WO2024048487A1 - ギャップフィル材形成用組成物 - Google Patents

ギャップフィル材形成用組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2024048487A1
WO2024048487A1 PCT/JP2023/030868 JP2023030868W WO2024048487A1 WO 2024048487 A1 WO2024048487 A1 WO 2024048487A1 JP 2023030868 W JP2023030868 W JP 2023030868W WO 2024048487 A1 WO2024048487 A1 WO 2024048487A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
formula
carbon atoms
bond
fill material
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/030868
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
高広 岸岡
俊 窪寺
哲 上林
Original Assignee
日産化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日産化学株式会社 filed Critical 日産化学株式会社
Publication of WO2024048487A1 publication Critical patent/WO2024048487A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/26—Di-epoxy compounds heterocyclic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates

Definitions

  • the present invention relates to a composition for forming a gap fill material, a cured gap fill material, a method for manufacturing a rewiring layer, and a method for manufacturing a wired circuit board, preferably used in a rewiring layer manufacturing process of a semiconductor device.
  • multilayer circuit boards such as package boards, wafer level packages (WLP), and silicon interposers.
  • WLP wafer level packages
  • SAP semi-additive
  • a redistribution layer having an insulating layer, wiring formed on the surface of the insulating layer, and vias formed inside the insulating layer is manufactured by, for example, a dual damascene process.
  • Dual damascene is a technology that simultaneously forms wiring and vias by filling via holes.
  • the manufacturing process of the redistribution layer by the dual damascene process will be explained with reference to the drawings.
  • 1A to 1K are schematic diagrams for explaining an example of a dual damascene process. First, a substrate 101 is prepared (FIG. 1A). Next, a photosensitive resin layer 102 is formed on the substrate 101 (FIG. 1B).
  • the photosensitive resin layer 102 used here is a photosensitive resin layer that will later serve as an insulating layer, and is made of, for example, photosensitive polyimide.
  • through holes are formed in the photosensitive resin layer 102 by photolithography (FIG. 1C).
  • a barrier/seed layer 103 serving as both a barrier layer and a seed layer is formed on the surface of the photosensitive resin layer 102 (FIG. 1D).
  • the barrier seed layer 103 has, for example, a two-layer structure in which the lower layer is a Ti layer and the upper layer is a Cu layer.
  • a plating resist 104 is formed on the barrier seed layer 103 covering the photosensitive resin layer 102 (FIG. 1E).
  • the plating resist 104 is formed into a desired pattern by photolithography (FIG. 1F).
  • plating is applied to spaces in the plating resist 104 in a desired pattern to form a plating layer 105 (FIG. 1G).
  • the plating layer 105 is formed at locations that will later become vias and wiring.
  • the plating layer 105 is, for example, a Cu layer.
  • the plating resist 104 is removed by etching. By doing so, the plating layer 105 becomes a via 105a formed inside the photosensitive resin layer 102, which is an insulating layer, and a wiring 105b formed on the surface of the photosensitive resin layer 102 (FIG. 1H).
  • the exposed barrier seed layer 103 is removed (FIG. 1I).
  • the photosensitive resin layer 102 (insulating layer), the via 105a formed inside the photosensitive resin layer 102, and the wiring formed on the surface of the photosensitive resin layer 102 are formed.
  • 105b is formed.
  • a photosensitive resin layer 106 is formed on the photosensitive resin layer 102 (insulating layer) in which the via 105a and the wiring 105b are formed (FIG. 1J).
  • through holes are formed in the photosensitive resin layer 106 by photolithography (FIG. 1K).
  • steps similar to those shown in FIGS. 1D to 1I are performed. By doing so, the rewiring layer can have a multilayer structure.
  • a barrier seed layer 103 having a function of preventing migration is formed.
  • the barrier seed layer 103 is formed only under the via 105a and the wiring 105b, and the barrier seed layer 103 is formed only under the via 105a and the wiring 105b.
  • the present invention relates to a composition for forming a gap fill material that can be suitably used for temporarily filling through holes in an insulating layer when producing a redistribution layer, and a gap fill material using the composition for forming a gap fill material.
  • An object of the present invention is to provide a cured material and a method for manufacturing a printed circuit board using the composition for forming a gap fill material.
  • the present inventors conducted intensive studies and found that the above-mentioned problems could be solved, and completed the present invention having the following gist. That is, the present invention includes the following.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, -COOR 11 (R 11 is hydrogen represents an atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) or -COO-.
  • R 3 represents a methoxy group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, or a halogen atom. When there are two or more R 3 s, two or more R 3s may be the same or different.
  • n1 represents an integer from 0 to 4.
  • n2 represents an integer of 0 or 1. However, the sum of n1 and n2 is 4 or less.
  • X 1 represents an ether bond or an ester bond.
  • X 2 represents an ether bond or an ester bond. * represents a bond.
  • the compound and the polymer have at least one of a structure represented by the following formula (2) and a structure represented by the following formula (3) as the structure having the carbonyl bond, [1] A composition for forming a gap fill material as described in .
  • X 11 represents a group represented by any of the following formulas (2-1) to (2-4).
  • Z 1 and Z 2 each independently represent a single Represents a bond or a divalent group represented by the following formula (2-5) (However, *3 in formula (2-5) represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2).)
  • a 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group. * represents a bond.
  • Q 1 represents a divalent organic group having an aromatic hydrocarbon ring.
  • a 11 , A 12 , A 13 , A 14 , A 15 and A 16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.
  • n11 and n12 represent an integer of 0 or 1.
  • R 1 to R 5 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, which may be interrupted by a hydrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom. , represents an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom or a sulfur atom, an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom or a sulfur atom, a benzyl group or a phenyl group.
  • the phenyl group is at least one selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, and an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms. It may be substituted with a monovalent group.
  • R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms.
  • R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms. It may form three to six rings.
  • Z 3 represents a single bond or a divalent group represented by formula (2-5) below (however, *3 in formula (2-5) represents formula (2-5)). 4) Represents the bond bonding to the nitrogen atom in.)
  • a 7 , A 8 and A 9 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group. * represents a bond.
  • *1 represents a bond bonded to the carbon atom in formula (2).
  • *2 represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2).
  • m1 is an integer from 0 to 4
  • m2 is 0 or 1
  • m3 is 0 or 1
  • m4 is an integer from 0 to 2.
  • m3 is 1 In the case of , m1 and m2 do not become 0 at the same time.
  • *3 represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2) or formula (2-4).
  • *4 represents formula (2) or formula (2-4).
  • 4) Represents the bond bonding to the carbon atom in [3]
  • R 21 to R 23 are each independently a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms.
  • alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, acyl group having 2 to 6 carbon atoms, acyl group having 2 to 6 carbon atoms, carbon number It represents an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms, an arylcarbonyl group having 7 to 13 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 13 carbon atoms.
  • * represents a bond.
  • n3 represents 0 or 1. When n3 is 0, n21 represents an integer from 0 to 4.
  • n21 represents an integer from 0 to 6.
  • two or more R 21s may be the same or different.
  • Z 4 represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • n22 and n23 each independently represent an integer of 0 to 4. When there are two or more R22s , two or more R22s may be the same or different. When there are two or more R23s , two or more R23s may be the same or different.
  • [7] The composition for forming a gap fill material according to any one of [1] to [6], wherein n2 represents 0.
  • a cured gap fill material formed by applying the composition for forming a gap fill material according to any one of [1] to [9] onto a substrate and then baking the composition.
  • the cured product according to [10] which is removable with a chemical solution.
  • a method for producing a redistribution layer comprising a step of filling through holes in an insulating layer with a cured gap fill material formed from the composition for forming a gap fill material according to any one of [1] to [9]. .
  • a method for manufacturing a wired circuit board including the step of manufacturing a rewiring layer, The step of manufacturing the redistribution layer includes a step of filling the through holes of the insulating layer with a cured gap fill material formed from the gap fill material forming composition according to any one of [1] to [9]. , A method for manufacturing printed circuit boards. [15] The method for manufacturing a printed circuit board according to [14], further comprising a step of removing the cured gap fill material with a chemical solution after the step of filling the through hole.
  • a composition for forming a gap fill material that can be suitably used for temporarily filling through holes in an insulating layer when producing a redistribution layer, and a composition for forming a gap fill material using the composition for forming a gap fill material. It is possible to provide a cured gap fill material and a method for manufacturing a printed circuit board using the gap fill material forming composition.
  • FIG. 1A is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 1).
  • FIG. 1B is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 2).
  • FIG. 1C is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (part 3).
  • FIG. 1D is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 4).
  • FIG. 1E is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 5).
  • FIG. 1F is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 6).
  • FIG. 1G is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 7).
  • FIG. 1A is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 1).
  • FIG. 1B is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 2).
  • FIG. 1C is a schematic diagram for explaining
  • FIG. 1H is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (part 8).
  • FIG. 1I is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 9).
  • FIG. 1J is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 10).
  • FIG. 1K is a schematic diagram for explaining an example of a dual damascene process (Part 11).
  • FIG. 2A is a schematic diagram (part 1) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2B is a schematic diagram (part 2) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2C is a schematic diagram (part 3) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2D is a schematic diagram (part 4) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2E is a schematic diagram (part 5) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2F is a schematic diagram (part 6) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2G is a schematic diagram (Part 7) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2H is a schematic diagram (Part 8) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2I is a schematic diagram (No. 9) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2J is a schematic diagram (part 10) for explaining one embodiment of the present invention (formation of a rewiring layer using a dual damascene process).
  • FIG. 2K is a schematic diagram (No.
  • FIG. 11 for explaining one embodiment of the present invention (formation of a redistribution layer using a dual damascene process).
  • FIG. 3 is a SEM photograph for evaluating the embeddability and flattenability of Example 1.
  • FIG. 4 is a SEM photograph for evaluating the embeddability and flattenability of Example 2.
  • FIG. 5 is a SEM photograph for evaluating the embeddability and flattenability of Example 3.
  • FIG. 6 is a SEM photograph for evaluating the embeddability and flattenability of Example 4.
  • FIG. 7 is a SEM photograph for evaluating the embeddability and flattenability of Comparative Example 1.
  • composition for forming gap fill material contains at least one of a compound and a polymer having a structure represented by the following formula (1) and a carbonyl bond, and a solvent.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, -COOR 11 (R 11 is hydrogen represents an atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) or -COO-.
  • R 3 represents a methoxy group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, or a halogen atom.
  • n1 represents an integer from 0 to 4.
  • n2 represents an integer of 0 or 1. However, the sum of n1 and n2 is 4 or less.
  • X 1 represents an ether bond or an ester bond.
  • X 2 represents an ether bond or an ester bond. * represents a bond.
  • the composition for forming a gap fill material of the present invention can be suitably used for temporarily filling through holes in an insulating layer when producing a redistribution layer.
  • a barrier layer can be formed not only on the bottom surface but also on the side surface of the redistribution layer. Vias and interconnects can be formed. As a result, metal migration from vias and wiring to the insulating layer can be reduced, and a highly reliable redistribution layer can be formed.
  • it can be used as a gap fill material in a dual damascene process. Details will be explained later using FIGS. 2A to 2K.
  • the compound and polymer contained in the composition for forming a gap fill material have a structure and a carbonyl bond represented by the following formula (1).
  • the difference between a compound and a polymer does not need to be particularly clear.
  • the substance may have a low molecular weight, a high molecular weight, a single composition, or a molecular weight distribution (for example, polydispersity (weight average molecular weight/number average molecular weight) may be more than 1).
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, -COOR 11 (R 11 is hydrogen represents an atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) or -COO-.
  • R 3 represents a methoxy group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, or a halogen atom. When there are two or more R 3 s, two or more R 3s may be the same or different.
  • n1 represents an integer from 0 to 4.
  • n2 represents an integer of 0 or 1. However, the sum of n1 and n2 is 4 or less.
  • X 1 represents an ether bond or an ester bond.
  • X 2 represents an ether bond or an ester bond. * represents a bond.
  • the cured gap fill material obtained from the gap fill material forming composition has an antireflection function. . Therefore, it is possible to prevent defective patterning of the photoresist layer when the photoresist layer is formed on the cured gap fill material and photolithography is performed. That is, the composition for forming a gap fill material of the present invention can also be said to be a composition for forming an antireflection layer or a composition for forming an ultraviolet antireflection layer.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 13 carbon atoms for R 1 to R 3 in formula (1) include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-butyl group, and cyclohexyl group.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms for R 11 in formula (1) include methyl group, ethyl group, isopropyl group, and n-butyl group.
  • X 1 in formula (1) represents an ether bond.
  • R 1 in formula (1) preferably represents a cyano group or -COOR 11 (R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).
  • R 2 in formula (1) preferably represents a cyano group, -COOR 11 (R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), or -COO-. It is preferable that n2 in formula (1) represents 0.
  • the carbon atom of the carbonyl bond may be bonded to a carbon atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom. Therefore, the carbonyl bond may be a carbonyl bond in an ester group (-COO-), a carbonyl bond in an amide group (-CO-NH-), or a carbonyl bond in an isocyanuric acid skeleton. It may be a bond or a carbonyl bond in the hydantoin skeleton.
  • the amount of carbonyl bonds in a specific compound or polymer is not particularly limited.
  • the specific compound and polymer have at least one of a structure represented by the following formula (2) and a structure represented by the following formula (3) as a structure having a carbonyl bond.
  • X 11 represents a group represented by any of the following formulas (2-1) to (2-4).
  • Z 1 and Z 2 each independently represent a single Represents a bond or a divalent group represented by the following formula (2-5) (However, *3 in formula (2-5) represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2).)
  • a 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group. * represents a bond.
  • Q 1 represents a divalent organic group having an aromatic hydrocarbon ring.
  • a 11 , A 12 , A 13 , A 14 , A 15 and A 16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.
  • n11 and n12 represent an integer of 0 or 1. However, at least one of n11 and n12 is 1. * represents a bond.
  • R 1 to R 5 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, which may be interrupted by a hydrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom.
  • the phenyl group is at least one selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen atom, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, and an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms. It may be substituted with a monovalent group.
  • R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms.
  • R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms. It may form three to six rings.
  • Z 3 represents a single bond or a divalent group represented by formula (2-5) below (however, *3 in formula (2-5) represents formula (2-5)).
  • 4) Represents the bond bonding to the nitrogen atom in.
  • a 7 , A 8 and A 9 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group. * represents a bond.
  • *1 represents a bond bonded to the carbon atom in formula (2).
  • *2 represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2).
  • m1 is an integer from 0 to 4
  • m2 is 0 or 1
  • m3 is 0 or 1
  • m4 is an integer from 0 to 2.
  • m3 is 1 In the case of , m1 and m2 do not become 0 at the same time.
  • *3 represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2) or formula (2-4).
  • *4 represents formula (2) or formula (2-4). 4) Represents the bond bonding to the carbon atom in
  • examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • the alkyl group is not limited to a straight chain, but may be branched or cyclic.
  • Examples of the straight-chain or branched alkyl group include methyl group, ethyl group, isopropyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, and the like.
