WO2024043231A1 - フラックス及び電子部品の製造方法 - Google Patents

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WO2024043231A1
WO2024043231A1 PCT/JP2023/030134 JP2023030134W WO2024043231A1 WO 2024043231 A1 WO2024043231 A1 WO 2024043231A1 JP 2023030134 W JP2023030134 W JP 2023030134W WO 2024043231 A1 WO2024043231 A1 WO 2024043231A1
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mass
acid
flux
solvent
less
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PCT/JP2023/030134
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English (en)
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Inventor
知久 川中子
泰弘 梶川
邦昭 佐藤
文香 白川
Original Assignee
千住金属工業株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3601—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with inorganic compounds as principal constituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon

Definitions

  • the present invention relates to flux and a method for manufacturing electronic components.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2022-135236 filed in Japan on August 26, 2022, the contents of which are incorporated herein.
  • Patent Document 1 in order to transfer heat generated by die operation to a heat sink with higher efficiency, a thermal interface material containing a polymer is used between the die and a lid equipped with a heat sink. It has been proposed to sandwich and use an interface material (TIM).
  • TIM interface material
  • an indium alloy sheet a sheet with an increased indium content
  • an indium alloy sheet for example, an alloy containing 90% by mass of In and 10% by mass of Ag is used.
  • Indium has lower hardness than other metal elements, and the indium alloy sheet has high conformability and high adhesion to the surfaces of the die and lid. Therefore, the indium alloy sheet has a high heat transfer efficiency from the die to the lid with the heat sink.
  • the indium alloy sheet it is possible to increase the efficiency of heat dissipation due to die operation.
  • the indium alloy sheet containing Ag has higher thermal conductivity than the indium sheet made only of indium, it is possible to further improve the heat dissipation efficiency.
  • a lid equipped with a heat sink and a die are joined by primary reflow using an indium alloy sheet whose surface is coated with flux to obtain a semiconductor package. Since indium has a relatively low melting point of 156° C., primary reflow bonding is performed under lower temperature conditions than normal bonding.
  • the flux does not spread over the surface of the indium sheet and accumulates on the joint surface, resulting in voids on the joint surface. May occur in large quantities. These voids reduce the efficiency of heat transfer from the chip to the lid with a heat sink via the indium sheet, and reduce the efficiency of heat dissipation due to die operation.
  • a second reflow is performed to bond the solder balls to the back surface of the semiconductor package.
  • This secondary reflow is performed at a high temperature of, for example, 250° C. in order to melt the solder balls. Since the secondary reflow is at a high temperature, the activator and the like are likely to gasify and form voids.
  • an object of the present invention is to provide a flux that can suppress the generation of voids when performing continuous reflow under different temperature conditions using an indium alloy sheet.
  • the present invention includes the following aspects.
  • [1] Contains a rosin ester, an organic acid (A), and a solvent (S), and the organic acid (A) is heated to 260°C at a heating rate of 10°C/min in thermogravimetry.
  • the solvent (S) contains a dimer acid (A1) having a weight loss rate of 1% by mass or less, and the solvent (S) has a weight loss rate of 99 mass% when heated to 150°C at a heating rate of 6°C/min in thermogravimetry. % or more of a solvent (S1).
  • [6] The flux according to any one of [1] to [5], further containing an azole.
  • [7] The flux according to any one of [1] to [6], wherein the content of the dimer acid (A1) is 10% by mass or more and 60% by mass or less based on the total mass of the flux.
  • [8] The flux according to any one of [1] to [7], wherein the content of the rosin ester is 15% by mass or more and 60% by mass or less based on the total mass of the flux.
  • a method for manufacturing an electronic component including a semiconductor package including the step (i) of obtaining a semiconductor package including a bonded body in which a die and a lid are bonded together via a thermal interface material (TIM); a step (ii) of bonding solder balls to the back of the package to obtain an electronic component;
  • the TIM is a sheet made of an alloy of indium and silver; and the die, or between the TIM and the lid, the flux according to any one of [1] to [8] is interposed between the die and the lid by a reflow method.
  • a method for manufacturing an electronic component including a heating operation (1) for bonding the solder ball and the semiconductor package together, and the step (ii) includes a heating operation (2) for bonding the solder ball and the semiconductor package by a reflow method.
  • the temperature conditions for the heating operation (1) are 150 to 250°C
  • the temperature conditions for the heating operation (2) are 200 to 280°C.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a lid, a TIM, and a die in an embodiment of a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a process of applying flux to a TIM and a die in an embodiment of a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a bonded body obtained by fixing a lid to a substrate using TIM after applying flux in an embodiment of a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an electronic component obtained by bonding solder balls to the back surface of a semiconductor package in an embodiment of a method for manufacturing an electronic component.
  • the flux according to this embodiment contains a rosin ester, an organic acid (A), and a solvent (S).
  • the organic acid (A) includes a dimer acid (A1) whose weight loss rate is 1% by mass or less when heated to 260°C at a temperature increase rate of 10°C/min in thermogravimetry.
  • the solvent (S) includes a solvent (S1) whose weight loss rate when heated to 150° C. at a heating rate of 6° C./min in thermogravimetry is 99% by mass or more.
  • the flux according to this embodiment is suitably used in applications where continuous reflow is performed for mounting indium alloy sheets and joining solder balls.
  • reflow is performed at a low temperature (for example, 170° C.) near the melting point of indium, and the indium alloy sheet is mounted.
  • the solder balls are bonded to the substrate by performing reflow at a high temperature (for example, 250° C.) near the melting point of the solder alloy.
  • the solvent (S1) evaporates during the primary reflow. As a result, when the indium alloy sheet is melted, voids originating from the solvent (S1) are not generated. Further, in the flux according to the present embodiment, the rosin ester and dimer acid (A1) are difficult to volatilize even at high temperatures during secondary reflow, so it is possible to suppress the generation of voids.
  • Rosin ester is an ester resin obtained by reacting a natural resin or a chemically modified natural resin (rosin derivative) with alcohol.
  • the rosin ester may have a hydroxyl group in addition to the carboxyl group.
  • the alcohol include glycerin, pentaerythritol, and the like.
  • the term “natural resin” that can be used as a raw material for rosin ester include gum rosin, wood rosin, and tall oil rosin.
  • the term “natural resin” includes a mixture of abietic acid and its isomers, which is mainly composed of abietic acid.
  • the total content of abietic acid and abietic acid isomers in the natural resin is, for example, 40% by mass or more and 80% by mass or less based on the natural resin.
  • the term “main component” refers to a component whose content in the compound is 40% by mass or more among the components constituting the compound.
  • Typical isomers of abietic acid include neoabietic acid, parastric acid, levopimaric acid, and the like.
  • the structure of abietic acid is shown below.
  • chemically modified natural resins that can be used as raw materials for rosin esters refers to hydrogenation, dehydrogenation, neutralization, alkylene oxide addition, amidation of the "natural resin”. , dimerization, multimerization, and Diels-Alder cycloaddition.
  • rosin derivatives include purified rosin, modified rosin, and the like.
  • modified rosin include hydrogenated rosin, polymerized rosin, polymerized hydrogenated rosin, disproportionated rosin, acid-modified rosin, acid-modified hydrogenated rosin, acid-modified disproportionated rosin, and acid-anhydrous rosin.
  • Modified disproportionated rosin, phenol-modified rosin and ⁇ , ⁇ -unsaturated carboxylic acid modified products (acrylic acid-modified rosin, maleic acid-modified rosin, fumaric acid-modified rosin, etc.), as well as purified products, hydrides and disproportionated products of the polymerized rosin. and purified products, hydrides and disproportionated products of the ⁇ , ⁇ -unsaturated carboxylic acid modified product, rosin alcohol, rosin amine, hydrogenated rosin alcohol, rosin soap, hydrogenated rosin soap, acid-modified rosin soap, etc. .
  • rosin esters are preferred because of their high heat resistance and low weight loss rate.
  • hydrogenated rosin is preferable.
  • Glycerin is preferred as the alcohol that is a raw material for rosin ester.
  • the rosin ester is preferably one obtained by reacting hydrogenated rosin with glycerin.
  • the weight loss rate of the rosin ester when heated to 260°C at a heating rate of 10°C/min in thermogravimetry is preferably 15% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and 8% by mass or less. It is more preferably at most 7.5% by mass, particularly preferably at most 7.5% by mass.
  • the lower the weight loss rate of the rosin ester the more preferable it is.
  • the lower limit of the weight reduction rate of the rosin ester is not particularly limited as long as the effects of the present invention can be achieved, and may be, for example, 0.1% by mass or 0% by mass in terms of measurement. By keeping the weight loss rate of the rosin ester below the above upper limit, it becomes easier to suppress the generation of voids when performing continuous reflow using an indium alloy sheet.
  • the acid value of the rosin ester is preferably 0.01 mgKOH/g or more and 50 mgKOH/g or less, more preferably 0.1 mgKOH/g or more and 30 mgKOH/g or less, and 0.5 mgKOH/g or more and 20 mgKOH/g or less. It is more preferable that it is, and it is especially preferable that it is 2 mgKOH/g or more and 10 mgKOH/g or less.
  • the acid value of the rosin ester is at least the lower limit of the above range, it becomes easier to increase the activity of the flux.
  • the acid value of the rosin ester is less than or equal to the upper limit within the above range, it becomes easier to improve solder meltability and wettability.
  • the acid value means the number of milligrams of potassium hydroxide required to neutralize the carboxyl groups of 1 g of the sample to be measured.
  • the acid value of rosin ester is measured, for example, according to 3.1 Neutralization titration method of JIS K 0070 "Testing methods for acid value, saponification value, ester value, iodine value, hydroxyl value, and unsaponifiable substances of chemical products" be able to.
  • the acid value measured by this method is the weighted average of the acid values of all types of rosin esters contained in the flux.
  • the softening point of the rosin ester is preferably 85°C or more and 110°C or less, more preferably 90°C or more and 105°C or less, and even more preferably 90°C or more and 100°C or less.
  • the softening point of the rosin ester is equal to or higher than the lower limit within the above range, the heat resistance of the rosin ester can be easily improved.
  • the softening point of the rosin ester is below the upper limit within the above range, it becomes easier to increase the fluidity of the flux when melting the solder.
  • the softening point of rosin ester can be measured by the ring and ball method.
  • Examples of the ring and ball method include the method described in JIS K 5902.
  • rosin ester may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the content of rosin ester in the flux is preferably 10% by mass or more and 70% by mass or less, and 15% by mass or more and 60% by mass or less, based on the total mass (100% by mass) of the flux. is more preferable.
  • Organic acid (A) contained in the flux according to this embodiment contains dimer acid (A1).
  • the organic acid (A) contained in the flux according to the present embodiment may contain other organic acids in addition to the dimer acid (A1).
  • the dimer acid (A1) has a weight loss rate of 1% by mass or less, preferably 0.8% by mass or less, when heated to 260°C at a temperature increase rate of 10°C/min in thermogravimetry. It is more preferably at most .6% by mass, even more preferably at most 0.4% by mass, particularly preferably at most 0.3% by mass, and most preferably at most 0.2% by mass. .
  • the lower the weight loss rate of dimer acid (A1) the better.
  • the lower limit of the weight loss rate of dimer acid (A1) is not particularly limited as long as the effects of the present invention are achieved, and may be, for example, 0.01% by mass, or 0% by mass when measured. Good too.
  • Dimer acid (A1) has a dibasic acid obtained by dimerization of unsaturated fatty acids as a main component.
  • the dimer acid (A1) includes a hydrogenated dimer acid obtained by hydrogenating a dibasic acid obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid.
  • the unsaturated fatty acid that is the raw material for dimer acid (A1) preferably has 18 carbon atoms.
  • the dibasic acid, which is the main component of the dimer acid (A1), preferably has 36 carbon atoms and is at least one type selected from the group consisting of dimers bonded to unsaturated fatty acids having 18 carbon atoms. is more preferable.
  • Examples of unsaturated fatty acids that are raw materials for dimer acid (A1) include oleic acid, linoleic acid, vaccenic acid, elaidic acid, linolenic acid, acrylic acid, and methacrylic acid.
  • the unsaturated fatty acid that is the raw material for dimer acid (A1) is preferably one or more selected from the group consisting of oleic acid, linoleic acid, vaccenic acid, and elaidic acid, and preferably selected from the group consisting of oleic acid and linoleic acid. It is more preferable that one or more types of One type of dimer acid (A1) may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the dimer acid (A1) may have an unsaturated hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, etc.
  • the degree of unsaturation of the dimer acid (A1) may be a value as shown below.
  • the degree of unsaturation of dimer acid (A1) is expressed as ⁇ (2m+2)-n ⁇ /2, where m is the number of carbon atoms and n is the number of hydrogen atoms in the molecule of dimer acid (A1). is the value to be used.
  • the dibasic acid that is the main component of dimer acid (A1) has two carboxy groups. The degree of unsaturation of this dibasic acid is 2 or more.
  • the degree of unsaturation of the dimer acid (A1) is preferably 2 or more and 20 or less, more preferably 2 or more and 15 or less, even more preferably 2 or more and 10 or less, particularly preferably 2 or more and 8 or less.
  • the degree of unsaturation which is the weighted average of those degrees of unsaturation, is preferably 2 or more and 10 or less, and 2 or more and 8 or less. It is more preferably 2 or more and 6 or less, particularly preferably 2.5 or more and 4.5 or less, and most preferably 3 or more and 4 or less.
  • dimer acid (A1) may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the content of dimer acid (A1) is preferably 5% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, based on the total mass (100% by mass) of the flux.
  • the content is preferably 15% by mass or more and 60% by mass or less.
  • the total content of the dimer acid having 36 carbon atoms is preferably 70% by mass or more and 100% by mass or less, and 80% by mass or more and 100% by mass, based on the total mass (100% by mass) of the dimer acid (A1).
  • the content is more preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, particularly preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and 98% by mass or more and 100% by mass or less. Most preferably, it may be measured at 100% by mass.
  • each dimer acid can be analyzed using a liquid chromatography/Fourier transform mass spectrometer.
  • the ratio of the peak area derived from each dimer acid having 36 carbon atoms to the total peak area (100%) derived from all molecules contained in dimer acid (A1) is within the following range. It is preferable that it be within.
  • the peak area derived from a dimer acid with an unsaturation degree of 2 is preferably 5% or more and 50% or less, more preferably 15% or more and 40% or less, and even more preferably 20% or more and 30% or less. preferable.
  • the peak area ratio of the dimer acid with an unsaturation degree of 3 is preferably 10% or more and 70% or less, more preferably 20% or more and 60% or less, and even more preferably 30% or more and 50% or less. preferable.
  • the peak area ratio of the dimer acid with an unsaturation degree of 4 is preferably 2% or more and 30% or less, more preferably 3% or more and 20% or less, and even more preferably 5% or more and 15% or less. preferable.
  • the peak area ratio of dimer acid with an unsaturation degree of 5 is preferably 0.1% or more and 15% or less, more preferably 0.5% or more and 10% or less, and 1% or more and 5% or less. It is even more preferable that there be.
  • the peak area ratio of the dimer acid with an unsaturation degree of 6 is preferably 1% or more and 30% or less, more preferably 2% or more and 20% or less, and even more preferably 3% or more and 15% or less. preferable.
  • the peak area ratio of the dimer acid with an unsaturation degree of 7 is preferably 2% or more and 30% or less, more preferably 3% or more and 20% or less, and even more preferably 5% or more and 15% or less. preferable.
  • the peak area ratio of dimer acid with an unsaturation degree of 8 is preferably 0.1% or more and 15% or less, more preferably 0.5% or more and 10% or less, and 1% or more and 5% or less. It is even more preferable that there be.
  • the content of the 36-carbon dimer acids is based on the total mass (100% by mass) of the dimer acid (A1). It is preferably within the following range.
