WO2024014176A1 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

小型かつ大容量でありながら、耐湿性の低下を抑制することが可能な積層セラミックコンデンサ（１）を提供すること。積層セラミックコンデンサ（１）は、コンデンサ主部（３）の第１の主面（Ｍ１）と第１の主部側面（ＳＳ１）に跨って湾曲している第１の角部（Ｃ１）、第２の主面（Ｍ２）と第１の主部側面（ＳＳ１）に跨って湾曲している第２の角部（Ｃ２）、第１の主面（Ｍ１）と第２の主部側面（ＳＳ２）に跨って湾曲している第３の角部（Ｃ３）、及び第２の主面（Ｍ２）と第２の主部側面（ＳＳ２）に跨って湾曲している第４の角部（Ｃ４）を有し、第１の絶縁部（８ａ）は、第１の角部（Ｃ１）及び第２の角部（Ｃ２）を被覆し、第２の絶縁部（８ｂ）は、第３の角部（Ｃ３）及び第４の角部（Ｃ４）を被覆し、第１の角部（Ｃ１）の粗さは、第１の外側角部（Ｋ１）の粗さより大きく、第２の角部（Ｃ２）の粗さは、第２の外側角部（Ｋ２）の粗さより大きく、第３の角部（Ｃ３）の粗さは、第３の外側角部（Ｋ３）の粗さより大きく、第４の角部（Ｃ４）の粗さは、第４の外側角部（Ｋ４）の粗さより大きい。

Description

積層セラミックコンデンサ

　本発明は、積層セラミック電子部品、特には積層セラミックコンデンサに関する。

　近年、電子部品に搭載されている電子機器の小型化に伴って、電子部品の寸法も小さくなっている。電子部品の寸法が小さくなると、内部電極同士の重なっている面積も小さくなってしまうため、小型かつ大容量化することが課題となっている。そこで、内部電極層を側面に露出させ、後から誘電体積層シートをチップの側面に設けることで、側面方向の内部電極の面積を最大限にとる方法が知られている。特許文献１に、それに関連した技術が記載されている。

特開昭６２－２３７７１４公報

　しかしながら、そのようにして作られた電子部品は、絶縁層の端部とコンデンサ主部との固着が十分ではなく、絶縁層の端部から水分が侵入し、耐湿性が低下してしまう恐れがあった。そこで、本発明は、小型かつ大容量でありながら、耐湿性の低下を抑制することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

　積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層を含み、積層方向に相対する第１の主面及び第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の主部側面及び第２の主部側面と、前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面及び第２の端面と、前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第１の端面、第１の主部側面及び第２の主部側面に露出された第１の内部電極層と、前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第２の端面、第１の主部側面及び第２の主部側面に露出された第２の内部電極層と、を含むコンデンサ主部と、前記コンデンサ主部の第１の主部側面に配置された第１の絶縁部と、前記コンデンサ主部の第２の主部側面に配置された第２の絶縁部と、を備える積層体と、前記第１の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の絶縁部の表面及び前記第２の絶縁部の表面に回り込むように設けられた第１の外部電極と、前記第２の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の絶縁部の表面及び前記第２の絶縁部の表面に回り込むように設けられた第２の外部電極と、を備え、前記コンデンサ主部は、前記コンデンサ主部の第１の主面と第１の主部側面に跨って湾曲している第１の角部、第２の主面と第１の主部側面に跨って湾曲している第２の角部、第１の主面と第２の主部側面に跨って湾曲している第３の角部、及び第２の主面と第２の主部側面に跨って湾曲している第４の角部を有し、前記第１の絶縁部は、前記第１の角部及び第２の角部を被覆し、前記第２の絶縁部は、前記第３の角部及び第４の角部を被覆し、前記第１の絶縁部における、前記第１の主部側面に接する面と対向する面を前記積層体の第１の側面とし、前記第２の絶縁部における、前記第２の主部側面に接する面と対向する面を前記積層体の第２の側面とし、前記第１の絶縁部は、前記第１の主面と前記第１の側面とが交わる第１の外側角部、及び前記第２の主面と前記第１の側面とが交わる第２の外側角部を有し、前記第２の絶縁部は、前記第１の主面と前記第２の側面とが交わる第３の外側角部、及び前記第２の主面と前記第２の側面とが交わる第４の外側角部を有し、前記第１の角部の粗さは、前記第１の外側角部の粗さより大きく、前記第２の角部の粗さは、前記第２の外側角部の粗さより大きく、前記第３の角部の粗さは、前記第３の外側角部の粗さより大きく、前記第４の角部の粗さは、前記第４の外側角部の粗さより大きい。

　本発明によれば、小型かつ大容量でありながら、耐湿性の低下を抑制することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。

本発明の実施形態の積層セラミックコンデンサの斜視図である。 本発明の実施形態の積層体の斜視図である。 本発明の実施形態のコンデンサ主部の斜視図である。 図１のＩ－Ｉ線断面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 （ａ）は図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図であり、（ｂ）は、従来の積層セラミックコンデンサにおける、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図に相当する図である。 本発明の他の実施形態における、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図に相当する図である。 本発明の他の実施形態における、図７の領域Ｒを示す図である。 本発明の実施形態のコンデンサ主部の一部を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態のコンデンサ主部の一部を示す斜視図である。

　以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。以下の説明では、積層セラミック電子部品の例として積層セラミックコンデンサについて説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付すこととする。

＜積層セラミックコンデンサの外形＞
　図１に基づいて、積層セラミックコンデンサ１の外観の概要を説明する。図１は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１を示す斜視図である。積層セラミックコンデンサ１は、積層体２及び外部電極２０を備える。外部電極２０は、第１の外部電極２０ａ及び第２の外部電極２０ｂを含む。

＜方向の定義＞
　図１から図７には、Ｌ方向、Ｗ方向及びＴ方向が示されている。Ｌ方向は、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌである。Ｗ方向は、積層セラミックコンデンサ１の幅方向Ｗである。Ｔ方向は、積層セラミックコンデンサ１の積層方向Ｔである。これにより、図４に示す断面はＬＴ断面と称され、図５に示す断面はＷＴ断面と称される。長さ方向Ｌ、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔは、必ずしも互いに直交する関係でなくてもよい。長さ方向Ｌ、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔは、互いに交差する関係であってもよい。

＜積層体の外形＞
　積層体２は、図１に示すように、略直方体型の形状を有する。積層体２は、２つの主面Ｍ、２つの端面Ｅ及び２つの側面Ｓを有する。主面Ｍは、積層方向Ｔに対向する面である。端面Ｅは、長さ方向Ｌに対向する面である。側面Ｓは、幅方向Ｗに対向する面である。２つの主面Ｍを、第１の主面Ｍ１及び第２の主面Ｍ２とする。２つの端面Ｅを、第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２とする。２つの側面Ｓを、第１の側面Ｓ１及び第２の側面Ｓ２とする。

　積層体２の角部には、丸みがつけられていることが好ましい。角部とは、積層体２の少なくとも２面が交る部分である。さらに、２つの主面Ｍ、２つの端面Ｅ及び２つの側面Ｓの一部又は全部には、その表面に凹凸などが形成されていてもよい。なお、積層体２の大きさは特には限定されない。

＜コンデンサ主部＞
　積層体２の構成について、図２及び図３に基づいて説明する。図２は、本発明の実施形態の積層体２の斜視図である。図３は、本発明の実施形態のコンデンサ主部３の斜視図である。積層体２は、コンデンサ主部３及び２つの絶縁部８を含む。２つの絶縁部８の一方は第１の絶縁部８ａであり、他方は第２の絶縁部８ｂである。コンデンサ主部３は、複数の誘電体層４及び複数の内部電極層１０を有する。複数の誘電体層４及び複数の内部電極層１０は、互いに積層方向Ｔに積層されている。内部電極層１０は、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂを含む。内部電極層１０の詳細については後に説明する。

　ここで、コンデンサ主部３において、幅方向Ｗに対向する２つの面を主部側面ＳＳとする。詳しくは、図３に示すように、２つの主部側面ＳＳの内、一方を第１の主部側面ＳＳ１とし、他方を第２の主部側面ＳＳ２とする。積層体２は、コンデンサ主部３の２つの主部側面ＳＳの各々に、絶縁部８が配置されることによって、形成されている。具体的には、第１の主部側面ＳＳ１に第１の絶縁部８ａが配置され、第２の主部側面ＳＳ２に第２の絶縁部８ｂが配置されている。

＜絶縁部＞
　絶縁部８は、コンデンサ主部３の２つの主部側面ＳＳに配置される部材である。絶縁部８は、シート状の形状を有する。絶縁部８を構成する材料は、絶縁性を有すれば特には限定されない。絶縁部８を構成する材料は、その主成分が誘電体層４を構成する材料と同様の成分であってもよい。又は、絶縁部８を構成する材料は、樹脂成分であっても良い。

＜積層体とコンデンサ主部の面＞
　前述のように、積層体２は、コンデンサ主部３の２つの主部側面ＳＳに絶縁部８が配置されることで構成されている。そのため、積層体２の端面Ｅは、コンデンサ主部３における端面Ｅと同じである。同様に、積層体２の主面Ｍは、コンデンサ主部３における主面Ｍと同じである。これに対して、積層体２の側面Ｍは、コンデンサ主部３の主部側面ＳＳに配置された絶縁部８の表面となる。具体的には、第１の絶縁部８ａにおける第１の主部側面ＳＳ１に対向する表面が、積層体２の第１の側面Ｓ１となる。同様に、第２の絶縁部８ｂにおける第２の主部側面ＳＳ２に対向する表面が、積層体２の第２の側面Ｓ２となる。

