JP2022161872A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】光検出機能を有し、高精細な表示装置を提供する。【解決手段】第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有する表示装置である。第１の配列パターンでは、第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第２の配列パターンでは、第４の副画素、及び、第５の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第１の副画素乃至第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、第５の副画素は、受光デバイスを有する。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置及び電子機器に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
近年、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）、または複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器があり、近年盛んに開発されている。これらの機器に用いる表示装置には、高精細化とあわせて小型化が要求されている。
表示装置としては、例えば、発光デバイス（発光素子）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、及び、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。
例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。特許文献１の表示装置のように、高い表示品位が求められる場合、高画素数、高精細の表示装置が必要となる場合がある。
国際公開第２０１９／２２０２７８号
仮想現実（ＶＲ）、拡張現実（ＡＲ）向けの機器には、特許文献１に示すような、表示品位が高い表示装置が求められている。この場合、眼鏡型、またはゴーグル型のように、装着型の筐体において表示を行う構成となるため、表示装置の小型化及び軽量化が重要な要素となる。装着型の筐体では、例えば、表示装置のサイズを概ね２ｉｎｃｈ以下、または１ｉｎｃｈ以下などまでに小さくする必要がある。
また、仮想現実（ＶＲ）、拡張現実（ＡＲ）向けの機器では、センサを用いた多機能化も進められている。
本発明の一態様は、光検出機能を有し、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出機能を有し、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、光検出機能を有し、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有し、第１の配列パターンでは、第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第２の配列パターンでは、第４の副画素、及び、第５の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、第１の副画素乃至第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、第５の副画素は、受光デバイスを有する、表示装置である。
第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素における長手方向は、第１の方向であることが好ましい。
第４の副画素における長手方向は、第２の方向であることが好ましい。
第５の副画素は、第１の副画素乃至第５の副画素の中で開口率が最も低いことが好ましい。
第３の副画素は、赤外光を呈し、かつ、第１の副画素乃至第５の副画素の中で開口率が最も高いことが好ましい。第１の副画素と第２の副画素のうち、一方は赤色の光を呈し、他方は緑色の光を呈し、第４の副画素は、青色の光を呈し、第５の副画素は、少なくとも赤外光を検出することが好ましい。
または、第４の副画素は、赤外光を呈し、かつ、第１の副画素乃至第５の副画素の中で開口率が最も高いことが好ましい。第１の副画素と第２の副画素のうち、一方は赤色の光を呈し、他方は緑色の光を呈し、第３の副画素は、青色の光を呈し、第５の副画素は、少なくとも赤外光を検出することが好ましい。
第１の副画素は、隣接する副画素との間の距離が３μｍ以下の領域を有することが好ましく、１μｍ未満の領域を有することがより好ましい。
本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置と、処理部と、を有し、表示装置は、第５の副画素を用いて撮像を行う機能を有し、処理部は、表示装置で撮像された撮像データを用いて、使用者の瞬き、黒目の動き、及び、瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を有する、電子機器である。
本発明の一態様は、上記のいずれかの構成の表示装置を少なくとも２つと、表示装置が設けられる筐体と、筐体に設けられ、かつ、表示装置に電力を供給するバッテリと、を有し、筐体は、装着部と、一対のレンズと、を有し、一対のレンズの一方には、２つの表示装置の一方から、画像が投影され、一対のレンズの他方には、２つの表示装置の他方から、画像が投影される、電子機器である。電子機器は、さらに、筐体に設けられる処理部を有することが好ましい。表示装置は、第５の副画素を用いて撮像を行う機能を有し、処理部は、表示装置で撮像された撮像データを用いて、使用者の瞬き、黒目の動き、及び、瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を有することが好ましい。
本発明の一態様により、光検出機能を有し、高精細な表示装置を提供できる。本発明の一態様により、光検出機能を有し、高解像度の表示装置を提供できる。本発明の一態様により、光検出機能を有し、信頼性の高い表示装置を提供できる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）は、表示装置の一例を示す上面図である。図１（Ｂ）は、表示装置の一例を示す断面図である。 図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）は、画素の一例を示す図である。 図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）は、表示装置の一例を示す断面図である。 図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、表示装置の一例を示す断面図である。 図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）は、表示装置の一例を示す断面図である。 図６（Ａ）乃至図６（Ｆ）は、表示装置の一例を示す断面図である。 図７（Ａ）は、表示装置と、使用者の目の断面模式図である。図７（Ｂ）は、使用者の目とその近傍を説明する模式図である。図７（Ｃ）は、使用者の目の網膜パターンを示す模式図である。 図８（Ａ）乃至図８（Ｄ）は、表示装置の一例を示す回路図である。 図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）は、表示装置の一例を示す回路図である。 図１０は、表示装置の駆動方法例を示すタイミングチャートである。 図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、表示装置の一例を示す斜視図である。 図１２（Ａ）乃至図１２（Ｃ）は、表示装置の一例を示す断面図である。 図１３は、表示装置の一例を示す断面図である。 図１４は、表示装置の一例を示す断面図である。 図１５は、表示装置の一例を示す断面図である。 図１６は、表示装置の一例を示す断面図である。 図１７は、表示装置の一例を示す断面図である。 図１８は、表示装置の一例を示す斜視図である。 図１９（Ａ）は、表示装置の一例を示す断面図である。図１９（Ｂ）及び図１９（Ｃ）は、トランジスタの一例を示す断面図である。 図２０（Ａ）乃至図２０（Ｄ）は、表示装置の一例を示す断面図である。 図２１（Ａ）乃至図２１（Ｆ）は、発光デバイスの構成例を示す図である。 図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２３（Ａ）及び図２３（Ｂ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２４（Ａ）及び図２４（Ｂ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２５（Ａ）乃至図２５（Ｄ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）は、電子機器の一例を示す図である。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び範囲などに限定されない。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１乃至図６を用いて説明する。
本発明の一態様の表示装置は、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有する。第１の配列パターンでは、第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されている。第２の配列パターンでは、第４の副画素、及び、第５の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されている。第１の副画素乃至第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、第５の副画素は、受光デバイスを有する。
例えば、第１の副画素乃至第５の副画素の組み合わせとしては、いずれか４つの副画素が、それぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、赤外（ＩＲ）の光を呈し、残りの１つの副画素が、可視光及び赤外光の少なくとも一方を検出する構成が挙げられる。また、いずれか４つの副画素が、それぞれ、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、赤外（ＩＲ）の光を呈し、残りの１つの副画素が、可視光及び赤外光の少なくとも一方を検出する構成が挙げられる。
第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素における長手方向（長辺方向ともいう）は、第１の方向であることが好ましい。第４の副画素における長手方向は、第２の方向であることが好ましい。
例えば、第１の副画素は、赤色の光を呈し、第２の副画素は、緑色の光を呈し、第３の副画素は、赤外光を呈し、第４の副画素は青色の光を呈し、第５の副画素は、少なくとも赤外光を検出することが好ましい。または、第１の副画素は、緑色の光を呈し、第２の副画素は、赤色の光を呈し、第３の副画素は、赤外光を呈し、第４の副画素は青色の光を呈し、第５の副画素は、少なくとも赤外光を検出することが好ましい。
上記の構成の画素では、第１の副画素、第２の副画素、及び、第４の副画素を用いて、フルカラー表示を行うことができる。第１の副画素、第２の副画素、及び、第４の副画素のレイアウトは、いわゆるＳストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。
上記の構成の画素では、第３の副画素は、光源として用いることができる。第３の副画素が発する赤外光を、第５の副画素が検出できることが好ましい。また、第５の副画素は、赤外光と可視光の双方を検出できてもよい。
第３の副画素は、第１の副画素乃至第５の副画素の中で開口率が最も高いことが好ましい。これにより、第５の副画素における検出精度を高めることができる。
または、第１の副画素は、赤色の光を呈し、第２の副画素は、緑色の光を呈し、第３の副画素は、青色の光を呈し、第４の副画素は赤外光を呈し、第５の副画素は、少なくとも赤外光を検出することが好ましい。または、第１の副画素は、緑色の光を呈し、第２の副画素は、赤色の光を呈し、第３の副画素は、青色の光を呈し、第４の副画素は赤外光を呈し、第５の副画素は、少なくとも赤外光を検出することが好ましい。
上記の構成の画素では、第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素を用いて、フルカラー表示を行うことができる。第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素のレイアウトは、いわゆるストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。
上記の構成の画素では、第４の副画素は、光源として用いることができる。第４の副画素が発する赤外光を、第５の副画素が検出できることが好ましい。また、第５の副画素は、赤外光と可視光の双方を検出できてもよい。
第４の副画素は、第１の副画素乃至第５の副画素の中で開口率が最も高いことが好ましい。これにより、第５の副画素における検出精度を高めることができる。
ここで、赤外光の波長としては、７５０ｎｍ以上とすることができ、好ましくは７８０ｎｍ以上である。赤外光としては、特に７５０ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の波長の近赤外光を用いることが好ましい。
本発明の一態様の表示装置は、画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する。本発明の一態様の表示装置では、表示部が受光機能を有するため、表示部を用いて撮像を行うことができる。例えば、表示部では、画像を表示しながら、撮像を行うことができる。また、画素では、一部の副画素で、光源としての光を呈し、残りの副画素で画像を表示することもできる。
本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されている。
例えば、本発明の一態様の表示装置を有する電子機器は、処理部において、表示装置で撮像された撮像データを用いて、使用者の瞬き、黒目の動き、および瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を有することができる。
本発明の一態様の表示装置は、受光デバイスを用いて、目の周辺、目の表面、または目の内部（例えば眼底）の撮像を行うことができる。例えば、赤外光を検出する受光デバイスを用いて、瞬き・瞼の動き、黒目の動きのいずれか一または複数を検出することができる。また、可視光を検出する受光デバイスは、例えば、眼底診断、及び、眼精疲労の検出の一方または双方に用いることができる。可視光と赤外光の一方または双方を用いてヘモグロビン量を検出することができ、可視光と赤外光の双方を用いることで検出精度を高められる場合がある。なお、これらの機能については、実施の形態２で詳述する。
または、例えば、本発明の一態様の表示装置を有する電子機器は、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。
さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。
本発明の一態様の表示装置では、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。
本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを用いて、画像を表示する機能を有する。つまり、発光デバイスは、表示デバイス（表示素子ともいう）として機能する。
発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質（発光材料とも記す）としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、及び、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）が挙げられる。なお、ＴＡＤＦ材料としては、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での効率低下を抑制することができる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。また、発光デバイスが有する発光物質として、無機化合物（量子ドット材料など）を用いることもできる。
本発明の一態様の表示装置は、受光デバイスを用いて、光を検出する機能を有する。
受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。
特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。
本発明の一態様では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。
有機フォトダイオードは、有機ＥＬデバイスと共通の構成にできる層が多いため、共通の構成にできる層は一括で成膜することで、成膜工程数の増加を抑制することができる。
例えば、一対の電極のうち一方（共通電極）を、受光デバイス及び発光デバイスで共通の層とすることができる。また、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の少なくとも１つを、受光デバイス及び発光デバイスで共通の層とすることが好ましい。
なお、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称する。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。
発光層の発光色がそれぞれ異なる複数の有機ＥＬデバイスを有する表示装置を作製する場合、発光色が異なる発光層をそれぞれ島状に形成する必要がある。
例えば、メタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いた真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。
本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の画素電極（下部電極ともいえる）を形成し、第１の色の光を発する発光層を含む第１の層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を一面に形成した後、第１の層上に第１の犠牲層を形成する。そして、第１の犠牲層上に第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて、第１の層と第１の犠牲層を加工することで、島状の第１の層を形成する。続いて、第１の層と同様に、第２の色の光を発する発光層を含む第２の層（ＥＬ層、またはＥＬ層の一部、ということができる）を、第２の犠牲層及び第２のレジストマスクを用いて、島状に形成する。
このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、ＥＬ層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。また、ＥＬ層上に犠牲層（マスク層と呼称してもよい）を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
