WO2023245718A1 - 半导体结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：沿第一方向依次排布的位线、晶体管结构和电容结构，电容结构沿第一方向延伸，且晶体管结构和电容结中均包括部分半导体层，半导体层沿所述第一方向延伸；位线接触层，位于半导体层远离电容结构的端面，且位线接触层和半导体层包括相同的半导体材料，位线覆盖位线接触层远离半导体层的端面，以及至少覆盖位线接触层沿第一方向延伸的部分侧壁。本公开实施例至少有利于降低晶体管结构与位线之间的接触电阻。
Description
交叉引用
本申请要求于2022年06月22日递交的名称为“半导体结构及其制造方法”、申请号为202210714330.1的中国专利申请的优先权，其通过引用被全部并入本申请。
本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
随着动态存储器的集成密度朝着更高的方向发展，在对动态存储器阵列结构中晶体管的排布方式以及如何缩小动态存储器阵列结构中单个功能器件的尺寸进行研究的同时，也需要提高小尺寸的功能器件的电学性能。
由于动态存储器中的晶体管结构与位线的接触面积较小，且由于晶体管结构与位线相接触处的面接较小的缘故，不易对该部分接触面进行改善，导致晶体管结构与位线之间的接触电阻较大。
发明内容
本公开本实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于降低晶体管结构与位线之间的接触电阻。
根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：沿第一方向依次排布的位线、晶体管结构和电容结构，所述电容结构沿所述第一方向延伸，且所述晶体管结构和所述电容结构中均包括部分半导体层，所述半导体层沿所述第一方向延伸；位线接触层，位于所述半导体层远离所述电容结构的端面，且所述位线接触层和所述半导体层包括相同的半导体材料，所述位线覆盖所述位线接触层远离所述半导体层的端面，以及至少覆盖所述位线接触层沿所述第一方向延伸的部分侧壁。
在一些实施例中，所述位线具有至少一个朝向所述位线内部凹陷的凹陷区。
在一些实施例中，所述位线接触层的材料为金属半导体材料。
在一些实施例中，所述位线包括依次堆叠的扩散阻挡层和导电层。
在一些实施例中，多个所述位线、多个所述晶体管结构以及多个所述电容结构均沿第二方向排布，且所述位线与所述晶体管结构一一对应，所述晶体管结构与所述电容结构一一对应，多个所述晶体管结构均包括部分栅极结构，所述栅极结构沿所述第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交。
在一些实施例中，所述晶体管结构包括沿第三方向间隔排布的多个子晶体管结构，所述电容结构包括沿所述第三方向间隔排布的多个子电容结构，所述半导体层包括沿所述第三方向上间隔排布的多个子半导体层，所述子晶体管结构与所述子电容结构一一对应，且所述子晶体管结构与相对应的所述子电容结构均包括部分所述子半导体层；并且，所述位线沿所 述第三方向延伸，所述位线与同一所述晶体管结构中的多个所述子晶体管结构电连接，所述子晶体管结构与所述位线接触层一一对应。
在一些实施例中，沿所述第一方向上，所述位线包括相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和所述第二侧与不同的所述晶体管结构电连接。
在一些实施例中，沿所述第一方向上，所述子半导体层包括第一区、第二区以及第三区，所述第一区远离所述第二区的端面与所述位线接触层相接触；所述子晶体管结构包括所述第一区、所述第二区以及栅极结构，所述栅极结构环绕所述第二区沿所述第一方向延伸的侧壁；所述子电容结构包括第三区和依次堆叠的子下电极层、电容介电层以及上电极层，所述子下电极层环绕所述第三区沿所述第一方向延伸的侧壁。
在一些实施例中，沿第二方向上，不同所述晶体管结构中的部分所述子晶体管结构均包括同一栅极结构的部分区域，所述栅极结构沿第二方向延伸，且同一所述晶体管结构中的所述子晶体管结构的数量与所述栅极结构的数量相同，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相交；所述半导体结构还包括：字线阶梯结构，与所述多个所述栅极结构分别电连接。
在一些实施例中，所述字线阶梯结构包括沿所述第三方向上间隔排布的多个台阶结构，所述台阶结构沿所述第二方向延伸，且多个所述台阶结构在所述第二方向上的长度不同，所述台阶结构与所述栅极结构一一对应。
根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制造方法，包括：形成沿第一方向排布的晶体管结构和电容结构，所述电容结构沿所述第一方向延伸，且所述晶体管结构和所述电容结中均包括部分半导体层，所述半导体层沿所述第一方向延伸；形成位线接触层，所述位线接触层位于所述半导体层远离所述电容结构的端面，且所述位线接触层和所述半导体层包括相同的半导体材料；形成位线，所述位线覆盖所述位线接触层远离所述半导体层的端面，以及至少覆盖所述位线接触层沿所述第一方向延伸的部分侧壁。
在一些实施例中，形成所述晶体管结构和电容结构的步骤包括：沿第二方向上，形成多个间隔排布的所述晶体管结构和多个间隔排布的电容结构，且所述位线与所述晶体管结构一一对应，所述晶体管结构与所述电容结构一一对应，多个所述晶体管结构均包括部分栅极结构，所述栅极结构沿所述第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交。
在一些实施例中，形成所述晶体管结构和电容结构的步骤还包括：沿第三方向上，形成多个间隔排布的子晶体管结构、多个间隔排布的子电容结构以及多个间隔排布的子半导体层，其中，至少部分沿所述第三方向排布的所述子晶体管结构构成所述晶体管结构，至少部分沿所述第三方向排布的所述子电容结构构成所述电容结构，至少部分沿所述第三方向排布的所述子半导体层构成所述半导体层。
