WO2023234637A1 - 조명계 조절을 통한 euv 마스크 검사 장치 및 방법 - Google Patents

조명계 조절을 통한 euv 마스크 검사 장치 및 방법 Download PDF

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WO2023234637A1
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euv light
euv
mirror
illumination system
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PCT/KR2023/007158
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안진호
문승찬
김영웅
이동기
최진혁
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한양대학교 산학협력단
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Definitions

  • the present invention relates to an EUV mask inspection device and method through illumination system control, and more specifically, to an EUV mask inspection device and method that can implement an optimized illumination system according to the pattern of the mask.
  • the EUV mask is manufactured in the form of a 40-pair Mo/Si-based multilayer thin film to complement the characteristics of the 13.5 nm EUV light, so it is possible to evaluate the presence or absence of surface defects using DUV (deep ultraviolet) or E-beam, but the multilayer Phase defects that occur inside a thin film can only be accurately measured in mask space through inspection using EUV light, which is called actinic inspection technology.
  • DUV deep ultraviolet
  • EUV light which is called actinic inspection technology.
  • the most relevant technology related to illumination system control and mask imaging is the technology to transfer a mask to a wafer by controlling the illumination system using a facet mirror in an exposure machine.
  • the facet mirror is composed of a group of more than 100 separate mirrors, and each mirror can independently finely adjust the angle, allowing the angle of incidence of EUV light irradiated to the EUV mask to be adjusted, thereby enabling control of the illumination system.
  • facet mirrors are owned exclusively by Carl Zeiss, so there are no commercially available products, the design difficulty is very difficult, and manufacturing costs an astronomical amount of money. Facet mirrors are made up of more than hundreds of independent mirrors and are quite large in size. It is also very difficult to finely control the mirrors simultaneously, and the additional installation of an optical system to implement the optical system is difficult due to the nature of EUV light. Because it has a negative impact on the evaluation of mask imaging performance due to a decrease in , it is currently not used in mask imaging characteristic inspection technology.
  • One technical problem to be solved by the present invention is to provide an EUV mask inspection device and method through illumination system control.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an EUV mask inspection device and method capable of implementing various illumination systems.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an EUV mask inspection device and method that does not use expensive facet mirrors.
  • Another technical problem that the present invention aims to solve is to provide an EUV mask inspection device and method that can acquire high-resolution spatial domain images regardless of the pattern type of the mask.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an EUV mask inspection device and method that can irradiate EUV light at various angles to the same area of the mask.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an EUV mask inspection device and method with improved mask inspection accuracy.
  • the present invention provides an EUV mask inspection device.
  • the EUV mask inspection device includes a light source that generates EUV light, a mirror that changes the path of light so that the EUV light generated from the light source is irradiated to the mask, and is coupled to the mirror to irradiate the EUV light to the mask.
  • a mirror stage that controls the position of the mirror so that the incident angle of the EUV light is controlled, and a detection array that collects the EUV light diffracted through the mask and obtains a diffraction pattern of the diffracted EUV light, It may include implementing an illumination system by combining diffraction patterns of first EUV light and second EUV light irradiated at different angles to the same area.
  • the detection array implements the illumination system by obtaining a target diffraction pattern by combining a first diffraction pattern for the first EUV light and a second diffraction pattern for the second EUV light, It may include acquiring an aerial image of an area of the mask to which the first EUV light and the second EUV light are irradiated through a target diffraction pattern.
  • an illumination system implemented by combining diffraction patterns of the first EUV light and the second EUV light may include a dipole illumination system in which two poles are arranged at 180° intervals.
  • the first EUV light is irradiated to the first area of the mask with a large angle pole (LAP) that is irradiated at an angle of incidence greater than 6° based on the normal line of the upper surface of the mask, and the first EUV light is radiated to the first area of the mask at an angle greater than 6°.
  • 2 EUV light may be irradiated to the first area of the mask with a small angle pole (SAP) that is irradiated at an angle of incidence smaller than 6° based on the normal line of the upper surface of the mask.
  • the EUV mask inspection device further includes a pinhole disposed on the mask, wherein the pinhole guides the EUV light irradiated to the mask to be focused on a specific area of the mask. there is.
  • the pinhole may include an incident hole that guides the EUV light to be irradiated from the mirror to the mask, and a diffraction hole that guides the EUV light diffracted from the mask to be collected into the detection array.
  • the entrance hole includes first to fourth entrance holes, wherein the diameter of the second entrance hole is larger than the diameter of the first entrance hole, and the diameter of the third entrance hole is the diameter of the second entrance hole. and the diameter of the fourth incident hole may be larger than the diameter of the third incident hole.
  • the illumination system implemented by synthesizing the diffraction patterns of the first EUV light and the second EUV light is a V-dipole illumination system in which two poles are arranged at 180° intervals in the vertical direction, 2 Among the H-dipole illumination systems in which two poles are arranged at 180° intervals in the horizontal direction, the quadrupole illumination system in which four poles are arranged at 90° intervals, and the annular illumination system in which the poles form a ring. It may include being implemented as any one lighting system.
  • the present invention provides an EUV mask inspection method.
  • the EUV mask inspection method includes generating first EUV light from a light source, changing the path of the first EUV light through a mirror, and generating the first EUV light on a first area of the mask. irradiating at an angle of 1, collecting the first EUV light diffracted from the first area of the mask, obtaining a first diffraction pattern of the diffracted first EUV light, and emitting a second EUV light from the light source.
  • the step of irradiating the first EUV light at a first angle onto the first area of the mask includes positioning the mirror so that the first EUV light generated from the light source is irradiated to the mask. changing the path of the first EUV light, and controlling the position of a pinhole disposed on the mask, so that the first EUV light whose path has been changed through the mirror is irradiated to the first area of the mask.
  • the step of guiding the second EUV light at a second angle on the first area of the mask includes guiding the mirror so that the second EUV light generated from the light source is irradiated to the mask.
  • Changing the path of the second EUV light by changing the position of the mask, and controlling the position of the pinhole disposed on the mask, so that the second EUV light whose path has been changed through the mirror is transmitted to the second region of the mask. It may include steps to guide the investigation.
  • the EUV mask inspection method includes implementing an illumination system by synthesizing the first diffraction pattern and the second diffraction pattern, and then forming a target diffraction pattern in which the first diffraction pattern and the second diffraction pattern are synthesized. It may further include obtaining an aerial image for the first area of the mask by repeatedly calculating through a phase recovery algorithm.
  • the present invention provides a mirror tilting device.
  • the mirror tilting device includes an upper mirror stage on which a mirror that reflects EUV light and changes the path of the EUV light is mounted, and a lower mirror stage that is coupled to the upper mirror stage and supports the upper mirror stage.
  • the lower mirror stage reciprocates linearly in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction, and the upper mirror stage moves in a direction perpendicular to the first direction and the second direction. It may include rotating clockwise or counterclockwise about three directions and the second direction, respectively.
  • the upper mirror stage has a ' ⁇ ' shape and has a first upper driving module that rotates clockwise or counterclockwise about the third direction, and has an ' ⁇ ' shape, above 1 a second upper driving module coupled to the inside of the upper driving module to rotate clockwise or counterclockwise about the second direction, and a space disposed inside the second upper driving module and in which the mirror is seated; It may include a formed mirror seating module.
