WO2023233231A1 - 電子機器 - Google Patents

Abstract

歪みの少ない画像を視認することができる電子機器を提供する。 表示装置、光学機器を有する電子機器である。光学機器は位置調整機構を有し、視度調整をするこ とができる。表示装置には、レンズの歪曲収差を補正するために元画像を樽型歪曲した補正画像を 表示させる。補正画像は、位置調整機構によって動かすレンズの位置に応じて補正量（画像の大き さおよび歪曲率）を変化させる。これにより、視度調整のためにレンズの位置を動かしても常に最 適な状態に画像を補正することができ、視認される画像の品質を高めることができる。

Description

電子機器

本発明の一態様は、光学機器を有する電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの動作方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路は半導体装置の一態様である。また、記憶装置、表示装置、撮像装置、電子機器は、半導体装置を有する場合がある。

仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けなどの電子機器として、ゴーグル型デバイスおよび眼鏡型デバイスが開発されている。

また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶素子を備える表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子または発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等を備える表示装置が挙げられる。

有機ＥＬ素子が備えられた表示装置は、液晶表示装置で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

特開２００２−３２４６７３号公報

ＶＲまたはＡＲ等に適用される電子機器はウェアラブルデバイスの一種であり、携帯性および装着性を向上させるために、小型であることが望まれる。そのため、このような電子機器は裸眼対応であることが好ましく、光学機器に視度調整機構が用いられている。視度調整は、例えば、光学機器を構成する要素の間隔を変えることなどにより行うことができる。

また、光学機器は、複数のレンズを備えており、直線が曲がって見える歪曲収差が少なからず発生する。この歪曲収差は、収差による変形方向とは逆の方向に変形させた画像を用いることで補正することができる。例えば、視認される像が括れるように変形する糸巻き型の歪曲収差が出る場合は、樽型に膨らむように補正した画像を用いることで、歪みを補正することができる。

しかしながら、視度調整により光学機器を構成する要素の間隔を変えると歪曲収差の程度が変わるため、補正画像の効果が十分でなくなってしまう問題があった。

したがって、本発明の一態様は、視度によらず、歪みの少ない画像を視認することができる電子機器を提供することを目的の一つとする。または、薄型軽量の電子機器を提供することを目的の一つとする。または、視認される画像の品質の高い電子機器を提供することを目的の一つとする。または、新規な電子機器を提供することを目的の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、歪曲収差の少ない電子機器に関する。

本発明の一態様は、表示パネルと、第１のレンズと、位置調整機構と、を有し、第１のレンズの光軸は表示パネルの表示部と垂直に交わり、位置調整機構によって変化させられる第１のレンズと表示部との距離に応じて、表示部に表示する画像の大きさおよび歪曲率が変化する機能を有する電子機器である。

位置調整機構は、円筒カムを有することができる。または、位置調整機構は、ステッピングモータを有することができる。

位置センサ機構は位置センサを有することができる。位置センサは、第１のレンズの位置を検出する機能を有することができる。

表示パネルは、有機ＥＬ素子を有することが好ましい。

上記電子機器は、さらに直線偏光板と、第１の位相差板と、ハーフミラーと、第２のレンズと、第２の位相差板と、反射偏光板と、を有し、表示パネル、直線偏光板、第１の位相差板、ハーフミラー、第２のレンズ、第２の位相差板、反射偏光板および第１のレンズは、それぞれが互いに重なる領域を有するように当該順序で配置することができる。

第１のレンズが第１の位置にあるときの表示部に表示される画像の大きさおよび歪曲率を１としたとき、第１のレンズが第１の位置よりも表示パネルに近い第２の位置にあるとき、表示部に表示される画像の大きさは１よりも小さく、歪曲率は１よりも大きくすることが好ましい。

表示部に表示される画像は、矩形画像を樽型に歪曲した画像とすることができる。

本発明の一態様により、視度によらず、歪みの少ない画像を視認することができる電子機器を提供することができる。または、薄型軽量の電子機器を提供することができる。または、視認される画像の品質の高い電子機器を提供することができる。または、新規な電子機器を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１は、表示装置および光学機器を説明する図である。
図２は、光学機器を説明する図である。
図３Ａ乃至図３Ｃは、光学系における虚像の位置を説明する図である。
図４Ａ乃至図４Ｃは、虚像の眼に対する入射角を説明する図である。
図５は、歪曲収差を説明する図である。
図６は、レンズ位置に対する補正画像と視認される画像を説明する図である。
図７Ａは、画像の有効な領域を説明する図である。図７Ｂは、画像の大きさの定義を説明する図である。図７Ｃは、画像の歪曲率の定義を説明する図である。
図８Ａおよび図８Ｂは、位置調整機構を説明する図である。
図９Ａおよび図９Ｂは、位置調整機構を説明する図である。
図１０Ａおよび図１０Ｂは、位置調整機構を説明する図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、視度の自動調整を説明する図である。
図１２Ａは、電子機器を説明するブロック図である。図１２Ｂは、補正画像の生成および表示を説明するフローチャートである。
図１３Ａ乃至図１３Ｃは、表示装置を説明する図である。
図１４Ａおよび図１４Ｂは、眼鏡型デバイスを説明する図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｃは、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１６Ａおよび図１６Ｂは、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｆは、画素の構成例を説明する図である。
図１８Ａおよび図１８Ｂは、表示パネルの構成例を説明する図である。
図１９は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図２０は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図２１は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図２２は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図２３は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図２４は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図２５は、表示パネルの構成例を説明する図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｆは、発光デバイスの構成例を説明する図である。
図２７Ａ乃至図２７Ｃは、発光デバイスの構成例を説明する図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略することがある。なお、図を構成する同じ要素のハッチングを異なる図面間で適宜省略または変更する場合もある。

また、回路図上では単一の要素として図示されている場合であっても、機能的に不都合がなければ、当該要素が複数で構成されてもよい。例えば、スイッチとして動作するトランジスタは、複数が直列または並列に接続されてもよい場合がある。また、キャパシタを分割して複数の位置に配置する場合もある。

また、一つの導電体が、配線、電極および端子などの複数の機能を併せ持っている場合があり、本明細書においては、同一の要素に対して複数の呼称を用いる場合がある。また、回路図上で要素間が直接接続されているように図示されている場合であっても、実際には当該要素間が一つ以上の導電体を介して接続されている場合があり、本明細書ではこのような構成でも直接接続の範疇に含める。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

本発明の一態様は、ゴーグル型デバイスまたは眼鏡型デバイスなどの電子機器であって、表示装置、光学機器を有する。光学機器は位置調整機構を有し、特定のレンズの位置を表示パネルに近づける、または遠ざけることで視度調整をすることができる。

表示装置には、レンズの糸巻き型歪曲収差を補正するために元画像を樽型に歪曲させた補正画像を表示させる。補正画像は、位置調整機構によって動かすレンズの位置に応じて補正量（画像の大きさおよび歪曲率）を変化させる。これにより、視度調整のためにレンズの位置を動かしても適切に画像を補正することができ、視認される画像の品質を高めることができる。

なお、本発明の一態様の電子機器は、複数の光学部品が組み合わされた構成を有する。当該構成が筐体に収められたものは、単にレンズとも呼ばれる。または、薄型である形状からパンケーキレンズと呼ばれることもある。

図１は、本発明の一態様の電子機器に用いることができる表示装置および光学機器を説明する斜視図である。図１に示すように、表示装置３０および光学機器４０は、互いに重なる領域を有するように、離隔して配置される。

使用者は、光学機器４０近傍に眼１０を近づけることで、表示装置３０で表示される画像を見ることができる。使用者は、光学機器４０によって視野角が広げられた状態で当該画像を視認することから、没入感、臨場感を得ることができる。

光学機器４０の一部には位置調整機構５０が接続される。位置調整機構５０は、光学機器４０が有する要素間の距離を変えることができる。これにより視度調整を行うことができ、例えば使用者が近視である場合でも画像を明瞭に視認することができる。なお、位置調整機構５０によって、表示装置３０の表示部と光学機器４０が有する特定の要素との距離を変えるということもできる。

表示装置３０は、表示パネル３１、直線偏光板３２（破線で図示）および位相差板３３（破線で図示）が互いに重なる領域を有するように配置された構成を有する。なお、以下の説明における第１の面とは各要素が有する一つの面であり、第２の面とは第１の面とは反対側の面を意味する。

例えば、図１に示すように、表示パネル３１の表示部３４に直線偏光板３２の第１の面が近接し、直線偏光板３２の第２の面が位相差板３３の第１の面に近接する構成とすることができる。なお、直線偏光板３２および位相差板３３の組み合わせは、非偏光を円偏光に変換する円偏光板とも呼ばれる。

なお、直線偏光板３２および位相差板３３は、表示装置３０の要素でなくてもよく、表示装置３０（表示パネル３１）と光学機器４０との間に設けられていてもよい。または、光学機器４０の要素として、光学機器４０の光の入射面側（ハーフミラー４１の入射面側）に配置されていてもよい。または、直線偏光板３２が表示装置３０の要素であって、位相差板３３が光学機器４０の要素であってもよい。

ここで、表示パネル３１の表示部３４には、光学機器４０の歪曲収差を補正するために元画像を変形した画像が表示される。図１では、光学機器４０の糸巻き型歪曲収差を補正するために、元画像である矩形の画像を樽型に歪曲した補正画像を例示している。

本発明の一態様は、位置調整機構５０により、光学機器４０が有する要素間の距離を変えたときに変化する歪曲収差の程度に応じて補正画像の補正量を変化させる。したがって、視度調整を行っても、歪みの少ない適切な画像を視認することができる。

