WO2024024676A1 - フラックス、ソルダペースト及び接合体の製造方法 - Google Patents

フラックス、ソルダペースト及び接合体の製造方法 Download PDF

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WO2024024676A1
WO2024024676A1 PCT/JP2023/026807 JP2023026807W WO2024024676A1 WO 2024024676 A1 WO2024024676 A1 WO 2024024676A1 JP 2023026807 W JP2023026807 W JP 2023026807W WO 2024024676 A1 WO2024024676 A1 WO 2024024676A1
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WO
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acid
solvent
mass
flux
group
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PCT/JP2023/026807
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English (en)
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Inventor
敬佑 篠崎
和哉 北澤
浩彰 川又
由樹 藤野
Original Assignee
千住金属工業株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
    • B23K35/3601—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with inorganic compounds as principal constituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering

Definitions

  • the present invention relates to flux, solder paste, and a method for producing a bonded body.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2022-118197 filed in Japan on July 25, 2022, the contents of which are incorporated herein.
  • Fixing of components to the board and electrical connection of the components to the board are generally performed by soldering.
  • soldering flux, solder powder, and solder paste containing a mixture of flux and solder powder are used.
  • Flux has the effect of chemically removing metal oxides present in the solder and the metal surface of the object to be soldered, and allowing the movement of metal elements at the boundary between the two. Therefore, by soldering using flux, an intermetallic compound is formed between the two, resulting in a strong bond.
  • solder paste is printed on a board, then components are mounted, and the board with the components mounted is heated in a heating furnace called a reflow oven. As a result, the solder powder contained in the solder paste is melted, and the component is soldered to the board.
  • the flux used for reflow soldering generally contains a resin component, a solvent, an activator, a thixotropic agent, etc. Rosin is added to the flux as a resin component in order to make the rheological properties such as viscosity and thixotropic ratio appropriate. Rosin remains as a flux residue after reflow.
  • Patent Document 1 proposes a solder paste with reduced flux residue by not containing rosin.
  • an object of the present invention is to provide a method for producing flux, solder paste, and a bonded body, which can reduce flux residue and suppress heating sag.
  • the present invention includes the following aspects.
  • [1] Contains a first solvent and a thixotropic agent, the first solvent has a viscosity of 10 Pa ⁇ s or more at 30°C, or is solid at 30°C, and the first solvent The solvent has a boiling point of 200° C. or higher, the first solvent has a weight loss rate of less than 96% by mass when heated to 230° C., and the thixotropic agent has a boiling point of 200° C. or higher, and the thixotropic agent has a condensation of an aliphatic carboxylic acid and an amine.
  • the flux is 30% by mass or more based on the mass (100% by mass), and the content of the polyamide is more than 2% by mass based on the total mass (100% by mass) of the flux.
  • R 1 represents a hydrocarbon group having 2 to 4 carbon atoms.
  • R 2 represents a hydrocarbon group having 4 to 10 carbon atoms.
  • m is 1-3.
  • the mass ratio of the first solvent to the second solvent is 0.1 to 1.0 as a mass ratio expressed as second solvent/first solvent; [2 ] or the flux described in [3].
  • the mass ratio of the polyamide and the second solvent is 0.15 to 0.4 as a mass ratio expressed by polyamide/second solvent, [2] to [4].
  • a step of obtaining a joined body by soldering the component and the board, and during the soldering, reflow is performed in a reducing gas atmosphere using the solder paste described in [7]. , a method for manufacturing a zygote.
  • the flux according to this embodiment contains a first solvent and a thixotropic agent containing a specific polyamide.
  • the flux according to this embodiment is suitably used for reflow soldering.
  • the flux according to the present embodiment can easily impart predetermined rheological properties to the flux while reducing flux residue.
  • reflow soldering includes the following steps.
  • the board on which the components are mounted is first heated at 150 to 180°C for 1 to 2 minutes (this is called preheating).
  • the solder alloy is heated for about 1 minute at a temperature between the liquidus temperature and about 20° C. higher than the liquidus temperature (this is called peak temperature) (this is called main heating).
  • the flux according to the present embodiment is difficult to volatilize during preheating, the first solvent tends to remain after the preheating and before the main heating. Therefore, it becomes easier to prevent the thixotropic agent, activator, etc. from drying out and becoming a flux residue. Since the flux according to the present embodiment is difficult to volatilize during preheating, volatilization of the activator and the like is easily suppressed. As a result, it becomes easier to maintain the effects of the active agent and the like. In other words, it becomes easier to improve the heat resistance of the flux.
  • the first solvent tends to volatilize at a temperature near the peak temperature during main heating for reflow. This reduces the amount of solvent remaining after reflow, making it easier to reduce flux residue.
  • the flux according to this embodiment contains a specific polyamide, thereby making it easier to suppress heating sag. Since a specific polyamide tends to increase the ability to suppress heating sag, the amount of addition required to obtain a predetermined ability to suppress heating sag can be reduced. As a result, it becomes possible to reduce flux residue.
  • the first solvent has a viscosity of 10 Pa ⁇ s or more at 30°C, or is solid at 30°C.
  • the first solvent has a boiling point of 200°C or higher.
  • the first solvent has a weight loss rate of less than 96% by mass when heated to 230°C.
  • the content of the first solvent is 30% by mass or more based on the total mass (100% by mass) of the flux.
  • the first solvent has a viscosity of 10 Pa ⁇ s or more at 30°C, or is solid at 30°C.
  • the first solvent may have a viscosity at 30°C of 10 Pa ⁇ s or more and 5000 Pa ⁇ s or less, 10 Pa ⁇ s or more and 2000 Pa ⁇ s or less, or 10 Pa ⁇ s or more and 1000 Pa ⁇ s It may be the following.
  • the flux according to the present embodiment can easily achieve predetermined rheological properties even when the flux does not contain rosin.
  • the viscosity is measured using a Brookfield viscometer.
  • solid at 30°C means having a melting point above 30°C.
  • the melting point means the temperature at which a solid melts and becomes a liquid.
  • the melting point values of compounds in this specification are mainly the values described in "Chemistry Handbook Basic Edition Revised 5th Edition".
  • the boiling point of the first solvent is 200°C or higher, preferably 250°C or higher, more preferably 280°C or higher, even more preferably 300°C or higher. Since the boiling point of the first solvent is equal to or higher than the lower limit, the first solvent tends to remain after preheating and before main heating. Therefore, it becomes easier to maintain the effects of thixotropic agents, activators, etc. As a result, after preheating and before main heating, it becomes easier to improve the heat resistance of the flux, and it becomes easier to prevent the thixotropic agent, activator, etc. from solidifying into flux residue.
  • the boiling point of the first solvent is preferably 450°C or lower, more preferably 410°C or lower, even more preferably 370°C or lower, particularly preferably 330°C or lower.
  • the boiling point of the first solvent is preferably 200°C or more and 450°C or less, more preferably 250°C or more and 410°C or less, even more preferably 280°C or more and 370°C or less, and 300°C or more and 370°C or less. It is even more preferable that the temperature is below °C.
  • boiling point means the temperature of a liquid when the saturated vapor pressure of the liquid is equal to 1 atmosphere (i.e., 1013 hPa).
  • the weight loss rate of the first solvent when heated to 230°C is less than 96% by mass, preferably less than 93% by mass, more preferably less than 90% by mass, and less than 87% by mass. It is more preferable that it be present, particularly preferably less than 84% by mass.
  • the weight reduction rate is within the above range, the first solvent tends to remain after preheating and before main heating. Therefore, it becomes easier to maintain the effects of the activator and the like. As a result, after preheating and before main heating, it becomes easier to improve the heat resistance of the flux, and it becomes easier to prevent the thixotropic agent, activator, etc. from solidifying into flux residue.
  • the weight loss rate of the first solvent when heated to 230°C is 50% by mass or more and less than 96% by mass, preferably 60% by mass or more and less than 93% by mass, and preferably 65% by mass or more and less than 90% by mass. It is more preferably less than 70% by mass and less than 87% by mass, and particularly preferably not less than 75% by mass and less than 84% by mass.
  • the first solvent preferably has a weight loss rate of 81% by mass or more and 94% by mass or less when heated to 230°C.
  • the weight loss rate of the first solvent when heated to 250° C. is preferably 95% by mass or more, more preferably 97% by mass or more, and still more preferably 98% by mass or more.
  • the content is preferably 99% by mass or more, particularly preferably 99% by mass or more. If the weight loss rate of the first solvent when heated to 250° C. is within the above range, the flux will easily volatilize during reflow. This makes it easier to reduce flux residue after reflow.
  • the upper limit of the weight loss rate of the first solvent when heated to 250° C. is not particularly limited as long as the effects of the present invention can be achieved, and may be 100% by mass in terms of measurement.
  • the upper limit of the weight loss rate of the first solvent when heated to 250°C is preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 97% by mass or more and 100% by mass or less, and 98% by mass or more and preferably 100% by mass or less. It is more preferably at least 99% by mass and at most 100% by mass, particularly preferably at least 99% by mass and at most 100% by mass.
  • the first solvent may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the first solvent include isobornylcyclohexanol, trimethylolpropane, and the like, with isobornylcyclohexanol being preferred.
  • the content of the first solvent is 30% by mass or more, preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, and still more preferably 60% by mass or more, based on the total mass (100% by mass) of the flux. It is preferably 70% by mass or more, particularly preferably 70% by mass or more.
  • the content of the first solvent is preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, and 85% by mass or less based on the total mass (100% by mass) of the flux. is more preferable, and particularly preferably 80% by mass or less.
  • the content of the first solvent is 30% by mass or more and 98% by mass or less, preferably 40% by mass or more and 95% by mass or less, and 50% by mass with respect to the total mass (100% by mass) of the flux.
  • the content of the first solvent is preferably 30% by mass or more and 86% by mass or more, more preferably 40% by mass or more and 86% by mass or less, based on the total mass (100% by mass) of the flux.
  • the flux according to this embodiment may contain other solvents in addition to the first solvent.
  • other solvents include glycol ether solvents, alcohol solvents, terpineols, and ester solvents.
  • Other solvents may be used alone or in combination of two or more. Examples of other solvents include the following.
  • the figure in parentheses means the boiling point of the solvent.
  • glycol ether solvents examples include ethylene glycol monophenyl ether (237°C), diethylene glycol monobutyl ether (230.6°C), propylene glycol monophenyl ether (242°C), tripropylene glycol monomethyl ether (243°C), and diethylene glycol.
  • Monohexyl ether (259°C), diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether (275°C), diethylene glycol dibutyl ether (256°C), triethylene glycol monobutyl ether (278°C), triethylene glycol butyl methyl ether (261°C), tetraethylene Examples include glycol dimethyl ether (275°C) and tri(propylene glycol) n-butyl ether.
  • alcoholic solvents examples include 1,2-butanediol (192°C), 2-methyl-2,4-pentanediol (197°C), and 2,3-dimethyl-2,3-butanediol (174°C). , 1-ethynyl-1-cyclohexanol (180°C), 2,4-diethyl-1,5-pentanediol (338°C), and 1,2,6-trihydroxyhexane.
  • terpineols examples include ⁇ -terpineol (218°C), ⁇ -terpineol (210°C), ⁇ -terpineol (218°C), terpineol mixture (that is, the main component is ⁇ -terpineol, ⁇ -terpineol or (a mixture containing ⁇ -terpineol).
  • ester solvents examples include bis(2-ethylhexyl) sebacate.
  • the flux according to this embodiment may contain a second solvent in addition to the first solvent.
  • the second solvent has a boiling point of 250° C. or higher and a dielectric constant of 6.0 or higher.
  • the boiling point of the second solvent is preferably 250°C or more and 350°C or less, and preferably 250°C or more and 300°C or less.
  • the relative permittivity of the second solvent is preferably 6.0 or more and 50 or less, more preferably 6.0 or more and 30 or less, even more preferably 6.0 or more and 20 or less, even more preferably 6.0 or more and 15 or less, Particularly preferably 6.0 or more and 9.0 or less.
  • the relative dielectric constant is measured in accordance with JISC 2565 (1992), with the measurement frequency set to 1 GHz.
  • a transmission-type circular TM 010 resonator mounted the sample at the center of the resonator so that it coincided with the axis of the resonator, applied an external magnetic field in the axial direction of the sample, and changed the magnetic field.
  • the resonance frequency f1 is measured by applying an external magnetic field until no change in the measured value can be observed.
  • the frequency f 0 is measured using a similar procedure, except that the sample is not attached to the resonator.
  • the parameter C is calculated using the electromagnetic field analysis software SIMULIA CST Studio Suite (Dassault Systemes Simulia Corporation), and the relative dielectric constant ⁇ r is calculated according to the following formula.
  • the solder paste printed on the substrate becomes difficult to volatilize during storage. As a result, it becomes easier to suppress the deterioration of tacking of the solder paste containing the flux, and it becomes easier to improve the mountability of the component on the board on which the solder paste containing the flux is printed.
  • a compound represented by the following general formula (1) is preferable.
  • R 1 represents a hydrocarbon group having 2 to 4 carbon atoms.
  • R 2 represents a hydrocarbon group having 4 to 10 carbon atoms.
  • m is 1-3.
  • the hydrocarbon group in R 1 may be an aliphatic hydrocarbon group.
  • the aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
  • Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and a linear aliphatic hydrocarbon group.
  • the linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 3 carbon atoms, more preferably 2 carbon atoms.
  • the linear aliphatic hydrocarbon group in R 1 is preferably a linear alkylene group, specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], Examples thereof include trimethylene group [-(CH 2 ) 3 --], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 --], and ethylene group [-(CH 2 ) 2 --] is preferred.
  • the branched aliphatic hydrocarbon group in R 1 is preferably a branched alkylene group, specifically -CH(CH 3 )-, -CH 2 -CH(CH 3 )-, -CH Alkylmethylene groups such as (CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 ); -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, and other alkylethylene groups; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH Examples include alkyltrimethylene groups such as 2 CH(CH 3 )CH 2 -, and -CH 2 -CH(CH 3 )- is preferred.
  • the hydrocarbon group in R 2 may be an aliphatic hydrocarbon group.
  • the aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated. More specifically, the aliphatic hydrocarbon group includes a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure, and the like.
  • the hydrocarbon group in R 2 preferably has 4 to 8 carbon atoms, more preferably 5 to 7 carbon atoms, and most preferably 6 carbon atoms.
  • diethylene glycol monohexyl ether is preferable.
  • R 1 is an ethylene group
  • R 2 is a linear hexyl group
  • m is 2 in diethylene glycol monohexyl ether.
  • the content of the second solvent is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and 40% by mass or less based on the total mass (100% by mass) of the flux. is more preferable, particularly preferably 30% by mass or less, and most preferably 25% by mass or less.
  • the content of the second solvent is equal to or less than the upper limit value, it becomes easier to improve the ability to suppress heating sag, and the ability to suppress the generation of solder balls.
  • the content of the second solvent is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, based on the total mass (100% by mass) of the flux.
  • the content of the second solvent is preferably 5% by mass or more and 60% by mass or less, more preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less, based on the total mass (100% by mass) of the flux.
  • the amount is 25% by mass or less.
  • the mass ratio of the first solvent to the second solvent is the mass ratio expressed as second solvent/first solvent, that is, the mass ratio of the second solvent to the total mass of the first solvent.
  • the proportion of the total mass of the solvent is preferably 0.1 to 1.0.
  • the total content of the first solvent and the second solvent is 65% by mass or more and 100% by mass or less with respect to the total mass (100% by mass) of all solvents. It is preferably 75% by mass or more and 100% by mass or less, still more preferably 85% by mass or more and 100% by mass or less, even more preferably 100% by mass.
  • the flux according to this embodiment includes a thixotropic agent containing a specific polyamide.
  • the specific polyamide refers to an amide having three or more amide bonds within the molecule.
  • the content of the specific polyamide is more than 2% by mass based on the total amount (100% by mass) of the flux.