  • the lower mirror stage includes a first lower driving module linearly reciprocating along the second direction, and disposed on the first lower driving module and linearly reciprocating along the first direction. It may include a second lower driving module.
  • the EUV mask inspection device can implement various illumination systems, so it can acquire high-resolution spatial domain images regardless of the pattern type of the EUV mask, thereby improving the accuracy of EUV mask inspection.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2 and 3 are diagrams for explaining a pinhole of an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 4 is a diagram for explaining the implementation of a conventional illumination system using an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 5 is a diagram for explaining LAP irradiation using an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 6 is a diagram for explaining SAP inspection through an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 and 8 are diagrams for explaining the implementation of a dipole illumination system using an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 9 is a diagram for explaining an example of an illumination system that can be implemented through an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 10 is a diagram for explaining another example of an illumination system that can be implemented through an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a process of acquiring a spatial domain image through a detection array of an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 12 is a photograph comparing a spatial domain image through a conventional illumination system and a spatial domain image through a dipole illumination system for the same mask pattern.
  • Figure 13 is a diagram comparing the intensity distribution of a spatial domain image through a conventional illumination system and the intensity distribution of a spatial domain image through a dipole illumination system for the same mask pattern.
  • Figure 14 is a diagram for explaining the mirror stage of the EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 15 is a diagram for explaining the upper mirror stage of the mirror stage according to an embodiment of the present invention.
  • Figures 16 and 17 are diagrams for explaining the operation of the upper mirror stage according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 18 is a diagram for explaining the lower mirror stage of the mirror stage according to an embodiment of the present invention.
  • 19 and 20 are diagrams for explaining the operation of the lower mirror stage according to an embodiment of the present invention.
  • first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. Additionally, in this specification, 'and/or' is used to mean including at least one of the components listed before and after.
  • connection is used to mean both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention
  • FIGS. 2 and 3 are diagrams for explaining a pinhole of the EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • the EUV mask inspection device includes a light source 100, a mirror 200, a mirror stage 300, a pinhole 400, a pinhole stage (not shown), and a mask. It may include a stage 500 and a detection array 600. Below, each configuration is explained.
  • the light source 100 can generate coherent EUV (Extreme Ultra Violet) light with a wavelength of 13.5 nm.
  • the EUV light (L) generated from the light source 100 may be provided to the mirror 200.
  • the mirror 200 may reflect the EUV light (L) and change the path of the EUV light (L).
  • the EUV light (L) whose path has been changed through the mirror 200 may be provided to the mask (M).
  • the mirror 200 may be a toroidal multilayer thin film mirror.
  • the mirror stage 300 may be combined with the mirror 200.
  • the mirror stage 300 may control the position of the mirror 200 so that the incident angle of the EUV light (L) irradiated to the mask (M) is controlled. That is, through control of the mirror stage 300, the angle of the EUV light L irradiated to the mask M can be controlled in various ways. A more detailed description of the mirror stage 300 will be described later with reference to FIGS. 14 to 20.
  • the pinhole 400 may be placed on the mask M.
  • the pinhole 400 may guide the EUV light L irradiated to the mask M to be focused on a specific area of the mask M. That is, the positional accuracy of the EUV light L focused on the mask M by the pinhole 400 can be improved.
  • the pinhole 400 may include first to fourth incident holes 410a, 410b, 410c, and 410d, and a diffraction hole 420.
  • the first to fourth entrance holes 410a, 410b, 410c, and 410d may be defined as holes that guide the EUV light L from the mirror 200 to the mask M.
  • the diffraction hole 420 may be defined as a hole that guides the EUV light L diffracted from the mask M to be collected into the detection array 600. That is, the EUV light L reflected through the mirror 200 is incident on the mask M through any one of the first to fourth entrance holes 410a, 410b, 410c, and 410d. After that, it is diffracted by the mask M, and the EUV light L diffracted by the mask M may be provided to the detection array 600 through the diffraction hole 420.
  • the first to fourth entrance holes 410a, 410b, 410c, and 410d may have different diameters.
  • the diameter of the second entrance hole 410b is larger than the diameter of the first entrance hole 410a
  • the diameter of the third entrance hole 410c is larger than the diameter of the second entrance hole 410b.
  • the diameter of the fourth entrance hole 410d may be larger than the diameter of the third entrance hole 410c.
  • the diameter of the first entrance hole 410a may be 10 ⁇ m.
  • the diameter of the second incident hole 410b may be 15 ⁇ m.
  • the diameter of the third entrance hole 410c may be 20 ⁇ m.
  • the diameter of the fourth entrance hole 410d may be 30 ⁇ m.
  • the pinhole stage can control the position of the pinhole 400.
  • the pinhole stage controls the position of the pinhole 400 so that the EUV light (L) is irradiated to the mask (M) through the fourth incident hole (410d).
  • the position of the pinhole 400 can be controlled to sequentially irradiate the mask M through the third entrance hole 410c, the second entrance hole 410b, and the first entrance hole 410a. . That is, after controlling the EUV light (L) to be irradiated to the mask (M) through the largest diameter incident hole, the EUV light (L) is irradiated to the mask (M) through gradually smaller diameter incident holes. You can control it to be irradiated. Accordingly, the positional accuracy of the EUV light L focused on the mask M may be improved.
  • the EUV mask inspection device transmits the EUV light (L) by the mirror 200, the mirror stage 300, the pinhole 400, and the pinhole stage (not shown). This can be controlled to irradiate the same area of the mask M at different angles.
  • the mask stage 500 can control the position of the mask M. According to one embodiment, the area of the mask M to be inspected can be changed through the mask stage 500.
  • the EUV mask inspection device may further include a control unit (not shown).
  • the control unit may calculate the tilt and position information of the mirror 200 by inversely calculating the angle of the EUV light (L) incident on the mask (M).
  • the detection array 600 may collect the EUV light (L) reflected and diffracted through the mask (M) and obtain a diffraction pattern of the reflected and diffracted EUV light (L).
  • the detection array 600 utilizes a CDI (Coherent Diffraction Imaging) technique that reconstructs the image by repeatedly calculating the diffraction pattern of the EUV light (L) through a phase restoration algorithm, so that the EUV light (L) is irradiated.
  • An aerial image of the mask M may be obtained.
  • the EUV mask inspection device can check defects or contamination of the mask M by checking the spatial domain image.
  • accuracy when checking defects or contamination of the mask M through the spatial domain image of the mask M, accuracy may vary depending on the resolution of the spatial domain image. In other words, the accuracy of inspection can be reduced through low-resolution spatial domain images, while the accuracy of inspection can be improved through high-resolution spatial domain images.
  • the resolution of the spatial domain image may vary depending on the illumination system of the mask inspection device. In particular, there are different optimal illumination systems that can achieve high resolution depending on the type of pattern of the mask M. For example, in the case of a horizontal dense line (H-dense line) pattern, high-resolution spatial domain images can be obtained through a V-dipole illumination system, and in the case of a vertical dense line (V-dense line) pattern, a high-resolution spatial domain image can be obtained through an H-dipole illumination system. High-resolution spatial domain images can be obtained, and in the case of contact hole (C/H) patterns, high-resolution spatial domain images can be obtained through a quadrupole illumination system.
  • H-dense line high-resolution spatial domain images can be obtained through a V-dipole illumination system
  • V-dense line vertical dense line
  • C/H contact hole
  • the EUV mask inspection device can acquire high-resolution spatial domain images regardless of the pattern type of the mask by implementing various illumination systems.