光学機器４０は、ハーフミラー４１と、レンズ４２と、位相差板４３と、反射偏光板４４と、レンズ４５が互いに重なる領域を有する。また、レンズ４２およびレンズ４５の光軸４６は、表示パネル３１の表示部３４と垂直に交わるように配置される。なお、「垂直」とは、二つの直線が８５°以上９５°以下の角度を成す状態をいう。ここで、二つの直線の一方はレンズ４２およびレンズ４５の光軸４６を指し、他方は表示部３４（表示面）に平行な直線を指す。

例えば、図１に示すように、ハーフミラー４１の第１の面がレンズ４２の第１の面に近接する構成とすることができる。また、位相差板４３の第１の面に反射偏光板４４の第１の面が近接し、反射偏光板４４の第２の面にレンズ４５の第１の面が近接する構成とすることができる。

また、必要な光路長を確保するため、ハーフミラー４１とレンズ４２とは離隔して配置してもよい。また、図１では、レンズ４２と位相差板４３を離隔して配置した構成を例示しているが、両者を近接して配置してもよい。

なお、上述した一方の要素と他方の要素とが近接する構成とするには、利用する光の波長（例えば、可視光の波長範囲、または青色光から赤色光までの波長範囲）に対して透過率が高く、かつ特定の偏光の吸収および複屈折のない光学接着剤を用いて、互いの要素を貼り合わせることが好ましい。または、貼り合わせではなく、塗布などの方法を用いて、一方の要素上に他方の要素を接して形成してもよい。または、一方の要素と他方の要素との間に接着剤などを設けず、両者が接するように配置させてもよい。または、両者の間に空隙が設けられていてもよい。

図２は、本発明の一態様の光学機器を説明する図であり、光路の一部を破線で示している。また、明瞭化のため、図１では近接して図示しているいくつかの要素を離隔して図示している。なお、図２のように、表示装置３０および光学機器４０が有する各要素を離隔して配置することでも、本発明の一態様の効果を得ることができる。

表示パネル３１から射出された一部の光は、直線偏光板３２、位相差板３３、ハーフミラー４１、レンズ４２および位相差板４３を透過し、反射偏光板４４で反射される。反射偏光板４４で反射された光は、位相差板４３およびレンズ４２を透過し、ハーフミラー４１で再び反射される。ハーフミラー４１で反射された光は、レンズ４２、位相差板４３、反射偏光板４４およびレンズ４５を透過し、眼１０に入射される。

このように、光学機器４０内で反射を繰り返すことで光路長を確保することができるため、焦点距離の短い光学系とすることができる。

表示パネル３１としては、液晶素子を有する液晶パネル、有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネル、またはマイクロＬＥＤを有するＬＥＤパネルなどを用いることができる。特に、自発光型で高精細な表示部を形成しやすい有機ＥＬパネルを用いることが好ましい。なお、本明細書等において、マイクロＬＥＤとは、チップ面積が１００００μｍ^２以下の発光ダイオードを表す。なお、ＬＥＤパネルについては、マイクロＬＥＤに限定されず、例えば、チップ面積が１００００μｍ^２よりも大きく１ｍｍ^２以下の発光ダイオード（ミニＬＥＤとも呼称する）を用いてもよい。

直線偏光板３２は、３６０°全方向に振動する光から１つの直線偏光を取り出すことができる。なお、本実施の形態では、直線偏光板３２の透過軸を０°として説明を行うが、０°とは絶対的な値ではなく、基準となる値を意味する。つまり、直線偏光板３２で取り出される直線偏光の偏光面を０°として取り扱う。したがって、例えば、本実施の形態における９０°直線偏光とは、直線偏光板３２で取り出される直線偏光の偏光面が９０°回転した直線偏光を意味する。

位相差板３３は、直線偏光を円偏光に変換する機能を有する。ここで、位相差板３３には、λ／４板（１／４波長板）が用いられる。直線偏光板３２から射出される直線偏光の軸に対してλ／４板の遅延軸を４５°にして重ねると右回転の円偏光（右円偏光）となる。また、直線偏光板３２から射出される直線偏光の軸に対してλ／４板の遅延軸を−４５°にして重ねると左回転の円偏光（左円偏光）となる。本発明の一態様では、後述する反射偏光板４４の特性との組み合わせが適切であれば、右円偏光および左円偏光のどちらを用いてもよい。

ハーフミラー４１には、例えば、可視光の透過率の高い光学ガラスまたは光学樹脂材料を基板４１ａに用い、金属膜または誘電体膜を設けた面を反射面４１ｂとする構成を用いることができる。また、ハーフミラー４１の可視光に対する透過率および反射率は、例えば、それぞれ約５０％とすることができ、透過率および反射率の一方は４０％以上６０％以下であることが好ましい。

また、ハーフミラー４１の反射面４１ｂは、光を眼１０の方向に集束させるために正の屈折力を有することが好ましい。そのため、基板４１ａは凹曲面を有し、当該凹曲面に反射面４１ｂが形成されていることが好ましい。

なお、図２では、基板４１ａは、断面視において、第１の面が凸曲面、第２の面が凹曲面であって、第１の面の曲率半径が第２の面の曲率半径よりも小さい凸メニスカスレンズの形態を示しているが、第１の面と第２の面の曲率半径が等しく、レンズとならない形状であってもよい。この場合、基板４１ａの第１の面に反射面４１ｂを設けてもよい。

なお、光学機器４０が有するハーフミラー４１以外の要素で眼１０の方向に光を集束することができれば、基板４１ａは平面を有する形状とし、当該平面に反射面４１ｂを設けてもよい。

レンズ４２には、凸レンズを用いることができる。図２ではレンズ４２に平凸レンズを用いる例を示しているが、これに限らない。例えば、レンズ４２を複数の平凸レンズで構成してもよい。また、レンズ４２に両凸レンズを用いてもよい。または、レンズ４２を両凸レンズ、平凸レンズ、両凹レンズ、平凹レンズ、凸メニスカスレンズ、凹メニスカスレンズから選ばれたレンズを組み合わせた構成とすることもできる。また、レンズ４２は、球面レンズに限らず、非球面レンズであってもよい。

なお、レンズ４５にもレンズ４２と同様のレンズを用いることができる。また、光学機器４０には、レンズ４２、４５以外のレンズが設けられていてもよい。

位相差板４３は、直線偏光と円偏光を可逆的に変換する機能を有する。位相差板４３としては、位相差板３３と同様に、λ／４板（１／４波長板）を用いることができる。

反射偏光板４４は、透過軸と一致する直線偏光を透過し、透過軸と直交する直線偏光を反射することができる。反射偏光板としては、例えば、ワイヤグリッド偏光板、または誘電体多層膜などを使用することができる。

上述した光学機器４０における偏光状態の詳細について、図２に示す光路を用いて説明する。

表示パネル３１から発せられた３６０°全方向に振動する光は、直線偏光板３２に入射される。直線偏光板３２の透過軸は０°であり、直線偏光板３２からは０°直線偏光が射出される。

直線偏光板３２から射出された０°直線偏光は、位相差板３３で右円偏光に変換される。位相差板３３から射出された右円偏光は、ハーフミラー４１を透過してレンズ４２に入射される。

レンズ４２から射出された右円偏光は、位相差板４３に入射され、０°直線偏光に変換される。位相差板４３から射出された０°直線偏光は、反射軸０°の反射偏光板４４で反射されて位相差板４３に入射され、右円偏光に変換される。

位相差板４３から射出された右円偏光は、レンズ４２を透過してハーフミラー４１で反射され、左円偏光に反転される。ハーフミラー４１で反転された左円偏光は、レンズ４２を透過し、位相差板４３に入射され、９０°直線偏光に変換される。位相差板４３から射出された９０°直線偏光は、透過軸９０°の反射偏光板４４、およびレンズ４５を透過し、眼１０に入射される。

このように、直線偏光および円偏光、ならびにハーフミラーおよび反射偏光板を利用することで、反射および透過を選択的に行うことができる。したがって、限られた空間内で光路長を確保することができ、光学機器の焦点距離を短くすることができる。

なお、上記では、ハーフミラー４１を透過してレンズ４２に入射する光に右円偏光を用いる例を説明したが、左円偏光を用いてもよい。

なお、図１および図２に示す表示装置３０および光学機器４０の構成は一例であり、他の構成を用いることもできる。

次に、視度調整について説明する。図３Ａ乃至図３Ｃは、光学系における虚像の位置について説明する図である。図２に示す光学機器４０のレンズ４２では、その前後の要素で光の反射が行われるため、複数回に亘って光が透過する。これは、光路上において、複数のレンズが配置されていることと同意である。ここでは、１つのレンズを用いた場合と２つのレンズを用いた場合における虚像の位置を説明する。

図３Ａは、１つのレンズを用いた場合における虚像の位置を説明する図である。ここで、Ｆ１はレンズＬ１の焦点であり、レンズＬ１の左側に光源Ａがあるとする。図３Ａにおいて、光源Ａに平行であってレンズＬ１の右側の焦点Ｆ１に進む光の光路ＢＭ１をレンズＬ１の左側に延長した線（破線で図示）と、光源ＡからレンズＬ１の中心に進む光の光路ＢＭ２をレンズＬ１の左側に延長した線（破線で図示）との交点が虚像Ｂの位置となる。

次に、２つのレンズを用いた場合における虚像の位置を説明する。図３Ｂは、レンズＬ１の右側のある位置にレンズＬ２を配置した構成である。Ｆ２はレンズＬ２の焦点である。ここで、レンズＬ２においては、レンズＬ１の虚像Ｂを光源として考える。このとき、レンズＬ２の虚像Ｃ１は、レンズＬ１から比較的遠くに位置する。

次に、図３Ｃに示すように、図３Ｂの状態からレンズＬ２のみをレンズＬ１に近づけたとする。このとき、レンズＬ２の虚像Ｃ２の位置は、虚像Ｃ１の位置よりもレンズＬ１の近くに移動する。なお、図３Ｂ、図３Ｃでは、虚像の位置を変化させるためにレンズＬ２を移動させた例を示したが、レンズＬ１を移動させてもよい。

