく、第２駆動周波数の１／５以下がより好ましい。画像書き換え回数を著しく少なくすることで、消費電力をさらに低減できる。また、必要に応じて、画像データの書き換えを停止してもよい。画像データの書き換えを停止することで、消費電力をさらに低減できる。
このような駆動方法を行なう場合、画素回路５１を構成するトランジスタにオフ電流が極めて少ないトランジスタを用いると好適である。例えば、画素回路５１を構成するトランジスタにＯＳトランジスタを用いると好適である。ＯＳトランジスタはオフ電流が著しく低いため、画素回路５１に供給された画像データを長期間保持できる。特にトランジスタ５２ＡにＯＳトランジスタを用いると好適である。
また、表示部１３に表示する映像シーンが変わる場合など、直前の画像よりも明るさ、コントラスト、または色調などが大きく異なる画像が表示される場合がある。このような場合、第１区域２９Ａと、第１区域２９Ａよりも駆動周波数が低い区域の間で、画像が切り換わるタイミングにずれが生じるため、両区域間で明るさ、コントラスト、または色調などが大きく異なり、実質的な表示品位が損なわれる恐れがある。このように映像シーンが変わる場合などでは、一旦、第１区域２９Ａ以外の区域も第１区域２９Ａと同じ駆動周波数で画像データの書き換えを行ない、その後に第１区域２９Ａ以外の区域の駆動周波数を低下させればよい。
また、注視点Ｇの変動量が一定量を越えたと判断した場合、第１区域２９Ａ以外の区域も第１区域２９Ａと同じ駆動周波数で画像データの書き換えを行ない、変動量が一定量以内であると判断した場合に、第１区域２９Ａ以外の区域の駆動周波数を低下させてもよい。また、注視点Ｇの変動量が少ないと判断した場合、第１区域２９Ａ以外の区域の駆動周波数をさらに低下させてもよい。
また、表示装置１０Ｂが、画像データを一時的に保持する記憶装置であるフレームメモリを有さない場合、もしくは、表示部１３全体に対して１つのフレームメモリを有する場合、第２駆動周波数および第３駆動周波数は、どちらも第１駆動周波数の整数分の１にする必要がある。
複数の副表示部１９それぞれに対応するフレームメモリを設けることで、第２駆動周波数および第３駆動周波数を第１駆動周波数の整数分の１に限らず、任意の値に設定できる。第２駆動周波数および第３駆動周波数を任意の値に設定することによって、駆動周波数の設定自由度を高めることができる。よって、実質的な表示品位の低下を低減できる。
図２８は、副表示部１９毎にフレームメモリ４４３を有する表示装置１０Ｂの構成例を説明するブロック図である。図２８において、入出力回路８０は、画像情報入力部４６１およびクロック信号入力部４６２を有する。また、機能回路４０は、画像データ一時記憶部４６３、動作パラメータ設定部４６４、内部クロック信号生成部４６５、画像処理部４６６、メモリコントローラ４６７、および複数のフレームメモリ４４３を有する。
複数のフレームメモリ４４３の一は、複数の副表示部１９の一に表示する画像データを保持する機能を有する。例えば、フレームメモリ４４３［１，１］は、副表示部１９［１，１］に表示する画像データを保持する機能を有する。同様に、フレームメモリ４４３［ｍ，ｎ］は、副表示部１９［ｍ，ｎ］に表示する画像データを保持する機能を有する。
また、複数の副表示部１９の一は、複数の区画３９の一と電気的に接続される。図２８において、複数の区画３９のそれぞれは、ソースドライバ回路３１、ゲートドライバ回路３３、タイミングコントローラ４４１、および入出力回路４４２を有する。
画像情報入力部４６１には、表示部１３に表示する画像データ、および表示装置１０Ｂの動作パラメータが外部から供給される。クロック信号入力部４６２には、クロック信号が外部から供給される。また、該クロック信号は、クロック信号入力部４６２を介して内部クロック信号生成部４６５に供給される。
内部クロック信号生成部４６５は、外部から供給されたクロック信号を用いて、表示装置１０Ｂ内で用いるクロック信号（「内部クロック信号」ともいう）を生成する機能を有する。内部クロック信号は、画像データ一時記憶部４６３、動作パラメータ設定部４６４、メモリコントローラ４６７、区画３９などに供給され、表示装置１０Ｂを構成する各回路などの動作タイミングを揃えるために用いられる。
画像情報入力部４６１を介して入力された画像データは、画像データ一時記憶部４６３に供給される。また、画像情報入力部４６１を介して入力された動作パラメータは、動作パラメータ設定部４６４に供給される。
画像データ一時記憶部４６３は、供給された画像データを保持し、内部クロック信号に同期して、該画像データを画像処理部４６６に供給する。画像データ一時記憶部４６３を設けることで、外部から画像データが供給されるタイミングと、該画像データを表示装置１０Ｂ内部で処理するタイミングのずれを解消できる。
動作パラメータ設定部４６４は、供給された動作パラメータを保持する機能を有する。動作パラメータは、複数の副表示部１９それぞれについて、駆動周波数、走査方向、解像度の設定などを決定する情報を含む。
画像処理部４６６は、画像データ一時記憶部４６３に保持されている画像データの演算処理を行なう機能を有する。例えば、画像データのコントラスト調整、明るさ調整、およびガンマ補正などを行なう機能を有する。また、画像処理部４６６は、画像データ一時記憶部４６３に保持されている画像データを、副表示部１９毎に分割する機能を有する。
メモリコントローラ４６７は、複数のフレームメモリ４４３の動作を制御する機能を有する。画像処理部４６６で副表示部１９毎に分割された画像データは、複数のフレームメモリ４４３のそれぞれに記憶される。また、複数のフレームメモリ４４３は、それぞれに対応する区画３９からの読み出し要求信号（ｒｅａｄ）に応じて、区画３９に画像データを供給する機能を有する。
なお、図２９に示すように、記憶装置４１をフレームメモリ４４３として用いてもよい。すなわち、記憶装置４１に副表示部１９毎に分割された画像データを記憶してもよい。
また、フレームメモリ４４３は、機能回路４０以外に設けてもよい。また、フレームメモリ４４３を表示装置１０Ｂ以外の半導体装置に設けてもよい。
なお、表示部１３に設定する区域は、第１区域２９Ａ、第２区域２９Ｂ、および第３区域２９Ｃの３つに限定されない。表示部１３に４以上の区域を設定してもよい。表示部１３に複数の区域を設定し、段階的に駆動周波数を低くすることで、実質的な表示品位の低下をより少なくすることができる。
また、第１区域２９Ａに表示する画像に対して、前述したアップコンバート処理を行なってもよい。第１区域２９Ａにアップコンバート処理された画像を表示することで、表示品位を高めることができる。また、第１区域２９Ａ以外の区域に表示する画像に対して、前述したアップコンバート処理を行なってもよい。第１区域２９Ａ以外の区域にアップコンバート処理された画像を表示することで、第１区域２９Ａ以外の区域の駆動周波数を低下させた場合の実質的な表示品位の低下をより少なくすることができる。
なお、第１区域２９Ａに表示する画像のアップコンバート処理を高精度なアルゴリズムで行ない、第１区域２９Ａ以外の区域に表示する画像のアップコンバート処理を低精度なアルゴリズムで行なってもよい。このような場合においても、第１区域２９Ａ以外の区域の駆動周波数を低下させた場合の実質的な表示品位の低下をより少なくすることができる。
また、副表示部１９毎に行う画像データの書き換えを、全ての副表示部１９で同時に行うことで、高速書き換えが実現できる。すなわち、区画３９毎に行う画像データの書き換えを、全ての区画３９で同時に行うことで、高速書き換えが実現できる。
一般に、ソースドライバ回路は、線順次駆動の場合、ゲートドライバ回路が１行分の画素を選択している間に、１行分の全ての画素に、同時に画像データを書き込む。例えば、表示部１３が副表示部１９に分割されておらず、解像度が４０００×２０００画素である場合、ゲートドライバ回路が１行分の画素を選択している間に、ソースドライバ回路は４０００個の画素に画像データを書き込む必要がある。フレーム周波数が１２０Ｈｚの場合、１フレームの時間は約８．３ｍｓｅｃである。よって、ゲートドライバ回路は２０００行の画素を約８．３ｍｓｅｃで選択する必要があり、１行分の画素が選択される時間、つまり、１画素当たりの画像データの書き込み時間は約４．１７μｓｅｃとなる。すなわち、表示部の解像度が高くなるほど、また、フレーム周波数が高くなるほど、十分な画像データの書き換え時間の確保が難しくなる。
本実施の形態で例示した表示装置１０Ｂは、表示部１３が行方向に４分割されている。よって、１つの副表示部１９において、１画素当たりの画像データの書き込み時間を、表示部１３が分割されていない場合より４倍長くできる。本発明の一態様によれば、フレーム周波数を２４０Ｈｚ、さらには３６０Ｈｚにした場合でも画像データの書き換え時間の確保が容易になるため、表示品位の高い表示装置が実現できる。
また、本実施の形態で例示した表示装置１０Ｂは、表示部１３が行方向に４分割されているため、ソースドライバ回路と画素回路を電気的に接続する配線ＳＬの長さが４分の１になる。このため、配線ＳＬの抵抗値および寄生容量がそれぞれ４分の１になり、画像データの書き込み（書き換え）に必要な時間を短くすることができる。
加えて、本実施の形態で例示した表示装置１０Ｂは、表示部１３が列方向に８分割されているため、ゲートドライバ回路と画素回路を電気的に接続する配線ＧＬの長さが８分の１になる。このため、配線ＧＬの抵抗値および寄生容量がそれぞれ８分の１になり、信号の劣化および遅延が改善し、画像データの書き換え時間の確保が容易になる。