  • a process for implementing various illumination systems through an EUV mask inspection device will be described.
  • Figure 4 is a diagram for explaining the implementation of a conventional illumination system through an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention
  • Figure 5 is a diagram for explaining LAP irradiation through an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 6 is a diagram for explaining SAP irradiation through an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention
  • Figures 7 and 8 are diagrams of a dipole illumination system through an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a drawing for explaining an example of an illumination system that can be implemented through an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 10 is a drawing for explaining an EUV mask inspection according to an embodiment of the present invention. This is a drawing to explain another example of a lighting system that can be implemented through a device.
  • the EUV light L reflected through the mirror 200 may be diffracted in the first area MA 1 of the mask M and then collected in the detection array 600.
  • the detection array 600 may acquire a diffraction pattern (IN C ) of the EUV light (L).
  • the diffraction pattern (IN C ) of the EUV light (L) obtained through the detection array 600 includes 0th order diffraction light (0th), 1st order diffraction light (1st), and -1st order diffraction light. May include (-1th).
  • the diffraction pattern of the EUV light (L) including the 0th order diffraction light (0th), the 1st order diffraction light (1st), and the -1st order diffraction light (-1th) is the diffraction pattern of a conventional illumination system It can be the same. That is, the EUV mask inspection device includes 0th order diffraction light (0th), 1st order diffraction light (1st), and -1st order diffraction light (-1th) in the diffraction pattern obtained through the detection array 600.
  • a conventional illumination system can be implemented by controlling the incident angle of the EUV light (L) irradiated to the mask (M) as much as possible. Control of the incident angle of the EUV light (L) irradiated to the mask (M) may be achieved through the mirror stage (300).
  • the first EUV light L 1 generated through the light source 100 may be reflected by the mirror 200 and then irradiated to the mask M at a first angle.
  • the first EUV light (L 1 ) is LAP irradiated to the first area (MA 1 ) of the mask (M) at an angle of incidence greater than 6° based on the normal line of the upper surface of the mask. (Large angle pole).
  • the first EUV light L 1 may be defined as EUV light irradiated to the mask M through LAP.
  • the first EUV light (L 1 ) reflected and diffracted in the first area (MA 1 ) of the mask (M) is collected in the detection array 600, and the detection array 600 detects the first EUV A diffraction pattern of light (L 1 ) can be obtained.
  • the diffraction pattern of the first EUV light (L 1 ) may be defined as the first diffraction pattern (DP 1 ).
  • the first diffraction pattern DP 1 may include 0th order diffraction light (0th) and -1th order diffraction light (-1th). That is, the EUV mask inspection device irradiates the mask M so that the diffraction pattern obtained through the detection array 600 includes 0th order diffraction light (0th) and -1th order diffraction light (-1th).
  • the incident angle of the first EUV light (L 1 ) can be controlled. Control of the incident angle of the first EUV light L 1 irradiated to the mask M may be achieved through the mirror stage 300 .
  • the second EUV light L 2 generated through the light source 100 is reflected from the mirror 200 and then irradiated to the mask M at a second angle different from the first angle. It can be.
  • the second EUV light (L 2 ) is SAP that is irradiated to the first area (MA 1 ) of the mask (M) at an angle of incidence smaller than 6° based on the normal line of the upper surface of the mask. (Small angle pole).
  • the second EUV light L 2 may be defined as EUV light irradiated to the mask M as SAP.
  • the second EUV light L 2 reflected and diffracted in the first area MA 1 of the mask M is collected in the detection array 600, and the detection array 600 detects the second EUV A diffraction pattern of light (L 2 ) can be obtained.
  • the diffraction pattern of the second EUV light (L 2 ) may be defined as the first diffraction pattern (DP 2 ).
  • the second diffraction pattern DP 2 may include 0th order diffraction light (0th) and 1st order diffraction light (1st). That is, the EUV mask inspection device irradiates the mask M so that the diffraction pattern obtained through the detection array 600 includes the 0th order diffraction light (0th) and the 1st order diffraction light (1st).
  • the incident angle of the second EUV light (L 2 ) can be controlled. Control of the incident angle of the second EUV light L 2 irradiated to the mask M may be achieved through the mirror stage 300 .
  • the detection array 600 may synthesize the first diffraction pattern (DP 1 ) and the second diffraction pattern (DP 2 ).
  • a pattern obtained by combining the first diffraction pattern (DP 1 ) and the second diffraction pattern (DP 2 ) may be defined as a target diffraction pattern (IN D ).
  • the target diffraction pattern (IN D ) may be the same as the diffraction pattern of a dipole illumination system. That is, the EUV mask inspection device includes the first diffraction pattern (DP 1 ) obtained from the first EUV light (L 1 ) and the second diffraction pattern (DP) obtained from the second EUV light (L 2 ). By combining 2 ), a dipole lighting system with two poles arranged at 180° intervals can be implemented.
  • the EUV mask inspection device irradiates a plurality of EUV lights at different angles to the same area of the mask M, obtains a diffraction pattern from each EUV light, and synthesizes the obtained diffraction patterns to provide various A lighting system can be implemented.
  • the illumination system implemented through the EUV mask inspection device is shown in FIGS. 9 and 10.
  • a conventional illumination system a
  • a V-dipole illumination system b
  • an H-dipole illumination system c
  • a quadrupole illumination system quadrupole illumination system
  • an annular illumination system can also be implemented.
  • various lighting systems can be implemented, and the types of lighting systems that can be implemented are not limited.
  • the EUV mask inspection device can implement a variety of illumination systems with a simple method of controlling the angle of incidence of EUV light using only toroidal mirrors commonly used in the EUV process, so expensive equipment such as facet mirrors used conventionally can be used. It is possible to obtain high-resolution spatial domain images for various masks without using a mask.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating the process of acquiring a spatial domain image through a detection array of an EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 12 is a spatial domain image through a conventional illumination system and a dipole illumination system for the same mask pattern. This is a photo comparing spatial domain images through
  • Figure 13 is a diagram comparing the intensity distribution of the spatial domain image through a conventional illumination system and the intensity distribution of the spatial domain image through a dipole illumination system for the same mask pattern.
  • the detection array 600 measures the intensity of the EUV light (L), then assigns a random phase value to the intensity value measured through CDI (Coherent diffraction imaging) technique, and performs Fourier transform and Inverse Fourier transform.
  • the phase of the image can be restored through repeated calculations.
  • a ptychography phase restoration algorithm may be used. Specifically, random values are assigned to the probe function P(r) and object function O(r), the amplitude and phase in the Fourier domain are calculated through Fourier transform, and the calculated amplitude is the amplitude value of the obtained diffraction pattern. Replace P(r) and O(r) obtained through the Inverse Fourier transform with an update function to reduce the error between the calculated value and the actual measured value.
  • P(r) may be defined as EUV light irradiated to the mask
  • O(r) may be defined as the mask image
  • a spatial domain image (a) obtained through a conventional illumination system and a spatial domain image (b) obtained through a dipole illumination system for a mask with a dense line pattern are compared and shown. Also, referring to FIG. 13, the intensity distribution (a) of the spatial domain image acquired through a conventional illumination system for a mask with a dense line pattern and the intensity of the spatial domain image acquired through a dipole illumination system It is shown by comparing the distributions (b).