在一些实施例中，形成所述子晶体管结构和所述子电容结构的步骤包括：提供衬底；沿所述第三方向上，在所述衬底上依次堆叠形成牺牲层和多个沿所述第三方向间隔排布的初始子半导体层，沿所述第一方向上，所述初始子半导体层包括位线区、第一区、第二区以及第三区；刻蚀与所述第二区正对的所述牺牲层以露出所述第二区，以及形成栅极结构，所述栅极结构环绕所述第二区沿所述第一方向延伸的侧壁；刻蚀与所述第三区正对的所述牺牲层 以露出所述第三区，以及形成子下电极层，所述子下电极层环绕所述第三区沿所述第一方向延伸的侧壁；在所述子下电极层沿所述第一方向延伸的侧壁上依次堆叠形成电容介电层和上电极层；其中，所述第一区、所述第二区以及所述栅极结构构成所述子晶体管结构，所述第三区、所述子下电极层、所述电容介电层以及所述上电极层构成所述子电容结构。
在一些实施例中，形成所述位线接触层和所述位线的步骤包括：刻蚀所述位线区以及与所述位线区正对的所述牺牲层，以形成第一凹槽和所述半导体层，且所述半导体层包括沿所述第三方向上间隔排布的多个所述子半导体层，沿所述第一方向上，所述子半导体层包括所述第一区、所述第二区以及所述第三区，所述第一凹槽露出所述第一区远离所述第二区的端面；在所述第一区露出的端面上形成凸起层，所述凸起层位于所述第一凹槽中，且所述凸起层和所述子半导体层包括相同的半导体材料；对所述凸起层进行金属化处理，以形成所述位线接触层；形成所述位线，所述位线填充满剩余所述第一凹槽。
在一些实施例中，形成所述凸起层的步骤包括：采用外延生成工艺在所述第一区露出的端面上形成所述凸起层。
在一些实施例中，形成所述位线接触层和所述位线的步骤包括：刻蚀所述位线区以及与所述位线区正对的所述牺牲层，以形成第一凹槽和所述半导体层，且所述半导体层包括沿所述第三方向上间隔排布的多个所述子半导体层，沿所述第一方向，所述子半导体层包括所述第一区、所述第二区以及所述第三区，所述第一凹槽露出所述第一区远离所述第二区的端面；对所述第一凹槽露出的所述牺牲层进行刻蚀以形成第二凹槽，所述第二凹槽露出所述第一区沿所述第一方向延伸的部分侧壁，且所述第一凹槽和所述第二凹槽连通；对所述第一凹槽和所述第二凹槽露出的所述第一区进行金属化处理，以形成所述位线接触层，所述位线接触层至少位于所述第一凹槽中；形成所述位线，所述位线填充满剩余所述第一凹槽和剩余所述第二凹槽。
在一些实施例中，形成所述位线的步骤还包括：形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层保形覆盖所述位线接触层露出的表面，且所述扩散阻挡层围成第三凹槽，形成导电层，所述导电层填充满所述第三凹槽。
本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
位线，晶体管结构以及电容结构均沿第一方向排布，且晶体管结构和电容结构中均包括部分半导体层，以构建一种新的位线，晶体管结构以及电容结构三者之间的排布方式。而且，位线与半导体层远离电容结构的端面之间具有位线接触层，可以理解的是，半导体层远离电容结构的端面可以为晶体管结构中源区或漏区的端面，其中，位线覆盖位线接触层远离半导体层的端面，且至少覆盖位线接触层沿第一方向延伸的部分侧壁，如此，有利于增大位线接触层和位线之间的接触面积，从而有利于降低位线与位线接触层之间的接触电阻，以进一步降低位线与晶体管结构之间的接触电阻，以提高半导体结构的电学性能。
此外，位线接触层和半导体层包括相同的半导体材料，有利于改善位线接触层和半导体层之间的界面态缺陷，以提高位线接触层和半导体层之间的接触性能，从而有利于进一步降低位线与晶体管结构之间的接触电阻。
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一实施例提供的半导体结构的局部俯视示意图；
图2为图1所示的半导体结构沿第一截面方向AA1以及第二截面方向BB1的一种局部剖面示意图；
图3为图1所示的半导体结构沿第二截面方向BB1的另一种局部剖面示意图；
图4为图1所示的半导体结构沿第三截面方向CC1以及第四截面方向DD1的一种局部剖面示意图；
图5为图2和图3所示的半导体结构中位线的局部放大示意图；
图6至图11为本公开另一实施例提供的半导体结构的制造方法各步骤对应的局部剖面示意图。
本公开实施提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构中，位线，晶体管结构以及电容结构均沿第一方向排布，且晶体管结构和电容结构中均包括部分半导体层，以构建一种位线，晶体管结构以及电容结构三者之间的新布局方式。而且，一方面，位线与半导体层远离电容结构的端面之间具有位线接触层，可以理解的是，半导体层远离电容结构的端面可以为晶体管结构中源区或漏区的端面，其中，位线覆盖位线接触层远离半导体层的端面且至少覆盖位线接触层沿第一方向延伸的部分侧壁，如此，有利于增大位线接触层和位线之间的接触面积，从而有利于降低位线与位线接触层之间的接触电阻，以进一步降低位线与晶体管结构之间的接触电阻；另一方面，位线接触层和半导体层包括相同的半导体材料，有利于改善位线接触层和半导体层之间的界面态缺陷，以提高位线接触层和半导体层之间的接触性能，从而有利于进一步降低位线与晶体管结构之间的接触电阻。
下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开实施例而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开实施例所要求保护的技术方案。
本公开一实施例提供一种半导体结构，以下将结合附图对本公开一实施例提供的半导体结构进行详细说明。图1为本公开一实施例提供的半导体结构的局部俯视示意图；图2为图1所示的半导体结构沿第一截面方向AA1以及第二截面方向BB1的一种局部剖面示意图；图3为图1所示的半导体结构沿第二截面方向BB1的另一种局部剖面示意图；图4为图1所 示的半导体结构沿第三截面方向CC1以及第四截面方向DD1的一种局部剖面示意图；图5为图2和图3所示的半导体结构中位线的局部放大示意图。
参考图1至图5，半导体结构包括：沿第一方向X依次排布的位线100、晶体管结构101和电容结构102，电容结构102沿第一方向X延伸，且晶体管结构101和电容结构102中均包括部分半导体层103，半导体层103所第一方向X延伸；位线接触层104，位于半导体层103远离电容结构102的端面，且位线接触层104和半导体层103包括相同的半导体材料，位线100覆盖位线接触层104远离半导体层103的端面，以及至少覆盖位线接触层104沿第一方向X延伸的部分侧壁。