例えばペンタイル方式のような特殊な画素配列方式を適用し、疑似的に精細度を高める必要が無く、１つの画素に３つ以上の副画素を用いた配列方法であっても、極めて高精細な表示装置を実現できる。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの副画素を、ストライプ配列、または、Ｓストライプ配列として、高い精細度の表示装置を実現できる。
隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。
また、ＥＬ層自体のパターン（加工サイズともいえる）についても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、ＥＬ層の中央と端で厚さのばらつきが生じるため、ＥＬ層の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工することでＥＬ層を形成するため、ＥＬ層内で厚さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。
ここで、第１の層及び第２の層は、それぞれ、少なくとも発光層を含み、好ましくは複数の層からなる。具体的には、発光層上に１層以上の層を有することが好ましい。発光層と犠牲層との間に他の層を有することで、表示装置の作製工程中に発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
なお、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成する全ての層を作り分ける必要はなく、一部の層は同一工程で成膜することができる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、ＥＬ層を構成する一部の層を色ごとに島状に形成した後、犠牲層を除去し、ＥＬ層を構成する残りの層と、共通電極（上部電極ともいえる）と、を各色の発光デバイスに共通して形成する。
受光デバイスについても、発光デバイスと同様の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層（光電変換層ともいう）は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に、本発明の一態様の表示装置を示す。
図１（Ａ）に表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。１つの画素１１０は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓの、５つの副画素から構成される。
図１（Ａ）では、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。画素１１０は、１行目に、副画素１１０Ｒを有し、２行目に、副画素１１０Ｇを有し、この２行にわたって副画素１１０Ｂを有する。また、３行目に、２つの副画素（副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０ＩＲ）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０Ｓ）を有する。
図１（Ａ）に示す表示部では、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、Ｘ方向に繰り返し配置されているということもできる。第１の配列パターンでは、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０ＩＲが、Ｙ方向に繰り返し配置されており、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０ＩＲにおける長手方向は、Ｘ方向であり、第２の配列パターンでは、副画素１１０Ｂ、１１０Ｓが、Ｙ方向に繰り返し配置されており、副画素１１０Ｂにおける長手方向は、Ｙ方向であり、副画素１１０Ｓは、５つの副画素の中で開口率が最も低い。
副画素１１０Ｒは、赤色の光を呈する。副画素１１０Ｇは、緑色の光を呈する。副画素１１０Ｂは、青色の光を呈する。副画素１１０ＩＲは、赤外光を呈する。副画素１１０Ｓは、少なくとも赤外光を検出する。副画素１１０Ｓは、赤外光と可視光の双方を検出できてもよい。
画素は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを用いて、フルカラー表示を行うことができる。副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂのレイアウトは、いわゆるＳストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。
副画素１１０ＩＲは、光源として用いることができ、副画素１１０ＩＲが発する赤外光を、副画素１１０Ｓが検出できる。
副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲは、それぞれ、発光デバイスを有し、副画素１１０Ｓは、受光デバイスを有する。
図１（Ａ）では、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲの開口率（サイズ、発光領域のサイズともいえる）を等しくまたは概略等しく示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。
図１（Ａ）では、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓのうち、副画素１１０Ｓの開口率が最も低い例を示す。副画素１１０Ｓの受光面積が狭いと、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び、解像度の向上が可能となる。そのため、高精細または高解像度の撮像を行うことができ、好ましい。なお、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。
図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）に、画素１１０の他の構成例を示す。
図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）に示す画素１１０は、それぞれ、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓの、５つの副画素から構成される。
図２（Ａ）では、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。画素１１０は、１行目に、副画素１１０Ｇを有し、２行目に、副画素１１０Ｒを有し、この２行にわたって副画素１１０Ｂを有する。また、３行目に、２つの副画素（副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０ＩＲ）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０Ｓ）を有する。
図２（Ｂ）では、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。画素１１０は、１行目に、副画素１１０Ｇを有し、２行目に、副画素１１０Ｒを有し、３行目に、副画素１１０ＩＲを有する。副画素１１０Ｂは、１行目から２行目にかかって設けられ、副画素１１０Ｓは２行目から３行目にかかって設けられている。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０ＩＲ）を有し、右の列（２列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０Ｓ）を有する。
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す画素１１０を有する表示部では、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、Ｘ方向に繰り返し配置されているということもできる。第１の配列パターンでは、副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０ＩＲが、Ｙ方向に繰り返し配置されており、副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０ＩＲにおける長手方向は、Ｘ方向であり、第２の配列パターンでは、副画素１１０Ｂ、１１０Ｓが、Ｙ方向に繰り返し配置されており、副画素１１０Ｂにおける長手方向は、Ｙ方向である。
副画素１１０Ｒは、赤色の光を呈する。副画素１１０Ｇは、緑色の光を呈する。副画素１１０Ｂは、青色の光を呈する。副画素１１０ＩＲは、赤外光を呈する。副画素１１０Ｓは、少なくとも赤外光を検出する。副画素１１０Ｓは、赤外光と可視光の双方を検出できてもよい。
画素は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを用いて、フルカラー表示を行うことができる。副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂのレイアウトは、いわゆるＳストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。
副画素１１０ＩＲは、光源として用いることができ、副画素１１０ＩＲが発する赤外光を、副画素１１０Ｓが検出できる。
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す画素１１０は、副画素１１０Ｂの開口率と副画素１１０Ｓの開口率とが等しいまたは概略等しい。また、図２（Ａ）では、副画素１１０Ｇ、１１０Ｒに比べて、副画素１１０ＩＲの開口率が高い。図２（Ａ）に示す画素１１０では、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓのうち、副画素１１０ＩＲの開口率が最も高い。一方、図２（Ｂ）では、副画素１１０Ｇ、１１０Ｒ、１１０ＩＲの開口率が等しいまたは概略等しい例を示す。
図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）では、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。画素１１０は、１行目に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ）を有し、２行目に、２つの副画素（副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の列（２列目）に、副画素１１０Ｇを有し、左の列から中央の列にわたって副画素１１０ＩＲを有する。また、右の列（３列目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｂ、１１０Ｓ）を有する。
図２（Ｃ）または図２（Ｄ）に示す画素１１０を有する表示部では、第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、Ｙ方向に繰り返し配置されているということもできる。第１の配列パターンでは、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂが、Ｘ方向に繰り返し配置されており、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂにおける長手方向は、Ｙ方向であり、第２の配列パターンでは、副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓが、Ｘ方向に繰り返し配置されており、副画素１１０ＩＲにおける長手方向は、Ｘ方向である。
副画素１１０Ｒは、赤色の光を呈する。副画素１１０Ｇは、緑色の光を呈する。副画素１１０Ｂは、青色の光を呈する。副画素１１０ＩＲは、赤外光を呈する。副画素１１０Ｓは、少なくとも赤外光を検出する。副画素１１０Ｓは、赤外光と可視光の双方を検出できてもよい。
画素は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを用いて、フルカラー表示を行うことができる。図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）に示す画素１１０において、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂのレイアウトは、いわゆるストライプ配列となっている。これにより、高い表示品位を実現することができる。
副画素１１０ＩＲは、光源として用いることができ、副画素１１０ＩＲが発する赤外光を、副画素１１０Ｓが検出できる。
図２（Ｃ）に示す画素１１０は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲの開口率がいずれも等しいまたは概略等しい。また、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓのうち、副画素１１０Ｓの開口率が最も低い。なお、図２（Ｂ）に示す副画素１１０Ｂ、１１０Ｓのように、図２（Ｃ）における副画素１１０ＩＲ、１１０Ｓの開口率を等しくまたは概略等しくしてもよい。
図２（Ｄ）に示す画素１１０は、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｓの開口率がいずれも等しいまたは概略等しい。また、副画素１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０ＩＲ、１１０Ｓのうち、副画素１１０ＩＲの開口率が最も高い。
図１（Ａ）では、上面視で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状などとすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。
図１（Ｂ）に、図１（Ａ）における一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間、Ｘ３－Ｘ４間、及びＹ１－Ｙ２間の断面図を示す。また、変形例として、図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）、図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）には、図１（Ａ）における一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間及びＹ１－Ｙ２間の断面図を示す。
図１（Ｂ）に示すように、表示装置１００は、トランジスタを含む層１０１上に、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０ＩＲ、受光デバイス１５０が設けられ、これら発光デバイスと受光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う２つのデバイス（発光デバイスと受光デバイス、２つの発光デバイス、または２つの受光デバイス）の間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。
本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。
トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタを含む層１０１は、隣り合う２つのデバイスの間に凹部を有していてもよい。例えば、トランジスタを含む層１０１の最表面に位置する絶縁層に凹部が設けられていてもよい。トランジスタを含む層１０１の構成例は、実施の形態４で後述する。
発光デバイス１３０Ｒは、赤色（Ｒ）の光を発する。発光デバイス１３０Ｇは、緑色（Ｇ）の光を発する。発光デバイス１３０Ｂは、青色（Ｂ）の光を発する。発光デバイス１３０ＩＲは、赤外光（ＩＲ）を発する。
発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。
発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。
発光デバイス１３０Ｒは、トランジスタを含む層１０１上の導電層１１１ａと、導電層１１１ａ上の島状の第１の層１１３ａと、島状の第１の層１１３ａ上の第６の層１１４と、第６の層１１４上の共通電極１１５と、を有する。導電層１１１ａは、画素電極として機能する。発光デバイス１３０Ｒにおいて、第１の層１１３ａと第６の層１１４とをまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。発光デバイスの構成例については、実施の形態５の記載を参照することができる。
第１の層１１３ａは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を有する。または、第１の層１１３ａは、例えば、第１の発光ユニット、電荷発生層、及び第２の発光ユニットを有する。
第６の層１１４は、例えば、電子注入層を有する。または、第６の層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよい。
発光デバイス１３０Ｇは、トランジスタを含む層１０１上の導電層１１１ｂと、導電層１１１ｂ上の島状の第２の層１１３ｂと、島状の第２の層１１３ｂ上の第６の層１１４と、第６の層１１４上の共通電極１１５と、を有する。導電層１１１ｂは、画素電極として機能する。発光デバイス１３０Ｇにおいて、第２の層１１３ｂと第６の層１１４とをまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
発光デバイス１３０ＩＲは、トランジスタを含む層１０１上の導電層１１１ｃと、導電層１１１ｃ上の島状の第３の層１１３ｃと、島状の第３の層１１３ｃ上の第６の層１１４と、第６の層１１４上の共通電極１１５と、を有する。導電層１１１ｃは、画素電極として機能する。発光デバイス１３０ＩＲにおいて、第３の層１１３ｃと第６の層１１４とをまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
発光デバイス１３０Ｂは、トランジスタを含む層１０１上の導電層１１１ｄと、導電層１１１ｄ上の島状の第４の層１１３ｄと、島状の第４の層１１３ｄ上の第６の層１１４と、第６の層１１４上の共通電極１１５と、を有する。導電層１１１ｄは、画素電極として機能する。発光デバイス１３０Ｂにおいて、第４の層１１３ｄと第６の層１１４とをまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。
受光デバイスは、一対の電極間に活性層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。
受光デバイスは、赤外光及び可視光の一方または双方を検出する構成とすることができる。可視光を検出する構成としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、及び、赤色などの光のうち一つまたは複数を検出する構成が挙げられる。
受光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。または、画素電極が陰極として機能し、共通電極が陽極として機能してもよい。
受光デバイス１５０は、トランジスタを含む層１０１上の導電層１１１ｅと、導電層１１１ｅ上の島状の第５の層１１３ｅと、島状の第５の層１１３ｅ上の第６の層１１４と、第６の層１１４上の共通電極１１５と、を有する。導電層１１１ｅは、画素電極として機能する。
第５の層１１３ｅは、少なくとも活性層を有する。第５の層１１３ｅは、さらに、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、及び、電子輸送層のうち一つまたは複数の層を有することができる。