  • Figure 14 is a diagram for explaining the mirror stage of the EUV mask inspection device according to an embodiment of the present invention
  • Figure 15 is a diagram for explaining the upper mirror stage of the mirror stage according to an embodiment of the present invention
  • Figures 16 and FIG. 17 is a diagram for explaining the operation of the upper mirror stage according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 18 is a diagram for explaining the lower mirror stage of the mirror stage according to an embodiment of the present invention
  • FIGS. 19 and 20 is a diagram for explaining the operation of the lower mirror stage according to an embodiment of the present invention.
  • the mirror stage 300 includes an upper mirror stage 310 on which a mirror that reflects EUV light and changes the path of the EUV light is placed, and is coupled to the upper mirror stage to form the upper mirror stage 310. ) may include a lower mirror stage 320 supporting the. The mirror stage 300 may also be defined as a mirror tilting device.
  • the upper mirror stage 310 includes a first upper plate 311, a second upper plate 312, a first upper driving module 313, and a second upper driving module 314. , a mirror seating module 315, and a third upper plate 316.
  • the first upper plate 311 may have a square plate shape with sides extending in a first direction and sides extending in a second direction perpendicular to the first direction.
  • the first direction may be the X-axis direction shown in FIGS. 16 and 17.
  • the second direction may be the Y-axis direction shown in FIGS. 16 and 17.
  • the second upper plate 312 may be disposed on the first upper plate 311 and fixedly coupled to the first upper plate 311 .
  • the second upper plate 312 also has a square plate shape like the first upper plate 311, and the area of the second upper plate 312 is smaller than that of the first upper plate 311. It may be smaller than the area of .
  • the first upper driving module 313 may be disposed on the second upper plate 312. According to one embodiment, the first upper driving module 313 may have an 'L' shape. As shown in FIG. 16, the first upper driving module 313 operates clockwise or clockwise about a third direction, which is a direction perpendicular to the first direction (X-axis direction) and the second direction (Y-axis direction). It can be rotated counterclockwise. According to one embodiment, the third direction may be the Z-axis direction shown in FIGS. 16 and 17.
  • the second upper driving module 314 may be disposed inside the first upper driving module 313. According to one embodiment, the second upper driving module 314 may also have an 'L' shape. As shown in FIG. 17, the second upper driving module 314 may be rotated clockwise or counterclockwise about the second direction (Y-axis direction). Additionally, the second upper driving module 314 may be rotated clockwise or counterclockwise about the third direction (Z-axis direction) according to the operation of the first upper driving module 313.
  • the mirror seating module 315 may be disposed inside the second upper driving module 314.
  • a space (LH) in which the mirror 200 is mounted may be formed in the mirror mounting module 315.
  • the mirror seating module 315 may fix the mirror 200 seated in the mirror seating space (LH). Accordingly, the mirror 200 moves in the third direction (Z-axis direction) and the second direction (Y-axis direction) by the operation of the first upper driving module 313 and the second driving module 314. It can be rotated clockwise or counterclockwise about the axis.
  • the third upper plate 316 may be disposed outside the first upper driving module 313 to face the second upper driving module 314.
  • the lower mirror stage 320 includes a first lower plate 321, a second lower plate 322, a first lower driving module 323, a third lower plate 324, and a second lower driving module 325.
  • the first lower plate 321 may have a square plate shape with sides extending in a first direction and sides extending in a second direction perpendicular to the first direction.
  • the first direction may be the X-axis direction shown in FIGS. 19 and 20.
  • the second direction may be the Y-axis direction shown in FIGS. 19 and 20.
  • the second lower plate 322 may be disposed on the first lower plate 321 and fixedly coupled to the first lower plate 321 .
  • the second lower plate 322 also has a square plate shape like the first lower plate 321, and the area of the second lower plate 322 is smaller than that of the first lower plate 321. It may be smaller than the area of .
  • the first lower driving module 323 may be disposed on the second lower plate 322.
  • the first lower driving module 323 may be coupled to the second lower plate 322 to linearly reciprocate along the second direction (Y-axis direction).
  • the first lower driving module 323 also has a square plate shape like the second lower plate 322, and the area of the first lower driving module 323 is the second lower plate ( It may be equal to the area of 322).
  • the third lower plate 324 may be disposed on the first lower driving module 323 and fixedly coupled to the first lower driving module 323. According to one embodiment, the third lower plate 324 also has a square plate shape like the second lower plate 322, and the area of the third lower plate 324 is smaller than that of the second lower plate 322. It may be equal to the area of .
  • the second lower driving module 325 may be disposed on the third lower plate 324.
  • the second lower driving module 323 may be coupled to the third lower plate 324 to linearly reciprocate along the first direction (X-axis direction).
  • the second lower driving module 325 also has a square plate shape like the second lower plate 322, and the area of the second lower driving module 325 is greater than that of the second lower plate 322. It may be equal to the area of (322).
  • the mirror stage 300 includes the upper mirror stage 310 on which the mirror 200, which reflects the EUV light (L) and changes the path of the EUV light (L), is seated, and the upper mirror It includes the lower mirror stage 320 coupled to the stage 310 and supporting the upper mirror stage 310, wherein the lower mirror stage 320 moves in a first direction (X-axis direction) and a second direction ( Each linearly reciprocates in the Y-axis direction, and the upper mirror stage 310 rotates clockwise or counterclockwise around the third direction (Z-axis direction) and the second direction (Y-axis direction), respectively. It can rotate. Accordingly, the position of the mirror 200 coupled with the mirror stage 300 can be easily changed to have various angles. Because of this, the incident angle of the EUV light (L) irradiated to the mask (M) can be controlled in various ways.
  • the EUV mask inspection method includes generating first EUV light from a light source, changing the path of the first EUV light through a mirror, and directing the first EUV light on the first area of the mask. irradiating at a first angle, collecting the first EUV light diffracted from the first area of the mask, obtaining a first diffraction pattern of the diffracted first EUV light, and collecting the first EUV light diffracted from the first area of the mask.
  • the step of irradiating the first EUV light at a first angle onto the first area of the mask includes positioning the mirror so that the first EUV light generated from the light source is irradiated to the mask. changing the path of the first EUV light, and controlling the position of a pinhole disposed on the mask, so that the first EUV light whose path has been changed through the mirror is irradiated to the first area of the mask. It may include guiding steps as much as possible.
  • the step of irradiating the second EUV light at a second angle on the first area of the mask includes changing the position of the mirror so that the second EUV light generated from the light source is irradiated to the mask.
  • Changing the path of the second EUV light, and controlling the position of a pinhole disposed on the mask to guide the second EUV light whose path has been changed through the mirror to be irradiated to the second area of the mask. may include.
  • the EUV mask inspection device and method through illumination system control according to an embodiment of the present invention can be applied to the semiconductor industry.

Abstract

EUV 마스크 검사 장치가 제공된다. 상기 EUV 마스크 검사 장치는 EUV 광을 생성하는 광원, 상기 광원으로부터 생성된 상기 EUV 광이 마스크로 조사되도록 광의 경로를 변경시키는 미러, 상기 미러와 결합되어, 상기 마스크로 조사되는 상기 EUV 광의 입사각이 제어되도록 상기 미러의 위치를 제어하는 미러 스테이지, 및 상기 마스크를 통해 회절된 상기 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 EUV 광의 회절 패턴을 획득하는 검출 어레이를 포함하되, 상기 마스크의 동일 영역에 서로 다른 각도로 조사된 제1 EUV 광과 제2 EUV 광의 회절 패턴들을 합성하여 조명계를 구현하는 것을 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.