可以理解的是，半导体层103远离电容结构102的端面可以为晶体管结构101中源区或漏区的端面，则位线100覆盖位线接触层104远离半导体层103的端面，即位线100覆盖晶体管结构101中源区或漏区的端面。因而，位线接触层104位于半导体层103远离电容结构102的端面，且位线100覆盖晶体管结构101中源区或漏区的端面以及至少覆盖位线接触层104沿第一方向X延伸的部分侧壁时，位线100与位线接触层104的多个端面均有接触，有利于增大位线接触层104和位线100之间的接触面积，从而有利于降低位线100与位线接触层104之间的接触电阻，以进一步降低位线100与晶体管结构101之间的接触电阻；此外，位线接触层104和半导体层103包括相同的半导体材料，有利于改善位线接触层104和半导体层103之间的界面态缺陷，以提高位线接触层104和半导体层103之间的接触性能，从而有利于进一步降低位线100与晶体管结构101之间的接触电阻，因此，有利于提高半导体结构的电学性能。
在一些实施例中，半导体元素可以包括硅、碳、锗、砷、镓、铟中的至少一种。在一个例子中，位线接触层104与半导体层103中可以均包括硅元素。
而且，位线100，晶体管结构101以及电容结构102均沿第一方向X排布，且晶体管结构101和电容结构102中均包括部分半导体层103。可以理解的是，晶体管结构101和电容结构102中共用半导体层103，晶体管结构101中的半导体层103与电容结构102中的半导体层103电连接，从而实现晶体管结构101与电容结构102的电连接，如此有利于构建一种位线100，晶体管结构101以及电容结构102三者之间的新布局方式。
以下结合图2、图3和图5对位线100进行详细说明。
在一些实施例中，参考图2和图5，位线100可以具有至少一个朝向位线100内部凹陷的凹陷区110。可见，凹陷区110用于容纳至少部分位线接触层104，从而可以通过凹陷区110增加位线100侧壁的表面积，实现位线100覆盖晶体管结构101中源区或漏区的端面以及至少覆盖位线接触层104沿第一方向X延伸的部分侧壁，从而有利于增大位线100与位线接触层104之间的接触面积，以降低位线100与位线接触层104之间的接触电阻。
在一个例子中，继续参考图2和图5，沿第一方向X上，位线100具有相对的第一侧150和第二侧160，位于凹陷区110的第一侧150围成的凹槽的顶面可以与第一侧150距离位线100最远的顶面齐平。
需要说明的是，图2和图5中以一条位线100包括4个相互间隔的凹陷区110，且每一凹陷区110沿第一方向X上的两侧均向位线100内部凹陷为示例，在实际应用中，对一条 位线100包括的相互间隔的凹陷区110的数量不做限制，且对单个凹陷区110而言，凹陷区110沿第一方向X上的两侧中可以仅一者向位线100内部凹陷。
在另一些实施例中，参考图3和图5，在位线100具有至少一个朝向位线100内部凹陷的凹陷区110的基础上，位线100还可以具有至少一个朝向远离位线100内部的方向凸起的凸起区120，且位线100具有参考面a，凸起区120的顶面与凹陷区110的底面位于参考面a在第一方向X上的两侧。可见，凹陷区110和凸起区120共同构成用于容纳至少部分位线接触层104的凹槽，从而可以通过凹陷区110和凸起区120增加位线100侧壁的表面积，实现位线100覆盖晶体管结构101中源区或漏区的端面以及至少覆盖位线接触层104沿第一方向X延伸的部分侧壁，从而有利于增大位线100与位线接触层104之间的接触面积，以降低位线100与位线接触层104之间的接触电阻。
在一个例子中，继续参考图3和图5，沿第一方向X上，位线100具有相对的第一侧150和第二侧160，位于凹陷区110的第一侧150围成的凹槽的底面位于参考面a的一侧，位于凸起区120的第二侧160远离位线100内部的顶面位于参考面的另一侧。
需要说明的是，图3和图5中以一条位线100包括4个相互间隔的凹陷区110以及4个相互间隔的凸起区120，凹陷区110和凸起区120接触连接，且每一凹陷区110沿第一方向X上的两侧均向位线100内部凹陷，每一凸起区120沿第一方向X上的两侧均向远离位线100内部的方向凸起为示例，在实际应用中，对一条位线100包括的相互间隔的凹陷区110的数量以及相互间隔的凸起区120的数量不做限制，且对单个凹陷区110而言，凹陷区110沿第一方向X上的两侧中可以仅一者向位线100内部凹陷，对于单个凸起区120而言，凸起区120沿第一方向X上的两侧中可以仅一者向远离位线100内部的方向凸起。
在一些实施例中，位线接触层104的材料可以为金属半导体材料。
可以理解的是，金属半导体材料相较于未金属化的半导体材料而言，具有相对较小的电阻率，因此，相较于半导体层103而言，位线接触层104的电阻率更小，从而有利于降低半导体层103与位线接触层104之间的接触电阻，以及降低位线接触层104与位线100之间的接触电阻，以降低位线100与半导体层103之间的接触电阻，从而进一步改善半导体结构的电学性能。
在一些实施例中，以半导体元素为硅为例，金属半导体材料可以包括硅化钴、硅化镍、硅化钼、硅化钛、硅化钨、硅化钽或者硅化铂中的至少一种。
上述两种实施例中，参考图5，位线100包括依次堆叠的扩散阻挡层130和导电层140。其中，扩散阻挡层130有利于阻挡导电层140中的导电材料向位线接触层104中的扩散，以保证位线接触层104良好的导电性能。在一个例子中，扩散阻挡层130的材料可以为氮化钛，导电层140的材料可以为多晶硅、钨或铜等导电材料中的至少一者。
在一些实施例中，参考图1，多个位线100、多个晶体管结构101以及多个电容结构102均沿第二方向Y排布，且位线100与晶体管结构101一一对应，晶体管结构101与电容结构102一一对应，多个晶体管结构101均包括部分栅极结构111，栅极结构111沿第二方向Y延伸，第一方向X和第二方向Y相交。
可以理解的是，栅极结构111用于对晶体管结构101起控制作用，多个晶体管结构101均包括部分栅极结构111，则一栅极结构111可以控制沿第二方向Y排布的多个晶体管结构101，如此，有利于在提高半导体结构中晶体管结构101、位线100和电容结构102的集成密度的同时，降低半导体结构中对多个器件的控制复杂度。
