WO2024048187A1 - 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置、および、半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2024048187A1
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semiconductor device
main surface
surface electrode
positioning
positioning member
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克彦 吉原
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ローム株式会社
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N

Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses an example of such a semiconductor device.
  • the conductive member When a conductive member is conductively bonded to the main surface electrode of a semiconductor element via a conductive bonding layer, for example, the conductive member may move closer to, move away from, or tilt from the main surface electrode. There is a concern that this may cause the thickness of the conductive bonding layer to become non-uniform.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over conventional ones, and a method for manufacturing such a semiconductor device.
  • a semiconductor device provided by a first aspect of the present disclosure includes a semiconductor element having a first main surface electrode, a conductive member, and a conductive bonding layer that electrically connects the first main surface electrode and the conductive member. Equipped with. Further, the semiconductor device includes a first positioning member disposed between the first main surface electrode and the conductive member and in contact with the first main surface electrode and the conductive member.
  • the thickness of the conductive bonding layer can be made more uniform in the semiconductor device.
  • FIG. 1 is a partial perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a partial plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a bottom view of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a left side view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a partially enlarged plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a partially enlarged sectional view taken along line XI-XI in FIG. 10.
  • FIG. 12 is a partially enlarged sectional view taken along line XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a partially enlarged sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 10.
  • FIG. 14 is a partially enlarged plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 15 is a partially enlarged sectional view taken along line XV-XV in FIG. 14.
  • FIG. 16 is a partially enlarged sectional view taken along line XVI-XVI in FIG. 14.
  • FIG. 17 is a partially enlarged sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. 14.
  • FIG. 18 is a partially enlarged cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 19 is a partially enlarged cross-sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 20 is a partially enlarged cross-sectional view showing the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 21 is a partially enlarged cross-sectional view showing the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 22 is a partially enlarged cross-sectional view showing the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a partially enlarged plan view showing a first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 24 is a partially enlarged plan view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 25 is a partially enlarged sectional view showing a third modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 26 is a partially enlarged sectional view showing a fourth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 27 is a partially enlarged cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 28 is a partially enlarged plan view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • a thing A is formed on a thing B and "a thing A is formed on a thing B” mean “a thing A is formed on a thing B” unless otherwise specified.
  • "something A is placed on something B” and “something A is placed on something B” mean "something A is placed on something B” unless otherwise specified.
  • a certain surface A faces (one side or the other side of) the direction B is not limited to the case where the angle of the surface A with respect to the direction B is 90 degrees; Including cases where it is tilted to the opposite direction.
  • the semiconductor device A10 includes two insulating members 11, two conductive members 12, two heat dissipating members 13, a plurality of fourth conductive members 14, a plurality of first semiconductor elements 21, a plurality of second semiconductor elements 22, and a sealing resin. 50, a plurality of first positioning members 71, 73, a plurality of second positioning members 72, 74, a plurality of conductive bonding layers 291, and a plurality of conductive bonding layers 292.
  • the semiconductor device A10 includes a first wiring 15, a second wiring 16, a first gate terminal 171, a second gate terminal 172, a first detection terminal 181, a second detection terminal 182, a plurality of first wires 41, a plurality of first wires 41, and a plurality of first wires 41.
  • illustration of the sealing resin 50 is omitted for convenience of understanding.
  • the sealing resin 50 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • FIG. 3 shows the second conductive member 32 with imaginary lines.
  • the thickness direction of the first semiconductor element 21 and the second semiconductor element 22 will be referred to as "thickness direction z.”
  • One direction perpendicular to the thickness direction z is referred to as a “first direction x.”
  • a direction perpendicular to both the thickness direction z and the first direction x is referred to as a “second direction y.”
  • the semiconductor device A10 converts the DC power supply voltage applied to the first conductive member 31 and the second conductive member 32 into AC power using the plurality of first semiconductor elements 21 and the plurality of second semiconductor elements 22.
  • the converted AC power is input from the third conductive member 33 to a power supply target such as a motor.
  • the semiconductor device A10 constitutes a part of a power conversion circuit such as an inverter.
  • the two insulating members 11 are located apart from each other in the first direction x, as shown in FIGS. 2 and 3.
  • the two insulating members 11 are made of a resin material containing epoxy resin.
  • the two insulating members 11 may be made of a ceramic material containing aluminum nitride (AlN).
  • the two conductive members 12 are located on one side of the two insulating members 11 in the thickness direction z, as shown in FIGS. 6 and 7.
  • the two conductive members 12 are individually joined to the two insulating members 11.
  • first member 12A the conductive member 12 on which the plurality of first semiconductor elements 21 are mounted
  • second member 12B the conductive member 12 on which the plurality of second semiconductor elements 22 are mounted
  • Each of the two conductive members 12 has a main surface 121, a back surface 122, and a first end surface 123.
  • the main surface 121 and the back surface 122 face opposite to each other in the thickness direction z.
  • the main surface 121 includes a first main surface 121A belonging to the first member 12A and a second main surface 121B belonging to the second member 12B.
  • the first main surface 121A faces the plurality of first semiconductor elements 21.
  • the second main surface 121B faces the plurality of second semiconductor elements 22.
  • the back surface 122 is joined to either of the two insulating members 11.
  • each of the two conductive members 12 includes a first layer 120A, a second layer 120B, and a bonding layer 120C.
  • the first layer 120A has a back surface 122.
  • the second layer 120B has a main surface 121.
  • the compositions of the first layer 120A and the second layer 120B include copper (Cu).
  • the dimension in the thickness direction z of the second layer 120B is larger than the dimension in the thickness direction of the first layer 120A.
  • the bonding layer 120C has a first end surface 123.
  • the bonding layer 120C conductively bonds the first layer 120A and the second layer 120B.
  • the bonding layer 120C contains a metal element.
  • the metal element is, for example, tin (Sn).
  • the two heat dissipating members 13 are located on the opposite side of the two electrically conductive members 12 in the thickness direction with respect to the two insulating members 11.
  • the two heat dissipating members 13 are individually joined to the two insulating members 11.
  • the composition of the two heat radiating members 13 includes copper.
  • Each of the two heat radiating members 13 has an end surface 131 facing in a direction perpendicular to the thickness direction z.
  • the end surface 131 is surrounded by the periphery of the insulating member 11 when viewed in the thickness direction z.
  • a portion of each of the two heat radiating members 13 is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • a heat sink (not shown) is joined to the two heat radiating members 13.
  • the specific configurations of the two insulating members 11, the first layer 120A of the two conductive members 12, and the two heat dissipating members 13 are not limited at all, and are configured by, for example, a DBC (Direct Bonded Copper) substrate.
  • DBC Direct Bonded Copper
  • the plurality of first semiconductor elements 21 are bonded to the first main surface 121A of the first member 12A. In this embodiment, all of the plurality of first semiconductor elements 21 are the same element.
  • the plurality of first semiconductor elements 21 are, for example, MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors).
  • the plurality of first semiconductor elements 21 may be field-effect transistors including MISFETs (Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors), or bipolar transistors such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors).
  • the plurality of first semiconductor elements 21 are n-channel type MOSFETs with a vertical structure.
  • the plurality of first semiconductor elements 21 include a compound semiconductor substrate.
  • the composition of the compound semiconductor substrate includes silicon carbide (SiC).
  • the plurality of first semiconductor elements 21 are arranged along the second direction y.
  • the first semiconductor element 21 has a first back electrode 211, a first main surface electrode 212, and a second main surface electrode 213.
  • the first back electrode 211 faces the first main surface 121A of the first member 12A. A current corresponding to the power before being converted by the first semiconductor element 21 flows through the first back electrode 211 .
  • the first back electrode 211 is, for example, a drain electrode.
  • the first back electrode 211 is conductively bonded to the first main surface 121A via the conductive bonding layer 291. Therefore, the first back electrodes 211 of the plurality of first semiconductor elements 21 are electrically connected to the first member 12A.
  • the conductive bonding layer 291 is, for example, solder. In addition, the conductive bonding layer 291 may be a sintered metal containing silver or the like.
  • the first main surface electrode 212 is located on the opposite side from the first back electrode 211 in the thickness direction z. A current corresponding to the power converted by the first semiconductor element 21 flows through the first main surface electrode 212 .
  • the first main surface electrode 212 corresponds to the source electrode of the first semiconductor element 21, for example.
  • the second main surface electrode 213 is located on the same side as the first main surface electrode 212 in the thickness direction z.
  • a control voltage for driving the first semiconductor element 21 is applied to the second main surface electrode 213 .
  • the second main surface electrode 213 is, for example, a gate electrode. As shown in FIG. 3, the area of the second main surface electrode 213 is smaller than the area of the first main surface electrode 212 when viewed in the thickness direction z.
  • the plurality of second semiconductor elements 22 are bonded to the second main surface 121B of the second member 12B, as shown in FIGS. 6, 7, and 9.
  • the plurality of second semiconductor elements 22 are the same elements as the plurality of first semiconductor elements 21. Therefore, the plurality of second semiconductor elements 22 are n-channel type MOSFETs with a vertical structure.
  • the plurality of second semiconductor elements 22 are arranged along the second direction y.
  • the second semiconductor element 22 has a second back electrode 221, a third main surface electrode 222, and a fourth main surface electrode 223.
  • the second back electrode 221 faces the second main surface 121B of the second member 12B. A current corresponding to the power before being converted by the second semiconductor element 22 flows through the second back electrode 221 .
  • the second back electrode 221 is, for example, a drain electrode.
  • the second back electrode 221 is conductively bonded to the second main surface 121B via a conductive bonding layer 291. Therefore, the second back electrodes 221 of the plurality of second semiconductor elements 22 are electrically connected to the second member 12B.
  • the third main surface electrode 222 is located on the opposite side from the second back electrode 221 in the thickness direction z. A current corresponding to the power converted by the second semiconductor element 22 flows through the third main surface electrode 222 .
  • the third main surface electrode 222 is, for example, a source electrode of the second semiconductor element 22.
  • the fourth main surface electrode 223 is located on the same side as the third main surface electrode 222 in the thickness direction z.
  • a control voltage for driving the second semiconductor element 22 is applied to the fourth main surface electrode 223 .
  • the fourth main surface electrode 223 is, for example, a gate electrode. As shown in FIG. 4, the area of the fourth main surface electrode 223 is smaller than the area of the third main surface electrode 222 when viewed in the thickness direction z.
  • the first wiring 15 is located next to the plurality of first semiconductor elements 21 in the first direction x.
  • the first wiring 15 is joined to the first main surface 121A of the first member 12A.
  • the first wiring 15, like the pair of support members 10, is made of a DBC substrate.
  • the first wiring 15 includes a first insulating layer 151, a first gate wiring 152, a first detection wiring 153, and a first support layer 154.
  • the first insulating layer 151 extends in the second direction y. As shown in FIGS. 6 and 7, the first insulating layer 151 is located on the first main surface 121A of the first member 12A.
  • the first insulating layer 151 is made of ceramics containing aluminum nitride, for example.
  • the first gate wiring 152 is arranged on the first insulating layer 151.
  • the first gate wiring 152 is located on the opposite side of the first member 12A with respect to the first insulating layer 151 in the thickness direction z.
  • the first gate wiring 152 extends in the second direction y.
  • the first gate wiring 152 is electrically connected to the second main surface electrodes 213 of the plurality of first semiconductor elements 21 .
  • the composition of the first gate wiring 152 includes copper.
  • the first detection wiring 153 is arranged on the first insulating layer 151.
  • the first detection wiring 153 is located on the opposite side of the plurality of first semiconductor elements 21 with respect to the first gate wiring 152 in the first direction x. Further, the first detection wiring 153 is located on the same side as the first gate wiring 152 with respect to the first insulating layer 151 in the thickness direction z.
  • the first detection wiring 153 extends in the second direction y.
  • the first detection wiring 153 is electrically connected to the first main surface electrodes 212 of the plurality of first semiconductor elements 21 .
  • the composition of the first detection wiring 153 includes copper.
  • the first support layer 154 has a first support layer 154 located on the opposite side of the first gate wiring 152 and the first detection wiring 153 with respect to the first insulating layer 151 in the thickness direction z.
  • the first support layer 154 is bonded to the first main surface 121A of the first member 12A via, for example, a brazing material.
