WO2024070833A1 - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents

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哲也 西塚
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Abstract

レジスト膜の露光感度を調整する技術を提供する。　基板処理方法が提供される。この方法は、基板処理方法であって、（ａ）下地膜を有する基板を提供する工程と、（ｂ）下地膜上に第１の膜を形成する工程であって、第１の膜は下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される工程と、（ｃ）第１の膜上に第２の膜を形成する工程であって、第２の膜は金属含有レジスト膜である工程と、を含む。

Description

基板処理方法及び基板処理システム
　本開示の例示的実施形態は、基板処理方法及び基板処理システムに関する。
　特許文献１には、半導体基板上に極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ光、以下「ＥＵＶ光」と表記する）を用いてパターニングされうる薄膜を形成する技術が開示されている。
特表２０２１－５２３４０３号公報
　本開示は、レジスト膜の露光感度を調整する技術を提供する。
　本開示の一つの例示的実施形態において、基板処理方法であって、（ａ）下地膜を有する基板を提供する工程と、（ｂ）前記下地膜上に第１の膜を形成する工程であって、前記第１の膜は前記下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される工程と、（ｃ）前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程であって、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である工程と、を含む、基板処理方法が提供される。
　本開示の一つの例示的実施形態によれば、レジスト膜の露光感度を調整する技術を提供することができる。
熱処理システムの構成例を説明するための図である。 プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。 容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 液処理システムの構成例を説明するための図である。 本処理方法を示すフローチャートである。 基板Ｗの下地膜ＵＦの一例を示す図である。 基板Ｗの下地膜ＵＦの一例を示す図である。 第１の膜ＲＭ１が形成された基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。 ＡＬＤ法を用いた工程ＳＴ２の一例を示すフローチャートである。 ＡＬＤ法を用いた工程ＳＴ２において基板Ｗの表面で生じる現象の一例を模式的に示す図である。 第２の膜ＲＭ２が形成された基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。 ＥＵＶ露光された基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。 ＥＵＶ露光された基板Ｗの断面構造の他の例を示す図である。 現像後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。 現像後の基板Ｗの断面構造の他の例を示す図である。 基板処理システムＳＳの構成例を説明するためのブロック図である。 方法ＭＴを示すフローチャートである。
　以下、本開示の各実施形態について説明する。
　一つの例示的実施形態において、基板処理方法であって、（ａ）下地膜を有する基板を提供する工程と、（ｂ）下地膜上に第１の膜を形成する工程であって、第１の膜は下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される工程と、（ｃ）第１の膜上に第２の膜を形成する工程であって、第２の膜は金属含有レジスト膜である工程と、を含む、基板処理方法が提供される。
　一つの例示的実施形態において、第１の膜は、Ｓｎ、Ａｔ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｘｅ、Ｉ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｈｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む。
　一つの例示的実施形態において、第１の膜はＳｎを含む。
　一つの例示的実施形態において、第１の膜における金属の組成比は、第２の膜における金属の組成比よりも高い。
　一つの例示的実施形態において、（第１の膜は金属含有レジスト膜である。
　一つの例示的実施形態において、（ｂ）の工程において、第１の膜はドライプロセスを用いて形成される。
　一つの例示的実施形態において、（ｂ）の工程において、第１の膜は、ウェットプロセスを用いて形成される。
　一つの例示的実施形態において、第２の膜は、Ｓｎ、Ｈｆ及びＴｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む。
　一つの例示的実施形態において、第２の膜は、Ｓｎを含む。
　一つの例示的実施形態において、第２の膜は、第１の膜よりも厚い。
　一つの例示的実施形態において、（ｃ）の工程において、第２の膜は、ドライプロセスを用いて形成される。
　一つの例示的実施形態において、（ｃ）の工程において、第２の膜は、ウェットプロセスを用いて形成される。
　一つの例示的実施形態において、（ｄ）（ｃ）の工程の後に、基板を露光して第２の膜に露光された第１領域と露光されていない第２領域とを形成する工程をさらに含む。
　一つの例示的実施形態において、（ｄ）の工程の後に、基板を現像して、第２の膜から第２領域を選択的に除去する工程をさらに含む。
　一つの例示的実施形態において、（ｅ）の工程の後に、第２の膜をマスクとして、第１の膜をエッチングする工程をさらに含む。
　一つの例示的実施形態において、（ｆ１）の工程の後に、第１の膜及び第２の膜をマスクとして、下地膜をエッチングする工程をさらに含む。
　一つの例示的実施形態において、（ｃ）の工程の後に、基板を露光して第１の膜及び第２の膜に露光された第１領域と露光されていない第２領域とを形成する工程をさらに含む。
　一つの例示的実施形態において、（ｄ）の工程の後に、基板を現像して、第１の膜及び第２の膜から第２領域を選択的に除去する工程をさらに含む。
　一つの例示的実施形態において、（ｆ）（ｅ）の工程の後に、第１の膜及び第２の膜をマスクとして、下地膜をエッチングする工程をさらに含む。
　一つの例示的実施形態において、基板処理方法であって、（ａ）下地膜と、前記下地膜上の第１の膜と、前記第１の膜上の第２の膜とを有し、前記第１の膜は前記下地膜よりも二次電子放出係数が高く、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である、基板を提供する工程であって、前記第１の膜及び前記第２の膜は、露光された第１領域と、露光されていない第２領域とを含む、前記工程と、（ｂ）前記基板を現像して、前記第１の膜及び前記第２の膜から前記第２領域を選択的に除去する工程と、を含む、基板処理方法が提供される。
　一つの例示的実施形態において、１又は複数の基板処理装置と制御部とを有する基板処理システムであって、制御部は、１又は複数の基板処理装置に対して、（ａ）下地膜を有する基板を提供する制御と、（ｂ）下地膜上に第１の膜を形成する制御であって、第１の膜は下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される制御と、（ｃ）第１の膜上に第２の膜を形成する制御であって、第２の膜は金属含有レジスト膜である制御と、を実行させるように構成される、基板処理システムが提供される。
　以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
＜熱処理システムの構成例＞
　図１は、熱処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、熱処理システムは、熱処理装置１００及び制御部２００を含む。熱処理システムは、基板処理システムの一例であり、熱処理装置１００は、基板処理装置の一例である。
　熱処理装置１００は、密閉空間を形成可能に構成された処理チャンバ１０２を有する。処理チャンバ１０２は、例えば気密な筒状容器であり、内部の雰囲気を調整可能に構成される。処理チャンバ１０２の側壁には、側壁ヒータ１０４が設けられている。処理チャンバ１０２の天井壁（天板）には、天井ヒータ１３０が設けられている。処理チャンバ１０２の天井壁（天板）の天井面１４０は、水平な平坦面として形成されており、天井ヒータ１３０によりその温度が調整される。
　処理チャンバ１０２内の下部側には、基板支持部１２１が設けられている。基板支持部１２１は、その上に基板Ｗが支持される基板支持面を有する。基板支持部１２１は、例えば、平面視で円形に形成されており、水平に形成されたその表面（上面）の上に基板Ｗが載置される。基板支持部１２１の中には、ステージヒータ１２０が埋設されている。このステージヒータ１２０は、基板支持部１２１に載置された基板Ｗを加熱することができる。なお、基板支持部１２１には、基板Ｗを囲むようにリングアセンブリ（図示せず）が配置されてもよい。リングアセンブリは、１又は複数の環状部材を含んでよい。リングアセンブリを基板Ｗの周囲に配置することにより、基板Ｗの外周領域の温度制御性を向上させることができる。リングアセンブリは、目的とする熱処理に応じて、無機材料又は有機材料から構成されてよい。
　基板支持部１２１は、処理チャンバ１０２の底面に設けられた支柱１２２によって、処理チャンバ１０２内で支持されている。支柱１２２の周方向の外側には、垂直に昇降可能な複数の昇降ピン１２３が設けられている。複数の昇降ピン１２３はそれぞれ、基板支持部１２１に設けられた貫通孔に各々挿通されている。複数の昇降ピン１２３は周方向に間隔を設けて配列されている。複数の昇降ピン１２３の昇降動作は、昇降機構１２４により制御される。昇降ピン１２３が基板支持部１２１の表面に突出すると、図示しない搬送機構と基板支持部１２１との間での、基板Ｗの受け渡しが可能となる。
　処理チャンバ１０２の側壁には、開口を有する排気口１３１が設けられている。排気口１３１は、排気管を介して排気機構１３２に接続されている。排気機構１３２は、真空ポンプ及びバルブなどにより構成されており、排気口１３１からの排気流量を調整する。この排気機構１３２による排気流量等の調整により、処理チャンバ１０２内の圧力が調整される。なお、処理チャンバ１０２の側壁には、排気口１３１が開口する位置とは異なる位置に、図示しない基板Ｗの搬送口が開閉自在に形成されている。
　また、処理チャンバ１０２の側壁には、排気口１３１及び基板Ｗの搬送口とは異なる位置に、ガスノズル１４１が設けられている。ガスノズル１４１は、処理ガスを処理チャンバ１０２内に供給する。ガスノズル１４１は、処理チャンバ１０２の側壁において、基板支持部１２１の中心部から見て、排気口１３１の反対側に設けられている。即ち、ガスノズル１４１は、処理チャンバ１０２の側壁において、基板支持部１２１の中心部を通過する垂直仮想面に対して排気口１３１と対称に設けられている。