第６の層１１４は、発光デバイスと受光デバイスが共通で有する層である。第６の層１１４は、上述の通り、例えば、電子注入層を有する。または、第６の層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよい。
共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される。なお、図１（Ｂ）では、導電層１２３上に第６の層１１４が設けられ、第６の層１１４を介して、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続されている例を示す。接続部１４０には第６の層１１４を設けなくてもよい。例えば、図３（Ｃ）では、導電層１２３上に第６の層１１４が設けられていなく、導電層１２３と共通電極１１５とが直接、接続されている例を示す。
例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、第６の層１１４と、共通電極１１５とで成膜される領域を変えることができる。
導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｅ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅのそれぞれの側面は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７によって覆われている。これにより、第６の層１１４（または共通電極１１５）が、導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｅ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅのいずれかの側面と接することを抑制し、発光デバイス及び受光デバイスのショートを抑制することができる。これにより、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。
絶縁層１２５は、少なくとも導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｅの側面を覆うことが好ましい。さらに、絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの側面を覆うことが好ましい。絶縁層１２５は、導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｅ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅのそれぞれの側面と接する構成とすることができる。
絶縁層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｅ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅのそれぞれの側面と重なる構成（側面を覆う構成ともいえる）とすることができる。
絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えば共通電極）の被形成面の凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、共通電極の被覆性を高めることができ、共通電極の段切れを防止することができる。
また、絶縁層１２５または絶縁層１２７は、島状の層と接するように設けることができる。これにより、島状の層の膜剥がれを防止することができる。絶縁層と島状の層とが密着することで、隣り合う島状の層が、絶縁層によって固定される、または、接着される効果を奏する。
絶縁層１２７には有機樹脂膜が好適である。ＥＬ層の側面と、感光性の有機樹脂膜とが、直接接する場合、感光性の有機樹脂膜に含まれうる有機溶媒などがＥＬ層にダメージを与える可能性がある。絶縁層１２５に、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜を用いることで、絶縁層１２７に用いる感光性の有機樹脂膜と、ＥＬ層の側面とが直接接しない構成とすることができる。これにより、ＥＬ層が有機溶媒により溶解することなどを抑制することができる。
なお、絶縁層１２５及び絶縁層１２７のいずれか一方を設けなくてもよい。例えば、無機材料を用いた単層構造の絶縁層１２５を形成することで、絶縁層１２５をＥＬ層の保護絶縁層として用いることができる。これにより、表示装置の信頼性を高めることができる。また、例えば、有機材料を用いた単層構造の絶縁層１２７を形成することで、隣り合うＥＬ層の間を絶縁層１２７で充填し、平坦化することができる。これにより、ＥＬ層及び絶縁層１２７上に形成する共通電極（上部電極）の被覆性を高めることができる。
図３（Ａ）には、絶縁層１２５を設けない場合の例を示す。絶縁層１２５を設けない場合、絶縁層１２７は、導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｅ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅのそれぞれの側面と接する構成とすることができる。絶縁層１２７は、各発光デバイスが有するＥＬ層の間を充填するように設けることができる。
このとき、絶縁層１２７には、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅに与えるダメージの少ない有機材料を用いることが好ましい。例えば、絶縁層１２７には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いることが好ましい。
また、図３（Ｂ）には、絶縁層１２７を設けない場合の例を示す。
第６の層１１４及び共通電極１１５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、第５の層１１３ｅ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極及びＥＬ層が設けられる領域と、画素電極及びＥＬ層が設けられない領域（発光デバイス間の領域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させることができ、第６の層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制することができる。または、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。
第６の層１１４及び共通電極１１５の形成面の平坦性を向上させるために、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面の高さは、それぞれ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの少なくとも一つの上面の高さと一致または概略一致することが好ましい。また、絶縁層１２７の上面は平坦な形状を有することが好ましく、凸部、凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。
絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの側面と接する領域を有し、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの保護絶縁層として機能する。絶縁層１２５を設けることで、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの側面から内部へ不純物（酸素及び水分等）が侵入することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。
断面視において第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの側面と接する領域における絶縁層１２５の幅（厚さ）が大きいと、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの間隔が大きくなり、開口率が低くなってしまう場合がある。また、絶縁層１２５の幅（厚さ）が小さいと、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの側面から内部へ不純物が侵入することを抑制する効果が小さくなってしまう場合がある。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅの側面と接する領域における絶縁層１２５の幅（厚さ）は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらには３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、さらには５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、さらには１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。絶縁層１２５の幅（厚さ）を前述の範囲とすることで、高い開口率を有し、かつ信頼性の高い表示装置とすることができる。
絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。
なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
絶縁層１２５の形成方法としては、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、及び、ＡＬＤ法などが挙げられる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。
絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の凹部を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５の形成面の平坦性を向上させる効果を奏する。絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
絶縁層１２７の上面の高さと、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅのいずれかの上面の高さとの差が、例えば、絶縁層１２７の厚さの０．５倍以下が好ましく、０．３倍以下がより好ましい。また例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第４の層１１３ｄ、及び、第５の層１１３ｅのいずれかの上面が絶縁層１２７の上面よりも高くなるように、絶縁層１２７を設けてもよい。また、例えば、絶縁層１２７の上面が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、または、第４の層１１３ｄが有する発光層の上面よりも高くなるように、絶縁層１２７を設けてもよい。
発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０ＩＲ、及び、受光デバイス１５０上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。
保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。
保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止することができ、また、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０ＩＲ、及び、受光デバイス１５０に不純物（水分及び酸素など）が入り込むことを抑制することができる。したがって、発光デバイス及び受光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。
保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。
保護層１３１は、それぞれ、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。
また、保護層１３１には、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ａｌ－Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）などを含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。
発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。
保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造などを用いることができる。当該積層構造を用いることで、不純物（水及び酸素など）がＥＬ層側に入り込むことを抑制できる。
さらに、保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。
導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｅのそれぞれの上面端部は、絶縁層によって覆われていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。
なお、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｃのそれぞれの端部は、絶縁層１２１によって覆われていてもよい。
絶縁層１２１は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の一方または双方を用いた、単層構造または積層構造とすることができる。
絶縁層１２１に用いることができる有機絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリシロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、及びフェノール樹脂等が挙げられる。また、絶縁層１２１に用いることができる無機絶縁膜としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。
画素電極の端部を覆う絶縁層１２１として、無機絶縁膜を用いると、有機絶縁膜を用いる場合に比べて、発光デバイスに不純物が入りにくく、発光デバイスの信頼性を高めることができる。画素電極の端部を覆う絶縁層１２１として、有機絶縁膜を用いると、無機絶縁膜を用いる場合に比べて、段差被覆性が高く、画素電極の形状の影響を受けにくい。そのため、発光デバイスのショートを防止できる。具体的には、絶縁層１２１として、有機絶縁膜を用いると、絶縁層１２１の形状をテーパー形状などに加工することができる。なお、本明細書等において、テーパー形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面または被形成面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面または被形成面とがなす角（テーパー角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。
なお、絶縁層１２１は、設けなくてもよい。絶縁層１２１を設けないことで、副画素の開口率を高められることがある。または、副画素間の距離を狭くすることができ、表示装置の精細度または解像度を高められることがある。
なお、図４（Ａ）では、第６の層１１４が第１の層１１３ａと第２の層１１３ｂの間の領域などに入り込んでいる例を示すが、図４（Ｂ）に示すように、当該領域に、空隙１３４が形成されてもよい。
空隙１３４は、例えば、空気、窒素、酸素、二酸化炭素、及び第１８族元素（代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、及び、クリプトン等）の中から選ばれるいずれか一または複数を有する。または、空隙１３４に樹脂などが埋め込まれていてもよい。
また、図１（Ａ）等では、導電層１１１ａの端部と第１の層１１３ａの端部が揃っている、または概略揃っている例を示す。言い換えると、導電層１１１ａと第１の層１１３ａの上面形状が一致または概略一致している。
導電層１１１ａと第１の層１１３ａ、導電層１１１ｂと第２の層１１３ｂ、及び、導電層１１１ｃと第３の層１１３ｃ等において、形状の大小関係は特に限定されない。図５（Ａ）では、導電層１１１ａの端部よりも第１の層１１３ａの端部が内側に位置する例を示す。図５（Ａ）において、導電層１１１ａ上に第１の層１１３ａの端部が位置している。また、図５（Ｂ）では、導電層１１１ａの端部よりも第１の層１１３ａの端部が外側に位置する例を示す。図５（Ｂ）において、第１の層１１３ａは、導電層１１１ａの端部を覆うように設けられている。
なお、端部が揃っている、または概略揃っている場合、及び、上面形状が一致または概略一致している場合、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、または、上面形状が概略一致している、という。
また、図５（Ｃ）に、絶縁層１２７の変形例を示す。図５（Ｃ）において、絶縁層１２７の上面は、断面視において、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状、つまり凸曲面を有し、かつ、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する。
図６（Ａ）乃至図６（Ｆ）に、絶縁層１２７とその周辺を含む領域１３９の断面構造を示す。
図６（Ａ）では、第１の層１１３ａと第２の層１１３ｂの厚さが互いに異なる例を示す。絶縁層１２５の上面の高さは、第１の層１１３ａ側では第１の層１１３ａの上面の高さと一致または概略一致しており、第２の層１１３ｂ側では第２の層１１３ｂの上面の高さと一致または概略一致している。そして、絶縁層１２７の上面は、第１の層１１３ａ側が高く、第２の層１１３ｂ側が低い、なだらかな傾斜を有している。このように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の高さは、隣接するＥＬ層の上面の高さと揃っていることが好ましい。または、絶縁層１２５の上面及び絶縁層１２７の上面は、それぞれ、隣接するＥＬ層のいずれかの上面と高さが揃っている平坦部を有していてもよい。
図６（Ｂ）において、絶縁層１２７の上面は、第１の層１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも高い領域を有する。図６（Ｂ）に示すように、絶縁層１２７の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
図６（Ｃ）において、絶縁層１２７の上面は、断面視において、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状、つまり凸曲面を有し、かつ、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する。絶縁層１２７は、第１の層１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面より高い領域を有する。また、領域１３９において、表示装置は、犠牲層１１８ａ及び犠牲層１１９ａの少なくとも一方を有し、絶縁層１２７が第１の層１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面より高く、且つ絶縁層１２５よりも外側に位置する第１の領域を有し、第１の領域は犠牲層１１８ａ及び犠牲層１１９ａの少なくとも一方の上に位置する。また、領域１３９において、表示装置は、犠牲層１１８ｂ及び犠牲層１１９ｂの少なくとも一方を有し、絶縁層１２７が第１の層１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面より高く、且つ絶縁層１２５よりも外側に位置する第２の領域を有し、第２の領域は犠牲層１１８ｂ及び犠牲層１１９ｂの少なくとも一方の上に位置する。