次に、レンズの公式を用いて、光の眼への入り方を説明する。図４Ａは、レンズの公式（１／Ｓ１）＋（１／Ｓ２）＝１／Ｆに虚像Ｃ１および虚像Ｃ２のそれぞれの位置を適用したときの結像位置を示す図である。なお、２つのレンズを用いた場合でも焦点Ｆは大きく変わらないと仮定し、レンズは一つに簡略化して図示している。ここで、Ｓ１はレンズＬの中心から虚像Ｃ１までの距離、Ｓ２はレンズの中心から結像位置までの距離、ＦはレンズＬの焦点である。

上記と同様に、レンズＬの中心から虚像Ｃ２までの距離をＳ３（Ｓ３＜Ｓ１）としたとき、レンズの中心から虚像Ｃ２までの距離Ｓ４は、Ｓ２よりも長くなる（Ｓ４＞Ｓ２）。

ここで、光はレンズＬからある距離の位置において眼に入射されるが、図４Ａに示すように、Ｓ４＞Ｓ２であるから、虚像Ｃ１の光の入射角（θ_Ｃ１）より虚像Ｃ２の光の入射角（θ_Ｃ２）が小さくなることがわかる。

図４Ｂに示すように、レンズＬから比較的遠い位置にある虚像Ｃ１では、眼１０に対する入射角（θ_Ｃ１）が比較的大きくなる。近視の場合は、角膜および水晶体の屈折力が正視の場合よりも大きい、または正視の場合よりも眼軸が長すぎるため、網膜１１で結像するように調節できず、網膜１１の手前で結像する。したがって、像がぼやけて見える。

一方、図４Ｃに示すように、レンズＬから比較的近い位置にある虚像Ｃ２では、入射角（θ_Ｃ２）が比較的小さく平行光に近くなるため、眼１０に対する入射角が虚像Ｃ１の場合よりも小さくなる（θ_Ｃ２＜θ_Ｃ１）。したがって、図４Ｂの場合より結像位置が遠くなるため、近視の場合でも網膜１１上で結像することができるようになり、像のぼやけが矯正される。

以上の説明のように、光学機器４０が有する要素間の距離を変化させることで、視度調整を行うことができる。なお、上記では近視に対応させる例を説明したが、上記とは逆に要素間の距離を変化させることで遠視にも対応させることができる。

次に、レンズの歪曲収差について説明する。歪曲収差は結像面の周辺部に強く現れ、矩形形状が樽型または糸巻き型に歪む現象である。これは、凸レンズ中心部の像倍率と周辺での像倍率が変わることに起因し、倍率の変化が像の歪みとして現れる。

歪曲収差は光量を調整する絞りの位置で変化し、絞りがレンズより像側にあれば正の歪曲収差（糸巻き型）となる。逆に、絞りがレンズより物体（光源）側にあれば負の歪曲収差（樽型）となる。

図２に示す光学系において、絞りは眼１０の瞳孔近辺とみなすことができる。したがって、図５に示すように、表示パネルの表示画像が矩形の画像（補正なし）であるとき、レンズを介して視認される画像は糸巻き型になる。このような場合は、表示画像を樽型に変形させた画像（補正あり）とすると、矩形の画像を視認することができる。

しかしながら、歪曲収差は光学系固有の収差であり、前述したレンズ位置を動かす視度調整により、歪曲収差の程度が変化する。つまり、あるレンズ位置に応じて作成された補正画像は、他のレンズ位置では補正の寄与が十分でなくなってしまう。

したがって、本発明の一態様では、視度調整のために動かすレンズの位置に応じて、表示パネルで表示する補正画像を適切に変化させる。図６は、図２に示す光学機器４０の一部要素を用いたシミュレーション結果から想定される補正画像を説明する図であり、レンズ４５の位置と表示パネル３１の表示画像（補正画像の形状）との関係を示す図である。なお、シミュレーションには、Ｓｙｎｏｐｓｙｓ社製光学設計解析ソフトウェアＣＯＤＥ　Ｖを用いた。

なお、光学機器４０においては、糸巻き型の歪曲収差が発生することとし、表示画像としては、矩形の画像を補正した樽型の画像を例示している。

ここで、図６の中段に示すレンズ４２とレンズ４５との間隔がＤ２であるときの画像の補正量を基準とし、補正画像（ＩＭＡ２）の大きさおよび歪曲率を１とする。

なお、画像の大きさとは、画像の意味を成す有効な領域の大きさを意味する。例えば、図７Ａに示すように、表示部８０の端部近傍において、補正画像の外側で黒表示をしている領域８２は有効な領域８３に含まれない。また、画像の大きさは、例えば、有効な領域８３の対辺間の長さａ、有効な領域８３に内接する矩形の対角線の長さｂ、有効な領域８３の面積ｓのいずれかと言い換えることができる（図７Ｂ参照）。また、歪曲率とは、例えば、弦の長さｃと矢高ｄ（弦の中心と弧の中心との距離）の長さの比（ｄ／ｃ）とすることができ、その数値が大きいほど歪みが大きくなる（図７Ｃ参照）。なお、歪みの形状は円弧に限らない。

図６の上段に示すように、レンズ４２とレンズ４５との間隔をＤ１（Ｄ１＞Ｄ２）としたときの補正画像（ＩＭＡ１）の大きさは、１より大きく、歪曲率は１より小さい適切な形状とする。なお、レンズ４５の位置は、図６の中段に示す場合よりも表示パネル３１から遠いと換言することができる。

また、図６の下段に示すように、レンズ４２とレンズ４５との間隔をＤ３（Ｄ３＜Ｄ２）としたときの補正画像（ＩＭＡ３）の大きさは１より小さく、歪曲率は１より大きい適切な形状とする。なお、レンズ４５の位置は、図６の中段に示す場合よりも表示パネル３１に近いと換言することができる。

レンズ４２とレンズ４５との間隔が近くなるほど視認される虚像の位置は眼１０に近くなる。したがって、レンズ４２とレンズ４５との間隔が近くなるほど補正画像の大きさを小さくすることで、レンズ４２の位置によらず、視認される画像の大きさを同等とすることができる。また、ＩＭＡ１、ＩＭＡ２およびＩＭＡ３は、それぞれ歪曲率が異なるため、相似形とはならない。

このようにレンズの位置に応じて補正画像の補正量を変化させることで、矩形の画像を視認することができる。すなわち、視度調整を行った場合においても歪みが補正された画像を視認することができる。

次に、位置調整機構５０について説明する。図８Ａ、図８Ｂは、図１に示す形態の位置調整機構５０の一例を説明する図である。図８Ａはレンズ４５が前方（眼１０に近い位置、図６上段参照）にある状態、図８Ｂはレンズ４５が後方（眼１０から遠い位置、図６下段参照）にある状態を示している。

図８Ａ、図８Ｂに示す位置調整機構５０は、円筒５１、ピン５２、円筒カム５３を有し、レンズ４５の位置を動かすことができる。また、位置センサ５４を有し、レンズ４５の位置を間接的に検出することができる。レンズ４５は円筒５１の内側に固定され、円筒５１の外側にはピン５２およびリング５６が固定される。なお、リング５６は円筒５１の一部であってもよい。

円筒カム５３を固定し、リング５６を回転させることによってピン５２を円筒カム５３の側面に斜めに設けられた溝に沿って移動させることができる。すなわち、リング５６を回転させることによって、ピン５２に固定された円筒５１およびレンズ４５を前後方向に移動させることができる。

位置センサ５４では、例えば、円筒５１の端部の位置を検出することができる。円筒５１の端部とレンズ４５の相対的な位置は変化しないため、円筒５１の端部の位置を検出することでレンズ４５の位置を間接的に検出することができる。なお、ピン５２の位置、または円筒５１の表面に設けたマーカーなどを位置センサ５４で検出してもよい。位置センサ５４としては、光電センサ、変位センサ、測長センサ、画像センサ、近接センサ、超音波センサなどの非接触センサの他、接触型のセンサを用いることもできる。

レンズ４５を動かすための位置調整機構は、図９Ａに示す形態であってもよい。図９Ａに示す位置調整機構６０には、レンズ４５が内側に固定された円筒６２が支柱６１を介して接続される。なお、円筒６２が支柱６１を介さずに位置調整機構６０に直接接続されていてもよい。

位置調整機構６０としては、例えば、図９Ｂに示すように、ラックアンドピニオン式の機構とすることができる。支柱６１はラック６３に固定され、ピニオン６４を回転させることによりラック６３をスライドさせることができる。ピニオン６４の軸６５にはノブ６６が接続される。

ラック６３にはマーカー５５が設けられ、位置センサ５４でマーカーを検出することによって、レンズ４５の位置を間接的に検出することができる。なお、マーカー５５は、軸６５に設けられていてもよい。また、マーカー５５の代わりに、ラック６３の歯またはピニオン６４の歯を検出することにより、レンズ４５の位置を間接的に検出してもよい。また、位置センサ５４には前述したいずれかのセンサを用いることができる。

なお、図９Ｂでは、ノブ６６を手動で回転させる形態を図示しているが、図１０Ａに示すように、軸６５にステッピングモータ６７を接続してもよい。ステッピングモータ６７は、パルス信号によって回転角度を制御することができるため、位置調整を正確に行うことができる。また、ステッピングモータ６７を用いる場合は、位置センサ５４を省くこともできる。

また、位置調整機構６０には、図１０Ｂに示すように、ボールねじ式の機構を用いてもよい。支柱６１はナット８５に固定され、ねじ軸８４を回転させることによりナット８５をスライドさせることができる。ねじ軸８４にはステッピングモータ６７を接続することができ、位置調整を正確に行うことができる。