　コンデンサ主部３の２つの主部側面ＳＳ及び２つの端面Ｅからは、内部電極層１０が露出している。具体的には、コンデンサ主部３の第１の端面Ｅ１からは第１の内部電極層１０ａが露出し、コンデンサ主部３の第２の端面Ｅ２からは第２の内部電極層１０ｂが露出している。また、コンデンサ主部３の第１の主部側面ＳＳ１及び第２の主部側面ＳＳ２からは、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂが露出している。この、第１の主部側面ＳＳ１及び第２の主部側面ＳＳ２から露出する第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂは、第１の主部側面ＳＳ１に第１の絶縁部８ａが配置され、また第２の主部側面ＳＳ２に第２の絶縁部８ｂが配置されることで、外部から絶縁される。なお、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂは、第１の主部側面ＳＳ１及び第２の主部側面ＳＳ２から露出しないようにすることもできる。すなわち、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂは、第１の主部側面ＳＳ１及び第２の主部側面ＳＳ２において誘電体層４に覆われていてもよい。コンデンサ主部３の具体的な構成については、図４及び図５を参照しながら説明する。

＜積層体の内部構造（ＬＴ断面）＞
　図４に基づいて、積層体２の内部構造について説明する。図４は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＩ－Ｉ線断面図である。図４に示す積層体２の部分の断面は、コンデンサ主部３の対応する部分のＬＴ断面である。積層体２は、図４に示すように、複数の誘電体層４及び複数の内部電極層１０を有する。複数の誘電体層４及び複数の内部電極層１０は、互いに積層方向Ｔに積層されている。

＜内層部と外層部＞
　積層体２は、積層方向Ｔにおいて、内層部ＩＬ及び２つの外層部ＯＬを有する。外層部ＯＬは、第１の外層部ＯＬ１及び第２の外層部ＯＬ２を含む。第１の外層部ＯＬ１及び第２の外層部ＯＬ２は、内層部ＩＬを挟み込むように配置されている。

　内層部ＩＬは、複数の誘電体層４の一部及び複数の内部電極層１０を含む。内層部ＩＬでは、複数の内部電極層１０が誘電体層４を介して対向して配置されている。内層部ＩＬは、静電容量を形成する部分であり、実質的にコンデンサとして機能する部分である。これより、内層部ＩＬは、有効部とも言われる。

　第１の外層部ＯＬ１は、積層体２の第１の主面Ｍ１側に配置されており、第２の外層部ＯＬ２は、積層体２の第２の主面Ｍ２側に配置されている。具体的には、第１の外層部ＯＬ１は、複数の内部電極層１０のうち第１の主面Ｍ１に最も近い内部電極層１０と第１の主面Ｍ１との間に配置されている。第２の外層部ＯＬ２は、複数の内部電極層１０のうち第２の主面Ｍ２に最も近い内部電極層１０と第２の主面Ｍ２との間に配置されている。第１の外層部ＯＬ１及び第２の外層部ＯＬ２は、内部電極層１０を含まず、複数の誘電体層４のうち、内層部ＩＬのための誘電体層４を除く残りの誘電体層４を含む。第１の外層部ＯＬ１及び第２の外層部ＯＬ２は、内層部ＩＬの保護層として機能する。

＜誘電体層＞
　誘電体層４は、外層誘電体層５及び内層誘電体層６を含む。
＜外層誘電体層＞
　外層誘電体層５は、誘電体層４のうち、第１の外層部ＯＬ１及び第２の外層部ＯＬ２を構成する誘電体層４である。外層誘電体層５は、第１の主面Ｍ１と、第１の主面Ｍ１に最も近い内部電極層１０との間、及び、第２の主面Ｍ２と、第２の主面Ｍ２に最も近い内部電極層１０との間に位置する。

＜内層誘電体層＞
　内層誘電体層６は、内部電極層１０の間に位置し、内部電極層１０とともに内層部ＩＬを構成する誘電体層４である。内層誘電体層６は、以下に説明する第１の内部電極層１０ａと、第２の内部電極層１０ｂとの間に位置する。

＜誘電体層の枚数＞
　積層体２に積層する誘電体層４の枚数は、例えば、５枚以上２０００枚以下とすることができる。この誘電体層４の枚数は、外層誘電体層５の枚数及び内層誘電体層６の枚数を含む枚数である。

＜誘電体層の材料＞
　誘電体層４の材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などの主成分からなる誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。

　誘電体層４は、ＢａＴｉＯ_３を基本的な構造とするペロブスカイト型化合物を含む複数の結晶粒を有することができる。ここで、誘電体層４の厚みが薄い方が、コンデンサとしての容量は大きくなる。そのため、結晶粒径は１ｕｍ以下であることが好ましい。また、誘電体層の厚みが薄くなっていくにつれて結晶粒が小さくなっていくが、結晶粒が小さくなりすぎるとサイズ効果によって比誘電率の低下を招く。そのため、結晶粒の大きさは誘電体層の厚みによって適宜設計される。

　なお、積層体２に圧電体セラミックを用いた場合には、積層セラミック電子部品は、セラミック圧電素子として機能する。圧電セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。

　積層体２に半導体セラミックを用いた場合には、積層セラミック電子部品は、サーミスタ素子として機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。

　また、積層体に磁性体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、インダクタ素子として機能する。また、積層セラミック電子部品がインダクタ素子として機能する場合には、内部電極層は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。

＜誘電体層の厚み＞
　誘電体層４の厚みは、例えば、０．３ｕｍ以上１００ｕｍ以下とすることができる。また、外層誘電体層５は、複数枚でもあっても、一枚であっても良い。

＜内部電極層＞
　内部電極層１０は、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂを含む。第１の内部電極層１０ａは、第１の外部電極２０ａに接続された内部電極層１０である。第２の内部電極層１０ｂは、第２の外部電極２０ｂに接続された内部電極層１０である。外部電極２０については、後に説明する。第１の内部電極層１０ａは、第１の端面Ｅ１から、第２の端面Ｅ２に向かって延在する。第２の内部電極層１０ｂは、第２の端面Ｅ２から、第１の端面Ｅ１に向かって延在する。

＜対向部と引き出し部＞
　第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂは、それぞれ、対向電極部１１及び引き出し電極部１２を有する。対向電極部１１は、内部電極層１０において、第１の内部電極層１０ａと第２の内部電極層１０ｂとが積層方向Ｔにおいて対向する部分である。引き出し電極部１２は、内部電極層１０において、対向電極部１１から、積層体２の端面Ｅ１又は端面Ｅ２まで引き出された部分である。

　第１の内部電極層１０ａの対向電極部１１を第１の対向電極部１１ａとし、第１の内部電極層１０ａの引き出し電極部１２を第１の引き出し電極部１２ａとする。第１の引き出し電極部１２ａは、第１の対向電極部１１ａから、積層体２の第１の端面Ｅ１まで引き出された部分である。同様に、第２の内部電極層１０ｂの対向電極部１１を第２の対向電極部１１ｂとし、第２の内部電極層１０ｂの引き出し電極部１２を第２の引き出し電極部１２ｂとする。第２の引き出し電極部１２ｂは、第２の対向電極部１１ｂから、積層体２の第２の端面Ｅ２まで引き出された部分である。

＜内部電極層の枚数＞
　内部電極層１０の枚数は、例えば、１０枚以上２０００枚以下とすることができる。この内部電極層１０の枚数は、第１の内部電極層１０ａの枚数及び第２の内部電極層１０ｂの枚数を含む枚数である。

＜内部電極層の厚み＞
　内部電極層１０の厚みは、例えば、０．１μｍ以上５．０μｍ以下、好ましくは、０．２ｕｍ以上２．０ｕｍ以下とすることができる。内部電極層１０の厚みが０．５μｍ以上である場合には、外部電極２０の金属層をめっきにより形成する際に、めっき膜が成長しやすくなる。金属層については、後に説明する。

＜内部電極層の材料＞
　内部電極層１０の材料は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、及びＡｕなどの金属や、ＮｉとＣｕの合金やＡｇとＰｄの合金などとすることができる。内部電極層１０の材料は、それに加えて、誘電体層４に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。

＜電極対向部＞
　積層体２の長さ方向Ｌの区分について説明する。積層体２は、長さ方向Ｌにおいて、電極対向部ＬＦ、及び２つのエンドギャップ部ＥＧを有する。エンドギャップ部ＥＧは、第１のエンドギャップ部ＥＧ１及び第２のエンドギャップ部ＥＧ２を有する。電極対向部ＬＦは、第１の内部電極層１０ａと第２の内部電極層１０ｂとが積層方向Ｔにおいて対向する部分である。電極対向部ＬＦでは、第１の対向電極部１１ａと第２の対向電極部１１ｂとが積層方向Ｔにおいて対向している。電極対向部ＬＦは、積層体２の長さ方向Ｌにおいて、中央部分に位置する。第１の対向電極部１１ａと第２の対向電極部１１ｂとが内層誘電体層６を介して対向することで容量が形成される。これより、電極対向部ＬＦは、有効部とも言われる。