図６（Ｄ）において、絶縁層１２７の上面は、第１の層１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも低い領域を有する。また、絶縁層１２７の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する。
図６（Ｅ）において、絶縁層１２５の上面は、第１の層１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも高い領域を有する。すなわち、第６の層１１４の被形成面において、絶縁層１２５が突出し、凸部を形成している。
絶縁層１２５の形成において、例えば、犠牲層の高さと揃うまたは概略揃うように絶縁層１２５を形成する場合には、図６（Ｅ）に示すように、絶縁層１２５が突出する形状が形成される場合がある。
図６（Ｆ）において、絶縁層１２５の上面は、第１の層１１３ａの上面及び第２の層１１３ｂの上面よりも低い領域を有する。すなわち、第６の層１１４の被形成面において、絶縁層１２５が凹部を形成している。
このように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は様々な形状を適用することができる。
犠牲層としては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、及び無機絶縁膜などの無機膜を一種または複数種、用いることができる。
犠牲層には、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、並びに、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
また、犠牲層には、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物などの金属酸化物を用いることができる。犠牲層として、例えば、スパッタリング法を用いて、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜を形成することができる。さらに、酸化インジウム、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ酸化物）、及び、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。
なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。
また、犠牲層としては、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べてＥＬ層との密着性が高く好ましい。例えば、犠牲層には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、及び、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることができる。犠牲層として、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層など）へのダメージを低減できるため好ましい。犠牲層として、例えば、スパッタリング法を用いて、窒化シリコン膜を形成することができる。
例えば、犠牲層として、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）と、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜と、の積層構造を適用することができる。または、犠牲層として、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）と、スパッタリング法を用いて形成したアルミニウム膜、タングステン膜、または無機絶縁膜（例えば、窒化シリコン膜）と、の積層構造を適用することができる。
本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ Ｂｙ Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上、信頼性の向上を図ることが容易となる。
また、本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置を実現することができる。
また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。２つの発光層を用いて白色発光を得る場合、２つの発光層の発光色が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、３つ以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３つ以上の発光層の発光色が合わさることで、発光デバイス全体として白色発光する構成とすればよい。
タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。
また、上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。
本実施の形態の表示装置は、発光デバイス間の距離を狭くすることができる。具体的には、発光デバイス間の距離、ＥＬ層間の距離、または画素電極間の距離を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、９０ｎｍ以下、７０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、３０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１５ｎｍ以下、または１０ｎｍ以下とすることができる。別言すると、第１の層１１３ａの側面と第２の層１１３ｂの側面との間隔、または第２の層１１３ｂの側面と第３の層１１３ｃの側面との間隔が１μｍ以下の領域を有し、好ましくは０．５μｍ（５００ｎｍ）以下の領域を有し、さらに好ましくは１００ｎｍ以下の領域を有する。
なお、発光デバイスと受光デバイスとの間の距離も上記の範囲とすることができる。また、発光デバイスと受光デバイスとの間のリークを抑制するため、発光デバイス間の距離よりも、発光デバイスと受光デバイスとの間の距離を広くすることが好ましい。例えば、発光デバイスと受光デバイスとの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、または３μｍ以下とすることができる。
基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層、及び、カラーフィルタの一方または双方を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。
基板１２０には、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高め、フレキシブルディスプレイを実現することができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。
基板１２０としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。
樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
次に、発光デバイス及び受光デバイスに用いることができる材料について説明する。
画素電極と共通電極のうち、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
発光デバイス及び受光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｉ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。
発光デバイス及び受光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイス及び受光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。受光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、活性層が受けた光を両電極間で共振させ、当該光を強め、受光デバイスの検出精度を高めることができる。
なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。
透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０－２Ωｃｍ以下が好ましい。また、これらの電極の近赤外光（波長７５０ｎｍ以上１３００ｎｍ以下の光）の透過率または反射率は、可視光の透過率または反射率と同様に、上記の数値範囲を満たすことが好ましい。
第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、第４の層１１３ｄは、それぞれ、発光層を有する。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、第４の層１１３ｄは、それぞれ、異なる色の光を発する発光層を有することが好ましい。
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。
発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料、量子ドット材料などが挙げられる。
蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。
燐光材料としては、例えば、４Ｈ－トリアゾール骨格、１Ｈ－トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。
発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。
発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。
第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、第４の層１１３ｄは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料とも記す）、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料とも記す）、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質、バイポーラ性材料とも記す）等を含む層をさらに有していてもよい。
発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、第４の層１１３ｄは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有していてもよい。また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、第４の層１１３ｄは、それぞれ、電荷発生層（中間層ともいう）を有していてもよい。
第６の層１１４は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有することができる。例えば、導電層１１１ａ乃至導電層１１１ｄが陽極として機能し、共通電極１１５が陰極として機能する場合、第６の層１１４は、電子注入層を有することが好ましい。
正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。
発光デバイスにおいて、正孔輸送層は、正孔注入層によって陽極から注入された正孔を、発光層に輸送する層である。受光デバイスにおいて、正孔輸送層は、活性層において入射した光に基づき発生した正孔を陽極に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い物質が好ましい。
発光デバイスにおいて、電子輸送層は、電子注入層によって陰極から注入された電子を、発光層に輸送する層である。受光デバイスにおいて、電子輸送層は、活性層において入射した光に基づき発生した電子を陰極に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他、含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い物質を用いることができる。
電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い物質としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。
電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、８－（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２－（２－ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２－（２－ピリジル）－３－ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４－フェニル－２－（２－ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成とすることができる。
または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。
なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）が、－３．６ｅＶ以上－２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
例えば、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３－ａ：２’，３’－ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６－トリス［３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
電荷発生層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、電荷発生層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、電荷発生層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する電荷発生層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
第５の層１１３ｅは、活性層を有する。
活性層は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。
活性層が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ６０、Ｃ７０等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレンは、サッカーボールのような形状を有し、当該形状はエネルギー的に安定である。フラーレンは、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位の双方が深い（低い）。フラーレンは、ＬＵＭＯ準位が深いため、電子受容性（アクセプター性）が極めて高い。通常、ベンゼンのように、平面にπ電子共役（共鳴）が広がると、電子供与性（ドナー性）が高くなるが、フラーレンは球体形状であるため、π電子が大きく広がっているにも関わらず、電子受容性が高くなる。電子受容性が高いと、電荷分離を高速に効率よく起こすため、受光デバイスとして有益である。Ｃ６０、Ｃ７０ともに可視光領域に広い吸収帯を有しており、特にＣ７０はＣ６０に比べてπ電子共役系が大きく、長波長領域にも広い吸収帯を有するため好ましい。そのほか、フラーレン誘導体としては、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ－Ｃ７１－ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ７０ＢＭ）、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ－Ｃ６１－ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ６０ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’－Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ－ｄｉ［１，４］ｍｅｔｈａｎｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ－Ｃ６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。
また、ｎ型半導体の材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、キノン誘導体等が挙げられる。
活性層が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ） ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、キナクリドン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。
また、ｐ型半導体の材料としては、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。
電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。
例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体と共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。
第５の層１１３ｅは、活性層以外の層として、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。また、第５の層１１３ｅは、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び第４の層１１３ｄに用いることができる各種機能層を有していてもよい。
受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
例えば、正孔輸送性材料または電子ブロック材料として、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料または正孔ブロック材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物、ポリエチレンイミンエトキシレート（ＰＥＩＥ）などの有機化合物を用いることができる。受光デバイスは、例えば、ＰＥＩＥとＺｎＯとの混合膜を有していてもよい。