  • the content of the dimer acid with an unsaturation degree of 2 is preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less, more preferably 15% by mass or more and 40% by mass or less, and 20% by mass or more and 30% by mass or less. It is even more preferable that there be.
  • the content of the dimer acid with an unsaturation degree of 3 is preferably 10% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 20% by mass or more and 60% by mass or less, and 30% by mass or more and 50% by mass or less.
  • the content of the dimer acid with an unsaturation degree of 4 is preferably 2% by mass or more and 30% by mass or less, more preferably 3% by mass or more and 20% by mass or less, and 5% by mass or more and 15% by mass or less. It is even more preferable that there be.
  • the content of dimer acid with an unsaturation degree of 5 is preferably 0.1% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less, and 1% by mass or more and 5% by mass or less. It is more preferably less than % by mass.
  • the content of the dimer acid with an unsaturation degree of 6 is preferably 1% by mass or more and 30% by mass or less, more preferably 2% by mass or more and 20% by mass or less, and 3% by mass or more and 15% by mass or less. It is even more preferable that there be.
  • the content of dimer acid with an unsaturation degree of 7 is preferably 2% by mass or more and 30% by mass or less, more preferably 3% by mass or more and 20% by mass or less, and 5% by mass or more and 15% by mass or less. It is even more preferable that there be.
  • the content of dimer acid with an unsaturation degree of 8 is preferably 0.1% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less, and 1% by mass or more and 5% by mass or less. It is more preferably less than % by mass.
  • Examples of other organic acids include carboxylic acids and organic sulfonic acids.
  • Examples of carboxylic acids include aliphatic carboxylic acids and aromatic carboxylic acids.
  • Examples of aliphatic carboxylic acids include aliphatic monocarboxylic acids and aliphatic dicarboxylic acids.
  • Examples of aliphatic monocarboxylic acids include caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, pelargonic acid, isoperargonic acid, capric acid, caproleic acid, lauric acid (dodecanoic acid), undecanoic acid, lindelic acid, tridecanoic acid, and myristolein.
  • Acid pentadecanoic acid, palmitic acid, isopalmitic acid, palmitoleic acid, hyragonic acid, hydronocarpic acid, margaric acid, isostearic acid, elaidic acid, petroselic acid, moroctic acid, eleostearic acid, tarylic acid, vaccenic acid, riminoleic acid, Examples include vernolic acid, sterculic acid, nonadecanoic acid, eicosanoic acid, stearic acid, 12-hydroxystearic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, myristic acid, and the like.
  • aliphatic dicarboxylic acids examples include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, dodecanedioic acid, eicosandioic acid, tartaric acid, 2,4- Diethylglutaric acid, diglycolic acid, 2-methylnonanedioic acid, 4-(methoxycarbonyl)-2,4-dimethylundecanedioic acid, and 4,6-bis(methoxycarbonyl)-2,4,6-trimethyltri Examples include decanedioic acid and 8,9-bis(methoxycarbonyl)-8,9-dimethylhexadecanedioic acid.
  • aromatic carboxylic acids examples include salicylic acid, dibutylaniline diglycolic acid, terephthalic acid, parahydroxyphenylacetic acid, phenylsuccinic acid, phthalic acid, benzoic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2-quinolinecarboxylic acid, -Hydroxybenzoic acid, p-anisic acid, picolinic acid, dipicolinic acid, 3-hydroxypicolinic acid and the like.
  • carboxylic acid examples include tris(2-carboxyethyl) isocyanurate, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, and the like.
  • hydroxycarboxylic acids examples include 2,2-bis(hydroxymethyl)propionic acid, 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid, citric acid, isocitric acid, malic acid, tartaric acid, etc. -bis(hydroxymethyl)propionic acid is preferred.
  • carboxylic acids include other dimer acids (excluding dimer acid (A1)).
  • dimer acids include dimer acid (A1)) include hydrogenated dimer acids (excluding dimer acid (A1)).
  • dimer acids have a weight loss rate of more than 1% by mass when heated to 260°C at a heating rate of 10°C/min in thermogravimetry.
  • Other raw materials for dimer acid include those mentioned above for dimer acid (A1).
  • carboxylic acids include trimer acids.
  • the main component of trimer acid is tribasic acid obtained by trimerization of unsaturated fatty acids.
  • Trimer acids include hydrogenated trimer acids. Examples of raw materials for trimer acid include those mentioned above for dimer acid (A1).
  • organic sulfonic acids include aliphatic sulfonic acids, aromatic sulfonic acids, and the like.
  • aliphatic sulfonic acids include alkanesulfonic acids and alkanolsulfonic acids.
  • organic acids may be used alone or in combination of two or more.
  • Other organic acids are preferably carboxylic acids, and preferably one or more selected from the group consisting of aliphatic monocarboxylic acids and aliphatic dicarboxylic acids.
  • the content of the other organic acids is preferably more than 0% by mass and not more than 10% by mass, and more than 0% by mass and not more than 5% by mass, based on the total mass of the flux. It is more preferable that the amount is more than 0% by mass and not more than 1.5% by mass, and particularly preferably more than 0% by mass and not more than 1% by mass.
  • the content of other organic acids is at most the upper limit within the above range, it becomes easier to suppress the generation of voids when continuous reflow is performed using the indium alloy sheet.
  • the content of dimer acid (A1) is preferably 75% by mass or more, more preferably 75% by mass or more and 100% by mass or less, and 85% by mass or more and 100% by mass or less, based on the total mass of the organic acid (A). is more preferable, and particularly preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less.
  • the content of dimer acid (A1) is at least the lower limit within the above range, it becomes easier to suppress the generation of voids when continuous reflow is performed using an indium alloy sheet.
  • the solvent (S) contained in the flux according to this embodiment includes a solvent (S1).
  • the solvent (S) may include a solvent (S2) in addition to the solvent (S1).
  • the solvent (S1) has a weight loss rate of 99% by mass or more when heated to 150°C at a heating rate of 6°C/min in thermogravimetry.
  • the upper limit of the weight reduction rate of the solvent (S1) is not particularly limited as long as the effects of the present invention can be achieved, and may be, for example, 100% by mass.
  • Examples of the solvent (S1) include 3-methoxybutyl acetate, 2-methyl-2,4-pentanediol (hexylene glycol), 2-propanol, 1,2-butanediol, 2,3-butanediol, 2 , 3-dimethyl-2,3-butanediol, 2-methylpentane-2,4-diol, 1-ethynyl-1-cyclohexanol, 1,4-cyclohexanediol, ethylene glycol monobutyl ether (butyl glycol), etc. and at least one selected from the group consisting of 3-methoxybutyl acetate and 2-methyl-2,4-pentanediol (hexylene glycol).
  • the boiling point of the solvent (S1) is preferably 200°C or less, more preferably 150°C or more and 200°C or less, and even more preferably 170°C or more and 200°C or less.
  • boiling point refers to the temperature of a liquid at which the saturated vapor pressure of the liquid is equal to 1 atmosphere (ie, 1013 hPa).
  • the solvent (S1) may be used alone or in combination of two or more.
  • the total content of the solvent (S1) is preferably 10% by mass or more and 90% by mass or less, more preferably 15% by mass or more and 85% by mass or less, based on the total mass (100% by mass) of the flux.
  • the content is preferably 20% by mass or more and 75% by mass or less.
  • the solvent (S2) has a weight loss rate of less than 99% by mass when heated to 150°C at a heating rate of 6°C/min in thermogravimetry.
  • the lower limit of the weight reduction rate of the solvent (S2) is not particularly limited as long as the effects of the present invention can be achieved, and may be, for example, 10% by mass.
  • the boiling point of the solvent (S2) is preferably higher than 200°C and lower than 350°C, more preferably higher than 250°C and lower than 350°C, even more preferably higher than 250°C and lower than 330°C.
  • Examples of the solvent (S2) include alcohol solvents, glycol ether solvents, terpineols, and the like.
  • alcohol solvents examples include 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, isobornylcyclohexanol, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propane.
  • Diol 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol, 2,5-dimethyl-3-hexyne-2,5-diol, 1,1,1-tris(hydroxymethyl)propane, 2-ethyl-2- Hydroxymethyl-1,3-propanediol, 2,2'-oxybis(methylene)bis(2-ethyl-1,3-propanediol), 2,2-bis(hydroxymethyl)-1,3-propanediol, 1,2,6-trihydroxyhexane, 1,4-cyclohexanedimethanol, 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol, 2-hexyl-1-decanol octanediol, etc. can be mentioned.
  • Glycol ether solvents include diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol monohexyl ether (hexyl glycol), diethylene glycol monohexyl ether (hexyl diglycol), diethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether , methylpropylene triglycol, triethylene glycol butyl methyl ether, tetraethylene glycol, tetraethylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol-n-butyl ether, and the like.
  • terpineols examples include ⁇ -terpineol, ⁇ -terpineol, ⁇ -terpineol, terpineol mixture (that is, a mixture whose main component is ⁇ -terpineol and contains ⁇ -terpineol or ⁇ -terpineol), and the like.
  • the solvent examples include dioctyl sebacate (DOS) and liquid paraffin.
  • the solvent (S2) may be used alone or in combination of two or more.
  • the total content of the solvent (S) is preferably 10% by mass or more and 90% by mass or less, more preferably 20% by mass or more and 75% by mass or less, based on the total mass (100% by mass) of the flux. preferable.
  • the content of the solvent (S1) is preferably 70% by mass or more, more preferably 70% by mass or more and 100% by mass or less, and 80% by mass or more and 100% by mass, based on the total mass of the solvent (S). It is more preferably at least 85% by mass and at most 100% by mass, most preferably at least 90% by mass and at most 100% by mass.
  • the content of the solvent (S1) is at least the lower limit within the above range, it becomes easier to suppress the generation of voids when continuous reflow is performed using an indium alloy sheet.
  • the flux in this embodiment may contain other components as necessary.
  • other components include rosins other than rosin esters, activators other than organic acids (A), thixotropic agents, metal deactivators, surfactants, silane coupling agents, antioxidants, colorants, etc. It will be done.
  • rosins include the above-mentioned natural resins and rosin derivatives obtained by chemically modifying these natural resins (excluding rosin esters).
  • rosin derivatives obtained by chemically modifying natural resins refers to hydrogenation, dehydrogenation, neutralization, addition of alkylene oxide, etc. to the "natural resin". It includes those subjected to one or more treatments selected from the group consisting of amidation, dimerization, multimerization, and Diels-Alder cycloaddition.
  • rosin derivatives include purified rosin, modified rosin, and the like.
  • modified rosin include hydrogenated rosin, polymerized rosin, polymerized hydrogenated rosin, disproportionated rosin, acid-modified rosin, acid-modified hydrogenated rosin, acid-modified disproportionated rosin, and acid-anhydrous rosin.
  • Modified disproportionated rosin, phenol-modified rosin and ⁇ , ⁇ -unsaturated carboxylic acid modified products (acrylic acid-modified rosin, maleic acid-modified rosin, fumaric acid-modified rosin, etc.), as well as purified products, hydrides and disproportionated products of the polymerized rosin. and purified products, hydrides and disproportionated products of the ⁇ , ⁇ -unsaturated carboxylic acid modified product, rosin alcohol, rosin amine, hydrogenated rosin alcohol, rosin soap, hydrogenated rosin soap, acid-modified rosin soap, etc. .
  • the rosin amine is, for example, a mixture of dehydro abiethylamine, dihydro abiethylamine and tetrahydro abiethylamine, meaning a so-called disproportionated rosin amine.
  • the structures of dehydroabiethylamine, dihydroabiethylamine, and tetrahydroabiethylamine are shown below.
  • rosins may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of rosin ester is preferably 70% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 80% by mass or more and 100% by mass or less, and 90% by mass or more and 100% by mass or less, based on the total mass (100% by mass) of the rosin.
  • the following is more preferable, particularly preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and may be 100% by mass.
  • the content of rosin ester is below the lower limit within the above range, it becomes easier to suppress the generation of voids when continuous reflow is performed using an indium alloy sheet.
  • Other activators include, for example, amines, halogen compounds, organic phosphorus compounds, and the like.
  • amine examples include azoles, guanidines, alkanolamines, alkylamine compounds, amine polyoxyalkylene adducts, and the like.
  • azoles examples include 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 2-Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino -6-[2'-methylimidazolyl-
  • guanidines examples include 1,3-diphenylguanidine, 1,3-di-o-tolylguanidine, 1-o-tolylbiguanide, 1,3-di-o-cumenylguanidine, 1,3-di- Examples include o-cumenyl-2-propionylguanidine.
  • alkanolamines examples include N,N,N',N'-tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine, N,N,N',N'-tetrakis(2-hydroxyethyl)ethylenediamine, monoethanolamine, diethanolamine. , triethanolamine, 1-amino-2-propanol, bis(2-hydroxypropyl)amine, tris(2-hydroxypropyl)amine, and the like.
  • alkylamine compound examples include ethylamine, triethylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, cyclohexylamine, hexadecylamine, and stearylamine.
  • Examples of the amine polyoxyalkylene adduct include terminal diamine polyalkylene glycol, aliphatic amine polyoxyalkylene adduct, aromatic amine polyoxyalkylene adduct, and polyvalent amine polyoxyalkylene adduct.
  • Examples of the alkylene oxide added to the amine polyoxyalkylene adduct include ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide, and the like.
  • Terminal diamine polyalkylene glycol is a compound in which both ends of polyalkylene glycol are aminated.
  • Examples of the terminal diamine polyalkylene glycol include terminal diamine polyethylene glycol, terminal diamine polypropylene glycol, terminal diamine polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, and the like.
  • Examples of the terminal diamine polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer include polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer bis(2-aminopropyl) ether and polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer bis(2-aminoethyl) ether. It will be done.
  • Aliphatic amine polyoxyalkylene adducts, aromatic amine polyoxyalkylene adducts, and polyvalent amine polyoxyalkylene adducts are those in which a polyoxyalkylene group is bonded to the nitrogen atom of an amine.
  • the amines include ethylenediamine, 1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, laurylamine, stearylamine, oleylamine, tallow amine, hardened tallow amine, tallow propyldiamine, and meta-xylene.
  • Diamine Diamine, tolylene diamine, paraxylene diamine, phenylene diamine, isophorone diamine, 1,10-decane diamine, 1,12-dodecane diamine, 4,4-diaminodicyclohexylmethane, 4,4-diaminodiphenylmethane, butane-1,1 , 4,4-tetraamine, pyrimidine-2,4,5,6-tetraamine, and the like.
  • One type of amine may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • amine azoles are preferred, and 2-phenylimidazole is more preferred.
  • the content of the amine is preferably 0.1% by mass or more and 10% by mass or less, and 0.1% by mass or more and 5% by mass or less, based on the total mass of the flux. It is more preferable that
  • the flux contains an amine
  • the content of the amine is at least the lower limit of the range, it becomes easier to improve the wettability of the flux.
  • the content of the amine is at most the upper limit of the range, the ability to suppress generation of voids can be easily enhanced.
  • Halogen compound examples include amine hydrohalides, organic halogen compounds other than amine hydrohalides, and the like.
  • Amine hydrohalide is a compound obtained by reacting an amine with hydrogen halide. Examples of the amine here include those mentioned above in ⁇ Amine>>.
  • halogen compounds other than amine hydrohalides include salts obtained by reacting amines with tetrafluoroboric acid (HBF 4 ), and complexes obtained by reacting amines with boron trifluoride (BF 3 ). can also be used.
  • the complex include boron trifluoride piperidine.
  • halogen compounds other than amine hydrohalides include halogenated aliphatic compounds.
  • a halogenated aliphatic hydrocarbon group refers to an aliphatic hydrocarbon group in which some or all of the hydrogen atoms constituting the group are replaced with halogen atoms.
  • the halogenated aliphatic compound include halogenated aliphatic alcohols and halogenated heterocyclic compounds.