  • the composition of the first support layer 154 includes copper.
  • each of the plurality of first wires 41 is electrically connected to the second main surface electrode 213 of one of the plurality of first semiconductor elements 21 and the first gate wiring 152 of the first wiring 15. has been done. Thereby, the second main surface electrodes 213 of the plurality of first semiconductor elements 21 are electrically connected to the first gate wiring 152.
  • the composition of the plurality of first wires 41 includes aluminum (Al). In addition, the composition of the plurality of first wires 41 may include copper (Cu) or gold (Au).
  • each of the plurality of second wires 42 is electrically connected to the first main surface electrode 212 of any one of the plurality of first semiconductor elements 21 and the first detection wiring 153 of the first wiring 15. has been done. Thereby, the first main surface electrodes 212 of the plurality of first semiconductor elements 21 are electrically connected to the first detection wiring 153.
  • the composition of the plurality of second wires 42 includes aluminum (Al). In addition, the composition of the plurality of second wires 42 may include copper (Cu) or gold (Au).
  • the first gate terminal 171 is located next to the first member 12A in the second direction y, as shown in FIGS. 2 and 3.
  • the first gate terminal 171 is electrically connected to the first gate wiring 152 of the first wiring 15 .
  • the first gate terminal 171 is a metal lead made of a material containing copper or a copper alloy.
  • a portion of the first gate terminal 171 is covered with a sealing resin 50.
  • the first gate terminal 171 has an L-shape when viewed in the first direction x.
  • the first gate terminal 171 includes a portion that stands up in the thickness direction z. The portion is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • a gate voltage for driving the plurality of first semiconductor elements 21 is applied to the first gate terminal 171 .
  • the first detection terminal 181 is located next to the first gate terminal 171 in the first direction x, as shown in FIGS. 2 and 3.
  • the first detection terminal 181 is electrically connected to the first detection wiring 153 of the first wiring 15 .
  • the first detection terminal 181 is a metal lead made of a material containing copper or a copper alloy.
  • a portion of the first detection terminal 181 is covered with a sealing resin 50.
  • the first detection terminal 181 is L-shaped when viewed in the first direction x.
  • the first detection terminal 181 includes a portion that stands up in the thickness direction z. The portion is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • a voltage having the same potential as the voltage applied to the first main surface electrodes 212 of the plurality of first semiconductor elements 21 is applied to the first detection terminal 181 .
  • the second wiring 16 is located next to the plurality of second semiconductor elements 22 in the first direction x.
  • the second wiring 16 is joined to the second main surface 121B of the second member 12B.
  • the second wiring 16 like the first wiring 15, is made of a DBC substrate.
  • the second wiring 16 includes a second insulating layer 161, a second gate wiring 162, a second detection wiring 163, and a second support layer 164.
  • the second insulating layer 161 extends in the second direction y. As shown in FIGS. 6 and 7, the second insulating layer 161 is located on the second main surface 121B of the second member 12B.
  • the second insulating layer 161 is made of ceramics containing aluminum nitride, for example.
  • the second gate wiring 162 is arranged on the second insulating layer 161.
  • the second gate wiring 162 is located on the opposite side of the second member 12B with respect to the first insulating layer 151 in the thickness direction z.
  • the second gate wiring 162 extends in the second direction y.
  • the second gate wiring 162 is electrically connected to the fourth main surface electrodes 223 of the plurality of second semiconductor elements 22 .
  • the composition of the second gate wiring 162 includes copper.
  • the second detection wiring 163 is arranged on the second insulating layer 161.
  • the second detection wiring 163 is located on the opposite side of the plurality of second semiconductor elements 22 with respect to the second gate wiring 162 in the first direction x. Further, the second detection wiring 163 is located on the same side as the second gate wiring 162 with respect to the second insulating layer 161 in the thickness direction z.
  • the second detection wiring 163 extends in the second direction y.
  • the second detection wiring 163 is electrically connected to the third main surface electrodes 222 of the plurality of second semiconductor elements 22 .
  • the composition of the second detection wiring 163 includes copper.
  • the second support layer 164 has a second support layer 164 located on the opposite side of the second gate wiring 162 and the second detection wiring 163 with respect to the second insulating layer 161 in the thickness direction z.
  • the second support layer 164 is bonded to the second main surface 121B of the second member 12B via, for example, a brazing material.
  • the composition of the second support layer 164 includes copper.
  • each of the plurality of third wires 43 is electrically connected to the fourth main surface electrode 223 of one of the plurality of second semiconductor elements 22 and the second gate wiring 162 of the second wiring 16. has been done. Thereby, the fourth main surface electrode 223 of the second semiconductor element 22 is electrically connected to the second gate wiring 162.
  • the composition of the plurality of third wires 43 includes aluminum (Al).
  • the composition of the plurality of third wires 43 may include copper (Cu) or gold (Au).
  • each of the plurality of fourth wires 44 is electrically connected to the third main surface electrode 222 of any one of the plurality of second semiconductor elements 22 and the second detection wiring 163 of the second wiring 16. has been done. Thereby, the third main surface electrodes 222 of the plurality of second semiconductor elements 22 are electrically connected to the second detection wiring 163.
  • the composition of the plurality of fourth wires 44 includes aluminum (Al). In addition, the composition of the plurality of fourth wires 44 may include copper (Cu) or gold (Au).
  • the second gate terminal 172 is located next to the second member 12B in the second direction y, as shown in FIGS. 2 and 3.
  • the second gate terminal 172 is located on the same side as the first gate terminal 171 with respect to the support member 10 in the second direction y.
  • the second gate terminal 172 is electrically connected to the second gate wiring 162 of the second wiring 16 .
  • the second gate terminal 172 is a metal lead made of a material containing copper or a copper alloy.
  • a portion of the second gate terminal 172 is covered with a sealing resin 50.
  • the second gate terminal 172 has an L-shape when viewed in the first direction x.
  • the second gate terminal 172 includes a portion that stands up in the thickness direction z. The portion is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • a gate voltage for driving the plurality of second semiconductor elements 22 is applied to the second gate terminal 172.
  • the second detection terminal 182 is located next to the second gate terminal 172 in the first direction x, as shown in FIGS. 2 and 3.
  • the second detection terminal 182 is electrically connected to the second detection wiring 163 of the second wiring 16 .
  • the second detection terminal 182 is a metal lead made of a material containing copper or a copper alloy. As shown in FIG. 4, a portion of the second detection terminal 182 is covered with the sealing resin 50.
  • the second detection terminal 182 is L-shaped when viewed in the first direction x. As shown in FIG. 4, the second detection terminal 182 includes a portion that stands up in the thickness direction z. The portion is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • a voltage having the same potential as the voltage applied to the third main surface electrodes 222 of the plurality of second semiconductor elements 22 is applied to the second detection terminal 182 .
  • the plurality of fifth wires 45 are individually electrically connected to the first gate terminal 171 and the first detection terminal 181, and the first gate wiring 152 and the first detection wiring 153 of the first wiring 15. has been done.
  • the first gate terminal 171 is electrically connected to the second main surface electrodes 213 of the plurality of first semiconductor elements 21 via the first gate wiring 152.
  • the first detection terminal 181 is electrically connected to the first main surface electrode 212 of the plurality of first semiconductor elements 21 via the first detection wiring 153 .
  • the plurality of fifth wires 45 are individually conductive to the second gate terminal 172 and the second detection terminal 182, and the second gate wiring 162 and the second detection wiring 163 of the second wiring 16. It is joined. Thereby, the second gate terminal 172 is electrically connected to the fourth main surface electrode 223 of the plurality of second semiconductor elements 22 via the second gate wiring 162. The second detection terminal 182 is electrically connected to the third main surface electrode 222 of the plurality of second semiconductor elements 22 via the second detection wiring 163.
  • the composition of the plurality of fifth wires 45 includes aluminum (Al). In addition, the composition of the plurality of fifth wires 45 may include copper (Cu) or gold (Au).
  • the semiconductor device A10 further includes four dummy terminals 19, as shown in FIGS. 2 and 3. Two of the four dummy terminals 19 are located on the opposite side of the first gate terminal 171 with respect to the first detection terminal 181 in the first direction x. The remaining two dummy terminals 19 are located on the opposite side of the second gate terminal 172 with respect to the second detection terminal 182 in the first direction x.
  • the plurality of dummy terminals 19 are metal leads made of a material containing copper or a copper alloy.
  • the shape of each of the plurality of dummy terminals 19 is equal to the shape of the first gate terminal 171. A portion of each of the plurality of dummy terminals 19 is covered with sealing resin. The portions of the plurality of dummy terminals 19 that stand up in the thickness direction z are exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • the first conductive member 31 is located on the opposite side of the plurality of second semiconductor elements 22 with respect to the plurality of first semiconductor elements 21 in the first direction x.
  • the first conductive member 31 has a first terminal portion 311 and a first pillow material 312.
  • the first terminal portion 311 is electrically conductively bonded to the first main surface 121A of the first member 12A via the first pillow material 312. Therefore, the first terminal portion 311 is located away from the first member 12A in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 311 overlaps the first member 12A when viewed in the thickness direction z.
  • the composition of the first terminal portion 311 includes copper (Cu).
  • the first conductive member 31 is electrically connected to the first member 12A. Furthermore, the first conductive member 31 is electrically connected to the first back electrodes 211 of the plurality of first semiconductor elements 21 via the first member 12A.
  • the first terminal portion 311 is a P terminal (positive electrode) to which a DC power supply voltage to be subjected to power conversion is applied.
  • a first attachment hole 311A is provided in a portion of the first terminal portion 311 that is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • the first attachment hole 311A penetrates the first terminal portion 311 in the thickness direction z.
  • each of the plurality of fourth conductive members 14 is connected to the first main surface electrode 212 of any one of the plurality of first semiconductor elements 21.
  • the second member 12B is electrically conductively bonded to the second main surface 121B via a conductive bonding layer 292, respectively.
  • the fourth conductive member 14 has a connecting portion 141.
  • the connecting portion 141 is located at the end of the fourth conductive member 14 in the first direction x.
  • the connecting portion 141 is a portion where the dimension in the thickness direction z is locally large.
  • the connecting portion 141 is electrically connected to the first main surface electrode 212 by a conductive bonding layer 292 .
  • the second member 12B is electrically connected to the first main surface electrodes 212 of the plurality of first semiconductor elements 21.
  • the plurality of fourth conductive members 14 extend in the first direction x.
  • the composition of the plurality of fourth conductive members 14 includes copper (Cu).
  • the plurality of first positioning members 71 are arranged between the first main surface electrode 212 and the connection portion 141 of the fourth conductive member 14.
  • the plurality of first positioning members 71 are in contact with the first main surface electrode 212 and the connecting portion 141.
  • the plurality of first positioning members 71 overlap the connecting portion 141 when viewed in the thickness direction z.
  • the specific configuration of the first positioning member 71 is not limited at all.
  • the first positioning member 71 is preferably made of a conductive material.
  • the first positioning member 71 contains metal as a main component, such as aluminum (Al), copper (Cu), and the like.
  • the first positioning member 71 is made of a piece of wire.
  • a wire piece in the present disclosure is formed by partially cutting a wire material.
  • the first positioning member 71 is made of the same components as the first wire 41 and the second wire 42.
  • the first positioning member 71 has the same cross-sectional area as the first wire 41 and the second wire 42 .
  • the first positioning member 71 is made of a part of a wire material having a wire diameter of 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, for example, and is a part of a wire material having a wire diameter of 125 ⁇ m or 150 ⁇ m.
  • the number of the plurality of first positioning members 71 is not limited at all.
  • the semiconductor device A10 includes four first positioning members 71.
  • the four first positioning members 71 are distinguished as first positioning members 711, 712, 713, and 714.
  • the first positioning member 711 and the first positioning member 712 and the first positioning member 713 and the first positioning member 714 are spaced apart from each other in the first direction x. Further, the first positioning member 711 and the first positioning member 713 and the first positioning member 712 and the first positioning member 714 are spaced apart from each other in the second direction y. In the illustrated example, each of the plurality of first positioning members 71 has a shape along the first direction x.