図１０Ａ、図１０Ｂに示す位置調整機構６０を用いれば、使用者はボタン操作などで視度調整を行うことができ、そのときのレンズ位置を記憶させておくこともできる。レンズの位置をアカウント情報として登録しておけば、例えば、電子機器にログインすることで、使用者の視度調整動作を伴うことなく、視度の設定を行うことができる。

また、視度調整の動作は自動で行われてもよい。例えば、図１１Ａ、図１１Ｂに示すように、位置調整を行うレンズ４５を介して眼１０に光が照射されるように光源８６を配置し、光センサ８７で網膜１１からの反射光を検出できる構成とする。ここで、図１１Ａは視度が調整されていない状態、図１１Ｂは視度が調整されている状態を示している。

光センサで反射光の強度を検出しながら位置調整機構６０でレンズ４５を動かすと、検出光の強度が増減する。図１１Ｃにレンズ位置と反射光強度との関係を示す。このように、反射光の強度が最大となったとき（図１１Ｂの位置のとき）、網膜１１（反射面）で結像しているとみなすことができる。したがって、反射光の強度が最大となる位置を検出することで視度調整が完了する。ここで、光源には赤外光を用いることが好ましい。赤外光は不可視であり、視認されることなく視度調整動作を行うことができる。

図１２Ａは、本発明の一態様の電子機器の一部要素を説明するブロック図である。電子機器は、前述した表示装置３０および光学機器４０の他、制御回路３５、演算回路３６、通信装置３７、記憶装置Ｍ１、記憶装置Ｍ２等を有する。これらの要素を図１２Ｂに示す補正画像を生成、表示するためのフローチャートを用いて説明する。

まず、電子機器の使用者の視度に応じて光学機器４０のレンズ位置を確定させる（Ｓ１）。制御回路３５は、光学機器４０からレンズ位置の情報を読み出し（Ｓ２）、記憶装置Ｍ２に格納されたルックアップテーブル（ＬＵＴ）からレンズ位置に従った補正係数を読み出す（Ｓ３）。また、制御回路３５は、表示の対象となる画像データを記憶装置Ｍ１から読み出す（Ｓ４）。演算回路３６は、読み出された補正係数および画像データから補正画像データを生成し（Ｓ５）、表示装置３０で補正画像を表示する（Ｓ６）。

なお、画像データは、外部から通信装置３７を介して記憶装置Ｍ１に入力することができる。また、演算回路３６で生成された補正画像データは、一度記憶装置Ｍ１に格納され、記憶装置Ｍ１から読み出されて表示装置３０で表示されてもよい。

また、上記では、記憶装置Ｍ２に格納されたＬＵＴから補正係数を読み出す形態を説明したが、記憶装置Ｍ２に格納された関数、および光学機器４０におけるレンズ位置の情報をそれぞれ読み出して、演算回路３６で補正係数を算出してもよい。

図１３Ａは、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネル３１を説明する図である。表示パネル３１は、画素アレイ７４と、回路７５と、回路７６を有する。画素アレイ７４は、列方向および行方向に配置された画素７０を有する。

画素７０は、複数の副画素７１を有することができる。副画素７１は、表示用の光を発する機能を有する。

なお、本明細書では、一つの「画素」の中で独立した動作が行われる最小単位を便宜的に「副画素」と定義して説明を行うが、「画素」を「領域」と置き換え、「副画素」を「画素」と置き換えてもよい。

副画素７１は、可視光を発する発光デバイスを有する。発光デバイスとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＥＬ素子を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）、無機化合物（量子ドット材料など）などが挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

回路７５および回路７６は、副画素７１を駆動するためのドライバ回路である。回路７５はソースドライバ回路、回路７６はゲートドライバ回路としての機能を有することができる。回路７５および回路７６には、例えば、シフトレジスタ回路などを用いることができる。

なお、図１３Ｂに示すように、回路７５および回路７６を層７７に設け、画素アレイ７４を層７８に設け、層７７と層７８が重なる構成としてもよい。当該構成とすることで、狭額縁の表示装置を形成することができる。

また、ドライバ回路を画素アレイ７４の下層に設けることで配線長を短く、配線容量を小さくすることができる。したがって、高速動作ができ、かつ低消費電力で動作する表示パネルとすることができる。

また、図１３Ｂに示すように、回路７５および回路７６を分割配置することで、画素アレイ７４を部分的に駆動することができる。例えば、画素アレイ７４の部分的な画像データの書き換えを行うことができる。また、画素アレイ７４を部分的に異なる動作周波数で動作させることができる。

なお、図１３Ｂに示す回路７５および回路７６の配置、面積は一例であり、適宜変更することができる。また、回路７５および回路７６の一部は、画素アレイ７４と同一の層に形成することもできる。また、層７７には、記憶回路、演算回路、および通信回路などの回路が設けられていてもよい。

当該構成は、例えば、層７７を単結晶シリコン基板に設け、回路７５および回路７６をチャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタ）で形成し、層７８に設ける画素アレイ７４が有する画素回路をチャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）で形成することができる。ＯＳトランジスタは薄膜で形成することができ、Ｓｉトランジスタ上に積層して形成することができる。

なお、図１３Ｃに示すように、層７７と層７８との間にＯＳトランジスタが設けられる層７９を有する構成としてもよい。層７９には、画素アレイ７４が有する画素回路の一部をＯＳトランジスタで設けることができる。または、回路７５および回路７６の一部をＯＳトランジスタで設けることができる。または、層７７に設けることができる記憶回路、演算回路、および通信回路などの回路の一部をＯＳトランジスタで設けることができる。

図１４Ａ、図１４Ｂは、図１に示す表示装置３０および光学機器４０を有する眼鏡型のデバイスの例を示す図である。ここでは、表示装置３０および光学機器４０の組み合わせを表示ユニット９２として、破線で示している。眼鏡型のデバイスは表示ユニット９２を２組有し、用途によってはＶＲグラスなどと呼ばれる場合もある。

２組の表示ユニット９２は、レンズ４５の表面が内側に露出するように筐体９０に組み込まれる。一方の表示ユニット９２は右眼用、他方の表示ユニット９２は左眼用になり、それぞれの表示ユニット９２で視差に対応した画像を表示することで、画像の立体感を感じることができる。

また、筐体９０またはバンド９１に入力端子および出力端子が設けられていてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、または筐体９０内に設けられるバッテリーを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。出力端子としては、例えば音声出力端子として機能し、イヤフォン、ヘッドフォン等を接続することができる。なお、無線通信により音声データを出力可能な構成とする場合、または外部の映像出力機器から音声を出力する場合には、当該音声出力端子を設けなくてもよい。

また、筐体９０またはバンド９１の内部に無線通信モジュールおよび記憶モジュールなどが設けられていてもよい。無線通信モジュールにより無線通信を行い、視聴するコンテンツをダウンロードして記憶モジュールに保存しておくことができる。これにより、ユーザーは好きなときにダウンロードしたコンテンツをオフラインで視聴することができる。

また、筐体９０内に視線検知センサが設けられていてもよい。例えば、電源オン、電源オフ、スリープ、音量調整、チャンネル変更、メニュー表示、選択、決定、戻る、などの操作ボタン、および動画の再生、停止、一時停止、早送り、早戻しなどの操作ボタンを表示させ、当該操作ボタンを視認することで、それぞれの操作を行うことができる。

眼鏡型デバイスに本発明の一態様の光学機器４０を用いることにより、小型かつ薄型で消費電力が低く、信頼性の高い電子機器とすることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示パネルの構成例について説明する。以下で例示する表示パネルは、上記実施の形態１の表示パネル３１に適用することができる。

本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示パネルである。表示パネルは、発光色の異なる２つ以上の画素を有する。画素は、それぞれ発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。発光色の異なる２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる発光材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示パネルを実現できる。

発光色がそれぞれ異なる複数の発光素子を有する表示パネルを作製する場合、少なくとも発光材料を含む層（発光層）をそれぞれ島状に形成する必要がある。ＥＬ層の一部または全部を作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドーマスクを用いた蒸着法により島状の有機膜を形成する方法が知られている。しかしながらこの方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、および蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の有機膜の形状および位置に設計からのずれが生じるため、表示パネルの高精細化、および高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示パネルを作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、および熱などによる変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。そのため、ペンタイル配列などの特殊な画素配列方式を採用することなどにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

なお、本明細書等において、島状とは、同一工程において同一材料を用いて形成された２以上の層が物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

本発明の一態様は、ＥＬ層をファインメタルマスク（ＦＭＭ）などのシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィ法を用いて、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示パネルを実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示パネルを実現できる。なお、例えば、ＥＬ層をメタルマスクと、フォトリソグラフィ法と、の双方を用いて微細なパターンに加工してもよい。

また、ＥＬ層の一部または全部を物理的に分断することができる。これにより、隣接する発光素子間で共通に用いる層（共通層ともいう）を介した、発光素子間のリーク電流を抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示パネルを実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示パネルを実現できる。

本発明の一態様は、白色発光の発光素子と、カラーフィルタとを組み合わせた表示パネルとすることもできる。この場合、異なる色の光を呈する画素（副画素）に設けられる発光素子に、それぞれ同じ構成の発光素子を適用することができ、全ての層を共通層とすることができる。さらに、それぞれのＥＬ層の一部または全部を、フォトリソグラフィ法を用いた工程で分断してもよい。これにより、共通層を介したリーク電流が抑制され、コントラストの高い表示パネルを実現できる。特に、導電性の高い中間層を介して、複数の発光層を積層したタンデム構造を有する素子では、当該中間層を介したリーク電流を効果的に防ぐことができるため、高い輝度、高い精細度、および高いコントラストを兼ね備えた表示パネルを実現できる。

