JP7252504B1

JP7252504B1 - フラックス及び電子部品の製造方法

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Publication number: JP7252504B1
Application number: JP2022135236A
Authority: JP
Inventors: 知久川中子; 泰弘梶川; 邦昭佐藤; 文香白川
Original assignee: Senju Metal Industry Co Ltd
Current assignee: Senju Metal Industry Co Ltd
Priority date: 2022-08-26
Filing date: 2022-08-26
Publication date: 2023-04-05
Anticipated expiration: 2042-08-26
Also published as: JP2024031587A; WO2024043231A1; TW202423600A

Abstract

【課題】インジウム合金シートを用いて温度条件の異なる連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制できる、フラックスを提供する。【解決手段】ロジンエステルと、有機酸（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含有するフラックスを採用する。有機酸（Ａ）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であるダイマー酸（Ａ１）を含む。溶剤（Ｓ）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である溶剤（Ｓ１）を含む。【選択図】なし

Description

本発明は、フラックス及び電子部品の製造方法に関する。

近年、電子機器には、大容量化、高速化が要求されている。このような電子機器に搭載される高集積化されたダイは、動作時に大量の熱を発生する。このため、ダイにヒートシンクを備えたリッド等を装着することにより、発生した熱を効率的に排出する必要がある。

これに対し、例えば特許文献１には、ダイの動作による熱を、より高い効率でヒートシンクに伝達するために、ダイとヒートシンクを備えたリッドとの間に、ポリマーを含有する熱界面材料（ＴｈｅｒｍａｌＩｎｔｅｒｆａｃｅＭａｔｅｒｉａｌ：ＴＩＭ）を挟み込んで用いることが提案されている。

特表２０１０－５３９７０６号公報

ところで、ＴＩＭとして、インジウムの含有量が高められたシート（以下、これをインジウム合金シートという）が提案されている。インジウム合金シートの原料となる合金としては、例えば、Ｉｎが９０質量％、Ａｇが１０質量％である合金が用いられる。
インジウムは、他の金属元素に比べて硬度が低く、インジウム合金シートは、ダイ及びリッドの表面に対して、高い追従性を有し、密着性が高い。そのため、インジウム合金シートは、ダイからヒートシンクを備えたリッドへの熱伝達効率が高い。その結果、インジウム合金シートを用いることにより、ダイの動作による熱の排出効率を高めることが可能である。また、Ａｇを含有するインジウム合金シートは、インジウムのみからなるインジウムシートよりも、熱伝導率が高いため、熱排出効率をより高めることが可能である。

インジウム合金シートの実装では、表面にフラックスを塗布したインジウム合金シートを用いて、ヒートシンクを備えたリッドと、ダイとを、１次リフローにより接合し、半導体パッケージを得る。インジウムは融点が１５６℃と比較的低いため、１次リフローによる接合は、通常の接合よりも低温条件で行われる。

従来のはんだ付け用のフラックスを用いて、例えば１７０℃の条件で１次リフローを行った場合、フラックスは、インジウムシートの表面に濡れ広がらず、接合面に溜まり、その結果、接合面にボイドが大量に発生する場合がある。このボイドにより、インジウムシートを介したチップからヒートシンクを備えたリッドへの熱伝達効率は低下し、ダイの動作による熱の排出効率は低下してしまう。

次いで、１次リフローの後に、２次リフローを行うことにより、半導体パッケージの裏面にはんだボールを接合する。この２次リフローは、はんだボールを溶融させるために、例えば２５０℃の高温条件で行われる。２次リフローは高温であるため、活性剤等がガス化してボイドを形成しやすい。

従来のはんだ付け用のフラックス及びインジウム合金シートを用いて、前記のように、１次リフロー及び２次リフローの２回のリフローを行った場合、インジウム合金シートの接合面にボイドが大量に発生しやすいという問題がある。このボイドにより、インジウム合金シートを介したダイからヒートシンクを備えたリッドへの熱伝達効率は低下し、ダイの動作による熱の排出効率は低下してしまう。

そこで、本発明は、インジウム合金シートを用いて温度条件の異なる連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制できる、フラックスを提供することを目的とする。

本発明は、以下の態様を含む。
［１］ロジンエステルと、有機酸（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含有し、前記有機酸（Ａ）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であるダイマー酸（Ａ１）を含み、前記溶剤（Ｓ）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である溶剤（Ｓ１）を含む、フラックス。

本発明において、「重量減少率」とは、例えば、次のように測定されるものである。示差熱－熱重量同時測定装置（株式会社リガク製、ＴＧ－ＤＴＡ８１２２）を用いて、測定対象試料１０ｍｇをアルミパンに入れ、室温約２５℃から加熱を開始して所定の温度に達するまで、所定の昇温速度で昇温する。そして、加熱前の対象試料の質量Ｗ_０（１００質量％）と、所定の温度に達した直後の質量Ｗ_１とから、重量減少率を以下の計算式から算出する。
重量減少率（％）＝１００×｛Ｗ_０－Ｗ_１｝／Ｗ_０

［２］前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、前記有機酸（Ａ）の総質量に対して、７５質量％以上である、［１］に記載のフラックス。
［３］前記溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、８０質量％以上である、［１］又は［２］に記載のフラックス。
［４］前記ダイマー酸（Ａ１）は、炭素数１８の不飽和脂肪酸が結合した二量体からなる群より選択される少なくとも一種である、［１］～［３］のいずれかに記載のフラックス。
［５］前記溶剤（Ｓ１）の沸点が、２００℃以下である、［１］～［４］のいずれかに記載のフラックス。
［６］さらに、アゾール類を含有する、［１］～［５］のいずれかに記載のフラックス。
［７］前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、フラックスの総質量に対して、１０質量％以上６０質量％以下である、［１］～［６］のいずれかに記載のフラックス。
［８］前記ロジンエステルの含有量が、フラックスの総質量に対して、１５質量％以上６０質量％以下である、［１］～［７］のいずれかに記載のフラックス。

［９］半導体パッケージを含む電子部品の製造方法であって、ダイとリッドとが熱界面材料（ＴＩＭ）を介して貼り合わされた接合体を備えた半導体パッケージを得る工程（ｉ）と、前記半導体パッケージの背面に、はんだボールを接合して電子部品を得る工程（ｉｉ）と、を有し、前記ＴＩＭが、インジウムと銀との合金製のシートであり、前記工程（ｉ）は、前記ＴＩＭと前記ダイとの間、又は、前記ＴＩＭと前記リッドとの間の少なくとも一方に、［１］～［８］のいずれか一項に記載のフラックスを介在させて、リフロー方式により前記ダイと前記リッドとを貼り合わせる加熱操作（１）を含み、前記工程（ｉｉ）は、リフロー方式により前記はんだボールと前記半導体パッケージとを接合する加熱操作（２）を含む、電子部品の製造方法。
［１０］前記加熱操作（１）の温度条件が１５０～２５０℃であり、前記加熱操作（２）の温度条件が２００～２８０℃である、［９］に記載の電子部品の製造方法。

本発明によれば、インジウム合金シートを用いて温度条件の異なる連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制できる、フラックスを提供することができる。

電子部品の製造方法の一実施形態について、リッド、ＴＩＭ及びダイを示す断面図である。電子部品の製造方法の一実施形態について、ＴＩＭ及びダイにフラックスを塗布する工程を示す断面図である。電子部品の製造方法の一実施形態について、フラックスの塗布後、ＴＩＭを用いて、基板に対してリッドを固定して得られる接合体を示す断面図である。電子部品の製造方法の一実施形態について、半導体パッケージの裏面にはんだボールを接合して得られる電子部品を示す断面図である。

（フラックス）
本実施形態に係るフラックスは、ロジンエステルと、有機酸（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含有する。
有機酸（Ａ）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であるダイマー酸（Ａ１）を含む。
溶剤（Ｓ）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である溶剤（Ｓ１）を含む。

本実施形態に係るフラックスは、インジウム合金シートの実装及びはんだボールの接合のための、連続したリフローが行われる用途に好適に用いられる。
１次リフローでは、インジウムの融点付近の低温（例えば１７０℃）の条件でリフローを行い、インジウム合金シートを実装する。次いで、２次リフローでは、はんだ合金の融点付近の高温（例えば２５０℃）の条件でリフローを行うことにより、基板にはんだボールを接合する。
本実施形態に係るフラックスによれば、１次リフローにおいて、溶剤（Ｓ１）は揮発する。その結果、インジウム合金シートが溶融する際に、溶剤（Ｓ１）に由来するボイドは発生しない。
また、本実施形態に係るフラックスは、ロジンエステル及びダイマー酸（Ａ１）が２次リフローの高温でも揮発しにくいため、ボイドの発生を抑制することが可能である。

＜ロジンエステル＞
ロジンエステルは、天然樹脂又は天然樹脂を化学修飾したもの（ロジン誘導体）と、アルコールとを反応させて得られる、エステル樹脂である。ロジンエステルは、カルボキシル基の他に、水酸基を有していてもよい。
前記アルコールとしては、例えば、グリセリン、ペンタエリトリトール等が挙げられる。