  • the plurality of second positioning members 72 are arranged on the first main surface electrode 212, and are adjacent to the connection portion 141 of the fourth conductive member 14 when viewed in the thickness direction z. are doing.
  • the size of the plurality of second positioning members 72 in the thickness direction z is larger than the distance between the first main surface electrode 212 and the connecting portion 141.
  • the difference between the size of the second positioning member 72 in the thickness direction z and the distance between the first main surface electrode 212 and the connecting portion 141 is, for example, 100 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the plurality of second positioning members 72 are in contact with the conductive bonding layer 292, but the plurality of second positioning members 72 do not necessarily have to be in contact with the conductive bonding layer 292.
  • the specific configuration of the second positioning member 72 is not limited at all.
  • the second positioning member 72 is preferably made of a conductive material.
  • the second positioning member 72 contains metal as a main component, such as aluminum (Al), copper (Cu), and the like.
  • the second positioning member 72 is configured by a piece of wire.
  • the second positioning member 72 may be made of the same component as the first wire 41 and the second wire 42.
  • the second positioning member 72 is made of, for example, a portion of a wire material having a larger wire diameter than the wire material used for the first positioning member 71.
  • the number of the plurality of second positioning members 72 is not limited at all.
  • the semiconductor device A10 includes six second positioning members 72.
  • the six second positioning members 72 are distinguished as second positioning members 721, 722, 723, 724, 725, and 726.
  • the second positioning member 721 and the second positioning member 723 and the second positioning member 722 and the second positioning member 724 are spaced apart from each other in the second direction y with the connecting portion 141 in between. Furthermore, the second positioning member 725 and the second positioning member 726 are spaced apart from each other in the first direction x with the connecting portion 141 in between.
  • the second conductive member 32 straddles between the first member 12A and the second member 12B, and also connects the first member 12A and the second member in the thickness direction z. It is located away from 12B.
  • the composition of the second conductive member 32 includes copper (Cu).
  • the second conductive member 32 includes a second terminal portion 321 , a plurality of connecting portions 322 , a first connecting portion 323 , and a second connecting portion 324 .
  • each of the plurality of connection parts 322 is conductively bonded to the third main surface electrode 222 of any one of the plurality of second semiconductor elements 22 via the conductive bonding layer 292. ing.
  • the plurality of connecting portions 322 have a locally large portion in the thickness direction z, and have a shape extending in the first direction x.
  • the plurality of first positioning members 73 are arranged between the third main surface electrode 222 and the connecting portion 322 of the second conductive member 32.
  • the plurality of first positioning members 73 are in contact with the third main surface electrode 222 and the connecting portion 322.
  • the plurality of first positioning members 73 overlap the connecting portion 322 when viewed in the thickness direction z.
  • the specific configuration of the first positioning member 73 is not limited at all.
  • the first positioning member 73 is preferably made of a conductive material.
  • the first positioning member 73 contains metal as a main component, such as aluminum (Al), copper (Cu), and the like.
  • the first positioning member 73 is made of a piece of wire.
  • the first positioning member 73 is made of the same components as the third wire 43 and the fourth wire 44.
  • the first positioning member 73 has the same cross-sectional area as the third wire 43 and the fourth wire 44 .
  • the first positioning member 73 is made of a part of a wire material having a wire diameter of 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, for example, and is a part of a wire material having a wire diameter of 125 ⁇ m or 150 ⁇ m.
  • the number of the plurality of first positioning members 73 is not limited at all.
  • the semiconductor device A10 includes four first positioning members 73.
  • the four first positioning members 73 are distinguished as first positioning members 731, 732, 733, and 734.
  • the first positioning member 731 and the first positioning member 732 and the first positioning member 733 and the first positioning member 734 are spaced apart from each other in the first direction x. Further, the first positioning member 731 and the first positioning member 733 and the first positioning member 732 and the first positioning member 734 are spaced apart from each other in the second direction y. In the illustrated example, each of the plurality of first positioning members 73 has a shape along the first direction x.
  • the plurality of second positioning members 74 are arranged on the third main surface electrode 222, and are adjacent to the connecting portion 322 of the second conductive member 32 when viewed in the thickness direction z. are doing.
  • the size of the plurality of second positioning members 74 in the thickness direction z is larger than the distance between the third main surface electrode 222 and the connection portion 322.
  • the difference between the size of the second positioning member 74 in the thickness direction z and the distance between the third main surface electrode 222 and the connecting portion 322 is, for example, 100 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the plurality of second positioning members 74 are in contact with the conductive bonding layer 292, but the plurality of second positioning members 74 do not necessarily have to be in contact with the conductive bonding layer 292.
  • the specific configuration of the second positioning member 74 is not limited at all.
  • the second positioning member 74 is preferably made of a conductive material.
  • the second positioning member 74 contains metal as a main component, such as aluminum (Al), copper (Cu), and the like.
  • the second positioning member 74 is configured by a piece of wire.
  • the second positioning member 74 may be made of the same component as the third wire 43 and the fourth wire 44.
  • the second positioning member 74 is made of, for example, a portion of a wire material having a larger wire diameter than the wire material used for the first positioning member 73.
  • the number of the plurality of second positioning members 74 is not limited at all.
  • the semiconductor device A10 includes six second positioning members 74.
  • the six second positioning members 74 are distinguished as second positioning members 741, 742, 743, 744, 745, and 746.
  • the second positioning member 741 and the second positioning member 743 and the second positioning member 742 and the second positioning member 744 are spaced apart from each other in the second direction y with the connecting portion 322 in between. Further, the second positioning member 745 and the second positioning member 746 are spaced apart from each other in the first direction x with the connecting portion 322 in between.
  • the first connecting portion 323 extends in the second direction y.
  • the plurality of connecting parts 322 are connected to a first connecting part 323.
  • the second connecting portion 324 is located on the opposite side of the plurality of connecting portions 322 with respect to the first connecting portion 323 in the first direction x.
  • the second connecting portion 324 is connected to the first connecting portion 323.
  • the second connecting portion 324 extends in the first direction x.
  • the first connecting portion 323 and the second connecting portion 324 overlap the first member 12A. Therefore, when viewed in the thickness direction z, the second conductive member 32 overlaps the first member 12A.
  • the second terminal portion 321 is located on the opposite side of the plurality of second semiconductor elements 22 with respect to the plurality of first semiconductor elements 21 in the first direction x.
  • the second terminal portion 321 is located away from the first terminal portion 311 in the second direction y.
  • the second terminal portion 321 is located away from the first member 12A in the thickness direction z.
  • the composition of the second terminal portion 321 includes copper.
  • the second terminal portion 321 is connected to the second connecting portion 324 of the second conductive member 32. Therefore, the second conductive member 32 is electrically connected to the third main surface electrodes 222 of the plurality of second semiconductor elements 22 .
  • the second terminal portion 321 is an N terminal (negative electrode) to which a DC power supply voltage to be subjected to power conversion is applied.
  • a second attachment hole 321A is provided in a portion of the second terminal portion 321 that is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • the second attachment hole 321A penetrates the second terminal portion 321 in the thickness direction z.
  • the third conductive member 33 connects the first conductive member 31 and the second terminal portion 321 of the second conductive member 32 with respect to the plurality of first semiconductor elements 21 in the first direction x. located on the opposite side.
  • the third conductive member 33 has a third terminal portion 331 and a second pillow material 332.
  • the third terminal portion 331 is electrically conductively bonded to the second main surface 121B of the second member 12B via the second pillow material 332. Therefore, the third terminal portion 331 is located away from the second member 12B in the thickness direction z.
  • the composition of the third terminal portion 331 includes copper.
  • the third conductive member 33 is electrically connected to the second member 12B. Further, the third conductive member 33 is electrically connected to the second back electrodes 221 of the plurality of second semiconductor elements 22 via the second member 12B. The AC power converted by the plurality of first semiconductor elements 21 and the plurality of second semiconductor elements 22 is output from the third terminal section 331.
  • a portion of the third terminal portion 331 is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • a third attachment hole 331A is provided in a portion of the third terminal portion 331 that is exposed to the outside from the sealing resin 50.
  • the third attachment hole 331A penetrates the third terminal portion 331 in the thickness direction z.
  • the sealing resin 50 covers the two conductive members 12, the first wiring 15, the second wiring 16, the plurality of first semiconductor elements 21, and the plurality of second semiconductor elements 22. There is. Further, the sealing resin 50 connects the first conductive member 31, the second conductive member 32, the third conductive member 33, the first gate terminal 171, the second gate terminal 172, the first detection terminal 181, the second detection terminal 182, and A portion of each of the plurality of dummy terminals 19 is covered.
  • the sealing resin 50 has electrical insulation properties.
  • the sealing resin 50 is made of a material containing, for example, a black epoxy resin. As shown in FIG. 5, the sealing resin 50 has a top surface 51, a bottom surface 52, two first side surfaces 53, and two second side surfaces 54.
  • the top surface 51 faces the same side as the first main surface 121A of the first member 12A in the thickness direction z.
  • the bottom surface 52 faces opposite to the top surface 51 in the thickness direction z.
  • a portion of the heat dissipation layer 103 of the support member 10 is exposed from the bottom surface 52.
  • the two first side surfaces 53 are located apart from each other in the first direction x, and are connected to the top surface 51 and the bottom surface 52.
  • a portion of each of the first terminal portion 311 of the first conductive member 31 and the second terminal portion 321 of the second conductive member 32 is exposed to the outside from one of the two first side surfaces 53. are doing.
  • a portion of the third terminal portion 331 of the third conductive member 33 is exposed to the outside from the other of the two first side surfaces 53 .
  • the two second side surfaces 54 are located apart from each other in the second direction y, and are connected to the top surface 51 and the bottom surface 52.
  • the first gate terminal 171, the second gate terminal 172, the first detection terminal 181, the second detection terminal 182, and each of the plurality of dummy terminals 19 are connected from one of the two second side surfaces 54. part is exposed to the outside.
  • the first semiconductor element 21 is mounted on the first main surface 121A.
  • the wire material 40 is then bonded to the first main surface electrode 212.
  • a wedge tool Wg is used to join the wire material 40.
  • a portion of the wire material 40 is pressed against the first main surface electrode 212 by a wedge tool Wg.
  • the wedge tool Wg is moved and the wire material 40 is cut by the cutting tool Ct.
  • the second wire 42 is formed as shown in FIG. 19.
  • a plurality of first positioning members 71 are formed using the wire material 40. After pressing a portion of the wire material 40 to the position where the first positioning member 71 is to be formed, the wire material 40 is cut by the cutting tool Ct. Thereby, as shown in FIG. 20, a plurality of first positioning members 71 are formed at predetermined positions. Note that the cross-sectional shape of the first positioning member 71 shown in FIG. 13 is formed by pressing the wire material 40 with the wedge tool Wg. Further, a plurality of second positioning members 72 are formed using a wire material having a larger wire diameter than the wire material 40 by the same procedure as the plurality of first positioning members 71.
  • a conductive bonding material 290 is applied to the first main surface electrode 212.
  • the conductive bonding material 290 is, for example, a solder paste.
  • the connecting portion 141 of the fourth conductive member 14 is attached to the conductive bonding material 290.
  • the connecting portion 141 is brought close to the first semiconductor element 21 in the thickness direction z, and the connecting portion 141 and the plurality of first positioning members 71 are brought into contact with each other.
  • the conductive bonding material 290 is cured using, for example, a reflow oven or the like to form conductive bonding layers 291 and 292. Then, by forming the sealing resin 50, etc., the semiconductor device A10 is obtained.
  • the first positioning member 71 is interposed between the first main surface electrode 212 and the connecting portion 141.
  • the first positioning member 71 is in contact with the first main surface electrode 212 and the connecting portion 141 .
  • the semiconductor device A10 includes a plurality of first positioning members 71. Thereby, the thickness of the conductive bonding layer 292 can be more reliably made uniform.
  • the first positioning member 711 and the first positioning member 712 and the first positioning member 713 and the first positioning member 714 are spaced apart from each other in the first direction x. Thereby, it is possible to more reliably suppress the connection portion 141 (fourth conductive member 14) from tilting around the axis extending in the second direction y.