  • the specific polyamide is selected from the group consisting of "a condensate of an aliphatic carboxylic acid and an amine” and "a condensate of a hydroxy group-containing aliphatic carboxylic acid, an aliphatic carboxylic acid, and an amine" It is one or more types, and is preferably "a condensate of a hydroxy group-containing aliphatic carboxylic acid, an aliphatic carboxylic acid, and an amine.”
  • the aliphatic carboxylic acids from which specific polyamides are derived may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the aliphatic carboxylic acids include monocarboxylic acids, dicarboxylic acids, tricarboxylic acids, and the like.
  • the aliphatic carboxylic acid is preferably a monocarboxylic acid or a dicarboxylic acid, and more preferably a dicarboxylic acid.
  • the hydrocarbon group of the aliphatic carboxylic acid may be linear, branched, or cyclic.
  • the hydrocarbon group is preferably linear or branched, more preferably linear.
  • the hydrocarbon group may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group.
  • the hydrocarbon group is preferably a saturated hydrocarbon group.
  • the number of carbon atoms in the aliphatic monocarboxylic acid is preferably 12 to 22, more preferably 14 to 22, even more preferably 16 to 22.
  • the aliphatic monocarboxylic acids include lauric acid, myristic acid, pentadecyl acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, and behenic acid.
  • the aliphatic monocarboxylic acid is palmitic acid or stearic acid.
  • the number of carbon atoms in the aliphatic dicarboxylic acid is preferably 2 to 20, more preferably 6 to 16, and even more preferably 8 to 14.
  • aliphatic dicarboxylic acids examples include adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid, dodecanedioic acid, tridecanedioic acid, tetradecanedioic acid, and pentadecanedioic acid.
  • the aliphatic dicarboxylic acid is preferably suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid or dodecanedioic acid, more preferably sebacic acid or dodecanedioic acid, and more preferably dodecanedioic acid. More preferred.
  • the aliphatic carboxylic acid includes an aliphatic dicarboxylic acid.
  • the aliphatic carboxylic acid may include one or more selected from the group consisting of sebacic acid and dodecanedioic acid, and one or more selected from the group consisting of palmitic acid and stearic acid. .
  • the hydroxy group-containing aliphatic carboxylic acids from which the specific polyamide is derived may be used alone or in combination of two or more.
  • the hydrocarbon group of the hydroxy group-containing aliphatic carboxylic acid may be linear, branched, or cyclic.
  • the hydrocarbon group is preferably linear or branched, more preferably linear.
  • the hydrocarbon group may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group.
  • the hydrocarbon group is preferably a saturated hydrocarbon group.
  • the number of carbon atoms in the hydroxy group-containing aliphatic carboxylic acid is preferably 10 to 25, more preferably 15 to 21.
  • hydroxy group-containing aliphatic carboxylic acids examples include hydroxypentadecanoic acid, hydroxyhexadecanoic acid, hydroxyheptadecanoic acid, hydroxyoctadecanoic acid (hydroxystearic acid), hydroxyeicosanoic acid, and hydroxyheneicosanoic acid.
  • the hydroxy group-containing aliphatic carboxylic acid is preferably hydroxystearic acid, more preferably 12-hydroxystearic acid.
  • the amines from which the specific polyamide is derived may be used alone or in combination of two or more.
  • the amine include aliphatic amines and aromatic amines.
  • the amine is an aliphatic amine.
  • the amines include monoamines, diamines, triamines, and tetraamines.
  • the amine is a diamine.
  • the hydrocarbon group of the aliphatic amine may be linear, branched, or cyclic.
  • the hydrocarbon group is preferably linear or branched, more preferably linear.
  • the number of carbon atoms in the aliphatic amine is preferably 3 to 10, more preferably 4 to 8.
  • the hydrocarbon group may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group.
  • the hydrocarbon group is preferably a saturated hydrocarbon group.
  • the amines include ethylenediamine, 1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine, hexamethylenediamine, metaxylenediamine, tolylenediamine, paraxylenediamine, phenylenediamine, isophoronediamine, and 1,10-decane.
  • Diamine, 1,12-dodecanediamine, 4,4'-diaminodicyclohexylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, butane-1,1,4,4-tetraamine, pyrimidine-2,4,5,6-tetraamine, etc. can be mentioned.
  • the amine is hexamethylene diamine.
  • the temperature of the endothermic peak of a specific polyamide can be measured by DSC (Differential Scanning Calorimetry).
  • DSC Different Scanning Calorimetry
  • a specific method for measuring the endothermic peak is to measure by heating about 10 mg of polyamide from 25°C to 350°C under a nitrogen atmosphere at a heating rate of 20°C/min.
  • DSC7020 manufactured by Hitachi High-Tech Science
  • the temperature of an endothermic peak means the temperature at the top of the peak.
  • the specific polyamide used in the flux of this embodiment has one or more endothermic peaks in the temperature range of 120° C. or higher and 200° C. or lower.
  • the temperature of the endothermic peak is preferably 150°C or more and 200°C or less, more preferably 160°C or more and 200°C or less, and 170°C or more and 200°C or less. It is more preferable that the temperature is 180°C or more and 200°C or less.
  • the specific polyamide may have, for example, an endothermic peak with the lowest temperature in a range of 120°C or more and 200°C or less, or an endothermic peak with the highest temperature in a range of 120°C or more. It may be in the range of 200°C or less, or all endothermic peaks may be in the range of 120°C or more and 200°C or less.
  • the temperature of the highest endothermic peak is preferably 150°C or more and 200°C or less, more preferably 160°C or more and 200°C or less, even more preferably 170°C or more and 200°C or less, and 180°C. It is particularly preferable that the temperature is above 200°C.
  • the proportion of endotherm in the range of 160°C or more and 200°C or less is preferably 30% or more of the total endothermic amount in the range of 50°C or more and 200°C or less, and 40% or more. % or more, more preferably 45% or more.
  • the ratio of the endothermic amount in the range of 160° C. or higher and 200° C. or lower, as measured by DSC of a specific polyamide is equal to or higher than the lower limit value, heating sag during reflow can be sufficiently suppressed. In particular, heating sag can be suppressed even when the preheating temperature is increased, for example, 190° C. or higher, even 200° C. or higher.
  • the endothermic amount of a specific polyamide can be calculated from the peak area of the DSC curve of the specific polyamide.
  • the proportion of endotherm in the range of 50°C or more and 150°C or less is preferably 80% or less of the total endothermic amount in the range of 50°C or more and 200°C or less, and 60% or less. % or less, more preferably 50% or less.
  • the lower limit of the ratio of the heat absorption amount is not particularly limited as long as the effect of the invention is achieved, but for example, it may be 10% or more, 20% or more, or 30% or more. It's okay.
  • the ratio of the heat absorption amount is preferably 10% or more and 80% or less, more preferably 10% or more and 60% or less, and even more preferably 10% or more and 50% or less.
  • the ratio of the heat absorption amount is preferably 20% or more and 80% or less, more preferably 20% or more and 60% or less, and even more preferably 30% or more and 50% or less.
  • the proportion of the endothermic amount in the range of 50° C. or higher and 180° C. or lower is preferably 95% or less of the total endothermic amount in the range of 50° C. or higher and 200° C. or lower. % or less, more preferably 85% or less.
  • the lower limit of the ratio of the heat absorption amount is not particularly limited as long as the effect of the invention is achieved, but for example, it may be 40% or more, 50% or more, or 60% or more. It's okay.
  • the ratio of the heat absorption amount is preferably 40% or more and 95% or less, more preferably 40% or more and 90% or less, and even more preferably 40% or more and 85% or less.
  • the ratio of the heat absorption amount is preferably 50% or more and 95% or less, more preferably 50% or more and 90% or less, and even more preferably 60% or more and 85% or less.
  • the specific polyamide contained in the flux of this embodiment is preferably a condensation product of an aliphatic carboxylic acid, a hydroxy group-containing aliphatic monocarboxylic acid, and an amine, from the viewpoint of further enhancing the heating sag suppression ability. .
  • the specific polyamide contained in the flux of this embodiment is more preferably a condensate of an aliphatic dicarboxylic acid, a hydroxy group-containing aliphatic monocarboxylic acid, and a diamine.
  • the specific polyamide contained in the flux of this embodiment includes an aliphatic dicarboxylic acid having 8 to 14 carbon atoms, a hydroxy group-containing aliphatic monocarboxylic acid having 15 to 21 carbon atoms, and a hydroxy group-containing aliphatic monocarboxylic acid having 4 to 21 carbon atoms. It is more preferable that it is a condensate with an aliphatic diamine.
  • the specific polyamide is particularly preferably a condensate of one or more selected from the group consisting of sebacic acid and dodecanedioic acid, 12-hydroxystearic acid, and hexamethylene diamine.
  • the specific polyamide includes one or more selected from the group consisting of sebacic acid and dodecanedioic acid, one or more selected from the group consisting of palmitic acid and stearic acid, 12-hydroxystearic acid, and hexamethylene diamine. It may also be a condensate with.
  • the specific polyamide is a condensate of an aliphatic dicarboxylic acid, a hydroxy group-containing aliphatic monocarboxylic acid, and an aliphatic diamine
  • the molar ratio of these raw materials preferably satisfies the following relational expression.
  • the aliphatic dicarboxylic acid used as a raw material for a specific polyamide is X mole
  • the hydroxy group-containing aliphatic monocarboxylic acid is Y mole
  • the aliphatic diamine is Z mole.
  • the total number of moles of amino groups in the compounds contained in the raw materials is equal to the total number of moles of carboxy groups, or the total number of moles of amino groups in the compounds contained in the raw materials is equal to the total number of moles of carboxy groups. Preferably less than. Specifically, it is preferable to satisfy 2Z ⁇ 2X+Y.
  • the molar ratio relationship between the raw materials is preferably 0.2Y ⁇ X ⁇ 2Y, and more preferably 0.4Y ⁇ X ⁇ 1.5Y.
  • the molar ratio relationship between the raw materials is preferably 0.5Y ⁇ Z ⁇ 2Y, and more preferably 0.8Y ⁇ Z ⁇ 1.8Y.
  • the content of the specific polyamide in the flux is more than 2% by mass, more preferably 3% by mass or more, and more preferably 4% by mass or more, based on the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferable that the amount is 5% by mass or more, and particularly preferably 5% by mass or more.
  • the content of the specific polyamide is equal to or higher than the lower limit value, it becomes easier to improve the ability to suppress heating sag, and the ability to suppress the generation of solder balls.
  • the upper limit of the content of the specific polyamide in the flux is not particularly limited as long as the effects of the present invention are achieved, and the content of the specific polyamide is based on the total amount (100% by mass) of the flux.
  • the content of the specific polyamide in the flux is more than 2% by mass and 15% by mass or less, and more preferably 3% by mass or more and 10% by mass or less, based on the total amount (100% by mass) of the flux. It is preferably 4% by mass or more and 8% by mass or less, and particularly preferably 4% by mass or more and 5% by mass or less.
  • the mass ratio of the specific polyamide to the second solvent is the mass ratio of the specific polyamide/second solvent, that is, the mass ratio of the specific polyamide to the total mass of the second solvent.
  • the proportion of the total mass is preferably 0.08 to 0.4, more preferably 0.15 to 0.4.
  • the thixotropic agent may contain other thixotropic agents in addition to the polyamide.
  • examples of other thixotropic agents include amide-based thixotropic agents, wax-based thixotropic agents, sorbitol-based thixotropic agents, and the like other than those mentioned above.
  • Other thixotropic agents may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of amide thixotropic agents other than those mentioned above include monoamide, bisamide, and other polyamides.
  • monoamides include lauric acid amide, palmitic acid amide, stearic acid amide, behenic acid amide, hydroxystearic acid amide, saturated fatty acid amide, oleic acid amide, erucic acid amide, unsaturated fatty acid amide, p-toluamide, p- Examples include toluene methanamide, aromatic amide, hexamethylene hydroxystearamide, substituted amide, methylolstearamide, methylolamide, fatty acid ester amide, and the like.
  • bisamides include methylene bisstearic acid amide, ethylene bislauric acid amide, ethylene bishydroxy fatty acid amide (fatty acid carbon number C6-24), ethylene bisstearic acid amide, ethylene bishydroxystearic acid amide, saturated fatty acid bisamide, methylene bis Examples include oleic acid amide, unsaturated fatty acid bisamide, m-xylylene bisstearic acid amide, and aromatic bisamide.
  • polyamides include saturated fatty acid polyamides, unsaturated fatty acid polyamides, aromatic polyamides, 1,2,3-propanetricarboxylic acid tris(2-methylcyclohexylamide), cyclic amide oligomers, acyclic amide oligomers, and the like.
  • the cyclic amide oligomers include amide oligomers obtained by cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and diamine, amide oligomers obtained by cyclic polycondensation of tricarboxylic acid and diamine, amide oligomers obtained by cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and triamine, and tricarboxylic acid.
  • amide oligomers are cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and diamine
  • amide oligomers are cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and triamine
  • amide oligomers formed by cyclic polycondensation of tricarboxylic acids and diamines and triamines amide oligomers formed by cyclic polycondensation of dicarboxylic acids and tricarboxylic acids, and diamines and triamines, etc. .
  • the acyclic amide oligomer is an amide oligomer obtained by acyclic polycondensation of a monocarboxylic acid and a diamine and/or triamine
  • the acyclic amide oligomer is an amide oligomer obtained by acyclic polycondensation of a dicarboxylic acid and/or tricarboxylic acid and a monoamine.
  • it may be an oligomer.
  • the monocarboxylic acid or monoamine functions as terminal molecules, resulting in an acyclic amide oligomer with a reduced molecular weight.
  • the acyclic amide oligomer when the acyclic amide oligomer is an amide compound obtained by acyclic polycondensation of dicarboxylic acid and/or tricarboxylic acid and diamine and/or triamine, it becomes an acyclic high molecular weight amide polymer. Furthermore, the acyclic amide oligomer also includes an amide oligomer in which a monocarboxylic acid and a monoamine are condensed in an acyclic manner.
  • wax-based thixotropic agents examples include ester compounds, specifically hydrogenated castor oil and the like.
  • sorbitol-based thixotropic agents examples include dibenzylidene-D-sorbitol, bis(4-methylbenzylidene)-D-sorbitol, (D-) sorbitol, monobenzylidene (-D-) sorbitol, and mono(4-methylbenzylidene). -(D-)sorbitol and the like.
  • the flux according to the present embodiment may contain other components as necessary.
  • Other components include organic acids, amines, activators such as halogen compounds, surfactants, metal deactivators, antioxidants, silane coupling agents, colorants, and the like.
  • activator examples include organic acids, amines, halogen compounds, and the like.
  • Organic acids include carboxylic acids and organic sulfonic acids.
  • carboxylic acids include aliphatic carboxylic acids and aromatic carboxylic acids.
  • aliphatic carboxylic acids include aliphatic monocarboxylic acids and aliphatic dicarboxylic acids.
  • aliphatic monocarboxylic acids include caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, pelargonic acid, isoperargonic acid, capric acid, caproleic acid, lauric acid (dodecanoic acid), undecanoic acid, lindelic acid, tridecanoic acid, and myristolein.
  • Acid pentadecanoic acid, isopalmitic acid, palmitoleic acid, hyragonic acid, hydronocarpic acid, margaric acid, isostearic acid, elaidic acid, petroselic acid, moroctic acid, eleostearic acid, tarylic acid, vaccenic acid, riminoleic acid, vernolic acid,
  • Examples include steruclic acid, nonadecanoic acid, eicosanoic acid, stearic acid, 12-hydroxystearic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, myristic acid, and the like.
  • aliphatic dicarboxylic acids examples include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, dodecanedioic acid, eicosandioic acid, tartaric acid, 2,4- Diethylglutaric acid, diglycolic acid, 2-methylnonanedioic acid, 4-(methoxycarbonyl)-2,4-dimethylundecanedioic acid, and 4,6-bis(methoxycarbonyl)-2,4,6-trimethyltri Examples include decanedioic acid and 8,9-bis(methoxycarbonyl)-8,9-dimethylhexadecanedioic acid.