需要说明的是，图1至图4中以半导体结构包括沿第二方向Y排布的5条位线100为示例，实际应用中，对半导体结构包括的位线100的数量不做限制，只需满足位线100的数量与晶体管结构101的数量相等即可。
在一些实施例中，参考图1至图4，晶体管结构101可以包括沿第三方向Z间隔排布的多个子晶体管结构121，电容结构102包括沿第三方向Z间隔排布的多个子电容结构112，半导体层103包括沿第三方向Z上间隔排布的多个子半导体层113，子晶体管结构121与子电容结构112一一对应，且子晶体管结构121与相对应的子电容结构112均包括部分子半导体层113；并且，位线100沿第三方向Z延伸，位线100与同一晶体管结构101中的多个子晶体管结构121电连接，子晶体管结构121与位线接触层104一一对应。
可以理解的是，沿第三方向Z可以布局多个子晶体管结构121以及多个子电容结构112，一个子晶体管结构121可以独立作为一个晶体管单元，一个子电容结构112可以独立作为一个电容单元，一个晶体管单元和一个电容单元可以构成一存储单元，如此，有利于通过沿第三方向Z上堆叠子晶体管结构121和子电容结构112提高半导体结构中存储单元的布局密度，从而提高半导体结构的集成密度。
需要说明的是，图2至图4中以一晶体管结构101中沿第三方向Z上堆叠的子晶体管结构121的数量为4个为示例，在实际应用中，对一晶体管结构101中沿第三方向Z上堆叠的子晶体管结构121的数量不做限制，可根据实际需求进行设计，只需满足子晶体管结构121的数量、子电容结构112和子半导体层113三者的数量一致即可。
在一个例子中，一晶体管结构101中沿第三方向Z上堆叠的子晶体管结构121的数量可以为1个，则该子晶体管结构121即为晶体管结构101，一电容结构102中沿第三方向Z上堆叠的子电容结构112的数量为1个，则该子电容结构112即为电容结构102，一半导体层103中沿第三方向Z上堆叠的子半导体层113的数量为1个，则该子半导体层113即为半导体层103。
在一些实施例中，继续参考图2至图4，沿第一方向X上，位线100可以包括相对的第一侧150和第二侧160，第一侧150和第二侧160与不同的晶体管结构101电连接。如此，两个晶体管结构101共用一位线100，有利于在进一步提高半导体结构中晶体管结构101、位线100和电容结构102的集成密度的同时，进一步降低半导体结构中对多个器件的控制复杂度。
在一些实施例中，继续参考图2至图4，沿第一方向X上，子半导体层113包括第一区123、第二区133以及第三区143，第一区123远离第二区133的端面与位线接触层104相接触；子晶体管结构121包括第一区123、第二区133以及栅极结构111，栅极结构111环绕第二区133沿第一方向X延伸的侧壁；子电容结构112包括第三区143和依次堆叠的子下电极层122、电容介电层132以及上电极层142，子下电极层122环绕第三区143沿第一方向X 延伸的侧壁。
在一些实施例中，参考图2和图3，栅极结构111可以包括栅介质层131和栅导电层141，其中，栅介质层131环绕第二区133沿第一方向X延伸的侧壁，栅导电层141环绕栅介质层131远离第二区133且沿第一方向X延伸的侧壁，且栅导电层141沿第二方向Y延伸，使得一栅导电层141与沿第二方向Y间隔排布的多个子晶体管结构121中的栅介质层131接触连接。可以理解的是，栅导电层141的材料可以为氮化钛、钨或者银等导电材料中的至少一者，栅介质层131的材料可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等绝缘材料中的至少一者。
在一些实施例中，继续参考图2和图3，晶体管结构101中的半导体层103沿第一方向X上依次包括：第一区123、第二区133以及第四区153，其中，第一区123可以为晶体管结构101中源极或漏极中的一者，第四区153可以是源极或漏极中的另一者，第二区133可以作为沟道区，第四区153与第三区143接触连接，以实现子晶体管结构121与子电容结构112之间的电连接。
在一些实施例中，子电容结构112中的下电极层包括第三区143和子下电极层122，其中，子下电极层122环绕第三区143沿第一方向X延伸的至少部分侧壁；电容介电层132环绕子下电极层122远离第三区143且沿第一方向X延伸的侧壁；上电极层142环绕子电容介电层132远离子下电极层122且沿第一方向X延伸的侧壁。
在一些实施例中，上电极层142可以包括依次堆叠的扩散阻挡层(图中未示出)和子上电极层(图中未示出)，其中，扩散阻挡层环绕电容介电层132远离子下电极层122且沿第一方向X延伸的侧壁；子上电极层环绕扩散阻挡层远离电容介电层132且沿第一方向X延伸的侧壁，扩散阻挡层有利于阻挡子上电极层中的导电材料向电容介电层132中的扩散，以保证电容介电层132良好的绝缘性能以及保证子上电极层良好的导电性能。在一个例子中，扩散阻挡层的材料可以为氮化钛，子上电极层的材料和子下电极层122的材料均可以多晶硅、氮化钛或钨等导电材料中的至少一者，电容介电层132的材料可以为钛酸锶、氧化铪、氧化铬或者氧化锆等高介电常数的介电材料。
在一些实施例中，参考图1和图4，沿第二方向Y上，不同晶体管结构101中的部分子晶体管结构121均包括同一栅极结构111的部分区域，栅极结构111沿第二方向Y延伸，且同一晶体管结构101中的子晶体管结构121的数量与栅极结构111的数量相同，第一方向X、第二方向Y和第三方向Z两两相交；半导体结构还可以包括：字线阶梯结构105，与多个栅极结构111分别电连接。
可以理解的是，位于同层的沿第二方向Y间隔排布的多个子晶体管结构121中的第二区133均与同一栅极结构111接触连接，同一晶体管结构101中位于不同层的子晶体管结构121中的第二区133与不同的栅极结构111接触连接。如此，字线阶梯结构105与多个栅极结构111分别电连接。有利于通过字线阶梯结构105对不同的栅极结构111实现独立控制。
在一个例子中，第一方向X、第二方向Y和第三方向Z可以两两相互垂直。
在一些实施例中，继续参考图1和图4，字线阶梯结构105可以包括沿第三方向Z上间隔排布的多个台阶结构115，台阶结构115沿第二方向Y延伸，且多个台阶结构115在第二方向Y上的长度不同，台阶结构115与栅极结构111一一对应。
