JP2019169496A - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ボイドや剥がれなどの構造欠陥を十分に抑制することができ、信頼性の低下を招くことのない積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサの製造方法であり、本製造方法は、内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層する工程と、外層用の誘電体シート上に所定の内部電極パターンが印刷された内層用の誘電体シートを順次積層する工程と、再度、外層用の誘電体シートを所定枚数積層する工程とをへて、積層シートを形成する工程と、積層シートを圧着手段により積層方向に圧着し、積層ブロックを形成する工程と、を備える。圧着により積層ブロックを形成する工程では、積層シートの上面と下面に微粒子を配置し、圧着を行う。【選択図】図５

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。

近年、積層セラミックコンデンサは、小型化や静電容量の増加が求められており、内部電極層の積層枚数が増加してきている。内部電極層の積層数が増加することで、異なる電位に接続される内部電極層同士が対向する部分である内部電極層の対向電極部において、内部電極層同士が密集することとなる。つまり、内部電極層の対向電極部においては内部電極層の密度が大きくなる。

一方で、内部電極層の対向電極部に位置するそれぞれの内部電極層から、第１または第２の端面に延びる内部電極層の引出電極部においては、異なる電位に接続される内部電極層のうち、どちらか一方のみが積層方向に対向することとなる。そのため、対向電極部に比べて引出電極部の内部電極層の密度に大きな差異が生じる。

ここで、内部電極層の対向電極部と内部電極層の引出電極部における内部電極層の密度差が大きくなると、内部電極層の密度が小さい引出電極部においてプレスの圧力がかかりにくくなる。その結果、引出電極部における内部電極層と誘電体層との間において、ボイドや剥がれなどの構造欠陥が発生しやすくなる。
上記のような課題の対策として、たとえば、特許文献１には、セラミック積層物の上面および下面をラバーのような弾性または可塑性を有する部材を設けて静水圧プレスを行う方法が開示されている。

特開平２−１６１７１３号公報

しかしながら、特許文献１の静水圧プレスによると、引出電極部における内部電極層と誘電体層との間において、ボイドや剥がれなどの構造欠陥が発生しにくくなるものの、ラバーの流動量の低下が起こり、十分な圧力を均等にかけることができず、ボイドや剥がれなどの構造欠陥の抑制効果を十分に得られない場合があった。

さらに、ラバーのような弾性体または可塑性を有する部材を設けて静水圧プレスを行った場合、その部材の変形の影響で外層近傍且つサイドギャップ近傍の有効部の変形が大きく、セラミック素子厚みが不均一となるため、信頼性の低下を引き起こすことがあった。

それゆえに、この発明の主たる目的は、ボイドや剥がれなどの構造欠陥を十分に抑制することができ、信頼性の低下を招くことのない積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することである。

この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、積層された複数の誘電体層を含む積層体と、積層体内に配置され、誘電体層と交互に積層された複数の内部電極層と、内部電極層に接続される外部電極と、を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層する工程と、外層用の誘電体シート上に所定の内部電極パターンが印刷された内層用の誘電体シートを順次積層する工程と、再度、外層用の誘電体シートを所定枚数積層する工程とをへて、積層シートを形成する工程と、積層シートを圧着手段により積層方向に圧着し、積層ブロックを形成する工程と、を備え、圧着により積層ブロックを形成する工程では、積層シートの上面と下面に微粒子を配置し、圧着を行う、積層セラミックコンデンサの製造方法である。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、圧着により積層ブロックを形成する工程において、積層シートの上面と下面とに微粒子を配置し、圧着することで、圧力印加時の微粒子の再配列によって、内部電極層の存在する部分と存在しない部分とを均一に加圧し、圧着することが好ましい。
さらに、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、微粒子が、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＣから選ばれることが好ましい。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、微粒子の直径が、０．０８ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。