ロジンエステルの原料となり得る前記「天然樹脂」としては、例えば、ガムロジン、ウッドロジン及びトール油ロジン等が挙げられる。
本明細書において「天然樹脂」とは、アビエチン酸を主成分とする、アビエチン酸とこの異性体との混合物を含む。天然樹脂中のアビエチン酸及びアビエチン酸の異性体の総含有量は、一例として、天然樹脂に対して、４０質量％以上８０質量％以下である。本明細書において「主成分」とは、化合物を構成する成分のうち、その化合物中の含有量が４０質量％以上の成分をいう。

アビエチン酸の異性体の代表的なものとしては、ネオアビエチン酸、パラストリン酸、レボピマル酸等が挙げられる。アビエチン酸の構造を以下に示す。

本発明において、ロジンエステルの原料となり得る「天然樹脂を化学修飾したもの（ロジン誘導体）」とは、前記「天然樹脂」に対して水素化、脱水素化、中和、アルキレンオキシド付加、アミド化、二量化、多量化、及びＤｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ環化付加からなる群より選択される１つ以上の処理を施したものを包含する。

ロジン誘導体としては、例えば、精製ロジン、変性ロジン等が挙げられる。
変性ロジンとしては、例えば、水添ロジン、重合ロジン、重合水添ロジン、不均化ロジン、酸変性ロジン、酸変性水添ロジン、無水酸変性水添ロジン、酸変性不均化ロジン、無水酸変性不均化ロジン、フェノール変性ロジン及びα，β不飽和カルボン酸変性物（アクリル酸変性ロジン、マレイン酸変性ロジン、フマル酸変性ロジン等）、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α，β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物、ロジンアルコール、ロジンアミン、水添ロジンアルコール、ロジン石鹸、水添ロジン石鹸、酸変性ロジン石鹸等が挙げられる。

ロジンの中でも、ロジンエステルは、耐熱性が高く、重量減少率が低くこのましい。
ロジンエステルの原料であるロジンとしては、水添ロジンが好ましい。ロジンエステルの原料であるアルコールとしては、グリセリンが好ましい。ロジンエステルは、水添ロジンとグリセリンとを反応させたものであることが好ましい。
ロジンエステルは、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が、１５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、８質量％以下であることが更に好ましく、７．５質量％以下であることが特に好ましい。ロジンエステルの重量減少率は、低い値ほど好ましい。ロジンエステルの重量減少率の下限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、０．１質量％であってもよいし、測定上０質量％であってもよい。
ロジンエステルの重量減少率が、上記上限値以下であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる

ロジンエステルの酸価は、０．０１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、０．１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることがより好ましく、０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが更に好ましく、２ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが特に好ましい。
ロジンエステルの酸価が、上記範囲内の下限値以上であることにより、フラックスの活性を高めやすくなる。ロジンエステルの酸価が、上記範囲内の上限値以下であることにより、はんだ溶融性及び濡れ性を高めやすくなる。

酸価とは、測定対象の試料１ｇが有するカルボキシ基を中和するために必要な、水酸化カリウムのミリグラム数を意味する。ロジンエステルの酸価は、例えば、ＪＩＳＫ００７０「化学製品の酸価、けん化価、エステル価、よう素価、水酸基価及び不けん化物の試験方法」の３．１中和滴定方法に従って測定することができる。
この方法により測定される酸価は、フラックスに含まれる全ての種類のロジンエステルの酸価を加重平均したものである。

ロジンエステルの軟化点は、８５℃以上１１０℃以下であることが好ましく、９０℃以上１０５℃以下であることがより好ましく、９０℃以上１００℃以下であることが更に好ましい。
ロジンエステルの軟化点が上記範囲内の下限値以上であることにより、ロジンエステルの耐熱性を高めやすくなる。ロジンエステルの軟化点が上記範囲内の上限値以下であることにより、はんだ溶融時にフラックスの流動性を高めやすくなる。

ロジンエステルの軟化点は、環球法により測定することができる。環球法としては、例えば、ＪＩＳＫ５９０２に記載の方法が挙げられる。

ロジンエステルは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
前記フラックス中の、ロジンエステルの含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上６０質量％以下であることがより好ましい。

＜有機酸（Ａ）＞
本実施形態に係るフラックスに含まれる有機酸（Ａ）は、ダイマー酸（Ａ１）を含有する。本実施形態に係るフラックスに含まれる有機酸（Ａ）は、ダイマー酸（Ａ１）以外に、その他有機酸を含有してもよい。

≪ダイマー酸（Ａ１）≫
ダイマー酸（Ａ１）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下である。
ダイマー酸（Ａ１）ルの重量減少率は、低い値ほど好ましい。ダイマー酸（Ａ１）の重量減少率の下限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、０．０１質量％であってもよいし、測定上０質量％であってもよい。

ダイマー酸（Ａ１）は、不飽和脂肪酸の二量化により得られる二塩基酸を主成分とする。ダイマー酸（Ａ１）は、不飽和脂肪酸の二量化により得られる二塩基酸に水素添加した水添ダイマー酸を包含する。

ダイマー酸（Ａ１）の原料である不飽和脂肪酸は、炭素数が１８であることが好ましい。ダイマー酸（Ａ１）の主成分である二塩基酸は、炭素数が３６であることが好ましく、炭素数１８の不飽和脂肪酸が結合した二量体からなる群より選択される少なくとも一種であることがより好ましい。

ダイマー酸（Ａ１）の原料である不飽和脂肪酸としては、例えば、オレイン酸、リノール酸、バクセン酸、エライジン酸、リノレン酸、アクリル酸、メタクリル酸が挙げられる。
ダイマー酸（Ａ１）の原料である不飽和脂肪酸は、オレイン酸、リノール酸、バクセン酸及びエライジン酸からなる群より選択される一種以上であることが好ましく、オレイン酸及びリノール酸からなる群より選択される一種以上であることがより好ましい。
ダイマー酸（Ａ１）は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。

ダイマー酸（Ａ１）は、不飽和炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等を有してもよい。ダイマー酸（Ａ１）の不飽和度は、以下に示すような値であってもよい。ここで、ダイマー酸（Ａ１）の不飽和度は、ダイマー酸（Ａ１）の分子内の炭素原子数をｍ、水素原子数をｎとした場合に、｛（２ｍ＋２）－ｎ｝／２で表される値である。ダイマー酸（Ａ１）の主成分である二塩基酸は、カルボキシ基を２個有する。この二塩基酸の不飽和度は２以上である。

ダイマー酸（Ａ１）の不飽和度は、２以上２０以下が好ましく、２以上１５以下がより好ましく、２以上１０以下が更に好ましく、２以上８以下が特に好ましい。
ダイマー酸（Ａ１）が不飽和度の異なる２種以上のダイマー酸を含有する場合、それらの不飽和度を加重平均した不飽和度は、２以上１０以下であることが好ましく、２以上８以下であることがより好ましく、２以上６以下であることが更に好ましく、２．５以上４．５以下であることが特に好ましく、３以上４以下が最も好ましい。

ダイマー酸（Ａ１）の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上６０質量％以下であることが更に好ましい。
ダイマー酸（Ａ１）の含有量が前記範囲内であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制できる。加えて、ダイマー酸（Ａ１）の含有量が前記範囲内の下限値以上であると、インジウム合金シートに対する濡れ性を高めやすくなる。

炭素数３６のダイマー酸の総含有量は、ダイマー酸（Ａ１）の総質量（１００質量％）に対して、７０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましく、９８質量％以上１００質量％以下であることが最も好ましく、測定上１００質量％であってもよい。

ダイマー酸（Ａ１）が、複数種のダイマー酸を含む場合、液体クロマトグラフィー・フーリエ変換質量分析計を用いて、各ダイマー酸を分析することができる。作成されたイオンクロマトグラムにおいて、ダイマー酸（Ａ１）に含まれる全ての分子に由来するピーク総面積（１００％）に対する、炭素数３６の各ダイマー酸に由来するピーク面積の割合は、以下の範囲内であることが好ましい。
不飽和度２のダイマー酸に由来するピーク面積は、５％以上５０％以下であることが好ましく、１５％以上４０％以下であることがより好ましく、２０％以上３０％以下であることが更に好ましい。
不飽和度３のダイマー酸のピーク面積の割合は、１０％以上７０％以下であることが好ましく、２０％以上６０％以下であることがより好ましく、３０％以上５０％以下であることが更に好ましい。
不飽和度４のダイマー酸のピーク面積の割合は、２％以上３０％以下であることが好ましく、３％以上２０％以下であることがより好ましく、５％以上１５％以下であることが更に好ましい。
不飽和度５のダイマー酸のピーク面積の割合は、０．１％以上１５％以下であることが好ましく、０．５％以上１０％以下であることがより好ましく、１％以上５％以下であることが更に好ましい。
不飽和度６のダイマー酸のピーク面積の割合は、１％以上３０％以下であることが好ましく、２％以上２０％以下であることがより好ましく、３％以上１５％以下であることが更に好ましい。
不飽和度７のダイマー酸のピーク面積の割合は、２％以上３０％以下であることが好ましく、３％以上２０％以下であることがより好ましく、５％以上１５％以下であることが更に好ましい。
不飽和度８のダイマー酸のピーク面積の割合は、０．１％以上１５％以下であることが好ましく、０．５％以上１０％以下であることがより好ましく、１％以上５％以下であることが更に好ましい。