其中，栅极结构111与台阶结构115一一对应连接，且多个台阶结构115在第二方向Y上的长度不同，如此，可以通过不同的台阶结构115对不同的栅极结构111进行控制，以实现同一晶体管结构101中不同子晶体管结构121之间的独立性。
需要说明的是，图2至图4中以栅极结构111沿第二方向Y延伸为示例，在实际应用中，可以根据实际需求设计栅极结构111的延伸方向。
在一些实施例中，参考图2至图4，半导体结构还可以包括：衬底170，沿第三方向Z上位于位线100、晶体管结构101、电容结构102以及字线阶梯结构105的正下方，用于作为位线100、晶体管结构101、电容结构102以及字线阶梯结构105的支撑底座。
在一些实施例中，沿子晶体管结构121指向衬底170的方向上，多个台阶结构115在第二方向Y上的长度可以依次增大。
在其他实施例中，台阶结构115可以沿第一方向X延伸，且多个台阶结构115在第一方向X上的长度不同，如此，字线阶梯结构105的延伸方向和电容结构102的延伸方向均为第一方向X。一般情况下，对电容量大的电容结构102的需求增加，使得电容结构102在第一方向X上会占用较大的布局长度，因而半导体结构在第一方向X上的布局长度一般由电容结构102在第一方向X上的布局长度决定，因此，字线阶梯结构105沿第一方向X延伸有利于增加字线阶梯结构105与电容结构102的正对区域，以在降低字线阶梯结构105在第二方向Y上的布局宽度的同时，使字线阶梯结构105沿第一方向X上尽量多布局，从而有利于在不增加半导体结构在第一方向X上的布局长度的同时，通过降低字线阶梯结构105在第二方向Y上的布局长度，以降低半导体结构在第二方向Y上的布局长度，实现对布局空间的合理利用和降低半导体结构总的布局面积，以在一定的布局面积下可以集成更多的晶体管结构101、电容结构102以及字线阶梯结构105，从而提高半导体结构的集成密度。
在一些实施例中，参考图4，台阶结构115可以包括支撑层163、介电层125以及电连接层135，其中，支撑层163和半导体层103可以为一体成型结构，介电层125和栅介质层131可以为一体成型结构，电连接层135和栅导电层141可以为一体成型结构，且电连接层135与栅导电层141接触连接。
在其他实施例中，台阶结构可以仅包括电连接层，电连接层与栅导电层接触连接。
在一些实施例中，参考图2至图4，半导体结构还可以包括：第一介质层116、第二介质层126和第三介质层136。其中，第一介质层116和第二介质层126共同覆盖第一区123沿第一方向X延伸的侧壁，以实现位线100与子晶体管结构121之间的电隔离；第一介质层116和第二介质层126还共同覆盖第四区153沿第一方向X延伸的侧壁，以实现子晶体管结构121与子电容结构112之间的电隔离；第一介质层116还位于相邻的子晶体管结构121之间，以实现相邻子晶体管结构121之间的电隔离，第一介质层116还位于相邻的台阶结构115之间，以实现相邻台阶结构115之间的电隔离，第一介质层116还位于位线100与衬底170之间，以实现为位线100与衬底170之间的电隔离，第二介质层126还可以位于第一介质层116远离衬底170的一侧以及第三介质层136远离衬底170的一侧；第三介质层136位于相邻的子电容结构112之间，以实现相邻子电容结构112之间的电隔离。
需要说明的是，本公开一实施例对第一介质层116、第二介质层126和第三介质层136 是单层结构还是叠层结构不做限制，实际应用中，可根据实际需求设定。
在一些实施例中，第一介质层116、第二介质层126和第三介质层136的材料均可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等绝缘材料中的至少一者。在一个例子中，第一介质层116的材料可以为氧化硅，第二介质层126的材料可以为氮化硅，第三介质层136的材料可以为氮氧化硅。
综上所述，位线100与位线接触层104的多个端面均有接触，有利于增大位线接触层104和位线100之间的接触面积，从而有利于降低位线100与位线接触层104之间的接触电阻，以进一步降低位线100与晶体管结构101之间的接触电阻；此外，位线接触层104和半导体层103包括相同的半导体材料，有利于改善位线接触层104和半导体层103之间的界面态缺陷，以提高位线接触层104和半导体层103之间的接触性能，从而有利于进一步降低位线100与晶体管结构101之间的接触电阻，因此，有利于提高半导体结构的电学性能。
本公开另一实施例还提供一种半导体结构的制造方法，用于制备前述实施例提供的半导体结构。以下将结合图1至图11对本公开另一实施例提供的半导体结构的制造方法进行详细说明。图6至图11为本公开另一实施例提供的半导体结构的制造方法各步骤对应的局部剖面示意图。需要说明的是，与前述实施例相同或相应的部分在此不再赘述。
参考图6至图11，半导体结构的制造方法包括：形成沿第一方向X排布的晶体管结构101和电容结构102，电容结构102沿第一方向X延伸，且晶体管结构101和电容结构102中均包括部分半导体层103，半导体层103沿第一方向X延伸；形成位线接触层104，位线接触层104位于半导体层103远离电容结构102的端面，且位线接触层104和半导体层103包括相同的半导体材料；形成位线100，位线100覆盖位线接触层104远离半导体层103的端面，以及至少覆盖位线接触层104沿第一方向X延伸的部分侧壁。
在一些实施例中，参考图1，形成晶体管结构101和电容结构102的步骤可以包括：沿第二方向Y上，形成多个间隔排布的晶体管结构101和多个间隔排布的电容结构102，且位线100与晶体管结构101一一对应，晶体管结构101与电容结构102一一对应，多个晶体管结构101均包括部分栅极结构111，栅极结构111沿第二方向Y延伸，第一方向X和第二方向Y相交。
在一些实施例中，参考图6和图7，形成晶体管结构101和电容结构102的步骤还可以包括：沿第三方向Z上，形成多个间隔排布的子晶体管结构121、多个间隔排布的子电容结构112以及多个间隔排布的子半导体层113，其中，至少部分沿第三方向Z排布的子晶体管结构121构成晶体管结构101，至少部分沿第三方向Z排布的子电容结构112构成电容结构102，至少部分沿第三方向Z排布的子半导体层113构成半导体层103。