この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、圧着により積層ブロックを形成する工程において、積層シートの上面と下面に微粒子を配置し、圧着を行うことにより、昇圧時と圧力保持時に、その微粒子の再配列がおこり、微粒子が積層シートの上面および下面に圧力を伝えることで、積層ブロックに対して均一に加圧することができる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、圧着により積層ブロックを形成する工程において、積層シートの上面と下面とに微粒子を配置し、圧着することで、圧力印加時の微粒子の再配列によって、内部電極層の存在する部分と存在しない部分とを均一に加圧し、圧着すると、さらに微粒子が積層シートにおける内部電極層の存在しない領域に向かって入り込むように侵入して積層シートにおける内部電極層の存在しない領域の上面および下面の周縁部に圧力を伝えることで、形成される積層ブロックに伝わる圧力の分布を内部電極層の対向電極部と引出電極部とに対して均一にすることができる。
さらに、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、微粒子が、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＣから選ばれると、上記効果をより一層確実なものにすることができる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、微粒子の直径が、０．０８ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であると、上記効果をより一層確実なものにすることができ、内部電極層と誘電体層との間における剥がれの発生を抑制することができる。

この発明によれば、ボイドや剥がれなどの構造欠陥を十分に抑制することができ、信頼性の低下を招くことのない積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法により製造される積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法により製造される積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。 この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法により製造される積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。 （ａ）は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が２つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、（ｂ）は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が３つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、（ｃ）は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が４つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。 （ａ）は、積層シートを圧着手段により圧着し積層ブロックを形成するための状態を示す概略図であり、（ｂ）は、積層シートを圧着手段により圧着し積層ブロックを形成する工程において、積層シートを圧着している状態を示す概略図である。

１．積層セラミックコンデンサ
この発明の積層セラミックコンデンサの製造方法により製造される積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法により製造される積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法により製造される積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、図３は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法により製造される積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。

図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。

積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、積層方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。さらに、積層体１２の長さ方向ｚの寸法は、幅方向ｙの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。

積層される誘電体層１４の枚数は、特に限定されないが、３００枚以上１２００枚以下であることが好ましい。

積層体１２は、複数枚の誘電体層１４から構成される外層部１４ａと単数もしくは複数枚の誘電体層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４、および第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４の集合体である。そして、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。なお、外層部１４ａの厚みは、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

積層体１２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚの寸法は、０．９ｍｍ以上３．３ｍｍ以下、幅方向ｙの寸法は、０．４ｍｍ以上２．６ｍｍ以下、積層方向ｘの寸法は、０．４ｍｍ以上２．６ｍｍ以下であることが好ましい。

誘電体層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、またはＣａＺｒＯ₃などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。

焼成後の誘電体層１４の厚みは、０．７μｍ以上４．０μｍ以下であることが好ましい。

積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の積層方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。

第１の内部電極層１６ａは、第２の内部電極層１６ｂと対向する第１の対向電極部１８ａと、第１の内部電極層１６ａの一端側に位置し、第１の対向電極部１８ａから積層体１２の第１の端面１２ｅまでの第１の引出電極部２０ａを有する。第１の引出電極部２０ａは、その端部が第１の端面１２ｅに引き出され、露出している。
第２の内部電極層１６ｂは、第１の内部電極層１６ａと対向する第２の対向電極部１８ｂと、第２の内部電極層１６ｂの一端側に位置し、第２の対向電極部１８ｂから積層体１２の第２の端面１２ｆまでの第２の引出電極部２０ｂを有する。第２の引出電極部２０ｂは、その端部が第２の端面１２ｆに引き出され、露出している。

第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、コーナー部が丸められていたり、コーナー部が斜めに（テーパー状）形成されていたりしてもよい。
第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、コーナー部が丸められていたり、コーナー部が斜めに（テーパー状）形成されていたりしてもよい。
第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａの幅と第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａの幅とは、同じ幅に形成されていてもよく、どちらか一方が狭く形成されてもよい。同様に、第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂの幅と第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの幅とは、同じ幅に形成されていてもよく、どちらか一方が狭く形成されてもよい。

積層体１２は、第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間および第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（Ｗギャップ）２２ａを含む。さらに、積層体１２は、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａとは反対側の端部と第２の端面１２ｆとの間および第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂとは反対側の端部と第１の端面１２ｅとの間に形成される積層体１２の端部（Ｌギャップ）２２ｂを含む。

内部電極層１６は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料を含有している。内部電極層１６を形成するための内部電極用導電性ペーストに使用する樹脂成分は、エチルセルロースやポリビニルブチラール樹脂が用いられることが好ましい。

内部電極層１６の厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。また、内部電極層１６の枚数は、１５枚以上１５００以下であることが好ましい。