  • examples of the cyclic alkyl group (cycloalkyl group) include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
  • examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-pentyloxy group, and isopropoxy group.
  • examples of the alkylthio group include methylthio group, ethylthio group, n-pentylthio group, and isopropylthio group.
  • examples of alkenyl groups include ethenyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 1-methyl-1-ethenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, 2 -Methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, etc.
  • examples of the alkynyl group include groups in which the double bond of the alkenyl group listed in the above "alkenyl group” is replaced with a triple bond.
  • examples of the alkenyloxy group include vinyloxy group, 1-propenyloxy group, 2-n-propenyloxy group (allyloxy group), 1-n-butenyloxy group, and prenyloxy group.
  • examples of the alkynyloxy group include 2-propynyloxy group, 1-methyl-2-propynyloxy group, 2-methyl-2-propynyloxy group, 2-butynyloxy group, 3-butynyloxy group, etc. Can be mentioned.
  • examples of the acyl group include an acetyl group and a propionyl group.
  • examples of the aryloxy group include phenoxy group, naphthyloxy, and the like.
  • examples of the arylcarbonyl group include a phenylcarbonyl group.
  • examples of the aralkyl group include a benzyl group and a phenethyl group.
  • examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a 1,3-propylene group, a 2,2-propylene group, a 1-methylethylene group, a 1,4-butylene group, and a 1-ethylethylene group.
  • the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom or sulfur atom in R 1 to R 5 of formulas (2-1) to (2-3) is, for example, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • 10 alkyl group, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms, alkoxyalkoxyalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, carbon atom Examples include 2 to 10 alkylthioalkyl groups.
  • the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom or a sulfur atom may contain two or more oxygen atoms or sulfur atoms.
  • Q 1 in formula (3) is preferably represented by the following formula (3-1) or formula (3-2).
  • R 21 to R 23 are each independently a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms.
  • alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, acyl group having 2 to 6 carbon atoms, acyl group having 2 to 6 carbon atoms, carbon number It represents an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms, an arylcarbonyl group having 7 to 13 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 13 carbon atoms.
  • * represents a bond.
  • n3 represents 0 or 1. When n3 is 0, n21 represents an integer from 0 to 4.
  • n21 represents an integer from 0 to 6.
  • two or more R 21s may be the same or different.
  • Z 4 represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • n22 and n23 each independently represent an integer from 0 to 4. When there are two or more R22s , two or more R22s may be the same or different. When there are two or more R23s , two or more R23s may be the same or different.
  • Examples of the following formula (2X) in formula (2) include the structures illustrated below.
  • X 11 , Z 1 , and Z 2 have the same meanings as X 11 , Z 1 , and Z 2 in formula (2), respectively.
  • * represents a bond.
  • * represents a bond.
  • formula (3) examples include the structures illustrated below.
  • Q 1 , n11, and n12 are respectively synonymous with Q 1 , n11, and n12 in formula (3). However, at least one of n11 and n12 is 1. * represents a bond.) (* represents a bond.)
  • the specific compound and polymer may have a structure other than the structure represented by formula (1) and a carbonyl bond.
  • a structure represented by the following formula (E) is preferable from the viewpoint of improving crosslinking efficiency and removability.
  • X 21 represents -COO-, -OCO-, -O-, -S- or -NR a -
  • R a represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • Y 21 directly represents Represents an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms which may be bonded or substituted.
  • a 21 to A 23 are each independently a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or Represents an optionally substituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms. * represents a bond.
  • Y 21 and A 21 to A 23 of formula (E) may be substituted means that some or all of the hydrogen atoms present in the functional group to be substituted each independently, for example, This means that it may be substituted with a hydroxy group, a halogen atom, a carboxy group, a nitro group, a cyano group, a methylenedioxy group, an acetoxy group, a methylthio group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 9 carbon atoms.
  • the optionally substituted alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited, but is preferably a methylene group.
  • the optionally substituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms in A 21 to A 23 is not particularly limited, but includes, for example, phenyl group, o-methylphenyl group, m-methylphenyl group, p-methylphenyl group.
  • o-chlorophenyl group m-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-fluorophenyl group, p-fluorophenyl group, o-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, p-nitrophenyl group, p - cyanophenyl group, ⁇ -naphthyl group, ⁇ -naphthyl group, o-biphenylyl group, m-biphenylyl group, p-biphenylyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, Examples include 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group and 9-phenanthryl group.
  • the specific compound and polymer are preferably compounds represented by the following formula (1-2) as compounds having a structure represented by formula (1) and a carbonyl bond.
  • Z 1 , Z 2 , A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 are respectively Z 1 , Z 2 , A 1 in formula (2) , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 .
  • Z 3 , A 7 , A 8 and A 9 have the same meanings as Z 3 , A 7 , A 8 and A 9 in formula (2-4), respectively.
  • Y 1 , Y 2 , and Y 3 each independently represent a structure represented by the following formula (1X) or a structure represented by formula (E).
  • Y 1 to Y 3 represents a structure represented by formula (1X).
  • X 1 , R 3 and n1 are respectively synonymous with X 1 , R 3 and n1 in formula (1).
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom , a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, or -COOR 11 (R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).* represents a bond.)
  • Specific compounds and polymers have a structure represented by the following formula (1-3) and a structure represented by the following formula (1-4) as a structure having "a structure represented by formula (1) and a carbonyl bond". It is preferable to have at least one of the following structures.
  • the structure represented by formula (1-3) may be a repeating unit in the polymer.
  • the structure represented by formula (1-4) may be a repeating unit in the polymer.
  • X 1 , R 3 , and n1 have the same meanings as X 1 , R 3 , and n1 in formula (1), respectively.
  • X 11 , Z 1 , Z 2 , A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 , and A 6 are respectively X 11 , Z 1 in formula (2) , Z2 , A1 , A2 , A3 , A4 , A5 , and A6 .
  • R 1 is a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, or -COOR 11 (R 11 is a hydrogen atom or a carbon atom represents an alkyl group of 1 to 4).
  • Q 1 , A 11 , A 12 , A 13 , A 14 , A 15 , A 16 , n11 and n12 are respectively Q 1 , A 11 and A in formula (3).
  • at least one of n11 and n12 is 1. * represents a bond.
  • the weight average molecular weight of the compound or polymer is, for example, 300 to 100,000, preferably 300 to 50,000, more preferably 300 to 10,000, and particularly preferably 300 to 5,000.
  • Ra and Rb are, for example, a cyano group, -COOR 11 (R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).
  • X 1A represents a hydroxy group or a carboxy group.
  • R 3 and n1 have the same meanings as R 3 and n1 in formula (1), respectively.
  • Z 1 , Z 2 , A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 are respectively Z 1 , Z 2 , A 1 , A 2 in formula (2) , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 .
  • Z 3 , A 7 , A 8 and A 9 have the same meanings as Z 3 , A 7 , A 8 and A 9 in formula (2-4), respectively.
  • X 21 , Y 21 , A 21 , A 22 and A 23 have the same meanings as X 21 , Y 21 , A 21 , A 22 and A 23 in formula (E), respectively.
  • R 1 is a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, or -COOR 11 (R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) ).
  • R 3 and n1 have the same meanings as R 3 and n1 in formula (1), respectively.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, or -COOR 11 (R 11 is a hydrogen atom or a carbon atom represents an alkyl group of 1 to 4).
  • X 11 , Z 1 , Z 2 , A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 are respectively X 11 , Z 1 , Z 2 in formula (2) , A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 .
  • Q 1 , A 11 , A 12 , A 13 , A 14 , A 15 , A 16 , n11 and n12 are respectively Q 1 , A 11 , A 12 and A in formula (3). 13 , A 14 , A 15 , A 16 , n11 and n12. However, at least one of n11 and n12 is 1.
  • Examples of the compound represented by formula (1A) include 4-hydroxybenzaldehyde and terephthalaldehyde acid. These can be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the compound represented by formula (1B) include ⁇ -cyano-4-hydroxycinnamic acid.
  • Examples of the compound represented by formula (1C) include the following compounds.
  • Me represents a methyl group.
  • Examples of the compound represented by formula (2A) or formula (2B) include the following compounds.
  • Examples of the compound represented by formula (3A) include the following compounds.
  • Examples of the compound represented by formula (EA) include thioglycerol.
  • Reactions (I) to (VI) may be carried out, for example, in the presence of a catalyst.
  • the catalyst is, for example, a quaternary phosphonium salt such as tetrabutylphosphonium bromide or ethyltriphenylphosphonium bromide, or a quaternary ammonium salt such as benzyltriethylammonium chloride.
  • the amount of the catalyst to be used can be selected from a range of 0.1 to 10% by mass based on the total mass of the reaction raw materials used in the reaction.
  • the optimum reaction temperature and time can be selected from the range of, for example, 80 to 160° C. and 2 to 50 hours.
  • the content of the specific compound and polymer in the composition for forming a gap fill material is not particularly limited, but is preferably 5% by mass to 99% by mass with respect to the film constituents in the composition for forming a gap fill material. More preferably 10% by mass to 98% by mass, particularly preferably 20% by mass to 95% by mass.
  • the membrane constituent components refer to components other than the solvent in the gap fill material forming composition.
  • the composition for forming a gap fill material contains a crosslinking agent.
  • the crosslinking agent included as an optional component in the composition for forming a gap fill material has, for example, a functional group that reacts by itself.
  • crosslinking agent examples include hexamethoxymethylmelamine, tetramethoxymethylbenzoguanamine, 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)glycoluril (tetramethoxymethylglycoluril) (POWDERLINK [registered trademark] 1174), 1, 3,4,6-tetrakis(butoxymethyl)glycoluril, 1,3,4,6-tetrakis(hydroxymethyl)glycoluril, 1,3-bis(hydroxymethyl)urea, 1,1,3,3-tetrakis Examples include (butoxymethyl)urea and 1,1,3,3-tetrakis(methoxymethyl)urea.
  • crosslinking agent is a nitrogen-containing compound having 2 to 6 substituents in one molecule represented by the following formula (1d) that bond to a nitrogen atom, as described in International Publication No. 2017/187969. Good too.
  • R 1 represents a methyl group or an ethyl group. * represents a bond bonded to a nitrogen atom.
  • the nitrogen-containing compound having 2 to 6 substituents represented by the formula (1d) in one molecule may be a glycoluril derivative represented by the following formula (1E).
  • R 1 's each independently represent a methyl group or an ethyl group
  • R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a phenyl group.
  • glycoluril derivative represented by the formula (1E) examples include compounds represented by the following formulas (1E-1) to (1E-6).
  • a nitrogen-containing compound having 2 to 6 substituents represented by the above formula (1d) in one molecule has 2 to 6 substituents represented by the following formula (2d) bonded to a nitrogen atom in one molecule. It can be obtained by reacting a nitrogen-containing compound with at least one compound represented by the following formula (3d).
  • R 1 represents a methyl group or an ethyl group
  • R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. * represents a bond bonded to a nitrogen atom.
  • the glycoluril derivative represented by the formula (1E) can be obtained by reacting the glycoluril derivative represented by the following formula (2E) with at least one compound represented by the formula (3d).
  • the nitrogen-containing compound having 2 to 6 substituents represented by the formula (2d) in one molecule is, for example, a glycoluril derivative represented by the following formula (2E).
  • R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a phenyl group, and R 4 each independently represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • glycoluril derivative represented by the formula (2E) examples include compounds represented by the following formulas (2E-1) to (2E-4). Furthermore, examples of the compound represented by the formula (3d) include compounds represented by the following formula (3d-1) and formula (3d-2).
  • crosslinking agent may be a crosslinking compound represented by the following formula (G-1) or formula (G-2) described in International Publication No. 2014/208542.
  • Q 1 represents a single bond or a monovalent organic group
  • R 1 and R 4 each have a carbon atom number having an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.
  • It represents an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms
  • R 2 and R 5 each represent a hydrogen atom or a methyl group
  • R 3 and R 6 each represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 40 carbon atoms. Indicates the group.
  • n1 is an integer of 1 ⁇ n1 ⁇ 3, n2 is an integer of 2 ⁇ n2 ⁇ 5, n3 is an integer of 0 ⁇ n3 ⁇ 3, n4 is an integer of 0 ⁇ n4 ⁇ 3, and an integer of 3 ⁇ (n1+n2+n3+n4) ⁇ 6.
  • n5 is an integer of 1 ⁇ n5 ⁇ 3, n6 is an integer of 1 ⁇ n6 ⁇ 4, n7 is an integer of 0 ⁇ n7 ⁇ 3, n8 is an integer of 0 ⁇ n8 ⁇ 3, and an integer of 2 ⁇ (n5+n6+n7+n8) ⁇ 5.
  • m1 represents an integer from 2 to 10.
  • the crosslinkable compound represented by the above formula (G-1) or formula (G-2) is a compound represented by the following formula (G-3) or formula (G-4), and a hydroxyl group-containing ether compound or a carbon atom. It may be obtained by reaction with several 2 to 10 alcohols.
  • Q 2 represents a single bond or an m2-valent organic group.
  • R 8 , R 9 , R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom or a methyl group, and R 7 and R 10 each have 1 carbon atom. It represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having 6 to 40 carbon atoms.
  • n9 is an integer of 1 ⁇ n9 ⁇ 3, n10 is an integer of 2 ⁇ n10 ⁇ 5, n11 is an integer of 0 ⁇ n11 ⁇ 3, n12 is an integer of 0 ⁇ n12 ⁇ 3, and an integer of 3 ⁇ (n9+n10+n11+n12) ⁇ 6. show.
  • n13 is an integer of 1 ⁇ n13 ⁇ 3
  • n14 is an integer of 1 ⁇ n14 ⁇ 4
  • n15 is an integer of 0 ⁇ n15 ⁇ 3
  • n16 is an integer of 0 ⁇ n16 ⁇ 3
  • m2 represents an integer from 2 to 10.
  • Me represents a methyl group.
  • the content of the crosslinking agent in the composition for forming a gap fill material is not particularly limited, but is preferably 1% to 50% by mass based on the specific compound and polymer. is 5% by mass to 40% by mass.
  • ⁇ Curing catalyst> As the curing catalyst contained as an optional component in the composition for forming a gap fill material, either a thermal acid generator or a photoacid generator can be used, but it is preferable to use a thermal acid generator.
  • thermal acid generator examples include p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, pyridinium-p-toluenesulfonate (pyridinium-p-toluenesulfonic acid), pyridiniumphenolsulfonic acid, and pyridinium-p-hydroxybenzenesulfonic acid (pyridinium-p-toluenesulfonic acid).
  • p-phenolsulfonic acid pyridinium salt pyridinium-trifluoromethanesulfonic acid
  • salicylic acid camphorsulfonic acid
  • 5-sulfosalicylic acid 4-chlorobenzenesulfonic acid
  • 4-hydroxybenzenesulfonic acid 4-hydroxybenzenesulfonic acid
  • benzenedisulfonic acid 1-naphthalenesulfonic acid
  • Examples include sulfonic acid compounds and carboxylic acid compounds such as citric acid, benzoic acid, and hydroxybenzoic acid.