  • aromatic carboxylic acids examples include salicylic acid, dibutylaniline diglycolic acid, terephthalic acid, parahydroxyphenylacetic acid, phenylsuccinic acid, phthalic acid, benzoic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2-quinolinecarboxylic acid, -Hydroxybenzoic acid, p-anisic acid, etc.
  • carboxylic acid examples include tris(2-carboxyethyl) isocyanurate, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, and the like.
  • examples of the carboxylic acid include a compound represented by the following general formula (c1).
  • R 11 -COOH...(c1)
  • R 11 represents a chain hydrocarbon group having 2 to 15 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 15 carbon atoms, or an aromatic group. However, R 11 has a hydroxy group.
  • the chain hydrocarbon group in R 11 may be either linear or branched.
  • the chain hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group, and are preferably saturated hydrocarbon groups.
  • the number of carbon atoms in the chain hydrocarbon group is preferably 2 to 12, more preferably 3 to 9, particularly preferably 3 to 7, and most preferably 3 to 5.
  • Examples of the chain hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and isopentyl group. , sec-pentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, sec-hexyl group, tert-hexyl group, neohexyl group and the like.
  • the number of carbon atoms in the alicyclic hydrocarbon group is preferably 3 to 12, more preferably 4 to 12, and even more preferably 4 to 8.
  • Examples of the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclononyl group, a cyclodecyl group, and a cycloundecyl group.
  • the aromatic group in R 11 is a group having at least one aromatic ring, for example, an aromatic hydrocarbon ring such as benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, or a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring.
  • an aromatic heterocycle in which is substituted with a hetero atom, a condensed ring in which an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocycle are condensed, and the like.
  • examples of the substituent include a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group, a carboxy group, a hydroxy group, an amino group, a halogen atom, etc. and a carboxy group or a hydroxy group is preferred.
  • Examples of the organic acid represented by the above general formula (c1) include hydroxycarboxylic acids.
  • Examples of hydroxycarboxylic acids include 2,2-bis(hydroxymethyl)propionic acid, 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid, citric acid, isocitric acid, malic acid, tartaric acid, etc. -bis(hydroxymethyl)propionic acid is preferred.
  • Examples of carboxylic acids include dimer acid, trimer acid, hydrogenated dimer acid which is a hydrogenated product obtained by adding hydrogen to dimer acid, and hydrogenated trimer acid which is a hydrogenated product obtained by adding hydrogen to trimer acid.
  • Examples of dimer acid and trimer acid include dimer acid, which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, trimer acid, which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, dimer acid, which is a reaction product of acrylic acid, and acrylic acid.
  • Trimer acid is a reaction product of methacrylic acid
  • dimer acid is a reaction product of methacrylic acid
  • dimer acid is a reaction product of acrylic acid and methacrylic acid
  • reaction between acrylic acid and methacrylic acid Reaction of trimer acid, which is a reaction product of oleic acid
  • dimer acid which is a reaction product of oleic acid
  • dimer acid which is a reaction product of linoleic acid
  • trimer acid which is a reaction product of linoleic acid, and linolenic acid.
  • Dimer acid is a reaction product of linolenic acid
  • trimer acid is a reaction product of acrylic acid and oleic acid
  • trimer acid is a reaction product of acrylic acid and oleic acid
  • trimer acid is a reaction product of acrylic acid and oleic acid
  • Dimer acid is a reaction product of acrylic acid and linoleic acid
  • dimer acid is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid
  • trimer acid is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid
  • Dimer acid is a reaction product of methacrylic acid and oleic acid
  • trimer acid is a reaction product of methacrylic acid and oleic acid
  • dimer acid is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, and reaction between methacrylic acid and linoleic acid.
  • trimer acid which is a reaction product of methacrylic acid and linolenic acid
  • trimer acid which is a reaction product of methacrylic acid and linolenic acid
  • dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linolenic acid
  • oleic acid and oleic acid.
  • dimer acid is a reaction product of linoleic acid and linolenic acid
  • trimer acid is a reaction product of linoleic acid and linolenic acid
  • hydrogenated products of each dimer acid mentioned above Examples include certain hydrogenated dimer acids, hydrogenated trimer acids that are hydrogenated products of each of the above-mentioned trimer acids, and the like.
  • dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid
  • trimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid
  • trimer having 54 carbon atoms is a trimer having 54 carbon atoms.
  • examples of the carboxylic acid include a compound represented by the following general formula (a1).
  • R a1 , R a2 , R a3 and R a4 each independently represent a hydrocarbon group, a hydroxy group, a halogen atom or a hydrogen atom.
  • the hydrocarbon groups for R a1 , R a2 , R a3 and R a4 include a chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, and a chain hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms which may have a substituent.
  • the chain hydrocarbon group may be linear or branched.
  • the chain hydrocarbon group is a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group, and is preferably a saturated hydrocarbon group.
  • the alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group.
  • the monocyclic alicyclic hydrocarbon group a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable.
  • the polycyclic alicyclic hydrocarbon group a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane is preferable.
  • substituents that the hydrocarbon groups in R a1 , R a2 , R a3 and R a4 may have include an amino group, a hydroxy group, a carboxy group, an acyl group, an alkoxy group, a carbonyl group, a halogen atom, and the like.
  • the hydrocarbon group is preferably a chain hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a carboxy group which may have a substituent.
  • Examples of the chain hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and isopentyl group. , sec-pentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, etc.
  • the hydrocarbon group is preferably a carboxy group.
  • Examples of the compound represented by the above general formula (a1) include picolinic acid, dipicolinic acid, 3-hydroxypicolinic acid, and the like.
  • Picolinic acid is a compound in the above general formula (a1) in which R a1 , R a2 , R a3 and R a4 are hydrogen atoms.
  • 3-Hydroxypicolinic acid is a compound in the above general formula (a1) in which R a1 is a hydroxy group and R a2 , R a3 and R a4 are hydrogen atoms.
  • organic sulfonic acids include aliphatic sulfonic acids, aromatic sulfonic acids, and the like.
  • aliphatic sulfonic acids include alkanesulfonic acids and alkanolsulfonic acids.
  • alkanesulfonic acids include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 1-propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, 1-butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, hexanesulfonic acid, and decanesulfonic acid.
  • alkanesulfonic acids include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 1-propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, 1-butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, hexanesulfonic acid, and decanesulfonic acid.
  • examples include acids, dodecane sulfonic acid, and the like.
  • alkanolsulfonic acids examples include 2-hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypentane-1-sulfonic acid, and 1-hydroxypropane-1-sulfonic acid.
  • Examples include hydroxydodecane-1-sulfonic acid.
  • aromatic sulfonic acids examples include 1-naphthalenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, p-phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, sulfosalicylic acid, nitrobenzenesulfonic acid, and sulfobenzoic acid.
  • aromatic sulfonic acids include 1-naphthalenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, p-phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, sulfosalicylic acid, nitrobenzenesulfonic acid, and sulfobenzoic acid.
  • Examples include acid and diphenylamine-4-sulfonic acid.
  • organic acid may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • organic acid aliphatic carboxylic acids are preferred, and aliphatic dicarboxylic acids are more preferred.
  • organic acid aliphatic dicarboxylic acids are preferred, such as diglycolic acid, 2-methylnonanedioic acid, 4-(methoxycarbonyl)-2,4-dimethylundecanedioic acid, 4,6-bis(methoxycarbonyl)-2, Preferably, it contains one or more selected from the group consisting of 4,6-trimethyltridecanedioic acid and 8,9-bis(methoxycarbonyl)-8,9-dimethylhexadecanedioic acid, diglycolic acid, and 2-methylnonanedioic acid, 4-(methoxycarbonyl)-2,4-dimethylundecanedioic acid, 4,6-bis(methoxycarbonyl)-2,4,6-trimethyltridecanedioic acid, 8,9 -bis(methoxycarbonyl)-8,9-dimethylhexadecanedioic acid.
  • diglycolic acid 2-methylnon
  • amine examples include azoles, guanidines, amino alcohols, alkylamine compounds, amine polyoxyalkylene adducts, and the like.
  • azoles examples include 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 2-Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino -6-[2'-methylimidazolyl-
  • guanidines examples include 1,3-diphenylguanidine, 1,3-di-o-tolylguanidine, 1-o-tolylbiguanide, 1,3-di-o-cumenylguanidine, 1,3-di- Examples include o-cumenyl-2-propionylguanidine.
  • amino alcohols examples include N,N,N',N'-tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine, N,N,N',N'-tetrakis(2-hydroxyethyl)ethylenediamine, monoethanolamine, diethanolamine. , triethanolamine, 1-amino-2-propanol, bis(2-hydroxypropyl)amine, tris(2-hydroxypropyl)amine, and the like.
  • alkylamine compound examples include ethylamine, triethylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, cyclohexylamine, hexadecylamine, and stearylamine.
  • Examples of the amine polyoxyalkylene adduct include terminal diamine polyalkylene glycol, aliphatic amine polyoxyalkylene adduct, aromatic amine polyoxyalkylene adduct, and polyvalent amine polyoxyalkylene adduct.
  • Examples of the alkylene oxide added to the amine polyoxyalkylene adduct include ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide, and the like.
  • Terminal diamine polyalkylene glycol is a compound in which both ends of polyalkylene glycol are aminated.
  • Examples of the terminal diamine polyalkylene glycol include terminal diamine polyethylene glycol, terminal diamine polypropylene glycol, terminal diamine polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, and the like.
  • Examples of the terminal diamine polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer include polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer bis(2-aminopropyl) ether and polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer bis(2-aminoethyl) ether. It will be done.
  • Aliphatic amine polyoxyalkylene adducts, aromatic amine polyoxyalkylene adducts, and polyvalent amine polyoxyalkylene adducts are those in which a polyoxyalkylene group is bonded to the nitrogen atom of an amine.
  • the amines include ethylenediamine, 1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, laurylamine, stearylamine, oleylamine, tallow amine, hardened tallow amine, tallow propyldiamine, and meta-xylene.
  • Diamine Diamine, tolylene diamine, paraxylene diamine, phenylene diamine, isophorone diamine, 1,10-decane diamine, 1,12-dodecane diamine, 4,4-diaminodicyclohexylmethane, 4,4-diaminodiphenylmethane, butane-1,1 , 4,4-tetraamine, pyrimidine-2,4,5,6-tetraamine, and the like.
  • One type of amine may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the flux according to this embodiment preferably does not contain a resin component. By not containing a resin component, it becomes easier to reduce the amount of flux residue.
  • the resin component include rosin and resins other than rosin.
  • rosin refers to natural resins containing abietic acid as a main component, mixtures of abietic acid and its isomers, and chemically modified natural resins (sometimes referred to as rosin derivatives). includes.
  • rosin derivatives include purified rosin, modified rosin, and the like.
  • Modified rosins include hydrogenated rosin, polymerized rosin, polymerized hydrogenated rosin, disproportionated rosin, acid-modified rosin, rosin ester, acid-modified hydrogenated rosin, anhydrous acid-modified hydrogenated rosin, acid-modified disproportionated rosin, and anhydrous rosin.
  • Acid-modified disproportionated rosin, phenol-modified rosin and ⁇ , ⁇ -unsaturated carboxylic acid modified products (acrylated rosin, maleated rosin, fumarated rosin, etc.), and purified products, hydrides and disproportionated products of the polymerized rosin, and purified products, hydrides and disproportionated products of the ⁇ , ⁇ unsaturated carboxylic acid modified product, rosin alcohol, rosin amine, hydrogenated rosin alcohol, rosin ester, hydrogenated rosin ester, rosin soap, hydrogenated rosin soap, acid modification Examples include rosin soap.
  • resins other than rosin include terpene resin, modified terpene resin, terpene phenol resin, modified terpene phenol resin, styrene resin, modified styrene resin, xylene resin, modified xylene resin, acrylic resin, polyethylene resin, and acrylic-polyethylene copolymer.
  • resins and other thermosetting resins examples include resins and other thermosetting resins.
  • the modified terpene resin include aromatic modified terpene resin, hydrogenated terpene resin, hydrogenated aromatic modified terpene resin, and the like.
  • modified terpene phenol resin include hydrogenated terpene phenol resin.
  • modified styrene resin examples include styrene acrylic resin, styrene maleic acid resin, and the like.
  • modified xylene resins include phenol-modified xylene resins, alkylphenol-modified xylene resins, phenol-modified resol-type xylene resins, polyol-modified xylene resins, and polyoxyethylene-added xylene resins.
  • thermosetting resins include, for example, epoxy resins.
  • the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, glycidylamine type resin, alicyclic epoxy resin, aminopropane epoxy resin, biphenyl epoxy resin, and naphthalene epoxy resin. resin, anthracene type epoxy resin, triazine type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, triphenylmethane type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, novolak type epoxy resin and the like.
  • Specific polyamides having three or more amide bonds in the molecule tend to have higher thermal sag suppression ability than monoamides and bisamides.
  • the flux according to this embodiment can suppress heating sag even if it does not contain rosin.
  • Certain polyamides tend to have higher thermal sag suppression ability than monoamides and bisamides.
  • fluxes containing certain polyamides are generally prone to producing flux residue after reflow. Since a specific polyamide tends to increase the ability to suppress heating sag, the amount of addition required to obtain a predetermined ability to suppress heating sag can be reduced.
  • the first solvent tends to remain after preheating and before main heating, so it is easy to suppress drying of the thixotropic agent, activator, etc.
  • the first solvent is likely to volatilize during the main heating of reflow.
  • the flux according to the present embodiment contains a specific polyamide, by containing the first solvent, the flux residue originating from the thixotropic agent, activator, first solvent, etc. can be removed. It is possible to reduce the
  • solder paste The solder paste according to the second aspect contains solder alloy powder and the above-mentioned flux.
  • the solder alloy powder is solder powder of Sn alone, Sn-Ag type, Sn-Cu type, Sn-Ag-Cu type, Sn-Bi type, Sn-In type, etc., or an alloy of these with Sb. , Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P, etc. may be added to the solder alloy powder.
  • the solder alloy powder is a Sn-Pb-based solder alloy or a Sn-Pb-based solder alloy to which Sb, Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P, etc. are added. It may be composed of powder.
  • the solder alloy powder is a Pb-free solder.
  • As the solder alloy powder for example, one having a melting temperature of 150 to 250° C. can be used.
  • Flux content The content of flux in the solder paste is preferably 5 to 30% by mass, more preferably 5 to 15% by mass, based on the total mass of the solder paste.
  • solder paste according to the present embodiment described above can reduce flux residue and suppress heating sag.
  • the method for manufacturing a bonded body according to the third aspect includes the step of obtaining a bonded body by soldering a component and a board, and during the soldering, the solder paste according to the second aspect is applied. reflow in a reducing gas atmosphere.
  • the method for manufacturing a bonded body according to the present embodiment includes a solder paste application process, a component mounting process, and a reflow process in this order.
  • the solder paste according to the second aspect is applied to the surface of the substrate.
  • the substrate include a printed wiring board, a wafer, and the like.
  • Methods for applying the solder paste include, for example, printing and applying the solder paste using a mask with openings, discharging the solder paste using a dispenser, etc., and transferring the solder paste using a probe pin or the like. Examples include methods.
  • components are attached to the surface of the substrate coated with solder paste.
  • the components include chips, integrated circuits, transistors, diodes, resistors, capacitors, and the like.
  • the atmosphere of the reflow process is not particularly limited as long as the effects of the present invention are achieved, and may be, for example, a nitrogen gas atmosphere or a reducing gas atmosphere.
  • the reducing gas atmosphere may be formed by, for example, volatilizing a reducing compound in a reflow oven, or by using a reducing gas obtained by bubbling nitrogen through a liquid reducing compound. It may also be formed by supplying it to a reflow oven. Formic acid is preferred as the reducing compound.