Description

조명계 조절을 통한 EUV 마스크 검사 장치 및 방법
본 발명은 조명계 조절을 통한 EUV 마스크 검사 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 마스크의 패턴에 따라 최적화된 조명계를 구현할 수 있는 EUV 마스크 검사 장치 및 방법에 관련된 것이다.
EUV 노광 공정 중 마스크의 결함 및 오염이 확인되었을 경우 마스크를 다시 제조하기보다 패턴 결함을 수정하거나 오염물질을 세정하는 공정을 통해 수리된 마스크를 양산공정에 적용하는 것이 반도체 제조비용을 낮출 수 있다. 마스크의 수정 및 세정 공정을 진행하더라도 그 성공 여부는 노광기로 직접 웨이퍼에 노광 후 SEM 리뷰를 통해 수정 성공 여부를 확인하는 방법이 있다. 하지만 비용과 검증 기간이 많이 소요되므로 EUV 노광기의 광학계를 묘사할 수 있는 현미경으로 EUV 마스크 공간영상 측정을 통해 마스크 결함이 웨이퍼에 미치는 영향을 미리 검증하는 것이 필요하다. 또한, EUV 마스크는 13.5 nm의 EUV광 특성을 보완하기 위해 40 쌍의 Mo/Si 기반의 다층박막 형태로 제작되기에 DUV (deep Ultraviolet)나 E-beam을 이용한 표면 결함 유무 평가는 가능하지만, 다층 박막 내부에서 발생하는 위상결함은 EUV 광을 이용한 검사를 통해서만 정확한 마스크 공간 영상 측정이 가능하며 이를 actinic 검사 기술이라 한다.
종래에는 노광기 내부에서 웨이퍼에 전사되는 마스크 이미징 특성을 평가하기 위해, EUV 광을 사용하면서, 고해상도의 마스크 이미징 성능 평가를 위해 0.55의 NA를 갖는 대물렌즈를 이용한 High-NA EUV 마스크 검사 기술이 연구되고 있으나, 상기 렌즈의 높은 제작 난이도와 가격 문제, NA 상승에 따른 초점 심도 감소 및 초정밀 정렬을 위한 기술적 한계 등의 문제점이 있다. 이에 더하여, EUV 마스크에 존재하는 결함은 사용되는 조명계에 따라 노광기 내부에서 웨이퍼에 전사가 될 수도, 안 될 수도 있기에, 노광기에서 적용하는 조명계 조건을 통해서만 정확한 마스크 이미징 특성이 가능하다.
조명계 조절 및 마스크 이미징과 관련하여 가장 관련도가 높은 기술로는, 노광기에서 facet 거울을 활용한 조명계 조절을 통해 마스크를 웨이퍼에 전사하는 기술이 있다. Facet 거울은 100개 이상의 분리 거울 그룹으로 구성되어 있으며, 각각의 거울은 독립적으로 미세한 각도 조절이 가능하여 EUV 마스크에 조사되는 EUV 광의 입사각을 조절할 수 있고, 이를 통한 조명계 조절이 가능하게 한다.
그러나, facet 거울은 Carl Zeiss社에서 독점하여 상용화된 제품이 없는 실정이며, 설계 난이도가 매우 어렵고, 제작 또한 천문학적인 금액을 호가한다. Facet 거울은 수백 개 이상의 독립적인 거울들로 이루어져 있으며 그 크기가 상당히 크고, 상기 거울들을 미세하게 동시다발적으로 조절하는 것 또한 매우 어려우며, 상기 광학계를 구현하기 위한 광학계의 추가 설치는 EUV 광의 특성상 광량의 감소로 이루어져 마스크 이미징 성능 평가에 악영향을 미치므로, 현재 마스크 이미징 특성 검사 기술에는 사용되지 못하고 있는 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 조명계 조절을 통한 EUV 마스크 검사 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 다양한 조명계 구현이 가능한 EUV 마스크 검사 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 값비싼 Facet 거울이 사용되지 않는 EUV 마스크 검사 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 마스크의 패턴 종류와 관계없이 고해상도의 공간 영역 이미지를 획득할 수 있는 EUV 마스크 검사 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 마스크의 동일한 영역에 다양한 각도로 EUV 광을 조사할 수 있는 EUV 마스크 검사 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 마스크 검사 정확도가 향상된 EUV 마스크 검사 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상술된 기술적 과제들을 해결하기 위해 본 발명은 EUV 마스크 검사 장치를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 EUV 마스크 검사 장치는 EUV 광을 생성하는 광원, 상기 광원으로부터 생성된 상기 EUV 광이 마스크로 조사되도록 광의 경로를 변경시키는 미러, 상기 미러와 결합되어, 상기 마스크로 조사되는 상기 EUV 광의 입사각이 제어되도록 상기 미러의 위치를 제어하는 미러 스테이지, 및 상기 마스크를 통해 회절된 상기 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 EUV 광의 회절 패턴을 획득하는 검출 어레이를 포함하되, 상기 마스크의 동일 영역에 서로 다른 각도로 조사된 제1 EUV 광과 제2 EUV 광의 회절 패턴들을 합성하여 조명계를 구현하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 검출 어레이는, 상기 제1 EUV 광에 대한 제1 회절 패턴과 상기 제2 EUV 광에 대한 제2 회절 패턴을 합성하여 타겟 회절 패턴을 획득함으로써 상기 조명계를 구현하고, 상기 타겟 회절 패턴을 통해 상기 제1 EUV 광 및 상기 제2 EUV 광이 조사된 상기 마스크의 영역에 대한 공간 영역 이미지(aerial image)를 획득하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 EUV 광과 제2 EUV 광의 회절 패턴들이 합성되어 구현된 조명계는 2개의 폴이 180° 간격으로 배치된 다이폴(Dipole) 조명계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 EUV 광은 상기 마스크의 제1 영역에 상기 마스크 상부면의 법선을 기준으로 6°의 입사각보다 큰 각도로 조사되는 LAP(Large angle pole)로 조사되고, 상기 제2 EUV 광은 상기 마스크의 상기 제1 영역에 상기 마스크 상부면의 법선을 기준으로 6°의 입사각보다 작은 각도로 조사되는 SAP(Small angle pole)로 조사되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 EUV 마스크 검사 장치는 상기 마스크 상에 배치되는 핀홀을 더 포함하되, 상기 핀홀은 상기 마스크로 조사되는 상기 EUV 광이 상기 마스크의 특정 영역으로 집속되도록 가이드하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 핀홀은 상기 EUV 광이 상기 미러로부터 상기 마스크로 조사되도록 가이드하는 입사홀, 및 상기 마스크로부터 회절된 상기 EUV 광이 상기 검출 어레이로 수집되도록 가이드하는 회절홀을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 입사홀은 제1 내지 제4 입사홀을 포함하되, 상기 제2 입사홀의 직경은 상기 제1 입사홀의 직경보다 크고, 상기 제3 입사홀의 직경은 상기 제2 입사홀의 직경보다 크며, 상기 제4 입사홀의 직경은 상기 제3 입사홀의 직경보다 큰 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 EUV 광과 제2 EUV 광의 회절 패턴들이 합성되어 구현된 조명계는, 2개의 폴이 수직 방향으로 180° 간격으로 배치된 V-다이폴(V-dipole) 조명계, 2개의 폴이 수평 방향으로 180° 간격으로 배치된 H-다이폴(H-dipole) 조명계, 4개의 폴이 90° 간격으로 배치된 쿼드러폴(Quadrupole) 조명계, 폴이 환형을 이루는 환형(annular) 조명계 중 어느 하나의 조명계로 구현되는 것을 포함할 수 있다.