ＥＬ層をフォトリソグラフィ法を用いて加工する場合、発光層の一部が露出し、劣化の要因となる場合がある。そのため、少なくとも島状の発光層の側面を覆う絶縁層を設けることが好ましい。当該絶縁層は、島状のＥＬ層の上面の一部を覆う構成としてもよい。当該絶縁層としては、水および酸素に対してバリア性を有する材料を用いることが好ましい。例えば、水または酸素を拡散しにくい、無機絶縁膜を用いることができる。これにより、ＥＬ層の劣化を抑制し、信頼性の高い表示パネルを実現できる。

さらに、隣接する２つの発光素子間には、いずれの発光素子のＥＬ層も設けられない領域（凹部）を有する。当該凹部を覆って共通電極、または共通電極および共通層を形成する場合、共通電極がＥＬ層の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、ＥＬ層上の共通電極が絶縁してしまう場合がある。そこで、隣接する２つの発光素子間に位置する局所的な段差を、平坦化膜として機能する樹脂層により埋める構成（ＬＦＰ：Ｌｏｃａｌ　Ｆｉｌｌｉｎｇ　Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎともいう）とすることが好ましい。当該樹脂層は、平坦化膜としての機能を有する。これにより、共通層または共通電極の段切れを抑制し、信頼性の高い表示パネルを実現できる。

以下では、本発明の一態様の表示パネルの、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
図１５Ａに、本発明の一態様の表示パネル１００の上面概略図を示す。表示パネル１００は、基板１０１上に、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、および青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図１５Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図１５Ａは、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列、ダイヤモンド配列などを用いることもできる。

発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂとしては、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、有機化合物だけでなく、無機化合物（量子ドット材料など）を用いることができる。

また、図１５Ａには、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを示している。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、発光素子１１０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。

接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、帯状（長方形）、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。なお、本明細書等において、上面形状とは、平面視における形状、つまり、上から見た形状のことをいう。

図１５Ｂ、図１５Ｃはそれぞれ、図１５Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、一点鎖線Ａ３−Ａ４に対応する断面概略図である。図１５Ｂには、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂの断面概略図を示し、図１５Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが接続される接続部１４０の断面概略図を示している。

発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、有機層１１２Ｒ、共通層１１４、および共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１２Ｇ、共通層１１４、および共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１２Ｂ、共通層１１４、および共通電極１１３を有する。共通層１１４と共通電極１１３は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂに共通に設けられる。

発光素子１１０Ｒが有する有機層１１２Ｒは、少なくとも赤色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｇが有する有機層１１２Ｇは、少なくとも緑色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｂが有する有機層１１２Ｂは、少なくとも青色の光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、および有機層１１２Ｂは、それぞれＥＬ層とも呼ぶことができ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層）を有する。

以下では、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、発光素子１１０と呼称して説明する場合がある。同様に、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、および有機層１１２Ｂなど、アルファベットで区別する構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

有機層１１２、および共通層１１４は、それぞれ独立に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、および正孔輸送層のうち、一以上を有することができる。例えば、有機層１１２が、画素電極１１１側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の積層構造を有し、共通層１１４が電子注入層を有する構成とすることができる。

画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、および画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３および共通層１１４は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示パネルとすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示パネルとすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示パネルとすることもできる。

共通電極１１３上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

画素電極１１１の端部はテーパ形状を有することが好ましい。画素電極１１１の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極１１１の端部に沿って設けられる有機層１１２も、テーパ形状とすることができる。画素電極１１１の端部をテーパ形状とすることで、画素電極１１１の端部を乗り越えて設けられる有機層１１２の被覆性を高めることができる。また、画素電極１１１の側面をテーパ形状とすることで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、またはパーティクルなどともいう）を、洗浄などの処理により除去することが容易となり好ましい。

なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。

有機層１１２は、フォトリソグラフィ法を用いて島状に加工されている。そのため、有機層１１２は、その端部において、上面と側面との成す角が９０度に近い形状となる。一方、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋ）などを用いて形成された有機膜は、その厚さが端部に近いほど徐々に薄くなる傾向があり、例えば１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にわたって、上面がスロープ状に形成されるため、上面と側面の区別が困難な形状となる。

隣接する２つの発光素子間には、絶縁層１２５、樹脂層１２６および層１２８を有する。

隣接する２つの発光素子間において、互いの有機層１１２の側面が樹脂層１２６を挟んで対向して設けられている。樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子の間に位置し、それぞれの有機層１１２の端部、および２つの有機層１１２の間の領域を埋めるように設けられている。樹脂層１２６は、滑らかな凸状の上面形状を有しており、樹脂層１２６の上面を覆って、共通層１１４および共通電極１１３が設けられている。

樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子間に位置する段差を埋める平坦化膜として機能する。樹脂層１２６を設けることにより、共通電極１１３が有機層１１２の端部の段差により分断されてしまう現象（段切れともいう）が生じ、有機層１１２上の共通電極が絶縁してしまうことを防ぐことができる。樹脂層１２６は、ＬＦＰ（Ｌｏｃａｌ　Ｆｉｌｌｉｎｇ　Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）ともいうことができる。

樹脂層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、樹脂層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、およびこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、樹脂層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。

また、樹脂層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

樹脂層１２６は、可視光を吸収する材料を含んでいてもよい。例えば、樹脂層１２６自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、樹脂層１２６が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。樹脂層１２６としては、例えば、赤色、青色、または緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、またはカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂などを用いることができる。

絶縁層１２５は、有機層１１２の側面に接して設けられている。また絶縁層１２５は、有機層１１２の上端部を覆って設けられている。また絶縁層１２５の一部は、基板１０１の上面に接して設けられている。

絶縁層１２５は、樹脂層１２６と有機層１１２との間に位置し、樹脂層１２６が有機層１１２に接することを防ぐための保護膜として機能する。有機層１１２と樹脂層１２６とが接すると、樹脂層１２６の形成時に用いられる有機溶媒などにより有機層１１２が溶解する可能性がある。そのため、有機層１１２と樹脂層１２６との間に絶縁層１２５を設ける構成とすることで、有機層１１２の側面を保護することが可能となる。

絶縁層１２５としては、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、および窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、および酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜および窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。

なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

また、絶縁層１２５と、樹脂層１２６との間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、およびアルミニウムなどの中から選ばれる一または複数を含む金属膜）を設け、発光層から射出される光を上記反射膜により反射させる構成としてもよい。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。

層１２８は、有機層１１２のエッチング時に、有機層１１２を保護するための保護層（マスク層、犠牲層ともいう）の一部が残存したものである。層１２８には、上記絶縁層１２５に用いることのできる材料を用いることができる。特に、層１２８と絶縁層１２５とに同じ材料を用いると、加工のための装置等を共通に用いることができるため、好ましい。

特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化金属膜、または酸化シリコン膜などの無機絶縁膜はピンホールが少ないため、ＥＬ層を保護する機能に優れ、絶縁層１２５および層１２８に好適に用いることができる。

保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料または導電性材料を用いてもよい。

保護層１２１としては、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

図１５Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示している。接続部１４０では、接続電極１１１Ｃ上において、絶縁層１２５および樹脂層１２６に開口部が設けられる。当該開口部において、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続されている。

なお、図１５Ｃには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１４０を示しているが、接続電極１１１Ｃ上に共通層１１４を介して共通電極１１３が設けられていてもよい。特に共通層１１４にキャリア注入層を用いた場合などでは、当該共通層１１４に用いる材料の電気抵抗率が十分に低く、且つ厚さも薄く形成できるため、共通層１１４が接続部１４０に位置していても問題は生じない場合が多い。これにより、共通電極１１３と共通層１１４とを同じ遮蔽マスクを用いて形成することができるため、製造コストを低減できる。

［構成例２］
以下では、上記構成例１とは一部の構成が異なる表示パネルについて説明する。なお、上記構成例１と共通する部分はこれを参照し、説明を省略する場合がある。

図１６Ａに、表示パネル１００ａの断面概略図を示す。表示パネル１００ａは、発光素子の構成が異なる点、および着色層を有する点で、表示パネル１００と主に相違している。

表示パネル１００ａは、白色光を呈する発光素子１１０Ｗを有する。発光素子１１０Ｗは、画素電極１１１、有機層１１２Ｗ、共通層１１４、および共通電極１１３を有する。有機層１１２Ｗは、白色発光を呈する。例えば、有機層１１２Ｗは、発光色が補色の関係となる２種類以上の発光材料を含む構成とすることができる。例えば、有機層１１２Ｗは、赤色の光を発する発光性の有機化合物と、緑色の光を発する発光性の有機化合物と、青色の光を発する発光性の有機化合物と、を有する構成とすることができる。また、青色の光を発する発光性の有機化合物と、黄色の光を発する発光性の有機化合物と、を有する構成としてもよい。

隣接する２つの発光素子１１０Ｗ間において、それぞれの有機層１１２Ｗは分断されている。これにより、有機層１１２Ｗを介して隣接する発光素子１１０Ｗ間に流れるリーク電流を抑制することができ、当該リーク電流に起因したクロストークを抑制できる。そのため、コントラスト、および色再現性の高い表示パネルを実現できる。

保護層１２１上には、平坦化膜として機能する絶縁層１２２が設けられ、絶縁層１２２上には着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、および着色層１１６Ｂが設けられている。

絶縁層１２２としては、有機樹脂膜、または上面が平坦化された無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２２は、着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、および着色層１１６Ｂの被形成面を成すため、絶縁層１２２の上面が平坦であることで、着色層１１６Ｒ等の厚さを均一にできるため、色純度を高めることができる。なお、着色層１１６Ｒ等の厚さが不均一であると、光の吸収量が着色層１１６Ｒの場所によって変わるため、色純度が低下してしまう恐れがある。