あるいは、ダイマー酸（Ａ１）が、複数種の炭素数３６のダイマー酸を含む場合、炭素数３６のダイマー酸の含有量は、ダイマー酸（Ａ１）の総質量（１００質量％）に対して、以下の範囲内であることが好ましい。
不飽和度２のダイマー酸の含有量は、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上４０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上３０質量％以下であることが更に好ましい。
不飽和度３のダイマー酸の含有量は、１０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、３０質量％以上５０質量％以下であることが更に好ましい。
不飽和度４のダイマー酸の含有量は、２質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましい。
不飽和度５のダイマー酸の含有量は、０．１質量％以上１５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上５質量％以下であることが更に好ましい。
不飽和度６のダイマー酸の含有量は、１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、３質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましい。
不飽和度７のダイマー酸の含有量は、２質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましい。
不飽和度８のダイマー酸の含有量は、０．１質量％以上１５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上５質量％以下であることが更に好ましい。

≪その他有機酸≫
その他有機酸としては、例えば、カルボン酸、有機スルホン酸等が挙げられる。カルボン酸としては、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。脂肪族カルボン酸としては、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸等が挙げられる。
脂肪族モノカルボン酸としては、例えば、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、イソペラルゴン酸、カプリン酸、カプロレイン酸、ラウリン酸（ドデカン酸）、ウンデカン酸、リンデル酸、トリデカン酸、ミリストレイン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、イソパルミチン酸、パルミトレイン酸、ヒラゴン酸、ヒドノカーピン酸、マーガリン酸、イソステアリン酸、エライジン酸、ペトロセリン酸、モロクチン酸、エレオステアリン酸、タリリン酸、バクセン酸、リミノレイン酸、ベルノリン酸、ステルクリン酸、ノナデカン酸、エイコサン酸、ステアリン酸、１２－ヒドロキシステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ミリスチン酸等が挙げられる。
脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、エイコサン二酸、酒石酸、２，４－ジエチルグルタル酸、ジグリコール酸、２－メチルノナン二酸と、４－（メトキシカルボニル）－２，４－ジメチルウンデカン二酸と、４，６－ビス（メトキシカルボニル）－２，４，６－トリメチルトリデカン二酸と、８，９－ビス（メトキシカルボニル）－８，９－ジメチルヘキサデカン二酸等が挙げられる。
芳香族カルボン酸としては、例えば、サリチル酸、ジブチルアニリンジグリコール酸、テレフタル酸、パラヒドロキシフェニル酢酸、フェニルコハク酸、フタル酸、安息香酸、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２－キノリンカルボン酸、３－ヒドロキシ安息香酸、ｐ－アニス酸、ピコリン酸、ジピコリン酸、３－ヒドロキシピコリン酸等が挙げられる。
また、カルボン酸としては、イソシアヌル酸トリス（２－カルボキシエチル）、１，３－シクロヘキサンジカルボン酸等が挙げられる。

また、その他有機酸としては、ヒドロキシカルボン酸が挙げられる。ヒドロキシカルボン酸としては、例えば、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）ブタン酸、クエン酸、イソクエン酸、リンゴ酸、酒石酸等が挙げられ、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸が好ましい。

また、カルボン酸としては、その他ダイマー酸（ただし、ダイマー酸（Ａ１）を除く）が挙げられる。その他ダイマー酸（ただし、ダイマー酸（Ａ１）を除く）は、水添ダイマー酸（ただし、ダイマー酸（Ａ１）を除く）を包含する。その他ダイマー酸は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％超である。その他ダイマー酸の原料としては、ダイマー酸（Ａ１）において上述したものが挙げられる。

また、カルボン酸としては、トリマー酸が挙げられる。トリマー酸は、不飽和脂肪酸の三量化により得られる三塩基酸を主成分とする。トリマー酸は、水添トリマー酸を包含する。トリマー酸の原料としては、ダイマー酸（Ａ１）において上述したものが挙げられる。

有機スルホン酸としては、例えば、脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸等が挙げられる。脂肪族スルホン酸としては、例えば、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸等が挙げられる。

その他有機酸は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
その他有機酸としては、カルボン酸が好ましく、脂肪族モノカルボン酸及び脂肪族ジカルボン酸からなる群より選択される一種以上が好ましい。

前記フラックスがその他有機酸を含有する場合、その他有機酸の含有量は、フラックスの総質量に対して、０質量％超１０質量％以下であることが好ましく、０質量％超５質量％以下であることがより好ましく、０質量％超１．５質量％以下であることが更に好ましく、０質量％超１質量％以下であることが特に好ましい。
その他有機酸の含有量が上記範囲内の上限値以下であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる。

ダイマー酸（Ａ１）の含有量は、前記有機酸（Ａ）の総質量に対して、７５質量％以上が好ましく、７５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、８５質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。
ダイマー酸（Ａ１）の含有量が上記範囲内の下限値以上であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる。

＜溶剤（Ｓ）＞
本実施形態に係るフラックスに含まれる溶剤（Ｓ）は、溶剤（Ｓ１）を含む。溶剤（Ｓ）は、溶剤（Ｓ１）以外に、溶剤（Ｓ２）を含んでもよい。

≪溶剤（Ｓ１）≫
溶剤（Ｓ１）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である。
溶剤（Ｓ１）の重量減少率の上限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、１００質量％であってもよい。

溶剤（Ｓ１）としては、例えば、３－メトキシブチルアセテート、２－メチル－２，４－ペンタンジオール（へキシレングリコール）、２－プロパノール、１，２－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、２，３－ジメチル－２，３－ブタンジオール、２－メチルペンタン－２，４－ジオール、１－エチニル－１－シクロヘキサノール、１，４－シクロヘキサンジオール、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルグリコール）等が挙げられる。

溶剤（Ｓ１）の沸点は、２００℃以下であることが好ましく、１５０℃以上２００℃以下がより好ましく、１７０℃以上２００℃以下が更に好ましい。
本明細書において、沸点とは、対象の液体の飽和蒸気圧が１気圧（すなわち、１０１３ｈＰａ）と等しくなるときの、その液体の温度を意味する。

溶剤（Ｓ１）の総含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上７５質量％以下であることがより好ましい。

≪溶剤（Ｓ２）≫
溶剤（Ｓ２）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％未満である。
溶剤（Ｓ２）の重量減少率の下限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、１０質量％であってもよい。

溶剤（Ｓ２）の沸点は、２００℃超３５０℃以下が好ましく、２５０℃以上３５０℃以下がより好ましく、２５０℃以上３３０℃以下が更に好ましい。

溶剤（Ｓ２）としては、例えば、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類等が挙げられる。

アルコール系溶剤としては、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、２，４－ジエチル－１，５－ペンタンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール、２，５－ジメチル－２，５－ヘキサンジオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－２，５－ジオール、１，１，１－トリス（ヒドロキシメチル）プロパン、２－エチル－２－ヒドロキシメチル－１，３－プロパンジオール、２，２′－オキシビス（メチレン）ビス（２－エチル－１，３－プロパンジオール）、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）－１，３－プロパンジオール、１，２，６－トリヒドロキシヘキサン、１，４－シクロヘキサンジメタノール、２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオール、２－ヘキシル－１－デカノールオクタンジオール等が挙げられる。

グリコールエーテル系溶剤としては、ジエチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル（ヘキシルグリコール）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（ヘキシルジグリコール）、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、メチルプロピレントリグルコール、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、テトラエチレングリコール、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコール－ｎ－ブチルエーテル等が挙げられる。

テルピネオール類としては、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネオール混合物（すなわち、その主成分がα－テルピネオールであり、β－テルピネオール又はγ－テルピネオールを含有する混合物）等が挙げられる。
また、溶剤としては、例えば、セバシン酸ジオクチル（ＤＯＳ）、流動パラフィン等が挙げられる。

溶剤（Ｓ）の総含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上７５質量％以下であることがより好ましい。

溶剤（Ｓ１）の含有量は、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、７０質量％以上が好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましく、８５質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましく、９０質量％以上１００質量％以下であることが最も好ましい。
溶剤（Ｓ１）の含有量が上記範囲内の下限値以上であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる。