また、活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８－ｂｉｓ［５－（２－ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）－２－ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２－ｂ：４，５－ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ－２，６－ｄｉｙｌ］－２，５－ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７－ｂｉｓ（２－ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）－４，８－ｄｉｏｘｏ－４Ｈ，８Ｈ－ｂｅｎｚｏ［１，２－ｃ：４，５－ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ－１，３－ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ－Ｔ）、または、ＰＢＤＢ－Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ－ＴまたはＰＢＤＢ－Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。
また、活性層には３種類以上の材料を混合させてもよい。例えば、吸収波長域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を混合してもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法がある。
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
以上のように、本実施の形態の表示装置は、画素に、画像表示に用いる発光デバイスを有する副画素と、光源に用いる発光デバイスを有する副画素と、撮像に用いる受光デバイスを有する副画素と、を有する。これにより、電子機器の多機能化を図ることができる。
また、本実施の形態の表示装置では、島状のＥＬ層は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状のＥＬ層を均一の厚さで形成することができる。また、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、受光デバイスを内蔵した、光検出機能を有する、高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。
各色の発光デバイスを構成する第１の層、第２の層、第３の層、及び第４の層はそれぞれ別の工程で形成する。したがって、各ＥＬ層を、各色の発光デバイスに適した構成（材料及び膜厚など）で作製することができる。これにより、特性の良好な発光デバイスを作製することができる。また、第５の層も、第１の層乃至第４の層とは別の工程で形成するため、発光デバイスの構成によらず、受光デバイスも、適切な構成（材料及び膜厚など）で作製することができる。これにより、特性の良好な受光デバイスを作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置と、当該表示装置を用いた本発明の一態様の電子機器について、図７を用いて説明する。
図７（Ａ）は、表示装置９８０と、使用者の目の位置関係を表す断面模式図である。表示装置９８０は、複数の発光デバイスと、複数の受光デバイスと、を有する。
表示装置９８０が有する発光デバイスからの発光９５１は、光学系９５０を介して目に照射され、目が反射した光は、受光デバイスで受光される。表示装置９８０は、目の周辺、目の表面、または目の内部（眼底など）の撮像を行うことができる。
例えば、図７（Ａ）に示す表示装置９８０は、発光デバイス及び受光デバイスを有しているため、光学系９５０を介して眼底を撮影し、網膜パターンの画像データを取得することができる。ただし、光学系９５０で焦点を調節すると、その他は撮像が困難となる。例えば、眼底に焦点を合わせた場合は、目の周辺などは焦点が合わないため撮像がほとんどできない。
本発明の一態様の表示装置は、画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する。本発明の一態様の表示装置では、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、赤外光を呈する副画素を有するため、表示装置が有する副画素を用いて、光源として赤外光を呈しながら、画像を表示することもできる。
また、本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、画像を定期的にモニタすることで対象物の動き（目、瞼、または、眼球の動き）を検出することができる。さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。
まず、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）を用いて、使用者の瞬き及び瞼の動きを検出する方法について、以下説明を行う。
＜瞬き及び瞼の動き＞
表示装置９８０から近赤外光を発光させる。この近赤外光は光学系９５０を通して、使用者の目、または使用者の目の近傍に照射される。反射された光は再度、光学系９５０を通り、表示装置９８０に入射される。これにより、対象物の状態を検出できる。
なお、図７（Ｂ）は、使用者の目、及び使用者の目の近傍を説明する模式図である。図７（Ｂ）では、使用者の眉毛９６０、使用者の瞼（上眼瞼９６６、及び下眼瞼９６７）、使用者のまつ毛９６１、使用者の瞳孔９６２、使用者の角膜９６３、及び使用者の強膜９６５を示している。表示装置９８０は、図７（Ｂ）に示す、使用者の眉毛９６０、使用者の瞼（上眼瞼９６６、及び下眼瞼９６７）、使用者のまつ毛９６１、使用者の瞳孔９６２、使用者の角膜９６３、及び使用者の強膜９６５の中から選ばれるいずれか一または複数を撮像する機能を有する。
例えば、本発明の一態様の電子機器は、表示装置９８０を用いて、図７（Ｂ）に示す使用者の目、または使用者の目の近傍の状態を検出することができる。例えば、使用者が瞼（上眼瞼９６６、及び下眼瞼９６７）を閉じている時は、近赤外光は瞼の表面、すなわち皮膚に照射される。また瞼が開いている時は、近赤外光は眼球の表面に照射される。皮膚と眼球の表面では反射率が異なるため、反射される近赤外光強度は異なる。この状態を連続的にモニタすることにより、表示装置９８０を用いて、瞬きの回数、及び、一回の瞬きにかかる時間の一方または双方を検出することができる。
ディスプレイを長時間視認する場合、瞬きの回数が減る場合がある。また、使用者に疲れが生じると、瞬きの間隔が長くなり、一回の瞬きの時間が長くなる場合がある。
本発明の一態様の電子機器においては、単位時間当たりの使用者の瞬きの回数及び一回の瞬きにかかる時間の一方または双方から、使用者の疲労度合いを推測することができる。
＜黒目の動き＞
角膜（例えば図７（Ｂ）に示す角膜９６３）と、強膜（例えば、図７（Ｂ）に示す強膜９６５）と、の境界領域に赤外光の円形スポットを当てると、眼球の動きに伴い、赤外光スポットの照射範囲において、角膜を被う領域と、強膜を被う領域と、の割合が変化する。角膜を被う領域と、強膜を被う領域と、では強膜を被う領域からの反射率の方が圧倒的に大きいため、眼球の動きに伴い、反射光量が変化する。当該変化を測定することで、使用者がどの方向を見ているか検出することが可能になる。
＜強膜反射法＞
次に、強膜反射法について、説明を行う。表示装置９８０から近赤外光を発光させる。この近赤外光は光学系９５０を通して、使用者の目に照射される。目で反射された光は再度、光学系９５０を通り、表示装置９８０に入射する。これにより、対象物の状態を検出できる。表示される映像を見ている場合、動きの速いものを見ると視線が移る。視線が移る場合は、眼球が動く。眼球が動く場合、赤外光が照射される角膜を被う領域と、強膜を被う領域と、の割合が変化するため、反射光成分をモニタし、眼球の動きを検出することが可能になる。すなわち、本発明の一態様の電子機器は、アイトラッキング機能を有する。
アイトラッキングにより使用者の視線を検出することで、使用者の注視している領域を推定することができる。そして、可変レートシェーディングにより、使用者の注視している領域以外の解像度を落とすことで、電子機器の演算量を低減し、消費電力を低減させることができる。
本発明の一態様の電子機器は、表示装置９８０に、発光デバイスと、センサデバイスとの双方を有する構成であるため、部材点数を減らすことが可能になる。
次に、図７（Ａ）及び図７（Ｃ）を用いて、使用者の目の眼底診断について、説明を行う。
＜眼底診断＞
図７（Ａ）に示すように、使用者の目は、水晶体９４２、網膜９４１、視神経９４３、硝子体９４７、脈絡膜９４８、及び角膜などで構成されている。なお、角膜と水晶体の間に瞳孔があるが、簡略化のため、角膜及び瞳孔は図示していない。毛様体は虹彩から続く組織であり、毛様体から続く組織が脈絡膜９４８である。虹彩と瞳孔はカメラの絞りのように網膜９４１に照射される光を調節している。網膜９４１の模様、いわゆる網膜パターンは基本的には生まれてから死ぬまで変化しないと言われており、網膜パターンを用いることによって個人認証などができる。表示装置９８０で得られる網膜パターンを用いて、遠隔地においても目の診断を行うことができる。
なお、光学系９５０を調整することで、眼底に焦点を合わせずに、表示装置９８０は、使用者の瞬き、黒目の動き、及び瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を有する。すなわち、本発明の一態様の電子機器は、眼精疲労を検出する機能を有する。
次に、図７（Ｃ）に、本発明の一態様の表示装置を用いた撮像により得られる右目の網膜パターンの一例を示す。網膜９４１には、視神経乳頭９４４、静脈９４５、動脈９４６、黄斑、中心窩などが観察できる。なお、図７（Ｃ）では、静脈９４５と動脈９４６の区別を容易とするため、静脈９４５を動脈９４６よりも太い実線で示している。視神経乳頭９４４は、視神経９４３と網膜９４１の境界部分を指しており、視神経乳頭９４４から静脈９４５または動脈９４６が広がるように配置されている。なお、眼底とは、眼球の後ろ側の部分を指しており、網膜９４１、硝子体９４７、脈絡膜９４８、視神経乳頭９４４といったものの総称である。なお、左目の場合、視神経乳頭９４４は網膜パターンの左側に位置し、図７（Ｃ）の右目の網膜パターンを左右反転したような網膜パターンとなる。
表示装置９８０が有する受光デバイスを用いて、眼底の網膜パターンを取得するためには瞳孔を開く必要がある。瞳孔を開いて眼底を撮像するために次の手順で表示を変える。表示装置９８０の表示画面を徐々に暗くして使用者の目を暗順応させる。１６．７ｍｓ以下の短時間の間、表示画面を明るくして撮像する。その後、表示画面を徐々に元の明るさに戻す。
また、本発明の一態様の電子機器は、表示装置９８０を用いて、使用者の目の疲労度を検出することもできる。一定期間の間、表示画面を明るくして撮像する際、使用者が瞬きをすれば目を撮影できないため、瞬きの回数、タイミング、または目を閉じている時間を検出することにより、瞬きの回数の多さ、瞬きの間隔、目を閉じている時間などからＡＩ（Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ）を利用したシステムを用いて目の疲労度を推定することもできる。
また、表示装置９８０の表示画面を暗くしている間に、使用者の目の疲労度を検出するために、複数回撮像してもよい。複数回撮像することで、網膜血管の拍動を検出し、更に使用者の安静状態または緊張状態などの判定を、ＡＩを利用したシステムを用いて行うこともできる。また、表示装置９８０によって得られる様々なデータを用いて高血圧の診断または糖尿病の診断などもＡＩを利用したシステムを用いて行うことができる。ＡＩを利用したシステムを用いる場合には、電子機器または表示装置９８０に制御回路を搭載する。制御回路には、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）またはＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を用いる。また、制御回路には、ＣＰＵとＧＰＵを一つに統合したチップであるＡＰＵ（Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を用いることもできる。また、ＡＩシステムを組み込んだＩＣ（推論チップとも呼ぶ）を用いてもよい。ＡＩシステムを組み込んだＩＣは、ニューラルネットワーク演算を行う回路（マイクロプロセッサ）と呼ぶ場合もある。
また、表示装置９８０の表示画面を暗くしている間に、注目しやすいパターンを表示装置９８０の画面に表示することで、眼球の向きを制御してもよい。
表示装置９８０と眼の表面（例えば角膜）までの距離は５ｃｍ以下が好ましく、２ｃｍ以下がより好ましい。この位置関係を実現するために焦点距離の短い光学系９５０が表示装置９８０と眼の間に配置される。
光学系９５０により画面を１０倍に拡大する場合、例えば表示装置９８０の表示画面を対角約１インチのサイズ、解像度（精細度）を約２４５０ｐｐｉとした場合では、センサ画素のピッチが約１０．４μｍとなる。網膜の静脈９４５または動脈９４６のそれぞれの血管径は約１００μｍより小さいため、当該表示装置９８０を用いて撮像することができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用可能な画素回路の構成及び駆動方法について説明する。
図８（Ａ）に示す画素回路５１Ａは、トランジスタ５２Ａ、トランジスタ５２Ｂ、及び、容量５３を有する。図８（Ａ）では、画素回路５１Ａに接続される発光デバイス６１を図示している。また、画素回路５１Ａには、配線ＳＬ、配線ＧＬ、配線ＡＮＯ、及び配線ＶＣＯＭが電気的に接続されている。
トランジスタ５２Ａは、ゲートが配線ＧＬと、ソース及びドレインの一方が配線ＳＬと、他方がトランジスタ５２Ｂのゲート、及び容量５３の一方の電極と、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ５２Ｂは、ソース及びドレインの一方が配線ＡＮＯと、他方が発光デバイス６１のアノードと、それぞれ電気的に接続されている。容量５３は、他方の電極が発光デバイス６１のアノードと電気的に接続されている。発光デバイス６１は、カソードが配線ＶＣＯＭと電気的に接続されている。
トランジスタ５２Ａは、選択トランジスタとも呼ぶことができ、画素の選択・非選択を制御するためのスイッチとして機能する。トランジスタ５２Ｂは、駆動トランジスタとも呼ぶことができ、発光デバイス６１に流れる電流を制御する機能を有する。容量５３は保持容量として機能し、トランジスタ５２Ｂのゲート電位を保持する機能を有する。容量５３は、ＭＩＭ容量などの容量素子を適用してもよいし、配線間の容量、またはトランジスタのゲート容量などであってもよい。
配線ＳＬには、ソース信号が供給される。配線ＧＬには、ゲート信号が供給される。配線ＡＮＯと配線ＶＣＯＭには、それぞれ定電位が供給される。発光デバイス６１のアノード側を高電位に、カソード側をアノード側よりも低電位にすることができる。
図８（Ｂ）に示す画素回路５１Ｂは、画素回路５１Ａに、トランジスタ５２Ｃを追加した構成である。また画素回路５１Ｂには、配線Ｖ０が電気的に接続されている。
トランジスタ５２Ｃは、ゲートが配線ＧＬと、ソース及びドレインの一方が発光デバイス６１のアノードと、他方が配線Ｖ０と、それぞれ電気的に接続されている。
配線Ｖ０は、画素回路５１Ｂにデータを書き込む際に定電位が与えられる。これにより、トランジスタ５２Ｂのゲート－ソース間電圧のばらつきを抑制することができる。
図８（Ｃ）に示す画素回路５１Ｃは、上記画素回路５１Ａのトランジスタ５２Ａ及びトランジスタ５２Ｂに、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタを適用した場合の例である。また、図８（Ｄ）に示す画素回路５１Ｄは、画素回路５１Ｂに当該トランジスタを適用した場合の例である。これにより、トランジスタが流すことのできる電流を増大させることができる。なお、ここでは全てのトランジスタに、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタを適用したが、これに限られない。また、一対のゲートを有し、且つこれらが異なる配線と電気的に接続されるトランジスタを適用してもよい。例えば、ゲートの一方とソースとが電気的に接続されたトランジスタを用いることで、信頼性を高めることができる。
図９（Ａ）に示す画素回路５１Ｅは、上記５１Ｂに、トランジスタ５２Ｄを追加した構成である。また、画素回路５１Ｅには、３本のゲート線として機能する配線（配線ＧＬ１、配線ＧＬ２、及び配線ＧＬ３）が電気的に接続されている。
トランジスタ５２Ｄは、ゲートが配線ＧＬ３と、ソース及びドレインの一方がトランジスタ５２Ｂのゲートと、他方が配線Ｖ０と、それぞれ電気的に接続されている。また、トランジスタ５２Ａのゲートが配線ＧＬ１と、トランジスタ５２Ｃのゲートが配線ＧＬ２と、それぞれ電気的に接続されている。
トランジスタ５２Ｃとトランジスタ５２Ｄを同時に導通状態とさせることで、トランジスタ５２Ｂのソースとゲートが同電位となり、トランジスタ５２Ｂを非導通状態とすることができる。これにより、発光デバイス６１に流れる電流を強制的に遮断することができる。このような画素回路は、表示期間と消灯期間を交互に設ける表示方法を用いる場合に適している。
図９（Ｂ）に示す画素回路５１Ｆは、上記画素回路５１Ｅに容量５３Ａを追加した場合の例である。容量５３Ａは保持容量として機能する。
図９（Ｃ）に示す画素回路５１Ｇ、及び図９（Ｄ）に示す画素回路５１Ｈは、それぞれ上記画素回路５１Ｅまたは画素回路５１Ｆに、一対のゲートを有するトランジスタを適用した場合の例である。トランジスタ５２Ａ、トランジスタ５２Ｃ、トランジスタ５２Ｄには、一対のゲートが電気的に接続されたトランジスタが適用され、トランジスタ５２Ｂには、一方のゲートがソースと電気的に接続されたトランジスタが適用されている。
次に、画素回路５１Ｅが適用された表示装置の駆動方法の一例について説明する。なお、画素回路５１Ｆ、５１Ｇ、５１Ｈについても、同様の駆動方法を適用できる。
図１０に、画素回路５１Ｅが適用された表示装置の駆動方法にかかるタイミングチャートを示す。ここでは、ｋ行目のゲート線である配線ＧＬ１［ｋ］、配線ＧＬ２［ｋ］及び配線ＧＬ３［ｋ］、並びにｋ＋１行目のゲート線である配線ＧＬ１［ｋ＋１］、配線ＧＬ２［ｋ＋１］、配線ＧＬ３［ｋ＋１］の電位の推移を示している。また、図１０には、ソース線として機能する配線ＳＬに与えられる信号のタイミングを示している。
ここでは、一水平期間を点灯期間と、消灯期間と、に分けて表示する駆動方法の例を示している。また、ｋ行目の水平期間と、ｋ＋１行目の水平期間とは、ゲート線の選択期間だけずれている。
ｋ行目の点灯期間において、まず配線ＧＬ１［ｋ］及び配線ＧＬ２［ｋ］にハイレベル電位が与えられ、配線ＳＬにソース信号が与えられる。これにより、トランジスタ５２Ａとトランジスタ５２Ｃが導通状態となり、配線ＳＬからトランジスタ５２Ｂのゲートにソース信号に対応する電位が書き込まれる。その後、配線ＧＬ１［ｋ］及び配線ＧＬ２［ｋ］にローレベル電位が与えられることで、トランジスタ５２Ａとトランジスタ５２Ｃが非導通状態となり、トランジスタ５２Ｂのゲート電位が保持される。
続いて、ｋ＋１行目の点灯期間に遷移し、上記と同様の動作によりデータが書き込まれる。
続いて、消灯期間について説明する。ｋ行目の消灯期間において、配線ＧＬ２［ｋ］と配線ＧＬ３［ｋ］にハイレベル電位が与えられる。これにより、トランジスタ５２Ｃとトランジスタ５２Ｄが導通状態となるため、トランジスタ５２Ｂのソースとゲートに同電位が供給されることで、トランジスタ５２Ｂにはほとんど電流が流れなくなる。これにより、発光デバイス６１が消灯する。ｋ行目に位置する全ての副画素が消灯することになる。ｋ行目の副画素は、次の点灯期間まで消灯状態が維持される。