積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極２４が配置される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａと電気的に接続される。なお、第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅのみに形成されていてもよい。
第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂと電気的に接続される。なお、第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆのみに形成されていてもよい。

積層体１２内においては、第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂとが誘電体層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極層１６ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。

なお、図４に示すように、内部電極層１６として、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂに加えて、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆのどちらにも引き出されない浮き内部電極層１６ｃが設けられ、浮き内部電極層１６ｃによって、対向電極部１８ｃが複数に分割された構造としてもよい。たとえば、図４（ａ）に示すような２連、図４（ｂ）に示すような３連、図４（ｃ）に示すような４連構造であり、４連以上の構造でもよいことは言うまでもない。このように、対向電極部１８ｃを複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極層１６ａ、１６ｂ、１６ｃ間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサの高耐圧化を図ることができる。

第１の外部電極２４ａは、第１の下地電極層２６ａと、第１の下地電極層２６ａの表面に配置された第１のめっき層２８ａとを含む。同様に、第２の外部電極２４ｂは、第２の下地電極層２６ｂと、第２の下地電極層２６ｂの表面に配置された第２のめっき層２８ｂとを含む。

第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
なお、第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面のみに配置されてもよいし、第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面にのみ配置されてもよい。

第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂ（以下、単に下地電極層ともいう）は、それぞれ、焼付け層、導電性樹脂層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含む。

まず、下地電極層が、焼付け層で形成された第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂについて説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、焼付け層のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、誘電体層１４および内部電極層１６と同時に焼成したものでもよく、誘電体層１４および内部電極層１６を焼成した後に焼き付けたものでもよい。

第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層２６ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの焼付け層の厚みは、１５μｍ以上１６０μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂである長さ方向の中央部におけるそれぞれの焼付け層の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

次に、下地電極層が、導電性樹脂層で形成された第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂについて説明する。
導電性樹脂層は、焼付け層の表面に焼付け層を覆うように配置されるか、積層体１２の表面に直接配置されてもよい。
導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂および金属を含む。導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むため、たとえば、めっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサに物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサへのクラックを防止することができる。

導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、またはそれらの合金を使用することができる。また、金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕやＮｉを用いることが好ましい。また、Ｃｕに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。特に、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇの導電性金属粉を用いることは、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いため、好ましい。なお、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇコーティングされた金属を用いることは、上記のＡｇの特性を保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるため、好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属は、導電性樹脂全体の体積に対して、３５ｖｏｌ％以上７５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）の形状は、特に限定されない。導電性フィラーは、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いるのが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）の平均粒径は、特に限定されない。導電性フィラーの平均粒径は、たとえば、０．３μｍ以上１０μｍ以下程度であってもよい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）は、主に導電性樹脂層の通電性を担う。具体的には、導電性フィラーどうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。

導電性樹脂層の樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂の一つである。
導電性樹脂層に含まれる樹脂は、導電性樹脂全体の体積に対して、２５ｖｏｌ％以上５５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
また、導電性樹脂層には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を使用することができる。

第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層２６ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層の厚みは、たとえば、１０μｍ以上１２０μｍ以下程度であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂである長さ方向の中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層の厚みは、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

また、下地電極層が薄膜層の場合、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。

第１のめっき層２８ａは、第１の下地電極層２６ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層２８ａは、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第１のめっき層２８ａは、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層２６ａの表面のみに配置されてもよい。
第２のめっき層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の下地電極層２６ｂの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第２のめっき層２８ｂは、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層２６ｂの表面のみに配置されてもよい。

また、第１のめっき層２８ａおよび第２のめっき層２８ｂ（以下、単にめっき層ともいう）としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、下地電極層の表面を覆うように設けられることで、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田によって下地電極層が侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。

めっき層一層あたりの厚みは、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

なお、下地電極層を設けずに、めっき層だけで外部電極２４を形成してもよい。以下、下地電極層を設けずに、めっき層を設ける構造について説明する。
第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂのそれぞれは、下地電極層が設けられず、めっき層が積層体１２の表面に直接形成されていてもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１０は、第１の内部電極層１６ａまたは第２の内部電極層１６ｂに電気的に接続されるめっき層を含む構造であってもよい。このような場合、前処理として積層体１２の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。
めっき層は、積層体１２の表面に形成される下層めっき電極と、下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極とを含むことが好ましい。
下層めっき電極および上層めっき電極はそれぞれ、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金を含むことが好ましい。
下層めっき電極は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることが好ましく、上層めっき電極は、はんだ濡れ性が良好なＳｎやＡｕを用いて形成されることが好ましい。また、たとえば、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂがＮｉを用いて形成される場合、下層めっき電極は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき電極は、必要に応じて形成されればよく、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂはそれぞれ、下層めっき電極のみで構成されてもよい。
めっき層は、上層めっき電極を最外層としてもよいし、上層めっき電極の表面にさらに他のめっき電極を形成してもよい。
下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９ｖｏｌ％以上であることが好ましい。