＜その他成分＞
本実施形態におけるフラックスは、ロジンエステル、有機酸（Ａ）及び溶剤（Ｓ）以外に、必要に応じて、その他成分を含んでもよい。その他成分としては、ロジンエステル以外のその他ロジン、有機酸（Ａ）以外のその他活性剤、チキソ剤、金属不活性化剤、界面活性剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、着色剤等が挙げられる。

≪その他ロジン≫
その他ロジンとしては、上述の天然樹脂、及び、この天然樹脂を化学修飾して得られるロジン誘導体（ただし、ロジンエステルを除く）が挙げられる。

本明細書において「天然樹脂を化学修飾して得られるロジン誘導体（ただし、ロジンエステルを除く）」とは、前記「天然樹脂」に対して水素化、脱水素化、中和、アルキレンオキシド付加、アミド化、二量化及び多量化、並びにＤｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ環化付加からなる群より選択される１つ以上の処理を施したものを包含する。

ロジンアミンとしては、例えば、デヒドロアビエチルアミン、ジヒドロアビエチルアミン及びテトラヒドロアビエチルアミンの混合物であり、いわゆる不均化ロジンアミンを意味する。デヒドロアビエチルアミン、ジヒドロアビエチルアミン及びテトラヒドロアビエチルアミンの各構造を以下に示す。

その他ロジンは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
ロジンエステルの含有量は、ロジンの総質量（１００質量％）に対して、７０質量％以上１００質量％以下が好ましく、８０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下が特に好ましく、１００質量％であってもよい。
ロジンエステルの含有量が上記範囲内の下限値以下であることにより、インジウム合金シートを用いて連続したリフローを行った際のボイドの発生を抑制しやすくなる。

≪その他活性剤≫
その他活性剤としては、例えば、アミン、ハロゲン化合物、有機リン化合物等が挙げられる。

［アミン］
アミンとしては、例えば、アゾール類、グアニジン類、アルカノールアミン、アルキルアミン化合物、アミンポリオキシアルキレン付加体等が挙げられる。

アゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン、２，４－ジアミノ－６－ビニル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－ビニル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４－ジアミノ－６－メタクリロイルオキシエチル－ｓ－トリアジン、エポキシ－イミダゾールアダクト、２－メチルベンゾイミダゾール、２－オクチルベンゾイミダゾール、２－ペンチルベンゾイミダゾール、２－（１－エチルペンチル）ベンゾイミダゾール、２－ノニルベンゾイミダゾール、２－（４－チアゾリル）ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、１，２，４－トリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’－ｔｅｒｔ－ブチル－５’－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔｅｒｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ｔｅｒｔ－オクチルフェノール］、６－（２－ベンゾトリアゾリル）－４－ｔｅｒｔ－オクチル－６’－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－メチル－２，２’－メチレンビスフェノール、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］メチルベンゾトリアゾール、２，２’－［［（メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ］ビスエタノール、１－（１’，２’－ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１－（２，３－ジカルボキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１－［（２－エチルヘキシルアミノ）メチル］ベンゾトリアゾール、２，６－ビス［（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］－４－メチルフェノール、５－メチルベンゾトリアゾール、５－フェニルテトラゾール等が挙げられる。

グアニジン類としては、例えば、１，３－ジフェニルグアニジン、１，３－ジ－ｏ－トリルグアニジン、１－ｏ－トリルビグアニド、１，３－ジ－ｏ－クメニルグアニジン、１，３－ジ－ｏ－クメニル－２－プロピオニルグアニジン等が挙げられる。

アルカノールアミンとしては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、１－アミノ－２－プロパノール、ビス（２－ヒドロキシプロピル）アミン、トリス（２－ヒドロキシプロピル）アミン等が挙げられる。

アルキルアミン化合物としては、例えば、エチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン等が挙げられる。

アミンポリオキシアルキレン付加体としては、例えば、末端ジアミンポリアルキレングリコール、脂肪族アミンポリオキシアルキレン付加体、芳香族アミンポリオキシアルキレン付加体、多価アミンポリオキシアルキレン付加体等が挙げられる。
アミンポリオキシアルキレン付加体に付加されているアルキレンオキシドとしては、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。

末端ジアミンポリアルキレングリコールは、ポリアルキレングリコールの両末端がアミノ化された化合物である。
末端ジアミンポリアルキレングリコールとしては、例えば、末端ジアミンポリエチレングリコール、末端ジアミンポリプロピレングリコール、末端ジアミンポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体等が挙げられる。
末端ジアミンポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体としては、例えば、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合物ビス（２－アミノプロピル）エーテル、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合物ビス（２－アミノエチル）エーテルが挙げられる。

脂肪族アミンポリオキシアルキレン付加体、芳香族アミンポリオキシアルキレン付加体、及び多価アミンポリオキシアルキレン付加体は、アミンの窒素原子にポリオキシアルキレン基が結合したものである。前記アミンとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３－プロパンジアミン、１，４－ブタンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、牛脂アミン、硬化牛脂アミン、牛脂プロピルジアミン、メタキシレンジアミン、トリレンジアミン、パラキシレンジアミン、フェニレンジアミン、イソホロンジアミン、１，１０－デカンジアミン、１，１２－ドデカンジアミン、４，４－ジアミノジシクロヘキシルメタン、４，４－ジアミノジフェニルメタン、ブタン－１，１，４，４－テトラアミン、ピリミジン－２，４，５，６－テトラアミン等が挙げられる。

アミンは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
アミンとしては、アゾール類が好ましく、２－フェニルイミダゾールがより好ましい。

前記フラックスがアミンを含有する場合、前記アミンの含有量は、フラックスの総質量に対して、０．１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。

前記フラックスがアミンを含有することにより、フラックスの濡れ性をより高めやすくなる。前記アミンの含有量が前記範囲の下限値以上であることにより、フラックスの濡れ性をより高めやすくなる。前記アミンの含有量が前記範囲の上限値以下であることにより、ボイド発生の抑制能を高めやすくなる。

［ハロゲン化合物］
ハロゲン化合物としては、例えば、アミンハロゲン化水素酸塩、アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物等が挙げられる。
アミンハロゲン化水素酸塩は、アミンとハロゲン化水素とを反応させた化合物である。
ここでのアミンとしては、≪アミン≫において上述したものが挙げられる。

また、アミンハロゲン化水素酸塩以外のハロゲン化合物としては、例えば、アミンとテトラフルオロホウ酸（ＨＢＦ_４）とを反応させた塩、アミンと三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）とを反応させた錯体も用いることができる。前記錯体としては、例えば、三フッ化ホウ素ピぺリジン等が挙げられる。

アミンハロゲン化水素酸塩以外のハロゲン化合物としては、例えば、ハロゲン化脂肪族化合物が挙げられる。ハロゲン化脂肪族炭化水素基は、脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたものをいう。
ハロゲン化脂肪族化合物としては、ハロゲン化脂肪族アルコール、ハロゲン化複素環式化合物が挙げられる。

ハロゲン化脂肪族アルコールとしては、例えば、１－ブロモ－２－プロパノール、３－ブロモ－１－プロパノール、３－ブロモ－１，２－プロパンジオール、１－ブロモ－２－ブタノール、１，３－ジブロモ－２－プロパノール、２，３－ジブロモ－１－プロパノール、１，４－ジブロモ－２－ブタノール、ｔｒａｎｓ－２，３－ジブロモ－２－ブテン－１，４－ジオール等が挙げられる。

ハロゲン化複素環式化合物としては、例えば、下記一般式（ｈ１）で表される化合物が挙げられる。

Ｒ^ｈ１１－（Ｒ^ｈ１２）_ｎ（ｈ１）
［式中、Ｒ^ｈ１１は、ｎ価の複素環式基を表す。Ｒ^ｈ１２は、ハロゲン化脂肪族炭化水素基を表す。］

Ｒ^ｈ１１における、ｎ価の複素環式基の複素環としては、脂肪族炭化水素又は芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された環構造が挙げられる。この複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。この複素環は、３～１０員環であることが好ましく、５～７員環であることがより好ましい。この複素環としては、例えば、イソシアヌレート環などが挙げられる。
Ｒ^ｈ１２における、ハロゲン化脂肪族炭化水素基は、炭素数１～１０が好ましく、炭素数２～６がより好ましく、炭素数３～５がさらに好ましい。また、Ｒ^ｈ１２は、臭素化脂肪族炭化水素基、塩素化脂肪族炭化水素基が好ましく、臭素化脂肪族炭化水素基がより好ましく、臭素化飽和脂肪族炭化水素基がさらに好ましい。
ハロゲン化複素環式化合物としては、例えば、トリス－（２，３－ジブロモプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。

また、アミンハロゲン化水素酸塩以外のハロゲン化合物としては、例えば、２－ヨード安息香酸、３－ヨード安息香酸、２－ヨードプロピオン酸、５－ヨードサリチル酸、５－ヨードアントラニル酸等のヨウ化カルボキシル化合物；２－クロロ安息香酸、３－クロロプロピオン酸等の塩化カルボキシル化合物；２，３－ジブロモプロピオン酸、２，３－ジブロモコハク酸、２－ブロモ安息香酸等の臭素化カルボキシル化合物等のハロゲン化カルボキシル化合物が挙げられる。