  • Examples of the photoacid generator include onium salt compounds, sulfonimide compounds, and disulfonyldiazomethane compounds.
  • onium salt compounds include diphenyliodonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoronormal butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoronormal octane sulfonate, diphenyliodonium camphorsulfonate, bis(4-tert-butylphenyl) Iodonium salt compounds such as iodonium camphorsulfonate and bis(4-tert-butylphenyl)iodonium trifluoromethanesulfonate, and triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium nonafluoronormal butanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate and triphenylsulfonium Examples include sulfonium salt compounds such
  • sulfonimide compounds include N-(trifluoromethanesulfonyloxy)succinimide, N-(nonafluoronormalbutanesulfonyloxy)succinimide, N-(camphorsulfonyloxy)succinimide, and N-(trifluoromethanesulfonyloxy)naphthalimide. Can be mentioned.
  • disulfonyldiazomethane compounds include bis(trifluoromethylsulfonyl)diazomethane, bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethane, bis(phenylsulfonyl)diazomethane, bis(p-toluenesulfonyl)diazomethane, and bis(2,4-dimethylbenzenesulfonyl). ) diazomethane, and methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane.
  • the content of the curing catalyst is, for example, 0.1% to 50% by weight, preferably 1% to 30% by weight, based on the crosslinking agent.
  • the gap fill material forming composition contains a solvent.
  • organic solvents generally used in chemical solutions for semiconductor lithography processes are preferred.
  • organic solvents generally used in chemical solutions for semiconductor lithography processes are preferred.
  • propylene glycol monomethyl ether propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, butyl lactate, and cyclohexanone are preferred. Particularly preferred are propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • a surfactant can be further added to the composition for forming a gap fill material in order to prevent occurrence of pinholes, striations, etc., and to further improve coating properties against surface unevenness.
  • surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether, and polyoxyethylene nonylphenol ether.
  • sorbitan fatty acid esters polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, etc.
  • Nonionic surfactants such as fatty acid esters, FTOP EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products Co., Ltd., trade name), Megafac F171, F173, R-30 (manufactured by DIC Corporation, trade name) , Fluorade FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd., product name), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., product name), etc.
  • fatty acid esters such as fatty acid esters, FTOP EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products Co., Ltd., trade name), Megafac F171, F173, R-30 (manufactured by DIC Corporation, trade name) , Fluorade FC430, FC431 (manufactured by
  • surfactants organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and the like.
  • the blending amount of these surfactants is not particularly limited, but is usually 2.0% by mass or less, preferably 1.0% by mass or less, based on the total solid content of the gap fill material forming composition.
  • These surfactants may be added alone or in combination of two or more.
  • the film constituent components contained in the composition for forming a gap fill material are, for example, 0.01% by mass to 30% by mass of the composition for forming a gap fill material.
  • the composition for forming a gap fill material of the present invention is produced, for example, by a method of mixing at least one of a specific compound and a polymer, a solvent, etc. by a known method. In order to be used as a composition for forming a gap fill material, it needs to be in a uniform solution state.
  • the manufactured composition is preferably manufactured by filtration using a filter or the like in order to remove metal impurities, foreign substances, etc. present in the composition.
  • One of the measures for evaluating whether the composition for forming gap fill material is in a uniform solution state is to observe the permeability of a specific microfilter, and the composition for forming gap fill material according to the present invention It is preferable that the substance pass through a microfilter with a pore size of 0.1 ⁇ m, 0.05 ⁇ m, 0.03 ⁇ m, 0.02 ⁇ m, or 0.01 ⁇ m and exhibit a uniform solution state.
  • the materials for the microfilter include PTFE (polytetrafluoroethylene), fluororesins such as PFA (tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer), PE (polyethylene), UPE (ultra high molecular weight polyethylene), and PP. (polypropylene), PSF (polysulfone), PES (polyethersulfone), and nylon, but it is preferably made of PTFE (polytetrafluoroethylene).
  • PFA tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer
  • PE polyethylene
  • UPE ultra high molecular weight polyethylene
  • PP polypropylene
  • PSF polysulfone
  • PES polyethersulfone
  • nylon but it is preferably made of PTFE (polytetrafluoroethylene).
  • the composition for forming a gap fill material of the present invention is suitably used for temporarily filling through holes in an insulating layer when producing a redistribution layer.
  • the rewiring layer is a layer for electrically connecting a semiconductor chip and an external lead-out electrode, or electrically connecting two external lead-out electrodes.
  • the rewiring layer used in the present invention includes, for example, vias and wiring.
  • the insulating layer in which the through-hole is temporarily filled has the through-hole and no groove for forming wiring.
  • the material of the insulating layer is not particularly limited, and examples thereof include inorganic insulating materials and organic insulating materials.
  • examples of the inorganic insulating material include silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, silicon nitride, aluminum nitride, and mixtures thereof.
  • examples of the organic insulating material include polyimide, polyamide, polyacrylate, polyvinyl alcohol, novolak resin, liquid crystal polymer, polybenzoxazole, and polyester.
  • the thickness of the insulating layer is not particularly limited, but is preferably 0.1 ⁇ m to 30 ⁇ m, more preferably 0.5 ⁇ m to 25 ⁇ m, and particularly preferably 1 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the area of the opening of the through hole is not particularly limited, but the equivalent circle diameter is preferably 0.1 ⁇ m to 30 ⁇ m, more preferably 0.2 ⁇ m to 25 ⁇ m, and particularly preferably 0.3 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the equivalent circle diameter is the diameter of a circle having the same area as the area of the target opening.
  • the aspect ratio of the through hole is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20, more preferably 0.2 to 15, and 0.3 to 10. is particularly preferred.
  • the thickness of the insulating layer and the area of the opening of the through hole can be determined, for example, by scanning electron microscopy.
  • the cured gap fill material of the present invention is formed by applying the composition for forming a gap fill material of the present invention onto a substrate, and then baking the composition.
  • the substrate to which the composition for forming a gap fill material is applied is not particularly limited, but includes a substrate having an insulating layer in which through holes are formed.
  • the substrate may be an insulating layer itself with through holes formed therein, or may be a substrate having an additional layer or base material under the insulating layer. Examples of the layer include a rewiring layer.
  • Examples of the material of the base material include metal, resin, and the like.
  • Examples of the metal include copper.
  • Examples of the resin include polyimide.
  • the method for applying the composition for forming the gap fill material onto the substrate is not particularly limited, and examples thereof include appropriate application methods such as a spinner and a coater.
  • a cured gap fill material is formed by baking using a heating means such as a hot plate.
  • the baking conditions are appropriately selected from baking temperatures of 100° C. to 400° C. and baking times of 0.3 minutes to 60 minutes.
  • the baking temperature is 120°C to 350°C and the baking time is 0.5 to 30 minutes, more preferably the baking temperature is 150°C to 300°C, and the baking time is 0.8 to 10 minutes.
  • the cured gap fill material can be removed using, for example, a chemical solution.
  • the chemical solution include organic solvents.
  • the chemical solution may contain an acidic compound or a basic compound in addition to the organic solvent.
  • the organic solvent include dimethyl sulfoxide, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol dimethyl ether, and the like.
  • acidic compounds include inorganic acids and organic acids. Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and phosphoric acid.
  • organic acids include p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, salicylic acid, 5-sulfosalicylic acid, 4-phenolsulfonic acid, camphorsulfonic acid, 4-chlorobenzenesulfonic acid, benzenedisulfonic acid, and 1-naphthalenesulfonic acid.
  • the basic compound include inorganic bases and organic bases.
  • inorganic bases examples include alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, quaternary ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline, ethanolamine, propylamine, and diethylaminoethanol. , ethylenediamine, and other amines.
  • the organic solvent used in the drug solution can be used alone or in combination of two or more.
  • the acidic compound or basic compound used in the drug solution can be used alone or in combination of two or more kinds.
  • the blending amount of the acidic compound or basic compound is, for example, 0.01% to 20% by mass, preferably 0.1% to 5% by mass, particularly preferably 0.2% by mass, based on the chemical solution. % by mass to 1% by mass.
  • the chemical solution is preferably an organic solvent containing a basic compound (basic organic solvent), and particularly preferably a mixed solution containing dimethyl sulfoxide and tetramethylammonium hydroxide. Examples of commercially available basic organic solvents include ST-120 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.).
  • the rewiring layer manufacturing method of the present invention includes a step of filling through holes.
  • the method for manufacturing a wired circuit board of the present invention includes a step of manufacturing a rewiring layer. This step of manufacturing a rewiring layer is a method of manufacturing a rewiring layer of the present invention.
  • the step of filling the through holes is a step of filling the through holes of the insulating layer with a cured gap fill material formed from the gap fill material forming composition of the present invention.
  • FIGS. 2A to 2K are schematic diagrams for explaining the formation of a rewiring layer using a dual damascene process.
  • a laminate having a support 1 and an insulating layer 2 thereon is prepared (FIG. 2A).
  • a through hole is formed in the insulating layer 2.
  • the insulating layer 2 used here is, for example, a non-photosensitive insulating layer. Examples of the material for the insulating layer include polyimide, polybenzoxazole, liquid crystal polymer, and silicon oxide.
  • the through hole is formed, for example, by photolithography. For example, a through hole can be formed by forming a photoresist pattern on an insulating layer and etching the insulating layer using the pattern as a mask.
  • the thickness of the insulating layer is not particularly limited, but is preferably 0.1 ⁇ m to 30 ⁇ m, more preferably 0.5 ⁇ m to 25 ⁇ m, and particularly preferably 1 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the area of the opening of the through hole is not particularly limited, but the equivalent circle diameter is preferably 0.1 ⁇ m to 30 ⁇ m, more preferably 0.2 ⁇ m to 25 ⁇ m, and particularly preferably 0.3 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the aspect ratio of the through hole is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20, more preferably 0.2 to 25, and 0.3 to 10. is particularly preferred.
  • the support 1 is not particularly limited as long as it can support the insulating layer 2, and examples thereof include a base material, a rewiring layer, and the like.
  • Examples of the material of the base material include metal, resin, and the like.
  • Examples of the metal include copper.
  • Examples of the resin include polyimide.
  • the composition for forming a gap fill material of the present invention is applied onto the insulating layer 2 and fired to form a cured gap fill material 3 (FIG. 2B). Since the gap fill material forming composition enters the through holes, the formed gap fill material cured product 3 fills the through holes.
  • the coating method is not particularly limited, and examples thereof include the coating methods mentioned in the description of the cured gap fill material of the present invention.
  • the firing conditions are not particularly limited, and include, for example, the firing conditions mentioned in the description of the cured gap fill material of the present invention.
  • unnecessary portions of the cured gap fill material 3 on the insulating layer 2 are removed (FIG. 2C). Specifically, among the cured gap fill materials 3 on the insulating layer 2, the cured gap fill materials 3 other than the cured gap fill materials 3 that fill the through holes are removed. Removal of the unnecessary cured gap fill material 3 is performed, for example, by wet etching or dry etching using a basic organic solvent.
  • a photoresist layer 4 for processing the insulating layer 2 into a desired shape is formed on the insulating layer 2 whose through holes are filled with the cured gap fill material 3 (FIG. 2D).
  • the photoresist used for the photoresist layer 4 is not particularly limited as long as it can be removed after processing the insulating layer 3 into a desired shape, but for example, an i-line photoresist used for microfabrication, Examples include photoresists for KrF excimer lasers and photoresists for ArF excimer lasers.
  • the photoresist may be a positive photoresist or a negative photoresist.
  • the thickness of the photoresist layer 4 is not particularly limited, but may be, for example, 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the photoresist layer 4 is processed into a predetermined pattern shape by photolithography using exposure and development (FIG. 2E). At this time, since the gap fill material cured material 3 filling the through hole has an antireflection function, patterning defects of the photoresist layer 4 in contact with the gap fill material cured material 3 can be prevented.
  • a groove for forming a wiring (wiring formation groove 5b) is formed in the insulating layer 2 by etching.
  • the gap fill material cured material 3 filling the through hole is also removed, and a through hole for forming a via (via formation through hole 5a) is formed (FIG. 2F).
  • An example of the etching for forming the wiring forming groove 5b is dry etching.
  • wet etching using a basic organic solvent can be mentioned, for example.
  • the width of the wiring forming groove is not particularly limited, but is preferably 0.05 ⁇ m to 30 ⁇ m, more preferably 0.1 ⁇ m to 20 ⁇ m, and particularly preferably 0.2 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the width of the wiring forming groove is the length of the wiring forming groove in the short direction in the direction orthogonal to the thickness direction of the insulating layer.
  • the depth of the wiring forming groove is not particularly limited, but is preferably 0.05 ⁇ m to 5 ⁇ m, more preferably 0.1 ⁇ m to 4 ⁇ m, and particularly preferably 0.2 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the depth of the wiring formation groove is the length of the wiring formation groove in the thickness direction of the insulating layer.
  • the depth of the wiring formation groove is not particularly limited, but may be, for example, 1/50 or more, 1/30 or more, or 1/20 or more of the thickness of the insulating layer. It's okay. Further, the depth of the wiring forming groove may be less than 1/1, 1/2 or less, or 1/10 or less of the thickness of the insulating layer.
  • the width of the wiring formation groove corresponds to the width of the wiring in the wiring described later.
  • the depth of the wiring formation groove corresponds to the height of the wiring in the wiring described later.
  • a barrier/seed layer 6 serving as both a barrier layer and a seed layer is formed on the surface of the insulating layer 2 in which the via-forming through-hole 5a and the wiring-forming groove 5b are formed (FIG. 2G).
  • the barrier seed layer 6 has, for example, a two-layer structure in which the lower layer is a Ti layer and the upper layer is a Cu layer.
  • the barrier seed layer 6 is also formed on the surface of the insulating layer 2 within the via formation through hole 5a and the wiring formation groove 5b.
  • a plating layer 7 is formed on the barrier seed layer 6 (FIG. 2H).
  • the plating layer 7 is, for example, a Cu layer.
  • the plating layer 7 is formed so that the plating layer 7 fills the via formation through hole 5a and the wiring formation groove 5b.
  • the plating layer 7 is formed by, for example, electrolytic plating. Note that the plating layer 7 may be formed by electroless plating. In that case, since the formation of a seed layer is not necessary, a barrier layer is formed in place of the barrier seed layer 6.
  • the plating layer 7 and barrier seed layer 6 on the upper surface of the insulating layer 2 are removed (FIG. 2I).
  • the plating layer 7 and barrier seed layer 6 on the upper surface of the insulating layer 2 are removed by, for example, CMP (chemical mechanical polishing).
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a rewiring layer having the insulating layer 2, the via 7a formed inside the insulating layer 2, and the wiring 7b formed inside the insulating layer 2 is obtained.
  • the barrier layer is formed not only on the bottom surface of the via 7a and the wiring 7b but also on the side surfaces, so compared to the case where the barrier layer is formed only on the bottom surface of the via and the wiring, the barrier layer is formed on the via and the wiring 7b. Migration of metal constituting the wiring to the insulating layer can be further prevented.