積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の積層方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が１ｍｍ以上３．５ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．５ｍｍ以上２．６ｍｍ以下、積層方向ｘのＴ寸法が０．５ｍｍ以上２．６ｍｍ以下であることが好ましい。

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。

（１）誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストを準備する工程
まず、誘電体シート、内部電極用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートや内部電極用の導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。

（２）誘電体シート上に内部電極用導電性ペーストを印刷する工程
そして、誘電体シートの表面に、たとえば、所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストを印刷し、誘電体シートには、内部電極パターンが形成される。なお、内部電極用の導電性ペーストは、スクリーン印刷やグラビア印刷などの公知の方法により印刷することができる。

（３）積層シートを形成する工程
次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用誘電体シートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷された誘電体シートが順次積層され、その上に、外層用誘電体シートが所定枚数積層され積層シートが作製される。この時、内部電極パターンが印刷されている誘電体シートは、内部電極パターンの引き出し部が互い違いになるように複数枚積層される。

（４）積層シートを圧着手段により圧着し積層ブロックを形成する工程
続いて、積層シートが圧着手段により積層方向に圧着され、積層ブロックが形成される。
この際、圧着手段としては、剛体プレスや静水圧プレスなどを用いることができる。なお、静水圧プレスの条件は、プレス時温度が７０℃以上８０℃以下、プレス圧力が１０３ＭＰａ以上１２２ＭＰａ以下、プレス時間が４００秒以上６００秒以下で制御することが好ましい。これらの静水圧プレスの条件と以下に記載の微粒子によるプレスとを組み合わせることで、本発明の効果を確実なものにすることができる。

圧着手段により圧着し積層ブロックを形成する工程では、積層シートの上面と下面に微粒子を配置し、圧着が行われる。すなわち、図５（ａ）に示すように、圧着手段３０は、たとえば、積層シート４０の上面側に第１の剛体板３２が配置され、そして、その下面側に第２の剛体板３４が配置される。第１の剛体板３２の積層シート４０の上面に対向する面には、微粒子３６が配置され、第２の剛体板３４の積層シート４０の下面に対向する面には、微粒子３６が配置される。なお、図５（ａ）に示すように、積層シート４０の内部には、互いに対向して配置されるように内部電極パターン５０の印刷された複数の誘電体シートにより内層部となる領域４２が複数含まれる。
そして、図５（ｂ）に示すように、積層シート４０の上面側より第１の剛体板３２により圧着され、積層シート４０の下面側より第２の剛体板３４により圧着される。これにより、昇圧時と圧力保持時に、微粒子３６の再配列が起こり、微粒子３６が積層シート４０の上面および下面に圧力を伝え、さらに微粒子３６が矢印Ａで示す方向に積層シート４０における複数の内層部となる領域４２の間に向かって入り込むように侵入してそれらの上面および下面の周縁部４４に圧力を伝えることで、形成される積層ブロックに矢印Ｂで示す方向に伝わる圧力の分布を内部電極層の対向電極部と引出電極部とに対して均一にすることができる。換言すると、積層シート４０の上面と下面に微粒子３６を配置し、圧着を行うことで、圧力印加時における微粒子３６の再配列によって、内部電極層の存在する部分と存在しない部分とを均一に加圧し、圧着することができる。

圧着手段３０により圧着し積層ブロックを形成する工程において使用する微粒子３６は、セラミック粒子を用いることができ、たとえば、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＣなどを用いることができる。微粒子３６の形状は、球形状であることが好ましい。微粒子３６の直径は、０．０８ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。微粒子３６の量は、積層シート４０の上面と下面において、内部電極層の厚みと積層枚数の積の１．５倍以上の厚みとなるように配置するのが望ましい。