  • halogenated aliphatic alcohol examples include 1-bromo-2-propanol, 3-bromo-1-propanol, 3-bromo-1,2-propanediol, 1-bromo-2-butanol, 1,3-dibromo -2-propanol, 2,3-dibromo-1-propanol, 1,4-dibromo-2-butanol, trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, and the like.
  • halogenated heterocyclic compound examples include a compound represented by the following general formula (h1).
  • R h11 - (R h12 ) n (h1) [In the formula, R h11 represents an n-valent heterocyclic group. R h12 represents a halogenated aliphatic hydrocarbon group. ]
  • Examples of the heterocycle of the n-valent heterocyclic group in R h11 include a ring structure in which some of the carbon atoms constituting an aliphatic hydrocarbon or aromatic hydrocarbon ring are substituted with heteroatoms.
  • Examples of the heteroatom in this heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
  • This heterocycle is preferably a 3- to 10-membered ring, more preferably a 5- to 7-membered ring.
  • Examples of this heterocycle include an isocyanurate ring.
  • the halogenated aliphatic hydrocarbon group in R h12 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, and even more preferably 3 to 5 carbon atoms.
  • R h12 is preferably a brominated aliphatic hydrocarbon group or a chlorinated aliphatic hydrocarbon group, more preferably a brominated aliphatic hydrocarbon group, and even more preferably a brominated saturated aliphatic hydrocarbon group.
  • the halogenated heterocyclic compound include tris-(2,3-dibromopropyl)isocyanurate.
  • halogen compounds other than amine hydrohalides include carboxyl iodides such as 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, and 5-iodoanthranilic acid.
  • carboxyl iodides such as 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, and 5-iodoanthranilic acid.
  • Compounds Chlorinated carboxyl compounds such as 2-chlorobenzoic acid and 3-chloropropionic acid; Halogenation of brominated carboxyl compounds such as 2,3-dibromopropionic acid, 2,3-dibromosuccinic acid and 2-bromobenzoic acid Examples include carboxyl compounds.
  • halogen compounds other than amine hydrohalides include organic chloro compounds.
  • examples of the organic chloro compound include chloroalkanes, chlorinated fatty acid esters, chlorendic acid, chlorendic acid anhydride, and the like.
  • the halogen compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • Organic phosphorus compounds examples include acidic phosphoric acid esters, acidic phosphonic acid esters, acidic phosphinic acid esters, and the like.
  • the organic phosphorus compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • thixotropic agent examples include ester-based thixotropic agents, amide-based thixotropic agents, sorbitol-based thixotropic agents, and the like.
  • ester-based thixotropic agents examples include ester compounds, and specific examples include hydrogenated castor oil, ethyl myristate, and the like.
  • amide thixotropic agents include monoamides, bisamides, and polyamides.
  • monoamides include lauric acid amide, palmitic acid amide, stearic acid amide, behenic acid amide, hydroxystearic acid amide, saturated fatty acid amide, oleic acid amide, erucic acid amide, unsaturated fatty acid amide, 4-methylbenzamide (p -toluamide), p-toluene methanamide, aromatic amide, hexamethylene hydroxystearamide, substituted amide, methylolstearamide, methylolamide, fatty acid ester amide, and the like.
  • Examples of bisamides include ethylene bis fatty acid (fatty acid carbon number C6-24) amide, ethylene bishydroxy fatty acid (fatty acid carbon number C6-24) amide, hexamethylene bis fatty acid (fatty acid carbon number C6-24) amide, Examples include hexamethylene bishydroxy fatty acid (fatty acid carbon number C6-24) amide, aromatic bisamide, and the like.
  • Examples of fatty acids that are raw materials for the bisamide include stearic acid (C18 carbon atoms), oleic acid (C18 carbon atoms), and lauric acid (C12 carbon atoms).
  • polyamides such as saturated fatty acid polyamide, unsaturated fatty acid polyamide, aromatic polyamide, 1,2,3-propanetricarboxylic acid tris(2-methylcyclohexylamide), cyclic amide oligomer, and acyclic amide oligomer. It will be done.
  • the cyclic amide oligomers include amide oligomers obtained by cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and diamine, amide oligomers obtained by cyclic polycondensation of tricarboxylic acid and diamine, amide oligomers obtained by cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and triamine, and tricarboxylic acid.
  • amide oligomers are cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and diamine
  • amide oligomers are cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and triamine
  • amide oligomers formed by cyclic polycondensation of tricarboxylic acids and diamines and triamines amide oligomers formed by cyclic polycondensation of dicarboxylic acids and tricarboxylic acids, and diamines and triamines, etc. .
  • the acyclic amide oligomer is an amide oligomer obtained by acyclic polycondensation of a monocarboxylic acid and a diamine and/or triamine
  • the acyclic amide oligomer is an amide oligomer obtained by acyclic polycondensation of a dicarboxylic acid and/or tricarboxylic acid and a monoamine.
  • it may be an oligomer.
  • the monocarboxylic acid or monoamine functions as terminal molecules, resulting in an acyclic amide oligomer with a reduced molecular weight.
  • the acyclic amide oligomer when the acyclic amide oligomer is an amide compound obtained by acyclic polycondensation of dicarboxylic acid and/or tricarboxylic acid and diamine and/or triamine, it becomes an acyclic high molecular weight amide polymer. Furthermore, the acyclic amide oligomer also includes an amide oligomer in which a monocarboxylic acid and a monoamine are condensed in an acyclic manner.
  • sorbitol-based thixotropic agents examples include dibenzylidene-D-sorbitol, bis(4-methylbenzylidene)-D-sorbitol, (D-) sorbitol, monobenzylidene (-D-) sorbitol, and mono(4-methylbenzylidene). -(D-)sorbitol and the like.
  • the flux according to this embodiment may not contain a thixotropic agent or may contain a thixotropic agent.
  • a thixotropic agent When the flux according to the present embodiment contains a thixotropic agent, one type of thixotropic agent may be used alone, or two or more types may be used as a mixture.
  • Metal deactivator examples include hindered phenol compounds, nitrogen compounds, and the like.
  • the term "metal deactivator” as used herein refers to a compound that has the ability to prevent metal from deteriorating due to contact with a certain type of compound.
  • a hindered phenol compound refers to a phenol compound having a bulky substituent (for example, a branched or cyclic alkyl group such as a t-butyl group) at at least one of the ortho positions of the phenol.
  • a bulky substituent for example, a branched or cyclic alkyl group such as a t-butyl group
  • the hindered phenol compound is not particularly limited, and examples thereof include bis[3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionic acid][ethylenebis(oxyethylene)], N,N '-hexamethylenebis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanamide], 1,6-hexanediolbis[3-(3,5-di-tert-butyl-4 -hydroxyphenyl)propionate], 2,2'-dihydroxy-3,3'-bis( ⁇ -methylcyclohexyl)-5,5'-dimethyldiphenylmethane, 2,2'-methylenebis(6-tert-butyl-p- cresol), 2,2'-methylenebis(6-tert-butyl-4-ethylphenol), triethylene glycol-bis[3-(3-tert-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 1 , 6-hex
  • Z is an optionally substituted alkylene group.
  • R 81 and R 82 are each independently an optionally substituted alkyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, cycloalkyl group) or a heterocycloalkyl group.
  • R 83 and R 84 are each independently an optionally substituted alkyl group.
  • Examples of the nitrogen compound in the metal deactivator include hydrazide nitrogen compounds, amide nitrogen compounds, triazole nitrogen compounds, melamine nitrogen compounds, and the like.
  • the hydrazide nitrogen compound may be any nitrogen compound having a hydrazide skeleton, such as dodecanedioic acid bis[N2-(2hydroxybenzoyl)hydrazide], N,N'-bis[3-(3,5-di-tert) -butyl-4-hydroxyphenyl)propionyl]hydrazine, decanedicarboxylic acid disalicyloylhydrazide, N-salicylidene-N'-salicylhydrazide, m-nitrobenzhydrazide, 3-aminophthalhydrazide, phthalic acid dihydrazide, adipic acid hydrazide , oxalobis(2-hydroxy-5-octylbenzylidene hydrazide), N'-benzoylpyrrolidonecarboxylic acid hydrazide, N,N'-bis(3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphen
  • the amide nitrogen compound may be any nitrogen compound having an amide skeleton, such as N,N'-bis ⁇ 2-[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionyloxyl]ethyl ⁇ Oxamide etc. are mentioned.
  • the triazole nitrogen compound may be any nitrogen compound having a triazole skeleton, such as N-(2H-1,2,4-triazol-5-yl)salicylamide, 3-amino-1,2,4-triazole, Examples include 3-(N-salicyloyl)amino-1,2,4-triazole.
  • the melamine-based nitrogen compound may be any nitrogen compound having a melamine skeleton, and includes melamine, melamine derivatives, and the like. More specifically, for example, trisaminotriazine, alkylated trisaminotriazine, alkoxyalkylated trisaminotriazine, melamine, alkylated melamine, alkoxyalkylated melamine, N2-butylmelamine, N2,N2-diethylmelamine, N, Examples include N, N', N', N'', N''-hexakis(methoxymethyl)melamine.
  • the metal deactivators may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the surfactant include nonionic surfactants.
  • Examples of nonionic surfactants include polyoxyalkylene adducts.
  • Examples of the alkylene oxide from which the polyoxyalkylene adduct is derived include ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide, and the like.
  • Examples of polyoxyalkylene adducts include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, ethylene oxide-resorcinol copolymer, polyoxyalkylene acetylene glycols, polyoxyalkylene glyceryl ether, and polyoxyalkylene alkyl.
  • examples include ether, polyoxyalkylene ester, polyoxyalkylene alkylamide, and the like.
  • nonionic surfactants include polyoxyalkylene adducts of alcohols.
  • examples of the alcohol include aliphatic alcohols, aromatic alcohols, and polyhydric alcohols. The surfactants may be used alone or in combination of two or more.
  • antioxidants examples include hindered phenolic antioxidants such as 2,2'-dihydroxy-3,3'-bis( ⁇ -methylcyclohexyl)-5,5'-dimethyldiphenylmethane.
  • antioxidant refers to a compound that has the ability to suppress oxidation of a solder alloy.
  • the antioxidants may be used alone or in combination of two or more.
  • the flux according to the embodiments described above is suitably used for continuous reflow for mounting indium alloy sheets and joining solder balls.
  • the heat sink and the chip are bonded with the indium alloy sheet by performing the reflow at a low temperature (for example, 170° C.) near the melting point of indium to obtain a semiconductor package.
  • the solder balls are bonded to the back surface of the semiconductor package by performing reflow at a high temperature (for example, 250° C.) near the melting point of the solder alloy.
  • the flux according to this embodiment contains a solvent (S1) that easily evaporates even at low temperatures. In the primary reflow under low temperature conditions, the solvent (S1) evaporates. As a result, when the indium alloy sheet is melted, voids originating from the solvent (S1) are not generated. Since the secondary reflow is at a high temperature, the activator and the like are likely to gasify and form voids. In the flux according to this embodiment, the rosin ester and dimer acid (A1) are difficult to gasify even at high temperatures. Therefore, it is possible to suppress the generation of voids during the first and second reflows under different temperature conditions.
  • the flux according to the above embodiment is used to perform primary reflow, and the die and the lid are bonded together via a thermal interface material (TIM). , obtain a semiconductor package.
  • TIM thermal interface material
  • secondary reflow is performed and solder balls are fixed to the obtained semiconductor package, thereby obtaining an electronic component.
  • the manufacturing method includes the following step (i) and step (ii).
  • FIGS. 1 to 4 A preferred embodiment of a method for manufacturing an electronic component including a semiconductor package according to this aspect will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
  • a substrate 40 on which a lid 10, a TIM 20, and a die 41 are mounted is prepared.
  • a metallized layer 42 is provided on the surface of the die 41.
  • the metallized layer 42 may be, for example, a Ni plating layer, a Ni/Au plating layer, or the like.
  • the metallized layer 42 may have a plurality of layers having different compositions.
  • the metallized layer 42 can be formed, for example, by a method such as sputtering.
  • a metallized layer 11 is provided on the surface of the lid 10 facing the TIM 20.
  • Examples of the metallized layer 11 include the same metallized layer 42 that the die 41 has.
  • the lid 10 includes a heat sink 12 on a surface opposite to the surface facing the TIM 20.
  • Examples of the heat sink material include metals such as aluminum, iron, and copper.
  • TIM20 is a sheet made of an alloy of indium and silver.
  • the TIM 20 has a plate shape.
  • the dimensions of the TIM 20 are equal to or smaller than the dimensions of the metallized layer 11 of the lid 10 and the metallized layer 42 of the die 41.
  • the content of indium in the alloy which is the raw material for the alloy sheet, is preferably 75% by mass or more and 99% by mass or less, and 85% by mass or more and 95% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the alloy. It is more preferable that it is less than % by mass.
  • the content of silver in the alloy is preferably 1% by mass or more and 25% by mass or less, more preferably 5% by mass or more and 15% by mass or less, based on the total amount (100% by mass) of the alloy. .
  • Step (i) a semiconductor package including a bonded body in which a die and a lid are bonded together via a thermal interface material (TIM) is obtained.
  • Step (i) will be described by exemplifying a method including a flux application step, a lid mounting step, and a heating operation (1).
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the TIM 20 and die 41 with flux 50 applied thereto.
  • flux 50 is interposed between at least one of the TIM 20 and the die 41 or between the TIM 20 and the lid 10.
  • flux 50 is applied to the bonding surfaces (42a, 20b) between the die 41 and the TIM 20, or the bonding surfaces (11a, 20a) between the lid 10 and the TIM 20.
  • the flux 50 is applied to the bonding surface as follows. Flux 50 is applied to the surface 42a of the metallized layer 42 of the die 41. Next, the TIM 20 is placed on the metallized layer 42 of the die 41 coated with the flux 50. Flux 50 is applied to the surface 20a of the TIM 20 stacked on the die 41, which is opposite to the surface 20b in contact with the die 41.
  • Examples of the flux 50 coating device include a spray fluxer, a foaming fluxer, and the like. Among these, spray fluxer is preferred from the viewpoint of stability of coating amount.
  • FIG. 3 is a diagram showing a laminate 60 in which the lid 10 and the substrate 40 are bonded together with the adhesive resin 43 after the flux 50 has been applied.
  • lid mounting process After applying the flux 50, adhesive resin 43 is applied on one side of the substrate 40.
  • the lid 10 and the substrate 40 on which the TIM 20 and the die 41 are stacked are bonded together by thermocompression, thereby hardening the adhesive resin 43. Thereby, the lid 10 is fixed to the substrate 40.
  • a laminate 60 in which the lid 10 and the substrate 40 are bonded together with the adhesive resin 43 is obtained.
  • Heating operation (1) the laminate 60 is heated by a reflow method.
  • the lid 10 and the die 41 are bonded via the TIM 20 to obtain a semiconductor package 60'.
  • Indium constituting the indium alloy sheet that is TIM has a melting point of 156° C., so joining is possible even at a lower temperature than normal reflow.
  • the reflow temperature is preferably 150 to 250°C, more preferably 150 to 200°C.
  • step (ii) the electronic component 100 is obtained by bonding the solder balls 70 to the back surface 60a of the semiconductor package 60' by heating operation (2).
  • Step (ii) will be explained with reference to FIG. 4.
  • the back surface 60a of the semiconductor package 60' means the surface of the semiconductor package 60' opposite to the surface to which the lid is fixed.
  • step (ii) first, solder balls 70 are placed on the back surface 60a of the semiconductor package 60'.
  • a heating operation (2) is performed on the semiconductor package 60' on which the solder balls 70 are placed.
  • the heating operation (2) melts the solder balls 70 and joins the solder balls 70 and the semiconductor package 60'.
  • the semiconductor package 60' is heated by a reflow method.
  • the reflow temperature is preferably 200°C or higher and 280°C or lower.