本発明の一態様に係る表示装置１０Ｂによれば、十分な画像データの書き込み時間の確保が容易であるため、表示画像の高速書き換えが実現できる。よって、表示品位の高い表示装置が実現できる。特に、動画表示に優れた表示装置が実現できる。
＜変形例２＞
図３０Ａおよび図３０Ｂに表示装置１０Ａの変形例である表示装置１０Ｃの斜視図を示す。なお、表示装置１０Ｃは表示装置１０Ｂの変形例でもある。図３０Ｂは表示装置１０Ｃが有する各層の構成を説明するための斜視図である。説明の繰り返しを減らすため、主に表示装置１０Ａおよび表示装置１０Ｂと異なる点について説明する。
図３０Ａおよび図３０Ｂに表示装置１０Ａの変形例である表示装置１０Ｃの斜視図を示す。なお、表示装置１０Ｃは表示装置１０Ｂの変形例でもある。図３０Ｂは表示装置１０Ｃが有する各層の構成を説明するための斜視図である。説明の繰り返しを減らすため、主に表示装置１０Ａおよび表示装置１０Ｂと異なる点について説明する。
複数の画素回路５１を含む画素回路群５５、駆動回路３０（３０ａ乃至３０ｄ）、機能回路４０、および端子部１４は、同じ層に設けてもよい。表示装置１０Ｃは、層２０に画素回路群５５、駆動回路３０、機能回路４０、および端子部１４を設けている。画素回路群５５、駆動回路３０、および機能回路４０を同じ層に設けることで、それぞれを電気的に接続する配線を短くすることができる。よって、配線抵抗および寄生容量が低減され、消費電力が低減される。
例えば、表示装置１０Ｃに用いるトランジスタとして、ｃ−Ｓｉトランジスタを用いる場合、層２０として単結晶シリコン基板を用いて、画素回路群５５、駆動回路３０、機能回路４０、および端子部１４を設けることができる。また、層２０として単結晶シリコン基板を用いることで、基板１１を省略できる。よって、表示装置１０Ｃの軽量化が実現できる。また、表示装置１０Ｃの生産コストが低減できる。よって、表示装置１０Ｃの生産性が向上する。
なお、表示装置１０Ｃに用いるトランジスタは、ｃ−Ｓｉトランジスタに限らない。表示装置１０Ｃに用いるトランジスタとして、Ｐｏｌｙ−Ｓｉトランジスタ、またはＯＳトランジスタなどの様々なトランジスタを用いることができる。
また、図３０Ａ、図３０Ｂに示す表示装置１０Ｃは、表示部１３がｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された副表示部１９で構成されている。よって、画素回路群５５は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された区画５９に分けられる。図３１に層２０の平面レイアウト図を示す。図３１ではｍが４、ｎが８である場合の区画５９を示している。
表示装置１０Ｃでは、駆動回路３０が駆動回路３０ａ、駆動回路３０ｂ、駆動回路３０ｃ、および駆動回路３０ｄの４つの領域に分けて設けられている。駆動回路３０ａ、駆動回路３０ｂ、駆動回路３０ｃ、および駆動回路３０ｄは、画素回路群５５の外側に設けられる。具体的には、画素回路群５５外周の４辺のうち、第１の辺側に駆動回路３０ａが設けられ、画素回路群５５を介して第１の辺と向かい合う第３の辺側に駆動回路３０ｃが設けられ、第２の辺側に駆動回路３０ｂが設けられ、画素回路群５５を介して第２の辺と向かい合う第４の辺側に駆動回路３０ｄが設けられている。
駆動回路３０ａおよび駆動回路３０ｃは、それぞれが１６個のゲートドライバ回路３３を有する。駆動回路３０ｂおよび駆動回路３０ｄは、それぞれが１６個のソースドライバ回路３１を有する。ゲートドライバ回路３３の１つは、区画５９の１つに含まれる複数の画素回路５１と電気的に接続される。ソースドライバ回路３１の１つは、区画５９の１つに含まれる複数の画素回路５１と電気的に接続される。
図３１では、区画５９［１，１］と電気的に接続するゲートドライバ回路３３をゲートドライバ回路３３［１，１］と示し、区画５９［１，１］と電気的に接続するソースドライバ回路３１をソースドライバ回路３１［１，１］と示している。同様に、区画５９［４，８］と電気的に接続するゲートドライバ回路３３をゲートドライバ回路３３［４，８］と示し、区画５９［４，８］と電気的に接続するソースドライバ回路３１をソースドライバ回路３１［４，８］と示している。
また、駆動回路３０ａがゲートドライバ回路３３［１，１］乃至ゲートドライバ回路３３［１，４］、ゲートドライバ回路３３［２，１］乃至ゲートドライバ回路３３［２，４］、ゲートドライバ回路３３［３，１］乃至ゲートドライバ回路３３［３，４］、およびゲートドライバ回路３３［４，１］乃至ゲートドライバ回路３３［４，４］を有する。また、駆動回路３０ｂがソースドライバ回路３１［１，１］乃至ソースドライバ回路３１［１，８］、およびソースドライバ回路３１［２，１］乃至ソースドライバ回路３１［２，８］を有する。また、駆動回路３０ｃがゲートドライバ回路３３［１，５］乃至ゲートドライバ回路３３［１，８］、ゲートドライバ回路３３［２，５］乃至ゲートドライバ回路３３［２，８］、ゲートドライバ回路３３［３，５］乃至ゲートドライバ回路３３［３，８］、およびゲートドライバ回路３３［４，５］乃至ゲートドライバ回路３３［４，８］を有する。また、駆動回路３０ｄがソースドライバ回路３１［３，１］乃至ソースドライバ回路３１［３，８］、およびソースドライバ回路３１［４，１］乃至ソースドライバ回路３１［４，８］を有する。
層２０に設ける画素回路群５５、駆動回路３０、および機能回路４０の配置は、図３１に示す構成に限定されない。例えば、図３２に示す構成でもよい。図３２では、駆動回路３０が駆動回路３０ａおよび駆動回路３０ｂの２つの領域に分けて設けられている。例えば、駆動回路３０ａに３２個のゲートドライバ回路３３（ゲートドライバ回路３３［１，１］乃至ゲートドライバ回路３３［４，８］）が設けられ、駆動回路３０ｂに３２個のソースドライバ回路３１（ソースドライバ回路３１［１，１］乃至ソースドライバ回路３１［４，８］）が設けられている。
なお、本発明の一態様に係る表示装置１０Ｂおよび表示装置１０Ｃでは、表示部１３を３２の副表示部１９に分割する場合を例示した。ただし、本発明の一態様に係る表示装置１０Ｂおよび表示装置１０Ｃの表示部１３を、３２分割に限らず、１６分割、６４分割、または１２８分割などにしてもよい。表示部１３の分割数を増やすと、ユーザーが感じる実質的な表示品位の低下をより少なくすることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示装置の構成例について説明する。以下で例示する表示装置は、上記実施の形態１の表示装置５１１及び表示装置５２１等に適用することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示装置の構成例について説明する。以下で例示する表示装置は、上記実施の形態１の表示装置５１１及び表示装置５２１等に適用することができる。
本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示装置である。表示装置は、発光色の異なる２つ以上の発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。発光色の異なる２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる発光材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。
発光色がそれぞれ異なる複数の発光素子を有する表示装置を作製する場合、少なくとも発光材料を含む層（発光層）をそれぞれ島状に形成する必要がある。ＥＬ層の一部または全部を作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いた蒸着法により島状の有機膜を形成する方法が知られている。しかしながらこの方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び熱などによる変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。そのため、ペンタイル配列などの特殊な画素配列方式を採用することなどにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。
なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。
本発明の一態様は、ＥＬ層をファインメタルマスク（ＦＭＭ）などのシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィにより、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。なお、例えば、ＥＬ層をメタルマスクと、フォトリソグラフィと、の双方を用いて微細なパターンに加工してもよい。
また、ＥＬ層の一部または全部を物理的に分断することができる。これにより、隣接する発光素子間で共通に用いる層（共通層ともいう）を介した、発光素子間のリーク電流を抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。