  • the first positioning member 711 and the first positioning member 713 and the first positioning member 712 and the first positioning member 714 are spaced apart from each other in the second direction y. Thereby, it is possible to more reliably prevent the connecting portion 141 (fourth conductive member 14) from tilting around the axis extending in the first direction x.
  • the plurality of first positioning members 71 have metal as a main component. Thereby, a decrease in electrical resistance between the first main surface electrode 212 and the fourth conductive member 14 can be avoided.
  • the plurality of first positioning members 71 are made of wire pieces. Thereby, the plurality of first positioning members 71 can be formed using the wedge tool Wg or the like. As shown in FIGS. 18 and 19, forming the plurality of first positioning members 71 using the wire material 40 for forming the second wire 42 and the like is preferable for improving the manufacturing efficiency of the semiconductor device A10.
  • a plurality of second positioning members 72 are arranged adjacent to the connecting portion 141.
  • the second positioning member 721 and the second positioning member 723 and the second positioning member 722 and the second positioning member 724 are separated from each other in the second direction y with the connecting portion 141 in between. Thereby, the position of the connecting portion 141 in the second direction y can be defined more accurately.
  • the second positioning member 725 and the second positioning member 726 are separated from each other in the first direction x with the connecting portion 141 in between. Thereby, the position of the connecting portion 141 in the first direction x can be defined more accurately.
  • the plurality of second positioning members 72 can be formed using a wedge tool Wg or the like.
  • the second positioning member 74 is arranged on one side of the first direction x of any of the connecting parts 322, and By arranging the second positioning member 74 on the other side of the connecting portion 322 in the first direction x, it is possible to define the position of the entire second conductive member 32 in the first direction x.
  • FIG. 23 shows a first modification of the semiconductor device A10.
  • the specific configuration of the plurality of first positioning members 71 is different from the plurality of first positioning members 71 of the semiconductor device A10.
  • the plurality of first positioning members 71 have a shape along the second direction y.
  • the plurality of first positioning members 71 having such a shape can be formed by setting the orientation of the wedge tool Wg shown in FIGS. 18 and 19.
  • the thickness of the conductive bonding layer 292 can be made more uniform.
  • the specific shape of the plurality of first positioning members 71 is not limited at all, and the same applies to the plurality of first positioning members 73.
  • FIG. 24 shows a second modification of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A12 of this modification differs from the plurality of first positioning members 71 of the semiconductor device A10 in the number and arrangement of the plurality of first positioning members 71.
  • the number of the plurality of first positioning members 71 is three.
  • the first positioning member 711 and the first positioning member 712 are arranged apart from each other in the second direction y.
  • the first positioning member 713 is spaced apart from the first positioning member 711 and the first positioning member 712 in the first direction x. In the second direction y, the first positioning member 713 is located between the first positioning member 711 and the first positioning member 712.
  • the thickness of the conductive bonding layer 292 can be made more uniform.
  • the number of first positioning members 71 is not limited at all, and the same applies to the plurality of first positioning members 73. By using the three first positioning members 71, it is possible to support the connecting portion 141 at three points. Thereby, the thickness of the conductive bonding layer 292 can be made uniform.
  • FIG. 25 shows a third modification of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A13 of this modification differs from the plurality of second positioning members 72 of the semiconductor device A10 in the number and arrangement of the plurality of second positioning members 72.
  • the number of the plurality of second positioning members 72 is four.
  • the second positioning member 721 and the second positioning member 722 are separated from each other in the second direction y with the connecting portion 141 in between.
  • the thickness of the conductive bonding layer 292 can be made more uniform. Furthermore, the second positioning member 721 and the second positioning member 722 can more accurately define the position of the connecting portion 141 in the second direction y. As understood from this modification, the number of second positioning members 72 is not limited at all, and the same applies to the second positioning members 74.
  • FIG. 26 shows a fourth modification of the semiconductor device A10.
  • the specific configuration of the plurality of second positioning members 72 is different from the plurality of second positioning members 72 of the semiconductor device A10.
  • the second positioning member 72 includes a first part 7211 and a second part 7212.
  • the first portion 7211 is in contact with the first main surface electrode 212.
  • the second part 7212 is arranged on the first part 7211.
  • the first portion 7211 and the second portion 7212 are formed, for example, by a portion of the wire material 40 used to form the first positioning member 71. Therefore, for example, the cross-sectional area of the first positioning member 71, the cross-sectional area of the first portion 7211, and the cross-sectional area of the second portion 7212 are the same.
  • the thickness of the conductive bonding layer 292 can be made more uniform. Furthermore, it is possible to form the first positioning member 71 and the second positioning member 72 using the same wire material 40. Thereby, manufacturing efficiency of the semiconductor device A14 can be improved.
  • FIG. 27 shows a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A20 of this embodiment is different from the above-described embodiments in the configuration of the fourth conductive member 14.
  • the fourth conductive member 14 of this modification is formed, for example, by partially bending a metal plate material having a constant thickness.
  • the connecting portion 141 is located closer to the first principal surface electrode 212 in the thickness direction z than adjacent portions.
  • the thickness of the conductive bonding layer 292 can be made more uniform.
  • the specific configuration of the fourth conductive member 14 is not limited at all, and the same applies to the second conductive member 32.
  • FIG. 27 shows a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A30 of this embodiment does not include the plurality of second positioning members 72 described above. Such an embodiment also allows the thickness of the conductive bonding layer 292 to be made more uniform.
  • the semiconductor device and the method for manufacturing a semiconductor device according to the present disclosure are not limited to the embodiments described above.
  • the specific configurations of the semiconductor device and the method of manufacturing the semiconductor device according to the present disclosure can be modified in various designs.
  • the present disclosure includes the embodiments described in the appendix below.