＜エンドギャップ部＞
　エンドギャップ部は、第１の内部電極層１０ａと第２の内部電極層１０ｂとが積層方向Ｔにおいて対向しない部分である。具体的には、積層方向Ｔにおいて、第１の内部電極層１０ａは配置されているものの、第２の内部電極層１０ｂが配置されていない部分が、第１のエンドギャップ部ＥＧ１である。同様に、第２の内部電極層１０ｂは配置されているものの、第１の内部電極層１０ａが配置されていない部分が、第２のエンドギャップ部ＥＧ２である。

　第１のエンドギャップ部ＥＧ１は、第１の引き出し電極部１２ａが配置されている部分に対応し、第２のエンドギャップ部ＥＧ２は、第２の引き出し電極部１２ｂが配置されている部分に対応する。第１のエンドギャップ部ＥＧ１は、第１の内部電極層１０ａの第１の端面Ｅ１への引出電極として機能し、第２のエンドギャップ部ＥＧ２は、第２の内部電極層１０ｂの第２の端面Ｅ２への引出電極として機能する。エンドギャップ部ＥＧは、長さ方向Ｌにおける区分であるため、Ｌギャップともいわれる。

　エンドギャップ部ＥＧの長さ方向Ｌの長さは、例えば、５μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。

　なお、内部電極層１０などの具体的な構成は、種々変更することが可能である。例えば、第１の内部電極層１０ａの第１の対向電極部１１ａの形状は、特に限定されないが矩形状であることが好ましい。もっとも、そのコーナー部が丸められていても良く、また、コーナー部が斜めに形成されていてもよい。すなわち、コーナー部は、テーパー状とされていてもよい。また、第１の対向電極部１１ａのいずれかの縁部に向かうにつれて傾斜がついているテーパー状であってもよい。

　同様に、第２の内部電極層１０ｂの第２の対向電極部１１ｂの形状は、特に限定されないが矩形状であることが好ましい。もっとも、そのコーナー部が丸められていても良く、また、コーナー部が斜めに形成されていてもよい。すなわち、コーナー部は、テーパー状とされていてもよい。また、第２の対向電極部１１ｂのいずれかの縁部に向かうにつれて傾斜がついているテーパー状であってもよい。

　同様に、第１の内部電極層１０ａの第１の引き出し電極部１２ａの形状は、特に限定されないが矩形状であることが好ましい。もっとも、そのコーナー部が丸められていても良く、また、コーナー部が斜めに形成されていてもよい。すなわち、コーナー部は、テーパー状とされていてもよい。また、第１の引き出し電極部１２ａのいずれかの縁部に向かうにつれて傾斜がついているテーパー状であってもよい。

　同様に、第２の内部電極層１０ｂの第２の引き出し電極部１２ｂの形状は、特に限定されないが矩形状であることが好ましい。もっとも、そのコーナー部が丸められていても良く、また、コーナー部が斜めに形成されていてもよい。すなわち、コーナー部は、テーパー状とされていてもよい。また、第２の引き出し電極部１２ｂのいずれかの縁部に向かうにつれて傾斜がついているテーパー状であってもよい。

　第１の内部電極層１０ａの第１の対向電極部１１ａの幅と、第１の内部電極層１０ａの第１の引き出し電極部１２ａの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方が、幅が狭く形成されていてもよい。

　第２の内部電極層１０ｂの第２の対向電極部１１ｂの幅と、第２の内部電極層１０ｂの第２の引き出し電極部１２ｂの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方が、幅が狭く形成されていてもよい。

　第１の内部電極層１０ａの第１の引き出し電極部１２ａは、積層体２の第１の端面Ｅ１の中央に向かうように湾曲していてもよい。

　第２の内部電極層１０ｂの第２の引き出し電極部１２ｂは、積層体２の第２の端面Ｅ２の中央に向かうように湾曲していてもよい。

　各端面Ｅに引き出された内部電極層１０の最も第１の主面Ｍ１の側の内部電極層１０と、最も第２の主面Ｍ２の側の内部電極層１０との距離は、最も第１の主面Ｍ１の側の対向電極部１１と最も第２の主面Ｍ２の側の対向電極部１１との距離よりも短くなっていてもよい。

　本実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、内部電極層１０の対向電極部１１同士が誘電体層４を介して対向することで容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。コンデンサの容量を高容量にするためには内部電極層１０の表面積を多くする必要がある。そのため、内部電極層１０のＬＷ面のカバレッジは９０％以上であることが好ましい。ＬＷ面のカバレッジとは、内部電極層１０をＬＷ面から見た際に、内部電極層１０の縁部の内側の面積に対する、その面積から空隙の面積を引いた残りの面積の割合で定義される。

　ＬＷ面のカバレッジが高いほうがコンデンサの容量は高くなる。なお、ＬＷ面のカバレッジが低い場合には、誘電体層４どうしが空隙を介して接合されるため層間の接合強度が高くなり、層間剥離が起きにくくなる。

　また、内部電極層１０は、厚みが一様になっていることが好ましいが、幅方向Ｗの縁部の厚みが幅方向Ｗの中央部の厚みに比べて厚くなっていても良い。

＜段差層＞
　また、Ｌギャップ、すなわちエンドギャップ部ＥＧには、段差層が配置されていてもよい。段差層とは、エンドギャップ部ＥＧと電極対向部ＬＦとの、積層方向Ｔの長さの差を小さくするために、エンドギャップ部ＥＧに追加して配置される誘電体層４である。段差層は、内部電極層１０がその段差層の一部を覆うように配置されていても良い。又は、それとは逆に、段差層が内部電極層１０の一部を覆うように配置されていても良い。段差層は、内部電極層１０と同様の厚みを有すことが好ましい。また、段差層は、誘電体層４と同様の成分を有することが好ましい。ただし、誘電体層４の成分は、これに限定されるものではない。

＜ダミー電極層＞
　Ｌギャップには、ダミー電極層が配置されていてもよい。ダミー電極層は、内層部ＩＬ及び外層部ＯＬのうちの少なくとも一方に配置することができる。ここで、外層部ＯＬは、第１の外層部ＯＬ１及び第２の外層部ＯＬ２を含む。ダミー電極層を外層部ＯＬに配置する場合、ダミー電極層は、Ｌギャップを積層方向Ｔに平行移動した場所に該当する部分上に配置されることが好ましい。すなわち、ダミー電極層は、外層部ＯＬの長さ方向ＬにおけるＬギャップに対応する位置に配置されることが好ましい。

　ダミー電極層は、第１のダミー電極層及び第２のダミー電極層を含むことができる。第１のダミー電極層は、第１の内部電極層１０ａの厚みの総和と同様の厚みであることが好ましい。つまり、第１のダミー電極層は、第１の内部電極層１０ａの厚み×第１の内部電極層１０ａの枚数と同様の厚みであることが好ましい。第１のダミー電極層は、第１の内部電極層１０ａの厚みの総和と同様の厚みを有していれば、一枚であっても複数枚であってもよい。

　第２のダミー電極層も、第１のダミー電極層と同様である。すなわち、第２のダミー電極層は、第２の内部電極層１０ｂの厚みの総和と同様の厚みであることが好ましい。つまり、第２のダミー電極層は、第２の内部電極層１０ｂの厚み×第２の内部電極層１０ｂの枚数と同様の厚みであることが好ましい。第２のダミー電極層は、第２の内部電極層１０ｂの厚みの総和と同様の厚みを有していれば、一枚であっても複数枚であってもよい。

＜外部電極＞
　外部電極２０は、第１の外部電極２０ａ及び第２の外部電極２０ｂを含む。
＜第１の外部電極＞
　第１の外部電極２０ａは、積層体２の第１の端面Ｅ１に配置された外部電極２０である。第１の外部電極２０ａは、第１の内部電極層１０ａと電気的に接続されている。

＜第２の外部電極＞
　第２の外部電極２０ｂは、積層体２の第２の端面Ｅ２に配置された外部電極２０である。第２の外部電極２０ｂは、第２の内部電極層１０ｂと電気的に接続されている。

＜各面の外部電極＞
　外部電極２０は、端面Ｅから、２つの主面Ｍの一部まで及び２つの側面Ｓの一部まで延在する。外部電極２０のうち、端面Ｅに配置された部分を端面外部電極２５とする。外部電極２０のうち、主面Ｍの一部に配置された部分を主面外部電極２６とする。外部電極２０のうち、側面Ｓの一部に配置された部分を側面外部電極２７とする。

　具体的には、第１の外部電極２０ａのうち、第１の端面Ｅ１に配置された部分を第１の端面外部電極２５ａとする。第１の外部電極２０ａのうち、第１の主面Ｍ１の一部又は第２の主面Ｍ２の一部に配置された部分を第１の主面外部電極２６ａとする。第１の外部電極２０ａのうち、第１の側面Ｓ１の一部又は第２の側面Ｓ２の一部に配置された部分を第１の側面外部電極２７ａとする。

　また、第２の外部電極２０ｂについても第１の外部電極２０ａと同様に、第２の外部電極２０ｂのうち、第２の端面Ｅ２に配置された部分を第２の端面外部電極２５ｂとする。第２の外部電極２０ｂのうち、第１の主面Ｍ１の一部又は第２の主面Ｍ２の一部に配置された部分を、第２の主面外部電極２６ｂとする。第２の外部電極２０ｂのうち、第１の側面Ｓ１の一部又は第２の側面Ｓ２の一部に配置された部分を、第２の側面外部電極２７ｂとする。