如此，有利于形成沿第二方向X和/或第三方向Y间隔排布的子晶体管结构121、子电容结构112和子半导体层113，以提高半导体结构中晶体管结构101、位线100和电容结构102的集成密度。
在一些实施例中，继续参考图6和图7，形成子晶体管结构121和子电容结构112可以包括如下步骤：提供衬底170；沿第三方向Z上，在衬底170上形成牺牲层106和多个沿第三方向Z上间隔排布的初始子半导体层173，沿第一方向X上，初始子半导体层173包括 位线区183、第一区123、第二区133以及第三区143；刻蚀与第二区133正对的牺牲层106以露出第二区133，以及形成栅极结构111，栅极结构111环绕第二区133沿第一方向X延伸的侧壁；刻蚀与第三区143正对的牺牲层106以露出第三区143，以及形成子下电极层122，子下电极层122环绕第三区143沿第一方向X延伸的侧壁；在子下电极层122沿第一方向X延伸的侧壁上依次堆叠形成电容介电层132和上电极层142；其中，第一区123、第二区133以及栅极结构111构成子晶体管结构121第三区143、子下电极层122、电容介电层132以及上电极层142构成子电容结构112。
需要说明的是，本公开另一实施例对子晶体管结构121和子电容结构112的具体形成方法以及形成顺序不做限制。此外，在形成子晶体管结构121和子电容结构112之后，部分第一介质层116、部分第二介质层126以及第三介质层136已经形成，与位线区183正对的牺牲层106后续经过刻蚀剩余的部分也构成第一介质层116和第二介质层126，关于第一介质层116、第二介质层126以及第三介质层136的具体描述请参考前述实施例，在此不再赘述。此外，关于子晶体管结构121和子电容结构112的具体也请参考前述实施例，在此不再赘述。
可以理解的是，与第二区133正对的牺牲层106指的是：牺牲层106在衬底170上的正投影与第二区133在衬底170上的正投影重合的那部分牺牲层106。与第三区143正对的牺牲层106指的是：牺牲层106在衬底170上的正投影与第三区143在衬底170上的正投影重合的那部分牺牲层106。
在一些实施例中，结合参考图1和图7，沿第二方向Y上，不同晶体管结构101中的部分子晶体管结构121均可以包括同一栅极结构111的部分区域，栅极结构111沿第二方向Y延伸，且同一晶体管结构101中的子晶体管结构121的数量与栅极结构111的数量相同，第一方向X、第二方向Y和第三方向Z两两相交；制造方法还可以包括：形成字线阶梯结构105，字线阶梯结构105与多个栅极结构111分别电连接。
需要说明的是，本公开另一实施例对字线阶梯结构105的具体形成方法不做限制。此外，关于字线阶梯结构105的具体描述请参考前述实施例，在此不再赘述。
以下通过两个具体的实施例对如何形成位线100和位线接触层104进行详细说明。
在一些实施例中，形成位线接触层104和位线100可以包括如下步骤：
结合参考图6和图8，刻蚀位线区183以及与位线区183正对的牺牲层106，以形成第一凹槽107和半导体层103(参考图1)，且半导体层103包括沿第三方向Z上间隔排布的多个子半导体层113，沿第一方向X上，子半导体层113包括第一区123、第二区133以及第三区143，第一凹槽107露出第一区123远离第二区133的端面。
可以理解的是，与位线区183正对的牺牲层106指的是：牺牲层106在衬底170上的正投影与位线区183在衬底170上的正投影重合的那部分牺牲层106。第一凹槽107用于后续形成位线接触层104和位线100。
参考图9，在第一区123露出的端面上形成凸起层114，凸起层114位于第一凹槽107中，且凸起层114和子半导体层113包括相同的半导体材料。在一个例子中，凸起层114的 材料和子半导体层113的材料均包括硅材料。
在一些实施例中，形成凸起层114的步骤可以包括：采用外延生成工艺在第一区123露出的端面上形成凸起层114。
可以理解的是，采用外延生长工艺有利于提升凸起层114和第一区123之间的连续性，减少因晶格特性不同或者晶格错位导致的接触缺陷，减小因接触缺陷导致的接触电阻，提升载流子的传输能力和移动速度，进而提高凸起层114和第一区123之间的导电性能，便于后续提高基于凸起层114形成的位线接触层104与第一区123之间的导电性能，以及降低半导体结构运行过程中的发热。
结合参考图9和图2，对凸起层114进行金属化处理，以形成位线接触层104。
在一些实施例中，对凸起层114进行金属化处理的步骤可以包括：在第一凹槽107暴露出的凸起层114表面形成金属层(图中未示出)，金属层为后续形成位线接触层104提供金属元素，金属层还位于剩余第一凹槽107的表面；进行退火处理，以将凸起层114转化为位线接触层104；在形成位线接触层104之后，去除剩余的金属层。其中，金属层的材料可以包括钴、镍、钼、钛、钨、钽或者铂中的至少一种。
需要说明的是，图2中以仅凸起层114转化为位线接触层104为示例。在一些实施例中，除了凸起层114转化为位线接触层104之外，与凸起层114接触连接的第二区133的部分区域也可以被转化成位线接触层104的一部分；或者，在另一些实施例中，仅部分凸起层114被转化为位线接触层104。
可以理解的是，由于凸起层114远离第一区123的端面以及凸起层114的至少部分侧壁均暴露在第一凹槽107中，如此，有利于增大凸起层114被金属化处理的表面积，从而有利于增大金属化处理过程中金属元素向凸起层114以及第一区123中扩散的扩散路径，提高金属化处理的效果，有利于提高最终的位线接触层104自身的导电性。此外，形成的位线接触层104至少部分位于第一凹槽107中，后续在剩余第一凹槽107中形成位线100时，有利于使得位线100覆盖位线接触层104远离第一区123的端面且至少覆盖位线接触层104沿第一方向X延伸的部分侧壁，如此，有利于增大位线接触层104和位线100之间的接触面积，从而有利于降低位线100与位线接触层104之间的接触电阻，以进一步降低位线100与晶体管结构101之间的接触电阻。
结合参考图9和图2，形成位线100，位线100填充满剩余第一凹槽107。
在另一些实施例中，形成位线接触层104和位线100可以包括如下步骤：