また、アミンハロゲン化水素酸塩以外のハロゲン化合物としては、例えば、有機クロロ化合物が挙げられる。有機クロロ化合物としては、例えば、クロロアルカン、塩素化脂肪酸エステル、クロレンド酸、クロレンド酸無水物等が挙げられる。
ハロゲン化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

≪有機リン化合物≫
有機リン化合物としては、例えば、酸性リン酸エステル、酸性ホスホン酸エステル、酸性ホスフィン酸エステル等が挙げられる。
有機リン化合物は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。

≪チキソ剤≫
チキソ剤としては、例えば、エステル系チキソ剤、アミド系チキソ剤、ソルビトール系チキソ剤等が挙げられる。

エステル系チキソ剤としては、例えばエステル化合物が挙げられ、具体的には硬化ひまし油、ミリスチン酸エチル等が挙げられる。

アミド系チキソ剤としては、例えば、モノアミド、ビスアミド、ポリアミドが挙げられる。
モノアミドとしては、例えば、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸アミド、飽和脂肪酸アミド、オレイン酸アミド、エルカ酸アミド、不飽和脂肪酸アミド、４－メチルベンズアミド（ｐ－トルアミド）、ｐ－トルエンメタンアミド、芳香族アミド、ヘキサメチレンヒドロキシステアリン酸アミド、置換アミド、メチロールステアリン酸アミド、メチロールアミド、脂肪酸エステルアミド等が挙げられる。
ビスアミドとしては、例えば、エチレンビス脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、エチレンビスヒドロキシ脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、ヘキサメチレンビス脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、ヘキサメチレンビスヒドロキシ脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、芳香族ビスアミド等が挙げられる。前記ビスアミドの原料である脂肪酸としては、例えば、ステアリン酸（炭素数Ｃ１８）、オレイン酸（炭素数Ｃ１８）、ラウリン酸（炭素数Ｃ１２）等が挙げられる。
ポリアミドとしては、例えば、飽和脂肪酸ポリアミド、不飽和脂肪酸ポリアミド、芳香族ポリアミド、１，２，３－プロパントリカルボン酸トリス（２－メチルシクロヘキシルアミド）、環状アミドオリゴマー、非環状アミドオリゴマー等のポリアミドが挙げられる。

前記環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー等が挙げられる。

また、前記非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とジアミン及び／又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合、ジカルボン酸及び／又はトリカルボン酸とモノアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合等が挙げられる。モノカルボン酸又はモノアミンを含むアミドオリゴマーであると、モノカルボン酸、モノアミンがターミナル分子（ｔｅｒｍｉｎａｌｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）として機能し、分子量を小さくした非環状アミドオリゴマーとなる。また、非環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸及び／又はトリカルボン酸と、ジアミン及び／又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミド化合物である場合、非環状高分子系アミドポリマーとなる。更に、非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とモノアミンとが非環状に縮合したアミドオリゴマーも含まれる。

ソルビトール系チキソ剤としては、例えば、ジベンジリデン－Ｄ－ソルビトール、ビス（４－メチルベンジリデン）－Ｄ－ソルビトール、（Ｄ－）ソルビトール、モノベンジリデン（－Ｄ－）ソルビトール、モノ（４－メチルベンジリデン）－（Ｄ－）ソルビトール等が挙げられる。

本実施形態にかかるフラックスは、チキソ剤を含有しなくてもよいし、チキソ剤を含有してもよい。本実施形態にかかるフラックスがチキソ剤を含有する場合、チキソ剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

≪金属不活性化剤≫
金属不活性化剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、窒素化合物等が挙げられる。
ここでいう「金属不活性化剤」とは、ある種の化合物との接触により金属が劣化することを防止する性能を有する化合物をいう。

ヒンダードフェノール系化合物とは、フェノールのオルト位の少なくとも一方に嵩高い置換基（例えばｔ－ブチル基等の分岐状又は環状アルキル基）を有するフェノール系化合物をいう。
ヒンダードフェノール系化合物としては、特に限定されず、例えば、ビス［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオン酸］［エチレンビス（オキシエチレン）］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロパンアミド］、１，６－ヘキサンジオールビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオナート］、２，２’－ジヒドロキシ－３，３’－ビス（α－メチルシクロヘキシル）－５，５’－ジメチルジフェニルメタン、２，２’－メチレンビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール）、２，２’－メチレンビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－エチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，４－ビス－（ｎ－オクチルチオ）－６－（４－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルアニリノ）－１，３，５－トリアジン、ペンタエリスリチル－テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジルフォスフォネート－ジエチルエステル、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス［２－［２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）エチルカルボニルオキシ］エチル］オキサミド、下記化学式で表される化合物等が挙げられる。

（式中、Ｚは、置換されてもよいアルキレン基である。Ｒ^８１及びＲ^８２は、それぞれ独立して、置換されてもよい、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基又はヘテロシクロアルキル基である。Ｒ^８３及びＲ^８４は、それぞれ独立して、置換されてもよいアルキル基である。）

金属不活性化剤における窒素化合物としては、例えば、ヒドラジド系窒素化合物、アミド系窒素化合物、トリアゾール系窒素化合物、メラミン系窒素化合物等が挙げられる。

ヒドラジド系窒素化合物としては、ヒドラジド骨格を有する窒素化合物であればよく、ドデカン二酸ビス［Ｎ２－（２ヒドロキシベンゾイル）ヒドラジド］、Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジン、デカンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド、Ｎ－サリチリデン－Ｎ’－サリチルヒドラジド、ｍ－ニトロベンズヒドラジド、３－アミノフタルヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ヒドラジド、オキザロビス（２－ヒドロキシ－５－オクチルベンジリデンヒドラジド）、Ｎ’－ベンゾイルピロリドンカルボン酸ヒドラジド、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニル）ヒドラジン等が挙げられる。

アミド系窒素化合物としては、アミド骨格を有する窒素化合物であればよく、Ｎ，Ｎ’－ビス｛２－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシル］エチル｝オキサミド等が挙げられる。

トリアゾール系窒素化合物としては、トリアゾール骨格を有する窒素化合物であればよく、Ｎ－（２Ｈ－１，２，４－トリアゾール－５－イル）サリチルアミド、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－（Ｎ－サリチロイル）アミノ－１，２，４－トリアゾール等が挙げられる。

メラミン系窒素化合物としては、メラミン骨格を有する窒素化合物であればよく、メラミン、メラミン誘導体等が挙げられる。より具体的には、例えば、トリスアミノトリアジン、アルキル化トリスアミノトリアジン、アルコキシアルキル化トリスアミノトリアジン、メラミン、アルキル化メラミン、アルコキシアルキル化メラミン、Ｎ２－ブチルメラミン、Ｎ２，Ｎ２－ジエチルメラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ヘキサキス（メトキシメチル）メラミン等が挙げられる。
金属不活性化剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

≪界面活性剤≫
界面活性剤としては、例えば、ノニオン界面活性剤等が挙げられる。
ノニオン界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレン付加体が挙げられる。
ポリオキシアルキレン付加体が由来するアルキレンオキシドとしては、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。
ポリオキシアルキレン付加体としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体、エチレンオキサイド－レゾルシン共重合物、ポリオキシアルキレンアセチレングリコール類、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンエステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミド等が挙げられる。
あるいは、ノニオン界面活性剤としては、アルコールのポリオキシアルキレン付加体が挙げられる。前記アルコールとしては、例えば、脂肪族アルコール、芳香族アルコール、多価アルコールが挙げられる。
界面活性剤は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。

≪酸化防止剤≫
酸化防止剤としては、例えば、２，２’－ジヒドロキシ－３，３’－ビス（α－メチルシクロヘキシル）－５，５’－ジメチルジフェニルメタン等のヒンダードフェノール系酸化防止剤等が挙げられる。ここでいう「酸化防止剤」とは、はんだ合金の酸化を抑制する性能を有する化合物をいう。
酸化防止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

以上説明した実施形態に係るフラックスは、インジウム合金シートの実装及びはんだボールの接合のための、連続したリフローに好適に用いられる。
１次リフローでは、インジウムの融点付近の低温（例えば１７０℃）の条件でリフローを行うことにより、ヒートシンクと、チップとを、インジウム合金シートで接合して、半導体パッケージを得る。次いで、２次リフローでは、はんだ合金の融点付近の高温（例えば２５０℃）の条件でリフローを行うことにより、半導体パッケージの裏面にはんだボールを接合する。
従来のフラックスは、１次リフローにおいて、インジウムシートの表面に濡れ広がらず、接合面に溜まり、その結果、インジウム合金シート接合面にボイドが大量に発生しやすい。本実施形態に係るフラックスは、低温でも揮発しやすい溶剤（Ｓ１）を含有する。低温条件での１次リフローにおいて、溶剤（Ｓ１）は揮発する。その結果、インジウム合金シートが溶融する際に、溶剤（Ｓ１）に由来するボイドは発生しない。
２次リフローは高温であるため、活性剤等がガス化してボイドを形成しやすい。本実施形態に係るフラックスは、ロジンエステル及びダイマー酸（Ａ１）が高温でもガス化しにくい。このため、温度条件の異なる１時及び２次リフローにおいてボイドの発生を抑制することが可能である。