  • the atmosphere of the reflow process is a reducing gas atmosphere
  • the solder paste used may have a reduced amount of activator or may not contain an activator. Thereby, it is possible to further reduce flux residue.
  • the board after the components are attached is heated in a reflow oven at a temperature higher than the melting point of the solder powder contained in the solder paste (i.e., peak temperature) (this is referred to as the main heating process).
  • the heating temperature may be, for example, 5 to 30° C. higher than the melting point of the solder powder.
  • the heating time may be, for example, 10 seconds to 2 minutes.
  • the reflow process may include a preheating process before the main heating process.
  • the board after the components are attached is heated in a reflow oven at a temperature lower than the melting point of the solder powder contained in the solder paste.
  • the heating temperature may be, for example, 150 to 180°C.
  • the heating time may be, for example, 30 seconds to 2 minutes.
  • the interior of the reflow oven may be the above-mentioned nitrogen gas atmosphere or may be a reducing gas atmosphere.
  • flux residue can be reduced and heating sag can be suppressed, so that the bonding strength of the resulting bonded body can be increased.
  • Second solvent First solvent: Isobornylcyclohexanol: Boiling point 318°C, 30°C viscosity 10 Pa ⁇ s or more Trimethylolpropane: Melting point 60°C, boiling point 295°C
  • Second solvent Diethylene glycol monohexyl ether (relative dielectric constant 6.58, boiling point 259°C)
  • R 1 is an ethylene group
  • R 2 is a linear hexyl group
  • m is 2 in diethylene glycol monohexyl ether.
  • Thixotropic agent polyamide: The polyamide used was obtained by the following method. 12-hydroxystearic acid and dodecanedioic acid were added and heated to about 100°C, and then hexamethylene diamine was added and heated to about 220°C and held for 3 hours to obtain the polyamide of Preparation Example 1.
  • the dodecanedioic acid used as raw materials is X mole
  • 12-hydroxystearic acid is Y mole
  • hexamethylene diamine is Z mole.
  • thixotropic agents Stearic acid amide, N,N'-methylenebis(stearoamide), hydrogenated castor oil
  • Activator Organic acid mixture (2-methylnonanedioic acid, 4-(methoxycarbonyl)-2,4-dimethylundecanedioic acid, 4,6-bis(methoxycarbonyl)-2,4,6-trimethyltridecanedioic acid and , 8,9-bis(methoxycarbonyl)-8,9-dimethylhexadecanedioic acid) diglycolic acid
  • the value of the boiling point of the compound used in the examples is the value obtained by measuring the temperature of the liquid when the saturated vapor pressure of the liquid becomes equal to 1 atmosphere (ie, 1013 hPa).
  • Relative permittivity The dielectric constant of the solvent was measured in accordance with JISC 2565 (1992), with the measurement frequency set to 1 GHz.
  • the endothermic peak temperature of the polyamide of Preparation Example 1 was measured by DSC (Differential Scanning Calorimetry). A more specific method for measuring the endothermic peak is to measure by heating about 7 mg of the polyamide of Preparation Example 1 from 30°C to 220°C under a nitrogen atmosphere at a heating rate of 20°C/min. did. As a measuring instrument, DSC7020 (manufactured by Hitachi High-Tech Science) was used. The temperature at the top of the peak was defined as the temperature at the endothermic peak. The measurement results are shown in Figure 1. The obtained polyamide had a peak top temperature of all endothermic peaks of 120°C or more and 200°C or less.
  • Ratio of endothermic amount of polyamide Regarding the polyamide of Preparation Example 1, the ratio of endothermic amount at a certain specific temperature was calculated as follows. The endothermic amount of polyamide was calculated from the peak area of the DSC curve of polyamide.
  • ratio of endothermic amount at a certain specific temperature means the endothermic amount in the range of 50° C. or higher and below the specific temperature with respect to the total endothermic amount in the range of 50° C. or higher and 200° C. or lower. The results are shown in Figure 2.
  • Solder pastes were prepared by mixing the fluxes of Examples 1 to 22 and Comparative Examples 1 to 4 and the following solder alloy powder (1).
  • the prepared solder pastes each contained 10% by mass of flux and 90% by mass of solder alloy powder.
  • a solder paste was prepared by mixing the flux of Example 23 and the following solder alloy powder (2).
  • the prepared solder paste contained 12.5% by mass of flux and 87.5% by mass of solder alloy powder.
  • Solder alloy powder (1) is a powder made of a solder alloy containing 3% by mass of Ag, 0.5% by mass of Cu, and the balance Sn.
  • the solidus temperature of this solder alloy is 217°C and the liquidus temperature is 219°C.
  • the size of the solder alloy powder (1) is a size (particle size distribution) that satisfies symbol 4 in the powder size classification (Table 2) in JIS Z 3284-1:2014.
  • Size that satisfies symbol 4 (particle size distribution):
  • the ratio of the major axis to the minor axis of the powder is 1.2 or less.
  • the length of the minor axis of the powder is 40 ⁇ m or less.
  • the content of powder having a short axis length of more than 38 ⁇ m is 1% by mass or less based on the total amount of powder (100% by mass).
  • the content of powder having a short axis length of 20 ⁇ m or more and 38 ⁇ m or less is 80% by mass or more based on the total amount of powder (100% by mass).
  • the content of powder having a short axis length of less than 20 ⁇ m is 10% by mass or less based on the total amount of powder (100% by mass).
  • the solder alloy powder (2) is a powder made of a solder alloy containing 5% by mass of Sb and the balance being Sn.
  • the solidus temperature of this solder alloy is 240°C and the liquidus temperature is 243°C.
  • the size of the solder alloy powder (2) is the same as the size of the solder alloy powder (1).
  • Judgment criteria A: The residual rate is less than 10%.
  • Judgment criteria A: No solder balls with a diameter of 0.1 mm or more were generated around the chip capacitor.
  • B Solder balls with a diameter of 0.1 mm or more were generated around the chip capacitor. A flux whose evaluation result was A was considered to be passed, and a flux whose evaluation result was B was considered to be rejected.
  • the probe was lowered into the paste at a speed of 2.0 mm/s and pressurized with a constant pressure of 0.05 ⁇ 0.005N. Then, within 0.2 seconds after pressurization, the probe was pulled up at a speed of 10 mm/s. For the four printed patterns, the force when peeling off the probe was measured, and the maximum force was taken as the adhesive force. In the table, the unit of adhesive force is [N].
  • Judgment criteria A: There were no capacitors that were misaligned or fell off the board.
  • the fluxes of Examples 1 to 23 containing the first solvent had an evaluation result of A for the amount of flux residue.
  • the fluxes of Examples 1 to 23 containing polyamide had an evaluation result of less than 0.5 mm for ability to suppress heating droop, and an evaluation result of A for ability to suppress solder ball generation.
  • the fluxes of Comparative Examples 1, 3 and 4 that did not contain polyamide had an evaluation result of 0.6 mm or more for the ability to suppress heating droop, and an evaluation result of B for the ability to suppress solder ball generation.
  • Example 18 in which the polyamide/second solvent mass ratio was less than 0.15, had an evaluation result of heating sag suppression ability of 0.4 mm.
  • the flux of Example 19 containing isobornylhexanol had an evaluation result of heating sag suppression ability of 0.3 mm.
  • the flux of Example 22 containing trimethylolpropane had an evaluation result of heating sag suppression ability of 0.4 mm. That is, it was confirmed that the flux containing isobornylhexanol as the first solvent more easily increases the ability to suppress heating sag.
  • the fluxes of Examples 1, 9 to 11, 14 to 23, and Comparative Examples 1 to 4 containing the second solvent had a tacking evaluation result of 0.3N or more and a component mountability evaluation result of A. Met.
  • the fluxes of Examples 14 to 18, 21 and 23, which were blended with the first solvent and the second solvent, had a tacking evaluation result of 0.6N. That is, it was confirmed that when the mass ratio expressed by the second solvent/first solvent was 0.1 to 1.0, it was easier to improve the tacking evaluation results.
  • the present invention it is possible to provide a flux and a solder paste that can reduce flux residue and suppress heating sag.
  • This flux is suitably used for soldering, which does not require a step of cleaning flux residue.

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Abstract

本発明のフラックスは、第１の溶剤と、チキソ剤とを含有する。前記第１の溶剤は、３０℃での粘度が１０Ｐａ・ｓ以上であるか、又は、３０℃で固体であり、沸点が２００℃以上であり、２３０℃まで加熱した際の重量減少率が９６質量％未満である。前記チキソ剤は、脂肪族カルボン酸とアミンとの縮合物、及び、脂肪族カルボン酸とヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸とアミンとの縮合物からなる群より選択される一種以上であるポリアミドを含む。前記第１の溶剤の含有量は、フラックスの総質量に対して、３０質量％以上である。前記ポリアミドの含有量は、フラックスの総質量に対して、２質量％超である。

Description

フラックス、ソルダペースト及び接合体の製造方法
　本発明は、フラックス、ソルダペースト及び接合体の製造方法に関する。
　本願は、２０２２年７月２５日に、日本に出願された特願２０２２－１１８１９７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　基板に対する部品の固定、及び、基板に対する部品の電気的な接続は、一般に、はんだ付けにより行われる。はんだ付けにおいては、フラックス、はんだ粉末、並びに、フラックス及びはんだ粉末を混合したソルダペーストが用いられる。
　フラックスは、はんだ付けの対象となる接合対象物の金属表面及びはんだに存在する金属酸化物を化学的に除去し、両者の境界で金属元素の移動を可能にする効能を持つ。このため、フラックスを使用してはんだ付けを行うことで、両者の間に金属間化合物が形成されるようになり、強固な接合が得られる。
　ソルダペーストを使用したはんだ付けでは、まず、基板にソルダペーストが印刷された後、部品が搭載され、リフロー炉と称される加熱炉で、部品が搭載された基板が加熱される。これにより、ソルダペーストに含まれるはんだ粉末は溶融し、部品が基板に対してはんだ付けされる。