  • a semiconductor element having a first main surface electrode; A conductive member; a conductive bonding layer that electrically connects the first main surface electrode and the conductive member;
  • a semiconductor device comprising: a first positioning member disposed between the first main surface electrode and the conductive member and in contact with the first main surface electrode and the conductive member.
  • Appendix 2. The semiconductor device according to appendix 1, wherein the first positioning member is in contact with the conductive bonding layer.
  • Appendix 3. The semiconductor device according to appendix 2, wherein the first positioning member has metal as a main component.
  • the semiconductor device comprising a plurality of the first positioning members.
  • Appendix 6 The semiconductor device according to appendix 5, wherein the plurality of first positioning members include two first positioning members spaced apart from each other in a first direction perpendicular to a thickness direction of the semiconductor element.
  • Appendix 7. The semiconductor device according to appendix 6, wherein the plurality of first positioning members include two first positioning members spaced apart from each other in the thickness direction and a second direction perpendicular to the first direction.
  • the semiconductor element includes a second main surface electrode disposed on the same side as the first main surface electrode in the thickness direction; The semiconductor device according to appendix 6, further comprising a first wire bonded to the second main surface electrode.
  • Appendix 10. The semiconductor device according to appendix 9, wherein the first positioning member and the first wire have the same cross-sectional area.
  • Appendix 11. The semiconductor device according to any one of appendices 8 to 10, further comprising a second wire electrically connected to the semiconductor element.
  • Appendix 12. The semiconductor device according to appendix 11, wherein the first positioning member and the second wire are made of the same component.
  • Appendix 13 The semiconductor device according to appendix 12, wherein the first positioning member and the second wire have the same cross-sectional area.
  • the first main surface electrode is a source electrode, 14.
  • the semiconductor device according to any one of appendices 8 to 13, wherein the second main surface electrode is a gate electrode.
  • Appendix 15. The conductive member is disposed on the first main surface electrode, is adjacent to the conductive member when viewed in the thickness direction of the semiconductor element, and has a size in the thickness direction that is equal to that of the first main surface electrode and the conductive member. 15.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary Notes 1 to 14, further comprising a second positioning member having a distance greater than the distance from the second positioning member.
  • Appendix 16 The semiconductor device according to appendix 15, wherein the second positioning member is a piece of wire.
  • Appendix 17. The semiconductor device according to appendix 15 or 16, comprising a plurality of the second positioning members. Appendix 18.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of electrically bonding the first principal surface electrode and the conductive member by curing the conductive bonding material.

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Abstract

半導体装置は、半導体素子と、導通部材と、導電接合層と、第１位置決め部材とを備える。前記半導体素子は、第１主面電極を有する。前記導電接合層は、前記第１主面電極と前記導通部材とを導通接合する。前記第１位置決め部材は、前記第１主面電極と前記導通部材との間に配置され、且つ前記第１主面電極および前記導通部材に接する。一例として、前記第１位置決め部材は、前記導電接合層に接する。一例として、前記第１位置決め部材は、金属を主成分とする。

Description

半導体装置、および、半導体装置の製造方法
　本開示は、半導体装置、および、半導体装置の製造方法に関する。
　従来、スイッチング機能を有する半導体素子が搭載された半導体装置が広く知られている。当該半導体装置は、主に電力変換用に利用されている。特許文献１には、このような半導体装置の一例が開示されている。
特開２０１３－２５８３８７号公報
　半導体素子の主面電極に導電接合層を介して導通部材が導通接合される場合、たとえば導通部材が主面電極に対して近づいたり、離隔したり、傾いたりすることが起こりうる。これにより、導電接合層の厚さが不均一となることが懸念される。
　本開示は、従来よりも改良が施された半導体装置、延いてはそのような半導体装置の製造方法を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、導電接合層の厚さをより均一化することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１主面電極を有する半導体素子と、導通部材と、前記第１主面電極と前記導通部材とを導通接合する導電接合層と、を備える。さらに当該半導体装置は、前記第１主面電極と前記導通部材との間に配置され、且つ前記第１主面電極および前記導通部材に接する第１位置決め部材を備える。
　上記構成によれば、半導体装置において導電接合層の厚さをより均一化することができる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分斜視図である。 図２は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図３は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分平面図である。 図４は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である 図５は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す左側面図である。 図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図２のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分拡大平面図である。 図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１２は、図１０のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１３は、図１０のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１４は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分拡大平面図である。 図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う部分拡大断面図である。 図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１７は、図１４のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図１８は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す部分拡大断面図である。 図１９は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す部分拡大断面図である。 図２０は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す部分拡大断面図である。 図２１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す部分拡大断面図である。 図２２は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す部分拡大断面図である。 図２３は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の第１変形例を示す部分拡大平面図である。 図２４は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の第２変形例を示す部分拡大平面図である。 図２５は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の第３変形例を示す部分拡大断面図である。 図２６は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の第４変形例を示す部分拡大断面図である。 図２７は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置を示す部分拡大断面図である。 図２８は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置を示す部分拡大平面図である。
　本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
　第１実施形態：
　図１～図１７に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、２つの絶縁部材１１、２つの導電部材１２、２つの放熱部材１３、複数の第４導通部材１４、複数の第１半導体素子２１、複数の第２半導体素子２２、封止樹脂５０、複数の第１位置決め部材７１，７３、複数の第２位置決め部材７２、７４、複数の導電接合層２９１および複数の導電接合層２９２を備える。
　さらに半導体装置Ａ１０は、第１配線１５、第２配線１６、第１ゲート端子１７１、第２ゲート端子１７２、第１検出端子１８１、第２検出端子１８２、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３、複数の第４ワイヤ４４、および複数の第５ワイヤ４５を備える。ここで、図１は、理解の便宜上、封止樹脂５０の図示を省略している。図２は、理解の便宜上、封止樹脂５０を想像線（二点鎖線）で示している。図３は、理解の便宜上、第２導通部材３２を想像線で示している。
　半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、第１半導体素子２１および第２半導体素子２２の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する１つの方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。
　半導体装置Ａ１０は、第１導通部材３１および第２導通部材３２に印加された直流の電源電圧を、複数の第１半導体素子２１および複数の第２半導体素子２２により交流電力に変換する。変換された交流電力は、第３導通部材３３からモータなどの電力供給対象に入力される。半導体装置Ａ１０は、インバータなどの電力変換回路の一部を構成する。
　２つの絶縁部材１１は、図２および図３に示すように、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する。２つの絶縁部材１１は、エポキシ樹脂を含む樹脂材料からなる。この他、２つの絶縁部材１１は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むセラミックス材料からなる場合でもよい。
　２つの導電部材１２は、図６および図７に示すように、２つの絶縁部材１１の厚さ方向ｚの一方側に位置する。２つの導電部材１２は、２つの絶縁部材１１に個別に接合されている。半導体装置Ａ１０の説明においては、２つの導電部材１２のうち、複数の第１半導体素子２１を搭載する導電部材１２を「第１部材１２Ａ」と呼ぶ。２つの導電部材１２のうち、複数の第２半導体素子２２を搭載する導電部材１２を「第２部材１２Ｂ」と呼ぶ。
　２つの導電部材１２の各々は、主面１２１、裏面１２２および第１端面１２３を有する。厚さ方向ｚにおいて主面１２１および裏面１２２は、互いに反対側を向く。主面１２１は、第１部材１２Ａに属する第１主面１２１Ａと、第２部材１２Ｂに属する第２主面１２１Ｂとを含む。第１主面１２１Ａは、複数の第１半導体素子２１に対向している。第２主面１２１Ｂは、複数の第２半導体素子２２に対向している。裏面１２２は、２つの絶縁部材１１のいずれかに接合されている。
　半導体装置Ａ１０においては、図６～図９に示すように、２つの導電部材１２の各々は、第１層１２０Ａ、第２層１２０Ｂおよび接合層１２０Ｃを含む。第１層１２０Ａは、裏面１２２を有する。第２層１２０Ｂは、主面１２１を有する。第１層１２０Ａおよび第２層１２０Ｂの組成は、銅（Ｃｕ）を含む。第２層１２０Ｂの厚さ方向ｚの寸法は、第１層１２０Ａの厚さ方向の寸法よりも大きい。接合層１２０Ｃは、第１端面１２３を有する。接合層１２０Ｃは、第１層１２０Ａと第２層１２０Ｂとを導電接合する。接合層１２０Ｃは、金属元素を含む。当該金属元素は、たとえば錫（Ｓｎ）である。