상술된 기술적 과제들을 해결하기 위해 본 발명은 EUV 마스크 검사 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 EUV 마스크 검사 방법은 광원으로부터 제1 EUV 광을 생성하는 단계, 미러를 통해 상기 제1 EUV 광의 경로를 변경시켜, 마스크의 제1 영역 상에 상기 제1 EUV 광을 제1 각도로 조사하는 단계, 상기 마스크의 상기 제1 영역으로부터 회절된 상기 제1 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 제1 EUV 광의 제1 회절 패턴을 획득하는 단계, 상기 광원으로부터 제2 EUV 광을 생성하는 단계, 미러를 통해 상기 제2 EUV 광의 경로를 변경시켜, 상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제2 EUV 광을 상기 제1 각도와 다른 제2 각도로 조사하는 단계, 상기 마스크의 상기 제1 영역으로부터 회절된 상기 제2 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 제2 EUV 광의 제2 회절 패턴을 획득하는 단계, 및 상기 제1 회절 패턴 및 상기 제2 회절 패턴을 합성하여 조명계를 구현하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제1 EUV 광을 제1 각도로 조사하는 단계는, 상기 광원으로부터 생성된 상기 제1 EUV 광이 상기 마스크로 조사되도록 상기 미러의 위치를 변경시켜 상기 제1 EUV 광의 경로를 변경시키는 단계, 및 상기 마스크 상에 배치된 핀홀의 위치를 제어하여, 상기 미러를 통해 경로가 변경된 상기 제1 EUV 광이 상기 마스크의 상기 제1 영역으로 조사되도록 가이드하는 단계를 포함하고, 상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제2 EUV 광을 제2 각도로 조사하는 단계는, 상기 광원으로부터 생성된 상기 제2 EUV 광이 상기 마스크로 조사되도록 상기 미러의 위치를 변경시켜 상기 제2 EUV 광의 경로를 변경시키는 단계, 및 상기 마스크 상에 배치된 핀홀의 위치를 제어하여, 상기 미러를 통해 경로가 변경된 상기 제2 EUV 광이 상기 마스크의 상기 제2 영역으로 조사되도록 가이드하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 EUV 마스크 검사 방법은 상기 제1 회절 패턴 및 상기 제2 회절 패턴을 합성하여 조명계를 구현하는 단계 이후, 상기 제1 회절 패턴 및 상기 제2 회절 패턴이 합성된 타겟 회절 패턴을 위상 복원 알고리즘을 통해 반복 연산하여 상기 마스크의 상기 제1 영역에 대한 공간 영역 이미지(aerial image)를 획득하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술된 기술적 과제들을 해결하기 위해 본 발명은 미러 틸팅 장치를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 미러 틸팅 장치는 EUV 광을 반사시켜 상기 EUV 광의 경로를 변경시키는 미러가 안착되는 상부 미러 스테이지, 및 상기 상부 미러 스테이지와 결합되어 상기 상부 미러 스테이지를 지지하는 하부 미러 스테이지를 포함하되, 상기 하부 미러 스테이지는 제1 방향, 및 상기 제1 방향과 직각 방향인 제2 방향으로 각각 직선왕복운동 하고, 상기 상부 미러 스테이지는 상기 제1 방향과 상기 제2 방향의 직각 방향인 제3 방향, 및 상기 제2 방향을 축으로 각각 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 상부 미러 스테이지는, 'ㄴ' 형상을 갖고, 상기 제3 방향을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 제1 상부 구동 모듈, 'ㄴ' 형상을 갖고, 상게 1 상부 구동 모듈의 내측에 상기 제2 방향을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전되도록 결합되는 제2 상부 구동 모듈, 및 상기 제2 상부 구동 모듈의 내측에 배치되고, 상기 미러가 안착되는 공간이 형성된 미러 안착 모듈을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 하부 미러 스테이지는, 상기 제2 방향을 따라 직선왕복운동 되는 제1 하부 구동 모듈, 및 상기 제1 하부 구동 모듈 상에 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 직선왕복운동 되는 제2 하부 구동 모듈을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치는, 다양한 조명계의 구현이 가능함으로, EUV 마스크의 패턴 종류에 관계없이 고해상도의 공간 영역 이미지를 획득할 수 있어 EUV 마스크 검사의 정확도를 향상시킬 수 있다.
또한, 고가의 Facet 미러를 사용하지 않고 다양한 조명계를 구현할 수 있으므로, EUV 마스크 검사를 위한 경제적 비용이 현저하게 절감될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치의 핀홀을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통한 컨벤셔널 조명계의 구현을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통한 LAP 조사를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통한 SAP 조사를 설명하기 위한 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통한 다이폴 조명계의 구현을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통해 구현 가능한 조명계의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통해 구현 가능한 조명계의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치의 검출 어레이를 통한 공간 영역 이미지 획득 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 동일한 마스크 패턴에 대해 컨벤셔널 조명계를 통한 공간 영역 이미지와 다이폴 조명계를 통한 공간 영역 이미지를 비교한 사진이다.
도 13은 동일한 마스크 패턴에 대해 컨벤셔널 조명계를 통한 공간 영역 이미지의 세기 분포와 다이폴 조명계를 통한 공간 영역 이미지의 세기 분포를 비교한 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치의 미러 스테이지를 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 미러 스테이지의 상부 미러 스테이지를 설명하기 위한 도면이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 상부 미러 스테이지의 구동을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 미러 스테이지의 하부 미러 스테이지를 설명하기 위한 도면이다.
도 19 및 도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 하부 미러 스테이지의 구동을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치의 핀홀을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치는 광원(100), 미러(200), 미러 스테이지(300), 핀홀(400), 핀홀 스테이지(미도시), 마스크 스테이지(500), 및 검출 어레이(600)를 포함할 수 있다. 이하, 각 구성에 대해 설명된다.
상기 광원(100)은 13.5 nm 파장의 coherent EUV(Extreme Ultra Violet) 광을 생성할 수 있다. 상기 광원(100)으로부터 생성된 상기 EUV 광(L)은 상기 미러(200)로 제공될 수 있다.
상기 미러(200)는 상기 EUV 광(L)을 반사하여, 상기 EUV 광(L)의 경로를 변경시킬 수 있다. 상기 미러(200)를 통해 경로가 변경된 상기 EUV 광(L)은 마스크(M)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 미러(200)는 토로이달(toroidal) 다층 박막 거울일 수 있다.
상기 미러 스테이지(300)는 상기 미러(200)와 결합될 수 있다. 상기 미러 스테이지(300)는 상기 마스크(M)로 조사되는 상기 EUV 광(L)의 입사각이 제어되도록 상기 미러(200)의 위치를 제어할 수 있다. 즉, 상기 미러 스테이지(300)의 제어를 통해, 상기 마스크(M)로 조사되는 상기 EUV 광(L)의 각도가 다양하게 제어될 수 있다. 상기 미러 스테이지(300)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 14 내지 도 20을 통해 후술된다.