（５）積層体チップを得る工程
その後、静水圧によりプレスされた積層体ブロックがギロチンあるいはダイシングの方法により所定の形状寸法に切断し、個片化され、所定サイズの積層体チップが得られる。なお、このとき、焼成後に発生するチッピングを抑制するために、バレル研磨などにより積層体チップの角部や稜線部に丸みがつけられてもよい。

続いて、未焼成の積層体チップを焼成し積層体１２が作製される。焼成温度は、誘電体層や内部電極層の材料にもよるが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。

（６）外部電極を形成する工程
外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１２の表面に第１の端面１２ｅから露出している第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａの露出部分にガラス成分と金属とを含む外部電極用導電性ペーストがディッピングなどの方法により塗布されて焼き付けられ、第１の下地電極層２６ａが形成される。また、同様に、外部電極２４の焼付け層を形成するために、たとえば、積層体１２の第２の端面１２ｆから露出している第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの露出部分にガラス成分と金属とを含む外部電極用導電性ペーストがディッピングなどの方法により外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられ、第２の下地電極層２６ｂが形成される。このとき、焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

なお、下地電極層を導電性樹脂層で形成する場合は、以下の方法で導電性樹脂層を形成することができる。なお、導電性樹脂層は、焼付け層の表面に形成されてもよく、焼付け層を形成せずに、導電性樹脂層を単体で積層体１２の表面に直接形成してもよい。
導電性樹脂層の形成方法としては、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性ペーストを焼付け層もしくは積層体１２の表面に塗布し、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性樹脂層が形成される。このときの熱処理時の雰囲気は、Ｎ₂雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は、１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。

また、下地電極層を薄膜層で形成する場合は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により下地電極層を形成することができる。薄膜層で形成された下地電極層は金属粒子が堆積された１μｍ以下の層とされる。

さらに、下地電極層を設けずに、積層体１２の内部電極層１６の露出部にめっき層を設けてもよい。その場合は、以下の方法でめっき層が形成される。
積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆにめっき処理を施し、内部電極層１６の露出部上に下地めっき電極を形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。また、必要に応じて、下層めっき電極の表面に上層めっき電極を同様に形成してもよい。

その後、下地電極層の表面、導電性樹脂層の表面もしくは下地めっき層の表面、上層めっき層の表面に、めっき層が形成され、外部電極２４が形成される。図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、焼付け層上にめっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、たとえば、バレルめっき法により、順次形成される。

上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。

この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、圧着により積層ブロックを形成する工程では、積層シート４０の上面と下面に微粒子３６を配置し、圧着を行うことにより、昇圧時と圧力保持時に、その微粒子３６の再配列がおこり、微粒子３６が積層シート４０の上面および下面に圧力を伝えることで、積層ブロックに対して均一に加圧することができる。

また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、圧着により積層ブロックを形成する工程において、積層シート４０の上面と下面とに微粒子３６を配置し、圧着することで、圧力印加時の微粒子３６の再配列によって、内部電極層の存在する部分と存在しない部分とを均一に加圧し、圧着するので、さらに微粒子３６が積層シート４０における複数の内層部となる領域４２の間に向かって入り込むように侵入してそれらの上面および下面の周縁部４４に圧力を伝えることで、形成される積層ブロックに伝わる圧力の分布を内部電極層の対向電極部と引出電極部とに対して均一にすることができる。

さらに、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、微粒子３６が、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＣから選ばれると、上記効果をより一層確実なものにすることができる。

また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、微粒子３６の直径が、０．０８ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である場合にも、上記効果をより一層確実なものにすることができ、内部電極層と誘電体層との間における剥がれの発生を抑制することができる。

３．実験例
次に、上述した本発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法の効果を確認するために、本発明の製造方法に基づき積層セラミックコンデンサを製造し、製造途中における個片化された焼結前の積層体チップにおいて、誘電体層間の剥がれの発生率、積層シートのプレス前後における引出電極部の総面積の変化率および外層近傍の対向電極部のはみ出し量を確認した。