［構成例３］
図１６Ｂに、表示パネル１００ｂの断面概略図を示す。

発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１、導電層１１５Ｒ、有機層１１２Ｗ、および共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１、導電層１１５Ｇ、有機層１１２Ｗ、および共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１、導電層１１５Ｂ、有機層１１２Ｗ、および共通電極１１３を有する。導電層１１５Ｒ、導電層１１５Ｇ、および導電層１１５Ｂはそれぞれ透光性を有し、光学調整層として機能する。

画素電極１１１に、可視光を反射する膜を用い、共通電極１１３に、可視光に対して反射性と透過性の両方を有する膜を用いることにより、微小共振器（マイクロキャビティ）構造を実現することができる。このとき、導電層１１５Ｒ、導電層１１５Ｇ、および導電層１１５Ｂの厚さをそれぞれ、最適な光路長となるように調整することで、白色発光を呈する有機層１１２を用いた場合であっても、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂからは、それぞれ異なる波長の光が強められた光を得ることができる。

さらに、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および発光素子１１０Ｂの光路上には、それぞれ着色層１１６Ｒ、着色層１１６Ｇ、着色層１１６Ｂが設けられることで、色純度の高い光を得ることができる。

また、画素電極１１１、導電層１１５Ｒ、導電層１１５Ｇ、および導電層１１５Ｂの端部を覆う絶縁層１２３が設けられている。絶縁層１２３は、端部がテーパ形状を有していることが好ましい。絶縁層１２３を設けることで、その上に形成される有機層１１２Ｗ、共通電極１１３、および保護層１２１などによる被覆性を高めることができる。

有機層１１２Ｗおよび共通電極１１３は、それぞれ一続きの膜として、各発光素子に共通して設けられている。このような構成とすることで、表示パネルの作製工程を大幅に簡略化できるため好ましい。

ここで、画素電極１１１は、その端部が垂直に近い形状であることが好ましい。これにより、絶縁層１２３の表面に傾斜が急峻な部分を形成することができ、この部分を被覆する有機層１１２Ｗの一部に厚さの薄い部分を形成すること、または有機層１１２Ｗの一部を分断することができる。そのため、フォトリソグラフィ法などを用いた有機層１１２Ｗの加工を行うことなく、隣接する発光素子間に生じる有機層１１２Ｗを介したリーク電流を抑制することができる。

以上が、表示パネルの構成例についての説明である。

［画素のレイアウト］
以下では、主に、図１５Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。発光素子（副画素）の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。

また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光素子の発光領域の上面形状に相当する。

図１７Ａに示す画素１５０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１７Ａに示す画素１５０は、発光素子１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、発光素子１１０ａを青色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを緑色の発光素子としてもよい。

図１７Ｂに示す画素１５０は、角が丸い略台形または略三角形の上面形状を有する発光素子１１０ａと、角が丸い略台形または略三角形の上面形状を有する発光素子１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する発光素子１１０ｃと、を有する。また、発光素子１１０ａは、発光素子１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各発光素子の形状およびサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光素子ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、発光素子１１０ａを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

図１７Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１７Ｃでは、発光素子１１０ａおよび発光素子１１０ｂを有する画素１２４ａと、発光素子１１０ｂおよび発光素子１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

図１７Ｄおよび図１７Ｅに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの発光素子（発光素子１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの発光素子（発光素子１１０ａ、１１０ｂ）を有する。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

図１７Ｄは、各発光素子が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１７Ｅは、各発光素子が、円形の上面形状を有する例である。

図１７Ｆは、各色の発光素子がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの発光素子（例えば、発光素子１１０ａと発光素子１１０ｂ、または、発光素子１１０ｂと発光素子１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、発光素子１１０ａを赤色の発光素子とし、発光素子１１０ｂを緑色の発光素子とし、発光素子１１０ｃを青色の発光素子としてもよい。

フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、発光素子の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

さらに、本発明の一態様の表示パネルの作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度およびレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

以上が、画素のレイアウトに関する説明である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用することのできる表示パネルの他の構成例について説明する。

本実施の形態の表示パネルは、高精細な表示パネルであり、特にヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、および、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることが適している。

［表示モジュール］
図１８Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示パネル２００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示パネルは表示パネル２００Ａに限られず、後述する表示パネル２００Ｂ乃至表示パネル２００Ｆのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１および基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、画像を表示する領域である。

図１８Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１８Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、赤色の光を発する発光素子１１０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１１０Ｇ、および、青色の光を発する発光素子１１０Ｂを有する。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光デバイスの発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａには、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示パネルが実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、および、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、および電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。また、回路部２８２に設けられるトランジスタが画素回路２８３ａの一部を構成してもよい。すなわち、画素回路２８３ａが、画素回路部２８３が有するトランジスタと、回路部２８２が有するトランジスタと、により構成されていてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号および電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３および回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示パネル２００Ａ］
図１９に示す表示パネル２００Ａは、基板３０１、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、容量２４０、および、トランジスタ３１０を有する。

基板３０１は、図１８Ａおよび図１８Ｂにおける基板２９１に相当する。

トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、および、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。

絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、および絶縁層２５５ｃには、それぞれ無機絶縁膜を好適に用いることができる。例えば、絶縁層２５５ａおよび絶縁層２５５ｃに酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂに窒化シリコン膜を用いることが好ましい。これにより、絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜として機能させることができる。本実施の形態では、絶縁層２５５ｃの一部がエッチングされ、凹部が形成されている例を示すが、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられていなくてもよい。

絶縁層２５５ｃ上に発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および、発光素子１１０Ｂが設けられている。発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、および、発光素子１１０Ｂの構成は、実施の形態２を参照できる。

表示パネル２００Ａは、発光色ごとに、発光デバイスを作り分けているため、低輝度での発光と高輝度での発光で色度の変化が小さい。また、有機層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂがそれぞれ離隔しているため、高精細な表示パネルであっても、隣接する副画素間におけるクロストークの発生を抑制することができる。したがって、高精細であり、かつ、表示品位の高い表示パネルを実現することができる。

隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁層１２５、樹脂層１２６、および層１２８が設けられる。

発光素子の画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、および、画素電極１１１Ｂは、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、および、絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、および、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

また、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、および１１０Ｂ上には保護層１２１が設けられている。保護層１２１上には、接着層１７１によって基板１７０が貼り合わされている。

隣接する２つの画素電極１１１間には、画素電極１１１の上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光素子の間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示パネルとすることができる。

［表示パネル２００Ｂ］
図２０に示す表示パネル２００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示パネルの説明では、先に説明した表示パネルと同様の部分については説明を省略することがある。

表示パネル２００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５が設けられ、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上には絶縁層３４６が設けられている。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂおよび基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制することができる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１２１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂおよび絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って、保護層として機能する絶縁層３４４を設けることが好ましい。

また、基板３０１Ｂの下側に、絶縁層３４５を介して導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれており、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されている。また、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれており、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されている。

導電層３４１および導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１および導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示パネル２００Ｃ］
図２１に示す表示パネル２００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

図２１に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５および絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示パネル２００Ｄ］
図２２に示す表示パネル２００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示パネル２００Ａと主に相違する。

トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、および、導電層３２７を有する。

基板３３１は、図１８Ａおよび図１８Ｂにおける基板２９１に相当する。

基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、および半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極およびドレイン電極として機能する。

一対の導電層３２５の上面および側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、および半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

絶縁層３２８および絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部に、半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、および絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９および絶縁層２６５が設けられている。

絶縁層２６４および絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８および絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、および絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、および絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、および導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素および酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

なお、本実施の形態の表示パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ３２０には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタの半導体層に用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体、（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層に用いる金属酸化物のバンドギャップは、２ｅＶ以上が好ましく、２．５ｅＶ以上がより好ましい。バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、ＯＳトランジスタのオフ電流を低減することができる。

金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウムおよび亜鉛を有することがより好ましい。例えば、金属酸化物は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、およびコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。

または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

半導体層に用いることのできる金属酸化物としては、例えば、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、および亜鉛酸化物が挙げられる。また、金属酸化物は、インジウムと、元素Ｍと、亜鉛と、の中から選ばれる二種または三種を有することが好ましい。なお、元素Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、およびマグネシウムから選ばれた一種または複数種である。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、およびスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層に用いる金属酸化物として、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、および亜鉛を含む酸化物（ＩＴＺＯ（登録商標）とも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、および亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、アルミニウム、および亜鉛を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、アルミニウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層に用いる金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、および、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

また、半導体層は、組成が異なる２層以上の金属酸化物層を有していてもよい。例えば、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］もしくはその近傍の組成の第１の金属酸化物層と、当該第１の金属酸化物層上に設けられるＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］もしくはその近傍の組成の第２の金属酸化物層と、の積層構造を好適に用いることができる。また、元素Ｍとして、ガリウムまたはアルミニウムを用いることが特に好ましい。

また、例えばインジウム酸化物、インジウムガリウム酸化物、およびＩＧＺＯの中から選ばれるいずれか一と、ＩＡＺＯ、ＩＡＧＺＯ、およびＩＴＺＯ（登録商標）の中から選ばれるいずれか一と、の積層構造などを用いてもよい。

結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示パネルの消費電力を低減することができる。

また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化が小さい。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調数を多くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「消費電力の低減」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

［表示パネル２００Ｅ］
図２３に示す表示パネル２００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、およびその周辺の構成については、上記表示パネル２００Ｄを参照することができる。

なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示パネル２００Ｆ］
図２４に示す表示パネル２００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１および導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３および絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０およびトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示パネルを小型化することが可能となる。

［表示パネル２００Ｇ］
図２５に示す表示パネル２００Ｇは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