  • the amount of voids on the bonding surface of the sheet i.e., the surface where flux is present
  • the flux 50 is interposed between at least one of the TIM 20 and the die 41 or between the TIM 20 and the lid 10.
  • the flux 50 is applied to the bonding surface 42a of the die 41 with the TIM 20 and the bonding surface 11a of the TIM 20 with the lid 10, but the surfaces to which the flux 50 is applied are not limited thereto.
  • the flux 50 may be applied to the bonding surface 20b of the TIM 20 with the die 41, or the flux 50 may be applied to the bonding surface 11a of the lid 10 with the TIM 20. Flux 50 may also be applied.
  • Rosin ester As the rosin ester, one obtained by reacting hydrogenated rosin with glycerin was used.
  • Dimer acid (A1) and other organic acids were used as the organic acids.
  • the hydrogenated dimer acid contained a dimer acid having 36 carbon atoms and a trimer acid having 54 carbon atoms.
  • the dimer acid having 36 carbon atoms contained multiple types of dimer acids having different degrees of unsaturation.
  • the degree of unsaturation of the dimer acid is a value expressed by ⁇ (2m+2) ⁇ n ⁇ /2, where m is the number of carbon atoms and n is the number of hydrogen atoms in the molecule of the dimer acid.
  • Dimer acids having 36 carbon atoms include dimer acids with a degree of unsaturation of 2, dimer acids with a degree of unsaturation of 3, dimer acids with a degree of unsaturation of 4, dimer acids with a degree of unsaturation of 5, dimer acids with a degree of unsaturation of 6, It contained a dimer acid with a degree of unsaturation of 7 and a dimer acid with a degree of unsaturation of 8.
  • Solvent (S1) and solvent (S2) were used as the solvent (S).
  • Solvent (S1) 3-methoxybutyl acetate (boiling point 172°C), hexylene glycol (boiling point 197°C)
  • Solvent (S2) diethylene glycol monohexyl ether (boiling point 260°C)
  • the boiling point means the temperature of the liquid when the saturated vapor pressure of the liquid becomes equal to 1 atmosphere (ie, 1013 hPa).
  • Weight reduction rate (%) 100 x ⁇ W 0 - W 1 ⁇ /W 0
  • the weight loss rate of rosin ester, acrylic acid-modified hydrogenated rosin, hydrogenated rosin, dimer acid (A1), and other organic acids is determined at a predetermined temperature and a predetermined heating rate of 260°C and 10°C/min, respectively. ,It was measured. The numbers in parentheses indicate weight loss rates.
  • Rosin Rosin ester (7.1% by mass), acrylic acid-modified hydrogenated rosin (11.9% by mass), hydrogenated rosin (25.6% by mass)
  • Organic acids hydrogenated dimer acid (0.1% by mass), adipic acid (99.5% by mass), palmitic acid (97.0% by mass), sebacic acid (52.9% by mass), 12-hydroxystearic acid (11.9% by mass)
  • the weight loss rates of the solvent (S1) and the solvent (S2) were measured at a predetermined temperature and a predetermined heating rate of 150° C. and 6° C./min, respectively.
  • Solvent (S1) 3-methoxybutyl acetate (99.0% by mass), hexylene glycol (99.0% by mass)
  • Solvent (S2) diethylene glycol monohexyl ether (21.0% by mass)
  • the hydrogenated dimer acid used contained multiple molecules. Based on the created ion chromatogram, the ratio of the peak area derived from each molecule to the total peak area (100%) derived from all detected molecules was calculated.
  • the hydrogenated dimer acid contained multiple types of 36-carbon dimer acids and 54-carbon trimer acids.
  • the total area of the peaks derived from multiple types of dimer acids having 36 carbon atoms was 99% or more of the total area (100%) derived from all molecules.
  • the ratio of the area of each dimer acid having 36 carbon atoms to the total area (100%) derived from all molecules was as follows.
  • Rosin ester (softening point 95°C), acrylic acid modified hydrogenated rosin (softening point 130°C), hydrogenated rosin (softening point 72°C)
  • the acid value of the rosin ester was measured according to 3.1 Neutralization titration method of JIS K0070 "Testing methods for acid value, saponification value, ester value, iodine value, hydroxyl value, and unsaponifiables of chemical products". 3 g of rosin ester was dissolved in ethanol/diethyl ether (mixing ratio 1:1). Titration was performed with a 0.1 mol/L KOH ethanol solution using phenolphthalein as an indicator. The end point was the point at which the solution turned slightly red. The acid value of the rosin ester was 6 mgKOH/g.
  • a lid having an Au/Ni plated portion (size 8 mm ⁇ 8 mm) on its surface and a substrate having an Au/Ni plated portion (size 8 mm ⁇ 8 mm) on its surface were prepared.
  • As a solder sheet an indium alloy sheet (size: 7 mm x 7 mm x 400 ⁇ m) made of an alloy of 90% by mass of In and 10% by mass of Ag was prepared. 2 mg of the flux of each example was spray applied to the front and back surfaces of the indium alloy sheet, respectively.
  • a 300 ⁇ m thick copper plate was placed as a spacer around the periphery of the Au/Ni plated portion of the substrate.
  • the indium alloy sheet coated with flux was sandwiched between the lid and the Au/Ni plated portion of the substrate and fixed with a clip.
  • the lid and substrate sandwiching the indium alloy sheet were subjected to primary reflow to obtain a bonded body.
  • the primary reflow was performed in the air at a temperature increase rate of 10°C/min until the temperature reached 170°C.
  • the bonded body subjected to the first reflow was subjected to a second reflow. In the secondary reflow, the temperature was raised from room temperature to 250°C for 450 seconds at a heating rate of 0.5°C/second.
  • the void area was measured by irradiating X-rays from the vertical direction of the substrate to the bonded body that had undergone secondary reflow and analyzing the transmitted X-rays.
  • XD7600NT manufactured by Nordson
  • XD7600NT manufactured by Nordson
  • the ratio of the total area of voids to the total area of the indium alloy sheet was calculated and defined as the void area ratio (%).
  • Judgment criteria A: The void area ratio is less than 10%.
  • an indium alloy sheet (size: 2 mm x 2 mm x 100 ⁇ m) made of an alloy of 90 mass % In and 10 mass % Ag was prepared.
  • 0.5 mg of the flux of each example was spray applied to the front and back surfaces of the indium alloy sheet, respectively.
  • An indium alloy sheet coated with flux was placed on the Au/Ni electrode.
  • the electrode on which the indium alloy sheet was placed was subjected to reflow under the following conditions. In the reflow, the temperature was raised to 180°C at a heating rate of 6°C/min and held at 180°C for 3 minutes. Next, after removing the flux, the wetted and spread area was measured.
  • Judgment criteria A: The wetted and spread area is 2.5 mm 2 or more.
  • Judgment criteria A: The flux could be applied to the metal plate using a spray device.
  • ⁇ Evaluation 2> ⁇ Evaluation of void generation suppression ability ⁇
  • an SAC alloy sheet (size: 7 mm x 7 mm x 400 ⁇ m) consisting of an alloy of 3% by mass of Ag, 0.5% by mass of Cu, and the balance Sn was prepared.
  • the conditions for the first reflow and the second reflow were as follows. The primary reflow was performed in the air at a temperature increase rate of 10°C/min from room temperature (25°C) until it reached 250°C. In the secondary reflow, the temperature was raised from room temperature (25°C) to 250°C for 450 seconds at a heating rate of 0.5°C/second.
  • the fluxes of Examples 1 and 2 containing rosin ester, dimer acid (A1), and solvent (S1) were evaluated as A in terms of void generation suppressing ability.
  • the flux of Comparative Example 1, which did not contain the solvent (S1), was evaluated as C in terms of void generation suppressing ability.
  • the fluxes of Comparative Examples 2 and 3, which did not contain dimer acid (A1), were evaluated as C in terms of void generation suppressing ability.
  • Example 1 The flux of Example 1, in which the content of the solvent (S1) was 100% by mass based on the total mass of the solvent (S), was evaluated as A in terms of void generation suppressing ability.
  • Example 1 containing dimer acid (A1) was evaluated as A in terms of applicability.
  • the flux of Comparative Example 4 which does not contain rosin ester, had a void suppression ability of A when an SAC alloy sheet was used, and a void suppression ability of C when an indium alloy sheet was used. That is, when an indium alloy sheet is used, voids are more likely to occur than when an SAC alloy sheet is used.
  • the flux of Example 1 containing rosin ester was able to sufficiently suppress voids even when an indium alloy sheet was used.
  • the flux of the present invention contains rosin ester, dimer acid (A1), and solvent (S1), so that even when a solder sheet with a high indium content is used, voids are eliminated in the resulting joined body. It is possible to suppress the occurrence.
  • the flux of the present invention is suitably used in the manufacturing process of electronic components that use indium alloy sheets and have improved heat dissipation efficiency.

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Abstract

インジウム合金シートを用いて温度条件の異なる連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制できる、フラックスを提供する。ロジンエステルと、有機酸（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含有するフラックスを採用する。有機酸（Ａ）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であるダイマー酸（Ａ１）を含む。溶剤（Ｓ）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である溶剤（Ｓ１）を含む。

Description

フラックス及び電子部品の製造方法