（１）実験例における試料の作製条件
まず、上述の製造方法を使用して、以下の条件に基づいて実験例にかかる試料である積層セラミックコンデンサが作製された。

実験例において、積層シートを圧着手段により圧着し積層ブロックを形成する工程では、静水圧プレスにより行った。

実験例に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、以下のとおりである。
・積層セラミックコンデンサのサイズ（設計値）：長さ×幅×高さ＝３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍ
・容量：１００μＦ
・定格電圧：１６Ｖ
・誘電体層の材料：ＢａＴｉＯ₃
・誘電体層の厚さ：１．７μｍ
・外層部の厚さ：１３０μｍ
・内部電極層の材料：Ｎｉ
・内部電極層塗膜厚み：１．２５μｍ
・内部電極層数：１０００枚
・外部電極の構造
下地電極層の素材：Ｃｕとガラスを含む焼付け層
めっき層：ＮｉめっきとＳｎめっきの２層構造

実施例における静水圧プレスの条件は、以下の通りとした。
・積層ブロックのプレス時温度：８０℃
・積層ブロックのプレス圧力：１２２ＭＰａ
・積層ブロックのプレス時間：６００秒
・積層ブロックと剛体板との間に挿入する緩衝材：ＺｒＯ₂を主成分とする球形状のセラミック粒子（微粒子）とした。

表１に示すように、
実施例１のセラミック粒子の直径は、０．０５ｍｍとし、
実施例２のセラミック粒子の直径は、０．０８ｍｍとし、
実施例３のセラミック粒子の直径は、０．１ｍｍとし、
実施例４のセラミック粒子の直径は、０．３ｍｍとし、
実施例５のセラミック粒子の直径は、０．５ｍｍ、
とした。

比較例として、静水圧プレスに用いる緩衝材として、以下に示す物を用いて静水圧プレスを行った。その他の条件は、実施例と同様とした。
・比較例１：ＰＥＴフィルム（厚み５０μｍ）
・比較例２：ラバーフィルム（厚み３００μｍ／硬度２０度）
・比較例３：ラバーフィルム（厚み３００μｍ／硬度５５度）
・比較例４：ラバーフィルム（厚み３００μｍ／硬度８０度）
なお、硬度は、ビッカース硬さであり、ビッカース硬度計により計測したものである。

（２）特性評価の方法
（ａ）剥がれの確認方法
プレス後の積層ブロックをチップ状にカットし積層体チップを作製し、内部電極層の引出電極部が露出するＷＴ面を５０倍の倍率で実体顕微鏡を用いて剥がれの有無を確認した。試料数は、セラミック粒子の各直径の大きさに対して１０００個ずつとした。

（ｂ）引出電極部の総面積の変化率の測定方法
プレス後の積層ブロックをチップ状にカットし積層体チップを作製し、内部電極層の引出電極部が露出するＷＴ面において、内部電極層の引出電極部の最上層から最下層までの内部電極層の総面積を計測し、プレス前の総面積を初期値とする面積の変化率を算出し、加圧度合いの指標とした。なお、変化率が２２％以上を良好とした。

（ｃ）外層近傍の対向電極部のはみ出し量の測定方法
プレス後の積層ブロックをチップ状にカットし積層体チップを作製し、内部電極層の引出電極部が露出するＷＴ面において、まず、内部電極層の引出電極部の最上層と最下層に位置する内部電極層の長さを測定し、その平均値を算出した。次に、内部電極層の引出電極部が露出するＷＴ面の１／２Ｔの高さに位置する内部電極層の長さを測定した。最後に、最初に算出した内部電極層の引出電極部の最上層と最下層の平均長さと内部電極層の引出電極部が露出するＷＴ面の１／２Ｔの高さに位置する内部電極層の長さの差の値を外層近傍の対向電極部のはみ出し量とした。なお、はみ出し量は、５μｍより小さい値を良好とした。

実施例および比較例に対する、誘電体層間の剥がれの発生率、積層シートのプレス前後における引出電極部の総面積の変化率および外層近傍の対向電極部のはみ出し量のそれぞれの実験結果を表１に示す。

（３）実験結果
実施例の実験結果についてみると、表１に示すように、剥がれの発生数について、実施例１では１０００個中１５個であり、実施例２では１０００個中０個であり、実施例３では１０００個中０個であり、実施例４では１０００個中０個であり、実施例５では１０００個中１９個と剥がれの発生数は比較的少数であるかあるいは０個であり、いずれも良好な結果が得られた。
引出電極部の総面積の変化率について、実施例１では１８％あり、実施例２では２２％であり、実施例３では２５％であり、実施例４では２３％であり、実施例５では１９％であり、実施例２ないし実施例４はいずれも２２％以上であり良好な結果が得られた。
外層近傍の対向電極部のはみ出し量については、実施例１では２μｍであり、実施例２では２μｍであり、実施例３では２μｍであり、実施例４では３μｍであり、実施例５では３μｍであり、いずれのはみ出し量も５μｍより小さい値であり、いずれも良好な結果が得られた。