상기 핀홀(400)은 상기 마스크(M) 상에 배치될 수 있다. 상기 핀홀(400)은 상기 마스크(M)로 조사되는 상기 EUV 광(L)이 상기 마스크(M)의 특정 영역으로 집속되도록 가이드할 수 있다. 즉, 상기 핀홀(400)에 의해 상기 마스크(M)에 집속되는 상기 EUV 광(L)의 위치 정확도가 향상될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 핀홀(400)은 제1 내지 제4 입사홀(410a, 410b, 410c, 410d), 및 회절홀(420)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 입사홀(410a, 410b, 410c, 410d)은 상기 EUV 광(L)이 상기 미러(200)로부터 상기 마스크(M)로 조사되도록 가이드하는 홀로 정의될 수 있다. 이와 달리, 상기 회절홀(420)은 상기 마스크(M)로부터 회절된 상기 EUV 광(L)이 상기 검출 어레이(600)로 수집되도록 가이드하는 홀로 정의될 수 있다. 즉, 상기 미러(200)를 통해 반사된 상기 EUV 광(L)은 상기 제1 내지 제4 입사홀(410a, 410b, 410c, 410d) 중 어느 하나의 입사홀을 통해 상기 마스크(M)에 입사한 후 상기 마스크(M)에서 회절되고, 상기 마스크(M)에서 회절된 상기 EUV 광(L)은 상기 회절홀(420)을 통해 상기 검출 어레이(600)로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 내지 제4 입사홀(410a, 410b, 410c, 410d)의 직경은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 입사홀(410b)의 직경은 상기 제1 입사홀(410a)의 직경보다 크고, 상기 제3 입사홀(410c)의 직경은 상기 제2 입사홀(410b)의 직경보다 크며, 상기 제4 입사홀(410d)의 직경은 상기 제3 입사홀(410c)의 직경보다 클 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 입사홀(410a)의 직경은 10 μm일 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 입사홀(410b)의 직경은 15 μm일 수 있다. 이와 달리, 상기 제3 입사홀(410c)의 직경은 20 μm일 수 있다. 이와 달리, 상기 제4 입사홀(410d)의 직경은 30 μm일 수 있다.
상기 핀홀 스테이지(미도시)는 상기 핀홀(400)의 위치를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 핀홀 스테이지(미도시)는 상기 EUV 광(L)이 상기 제4 입사홀(410d)을 통해 상기 마스크(M)로 조사되도록 상기 핀홀(400)의 위치를 제어한 후, 순차적으로 상기 제3 입사홀(410c), 제2 입사홀(410b), 및 제1 입사홀(410a)을 통해 상기 마스크(M)로 조사되도록 상기 핀홀(400)의 위치를 제어할 수 있다. 즉, 가장 직경이 큰 입사홀을 통해 상기 EUV 광(L)이 상기 마스크(M)에 조사되도록 제어한 후, 점차적으로 작은 직경의 입사홀을 통해 상기 EUV 광(L)이 상기 마스크(M)에 조사되도록 제어할 수 있다. 이에 따라, 상기 마스크(M)에 집속되는 상기 EUV 광(L)의 위치 정확도가 향상될 수 있다.
즉, 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치는, 상기 미러(200), 상기 미러 스테이지(300), 상기 핀홀(400), 및 상기 핀홀 스테이지(미도시)에 의해 상기 EUV 광(L)이 상기 마스크(M)의 동일 영역에 서로 다른 각도로 조사되도록 제어될 수 있다.
상기 마스크 스테이지(500)는 상기 마스크(M)의 위치를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 마스크 스테이지(500)를 통해 검사하고자 하는 상기 마스크(M)의 영역을 변경할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 EUV 마스크 검사 장치는 제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부는 상기 마스크(M)에 입사하는 상기 EUV 광(L)의 각도를 역으로 연산하여, 상기 미러(200)의 기울기와 위치 정보를 산출할 수 있다.
상기 검출 어레이(600)는 상기 마스크(M)를 통해 반사 및 회절된 상기 EUV 광(L)을 수집하여, 반사 및 회절된 상기 EUV 광(L)의 회절 패턴을 획득할 수 있다. 또한, 상기 검출 어레이(600)는 상기 EUV 광(L)의 회절 패턴을 위상복원 알고리즘을 통해 반복 연산하여 이미지를 재구성하는 CDI(Coherent diffraction imaging) 기법을 활용하여, 상기 EUV 광(L)이 조사된 상기 마스크(M)의 공간 영역 이미지(aerial image)를 획득할 수 있다. 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 상기 공간 영역 이미지를 확인함으로써 상기 마스크(M)의 결함이나 오염 등을 확인할 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 마스크(M)의 공간 영역 이미지를 통해 상기 마스크(M)의 결함이나 오염들을 확인하는 경우, 상기 공간 영역 이미지의 해상도에 따라 정확도가 달라질 수 있다. 즉, 저해상도의 공간 영역 이미지를 통해서는 검사의 정확도가 감소되는 반면, 고해상도의 공간 영역 이미지를 통해서는 검사의 정확도가 향상될 수 있다.
상기 공간 영역 이미지의 해상도는, 마스크 검사 장치의 조명계에 따라 달라질 수 있다. 특히, 상기 마스크(M)의 패턴 종류에 따라 고해상도를 얻을 수 있는 최적의 조명계가 다르게 존재한다. 예를 들어, horizontal dense line(H-dense line) 패턴의 경우 V-dipole 조명계를 통해 고해상도의 공간 영역 이미지를 얻을 수 있고, vertical dense line(V-dense line) 패턴의 경우 H-dipole 조명계를 통해 고해상도의 공간 영역 이미지를 얻을 수 있으며, contact hole(C/H) 패턴의 경우 quadrupole 조명계를 통해 고해상도의 공간 영역 이미지를 얻을 수 있다.
종래의 마스크 검사 장치의 경우 하나의 조명계만 구현됨으로 다양한 마스크에 대해 고해상도의 공간 영역 이미지를 획득하기 어려운 단점이 있다. 하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치는 다양한 조명계를 구현함으로써 마스크의 패턴 종류와 상관없이 고해상도의 공간 영역 이미지를 획득할 수 있다. 이하, 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통해 다양한 조명계를 구현하는 과정이 설명된다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통한 컨벤셔널 조명계의 구현을 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통한 LAP 조사를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통한 SAP 조사를 설명하기 위한 도면이고, 도 7 및 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통한 다이폴 조명계의 구현을 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통해 구현 가능한 조명계의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치를 통해 구현 가능한 조명계의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 미러(200)를 통해 반사된 상기 EUV 광(L)은 상기 마스크(M)의 제1 영역(MA1)에서 회절된 후 상기 검출 어레이(600)에 수집될 수 있다. 상기 검출 어레이(600)는 상기 EUV 광(L)의 회절 패턴(INC)을 획득할 수 있다. 예를 들어, 상기 검출 어레이(600)를 통해 획득된 상기 EUV 광(L)의 회절 패턴(INC)은 0차 회절광(0th), 1차 회절광(1st), 및 -1차 회절광(-1th)을 포함할 수 있다. 상기 0차 회절광(0th), 1차 회절광(1st), 및 -1차 회절광(-1th)을 포함하는 상기 EUV 광(L)의 회절 패턴은 컨벤셔널(conventional) 조명계의 회절 패턴과 같을 수 있다. 즉, 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 상기 검출 어레이(600)를 통해 획득되는 회절 패턴에 0차 회절광(0th), 1차 회절광(1st), 및 -1차 회절광(-1th)이 포함되도록 상기 마스크(M)에 조사되는 상기 EUV 광(L)의 입사각을 제어함으로써 컨벤셔널(conventional) 조명계를 구현할 수 있다. 상기 마스크(M)에 조사되는 상기 EUV 광(L)의 입사각 제어는, 상기 미러 스테이지(300)를 통해 이루어질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 광원(100)을 통해 생성된 제1 EUV 광(L1)이 상기 미러(200)에서 반사된 후 상기 마스크(M)에 제1 각도로 조사될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 EUV 광(L1)은 상기 마스크(M)의 제1 영역(MA1)에 상기 마스크 상부면의 법선을 기준으로 6°의 입사각보다 큰 각도로 조사되는 LAP(Large angle pole)로 조사될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 EUV 광(L1)은 상기 마스크(M)에 LAP로 조사되는 EUV 광으로 정의될 수 있다.