结合参考图6和图8，刻蚀位线区183以及与位线区183正对的牺牲层106，以形成第一凹槽107和半导体层103(参考图1)，且半导体层103包括沿第三方向Z上间隔排布的多个子半导体层113，沿第一方向X上，子半导体层113包括第一区123、第二区133以及第三区143，第一凹槽107露出第一区123远离第二区133的端面。
可以理解的是，与位线区183正对的牺牲层106指的是：牺牲层106在衬底170上的正投影与位线区183在衬底170上的正投影重合的那部分牺牲层106。第一凹槽107用于后续形成位线接触层104和位线100。
结合参考图8和图10，对第一凹槽107露出的牺牲层106进行刻蚀以形成第二凹槽117，第二凹槽117露出第一区123沿第一方向X延伸的部分侧壁，且第一凹槽107和第二凹槽117连通。
如此，有利于通过第一凹槽107和第二凹槽117两者露出第一区123远离第二区133的端面以及第一区123沿第一方向X延伸的部分侧壁，以提高后续第一区123能够被金属化处理的表面积，从而有利于增大金属化处理过程中金属元素向第一区123中扩散的扩散路径，提高金属化处理的效果，有利于提高最终的位线接触层104自身的导电性。
参考图11，对第一凹槽107和第二凹槽117露出的第一区123进行金属化处理，以形成位线接触层104，位线接触层104至少位于第一凹槽107中。
在一些实施例中，对第一区123进行金属化处理的步骤可以包括：在第一凹槽107和第二凹槽117露出的第一区123表面形成金属层(图中未示出)，金属层为后续形成位线接触层104提供金属元素，金属层还位于剩余第一凹槽107和剩余第二凹槽117的表面；进行退火处理，以将部分第一区123转化为位线接触层104；在形成位线接触层104之后，去除剩余的金属层。其中，金属层的材料可以包括钴、镍、钼、钛、钨、钽或者铂中的至少一种。
需要说明的是，图3中以仅将第一凹槽107和第二凹槽117共同露出的第一区123转化为位线接触层104为示例。在一些实施例中，除了将第一凹槽107和第二凹槽117共同露出的第一区123转化为位线接触层104之外，第二凹槽117未露出的第二区133的部分区域也可以被转化成位线接触层104的一部分；或者，在另一些实施例中，仅将第一凹槽107和第二凹槽117共同露出的第一区123的部分区域转化为位线接触层104。
此外，形成的位线接触层104至少部分位于第一凹槽107中，后续在剩余第一凹槽107和剩余第二凹槽117中形成位线100时，有利于使得位线100覆盖位线接触层104远离第一区123的端面且至少覆盖位线接触层104沿第一方向X延伸的部分侧壁，如此，有利于增大位线接触层104和位线100之间的接触面积，从而有利于降低位线100与位线接触层104之间的接触电阻，以进一步降低位线100与晶体管结构101之间的接触电阻。
结合参考图11和图3，形成位线100，位线100填充满剩余第一凹槽107和剩余第二凹槽117。
上述两种实施例中，参考图2和图3，形成位线100的步骤还可以包括：形成扩散阻挡层130，扩散阻挡层130保形覆盖位线接触层104露出的表面，且扩散阻挡层130围成第三凹槽；形成导电层140，导电层140填充满第三凹槽。其中，扩散阻挡层130有利于阻挡导电层140中的导电材料向位线接触层104中的扩散，以保证位线接触层104良好的导电性能。
在一些实施例中，参考图2，扩散阻挡层130保形覆盖第一凹槽107露出的位线接触层104的表面以及剩余第一凹槽107的表面；在另一些实施例中，参考图3，扩散阻挡层130保形覆盖第一凹槽107和第二凹槽117共同露出的位线接触层104的表面以及剩余第一凹槽107和剩余第二凹槽117的表面。
综上所述，利用本公开另一实施例提高的制造方法形成的半导体结构中，位线100与 位线接触层104的多个端面均有接触，有利于增大位线接触层104和位线100之间的接触面积，从而有利于降低位线100与位线接触层104之间的接触电阻，以进一步降低位线100与晶体管结构101之间的接触电阻；此外，位线接触层104和半导体层103包括相同的半导体材料，有利于改善位线接触层104和半导体层103之间的界面态缺陷，以提高位线接触层104和半导体层103之间的接触性能，从而有利于进一步降低位线100与晶体管结构101之间的接触电阻，因此，有利于提高半导体结构的电学性能。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本公开的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本公开实施例的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本公开实施例的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本公开实施例的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (18)
- 一种半导体结构，包括：沿第一方向依次排布的位线、晶体管结构和电容结构，所述电容结构沿所述第一方向延伸，且所述晶体管结构和所述电容结构中均包括部分半导体层，所述半导体层沿所述第一方向延伸；位线接触层，位于所述半导体层远离所述电容结构的端面，且所述位线接触层和所述半导体层包括相同的半导体材料，所述位线覆盖所述位线接触层远离所述半导体层的端面，以及至少覆盖所述位线接触层沿所述第一方向延伸的部分侧壁。
- 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述位线具有至少一个朝向所述位线内部凹陷的凹陷区。
- 如权利要求1至2任一项所述的半导体结构，其中，所述位线接触层的材料为金属半导体材料。
- 如权利要求1至2任一项所述的半导体结构，其中，所述位线包括依次堆叠的扩散阻挡层和导电层。
- 如权利要求1所述的半导体结构，其中，多个所述位线、多个所述晶体管结构以及多个所述电容结构均沿第二方向排布，且所述位线与所述晶体管结构一一对应，所述晶体管结构与所述电容结构一一对应，多个所述晶体管结构均包括部分栅极结构，所述栅极结构沿所述第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交。