続いて、ｋ＋１行目の消灯期間に遷移し、上記と同様にｋ＋１行目の副画素全てが消灯状態となる。
このように、一水平期間中ずっと点灯しているのではなく、一水平期間中に消灯期間を設ける駆動方法をデューティ駆動とも呼ぶことができる。デューティ駆動を用いることで、動画を表示する際の残像現象を低減することができるため、動画表示性能の高い表示装置を実現できる。特にＶＲ機器などでは、残像を低減することで、いわゆるＶＲ酔いを軽減することができる。
デューティ駆動において、一水平期間に対する点灯期間の割合を、デューティ比と呼ぶことができる。例えばデューティ比が５０％のとき、点灯期間と消灯期間が同じ長さであることを意味する。なお、デューティ比は自由に設定することが可能であり、例えば０％より高く、１００％以下の範囲で適宜調整することができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１１乃至図２０を用いて説明する。
本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。
本実施の形態の表示装置は、画素に受光デバイスを有する。そのため、受光デバイスを用いて、ウェアラブル機器の使用者の、目の周辺、目の表面、または目の内部（眼底など）の撮像を行うことができる。したがって、ウェアラブル機器は、使用者の瞬き、黒目の動き、および瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を備えることができる。
また、本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用いることができる。
本実施の形態の表示装置は、画素に受光デバイスを有する。そのため、受光デバイスを用いて、電子機器の使用者の、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得することができる。つまり、表示装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示装置が生体認証用センサを内蔵することで、表示装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。
また、受光デバイスを、タッチセンサまたは非接触センサなどに用いてもよい。
ここで、タッチセンサまたは非接触センサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。タッチセンサは、電子機器と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、非接触センサは、対象物が電子機器に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置（または電子機器）と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、電子機器に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、電子機器に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が電子機器に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、電子機器を操作することが可能となる。
なお、非接触センサ機能は、ホバーセンサ機能、ホバータッチセンサ機能、ニアタッチセンサ機能、タッチレスセンサ機能などということもできる。また、タッチセンサ機能は、ダイレクトタッチセンサ機能などということもできる。
［表示モジュール］
図１１（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。
表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
図１１（Ｂ）に、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。
画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１１（Ｂ）の右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ、赤外光を発する発光デバイス１３０ＩＲ、及び、赤外光を検出する受光デバイス１５０の、５つの素子（デバイス）を有する。
なお、画素２８４ａは、５つの副画素から構成されている。このように、多くの副画素を有する画素において、高い開口率を実現することは極めて難しい。または、多くの副画素を有する画素を用いて、精細度の高い表示装置を実現することは難しい。そこで、本発明の一態様の表示装置の作製方法において、島状のＥＬ層は、精細なパターンを有するメタルマスクを用いて形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成される。これにより、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、ＥＬ層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。さらに、受光デバイスを内蔵した、光検出機能を有する、高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。
本実施の形態の表示装置の画素において、発光デバイスまたは受光デバイスを有する副画素は、それぞれ、１辺が１μｍ以上１０μｍ以下の発光領域または受光領域を有する構成とすることができる。また、画素は、隣り合う２つの副画素の間の距離が３μｍ以下、さらには、１μｍ未満の領域を有する構成とすることができる。
画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、素子の駆動を制御する回路が５つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。
回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。
このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。
［表示装置１００Ａ］
図１２（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、１３０ＩＲ、受光デバイス１５０、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
基板３０１は、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）における基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。
トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。
また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。
導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。
容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられている。
絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａとしては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。または、絶縁層２５５ａとして、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用い、絶縁層２５５ｂとして、酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いてもよい。本実施の形態では、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられている例を示すが、絶縁層２５５ｂに凹部が設けられていなくてもよい。
絶縁層２５５ｂ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０ＩＲ、及び、受光デバイス１５０が設けられている。図１２（Ａ）では、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０ＩＲ、及び、受光デバイス１５０が図１（Ｂ）に示す積層構造と同様の構造を有する例を示す。隣り合う発光デバイスの間の領域、及び、隣り合う発光デバイスと受光デバイスとの間の領域には、絶縁物が設けられる。図１２（Ａ）などでは、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。
図１１（Ｂ）に示すように、表示装置１００Ａは、画素に、５つの素子（デバイス）を有しており、図１２（Ａ）では、そのうちの、３つの素子（デバイス）を示している。図１２（Ａ）に示していない発光デバイス１３０Ｇ、１３０Ｂについても、絶縁層２５５ｂ上に設けられる。５つの素子の構成については、図１（Ｂ）と同様であるため、説明は省略する。
発光デバイス及び受光デバイスの画素電極は、絶縁層２５５ａ、２５５ｂに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｂの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。
また、発光デバイス１３０Ｒ、１３０ＩＲ、及び、受光デバイス１５０上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図１１（Ａ）における基板２９２に相当する。
導電層１１１ａ、１１１ｃ、１１１ｅのそれぞれの上面端部は、絶縁層によって覆われていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔、及び、発光デバイスと受光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。
図１（Ｂ）等では、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが、それぞれ異なる構成の第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第４の層１１３ｄを有する例を示したが、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが有するＥＬ層は、同一の構成であってもよい。
図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂが、同一の構成を有する例である。図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）に示す発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、いずれも、画素電極と共通電極１１５との間に、第１の層１１３ａと第６の層１１４とを有する。例えば、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、白色の光を発する構成とすることができる。
図１２（Ｂ）は、保護層１３１上に着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが設けられている例である。着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂには、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。
図１２（Ｃ）は、着色層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが設けられた基板１２０が、樹脂層１２２によって、保護層１３１上に貼り合わされている例である。
図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）において、発光デバイス１３０Ｒと赤色の着色層１３２Ｒが重なっており、発光デバイス１３０Ｒの発光は、着色層１３２Ｒを介して表示装置の外部に赤色の光として取り出される。同様に、発光デバイス１３０Ｇと緑色の着色層１３２Ｇが重なっており、発光デバイス１３０Ｇの発光は、着色層１３２Ｇを介して表示装置の外部に緑色の光として取り出される。発光デバイス１３０Ｂと青色の着色層１３２Ｂが重なっており、発光デバイス１３０Ｂの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置の外部に青色の光として取り出される。
［表示装置１００Ｂ］
図１３に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。
表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイス、及び、受光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。
ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１３１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。
基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散するのを抑制することができる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。
また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。
一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。
導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。
導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ－Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。
［表示装置１００Ｃ］
図１４に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。
図１４に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。
［表示装置１００Ｄ］
図１５に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。
トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。
トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。
基板３３１は、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）における基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｂまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。
基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。
絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。
半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。
一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。
導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。
絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。
一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。
［表示装置１００Ｅ］
図１６に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。
トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを援用することができる。
なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。
［表示装置１００Ｆ］
図１７に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。
トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。
トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。
このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。
［表示装置１００Ｇ］
図１８に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図１９（Ａ）に、表示装置１００Ｇの断面図を示す。
表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図１８では、基板１５２を破線で明示している。
表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図１８では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図１８に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。
接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図１８では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。
回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ１７２を介して配線１６５に入力されるか、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。
図１８では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。
図１９（Ａ）に、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
図１９（Ａ）に示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、受光デバイス１５０、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、赤外光を発する発光デバイス１３０ＩＲ等を有する。
表示装置１００Ｇは、例えば、実施の形態１で説明した、図１（Ａ）に示す画素レイアウトを適用することができる。図１９（Ａ）では、そのうちの、３つの素子（デバイス）を示している。図１９（Ａ）に示していない発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｂについても、絶縁層２１４上に設けられる。５つの素子の構成について、図１（Ｂ）と同様である部分については、説明を省略する。