　２つの放熱部材１３は、図６および図７に示すように、２つの絶縁部材１１に対して２つの導電部材１２とは厚さ方向の反対側に位置する。２つの放熱部材１３は、２つの絶縁部材１１に個別に接合されている。２つの放熱部材１３の組成は、銅を含む。２つの放熱部材１３の各々は、厚さ方向ｚに対して直交する方向を向く端面１３１を有する。厚さ方向ｚに視て、端面１３１は、絶縁部材１１の周縁に囲まれている。図４に示すように、２つの放熱部材１３の各々の一部は、封止樹脂５０から外部の露出している。半導体装置Ａ１０の使用の際、２つの放熱部材１３には、ヒートシンク（図示略）が接合される。
　２つの絶縁部材１１、２つの導電部材１２の第１層１２０Ａ、および２つの放熱部材１３の具体的構成は何ら限定されず、たとえば、ＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板によって構成される。
　複数の第１半導体素子２１は、図６～図８に示すように、第１部材１２Ａの第１主面１２１Ａに接合されている。本実施形態においては、複数の第１半導体素子２１は、いずれも同一の素子である。複数の第１半導体素子２１は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この他、複数の第１半導体素子２１は、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor）を含む電界効果トランジスタや、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のようなバイポーラトランジスタでもよい。半導体装置Ａ１０の説明においては、複数の第１半導体素子２１は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。複数の第１半導体素子２１は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。複数の第１半導体素子２１は、第２方向ｙに沿って配列されている。
　第１半導体素子２１は、第１裏面電極２１１、第１主面電極２１２および第２主面電極２１３を有する。
　第１裏面電極２１１は、第１部材１２Ａの第１主面１２１Ａに対向している。第１裏面電極２１１には、第１半導体素子２１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。第１裏面電極２１１は、たとえば、ドレイン電極である。第１裏面電極２１１は、導電接合層２９１を介して第１主面１２１Ａに導電接合されている。したがって、複数の第１半導体素子２１の第１裏面電極２１１は、第１部材１２Ａに導通している。導電接合層２９１は、たとえばハンダである。この他、導電接合層２９１は、銀などを含む焼結金属でもよい。
　第１主面電極２１２は、厚さ方向ｚにおいて第１裏面電極２１１とは反対側に位置する。第１主面電極２１２には、第１半導体素子２１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。第１主面電極２１２は、たとえば、第１半導体素子２１のソース電極に相当する。
　第２主面電極２１３は、厚さ方向ｚにおいて第１主面電極２１２と同じ側に位置する。第２主面電極２１３には、第１半導体素子２１を駆動するための制御電圧が印加される。第２主面電極２１３は、たとえばゲート電極である。図３に示すように、厚さ方向ｚに視て、第２主面電極２１３の面積は、第１主面電極２１２の面積よりも小さい。
　複数の第２半導体素子２２は、図６、図７および図９に示すように、第２部材１２Ｂの第２主面１２１Ｂに接合されている。複数の第２半導体素子２２は、複数の第１半導体素子２１と同一の素子である。したがって、複数の第２半導体素子２２は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴである。複数の第２半導体素子２２は、第２方向ｙに沿って配列されている。
　第２半導体素子２２は、第２裏面電極２２１、第３主面電極２２２および第４主面電極２２３を有する。
　第２裏面電極２２１は、第２部材１２Ｂの第２主面１２１Ｂに対向している。第２裏面電極２２１には、第２半導体素子２２により変換される前の電力に対応する電流が流れる。第２裏面電極２２１は、たとえばドレイン電極である。第２裏面電極２２１は、導電接合層２９１を介して第２主面１２１Ｂに導電接合されている。したがって、複数の第２半導体素子２２の第２裏面電極２２１は、第２部材１２Ｂに導通している。
　第３主面電極２２２は、厚さ方向ｚにおいて第２裏面電極２２１とは反対側に位置する。第３主面電極２２２には、第２半導体素子２２により変換された後の電力に対応する電流が流れる。第３主面電極２２２は、たとえば、第２半導体素子２２のソース電極である。
　第４主面電極２２３は、厚さ方向ｚにおいて第３主面電極２２２と同じ側に位置する。第４主面電極２２３には、第２半導体素子２２を駆動するための制御電圧が印加される。第４主面電極２２３には、たとえばゲート電極である。図４に示すように、厚さ方向ｚに視て、第４主面電極２２３の面積は、第３主面電極２２２の面積よりも小さい。
　第１配線１５は、図３に示すように、第１方向ｘにおいて複数の第１半導体素子２１の隣に位置する。第１配線１５は、第１部材１２Ａの第１主面１２１Ａに接合されている。半導体装置Ａ１０においては、第１配線１５は、一対の支持部材１０と同様に、ＤＢＣ基板から構成される。図６および図７に示すように、第１配線１５は、第１絶縁層１５１、第１ゲート配線１５２、第１検出配線１５３および第１支持層１５４を有する。
　図３に示すように、第１絶縁層１５１は、第２方向ｙに延びている。図６および図７に示すように、第１絶縁層１５１は、第１部材１２Ａの第１主面１２１Ａの上に位置する。第１絶縁層１５１は、たとえば、窒化アルミニウムを含むセラミックスからなる。
　図３、図６および図７に示すように、第１ゲート配線１５２は、第１絶縁層１５１の上に配置されている。第１ゲート配線１５２は、厚さ方向ｚにおいて第１絶縁層１５１を基準として第１部材１２Ａとは反対側に位置する。第１ゲート配線１５２は、第２方向ｙに延びている。第１ゲート配線１５２は、複数の第１半導体素子２１の第２主面電極２１３に導通している。第１ゲート配線１５２の組成は、銅を含む。
　図３、図６および図７に示すように、第１検出配線１５３は、第１絶縁層１５１の上に配置されている。第１検出配線１５３は、第１方向ｘにおいて第１ゲート配線１５２を基準として複数の第１半導体素子２１とは反対側に位置する。さらに第１検出配線１５３は、厚さ方向ｚにおいて第１絶縁層１５１を基準として第１ゲート配線１５２と同じ側に位置する。第１検出配線１５３は、第２方向ｙに延びている。第１検出配線１５３は、複数の第１半導体素子２１の第１主面電極２１２に導通している。第１検出配線１５３の組成は、銅を含む。
　図６および図７に示すように、第１支持層１５４は、厚さ方向ｚにおいて第１絶縁層１５１を基準として第１ゲート配線１５２および第１検出配線１５３とは反対側に位置する、第１支持層１５４は、たとえばろう材を介して第１部材１２Ａの第１主面１２１Ａに接合されている。第１支持層１５４の組成は、銅を含む。
　複数の第１ワイヤ４１の各々は、図３に示すように、複数の第１半導体素子２１のいずれかの第２主面電極２１３と、第１配線１５の第１ゲート配線１５２とに導電接合されている。これにより、複数の第１半導体素子２１の第２主面電極２１３は、第１ゲート配線１５２に導通している。複数の第１ワイヤ４１の組成は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。この他、複数の第１ワイヤ４１の組成は、銅（Ｃｕ）を含む場合や、金（Ａｕ）を含む場合でもよい。
　複数の第２ワイヤ４２の各々は、図３に示すように、複数の第１半導体素子２１のいずれかの第１主面電極２１２と、第１配線１５の第１検出配線１５３とに導電接合されている。これにより、複数の第１半導体素子２１の第１主面電極２１２は、第１検出配線１５３に導通している。複数の第２ワイヤ４２の組成は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。この他、複数の第２ワイヤ４２の組成は、銅（Ｃｕ）を含む場合や、金（Ａｕ）を含む場合でもよい。
　第１ゲート端子１７１は、図２および図３に示すように、第２方向ｙにおいて第１部材１２Ａの隣に位置する。第１ゲート端子１７１は、第１配線１５の第１ゲート配線１５２に導通している。第１ゲート端子１７１は、銅または銅合金を含む材料からなる金属リードである。図４に示すように、第１ゲート端子１７１の一部は、封止樹脂５０に覆われている。第１方向ｘに視て、第１ゲート端子１７１はＬ字状である。図５および図８に示すように、第１ゲート端子１７１は、厚さ方向ｚに起立した部分を含む。当該部分は、封止樹脂５０から外部に露出している。第１ゲート端子１７１には、複数の第１半導体素子２１が駆動するためのゲート電圧が印加される。
　第１検出端子１８１は、図２および図３に示すように、第１方向ｘにおいて第１ゲート端子１７１の隣に位置する。第１検出端子１８１は、第１配線１５の第１検出配線１５３に導通している。第１検出端子１８１は、銅または銅合金を含む材料からなる金属リードである。図４に示すように、第１検出端子１８１の一部は、封止樹脂５０に覆われている。第１方向ｘに視て、第１検出端子１８１はＬ字状である。図５に示すように、第１検出端子１８１は、厚さ方向ｚに起立した部分を含む。当該部分は、封止樹脂５０から外部に露出している。第１検出端子１８１には、複数の第１半導体素子２１の第１主面電極２１２に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。
　第２配線１６は、図３に示すように、第１方向ｘにおいて複数の第２半導体素子２２の隣に位置する。第２配線１６は、第２部材１２Ｂの第２主面１２１Ｂに接合されている。半導体装置Ａ１０においては、第２配線１６は、第１配線１５と同様に、ＤＢＣ基板から構成される。図６および図７に示すように、第２配線１６は、第２絶縁層１６１、第２ゲート配線１６２、第２検出配線１６３および第２支持層１６４を有する。
　図３に示すように、第２絶縁層１６１は、第２方向ｙに延びている。図６および図７に示すように、第２絶縁層１６１は、第２部材１２Ｂの第２主面１２１Ｂの上に位置する。第２絶縁層１６１は、たとえば、窒化アルミニウムを含むセラミックスからなる。
　図３、図６および図７に示すように、第２ゲート配線１６２は、第２絶縁層１６１の上に配置されている。第２ゲート配線１６２は、厚さ方向ｚにおいて第１絶縁層１５１を基準として第２部材１２Ｂとは反対側に位置する。第２ゲート配線１６２は、第２方向ｙに延びている。第２ゲート配線１６２は、複数の第２半導体素子２２の第４主面電極２２３に導通している。第２ゲート配線１６２の組成は、銅を含む。
　図３、図６および図７に示すように、第２検出配線１６３は、第２絶縁層１６１の上に配置されている。第２検出配線１６３は、第１方向ｘにおいて第２ゲート配線１６２を基準として複数の第２半導体素子２２とは反対側に位置する。さらに第２検出配線１６３は、厚さ方向ｚにおいて第２絶縁層１６１を基準として第２ゲート配線１６２と同じ側に位置する。第２検出配線１６３は、第２方向ｙに延びている。第２検出配線１６３は、複数の第２半導体素子２２の第３主面電極２２２に導通している。第２検出配線１６３の組成は、銅を含む。
　図６および図７に示すように、第２支持層１６４は、厚さ方向ｚにおいて第２絶縁層１６１を基準として第２ゲート配線１６２および第２検出配線１６３とは反対側に位置する、第２支持層１６４は、たとえばろう材を介して第２部材１２Ｂの第２主面１２１Ｂに接合されている。第２支持層１６４の組成は、銅を含む。
　複数の第３ワイヤ４３の各々は、図３に示すように、複数の第２半導体素子２２のいずれかの第４主面電極２２３と、第２配線１６の第２ゲート配線１６２とに導電接合されている。これにより、第２半導体素子２２の第４主面電極２２３は、第２ゲート配線１６２に導通している。複数の第３ワイヤ４３の組成は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。この他、複数の第３ワイヤ４３の組成は、銅（Ｃｕ）を含む場合や、金（Ａｕ）を含む場合でもよい。
　複数の第４ワイヤ４４の各々は、図３に示すように、複数の第２半導体素子２２のいずれかの第３主面電極２２２と、第２配線１６の第２検出配線１６３とに導電接合されている。これにより、複数の第２半導体素子２２の第３主面電極２２２は、第２検出配線１６３に導通している。複数の第４ワイヤ４４の組成は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。この他、複数の第４ワイヤ４４の組成は、銅（Ｃｕ）を含む場合や、金（Ａｕ）を含む場合でもよい。
　第２ゲート端子１７２は、図２および図３に示すように、第２方向ｙにおいて第２部材１２Ｂの隣に位置する。第２ゲート端子１７２は、第２方向ｙにおいて支持部材１０を基準として第１ゲート端子１７１と同じ側に位置する。第２ゲート端子１７２は、第２配線１６の第２ゲート配線１６２に導通している。第２ゲート端子１７２は、銅または銅合金を含む材料からなる金属リードである。図４に示すように、第２ゲート端子１７２の一部は、封止樹脂５０に覆われている。第１方向ｘに視て、第２ゲート端子１７２はＬ字状である。図５および図９に示すように、第２ゲート端子１７２は、厚さ方向ｚに起立した部分を含む。当該部分は、封止樹脂５０から外部に露出している。第２ゲート端子１７２には、複数の第２半導体素子２２が駆動するためのゲート電圧が印加される。
　第２検出端子１８２は、図２および図３に示すように、第１方向ｘにおいて第２ゲート端子１７２の隣に位置する。第２検出端子１８２は、第２配線１６の第２検出配線１６３に導通している。第２検出端子１８２は、銅または銅合金を含む材料からなる金属リードである。図４に示すように、第２検出端子１８２の一部は、封止樹脂５０に覆われている。第１方向ｘに視て、第２検出端子１８２はＬ字状である。図４に示すように、第２検出端子１８２は、厚さ方向ｚに起立した部分を含む。当該部分は、封止樹脂５０から外部に露出している。第２検出端子１８２には、複数の第２半導体素子２２の第３主面電極２２２に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。
　複数の第５ワイヤ４５は、図３に示すように、第１ゲート端子１７１および第１検出端子１８１と、第１配線１５の第１ゲート配線１５２および第１検出配線１５３とに個別に導電接合されている。これにより、第１ゲート端子１７１は、第１ゲート配線１５２を介して複数の第１半導体素子２１の第２主面電極２１３に導通している。第１検出端子１８１は、第１検出配線１５３を介して複数の第１半導体素子２１の第１主面電極２１２に導通している。
　さらに複数の第５ワイヤ４５は、図３に示すように、第２ゲート端子１７２および第２検出端子１８２と、第２配線１６の第２ゲート配線１６２および第２検出配線１６３とに個別に導電接合されている。これにより、第２ゲート端子１７２は、第２ゲート配線１６２を介して複数の第２半導体素子２２の第４主面電極２２３に導通している。第２検出端子１８２は、第２検出配線１６３を介して複数の第２半導体素子２２の第３主面電極２２２に導通している。複数の第５ワイヤ４５の組成は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。この他、複数の第５ワイヤ４５の組成は、銅（Ｃｕ）を含む場合や、金（Ａｕ）を含む場合でもよい。
　半導体装置Ａ１０は、図２および図３に示すように、４つのダミー端子１９をさらに備える。４つのダミー端子１９のうち２つのダミー端子１９は、第１方向ｘにおいて第１検出端子１８１を基準として第１ゲート端子１７１とは反対側に位置する。残り２つのダミー端子１９は、第１方向ｘにおいて第２検出端子１８２を基準として第２ゲート端子１７２とは反対側に位置する。複数のダミー端子１９は、銅または銅合金を含む材料からなる金属リードである。複数のダミー端子１９の各々の形状は、第１ゲート端子１７１の形状に等しい。複数のダミー端子１９の各々の一部は、封止樹脂に覆われている。複数のダミー端子１９の厚さ方向ｚに起立した部分は、封止樹脂５０から外部に露出している。
　第１導通部材３１は、図２および図３に示すように、第１方向ｘにおいて複数の第１半導体素子２１を基準として複数の第２半導体素子２２とは反対側に位置する。図６に示すように、第１導通部材３１は、第１端子部３１１および第１枕材３１２を有する。第１端子部３１１は、第１枕材３１２を介して第１部材１２Ａの第１主面１２１Ａに導電接合されている。したがって、第１端子部３１１は、厚さ方向ｚにおいて第１部材１２Ａから離れて位置する。図３に示すように、厚さ方向ｚに視て、第１端子部３１１は、第１部材１２Ａに重なっている。第１端子部３１１の組成は、銅（Ｃｕ）を含む。
　第１導通部材３１は、第１部材１２Ａに導通している。さらに第１導通部材３１は、第１部材１２Ａを介して複数の第１半導体素子２１の第１裏面電極２１１に導通している。第１端子部３１１は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＰ端子（正極）である。
　図６に示すように、第１端子部３１１の一部は、封止樹脂５０から外部に露出している。封止樹脂５０から外部に露出する第１端子部３１１の部分には、第１取付け孔３１１Ａが設けられている。第１取付け孔３１１Ａは、厚さ方向ｚに第１端子部３１１を貫通している。