トランジスタ３２０Ａは、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。トランジスタ３２０Ｂは、画素回路を構成するトランジスタとして用いてもよいし、上記駆動回路を構成するトランジスタとして用いてもよい。また、トランジスタ３１０、トランジスタ３２０Ａ、およびトランジスタ３２０Ｂは、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる発光デバイス（発光素子）について説明する。

本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

本明細書等では、発光波長が異なる発光デバイスで少なくとも発光層を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料および構成を最適化することができるため、材料および構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上および信頼性の向上を図ることが容易となる。

本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、およびキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、およびキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

本明細書等において、発光デバイス（発光素子ともいう）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層および電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層および電子輸送層）、および、キャリアブロック層（正孔ブロック層および電子ブロック層）などが挙げられる。

発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

図２６Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１および上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、および、層７９０などの複数の層で構成することができる。

発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、および、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、および、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、および層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２６Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

また、図２６Ｂは、図２６Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図２６Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

なお、図２６Ｃおよび図２６Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。なお、図２６Ｃおよび図２６Ｄでは、発光層を３層有する例を示すが、シングル構造の発光デバイスにおける発光層は、２層であってもよく、４層以上であってもよい。また、シングル構造の発光デバイスは、２つの発光層の間に、バッファ層を有していてもよい。バッファ層は、例えば、正孔輸送層または電子輸送層に用いることができる材料を用いて形成することができる。

また、図２６Ｅおよび図２６Ｆに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａおよび発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５（中間層ともいう）を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。

なお、図２６Ｄおよび図２６Ｆは、表示パネルが、発光デバイスと重なる層７６４を有する例である。図２６Ｄは、層７６４が、図２６Ｃに示す発光デバイスと重なる例であり、図２６Ｆは、層７６４が、図２６Ｅに示す発光デバイスと重なる例である。

層７６４としては、色変換層およびカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。

図２６Ｃおよび図２６Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、および発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、および発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素および緑色の光を呈する副画素においては、図２６Ｄに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。

また、発光層７７１、発光層７７２、および発光層７７３に、それぞれ発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、および発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。例えば、シングル構造の発光デバイスは、青色の光を発する発光物質を有する発光層、および、青色よりも長波長の可視光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。

例えば、シングル構造の発光デバイスが３層の発光層を有する場合、赤色（Ｒ）の光を発する発光物質を有する発光層、緑色（Ｇ）の光を発する発光物質を有する発光層、および、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。発光層の積層順としては、陽極側から、Ｒ、Ｇ、Ｂ、または、陽極側からＲ、Ｂ、Ｇなどとすることができる。このとき、ＲとＧまたはＢとの間にバッファ層が設けられていてもよい。

また、例えば、シングル構造の発光デバイスが２層の発光層を有する場合、青色（Ｂ）の光を発する発光物質を有する発光層、および、黄色の光を発する発光物質を有する発光層を有することが好ましい。当該構成をＢＹシングルと呼称する場合がある。

図２６Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

また、図２６Ｅおよび図２６Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。

例えば、各色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素においては、発光デバイスが発する青色の光を取り出すことができる。また、赤色の光を呈する副画素および緑色の光を呈する副画素においては、図２６Ｆに示す層７６４として色変換層を設けることで、発光デバイスが発する青色の光をより長波長の光に変換し、赤色または緑色の光を取り出すことができる。

また、各色の光を呈する副画素に、図２６Ｅまたは図２６Ｆに示す構成の発光デバイスを用いる場合、副画素によって、異なる発光物質を用いてもよい。具体的には、赤色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ赤色の光を発する発光物質を用いてもよい。同様に、緑色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ緑色の光を発する発光物質を用いてもよい。青色の光を呈する副画素が有する発光デバイスにおいて、発光層７７１と、発光層７７２に、それぞれ青色の光を発する発光物質を用いてもよい。このような構成の表示パネルは、タンデム構造の発光デバイスが適用されており、かつ、ＳＢＳ構造であるといえる。そのため、タンデム構造のメリットと、ＳＢＳ構造のメリットの両方を併せ持つことができる。これにより、高輝度発光が可能であり、信頼性の高い発光デバイスを実現することができる。

また、図２６Ｅおよび図２６Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、発光色の異なる発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２６Ｆに示す層７６４として、カラーフィルタを設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

なお、図２６Ｅおよび図２６Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａが１層の発光層７７１を有し、発光ユニット７６３ｂが１層の発光層７７２を有する例を示すが、これに限られない。発光ユニット７６３ａおよび発光ユニット７６３ｂは、それぞれ、２層以上の発光層を有していてもよい。

また、図２６Ｅおよび図２６Ｆでは、発光ユニットを２つ有する発光デバイスを例示したが、これに限られない。発光デバイスは、発光ユニットを３つ以上有していてもよい。

具体的には、図２７Ａ乃至図２７Ｃに示す発光デバイスの構成が挙げられる。

図２７Ａは、発光ユニットを３つ有する構成である。なお、発光ユニットを２つ有する構成を２段タンデム構造と、発光ユニットを３つ有する構成を３段タンデム構造と、それぞれ呼称してもよい。

また、図２７Ａに示すように、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、および発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２と、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

なお、図２７Ａに示す構成においては、発光層７７１、発光層７７２、および発光層７７３は、それぞれ同じ色の光を発する発光物質を有すると好ましい。具体的には、発光層７７１、発光層７７２、および発光層７７３が、それぞれ赤色（Ｒ）の発光物質を有する構成（いわゆるＲ＼Ｒ＼Ｒの３段タンデム構造）、発光層７７１、発光層７７２、および発光層７７３が、それぞれ緑色（Ｇ）の発光物質を有する構成（いわゆるＧ＼Ｇ＼Ｇの３段タンデム構造）、または発光層７７１、発光層７７２、および発光層７７３が、それぞれ青色（Ｂ）の発光物質を有する構成（いわゆるＢ＼Ｂ＼Ｂの３段タンデム構造）とすることができる。

なお、それぞれ同じ色の光を発する発光物質としては、上記の構成に限定されない。例えば、図２７Ｂに示すように、複数の発光物質を有する発光ユニットを積層したタンデム型の発光デバイスとしてもよい。図２７Ｂは、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、および発光ユニット７６３ｂ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、および発光層７７１ｃと、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、および発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有する。

図２７Ｂに示す構成においては、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、および発光層７７１ｃを、補色の関係となる発光物質を選択し白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。また、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、および発光層７７２ｃを、補色の関係となる発光物質を選択し白色発光（Ｗ）が可能な構成とする。すなわち、図２７Ｃに示す構成においては、Ｗ＼Ｗの２段タンデム構造である。なお、発光層７７１ａ、発光層７７１ｂ、および発光層７７１ｃの補色の関係となる発光物質の積層順については、特に限定はない。実施者が適宜最適な積層順を選択することができる。また、図示しないが、Ｗ＼Ｗ＼Ｗの３段タンデム構造、または４段以上のタンデム構造としてもよい。

また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＢ＼Ｙの２段タンデム構造、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとを有するＲ・Ｇ＼Ｂの２段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄色（Ｙ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｙ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットと、緑色（Ｇ）の光を発する発光ユニットと、青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットとをこの順で有するＢ＼Ｇ＼Ｂの３段タンデム構造などが挙げられる。

また、図２７Ｃに示すように、１つの発光物質を有する発光ユニットと、複数の発光物質を有する発光ユニットと、を組み合わせてもよい。

具体的には、図２７Ｃに示す構成においては、複数の発光ユニット（発光ユニット７６３ａ、発光ユニット７６３ｂ、および発光ユニット７６３ｃ）が電荷発生層７８５を介して、それぞれ直列に接続された構成である。また、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａと、発光層７７１と、層７９０ａと、を有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂと、発光層７７２ａ、発光層７７２ｂ、および発光層７７２ｃと、層７９０ｂと、を有し、発光ユニット７６３ｃは、層７８０ｃと、発光層７７３と、層７９０ｃと、を有する。

例えば、図２７Ｃに示す構成において、発光ユニット７６３ａが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｂが赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および黄緑色（ＹＧ）の光を発する発光ユニットであり、発光ユニット７６３ｃが青色（Ｂ）の光を発する発光ユニットである、Ｂ＼Ｒ・Ｇ・ＹＧ＼Ｂの３段タンデム構造などを適用することができる。

例えば、発光ユニットの積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｂ、Ｙの２段構造、Ｂと発光ユニットＸとの２段構造、Ｂ、Ｙ、Ｂの３段構造、Ｂ、Ｘ、Ｂの３段構造が挙げられ、発光ユニットＸにおける発光層の積層数と色の順番としては、陽極側から、Ｒ、Ｙの２層構造、Ｒ、Ｇの２層構造、Ｇ、Ｒの２層構造、Ｇ、Ｒ、Ｇの３層構造、または、Ｒ、Ｇ、Ｒの３層構造などとすることができる。また、２つの発光層の間に他の層が設けられていてもよい。

なお、図２６Ｃ、図２６Ｄにおいても、図２６Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

また、図２６Ｅおよび図２６Ｆにおいて、発光ユニット７６３ａは、層７８０ａ、発光層７７１、および、層７９０ａを有し、発光ユニット７６３ｂは、層７８０ｂ、発光層７７２、および、層７９０ｂを有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０ａおよび層７８０ｂは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、および、電子ブロック層のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０ａおよび層７９０ｂは、それぞれ、電子注入層、電子輸送層、および、正孔ブロック層のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０ａと層７９０ａは互いに上記と逆の構成になり、層７８０ｂと層７９０ｂも互いに上記と逆の構成になる。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８０ａは、正孔注入層と、正孔注入層上の正孔輸送層と、を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、電子輸送層を有し、さらに、発光層７７１と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、正孔輸送層を有し、さらに、正孔輸送層上の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と電子輸送層との間の正孔ブロック層を有していてもよい。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、例えば、層７８０ａは、電子注入層と、電子注入層上の電子輸送層と、を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ａは、正孔輸送層を有し、さらに、発光層７７１と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。また、層７８０ｂは、電子輸送層を有し、さらに、電子輸送層上の正孔ブロック層を有していてもよい。また、層７９０ｂは、正孔輸送層と、正孔輸送層上の正孔注入層と、を有し、さらに、発光層７７２と正孔輸送層との間の電子ブロック層を有していてもよい。