　ガスノズル１４１は、処理チャンバ１０２の側壁から処理チャンバ１０２の中心側に向けて突出する棒状に形成されている。ガスノズル１４１の先端部は、処理チャンバ１０２の側壁から例えば水平に延びている。処理ガスは、ガスノズル１４１の先端において開口する吐出口から処理チャンバ１０２内に吐出され、図１に示す一点鎖線の矢印の方向に流れて、排気口１３１から排気される。なお、ガスノズル４１の先端部は、基板Ｗに向けて斜め下方に延びる形状を有していてもよく、処理チャンバ１０２の天井面１４０に向けて斜め上方に延びる形状を有していてもよい。
　なお、ガスノズル１４１は、例えば、処理チャンバ１０２の天井壁に設けられていてもよい。また排気口１３１は、処理チャンバ１０２の底面に設けられていてもよい。
　熱処理装置１００は、処理チャンバ１０２の外側からガスノズル１４１に接続されるガス供給管１５２を有する。ガス供給管１５２の周囲には、ガス供給管内のガスを加熱するための配管ヒータ１６０が設けられる。ガス供給管１５２は、ガス供給部１７０に接続されている。ガス供給部１７０は、少なくとも１つのガスソース及び少なくとも１つの流量制御器を含む。ガス供給部は、液体の状態の材料を気化させる気化器を含んでよい。
　制御部２００は、本開示において述べられる種々の工程を熱処理装置１００に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２００は、ここで述べられる種々の工程を実行するように熱処理装置１００の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２００の一部又は全てが熱処理装置１００に含まれてもよい。制御部２００は、処理部２００ａ１、記憶部２００ａ２及び通信インターフェース２００ａ３を含んでもよい。制御部２００は、例えばコンピュータ２００ａにより実現される。処理部２００ａ１は、記憶部２００ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２００ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２００ａ２に格納され、処理部２００ａ１によって記憶部２００ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２００ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２００ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２００ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２００ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２００ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介して熱処理装置１００との間で通信してもよい。
＜プラズマ処理システムの構成例＞
　図２は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ（以下、単に「処理チャンバ」ともいう。）１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
　プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２の各構成は、上述した制御部２００（図１参照）の各構成と同様であってよい。
　以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図３は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
　容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
＜液処理システムの構成例＞
　図４は、液処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、液処理システムは、液処理装置３００及び制御部４００を含む。液処理システムは、基板処理システムの一例であり、液処理装置３００は、基板処理装置の一例である。
　図４に示すように、液処理装置３００は、処理チャンバ３１０内に、基板支持部としてのスピンチャック３１１を有している。スピンチャック３１１は、基板Ｗを水平に保持する。スピンチャック３１１は、昇降自在な回転部３１２と接続され、回転部３１２はモータなどによって構成される回転駆動部３１３と接続されている。回転駆動部３１３の駆動によって、スピンチャック３１１に保持された基板Ｗは回転可能である。
　スピンチャック３１１の外側には、カップ３２１が配置されており、処理液（レジスト液、現像液、洗浄液等）や処理液のミストがカップ３２１の周囲に飛散することが防止される。カップ３２１の底部３２２には、排液管３２３と排気管３２４が設けられている。排液管３２３は、排液ポンプなどの排液装置３２５に通じている。排気管３２４は、バルブ３２６を介して、排気ポンプなどの排気装置３２７に通じている。
　液処理装置３００の処理チャンバ３１０内の上方には、要求される温湿度のエアをカップ３２１内に向けてダウンフローとして供給する送風装置３１４が設けられている。
　基板Ｗ上に処理液のパドルを形成する際には、処理液供給ノズル３３１が用いられる。この処理液供給ノズル３３１は、例えばアームなどのノズル支持部３３２に設けられており、ノズル支持部３３２は駆動機構によって、図中の破線で示した往復矢印Ａのように昇降自在であり、また破線で示した往復矢印Ｂのように水平移動自在である。処理液供給ノズル３３１には、供給管３３３を介して処理液供給源３３４から処理液（レジスト液や現像液等）が供給される。
　パドルを形成するにあたり、基板Ｗの直径以上の長さを有する吐出口を備えたいわゆる長尺ノズルを用いる場合には、基板Ｗ上を一端部から他端部までスキャンすることで、基板Ｗ上に処理液のパドルを形成することができる。また基板Ｗの直径に対して充分小さい幅の液柱を形成するように液を吐出する、いわゆるストレートタイプのノズルの場合には、吐出口を基板Ｗの中心上方に位置させ、基板Ｗを回転させながら処理液を吐出することで、基板Ｗの全面に処理液を拡散させて、基板Ｗ上に処理液のパドルを形成することができる。また処理液のパドル形成は、ストレートタイプのノズルを長尺ノズルと同様に基板Ｗ上をスキャンさせることや、ストレートタイプの様に液を吐出する吐出口を複数基板Ｗ上にならべて、それぞれの吐出口から処理液を供給するといったことで行われてもよい。
　ガスノズル３４１は、ノズル本体３４２を有している。ノズル本体３４２はアームなどのノズル支持部に設けられており、当該ノズル支持部は駆動機構によって、図中の破線で示した往復矢印Ｃのように、昇降自在であり、また破線で示した往復矢印Ｄのように水平移動自在である。
　ガスノズル３４１は、２つのノズル吐出口３４３、３４４を有している。ノズル吐出口３４３、３４４はガス流路３４５から分岐して形成されている。ガス流路３４５は、ガス供給管３４６を介してガス供給源３４７に通じている。ガス供給源３４７には、不活性ガスや非酸化性ガスとして、例えば窒素ガスが用意されている。ガス流路３４５から例えば窒素ガスがガスノズル３４１に供給されると、各ノズル吐出口３４３、３４４から窒素ガスが吐出される。
　またガスノズル３４１には、液処理後の処理液を基板Ｗ上から洗浄する洗浄液供給ノズル３５１が設けられている。洗浄液供給ノズル３５１は洗浄液供給管３５２を介して、洗浄液供給源３５３に通じている。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。洗浄液供給ノズル３５１は、前記した２つのノズル吐出口３４３、３４４の間に位置しているが、その位置はこれに限られるものではない。洗浄液供給ノズル３５１は、ガスノズル３４１とは独立した構成としてもよい。
　制御部４００は、本開示において述べられる種々の工程を液処理装置３００に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部４００は、ここで述べられる種々の工程を実行するように液処理装置３００の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部４００の一部又は全てが液処理装置３００に含まれてもよい。制御部４００は、例えばコンピュータ４００ａにより実現される。コンピュータ４００ａは、処理部４００ａ１、記憶部４００ａ２及び通信インターフェース４００ａ３を含んでよい。制御部４００の各構成は、上述した制御部２００（図１参照）の各構成と同様であってよい。
＜基板処理方法の一例＞
　図５は、例示的な実施形態に係る基板処理方法（以下「本処理方法」ともいう。）を示すフローチャートである。本処理方法は、下地膜を有する基板を提供する工程ＳＴ１と、下地膜上に第１の膜を形成する工程ＳＴ２と、第１の膜上に第２の膜を形成する工程ＳＴ３とを含む。一実施形態において、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ２における第１の膜及び第２の膜の形成処理（以下「成膜処理」ともいう。）は、処理ガスを利用したドライプロセス（以下「ドライ成膜」ともいう。）により行われる。一実施形態において、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３における成膜処理は、溶液を利用したウェットプロセス（以下「ウェット成膜」ともいう。）により行われる。一実施形態において、工程ＳＴ２における成膜処理は、ウェット成膜により行われ、工程ＳＴ３による成膜処理は、ドライ成膜により行われる。一実施形態において、工程ＳＴ２における成膜処理は、ドライ成膜により行われ、工程ＳＴ３による成膜処理は、ウェット成膜により行われる。
　本処理方法は、上述した基板処理システム（図１～図４参照）のいずれか１つを用いて実行されてよく、またこれらの基板処理システムの２つ以上を用いて実行されてもよい。例えば、本処理方法は熱処理システム（図１参照）で実行されてよい。以下では、制御部２００が熱処理装置１００の各部を制御して、基板Ｗに対して本処理方法を実行する場合を例に説明する。
（工程ＳＴ１：基板の提供）
　まず、工程ＳＴ１において、基板Ｗが、熱処理装置１００の処理チャンバ１０２内に提供される。基板Ｗは、昇降ピン１２３を介して基板支持部１２１上に提供される。基板Ｗが基板支持部１２１に配置された後、基板支持部１２１の温度が設定温度に調整される。設定温度は、例えば、３００℃以下の温度でよく、１００℃以上３００℃以下の温度でよい。基板支持部１２１の温度調整は、側壁ヒータ１０４、ステージヒータ１２０、天井ヒータ１３０及び配管ヒータ１６０（以下併せて「各ヒータ」ともいう。）のうち１つ以上のヒータの出力を制御することで行なってよい。本処理方法において、基板支持部１２１の温度は、工程ＳＴ１の前に設定温度に調整されてよい。すなわち、基板支持部１２１の温度が設定温度に調整された後に、基板支持部１２１上に基板Ｗが提供されてよい。以後の工程において基板支持部１２１の温度は、設定温度に維持されてよく、また変更されてもよい。