（接合体の製造方法）
本態様に係る半導体パッケージを含む電子部品の製造方法では、上記実施形態に係るフラックスを用いて、１次リフローを行い、ダイとリッドとを、熱界面材料（ＴＩＭ）を介して貼り合わせることにより、半導体パッケージを得る。次いで、２次リフローを行い、得られた半導体パッケージに、はんだボールを固定することにより、電子部品を得る方法である。

本態様に係る製造方法は、下記工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）を含む。
工程（ｉ）：
ダイとリッドとがＴＩＭを介して貼り合わされた接合体を備えた半導体パッケージを得る工程
工程（ｉｉ）：
前記半導体パッケージの背面に、はんだボールを接合して電子部品を得る工程

本態様に係る半導体パッケージを含む電子部品の製造方法の好適な一実施形態について、図１～４を用いて説明する。本実施形態に係る接合体の製造方法では、図１に例示するように、リッド１０、ＴＩＭ２０、及び、ダイ４１が搭載された基板４０を準備する。

ダイ４１の表面には、メタライズ層４２が設けられている。メタライズ層４２は、例えば、Ｎｉめっき層、Ｎｉ／Ａｕめっき層等であってもよい。メタライズ層４２は、異なる組成の層を複数有していてもよい。メタライズ層４２は、例えば、スパッタリング等の方法により形成することができる。

リッド１０は、ＴＩＭ２０と対向する面に、メタライズ層１１が設けられている。メタライズ層１１としては、ダイ４１が有するメタライズ層４２と同様のものが挙げられる。リッド１０は、ＴＩＭ２０と対向する面とは反対側の面に、ヒートシンク１２を備えている。ヒートシンクの材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅等の金属が挙げられる。

ＴＩＭ２０は、インジウムと銀との合金製のシートである。ＴＩＭ２０の形状は板状である。ＴＩＭ２０の寸法は、リッド１０のメタライズ層１１、及び、ダイ４１のメタライズ層４２の寸法と同等であるか、あるいは、これらよりも、小さい。

前記合金製のシートの原料である前記合金における、インジウムの含有量は、合金の総量（１００質量％）に対して、７５質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、８５質量％以上９５質量％以下であることがより好ましい。
前記合金における、銀の含有量は、合金の総量（１００質量％）に対して、１質量％以上２５質量％以下であることが好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることがより好ましい。

＜工程（ｉ）＞
工程（ｉ）では、ダイとリッドとが熱界面材料（ＴＩＭ）を介して貼り合わされた接合体を備えた半導体パッケージを得る。
工程（ｉ）について、フラックス塗布工程、リッド装着工程、加熱操作（１）を有する方法を例示して説明する。

≪フラックス塗布工程≫
フラックス５０としては、上記実施形態にかかるフラックス５０が好適に用いられる。フラックス塗布工程について、図２を参照して説明する。図２は、フラックス５０が塗布された、ＴＩＭ２０及びダイ４１を示す断面図である。フラックス塗布工程においては、ＴＩＭ２０とダイ４１との間、又は、ＴＩＭ２０とリッド１０との間の少なくとも一方に、フラックス５０を介在させる。
フラックス塗布工程では、ダイ４１とＴＩＭ２０との貼合面（４２ａ、２０ｂ）、又は、リッド１０とＴＩＭ２０との貼合面（１１ａ、２０ａ）に、フラックス５０を塗布する。

フラックス５０は、次のように貼合面に塗布される。ダイ４１のメタライズ層４２の表面４２ａに対して、フラックス５０を塗布する。次いで、フラックス５０を塗布したダイ４１のメタライズ層４２の上に、ＴＩＭ２０を載置する。ダイ４１に積層されたＴＩＭ２０の、ダイ４１と接触している面２０ｂとは反対側の面２０ａに対して、フラックス５０を塗布する。

フラックス５０の塗布装置としては、スプレーフラクサー、および発泡式フラクサー等が挙げられる。これらの中でも、塗布量の安定性の観点から、スプレーフラクサーが好ましい。

≪リッド装着工程≫
リッド装着工程では、フラックス５０を貼合面に塗布した後、ＴＩＭ２０及びダイ４１が積層されている基板４０に対して、リッド１０を固定する。リッド装着工程について、図３を参照して説明する。図３は、フラックス５０の塗布後、リッド１０と基板４０とが、接着用樹脂４３により接着された積層体６０を示す図である。

リッド装着工程では、フラックス５０の塗布後、基板４０の一方面上に、接着用樹脂４３を塗布する。次いで、リッド１０と、ＴＩＭ２０及びダイ４１が積層されている基板４０とを、熱圧着することにより、接着用樹脂４３を硬化させる。これにより、リッド１０が基板４０に対して固定される。リッド装着工程により、リッド１０と基板４０とが、接着用樹脂４３により接着された積層体６０が得られる。

≪加熱操作（１）≫
加熱操作（１）では、積層体６０に対して、リフロー方式により加熱を行う。加熱操作（１）により、ＴＩＭ２０を介して、リッド１０及びダイ４１が接合されて、半導体パッケージ６０’を得る。
ＴＩＭであるインジウム合金シートを構成するインジウムは、融点が１５６℃であるため、通常のリフローよりも低い温度であっても、接合が可能である。リフロー温度は、１５０～２５０℃であることが好ましく、１５０～２００℃であることがより好ましい。

＜工程（ｉｉ）＞
工程（ｉｉ）では、加熱操作（２）により、半導体パッケージ６０’の背面６０ａに、はんだボール７０を接合して、電子部品１００を得る。工程（ｉｉ）について、図４を参照して説明する。前記半導体パッケージ６０’の背面６０ａとは、半導体パッケージ６０’における、リッドが固定されている面とは反対側の面を意味する。

工程（ｉｉ）では、まず、半導体パッケージ６０’の背面６０ａに、はんだボール７０を載置する。次いで、はんだボール７０が載置された半導体パッケージ６０’に対して、加熱操作（２）を行う。加熱操作（２）により、はんだボール７０が溶融して、はんだボール７０と半導体パッケージ６０’とが接合される。
加熱操作（２）は、半導体パッケージ６０’に対して、リフロー方式により加熱を行う。リフロー温度は、２００℃以上２８０℃以下であることが好ましい。

以上説明した実施形態に係る半導体パッケージを含む電子部品の製造方法によれば、高温で行われる加熱操作（２）においても、シートの接合面（すなわち、フラックスが介在している面）におけるボイド量を低減することが可能である。その結果、チップから発生した熱を高効率で放熱することが可能である。

（その他実施形態）
上述したように、本態様に係る接合体の製造方法は、ＴＩＭ２０とダイ４１との間、又は、ＴＩＭ２０とリッド１０との間の少なくとも一方に、フラックス５０を介在させる。
上記の実施形態においては、ダイ４１におけるＴＩＭ２０との貼合面４２ａ、ＴＩＭ２０におけるリッド１０との貼合面１１ａにフラックス５０を塗布するが、フラックス５０を塗布する面はこれに限定されない。
例えば、ＴＩＭ２０とダイ４１との間にフラックス５０を介在させるために、ＴＩＭ２０におけるダイ４１との貼合面２０ｂにフラックス５０を塗布してもよいし、リッド１０におけるＴＩＭ２０との貼合面１１ａにフラックス５０を塗布してもよい。

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

＜フラックスの調製＞
（実施例１～２５、比較例１～４）
表１～４に示す組成で実施例及び比較例の各フラックスを調合した。使用した原料の成分を以下に示した。表１～４における組成率は、フラックスの全質量を１００質量％とした場合の質量％であり、空欄は０質量％を意味する。

ロジンとして、ロジンエステル、アクリル酸変性水添ロジン、水添ロジンを用いた。
ロジンエステル：
ロジンエステルとしては、水添ロジンと、グリセリンと、を反応させたものを用いた。

有機酸として、ダイマー酸（Ａ１）及びその他有機酸を用いた。
ダイマー酸（Ａ１）：水添ダイマー酸
水添ダイマー酸として、オレイン酸とリノール酸との反応物に、部分的に水素添加されたものを用いた。水添ダイマー酸は、炭素数３６であるダイマー酸、及び、炭素数が５４であるトリマー酸を含有するものであった。