  • the wiring 7b is formed inside the insulating layer 2 and does not protrude from the surface of the insulating layer 2.
  • this redistribution layer vias and wiring vias are exposed on the surface of the insulating layer, and on the surface, the exposed surface of the via, the exposed surface of the wiring, and the surface of the insulating layer form a flat surface. are doing. Therefore, this rewiring layer has a uniform thickness.
  • a redistribution layer having a uniform thickness is laminated to obtain a laminate, a laminate with excellent flatness can be obtained.
  • an insulating layer 8 is formed on the insulating layer 2 in which the via 7a and the wiring 7b are formed (FIG. 2J).
  • the insulating layer 8 is, for example, a non-photosensitive insulating layer.
  • a through hole is formed in the insulating layer 8 (FIG. 2K).
  • steps similar to those shown in FIGS. 2B to 2I are performed. By doing so, the rewiring layer can have a multilayer structure.
  • reaction product corresponded to formula (A-1), and had a weight average molecular weight Mw of 900 as measured by GPC in terms of polystyrene.
  • L 1 , L 2 , and L 3 each represent a bond, and L 1 and L 2 or L 3 together represent a single bond.
  • reaction product corresponded to formula (A-2), and had a weight average molecular weight Mw of 1300 as measured by GPC in terms of polystyrene.
  • L 1 , L 2 , and L 3 each represent a bond, and L 1 and L 2 or L 3 together represent a single bond.
  • the obtained reaction product corresponded to formula (A-3), and had a weight average molecular weight Mw of 1930 as measured by GPC in terms of polystyrene.
  • Example 1 To 3.65 g of a solution (solid content: 16.9% by mass) of the reaction product corresponding to the above formula (A-1), 0.12 g of tetramethoxymethyl glycoluril was added as a crosslinking agent, and pyridinium-p-toluene was added as a crosslinking catalyst.
  • a composition for forming a gap fill material was prepared by adding 0.006 g of sulfonate, 1.16 g of propylene glycol monomethyl ether, and 1.05 g of propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • Example 2 To 3.75 g of a solution (solid content: 16.5% by mass) of the reaction product corresponding to the above formula (A-2), 0.12 g of tetramethoxymethyl glycoluril was added as a crosslinking agent, and pyridinium-p-toluene was added as a crosslinking catalyst.
  • a composition for forming a gap fill material was prepared by adding 0.006 g of sulfonate, 1.16 g of propylene glycol monomethyl ether, and 1.05 g of propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • Example 3 To 3.22 g of a solution of the reaction product corresponding to the above formula (A-3) (solid content: 19.2% by mass), 0.12 g of tetramethoxymethyl glycoluril was added as a crosslinking agent, and pyridinium-p-toluene was added as a crosslinking catalyst.
  • a composition for forming a gap fill material was prepared by adding 0.006 g of sulfonate, 1.60 g of propylene glycol monomethyl ether, and 1.05 g of propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • Example 4 To 3.24 g of a solution (solid content: 19.1% by mass) of the reaction product corresponding to the above formula (A-4), 0.12 g of tetramethoxymethyl glycoluril was added as a crosslinking agent, and pyridinium-p-toluene was added as a crosslinking catalyst.
  • a composition for forming a gap fill material was prepared by adding 0.006 g of sulfonate, 1.58 g of propylene glycol monomethyl ether, and 1.05 g of propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 have appropriate n and k values at 365 nm. In a lithography process using radiation such as i-line, it has an anti-reflection function that can suppress reflections (standing waves) from the underlying substrate that cause undesirable resist patterns.
  • the film is removed (the film is peeled off), it is judged that the resist solvent (organic solvent) is not resistant, and if the film is not removed (the film is not peeled off), it is considered to be resistant to the resist solvent (organic solvent). I judged it to be a thing.
  • the film is removed (the film is peeled off), it is judged that it has good removability (removability) against basic organic solvents, and if the film is not removed (the film is 21085; if not released), it was judged that the film did not have good removability (peelability).
  • the gap fill material forming compositions of Examples 1 to 4 were more likely to form a film on a copper substrate than the gap fill material forming composition of Comparative Example 1. Sufficient removability against solvents) was obtained. That is, since the film obtained from the gap fill material forming composition of Example 1 can exhibit good removability (peelability) with respect to wet etching chemicals, it is possible to remove the film with wet etching chemicals. Useful in manufacturing processes.
  • Comparative Example 1 a gap was formed at the interface between the hole substrate and the film, and the film peeled off when the substrate was cut and observed by SEM, making it impossible to observe the film inside the hole.
  • the films obtained from the compositions for forming gap fill materials of Examples 1 to 4 can show good filling properties for hole substrates, and therefore are useful in semiconductor manufacturing processes for flattening stepped substrates. be.

Abstract

下記式（１）で表される構造及びカルボニル結合を有する化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶剤とを含有するギャップフィル材形成用組成物。 （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。Ｒ３が２つ以上のとき、２つ以上のＲ３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１の整数を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。　＊は、結合手を表す。）

Description

ギャップフィル材形成用組成物
　本発明は、好ましくは半導体装置の再配線層製造プロセスで用いるギャップフィル材形成用組成物、ギャップフィル材硬化物、再配線層の製造方法、及び配線回路基板の製造方法に関する。
　電子機器に対する小型化、高性能化及び低価格化等の要求に伴い、半導体チップの微細化や多端子化とともに、半導体チップを搭載する配線回路基板の微細化、多層化、及び配線回路基板上での電子部品の高密度実装化が進められている。半導体チップの多端子化、これら端子の狭ピッチ化にともない、多層回路基板にも微細配線化が求められている。
　多層回路基板には、パッケージ基板、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）、シリコンインタポーザ等、種々の形態が知られている。一般的に、パッケージ基板に用いられるビルドアップ基板の配線層やウエハレベルパッケージの再配線層等においては、サブトラクティブ法よりも微細配線化が可能なセミアディティブ（ＳＡＰ）法が適用されている。多層配線を形成する場合、セミアディティブ法で配線を積み上げていく方法と、フォトビア法あるいはダマシン法により配線同士をビアプラグでコンタクト接続する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１１－２４９４８３号公報
　絶縁層とその絶縁層の表面に形成された配線とその絶縁層の内部に形成されたビアとを有する再配線層は、例えば、デュアルダマシンプロセスによって製造される。デュアルダマシンとは、配線の形成とビアホールの埋め込みによるビアの形成とを同時に行う技術である。ここで、図を用いてデュアルダマシンプロセスによる再配線層の製造工程を説明する。
　図１Ａ～図１Ｋは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である。
　まず、基板１０１を用意する（図１Ａ）。次に、基板１０１上に感光性樹脂層１０２を形成する（図１Ｂ）。ここで使用される感光性樹脂層１０２は、後に絶縁層としての役割を果たす感光性樹脂層であって、例えば、感光性ポリイミドである。次に、フォトリソグラフィーによって感光性樹脂層１０２に貫通孔を形成する（図１Ｃ）。次に、感光性樹脂層１０２の表面に、バリア層とシード層とを兼ねたバリア・シード層１０３を形成する（図１Ｄ）。バリア・シード層１０３は、例えば、下層をＴｉ層とし、上層をＣｕ層とする２層構造である。次に、感光性樹脂層１０２を覆うバリア・シード層１０３上にメッキレジスト１０４を形成する（図１Ｅ）。次に、フォトリソグラフィーによってメッキレジスト１０４を所望のパターン状にする（図１Ｆ）。次に、所望のパターン状のメッキレジスト１０４のスペースにメッキを施し、メッキ層１０５を形成する（図１Ｇ）。メッキ層１０５は後にビアとなる箇所及び配線となる箇所に形成される。メッキ層１０５は、例えば、Ｃｕ層である。次に、エッチングによってメッキレジスト１０４を除去する。そうすることで、メッキ層１０５は、絶縁層である感光性樹脂層１０２の内部に形成されたビア１０５ａ、及び感光性樹脂層１０２の表面に形成された配線１０５ｂとなる（図１Ｈ）。次に、露出しているバリア・シード層１０３を除去する（図１Ｉ）。そうすることにより、図１Ｉに示すように、感光性樹脂層１０２（絶縁層）と、感光性樹脂層１０２の内部に形成されたビア１０５ａと、感光性樹脂層１０２の表面に形成された配線１０５ｂとを有する再配線層が形成される。
　次に、ビア１０５ａ及び配線１０５ｂが形成された感光性樹脂層１０２（絶縁層）上に、感光性樹脂層１０６を形成する（図１Ｊ）。次に、フォトリソグラフィーによって感光性樹脂層１０６に貫通孔を形成する（図１Ｋ）。次に、図１Ｄ～図１Ｉに示した工程と同様の工程を行う。そうすることで、再配線層を多層構造にすることができる。
　ここで、ビア１０５ａ及び配線１０５ｂを構成するＣｕなどの金属は、絶縁層にマイグレーションしやすい。そのため、マイグレーションを防ぐ機能を有するバリア・シード層１０３が形成されている。しかし、図１Ｉ～図１Ｋに示すように、感光性樹脂層１０２の上面において、バリア・シード層１０３は、ビア１０５ａ及び配線１０５ｂの下側にしか形成されておらず、ビア１０５ａ及び配線１０５ｂの表面のなかで広い面積を占めるビア１０５ａ及び配線１０５ｂの側面には、バリア・シード層１０３がない。そのため、マイグレーションの防止は不十分である。
　本発明は、再配線層を作製する際の絶縁層の貫通孔の一時的な埋め込みに好適に用いることができるギャップフィル材形成用組成物、当該ギャップフィル材形成用組成物を用いたギャップフィル材硬化物、及び当該ギャップフィル材形成用組成物を用いた配線回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記の課題を解決する為、鋭意検討を行った結果、上記の課題を解決出来ることを見出し、以下の要旨を有する本発明を完成させた。
　すなわち、本発明は以下を包含する。
　［１］　下記式（１）で表される構造及びカルボニル結合を有する化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶剤とを含有するギャップフィル材形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。
　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。Ｒ３が２つ以上のとき、２つ以上のＲ３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１の整数を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。
　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　＊は、結合手を表す。）
　［２］　前記化合物及び重合体が、前記カルボニル結合を有する構造として、下記式（２）で表される構造、及び下記式（３）で表される構造の少なくともいずれかを有する、［１］に記載のギャップフィル材形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式（２）中、Ｘ１１は、下記式（２－１）～下記式（２－４）のいずれかで表される基を表す。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、単結合又は下記式（２－５）で表される２価の基を表す（ただし、式（２－５）中の＊３は式（２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）。Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。＊は、結合手を表す。
　式（３）中、Ｑ１は、芳香族炭化水素環を有する２価の有機基を表す。Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５及びＡ１６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。ｎ１１及びｎ１２は、０又は１の整数を表す。ただし、ｎ１１及びｎ１２の少なくともいずれかは１である。＊は、結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （式（２－１）～（２－３）中、Ｒ１～Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数２～１０のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素数１～６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素数１～６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの１価の基で置換されていてもよい。Ｒ１とＲ２は、互いに結合して炭素数３～６の環を形成していてもよい。Ｒ３とＲ４は、互いに結合して炭素数３～６の環を形成していてもよい。
　式（２－４）中、Ｚ３は、単結合又は下記式（２－５）で表される２価の基を表す（ただし、式（２－５）中の＊３は式（２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）。Ａ７、Ａ８及びＡ９は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。
　＊は結合手を表す。＊１は式（２）中の炭素原子に結合する結合手を表す。＊２は式（２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （式（２－５）中、ｍ１は０～４の整数であり、ｍ２は０又は１であり、ｍ３は０又は１であり、ｍ４は０～２の整数である。ただし、ｍ３が１の場合、ｍ１及びｍ２は同時に０にならない。＊３は式（２）又は式（２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。＊４は式（２）又は式（２－４）中の炭素原子に結合する結合手を表す。）
　［３］　Ｑ１が、下記式（３－１）又は式（３－２）で表される、［２］に記載のギャップフィル材形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （式（３－１）～（３－２）中、Ｒ２１～Ｒ２３は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数２～６のアルキニル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルキニルオキシ基、炭素数２～６のアシル基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１３のアリールカルボニル基、又は炭素数７～１３のアラルキル基を表す。＊は、結合手を表す。