＜外部電極の層構成＞
　外部電極２０の層構成を、図４及び図５に基づいて説明する。外部電極２０は、下地電極層２１、内めっき層２３及び表めっき層２４の３層を含む。これらの層は、積層体２の端面Ｅから、下地電極層２１、内めっき層２３、表めっき層２４の順に配置されている。具体的には、第１の外部電極２０ａは、第１の下地電極層２１ａ、第１の内めっき層２３ａ及び第１の表めっき層２４ａを含む。同様に、第２の外部電極２０ｂは、第２の下地電極層２１ｂ、第２の内めっき層２３ｂ及び第２の表めっき層２４ｂを含む。

＜下地電極層＞
　第１の下地電極層２１ａは、積層体２の第１の端面Ｅ１の上に配置されており、第１の端面Ｅ１を覆う。第１の下地電極層２１ａは、第１の端面Ｅ１から、第１の主面Ｍ１の一部、第２の主面Ｍ２の一部、第１の側面Ｓ１の一部及び第２の側面Ｓ２の一部に延びていてもよい。

　同様に、第２の下地電極層２１ｂは、積層体２の第２の端面Ｅ２の上に配置されており、第２の端面Ｅ２を覆う。第２の下地電極層２１ｂは、第２の端面Ｅ２から、第１の主面Ｍ１の一部、第２の主面Ｍ２の一部、第１の側面Ｓ１の一部及び第２の側面Ｓ２の一部に延びていてもよい。

　第１の下地電極層２１ａ及び第２の下地電極層２１ｂは、焼き付け層、導電性樹脂層、薄膜層及び直接めっき層などから選ばれる少なくとも１つを含む。

＜焼き付け層＞
　焼き付け層は、ガラス成分及び金属を含む。ガラス成分としては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉなどから選ばれる少なくとも１つを含む。金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕなどから選ばれる少なくとも１つを含む。焼き付け層は、複数層であってもよい。また、焼き付け層は、ガラス成分及び金属を含む導電性ペーストを積層体２に塗布し、その後焼き付けたものである。この焼き付け、すなわち焼成は、内部電極層１０の焼成と同時でもよく、又は、内部電極層１０を焼成した後に、別途焼成してもよい。

　第１の端面Ｅ１に位置する第１の下地電極層２１ａ及び第２の端面Ｅ２に位置する第２の下地電極層２１ｂの積層方向Ｔの中央部における第１の焼き付け層及び第２の焼き付け層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

　第１の主面Ｍ１及び第２の主面Ｍ２、並びに第１の側面Ｓ１及び第２の側面Ｓ２の上に焼き付け層を設ける場合には、各面上における下地電極層２１の長さ方向の中央部における焼き付け層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

＜導電性樹脂層＞
　次に、第１の下地電極層２１ａ及び第２の下地電極層２１ｂが、導電性樹脂層を含む場合について説明する。

　導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂及び金属を含む。導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含む。そのため、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。そのため、積層セラミックコンデンサ１などのセラミック電子部品に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、コンデンサへのクラックを防止することができる。

　導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、又はそれらの合金を使用することができる。また、金属として金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。金属として金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する場合には、金属粉としてＣｕやＮｉを使用することが好ましい。また、金属としてＣｕに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。導電性金属にＡｇの導電性金属粉を使用する理由は、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、また、Ａｇは貴金属であるため酸化せず対抗性が高いためである。なお、Ａｇコーティングされた金属を使用する理由は、上記のＡｇの特性は生かしつつＡｇの使用量を減らし、母材の金属を安価なものにすることが可能になるためである。

　金属は、導電性樹脂全体の体積に対して、３５ｖｏｌ％以上７５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。導電性樹脂層に含まれる金属の形状は、特に限定されない。金属の形状、言い換えると導電性フィラーの形状は、球状又は扁平状などであってもよい。導電性樹脂層に含まれる金属の平均粒径は、特に限定されない。金属、例えば導電性フィラーの平均粒径は、例えば、０．３μｍ以上１０μｍ以下程度とすることができる。

　ここで、導電性樹脂層に含まれる金属は、主に導電性樹脂層の通電性を担う。具体的には、導電性フィラーどうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。導電性樹脂層に含まれる金属は、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いるのが好ましい。

　導電性樹脂層に用いられる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は最も適切な樹脂の一つである。また、導電性樹脂層に含まれる樹脂は、導電性樹脂全体の体積に対して、２５ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。さらに、導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を、エポキシ樹脂の硬化剤として用いることができる。

　導電性樹脂層は、焼き付け層上に焼き付け層を覆うように配置されてもよく、又は積層体２の上に直接配置されてもよい。また、導電性樹脂層は、複数層であってもよい。

　第１の端面Ｅ１に位置する第１の下地電極層２１ａ及び第２の端面Ｅ２に位置する第２の下地電極層２１ｂの積層方向Ｔの中央部における第１の導電性樹脂層及び第２の導電性樹脂層の厚みは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。

　第１の主面Ｍ１及び第２の主面Ｍ２、並びに第１の側面Ｓ１及び第２の側面Ｓ２の上に導電性樹脂層を設ける場合には、各面上における下地電極層２１の長さ方向の中央部における導電性樹脂層の厚みは、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

＜薄膜層＞
　次に、第１の下地電極層２１ａ及び第２の下地電極層２１ｂが、薄膜層を含む場合には、薄膜層は、スパッタ法又は蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層とすることができる。

＜直接めっき層＞
　外部電極２０は、直接めっき層を含むことができる。直接めっき層は積層体２の表面に直接形成されるめっき層である。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極層１０ａ又は第２の内部電極層１０ｂに電気的に接続される直接めっき層を含む構造であってもよい。直接めっき層を形成する場合、前処理として積層体２の表面に触媒を配設した後で、直接めっき層が形成されるようにしてもよい。

　直接めっき層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｂｉ又はＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属又は当該金属を含む合金を含むことが好ましい。例えば、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂがＮｉを用いて形成されている場合、直接めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。直接めっき層の１層あたりの厚みは、１．０μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。また、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。

　下地電極層２１の上のめっき層は、一層でも複数層でもよい。めっき層を二層にする場合には、下層から、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の順とすることが好ましい。また、めっき層を三層にする場合には、下層から、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層とすることが好ましい。これらの中で、好ましくは、Ｎｉめっき及びＳｎめっきの２層構造である。以下は、めっき層が、内めっき層２３及び表めっき層２４の２層である場合を説明する。

＜内めっき層＞
　内めっき層２３は、下地電極層２１の上に配置されており、下地電極層２１の少なくとも一部を覆う。

＜表めっき層＞
　表めっき層２４は、内めっき層２３の上に配置されており、内めっき層２３の少なくとも一部を覆う。

　内めっき層２３及び表めっき層２４を含め、めっき層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ及びＳｎ等の金属、並びにＡｇ－Ｐｄ合金等の合金の中から選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。中でも、内めっき層２３は、好ましくはＮｉめっき層であり、表めっき層２４は、好ましくはＳｎめっき層である。Ｎｉめっき層は、下地電極層がセラミック電子部品を実装する際のはんだによって侵食されることを防止することができる。Ｓｎめっき層は、セラミック電子部品を実装する際のはんだの濡れ性を向上させ、実装を容易にすることができる。表めっき層２４をＳｎめっき層とすることで、外部電極２０に対するはんだの濡れ性を向上させることができる。めっき層一層あたりの厚みは、１．０μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

＜積層体の内部構造（ＷＴ断面）＞
　図５に基づいて、積層体２の内部構造、特には、第２の端面Ｅ２から内部構造を説明する。図５は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩ－ＩＩ線断面図である。積層体２は、幅方向Ｗにおいて、内部電極層１０が対向する電極対向部ＷＦ、及びサイドギャップ部ＳＧを有する。サイドギャップ部ＳＧは、第１のサイドギャップ部ＳＧ１及び第２のサイドギャップ部ＳＧ２を含む。第１のサイドギャップ部ＳＧ１及び第２のサイドギャップ部ＳＧ２は、電極対向部ＷＦを挟み込むように配置されている。第１のサイドギャップ部ＳＧ１は、電極対向部ＷＦと第１の側面Ｓ１との間に位置し、第２のサイドギャップ部ＳＧ２は、電極対向部ＷＦと第２の側面Ｓ２との間に位置する。

　具体的には、第１のサイドギャップ部ＳＧ１は、内部電極層１０の第１の側面Ｓ１側の端と第１の側面Ｓ１との間に位置し、第２のサイドギャップ部ＳＧ２は、内部電極層１０の第２の側面Ｓ２側の端と第２の側面Ｓ２との間に位置する。第１のサイドギャップ部ＳＧ１及び第２のサイドギャップ部ＳＧ２は、内部電極層１０を含まず、誘電体層４のみを含む。第１のサイドギャップ部ＳＧ１及び第２のサイドギャップ部ＳＧ２は、内部電極層１０の保護層として機能する。サイドギャップ部ＳＧは、幅方向Ｗおける区分であるため、Ｗギャップともいわれる。