　本発明は、フラックス及び電子部品の製造方法に関する。本願は、２０２２年８月２６日に日本に出願された特願２０２２－１３５２３６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　近年、電子機器には、大容量化、高速化が要求されている。このような電子機器に搭載される高集積化されたダイは、動作時に大量の熱を発生する。このため、ダイにヒートシンクを備えたリッド等を装着することにより、発生した熱を効率的に排出する必要がある。
　これに対し、例えば特許文献１には、ダイの動作による熱を、より高い効率でヒートシンクに伝達するために、ダイとヒートシンクを備えたリッドとの間に、ポリマーを含有する熱界面材料（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌ：ＴＩＭ）を挟み込んで用いることが提案されている。
特表２０１０－５３９７０６号公報
　ところで、ＴＩＭとして、インジウムの含有量が高められたシート（以下、これをインジウム合金シートという）が提案されている。インジウム合金シートの原料となる合金としては、例えば、Ｉｎが９０質量％、Ａｇが１０質量％である合金が用いられる。
　インジウムは、他の金属元素に比べて硬度が低く、インジウム合金シートは、ダイ及びリッドの表面に対して、高い追従性を有し、密着性が高い。そのため、インジウム合金シートは、ダイからヒートシンクを備えたリッドへの熱伝達効率が高い。その結果、インジウム合金シートを用いることにより、ダイの動作による熱の排出効率を高めることが可能である。また、Ａｇを含有するインジウム合金シートは、インジウムのみからなるインジウムシートよりも、熱伝導率が高いため、熱排出効率をより高めることが可能である。
　インジウム合金シートの実装では、表面にフラックスを塗布したインジウム合金シートを用いて、ヒートシンクを備えたリッドと、ダイとを、１次リフローにより接合し、半導体パッケージを得る。インジウムは融点が１５６℃と比較的低いため、１次リフローによる接合は、通常の接合よりも低温条件で行われる。
　従来のはんだ付け用のフラックスを用いて、例えば１７０℃の条件で１次リフローを行った場合、フラックスは、インジウムシートの表面に濡れ広がらず、接合面に溜まり、その結果、接合面にボイドが大量に発生する場合がある。このボイドにより、インジウムシートを介したチップからヒートシンクを備えたリッドへの熱伝達効率は低下し、ダイの動作による熱の排出効率は低下してしまう。
　次いで、１次リフローの後に、２次リフローを行うことにより、半導体パッケージの裏面にはんだボールを接合する。この２次リフローは、はんだボールを溶融させるために、例えば２５０℃の高温条件で行われる。２次リフローは高温であるため、活性剤等がガス化してボイドを形成しやすい。
　従来のはんだ付け用のフラックス及びインジウム合金シートを用いて、前記のように、１次リフロー及び２次リフローの２回のリフローを行った場合、インジウム合金シートの接合面にボイドが大量に発生しやすいという問題がある。このボイドにより、インジウム合金シートを介したダイからヒートシンクを備えたリッドへの熱伝達効率は低下し、ダイの動作による熱の排出効率は低下してしまう。
　そこで、本発明は、インジウム合金シートを用いて温度条件の異なる連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制できる、フラックスを提供することを目的とする。
　本発明は、以下の態様を含む。
［１］ロジンエステルと、有機酸（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含有し、前記有機酸（Ａ）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であるダイマー酸（Ａ１）を含み、前記溶剤（Ｓ）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である溶剤（Ｓ１）を含む、フラックス。
　本発明において、「重量減少率」とは、例えば、次のように測定されるものである。示差熱－熱重量同時測定装置（株式会社リガク製、ＴＧ－ＤＴＡ８１２２）を用いて、測定対象試料１０ｍｇをアルミパンに入れ、室温約２５℃から加熱を開始して所定の温度に達するまで、所定の昇温速度で昇温する。そして、加熱前の対象試料の質量Ｗ０（１００質量％）と、所定の温度に達した直後の質量Ｗ１とから、重量減少率を以下の計算式から算出する。
　重量減少率（％）＝１００×｛Ｗ０－Ｗ１｝／Ｗ０
［２］前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、前記有機酸（Ａ）の総質量に対して、７５質量％以上である、［１］に記載のフラックス。
［３］前記溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、８０質量％以上である、［１］又は［２］に記載のフラックス。
［４］前記ダイマー酸（Ａ１）は、炭素数１８の不飽和脂肪酸が結合した二量体からなる群より選択される少なくとも一種である、［１］～［３］のいずれかに記載のフラックス。
［５］前記溶剤（Ｓ１）の沸点が、２００℃以下である、［１］～［４］のいずれかに記載のフラックス。
［６］さらに、アゾール類を含有する、［１］～［５］のいずれかに記載のフラックス。
［７］前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、フラックスの総質量に対して、１０質量％以上６０質量％以下である、［１］～［６］のいずれかに記載のフラックス。
［８］前記ロジンエステルの含有量が、フラックスの総質量に対して、１５質量％以上６０質量％以下である、［１］～［７］のいずれかに記載のフラックス。
［９］半導体パッケージを含む電子部品の製造方法であって、ダイとリッドとが熱界面材料（ＴＩＭ）を介して貼り合わされた接合体を備えた半導体パッケージを得る工程（ｉ）と、前記半導体パッケージの背面に、はんだボールを接合して電子部品を得る工程（ｉｉ）と、を有し、前記ＴＩＭが、インジウムと銀との合金製のシートであり、前記工程（ｉ）は、前記ＴＩＭと前記ダイとの間、又は、前記ＴＩＭと前記リッドとの間の少なくとも一方に、［１］～［８］のいずれか一項に記載のフラックスを介在させて、リフロー方式により前記ダイと前記リッドとを貼り合わせる加熱操作（１）を含み、前記工程（ｉｉ）は、リフロー方式により前記はんだボールと前記半導体パッケージとを接合する加熱操作（２）を含む、電子部品の製造方法。
［１０］前記加熱操作（１）の温度条件が１５０～２５０℃であり、前記加熱操作（２）の温度条件が２００～２８０℃である、［９］に記載の電子部品の製造方法。
　本発明によれば、インジウム合金シートを用いて温度条件の異なる連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制できる、フラックスを提供することができる。
電子部品の製造方法の一実施形態について、リッド、ＴＩＭ及びダイを示す断面図である。 電子部品の製造方法の一実施形態について、ＴＩＭ及びダイにフラックスを塗布する工程を示す断面図である。 電子部品の製造方法の一実施形態について、フラックスの塗布後、ＴＩＭを用いて、基板に対してリッドを固定して得られる接合体を示す断面図である。 電子部品の製造方法の一実施形態について、半導体パッケージの裏面にはんだボールを接合して得られる電子部品を示す断面図である。
（フラックス）
　本実施形態に係るフラックスは、ロジンエステルと、有機酸（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含有する。
　有機酸（Ａ）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であるダイマー酸（Ａ１）を含む。
　溶剤（Ｓ）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である溶剤（Ｓ１）を含む。
　本実施形態に係るフラックスは、インジウム合金シートの実装及びはんだボールの接合のための、連続したリフローが行われる用途に好適に用いられる。
　１次リフローでは、インジウムの融点付近の低温（例えば１７０℃）の条件でリフローを行い、インジウム合金シートを実装する。次いで、２次リフローでは、はんだ合金の融点付近の高温（例えば２５０℃）の条件でリフローを行うことにより、基板にはんだボールを接合する。
　本実施形態に係るフラックスによれば、１次リフローにおいて、溶剤（Ｓ１）は揮発する。その結果、インジウム合金シートが溶融する際に、溶剤（Ｓ１）に由来するボイドは発生しない。
　また、本実施形態に係るフラックスは、ロジンエステル及びダイマー酸（Ａ１）が２次リフローの高温でも揮発しにくいため、ボイドの発生を抑制することが可能である。
＜ロジンエステル＞
　ロジンエステルは、天然樹脂又は天然樹脂を化学修飾したもの（ロジン誘導体）と、アルコールとを反応させて得られる、エステル樹脂である。ロジンエステルは、カルボキシル基の他に、水酸基を有していてもよい。
　前記アルコールとしては、例えば、グリセリン、ペンタエリトリトール等が挙げられる。
　ロジンエステルの原料となり得る前記「天然樹脂」としては、例えば、ガムロジン、ウッドロジン及びトール油ロジン等が挙げられる。
　本明細書において「天然樹脂」とは、アビエチン酸を主成分とする、アビエチン酸とこの異性体との混合物を含む。天然樹脂中のアビエチン酸及びアビエチン酸の異性体の総含有量は、一例として、天然樹脂に対して、４０質量％以上８０質量％以下である。本明細書において「主成分」とは、化合物を構成する成分のうち、その化合物中の含有量が４０質量％以上の成分をいう。
　アビエチン酸の異性体の代表的なものとしては、ネオアビエチン酸、パラストリン酸、レボピマル酸等が挙げられる。アビエチン酸の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　本発明において、ロジンエステルの原料となり得る「天然樹脂を化学修飾したもの（ロジン誘導体）」とは、前記「天然樹脂」に対して水素化、脱水素化、中和、アルキレンオキシド付加、アミド化、二量化、多量化、及びＤｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ環化付加からなる群より選択される１つ以上の処理を施したものを包含する。
　ロジン誘導体としては、例えば、精製ロジン、変性ロジン等が挙げられる。
　変性ロジンとしては、例えば、水添ロジン、重合ロジン、重合水添ロジン、不均化ロジン、酸変性ロジン、酸変性水添ロジン、無水酸変性水添ロジン、酸変性不均化ロジン、無水酸変性不均化ロジン、フェノール変性ロジン及びα，β不飽和カルボン酸変性物（アクリル酸変性ロジン、マレイン酸変性ロジン、フマル酸変性ロジン等）、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α，β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物、ロジンアルコール、ロジンアミン、水添ロジンアルコール、ロジン石鹸、水添ロジン石鹸、酸変性ロジン石鹸等が挙げられる。
　ロジンの中でも、ロジンエステルは、耐熱性が高く、重量減少率が低くこのましい。
　ロジンエステルの原料であるロジンとしては、水添ロジンが好ましい。ロジンエステルの原料であるアルコールとしては、グリセリンが好ましい。ロジンエステルは、水添ロジンとグリセリンとを反応させたものであることが好ましい。
　ロジンエステルは、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が、１５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、８質量％以下であることが更に好ましく、７．５質量％以下であることが特に好ましい。ロジンエステルの重量減少率は、低い値ほど好ましい。ロジンエステルの重量減少率の下限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、０．１質量％であってもよいし、測定上０質量％であってもよい。
　ロジンエステルの重量減少率が、上記上限値以下であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる
　ロジンエステルの酸価は、０．０１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、０．１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることがより好ましく、０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが更に好ましく、２ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが特に好ましい。
　ロジンエステルの酸価が、上記範囲内の下限値以上であることにより、フラックスの活性を高めやすくなる。ロジンエステルの酸価が、上記範囲内の上限値以下であることにより、はんだ溶融性及び濡れ性を高めやすくなる。
　酸価とは、測定対象の試料１ｇが有するカルボキシ基を中和するために必要な、水酸化カリウムのミリグラム数を意味する。ロジンエステルの酸価は、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　００７０「化学製品の酸価、けん化価、エステル価、よう素価、水酸基価及び不けん化物の試験方法」の３．１　中和滴定方法に従って測定することができる。
　この方法により測定される酸価は、フラックスに含まれる全ての種類のロジンエステルの酸価を加重平均したものである。
　ロジンエステルの軟化点は、８５℃以上１１０℃以下であることが好ましく、９０℃以上１０５℃以下であることがより好ましく、９０℃以上１００℃以下であることが更に好ましい。
　ロジンエステルの軟化点が上記範囲内の下限値以上であることにより、ロジンエステルの耐熱性を高めやすくなる。ロジンエステルの軟化点が上記範囲内の上限値以下であることにより、はんだ溶融時にフラックスの流動性を高めやすくなる。
　ロジンエステルの軟化点は、環球法により測定することができる。環球法としては、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　５９０２に記載の方法が挙げられる。
　ロジンエステルは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　前記フラックス中の、ロジンエステルの含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上６０質量％以下であることがより好ましい。
＜有機酸（Ａ）＞
　本実施形態に係るフラックスに含まれる有機酸（Ａ）は、ダイマー酸（Ａ１）を含有する。本実施形態に係るフラックスに含まれる有機酸（Ａ）は、ダイマー酸（Ａ１）以外に、その他有機酸を含有してもよい。
　≪ダイマー酸（Ａ１）≫
　ダイマー酸（Ａ１）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であり、０．８質量％以下であることが好ましく、０．６質量％以下であることがより好ましく、０．４質量％以下であることが更に好ましく、０．３質量％以下であることが特に好ましく、０．２質量％以下であることが最も好ましい。
　ダイマー酸（Ａ１）ルの重量減少率は、低い値ほど好ましい。ダイマー酸（Ａ１）の重量減少率の下限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、０．０１質量％であってもよいし、測定上０質量％であってもよい。
　ダイマー酸（Ａ１）は、不飽和脂肪酸の二量化により得られる二塩基酸を主成分とする。ダイマー酸（Ａ１）は、不飽和脂肪酸の二量化により得られる二塩基酸に水素添加した水添ダイマー酸を包含する。
　ダイマー酸（Ａ１）の原料である不飽和脂肪酸は、炭素数が１８であることが好ましい。ダイマー酸（Ａ１）の主成分である二塩基酸は、炭素数が３６であることが好ましく、炭素数１８の不飽和脂肪酸が結合した二量体からなる群より選択される少なくとも一種であることがより好ましい。
　ダイマー酸（Ａ１）の原料である不飽和脂肪酸としては、例えば、オレイン酸、リノール酸、バクセン酸、エライジン酸、リノレン酸、アクリル酸、メタクリル酸が挙げられる。
　ダイマー酸（Ａ１）の原料である不飽和脂肪酸は、オレイン酸、リノール酸、バクセン酸及びエライジン酸からなる群より選択される一種以上であることが好ましく、オレイン酸及びリノール酸からなる群より選択される一種以上であることがより好ましい。
　ダイマー酸（Ａ１）は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　ダイマー酸（Ａ１）は、不飽和炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等を有してもよい。ダイマー酸（Ａ１）の不飽和度は、以下に示すような値であってもよい。ここで、ダイマー酸（Ａ１）の不飽和度は、ダイマー酸（Ａ１）の分子内の炭素原子数をｍ、水素原子数をｎとした場合に、｛（２ｍ＋２）－ｎ｝／２で表される値である。ダイマー酸（Ａ１）の主成分である二塩基酸は、カルボキシ基を２個有する。この二塩基酸の不飽和度は２以上である。
　ダイマー酸（Ａ１）の不飽和度は、２以上２０以下が好ましく、２以上１５以下がより好ましく、２以上１０以下が更に好ましく、２以上８以下が特に好ましい。
　ダイマー酸（Ａ１）が不飽和度の異なる２種以上のダイマー酸を含有する場合、それらの不飽和度を加重平均した不飽和度は、２以上１０以下であることが好ましく、２以上８以下であることがより好ましく、２以上６以下であることが更に好ましく、２．５以上４．５以下であることが特に好ましく、３以上４以下が最も好ましい。
　ダイマー酸（Ａ１）は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　ダイマー酸（Ａ１）の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上６０質量％以下であることが更に好ましい。
　ダイマー酸（Ａ１）の含有量が前記範囲内であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制できる。加えて、ダイマー酸（Ａ１）の含有量が前記範囲内の下限値以上であると、インジウム合金シートに対する濡れ性を高めやすくなる。
　炭素数３６のダイマー酸の総含有量は、ダイマー酸（Ａ１）の総質量（１００質量％）に対して、７０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましく、９８質量％以上１００質量％以下であることが最も好ましく、測定上１００質量％であってもよい。
　ダイマー酸（Ａ１）が、複数種のダイマー酸を含む場合、液体クロマトグラフィー・フーリエ変換質量分析計を用いて、各ダイマー酸を分析することができる。作成されたイオンクロマトグラムにおいて、ダイマー酸（Ａ１）に含まれる全ての分子に由来するピーク総面積（１００％）に対する、炭素数３６の各ダイマー酸に由来するピーク面積の割合は、以下の範囲内であることが好ましい。
　不飽和度２のダイマー酸に由来するピーク面積は、５％以上５０％以下であることが好ましく、１５％以上４０％以下であることがより好ましく、２０％以上３０％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度３のダイマー酸のピーク面積の割合は、１０％以上７０％以下であることが好ましく、２０％以上６０％以下であることがより好ましく、３０％以上５０％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度４のダイマー酸のピーク面積の割合は、２％以上３０％以下であることが好ましく、３％以上２０％以下であることがより好ましく、５％以上１５％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度５のダイマー酸のピーク面積の割合は、０．１％以上１５％以下であることが好ましく、０．５％以上１０％以下であることがより好ましく、１％以上５％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度６のダイマー酸のピーク面積の割合は、１％以上３０％以下であることが好ましく、２％以上２０％以下であることがより好ましく、３％以上１５％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度７のダイマー酸のピーク面積の割合は、２％以上３０％以下であることが好ましく、３％以上２０％以下であることがより好ましく、５％以上１５％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度８のダイマー酸のピーク面積の割合は、０．１％以上１５％以下であることが好ましく、０．５％以上１０％以下であることがより好ましく、１％以上５％以下であることが更に好ましい。
　あるいは、ダイマー酸（Ａ１）が、複数種の炭素数３６のダイマー酸を含む場合、炭素数３６のダイマー酸の含有量は、ダイマー酸（Ａ１）の総質量（１００質量％）に対して、以下の範囲内であることが好ましい。