　式（３－１）中、ｎ３は０又は１を表す。ｎ３が０のとき、ｎ２１は０～４の整数を表す。ｎ３が１のとき、ｎ２１は０～６の整数を表す。Ｒ２１が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２１は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　式（３－２）中、Ｚ４は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素数１～６のアルキレン基を表す。ｎ２２及びｎ２３は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２２が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２２は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２３が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。）
　［４］　Ｒ１が、シアノ基又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す、［１］から［３］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物。
　［５］　Ｒ２が、シアノ基、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す、［１］から［４］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物。
　［６］　Ｘ１が、エーテル結合を表す、［１］から［５］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物。
　［７］　ｎ２が、０を表す、［１］から［６］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物。
　［８］　架橋剤を含有する、［１］から［７］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物。
　［９］　再配線層を作製する際の絶縁層の貫通孔の一時的な埋め込みに用いられる、［１］から［８］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物。
　［１０］　［１］から［９］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物を基板に塗布し、次いで焼成して形成した、ギャップフィル材硬化物。
　［１１］　薬液で除去可能な、［１０］に記載の硬化物。
　［１２］　［１］から［９］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物から形成されるギャップフィル材硬化物で絶縁層の貫通孔を埋める工程を含む、再配線層の製造方法。
　［１３］　前記貫通孔を埋める工程後、さらに薬液で前記ギャップフィル材硬化物を除去する工程を含む、［１２］に記載の再配線層の製造方法。
　［１４］　再配線層を製造する工程を含む、配線回路基板の製造方法であって、
　前記再配線層を製造する工程が、［１］から［９］のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物から形成されるギャップフィル材硬化物で絶縁層の貫通孔を埋める工程を含む、
　配線回路基板の製造方法。
　［１５］　前記貫通孔を埋める工程後、さらに薬液で前記ギャップフィル材硬化物を除去する工程を含む、［１４］に記載の配線回路基板の製造方法。
　本発明によれば、再配線層を作製する際の絶縁層の貫通孔の一時的な埋め込みに好適に用いることができるギャップフィル材形成用組成物、当該ギャップフィル材形成用組成物を用いたギャップフィル材硬化物、及び当該ギャップフィル材形成用組成物を用いた配線回路基板の製造方法を提供することができる。
図１Ａは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その１）。 図１Ｂは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その２）。 図１Ｃは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その３）。 図１Ｄは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その４）。 図１Ｅは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その５）。 図１Ｆは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その６）。 図１Ｇは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その７）。 図１Ｈは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その８）。 図１Ｉは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その９）。 図１Ｊは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その１０）。 図１Ｋは、デュアルダマシンプロセスの一例を説明するための概略図である（その１１）。 図２Ａは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その１）。 図２Ｂは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その２）。 図２Ｃは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その３）。 図２Ｄは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その４）。 図２Ｅは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その５）。 図２Ｆは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その６）。 図２Ｇは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その７）。 図２Ｈは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その８）。 図２Ｉは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その９）。 図２Ｊは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その１０）。 図２Ｋは、本発明の一実施形態（デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成）を説明するための概略図である（その１１）。 図３は、実施例１の埋め込み性及び平坦化性の評価の際のＳＥＭ写真である。 図４は、実施例２の埋め込み性及び平坦化性の評価の際のＳＥＭ写真である。 図５は、実施例３の埋め込み性及び平坦化性の評価の際のＳＥＭ写真である。 図６は、実施例４の埋め込み性及び平坦化性の評価の際のＳＥＭ写真である。 図７は、比較例１の埋め込み性及び平坦化性の評価の際のＳＥＭ写真である。
（ギャップフィル材形成用組成物）
　本発明のギャップフィル材形成用組成物は、下記式（１）で表される構造及びカルボニル結合を有する化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶剤とを含有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。
　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。Ｒ３が２つ以上のとき、２つ以上のＲ３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１の整数を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。
　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　＊は、結合手を表す。）
　本発明のギャップフィル材形成用組成物は、再配線層を作製する際の絶縁層の貫通孔の一時的な埋め込みに好適に用いることができる。
　本発明のギャップフィル材形成用組成物を、再配線層を作製する際の絶縁層の貫通孔の一時的な埋め込みに用いることで、再配線層において、下面のみならず、側面にもバリア層が形成されたビア及び配線を形成することができる。その結果、ビア及び配線から絶縁層への金属のマイグレーションを低減させ、信頼性の高い再配線層を形成することができる。好ましくはデュアルダマシン工程でのギャップフィル材として用いることができる。
　詳細は、後に図２Ａ～図２Ｋを用いて説明する。
＜化合物及び重合体＞
　ギャップフィル材形成用組成物に含有される化合物及び重合体（以下、「特定の化合物及び重合体」と称することがある）は、下記式（１）で表される構造及びカルボニル結合を有する。
　なお、本発明において、化合物と重合体との違いは特に明確である必要はない。例えば、式（１）で表される構造及びカルボニル結合を有する物質であれば、低分子量であってもよいし、高分子量であってもよいし、単一組成であってもよいし、分子量分布を有していてもよい（例えば、多分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が１超であってもよい）。
＜＜式（１）で表される構造＞＞
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。
　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。Ｒ３が２つ以上のとき、２つ以上のＲ３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１の整数を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。
　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　＊は、結合手を表す。）
　式（１）で表される構造は、紫外線（例えば、ｉ線（３６５ｎｍ））に対する吸収を有することから、ギャップフィル材形成用組成物から得られるギャップフィル材硬化物は、反射防止機能を有する。そのため、ギャップフィル材硬化物の上にフォトレジスト層を形成してフォトリソグラフィーを行った際のフォトレジスト層のパターニング不良を防ぐことができる。即ち、本発明のギャップフィル材形成用組成物は、反射防止層形成用組成物、あるいは、紫外線反射防止層形成用組成物ともいえる。
　式（１）中のＲ１～Ｒ３における炭素原子数１～１３のアルキル基としては、例えば、炭素原子数１～６のアルキル基が挙げられる。
　炭素原子数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
　式（１）中のＲ１１の炭素原子数１～４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基などが挙げられる。
　式（１）中のＸ１としては、エーテル結合を表すことが好ましい。
　式（１）中のＲ１としては、シアノ基又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表すことが好ましい。
　式（１）中のＲ２としては、シアノ基、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表すことが好ましい。
　式（１）中のｎ２としては、０を表すことが好ましい。
＜＜カルボニル結合＞＞
　特定の化合物及び重合体は、式（１）で表される構造以外に、カルボニル結合を有する。特定の化合物及び重合体がカルボニル結合を有することにより、ギャップフィル材形成用組成物から得られるギャップフィル材硬化物の除去性が優れる。そのため、ギャップフィル材形成用組成物は、再配線層を作製する際の絶縁層の貫通孔の一時的な埋め込みに好適に用いることができる。
　ギャップフィル材硬化物の除去は、例えば、塩基性有機溶剤を用いたウェットエッチング又はドライエッチングによって行われる。
　カルボニル結合（－ＣＯ－）の炭素原子は、炭素原子に結合していてもよいし、酸素原子に結合していてもよいし、窒素原子に結合していてもよい。そのため、カルボニル結合は、エステル基（－ＣＯＯ－）中のカルボニル結合であってもよいし、アミド基（－ＣＯ－ＮＨ－）中のカルボニル結合であってもよいし、イソシアヌル酸骨格中のカルボニル結合であってもよいし、ヒダントイン骨格中のカルボニル結合であってもよい。
　特定の化合物及び重合体中のカルボニル結合の量としては、特に制限されない。
　特定の化合物及び重合体は、カルボニル結合を有する構造として、下記式（２）で表される構造、及び下記式（３）で表される構造の少なくともいずれかを有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 （式（２）中、Ｘ１１は、下記式（２－１）～下記式（２－４）のいずれかで表される基を表す。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、単結合又は下記式（２－５）で表される２価の基を表す（ただし、式（２－５）中の＊３は式（２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）。Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。＊は、結合手を表す。
　式（３）中、Ｑ１は、芳香族炭化水素環を有する２価の有機基を表す。Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５及びＡ１６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。ｎ１１及びｎ１２は、０又は１の整数を表す。ただし、ｎ１１及びｎ１２の少なくともいずれかは１である。＊は、結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式（２－１）～（２－３）中、Ｒ１～Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数２～１０のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素数１～６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素数１～６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの１価の基で置換されていてもよい。Ｒ１とＲ２は、互いに結合して炭素数３～６の環を形成していてもよい。Ｒ３とＲ４は、互いに結合して炭素数３～６の環を形成していてもよい。
　式（２－４）中、Ｚ３は、単結合又は下記式（２－５）で表される２価の基を表す（ただし、式（２－５）中の＊３は式（２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）。Ａ７、Ａ８及びＡ９は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。
　＊は結合手を表す。＊１は式（２）中の炭素原子に結合する結合手を表す。＊２は式（２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 （式（２－５）中、ｍ１は０～４の整数であり、ｍ２は０又は１であり、ｍ３は０又は１であり、ｍ４は０～２の整数である。ただし、ｍ３が１の場合、ｍ１及びｍ２は同時に０にならない。＊３は式（２）又は式（２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。＊４は式（２）又は式（２－４）中の炭素原子に結合する結合手を表す。）
　本明細書において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　本明細書において、アルキル基としては、直鎖状に限らず分岐状でもよく環状でもよい。直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基などが挙げられる。環状のアルキル基（シクロアルキル基）としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
　本明細書において、アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－ペンチルチオ基、イソプロピルチオ基などが挙げられる。
　本明細書において、アルケニル基としては、例えば、エテニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－メチル－１－エテニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基などが挙げられる。
　本明細書において、アルキニル基としては、上記「アルケニル基」に挙げられたアルケニル基の２重結合が３重結合に置き換えられている基が挙げられる。
　本明細書において、アルケニルオキシ基としては、例えば、ビニルオキシ基、１－プロペニルオキシ基、２－ｎ－プロペニルオキシ基（アリルオキシ基）、１－ｎ－ブテニルオキシ基、プレニルオキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、アルキニルオキシ基としては、例えば、２－プロピニルオキシ基、１－メチル－２－プロピニルオキシ基、２－メチル－２－プロピニルオキシ基、２－ブチニルオキシ基、３－ブチニルオキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基などが挙げられる。
　本明細書において、アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシなどが挙げられる。
　本明細書において、アリールカルボニル基としては、例えば、フェニルカルボニル基などが挙げられる。
　本明細書において、アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。
　本明細書において、アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，３－プロピレン基、２，２－プロピレン基、１－メチルエチレン基、１，４－ブチレン基、１－エチルエチレン基、１－メチルプロピレン基、２－メチルプロピレン基、１，５－ペンチレン基、１－メチルブチレン基、２－メチルブチレン基、１，１－ジメチルプロピレン基、１，２－ジメチルプロピレン基、１－エチルプロピレン基、２－エチルプロピレン基、１，６－ヘキシレン基、１，４－シクロヘキシレン基、１，８－オクチレン基、２－エチルオクチレン基、１，９－ノニレン基及び１，１０－デシレン基等が挙げられる。
　式（２－１）～（２－３）のＲ１～Ｒ５における酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基としては、例えば、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、炭素原子数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素原子数３～１０のアルコキシアルコキシアルキル基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、炭素原子数２～１０のアルキルチオアルキル基などが挙げられる。
　また、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基には、酸素原子若しくは硫黄原子が２つ以上含まれていてもよい。
　式（３）中のＱ１としては、下記式（３－１）又は式（３－２）で表されることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （式（３－１）～（３－２）中、Ｒ２１～Ｒ２３は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数２～６のアルキニル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルキニルオキシ基、炭素数２～６のアシル基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１３のアリールカルボニル基、又は炭素数７～１３のアラルキル基を表す。＊は、結合手を表す。
　式（３－１）中、ｎ３は０又は１を表す。ｎ３が０のとき、ｎ２１は０～４の整数を表す。ｎ３が１のとき、ｎ２１は０～６の整数を表す。Ｒ２１が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２１は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　式（３－２）中、Ｚ４は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素数１～６のアルキレン基を表す。ｎ２２及びｎ２３は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２２が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２２は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２３が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。）
　式（２）中の下記式（２Ｘ）としては、例えば、以下に例示する構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （式（２Ｘ）中、Ｘ１１、Ｚ１、及びＺ２は、それぞれ、式（２）中のＸ１１、Ｚ１、及びＺ２と同義である。＊は、結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 （＊は、結合手を表す。）
　式（３）中の下記式（３Ｘ）としては、例えば、以下に例示する構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 （式（３Ｘ）中、Ｑ１、ｎ１１、及びｎ１２は、それぞれ、式（３）中のＱ１、ｎ１１、及びｎ１２と同義である。ただし、ｎ１１及びｎ１２の少なくともいずれかは１である。＊は、結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 （＊は、結合手を表す。）