　サイドギャップ部ＳＧの幅方向Ｗの長さは、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。

＜積層セラミックコンデンサの大きさ＞
　積層セラミックコンデンサ１の大きさ特には限定されない。積層セラミックコンデンサ１の大きさは、例えば下記のようにすることができる。すなわち、積層体２及び外部電極２０を含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの寸法をＬ寸法とする。Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上６．５ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層体２及び外部電極２０を含む積層セラミックコンデンサ１の積層方向Ｔの寸法をＴ寸法とする。Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上６．５ｍｍ以下であることが好ましい。さらに、積層体２及び外部電極２０を含む積層セラミックコンデンサ１の幅方向Ｗの寸法をＷ寸法とする。Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上５．５ｍｍ以下であることが好ましい。なお、積層体２及び外部電極２０の各部の長さは、マイクロメータ又は光学顕微鏡で測定することができる。

　また、本実施形態では、積層セラミックコンデンサ１は、２端子のコンデンサとした。

＜角部＞
　本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ主部３の角部に特徴がある。図６及び図７に基づいて説明する。図６（ａ）は図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図であり、（ｂ）は、従来の積層セラミックコンデンサにおける、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図に相当する図である。図７は、本発明の他の実施形態における、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図に相当する図である。

　本実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、コンデンサ主部３において、主面Ｍと主部側面ＳＳとが交わる部分である角部Ｃは湾曲している。そして、絶縁部８は、角部Ｃを被覆している。

＜角部の定義＞
　コンデンサ主部３において、第１の主面Ｍ１と第１の主部側面ＳＳ１とが交わる角部を角部Ｃ１とし、第２の主面Ｍ２と第１の主部側面ＳＳ１とが交わる角部を角部Ｃ２とする。同様に、コンデンサ主部３において、第１の主面Ｍ１と第２の主部側面ＳＳ２とが交わる角部を角部Ｃ３とし、第２の主面Ｍ２と第２の主部側面ＳＳ２とが交わる角部を角部Ｃ４とする。

＜角部の湾曲＞
　本実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、角部Ｃは湾曲している。図６（ｂ）に示すように、従来の積層セラミックコンデンサ１では、角部Ｃは、コンデンサ主部３の長さ方向Ｌから見たとき、言い換えると、ＷＴ断面において、略直角に折れ曲がっている。これに対して、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、図６（ａ）に示すように、角部Ｃは湾曲している。具体的には、角部Ｃ１は、第１の主面Ｍ１と第１の主部側面ＳＳ１とに跨って湾曲している。他の角部Ｃも同様である。角部Ｃ２は、第２の主面Ｍ２と第１の主部側面ＳＳ１とに跨って湾曲している。角部Ｃ３は、第１の主面Ｍ１と第２の主部側面ＳＳ２とに跨って湾曲している。角部Ｃ４は、第２の主面Ｍ２と第２の主部側面ＳＳ２とに跨って湾曲している。

＜絶縁部による被覆＞
　絶縁部８は、この湾曲した角部Ｃを被覆している。すなわち、図６（ａ）に示すように、絶縁部８は、コンデンサ主部３の長さ方向Ｌから見たとき、言い換えると、ＷＴ断面において、角部Ｃを被覆している。

　第２の角部Ｃ２を例にして説明する。第２の角部Ｃ２の外縁は、第２の主面Ｍ２と第１の主部側面ＳＳ１とが交わる点である点Ｐ３を通過していない。点Ｐ３近傍に外層誘電体層５が存在しないことで、第２の角部Ｃ２が湾曲させられているためである。

　第１の主部側面ＳＳ１における点Ｐ３よりも第１の主面Ｍ１の側の点を点Ｐ２とする。また、第２の主面Ｍ２における点Ｐ３よりも第２の主部側面ＳＳ２の側の点を点Ｐ４とする。第２の角部Ｃ２は、点Ｐ２と点Ｐ４とを曲線で結ぶような形態で湾曲している。

　そして、第１の絶縁部８ａは、点Ｐ２、点Ｐ３及び点Ｐ４で囲まれる部分にも配置されている。これにより、第２の角部Ｃ２は、点Ｐ２から点Ｐ４まで第１の絶縁部８ａにより覆われている。

　第１の角部Ｃ１以外の角部、すなわち第２の角部Ｃ２、第３の角部Ｃ３及び第４の角部Ｃ４についても同様である。以上のように、第１の絶縁部８ａは第１の角部Ｃ１及び第２の角部Ｃ２を被覆し、第２の絶縁部８ｂは第３の角部Ｃ３及び第４の角部Ｃ４を被覆している。

＜連続被覆＞
　絶縁部８は、コンデンサ主部３をその長さ方向Ｌから見たとき、角部Ｃを連続して被覆している。特には、絶縁部８は、角部Ｃをその主部側面ＳＳの上の端点を起点として、その起点から連続して角部Ｃを被覆している。第２の角部Ｃ２を例にして説明する。図６（ａ）に示すように、第２の角部Ｃ２において、第１の絶縁部８ａは、点Ｐ２から点Ｐ４まで、コンデンサ主部３と離れることなく、連続して第２の角部Ｃ２を被覆している。

　ここで、点Ｐ２は、第２の角部Ｃ２における、第１の主部側面ＳＳ１の上の端点である。したがって、第１の絶縁部８ａは、積層体２をその長さ方向Ｌから見たとき、第２の角部Ｃ２を第１の主部側面ＳＳ１から連続して被覆していると言える。第２の角部Ｃ２以外の角部Ｃについても同様である。

　以上のように、コンデンサ主部３をその長さ方向Ｌから見たとき、第１の絶縁部８ａは、第１の角部Ｃ１及び第２の角部Ｃ２を連続して被覆し、同様に、第２の絶縁部８ｂ、第３の角部Ｃ３及び第４の角部Ｃ４を連続して被覆している。

＜被覆率＞
　また、絶縁部８は、コンデンサ主部３をその長さ方向Ｌから見たとき、角部Ｃの主部側面ＳＳの上の端点から、角部Ｃの形状に沿って、角部Ｃの５０％以上を被覆している。第２の角部Ｃ２を例にして説明する。図６（ａ）に示すように、第２の角部Ｃ２において、第１の絶縁部８ａは、点Ｐ２から点Ｐ４まで、コンデンサ主部３と離れることなく、連続して第２の角部Ｃ２を被覆している。点Ｐ２は、第２の角部Ｃ２における、第１の主部側面ＳＳ１の上の端点である。したがって、第１の絶縁部８ａは、積層体２をその長さ方向Ｌから見たとき、第２の角部Ｃ２を第１の主部側面ＳＳ１の上の端点である点Ｐ２から、第２の角部Ｃ２の形状に沿って、第２の角部Ｃ２の５０％以上を被覆している。第２の角部Ｃ２以外の角部Ｃについても同様である。

　以上のように、コンデンサ主部３の長さ方向Ｌから見たとき、第１の絶縁部８ａは、第１の角部Ｃ１及び第２の角部Ｃ２の第１の主部側面ＳＳ１の上の端点から、第１の角部Ｃ１及び第２の角部Ｃ２の形状に沿って、第１の角部Ｃ１及び第２の角部Ｃ２の５０％以上を被覆し、同様に、第２の絶縁部８ｂは、第３の角部Ｃ３及び第４の角部Ｃ４の第２の主部側面ＳＳ２の上の端点から、第３の角部Ｃ３及び第４の角部Ｃ４の形状に沿って、第３の角部Ｃ３及び第４の角部Ｃ４の５０％以上を被覆している。

＜表面の粗さ＞
　次に、角部Ｃの粗さについて説明する。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、角部Ｃの粗さは、角部Ｃの上に位置する絶縁部８の粗さよりも大きい。言い換えると、角部Ｃの粗さは、その角部Ｃに対応する積層体２の角部の粗さよりも大きい。以下、説明する。

＜外側角部＞
　第１の絶縁部８ａにおいて、第１の主面Ｍ１と第１の側面Ｓ１とが交わる角部を第１の外側角部Ｋ１とする。また、第１の絶縁部８ａにおいて、第２の主面Ｍ２と第１の側面Ｓ１とが交わる角部を第２の外側角部Ｋ２とする。同様に、第２の絶縁部８ｂにおいて、第１の主面Ｍ１と第２の側面Ｓ２とが交わる角部を第３の外側角部Ｋ３とする。また、第２の絶縁部８ｂにおいて、第２の主面Ｍ２と第２の側面Ｓ２とが交わる角部を第３の外側角部Ｋ４とする。なお、前述のように、第１の側面Ｓ１とは、第１の絶縁部８ａにおける、第１の主部側面ＳＳ１に接する面と対向する面である。また、第２の側面Ｓ２とは、第２の絶縁部８ｂにおける、第２の主部側面ＳＳ２に接する面と対向する面である。

　本実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、第１の角部Ｃ１の粗さは、第１の外側角部Ｋ１の粗さより大きい。同様に、第２の角部Ｃ２の粗さは、第２の外側角部Ｋ２の粗さより大きく、第３の角部Ｃ３の粗さは、第３の外側角部Ｋ３の粗さより大きく、また、第４の角部Ｃ４の粗さは、第４の外側角部Ｋ４の粗さより大きい。

　角部Ｃの粗さをこのように大きくすることで、角部Ｃの表面形状によるアンカー効果によってコンデンサ主部３と絶縁部８との固着力を増すことができる。これにより、剥がれの発生を防止したり抑制したりすることができる。

　角部Ｃの粗さは、０．０５ｕｍ以上１．００ｕｍ未満であることが好ましい。粗さが０．０５ｕｍ未満となると、アンカー効果が十分ではなくなりやすい。また、粗さが１．００ｕｍ以上になると、表面の凹凸が大きくなりすぎるため、コンデンサ主部３と絶縁部８とが十分に固着できず、エア噛みやはがれが起きてしまう可能性がある。