　基板Ｗは、半導体デバイスの製造に用いられてよい。半導体デバイスは、例えば、ＤＲＡＭ、３Ｄ－ＮＡＮＤフラッシュメモリ等のメモリデバイス及びロジックデバイスを含む。基板Ｗは、下地膜ＵＦを有する。下地膜ＵＦは、シリコンウェハ上に形成された有機膜、誘電体膜、金属膜又は半導体膜又はこれらの積層膜でよい。一実施形態において、下地膜ＵＦは、例えば、シリコン含有膜、炭素含有膜及び金属含有膜からなる群から選択される少なくとも一種を含む。
　図６及び図７は、それぞれ、基板Ｗの下地膜ＵＦの一例を示す図である。図６に示すように、下地膜ＵＦは、第１下地膜ＵＦ１、第２下地膜ＵＦ２及び第３下地膜ＵＦ３から構成されてよい。図７に示すように下地膜ＵＦは、第２下地膜ＵＦ２及び第３下地膜ＵＦ３から構成されてよい。一実施形態において、下地膜ＵＦの表面には、下地膜上に形成される膜（第１の膜ＲＭ１）との密着性を高めるための表面改質処理が施されてよい。
　第１下地膜ＵＦ１は、例えば、スピンオングラス（ＳＯＧ）膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＮ膜、Ｓｉ含有反射防止膜（ＳｉＡＲＣ）又は有機膜である。第２下地膜ＵＦ２は、例えば、スピンオンカーボン（ＳＯＣ）膜、アモルファスカーボン膜又はシリコン含有膜である。第３下地膜ＵＦ３は、例えば、シリコン含有膜である。シリコン含有膜は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン炭窒化膜、多結晶シリコン膜又は炭素含有シリコン膜である。第３下地膜ＵＦ３は、積層された複数の種類のシリコン含有膜から構成されてよい。例えば、第３下地膜ＵＦ３は、交互に積層されたシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とから構成されてよい。また第３下地膜ＵＦ３は、積層されたシリコン酸化膜と多結晶シリコン膜とから構成されてもよい。また第３下地膜ＵＦ３は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及び多結晶シリコン膜を含む積層膜でもよい。また第３下地膜ＵＦ３は、積層されたシリコン酸化膜とシリコン炭窒化膜とから構成されてよい。また第３下地膜ＵＦ３は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン炭窒化膜を含む積層膜でもよい。
　下地膜ＵＦの一部又は全部は、熱処理装置１００の処理チャンバ１０２内で形成されてよく、また他のシステム、例えば、プラズマ処理システム（図２及び図３参照）や液処理システム（図４参照）を用いて形成されてもよい。
（工程ＳＴ２：第１の膜の形成）
　次に、工程ＳＴ２において、基板Ｗの下地膜ＵＦ上に第１の膜ＲＭ１が形成される。
　図８は、工程ＳＴ２において、第１の膜ＲＭ１が形成された基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。図８に示すとおり、第１の膜ＲＭ１は、下地膜ＵＦの表面に形成される。第１の膜ＲＭ１は、下地膜ＵＦよりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される。一実施形態において、第１の膜ＲＭ１は、Ｓｎ、Ａｔ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｘｅ、Ｉ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｈｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属（以下「第１の金属」ともいう。）を含む。
　一実施形態において、第１の膜ＲＭ１は、金属含有レジスト膜である。第１の膜ＲＭ１は、第２の膜ＲＭ２と同じ金属を含む金属含有レジスト膜であってよく、また異なる金属を含む金属含有レジスト膜であってもよい。
　一実施形態において、第１の膜ＲＭ１は、金属酸化物膜である。一実施形態において、第１の膜ＲＭ１は、金属膜である。
　一実施形態において、第１の膜ＲＭ１は、Ｓｎを含む。一例では、第１の膜ＲＭ１は、炭化水素等の有機置換基をもつ有機スズ化合物膜である。一例では、第１の膜ＲＭ１は、酸化スズ（ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｓｎ２Ｏ３等）膜であり、また一例では、硫化スズ（ＳｎＳ）膜である。
　一実施形態において、第１の膜ＲＭ１における金属の組成比、すなわち、第１の膜ＲＭ１全体に占める金属元素の割合（原子パーセント：ａｔ％）は、第２の膜ＲＭ２における金属の組成比よりも高い。例えば、第１の膜ＲＭ１が、金属含有レジスト膜である場合、第１の膜ＲＭ１における金属の組成比は、第２の膜ＲＭ２における当該金属の組成比よりも高くてよい。一実施形態において、第１の膜ＲＭ１における金属の膜密度は、第２の膜ＲＭ２における金属の膜密度よりも高い。一実施形態において、下地膜ＵＦ上の膜（第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２）は、下地膜ＵＦに厚み方向で近づくにしたがって金属の膜密度が高くなるように構成されてよい。
　工程ＳＴ２における第１の膜ＲＭ１は、化学気相堆積法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下「ＣＶＤ法」という）、原子堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下「ＡＬＤ法」という）などの種々の方法を用いて実行されてよい。以下、第１の膜ＲＭ１を形成する各種方法について説明する。
　［ＣＶＤ法］
　一実施形態において、ＣＶＤ法では、金属含有ガスを含む第１の処理ガスにより第１の膜ＲＭ１を形成する。一実施形態において、第１の処理ガスに含まれる金属含有ガスは、第１の金属を含む。一実施形態において、第１の処理ガスは、酸化性ガスを含む。酸化性ガスは、Ｈ２Ｏガス、Ｈ２Ｏ２ガス、Ｏ３ガス及びＯ２ガスからなる群から選択される少なくとも１つであってよい。
　一実施形態において、第１の処理ガスに含まれる金属含有ガスは、スタンナン化合物、酸素含有スズ化合物、窒素含有スズ化合物及びハロゲン化スズ化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む。スタンナン化合物の例は、スタンナン、テトラメチルスタンナン、トリブチルスタンナン、フェニルトリメチルスタンナン、テトラビニルスタンナン、ジメチルジクロロスタンナン、ブチルトリクロロスタンナン、トリクロロフェニルスタンナン等を含み得る。酸素含有スズ化合物の例は、トリブチルスズメトキシド、ｔｅｒｔ－ブトキシドスズ、ジブチルスズジアセタート、トリフェニルスズアセタート、トリブチルスズオキシド、トリフェニルスズアセタート、トリフェニルスズヒドロキシド、ブチルクロロスズジヒドロキシド、アセチルアセトナトスズ等を含み得る。窒素含有スズ化合物の例は、ジメチルアミノトリメチルスズ、トリス（ジメチルアミノ）ｔｅｒｔ－ブチルスズ、アジドトリメチルスズ、テトラキス(ジメチルアミノ)スズ、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，３－ジアミドブタンスズ（ＩＩ）等を含み得る。ハロゲン化スズ化合物の例は、塩化スズ、臭化スズ、ヨウ化スズ、ジメチルスズジクロリド、ブチルスズトリクロリド、フェニルスズトリクロリド等を含み得る。
　一実施形態における工程ＳＴ２では、処理ガスがガスノズル１４１を介して処理チャンバ１０２内に供給される。処理ガスは、基板Ｗ上で化学反応して下地膜ＵＦ上に吸着する。これにより、下地膜ＵＦ上に第１の膜ＲＭ１が形成される。
　［ＡＬＤ法］
　一実施形態において、ＡＬＤ法では、基板Ｗの下地膜ＵＦに、所定の材料を自己制御的に吸着かつ反応させることで第１の膜ＲＭ１を形成する。
　図９は、ＡＬＤ法を用いた工程ＳＴ２の一例を示すフローチャートである。図９に示すように、ＡＬＤ法を用いた工程ＳＴ２は、プリカーサ膜を形成する工程ＳＴ２１と、第１のパージ工程ＳＴ２２と、プリカーサ膜から第１の膜を形成する工程ＳＴ２３と、第２のパージ工程ＳＴ２４と、判断工程ＳＴ２５とを含む。なお、第１のパージ工程ＳＴ２２，第２のパージ工程ＳＴ２４は、実行されてもされなくてもよい。また図１０は、ＡＬＤ法を用いた工程ＳＴ２において基板Ｗの表面で生じる現象の一例を模式的に示す図である。
　工程ＳＴ２１では、図１０に示すように、下地膜ＵＦの表面に、金属含有プリカーサを含む第１のガスＧ１が供給されて、プリカーサ膜ＰＦが形成される。金属含有プリカーサは、第１の金属を含む。一実施形態において、金属含有プリカーサは、金属含有有機プリカーサである。一実施形態において、金属含有プリカーサは、上述したスタンナン化合物、酸素含有スズ化合物、窒素含有スズ化合物及びハロゲン化スズ化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む。
　一実施形態における工程ＳＴ２１では、第１のガスＧ１がガスノズル１４１を介して処理チャンバ１０２内に供給される。そして、チャンバ１０２内において、第１のガスＧ１の金属含有プリカーサが下地膜ＵＦの表面に吸着され、金属含有プリカーサ膜ＰＦが形成される。金属含有プリカーサ膜ＰＦは、例えば、第１金属種を含み得る。金属含有プリカーサ膜ＰＦは、金属錯体であり得る。
　工程ＳＴ２２では、チャンバ１０２内のガスが排気機構１３２により排気口１３１から排出される。このとき、基板Ｗに対して不活性ガス等が供給されてよい。これにより、過剰な金属含有プリカーサなどのガスがパージされる。不活性ガスは、一例では、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の貴ガスや窒素ガスである。
　工程ＳＴ２３では、図１０に示すように、基板Ｗの表面に酸化性ガスを含む第２のガスＧ２が供給され、第２のガスＧ２とプリカーサ膜ＰＦとが反応して、プリカーサ膜ＰＦから第１の膜ＲＭ１が形成される。第２のガスＧ２に含まれる酸化性ガスは、下地膜ＵＦの表面に吸着したプリカーサと反応するガスである。酸化性ガスは、Ｈ２Ｏガス、Ｈ２Ｏ２ガス、Ｏ３ガス及びＯ２ガスからなる群から選択される少なくとも１つであってよい。一実施形態における工程ＳＴ２１３では、第２のガスＧ２がガスノズル１４１を介して処理チャンバ１０２内に供給される。そして、チャンバ１０２内において第２のガスＧ２とプリカーサ膜ＰＦとが反応して第１の膜ＲＭ１が形成される。
　工程ＳＴ２４では、チャンバ１０２内のガスが排気機構１３２により排気口１３１から排出される。このとき、基板Ｗに対して不活性ガス等が供給されてよい。これにより、過剰な第２のガスＧ２などのガスがパージされる。
　工程ＳＴ２５では、工程ＳＴ２を終了するための所与の条件が満たされているか否かが判定される。所与の条件は、工程ＳＴ２１から工程ＳＴ２４を１サイクルとする処理が、予め設定された回数行われたことであり得る。当該回数は、１回、５回未満、５回以上、１０回以上であってよい。工程ＳＴ２５では、所与の条件が満たされていないと判断された場合には、工程ＳＴ２１に戻り、所与条件が満たされていると判断された場合には、工程ＳＴ２が終了する。例えば、所与の条件は、工程ＳＴ２４後における、第１の膜ＲＭ１の寸法に関する条件でもよい。すなわち、工程ＳＴ２４の後に、第１の膜ＲＭ１の寸法（厚み）が所与の値や範囲に達したか否かを判断し、当該所与の値や範囲に達するまで工程ＳＴ２１から工程ＳＴ２４のサイクルを繰り返してよい。第１の膜ＲＭ１の寸法は、光学的な測定装置で測定されてよい。以上により、下地膜ＵＦ上に第１の膜ＲＭ１が形成される。