　不飽和度２のダイマー酸の含有量は、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上４０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上３０質量％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度３のダイマー酸の含有量は、１０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、３０質量％以上５０質量％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度４のダイマー酸の含有量は、２質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度５のダイマー酸の含有量は、０．１質量％以上１５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上５質量％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度６のダイマー酸の含有量は、１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、３質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度７のダイマー酸の含有量は、２質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましい。
　不飽和度８のダイマー酸の含有量は、０．１質量％以上１５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上５質量％以下であることが更に好ましい。
　≪その他有機酸≫
　その他有機酸としては、例えば、カルボン酸、有機スルホン酸等が挙げられる。カルボン酸としては、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。脂肪族カルボン酸としては、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸等が挙げられる。
　脂肪族モノカルボン酸としては、例えば、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、イソペラルゴン酸、カプリン酸、カプロレイン酸、ラウリン酸（ドデカン酸）、ウンデカン酸、リンデル酸、トリデカン酸、ミリストレイン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、イソパルミチン酸、パルミトレイン酸、ヒラゴン酸、ヒドノカーピン酸、マーガリン酸、イソステアリン酸、エライジン酸、ペトロセリン酸、モロクチン酸、エレオステアリン酸、タリリン酸、バクセン酸、リミノレイン酸、ベルノリン酸、ステルクリン酸、ノナデカン酸、エイコサン酸、ステアリン酸、１２－ヒドロキシステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ミリスチン酸等が挙げられる。
　脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、エイコサン二酸、酒石酸、２，４－ジエチルグルタル酸、ジグリコール酸、２－メチルノナン二酸と、４－（メトキシカルボニル）－２，４－ジメチルウンデカン二酸と、４，６－ビス（メトキシカルボニル）－２，４，６－トリメチルトリデカン二酸と、８，９－ビス（メトキシカルボニル）－８，９－ジメチルヘキサデカン二酸等が挙げられる。
　芳香族カルボン酸としては、例えば、サリチル酸、ジブチルアニリンジグリコール酸、テレフタル酸、パラヒドロキシフェニル酢酸、フェニルコハク酸、フタル酸、安息香酸、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２－キノリンカルボン酸、３－ヒドロキシ安息香酸、ｐ－アニス酸、ピコリン酸、ジピコリン酸、３－ヒドロキシピコリン酸等が挙げられる。
　また、カルボン酸としては、イソシアヌル酸トリス（２－カルボキシエチル）、１，３－シクロヘキサンジカルボン酸等が挙げられる。
　また、その他有機酸としては、ヒドロキシカルボン酸が挙げられる。ヒドロキシカルボン酸としては、例えば、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）ブタン酸、クエン酸、イソクエン酸、リンゴ酸、酒石酸等が挙げられ、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸が好ましい。
　また、カルボン酸としては、その他ダイマー酸（ただし、ダイマー酸（Ａ１）を除く）が挙げられる。その他ダイマー酸（ただし、ダイマー酸（Ａ１）を除く）は、水添ダイマー酸（ただし、ダイマー酸（Ａ１）を除く）を包含する。その他ダイマー酸は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％超である。その他ダイマー酸の原料としては、ダイマー酸（Ａ１）において上述したものが挙げられる。
　また、カルボン酸としては、トリマー酸が挙げられる。トリマー酸は、不飽和脂肪酸の三量化により得られる三塩基酸を主成分とする。トリマー酸は、水添トリマー酸を包含する。トリマー酸の原料としては、ダイマー酸（Ａ１）において上述したものが挙げられる。
　有機スルホン酸としては、例えば、脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸等が挙げられる。脂肪族スルホン酸としては、例えば、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸等が挙げられる。
　その他有機酸は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　その他有機酸としては、カルボン酸が好ましく、脂肪族モノカルボン酸及び脂肪族ジカルボン酸からなる群より選択される一種以上が好ましい。
　前記フラックスがその他有機酸を含有する場合、その他有機酸の含有量は、フラックスの総質量に対して、０質量％超１０質量％以下であることが好ましく、０質量％超５質量％以下であることがより好ましく、０質量％超１．５質量％以下であることが更に好ましく、０質量％超１質量％以下であることが特に好ましい。
　その他有機酸の含有量が上記範囲内の上限値以下であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる。
　ダイマー酸（Ａ１）の含有量は、前記有機酸（Ａ）の総質量に対して、７５質量％以上が好ましく、７５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、８５質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。
　ダイマー酸（Ａ１）の含有量が上記範囲内の下限値以上であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる。
＜溶剤（Ｓ）＞
　本実施形態に係るフラックスに含まれる溶剤（Ｓ）は、溶剤（Ｓ１）を含む。溶剤（Ｓ）は、溶剤（Ｓ１）以外に、溶剤（Ｓ２）を含んでもよい。
　≪溶剤（Ｓ１）≫
　溶剤（Ｓ１）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である。
　溶剤（Ｓ１）の重量減少率の上限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、１００質量％であってもよい。
　溶剤（Ｓ１）としては、例えば、３－メトキシブチルアセテート、２－メチル－２，４－ペンタンジオール（へキシレングリコール）、２－プロパノール、１，２－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、２，３－ジメチル－２，３－ブタンジオール、２－メチルペンタン－２，４－ジオール、１－エチニル－１－シクロヘキサノール、１，４－シクロヘキサンジオール、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルグリコール）等が挙げられ、３－メトキシブチルアセテート及び２－メチル－２，４－ペンタンジオール（へキシレングリコール）からなる群より選択される一種以上が好ましい。
　溶剤（Ｓ１）の沸点は、２００℃以下であることが好ましく、１５０℃以上２００℃以下がより好ましく、１７０℃以上２００℃以下が更に好ましい。
　本明細書において、沸点とは、対象の液体の飽和蒸気圧が１気圧（すなわち、１０１３ｈＰａ）と等しくなるときの、その液体の温度を意味する。
　溶剤（Ｓ１）は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　溶剤（Ｓ１）の総含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上８５質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上７５質量％以下であることが更に好ましい。
　≪溶剤（Ｓ２）≫
　溶剤（Ｓ２）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％未満である。
　溶剤（Ｓ２）の重量減少率の下限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、１０質量％であってもよい。
　溶剤（Ｓ２）の沸点は、２００℃超３５０℃以下が好ましく、２５０℃以上３５０℃以下がより好ましく、２５０℃以上３３０℃以下が更に好ましい。
　溶剤（Ｓ２）としては、例えば、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類等が挙げられる。
　アルコール系溶剤としては、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、２，４－ジエチル－１，５－ペンタンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール、２，５－ジメチル－２，５－ヘキサンジオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－２，５－ジオール、１，１，１－トリス（ヒドロキシメチル）プロパン、２－エチル－２－ヒドロキシメチル－１，３－プロパンジオール、２，２′－オキシビス（メチレン）ビス（２－エチル－１，３－プロパンジオール）、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）－１，３－プロパンジオール、１，２，６－トリヒドロキシヘキサン、１，４－シクロヘキサンジメタノール、２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオール、２－ヘキシル－１－デカノールオクタンジオール等が挙げられる。
　グリコールエーテル系溶剤としては、ジエチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル（ヘキシルグリコール）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（ヘキシルジグリコール）、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、メチルプロピレントリグルコール、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、テトラエチレングリコール、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコール－ｎ－ブチルエーテル等が挙げられる。
　テルピネオール類としては、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネオール混合物（すなわち、その主成分がα－テルピネオールであり、β－テルピネオール又はγ－テルピネオールを含有する混合物）等が挙げられる。
　また、溶剤としては、例えば、セバシン酸ジオクチル（ＤＯＳ）、流動パラフィン等が挙げられる。
　溶剤（Ｓ２）は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　溶剤（Ｓ）の総含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上７５質量％以下であることがより好ましい。
　溶剤（Ｓ１）の含有量は、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、７０質量％以上が好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましく、８５質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましく、９０質量％以上１００質量％以下であることが最も好ましい。
　溶剤（Ｓ１）の含有量が上記範囲内の下限値以上であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる。
＜その他成分＞
　本実施形態におけるフラックスは、ロジンエステル、有機酸（Ａ）及び溶剤（Ｓ）以外に、必要に応じて、その他成分を含んでもよい。その他成分としては、ロジンエステル以外のその他ロジン、有機酸（Ａ）以外のその他活性剤、チキソ剤、金属不活性化剤、界面活性剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、着色剤等が挙げられる。
　≪その他ロジン≫
　その他ロジンとしては、上述の天然樹脂、及び、この天然樹脂を化学修飾して得られるロジン誘導体（ただし、ロジンエステルを除く）が挙げられる。
　本明細書において「天然樹脂を化学修飾して得られるロジン誘導体（ただし、ロジンエステルを除く）」とは、前記「天然樹脂」に対して水素化、脱水素化、中和、アルキレンオキシド付加、アミド化、二量化及び多量化、並びにＤｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ環化付加からなる群より選択される１つ以上の処理を施したものを包含する。
　ロジン誘導体としては、例えば、精製ロジン、変性ロジン等が挙げられる。
　変性ロジンとしては、例えば、水添ロジン、重合ロジン、重合水添ロジン、不均化ロジン、酸変性ロジン、酸変性水添ロジン、無水酸変性水添ロジン、酸変性不均化ロジン、無水酸変性不均化ロジン、フェノール変性ロジン及びα，β不飽和カルボン酸変性物（アクリル酸変性ロジン、マレイン酸変性ロジン、フマル酸変性ロジン等）、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α，β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物、ロジンアルコール、ロジンアミン、水添ロジンアルコール、ロジン石鹸、水添ロジン石鹸、酸変性ロジン石鹸等が挙げられる。
　ロジンアミンとしては、例えば、デヒドロアビエチルアミン、ジヒドロアビエチルアミン及びテトラヒドロアビエチルアミンの混合物であり、いわゆる不均化ロジンアミンを意味する。デヒドロアビエチルアミン、ジヒドロアビエチルアミン及びテトラヒドロアビエチルアミンの各構造を以下に示す。
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　その他ロジンは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　ロジンエステルの含有量は、ロジンの総質量（１００質量％）に対して、７０質量％以上１００質量％以下が好ましく、８０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下が特に好ましく、１００質量％であってもよい。
　ロジンエステルの含有量が上記範囲内の下限値以下であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる。
　≪その他活性剤≫
　その他活性剤としては、例えば、アミン、ハロゲン化合物、有機リン化合物等が挙げられる。
　［アミン］
　アミンとしては、例えば、アゾール類、グアニジン類、アルカノールアミン、アルキルアミン化合物、アミンポリオキシアルキレン付加体等が挙げられる。
　アゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン、２，４－ジアミノ－６－ビニル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－ビニル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４－ジアミノ－６－メタクリロイルオキシエチル－ｓ－トリアジン、エポキシ－イミダゾールアダクト、２－メチルベンゾイミダゾール、２－オクチルベンゾイミダゾール、２－ペンチルベンゾイミダゾール、２－（１－エチルペンチル）ベンゾイミダゾール、２－ノニルベンゾイミダゾール、２－（４－チアゾリル）ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、１，２，４－トリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’－ｔｅｒｔ－ブチル－５’－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔｅｒｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ｔｅｒｔ－オクチルフェノール］、６－（２－ベンゾトリアゾリル）－４－ｔｅｒｔ－オクチル－６’－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－メチル－２，２’－メチレンビスフェノール、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］メチルベンゾトリアゾール、２，２’－［［（メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ］ビスエタノール、１－（１’，２’－ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１－（２，３－ジカルボキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１－［（２－エチルヘキシルアミノ）メチル］ベンゾトリアゾール、２，６－ビス［（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］－４－メチルフェノール、５－メチルベンゾトリアゾール、５－フェニルテトラゾール等が挙げられる。
　グアニジン類としては、例えば、１，３－ジフェニルグアニジン、１，３－ジ－ｏ－トリルグアニジン、１－ｏ－トリルビグアニド、１，３－ジ－ｏ－クメニルグアニジン、１，３－ジ－ｏ－クメニル－２－プロピオニルグアニジン等が挙げられる。
　アルカノールアミンとしては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、１－アミノ－２－プロパノール、ビス（２－ヒドロキシプロピル）アミン、トリス（２－ヒドロキシプロピル）アミン等が挙げられる。
　アルキルアミン化合物としては、例えば、エチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン等が挙げられる。
　アミンポリオキシアルキレン付加体としては、例えば、末端ジアミンポリアルキレングリコール、脂肪族アミンポリオキシアルキレン付加体、芳香族アミンポリオキシアルキレン付加体、多価アミンポリオキシアルキレン付加体等が挙げられる。
　アミンポリオキシアルキレン付加体に付加されているアルキレンオキシドとしては、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。
　末端ジアミンポリアルキレングリコールは、ポリアルキレングリコールの両末端がアミノ化された化合物である。
　末端ジアミンポリアルキレングリコールとしては、例えば、末端ジアミンポリエチレングリコール、末端ジアミンポリプロピレングリコール、末端ジアミンポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体等が挙げられる。
　末端ジアミンポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体としては、例えば、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合物ビス（２－アミノプロピル）エーテル、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合物ビス（２－アミノエチル）エーテルが挙げられる。
　脂肪族アミンポリオキシアルキレン付加体、芳香族アミンポリオキシアルキレン付加体、及び多価アミンポリオキシアルキレン付加体は、アミンの窒素原子にポリオキシアルキレン基が結合したものである。前記アミンとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３－プロパンジアミン、１，４－ブタンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、牛脂アミン、硬化牛脂アミン、牛脂プロピルジアミン、メタキシレンジアミン、トリレンジアミン、パラキシレンジアミン、フェニレンジアミン、イソホロンジアミン、１，１０－デカンジアミン、１，１２－ドデカンジアミン、４，４－ジアミノジシクロヘキシルメタン、４，４－ジアミノジフェニルメタン、ブタン－１，１，４，４－テトラアミン、ピリミジン－２，４，５，６－テトラアミン等が挙げられる。
　アミンは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　アミンとしては、アゾール類が好ましく、２－フェニルイミダゾールがより好ましい。