＜表面の粗さの測定方法＞
　表面の粗さの測定は、以下のようにして行うことができる。すなわち、積層体２の１／２ＷＴ面断面をＳＥＭで観察する。そして、積層体２と絶縁部８とで二値化し、コンデンサ主部３の角部Ｃ、及び、積層体２の外側角部Ｋの粗さを測定する。なお、積層体２の外側角部Ｋと、絶縁部８の外側角部Ｋとは同じ意味であり、同じ位置を示す。より具体的には、コンデンサ主部３の角部Ｃ、及び、積層体２の外側角部Ｋの輪郭線をもとにキーエンス製のデジタルマイクロスコープを用いて、画像解析ソフトで粗さを計測した。この画像解析ソフトで計測される粗さは、ＩＳＯ－２５１７８規格に準拠した表面粗さＳａである。

＜角部の他の形状＞
　角部Ｃの他の形状について説明する。図７は、本発明の他の実施形態における、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図に相当する図である。図７に示す他の実施形態においては、角部Ｃに、幅方向Ｗに向けて突出した凸部Ｖが設けられている。具体的には、図７に示すように、第１の外層部ＯＬ１において、角部Ｃ１には、第１の絶縁部８ａの方向に突出する第１の凸部Ｖ１が配置されており、また、角部Ｃ３には、第２の絶縁部８ｂの方向に突出する第３の凸部Ｖ３が配置されている。　同様に、第２の外層部ＯＬ２において、角部Ｃ２には、第１の絶縁部８ａの方向に突出する第２の凸部Ｖ２が配置されており、また、角部Ｃ４には、第２の絶縁部８ｂの方向に突出する第４の凸部Ｖ４が配置されている。

　第２の角部Ｃ２を例にして説明する。図７に、第２の角部Ｃ２に配置されている第２の凸部Ｖ２において、第２の凸部Ｖ２の第１の絶縁部８ａの方向の頂点を点Ｐ５で示している。第２の凸部Ｖ２の頂点である点Ｐ５は、図７に示すように、コンデンサ主部３の第１の主部側面ＳＳ１から、積層体２の第１の側面Ｓ１の方向に突出している。第２の凸部Ｖ２の頂点である点Ｐ５が、コンデンサ主部３の第１の主部側面ＳＳ１から積層体２の第１の側面Ｓ１の方向に突出する長さＤ５は、例えば０．５μｍ以上１０．０μｍ以下とすることができる。

　次に、凸部Ｖの積層方向Ｔにおける位置について説明する。図７に、第２の外層部ＯＬ２の積層方向Ｔにおける厚みをＤ１で示す。図７に示す線Ｌ１は、第２の外層部ＯＬ２における、第２の主面Ｍ２から第２の外層部ＯＬ２の積層方向Ｔの厚みの１０％の位置を示す。すなわち、Ｄ１：Ｄ２＝１００：１０である。また、図７に示す線Ｌ２は、第２の外層部ＯＬ２における、第２の主面Ｍ２から第２の外層部ＯＬ２の積層方向Ｔの厚みの６０％の位置を示す。すなわち、Ｄ１：Ｄ３＝１００：６０である。

　第２の凸部Ｖ２の頂点である点Ｐ５は、図７に示すように、第２の外層部ＯＬ２における積層方向Ｔにおいて、線Ｌ１から線Ｌ２までの範囲に位置している。すなわち、第２の凸部Ｖ２の頂点である点Ｐ５は、第２の主面Ｍ２から第２の外層部ＯＬ２の積層方向Ｔの厚みの１０％以上６０％以下の長さの位置に配置されている。この第２の凸部Ｖ２の配置は、第２の凸部Ｖ２以外の凸部Ｖについても同様である。以上のように、凸部Ｖは、外層部ＯＬの積層体２の積層方向Ｔの厚みの、第１の主面Ｍ１又は第２の主面Ｍ２から１０％以上６０％以下の長さの位置に配置されている。なお、凸部Ｖの位置は、凸部Ｖの幅方向Ｗにおける頂点の位置とする。

＜凸部の他の形状＞
　なお、凸部Ｖの形状には種々の変形が可能である。図８に基づいてその一例を示す。図８は、他の形態の凸部Ｖの示す図である。図８、図７の領域Ｒに対応する図である。図７に示した凸部Ｖ４では、外層誘電体層５の積層方向Ｔの全域にわたるように凸部Ｖ４が形成されていた。言い換えると、外層誘電体層５の縁面に、第２の主部側面ＳＳ２と平行な直線部分は含まれていなかった。これに対して、図８に示す凸部Ｖ４は、積層方向Ｔにおいて、凸部Ｖ４と内層部ＩＬとの間に、平坦部Ｖ４Ｆが設けられている。この平坦部Ｖ４Ｆは、外層誘電体層５の縁面において、第２の主部側面ＳＳ２と平行な直線部分である。

　図８に示す凸部Ｖ４では、第２の主部側面ＳＳ２において、第２の外層部ＯＬ２と内層部ＩＬとの境界での、コンデンサ主部３と第２の絶縁部８ｂとの密着性を向上させやすくなる。これにより、第２の外層部ＯＬ２と内層部ＩＬとの間で層間剥離が生じることや、第２の外層部ＯＬ２と内層部ＩＬとの間に水分などが侵入することを、より抑制することができる。

＜凸部の長さ方向の形状＞
　次に、図９及び図１０に基づいて、凸部Ｖの長さ方向Ｌの形状について説明する。図９は、コンデンサ主部３の一部を示す斜視図である。図１０は、他の形態のコンデンサ主部３の一部を示す斜視図である。より詳しくは、図９及び図１０は、図７の領域Ｒに含まれるコンデンサ主部３について、コンデンサ主部３の長さ方向Ｌの長さの一部分までを示す、コンデンサ主部３の一部斜視図である。図９に示す凸部Ｖと、図１０に示す凸部Ｖとは、凸部Ｖの高さであるＤ５の値が長さ方向Ｌで異なっている。

　図９に示す凸部Ｖは、その高さＤ５が長さ方向Ｌにおいて一定である。すなわち、凸部Ｖが長さ方向Ｌに連続して形成されている。

　ただし、凸部Ｖは、図９に示すように長さ方向Ｌに連続して形成されている必要はない。凸部Ｖの高さＤ５が長さ方向Ｌにおいて変化することで、複数の山が存在しているという形態にすることも可能である。すなわち、凸部Ｖを長さ方向Ｌに不均一、又は不連続な形態とすることもできる。また、不連続な形態において、その山の部分は、一定の間隔で配置されてもよいし、又は、不規則な間隔で配置されてもよい。

　図１０に、複数の山が存在している形態の一例を示す。図１０の点Ｐ５は、長さ方向Ｌにおいて、Ｄ５が最大となる点を示す。すなわち、点Ｐ５は、山の頂の位置を示す。これに対して、図１０の点Ｂ１は、長さ方向Ｌにおいて、Ｄ５が最小となる点を示す。すなわち、点Ｂ１は、山と山との谷の位置を示す。図１０に示すように、長さ方向Ｌにおいて、点Ｐ５と点Ｂ１とが複数回繰り返すように凸部Ｖを形成することができる。これにより、長さ方向Ｌに複数の山が存在しているような形態の凸部Ｖを実現することができる。

　また、凸部Ｖは、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂの何れとも接していない。第２の凸部Ｖ２を例にして説明する。図７に、第１の主部側面ＳＳ１の上における、第１の外層部ＯＬ１と内層部ＩＬとの境界を、点Ｐ１で示す。図７に示すように、第２の凸部Ｖ２は、点Ｐ１をこえて内層部ＩＬの範囲内には存在していない。そのため、第２の凸部Ｖ２は、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂの何れとも接していない。これは、第２の凸部Ｖ２以外の凸部Ｖについても同様である。以上のように、凸部Ｖは、第１の内部電極層１０ａ及び第２の内部電極層１０ｂの何れとも接していない。言い換えると、凸部Ｖは、内部電極層１０と接合されていない。

　なお、凸部Ｖは、角部Ｃの上の粗さによる突起とは別の突起とすることができる。すなわち、角部Ｃの凹凸とは不連続な凸とすることができる。又は、凸部Ｖは、角部Ｃの凹凸と連続した凸とすることもできる。すなわち、凸部Ｖは、角部Ｃから延長されたような突起とすることができる。また、凸部Ｖの突起の幅は、角部Ｃの粗さにかかる凸の幅よりも広いことが好ましい。ここで、突起及び凸の幅は、ＷＴ断面での幅を意味する。

　また、凸部Ｖを形成する材料は、その主成分を誘電体層４と同様の成分とすることが好ましい。

　前述のような凸部Ｖを配置することで、積層体２と絶縁部８との界面から水分が侵入した際に、凸部Ｖにより有効部への水分の侵入を防ぐことができる。

＜絶縁部＞
　以下、絶縁部について、説明する。絶縁部８の厚みは、１０ｕｍ以上５０ｕｍ以下であることが好ましい。絶縁部８の厚みが１０ｕｍ以下になると、コンデンサ主部３の主部側面ＳＳに露出された界面を十分に覆うことができなくなる。そのため、耐湿信頼性が低下する場合がある。一方、絶縁部８の厚みが５０ｕｍ以上になると、積層体２の寸法が大きくなりすぎてしまう。そのため、積層セラミックコンデンサ１の実装の自由度が低下する。