本発明の一態様は、白色発光の発光素子と、カラーフィルタとを組み合わせた表示装置とすることもできる。この場合、異なる色の光を呈する画素（副画素）に設けられる発光素子に、それぞれ同じ構成の発光素子を適用することができ、全ての層を共通層とすることができる。さらに、それぞれのＥＬ層の一部または全部を、フォトリソグラフィにより分断する。これにより、共通層を介したリーク電流が抑制され、コントラストの高い表示装置を実現できる。特に、導電性の高い中間層を介して、複数の発光層を積層したタンデム構造を有する素子では、当該中間層を介したリーク電流を効果的に防ぐことができるため、高い輝度、高い精細度、及び高いコントラストを兼ね備えた表示装置を実現できる。
さらに、少なくとも島状の発光層の側面を覆う絶縁層を設けることが好ましい。当該絶縁層は、島状のＥＬ層の上面の一部を覆う構成としてもよい。当該絶縁層としては、水及び酸素に対してバリア性を有する材料を用いることが好ましい。例えば、水または酸素を拡散しにくい、無機絶縁膜を用いることができる。これにより、ＥＬ層の劣化を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。
さらに、隣接する２つの発光素子間には、いずれの発光素子のＥＬ層も設けられない領域（凹部）を有する。当該凹部を覆って共通電極、または共通電極及び共通層を形成する場合、共通電極がＥＬ層の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、ＥＬ層上の共通電極が絶縁してしまう場合がある。そこで、隣接する２つの発光素子間に位置する局所的な段差を、平坦化膜として機能する樹脂層により埋める構成（ＬＦＰ：Ｌｏｃａｌ Ｆｉｌｌｉｎｇ Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎともいう）とすることが好ましい。当該樹脂層は、平坦化膜としての機能を有する。これにより、共通層または共通電極の段切れを抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。
以下では、本発明の一態様の表示装置の、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。
［構成例１］
図３３Ａに、本発明の一態様の表示装置１００の上面概略図を示す。表示装置１００は、基板１０１上に、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図３３Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。
図３３Ａに、本発明の一態様の表示装置１００の上面概略図を示す。表示装置１００は、基板１０１上に、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図３３Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。
発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図３３Ａは、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列、ダイヤモンド配列などを用いることもできる。
発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂとしては、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、例えば蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、及び熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）が挙げられる。ＥＬ素子が有する発光物質としては、有機化合物だけでなく、無機化合物（量子ドット材料など）を用いることができる。
また、図３３Ａには、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを示している。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、発光素子１１０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。
接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、平面視において、表示領域の形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの形状は、帯状（長方形）、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。
図３３Ｂ、図３３Ｃはそれぞれ、図３３Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、一点鎖線Ａ３−Ａ４に対応する断面概略図である。図３３Ｂには、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの断面概略図を示し、図３３Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが接続される接続部１４０の断面概略図を示している。
発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、有機層１１２Ｒ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１２Ｇ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１２Ｂ、共通層１１４、及び共通電極１１３を有する。共通層１１４と共通電極１１３は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂに共通に設けられる。
発光素子１１０Ｒが有する有機層１１２Ｒは、少なくとも赤色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｇが有する有機層１１２Ｇは、少なくとも緑色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｂが有する有機層１１２Ｂは、少なくとも青色の光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、それぞれＥＬ層とも呼ぶことができ、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（発光層）を有する。
以下では、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、発光素子１１０と呼称して説明する場合がある。同様に、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂなど、アルファベットで区別する構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。
有機層１１２、及び共通層１１４は、それぞれ独立に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有することができる。例えば、有機層１１２が、画素電極１１１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層構造を有し、共通層１１４が電子注入層を有する構成とすることができる。
画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３及び共通層１１４は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。
共通電極１１３上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。
画素電極１１１の端部はテーパ形状を有することが好ましい。画素電極の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極の側面に沿って設けられる有機層１１２も、テーパ形状を有する。画素電極の側面をテーパ形状とすることで、画素電極の側面に沿って設けられるＥＬ層の被覆性を高めることができる。また、画素電極の側面をテーパ形状とすることで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、またはパーティクルなどともいう）を、洗浄などの処理により除去することが容易となり好ましい。
なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。
有機層１１２は、フォトリソグラフィ法により島状に加工されている。そのため、有機層１１２は、その端部において、上面と側面との成す角が９０度に近い形状となる。一方、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）などを用いて形成された有機膜は、その厚さが端部に近いほど徐々に薄くなる傾向があり、例えば端部まで１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にわたって、上面がスロープ状に形成されるため、上面と側面の区別が困難な形状となる。
隣接する２つの発光素子間には、絶縁層１２５、樹脂層１２６、層１２８を有する。