　前記フラックスがアミンを含有する場合、前記アミンの含有量は、フラックスの総質量に対して、０．１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。
　前記フラックスがアミンを含有することにより、フラックスの濡れ性をより高めやすくなる。前記アミンの含有量が前記範囲の下限値以上であることにより、フラックスの濡れ性をより高めやすくなる。前記アミンの含有量が前記範囲の上限値以下であることにより、ボイド発生の抑制能を高めやすくなる。
　［ハロゲン化合物］
　ハロゲン化合物としては、例えば、アミンハロゲン化水素酸塩、アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物等が挙げられる。
　アミンハロゲン化水素酸塩は、アミンとハロゲン化水素とを反応させた化合物である。
ここでのアミンとしては、≪アミン≫において上述したものが挙げられる。
　また、アミンハロゲン化水素酸塩以外のハロゲン化合物としては、例えば、アミンとテトラフルオロホウ酸（ＨＢＦ４）とを反応させた塩、アミンと三フッ化ホウ素（ＢＦ３）とを反応させた錯体も用いることができる。前記錯体としては、例えば、三フッ化ホウ素ピぺリジン等が挙げられる。
　アミンハロゲン化水素酸塩以外のハロゲン化合物としては、例えば、ハロゲン化脂肪族化合物が挙げられる。ハロゲン化脂肪族炭化水素基は、脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたものをいう。
　ハロゲン化脂肪族化合物としては、ハロゲン化脂肪族アルコール、ハロゲン化複素環式化合物が挙げられる。
　ハロゲン化脂肪族アルコールとしては、例えば、１－ブロモ－２－プロパノール、３－ブロモ－１－プロパノール、３－ブロモ－１，２－プロパンジオール、１－ブロモ－２－ブタノール、１，３－ジブロモ－２－プロパノール、２，３－ジブロモ－１－プロパノール、１，４－ジブロモ－２－ブタノール、ｔｒａｎｓ－２，３－ジブロモ－２－ブテン－１，４－ジオール等が挙げられる。
　ハロゲン化複素環式化合物としては、例えば、下記一般式（ｈ１）で表される化合物が挙げられる。
　Ｒｈ１１－（Ｒｈ１２）ｎ　　（ｈ１）
［式中、Ｒｈ１１は、ｎ価の複素環式基を表す。Ｒｈ１２は、ハロゲン化脂肪族炭化水素基を表す。］
　Ｒｈ１１における、ｎ価の複素環式基の複素環としては、脂肪族炭化水素又は芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された環構造が挙げられる。この複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。この複素環は、３～１０員環であることが好ましく、５～７員環であることがより好ましい。この複素環としては、例えば、イソシアヌレート環などが挙げられる。
　Ｒｈ１２における、ハロゲン化脂肪族炭化水素基は、炭素数１～１０が好ましく、炭素数２～６がより好ましく、炭素数３～５がさらに好ましい。また、Ｒｈ１２は、臭素化脂肪族炭化水素基、塩素化脂肪族炭化水素基が好ましく、臭素化脂肪族炭化水素基がより好ましく、臭素化飽和脂肪族炭化水素基がさらに好ましい。
　ハロゲン化複素環式化合物としては、例えば、トリス－（２，３－ジブロモプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。
　また、アミンハロゲン化水素酸塩以外のハロゲン化合物としては、例えば、２－ヨード安息香酸、３－ヨード安息香酸、２－ヨードプロピオン酸、５－ヨードサリチル酸、５－ヨードアントラニル酸等のヨウ化カルボキシル化合物；２－クロロ安息香酸、３－クロロプロピオン酸等の塩化カルボキシル化合物；２，３－ジブロモプロピオン酸、２，３－ジブロモコハク酸、２－ブロモ安息香酸等の臭素化カルボキシル化合物等のハロゲン化カルボキシル化合物が挙げられる。
　また、アミンハロゲン化水素酸塩以外のハロゲン化合物としては、例えば、有機クロロ化合物が挙げられる。有機クロロ化合物としては、例えば、クロロアルカン、塩素化脂肪酸エステル、クロレンド酸、クロレンド酸無水物等が挙げられる。
　ハロゲン化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　≪有機リン化合物≫
　有機リン化合物としては、例えば、酸性リン酸エステル、酸性ホスホン酸エステル、酸性ホスフィン酸エステル等が挙げられる。
　有機リン化合物は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　≪チキソ剤≫
　チキソ剤としては、例えば、エステル系チキソ剤、アミド系チキソ剤、ソルビトール系チキソ剤等が挙げられる。
　エステル系チキソ剤としては、例えばエステル化合物が挙げられ、具体的には硬化ひまし油、ミリスチン酸エチル等が挙げられる。
　アミド系チキソ剤としては、例えば、モノアミド、ビスアミド、ポリアミドが挙げられる。
　モノアミドとしては、例えば、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸アミド、飽和脂肪酸アミド、オレイン酸アミド、エルカ酸アミド、不飽和脂肪酸アミド、４－メチルベンズアミド（ｐ－トルアミド）、ｐ－トルエンメタンアミド、芳香族アミド、ヘキサメチレンヒドロキシステアリン酸アミド、置換アミド、メチロールステアリン酸アミド、メチロールアミド、脂肪酸エステルアミド等が挙げられる。
　ビスアミドとしては、例えば、エチレンビス脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、エチレンビスヒドロキシ脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、ヘキサメチレンビス脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、ヘキサメチレンビスヒドロキシ脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、芳香族ビスアミド等が挙げられる。前記ビスアミドの原料である脂肪酸としては、例えば、ステアリン酸（炭素数Ｃ１８）、オレイン酸（炭素数Ｃ１８）、ラウリン酸（炭素数Ｃ１２）等が挙げられる。
　ポリアミドとしては、例えば、飽和脂肪酸ポリアミド、不飽和脂肪酸ポリアミド、芳香族ポリアミド、１，２，３－プロパントリカルボン酸トリス（２－メチルシクロヘキシルアミド）、環状アミドオリゴマー、非環状アミドオリゴマー等のポリアミドが挙げられる。
　前記環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー等が挙げられる。
　また、前記非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とジアミン及び／又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合、ジカルボン酸及び／又はトリカルボン酸とモノアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合等が挙げられる。モノカルボン酸又はモノアミンを含むアミドオリゴマーであると、モノカルボン酸、モノアミンがターミナル分子（ｔｅｒｍｉｎａｌ　ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）として機能し、分子量を小さくした非環状アミドオリゴマーとなる。また、非環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸及び／又はトリカルボン酸と、ジアミン及び／又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミド化合物である場合、非環状高分子系アミドポリマーとなる。更に、非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とモノアミンとが非環状に縮合したアミドオリゴマーも含まれる。
　ソルビトール系チキソ剤としては、例えば、ジベンジリデン－Ｄ－ソルビトール、ビス（４－メチルベンジリデン）－Ｄ－ソルビトール、（Ｄ－）ソルビトール、モノベンジリデン（－Ｄ－）ソルビトール、モノ（４－メチルベンジリデン）－（Ｄ－）ソルビトール等が挙げられる。
　本実施形態にかかるフラックスは、チキソ剤を含有しなくてもよいし、チキソ剤を含有してもよい。本実施形態にかかるフラックスがチキソ剤を含有する場合、チキソ剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　≪金属不活性化剤≫
　金属不活性化剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、窒素化合物等が挙げられる。
　ここでいう「金属不活性化剤」とは、ある種の化合物との接触により金属が劣化することを防止する性能を有する化合物をいう。
　ヒンダードフェノール系化合物とは、フェノールのオルト位の少なくとも一方に嵩高い置換基（例えばｔ－ブチル基等の分岐状又は環状アルキル基）を有するフェノール系化合物をいう。
　ヒンダードフェノール系化合物としては、特に限定されず、例えば、ビス［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオン酸］［エチレンビス（オキシエチレン）］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロパンアミド］、１，６－ヘキサンジオールビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオナート］、２，２’－ジヒドロキシ－３，３’－ビス（α－メチルシクロヘキシル）－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、２，２’－メチレンビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール）、２，２’－メチレンビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－エチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，４－ビス－（ｎ－オクチルチオ）－６－（４－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルアニリノ）－１，３，５－トリアジン、ペンタエリスリチル－テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジルフォスフォネート－ジエチルエステル、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス［２－［２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）エチルカルボニルオキシ］エチル］オキサミド、下記化学式で表される化合物等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式中、Ｚは、置換されてもよいアルキレン基である。Ｒ８１及びＲ８２は、それぞれ独立して、置換されてもよい、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基又はヘテロシクロアルキル基である。Ｒ８３及びＲ８４は、それぞれ独立して、置換されてもよいアルキル基である。）
　金属不活性化剤における窒素化合物としては、例えば、ヒドラジド系窒素化合物、アミド系窒素化合物、トリアゾール系窒素化合物、メラミン系窒素化合物等が挙げられる。
　ヒドラジド系窒素化合物としては、ヒドラジド骨格を有する窒素化合物であればよく、ドデカン二酸ビス［Ｎ２－（２ヒドロキシベンゾイル）ヒドラジド］、Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジン、デカンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド、Ｎ－サリチリデン－Ｎ’－サリチルヒドラジド、ｍ－ニトロベンズヒドラジド、３－アミノフタルヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ヒドラジド、オキザロビス（２－ヒドロキシ－５－オクチルベンジリデンヒドラジド）、Ｎ’－ベンゾイルピロリドンカルボン酸ヒドラジド、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニル）ヒドラジン等が挙げられる。
　アミド系窒素化合物としては、アミド骨格を有する窒素化合物であればよく、Ｎ，Ｎ’－ビス｛２－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシル］エチル｝オキサミド等が挙げられる。
　トリアゾール系窒素化合物としては、トリアゾール骨格を有する窒素化合物であればよく、Ｎ－（２Ｈ－１，２，４－トリアゾール－５－イル）サリチルアミド、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－（Ｎ－サリチロイル）アミノ－１，２，４－トリアゾール等が挙げられる。
　メラミン系窒素化合物としては、メラミン骨格を有する窒素化合物であればよく、メラミン、メラミン誘導体等が挙げられる。より具体的には、例えば、トリスアミノトリアジン、アルキル化トリスアミノトリアジン、アルコキシアルキル化トリスアミノトリアジン、メラミン、アルキル化メラミン、アルコキシアルキル化メラミン、Ｎ２－ブチルメラミン、Ｎ２，Ｎ２－ジエチルメラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ヘキサキス（メトキシメチル）メラミン等が挙げられる。
　金属不活性化剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　≪界面活性剤≫
　界面活性剤としては、例えば、ノニオン界面活性剤等が挙げられる。
　ノニオン界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレン付加体が挙げられる。
　ポリオキシアルキレン付加体が由来するアルキレンオキシドとしては、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。
　ポリオキシアルキレン付加体としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体、エチレンオキサイド－レゾルシン共重合物、ポリオキシアルキレンアセチレングリコール類、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンエステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミド等が挙げられる。
　あるいは、ノニオン界面活性剤としては、アルコールのポリオキシアルキレン付加体が挙げられる。前記アルコールとしては、例えば、脂肪族アルコール、芳香族アルコール、多価アルコールが挙げられる。
　界面活性剤は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　≪酸化防止剤≫
　酸化防止剤としては、例えば、２，２’－ジヒドロキシ－３，３’－ビス（α－メチルシクロヘキシル）－５，５’－ジメチルジフェニルメタン等のヒンダードフェノール系酸化防止剤等が挙げられる。ここでいう「酸化防止剤」とは、はんだ合金の酸化を抑制する性能を有する化合物をいう。
　酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　以上説明した実施形態に係るフラックスは、インジウム合金シートの実装及びはんだボールの接合のための、連続したリフローに好適に用いられる。
　１次リフローでは、インジウムの融点付近の低温（例えば１７０℃）の条件でリフローを行うことにより、ヒートシンクと、チップとを、インジウム合金シートで接合して、半導体パッケージを得る。次いで、２次リフローでは、はんだ合金の融点付近の高温（例えば２５０℃）の条件でリフローを行うことにより、半導体パッケージの裏面にはんだボールを接合する。
　従来のフラックスは、１次リフローにおいて、インジウムシートの表面に濡れ広がらず、接合面に溜まり、その結果、インジウム合金シート接合面にボイドが大量に発生しやすい。本実施形態に係るフラックスは、低温でも揮発しやすい溶剤（Ｓ１）を含有する。低温条件での１次リフローにおいて、溶剤（Ｓ１）は揮発する。その結果、インジウム合金シートが溶融する際に、溶剤（Ｓ１）に由来するボイドは発生しない。
　２次リフローは高温であるため、活性剤等がガス化してボイドを形成しやすい。本実施形態に係るフラックスは、ロジンエステル及びダイマー酸（Ａ１）が高温でもガス化しにくい。このため、温度条件の異なる１時及び２次リフローにおいてボイドの発生を抑制することが可能である。
（接合体の製造方法）
　本態様に係る半導体パッケージを含む電子部品の製造方法では、上記実施形態に係るフラックスを用いて、１次リフローを行い、ダイとリッドとを、熱界面材料（ＴＩＭ）を介して貼り合わせることにより、半導体パッケージを得る。次いで、２次リフローを行い、得られた半導体パッケージに、はんだボールを固定することにより、電子部品を得る方法である。
　本態様に係る製造方法は、下記工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を含む。
　工程（ｉ）：
　ダイとリッドとがＴＩＭを介して貼り合わされた接合体を備えた半導体パッケージを得る工程
　工程（ｉｉ）：
　前記半導体パッケージの背面に、はんだボールを接合して電子部品を得る工程
　本態様に係る半導体パッケージを含む電子部品の製造方法の好適な一実施形態について、図１～４を用いて説明する。本実施形態に係る接合体の製造方法では、図１に例示するように、リッド１０、ＴＩＭ２０、及び、ダイ４１が搭載された基板４０を準備する。
　ダイ４１の表面には、メタライズ層４２が設けられている。メタライズ層４２は、例えば、Ｎｉめっき層、Ｎｉ／Ａｕめっき層等であってもよい。メタライズ層４２は、異なる組成の層を複数有していてもよい。メタライズ層４２は、例えば、スパッタリング等の方法により形成することができる。
　リッド１０は、ＴＩＭ２０と対向する面に、メタライズ層１１が設けられている。メタライズ層１１としては、ダイ４１が有するメタライズ層４２と同様のものが挙げられる。リッド１０は、ＴＩＭ２０と対向する面とは反対側の面に、ヒートシンク１２を備えている。ヒートシンクの材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅等の金属が挙げられる。
　ＴＩＭ２０は、インジウムと銀との合金製のシートである。ＴＩＭ２０の形状は板状である。ＴＩＭ２０の寸法は、リッド１０のメタライズ層１１、及び、ダイ４１のメタライズ層４２の寸法と同等であるか、あるいは、これらよりも、小さい。
　前記合金製のシートの原料である前記合金における、インジウムの含有量は、合金の総量（１００質量％）に対して、７５質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、８５質量％以上９５質量％以下であることがより好ましい。
　前記合金における、銀の含有量は、合金の総量（１００質量％）に対して、１質量％以上２５質量％以下であることが好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることがより好ましい。
＜工程（ｉ）＞
　工程（ｉ）では、ダイとリッドとが熱界面材料（ＴＩＭ）を介して貼り合わされた接合体を備えた半導体パッケージを得る。
　工程（ｉ）について、フラックス塗布工程、リッド装着工程、加熱操作（１）を有する方法を例示して説明する。
　≪フラックス塗布工程≫
　フラックス５０としては、上記実施形態にかかるフラックス５０が好適に用いられる。フラックス塗布工程について、図２を参照して説明する。図２は、フラックス５０が塗布された、ＴＩＭ２０及びダイ４１を示す断面図である。フラックス塗布工程においては、ＴＩＭ２０とダイ４１との間、又は、ＴＩＭ２０とリッド１０との間の少なくとも一方に、フラックス５０を介在させる。
　フラックス塗布工程では、ダイ４１とＴＩＭ２０との貼合面（４２ａ、２０ｂ）、又は、リッド１０とＴＩＭ２０との貼合面（１１ａ、２０ａ）に、フラックス５０を塗布する。
　フラックス５０は、次のように貼合面に塗布される。ダイ４１のメタライズ層４２の表面４２ａに対して、フラックス５０を塗布する。次いで、フラックス５０を塗布したダイ４１のメタライズ層４２の上に、ＴＩＭ２０を載置する。ダイ４１に積層されたＴＩＭ２０の、ダイ４１と接触している面２０ｂとは反対側の面２０ａに対して、フラックス５０を塗布する。
　フラックス５０の塗布装置としては、スプレーフラクサー、および発泡式フラクサー等が挙げられる。これらの中でも、塗布量の安定性の観点から、スプレーフラクサーが好ましい。
　≪リッド装着工程≫
　リッド装着工程では、フラックス５０を貼合面に塗布した後、ＴＩＭ２０及びダイ４１が積層されている基板４０に対して、リッド１０を固定する。リッド装着工程について、図３を参照して説明する。図３は、フラックス５０の塗布後、リッド１０と基板４０とが、接着用樹脂４３により接着された積層体６０を示す図である。
　リッド装着工程では、フラックス５０の塗布後、基板４０の一方面上に、接着用樹脂４３を塗布する。次いで、リッド１０と、ＴＩＭ２０及びダイ４１が積層されている基板４０とを、熱圧着することにより、接着用樹脂４３を硬化させる。これにより、リッド１０が基板４０に対して固定される。リッド装着工程により、リッド１０と基板４０とが、接着用樹脂４３により接着された積層体６０が得られる。