受光デバイス１５０は、導電層１１１ｅと、導電層１１１ｅ上の導電層１１２ｅと、導電層１１２ｅ上の導電層１２６ｅと、を有する。導電層１１１ｅ、１１２ｅ、１２６ｅの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。
導電層１１１ｅは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１１ｅの端部よりも外側に導電層１１２ｅの端部が位置している。導電層１１２ｅの端部と導電層１２６ｅの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１１ｅ及び導電層１１２ｅに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２６ｅに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。
発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１１ｂと、導電層１１１ｂ上の導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、を有する。
発光デバイス１３０ＩＲは、導電層１１１ｃと、導電層１１１ｃ上の導電層１１２ｃと、導電層１１２ｃ上の導電層１２６ｃと、を有する。
発光デバイス１３０Ｇにおける導電層１１１ｂ、１１２ｂ、１２６ｂ、及び、発光デバイス１３０ＩＲにおける導電層１１１ｃ、１１２ｃ、１２６ｃについては、受光デバイス１５０における導電層１１１ｅ、１１２ｅ、１２６ｅと同様であるため詳細な説明は省略する。
導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅは、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように設けられる。導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅがそれぞれ有する凹部には、層１２８が埋め込まれている。
層１２８は、導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅ及び層１２８上には、導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅと電気的に接続される導電層１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｅを設けられている。したがって、導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。
層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。
層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１２８として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、層１２８として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１２８を作製することができ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅの表面への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１２８を形成することにより、絶縁層２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１２８を形成できる場合がある。
導電層１１２ｅの上面及び側面と導電層１２６ｅの上面及び側面は、第５の層１１３ｅによって覆われている。第５の層１１３ｅは、少なくとも活性層を有する。
同様に、導電層１１２ｂの上面及び側面と導電層１２６ｂの上面及び側面は、第２の層１１３ｂによって覆われている。また、導電層１１２ｃの上面及び側面と導電層１２６ｃの上面及び側面は、第３の層１１３ｃによって覆われている。したがって、導電層１１２ｂ、１１２ｃが設けられている領域全体を、発光デバイス１３０Ｇ、１３０ＩＲの発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。
第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、第５の層１１３ｅの側面は、それぞれ、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第２の層１１３ｂと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｂが位置する。また、第３の層１１３ｃと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｃが位置し、第５の層１１３ｅと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｅが位置する。第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、第５の層１１３ｅ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、第６の層１１４が設けられ、第６の層１１４上に共通電極１１５が設けられている。第６の層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、受光デバイスと発光デバイスに共通して設けられる一続きの膜である。また、発光デバイス１３０Ｇ、１３０ＩＲ上及び受光デバイス１５０上には、保護層１３１が設けられている。
保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図１９（Ａ）では、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｅと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｅと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ｂ、１２６ｃ、１２６ｅと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の端部は、犠牲層、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層１２３上には第６の層１１４が設けられ、第６の層１１４上には共通電極１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は第６の層１１４を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、第６の層１１４が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。
表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光及び赤外光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光及び赤外光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光及び赤外光を透過する材料を含む。
基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。
基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。
トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。
絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁膜と、無機絶縁膜との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１１ｂ、導電層１１２ｂ、または導電層１２６ｂなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１１ｂ、導電層１１２ｂ、または導電層１２６ｂなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。
本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。
結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）－ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）－ＯＳ等が挙げられる。
ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース－ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。
また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０－１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０－２１Ａ）以下、または１ｙＡ（１×１０－２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０－１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０－１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度低いともいえる。
半導体層に用いる金属酸化物は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。
特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。
半導体層がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。
または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。
ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。
回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。
表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。
例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。
例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。
一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。
このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。
なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れなどが限りなく少ない表示（真黒表示ともいう）とすることができる。
図１９（Ｂ）及び図１９（Ｃ）に、トランジスタの他の構成例を示す。
トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。
図１９（Ｂ）に示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
一方、図１９（Ｃ）に示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１９（Ｃ）に示す構造を作製できる。図１９（Ｃ）では、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。
基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ｂ、１２６ｃ、１２６ｄと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。
発光デバイス及び受光デバイスを覆う保護層１３１を設けることで、発光デバイス及び受光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイス及び受光デバイスの信頼性を高めることができる。
基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。
接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。
接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
［表示装置１００Ｈ］
図２０（Ａ）に示す表示装置１００Ｈは、白色発光の発光デバイスとカラーフィルタを組み合わせた、ボトムエミッション型の表示装置である点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。
発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。受光デバイスには基板１５１側から光が入射する。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。
基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図２０（Ａ）では、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。
発光デバイス１３０Ｂと青色の着色層１３２Ｂが重なっており、発光デバイス１３０Ｂの発光は、着色層１３２Ｂを介して表示装置１００Ｈの外部に青色の光として取り出される。
発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１１ｄと、導電層１１１ｄ上の導電層１１２ｄと、導電層１１２ｄ上の導電層１２６ｄと、を有する。
受光デバイス１５０は、導電層１１１ｅと、導電層１１１ｅ上の導電層１１２ｅと、導電層１１２ｅ上の導電層１２６ｅと、を有する。
導電層１１１ｄ、１１１ｅ、１１２ｄ、１１２ｅ、１２６ｄ、１２６ｅには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１１５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。
導電層１１２ｄの上面及び側面と導電層１２６ｄの上面及び側面は、第４の層１１３ｄによって覆われている。第４の層１１３ｄの側面は、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第４の層１１３ｄと絶縁層１２５との間には犠牲層１１８ｄが位置する。第４の層１１３ｄ、第５の層１１３ｅ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、第６の層１１４が設けられ、第６の層１１４上に共通電極１１５が設けられている。第６の層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、受光デバイスと発光デバイスに共通して設けられる一続きの膜である。また、発光デバイス１３０Ｇ上及び受光デバイス１５０上には、保護層１３１が設けられている。
それぞれ赤色、緑色、青色の光を呈する副画素が有する発光デバイスは、いずれも白色の光を発する構成とすることができる。例えば、第４の層１１３ｄに、第１の発光ユニットと、電荷発生層と、第２の発光ユニットとの積層構造を適用することができる。
また、図１９（Ａ）及び図２０（Ａ）などでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図２０（Ｂ）乃至図２０（Ｄ）に、層１２８の変形例を示す。
図２０（Ｂ）及び図２０（Ｄ）に示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
また、図２０（Ｃ）に示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。
また、層１２８の上面の高さと、導電層１１１ｅの上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１１ｅの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。
また、図２０（Ｂ）は、導電層１１１ｅの凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図２０（Ｄ）のように、導電層１１１ｅの凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて説明する。
図２１（Ａ）に示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７７２、上部電極７８８）の間に、ＥＬ層７８６を有する。ＥＬ層７８６は、層４４２０、発光層４４１１、層４４３０などの複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）及び電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）などを有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）及び正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。
一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１及び層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２１（Ａ）の構成をシングル構造と呼ぶ。
また、図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）に示す発光デバイスが有するＥＬ層７８６の変形例である。具体的には、図２１（Ｂ）に示す発光デバイスは、下部電極７７２上の層４４３１と、層４４３１上の層４４３２と、層４４３２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２１と、層４４２１上の層４４２２と、層４４２２上の上部電極７８８と、を有する。例えば、下部電極７７２を陽極とし、上部電極７８８を陰極とした場合、層４４３１が正孔注入層として機能し、層４４３２が正孔輸送層として機能し、層４４２１が電子輸送層として機能し、層４４２２が電子注入層として機能する。または、下部電極７７２を陰極とし、上部電極７８８を陽極とした場合、層４４３１が電子注入層として機能し、層４４３２が電子輸送層として機能し、層４４２１が正孔輸送層として機能し、層４４２２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。
なお、図２１（Ｃ）、図２１（Ｄ）に示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、４４１２、４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。
また、図２１（Ｅ）、図２１（Ｆ）に示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７８６ａ、ＥＬ層７８６ｂ）が電荷発生層４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。