　工程ＳＴ２１において、基板支持部１２１の温度は第１の温度に制御されてよい。基板支持部１２１の温度の調整は、各ヒータの１つ以上の出力を制御することで行われてよい。第１の温度は、例えば０℃以上２５０℃以下でよく、０℃以上１５０℃以下でよく、一例では１５０℃である。
　一実施形態において、工程ＳＴ２は、第１の膜ＲＭ１を加熱してベークする工程を含んでよい。ベークは、大気雰囲気で実行されてよく、不活性雰囲気で実行されてもよい。ベークは、基板Ｗを５０℃以上２５０℃以下、５０℃以上２００℃以下又は８０℃以上１５０℃以下に加熱することで実行されてよい。一実施形態において、熱処理装置１００の各ヒータは、ベークを行う加熱部として機能し得る。一実施形態において、ベークは、熱処理装置１００以外の他の熱処理システムを用いて実行されてもよい。
（工程ＳＴ３：第２の膜の形成）
　工程ＳＴ３において、第２の膜ＲＭ２が形成される。図１１は、工程ＳＴ３において、第２の膜ＲＭ２が形成された基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。図１１に示すとおり、第２の膜ＲＭ２は、第１の膜ＲＭ１上に形成される。第２の膜ＲＭ２は金属含有レジスト膜である。一実施形態において、第２の膜ＲＭ２は、Ｓｎ、Ｈｆ及びＴｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属（以下、「第２の金属」ともいう。）を含む。一例では、第２の膜ＲＭ２はＳｎを含有してよい。
　一実施形態において、第２の膜ＲＭ２に含まれる金属の種類は、第１の膜ＲＭ１と同一である。一実施形態において、第２の膜ＲＭ２に含まれる金属の種類は、第１の膜ＲＭ１と異なる。一実施形態において、第２の膜ＲＭ２は、第１の膜ＲＭ１よりも二次電子放出係数が低い材料で構成される。
　一実施形態において、第２の膜ＲＭ１は第１の膜ＲＭ１よりも厚い。例えば、第１の膜ＲＭ１がレジスト膜ではない場合（例えば、金属酸化膜や金属膜である場合）、第２の膜ＲＭ１は第１の膜ＲＭ１よりも厚くてよい。
　工程ＳＴ３における第２の膜ＲＭ２の形成は、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの種々の方法を用いて実行されてよい。一実施形態において、工程ＳＴ３における第２の膜ＲＭ２の形成は、工程ＳＴ２における第１の膜ＲＭ１の形成と同種の方法を用いて実行される。例えば、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において、ＣＶＤ法が用いられてよい。例えば、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において、ＡＬＤ法が用いられてよい。
　ＣＶＤ法が用いられる場合、工程ＳＴ３では、金属含有ガスを含む第２の処理ガスがガスノズル１４１を介して処理チャンバ１０２内に供給される。一実施形態において、第２の処理ガスに含まれる金属含有ガスは、第２の金属を含む。一実施形態において、第２の処理ガスは、酸化性ガスを含む。酸化性ガスは、Ｈ２Ｏガス、Ｈ２Ｏ２ガス、Ｏ３ガス、Ｏ２ガス及びＮ２Ｏ２ガスからなる群から選択される少なくとも１つであってよい。
　一実施形態において、第２の処理ガスに含まれる金属含有ガスは、有機金属化合物である。一実施形態において、第２の処理ガスに含まれる金属含有ガスは、上述したスタンナン化合物、酸素含有スズ化合物、窒素含有スズ化合物及びハロゲン化スズ化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む。
　ＡＬＤ法が用いられる場合、工程ＳＴ３では、金属含有プリカーサを含む第３のガスＧ３と酸化性ガスを含む第４のガスＧ４とが適宜パージ処理を挟んで工程ＳＴ２と同様に基板Ｗに交互に供給される。一実施形態において、第３のガスＧ３に含まれる金属含有プリカーサは、第２の金属を含む。第４のガスＧ４に含まれる酸化性のガスは、Ｈ２Ｏガス、Ｈ２Ｏ２ガス、Ｏ３ガス、Ｏ２ガス及びＮ２Ｏ２ガスからなる群から選択される少なくとも１つであってよい。
　一実施形態において、第３のガスＧ３に含まれる金属含有プリカーサは、金属含有有機プリカーサである。一実施形態において、第３のガスＧ３に含まれる金属含有プリカーサは、上述したスタンナン化合物、酸素含有スズ化合物、窒素含有スズ化合物及びハロゲン化スズ化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む。
　工程ＳＴ３において、基板支持部１２１の温度は、工程ＳＴ２と同じ第１の温度に制御されてよく、また第１の温度と異なる第２の温度に制御されてもよい。例えば、第２の温度は、第１の温度よりも高くてよく、また低くてもよい。基板支持部１２１の温度の調整は、各ヒータの１つ以上の出力を制御することで行われてよい。第２の温度は、例えば０℃以上２５０℃以下でよく、０℃以上１５０℃以下でよく、一例では１５０℃である。
　一実施形態において、工程ＳＴ３は、第２の膜ＲＭ２を加熱してベークする工程を含んでよい。ベークは、大気雰囲気で実行されてよく、不活性雰囲気で実行されてもよい。ベークは、基板Ｗを５０℃以上２５０℃以下、５０℃以上２００℃以下又は８０℃以上１５０℃以下に加熱することで実行されてよい。一実施形態において、熱処理装置１００の各ヒータは、ベークを行う加熱部として機能し得る。一実施形態において、ベークは、熱処理装置１００以外の他の熱処理システムを用いて実行されてもよい。
　基板Ｗは、以降の工程で、ＥＵＶ露光されてよい。ＥＵＶ露光においては、光子分布の確率的揺らぎや焦点深度の浅さに起因して、第２の膜ＲＭ２（金属含有レジスト膜）の厚み方向下方（第１の膜ＲＭ１に近い側）において光子が減少ないし減衰し得る。この点、本処理方法では、第２の膜ＲＭ２は、下地膜ＵＦよりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される第１の膜ＲＭ１の上方に形成される。第１の膜ＲＭ１がＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成されると、ＥＵＶ露光時に、第１の膜ＲＭ１から放出される二次電子は、第２の膜ＲＭ２の厚み方向下方の光子の減衰ないし減少を補い得る。これにより、本処理方法は、レジスト膜（第２の膜ＲＭ２）の露光感度を調整し得る。またＥＵＶ露光時に、第２の膜ＲＭ２の厚み方向下方において露光反応（例えば膜の硬化の程度）が弱まること、ひいては現像耐性のばらつきが生じることが抑制され得る。
　上述したとおり、第１の膜ＲＭ１が、金属含有レジスト膜である場合、第１の膜ＲＭ１における金属の組成比は、第２の膜ＲＭ２における金属の組成比よりも高くてよい。金属の組成比が高くなると露光感度は上昇するので、ＥＵＶ露光時に第１の膜ＲＭ１に到達する光子が第２の膜ＲＭ２に比べて減少ないし減衰したとしても、第１の膜ＲＭ１の露光感度の低下が抑制され得る。これにより、本処理方法は、レジスト膜（第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２）の露光感度を調整し得る。またＥＵＶ露光時に、第１の膜ＲＭ１が第２の膜ＲＭ２よりも露光反応（例えば膜の硬化の程度）が弱まること、ひいては現像耐性のばらつきが生じることが抑制され得る。
　一実施形態において、本処理方法は、プラズマ処理システム（図２及び図３参照）を用いたドライプロセスにより実行されてよい。例えば、プラズマ処理装置１の処理チャンバ１０内の基板支持部１１上に基板Ｗを提供し（工程ＳＴ１）、ガス供給部２０から処理チャンバ１０内に処理ガスを供給することで、第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２を形成（工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３）してよい。
　プラズマ処理システムを用いる場合、工程ＳＴ２１及び工程ＳＴ２２において、上述したＡＬＤ法又はＣＶＤ法が用いられてよい。なお、基板支持部１１の温度は、温調モジュールや静電チャック１１１１と基板Ｗの裏面との間の伝熱ガス（例えばＨｅ）の圧力を制御することで調整されてよい。工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３において、処理ガスからプラズマが生成されてよく、またプラズマが生成されなくてもよい。熱処理システム（図１参照）を用いる場合と同様、工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３は、基板Ｗを加熱してベーク処理を行う工程を含んでよい。ベーク処理は、例えば、熱処理システムを用いて実行されてよい。
　一実施形態において、本処理方法は、液処理システム（図４参照）を用いたウェットプロセスにより実行されてよい。すなわち、液処理装置３００の処理チャンバ３１０内のスピンチャック３１１に基板Ｗを提供し（工程ＳＴ１）、処理液供給ノズル３３１から成膜用の溶液を基板Ｗ上に塗布することで第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２を形成（工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３）してよい。
　工程ＳＴ２で用いる成膜用の溶液は、第１の金属を含む。一実施形態において、当該溶液は、上述したスタンナン化合物、酸素含有スズ化合物、窒素含有スズ化合物及びハロゲン化スズ化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む。
　工程ＳＴ３で用いる成膜用の溶液は、第２の金属を含む。一実施形態において、当該溶液は、上述したスタンナン化合物、酸素含有スズ化合物、窒素含有スズ化合物及びハロゲン化スズ化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む。
　液処理システムを用いる場合、工程ＳＴ２１及び／又は工程ＳＴ２２は、基板Ｗへ溶液が塗布された後に、基板Ｗを加熱してベークする工程を含んでよい。一実施形態において、ベークは、例えば、熱処理システム（図１参照）を用いて実行されてよい。ベークは、大気雰囲気で実行されてよく、不活性雰囲気で実行されてもよい。ベークは、基板Ｗを５０℃以上２５０℃以下、５０℃以上２００℃以下又は８０℃以上１５０℃以下に加熱することで実行されてよい。
　一実施形態において、本処理方法における成膜処理は、熱処理システム（図１参照）やプラズマ処理システム（図２及び図３参照）を用いたドライプロセスと、液処理システム（図４参照）を用いたウェットプロセスとの双方で行われてよい。例えば、工程ＳＴ２において、第１の膜ＲＭ１をドライ成膜し、工程ＳＴ３において、第２の膜ＲＭ２をウェット成膜してよい。この場合、工程ＳＴ３においてウェット成膜する段階で第１の膜ＲＭ１が成膜されているので、第２の膜ＲＭ２を成膜するための溶液（レジスト液）が下地膜ＵＦへ染み込むことを抑制し得る。また例えば、工程ＳＴ２において、第１の膜ＲＭ１をウェット成膜し、工程ＳＴ３において、第２の膜ＲＭ２をドライ成膜してよい。
　一実施形態において、本処理方法における第１の膜ＲＭ１の成膜処理は、ＰＶＤ装置を用いて行われてよい。例えば、第１の膜ＲＭ１が金属膜や金属酸化膜である場合、当該金属を、ＰＶＤ装置を用いて下地膜ＵＦ上に真空蒸着やスパッタリング等することで、第１の膜を形成してよい。