隣接する２つの発光素子間において、互いの有機層１１２の側面が、樹脂層１２６を挟んで対向して設けられている。樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子の間に位置し、それぞれの有機層１１２の端部、及び２つの有機層１１２の間の領域を埋めるように設けられている。樹脂層１２６の上面は、滑らかな凸状の形状を有しており、樹脂層１２６の上面を覆って、共通層１１４及び共通電極１１３が設けられている。
樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子間に位置する段差を埋める平坦化膜として機能する。樹脂層１２６を設けることにより、共通電極１１３が有機層１１２の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、有機層１１２上の共通電極が絶縁してしまうことを防ぐことができる。樹脂層１２６は、ＬＦＰ（Ｌｏｃａｌ Ｆｉｌｌｉｎｇ Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）層ともいうことができる。
樹脂層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、樹脂層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、樹脂層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。
また、樹脂層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
樹脂層１２６は、可視光を吸収する材料を含んでいてもよい。例えば、樹脂層１２６自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、樹脂層１２６が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。樹脂層１２６としては、例えば、赤色、青色、または緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、またはカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂などを用いることができる。
絶縁層１２５は、有機層１１２の側面に接して設けられている。また絶縁層１２５は、有機層１１２の上端部を覆って設けられている。また絶縁層１２５の一部は、基板１０１の上面に接して設けられている。
絶縁層１２５は、樹脂層１２６と有機層１１２との間に位置し、樹脂層１２６が有機層１１２に接することを防ぐための保護膜として機能する。有機層１１２と樹脂層１２６とが接すると、樹脂層１２６の形成時に用いられる有機溶媒などにより有機層１１２が溶解する可能性がある。そのため、本実施の形態に示すように、有機層１１２と樹脂層１２６との間に絶縁層１２５を設ける構成とすることで、有機層の側面を保護することが可能となる。
絶縁層１２５としては、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。
なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。
また、絶縁層１２５と、樹脂層１２６との間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、及びアルミニウムなどの中から選ばれる一または複数を含む金属膜）を設け、発光層から射出される光を上記反射膜により反射させる構成としてもよい。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。
層１２８は、有機層１１２のエッチング時に、有機層１１２を保護するための保護層（マスク層、犠牲層ともいう）の一部が残存したものである。層１２８には、上記絶縁層１２５に用いることのできる材料を用いることができる。特に、層１２８と絶縁層１２５とに同じ材料を用いると、加工のための装置等を共通に用いることができるため、好ましい。
特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜はピンホールが少ないため、ＥＬ層を保護する機能に優れ、絶縁層１２５及び層１２８に好適に用いることができる。
共通電極１１３を覆って保護層１２１が設けられている。
保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料または導電性材料を用いてもよい。
保護層１２１としては、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。
図３３Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示している。接続部１４０では、接続電極１１１Ｃ上において、絶縁層１２５及び樹脂層１２６に開口部が設けられる。当該開口部において、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続されている。
なお、図３３Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示しているが、接続電極１１１Ｃ上に共通層１１４を介して共通電極１１３が設けられていてもよい。特に共通層１１４にキャリア注入層を用いた場合などでは、当該共通層１１４に用いる材料の電気抵抗率が十分に低く、且つ厚さも薄く形成できるため、共通層１１４が接続部１４０に位置していても問題は生じない場合が多い。これにより、共通電極１１３と共通層１１４とを同じ遮蔽マスクを用いて形成することができるため、製造コストを低減できる。
以上が、表示装置の構成例についての説明である。
［画素のレイアウト］
以下では、主に、図３３Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。発光素子（副画素）の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。
以下では、主に、図３３Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。発光素子（副画素）の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。
また、平面視において、副画素の形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の形状は、発光素子の発光領域の形状に相当する。
図３４Ａに示す画素１５０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図３４Ａに示す画素１５０は、発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、発光素子１１０ａを青色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを緑色の発光素子としてもよい。
図３４Ｂに示す画素１５０は、平面視において、角が丸い略台形の形状を有する発光素子１１０ａと、角が丸い略三角形の形状を有する発光素子１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の形状を有する発光素子１１０ｃと、を有する。また、発光素子１１０ａは、発光素子１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各発光素子の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、発光素子１１０ａを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。
図３４Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図３４Ｃでは、発光素子１１０ａ及び発光素子１１０ｂを有する画素１２４ａと、発光素子１１０ｂ及び発光素子１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。
図３４Ｄ及び図３４Ｅに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有する。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。
図３４Ｄは、平面視において、各発光素子が角の丸い略四角形の形状を有する例であり、図３４Ｅは、各発光素子が円形の形状を有する例である。
図３４Ｆは、各色の発光素子がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの発光素子（例えば、発光素子１１０ａと発光素子１１０ｂ、または、発光素子１１０ｂと発光素子１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。
フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、発光素子の平面視における形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。