　リフローはんだ付けに用いられるフラックスには、一般に、樹脂成分、溶剤、活性剤、チキソ剤等が含まれる。フラックスの粘度、チキソ比等のレオロジー特性を適切なものとするために、フラックスには樹脂成分としてロジンが添加されている。ロジンは、リフロー後に、フラックス残渣として残存してしまう。
　これに対し、特許文献１には、ロジンを含有しないことによって、フラックス残渣が低減されたソルダペーストが提案されている。
特開２００６－２８９４９７号公報
　しかしながら、特許文献１に記載されたフラックスを用いたソルダペーストでは、加熱だれを抑制することが難しい。
　そこで、本発明は、フラックス残渣を低減できるとともに、加熱だれを抑制することができるフラックス、ソルダペースト及び接合体の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、以下の態様を含む。
［１］第１の溶剤と、チキソ剤とを含有し、前記第１の溶剤は、３０℃での粘度が１０Ｐａ・ｓ以上であるか、又は、３０℃で固体であり、前記第１の溶剤は、沸点が２００℃以上であり、前記第１の溶剤は、２３０℃まで加熱した際の重量減少率が９６質量％未満であり、前記チキソ剤は、脂肪族カルボン酸とアミンとの縮合物、及び、脂肪族カルボン酸とヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸とアミンとの縮合物からなる群より選択される一種以上であるポリアミドを含み、前記第１の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、３０質量％以上であり、前記ポリアミドの含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、２質量％超である、フラックス。
［２］さらに、第２の溶剤（ただし、第１の溶剤に該当する溶剤を除く）を含有し、前記第２の溶剤は、沸点が２５０℃以上であり、かつ、比誘電率が６．０以上である、［１］に記載のフラックス。
［３］前記第２の溶剤は、下記一般式（１）で表される化合物である、［２］に記載のフラックス。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
［式中、Ｒ１は、炭素数２～４の炭化水素基を表す。Ｒ２は、炭素数４～１０の炭化水素基を表す。ｍは、１～３である。］
［４］前記第１の溶剤と、前記第２の溶剤との質量比は、第２の溶剤／第１の溶剤で表される質量比として、０．１～１．０である、［２］または［３］に記載のフラックス。
［５］前記ポリアミドと、前記第２の溶剤との質量比は、ポリアミド／第２の溶剤で表される質量比として、０．１５～０．４である、［２］～［４］のいずれか一項に記載のフラックス。
［６］前記脂肪族カルボン酸は、ジカルボン酸を含む、［１］～［５］のいずれか一項に記載のフラックス。
［７］はんだ合金粉末と、［１］～［６］のいずれか一項に記載のフラックスと、を含有する、ソルダペースト。
［８］部品と、基板とを、はんだ付けすることにより、接合体を得る工程を含み、前記はんだ付けの際、［７］に記載のソルダペーストを用いて、還元性ガス雰囲気でリフローを行う、接合体の製造方法。
　本発明によれば、フラックス残渣を低減できるとともに、加熱だれを抑制することができるフラックス、ソルダペースト及び接合体の製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係るフラックスに含まれるポリアミドのＤＳＣ曲線を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係るフラックスに含まれるポリアミドの吸熱量の割合と温度との関係を示すグラフである。 加熱だれ抑制能の評価における、Ｉのパターン孔を模式的に示す図である。
（フラックス）
　本実施形態にかかるフラックスは、第１の溶剤と、特定のポリアミドを含むチキソ剤とを含有する。本実施形態にかかるフラックスは、リフローはんだ付けに好適に用いられる。
　本実施形態にかかるフラックスは、第１の溶剤及び特定のポリアミドを含有することにより、フラックス残渣を低減しつつ、フラックスに所定のレオロジー特性を付与しやすくなる。
　リフローはんだ付けは、例えば、次に挙げる工程を含む。部品が搭載された基板は、まず、１５０～１８０℃で１～２分間、加熱される（これをプレヒートという）。次いで、はんだ合金の液相線温度から液相線温度よりも約２０℃高い温度までの温度（これをピーク温度という）で、約１分間、加熱される（これを本加熱という）。
　本実施形態にかかるフラックスは、プレヒートにおいて揮発しにくいため、プレヒートの後、かつ、本加熱の前において、第１の溶剤が残存しやすい。そのため、チキソ剤、活性剤等が乾固してフラックス残渣となることを抑制しやすくなる。本実施形態にかかるフラックスは、プレヒートにおいて揮発しにくいため、活性剤等の揮発が抑制されやすくなる。その結果、活性剤等の作用を維持しやすくなる。言い換えれば、フラックスの耐熱性を高めやすくなる。
　さらに、本実施形態にかかるフラックスは、リフローの本加熱において、ピーク温度近傍の温度で第１の溶剤が揮発しやすい。これにより、リフロー後に残存する溶剤の量が低減されるため、フラックス残渣を低減しやすくなる。
　また、本実施形態にかかるフラックスは、特定のポリアミドを含有することにより、加熱だれを抑制しやすくなる。特定のポリアミドは、加熱だれ抑制能を高めやすいため、所定の加熱だれ抑制能を得るために必要な添加量を低減できる。その結果、フラックス残渣を低減することが可能となる。
＜溶剤＞
　≪第１の溶剤≫
　第１の溶剤は、３０℃での粘度が１０Ｐａ・ｓ以上であるか、又は、３０℃で固体である。第１の溶剤は、沸点が２００℃以上である。第１の溶剤は、２３０℃まで加熱した際の重量減少率が９６質量％未満である。第１の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、３０質量％以上である。
　第１の溶剤は、３０℃での粘度が１０Ｐａ・ｓ以上であるか、又は、３０℃で固体である。第１の溶剤は、３０℃での粘度が、１０Ｐａ・ｓ以上５０００Ｐａ・ｓ以下であってもよいし、１０Ｐａ・ｓ以上２０００Ｐａ・ｓ以下であってもよいし、１０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であってもよい。
　これにより、本実施形態にかかるフラックスは、前記フラックスがロジンを含有しない場合であっても、前記フラックスのレオロジー特性を所定のものにしやすくなる。
　前記粘度は、ブルックフィールド型粘度計にて測定される。
　本明細書において、「３０℃で固体である」とは、３０℃を超える融点を有することを意味する。
　ここで、融点とは、固体が融解し液体になる時の温度を意味する。本明細書における化合物の融点の値は、主に、「化学便覧　基礎編　改訂５版」に記載の値である。
　第１の溶剤の沸点は、２００℃以上であり、２５０℃以上であることが好ましく、２８０℃以上であることがより好ましく、３００℃以上であることがよりさらに好ましい。
　第１の溶剤の沸点が前記下限値以上であることにより、プレヒートの後、かつ、本加熱の前において、第１の溶剤が残存しやすい。そのため、チキソ剤、活性剤等の作用を維持しやすくなる。その結果、プレヒートの後、かつ、本加熱の前において、フラックスの耐熱性を高めやすくなるとともに、チキソ剤、活性剤等が固化してフラックス残渣となることを抑制しやすくなる。
　第１の溶剤の沸点は、４５０℃以下であることが好ましく、４１０℃以下であることがより好ましく、３７０℃以下であることが更に好ましく、３３０℃以下であることが特に好ましい。
　第１の溶剤の沸点が前記上限値以下であることにより、本加熱において、フラックスが揮発しやすくなる。これにより、本加熱後において、フラックス残渣を低減しやすくなる。
　第１の溶剤の沸点は、２００℃以上４５０℃以下であることが好ましく、２５０℃以上４１０℃以下であることがより好ましく、２８０℃以上３７０℃以下であることがさらに好ましく、３００℃以上３７０℃以下であることがより更に好ましい。
　本明細書において、沸点とは、対象の液体の飽和蒸気圧が１気圧（すなわち、１０１３ｈＰａ）と等しくなるときの、その液体の温度を意味する。
　第１の溶剤は、２３０℃まで加熱した際の重量減少率が９６質量％未満であり、９３質量％未満であることが好ましく、９０質量％未満であることがより好ましく、８７質量％未満であることが更に好ましく、８４質量％未満であることが特に好ましい。
　重量減少率が前記範囲内であることにより、プレヒートの後、かつ、本加熱の前において、第１の溶剤が残存しやすい。そのため、活性剤等の作用を維持しやすくなる。その結果、プレヒートの後、かつ、本加熱の前において、フラックスの耐熱性を高めやすくなるとともに、チキソ剤、活性剤等が固化してフラックス残渣となることを抑制しやすくなる。
　第１の溶剤の２３０℃まで加熱した際の重量減少率の下限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、例えば、５０質量％であってもよい。
　第１の溶剤は、２３０℃まで加熱した際の重量減少率が、５０質量％以上９６質量％未満であり、６０質量％以上９３質量％未満であることが好ましく、６５質量％以上９０質量％未満であることがより好ましく、７０質量％以上８７質量％未満であることが更に好ましく、７５質量％以上８４質量％未満であることが特に好ましい。あるいは、第１の溶剤は、２３０℃まで加熱した際の重量減少率が、８１質量％以上９４質量％以下であることが好ましい。
　本発明において、「特定温度まで加熱した際の重量減少率」とは、例えば、次のように測定されるものである。
　示差熱－熱重量同時測定装置（株式会社日立ハイテクサイエンス製、ＳＴＡ７２００）を用いて、測定対象試料１０ｍｇをアルミパンに入れ、加熱を開始して特定温度まで１０℃／ｍｉｎで昇温する。そして、加熱前の対象試料の質量Ｗ０と、対象試料が特定温度に達した時の、対象試料の質量Ｗ１とから、重量減少率を以下の計算式から算出する。
　重量減少率（質量％）＝１００×（Ｗ０－Ｗ１）／Ｗ０
　さらに、第１の溶剤は、２５０℃まで加熱した際の重量減少率が、９５質量％以上であることが好ましく、９７質量％以上であることがより好ましく、９８質量％以上であることが更に好ましく、９９質量％以上であることが特に好ましい。
　第１の溶剤の２５０℃まで加熱した際の重量減少率が前記範囲内であることにより、リフローにおいて、フラックスが揮発しやすくなる。これにより、リフロー後において、フラックス残渣をより一層低減しやすくなる。
　第１の溶剤の２５０℃まで加熱した際の重量減少率の上限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、測定上１００質量％であってもよい。
　第１の溶剤の２５０℃まで加熱した際の重量減少率の上限値は、９５質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９７質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、９８質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましく、９９質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましい。
　第１の溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　第１の溶剤としては、例えば、イソボルニルシクロヘキサノール、トリメチロールプロパン等が挙げられ、イソボルニルシクロヘキサノールが好ましい。
　第１の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、３０質量％以上であり、４０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましく、７０質量％以上が特に好ましい。
　第１の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、９５質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることが更に好ましく、８０質量％以下であることが特に好ましい。
　第１の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、３０質量％以上９８質量％以下であり、４０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、６０質量％以上８５質量％以下であることが更に好ましく、７０質量％以上８０質量％以下であることが特に好ましい。また、第１の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、３０質量％以上８６質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上８６質量％以下がより好ましい。
　≪その他溶剤≫
　本実施形態にかかるフラックスは、第１の溶剤以外に、その他溶剤を含有してもよい。
　その他溶剤としては、例えば、グリコールエーテル系溶剤、アルコール系溶剤、テルピネオール類、エステル系溶剤が挙げられる。
　その他溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　その他溶剤としては、例えば、以下ものが挙げられる。かっこ内は、その溶剤の沸点を意味する。
　グリコールエーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノフェニルエーテル（２３７℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（２３０．６℃）、プロピレングリコールモノフェニルエーテル（２４２℃）、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（２４３℃）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（２５９℃）、ジエチレングリコールモノ２－エチルヘキシルエーテル（２７５℃）、ジエチレングリコールジブチルエーテル（２５６℃）、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（２７８℃）、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル（２６１℃）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（２７５℃）、トリ（プロピレングリコール）ｎ－ブチルエーテルが挙げられる。
　アルコール系溶剤としては、例えば、１，２－ブタンジオール（１９２℃）、２－メチル－２，４－ペンタンジオール（１９７℃）、２，３－ジメチル－２，３－ブタンジオール（１７４℃）、１－エチニル－１－シクロヘキサノール（１８０℃）、２，４－ジエチル－１，５－ペンタンジオール（３３８℃）、１，２，６－トリヒドロキシヘキサン、が挙げられる。
　テルピネオール類としては、例えば、α－テルピネオール（２１８℃）、β－テルピネオール（２１０℃）、γ－テルピネオール（２１８℃）、テルピネオール混合物（すなわち、その主成分がα－テルピネオールであり、β－テルピネオール又はγ－テルピネオールを含有する混合物）が挙げられる。
　エステル系溶剤としては、例えば、ビス（２－エチルヘキシル）セバケートが挙げられる。
（第２の溶剤）
　本実施形態にかかるフラックスは、第１の溶剤以外に、第２の溶剤を含有してもよい。
　第２の溶剤は、沸点が２５０℃以上であり、かつ、比誘電率が６．０以上である。
　第２の溶剤の沸点は、２５０℃以上３５０℃以下であることが好ましく、２５０℃以上３００℃以下が好ましい。
　第２の溶剤の比誘電率は、６．０以上５０以下が好ましく、６．０以上３０以下がより好ましく、６．０以上２０以下が更に好ましく、６．０以上１５以下がより更に好ましく、６．０以上９．０以下が特に好ましい。
　ここで、比誘電率は、ＪＩＳＣ　２５６５（１９９２）に準拠し、測定周波数を１ＧＨｚに設定して、測定される。具体的には、透過形円形ＴＭ０１０姿態共振器を使用し、試料を共振器の中心に共振器の軸と一致するように取り付け、試料の軸方向に外部磁界加え、磁界を変化させても測定値の変化が観測できなくなるまで外部磁界を印加して共振周波数ｆ１を測定する。試料を共振器に取り付けないことを除き、同様の手順で、周波数ｆ０を測定する。さらに、電磁界解析ソフトウエアSIMULIA CST Studio Suite（Dassault Systemes Simulia Corporation）を用いてパラメータＣを算出し、下記式に従い、比誘電率εｒを算出する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
　本実施形態にかかるフラックスは、第１の溶剤と第２の溶剤とを併用することにより、基板に印刷されたソルダペーストが、保管時に揮発しにくくなる。その結果、前記フラックスを含有するソルダペーストのタッキングの低下を抑制しやすくなるとともに、前記フラックスを含有するソルダペーストを印刷した基板に対する、部品のマウント性を高めやすくなる。
　第２の溶剤としては、下記一般式（１）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　式（１）中、Ｒ１は、炭素数２～４の炭化水素基を表す。Ｒ２は、炭素数４～１０の炭化水素基を表す。ｍは、１～３である。
　Ｒ１における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよい。前記脂肪族炭化水素基は、飽和でも不飽和でもよく、通常は飽和であることが好ましい。
　前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられ、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい
　前記直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が２～３であることが好ましく、炭素数が２であることがより好ましい。
　Ｒ１における直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ２－］、エチレン基［－（ＣＨ２）２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ２）３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ２）４－］等が挙げられ、エチレン基［－（ＣＨ２）２－］が好ましい。
　Ｒ１における分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ２－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ３）等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等のアルキルトリメチレン基等が挙げられ、－ＣＨ２－ＣＨ（ＣＨ３）－が好ましい。
　Ｒ２における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよい。前記脂肪族炭化水素基は、飽和でも不飽和でもよく、通常は飽和であることが好ましい。
　前記脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
　Ｒ２における炭化水素基は、炭素数が４～８であることが好ましく、５～７がより好ましく、６が最も好ましい。
　一般式（１）で表される化合物としては、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルが好ましい。
　ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルは、一般式（１）において、Ｒ１がエチレン基であり、Ｒ２が直鎖状のヘキシル基であり、ｍが２である。
　第２の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、６０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることが更に好ましく、３０質量％以下であることが特に好ましく、２５質量％以下であることが最も好ましい。
　第２の溶剤の含有量が前記上限値以下であることにより、加熱だれ抑制能を高めやすくなるとともに、はんだボール発生抑制能を高めやすくなる。
　第２の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。
　第２の溶剤の含有量が前記下限値以上であることにより、前記フラックスを含有するソルダペーストのタッキングを高めやすくなるとともに、前記フラックスを含有するソルダペーストを印刷した基板に対する、部品のマウント性を高めやすくなる。
　第２の溶剤の含有量は、フラックスの総質量（１００質量％）に対して、５質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上５０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以上４６質量％以下であることが更に好ましく、１０質量％以上４０質量％以下であることがより更に好ましく、１０質量％以上３０質量％以下であることが特に好ましく、１０質量％以上２５質量％以下であることが最も好ましい。
　前記フラックスにおいて、第１の溶剤と、第２の溶剤との質量比は、第２の溶剤／第１の溶剤で表される質量比、すなわち、第１の溶剤の総質量に対する、第２の溶剤の総質量の割合として、０．１～１．０であることが好ましい。
　第２の溶剤／第１の溶剤で表される質量比が上記範囲内であることにより、フラックスのタッキングを高めやすくなるとともに、前記フラックスを含有するソルダペーストを印刷した基板に対する、部品のマウント性を高めやすくなる。