また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットは、電荷発生層７８５を介して積層される。電荷発生層７８５は、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生層７８５は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示パネルが赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光および赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光および赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示パネルから取り出されてもよい。

発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。当該材料としては、具体的には、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛、インジウム、スズ、モリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、金、白金、銀、イットリウム、ネオジムなどの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金が挙げられる。また、当該材料としては、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、およびＩｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物などを挙げることができる。また、当該材料としては、アルミニウム、ニッケル、およびランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、および、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、当該材料としては、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、ストロンチウム）、ユウロピウム、イッテルビウムなどの希土類金属およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等が挙げられる。

発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性および反射性を有する電極（半透過・半反射電極）であることが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）であることが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

なお、半透過・半反射電極は、反射電極として用いることができる導電層と、可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）として用いることができる導電層と、の積層構造とすることができる。

透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスの透明電極には、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性および正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。例えば、発光デバイスは、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、および電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。

発光デバイスには低分子化合物および高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光層は、１種または複数種の発光物質を有する。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、および量子ドット材料などが挙げられる。

蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、およびナフタレン誘導体などが挙げられる。

燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、および希土類金属錯体等が挙げられる。

発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）および電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い物質を用いることができる。電子輸送性材料としては、後述の、電子輸送層に用いることができる電子輸送性の高い物質を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料および電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、および、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

正孔輸送性材料としては、後述の、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性の高い物質を用いることができる。

アクセプター性材料としては、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、および、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、フッ素を含む有機アクセプター性材料を用いることもできる。また、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、および、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプター性材料を用いることもできる。

例えば、正孔注入性の高い物質として、正孔輸送性材料と、上述の元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（代表的には酸化モリブデン）とを含む材料を用いてもよい。

正孔輸送層は、正孔注入層によって陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い物質が好ましい。

電子ブロック層は、発光層に接して設けられる。電子ブロック層は、正孔輸送性を有し、かつ、電子をブロックすることが可能な材料を含む層である。電子ブロック層には、上記正孔輸送性材料のうち、電子ブロック性を有する材料を用いることができる。

電子ブロック層は、正孔輸送性を有するため、正孔輸送層と呼ぶこともできる。また、正孔輸送層のうち、電子ブロック性を有する層を、電子ブロック層と呼ぶこともできる。

電子輸送層は、電子注入層によって陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い物質を用いることができる。

正孔ブロック層は、発光層に接して設けられる。正孔ブロック層は、電子輸送性を有し、かつ、正孔をブロックすることが可能な材料を含む層である。正孔ブロック層には、上記電子輸送性材料のうち、正孔ブロック性を有する材料を用いることができる。

正孔ブロック層は、電子輸送性を有するため、電子輸送層と呼ぶこともできる。また、電子輸送層のうち、正孔ブロック性を有する層を、正孔ブロック層と呼ぶこともできる。

電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い物質としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

また、電子注入性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）であることが好ましい。

電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位およびＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移点（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

電荷発生層は、上述の通り、少なくとも電荷発生領域を有する。電荷発生領域は、アクセプター性材料を含むことが好ましく、例えば、上述の正孔注入層に適用可能な、正孔輸送性材料とアクセプター性材料とを含むことが好ましい。

また、電荷発生層は、電子注入性の高い物質を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子注入バッファ層と呼ぶこともできる。電子注入バッファ層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子注入バッファ層を設けることで、電荷発生領域と電子輸送層との間の注入障壁を緩和することができるため、電荷発生領域で生じた電子を電子輸送層に容易に注入することができる。

電子注入バッファ層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことが好ましく、例えば、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含む構成とすることができる。具体的には、電子注入バッファ層は、アルカリ金属と酸素とを含む無機化合物、または、アルカリ土類金属と酸素とを含む無機化合物を有することが好ましく、リチウムと酸素とを含む無機化合物（酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）など）を有することがより好ましい。その他、電子注入バッファ層には、上述の電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。

電荷発生層は、電子輸送性の高い物質を含む層を有することが好ましい。当該層は、電子リレー層と呼ぶこともできる。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層との間に設けられることが好ましい。電荷発生層が電子注入バッファ層を有さない場合、電子リレー層は、電荷発生領域と電子輸送層との間に設けられることが好ましい。電子リレー層は、電荷発生領域と電子注入バッファ層（または電子輸送層）との相互作用を防いで、電子をスムーズに受け渡す機能を有する。

電子リレー層としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）などのフタロシアニン系の材料、または、金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

なお、上述の電荷発生領域、電子注入バッファ層、および電子リレー層は、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。

なお、電荷発生層は、アクセプター性材料の代わりに、ドナー性材料を有していてもよい。例えば、電荷発生層としては、上述の電子注入層に適用可能な、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を有していてもよい。

発光ユニットを積層する際、２つの発光ユニットの間に電荷発生層を設けることで、駆動電圧の上昇を抑制することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１０：眼、１１：網膜、３０：表示装置、３１：表示パネル、３２：直線偏光板、３３：位相差板、３４：表示部、３５：制御回路、３６：演算回路、３７：通信装置、４０：光学機器、４１ａ：基板、４１ｂ：反射面、４１：ハーフミラー、４２：レンズ、４３：位相差板、４４：反射偏光板、４５：レンズ、４６：光軸、５０：位置調整機構、５１：円筒、５２：ピン、５３：円筒カム、５４：位置センサ、５５：マーカー、５６：リング、６０：位置調整機構、６１：支柱、６２：円筒、６３：ラック、６４：ピニオン、６５：軸、６６：ノブ、６７：ステッピングモータ、７０：画素、７１：副画素、７４：画素アレイ、７５：回路、７６：回路、７７：層、７８：層、７９：層、８０：表示部、８２：領域、８３：領域、８４：ねじ軸、８５：ナット、８６：光源、８７：光センサ、９０：筐体、９１：バンド、９２：表示ユニット、１００ａ：表示パネル、１００ｂ：表示パネル、１００Ｗ：発光素子、１００：表示パネル、１０１：基板、１１０ａ：発光素子、１１０Ｂ：発光素子、１１０ｂ：発光素子、１１０ｃ：発光素子、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１０：発光素子、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１：画素電極、１１２Ｂ：有機層、１１２Ｇ：有機層、１１２Ｒ：有機層、１１２Ｗ：有機層、１１２：有機層、１１３：共通電極、１１４：共通層、１１５Ｂ：導電層、１１５Ｇ：導電層、１１５Ｒ：導電層、１１５：光学調整層、１１６Ｂ：着色層、１１６Ｇ：着色層、１１６Ｒ：着色層、１２１：保護層、１２２：絶縁層、１２３：絶縁層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５：絶縁層、１２６：樹脂層、１２８：層、１４０：接続部、１５０：画素、１７０：基板、１７１：接着層、２００Ａ：表示パネル、２００Ｂ：表示パネル、２００Ｃ：表示パネル、２００Ｄ：表示パネル、２００Ｅ：表示パネル、２００Ｆ：表示パネル、２００Ｇ：表示パネル、２４０：容量、２４１：導電層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：発光ユニット、７６３ｂ：発光ユニット、７６３ｃ：発光ユニット、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７７１ａ：発光層、７７１ｂ：発光層、７７１ｃ：発光層、７７１：発光層、７７２ａ：発光層、７７２ｂ：発光層、７７２ｃ：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０ａ：層、７８０ｂ：層、７８０ｃ：層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：電荷発生層、７９０ａ：層、７９０ｂ：層、７９０ｃ：層、７９０：層、７９１：層、７９２：層

Claims (8)

1. 　表示パネルと、第１のレンズと、位置調整機構と、を有し、
   　前記第１のレンズの光軸は前記表示パネルの表示部と垂直に交わり、
   　前記位置調整機構は、前記第１のレンズと接続され、
   　前記位置調整機構によって変化させられる前記第１のレンズと前記表示部との距離に応じて、前記表示部に表示する画像の大きさおよび歪曲率が変化する機能を有する電子機器。
2. 　請求項１において、
   　前記位置調整機構は、円筒カムを有する電子機器。
3. 　請求項１において、
   　前記位置調整機構は、ステッピングモータを有する電子機器。
4. 　請求項１において、
   　前記表示パネルは、有機ＥＬ素子を有する電子機器。
5. 　請求項１において、
   　前記位置調整機構は位置センサを有し、
   　前記位置センサは、前記第１のレンズの位置を検出する機能を有する電子機器。
6. 　請求項１乃至５のいずれか一項において、
   　直線偏光板と、第１の位相差板と、ハーフミラーと、第２のレンズと、第２の位相差板と、反射偏光板と、を有し、
   　前記表示パネル、前記直線偏光板、前記第１の位相差板、前記ハーフミラー、前記第２のレンズ、前記第２の位相差板、前記反射偏光板および前記第１のレンズは、それぞれが互いに重なる領域を有するように当該順序で配置されている電子機器。
7. 　請求項１乃至５のいずれか一項において、
   　前記第１のレンズが第１の位置にあるときの前記表示部に表示される画像の大きさおよび歪曲率を１としたとき、
   　前記第１のレンズが前記第１の位置よりも前記表示パネルに近い第２の位置にあるとき、前記表示部に表示される画像の大きさは１よりも小さく、歪曲率は１よりも大きい電子機器。
8. 　請求項７において、
   　前記表示部に表示される画像は、矩形の画像を樽型に歪曲した画像である電子機器。

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