さらに、本発明の一態様の表示パネルの作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の平面視における形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、平面視における形状が正方形であるレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の平面視における形状が円形になることがある。
なお、ＥＬ層の平面視における形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。
以上が、画素のレイアウトに関する説明である。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示装置（表示パネル）の他の構成例について説明する。以下で例示する表示装置（表示パネル）は、上記実施の形態１の表示装置５１１及び表示装置５２１等に適用することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示装置（表示パネル）の他の構成例について説明する。以下で例示する表示装置（表示パネル）は、上記実施の形態１の表示装置５１１及び表示装置５２１等に適用することができる。
本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置は、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。
［表示モジュール］
図３５Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置２００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示パネルは表示装置２００Ａに限られず、後述する表示装置２００Ｂ乃至表示装置２００Ｆのいずれかであってもよい。
図３５Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置２００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示パネルは表示装置２００Ａに限られず、後述する表示装置２００Ｂ乃至表示装置２００Ｆのいずれかであってもよい。
表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、画像を表示する領域である。
図３５Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。
画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図３５Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光素子１１０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１１０Ｇ、及び、青色の光を発する発光素子１１０Ｂを有する。
画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａには、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示パネルが実現されている。
回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。また、回路部２８２に設けられるトランジスタが画素回路２８３ａの一部を構成してもよい。すなわち、画素回路２８３ａが、画素回路部２８３が有するトランジスタと、回路部２８２が有するトランジスタと、により構成されていてもよい。
ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号及び電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。
このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。
［表示装置２００Ａ］
図３６Ａに示す表示装置２００Ａは、基板３０１、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
図３６Ａに示す表示装置２００Ａは、基板３０１、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
基板３０１は、図３５Ａ及び図３５Ｂにおける基板２９１に相当する。
トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。
また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。
導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。
容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。
絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃには、それぞれ無機絶縁膜を好適に用いることができる。例えば、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃに酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂに窒化シリコン膜を用いることが好ましい。これにより、絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜として機能させることができる。本実施の形態では、絶縁層２５５ｃの一部がエッチングされ、凹部が形成されている例を示すが、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられていなくてもよい。
絶縁層２５５ｃ上に発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び、発光素子１１０Ｂが設けられている。発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び、発光素子１１０Ｂの構成は、実施の形態１を参照できる。
表示装置２００Ａは、発光色ごとに、発光デバイスを作り分けているため、低輝度での発光と高輝度での発光で色度の変化が小さい。また、有機層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂがそれぞれ離隔しているため、高精細な表示パネルであっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示パネルを実現することができる。
隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁層１２５、樹脂層１２６、及び層１２８が設けられる。
発光素子の画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び、画素電極１１１Ｂは、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。
また、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、及び１１０Ｂ上には保護層１２１が設けられている。保護層１２１上には、接着層１７１によって基板１７０が貼り合わされている。
隣接する２つの画素電極１１１間には、画素電極１１１の上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光素子の間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。
［表示装置２００Ｂ］
図３７に示す表示装置２００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示パネルの説明では、先に説明した表示パネルと同様の部分については説明を省略することがある。
図３７に示す表示装置２００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示パネルの説明では、先に説明した表示パネルと同様の部分については説明を省略することがある。
表示装置２００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。
ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５が設けられ、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上には絶縁層３４６が設けられている。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１２１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。
基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って、保護層として機能する絶縁層３４４を設けることが好ましい。
また、基板３０１Ｂは、絶縁層３４５の下側に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれており、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されている。また、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。