　本実施形態にかかるフラックスにおける全溶媒中、第１の溶剤と第２の溶剤の総含有量は、全溶媒の総質量（１００質量％）に対して、６５質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、７５質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以上１００質量％以下であることが更に好ましく、１００質量％であることがより更に好ましい。
　フラックスにおける全溶媒中、第１の溶剤と第２の溶剤の総含有量が上記範囲内であることにより、フラックスのタッキングを高めやすくなるとともに、前記フラックスを含有するソルダペーストを印刷した基板に対する、部品のマウント性を高めやすくなる。
＜チキソ剤＞
　本実施形態にかかるフラックスは、特定のポリアミドを含有するチキソ剤を含む。
　≪ポリアミド≫
　本明細書において、特定のポリアミドは、分子内に３個以上のアミド結合を有するアミドを意味する。
　特定のポリアミドの含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、２質量％超である。
　特定のポリアミドは、「脂肪族カルボン酸と、アミンとの縮合物」、及び、「ヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸と、脂肪族カルボン酸と、アミンとの縮合物」からなる群より選択される一種以上であり、「ヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸と、脂肪族カルボン酸と、アミンとの縮合物」であることが好ましい。
　特定のポリアミドが由来する前記脂肪族カルボン酸は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　前記脂肪族カルボン酸としては、例えば、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸等が挙げられる。前記脂肪族カルボン酸は、モノカルボン酸又はジカルボン酸であることが好ましく、ジカルボン酸であることがより好ましい。
　前記脂肪族カルボン酸の炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。前記炭化水素基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、直鎖状であることがより好ましい。
　前記炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。前記炭化水素基は、飽和炭化水素基であることが好ましい。
　前記脂肪族モノカルボン酸の炭素数としては、１２～２２が好ましく、１４～２２がより好ましく、１６～２２が更に好ましい。
　前記脂肪族モノカルボン酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、ベヘン酸等が挙げられる。前記脂肪族モノカルボン酸は、パルミチン酸又はステアリン酸であることが好ましい。
　前記脂肪族ジカルボン酸の炭素数としては、２～２０が好ましく、６～１６がより好ましく、８～１４が更に好ましい。
　前記脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸等が挙げられる。前記脂肪族ジカルボン酸は、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸又はドデカン二酸であることが好ましく、セバシン酸又はドデカン二酸であることが更に好ましく、ドデカン二酸であることがより更に好ましい。
　前記脂肪族カルボン酸は、脂肪族ジカルボン酸を含むことが好ましい。前記脂肪族カルボン酸は、セバシン酸及びドデカン二酸からなる群より選択される１種以上と、パルミチン酸及びステアリン酸からなる群より選択される１種以上と、を含むものであってもよい。
　特定のポリアミドが由来する前記ヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　前記ヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸の炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。前記炭化水素基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、直鎖状であることがより好ましい。
　前記炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。前記炭化水素基は、飽和炭化水素基であることが好ましい。
　前記ヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸の炭素数としては、１０～２５が好ましく、１５～２１がより好ましい。
　前記ヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸としては、例えば、ヒドロキシペンタデカン酸、ヒドロキシヘキサデカン酸、ヒドロキシヘプタデカン酸、ヒドロキシオクタデカン酸（ヒドロキシステアリン酸）、ヒドロキシエイコサン酸、ヒドロキシヘンエイコサン酸等が挙げられる。前記ヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸は、ヒドロキシステアリン酸であることが好ましく、１２－ヒドロキシステアリン酸であることがより好ましい。
　特定のポリアミドが由来するアミンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　前記アミンとしては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミンが挙げられる。前記アミンは、脂肪族アミンであることが好ましい。
　前記アミンとしては、例えば、モノアミン、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等が挙げられる。前記アミンは、ジアミンであることが好ましい。
　前記脂肪族アミンの炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。前記炭化水素基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、直鎖状であることがより好ましい。前記脂肪族アミンの炭素数としては、３～１０が好ましく、４～８がより好ましい。
　前記炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。前記炭化水素基は、飽和炭化水素基であることが好ましい。
　前記アミンとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３－プロパンジアミン、１，４－ブタンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、メタキシレンジアミン、トリレンジアミン、パラキシレンジアミン、フェニレンジアミン、イソホロンジアミン、１，１０－デカンジアミン、１，１２－ドデカンジアミン、４，４’－ジアミノジシクロヘキシルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、ブタン－１，１，４，４－テトラアミン、ピリミジン－２，４，５，６－テトラアミン等が挙げられる。前記アミンは、ヘキサメチレンジアミンであることが好ましい。
　特定のポリアミドの吸熱ピークの温度は、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ、示差走査熱量測定）により測定することができる。
　具体的な吸熱ピークの測定方法としては、窒素雰囲気下、約１０ｍｇのポリアミドを、昇温速度を２０℃／ｍｉｎに設定し、２５℃から３５０℃まで昇温することにより測定する方法とする。測定機器としては、ＤＳＣ７０２０（日立ハイテクサイエンス製）を用いることができる。本明細書において、吸熱ピークの温度は、ピークトップの温度を意味する。
　本実施形態のフラックスに用いられる特定のポリアミドは、１２０℃以上２００℃以下の温度範囲において、１個又は２個以上の吸熱ピークを有する。
　吸熱ピークの個数が１個の場合、その吸熱ピークの温度は、１５０℃以上２００℃以下であることが好ましく、１６０℃以上２００℃以下であることがより好ましく、１７０℃以上２００℃以下であることが更に好ましく、１８０℃以上２００℃以下であることが特に好ましい。
　吸熱ピークの個数が２個以上の場合、特定のポリアミドは、例えば、最も低い温度の吸熱ピークが１２０℃以上２００℃以下の範囲にあってもよいし、最も高い温度の吸熱ピークが１２０℃以上２００℃以下の範囲にあってもよいし、全ての吸熱ピークが１２０℃以上２００℃以下の範囲にあってもよい。
　最も高い温度の吸熱ピークの温度は、１５０℃以上２００℃以下であることが好ましく、１６０℃以上２００℃以下であることがより好ましく、１７０℃以上２００℃以下であることが更に好ましく、１８０℃以上２００℃以下であることが特に好ましい。
　特定のポリアミドのＤＳＣによる測定で、１６０℃以上２００℃以下の範囲における吸熱量の割合は、５０℃以上２００℃以下の範囲における総吸熱量に対して、３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましく、４５％以上であることが更に好ましい。
　特定のポリアミドのＤＳＣによる測定で、１６０℃以上２００℃以下の範囲における吸熱量の割合が、前記下限値以上であることにより、リフローの際の加熱だれを十分に抑制することができる。特に、予備加熱の温度が高められた場合でも、例えば、１９０℃以上、更に２００℃以上の場合であっても、加熱だれを抑制することができる。
　本明細書において、特定のポリアミドの吸熱量は、特定のポリアミドのＤＳＣ曲線のピーク面積から算出することができる。
　特定のポリアミドのＤＳＣによる測定で、５０℃以上１５０℃以下の範囲における吸熱量の割合は、５０℃以上２００℃以下の範囲における総吸熱量に対して、８０％以下であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましく、５０％以下であることが更に好ましい。
　前記吸熱量の割合の下限値は、発明の効果が奏される限り特に限定されないが、例えば、１０％以上であってもよいし、２０％以上であってもよいし、３０％以上であってもよい。
　前記吸熱量の割合は、１０％以上８０％以下であることが好ましく、１０％以上６０％以下であることがより好ましく、１０％以上５０％以下であることが更に好ましい。あるいは、前記吸熱量の割合は、２０％以上８０％以下であることが好ましく、２０％以上６０％以下であることがより好ましく、３０％以上５０％以下であることが更に好ましい。
　特定のポリアミドのＤＳＣによる測定で、５０℃以上１８０℃以下の範囲における吸熱量の割合は、５０℃以上２００℃以下の範囲における総吸熱量に対して、９５％以下であることが好ましく、９０％以下であることがより好ましく、８５％以下であることが更に好ましい。
　前記吸熱量の割合の下限値は、発明の効果が奏される限り特に限定されないが、例えば、４０％以上であってもよいし、５０％以上であってもよいし、６０％以上であってもよい。
　前記吸熱量の割合は、４０％以上９５％以下であることが好ましく、４０％以上９０％以下であることがより好ましく、４０％以上８５％以下であることが更に好ましい。あるいは、前記吸熱量の割合は、５０％以上９５％以下であることが好ましく、５０％以上９０％以下であることがより好ましく、６０％以上８５％以下であることが更に好ましい。
　本実施形態のフラックスに含まれる特定のポリアミドは、加熱だれ抑制能がより高められる観点から、脂肪族カルボン酸と、ヒドロキシ基含有脂肪族モノカルボン酸と、アミンとの縮合物であることが好ましい。
　本実施形態のフラックスに含まれる特定のポリアミドは、脂肪族ジカルボン酸と、ヒドロキシ基含有脂肪族モノカルボン酸と、ジアミンとの縮合物であることがより好ましい。
　本実施形態のフラックスに含まれる特定のポリアミドは、炭素数が８～１４である脂肪族ジカルボン酸と、炭素数が１５～２１であるヒドロキシ基含有脂肪族モノカルボン酸と、炭素数が４～８である脂肪族ジアミンとの縮合物であることが更に好ましい。
　これらの中でも、特定のポリアミドは、セバシン酸及びドデカン二酸からなる群より選択される１種以上と、１２－ヒドロキシステアリン酸と、ヘキサメチレンジアミンとの縮合物であることが特に好ましい。
　特定のポリアミドは、セバシン酸及びドデカン二酸からなる群より選択される１種以上と、パルミチン酸及びステアリン酸からなる群より選択される１種以上と、１２－ヒドロキシステアリン酸と、ヘキサメチレンジアミンとの縮合物であってもよい。
　特定のポリアミドは、脂肪族ジカルボン酸と、ヒドロキシ基含有脂肪族モノカルボン酸と、脂肪族ジアミンとの縮合物である場合、これら原料のモル比は以下のような関係式を満たすことが好ましい。
　ここで、特定のポリアミドの原料として用いる、脂肪族ジカルボン酸をＸモル、ヒドロキシ基含有脂肪族モノカルボン酸をＹモル、脂肪族ジアミンをＺモルとする。
　原料に含まれている化合物のアミノ基の総モル数は、カルボキシ基の総モル数と等しいか、あるいは、原料に含まれている化合物のアミノ基の総モル数は、カルボキシ基の総モル数よりも少ないことが好ましい。具体的には、２Ｚ≦２Ｘ＋Ｙを満たすことが好ましい。
　原料間のモル比の関係は、０．２Ｙ≦Ｘ≦２Ｙであることが好ましく、０．４Ｙ≦Ｘ≦１．５Ｙであることがより好ましい。
　原料間のモル比の関係は、０．５Ｙ≦Ｚ≦２Ｙであることが好ましく、０．８Ｙ≦Ｚ≦１．８Ｙであることがより好ましい。
　前記フラックス中の、特定のポリアミドの含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、２質量％超であり、３質量％以上であることがより好ましく、４質量％以上であることが更に好ましく、５質量％以上であることが特に好ましい。
　特定のポリアミドの含有量が前記下限値以上であることにより、加熱だれ抑制能を高めやすくなるとともに、はんだボール発生抑制能を高めやすくなる。
　前記フラックス中の、特定のポリアミドの含有量の上限値は、本発明の効果が奏される限り特に限定されず、特定のポリアミドの含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、１５質量％であってもよく、１０質量％以下であることが好ましく、８質量％以下であることがより好ましく、７質量％以下であることが更に好ましい。
　特定のポリアミドの含有量が前記上限値以下であることにより、フラックス残渣をより低減しやすくなる。
　前記フラックス中の、特定のポリアミドの含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、２質量％超１５質量％以下であり、３質量％以上１０質量％以下であることがより好ましく、４質量％以上８質量％以下であることが更に好ましく、４質量％以上５質量％以下であることが特に好ましい。
　前記フラックスにおいて、特定のポリアミドと、前記第２の溶剤との質量比は、特定のポリアミド／第２の溶剤で表される質量比、すなわち、第２の溶剤の総質量に対する、特定のポリアミドの総質量の割合として、０．０８～０．４であることが好ましく、０．１５～０．４であることがより好ましい。
　特定のポリアミド／第２の溶剤で表される質量比が上記範囲内であることにより、加熱だれ抑制能を高めやすくなるとともに、はんだボール発生抑制能を高めやすくなる。
　≪その他チキソ剤≫
　チキソ剤は、ポリアミドに加えて、その他チキソ剤を含んでもよい。
　その他チキソ剤としては、例えば、上記以外のアミド系チキソ剤、ワックス系チキソ剤、ソルビトール系チキソ剤等が挙げられる。
　その他チキソ剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　上記以外のアミド系チキソ剤としては、例えば、モノアミド、ビスアミド、その他のポリアミドが挙げられる。
　モノアミドとしては、例えば、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸アミド、飽和脂肪酸アミド、オレイン酸アミド、エルカ酸アミド、不飽和脂肪酸アミド、ｐ－トルアミド、ｐ－トルエンメタンアミド、芳香族アミド、ヘキサメチレンヒドロキシステアリン酸アミド、置換アミド、メチロールステアリン酸アミド、メチロールアミド、脂肪酸エステルアミド等が挙げられる。
　ビスアミドとしては、メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスラウリン酸アミド、エチレンビスヒドロキシ脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アミド、飽和脂肪酸ビスアミド、メチレンビスオレイン酸アミド、不飽和脂肪酸ビスアミド、ｍ－キシリレンビスステアリン酸アミド、芳香族ビスアミド等が挙げられる。
　その他のポリアミドとしては、飽和脂肪酸ポリアミド、不飽和脂肪酸ポリアミド、芳香族ポリアミド、１，２，３－プロパントリカルボン酸トリス（２－メチルシクロヘキシルアミド）、環状アミドオリゴマー、非環状アミドオリゴマー等が挙げられる。
　前記環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー等が挙げられる。
　また、前記非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とジアミン及び／又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合、ジカルボン酸及び／又はトリカルボン酸とモノアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合等が挙げられる。モノカルボン酸又はモノアミンを含むアミドオリゴマーであると、モノカルボン酸、モノアミンがターミナル分子（ｔｅｒｍｉｎａｌ　ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）として機能し、分子量を小さくした非環状アミドオリゴマーとなる。また、非環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸及び／又はトリカルボン酸と、ジアミン及び／又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミド化合物である場合、非環状高分子系アミドポリマーとなる。更に、非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とモノアミンとが非環状に縮合したアミドオリゴマーも含まれる。
　ワックス系チキソ剤としては、例えばエステル化合物が挙げられ、具体的には硬化ひまし油等が挙げられる。
　ソルビトール系チキソ剤としては、例えば、ジベンジリデン－Ｄ－ソルビトール、ビス（４－メチルベンジリデン）－Ｄ－ソルビトール、（Ｄ－）ソルビトール、モノベンジリデン（－Ｄ－）ソルビトール、モノ（４－メチルベンジリデン）－（Ｄ－）ソルビトール等が挙げられる。
＜その他成分＞
　本実施形態にかかるフラックスは、溶剤及びチキソ剤以外に、必要に応じてその他成分を含んでもよい。
　その他成分としては、有機酸、アミン、ハロゲン化合物等の活性剤、界面活性剤、金属不活性化剤、酸化防止剤、シランカップリング剤、着色剤等が挙げられる。
≪活性剤≫
　活性剤としては、例えば、有機酸、アミン、ハロゲン化合物等が挙げられる。
［有機酸］
　有機酸としては、例えば、カルボン酸、有機スルホン酸等が挙げられる。カルボン酸としては、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。脂肪族カルボン酸としては、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸等が挙げられる。
　脂肪族モノカルボン酸としては、例えば、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、イソペラルゴン酸、カプリン酸、カプロレイン酸、ラウリン酸（ドデカン酸）、ウンデカン酸、リンデル酸、トリデカン酸、ミリストレイン酸、ペンタデカン酸、イソパルミチン酸、パルミトレイン酸、ヒラゴン酸、ヒドノカーピン酸、マーガリン酸、イソステアリン酸、エライジン酸、ペトロセリン酸、モロクチン酸、エレオステアリン酸、タリリン酸、バクセン酸、リミノレイン酸、ベルノリン酸、ステルクリン酸、ノナデカン酸、エイコサン酸、ステアリン酸、１２－ヒドロキシステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ミリスチン酸等が挙げられる。
　脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、エイコサン二酸、酒石酸、２，４－ジエチルグルタル酸、ジグリコール酸、２－メチルノナン二酸と、４－（メトキシカルボニル）－２，４－ジメチルウンデカン二酸と、４，６－ビス（メトキシカルボニル）－２，４，６－トリメチルトリデカン二酸と、８，９－ビス（メトキシカルボニル）－８，９－ジメチルヘキサデカン二酸等が挙げられる。
　芳香族カルボン酸としては、例えば、サリチル酸、ジブチルアニリンジグリコール酸、テレフタル酸、パラヒドロキシフェニル酢酸、フェニルコハク酸、フタル酸、安息香酸、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２－キノリンカルボン酸、３－ヒドロキシ安息香酸、ｐ－アニス酸等が挙げられる。
　また、カルボン酸としては、イソシアヌル酸トリス（２－カルボキシエチル）、１，３－シクロヘキサンジカルボン酸等が挙げられる。
　また、カルボン酸としては、下記一般式（ｃ１）で表される化合物が挙げられる。
　Ｒ１１－ＣＯＯＨ　　　・・・（ｃ１）
［式中、Ｒ１１は、炭素数２～１５の鎖状炭化水素基、炭素数３～１５の脂環式炭化水素基、又は芳香族基を表す。ただし、Ｒ１１は、ヒドロキシ基を有する。］
　Ｒ１１における前記鎖状炭化水素基は、直鎖状又は分岐鎖状のいずれであってもよい。