　複数の第４導通部材１４の各々は、図３、図６～図８および図１０～図１３に示すように、複数の第１半導体素子２１のいずれかの第１主面電極２１２と、第２部材１２Ｂの第２主面１２１Ｂとに、それぞれ導電接合層２９２を介して導電接合されている。本実施形態においては、第４導通部材１４は、接続部１４１を有する。接続部１４１は、第４導通部材１４の第１方向ｘの端部に位置している。図示された例においては、接続部１４１は、局所的に厚さ方向ｚの寸法が大きい部位である。接続部１４１は、導電接合層２９２によって第１主面電極２１２に導通接合されている。これにより、第２部材１２Ｂは、複数の第１半導体素子２１の第１主面電極２１２に導通している。複数の第４導通部材１４は、第１方向ｘに延びている。複数の第４導通部材１４の組成は、銅（Ｃｕ）を含む。
　図１０～図１３に示すように、複数の第１位置決め部材７１は、第１主面電極２１２と第４導通部材１４の接続部１４１との間に配置されている。複数の第１位置決め部材７１は、第１主面電極２１２および接続部１４１に接している。厚さ方向ｚに視て、複数の第１位置決め部材７１は、接続部１４１に重なっている。
　第１位置決め部材７１の具体的構成は何ら限定されない。第１位置決め部材７１は、導電性材料からなることが好ましい。第１位置決め部材７１は、主成分として金属を含み、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等を含む。本実施形態においては、第１位置決め部材７１は、ワイヤ片によって構成されている。本開示でのワイヤ片とは、ワイヤ材料が部分的に切断されることによって形成されたものである。第１位置決め部材７１は、第１ワイヤ４１および第２ワイヤ４２と同じ成分からなる。第１位置決め部材７１は、第１ワイヤ４１および第２ワイヤ４２と断面積が同じである。第１位置決め部材７１は、たとえば線径が１００μｍ以上５００μｍ以下のワイヤ材料の一部によって構成されており、たとえば線径が１２５μｍまたは１５０μｍのワイヤ材料の一部である。
　複数の第１位置決め部材７１の個数は、何ら限定されない。図示された例においては、半導体装置Ａ１０は、４つの第１位置決め部材７１を備えている。説明の便宜として、４つの第１位置決め部材７１を、第１位置決め部材７１１、７１２，７１３，７１４として区別する。
　第１位置決め部材７１１および第１位置決め部材７１２と第１位置決め部材７１３および第１位置決め部材７１４とは、第１方向ｘに互いに離隔している。また、第１位置決め部材７１１および第１位置決め部材７１３と第１位置決め部材７１２および第１位置決め部材７１４とは、第２方向ｙに互いに離隔している。図示された例においては、複数の第１位置決め部材７１は、いずれも第１方向ｘに沿った形状である。
　複数の第２位置決め部材７２は、図１０～図１３に示すように、第１主面電極２１２上に配置されており、厚さ方向ｚに視て第４導通部材１４の接続部１４１に隣接している。複数の第２位置決め部材７２の厚さ方向ｚの大きさは、第１主面電極２１２と接続部１４１との距離よりも大きい。第２位置決め部材７２の厚さ方向ｚの大きさと第１主面電極２１２と接続部１４１との距離との差は、たとえば１００μｍ以上３００μｍ以下である。図示された例においては、複数の第２位置決め部材７２は、導電接合層２９２と接しているが、複数の第２位置決め部材７２は、導電接合層２９２と必ずしも接していなくてもよい。
　第２位置決め部材７２の具体的構成は何ら限定されない。第２位置決め部材７２は、導電性材料からなることが好ましい。第２位置決め部材７２は、主成分として金属を含み、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等を含む。本実施形態においては、第２位置決め部材７２は、ワイヤ片によって構成されている。第２位置決め部材７２は、第１ワイヤ４１および第２ワイヤ４２と同じ成分からなるものであってもよい。第２位置決め部材７２は、たとえば第１位置決め部材７１に用いられたワイヤ材料よりも、線径が大きいワイヤ材料の一部によって構成されている。
　複数の第２位置決め部材７２の個数は、何ら限定されない。図示された例においては、半導体装置Ａ１０は、６つの第２位置決め部材７２を備えている。説明の便宜として、６つの第２位置決め部材７２を、第２位置決め部材７２１、７２２，７２３，７２４，７２５，７２６として区別する。
　第２位置決め部材７２１および第２位置決め部材７２３と第２位置決め部材７２２および第２位置決め部材７２４とは、接続部１４１を挟んで第２方向ｙに互いに離隔している。また、第２位置決め部材７２５と第２位置決め部材７２６とは、接続部１４１を挟んで第１方向ｘに互いに離隔している。
　第２導通部材３２は、図２、図６および図７に示すように、第１部材１２Ａと第２部材１２Ｂとの間を跨ぐととともに、厚さ方向ｚにおいて第１部材１２Ａおよび第２部材１２Ｂから離れて位置する。第２導通部材３２の組成は、銅（Ｃｕ）を含む。第２導通部材３２は、第２端子部３２１、複数の接続部３２２、第１連結部３２３および第２連結部３２４を有する。
　図６、図７および図９に示すように、複数の接続部３２２の各々は、複数の第２半導体素子２２のいずれかの第３主面電極２２２に導電接合層２９２を介して導電接合されている。図示された例においては、複数の接続部３２２は、局所的に厚さ方向ｚの寸法が大きい部位を有しており、第１方向ｘに延びた形状である。
　図１４～図１７に示すように、複数の第１位置決め部材７３は、第３主面電極２２２と第２導通部材３２の接続部３２２との間に配置されている。複数の第１位置決め部材７３は、第３主面電極２２２および接続部３２２に接している。厚さ方向ｚに視て、複数の第１位置決め部材７３は、接続部３２２に重なっている。
　第１位置決め部材７３の具体的構成は何ら限定されない。第１位置決め部材７３は、導電性材料からなることが好ましい。第１位置決め部材７３は、主成分として金属を含み、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等を含む。本実施形態においては、第１位置決め部材７３は、ワイヤ片によって構成されている。第１位置決め部材７３は、第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４と同じ成分からなる。第１位置決め部材７３は、第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４と断面積が同じである。第１位置決め部材７３は、たとえば線径が１００μｍ以上５００μｍ以下のワイヤ材料の一部によって構成されており、たとえば線径が１２５μｍまたは１５０μｍのワイヤ材料の一部である。
　複数の第１位置決め部材７３の個数は、何ら限定されない。図示された例においては、半導体装置Ａ１０は、４つの第１位置決め部材７３を備えている。説明の便宜として、４つの第１位置決め部材７３を、第１位置決め部材７３１、７３２，７３３，７３４として区別する。
　第１位置決め部材７３１および第１位置決め部材７３２と第１位置決め部材７３３および第１位置決め部材７３４とは、第１方向ｘに互いに離隔している。また、第１位置決め部材７３１および第１位置決め部材７３３と第１位置決め部材７３２および第１位置決め部材７３４とは、第２方向ｙに互いに離隔している。図示された例においては、複数の第１位置決め部材７３は、いずれも第１方向ｘに沿った形状である。
　複数の第２位置決め部材７４は、図１４～図１７に示すように、第３主面電極２２２上に配置されており、厚さ方向ｚに視て第２導通部材３２の接続部３２２に隣接している。複数の第２位置決め部材７４の厚さ方向ｚの大きさは、第３主面電極２２２と接続部３２２との距離よりも大きい。第２位置決め部材７４の厚さ方向ｚの大きさと第３主面電極２２２と接続部３２２との距離との差は、たとえば１００μｍ以上３００μｍ以下である。図示された例においては、複数の第２位置決め部材７４は、導電接合層２９２と接しているが、複数の第２位置決め部材７４は、導電接合層２９２と必ずしも接していなくてもよい。
　第２位置決め部材７４の具体的構成は何ら限定されない。第２位置決め部材７４は、導電性材料からなることが好ましい。第２位置決め部材７４は、主成分として金属を含み、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等を含む。本実施形態においては、第２位置決め部材７４は、ワイヤ片によって構成されている。第２位置決め部材７４は、第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４と同じ成分からなるものであってもよい。第２位置決め部材７４は、たとえば第１位置決め部材７３に用いられたワイヤ材料よりも、線径が大きいワイヤ材料の一部によって構成されている。
　複数の第２位置決め部材７４の個数は、何ら限定されない。図示された例においては、半導体装置Ａ１０は、６つの第２位置決め部材７４を備えている。説明の便宜として、６つの第２位置決め部材７４を、第２位置決め部材７４１、７４２，７４３，７４４，７４５，７４６として区別する。
　第２位置決め部材７４１および第２位置決め部材７４３と第２位置決め部材７４２および第２位置決め部材７４４とは、接続部３２２を挟んで第２方向ｙに互いに離隔している。また、第２位置決め部材７４５と第２位置決め部材７４６とは、接続部３２２を挟んで第１方向ｘに互いに離隔している。
　図２および図８に示すように、第１連結部３２３は、第２方向ｙに延びている。複数の接続部３２２は、第１連結部３２３につながっている。第２連結部３２４は、第１方向ｘにおいて第１連結部３２３を基準として複数の接続部３２２とは反対側に位置する。第２連結部３２４は、第１連結部３２３につながっている。第２連結部３２４は、第１方向ｘに延びている。厚さ方向ｚに視て、第１連結部３２３および第２連結部３２４は、第１部材１２Ａに重なっている。したがって、厚さ方向ｚに視て、第２導通部材３２は、第１部材１２Ａに重なっている。
　第２端子部３２１は、図２に示すように、第１方向ｘにおいて複数の第１半導体素子２１を基準として複数の第２半導体素子２２とは反対側に位置する。第２端子部３２１は、第２方向ｙにおいて第１端子部３１１から離れて位置する。第２端子部３２１は、厚さ方向ｚにおいて第１部材１２Ａから離れて位置する。第２端子部３２１の組成は、銅を含む。
　図２に示すように、第２端子部３２１は、第２導通部材３２の第２連結部３２４につながっている。したがって、第２導通部材３２は、複数の第２半導体素子２２の第３主面電極２２２に導通している。第２端子部３２１は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＮ端子（負極）である。
　図７に示すように、第２端子部３２１の一部は、封止樹脂５０から外部に露出している。封止樹脂５０から外部に露出する第２端子部３２１の部分には、第２取付け孔３２１Ａが設けられている。第２取付け孔３２１Ａは、厚さ方向ｚに第２端子部３２１を貫通している。
　第３導通部材３３は、図２および図３に示すように、第１方向ｘにおいて複数の第１半導体素子２１を基準として第１導通部材３１、および第２導通部材３２の第２端子部３２１とは反対側に位置する。図６に示すように、第３導通部材３３は、第３端子部３３１および第２枕材３３２を有する。第３端子部３３１は、第２枕材３３２を介して第２部材１２Ｂの第２主面１２１Ｂに導電接合されている。したがって、第３端子部３３１は、厚さ方向ｚにおいて第２部材１２Ｂから離れて位置する。第３端子部３３１の組成は、銅を含む。
　第３導通部材３３は、第２部材１２Ｂに導通している。さらに第３導通部材３３は、第２部材１２Ｂを介して複数の第２半導体素子２２の第２裏面電極２２１に導通している。複数の第１半導体素子２１、および複数の第２半導体素子２２により変換された交流電力は、第３端子部３３１から出力される。
　図６に示すように、第３端子部３３１の一部は、封止樹脂５０から外部に露出している。封止樹脂５０から外部に露出する第３端子部３３１の部分には、第３取付け孔３３１Ａが設けられている。第３取付け孔３３１Ａは、厚さ方向ｚに第３端子部３３１を貫通している。
　封止樹脂５０は、図６～図９に示すように、２つの導電部材１２、第１配線１５、第２配線１６、複数の第１半導体素子２１、複数の第２半導体素子２２を覆っている。さらに封止樹脂５０は、第１導通部材３１、第２導通部材３２、第３導通部材３３、第１ゲート端子１７１、第２ゲート端子１７２、第１検出端子１８１、第２検出端子１８２、および複数のダミー端子１９の各々の一部を覆っている。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。図５に示すように、封止樹脂５０は、頂面５１、底面５２、２つの第１側面５３、および２つの第２側面５４を有する。
　図６～図９に示すように、頂面５１は、厚さ方向ｚにおいて第１部材１２Ａの第１主面１２１Ａと同じ側を向く。底面５２は、厚さ方向ｚにおいて頂面５１とは反対側を向く。図４に示すように、底面５２から支持部材１０の放熱層１０３の一部が露出している。
　図６および図７に示すように、２つの第１側面５３は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置し、かつ頂面５１および底面５２につながっている。２つの第１側面５３のうち一方の第１側面５３から、第１導通部材３１の第１端子部３１１と、第２導通部材３２の第２端子部３２１との各々の一部が外部に露出している。２つの第１側面５３のうち他方の第１側面５３から、第３導通部材３３の第３端子部３３１の一部が外部に露出している。図８および図９に示すように、２つの第２側面５４は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置し、かつ頂面５１および底面５２につながっている。２つの第２側面５４のうち一方の第２側面５４から、第１ゲート端子１７１、第２ゲート端子１７２、第１検出端子１８１、第２検出端子１８２、および複数のダミー端子１９の各々の一部が外部に露出している。
　次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について、図１８～図２２を参照しつつ、以下に説明する。これらの図においては、第１半導体素子２１、第１ワイヤ４１、複数の第１位置決め部材７１および第４導通部材１４が用いられた箇所について主に説明するが、第１位置決め部材７１についての製造工程は、たとえば第２位置決め部材７２についても同様に適用可能である。
　まず、図１８に示すように、第１主面１２１Ａに第１半導体素子２１を搭載する。次いで、ワイヤ材料４０を第１主面電極２１２に接合する。ワイヤ材料４０の接合は、たとえばウエッジツールＷｇを用いる。ワイヤ材料４０の一部を、ウエッジツールＷｇによって第１主面電極２１２に押し付ける。次いで、ウエッジツールＷｇを移動させ、カッティングツールＣｔによってワイヤ材料４０を切断する。これにより、図１９に示すように、第２ワイヤ４２が形成される。
　次いで、ワイヤ材料４０を用いて、複数の第１位置決め部材７１を形成する。ワイヤ材料４０の一部を、第１位置決め部材７１が形成されるべき位置に押し付けた後に、カッティングツールＣｔによってワイヤ材料４０を切断する。これにより、図２０に示すように、所定の位置に複数の第１位置決め部材７１が形成される。なお、図１３に示す第１位置決め部材７１の断面形状は、ワイヤ材料４０がウエッジツールＷｇによって押圧されることによって形作られたものである。また、ワイヤ材料４０よりも線径が太いワイヤ材料を用いて、複数の第１位置決め部材７１と同様の手順により複数の第２位置決め部材７２を形成する。
　次いで、図２１に示すように、第１主面電極２１２に導電性接合材２９０を塗布する。導電性接合材２９０は、たとえばはんだペーストである。次いで、図２２に示すように、第４導通部材１４の接続部１４１を導電性接合材２９０に付着させる。本実施形態においては、接続部１４１を厚さ方向ｚにおいて第１半導体素子２１に接近させ、接続部１４１と複数の第１位置決め部材７１とを接触させる。この後は、たとえばリフロー炉等を用いて、導電性接合材２９０を硬化させ、導電接合層２９１，２９２を形成する。そして、封止樹脂５０を形成する等により、半導体装置Ａ１０が得られる。
　次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
　本実施形態によれば、図１０～図１４に示すように、第１主面電極２１２と接続部１４１との間に、第１位置決め部材７１が介在している。第１位置決め部材７１は、第１主面電極２１２および接続部１４１と接している。これにより、第１主面電極２１２に対して接続部１４１が不当に近づいたり、離れたり、傾いたりすることを抑制可能である。したがって、導電接合層２９２の厚さをより均一化することが可能である。
　半導体装置Ａ１０は、複数の第１位置決め部材７１を備える。これにより、導電接合層２９２の厚さをより確実に均一化することができる。
　第１位置決め部材７１１および第１位置決め部材７１２と第１位置決め部材７１３および第１位置決め部材７１４とは、第１方向ｘに互いに離隔している。これにより、接続部１４１（第４導通部材１４）が第２方向ｙに延びる軸周りに傾くことをより確実に抑制することができる。
　第１位置決め部材７１１および第１位置決め部材７１３と第１位置決め部材７１２および第１位置決め部材７１４とは、第２方向ｙに互いに離隔している。これにより、接続部１４１（第４導通部材１４）が第１方向ｘに延びる軸周りに傾くことをより確実に抑制することができる。