一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれており、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されている。
導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。
［表示装置２００Ｃ］
図３８に示す表示装置２００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。
図３８に示す表示装置２００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。
図３８に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。
［表示装置２００Ｄ］
図３９に示す表示装置２００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置２００Ａと主に相違する。
図３９に示す表示装置２００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置２００Ａと主に相違する。
トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。
トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。
基板３３１は、図３５Ａ及び図３５Ｂにおける基板２９１に相当する。
基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。
絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。
半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。
一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部に、半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。
導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。
絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。
［表示装置２００Ｅ］
図４０に示す表示装置２００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。
図４０に示す表示装置２００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。
トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置２００Ｄを参照することができる。
なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。
［表示装置２００Ｆ］
図４１に示す表示装置２００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。
図４１に示す表示装置２００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。
トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。
トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。
このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示パネルを小型化することが可能となる。
［表示装置２００Ｇ］
図４２に示す表示装置２００Ｇは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。
図４２に示す表示装置２００Ｇは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。
トランジスタ３２０Ａは、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。トランジスタ３２０Ｂは、画素回路を構成するトランジスタとして用いてもよいし、上記駆動回路を構成するトランジスタとして用いてもよい。また、トランジスタ３１０、トランジスタ３２０Ａ、及びトランジスタ３２０Ｂは、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイス（発光素子）について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイス（発光素子）について説明する。
本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
本明細書等では、発光波長が異なる発光デバイスで少なくとも発光層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ Ｂｙ Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。
本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。
本明細書等において、発光デバイス（発光素子ともいう）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。
発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、及び、無機化合物（量子ドット材料等）が挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。
発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。
図４３Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。
発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。
下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。
一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図４３Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。
また、図４３Ｂは、図４３Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図４３Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。
下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。
なお、図４３Ｃ及び図４３Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図４３Ｃ及び図４３Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。
また、図４３Ｅ及び図４３Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。
なお、図４３Ｄ及び図４３Ｆは、表示装置が、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図４３Ｄは、層７６４が、図４３Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図４３Ｆは、層７６４が、図４３Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。
層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。
図４３Ｃ及び図４３Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図４３Ｄに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。
また、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。
例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、または、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。
また、例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、及び、黄色の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。この構成をＢＹシングルと呼称する場合がある。
図４３Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。