　≪加熱操作（１）≫
　加熱操作（１）では、積層体６０に対して、リフロー方式により加熱を行う。加熱操作（１）により、ＴＩＭ２０を介して、リッド１０及びダイ４１が接合されて、半導体パッケージ６０’を得る。
　ＴＩＭであるインジウム合金シートを構成するインジウムは、融点が１５６℃であるため、通常のリフローよりも低い温度であっても、接合が可能である。リフロー温度は、１５０～２５０℃であることが好ましく、１５０～２００℃であることがより好ましい。
＜工程（ｉｉ）＞
　工程（ｉｉ）では、加熱操作（２）により、半導体パッケージ６０’の背面６０ａに、はんだボール７０を接合して、電子部品１００を得る。工程（ｉｉ）について、図４を参照して説明する。前記半導体パッケージ６０’の背面６０ａとは、半導体パッケージ６０’における、リッドが固定されている面とは反対側の面を意味する。
　工程（ｉｉ）では、まず、半導体パッケージ６０’の背面６０ａに、はんだボール７０を載置する。次いで、はんだボール７０が載置された半導体パッケージ６０’に対して、加熱操作（２）を行う。加熱操作（２）により、はんだボール７０が溶融して、はんだボール７０と半導体パッケージ６０’とが接合される。
　加熱操作（２）は、半導体パッケージ６０’に対して、リフロー方式により加熱を行う。リフロー温度は、２００℃以上２８０℃以下であることが好ましい。
　以上説明した実施形態に係る半導体パッケージを含む電子部品の製造方法によれば、高温で行われる加熱操作（２）においても、シートの接合面（すなわち、フラックスが介在している面）におけるボイド量を低減することが可能である。その結果、チップから発生した熱を高効率で放熱することが可能である。
（その他実施形態）
　上述したように、本態様に係る接合体の製造方法は、ＴＩＭ２０とダイ４１との間、又は、ＴＩＭ２０とリッド１０との間の少なくとも一方に、フラックス５０を介在させる。
　上記の実施形態においては、ダイ４１におけるＴＩＭ２０との貼合面４２ａ、ＴＩＭ２０におけるリッド１０との貼合面１１ａにフラックス５０を塗布するが、フラックス５０を塗布する面はこれに限定されない。
　例えば、ＴＩＭ２０とダイ４１との間にフラックス５０を介在させるために、ＴＩＭ２０におけるダイ４１との貼合面２０ｂにフラックス５０を塗布してもよいし、リッド１０におけるＴＩＭ２０との貼合面１１ａにフラックス５０を塗布してもよい。
　以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜フラックスの調製＞
　（実施例１～２５、比較例１～４）
　表１～４に示す組成で実施例及び比較例の各フラックスを調合した。使用した原料の成分を以下に示した。表１～４における組成率は、フラックスの全質量を１００質量％とした場合の質量％であり、空欄は０質量％を意味する。
　ロジンとして、ロジンエステル、アクリル酸変性水添ロジン、水添ロジンを用いた。
　ロジンエステル：
　ロジンエステルとしては、水添ロジンと、グリセリンと、を反応させたものを用いた。
　有機酸として、ダイマー酸（Ａ１）及びその他有機酸を用いた。
　ダイマー酸（Ａ１）：水添ダイマー酸
　水添ダイマー酸として、オレイン酸とリノール酸との反応物に、部分的に水素添加されたものを用いた。水添ダイマー酸は、炭素数３６であるダイマー酸、及び、炭素数が５４であるトリマー酸を含有するものであった。
　炭素数３６であるダイマー酸は、不飽和度が異なる複数種のダイマー酸を含むものであった。ここで、ダイマー酸の不飽和度は、ダイマー酸の分子内の炭素原子数をｍ、水素原子数をｎとした場合に、｛（２ｍ＋２）－ｎ｝／２で表される値である。
　炭素数３６であるダイマー酸は、不飽和度２のダイマー酸、不飽和度３のダイマー酸、不飽和度４のダイマー酸、不飽和度５のダイマー酸、不飽和度６であるダイマー酸、不飽和度７であるダイマー酸、不飽和度８であるダイマー酸を含むものであった。
　その他有機酸：アジピン酸、パルミチン酸、セバシン酸、１２－ヒドロキシステアリン酸
　アミン：２－フェニルイミダゾール
　溶剤（Ｓ）として、溶剤（Ｓ１）及び溶剤（Ｓ２）を用いた。
　溶剤（Ｓ１）：３－メトキシブチルアセテート（沸点１７２℃）、ヘキシレングリコール（沸点１９７℃）
　溶剤（Ｓ２）：ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（沸点２６０℃）
　ここで、沸点は、対象の液体の飽和蒸気圧が１気圧（すなわち、１０１３ｈＰａ）と等しくなるときの、その液体の温度を意味する。
　［重量減少率の測定］
　ロジンエステル、アクリル酸変性水添ロジン、水添ロジン、ダイマー酸（Ａ１）、その他有機酸、溶剤（Ｓ１）及び溶剤（Ｓ２）の重量減少率は、次のように測定した。
　示差熱－熱重量同時測定装置（株式会社リガク製、ＴＧ－ＤＴＡ８１２２）を用いて、測定対象試料１０ｍｇをアルミパンに入れ、室温約２５℃から加熱を開始して所定の温度に達するまで、所定の昇温速度で昇温した。そして、加熱前の対象試料の質量Ｗ０（１００質量％）と、所定の温度に達した直後の質量Ｗ１とから、重量減少率を以下の計算式から算出した。
　重量減少率（％）＝１００×｛Ｗ０－Ｗ１｝／Ｗ０
　ロジンエステル、アクリル酸変性水添ロジン、水添ロジン、ダイマー酸（Ａ１）及びその他有機酸の重量減少率は、所定の温度及び所定の昇温速度を、それぞれ、２６０℃及び１０℃／ｍｉｎとして、測定した。かっこ内の数値は重量減少率を示す。
　ロジン：ロジンエステル（７．１質量％）、アクリル酸変性水添ロジン（１１．９質量％）、水添ロジン（２５．６質量％）
　有機酸：水添ダイマー酸（０．１質量％）、アジピン酸（９９．５質量％）、パルミチン酸（９７．０質量％）、セバシン酸（５２．９質量％）、１２－ヒドロキシステアリン酸（１１．９質量％）
　溶剤（Ｓ１）及び溶剤（Ｓ２）の重量減少率は、所定の温度及び所定の昇温速度を、それぞれ、１５０℃及び６℃／ｍｉｎとして測定した。
　溶剤（Ｓ１）：３－メトキシブチルアセテート（９９．０質量％）、ヘキシレングリコール（９９．０質量％）
　溶剤（Ｓ２）：ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（２１．０質量％）
　［水添ダイマー酸の分析］
　２－プロパノールに溶解させた水添ダイマー酸５０００ｐｐｍを用意した。液体クロマトグラフィー・フーリエ変換質量分析計を用いて、この溶液を分析した。
　液体クロマトグラフィー装置として、ＵｌｔｉＭａｔｅ　３０００（Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ社製）を用いた。移動相として、５ｍＭギ酸アンモニウム水溶液及びメタノールの混合液を用いて、グラジエント分析を行った。カラムとして、Ａｑｕｉｔｙ　ＵＰＬＣ　ＢＥＨ　Ｃ１８（１．７μｍ，２．１×１００ｍｍ）を用いた。カラム温度は５０℃に設定し、流速は０．３５ｍＬ／ｍｉｎに設定し、注入量は１μＬとした。
　フーリエ変換質量分析計として、ｏｒｂｉｔｒａｐ　ＩＤ－Ｘ（Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ社製）を用いた。分析条件は、エレクトロスプレーイオン法のネガティブモードとした。ｍ／ｚの測定範囲は、２００～２０００とした。
　用いた水添ダイマー酸は、複数の分子を含むことが確認された。作成したイオンクロマトグラムに基づき、検出された全ての分子に由来するピーク総面積（１００％）に対する、各分子に由来するピーク面積の割合を算出した。
　水添ダイマー酸は、複数種の炭素数３６のダイマー酸、及び、炭素数５４のトリマー酸を含有するものであった。複数種の炭素数３６のダイマー酸に由来するピーク総面積は、全ての分子に由来する総面積（１００％）に対して、９９％以上であった。
　全ての分子に由来する総面積（１００％）に対する、炭素数３６である各ダイマー酸の面積の割合は以下の通りであった。
　不飽和度２のダイマー酸（２６．７％）、不飽和度３のダイマー酸（４０．６％）、不飽和度４のダイマー酸（１０．６％）、不飽和度５のダイマー酸（２．６％）、不飽和度６であるダイマー酸（７．５％）、不飽和度７であるダイマー酸（１０．１％）、不飽和度８であるダイマー酸（１．９％）であった。
　水添ダイマー酸の総量（１００質量％）に対する、異なる不飽和度の各ダイマー酸の含有量は、おおよそ、上述の面積の割合と一致すると推測される。
　［軟化点の測定］
　ロジンの軟化点は、ＪＩＳ　Ｋ　５９０２の記載の環球法により測定した。軟化点が８０℃以下のロジンは、水浴で測定した。また、軟化点が８０℃を超えるロジンは、グリセリン浴で測定した。各ロジンについて、測定は２回行った。下記の軟化点は、２回の測定値の平均値である。
　ロジンエステル（軟化点９５℃）、アクリル酸変性水添ロジン（軟化点１３０℃）、水添ロジン（軟化点７２℃）
　［酸価の測定］
　ロジンエステルの酸価は、ＪＩＳＫ００７０「化学製品の酸価，けん化価，エステル価，よう素価，水酸基価及び不けん化物の試験方法」の３．１　中和滴定法に従って測定した。
　ロジンエステル３ｇをエタノール／ジエチルエーテル（混合比１：１）に溶解した。指示薬としてフェノールフタレインを用いて、０．１ｍｏｌ／Ｌ　ＫＯＨ　エタノール溶液により滴定した。溶液が微紅色になった点を終点とした。
　ロジンエステルの酸価は、６ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
　下記の＜評価１＞に記載した評価方法にしたがって、≪ボイド発生抑制能の評価≫、≪濡れ性の評価≫を行った。これらの評価結果を表１～４に示した。
　＜評価１＞
　≪ボイド発生抑制能の評価≫
　接合体の製造方法：
　表面にＡｕ／Ｎｉめっき部（サイズ８ｍｍ×８ｍｍ）が設けられたリッド、及び、表面にＡｕ／Ｎｉめっき部（サイズ８ｍｍ×８ｍｍ）が設けられた基板を用意した。
　はんだシートとして、Ｉｎが９０質量％と、Ａｇが１０質量％との合金からなるインジウム合金シート（サイズ：７ｍｍ×７ｍｍ×４００μｍ）を準備した。インジウム合金シートの表面及び裏面に、それぞれ、各例のフラックス２ｍｇをスプレー塗布した。
　基板のＡｕ／Ｎｉめっき部の周縁に、厚さ３００μｍの銅板を、スペーサーとして載置した。次いで、フラックスを塗布したインジウム合金シートを、リッド及び基板のＡｕ／Ｎｉめっき部の間に挟み込んだ状態で、クリップで固定した。
　次いで、インジウム合金シートを挟んだリッド及び基板に対して、１次リフローを行い、接合体を得た。１次リフローは、大気中、昇温速度１０℃／分で昇温し、１７０℃に達するまで行った。
　次いで、１次リフローを行った接合体に対して、２次リフローを行った。２次リフローは、昇温速度０．５℃／秒で、４５０秒間、室温から２５０℃まで昇温させた。
　検証方法：
　２次リフローを行った接合体に対し、基板の鉛直方向からＸ線を照射して、透過Ｘ線を解析することにより、ボイド面積を測定した。測定には、ＸＤ７６００ＮＴ（ノードソン社製）を用いた。ボイド面積の測定では、Ｘ線が少なくとも１個のボイドを通過した場合には、ボイドが存在したものとして測定した。ボイドは、直径０．１μｍ以上のものを検出した。次いで、インジウム合金シートの総面積に対するボイドの総面積の割合を算出し、ボイド面積率（％）とした。
　判定基準：
　Ａ：ボイド面積率が、１０％未満である。
　Ｂ：ボイド面積率が、１０％以上１５％未満である。
　Ｃ：ボイド面積率が、１５％以上である。
　評価結果が、Ａ又はＢであったフラックスは合格であり、Ｃであったフラックスは不合格であるとした。
　≪濡れ性の評価≫
　検証方法：
　はんだシートとして、Ｉｎが９０質量％と、Ａｇが１０質量％との合金からなるインジウム合金シート（サイズ：２ｍｍ×２ｍｍ×１００μｍ）を準備した。
　インジウム合金シートの表面及び裏面に、それぞれ、各例のフラックス０．５ｍｇをスプレー塗布した。フラックスを塗布したインジウム合金シートを、Ａｕ／Ｎｉ電極上に載置した。
　次いで、インジウム合金シートが載置された電極を、次の条件でリフローを行った。リフローは、昇温速度６℃／分で、１８０℃まで昇温し、１８０℃で３分間、保持した。
　次いで、フラックスを除去した後、濡れ広がった面積を計測した。
　判定基準：
　Ａ：濡れ広がった面積が、２．５ｍｍ２以上である。
　Ｂ：濡れ広がった面積が、２．０ｍｍ２以上２．５ｍｍ２未満である。
　評価結果が、Ａ又はＢであったフラックスは合格であるとした。
　≪塗布性の評価≫
　検証方法：
　スプレー装置（ＴＧ－ＳＳ２（フルコーンタイプ）、スプレーイングシステム社製）を用いて、エアー圧を０．３ＭＰａに設定し、各例のフラックスを金属板に対して塗布できるか否かを検証した。
　判定基準：
　Ａ：スプレー装置を用いて、フラックスを金属板に塗布することができた。
　Ｂ：スプレー装置を用いて、フラックスを金属板に塗布することができなかった。
　評価結果が、Ａであったフラックスは合格であり、Ｂであったフラックスは不合格であるとした。
　下記の＜評価２＞に記載した評価方法にしたがって、≪ボイド発生抑制能の評価≫、≪濡れ性の評価≫を行った。これらの評価結果を表４に示した。
　＜評価２＞
　≪ボイド発生抑制能の評価≫
　はんだシートとして、Ａｇが３質量％と、Ｃｕが０．５質量％と、残部がＳｎとの合金からなるＳＡＣ合金シート（サイズ：７ｍｍ×７ｍｍ×４００μｍ）を準備した。
　ＳＡＣ合金シート、実施例１、比較例４のフラックスを用いて、＜評価１＞の≪ボイド発生抑制能の評価≫と同様の方法で検証した。
　１次リフロー及び２次リフローの条件は次の通りであった。１次リフローは、大気中、昇温速度１０℃／分で昇温し、室温（２５℃）から２５０℃に達するまで行った。２次リフローは、昇温速度０．５℃／秒で、４５０秒間、室温（２５℃）から２５０℃まで昇温させた。
　≪濡れ性の評価≫
　はんだシートとして、Ａｇが３質量％と、Ｃｕが０．５質量％と、残部がＳｎとの合金からなるＳＡＣ合金シート（サイズ：２ｍｍ×２ｍｍ×１００μｍ）を準備した。
　ＳＡＣ合金シート、実施例１、比較例４のフラックスを用いて、＜評価１＞の≪濡れ性の評価≫と同様の方法で検証した。
　リフローは、昇温速度６℃／分で、室温（２５℃）から２５０℃まで昇温し、２５０℃で３分間、保持した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　ロジンエステルとダイマー酸（Ａ１）と溶剤（Ｓ１）とを含有する、実施例１～２のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ａであった。
　溶剤（Ｓ１）を含有しない、比較例１のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ｃであった。
　ダイマー酸（Ａ１）を含有しない、比較例２～３のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ｃであった。
　ロジンエステルを含有しない、比較例４のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ｃであった。
　前記溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、１００質量％である、実施例１のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ａであった。
　前記溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、８３質量％である、実施例３のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ｂであった。
　ダイマー酸（Ａ１）を含有する、実施例１のフラックスは、塗布性の評価がＡであった。
　ダイマー酸（Ａ１）を含有しない、比較例１のフラックスは、塗布性の評価がＢであった。
　その他有機酸の含有量が、フラックスの総質量に対して１５質量％である比較例２～３のフラックスは、塗布性の評価がＢであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、有機酸（Ａ）の総質量に対して、９０質量％以上である、実施例４、７～１１のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価がＡであった。
　ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、有機酸（Ａ）の総質量に対して、９０質量％未満である、実施例５～６、１２～１３のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価がＢであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、フラックスの総質量に対して１５質量％以上である、実施例１５～２０、２２～２３、２５のフラックスは、濡れ性の評価がＡであった。
　ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、フラックスの総質量に対して１０質量％である、実施例１４、２１、２４のフラックスは、濡れ性の評価がＢであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　＜評価２＞において、ＳＡＣ合金シート及び実施例１のフラックスを用いた場合、ボイド発生抑制能及び濡れ性の評価は、Ａであった。また、ＳＡＣ合金シート及び比較例４のフラックスを用いた場合、ボイド発生抑制能及び濡れ性の評価は、Ａであった。
　ロジンエステルを含有しない比較例４のフラックスは、ＳＡＣ合金シートを用いた場合、ボイド抑制能はＡであり、インジウム合金シートを用いた場合、ボイド抑制能はＣであった。すなわち、インジウム合金シートを用いた場合は、ＳＡＣ合金シートを用いた場合よりも、ボイドを発生しやすい。
　ロジンエステルを含有する実施例１のフラックスは、インジウム合金シートを用いた場合であっても、十分にボイドを抑制することができた。
　本発明のフラックスは、ロジンエステル、ダイマー酸（Ａ１）及び溶剤（Ｓ１）を含有することにより、インジウムの含有量が高いはんだシートを用いた場合であっても、得られる接合体において、ボイドの発生を抑制することが可能である。
　本発明のフラックスは、インジウム合金シートを用いた、熱排出効率が高められた電子部品の製造工程に好適に用いられる。
　１０　リッド、１１　メタライズ層、１１ａ　貼合面、１２　ヒートシンク、２０　熱界面材料（ＴＩＭ）、２０ａ，２０ｂ　貼合面、４０　基板、４１　ダイ、４２　メタライズ層、４２ａ　貼合面、４３　接着用樹脂、５０　フラックス、６０　半導体パッケージ、６０ａ　裏面、７０　はんだボール、１００　電子部品

Claims (10)

  1. 　ロジンエステルと、有機酸（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含有し、
    　前記有機酸（Ａ）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であるダイマー酸（Ａ１）を含み、
    　前記溶剤（Ｓ）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である溶剤（Ｓ１）を含む、フラックス。
  2. 　前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、前記有機酸（Ａ）の総質量に対して、７５質量％以上である、請求項１に記載のフラックス。
  3. 　前記溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、８０質量％以上である、請求項１又は２に記載のフラックス。
  4. 　前記ダイマー酸（Ａ１）は、炭素数１８の不飽和脂肪酸が結合した二量体からなる群より選択される少なくとも一種である、請求項１～３のいずれか一項に記載のフラックス。
  5. 　前記溶剤（Ｓ１）の沸点が、２００℃以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載のフラックス。
  6. 　さらに、アゾール類を含有する、請求項１～５のいずれか一項に記載のフラックス。
  7. 　前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、フラックスの総質量に対して、１０質量％以上６０質量％以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載のフラックス。
  8. 　前記ロジンエステルの含有量が、フラックスの総質量に対して、１５質量％以上６０質量％以下である、請求項１～７のいずれか一項に記載のフラックス。
  9. 　半導体パッケージを含む電子部品の製造方法であって、
    　ダイとリッドとが熱界面材料（ＴＩＭ）を介して貼り合わされた接合体を備えた半導体パッケージを得る工程（ｉ）と、
    　前記半導体パッケージの背面に、はんだボールを接合して電子部品を得る工程（ｉｉ）と、を有し、
    　前記ＴＩＭが、インジウムと銀との合金製のシートであり、
    　前記工程（ｉ）は、前記ＴＩＭと前記ダイとの間、又は、前記ＴＩＭと前記リッドとの間の少なくとも一方に、請求項１～８のいずれか一項に記載のフラックスを介在させて、リフロー方式により前記ダイと前記リッドとを貼り合わせる加熱操作（１）を含み、
    　前記工程（ｉｉ）は、リフロー方式により前記はんだボールと前記半導体パッケージとを接合する加熱操作（２）を含む、電子部品の製造方法。
  10. 　前記加熱操作（１）の温度条件が１５０～２５０℃であり、
    　前記加熱操作（２）の温度条件が２００～２８０℃である、請求項９に記載の電子部品の製造方法。
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