　また、絶縁部８は、一層であっても良いし、二層であっても良い。絶縁部８を二層とする場合、二層の厚み合計を１０ｕｍ以上５０ｕｍ以下としても良く、又は、各々の層の厚みを１０ｕｍ以上５０ｕｍ以下としても良い。絶縁部８を二層とすることで、耐湿性をより向上させることができる。

　なお、前述の説明では、第１から第４の角部Ｃを一律のものとして説明した。ただし、第１から第４の角部Ｃを一律とはせず、例えば、角部Ｃごとに、前述の形状などを異ならせることもできる。

＜積層セラミック電子部品の製造方法＞
　次に、積層セラミックコンデンサ１を例にして、積層セラミック電子部品の製造方法を説明する。以下の説明では、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法において、特徴的な部分を中心に説明する。

＜積層ブロックの作製＞
　誘電体シート及び内部電極層用の導電性ペーストを準備する。誘電体シート及び内部電極層用の導電性ペーストには、バインダ及び溶剤が含まれる。このバインダ及び溶剤には、公知の有機バインダ及び有機溶剤を用いることができる。誘電体シート上に、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで内部電極層用の導電性ペーストを印刷し、内部電極層のパターンを形成する。内部電極層のパターンが印刷されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、その上に内部電極層のパターンが印刷された誘電体シートを順次積層し、その上にもう一方の外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、積層シートを作製する。積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスし積層ブロックを作製する。

＜積層チップの作製＞
　積層ブロックを所定のサイズにカットし、積層チップを切り出す。積層チップは、焼成することで、コンデンサ主部３となる。以下、焼成前のコンデンサ主部３を、コンデンサ主部前駆体ということがある。積層チップを切り出した後、バレル研磨などにより積層チップの角部に丸みをつける。その際、バレル研磨の時間若しくは回転速度、又はその両方を変更することで、角部の周辺に凸部を形成する。

＜角部の加工＞
　積層チップの角部に丸みをつける際、角部が所望の粗さを持つように、サンドペーパーで削ること、又はサンドブラスト法などによって、角部の表面をあらすことができる。サンドペーパーを用いる場合には、粗さの粗いサンドペーパーを用いることで、角部の表面をより粗くすることができる。また、サンドペーパーの押し付け量を変えることで所望の粗さにすることができる。サンドブラスト法を用いる場合には、吹付の強さ若しくは時間、又はその両方を制御することで所望の粗さにすることができる。なお、角部が所望の粗さを有するように角部をあらす方法は、前述の方法に限定されず、種々の方法を用いることができる。

　また、積層チップの角部に丸みをつける際、例えば、サンドペーパーの押し付け量を変えることで、所望の形状の凸部Ｖを形成することができる。なお、凸部Ｖの形成方法はこれには限定されない。例えば、削られた材料を堆積させることで、凸部Ｖを形成することもできる。

＜絶縁部の形成＞
　角部を加工した後、所定の角部の形状を持ったコンデンサ主部３の前駆体の２つの主部側面ＳＳにそれぞれ絶縁部８を形成する。絶縁部８は、絶縁シートを主部側面ＳＳに打ち抜く方法をとっても良いし、Ｄｉｐ法によって主部側面ＳＳに絶縁部８を形成してもよい。

　絶縁部８を、絶縁シートを用いた打ち抜き方法で形成する場合、打ち抜く際に使用する弾性体に所望の硬度を持たせ、押し込み量を調整することで、絶縁部８を、主部側面ＳＳから角部の任意の位置まで被覆するように形成することができる。

　絶縁部８を、Ｄｉｐ法で形成する場合、Ｄｉｐする際の押し付け量若しくは絶縁ペーストの量、又はその両方を変更することで、絶縁部を所望の形状に形成することができる。

＜焼成＞
　次に、積層チップを焼成し積層体２を作製する。焼成温度は、誘電体層４や内部電極層１０の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。なお、積層チップを焼成してから絶縁部８を形成しても良いし、又は、焼成前に絶縁部８を形成し、絶縁部８が設けられた積層チップを焼成しても良い。

　前述の焼成の前に、又は前述の焼成の後に、積層体２の外側角部Ｋ、言い換えると、絶縁部８の外側角部Ｋに丸みをつけることが好ましい。また、その際、外側角部Ｋを所定の粗さにあらすこともできる。この丸みをつける方法や、表面をあらす方法は、前述の積層チップの角部に対する加工と同様の方法を用いることができる。

＜外部電極＞
　次に、外部電極２０の形成について説明する。
＜下地電極層が焼き付け層の場合＞
　まず、積層体２の両方の端面Ｅに下地電極層２１となる導電性ペーストを塗布し、下地電極層２１を形成する。焼き付け層を形成する場合には、ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストを例えばディッピングなどの方法により、塗布し、その後、焼き付け処理を行うことで、下地電極層２１を形成する。その際の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。その後、必要に応じて、焼き付け層の表面にめっきを施す。

＜導電性樹脂層を設ける場合＞
　下地電極層２１を導電性樹脂層で形成する場合には、以下の方法で導電性樹脂層を形成することができる。なお、導電性樹脂層は、焼き付け層の表面に形成されてもよく、焼き付け層を形成せずに導電性樹脂層を単体で積層体２の上に直接形成してもよい。導電性樹脂層の形成方法としては、熱硬化性樹脂及び金属成分を含む導電性樹脂ペーストを焼き付け層上もしくは積層体２の上に塗布し、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性樹脂層を形成する。この時の熱処理時の雰囲気は、Ｎ_２雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。

＜薄膜層を設ける場合＞
　下地電極層２１を薄膜層で形成する場合は、スパッタ法又は蒸着法等の薄膜形成法により下地電極層２１を形成することができる。薄膜層で形成された下地電極層２１は金属粒子が堆積された１μｍ以下の層とする。

＜直接めっき層を設ける場合＞
　積層体２の内部電極層１０の露出部に直接めっき層を設けてもよい。その場合は、以下の方法で形成することができる。すなわち、積層体２の第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２にめっき処理を施し、内部電極層１０の露出部上に直接めっき膜を形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。ただし、無電解めっきには、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。また、必要に応じて、通常は下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極を、同様に形成してもよい。

　その後、下地電極層の表面、導電性樹脂層の表面又は直接めっき層の表面に、めっき層が形成される。本実施形態では焼き付け層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層を形成した。Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層は、たとえばバレルめっき法により、順次形成される。このようにして、積層セラミックコンデンサ１が得られる。

　以上本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されることなく、種々の変更及び変形が可能である。

　例えば、外部電極２０の形成方法は、前述の方法には限定されない。例えば、積層体２の２つの端面ＥにＮｉをスクリーン印刷する。その後、２つの端面ＥをＣｕにＤｉｐし、Ｎｉ上にＣｕ層を形成する。その後に、Ｎｉ及びＳｎめっきを施し、外部電極２０を形成することもできる。

　また、前述の説明では、積層体２又はコンデンサ主部３の２面が交わる部分を中心に説明した。ただし、角部が湾曲すること、及び角部が所定の粗さを有することは、２面が交わる角部には限定されない。又は、積層体２又はコンデンサ主部３の３面が交わる部分においても、同様に、湾曲させること、又は表面を粗くすること、若しくはその両方を行うことが可能である。

＜１＞
　積層された複数の誘電体層を含み、
　積層方向に相対する第１の主面及び第２の主面と、
　前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の主部側面及び第２の主部側面と、
　前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面及び第２の端面と、
　前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第１の端面、第１の主部側面及び第２の主部側面に露出された第１の内部電極層と、
　前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第２の端面、第１の主部側面及び第２の主部側面に露出された第２の内部電極層と、を含むコンデンサ主部と、
　前記コンデンサ主部の第１の主部側面に配置された第１の絶縁部と、
　前記コンデンサ主部の第２の主部側面に配置された第２の絶縁部と、を備える積層体と、
　前記第１の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の絶縁部の表面及び前記第２の絶縁部の表面に回り込むように設けられた第１の外部電極と、
　前記第２の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の絶縁部の表面及び前記第２の絶縁部の表面に回り込むように設けられた第２の外部電極と、を備え、
　前記コンデンサ主部は、前記コンデンサ主部の第１の主面と第１の主部側面に跨って湾曲している第１の角部、第２の主面と第１の主部側面に跨って湾曲している第２の角部、第１の主面と第２の主部側面に跨って湾曲している第３の角部、及び第２の主面と第２の主部側面に跨って湾曲している第４の角部を有し、
　前記第１の絶縁部は、前記第１の角部及び第２の角部を被覆し、
　前記第２の絶縁部は、前記第３の角部及び第４の角部を被覆し、
　前記第１の絶縁部における、前記第１の主部側面に接する面と対向する面を前記積層体の第１の側面とし、
　前記第２の絶縁部における、前記第２の主部側面に接する面と対向する面を前記積層体の第２の側面とし、
　前記第１の絶縁部は、前記第１の主面と前記第１の側面とが交わる第１の外側角部、及び前記第２の主面と前記第１の側面とが交わる第２の外側角部を有し、
　前記第２の絶縁部は、前記第１の主面と前記第２の側面とが交わる第３の外側角部、及び前記第２の主面と前記第２の側面とが交わる第４の外側角部を有し、
　前記第１の角部の粗さは、前記第１の外側角部の粗さより大きく、
　前記第２の角部の粗さは、前記第２の外側角部の粗さより大きく、
　前記第３の角部の粗さは、前記第３の外側角部の粗さより大きく、
　前記第４の角部の粗さは、前記第４の外側角部の粗さより大きい、
　積層セラミックコンデンサ。