　一実施形態において、本処理方法は、工程ＳＴ３の後で、基板ＷをＥＵＶ露光する工程を含む。ＥＵＶは、例えば、１０～２０ｎｍの範囲の波長を有する。ＥＵＶは、１１～１４ｎｍの範囲の波長を有してよく、一例では１３．５ｎｍの波長を有する。
　図１２は、ＥＵＶ露光された基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。図１２に示すように、第２の膜ＲＭ２には、露光された第１領域ＥＸ１と露光されていない第２領域ＥＸ２とが形成される。上述したとおり、ＥＵＶ露光時に、第１の膜ＲＭ１から放出される二次電子は、第２の膜ＲＭ２の厚み方向下方の光子の減衰ないし減少を補い得る。これにより、第２の膜ＲＭ２の第１領域ＥＸ１は、厚み方向で露光反応（例えば膜の硬化の程度）が均一化され得る。
　図１３は、ＥＵＶ露光された基板Ｗの断面構造の他の例を示す図である。図１３は、第１の膜ＲＭ１が金属含有レジスト膜である場合である。図１３に示すように、第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２には、露光された第１領域ＥＸ１と露光されていない第２領域ＥＸ２とが形成される。一実施形態において、第１の膜ＲＭ１の金属の組成比が、第２の膜ＲＭ２における金属の組成比よりも高い。この場合、ＥＵＶ露光時に第１の膜ＲＭ１に到達する光子が第２の膜ＲＭ２に比べて減少ないし減衰したとしても、第１の膜ＲＭ１の露光感度の低下が抑制され得る。これにより、第１の膜ＲＭ１の第１領域ＥＸ１と第２の膜ＲＭ２の第１領域ＥＸ１とは、露光反応（例えば膜の硬化の程度）が均一化され得る。
　一実施形態において、本処理方法は、露光後に基板Ｗを現像して、第２の膜ＲＭ２から第１の領域又は第２の領域を選択的に除去する工程をさらに含む。第１の膜ＲＭ１が金属含有レジスト膜である場合、第１の膜ＲＭ１もあわせて現像されてよい。一実施形態において、現像処理は現像液を用いたウェットプロセス（以下「ウェット現像」ともいう。）により行われる。一実施形態において、現像処理は、現像ガスを用いたドライプロセス（以下「ドライ現像」ともいう。）により行われる。一実施形態において、現像処理は、ウェット現像とドライ現像の両方により行われ良い。例えば、第１の膜ＲＭ１が金属含有レジスト膜である場合、第２の膜ＲＭ２をウェット現像し、第１の膜ＲＭ１をドライ現像してよい。
　金属含有レジスト膜ＲＭをドライ現像する場合、ガスノズル１４１を介して処理チャンバ１０２内に、少なくとも一つの現像ガスを供給する。一実施形態において、現像ガスは、臭化水素（ＨＢｒ）、フッ化水素（ＨＦ）、塩化水素（ＨＣｌ）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、有機酸(例えば、カルボン酸、アルコール)、β-ジカルボニル化合物からなる群のうち少なくとも一つを含んでいてもよい。現像ガス中のカルボン酸は、例えば、ギ酸（ＨＣＯＯＨ）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、トリクロロ酢酸（ＣＣｌ３ＣＯＯＨ）、モノフルオロ酢酸（ＣＦＨ２ＣＯＯＨ）、ジフルオロ酢酸（ＣＦ２ＦＣＯＯＨ）、トリフルオロ酢酸（ＣＦ３ＣＯＯＨ）クロロ－ジフロロ酢酸（ＣＣｌＦ２ＣＯＯＨ）、硫黄含有の酢酸、チオ酢酸（ＣＨ３ＣＯＳＨ）、チオグリコール酸（ＨＳＣＨ２ＣＯＯＨ）、トリフルオロ酢酸無水物（（ＣＦ３ＣＯ）２Ｏ）、及び無水酢酸（（ＣＨ３ＣＯ）２Ｏ）からなる群から選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。現像ガス中のアルコールは、例えば、ノナフルオロ－ｔｅｒｔ－ブチルアルコール（（ＣＦ３）３ＣＯＨ）を含んでよい。現像ガス中のβ-ジカルボニル化合物は、例えば、アセチルアセトン（ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ３）、トリクロロアセチルアセトン（ＣＣｌ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ３）、ヘキサクロロアセチルアセトン（ＣＣｌ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＣｌ３）、トリフルオロアセチルアセトン（ＣＦ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ３）、ヘキサフルオロアセチルアセトン（ＨＦＡｃ、ＣＦ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ３）でよい。工程ＳＴａでは、現像ガスと領域ＲＤとの間の熱反応により現像が行われてもよく、或いは、現像ガスから生成されたプラズマからの化学種と領域ＲＤと間の化学反応により現像が行われてもよい。
　図１４は、現像後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。図１４は、図１２に示す露光後の基板Ｗを現像して、第２の膜ＲＭ２から第２の領域を選択的に除去した場合の例である。図１４に示すとおり、第２の膜ＲＭ２には、開口ＯＰが形成される。開口ＯＰは、第２の膜ＲＭ２の第１領域ＥＸ１の側面によって規定される。開口ＯＰは、当該側面に囲まれた、第１の膜ＲＭ１上の空間である。開口ＯＰは、基板Ｗの平面視において、第１領域ＥＸ１に対応する形状（結果的にＥＵＶ露光に用いた露光マスクパターンに対応する形状）を有する。当該形状は、例えば、円、楕円、矩形、線やこれらの１種類以上を組み合わせた形状であってよい。第２の膜ＲＭ２には、複数の開口ＯＰが形成されてよい。複数の開口ＯＰは、それぞれ線形状を有し、一定の間隔で並んでラインアンドスペースのパターンを構成してもよい。また複数の開口ＯＰが格子状に配列され、ピラーパターンを構成してもよい。
　一実施形態において、本処理方法は、第２の膜ＲＭ２の現像後に、第２の膜ＲＭ２をマスクとして、第１の膜ＲＭ１をエッチングする工程をさらに含んでよい。これにより、開口ＯＰの形状に基づいて第１の膜ＲＭ１に凹部が形成される。なお、第１の膜ＲＭ１をエッチングする工程では、下地膜ＵＦの一部がエッチングされてもよい。
　第１の膜ＲＭ１のエッチングは、ウェットプロセスにより行われてもよく、ドライプロセスにより行われてもよく、ウエットプロセスとドライプロセスの両方により行われてもよい。第１の膜ＲＭ１のエッチングをドライプロセスで使用する場合、エッチングガスとして、上述した現像ガスをエッチングガスとして用いることができる。第１の膜ＲＭ１のエッチングは、前述の現像工程と同一のチャンバ内で行ってもよく、異なるチャンバ内で行ってもよい。
　なお、一実施形態において、第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２は、それぞれの膜に含まれる金属の種類や組成比が異なる。このため、第２の膜ＲＭ２の現像又は第１の膜ＲＭ１をエッチングにおいて、第１の膜ＲＭ１と第２の膜ＲＭ２の境界領域に水平方向に削れて窪み等が生じる場合がある。このため、第２の膜ＲＭ２の現像及び／又は第１の膜ＲＭ１のエッチングをする際に、第２の膜ＲＭ２及び／又は第１の膜ＲＭ１の側壁を保護しながら、これらの工程を行ってもよい。例えば、第２の膜ＲＭ２の現像及び第１の膜ＲＭ１のエッチングをドライプロセスにより行う場合、上述した現像ガス又はエッチングガスに側壁保護効果のあるガス（以下、「保護ガス」ともいう。）を添加してもよい。保護ガスの添加により、第２の膜ＲＭ２及び／又は第１の膜ＲＭ１の側壁にパッシベーション層が形成され、これらの膜の水平方向の削れを抑制することができる。
　保護ガスとしては、酸素含有ガスを用いることができる。一例では、保護ガスは、Ｏ２、ＣＯ２、ＣＯ、ＣＯＳ、ＳＯ２及びＨ２Ｏからなる群から選ばれる少なくとも１種でよい。保護ガスとして、酸素含有ガスを添加する場合、第２の膜ＲＭ２及び／又は第１の膜ＲＭ１の側壁にＳｎ－Ｏ結合を含む層が形成され得る。
　また、保護ガスとしては、炭素及び／又はシリコンを含有するガスを使用することができる。炭素を含有するガスとしては、例えば、ハイドロカーボン、フルオロカーボン及びハイドロフルオロカーボンからなる群から選択される少なくとも1種を用いることができる。シリコンを含有するガスとしては、例えばＳｉＣｌ４を用いることができる。このほか、保護ガスとして、アミノスズ等を用いてもよい。これらの保護ガスによれば、第２の膜ＲＭ２及び／又は第１の膜ＲＭ１の側壁に炭素及び／又はシリコン保護層が形成され得る。
　図１５は、現像後の基板Ｗの断面構造の他の例を示す図である。図１５は、図１３に示す露光後の基板Ｗを現像して、第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２から第２の領域を選択的に除去した場合の例である。図１５に示すとおり、第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２には、開口ＯＰが形成される。開口ＯＰは、第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２の第１領域ＥＸ１の側面によって規定される。開口ＯＰは、当該側面に囲まれた、下地膜ＵＦ上の空間である。開口ＯＰは、基板Ｗの平面視において、第１領域ＥＸ１に対応する形状（結果的にＥＵＶ露光に用いた露光マスクパターンに対応する形状）を有する。当該形状は、例えば、円、楕円、矩形、線やこれらの１種類以上を組み合わせた形状であってよい。第２の膜ＲＭ２には、複数の開口ＯＰが形成されてよい。複数の開口ＯＰは、それぞれ線形状を有し、一定の間隔で並んでラインアンドスペースのパターンを構成してもよい。また複数の開口ＯＰが格子状に配列され、ピラーパターンを構成してもよい。
　一実施形態において、本処理方法は、現像後に下地膜ＵＦをエッチングする工程をさらに含んでいてよい。一実施形態において、第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２をマスクとして下地膜ＵＦがエッチングされる。これにより、下地膜ＵＦにおいて第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２により覆われていない部分（第１の膜ＲＭ１及び第２の膜ＲＭ２の開口ＯＰに露出した部分）が深さ方向にエッチングされる。
　下地膜ＵＦのエッチングは、例えば、プラズマ処理システム（図２及び図３参照）により行われてよい。この場合、先ず、プラズマ処理装置１におけるシャワーヘッド１３からチャンバ１０内に処理ガスが供給される。処理ガスは、下地膜ＵＦをエッチングするために必要な活性種を生成するガスを含む。
　次に、１又は複数のＲＦ信号がＲＦ電源３１から上部電極及び／又は下部電極に供給される。これにより、処理ガスからプラズマ処理空間１０ｓ内にプラズマが生成される。また、バイアス信号が基板支持部１１の下部電極に供給されてよい。バイアスＲＦ信号を下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。これにより、下地膜ＵＦのエッチングが促進され得る。なお、下地膜ＵＦをエッチングする方法は、特に限定されない。
＜基板処理システムの構成例＞