以上より、剥がれの発生数について、実施例１では１５個発生し、実施例５では１９個発生し、そして、引出電極部の総面積の変化率について、実施例１では１８％であり、実施例５では１９％であったものの、いずれも比較的良好な結果が得られた。特に、実施例２ないし実施例４は、セラミック粒子の直径が、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であるので、剥がれの発生数、引出電極部の総面積の変化率および外層近傍の対向電極部のはみ出し量のいずれの評価方法でも良好な結果が得られた。

一方、比較例の実験結果についてみると、表１に示すように、剥がれの発生数について、比較例１では１０００個中７３１個であり、比較例２では１０００個中１１３個であり、比較例３では１０００個中１５９個であり、比較例４では１０００個中２７８個あり、実施例の結果と比べて、比較的剥がれが多く発生した。
引出電極部の総面積の変化率について、比較例１では８％であり、比較例２では１５％であり、比較例３では１３％であり、比較例４では１１％であり、いずれも２２％より小さく、不良であった。
外層近傍の対向電極部のはみ出し量は、比較例１では５μｍであり、比較例２では１８μｍであり、比較利３では１５μｍであり、比較例４では１３μｍであり、いずれも５μｍ以上であることから、不良であった。

以上の結果から、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、圧着により積層ブロックを形成する工程で、積層シートの上面と下面に微粒子（セラミック粒子）を配置した状態で圧着を行うことにより、昇圧時と圧力保持時に、微粒子の再配列が起こり、ブロックに伝わる圧力の分布を対向電極部で均一にすることができる。その結果、積層体に対する構造欠陥が抑制され、かつ、外層およびサイドギャップ近傍の対向電極部の変形（はみ出し）も抑制しうることが確認された。

なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。

１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 誘電体層
１４ａ 外層部
１４ｂ 内層部
１６ 内部電極層
１６ａ 第１の内部電極層
１６ｂ 第２の内部電極層
１６ｃ 浮き内部電極層
１８ａ 第１の対向電極部
１８ｂ 第２の対向電極部
１８ｃ 対向電極部
２０ａ 第１の引出電極部
２０ｂ 第２の引出電極部
２２ａ 側部（Ｗギャップ）
２２ｂ 端部（Ｌギャップ）
２４ 外部電極
２４ａ 第１の外部電極
２４ｂ 第２の外部電極
２６ａ 第１の下地電極層
２６ｂ 第２の下地電極層
２８ａ 第１のめっき層
２８ｂ 第２のめっき層
３０ 圧着手段
３２ 第１の剛体板
３４ 第２の剛体板
３６ 微粒子
４０ 積層シート
４２ 内層部となる領域
４４ 周縁部
５０ 内部電極パターン
ｘ 積層方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向

Claims (4)

1. 積層された複数の誘電体層を含む積層体と、
   前記積層体内に配置され、前記誘電体層と交互に積層された複数の内部電極層と、
   前記内部電極層に接続される外部電極と、
   を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
   内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層する工程と、外層用の誘電体シート上に所定の内部電極パターンが印刷された内層用の誘電体シートを順次積層する工程と、再度、外層用の誘電体シートを所定枚数積層する工程とをへて、積層シートを形成する工程と、
   前記積層シートを圧着手段により積層方向に圧着し、積層ブロックを形成する工程と、
   を備え、
   前記圧着により積層ブロックを形成する工程では、前記積層シートの上面と下面に微粒子を配置し、圧着を行う、積層セラミックコンデンサの製造方法。
2. 前記圧着により積層ブロックを形成する工程では、前記積層シートの上面と下面とに微粒子を配置し、圧着することで、圧力印加時の微粒子の再配列によって、内部電極層の存在する部分と存在しない部分とを均一に加圧し、圧着する、積層セラミックコンデンサの製造方法。
3. 前記微粒子は、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＣから選ばれる、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
4. 前記微粒子の直径は、０．０８ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。

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