＜＜その他の構造＞＞
　特定の化合物及び重合体は、式（１）で表される構造及びカルボニル結合以外の構造を有していてもよい。そのような構造としては、架橋効率向上及び除去性の点から、下記式（Ｅ）で表される構造が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
 （式（Ｅ）中、Ｘ２１は、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－又は－ＮＲａ－を表し、Ｒａは水素原子又はメチル基を表す。Ｙ２１は、直接結合又は置換されてもよい炭素原子数１～４のアルキレン基を表す。Ａ２１～Ａ２３は、それぞれ独立して、水素原子、置換されてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基、又は置換されてもよい炭素原子数６～４０のアリール基を表す。＊は、結合手を表す。）
　式（Ｅ）のＹ２１、及びＡ２１～Ａ２３において、置換されていてもよいとは、置換される官能基中に存在する一部又は全部の水素原子が、それぞれ独立して、例えば、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、メチレンジオキシ基、アセトキシ基、メチルチオ基、アミノ基又は炭素原子数１～９のアルコキシ基で置換されてもよいことを意味する。
　Ｘ２１としては、－Ｓ－が好ましい。
　Ｙ２１における置換されてもよい炭素原子数１～４のアルキレン基としては、特に制限されないが、メチレン基が好ましい。
　Ａ２１～Ａ２３における置換されてもよい炭素原子数６～４０のアリール基としては、特に制限されないが、例えば、フェニル基、ｏ－メチルフェニル基、ｍ－メチルフェニル基、ｐ－メチルフェニル基、ｏ－クロルフェニル基、ｍ－クロルフェニル基、ｐ－クロルフェニル基、ｏ－フルオロフェニル基、ｐ－フルオロフェニル基、ｏ－メトキシフェニル基、ｐ－メトキシフェニル基、ｐ－ニトロフェニル基、ｐ－シアノフェニル基、α－ナフチル基、β－ナフチル基、ｏ－ビフェニリル基、ｍ－ビフェニリル基、ｐ－ビフェニリル基、１－アントリル基、２－アントリル基、９－アントリル基、１－フェナントリル基、２－フェナントリル基、３－フェナントリル基、４－フェナントリル基及び９－フェナントリル基等が挙げられる。
　特定の化合物及び重合体は、式（１）で表される構造及びカルボニル結合を有する化合物として、下記式（１－２）で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 （式（１－２）中、Ｚ１、Ｚ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ、式（２）中のＺ１、Ｚ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６と同義である。
　Ｚ３、Ａ７、Ａ８及びＡ９は、それぞれ、式（２－４）中のＺ３、Ａ７、Ａ８及びＡ９と同義である。
　Ｙ１、Ｙ２、及びＹ３は、それぞれ独立して、下記式（１Ｘ）で表される構造、又は式（Ｅ）で表される構造を表す。ただし、Ｙ１～Ｙ３の少なくとも１つは、式（１Ｘ）で表される構造を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 （式（１Ｘ）中、Ｘ１、Ｒ３及びｎ１は、それぞれ、式（１）中のＸ１、Ｒ３及びｎ１と同義である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。＊は、結合手を表す。）
　特定の化合物及び重合体は、「式（１）で表される構造及びカルボニル結合」を有する構造として、下記式（１－３）で表される構造及び下記式（１－４）で表される構造の少なくともいずれかを有することが好ましい。式（１－３）で表される構造は、重合体において、繰り返し単位であってもよい。式（１－４）で表される構造は、重合体において、繰り返し単位であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 （式（１－３）及び式（１－４）中、Ｘ１、Ｒ３、及びｎ１は、それぞれ、式（１）中のＸ１、Ｒ３、及びｎ１と同義である。
　式（１－３）中、Ｘ１１、Ｚ１、Ｚ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６は、それぞれ、式（２）中のＸ１１、Ｚ１、Ｚ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６と同義である。
　式（１－３）中、Ｒ１は、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。
　式（１－４）中、Ｑ１、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５、Ａ１６、ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ、式（３）中の、Ｑ１、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５、Ａ１６、ｎ１１及びｎ１２と同義である。ただし、ｎ１１及びｎ１２の少なくともいずれかは１である。
　＊は、結合手を表す。）
　化合物又は重合体の重量平均分子量としては、例えば、３００～１００，０００であり、３００～５０，０００が好ましく、３００～１０，０００がより好ましく、３００～５，０００が特に好ましい。
　特定の化合物及び重合体の一例の製造方法について説明する。
　特定の化合物及び重合体の一例は、例えば、以下の反応（Ｉ）～（ＩＶ）により得られる。
　（Ｉ）：下記式（１Ａ）で表される化合物と、下記式（２Ａ）で表される化合物とを反応させた後に、得られた反応生成物に更に活性メチレン化合物（Ｒａ－ＣＨ２－Ｒｂ）を反応させる反応。
　（ＩＩ）：下記式（１Ａ）で表される化合物と、下記式（２Ａ）で表される化合物と、下記式（ＥＡ）で表される化合物とを反応させた後に、得られた反応生成物に更に活性メチレン化合物（Ｒａ－ＣＨ２－Ｒｂ）を反応させる反応。
　これらの反応では、マロノニトリル、マロン酸、マロン酸エステルなどの活性メチレン化合物を用いることで、クネーフェナーゲル縮合によって、アルデヒド基を「－ＣＨ＝Ｃ（Ｒａ）（Ｒｂ）」基に変換することができる。Ｒａ、及びＲｂは、例えば、シアノ基、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 （式（１Ａ）中、Ｘ１Ａは、ヒドロキシ基、又はカルボキシ基を表す。
　式（１Ａ）中、Ｒ３及びｎ１は、それぞれ、式（１）中のＲ３及びｎ１と同義である。
　式（２Ａ）中、Ｚ１、Ｚ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ、式（２）中のＺ１、Ｚ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６と同義である。
　式（２Ａ）中、Ｚ３、Ａ７、Ａ８及びＡ９は、それぞれ、式（２－４）中のＺ３、Ａ７、Ａ８及びＡ９と同義である。
　式（ＥＡ）中、Ｘ２１、Ｙ２１、Ａ２１、Ａ２２及びＡ２３は、それぞれ、式（Ｅ）中のＸ２１、Ｙ２１、Ａ２１、Ａ２２及びＡ２３と同義である。）
　（ＩＩＩ）：下記式（１Ｂ）で表される化合物と、下記式（２Ｂ）で表される化合物及び下記式（３Ｂ）で表される化合物の少なくともいずれかとの反応。
　（ＩＶ）：下記式（１Ｃ）で表される化合物と、下記式（２Ｂ）で表される化合物及び下記式（３Ｂ）で表される化合物の少なくともいずれかとの反応。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 （式（１Ｂ）中、Ｘ１Ａは、ヒドロキシ基、又はカルボキシ基を表す。
　式（１Ｂ）中、Ｒ３、及びｎ１は、それぞれ、式（１）中のＲ３、及びｎ１と同義である。Ｒ１は、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。
　式（１Ｃ）中、Ｒ３、及びｎ１は、それぞれ、式（１）中のＲ３、及びｎ１と同義である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。
　式（２Ｂ）中、Ｘ１１、Ｚ１、Ｚ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ、式（２）中のＸ１１、Ｚ１、Ｚ２、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６と同義である。
　式（３Ｂ）中、Ｑ１、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５、Ａ１６、ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ、式（３）中のＱ１、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５、Ａ１６、ｎ１１及びｎ１２と同義である。ただし、ｎ１１及びｎ１２の少なくともいずれかは１である。）
　式（１Ａ）で表される化合物としては、例えば、４－ヒドロキシベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド酸などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　式（１Ｂ）で表される化合物としては、例えば、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸などが挙げられる。
　式（１Ｃ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物などが挙げられる。
　式中、Ｍｅは、メチル基を表す。
　式（２Ａ）又は式（２Ｂ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物などが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　式（３Ａ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物などが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　式（ＥＡ）で表される化合物としては、例えば、チオグリセロールなどが挙げられる。
　反応（Ｉ）～（ＶＩ）は、例えば、触媒存在下で行ってもよい。触媒とは、例えば、テトラブチルホスホニウムブロミド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドのような第４級ホスホニウム塩、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリドのような第４級アンモニウム塩である。触媒の使用量としては、反応に使用する反応原料の全質量に対して０．１～１０質量％の範囲から適量を選択して用いることができる。反応させる温度及び時間は、例えば、８０～１６０℃、２～５０時間の範囲から、最適な条件を選択することができる。
　ギャップフィル材形成用組成物における特定の化合物及び重合体の含有量としては、特に制限されないが、ギャップフィル材形成用組成物における膜構成成分に対して、５質量％～９９質量％が好ましく、１０質量％～９８質量％がより好ましく、２０質量％～９５質量％が特に好ましい。
　膜構成成分とは、ギャップフィル材形成用組成物中の溶媒以外の成分を指す。
＜架橋剤＞
　ギャップフィル材形成用組成物は、架橋剤を含むことが好ましい。
　ギャップフィル材形成用組成物に任意成分として含まれる架橋剤は、例えば、それ自体単独で反応する官能基を有する。
　架橋剤としては、例えば、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、１，３，４，６－テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル（テトラメトキシメチルグリコールウリル）（ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）、１，３，４，６－テトラキス（ブトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６－テトラキス（ヒドロキシメチル）グリコールウリル、１，３－ビス（ヒドロキシメチル）尿素、１，１，３，３－テトラキス（ブトキシメチル）尿素及び１，１，３，３－テトラキス（メトキシメチル）尿素などが挙げられる。
　また、架橋剤は、国際公開第２０１７／１８７９６９号公報に記載の、窒素原子と結合する下記式（１ｄ）で表される置換基を１分子中に２～６つ有する含窒素化合物であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
 （式（１ｄ）中、Ｒ１はメチル基又はエチル基を表す。＊は窒素原子と結合する結合手を表す。）
　前記式（１ｄ）で表される置換基を１分子中に２～６つ有する含窒素化合物は下記式（１Ｅ）で表されるグリコールウリル誘導体であってよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
 （式（１Ｅ）中、４つのＲ１はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数１～４のアルキル基、又はフェニル基を表す。）
　前記式（１Ｅ）で表されるグリコールウリル誘導体として、例えば、下記式（１Ｅ－１）～式（１Ｅ－６）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
　前記式（１ｄ）で表される置換基を１分子中に２～６つ有する含窒素化合物は、窒素原子と結合する下記式（２ｄ）で表される置換基を１分子中に２～６つ有する含窒素化合物と下記式（３ｄ）で表される少なくとも１種の化合物とを反応させることで得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
 （式（２ｄ）及び式（３ｄ）中、Ｒ１はメチル基又はエチル基を表し、Ｒ４は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。＊は窒素原子と結合する結合手を表す。）
　前記式（１Ｅ）で表されるグリコールウリル誘導体は、下記式（２Ｅ）で表されるグリコールウリル誘導体と前記式（３ｄ）で表される少なくとも１種の化合物とを反応させることにより得られる。
　前記式（２ｄ）で表される置換基を１分子中に２～６つ有する含窒素化合物は、例えば、下記式（２Ｅ）で表されるグリコールウリル誘導体である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
 （式（２Ｅ）中、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数１～４のアルキル基、又はフェニル基を表し、Ｒ４はそれぞれ独立に炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）
　前記式（２Ｅ）で表されるグリコールウリル誘導体として、例えば、下記式（２Ｅ－１）～式（２Ｅ－４）で表される化合物が挙げられる。さらに前記式（３ｄ）で表される化合物として、例えば下記式（３ｄ－１）及び式（３ｄ－２）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
　前記窒素原子と結合する式（１ｄ）で表される置換基を１分子中に２～６つ有する含窒素化合物に係る内容については、ＷＯ２０１７／１８７９６９号公報の全開示が本願に援用される。
　また、上記架橋剤は、国際公開２０１４／２０８５４２号公報に記載の、下記式（Ｇ－１）又は式（Ｇ－２）で表される架橋性化合物であってもよい。
（式中、Ｑ１は単結合又はｍ１価の有機基を示し、Ｒ１及びＲ４はそれぞれ炭素原子数２乃至１０のアルキル基、又は炭素原子数１乃至１０のアルコキシ基を有する炭素原子数２乃至１０のアルキル基を示し、Ｒ２及びＲ５はそれぞれ水素原子又はメチル基を示し、Ｒ３及びＲ６はそれぞれ炭素原子数１乃至１０のアルキル基、又は炭素原子数６乃至４０のアリール基を示す。
　ｎ１は１≦ｎ１≦３の整数、ｎ２は２≦ｎ２≦５の整数、ｎ３は０≦ｎ３≦３の整数、ｎ４は０≦ｎ４≦３の整数、３≦（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４）≦６の整数を示す。
　ｎ５は１≦ｎ５≦３の整数、ｎ６は１≦ｎ６≦４の整数、ｎ７は０≦ｎ７≦３の整数、ｎ８は０≦ｎ８≦３の整数、２≦（ｎ５＋ｎ６＋ｎ７＋ｎ８）≦５の整数を示す。
　ｍ１は２乃至１０の整数を示す。）
　上記式（Ｇ－１）又は式（Ｇ－２）で示される架橋性化合物は、下記式（Ｇ－３）又は式（Ｇ－４）で示される化合物と、ヒドロキシル基含有エーテル化合物又は炭素原子数２乃至１０のアルコールとの反応によって得られるものであってよい。
（式中、Ｑ２は単結合又はｍ２価の有機基を示す。Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ水素原子又はメチル基を示し、Ｒ７及びＲ１０はそれぞれ炭素原子数１乃至１０のアルキル基、又は炭素原子数６乃至４０のアリール基を示す。
　ｎ９は１≦ｎ９≦３の整数、ｎ１０は２≦ｎ１０≦５の整数、ｎ１１は０≦ｎ１１≦３の整数、ｎ１２は０≦ｎ１２≦３の整数、３≦（ｎ９＋ｎ１０＋ｎ１１＋ｎ１２）≦６の整数を示す。
　ｎ１３は１≦ｎ１３≦３の整数、ｎ１４は１≦ｎ１４≦４の整数、ｎ１５は０≦ｎ１５≦３の整数、ｎ１６は０≦ｎ１６≦３の整数、２≦（ｎ１３＋ｎ１４＋ｎ１５＋ｎ１６）≦５の整数を示す。
　ｍ２は２乃至１０の整数を示す。）
　上記式（Ｇ－１）及び式（Ｇ－２）で示される化合物は例えば以下に例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
　式（Ｇ－３）及び式（Ｇ－４）で示される化合物は例えば以下に例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
 　式中、Ｍｅはメチル基を表す。
　国際公開２０１４／２０８５４２号公報の全開示は本願に援用される。
　架橋剤が使用される場合、ギャップフィル材形成用組成物における当該架橋剤の含有割合は、特に制限されないが、特定の化合物及び重合体に対し、例えば１質量％～５０質量％であり、好ましくは、５質量％～４０質量％である。
＜硬化触媒＞
　ギャップフィル材形成用組成物に任意成分として含まれる硬化触媒は、熱酸発生剤、光酸発生剤何れも使用することができるが、熱酸発生剤を使用することが好ましい。
　熱酸発生剤としては、例えば、ｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム－ｐ－トルエンスルホネート（ピリジニウム－ｐ－トルエンスルホン酸）、ピリジニウムフェノールスルホン酸、ピリジニウム－ｐ－ヒドロキシベンゼンスルホン酸（ｐ－フェノールスルホン酸ピリジニウム塩）、ピリジニウム－トリフルオロメタンスルホン酸、サリチル酸、カンファースルホン酸、５－スルホサリチル酸、４－クロロベンゼンスルホン酸、４－ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、１－ナフタレンスルホン酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸等のスルホン酸化合物及びカルボン酸化合物が挙げられる。
　光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、及びジスルホニルジアゾメタン化合物等が挙げられる。
　オニウム塩化合物としては、例えば、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロノルマルオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート及びビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート等のヨードニウム塩化合物、及びトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
　スルホンイミド化合物としては、例えばＮ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（ノナフルオロノルマルブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド及びＮ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ナフタルイミド等が挙げられる。
　ジスルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４－ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、及びメチルスルホニル－ｐ－トルエンスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。
　硬化触媒は一種のみを使用することができ、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
　硬化触媒が使用される場合、当該硬化触媒の含有割合は、架橋剤に対し、例えば０．１質量％～５０質量％であり、好ましくは、１質量％～３０質量％である。
＜溶剤＞
　ギャップフィル材形成用組成物は、溶剤を含有する。
　溶剤としては、一般的に半導体リソグラフィー工程用薬液に用いられる有機溶剤が好ましい。具体的には、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、４－メチル－２－ペンタノール、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、２－ヒドロキシイソ酪酸エチル、エトキシ酢酸エチル、酢酸２－ヒドロキシエチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、２－ヘプタノン、メトキシシクロペンタン、アニソール、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、及びＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドが挙げられる。これらの溶剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　これらの溶剤の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノンが好ましい。特にプロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。