　この構成により、小型かつ大容量でありながら、耐湿性の低下を抑制することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することできる。角部の表面が粗くなっていることで、絶縁部と角部との固着が強固になりやすいためである。

＜２＞
　前記第１の角部、前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の表面粗さは、０．０５ｕｍ以上１．００ｕｍ以下である、
　＜１＞に記載の積層セラミックコンデンサ。

＜３＞
　前記コンデンサ主部は、
　前記第１の内部電極層、前記誘電体層及び前記第２の内部電極層が交互に積層されてなる内層部と、
　前記積層方向において、前記内層部の前記第１の主面の側に位置し、前記誘電体層からなる第１の外層部と、
　前記積層方向において、前記内層部の前記第２の主面の側に位置し、前記誘電体層からなる第２の外層部と、を含み、
　前記第１の外層部における、前記第１の主面から、前記第１の外層部の前記積層方向における厚みの１０％以上６０％以下の位置に、前記第１の絶縁部の方向に突出する第１の凸部及び前記第２の絶縁部の方向に突出する第３の凸部が配置されており、
　前記第２の外層部における、前記第２の主面から、前記第２の外層部の前記積層方向における厚みの１０％以上６０％以下の位置に、前記第１の絶縁部の方向に突出する第２の凸部及び前記第２の絶縁部の方向に突出する第４の凸部が配置されている、
　＜１＞又は＜２＞に記載の積層セラミックコンデンサ。

　この構成により、内層部への水分等の侵入をより抑制することができる。凸部により外層部から内層部への水の侵入をより抑制することができるためである。

＜４＞
　前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記第３の凸部及び前記第４の凸部は、前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層の何れとも接していない、
　＜３＞に記載の積層セラミックコンデンサ。

　この構成により、内層部への水分等の侵入をより抑制することができる。内部電極と絶縁部との間に介在物が介在しにくくなり、内層部と絶縁部との密着が強固になるためである。

＜５＞
　前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の、前記幅方向の厚みは、１０．０ｕｍ以上５０．０ｕｍ以下である、
　＜１＞から＜４＞のいずれか１つに記載の積層セラミックコンデンサ。

＜６＞
　前記コンデンサ主部の長さ方向から見たとき、
　前記第１の絶縁部は、前記第１の角部及び前記第２の角部を連続して被覆し、
　前記第２の絶縁部は、前記第３の角部及び前記第４の角部を連続して被覆している、
　＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の積層セラミックコンデンサ。

　この構成により、内層部への水分等の侵入をさらに抑制することができる。積層方向の両側において内層部への水分等の侵入が抑制されるからである。

＜７＞
　前記コンデンサ主部の長さ方向から見たとき
　前記第１の絶縁部は、前記第１の角部及び前記第２の角部の前記第１の主部側面の上の端点から、前記第１の角部及び前記第２の角部の形状に沿って、前記第１の角部及び前記第２の角部の５０％以上を被覆し、
　前記第２の絶縁部は、前記第３の角部及び前記第４の角部の前記第２の主部側面の上の端点から、前記第３の角部及び前記第４の角部の形状に沿って、前記第３の角部及び前記第４の角部の５０％以上を被覆している、
　＜１＞から＜６＞のいずれか１つに記載の積層セラミックコンデンサ。

　１　　積層セラミックコンデンサ
　２　　積層体
　３　　コンデンサ主部
　４　　誘電体層
　５　　外層誘電体層
　６　　内層誘電体層
　８　　絶縁部
　１０　内部電極層
　１１　対向電極部
　１２　引き出し電極部
　２０　外部電極
　２１　下地電極層
　２３　内めっき層
　２４　表めっき層
　２５　端面外部電極
　２６　主面外部電極
　２７　側面外部電極
　ＩＬ　内層部
　ＯＬ　外層部
　ＬＦ　電極対向部
　ＥＧ　エンドギャップ部
　ＷＦ　電極対向部
　ＳＧ　サイドギャップ部
　Ｃ　　角部
　Ｋ　　外側角部
　Ｖ　　凸部
　Ｍ　　主面
　Ｅ　　端面
　Ｓ　　側面
　ＳＳ　主部側面
　Ｔ　　積層方向
　Ｌ　　長さ方向
　Ｗ　　幅方向

Claims (7)

1. 　積層された複数の誘電体層を含み、
   　積層方向に相対する第１の主面及び第２の主面と、
   　前記積層方向に直交する幅方向に相対する第１の主部側面及び第２の主部側面と、
   　前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面及び第２の端面と、
   　前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第１の端面、第１の主部側面及び第２の主部側面に露出された第１の内部電極層と、
   　前記複数の誘電体層と交互に積層され、前記第２の端面、第１の主部側面及び第２の主部側面に露出された第２の内部電極層と、
   　を含むコンデンサ主部と、
   　前記コンデンサ主部の第１の主部側面に配置された第１の絶縁部と、
   　前記コンデンサ主部の第２の主部側面に配置された第２の絶縁部と、を備える積層体と、
   　前記第１の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の絶縁部の表面及び前記第２の絶縁部の表面に回り込むように設けられた第１の外部電極と、
   　前記第２の端面から前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の絶縁部の表面及び前記第２の絶縁部の表面に回り込むように設けられた第２の外部電極と、を備え、
   　前記コンデンサ主部は、前記コンデンサ主部の第１の主面と第１の主部側面に跨って湾曲している第１の角部、第２の主面と第１の主部側面に跨って湾曲している第２の角部、第１の主面と第２の主部側面に跨って湾曲している第３の角部、及び第２の主面と第２の主部側面に跨って湾曲している第４の角部を有し、
   　前記第１の絶縁部は、前記第１の角部及び第２の角部を被覆し、
   　前記第２の絶縁部は、前記第３の角部及び第４の角部を被覆し、
   　前記第１の絶縁部における、前記第１の主部側面に接する面と対向する面を前記積層体の第１の側面とし、
   　前記第２の絶縁部における、前記第２の主部側面に接する面と対向する面を前記積層体の第２の側面とし、
   　前記第１の絶縁部は、前記第１の主面と前記第１の側面とが交わる第１の外側角部、及び前記第２の主面と前記第１の側面とが交わる第２の外側角部を有し、
   　前記第２の絶縁部は、前記第１の主面と前記第２の側面とが交わる第３の外側角部、及び前記第２の主面と前記第２の側面とが交わる第４の外側角部を有し、
   　前記第１の角部の粗さは、前記第１の外側角部の粗さより大きく、
   　前記第２の角部の粗さは、前記第２の外側角部の粗さより大きく、
   　前記第３の角部の粗さは、前記第３の外側角部の粗さより大きく、
   　前記第４の角部の粗さは、前記第４の外側角部の粗さより大きい、
   　積層セラミックコンデンサ。
2. 　前記第１の角部、前記第２の角部、前記第３の角部及び前記第４の角部の表面粗さは、０．０５ｕｍ以上１．００ｕｍ以下である、
   　請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 　前記コンデンサ主部は、
   　前記第１の内部電極層、前記誘電体層及び前記第２の内部電極層が交互に積層されてなる内層部と、
   　前記積層方向において、前記内層部の前記第１の主面の側に位置し、前記誘電体層からなる第１の外層部と、
   　前記積層方向において、前記内層部の前記第２の主面の側に位置し、前記誘電体層からなる第２の外層部と、を含み、
   　前記第１の外層部における、前記第１の主面から、前記第１の外層部の前記積層方向における厚みの１０％以上６０％以下の位置に、前記第１の絶縁部の方向に突出する第１の凸部及び前記第２の絶縁部の方向に突出する第３の凸部が配置されており、
   　前記第２の外層部における、前記第２の主面から、前記第２の外層部の前記積層方向における厚みの１０％以上６０％以下の位置に、前記第１の絶縁部の方向に突出する第２の凸部及び前記第２の絶縁部の方向に突出する第４の凸部が配置されている、
   　請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 　前記第１の凸部、前記第２の凸部、前記第３の凸部及び前記第４の凸部は、前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層の何れとも接していない、
   　請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 　前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の、前記幅方向の厚みは、１０．０ｕｍ以上５０．０ｕｍ以下である、
   　請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 　前記コンデンサ主部の長さ方向から見たとき、
   　前記第１の絶縁部は、前記第１の角部及び前記第２の角部を連続して被覆し、
   　前記第２の絶縁部は、前記第３の角部及び前記第４の角部を連続して被覆している、
   　請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 　前記コンデンサ主部の長さ方向から見たとき
   　前記第１の絶縁部は、前記第１の角部及び前記第２の角部の前記第１の主部側面の上の端点から、前記第１の角部及び前記第２の角部の形状に沿って、前記第１の角部及び前記第２の角部の５０％以上を被覆し、
   　前記第２の絶縁部は、前記第３の角部及び前記第４の角部の前記第２の主部側面の上の端点から、前記第３の角部及び前記第４の角部の形状に沿って、前記第３の角部及び前記第４の角部の５０％以上を被覆している、
   　請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。

Images