- 如权利要求1或5所述的半导体结构，其中，所述晶体管结构包括沿第三方向间隔排布的多个子晶体管结构，所述电容结构包括沿所述第三方向间隔排布的多个子电容结构，所述半导体层包括沿所述第三方向上间隔排布的多个子半导体层，所述子晶体管结构与所述子电容结构一一对应，且所述子晶体管结构与相对应的所述子电容结构均包括部分所述子半导体层；并且，所述位线沿所述第三方向延伸，所述位线与同一所述晶体管结构中的多个所述子晶体管结构电连接，所述子晶体管结构与所述位线接触层一一对应。
- 如权利要求6所述的半导体结构，其中，沿所述第一方向上，所述位线包括相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和所述第二侧与不同的所述晶体管结构电连接。
- 如权利要求6所述的半导体结构，其中，沿所述第一方向上，所述子半导体层包括第一区、第二区以及第三区，所述第一区远离所述第二区的端面与所述位线接触层相接触；所述子晶体管结构包括所述第一区、所述第二区以及栅极结构，所述栅极结构环绕所述第二区沿所述第一方向延伸的侧壁；所述子电容结构包括所述第三区和依次堆叠的子下电极层、电容介电层以及上电极层，所述子下电极层环绕所述第三区沿所述第一方向延伸的侧壁。
- 如权利要求6所述的半导体结构，其中，沿第二方向上，不同所述晶体管结构中的部分所述子晶体管结构均包括同一栅极结构的部分区域，所述栅极结构沿第二方向延伸，且 同一所述晶体管结构中的所述子晶体管结构的数量与所述栅极结构的数量相同，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相交；所述半导体结构还包括：字线阶梯结构，与所述多个所述栅极结构分别电连接。
- 如权利要求9所述的半导体结构，其中，所述字线阶梯结构包括沿所述第三方向上间隔排布的多个台阶结构，所述台阶结构沿所述第二方向延伸，且多个所述台阶结构在所述第二方向上的长度不同，所述台阶结构与所述栅极结构一一对应。
- 一种半导体结构的制造方法，包括：形成沿第一方向排布的晶体管结构和电容结构，所述电容结构沿所述第一方向延伸，且所述晶体管结构和所述电容结中均包括部分半导体层，所述半导体层沿所述第一方向延伸；形成位线接触层，所述位线接触层位于所述半导体层远离所述电容结构的端面，且所述位线接触层和所述半导体层包括相同的半导体材料；形成位线，所述位线覆盖所述位线接触层远离所述半导体层的端面，以及至少覆盖所述位线接触层沿所述第一方向延伸的部分侧壁。
- 如权利要求11所述的制造方法，其中，形成所述晶体管结构和所述电容结构的步骤包括：沿第二方向上，形成多个间隔排布的所述晶体管结构和多个间隔排布的所述电容结构，且所述位线与所述晶体管结构一一对应，所述晶体管结构与所述电容结构一一对应，多个所述晶体管结构均包括部分栅极结构，所述栅极结构沿所述第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交。
- 如权利要求11或12所述的制造方法，其中，形成所述晶体管结构和所述电容结构的步骤还包括：沿第三方向上，形成多个间隔排布的子晶体管结构、多个间隔排布的子电容结构以及多个间隔排布的子半导体层，其中，至少部分沿所述第三方向排布的所述子晶体管结构构成所述晶体管结构，至少部分沿所述第三方向排布的所述子电容结构构成所述电容结构，至少部分沿所述第三方向排布的所述子半导体层构成所述半导体层。
- 如权利要求13所述的制造方法，其中，形成所述子晶体管结构和所述子电容结构的步骤包括：提供衬底；沿所述第三方向上，在所述衬底上依次堆叠形成牺牲层和多个沿所述第三方向间隔排布的初始子半导体层，沿所述第一方向上，所述初始子半导体层包括位线区、第一区、第二区以及第三区；刻蚀与所述第二区正对的所述牺牲层以露出所述第二区，以及形成栅极结构，所述栅极结构环绕所述第二区沿所述第一方向延伸的侧壁；刻蚀与所述第三区正对的所述牺牲层以露出所述第三区，以及形成子下电极层，所述子 下电极层环绕所述第三区沿所述第一方向延伸的侧壁；在所述子下电极层沿所述第一方向延伸的侧壁上依次堆叠形成电容介电层和上电极层；其中，所述第一区、所述第二区以及所述栅极结构构成所述子晶体管结构，所述第三区、所述子下电极层、所述电容介电层以及所述上电极层构成所述子电容结构。
- 如权利要求14所述的制造方法，其中，形成所述位线接触层和所述位线的步骤包括：刻蚀所述位线区以及与所述位线区正对的所述牺牲层，以形成第一凹槽和所述半导体层，且所述半导体层包括沿所述第三方向上间隔排布的多个所述子半导体层，沿所述第一方向上，所述子半导体层包括所述第一区、所述第二区以及所述第三区，所述第一凹槽露出所述第一区远离所述第二区的端面；在所述第一区露出的端面上形成凸起层，所述凸起层位于所述第一凹槽中，且所述凸起层和所述子半导体层包括相同的半导体材料；对所述凸起层进行金属化处理，以形成所述位线接触层；形成所述位线，所述位线填充满剩余所述第一凹槽。
- 如权利要求15所述的制造方法，其中形成所述凸起层的步骤包括：采用外延生成工艺在所述第一区露出的端面上形成所述凸起层。
- 如权利要求14所述的制造方法，其中，形成所述位线接触层和所述位线的步骤包括：刻蚀所述位线区以及与所述位线区正对的所述牺牲层，以形成第一凹槽和所述半导体层，且所述半导体层包括沿所述第三方向上间隔排布的多个所述子半导体层，沿所述第一方向，所述子半导体层包括所述第一区、所述第二区以及所述第三区，所述第一凹槽露出所述第一区远离所述第二区的端面；对所述第一凹槽露出的所述牺牲层进行刻蚀以形成第二凹槽，所述第二凹槽露出所述第一区沿所述第一方向延伸的部分侧壁，且所述第一凹槽和所述第二凹槽连通；对所述第一凹槽和所述第二凹槽露出的所述第一区进行金属化处理，以形成所述位线接触层，所述位线接触层至少位于所述第一凹槽中；形成所述位线，所述位线填充满剩余所述第一凹槽和剩余所述第二凹槽。
- 如权利要求15或17所述的制造方法，其中，形成所述位线的步骤还包括：形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层保形覆盖所述位线接触层露出的表面，且所述扩散阻挡层围成第三凹槽，形成导电层，所述导电层填充满所述第三凹槽。
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