炭素数３６であるダイマー酸は、不飽和度が異なる複数種のダイマー酸を含むものであった。ここで、ダイマー酸の不飽和度は、ダイマー酸の分子内の炭素原子数をｍ、水素原子数をｎとした場合に、｛（２ｍ＋２）－ｎ｝／２で表される値である。
炭素数３６であるダイマー酸は、不飽和度２のダイマー酸、不飽和度３のダイマー酸、不飽和度４のダイマー酸、不飽和度５のダイマー酸、不飽和度６であるダイマー酸、不飽和度７であるダイマー酸、不飽和度８であるダイマー酸を含むものであった。

その他有機酸：アジピン酸、パルミチン酸、セバシン酸、１２－ヒドロキシステアリン酸

アミン：２－フェニルイミダゾール

溶剤（Ｓ）として、溶剤（Ｓ１）及び溶剤（Ｓ２）を用いた。
溶剤（Ｓ１）：３－メトキシブチルアセテート（沸点１７２℃）、ヘキシレングリコール（沸点１９７℃）
溶剤（Ｓ２）：ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（沸点２６０℃）
ここで、沸点は、対象の液体の飽和蒸気圧が１気圧（すなわち、１０１３ｈＰａ）と等しくなるときの、その液体の温度を意味する。

［重量減少率の測定］
ロジンエステル、アクリル酸変性水添ロジン、水添ロジン、ダイマー酸（Ａ１）、その他有機酸、溶剤（Ｓ１）及び溶剤（Ｓ２）の重量減少率は、次のように測定した。
示差熱－熱重量同時測定装置（株式会社リガク製、ＴＧ－ＤＴＡ８１２２）を用いて、測定対象試料１０ｍｇをアルミパンに入れ、室温約２５℃から加熱を開始して所定の温度に達するまで、所定の昇温速度で昇温した。そして、加熱前の対象試料の質量Ｗ_０（１００質量％）と、所定の温度に達した直後の質量Ｗ_１とから、重量減少率を以下の計算式から算出した。
重量減少率（％）＝１００×｛Ｗ_０－Ｗ_１｝／Ｗ_０

ロジンエステル、アクリル酸変性水添ロジン、水添ロジン、ダイマー酸（Ａ１）及びその他有機酸の重量減少率は、所定の温度及び所定の昇温速度を、それぞれ、２６０℃及び１０℃／ｍｉｎとして、測定した。かっこ内の数値は重量減少率を示す。
ロジン：ロジンエステル（７．１質量％）、アクリル酸変性水添ロジン（１１．９質量％）、水添ロジン（２５．６質量％）
有機酸：水添ダイマー酸（０．１質量％）、アジピン酸（９９．５質量％）、パルミチン酸（９７．０質量％）、セバシン酸（５２．９質量％）、１２－ヒドロキシステアリン酸（１１．９質量％）

溶剤（Ｓ１）及び溶剤（Ｓ２）の重量減少率は、所定の温度及び所定の昇温速度を、それぞれ、１５０℃及び６℃／ｍｉｎとして測定した。
溶剤（Ｓ１）：３－メトキシブチルアセテート（９９．０質量％）、ヘキシレングリコール（９９．０質量％）
溶剤（Ｓ２）：ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（２１．０質量％）

［水添ダイマー酸の分析］
２－プロパノールに溶解させた水添ダイマー酸５０００ｐｐｍを用意した。液体クロマトグラフィー・フーリエ変換質量分析計を用いて、この溶液を分析した。
液体クロマトグラフィー装置として、ＵｌｔｉＭａｔｅ３０００（ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒ社製）を用いた。移動相として、５ｍＭギ酸アンモニウム水溶液及びメタノールの混合液を用いて、グラジエント分析を行った。カラムとして、ＡｑｕｉｔｙＵＰＬＣＢＥＨＣ１８（１．７μｍ，２．１×１００ｍｍ）を用いた。カラム温度は５０℃に設定し、流速は０．３５ｍＬ／ｍｉｎに設定し、注入量は１μＬとした。
フーリエ変換質量分析計として、ｏｒｂｉｔｒａｐＩＤ－Ｘ（ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒ社製）を用いた。分析条件は、エレクトロスプレーイオン法のネガティブモードとした。ｍ／ｚの測定範囲は、２００～２０００とした。

用いた水添ダイマー酸は、複数の分子を含むことが確認された。作成したイオンクロマトグラムに基づき、検出された全ての分子に由来するピーク総面積（１００％）に対する、各分子に由来するピーク面積の割合を算出した。
水添ダイマー酸は、複数種の炭素数３６のダイマー酸、及び、炭素数５４のトリマー酸を含有するものであった。複数種の炭素数３６のダイマー酸に由来するピーク総面積は、全ての分子に由来する総面積（１００％）に対して、９９％以上であった。
全ての分子に由来する総面積（１００％）に対する、炭素数３６である各ダイマー酸の面積の割合は以下の通りであった。
不飽和度２のダイマー酸（２６．７％）、不飽和度３のダイマー酸（４０．６％）、不飽和度４のダイマー酸（１０．６％）、不飽和度５のダイマー酸（２．６％）、不飽和度６であるダイマー酸（７．５％）、不飽和度７であるダイマー酸（１０．１％）、不飽和度８であるダイマー酸（１．９％）であった。
水添ダイマー酸の総量（１００質量％）に対する、異なる不飽和度の各ダイマー酸の含有量は、おおよそ、上述の面積の割合と一致すると推測される。

［軟化点の測定］
ロジンの軟化点は、ＪＩＳＫ５９０２の記載の環球法により測定した。軟化点が８０℃以下のロジンは、水浴で測定した。また、軟化点が８０℃を超えるロジンは、グリセリン浴で測定した。各ロジンについて、測定は２回行った。下記の軟化点は、２回の測定値の平均値である。

ロジンエステル（軟化点９５℃）、アクリル酸変性水添ロジン（軟化点１３０℃）、水添ロジン（軟化点７２℃）

［酸価の測定］
ロジンエステルの酸価は、ＪＩＳＫ００７０「化学製品の酸価，けん化価，エステル価，よう素価，水酸基価及び不けん化物の試験方法」の３．１中和滴定法に従って測定した。
ロジンエステル３ｇをエタノール／ジエチルエーテル（混合比１：１）に溶解した。指示薬としてフェノールフタレインを用いて、０．１ｍｏｌ／ＬＫＯＨエタノール溶液により滴定した。溶液が微紅色になった点を終点とした。
ロジンエステルの酸価は、６ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

下記の＜評価１＞に記載した評価方法にしたがって、≪ボイド発生抑制能の評価≫、≪濡れ性の評価≫を行った。これらの評価結果を表１～４に示した。

＜評価１＞
≪ボイド発生抑制能の評価≫
接合体の製造方法：
表面にＡｕ／Ｎｉめっき部（サイズ８ｍｍ×８ｍｍ）が設けられたリッド、及び、表面にＡｕ／Ｎｉめっき部（サイズ８ｍｍ×８ｍｍ）が設けられた基板を用意した。
はんだシートとして、Ｉｎが９０質量％と、Ａｇが１０質量％との合金からなるインジウム合金シート（サイズ：７ｍｍ×７ｍｍ×４００μｍ）を準備した。インジウム合金シートの表面及び裏面に、それぞれ、各例のフラックス２ｍｇをスプレー塗布した。
基板のＡｕ／Ｎｉめっき部の周縁に、厚さ３００μｍの銅板を、スペーサーとして載置した。次いで、フラックスを塗布したインジウム合金シートを、リッド及び基板のＡｕ／Ｎｉめっき部の間に挟み込んだ状態で、クリップで固定した。
次いで、インジウム合金シートを挟んだリッド及び基板に対して、１次リフローを行い、接合体を得た。１次リフローは、大気中、昇温速度１０℃／分で昇温し、１７０℃に達するまで行った。
次いで、１次リフローを行った接合体に対して、２次リフローを行った。２次リフローは、昇温速度０．５℃／秒で、４５０秒間、室温から２５０℃まで昇温させた。

検証方法：
２次リフローを行った接合体に対し、基板の鉛直方向からＸ線を照射して、透過Ｘ線を解析することにより、ボイド面積を測定した。測定には、ＸＤ７６００ＮＴ（ノードソン社製）を用いた。ボイド面積の測定では、Ｘ線が少なくとも１個のボイドを通過した場合には、ボイドが存在したものとして測定した。ボイドは、直径０．１μｍ以上のものを検出した。次いで、インジウム合金シートの総面積に対するボイドの総面積の割合を算出し、ボイド面積率（％）とした。

判定基準：
Ａ：ボイド面積率が、１０％未満である。
Ｂ：ボイド面積率が、１０％以上１５％未満である。
Ｃ：ボイド面積率が、１５％以上である。
評価結果が、Ａ又はＢであったフラックスは合格であり、Ｃであったフラックスは不合格であるとした。