　前記鎖状炭化水素基及び前記脂環式炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよく、飽和炭化水素基であることが好ましい。
　前記鎖状炭化水素基の炭素数は、２～１２であることが好ましく、３～９であることがより好ましく、３～７であることが特に好ましく、３～５であることが最も好ましい。
　前記鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、ネオヘキシル基等が挙げられる。
　前記脂環式炭化水素基の炭素数は、３～１２であることが好ましく、４～１２であることがより好ましく、４～８であることが更に好ましい。
　前記脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基等が挙げられる。
　Ｒ１１における前記芳香族基は、芳香環を少なくとも１個有する基であり、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環、芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環、芳香族炭化水素環と芳香族複素環が縮合した縮合環等が挙げられる。
　Ｒ１１における前記芳香族基が置換基を有する場合、前記置換基としては、炭素数１～２０の炭化水素基、芳香族炭化水素基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、カルボキシ基又はヒドロキシ基が好ましい。
　上記一般式（ｃ１）で表される有機酸としては、ヒドロキシカルボン酸が挙げられる。
　ヒドロキシカルボン酸としては、例えば、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）ブタン酸、クエン酸、イソクエン酸、リンゴ酸、酒石酸等が挙げられ、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸が好ましい。
　また、カルボン酸としては、ダイマー酸、トリマー酸、ダイマー酸に水素を添加した水添物である水添ダイマー酸、トリマー酸に水素を添加した水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。
　ダイマー酸、トリマー酸としては、例えば、オレイン酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とメタクリル酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とメタクリル酸との反応物であるトリマー酸、オレイン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸の反応物であるトリマー酸、リノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノレン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とオレイン酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とオレイン酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とオレイン酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とオレイン酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、オレイン酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、リノール酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、リノール酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、上述した各ダイマー酸の水添物である水添ダイマー酸、上述した各トリマー酸の水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。
　例えば、オレイン酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸は、炭素数が３６の２量体である。また、オレイン酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸は、炭素数が５４の３量体である。
　また、カルボン酸としては、下記一般式（ａ１）で表される化合物が挙げられる。
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　式（ａ１）中、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４は、それぞれ独立に、炭化水素基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は水素原子を表す。
　Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４における炭化水素基としては、置換基を有してもよい炭素数１～２０の鎖状炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数３～２０の脂環式炭化水素基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基等が挙げられる。
　前記鎖状炭化水素基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。前記鎖状炭化水素基は、飽和炭化水素基又は不飽和炭化水素基であり、飽和炭化水素基であることが好ましい。
　前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
　Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４における炭化水素基が有し得る置換基としては、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アシル基、アルコキシ基、カルボニル基、ハロゲン原子等が挙げられる。
　前記炭化水素基としては、置換基を有してもよい炭素数１～５の鎖状炭化水素基又はカルボキシ基であることが好ましい。前記鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。前記炭化水素基としては、カルボキシ基が好ましい。
　上記一般式（ａ１）で表される化合物としては、例えば、ピコリン酸、ジピコリン酸、３－ヒドロキシピコリン酸等が挙げられる。
　ピコリン酸は、上記一般式（ａ１）において、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４が水素原子である化合物である。
　３－ヒドロキシピコリン酸は、上記一般式（ａ１）において、Ｒａ１がヒドロキシ基であり、かつ、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４が水素原子である化合物である。
　有機スルホン酸としては、例えば、脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸等が挙げられる。脂肪族スルホン酸としては、例えば、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸等が挙げられる。
　アルカンスルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、１－プロパンスルホン酸、２－プロパンスルホン酸、１－ブタンスルホン酸、２－ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸等が挙げられる。
　アルカノールスルホン酸としては、例えば、２－ヒドロキシエタン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシプロパン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシブタン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシペンタン－１－スルホン酸、１－ヒドロキシプロパン－２－スルホン酸、３－ヒドロキシプロパン－１－スルホン酸、４－ヒドロキシブタン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシヘキサン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシデカン－１－スルホン酸および２－ヒドロキシドデカン－１－スルホン酸等が挙げられる。
　芳香族スルホン酸としては、例えば、１－ナフタレンスルホン酸、２－ナフタレンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ｐ－フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサリチル酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸およびジフェニルアミン－４－スルホン酸等が挙げられる。
　有機酸は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　有機酸としては、脂肪族カルボン酸が好ましく、脂肪族ジカルボン酸がより好ましい。
　有機酸としては、脂肪族ジカルボン酸が好ましく、ジグリコール酸、２－メチルノナン二酸、４－（メトキシカルボニル）－２，４－ジメチルウンデカン二酸、４，６－ビス（メトキシカルボニル）－２，４，６－トリメチルトリデカン二酸、及び８，９－ビス（メトキシカルボニル）－８，９－ジメチルヘキサデカン二酸からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましく、ジグリコール酸、及び、２－メチルノナン二酸と、４－（メトキシカルボニル）－２，４－ジメチルウンデカン二酸と、４，６－ビス（メトキシカルボニル）－２，４，６－トリメチルトリデカン二酸と、８，９－ビス（メトキシカルボニル）－８，９－ジメチルヘキサデカン二酸とからなる有機酸混合物からなる群より選択される一種以上を含むことがより好ましい。
　［アミン］
　アミンとしては、例えば、アゾール類、グアニジン類、アミノアルコール、アルキルアミン化合物、アミンポリオキシアルキレン付加体等が挙げられる。
　アゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン、２，４－ジアミノ－６－ビニル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－ビニル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４－ジアミノ－６－メタクリロイルオキシエチル－ｓ－トリアジン、エポキシ－イミダゾールアダクト、２－メチルベンゾイミダゾール、２－オクチルベンゾイミダゾール、２－ペンチルベンゾイミダゾール、２－（１－エチルペンチル）ベンゾイミダゾール、２－ノニルベンゾイミダゾール、２－（４－チアゾリル）ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、１，２，４－トリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’－ｔｅｒｔ－ブチル－５’－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔｅｒｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ｔｅｒｔ－オクチルフェノール］、６－（２－ベンゾトリアゾリル）－４－ｔｅｒｔ－オクチル－６’－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－メチル－２，２’－メチレンビスフェノール、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］メチルベンゾトリアゾール、２，２’－［［（メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ］ビスエタノール、１－（１’，２’－ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１－（２，３－ジカルボキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１－［（２－エチルヘキシルアミノ）メチル］ベンゾトリアゾール、２，６－ビス［（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］－４－メチルフェノール、５－メチルベンゾトリアゾール、５－フェニルテトラゾール等が挙げられる。
　グアニジン類としては、例えば、１，３－ジフェニルグアニジン、１，３－ジ－ｏ－トリルグアニジン、１－ｏ－トリルビグアニド、１，３－ジ－ｏ－クメニルグアニジン、１，３－ジ－ｏ－クメニル－２－プロピオニルグアニジン等が挙げられる。
　アミノアルコールとしては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、１－アミノ－２－プロパノール、ビス（２－ヒドロキシプロピル）アミン、トリス（２－ヒドロキシプロピル）アミン等が挙げられる。
　アルキルアミン化合物としては、例えば、エチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン等が挙げられる。
　アミンポリオキシアルキレン付加体としては、例えば、末端ジアミンポリアルキレングリコール、脂肪族アミンポリオキシアルキレン付加体、芳香族アミンポリオキシアルキレン付加体、多価アミンポリオキシアルキレン付加体等が挙げられる。
　アミンポリオキシアルキレン付加体に付加されているアルキレンオキシドとしては、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。
　末端ジアミンポリアルキレングリコールは、ポリアルキレングリコールの両末端がアミノ化された化合物である。
　末端ジアミンポリアルキレングリコールとしては、例えば、末端ジアミンポリエチレングリコール、末端ジアミンポリプロピレングリコール、末端ジアミンポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体等が挙げられる。
　末端ジアミンポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体としては、例えば、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合物ビス（２－アミノプロピル）エーテル、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合物ビス（２－アミノエチル）エーテルが挙げられる。
　脂肪族アミンポリオキシアルキレン付加体、芳香族アミンポリオキシアルキレン付加体、及び多価アミンポリオキシアルキレン付加体は、アミンの窒素原子にポリオキシアルキレン基が結合したものである。前記アミンとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３－プロパンジアミン、１，４－ブタンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、牛脂アミン、硬化牛脂アミン、牛脂プロピルジアミン、メタキシレンジアミン、トリレンジアミン、パラキシレンジアミン、フェニレンジアミン、イソホロンジアミン、１，１０－デカンジアミン、１，１２－ドデカンジアミン、４，４－ジアミノジシクロヘキシルメタン、４，４－ジアミノジフェニルメタン、ブタン－１，１，４，４－テトラアミン、ピリミジン－２，４，５，６－テトラアミン等が挙げられる。
　アミンは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　本実施形態にかかるフラックスは、樹脂成分を含まないことが好ましい。樹脂成分を含まないことにより、フラックス残渣の量を低減しやすくなる。
　本明細書において、樹脂成分としては、例えば、ロジン、ロジン以外の樹脂等が挙げられる。
　本明細書において、「ロジン」とは、アビエチン酸を主成分とする、アビエチン酸とこの異性体との混合物を含む天然樹脂、及び天然樹脂を化学修飾したもの（ロジン誘導体と呼ぶ場合がある）を包含する。
　ロジン誘導体としては、例えば、精製ロジン、変性ロジン等が挙げられる。
　変性ロジンとしては、水添ロジン、重合ロジン、重合水添ロジン、不均化ロジン、酸変性ロジン、ロジンエステル、酸変性水添ロジン、無水酸変性水添ロジン、酸変性不均化ロジン、無水酸変性不均化ロジン、フェノール変性ロジン及びα，β不飽和カルボン酸変性物（アクリル化ロジン、マレイン化ロジン、フマル化ロジン等）、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α，β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物、ロジンアルコール、ロジンアミン、水添ロジンアルコール、ロジンエステル、水添ロジンエステル、ロジン石鹸、水添ロジン石鹸、酸変性ロジン石鹸等が挙げられる。
　ロジン以外の樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、変性テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペンフェノール樹脂、スチレン樹脂、変性スチレン樹脂、キシレン樹脂、変性キシレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル－ポリエチレン共重合樹脂、その他熱硬化性樹脂等が挙げられる。
　変性テルペン樹脂としては、芳香族変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添芳香族変性テルペン樹脂等が挙げられる。変性テルペンフェノール樹脂としては、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。変性スチレン樹脂としては、スチレンアクリル樹脂、スチレンマレイン酸樹脂等が挙げられる。変性キシレン樹脂としては、フェノール変性キシレン樹脂、アルキルフェノール変性キシレン樹脂、フェノール変性レゾール型キシレン樹脂、ポリオール変性キシレン樹脂、ポリオキシエチレン付加キシレン樹脂等が挙げられる。
　その他熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が挙げられる。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ 型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型樹脂、脂環式エポキシ樹脂、アミノプロパン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、トリアジン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。
　従来、フラックス残渣を低減するために、フラックス中のロジンの含有量を低減することが提案されている。ロジンの含有量が低減されたフラックスにおいては、フラックスの粘度、チキソ比等のフラックスのレオロジー特性が得られにくくなる。
　以上説明した本実施形態にかかるフラックスは、第１の溶剤と、特定のポリアミドとを含有することにより、フラックス残渣を低減できるとともに、加熱だれを抑制することができる。かかる効果が得られる理由は定かではないが、次のように推測される。
　分子内に３個以上のアミド結合を有する特定のポリアミドは、モノアミド及びビスアミドに比べて、加熱だれ抑制能を高めやすい。本実施形態にかかるフラックスは、ロジンを含有しなくても、加熱だれを抑制することが可能である。
　特定のポリアミドは、モノアミド及びビスアミドに比べて、加熱だれ抑制能を高めやすい。しかしながら、特定のポリアミドを含有するフラックスは、一般に、リフロー後に、フラックス残渣を生じやすい。
　特定のポリアミドは、加熱だれ抑制能を高めやすいため、所定の加熱だれ抑制能を得るために必要な添加量を低減できる。また、本実施形態にかかるフラックスは、プレヒートの後、かつ、本加熱の前において、第１の溶剤が残存しやすいため、チキソ剤、活性剤等が乾固することを抑制しやすい。加えて、本実施形態にかかるフラックスは、リフローの本加熱において第１の溶剤が揮発しやすい。これらの相乗効果により、本実施形態にかかるフラックスは、特定のポリアミドを含有しても、第１の溶剤を含有することにより、チキソ剤、活性剤、第１の溶剤等に由来するフラックス残渣を低減することが可能となる。
（ソルダペースト）
　第２の態様にかかるソルダペーストは、はんだ合金粉末と、上述したフラックスと、を含有する。
　はんだ合金粉末は、Ｓｎ単体のはんだの粉体、または、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ｉｎ系等、あるいは、これらの合金にＳｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｓ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐ等を添加したはんだ合金の粉体で構成されてもよい。
　はんだ合金粉末は、Ｓｎ－Ｐｂ系、あるいは、Ｓｎ－Ｐｂ系にＳｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｓ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐ等を添加したはんだ合金の粉体で構成されてもよい。