白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。
また、図４３Ｅ及び図４３Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。
例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素及び緑色の光を呈する副画素においては、図４３Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。
また、各色の光を呈する副画素に、図４３Ｅまたは図４３Ｆに示す構成の発光デバイスを用いる場合、副画素によって、異なる発光物質を用いてもよい。具体的には、赤色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ赤色の光を発する発光物質を用いてもよい。同様に、緑色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ緑色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。このような構成の表示装置は、タンデム構造の発光デバイスが適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。これにより、高輝度発光が可能であり、信頼性の高い発光デバイスを実現することができる。
また、図４３Ｅ及び図４３Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図４３Ｆに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。
なお、図４３Ｅ及び図４３Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａ及び発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。
また、図４３Ｅ及び図４３Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。
具体的には、図４４Ａ乃至図４４Ｃに示す発光デバイスの構成が挙げられる。
図４４Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。
また、図４４Ａに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。
なお、図４４Ａに示す構成においては、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３は、それぞれ同じ色の光を発する発光物質を有すると好ましい。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ赤色（Ｒ）の発光物質を有する構成（いわゆるＲ＼Ｒ＼Ｒの３段タンデム構造）、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ緑色（Ｇ）の発光物質を有する構成（いわゆるＧ＼Ｇ＼Ｇの３段タンデム構造）、または発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３が、それぞれ青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。
なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質としては、上記の構成に限定されない。例えば、図４４Ｂに示すように、複数の発光物質を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスとしてもよい。図４４Ｂは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、及び発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。
図４４Ｂに示す構成においては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃを、補色の関係となる発光物質を選択し白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃを、補色の関係となる発光物質を選択し白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図４４Ｃに示す構成においては、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、及び発光層７７１ｃの補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。
また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼Ｙの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼Ｂの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。
また、図４４Ｃに示すように、１つの発光物質を有する発光ユニットと、複数の発光物質を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。
具体的には、図４４Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、及び発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、及び発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。
例えば、図４４Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。
例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。
なお、図４３Ｃ、図４３Ｄにおいても、図４３Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。
また、図４３Ｅ及び図４３Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、及び、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、及び、層７９０ｂを有する。
下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａ及び層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａ及び層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。
下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。
また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。
次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。
下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。
発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、及びＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。
発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。
なお、半透過・半反射電極は、反射電極として用いることができる導電層と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）として用いることができる導電層と、の積層構造とすることができる。
透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０−２Ωｃｍ以下が好ましい。
発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。
発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。
発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。
蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。
燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。
発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い材料を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。
発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。
正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。