　複数の第１位置決め部材７１は、金属を主成分とする。これにより、第１主面電極２１２と第４導通部材１４との間の電気抵抗の低下を回避することができる。
　複数の第１位置決め部材７１は、ワイヤ片からなる。これにより、ウエッジツールＷｇ等を用いて複数の第１位置決め部材７１を形成することができる。図１８および図１９に示すように、第２ワイヤ４２等を形成するためのワイヤ材料４０を用いて複数の第１位置決め部材７１を形成することは、半導体装置Ａ１０の製造効率の向上に好ましい。
　以上に述べた効果は、複数の第１位置決め部材７３についても同様である。
　また、複数の第２位置決め部材７２が、接続部１４１に隣接して配置されている。複数の第１位置決め部材７１および第２位置決め部材７２を形成した後に第４導通部材１４を載置することにより、第４導通部材１４の第１方向ｘおよび第２方向ｙにおける位置をより正確に規定することができる。
　図１０に示すように、第２位置決め部材７２１および第２位置決め部材７２３と第２位置決め部材７２２および第２位置決め部材７２４とは、接続部１４１を挟んで第２方向ｙに離隔している。これにより、接続部１４１の第２方向ｙにおける位置をより正確に規定することができる。
　また、第２位置決め部材７２５と第２位置決め部材７２６とは、接続部１４１を挟んで第１方向ｘに離隔している。これにより、接続部１４１の第１方向ｘにおける位置をより正確に規定することができる。
　複数の第２位置決め部材７２がワイヤ片からなる場合、ウエッジツールＷｇ等を用いて複数の第２位置決め部材７２を形成することができる。
　以上に述べた複数の第２位置決め部材７２についての効果は、複数の第２位置決め部材７４についても同様である。
　また、本実施形態のように、第２導通部材３２が複数の接続部３２２を有する場合、いずれかの接続部３２２の第１方向ｘの一方側に第２位置決め部材７４を配置し、他の接続部３２２の第１方向ｘの他方側に第２位置決め部材７４を配置することにより、第２導通部材３２全体の第１方向ｘにおける位置を規定することが可能である。
　第１実施形態　第１変形例：
　図２３は、半導体装置Ａ１０の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１は、複数の第１位置決め部材７１の具体的構成が、半導体装置Ａ１０の複数の第１位置決め部材７１と異なっている。
　本変形例においては、複数の第１位置決め部材７１は、第２方向ｙに沿った形状である。このような形状の複数の第１位置決め部材７１は、図１８および図１９に示すウエッジツールＷｇの向きを設定することにより形成することが可能である。
　本変形例によっても、導電接合層２９２の厚さをより均一化することができる。また、本変形例から理解されるように、複数の第１位置決め部材７１の具体的な形状は、何ら限定されず、複数の第１位置決め部材７３についても同様である。
　第１実施形態　第２変形例：
　図２４は、半導体装置Ａ１０の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２は、複数の第１位置決め部材７１の個数および配置が、半導体装置Ａ１０の複数の第１位置決め部材７１と異なっている。
　本変形例においては、複数の第１位置決め部材７１の個数は、３個である。第１位置決め部材７１１と第１位置決め部材７１２とが、第２方向ｙに互いに離隔して配置されている。第１位置決め部材７１３は、第１位置決め部材７１１および第１位置決め部材７１２と第１方向ｘに離隔している。第２方向ｙにおいて、第１位置決め部材７１３は、第１位置決め部材７１１と第１位置決め部材７１２との間に位置する。
　本変形例によっても、導電接合層２９２の厚さをより均一化することができる。また、本変形例から理解されるように、第１位置決め部材７１の個数は、何ら限定されず、複数の第１位置決め部材７３についても同様である。３つの第１位置決め部材７１を用いることにより、接続部１４１を３点で支持することが可能である。これにより、導電接合層２９２の厚さの均一化を図ることができる。
　第１実施形態　第３変形例：
　図２５は、半導体装置Ａ１０の第３変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１３は、複数の第２位置決め部材７２の個数および配置が、半導体装置Ａ１０の複数の第２位置決め部材７２と異なっている。
　本変形例においては、複数の第２位置決め部材７２の個数は、４個である。第２位置決め部材７２１および第２位置決め部材７２２は、接続部１４１を挟んで第２方向ｙに離隔している。
　本変形例によっても、導電接合層２９２の厚さをより均一化することができる。また、第２位置決め部材７２１および第２位置決め部材７２２によって、接続部１４１の第２方向ｙにおける位置をより正確に規定することが可能である。本変形例から理解されるように、第２位置決め部材７２の個数は、何ら限定されず、第２位置決め部材７４についても同様である。
　第１実施形態　第４変形例：
　図２６は、半導体装置Ａ１０の第４変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１４は、複数の第２位置決め部材７２の具体的構成が、半導体装置Ａ１０の複数の第２位置決め部材７２と異なっている。
　本変形例においては、第２位置決め部材７２は、第１部７２１１および第２部７２１２を含む。第１部７２１１は、第１主面電極２１２に接している。第２部７２１２は、第１部７２１１上に配置されている。第１部７２１１および第２部７２１２は、たとえば第１位置決め部材７１の形成に用いられたワイヤ材料４０の一部によって形成されている。このため、たとえば、第１位置決め部材７１の断面積と、第１部７２１１の断面積および第２部７２１２の断面積は、同じである。
　本変形例によっても、導電接合層２９２の厚さをより均一化することができる。また、第１位置決め部材７１と第２位置決め部材７２とを同じワイヤ材料４０を用いて形成することが可能である。これにより、半導体装置Ａ１４の製造効率を高めることができる。
　第２実施形態：
　図２７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２０は、第４導通部材１４の構成が上述した実施形態と異なっている。
　本変形例の第４導通部材１４は、たとえば板厚が一定である金属板材料を部分的に屈曲させることにより形成されている。接続部１４１は、隣接する部位よりも厚さ方向ｚにおいて第１主面電極２１２に近い位置にある。
　本実施形態によっても、導電接合層２９２の厚さをより均一化することができる。また、本実施形態から理解されるように、第４導通部材１４の具体的構成は何ら限定されず、第２導通部材３２も同様である。
　第３実施形態：
　図２７は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ３０は、上述の複数の第２位置決め部材７２を備えていない。このような実施形態によっても、導電接合層２９２の厚さをより均一化することができる。
　本開示に係る半導体装置および半導体装置の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置および半導体装置の製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　第１主面電極を有する半導体素子と、
　導通部材と、
　前記第１主面電極と前記導通部材とを導通接合する導電接合層と、
　前記第１主面電極と前記導通部材との間に配置され、且つ前記第１主面電極および前記導通部材に接する第１位置決め部材と、を備える、半導体装置。
　付記２．
　前記第１位置決め部材は、前記導電接合層に接する、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記第１位置決め部材は、金属を主成分とする、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記第１位置決め部材は、ワイヤ片である、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　複数の前記第１位置決め部材を備える、付記１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記６．
　前記複数の第１位置決め部材は、前記半導体素子の厚さ方向と直交する第１方向に互いに離隔した２つの前記第１位置決め部材を含む、付記５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記複数の第１位置決め部材は、前記厚さ方向および前記第１方向と直交する第２方向に互いに離隔した２つの前記第１位置決め部材を含む、付記６に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記第１主面電極と同じ側に配置された第２主面電極と、
　前記第２主面電極に接合された第１ワイヤをさらに有する、付記６に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第１位置決め部材と前記第１ワイヤとは、同じ成分からなる、付記８に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第１位置決め部材と前記第１ワイヤとは、断面積が同じである、付記９に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記半導体素子に導通する第２ワイヤをさらに有する、付記８ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第１位置決め部材と前記第２ワイヤとは、同じ成分からなる、付記１１に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記第１位置決め部材と前記第２ワイヤとは、断面積が同じである、付記１２に記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記第１主面電極は、ソース電極であり、
　前記第２主面電極は、ゲート電極である、付記８ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記第１主面電極上に配置され、且つ、前記半導体素子の厚さ方向に視て前記導通部材と隣接するとともに、前記厚さ方向の大きさが、前記第１主面電極と前記導通部材との距離よりも大きい、第２位置決め部材をさらに備える、付記１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記第２位置決め部材は、ワイヤ片である、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　複数の前記第２位置決め部材を備える、付記１５または１６に記載の半導体装置。
　付記１８．
　半導体素子の第１主面電極にワイヤ材料の一部を配置することにより、第１位置決め部材を形成する工程と、
　前記第１主面電極上に導電接合材を配置する工程と、
　前記第１位置決め部材および前記導電接合材に導通部材を接触させる工程と、
　前記導電接合材を硬化させることにより、前記第１主面電極と前記導通部材とを導通接合する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４，Ａ２０，Ａ３０：半導体装置
１０：支持部材　　　　１１：絶縁部材
１２：導電部材　　　　１２Ａ：第１部材
１２Ｂ：第２部材　　　　１３：放熱部材
１４：第４導通部材　　　　１５：第１配線
１６：第２配線　　　　１９：ダミー端子
２１：第１半導体素子　　　　２２：第２半導体素子
３１：第１導通部材　　　　３２：第２導通部材
３３：第３導通部材　　　　４０：ワイヤ材料
４１：第１ワイヤ　　　　４２：第２ワイヤ
４３：第３ワイヤ　　　　４４：第４ワイヤ
４５：第５ワイヤ　　　　５０：封止樹脂
５１：頂面　　　　５２：底面
５３：第１側面　　　　５４：第２側面
７１，７１１～７１４，７３，７３１～７３４：第１位置決め部材
７２，７２１～７２６，７４，７４１～７４６：第２位置決め部材
１０３：放熱層　　　　１２０Ａ：第１層
１２０Ｂ：第２層　　　　１２０Ｃ：接合層
１２１：主面　　　　１２１Ａ：第１主面
１２１Ｂ：第２主面　　　　１２２：裏面
１２３：第１端面　　　　１３１：端面
１４１：接続部　　　　１５１：第１絶縁層
１５２：第１ゲート配線　　　　１５３：第１検出配線
１５４：第１支持層　　　　１６１：第２絶縁層
１６２：第２ゲート配線　　　　１６３：第２検出配線
１６４：第２支持層　　　　１７１：第１ゲート端子
１７２：第２ゲート端子　　　　１８１：第１検出端子
１８２：第２検出端子　　　　２１１：第１裏面電極
２１２：第１主面電極　　　　２１３：第２主面電極
２２１：第２裏面電極　　　　２２２：第３主面電極
２２３：第４主面電極　　　　２９０：導電性接合材
２９１：導電接合層　　　　２９２：導電接合層
３１１：第１端子部　　　　３１１Ａ：第１取付け孔
３１２：第１枕材　　　　３２１：第２端子部
３２１Ａ：第２取付け孔　　　　３２２：接続部
３２３：第１連結部　　　　３２４：第２連結部
３３１：第３端子部　　　　３３１Ａ：第３取付け孔
３３２：第２枕材　　　　７２１１：第１部
７２１２：第２部　　　　Ｃｔ：カッティングツール
Ｗｇ：ウエッジツール　　　　ｘ：第１方向
ｙ：第２方向　　　　ｚ：厚さ方向

Claims (18)

  1. 　第１主面電極を有する半導体素子と、
    　導通部材と、
    　前記第１主面電極と前記導通部材とを導通接合する導電接合層と、
    　前記第１主面電極と前記導通部材との間に配置され、且つ前記第１主面電極および前記導通部材に接する第１位置決め部材と、を備える、半導体装置。
  2. 　前記第１位置決め部材は、前記導電接合層に接する、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１位置決め部材は、金属を主成分とする、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第１位置決め部材は、ワイヤ片である、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　複数の前記第１位置決め部材を備える、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 　前記複数の第１位置決め部材は、前記半導体素子の厚さ方向と直交する第１方向に互いに離隔した２つの前記第１位置決め部材を含む、請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記複数の第１位置決め部材は、前記厚さ方向および前記第１方向と直交する第２方向に互いに離隔した２つの前記第１位置決め部材を含む、請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記第１主面電極と同じ側に配置された第２主面電極と、
    　前記第２主面電極に接合された第１ワイヤをさらに有する、請求項６に記載の半導体装置。
  9. 　前記第１位置決め部材と前記第１ワイヤとは、同じ成分からなる、請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記第１位置決め部材と前記第１ワイヤとは、断面積が同じである、請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　前記半導体素子に導通する第２ワイヤをさらに有する、請求項８ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　前記第１位置決め部材と前記第２ワイヤとは、同じ成分からなる、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記第１位置決め部材と前記第２ワイヤとは、断面積が同じである、請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記第１主面電極は、ソース電極であり、
    　前記第２主面電極は、ゲート電極である、請求項８ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
  15. 　前記第１主面電極上に配置され、且つ、前記半導体素子の厚さ方向に視て前記導通部材と隣接するとともに、前記厚さ方向の大きさが、前記第１主面電極と前記導通部材との距離よりも大きい、第２位置決め部材をさらに備える、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
  16. 　前記第２位置決め部材は、ワイヤ片である、請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 　複数の前記第２位置決め部材を備える、請求項１５または１６に記載の半導体装置。
  18. 　半導体素子の第１主面電極にワイヤ材料の一部を配置することにより、第１位置決め部材を形成する工程と、
    　前記第１主面電極上に導電接合材を配置する工程と、
    　前記第１位置決め部材および前記導電接合材に導通部材を接触させる工程と、
    　前記導電接合材を硬化させることにより、前記第１主面電極と前記導通部材とを導通接合する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
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