　はんだ合金粉末は、Ｐｂを含まないはんだであることが好ましい。
　はんだ合金粉末としては、例えば、その溶融温度が１５０～２５０℃のものを用いることができる。
　フラックスの含有量：
　ソルダペースト中、フラックスの含有量は、ソルダペーストの全質量に対して５～３０質量％であることが好ましく、５～１５質量％であることがより好ましい。
　以上説明した本実施形態にかかるソルダペーストは、フラックス残渣を低減できるとともに、加熱だれを抑制することができる。
（接合体の製造方法）
　第３の態様にかかる接合体の製造方法は、部品と、基板とを、はんだ付けすることにより、接合体を得る工程を含み、前記はんだ付けの際、前記第２の態様にかかるソルダペーストを用いて、還元性ガス雰囲気でリフローを行う。
　以下、第３の態様にかかる接合体の製造方法の一実施形態について説明する。
　本実施形態にかかる接合体の製造方法は、ソルダペースト塗布工程、部品取付け工程、リフロー工程を、この順に有する方法である。
　ソルダペースト塗布工程においては、第２の態様にかかるソルダペーストを、基板の表面に塗布する。
　基板としては、例えば、プリント配線基板、ウエハ等が挙げられる。
　ソルダペーストを塗布する方法としては、例えば、開口部を有するマスクを用いてソルダペーストを印刷塗布する方法、ディスペンサ等を用いてソルダペーストを吐出する方法、プローブピン等を用いてソルダペーストを転写する方法等が挙げられる。
　部品取付け工程においては、ソルダペーストが塗布された前記基板の表面に、部品を取り付ける。
　部品としては、例えば、チップ、集積回路、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、及びコンデンサ等が挙げられる。
　リフロー工程の雰囲気は、本発明の効果が奏される限り特に限定されないが、例えば、窒素ガス雰囲気又は還元性ガス雰囲気であってもよい。
　還元性ガス雰囲気は、例えば、リフロー炉において還元性化合物を揮発させて形成されるものであってもよいし、液体の還元性化合物に対して窒素を通気させることにより得られる還元性ガスを、リフロー炉へ供給して形成されるものであってもよい。還元性化合物としては、ギ酸が好ましい。
　リフロー工程の雰囲気が還元性ガス雰囲気である場合、用いるソルダペーストは、活性剤の量を低減させてもよく、活性剤を含有しなくてもよい。これにより、フラックス残渣をより低減することが可能である。
　リフロー工程においては、リフロー炉において、ソルダペーストに含まれるはんだ粉末の融点よりも高い温度（すなわち、ピーク温度）で、部品取り付け後の基板を加熱する（これを本加熱工程という）。加熱温度としては、例えば、はんだ粉末の融点よりも５～３０℃高い温度であってもよい。加熱時間としては、例えば、１０秒～２分であってもよい。
　リフロー工程は、本加熱工程の前に、プレヒート工程を有するものであってもよい。
　プレヒート工程は、リフロー炉において、ソルダペーストに含まれるはんだ粉末の融点よりも低い温度で、部品取り付け後の基板を加熱する。加熱温度としては、例えば、１５０～１８０℃であってもよい。加熱時間としては、例えば、３０秒～２分であってもよい。
　プレヒート工程において、リフロー炉の炉内は、上述した窒素ガス雰囲気であってもよいし、還元性ガス雰囲気であってもよい。
　以上説明した本実施形態にかかる接合体の製造方法によれば、フラックス残渣が低減されるとともに、加熱だれを抑制することができるため、得られる接合体の接合強度を高められる。加えて、基板において短絡が生じるおそれを低減することが可能である。
　以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜フラックスの調製＞
　（実施例１～２３、比較例１～４）
　表１～４に示す組成で実施例及び比較例の各フラックスを調合した。
　使用した原料を以下に示した。
　溶剤：
　第１の溶剤：
　イソボルニルシクロヘキサノール：沸点３１８℃、３０℃粘度１０Ｐａ・ｓ以上
　トリメチロールプロパン：融点６０℃、沸点２９５℃
　第２の溶剤：
　ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（比誘電率６．５８、沸点２５９℃）
　ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルは、一般式（１）において、Ｒ１がエチレン基であり、Ｒ２が直鎖状のヘキシル基であり、ｍが２である。
　その他溶剤：
　エチレングリコールモノフェニルエーテル（比誘電率６．０１、沸点２３７℃）
　プロピレングリコールモノフェニルエーテル（比誘電率４．４７、沸点２４３℃）
　ジエチレングリコールモノ２－エチルヘキシルエーテル（比誘電率５．０４、沸点２７２℃）
　トリプロピレングリコールｎ－ブチルエーテル（比誘電率４．４８、沸点２７４℃）
　ジエチレングリコールモノブチルエーテル（比誘電率８．３７、沸点２３１℃）
　イソステアリルアルコール（比誘電率２．６７、沸点３０４℃）
　２－メチルペンタンー２，４－ジオール（比誘電率４．４７、沸点１９７℃）
　αーテルピネオール（比誘電率３．０４、沸点２１８℃）
　チキソ剤：
　ポリアミド：
　ポリアミドは、次の方法により得られたものを用いた。
　１２－ヒドロキシステアリン酸とドデカン二酸を加えて約１００℃まで加熱し、その後ヘキサメチレンジアミンを加えて約２２０℃まで加熱して３時間保持し、調製例１のポリアミドを得た。
　原料として用いた、ドデカン二酸をＸモル、１２－ヒドロキシステアリン酸をＹモル、ヘキサメチレンジアミンをＺモルとする。原料のモル数は、２Ｚ＝２Ｘ＋Ｙの関係を満たすものであった。
　その他チキソ剤：
　ステアリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’－メチレンビス（ステアロアミド）、硬化ひまし油
　活性剤：
　有機酸混合物（２－メチルノナン二酸と、４－（メトキシカルボニル）－２，４－ジメチルウンデカン二酸と、４，６－ビス（メトキシカルボニル）－２，４，６－トリメチルトリデカン二酸と、８，９－ビス（メトキシカルボニル）－８，９－ジメチルヘキサデカン二酸とからなる有機酸混合物）
　ジグリコール酸
　実施例で用いた化合物の沸点の値は、対象の液体の飽和蒸気圧が１気圧（すなわち、１０１３ｈＰａ）と等しくなるときの、その液体の温度を測定した値である。
　重量減少率：
　溶剤の重量減少率は、次のように測定した。
　示差熱－熱重量同時測定装置（株式会社日立ハイテクサイエンス製、ＳＴＡ７２００）を用いて、測定対象試料１０ｍｇをアルミパンに入れ、加熱を開始して特定温度まで１０℃／ｍｉｎで昇温した。そして、加熱前の対象試料の質量Ｗ０と、対象試料が特定温度に達した時の、対象試料の質量Ｗ１とから、重量減少率を以下の計算式から算出した。
　重量減少率（質量％）＝１００×（Ｗ０－Ｗ１）／Ｗ０
　２３０℃まで加熱した際の重量減少率
　イソボルニルシクロヘキサノール：８１質量％
　トリメチロールプロパン：９４質量％
　２５０℃まで加熱した際の重量減少率
　イソボルニルシクロヘキサノール：９９質量％以上
　トリメチロールプロパン：９９質量％以上
　比誘電率：
　溶剤の比誘電率は、ＪＩＳＣ　２５６５（１９９２）に準拠し、測定周波数を１ＧＨｚに設定して、測定した。
　ポリアミドの吸熱ピーク
　調製例１のポリアミドの吸熱ピークの温度は、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ、示差走査熱量測定）により測定した。
　より具体的な吸熱ピークの測定方法としては、窒素雰囲気下、約７ｍｇの調製例１のポリアミドを、昇温速度を２０℃／ｍｉｎに設定し、３０℃から２２０℃まで昇温することにより測定した。測定機器としては、ＤＳＣ７０２０（日立ハイテクサイエンス製）を用いた。ピークトップの温度を、吸熱ピークの温度と定義した。測定結果を図１に示す。
　得られたポリアミドは、全ての吸熱ピークのピークトップの温度が１２０℃以上２００℃以下であった。
　ポリアミドの吸熱量の割合
　調製例１のポリアマイドについて、ある特定温度における吸熱量の割合を次のように算出した。
　ポリアマイドの吸熱量は、ポリアマイドのＤＳＣ曲線のピーク面積から算出した。
　ここで、「ある特定温度における吸熱量の割合」とは、５０℃以上２００℃以下の範囲における総吸熱量に対する、５０℃以上特定温度以下の範囲における吸熱量を意味する。結果を図２に示す。
＜ソルダペーストの調製＞
　実施例１～２２、比較例１～４のフラックスと、下記のはんだ合金粉末（１）と、をそれぞれ混合してソルダペーストを調合した。調合したソルダペーストは、いずれも、フラックスを１０質量％、はんだ合金粉末を９０質量％とした。
　実施例２３のフラックスと、下記のはんだ合金粉末（２）と、を混合してソルダペーストを調合した。調合したソルダペーストは、フラックスを１２．５質量％、はんだ合金粉末を８７．５質量％とした。
　はんだ合金粉末（１）は、Ａｇが３質量％、Ｃｕが０．５質量％、残部がＳｎのはんだ合金からなる粉末である。このはんだ合金の固相線温度は２１７℃であり、液相線温度は２１９℃である。はんだ合金粉末（１）のサイズは、ＪＩＳ　Ｚ　３２８４－１：２０１４における粉末サイズの分類（表２）において、記号４を満たすサイズ（粒度分布）である。
　記号４を満たすサイズ（粒度分布）：
　粉末の短径に対する長径の比が、１．２以下である。
　粉末の短径の長さは、４０μｍ以下である。
　粉末の短径の長さが３８μｍを超える粉末の含有量は、粉末の総量（１００質量％）に対して、１質量％以下である。
　粉末の短径の長さが２０μｍ以上３８μｍ以下の粉末の含有量は、粉末の総量（１００質量％）に対して、８０質量％以上である。
　粉末の短径の長さが２０μｍ未満の粉末の含有量は、粉末の総量（１００質量％）に対して、１０質量％以下である。
　はんだ合金粉末（２）は、Ｓｂが５質量％、残部がＳｎのはんだ合金からなる粉末である。このはんだ合金の固相線温度は２４０℃であり、液相線温度は２４３℃である。はんだ合金粉末（２）のサイズは、はんだ合金粉末（１）のサイズと同一である。
　下記の＜評価＞に記載した評価方法にしたがって、≪フラックス残渣量の評価≫、≪加熱だれ抑制能の評価≫、≪はんだボール発生抑制能の評価≫、≪タッキングの評価≫、≪部品のマウント性の評価≫を行った。これらの評価結果を表１～４に示した。
＜評価＞
　≪フラックス残渣量の評価≫
　検証方法：
　示差熱－熱重量同時測定装置（株式会社日立ハイテクサイエンス製、ＳＴＡ７２００）を用いて、各例のフラックス１０ｍｇをアルミパンに入れ、加熱を開始して２５０℃まで１０℃／ｍｉｎで昇温した。そして、加熱前の対象試料の質量Ｗ０と、対象試料が２５０℃に達した時の、対象試料の質量Ｗ１とから、残存率を以下の計算式から算出した。
　残存率（％）＝１００×Ｗ１／Ｗ０
　判定基準：
　Ａ：残存率が１０％未満である。
　Ｂ：残存率が１０％以上である。
　評価結果が、Ａであったフラックスは合格であり、Ｂであったフラックスは不合格であるとした。
　≪加熱だれ抑制能の評価≫
　検証方法：
　調製したソルダペーストについて、ＪＩＳ　Ｚ　３２８４－３：２０１４の「加熱時のだれ試験」に記載された方法に従って、加熱だれを評価した。まず、「印刷時のだれ試験」の図６中のＩ（孔のサイズ　３．０×０．７）に示すパターン孔を配したメタルマスクを用いて、ソルダペーストを印刷して試験板を得た。得られた試験板を、１５０℃で３分間、恒温槽中で静置した。上記のＩのパターンの模式図を図３に示す。図３において、０．２～１．２の数値は、パターン孔とパターン孔との間の距離を表している。加熱後の試験板について、印刷されたソルダペースト全てが一体にならない最小間隔を評価した。
　≪はんだボール発生抑制能の評価≫
　検証方法：
　調製したソルダペーストを、メタルマスクを用いて、チップ部品搭載用のランドパターンを持つプリント基板上に、φ１．６ｍｍ、厚さ０．１２ｍｍのパターンを印刷した。次いで、マウンター（パナソニック社製、ＮＰＭ－Ｗ２）を用いて、印刷後のプリント基板上に、３０個の３２１６チップコンデンサを搭載した。次いで、チップ部品の周辺に、はんだボール（これをチップサイドボール又はキャピラリボールという）が発生したか否かを検証した。
　判定基準：
　Ａ：チップコンデンサの周囲に、φ０．１ｍｍ以上のはんだボールが発生しなかった。
　Ｂ：チップコンデンサの周囲に、φ０．１ｍｍ以上のはんだボールが発生した。
　評価結果が、Ａであったフラックスは合格であり、Ｂであったフラックスは不合格であるとした。
　≪タッキングの評価≫
　検証方法：
　ＪＩＳ　Ｚ　３２８４－３（２０１４）　４．５に記載の評価方法に従って、保管後のフラックスの粘着力を評価した。測定装置としては、タッキネステスター　ＴＫ－１（マルコム社製）を用いた。
　メタルマスクを用いて、アルミナ板上に、各例のソルダペーストを印刷し、φ６．５ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの印刷パターンを４個作製した。次いで、ソルダペーストを印刷したアルミナ板を密閉容器にいれ、温湿度管理室において、２５℃、湿度５０％で、８時間静置した。次いで、印刷パターンをタッキング試験機のプローブの下に置いた後、パターンの中心とプローブの中心とを合わせた。次いで、プローブを２．０ｍｍ／ｓの速度でペースト中へ降下させ、０．０５±０．００５Ｎの一定加圧力で加圧した。次いで、加圧後０．２秒以内に、１０ｍｍ／ｓの速度でプローブを引き上げた。４個の印刷パターンについて、プローブを引きはがす際の力を測定し、そのうちの最大の力を粘着力とした。表中、粘着力の単位は、［Ｎ］である。
　≪部品のマウント性の評価≫
　検証方法：
　調製したソルダペーストを、メタルマスクを用いて、チップ部品搭載用のランドパターンを持つプリント基板上に、φ１．６ｍｍ、厚さ０．１２ｍｍのパターンを印刷した。次いで、ソルダペーストを印刷したプリント基板を密閉容器にいれ、温湿度管理室において、２５℃、湿度５０％で、８時間静置した。次いで、マウンター（パナソニック社製、ＮＰＭ－Ｗ２）を用いて、印刷後のプリント基板上に、３０個の３２１６チップコンデンサを搭載した。
　判定基準：
　Ａ：基板に対してずれた、又は基板から脱落したコンデンサは、なかった。
　Ｂ：基板に対してずれた、又は基板から脱落したコンデンサの個数は、１個以上であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　第１の溶剤を含有する実施例１～２３のフラックスは、フラックス残渣量の評価結果がＡであった。
　ポリアミドを含有する実施例１～２３のフラックスは、加熱だれ抑制能の評価結果が０．５ｍｍ未満であり、はんだボール発生抑制能の評価結果がＡであった。
　ポリアミドを含有しない比較例１、３～４のフラックスは、加熱だれ抑制能の評価結果が０．６ｍｍ以上であり、はんだボール発生抑制能の評価結果がＢであった。
　ポリアミドの含有量が２質量％である、比較例２のフラックスは、加熱だれ抑制能の評価結果が０．５ｍｍであり、はんだボール発生抑制能の評価結果がＢであった。
　ポリアミド／第２の溶剤で表される質量比が０．１５未満である、実施例１８のフラックスは、加熱だれ抑制能の評価結果が０．４ｍｍであった。
　ポリアミド／第２の溶剤で表される質量比が０．１５～０．４０である、実施例１６～１７のフラックスは、加熱だれ抑制能の評価結果が０．２ｍｍであった。
　すなわち、ポリアミド／第２の溶剤で表される質量比が０．１５～０．４０であることにより、加熱だれ抑制能をより高めやすくなることが確認された。
　イソボルニルヘキサノールを含有する実施例１９のフラックスは、加熱だれ抑制能の評価結果が０．３ｍｍであった。
　トリメチロールプロパンを含有する実施例２２のフラックスは、加熱だれ抑制能の評価結果が０．４ｍｍであった。
　すなわち、第１の溶剤としてイソボルニルヘキサノールを含むフラックスは、加熱だれ抑制能をより高めやすくなることが確認された。
　第２の溶剤を含有する、実施例１、９～１１、１４～２３、比較例１～４のフラックスは、タッキングの評価結果が０．３Ｎ以上であり、部品のマウント性の評価結果がＡであった。
　第２の溶剤を含有しない、実施例２～８、１２～１３のフラックスは、タッキングの評価結果が０．１Ｎであり、部品のマウント性の評価結果がＢであった。
　すなわち、第１の溶剤と第２の溶剤が共に存在することにより、フラックスのタッキングがより高まり、部品のマウント性がより向上することが確認された。
　第１の溶剤と第２の溶剤からなる溶剤を配合した、実施例１４～１８、２１および２３のフラックスは、タッキングの評価結果が０．６Ｎであった。
　すなわち、第２の溶剤／第１の溶剤で表される質量比が０．１～１．０であることにより、タッキングの評価結果をより高めやすくなることが確認された。
　本発明によれば、フラックス残渣を低減できるとともに、加熱だれを抑制することができるフラックス及びソルダペーストを提供することができる。このフラックスは、フラックス残渣を洗浄する工程が無いはんだ付けに好適に用いられる。

Claims (8)

  1. 　第１の溶剤と、チキソ剤とを含有し、
    　前記第１の溶剤は、３０℃での粘度が１０Ｐａ・ｓ以上であるか、又は、３０℃で固体であり、
    　前記第１の溶剤は、沸点が２００℃以上であり、
    　前記第１の溶剤は、２３０℃まで加熱した際の重量減少率が９６質量％未満であり、
    　前記チキソ剤は、脂肪族カルボン酸とアミンとの縮合物、及び、脂肪族カルボン酸とヒドロキシ基含有脂肪族カルボン酸とアミンとの縮合物からなる群より選択される一種以上であるポリアミドを含み、
    　前記第１の溶剤の含有量は、フラックスの総質量に対して、３０質量％以上であり、
    　前記ポリアミドの含有量は、フラックスの総質量に対して、２質量％超である、フラックス。
  2. 　さらに、第２の溶剤（ただし、第１の溶剤に該当する溶剤を除く）を含有し、
    　前記第２の溶剤は、沸点が２５０℃以上であり、かつ、比誘電率が６．０以上である、請求項１に記載のフラックス。
  3. 　前記第２の溶剤は、下記一般式（１）で表される化合物である、請求項２に記載のフラックス。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　式中、Ｒ１は、炭素数２～４の炭化水素基を表す。Ｒ２は、炭素数４～１０の炭化水素基を表す。ｍは、１～３である。
  4. 　前記第１の溶剤と、前記第２の溶剤との質量比は、第２の溶剤／第１の溶剤で表される質量比として、０．１～１．０である、請求項２に記載のフラックス。
  5. 　前記ポリアミドと、前記第２の溶剤との質量比は、ポリアミド／第２の溶剤で表される質量比として、０．１５～０．４である、請求項２に記載のフラックス。
  6. 　前記脂肪族カルボン酸は、ジカルボン酸を含む、請求項１に記載のフラックス。
  7. 　はんだ合金粉末と、請求項１～６のいずれか一項に記載のフラックスと、を含有する、ソルダペースト。
  8. 　部品と、基板とを、はんだ付けすることにより、接合体を得る工程を含み、
    　前記はんだ付けの際、請求項７に記載のソルダペーストを用いて、還元性ガス雰囲気でリフローを行う、接合体の製造方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004025305A (ja) * 2002-04-16 2004-01-29 Tadatomo Suga 無残渣ソルダペースト
JP2009542019A (ja) * 2006-06-30 2009-11-26 ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト 半導体素子の適用ための無洗浄低残留物ハンダペースト
JP2015160244A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 株式会社タムラ製作所 はんだ付け用フラックス組成物およびそれを用いた電子基板
WO2017065076A1 (ja) * 2015-10-14 2017-04-20 共栄社化学株式会社 揺変剤並びにこれを含むフラックス及びソルダペースト
CN109877484A (zh) * 2019-03-22 2019-06-14 东莞永安科技有限公司 一种免清洗无残留的焊锡膏及其制备方法
JP2019122994A (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 千住金属工業株式会社 フラックス及びソルダペースト
JP2022080827A (ja) * 2020-11-18 2022-05-30 千住金属工業株式会社 フラックス及びソルダペースト

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004025305A (ja) * 2002-04-16 2004-01-29 Tadatomo Suga 無残渣ソルダペースト
JP2009542019A (ja) * 2006-06-30 2009-11-26 ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト 半導体素子の適用ための無洗浄低残留物ハンダペースト
JP2015160244A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 株式会社タムラ製作所 はんだ付け用フラックス組成物およびそれを用いた電子基板
WO2017065076A1 (ja) * 2015-10-14 2017-04-20 共栄社化学株式会社 揺変剤並びにこれを含むフラックス及びソルダペースト
JP2019122994A (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 千住金属工業株式会社 フラックス及びソルダペースト
CN109877484A (zh) * 2019-03-22 2019-06-14 东莞永安科技有限公司 一种免清洗无残留的焊锡膏及其制备方法
JP2022080827A (ja) * 2020-11-18 2022-05-30 千住金属工業株式会社 フラックス及びソルダペースト

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