図２１（Ｃ）、図２１（Ｄ）において、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、同じ色の光を発する発光材料、さらには、同じ発光材料を用いてもよい。例えば、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、青色の光を発する発光材料を用いてもよい。図２１（Ｄ）に示す層７８５として、色変換層を設けてもよい。
また、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、それぞれ異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２１（Ｄ）に示す層７８５として、カラーフィルタ（着色層ともいう）を設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。
また、図２１（Ｅ）、図２１（Ｆ）において、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、同じ色の光を発する発光材料、さらには、同じ発光材料を用いてもよい。または、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１が発する光と、発光層４４１２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２１（Ｆ）には、さらに層７８５を設ける例を示している。層７８５としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。
なお、図２１（Ｃ）、図２１（Ｄ）、図２１（Ｅ）、図２１（Ｆ）においても、図２１（Ｂ）に示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。
発光デバイスごとに、発光色（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ Ｂｙ Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。
発光デバイスの発光色は、ＥＬ層７８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。
白色の光を発する発光デバイスは、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。
発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を２以上含むことが好ましい。または、発光物質を２以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図２２乃至図２６を用いて説明する。
本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。
本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。
本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。
図２２（Ａ）、（Ｂ）及び図２３（Ａ）、（Ｂ）を用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、及びＶＲのコンテンツを表示する機能の一方または双方を有する。なお、これらウェアラブル機器は、ＡＲ、ＶＲの他に、ＳＲまたはＭＲのコンテンツを表示する機能を有していてもよい。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、ＭＲなどのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。
図２２（Ａ）に示す電子機器７００Ａ、及び、図２２（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。
表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。
通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。
また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。
筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。
タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。
光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイス（受光素子ともいう）として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。
図２３（Ａ）に示す電子機器８００Ａ、及び、図２３（Ｂ）に示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。
表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。
表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。
装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図２３（Ａ）などにおいては、メガネのつる（ジョイント、テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。
撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。
なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。
電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。
本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図２２（Ａ）に示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２３（Ａ）に示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。
また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図２２（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。
同様に、図２３（Ｂ）に示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。
なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。
このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。
また、本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。
図２４（Ａ）に示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。
電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２４（Ｂ）は、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。
保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。
表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
図２５（Ａ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２５（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図２５（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２５（Ｃ）、図２５（Ｄ）に、デジタルサイネージの一例を示す。
図２５（Ｃ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
図２５（Ｄ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
図２５（Ｃ）、図２５（Ｄ）において、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
また、図２５（Ｃ）、図２５（Ｄ）に示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）において、表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図２６（Ａ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図２６（Ａ）では３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。
図２６（Ｂ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
図２６（Ｃ）は、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。
図２６（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
図２６（Ｅ）乃至図２６（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２６（Ｅ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２６（Ｇ）は折り畳んだ状態、図２６（Ｆ）は図２６（Ｅ）と図２６（Ｇ）の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
ＡＮＯ 配線
ＧＬ 配線
ＳＬ 配線
ＶＣＯＭ 配線
５１Ａ 画素回路
５１Ｂ 画素回路
５１Ｃ 画素回路
５１Ｄ 画素回路
５１Ｅ 画素回路
５１Ｆ 画素回路
５１Ｇ 画素回路
５１Ｈ 画素回路
５２Ａ トランジスタ
５２Ｂ トランジスタ
５２Ｃ トランジスタ
５２Ｄ トランジスタ
５３Ａ 容量
５３ 容量
６１ 発光デバイス
１００Ａ 表示装置
１００Ｂ 表示装置
１００Ｃ 表示装置
１００Ｄ 表示装置
１００Ｅ 表示装置
１００Ｆ 表示装置
１００Ｇ 表示装置
１００Ｈ 表示装置
１００ 表示装置
１０１ トランジスタを含む層
１１０Ｂ 副画素
１１０Ｇ 副画素
１１０ＩＲ 副画素
１１０Ｒ 副画素
１１０Ｓ 副画素
１１０ 画素
１１１ａ 導電層
１１１ｂ 導電層
１１１ｃ 導電層
１１１ｄ 導電層
１１１ｅ 導電層
１１２ｂ 導電層
１１２ｃ 導電層
１１２ｄ 導電層
１１２ｅ 導電層
１１３ａ 第１の層
１１３ｂ 第２の層
１１３ｃ 第３の層
１１３ｄ 第４の層
１１３ｅ 第５の層
１１４ 第６の層
１１５ 共通電極
１１７ 遮光層
１１８ａ 犠牲層
１１８ｂ 犠牲層
１１８ｃ 犠牲層
１１８ｄ 犠牲層
１１８ｅ 犠牲層
１１９ａ 犠牲層
１１９ｂ 犠牲層
１２０ 基板
１２１ 絶縁層
１２２ 樹脂層
１２３ 導電層
１２５ 絶縁層
１２６ｂ 導電層
１２６ｃ 導電層
１２６ｄ 導電層
１２６ｅ 導電層
１２７ 絶縁層
１２８ 層
１３０Ｂ 発光デバイス
１３０Ｇ 発光デバイス
１３０ＩＲ 発光デバイス
１３０Ｒ 発光デバイス
１３１ 保護層
１３２Ｂ 着色層
１３２Ｇ 着色層
１３２Ｒ 着色層
１３４ 空隙
１３９ 領域
１４０ 接続部
１４２ 接着層
１５０ 受光デバイス
１５１ 基板
１５２ 基板
１５３ 絶縁層
１６２ 表示部
１６４ 回路
１６５ 配線
１６６ 導電層
１７２ ＦＰＣ
１７３ ＩＣ
２０１ トランジスタ
２０４ 接続部
２０５ トランジスタ
２０９ トランジスタ
２１０ トランジスタ
２１１ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１５ 絶縁層
２１８ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ａ 導電層
２２２ｂ 導電層
２２３ 導電層
２２５ 絶縁層
２３１ｉ チャネル形成領域
２３１ｎ 低抵抗領域
２３１ 半導体層
２４０ 容量
２４１ 導電層
２４２ 接続層
２４３ 絶縁層
２４５ 導電層
２５１ 導電層
２５２ 導電層
２５４ 絶縁層
２５５ａ 絶縁層
２５５ｂ 絶縁層
２５６ プラグ
２６１ 絶縁層
２６２ 絶縁層
２６３ 絶縁層
２６４ 絶縁層
２６５ 絶縁層
２７１ プラグ
２７４ａ 導電層
２７４ｂ 導電層
２７４ プラグ
２８０ 表示モジュール
２８１ 表示部
２８２ 回路部
２８３ａ 画素回路
２８３ 画素回路部
２８４ａ 画素
２８４ 画素部
２８５ 端子部
２８６ 配線部
２９０ ＦＰＣ
２９１ 基板
２９２ 基板
３０１Ａ 基板
３０１Ｂ 基板
３０１ 基板
３１０Ａ トランジスタ
３１０Ｂ トランジスタ
３１０ トランジスタ
３１１ 導電層
３１２ 低抵抗領域
３１３ 絶縁層
３１４ 絶縁層
３１５ 素子分離層
３２０Ａ トランジスタ
３２０Ｂ トランジスタ
３２０ トランジスタ
３２１ 半導体層
３２３ 絶縁層
３２４ 導電層
３２５ 導電層
３２６ 絶縁層
３２７ 導電層
３２８ 絶縁層
３２９ 絶縁層
３３１ 基板
３３２ 絶縁層
３３５ 絶縁層
３３６ 絶縁層
３４１ 導電層
３４２ 導電層
３４３ プラグ
３４４ 絶縁層
３４５ 絶縁層
３４６ 絶縁層
３４７ バンプ
３４８ 接着層
７００Ａ 電子機器
７００Ｂ 電子機器
７２１ 筐体
７２３ 装着部
７２７ イヤフォン部
７５０ イヤフォン
７５１ 表示パネル
７５３ 光学部材
７５６ 表示領域
７５７ フレーム
７５８ 鼻パッド
７７２ 下部電極
７８５ 層
７８６ａ ＥＬ層
７８６ｂ ＥＬ層
７８６ ＥＬ層
７８８ 上部電極
８００Ａ 電子機器
８００Ｂ 電子機器
８２０ 表示部
８２１ 筐体
８２２ 通信部
８２３ 装着部
８２４ 制御部
８２５ 撮像部
８２７ イヤフォン部
８３２ レンズ
９４１ 網膜
９４２ 水晶体
９４３ 視神経
９４４ 視神経乳頭
９４５ 静脈
９４６ 動脈
９４７ 硝子体
９４８ 脈絡膜
９５０ 光学系
９５１ 発光
９６０ 眉毛
９６１ まつ毛
９６２ 瞳孔
９６３ 角膜
９６５ 強膜
９６６ 上眼瞼
９６７ 下眼瞼
９８０ 表示装置
４４１１ 発光層
４４１２ 発光層
４４１３ 発光層
４４２０ 層
４４２１ 層
４４２２ 層
４４３０ 層
４４３１ 層
４４３２ 層
４４４０ 電荷発生層
６５００ 電子機器
６５０１ 筐体
６５０２ 表示部
６５０３ 電源ボタン
６５０４ ボタン
６５０５ スピーカ
６５０６ マイク
６５０７ カメラ
６５０８ 光源
６５１０ 保護部材
６５１１ 表示パネル
６５１２ 光学部材
６５１３ タッチセンサパネル
６５１５ ＦＰＣ
６５１６ ＩＣ
６５１７ プリント基板
６５１８ バッテリ
７０００ 表示部
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ スタンド
７１１１ リモコン操作機
７２００ ノート型パーソナルコンピュータ
７２１１ 筐体
７２１２ キーボード
７２１３ ポインティングデバイス
７２１４ 外部接続ポート
７３００ デジタルサイネージ
７３０１ 筐体
７３０３ スピーカ
７３１１ 情報端末機
７４００ デジタルサイネージ
７４０１ 柱
７４１１ 情報端末機
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００２ カメラ
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ アイコン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１０１ 携帯情報端末
９１０２ 携帯情報端末
９１０３ タブレット端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (13)

  1. 第１の配列パターンと第２の配列パターンとが、第１の方向に繰り返し配置された表示部を有し、
    前記第１の配列パターンでは、第１の副画素、第２の副画素、及び、第３の副画素が、第２の方向に繰り返し配置されており、
    前記第２の配列パターンでは、第４の副画素、及び、第５の副画素が、前記第２の方向に繰り返し配置されており、
    前記第１の副画素乃至前記第４の副画素は、それぞれ、発光デバイスを有し、
    前記第５の副画素は、受光デバイスを有する、表示装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１の副画素、前記第２の副画素、及び、前記第３の副画素における長手方向は、前記第１の方向である、表示装置。
  3. 請求項１において、
    前記第４の副画素における長手方向は、前記第２の方向である、表示装置。
  4. 請求項１において、
    前記第５の副画素は、前記第１の副画素乃至前記第５の副画素の中で開口率が最も低い、表示装置。
  5. 請求項１において、
    前記第３の副画素は、赤外光を呈し、かつ、前記第１の副画素乃至前記第５の副画素の中で開口率が最も高い、表示装置。
  6. 請求項５において、
    前記第１の副画素と前記第２の副画素のうち、一方は赤色の光を呈し、他方は緑色の光を呈し、
    前記第４の副画素は、青色の光を呈し、
    前記第５の副画素は、少なくとも赤外光を検出する、表示装置。
  7. 請求項１において、
    前記第４の副画素は、赤外光を呈し、かつ、前記第１の副画素乃至前記第５の副画素の中で開口率が最も高い、表示装置。
  8. 請求項７において、
    前記第１の副画素と前記第２の副画素のうち、一方は赤色の光を呈し、他方は緑色の光を呈し、
    前記第３の副画素は、青色の光を呈し、
    前記第５の副画素は、少なくとも赤外光を検出する、表示装置。
  9. 請求項１において、
    前記第１の副画素は、隣接する副画素との間の距離が３μｍ以下の領域を有する、表示装置。
  10. 請求項９において、
    前記第１の副画素は、隣接する副画素との間の距離が１μｍ未満の領域を有する、表示装置。
  11. 請求項１乃至１０のいずれか一に記載の表示装置と、処理部と、を有し、
    前記表示装置は、前記第５の副画素を用いて撮像を行う機能を有し、
    前記処理部は、前記表示装置で撮像された撮像データを用いて、使用者の瞬き、黒目の動き、及び、瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を有する、電子機器。
  12. 請求項１乃至１０のいずれか一に記載の表示装置を少なくとも２つと、
    前記表示装置が設けられる筐体と、
    前記筐体に設けられ、かつ、前記表示装置に電力を供給するバッテリと、を有し、
    前記筐体は、装着部と、一対のレンズと、を有し、
    前記一対のレンズの一方には、前記２つの表示装置の一方から、画像が投影され、
    前記一対のレンズの他方には、前記２つの表示装置の他方から、画像が投影される、
    電子機器。
  13. 請求項１２において、
    前記筐体に設けられる処理部を有し、
    前記表示装置は、前記第５の副画素を用いて撮像を行う機能を有し、
    前記処理部は、前記表示装置で撮像された撮像データを用いて、使用者の瞬き、黒目の動き、及び、瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を有する、電子機器。
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