　図１６は、例示的な実施形態にかかる基板処理システムＳＳの構成例を説明するためのブロック図である。基板処理システムＳＳは、第１のキャリアステーションＣＳ１と、第１の処理ステーションＰＳ１と、第１のインターフェイスステーションＩＳ１と、露光装置ＥＸと、第２のインターフェイスステーションＩＳ２と、第２の処理ステーションＰＳ２と、第２のキャリアステーションＣＳ２と、制御部ＣＴとを備える。
　第１のキャリアステーションＣＳ１は、第１のキャリアステーションＣＳ１と基板処理システムＳＳの外部のシステムとの間で第１のキャリアＣ１の搬入や搬出を行う。第１のキャリアステーションＣＳ１は、複数の第１の載置板ＳＴ１を含む載置台を有する。各第１の載置板ＳＴ１上には、複数枚の基板Ｗを収容した状態又は空の状態の第１のキャリアＣ１が載置される。第１のキャリアＣ１は、複数枚の基板Ｗを内部に収容可能な筐体を有する。第１のキャリアＣ１は、一例では、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。
　また、第１のキャリアステーションＣＳ１は、第１のキャリアＣ１と第１の処理ステーションＰＳ１との間で基板Ｗの搬送を行う。第１のキャリアステーションＣＳ１は、第１の搬送装置ＨＤ１を更に備える。第１の搬送装置ＨＤ１は、第１のキャリアステーションＣＳ１において、載置台と第１の処理ステーションＰＳ１との間に位置するように設けられている。第１の搬送装置ＨＤ１は、各第１の載置板ＳＴ１上の第１のキャリアＣ１と、第１の処理ステーションＰＳ１の第２の搬送装置ＨＤ２との間で基板Ｗの搬送及び受け渡しを行う。基板処理システムＳＳは、ロードロックモジュールを更に備えてよい。ロードロックモジュールは、第1のキャリアステーションＣＳ１と第１の処理ステーションＰＳ１との間に設けられ得る。ロードロックモジュールは、その内部の圧力を、大気圧又は真空に切り替えることができる。「大気圧」は、第１の搬送装置ＨＤ１の内部の圧力でありうる。「真空」は、大気圧よりも低い圧力であって、例えば０．１Ｐａ～１００Ｐａの中真空であり得る。第２の搬送装置ＨＤ２の内部は大気圧又は真空であり得る。ロードロックモジュールは、例えば、大気圧である第１の搬送装置ＨＤ１から真空である第２の搬送装置ＨＤ２へ基板Ｗを搬送し、また真空である第２の搬送装置ＨＤ２から大気圧である第１の搬送装置ＨＤ１へ基板Ｗを搬送してよい。
　第１の処理ステーションＰＳ１は、基板Ｗに対して各種処理を行う。一実施形態において、第１の処理ステーションＰＳ１は、前処理モジュールＰＭ１、レジスト膜形成モジュールＰＭ２及び第１の熱処理モジュールＰＭ３（以下あわせて「第１の基板処理モジュールＰＭａ」ともいう。）を備える。また、第１の処理ステーションＰＳ１は、基板Ｗを搬送する第２の搬送装置ＨＤ２を有する。第２の搬送装置ＨＤ２は、指定された２つの第１の基板処理モジュールＰＭａの間、及び、第１の処理ステーションＰＳ１と第１のキャリアステーションＣＳ１又は第１のインターフェイスステーションＩＳ１との間で基板Ｗの搬送及び受け渡しを行う。
　前処理モジュールＰＭ１において、基板Ｗに前処理が施される。一実施形態において、前処理モジュールＰＭ１は、基板Ｗの温度を調整する温度調整ユニット、基板Ｗの温度を高精度に調整する高精度温調ユニット、基板Ｗ上に下地膜の一部又は全部を形成する下地膜形成ユニットを含む。一実施形態において、前処理モジュールＰＭ１は、基板Ｗに表面改質処理を行う表面改質処理ユニットを含む。前処理モジュールＰＭ１の各処理ユニットは、熱処理装置１００（図１参照）、プラズマ処理装置１（図２及び図３参照）及び／又は液処理装置３００（図４参照）を含んで構成されてよい。
　レジスト膜形成モジュールＰＭ２において、基板Ｗにレジスト膜が形成される。一実施形態において、レジスト膜形成モジュールＰＭ２は、ドライコーティングユニットを備える。ドライコーティングユニットは、気相堆積法等のドライプロセスを使用して基板Ｗ上にレジスト膜を形成する。ドライコーティングユニットは、一例では、チャンバ内に配置された基板Ｗ上に、レジスト膜を化学蒸着させるＣＶＤ装置若しくはＡＬＤ装置又はレジスト膜を物理蒸着させるＰＶＤ装置を含む。ドライコーティングユニットは、熱処理装置１００（図１参照）又はプラズマ処理装置１（図２及び図３参照）であってもよい。
　一実施形態において、レジスト膜形成モジュールＰＭ２は、ウェットコーティングユニットを備える。ウェットコーティングユニットは、液相堆積法等のウェットプロセスを使用して基板Ｗ上にレジスト膜を形成する。ウェットコーティングユニットは、一例では、液処理装置３００（図４参照）であってよい。
　一実施形態において、レジスト膜形成モジュールＰＭ２の例は、ウェットコーティングユニットとドライコーティングユニットの双方を含む。
　第１の熱処理モジュールＰＭ３において、基板Ｗに熱処理がされる。一実施形態において、第１の熱処理モジュールＰＭ３は、レジスト膜が形成された基板Ｗに加熱処理を行うプリベーク（Ｐｏｓｔ Ａｐｐｌｙ Ｂａｋｅ：ＰＡＢ）ユニット、基板Ｗの温度を調整する温度調整ユニット及び基板Ｗの温度を高精度に調整する高精度温調ユニットのいずれか１つ以上を含む。これらの各ユニットは、それぞれ１又は複数の熱処理装置を有してよい。一例において、複数の熱処理装置は積層されていてよい。熱処理装置は、例えば、熱処理装置１００（図１参照）であってよい。それぞれの熱処理は所定温度で所定のガスを用いて行われてよい。
　第１のインターフェイスステーションＩＳ１は、第３の搬送装置ＨＤ３を有する。第３の搬送装置ＨＤ３は、第１の処理ステーションＰＳ１と露光装置ＥＸとの間で基板Ｗの搬送及び受け渡しを行う。第３の搬送装置ＨＤ３は、基板Ｗを収容する筐体を有し、当該筐体内の温度、湿度、圧力等が制御可能に構成されてよい。
　露光装置ＥＸは、露光マスク（レチクル）を用いて基板Ｗ上のレジスト膜を露光する。露光装置ＥＸは、例えば、ＥＵＶ光を発生する光源を有するＥＵＶ露光装置でよい。
　第２のインターフェイスステーションＩＳ２は、第４の搬送装置ＨＤ４を有する。第４の搬送装置ＨＤ４は、露光装置ＥＸと第２の処理ステーションＰＳ２との間で基板Ｗの搬送や受け渡しを行う。第４の搬送装置ＨＤ４は、基板Ｗを収容する筐体を有し、当該筐体内の温度、湿度、圧力等が制御可能に構成されてよい。
　第２の処理ステーションＰＳ２は、基板Ｗに対して各種処理を行う。一実施形態において、第２の処理ステーションＰＳ２は、第２の熱処理モジュールＰＭ４、測定モジュールＰＭ５、現像モジュールＰＭ６及び第３の熱処理モジュールＰＭ７（以下あわせて「第２の基板処理モジュールＰＭｂ」ともいう。）を備える。また、第２の処理ステーションＰＳ２は、基板Ｗを搬送する第５の搬送装置ＨＤ５を有する。第５の搬送装置ＨＤ５は、指定された２つの第２の基板処理モジュールＰＭｂ間、及び、第２の処理ステーションＰＳ２と第２のキャリアステーションＣＳ２又は第２のインターフェイスステーションＩＳ２との間で基板Ｗの搬送及び受け渡しを行う。
　第２の熱処理モジュールＰＭ４において、基板Ｗに熱処理がされる。一実施形態において、熱処理モジュールＰＭ４は、露光後の基板Ｗに加熱処理をするポストエクスポージャーベーク（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ：ＰＥＢ）ユニット、基板Ｗの温度を調整する温度調整ユニット及び基板Ｗの温度を高精度に調整する高精度温調ユニットのいずれか１つ以上を含む。これらの各ユニットは、それぞれ１又は複数の熱処理装置を有してよい。一例において、複数の熱処理装置は積層されていてよい。熱処理装置は、例えば、熱処理装置１００（図１参照）であってよい。それぞれの熱処理は所定温度で所定のガスを用いて行われてよい。
　測定モジュールＰＭ５において、基板Ｗに対して各種測定が行われる。一実施形態において、測定モジュールＰＭ５は、基板Ｗを載置する載置台、撮像装置、照明装置及び各種センサ（温度センサ、反射率測定センサ等）を含む撮像ユニットを備える。撮像装置は、例えば、基板Ｗの外観を撮像するＣＣＤカメラでよい。或いは、撮像装置は、光を波長ごとに分光して撮影するハイパースペクトルカメラでもよい。ハイパースペクトルカメラは、レジスト膜のパターン形状、寸法、膜厚、組成及び膜密度のいずれか1つ以上を測定し得る。
　現像モジュールＰＭ６において、基板Ｗに現像処理がされる。一実施形態において、現像モジュールＰＭ６は基板Ｗに対するドライ現像を行うドライ現像ユニットを備える。ドライ現像ユニットは、例えば、熱処理装置１００（図１参照）又はプラズマ処理装置１（図２及び図３参照）であってよい。一実施形態において、現像モジュールＰＭ６は基板Ｗに対するウェット現像を行うウェット現像ユニットを備える。ウェット現像ユニットは、例えば、液処理装置３００（図４）であってよい。一実施形態において、現像モジュールＰＭ６は、ドライ現像ユニットとウェット現像ユニットの双方を備える。
　第３の熱処理モジュールＰＭ７において、基板Ｗに熱処理が施される。一実施形態において、第３の熱処理モジュールＰＭ７は、現像後の基板Ｗに加熱処理をするポストベーク（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ：ＰＢ）ユニット、基板Ｗの温度を調整する温度調整ユニット及び基板Ｗの温度を高精度に調整する高精度温調ユニットのいずれか１つ以上を含む。これらの各ユニットは、それぞれ１又は複数の熱処理装置を有してよい。一例において、複数の熱処理装置は積層されていてよい。熱処理装置は、例えば、熱処理装置１００（図１参照）であってよい。それぞれの熱処理は所定温度で所定のガスを用いて行われてよい。
　第２のキャリアステーションＣＳ２は、第２のキャリアステーションＣＳ２と基板処理システムＳＳの外部のシステムとの間で第２のキャリアＣ２の搬入及び搬出を行う。第２のキャリステーションＣＳ２の構成及び機能は、上述した第１のキャリステーションＣＳ１と同様であってよい。
　制御部ＣＴは、基板処理システムＳＳの各構成を制御して、基板Ｗに所与の処理を実行する。制御部ＣＴは、プロセスの手順、プロセスの条件、搬送条件等が設定されたレシピを格納しており、当該レシピに従って、基板Ｗに所与の処理を実行するように、基板処理システムＳＳの各構成を制御する。制御部ＣＴは、各制御部（図１～図４に示す制御部２００及び制御部２、並びに制御部４００）の一部又は全部の機能を兼ねてよい。
＜基板処理方法の一例＞
　図１７は、例示的な実施形態にかかる基板処理方法（以下「方法ＭＴ」ともいう。）を示すフローチャートである。図１３に示すように、方法ＭＴは、基板に前処理を施す工程ＳＴ１００と、基板にレジスト膜を形成する工程ＳＴ２００と、レジスト膜が形成された基板に加熱処理（プリベーク：ＰＡＢ）を施す工程ＳＴ３００と、基板に対するＥＵＶ露光を行う工程ＳＴ４００と、露光後の基板に加熱処理（ポストエクスポージャーベーク：ＰＥＢ）を施す工程ＳＴ５００と、基板の測定を行う工程ＳＴ６００と、基板のレジスト膜を現像する工程ＳＴ７００と、現像後の基板に加熱処理（ポストベーク：ＰＢ）を施す工程ＳＴ８００と、基板をエッチングする工程ＳＴ９００とを含む。方法ＭＴは、上記各工程の１つ以上を含まなくてよい。例えば、方法ＭＴは、工程ＳＴ６００を含まなくてよく、工程ＳＴ５００の後で工程ＳＴ７００が実行されてよい。
　方法ＭＴは、図１６に示す基板処理システムＳＳを用いて実行されてよい。以下では、基板処理システムＳＳの制御部ＣＴが基板処理システムＳＳの各部を制御して、基板Ｗに対して方法ＭＴを実行する場合を例に説明する。
（工程ＳＴ１００：前処理）