＜その他の成分＞
　ギャップフィル材形成用組成物には、ピンホールやストリエーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、さらに界面活性剤を添加することができる。
　界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ製、商品名）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ－３０（ＤＩＣ（株）製、商品名）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製、商品名）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ－３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製、商品名）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。
　これらの界面活性剤の配合量は、特に制限されないが、ギャップフィル材形成用組成物の全固形分に対して通常２．０質量％以下、好ましくは１．０質量％以下である。
　これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また２種以上の組合せで添加することもできる。
　ギャップフィル材形成用組成物が含む膜構成成分、すなわち前記溶剤を除いた成分は、例えば、ギャップフィル材形成用組成物の０．０１質量％～３０質量％である。
　本発明のギャップフィル材形成用組成物は、例えば、特定の化合物及び重合体の少なくともいずれか、並びに溶剤等を公知の方法で混合する方法により製造される。ギャップフィル材形成用組成物として使用されるために、均一な溶液状態であることが必要である。製造後の組成物は、組成物中に存在する金属不純物、異物等を除去するため、フィルター等によりろ過して製造することが好ましい。
　ギャップフィル材形成用組成物が均一な溶液状態であるかどうかを評価する尺度の一つは、特定のマイクロフィルターの通過性を観察することであるが、本発明に係るギャップフィル材形成用組成物は、孔径０．１μｍ、０．０５μｍ、０．０３μｍ、０．０２μｍ、０．０１μｍのマイクロフィルターを通過し、均一な溶液状態を呈することが好ましい。
　上記マイクロフィルターの材質としては、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）などのフッ素系樹脂、ＰＥ（ポリエチレン）、ＵＰＥ（超高分子量ポリエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ナイロンが挙げられるが、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製であることが好ましい。
　本発明のギャップフィル材形成用組成物は、再配線層を作製する際の絶縁層の貫通孔の一時的な埋め込みに好適に用いられる。
　再配線層とは、半導体チップと外部取り出し電極との電気的接続、又は２つの外部取り出し電極同士の電気的接続を行うための層である。本発明に用いられる再配線層は、例えば、ビアと配線とを有する。
　貫通孔の一時的な埋め込みが行われる際の絶縁層は、貫通孔を有し、かつ配線形成用の溝を有しないことが好ましい。
　絶縁層の材質としては、特に制限されないが、例えば、無機絶縁材料、有機絶縁材料などが挙げられる。
　無機絶縁材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、これらの混合物などが挙げられる。
　有機絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、液晶ポリマー、ポリベンゾオキサゾール、ポリエステルなどが挙げられる。
　絶縁層の厚みとしては、特に制限されないが、０．１μｍ～３０μｍが好ましく、０．５μｍ～２５μｍがより好ましく、１μｍ～２０μｍが特に好ましい。
　貫通孔の開口の面積としては、特に制限されないが、円相当直径として、０．１μｍ～３０μｍが好ましく、０．２μｍ～２５μｍがより好ましく、０．３μｍ～２０μｍが特に好ましい。円相当直径とは、対象とする開口の面積と同じ面積を有する円の直径である。
　貫通孔のアスペクト比（絶縁層の厚み／貫通孔の開口の円相当直径）としては、特に制限されないが、０．１～２０が好ましく、０．２～１５がより好ましく、０．３～１０が特に好ましい。
　絶縁層の厚み及び貫通孔の開口の面積は、例えば、走査型電子顕微鏡観察により求めることができる。
（ギャップフィル材硬化物）
　本発明のギャップフィル材硬化物は、本発明のギャップフィル材形成用組成物を基板に塗布し、次いで焼成して形成される。
　ギャップフィル材形成用組成物が塗布される基板としては、特に制限されないが、貫通孔が形成された絶縁層を有する基板が挙げられる。
　基板は、貫通孔が形成された絶縁層自体であってもよいし、絶縁層の下に更なる層又は基材を有する基板であってもよい。層としては、例えば、再配線層が挙げられる。
　基材の材質としては、例えば、金属、樹脂などが挙げられる。金属としては、例えば、銅などが挙げられる。樹脂としては、例えば、ポリイミドなどが挙げられる。
　ギャップフィル材形成用組成物を基板に塗布する方法としては、特に制限されないが、例えば、スピナー、コーター等の適当な塗布方法が挙げられる。その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベーク（焼成）することによりギャップフィル材硬化物を形成する。ベーク条件としては、ベーク温度１００℃～４００℃、ベーク時間０．３分～６０分間の中から適宜、選択される。好ましくは、ベーク温度１２０℃～３５０℃、ベーク時間０．５分～３０分間、より好ましくは、ベーク温度１５０℃～３００℃、ベーク時間０．８分～１０分間である。
　ギャップフィル材硬化物は、例えば、薬液で除去可能である。薬液としては、例えば、有機溶剤が挙げられる。薬液は有機溶剤に加えては酸性化合物または塩基性化合物を含んでいてもよい。
　有機溶剤としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
　酸性化合物としては、無機酸もしくは有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等が挙げられる。有機酸としては、例えば、ｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、サリチル酸、５－スルホサリチル酸、４－フェノールスルホン酸、カンファースルホン酸、４－クロロベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、１－ナフタレンスルホン酸、酢酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等が挙げられる。
　塩基性化合物としては、例えば、無機塩基もしくは有機塩基が挙げられる。無機塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウム、エタノールアミン、プロピルアミン、ジエチルアミノエタノール、エチレンジアミンなどのアミンが挙げられる。
　薬液に用いられる有機溶媒は一種のみを使用することができ、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
　また、薬液に用いられる酸性化合物または塩基性化合物は一種のみを使用することができ、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
　酸性化合物または塩基性化合物の配合量は薬液に対して、例えば、０．０１質量％～２０質量％であり、好ましくは０．１質量％～５質量％であり、特に好ましくは、０．２質量％～１質量％である。
　また、薬液として好ましくは、塩基性化合物を含む有機溶媒（塩基性有機溶剤）であり、特に好ましくはジメチルスルホキシドと水酸化テトラメチルアンモニウムを含む混合液である。
　塩基性有機溶剤の市販品としては、例えば、ＳＴ－１２０（東京応化工業（株））などが挙げられる。
（再配線層の製造方法、及び配線回路基板の製造方法）
　本発明の再配線層の製造方法は、貫通孔を埋める工程を含む。
　本発明の配線回路基板の製造方法は、再配線層を製造する工程を含む。この再配線層を製造する工程は、本発明の再配線層の製造方法である。
　貫通孔を埋める工程は、本発明のギャップフィル材形成用組成物から形成されるギャップフィル材硬化物で絶縁層の貫通孔を埋める工程である。
　図を用いて、再配線層の製造方法及び配線回路基板の製造方法の一実施形態について説明する。
　図２Ａ～図２Ｋは、デュアルダマシンプロセスを用いた再配線層の形成を説明するための概略図である。
　まず、支持体１と、その上に絶縁層２とを有する積層体を用意する（図２Ａ）。絶縁層２には貫通孔が形成されている。ここで使用される絶縁層２は、例えば、非感光性の絶縁層である。絶縁層の材質としては、例えば、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、液晶ポリマー、酸化シリコンなどが挙げられる。
　貫通孔は、例えば、フォトリソグラフィーによって形成される。例えば、絶縁層上にフォトレジストのパターンを形成し、当該パターンをマスクとして絶縁層をエッチングすることにより、貫通孔を形成することができる。
　絶縁層の厚みとしては、特に制限されないが、０．１μｍ～３０μｍが好ましく、０．５μｍ～２５μｍがより好ましく、１μｍ～２０μｍが特に好ましい。
　貫通孔の開口の面積としては、特に制限されないが、円相当直径として、０．１μｍ～３０μｍが好ましく、０．２μｍ～２５μｍがより好ましく、０．３μｍ～２０μｍが特に好ましい。
　貫通孔のアスペクト比（絶縁層の厚み／貫通孔の開口の円相当直径）としては、特に制限されないが、０．１～２０が好ましく、０．２～２５がより好ましく、０．３～１０が特に好ましい。
　支持体１としては、絶縁層２を支持できるものであれば、特に制限されないが、例えば、基材、再配線層などが挙げられる。
　基材の材質としては、例えば、金属、樹脂などが挙げられる。金属としては、例えば、銅などが挙げられる。樹脂としては、例えば、ポリイミドなどが挙げられる。
　次に、絶縁層２上に本発明のギャップフィル材形成用組成物を塗布し、焼成して、ギャップフィル材硬化物３を形成する（図２Ｂ）。ギャップフィル材形成用組成物は、貫通孔に入り込むため、形成されるギャップフィル材硬化物３は、貫通孔を埋める。
　塗布の方法としては、特に制限されず、例えば、本発明のギャップフィル材硬化物の説明において挙げた塗布方法が挙げられる。
　焼成の条件としては、特に制限されず、例えば、本発明のギャップフィル材硬化物の説明において挙げた焼成の条件が挙げられる。
　次に、絶縁層２上のギャップフィル材硬化物３のうち不要な部分を除去する（図２Ｃ）。具体的には、絶縁層２上のギャップフィル材硬化物３のうち、貫通孔を埋めるギャップフィル材硬化物３以外のギャップフィル材硬化物３を除去する。不要なギャップフィル材硬化物３の除去は、例えば、塩基性有機溶剤を用いたウェットエッチングやドライエッチングによって行われる。
　次に、貫通孔がギャップフィル材硬化物３によって埋められた絶縁層２の上に、絶縁層２を所望の形状に加工するためのフォトレジスト層４を形成する（図２Ｄ）。フォトレジスト層４に用いられるフォトレジストとしては、絶縁層３を所望の形状に加工した後に除去できるフォトレジストであれば、特に制限されないが、例えば、微細加工に用いられる、ｉ線用フォトレジスト、ＫｒＦエキシマレーザー用フォトレジスト、ＡｒＦエキシマレーザー用フォトレジストなどが挙げられる。フォトレジストは、ポジ型フォトレジストであってもよいし、ネガ型フォトレジストであってもよい。フォトレジスト層４の厚みとしては、特に制限されないが、例えば、０．５μｍ～３μｍなどが挙げられる。
　次に、露光及び現像を用いたフォトリソグラフィーによってフォトレジスト層４を所定のパターン形状に加工する（図２Ｅ）。この際、貫通孔を埋めるギャップフィル材硬化物３が反射防止機能を有することで、ギャップフィル材硬化物３と接するフォトレジスト層４のパターニング不良を防ぐことができる。
　次に、パターン状のフォトレジスト層４をマスクとして、エッチングによって、絶縁層２に、配線を形成するための溝（配線形成用溝５ｂ）を形成する。その際、貫通孔を埋めるギャップフィル材硬化物３も除去し、ビアを形成するための貫通孔（ビア形成用貫通孔５ａ）を形成する（図２Ｆ）。配線形成用溝５ｂを形成するためのエッチングとしては、例えば、ドライエッチングが挙げられる。また、貫通孔を埋めるギャップフィル材硬化物３の除去方法としては、例えば、塩基性有機溶剤を用いたウェットエッチングが挙げられる。なお、配線形成用溝５ｂを形成するためのエッチングによって、貫通孔を埋めるギャップフィル材硬化物３の一部又は全部が貫通孔から除去されてもよい。
　配線形成用溝の幅としては、特に制限されないが、例えば、０．０５μｍ～３０μｍが好ましく、０．１μｍ～２０μｍがより好ましく、０．２μｍ～１０μｍが特に好ましい。配線形成用溝の幅とは、言い換えれば、絶縁層の厚み方向と直交する方向における配線形成用溝の短手方向の長さである。
　配線形成用溝の深さとしては、特に制限されないが、例えば、０．０５μｍ～５μｍが好ましく、０．１μｍ～４μｍがより好ましく、０．２μｍ～３μｍが特に好ましい。配線形成用溝の深さとは、言い換えれば、絶縁層の厚み方向における配線形成用溝の長さである。
　配線形成用溝の深さとしては、特に制限されないが、例えば、絶縁層の厚みの１／５０以上であってもよいし、１／３０以上であってもよいし、１／２０以上であってもよい。また、配線形成用溝の深さは、絶縁層の厚みの１／１未満であってもよいし、１／２以下であってもよいし、１／１０以下であってもよい。
　配線形成用溝の幅は、後述する配線における配線の幅と対応する。
　配線形成用溝の深さは、後述する配線における配線の高さと対応する。
　次に、ビア形成用貫通孔５ａ及び配線形成用溝５ｂが形成された絶縁層２の表面にバリア層とシード層とを兼ねたバリア・シード層６を形成する（図２Ｇ）。バリア・シード層６は、例えば、下層をＴｉ層とし、上層をＣｕ層とする２層構造である。バリア・シード層６は、ビア形成用貫通孔５ａ及び配線形成用溝５ｂ内の絶縁層２の表面にも形成される。
　次に、バリア・シード層６の上にメッキ層７を形成する（図２Ｈ）。メッキ層７は、例えば、Ｃｕ層である。メッキ層７の形成は、メッキ層７が、ビア形成用貫通孔５ａ及び配線形成用溝５ｂを埋めるように行われる。メッキ層７の形成は、例えば、電解メッキにより行われる。なお、メッキ層７の形成は無電解メッキにより行われてもよい。その場合、シード層の形成は不要であるため、バリア・シード層６に代えて、バリア層が形成される。
　次に、絶縁層２の上面のメッキ層７及びバリア・シード層６を除去する（図２Ｉ）。絶縁層２の上面のメッキ層７及びバリア・シード層６の除去は、例えば、ＣＭＰ（化学機械研磨）により行われる。そうすることにより、ビア形成用貫通孔５ａ及び配線形成用溝５ｂを埋めるメッキ材が電気的に独立し、ビア７ａ及び配線７ｂが形成される（図２Ｉ）。
　以上によって、図２Ｉに示すように、絶縁層２と、絶縁層２の内部に形成されたビア７ａと、絶縁層２の内部に形成された配線７ｂとを有する再配線層が得られる。
　この再配線層においては、バリア層がビア７ａ及び配線７ｂの底面のみならず側面にも形成されているため、バリア層がビア及び配線の底面のみに形成されている場合と比べて、ビア及び配線を構成する金属が絶縁層にマイグレーションするのをより防止することができる。
　また、この再配線層においては、配線７ｂが絶縁層２の内部に形成されており、絶縁層２の表面から飛び出していない。言い換えれば、この再配線層においては、絶縁層の表面に、ビア及び配線ビアが露出しており、当該表面において、ビアの露出面、配線の露出面、及び絶縁層の表面が平坦面を形成している。そのため、この再配線層は、厚みが均一である。厚みが均一な再配線層は、それを積層して積層体を得る際に、平坦性の優れる積層体を得ることができる。
　更に、ビア７ａ及び配線７ｂが形成された絶縁層２上に、絶縁層８を形成する（図２Ｊ）。絶縁層８は、例えば、非感光性の絶縁層である。次に、絶縁層８に貫通孔を形成する（図２Ｋ）。次に、図２Ｂ～図２Ｉに示した工程と同様の工程を行う。そうすることで、再配線層を多層構造にすることができる。
　以下、合成例及び実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例のみに限定されるものではない。
　下記合成例で得られたポリマーの重量平均分子量の測定に用いた装置等を示す。
　・装置：東ソー株式会社製ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ
　・ＧＰＣカラム：Ｓｈｏｄｅｘ〔登録商標〕・Ａｓａｈｉｐａｋ〔登録商標〕（昭和電工（株））
　・カラム温度：４０℃
　・流量：０．３５ｍＬ／分
　・溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
　・標準試料：ポリスチレン（東ソー株式会社）
＜合成例１＞
　トリアジン型エポキシ化合物（製品名：ＴＥＰＩＣ、日産化学株式会社製、エポキシ官能価：１０．０３ｅｑ．／ｋｇ）９．００ｇ、４－ヒドロキシベンズアルデヒド５．５１ｇ、テレフタルアルデヒド酸６．７８ｇ、テトラブチルホスホニウムブロマイド１．５３ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル３４．２３ｇを反応フラスコに加え、窒素雰囲気下、２３時間加熱還流した。続いて、マロノニトリル５．９６ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル３２．９３ｇに溶解させた溶液を系内に加え、さらに４時間加熱還流した。得られた反応生成物は式（Ａ－１）に相当し、ＧＰＣによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Ｍｗは９００であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
 （Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３は、それぞれ結合手を表し、Ｌ１と、Ｌ２又はＬ３とは、一緒になって単結合を表す。）
＜合成例２＞
　トリアジン型エポキシ化合物（製品名：ＴＥＰＩＣ、日産化学株式会社製、エポキシ官能価：１０．０３ｅｑ．／ｋｇ）５．００ｇ、４－ヒドロキシベンズアルデヒド４．２６ｇ、チオグリセロール２．７１ｇ、テトラブチルホスホニウムブロマイド０．５１ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル４９．９２ｇを反応フラスコに加え、窒素雰囲気下、６時間加熱還流した。続いて、マロノニトリル１．５６ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル４．０ｇに溶解させた溶液を系内に加え、さらに４時間加熱還流した。得られた反応生成物は式（Ａ－２）に相当し、ＧＰＣによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Ｍｗは１３００であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
 （Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３は、それぞれ結合手を表し、Ｌ１と、Ｌ２又はＬ３とは、一緒になって単結合を表す。）
＜合成例３＞
　テレフタル酸ジグリシジルエステル（製品名：ＥＸ－７１１、ナガセケムテックス株式会社製）１０．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸６．８６ｇ、テトラブチルホスホニウムブロマイド０．５９ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル６９．８０ｇを反応フラスコに加え、窒素雰囲気下、内温１０５℃で２４時間加熱撹拌した。得られた反応生成物は式（Ａ－３）に相当し、ＧＰＣによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Ｍｗは１９３０であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
＜合成例４＞
　モノアリルジグリシジルイソシアヌレート（製品名：ＭＡ－ＤＧＩＣ、四国化成工業株式会社製）１０．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸７．１２ｇ、テトラブチルホスホニウムブロマイド０．６１ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル７０．８９ｇを反応フラスコに加え、窒素雰囲気下、内温１０５℃で２４時間加熱撹拌した。得られた反応生成物は式（Ａ－４）に相当し、ＧＰＣによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Ｍｗは２６７１であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
＜比較合成例１＞
　フェノールノボラック型エポキシ樹脂（製品名：ＤＥＮ、ダウ・ケミカル社製、エポキシ官能価：５．５５ｅｑ．／ｋｇ）１５．００ｇ、４－ヒドロキシベンズアルデヒド１０．１７ｇ、テトラブチルホスホニウムブロマイド１．４１ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル３９．８７ｇを反応フラスコに加え、窒素雰囲気下、２４時間加熱還流した。続いて、マロノニトリル５．５０ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル３４．９９ｇに溶解させた溶液を系内に加え、さらに４時間加熱還流した。得られた反応生成物は式（Ａ－５）に相当し、ＧＰＣによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Ｍｗは２１００であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
＜実施例１＞