≪濡れ性の評価≫
検証方法：
はんだシートとして、Ｉｎが９０質量％と、Ａｇが１０質量％との合金からなるインジウム合金シート（サイズ：２ｍｍ×２ｍｍ×１００μｍ）を準備した。
インジウム合金シートの表面及び裏面に、それぞれ、各例のフラックス０．５ｍｇをスプレー塗布した。フラックスを塗布したインジウム合金シートを、Ａｕ／Ｎｉ電極上に載置した。
次いで、インジウム合金シートが載置された電極を、次の条件でリフローを行った。リフローは、昇温速度６℃／分で、１８０℃まで昇温し、１８０℃で３分間、保持した。
次いで、フラックスを除去した後、濡れ広がった面積を計測した。

判定基準：
Ａ：濡れ広がった面積が、２．５ｍｍ^２以上である。
Ｂ：濡れ広がった面積が、２．０ｍｍ^２以上２．５ｍｍ^２未満である。
評価結果が、Ａ又はＢであったフラックスは合格であるとした。

≪塗布性の評価≫
検証方法：
スプレー装置（ＴＧ－ＳＳ２（フルコーンタイプ）、スプレーイングシステム社製）を用いて、エアー圧を０．３ＭＰａに設定し、各例のフラックスを金属板に対して塗布できるか否かを検証した。

判定基準：
Ａ：スプレー装置を用いて、フラックスを金属板に塗布することができた。
Ｂ：スプレー装置を用いて、フラックスを金属板に塗布することができなかった。
評価結果が、Ａであったフラックスは合格であり、Ｂであったフラックスは不合格であるとした。

下記の＜評価２＞に記載した評価方法にしたがって、≪ボイド発生抑制能の評価≫、≪濡れ性の評価≫を行った。これらの評価結果を表４に示した。

＜評価２＞
≪ボイド発生抑制能の評価≫
はんだシートとして、Ａｇが３質量％と、Ｃｕが０．５質量％と、残部がＳｎとの合金からなるＳＡＣ合金シート（サイズ：７ｍｍ×７ｍｍ×４００μｍ）を準備した。
ＳＡＣ合金シート、実施例１、比較例４のフラックスを用いて、＜評価１＞の≪ボイド発生抑制能の評価≫と同様の方法で検証した。
１次リフロー及び２次リフローの条件は次の通りであった。１次リフローは、大気中、昇温速度１０℃／分で昇温し、室温（２５℃）から２５０℃に達するまで行った。２次リフローは、昇温速度０．５℃／秒で、４５０秒間、室温（２５℃）から２５０℃まで昇温させた。

≪濡れ性の評価≫
はんだシートとして、Ａｇが３質量％と、Ｃｕが０．５質量％と、残部がＳｎとの合金からなるＳＡＣ合金シート（サイズ：２ｍｍ×２ｍｍ×１００μｍ）を準備した。
ＳＡＣ合金シート、実施例１、比較例４のフラックスを用いて、＜評価１＞の≪濡れ性の評価≫と同様の方法で検証した。
リフローは、昇温速度６℃／分で、室温（２５℃）から２５０℃まで昇温し、２５０℃で３分間、保持した。

ロジンエステルとダイマー酸（Ａ１）と溶剤（Ｓ１）とを含有する、実施例１～２のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ａであった。
溶剤（Ｓ１）を含有しない、比較例１のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ｃであった。
ダイマー酸（Ａ１）を含有しない、比較例２～３のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ｃであった。
ロジンエステルを含有しない、比較例４のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ｃであった。

前記溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、１００質量％である、実施例１のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ａであった。
前記溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、８３質量％である、実施例３のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価が、Ｂであった。

ダイマー酸（Ａ１）を含有する、実施例１のフラックスは、塗布性の評価がＡであった。
ダイマー酸（Ａ１）を含有しない、比較例１のフラックスは、塗布性の評価がＢであった。
その他有機酸の含有量が、フラックスの総質量に対して１５質量％である比較例２～３のフラックスは、塗布性の評価がＢであった。

ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、有機酸（Ａ）の総質量に対して、９０質量％以上である、実施例４、７～１１のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価がＡであった。
ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、有機酸（Ａ）の総質量に対して、９０質量％未満である、実施例５～６、１２～１３のフラックスは、ボイド発生抑制能の評価がＢであった。

ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、フラックスの総質量に対して１５質量％以上である、実施例１５～２０、２２～２３、２５のフラックスは、濡れ性の評価がＡであった。
ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、フラックスの総質量に対して１０質量％である、実施例１４、２１、２４のフラックスは、濡れ性の評価がＢであった。

＜評価２＞において、ＳＡＣ合金シート及び実施例１のフラックスを用いた場合、ボイド発生抑制能及び濡れ性の評価は、Ａであった。また、ＳＡＣ合金シート及び比較例４のフラックスを用いた場合、ボイド発生抑制能及び濡れ性の評価は、Ａであった。

ロジンエステルを含有しない比較例４のフラックスは、ＳＡＣ合金シートを用いた場合、ボイド抑制能はＡであり、インジウム合金シートを用いた場合、ボイド抑制能はＣであった。すなわち、インジウム合金シートを用いた場合は、ＳＡＣ合金シートを用いた場合よりも、ボイドを発生しやすい。
ロジンエステルを含有する実施例１のフラックスは、インジウム合金シートを用いた場合であっても、十分にボイドを抑制することができた。

本発明のフラックスは、ロジンエステル、ダイマー酸（Ａ１）及び溶剤（Ｓ１）を含有することにより、インジウムの含有量が高いはんだシートを用いた場合であっても、得られる接合体において、ボイドの発生を抑制することが可能である。

本発明のフラックスは、インジウム合金シートを用いた、熱排出効率が高められた電子部品の製造工程に好適に用いられる。

１０リッド、１１メタライズ層、１１ａ貼合面、１２ヒートシンク、２０熱界面材料（ＴＩＭ）、２０ａ，２０ｂ貼合面、４０基板、４１ダイ、４２メタライズ層、４２ａ貼合面、４３接着用樹脂、５０フラックス、６０半導体パッケージ、６０ａ裏面、７０はんだボール、１００電子部品

Claims

ロジンエステルと、有機酸（Ａ）と、溶剤（Ｓ）とを含有し、
前記有機酸（Ａ）は、熱重量測定において昇温速度１０℃／ｍｉｎで２６０℃まで加熱した際の重量減少率が１質量％以下であるダイマー酸（Ａ１）を含み、
前記溶剤（Ｓ）は、熱重量測定において昇温速度６℃／ｍｉｎで１５０℃まで加熱した際の重量減少率が９９質量％以上である溶剤（Ｓ１）を含み、
前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、５質量％以上７０質量％以下であり、
前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量は、前記有機酸（Ａ）の総質量に対して、７５質量％以上であり、
前記溶剤（Ｓ１）の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上９０質量％以下であり、
前記溶剤（Ｓ１）の含有量は、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、７０質量％以上である、フラックス。
前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、前記有機酸（Ａ）の総質量に対して、７５質量％以上である、請求項１に記載のフラックス。
前記溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記溶剤（Ｓ）の総質量に対して、８０質量％以上である、請求項１に記載のフラックス。
前記ダイマー酸（Ａ１）は、炭素数１８の不飽和脂肪酸が結合した二量体からなる群より選択される少なくとも一種である、請求項１に記載のフラックス。
前記溶剤（Ｓ１）の沸点が、２００℃以下である、請求項１に記載のフラックス。
さらに、アゾール類を含有する、請求項１に記載のフラックス。
前記溶剤（Ｓ１）の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上７５質量％以下であり、
前記ダイマー酸（Ａ１）の含有量が、フラックスの総質量に対して、１０質量％以上６０質量％以下である、請求項１に記載のフラックス。
前記溶剤（Ｓ１）の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、１０質量％以上７５質量％以下であり、
前記ロジンエステルの含有量が、フラックスの総質量に対して、１５質量％以上６０質量％以下である、請求項１に記載のフラックス。
半導体パッケージを含む電子部品の製造方法であって、
ダイとリッドとが熱界面材料（ＴＩＭ）を介して貼り合わされた接合体を備えた半導体パッケージを得る工程（ｉ）と、
前記半導体パッケージの背面に、はんだボールを接合して電子部品を得る工程（ｉｉ）と、を有し、
前記ＴＩＭが、インジウムと銀との合金製のシートであり、
前記工程（ｉ）は、前記ＴＩＭと前記ダイとの間、又は、前記ＴＩＭと前記リッドとの間の少なくとも一方に、請求項１～８のいずれか一項に記載のフラックスを介在させて、リフロー方式により前記ダイと前記リッドとを貼り合わせる加熱操作（１）を含み、
前記工程（ｉｉ）は、リフロー方式により前記はんだボールと前記半導体パッケージとを接合する加熱操作（２）を含む、電子部品の製造方法。
前記加熱操作（１）の温度条件が１５０～２５０℃であり、
前記加熱操作（２）の温度条件が２００～２８０℃である、請求項９に記載の電子部品の製造方法。