　まず、複数の基板Ｗを収容した第１のキャリアＣ１が、基板処理システムＳＳの第１のキャリアステーションＣＳ１に搬入される。第１のキャリアＣ１は、第１の載置板ＳＴ１上に載置される。次に第１の搬送装置ＨＤ１により、第１のキャリアＣ１内の各基板Ｗが順次取り出され、第１の処理ステーションＰＳ１の第２の搬送装置ＨＤ２に受け渡される。基板Ｗは、第２の搬送装置ＨＤ２により、前処理モジュールＰＭ１に搬送される。前処理モジュールＰＭ１により、基板Ｗに前処理が行われる。前処理は、例えば、基板Ｗの温度調整、基板Ｗの下地膜の一部又は全部の形成、基板Ｗの加熱処理及び基板Ｗの高精度温度調整の１つ以上を含んでよい。前処理は、基板Ｗの表面改質処理を含んでもよい。
（工程ＳＴ２００：レジスト膜形成）
　次に、基板Ｗは、第２の搬送装置ＨＤ２により、レジスト膜形成モジュールＰＭ２に搬送される。レジスト膜形成モジュールＰＭ２により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。一実施形態において、レジスト膜の形成は、液相堆積法等のウェットプロセスで行われる。例えば、レジスト膜形成モジュールＰＭ２のウェットコーティングユニットを用いて、基板Ｗ上にレジスト膜をスピンコーティングすることで、レジスト膜が形成される。一実施形態において、基板Ｗへのレジスト膜の形成は、気相堆積法等のドライプロセスにより行われる。例えば、レジスト膜形成モジュールＰＭ２のドライコーティングユニットを用いて、基板Ｗ上にレジスト膜を蒸着することで、レジスト膜が形成される。工程ＳＴ２００におけるレジスト膜の形成は、本処理方法（図５参照）を用いて行われてよい。すなわち基板Ｗ上に、第１の膜ＲＭ１を形成した上で、金属含有レジスト膜からなる第２の膜ＲＭ２が形成されてよい。なお、第１の膜ＲＭ１は金属含有レジスト膜であってもなくてもよい。
　なお、基板Ｗへのレジスト膜の形成は、ドライプロセスとウェットプロセスの双方を用いて行われてもよい。例えば、ドライプロセスにより基板Ｗに第１のレジスト膜を形成した後で、ウェットプロセスにより第１のレジスト膜上に第２のレジスト膜を形成してよい。この場合、第１のレジスト膜と第２のレジスト膜の膜厚、材料及び／又は組成は、同一でも異なってもよい。
（工程ＳＴ３００：ＰＡＢ）
　次に、基板Ｗは、第２の搬送装置ＨＤ２により、第１の熱処理モジュールＰＭ３に搬送される。第１の熱処理モジュールＰＭ３により、基板Ｗに加熱処理（プリベーク：ＰＡＢ）が施される。プリベークは、大気雰囲気で行ってもよく、不活性雰囲気でおこなってもよい。また、プリベークは、基板Ｗを５０℃以上又は８０℃以上に加熱することにより行ってよい。基板Ｗの加熱温度は、２５０℃以下、２００℃以下又は１５０℃以下であってよい。一例において、基板の加熱温度は５０℃以上、２５０℃以下であってよい。工程ＳＴ２００においてドライプロセスでレジスト膜を形成する場合、一実施形態において、プリベークは工程ＳＴ２００を実行したドライコーティングユニットで連続して実行されてよい。一実施形態において、プリベーク後に、基板Ｗの端部のレジスト膜を除去する処理（Ｅｄｇｅ Ｂｅａｄ Ｒｅｍｏｖａｌ：ＥＢＲ）が施されてよい。
（工程ＳＴ４００：ＥＵＶ露光）
　次に、基板Ｗは、第２の搬送装置ＨＤ２により、第１のインターフェイスステーションＩＳ１の第３の搬送装置ＨＤ３に受け渡される。そして基板Ｗは、第３の搬送装置ＨＤ３により、露光装置ＥＸに搬送される。基板Ｗは、露光装置ＥＸにおいて露光マスク（レチクル）を介してＥＵＶ露光がされる。これにより、基板Ｗには、露光マスク（レチクル）のパターンに対応して、ＥＵＶ露光された第１領域と、ＥＵＶ露光されていない第２領域とが形成される。一実施形態において、第１領域の膜厚は、第２領域２の膜厚より小さくてよい。
（工程ＳＴ５００：ＰＥＢ）
　次に、基板Ｗは、第２のインターフェイスステーションＩＳ２の第４の搬送装置ＨＤ４から第２の処理ステーションＰＳ２の第５搬送装置ＨＤ５に受け渡される。そして基板Ｗは、第５の搬送装置ＨＤ５により、第２の熱処理モジュールＰＭ４に搬送される。そして、基板Ｗには、第２の熱処理モジュールＰＭ４において、加熱処理（ポストエクスポージャーベーク：ＰＥＢ）が施される。ポストエクスポージャーベークは、大気雰囲気で行ってよい。また、ポストエクスポージャーベークは、基板Ｗを１８０℃以上２５０℃以下に加熱することにより行ってよい。 
（工程ＳＴ６００：測定）
　次に、基板Ｗは、第５の搬送装置ＨＤ５により測定モジュールＰＭ５に搬送される。測定モジュールＰＭ５により、基板Ｗの測定がされる。測定は、光学的な測定であってもよく、他の測定であってもよい。一実施形態において、測定モジュールＰＭ５による測定はＣＣＤカメラを用いた基板Ｗの外観及び／又は寸法の測定を含む。一実施形態において、測定モジュールＰＭ５による測定はハイパースペクトルカメラを用いたレジスト膜のパターン形状、寸法、膜厚、組成、膜密度のいずれか1つ以上（以下「パターン形状等」ともいう。）の測定を含む。
　一実施形態において、制御部ＣＴは、測定された基板Ｗの外観や寸法、及び／又は、パターン形状等に基づいて、当該基板Ｗの露光異常の有無を判定する。一実施形態において、制御部ＣＴにおいて露光異常があると判定された場合、工程ＳＴ７００による現像行うことなく、基板Ｗのリワークまたは破棄が行われてよい。基板Ｗのリワークは、基板Ｗ上のレジストを除去し、再度、工程ＳＴ２００に戻ってレジスト膜を形成することで行なってよい。現像後のリワークは基板Ｗへの損傷を伴うことがあるが、現像前にリワークを行うことで、基板Ｗへの損傷を回避又は抑制し得る。
（工程ＳＴ７００：現像）
　次に、基板Ｗは、第５の搬送装置ＨＤ５により、現像モジュールＰＭ６に搬送される。現像モジュールＰＭ６において、基板Ｗのレジスト膜が現像される。現像によりＥＵＶ露光された第１領域又はＥＵＶ露光されていない第２領域のいずれかが選択的に除去される。現像処理は、ドライ現像で行ってよく、またウェット現像で行ってもよい。現像処理は、ドライ現像とウェット現像を組み合わせて行ってもよい。現像処理の後で又は現像処理の間に、脱離(ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ)処理が１回以上実行されてよい。脱離処理は、ヘリウム等の不活性ガス又は当該不活性ガスのプラズマにより、レジスト膜の表面及び／又は下地膜ＵＦの表面からスカムを除去する(ｄｅｓｃｕｍ)こと又は表面を滑らかにする（ｓｍｏｏｔｈｉｎｇ）ことを含む。
（工程ＳＴ８００：ＰＢ）
　次に、基板Ｗは、第５の搬送装置ＨＤ５により、第３の熱処理モジュールＰＭ７に搬送され、加熱処理（ポストベーク）が施される。ポストベークは、大気雰囲気で行ってよく、Ｎ２又はＯ２を含む減圧雰囲気で行ってもよい。また、ポストベークは、基板Ｗを１５０℃以上２５０℃以下に加熱することにより行ってよい。ポストベークは、第３の熱処理モジュールＰＭ７に代えて、第２の熱処理モジュールＰＭ４で行ってもよい。一実施形態において、ポストベーク後に、測定モジュールＰＭ５により基板Ｗの光学的な測定がされてよい。かかる測定は、工程ＳＴ６００における測定に加えてまたは工程ＳＴ６００における測定に代えて実行されてよい。一実施形態において、制御部ＣＴは、測定された基板Ｗの外観や寸法、及び／又は、パターン形状等に基づいて、当該基板Ｗの現像パターンの欠陥、傷、異物の付着等の異常の有無等を判定する。一実施形態において、制御部ＣＴにおいて異常があると判定された場合、工程ＳＴ９００によるエッチングを行うことなく、基板Ｗのリワークまたは破棄が行われてよい。一実施形態において、制御部ＣＴにおいて異常があると判断された場合、ドライコーティングユニット（ＣＶＤ装置、ＡＬＤ装置等）を用いて基板Ｗのレジスト膜の開口寸法が調整されてよい。
（工程ＳＴ９００：エッチング）
　工程ＳＴ８００の実行後、基板Ｗは、第５の搬送装置ＨＤ５により第２のキャリアステーションＣＳ２の第６の搬送装置ＨＤ６に受け渡され、第６の搬送装置ＨＤ６により第２の載置板ＳＴ２の第２のキャリアＣ２に搬送される。その後、第２のキャリアＣ２はプラズマ処理システム（図示せず）に搬送される。プラズマ処理システムは、例えば、図２及び図３で示したプラズマ処理システムであってよい。プラズマ処理システムにおいて、現像後のレジスト膜をマスクとして基板Ｗの下地膜ＵＦがエッチングされる。以上により、方法ＭＴが終了する。なお、工程ＳＴ７００において、プラズマ処理装置を用いてレジスト膜を現像する場合、エッチングは、当該プラズマ処理装置のプラズマ処理チャンバ内で続けて実行されてよい。また、第２の処理ステーションＰＳ２が、現像モジュールＰＭ６に加えて、プラズマ処理モジュールを備える場合には、エッチングは、当該プラズマ処理モジュール内で実行されてもよい。エッチングの前に又はエッチングの間に上述した脱離処理が１回以上実行されてよい。
　本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
（付記１）
　基板処理方法であって、
　（ａ）下地膜を有する基板を提供する工程と、
　（ｂ）前記下地膜上に第１の膜を形成する工程であって、前記第１の膜は前記下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される工程と、
　（ｃ）前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程であって、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である工程と、を含む基板処理方法。
（付記２）
　前記第１の膜は、Ｓｎ、Ａｔ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｘｅ、Ｉ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｈｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、付記１に記載の基板処理方法。
（付記３）
　前記第１の膜はＳｎを含む、付記１又は付記２に記載の基板処理方法。
（付記４）
　前記第１の膜における金属の組成比は、前記第２の膜における金属の組成比よりも高い、付記２又は付記３に記載の基板処理方法。
（付記５）
　前記第１の膜は金属含有レジスト膜である、付記１から付記４のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記６）
　前記（ｂ）の工程において、前記第１の膜はドライプロセスを用いて形成される、付記１から付記５のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記７）
　前記（ｂ）の工程において、前記第１の膜は、ウェットプロセスを用いて形成される、付記１から付記６のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記８）
　前記第２の膜は、Ｓｎ、Ｈｆ及びＴｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、付記１から付記７のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記９）
　前記第２の膜は、Ｓｎを含む、付記１から付記８のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記１０）