正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い材料を用いることができる。
アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、及び、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及び、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。
例えば、正孔注入性の高い材料として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。
正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。
電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。
電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。
電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。
正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。
正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。
電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。
また、電子注入性の高い材料のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）ことが好ましい。
電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦｘ、ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。
電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。
なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。
また、電荷発生層は、電子注入性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。
電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。
電荷発生層は、電子輸送性の高い材料を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。
電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、及び電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。
なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。
発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
５００Ａ：電子機器、５００Ｂ：電子機器、５００Ｃ：電子機器、５００：電子機器、５０１：筐体、５０２：第１の部分、５０３：第２の部分、５０４：光学部材、５０５：装着具、５０６：部分、５０７：バッテリ、５１１：表示装置、５１２：レンズ、５２０：ケーブル、５２１：表示装置、５２２：反射板、５２３：反射面、５２４：光学部材、５２５：光学部材、５２６：レンズ、５３０Ｌ：左手、５３０Ｒ：右手、５３１：カメラ、５３２：カメラ、５３３：カメラ、５４０Ｌ：左手、５４０Ｒ：右手、５４０：ユーザー、５５０Ａ：端末機、５５０Ｂ：端末機、５５０Ｃ：端末機、５５０：端末機、５５１：制御部、５５２：記憶部、５５３：開閉センサ、５５４：通信部、５５５：脳波センサ、５５６：音声出力部、５５７：マイク、５５８：通信部、５６０：視界、５６１：画像情報、５６２：画像情報、５６３：画像、５６４：オブジェクト、５６５：メニューアイコン、５７０：筐体、５７１：制御部、５７２：記憶部、５７３：通信部、５７４：通信部、５７５：表示装置、５７６：カメラ、５７７：センサ、５７８：バンド、５７９：イヤホン、５８０：コントローラ
Claims (10)
- 第１の表示装置と、第２の表示装置と、レンズと、スクリーンと、装着具と、筐体と、を有する電子機器であって、
前記装着具は、前記筐体を頭部に固定させる機能を有し、
前記筐体は、視界を遮るように閉じた第１の形態と、前方が視認できるように開いた第２の形態と、に変形する機能を有し、
前記第１の形態において、前記レンズ及び前記スクリーンを介して前記第１の表示装置に表示された第１の画像を提供する機能と、
前記第２の形態において、前記第２の表示装置から前記スクリーンに投影された第２の画像を提供する機能と、を有する、
電子機器。 - 第１の表示装置と、第２の表示装置と、レンズと、スクリーンと、装着具と、筐体と、通信部と、を有する電子機器であって、
前記装着具は、前記筐体を頭部に固定させる機能を有し、
前記筐体は、視界を遮るように閉じた第１の形態と、前方が視認できるように開いた第２の形態と、に変形する機能を有し、
前記第１の形態において、前記レンズ及び前記スクリーンを介して前記第１の表示装置に表示された第１の画像を提供する機能と、
前記第２の形態において、前記第２の表示装置から前記スクリーンに投影された第２の画像を提供する機能と、を有し、
前記通信部は、有線、または無線で、端末機と通信する機能を有し、
前記第１の表示装置に供給する第１の画像データ、及び前記第２の表示装置に供給する第２の画像データは、それぞれ前記端末機から供給される、
電子機器。 - 請求項１または請求項２において、
前記筐体は、開閉する第１の部分と、前記スクリーンに固定された第２の部分と、を有し、
前記第１の表示装置及び前記レンズは、前記第１の部分に設けられ、
前記第２の表示装置は、前記第２の部分に設けられる、
電子機器。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１の表示装置は、表示領域の面積が、前記第２の表示装置よりも大きい、
電子機器。 - 請求項１または請求項２において、
前記第２の表示装置は、精細度が前記第１の表示装置よりも高い、
電子機器。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１の表示装置及び前記第２の表示装置は、それぞれ精細度が３０００ｐｐｉ以上１００００ｐｐｉ以下である、
電子機器。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１の表示装置は、表示領域の大きさが、対角１．３インチ以上１．７インチ以下である、
電子機器。 - 請求項１または請求項２において、
一対の第１のカメラと、一対の第２のカメラと、を有し、
前記第１のカメラは、前記筐体の前方を撮像する機能を有し、
前記第２のカメラは、ユーザーの目を撮像する機能を有し、
前記第１のカメラを用いて、ジェスチャー情報を取得する機能と、
前記第２のカメラを用いて、虹彩の情報、または視線の動きの情報を取得する機能と、を有する、
電子機器。 - 請求項８において、
一対の第３のカメラを有し、
前記第３のカメラは、前記筐体の前方を撮像する機能を有し、
前記第３のカメラは、前記第１のカメラよりも画角が狭い、
電子機器。 - 請求項２に記載の電子機器と、前記端末機と、サーバと、を有し、
前記電子機器と、前記端末機とが、通信可能な状態であり、
前記端末機と、前記サーバとが、ネットワークを介して接続される、
通信システム。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017535207A (ja) * | 2014-10-24 | 2017-11-24 | イメージン コーポレイション | マイクロディスプレイベースの没入型ヘッドセット |
| JP2018189937A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-11-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の駆動方法 |
| US20190346918A1 (en) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Reconfigurable optics for switching between near-to-eye display modes |
| US11079599B1 (en) * | 2019-05-29 | 2021-08-03 | Facebook Technologies, Llc | Head-mounted display device with a flip-up display |
-
2022
- 2022-09-09 KR KR1020247012617A patent/KR20240056838A/ko unknown
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Patent Citations (4)
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