　前記式（Ａ－１）に相当する反応生成物の溶液（固形分は１６．９質量％）３．６５ｇに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル０．１２ｇ、架橋触媒としてピリジニウム－ｐ－トルエンスルホナート０．００６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１．１６ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１．０５ｇを加え、ギャップフィル材形成用組成物を調製した。
＜実施例２＞
　前記式（Ａ－２）に相当する反応生成物の溶液（固形分は１６．５質量％）３．７５ｇに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル０．１２ｇ、架橋触媒としてピリジニウム－ｐ－トルエンスルホナート０．００６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１．１６ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１．０５ｇを加え、ギャップフィル材形成用組成物を調製した。
＜実施例３＞
　前記式（Ａ－３）に相当する反応生成物の溶液（固形分は１９．２質量％）３．２２ｇに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル０．１２ｇ、架橋触媒としてピリジニウム－ｐ－トルエンスルホナート０．００６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１．６０ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１．０５ｇを加え、ギャップフィル材形成用組成物を調製した。
＜実施例４＞
　前記式（Ａ－４）に相当する反応生成物の溶液（固形分は１９．１質量％）３．２４ｇに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル０．１２ｇ、架橋触媒としてピリジニウム－ｐ－トルエンスルホナート０．００６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１．５８ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１．０５ｇを加え、ギャップフィル材形成用組成物を調製した。
＜比較例１＞
　前記式（Ａ－５）に相当する反応生成物の溶液（固形分は２８．８質量％）２．６２ｇに、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン０．４７ｇ、架橋触媒としてｐ－トルエンスルホン酸０．０２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル６．０１ｇ、及び乳酸エチル０．８８ｇを加え、ギャップフィル材形成用組成物を調製した。
〔光学定数の評価〕
　実施例１～４および比較例１で調製されたギャップフィル材形成用組成物を、得られる膜の膜厚が５０ｎｍ程度となるように、スピンコーターにてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で２００℃、９０秒間ベーク（焼成）した。得られた膜を分光エリプソメーター（ＶＵＶ－ＶＡＳＥ、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌａｍ製）を用い、３６５ｎｍ（ｉ線波長）におけるｎ値（屈折率）及びｋ値（減衰係数）を測定した。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000066
　実施例１～４および比較例１では３６５ｎｍに適度なｎ値及びｋ値を有している。ｉ線等の放射線を用いたリソグラフィー工程において、好ましくないレジストパターンの要因となる下地基板からの反射（定在波）を抑制できる反射防止機能を有する。
［レジスト溶剤に対しての耐性試験］
　レジスト溶剤（有機溶剤）に対する耐性評価として、実施例１～４および比較例１で調製されたギャップフィル材形成用組成物をシリコンウェハ上に塗布し、１５０℃、１８０秒間加熱し膜を成膜した。次にＯＫ７３シンナー（東京応化工業（株）製品）中に室温で１分間浸漬し、浸漬後における膜の除去性を観察した。その結果を表２に示す。尚、膜が除去された場合（膜が剥離された場合）は、レジスト溶剤（有機溶剤）に対する耐性を持たないものと判断し、膜が除去されない場合（膜が剥離されない場合）は耐性を持つものと判断した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000067
　上記の結果から、実施例１～４および比較例１のギャップフィル材形成用組成物においては、ＯＫ７３シンナーに対して除去（剥離）されなかったことより、これら有機溶剤（レジスト溶剤）に対して良好な薬液耐性を有していると言える。
［ウェットエッチング薬液への除去性試験］
　ウェットエッチング薬液（塩基性有機溶剤）への除去性評価として、実施例１～４及び比較例１で調製されたギャップフィル材形成用組成物を銅基板上に塗布し、１５０℃、１８０秒間加熱し１００ｎｍ膜厚の膜を成膜した。次に、膜が形成された銅基板を塩基性有機溶剤であるＳＴ－１２０（東京応化工業（株）製品）に７０℃で１０分間浸漬し、浸漬後における膜の除去性を目視にて観察した。その結果を表３に示す。尚、膜が除去された場合（膜が剥離された場合）は、塩基性有機溶剤に対して良好な除去性（剥離性）を持つものと判断し、膜が除去されない場合（膜が剝離されない場合）は良好な除去性（剥離性）を持たないものと判断した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000068
　上記の結果から、実施例１～４のギャップフィル材形成用組成物は、比較例１のギャップフィル材形成用組成物と比較して、銅基板上での膜はウェットエッチング薬液（塩基性有機溶剤）に対して十分な除去性が得られた。すなわち、実施例１のギャップフィル材形成用組成物から得られた膜はウェットエッチング薬液に対して、良好な除去性（剥離性）を示すことができるため、膜をウェットエッチング薬液で除去する半導体製造工程において有用である。
［段差基板への埋め込み性および平坦化性］
　段差基板への埋め込み性および平坦化性評価として、実施例１～４及び比較例１で調製されたギャップフィル材形成用組成物を深さ１．６μｍ、直径０．３６μｍのホールを有するホール基板に塗布し、２００℃、１８０秒間加熱し膜を成膜した。その後ホール基板への埋め込み性および平坦化性を断面ＳＥＭにて観察した。その結果を図３～図７に示す。
　断面ＳＥＭの観察結果から、実施例１～４のギャップフィル材形成用組成物はホール基板への埋め込み性及び平坦化性が良好でホール内部でのボイドも観察されなかった。しかし、比較例１ではホール基板と膜の界面に隙間が形成され、基板をカットしＳＥＭ観察する際に膜が剥がれてしまい、ホール内部の膜を観察することはできなかった。すなわち、実施例１～４のギャップフィル材形成用組成物から得られた膜はホール基板に対して、良好な埋め込み性を示すことができるため、段差基板を平坦化する半導体製造工程において有用である。
　１　　　　支持体
　２　　　　絶縁層
　３　　　　ギャップフィル材硬化物
　４　　　　フォトレジスト層
　５ａ　　　ビア形成用貫通孔
　５ｂ　　　配線形成用溝
　６　　　　バリア・シード層
　７　　　　メッキ層
　７ａ　　　ビア
　７ｂ　　　配線
　８　　　　絶縁層
　１０１　　基板
　１０２　　感光性樹脂層
　１０３　　バリア・シード層
　１０４　　メッキレジスト
　１０５　　メッキ層
　１０５ａ　ビア
　１０５ｂ　配線
　１０６　　感光性樹脂層

Claims (15)

  1. 　下記式（１）で表される構造及びカルボニル結合を有する化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶剤とを含有するギャップフィル材形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。
    　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。Ｒ３が２つ以上のとき、２つ以上のＲ３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
    　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１の整数を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。
    　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
    　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
    　＊は、結合手を表す。）
  2. 　前記化合物及び重合体が、前記カルボニル結合を有する構造として、下記式（２）で表される構造、及び下記式（３）で表される構造の少なくともいずれかを有する、請求項１に記載のギャップフィル材形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（２）中、Ｘ１１は、下記式（２－１）～下記式（２－４）のいずれかで表される基を表す。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、単結合又は下記式（２－５）で表される２価の基を表す（ただし、式（２－５）中の＊３は式（２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）。Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。＊は、結合手を表す。
    　式（３）中、Ｑ１は、芳香族炭化水素環を有する２価の有機基を表す。Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５及びＡ１６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。ｎ１１及びｎ１２は、０又は１の整数を表す。ただし、ｎ１１及びｎ１２の少なくともいずれかは１である。＊は、結合手を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（２－１）～（２－３）中、Ｒ１～Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数１～１０のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素数２～１０のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素数１～６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素数１～６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの１価の基で置換されていてもよい。Ｒ１とＲ２は、互いに結合して炭素数３～６の環を形成していてもよい。Ｒ３とＲ４は、互いに結合して炭素数３～６の環を形成していてもよい。
    　式（２－４）中、Ｚ３は、単結合又は下記式（２－５）で表される２価の基を表す（ただし、式（２－５）中の＊３は式（２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）。Ａ７、Ａ８及びＡ９は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。
    　＊は結合手を表す。＊１は式（２）中の炭素原子に結合する結合手を表す。＊２は式（２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （式（２－５）中、ｍ１は０～４の整数であり、ｍ２は０又は１であり、ｍ３は０又は１であり、ｍ４は０～２の整数である。ただし、ｍ３が１の場合、ｍ１及びｍ２は同時に０にならない。＊３は式（２）又は式（２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。＊４は式（２）又は式（２－４）中の炭素原子に結合する結合手を表す。）
  3. 　Ｑ１が、下記式（３－１）又は式（３－２）で表される、請求項２に記載のギャップフィル材形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     （式（３－１）～（３－２）中、Ｒ２１～Ｒ２３は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数２～６のアルケニル基、炭素数２～６のアルキニル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアルケニルオキシ基、炭素数２～６のアルキニルオキシ基、炭素数２～６のアシル基、炭素数６～１２のアリールオキシ基、炭素数７～１３のアリールカルボニル基、又は炭素数７～１３のアラルキル基を表す。＊は、結合手を表す。
    　式（３－１）中、ｎ３は０又は１を表す。ｎ３が０のとき、ｎ２１は０～４の整数を表す。ｎ３が１のとき、ｎ２１は０～６の整数を表す。Ｒ２１が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２１は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
    　式（３－２）中、Ｚ４は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素数１～６のアルキレン基を表す。ｎ２２及びｎ２３は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２２が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２２は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２３が２つ以上のとき、２つ以上のＲ２３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。）
  4. 　Ｒ１が、シアノ基又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す、請求項１に記載のギャップフィル材形成用組成物。
  5. 　Ｒ２が、シアノ基、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す、請求項１に記載のギャップフィル材形成用組成物。
  6. 　Ｘ１が、エーテル結合を表す、請求項１に記載のギャップフィル材形成用組成物。
  7. 　ｎ２が、０を表す、請求項１に記載のギャップフィル材形成用組成物。
  8. 　架橋剤を含有する、請求項１に記載のギャップフィル材形成用組成物。
  9. 　再配線層を作製する際の絶縁層の貫通孔の一時的な埋め込みに用いられる、請求項１に記載のギャップフィル材形成用組成物。
  10. 　請求項１から９のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物を基板に塗布し、次いで焼成して形成した、ギャップフィル材硬化物。
  11. 　薬液で除去可能な、請求項１０に記載の硬化物。
  12. 　請求項１から９のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物から形成されるギャップフィル材硬化物で絶縁層の貫通孔を埋める工程を含む、再配線層の製造方法。
  13. 　前記貫通孔を埋める工程後、さらに薬液で前記ギャップフィル材硬化物を除去する工程を含む、請求項１２に記載の再配線層の製造方法。
  14. 　再配線層を製造する工程を含む、配線回路基板の製造方法であって、
    　前記再配線層を製造する工程が、請求項１から９のいずれかに記載のギャップフィル材形成用組成物から形成されるギャップフィル材硬化物で絶縁層の貫通孔を埋める工程を含む、
    　配線回路基板の製造方法。
  15. 　前記貫通孔を埋める工程後、さらに薬液で前記ギャップフィル材硬化物を除去する工程を含む、請求項１４に記載の配線回路基板の製造方法。
PCT/JP2023/030868 2022-08-29 2023-08-28 ギャップフィル材形成用組成物 WO2024048487A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022135724 2022-08-29
JP2022-135724 2022-08-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024048487A1 true WO2024048487A1 (ja) 2024-03-07

Family

ID=90099910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/030868 WO2024048487A1 (ja) 2022-08-29 2023-08-28 ギャップフィル材形成用組成物

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2024048487A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009008446A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2011528186A (ja) * 2008-07-17 2011-11-10 エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション デュアルダマシンビア充填用組成物
WO2015098525A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 日産化学工業株式会社 トリアジン環及び硫黄原子を主鎖に有する共重合体を含むレジスト下層膜形成組成物
WO2020255984A1 (ja) * 2019-06-17 2020-12-24 日産化学株式会社 ジシアノスチリル基を有する複素環化合物を含むウェットエッチング可能なレジスト下層膜形成組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009008446A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2011528186A (ja) * 2008-07-17 2011-11-10 エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション デュアルダマシンビア充填用組成物
WO2015098525A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 日産化学工業株式会社 トリアジン環及び硫黄原子を主鎖に有する共重合体を含むレジスト下層膜形成組成物
WO2020255984A1 (ja) * 2019-06-17 2020-12-24 日産化学株式会社 ジシアノスチリル基を有する複素環化合物を含むウェットエッチング可能なレジスト下層膜形成組成物

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101804392B1 (ko) 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
KR100853004B1 (ko) 축합계 폴리머를 갖는 반도체용 반사 방지막
US8318410B2 (en) Sulfur atom-containing resist underlayer film forming composition and method for forming resist pattern
KR101451762B1 (ko) 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴의 형성방법
JP6493695B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
KR101682919B1 (ko) 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법
US20110117746A1 (en) Coating composition and pattern forming method
JP5368674B2 (ja) 現像液に可溶な材料および現像液に可溶な材料をビアファーストデュアルダマシン適用において用いる方法
JPWO2006126406A1 (ja) ポリシラン化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物
WO2006040918A1 (ja) 含窒素芳香環構造を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物
JP2018100249A (ja) 新規化合物、半導体材料、およびこれを用いた膜および半導体の製造方法
KR20160040521A (ko) 질소함유 환화합물을 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성조성물
WO2006040922A1 (ja) 芳香族スルホン酸エステル化合物及び光酸発生剤を含む下層反射防止膜形成組成物
JP7327479B2 (ja) ジシアノスチリル基を有する複素環化合物を含むウェットエッチング可能なレジスト下層膜形成組成物
JP6458952B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2010181453A (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2024025820A (ja) レジスト下層膜形成組成物
WO2024048487A1 (ja) ギャップフィル材形成用組成物
CN107430343B (zh) 阳离子聚合性抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN111108441A (zh) 抗蚀剂下层膜形成用组合物
KR102391745B1 (ko) 레지스트 하층막 형성 조성물
TW202410341A (zh) 填縫材料形成用組成物
JP7322949B2 (ja) ジシアノスチリル基を含むウェットエッチング可能なレジスト下層膜形成組成物
CN115427890A (zh) 一种包含碳材料、金属有机化合物和溶剂的旋涂组合物以及一种在基材上方制造金属氧化物膜的方法
WO2023149327A1 (ja) 保護膜形成用組成物