　前記第２の膜は、前記第１の膜よりも厚い、付記１から付記９のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記１１）
　前記（ｃ）の工程において、前記第２の膜は、ドライプロセスを用いて形成される、付記１から付記１０のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記１２）
　前記（ｃ）の工程において、前記第２の膜は、ウェットプロセスを用いて形成される、付記１から付記１１のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記１３）
　（ｄ）前記（ｃ）の工程の後に、前記基板を露光して前記第２の膜に露光された第１領域と露光されていない第２領域とを形成する工程をさらに含む、付記１から付記１２のいずれか１つに記載の基板処理方法。
（付記１４）
　（ｅ）前記（ｄ）の工程の後に、前記基板を現像して、前記第２の膜から前記第２領域を選択的に除去する工程をさらに含む、付記１３に記載の基板処理方法。
（付記１５）
　（ｆ１）前記（ｅ）の工程の後に、前記第２の膜をマスクとして、前記第１の膜をエッチングする工程をさらに含む、付記１４に記載の基板処理方法。
（付記１６）
　（ｆ２）前記（ｆ１）の工程の後に、前記第１の膜及び前記第２の膜をマスクとして、前記下地膜をエッチングする工程をさらに含む、付記１５に記載の基板処理方法。
（付記１７）
　（ｄ）前記（ｃ）の工程の後に、前記基板を露光して前記第１の膜及び前記第２の膜に露光された第１領域と露光されていない第２領域とを形成する工程をさらに含む、付記５に記載の基板処理方法。
（付記１８）
　（ｅ）前記（ｄ）の工程の後に、前記基板を現像して、前記第１の膜及び前記第２の膜から前記第２領域を選択的に除去する工程をさらに含む、付記１７に記載の基板処理方法。
（付記１９）
　（ｆ）前記（ｅ）の工程の後に、前記第１の膜及び前記第２の膜をマスクとして、前記下地膜をエッチングする工程をさらに含む、付記１８に記載の基板処理方法。
（付記２０）
　基板処理方法であって、
　（ａ）下地膜と、前記下地膜上の第１の膜と、前記第１の膜上の第２の膜とを有し、前記第１の膜は前記下地膜よりも二次電子放出係数が高く、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である、基板を提供する工程であって、前記第１の膜及び前記第２の膜は、露光された第１領域と、露光されていない第２領域とを含む、前記工程と、
　（ｂ）前記基板を現像して、前記第１の膜及び前記第２の膜から前記第２領域を選択的に除去する工程と、
を含む、基板処理方法。
（付記２１）
　１又は複数の基板処理装置と制御部とを有する基板処理システムであって、
　前記制御部は、前記１又は複数の基板処理装置に対して、
　（ａ）下地膜を有する基板を提供する制御と、
　（ｂ）前記下地膜上に第１の膜を形成する制御であって、前記第１の膜は前記下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される制御と、
　（ｃ）前記第１の膜上に第２の膜を形成する制御であって、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である制御と、を実行させるように構成される、基板処理システム。
（付記２２）
　デバイス製造方法であって、
　（ａ）下地膜を有する基板を提供する工程と、
　（ｂ）前記下地膜上に第１の膜を形成する工程であって、前記第１の膜は前記下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される工程と、
　（ｃ）前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程であって、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である工程と、を含む
デバイス製造方法。
（付記２３）
　１又は複数の基板処理装置と制御部とを有する基板処理システムのコンピュータに、
　（ａ）下地膜を有する基板を提供する制御と、
　（ｂ）前記下地膜上に第１の膜を形成する制御であって、前記第１の膜は前記下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される制御と、
　（ｃ）前記第１の膜上に第２の膜を形成する制御であって、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である制御と、を実行させるプログラム。
（付記２４）
　付記２３に記載のプログラムを格納した、記憶媒体。
　以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。
１……プラズマ処理装置、２……制御部、１０……プラズマ処理チャンバ、１……基板支持部、２０……ガス供給部、３０……電源、１００……熱処理装置、１０２……処理チャンバ、１２０……ステージヒータ、１２１……基板支持部、１４１……ガスノズル、２００……制御部、３００……液処理装置、３１１……スピンチャック、３２１……カップ、３３１……処理液供給ノズル、３５１……洗浄液供給ノズル、４００……制御部、ＯＰ……開口、ＲＭ１……第１の膜、ＲＭ２……第２の膜、ＵＦ……下地膜、Ｗ……基板

Claims (21)

  1. 　基板処理方法であって、
    　（ａ）下地膜を有する基板を提供する工程と、
    　（ｂ）前記下地膜上に第１の膜を形成する工程であって、前記第１の膜は前記下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される工程と、
    　（ｃ）前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程であって、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である工程と、を含む、基板処理方法。
  2. 　前記第１の膜は、Ｓｎ、Ａｔ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｘｅ、Ｉ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｈｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記第１の膜はＳｎを含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 　前記第１の膜における金属の組成比は、前記第２の膜における金属の組成比よりも高い、請求項２又は請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 　前記第１の膜は金属含有レジスト膜である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  6. 　前記（ｂ）の工程において、前記第１の膜はドライプロセスを用いて形成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  7. 　前記（ｂ）の工程において、前記第１の膜は、ウェットプロセスを用いて形成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  8. 　前記第２の膜は、Ｓｎ、Ｈｆ及びＴｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  9. 　前記第２の膜は、Ｓｎを含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  10. 　前記第２の膜は、前記第１の膜よりも厚い、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  11. 　前記（ｃ）の工程において、前記第２の膜は、ドライプロセスを用いて形成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  12. 　前記（ｃ）の工程において、前記第２の膜は、ウェットプロセスを用いて形成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  13. 　（ｄ）前記（ｃ）の工程の後に、前記基板を露光して前記第２の膜に露光された第１領域と露光されていない第２領域とを形成する工程をさらに含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  14. 　（ｅ）前記（ｄ）の工程の後に、前記基板を現像して、前記第２の膜から前記第２領域を選択的に除去する工程をさらに含む、請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 　（ｆ１）前記（ｅ）の工程の後に、前記第２の膜をマスクとして、前記第１の膜をエッチングする工程をさらに含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 　（ｆ２）前記（ｆ１）の工程の後に、前記第１の膜及び前記第２の膜をマスクとして、前記下地膜をエッチングする工程をさらに含む、請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 　（ｄ）前記（ｃ）の工程の後に、前記基板を露光して前記第１の膜及び前記第２の膜に露光された第１領域と露光されていない第２領域とを形成する工程をさらに含む、請求項５に記載の基板処理方法。
  18. 　（ｅ）前記（ｄ）の工程の後に、前記基板を現像して、前記第１の膜及び前記第２の膜から前記第２領域を選択的に除去する工程をさらに含む、請求項１７に記載の基板処理方法。
  19. 　（ｆ）前記（ｅ）の工程の後に、前記第１の膜及び前記第２の膜をマスクとして、前記下地膜をエッチングする工程をさらに含む、請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 　基板処理方法であって、
    　（ａ）下地膜と、前記下地膜上の第１の膜と、前記第１の膜上の第２の膜とを有し、前記第１の膜は前記下地膜よりも二次電子放出係数が高く、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である、基板を提供する工程であって、前記第１の膜及び前記第２の膜は、露光された第１領域と、露光されていない第２領域とを含む、前記工程と、
    　（ｂ）前記基板を現像して、前記第１の膜及び前記第２の膜から前記第２領域を選択的に除去する工程と、
    を含む、基板処理方法。
  21. 　１又は複数の基板処理装置と制御部とを有する基板処理システムであって、
    　前記制御部は、前記１又は複数の基板処理装置に対して、
    　（ａ）下地膜を有する基板を提供する制御と、
    　（ｂ）前記下地膜上に第１の膜を形成する制御であって、前記第１の膜は前記下地膜よりもＥＵＶ吸収断面積が高い元素を含む材料で構成される制御と、
    　（ｃ）前記第１の膜上に第２の膜を形成する制御であって、前記第２の膜は金属含有レジスト膜である制御と、を実行させるように構成される、基板処理システム。
     
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