상기 마스크(M)의 상기 제1 영역(MA1)에서 반사 및 회절된 상기 제1 EUV 광(L1)은 상기 검출 어레이(600)에서 수집되고, 상기 검출 어레이(600)는 상기 제1 EUV 광(L1)의 회절 패턴을 획득할 수 있다. 상기 제1 EUV 광(L1)의 회절 패턴은 제1 회절 패턴(DP1)으로 정의될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 회절 패턴(DP1)은 0차 회절광(0th), 및 -1차 회절광(-1th)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 상기 검출 어레이(600)를 통해 획득되는 회절 패턴에 0차 회절광(0th), 및 -1차 회절광(-1th)이 포함되도록 상기 마스크(M)에 조사되는 상기 제1 EUV 광(L1)의 입사각을 제어할 수 있다. 상기 마스크(M)에 조사되는 상기 제1 EUV 광(L1)의 입사각 제어는, 상기 미러 스테이지(300)를 통해 이루어질 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 광원(100)을 통해 생성된 제2 EUV 광(L2)이 상기 미러(200)에서 반사된 후 상기 마스크(M)에 상기 제1 각도와 다른 제2 각도로 조사될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 EUV 광(L2)은 상기 마스크(M)의 제1 영역(MA1)에 상기 마스크 상부면의 법선을 기준으로 6°의 입사각보다 작은 각도로 조사되는 SAP(Small angle pole)로 조사될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 EUV 광(L2)은 상기 마스크(M)에 SAP로 조사되는 EUV 광으로 정의될 수 있다.
상기 마스크(M)의 상기 제1 영역(MA1)에서 반사 및 회절된 상기 제2 EUV 광(L2)은 상기 검출 어레이(600)에서 수집되고, 상기 검출 어레이(600)는 상기 제2 EUV 광(L2)의 회절 패턴을 획득할 수 있다. 상기 제2 EUV 광(L2)의 회절 패턴은 제1 회절 패턴(DP2)으로 정의될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제2 회절 패턴(DP2)은 0차 회절광(0th), 및 1차 회절광(1st)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 상기 검출 어레이(600)를 통해 획득되는 회절 패턴에 0차 회절광(0th), 및 1차 회절광(1st)이 포함되도록 상기 마스크(M)에 조사되는 상기 제2 EUV 광(L2)의 입사각을 제어할 수 있다. 상기 마스크(M)에 조사되는 상기 제2 EUV 광(L2)의 입사각 제어는, 상기 미러 스테이지(300)를 통해 이루어질 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 검출 어레이(600)는 상기 제1 회절 패턴(DP1)과 상기 제2 회절 패턴(DP2)을 합성할 수 있다. 상기 제1 회절 패턴(DP1)과 상기 제2 회절 패턴(DP2)이 합성된 패턴은 타겟 회절 패턴(IND)으로 정의될 수 있다. 상기 타겟 회절 패턴(IND)은 다이폴(Dipole) 조명계의 회절 패턴과 같을 수 있다. 즉, 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 상기 제1 EUV 광(L1)으로부터 획득된 상기 제1 회절 패턴(DP1)과 상기 제2 EUV 광(L2)으로부터 획득된 상기 제2 회절 패턴(DP2)을 합성함으로써 2개의 폴이 180° 간격으로 배치된 다이폴(Dipole) 조명계를 구현할 수 있다.
결과적으로, 상기 EUV 마스크 검사 장치는, 상기 마스크(M)의 동일 영역에 서로 다른 각도로 복수의 EUV 광을 조사한 후, 각각의 EUV 광으로부터 회절 패턴을 획득하고, 획득된 회절 패턴들을 합성함으로써 다양한 조명계를 구현할 수 있다. 상기 EUV 마스크 검사 장치를 통해 구현되는 조명계는 도 9 및 도 10에 도시된다. 예를 들어, 도 9의 (a) 내지 (d) 도시된 바와 같이, Conventional 조명계(a), V-dipole 조명계(b), H-dipole 조명계(c), Quadrupole 조명계(d)등이 구현될 수 있으며, 이와 달리 도 10에 도시된 바와 같이 Annular 조명계 또한 구현될 수 있다. 도 9 및 도 10에 도시된 조명계 외에도 다양한 조명계가 구현될 수 있으며, 구현 가능한 조명계의 종류는 제한되지 않는다.
이로 인해, 상기 EUV 마스크 검사 장치는 EUV 공정에 일반적으로 사용되는 토로이달(toroidal) 거울만으로도 EUV 광의 입사각을 제어하는 간단한 방법으로 다양한 조명계를 구현할 수 있으므로, 종래에 사용되는 Facet 거울과 같은 고가의 장비 없이도 다양한 마스크에 대해 고해상도의 공간 영역 이미지를 획득할 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치의 검출 어레이를 통한 공간 영역 이미지 획득 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 12는 동일한 마스크 패턴에 대해 컨벤셔널 조명계를 통한 공간 영역 이미지와 다이폴 조명계를 통한 공간 영역 이미지를 비교한 사진이고, 도 13은 동일한 마스크 패턴에 대해 컨벤셔널 조명계를 통한 공간 영역 이미지의 세기 분포와 다이폴 조명계를 통한 공간 영역 이미지의 세기 분포를 비교한 도면이다.
상기 검출 어레이(600)는 상기 EUV 광(L)의 세기(Intensity)를 측정한 후 CDI(Coherent diffraction imaging) 기법을 통해 측정된 세기 값에 임의의 위상 값을 부여하고 Fourier transform과 Inverse Fourier transform을 반복 연산하여 이미지의 위상을 복원할 수 있다. 예를 들어, 도 11에 도시된 바와 같이, ptychography 위상 복원 알고리즘이 사용될 수 있다. 구체적으로, Probe function P(r)과 object function O(r)에 임의의 값을 부여하고, Fourier transform을 통한 Fourier domain에서의 amplitude와 phase를 계산하고, 계산한 amplitude는 획득된 회절 패턴의 amplitude 값으로 대체하고, Inverse Fourier transform을 통해 획득한 P(r) 및 O(r)을 update function을 통해 계산값과 실측값의 오차를 줄이며, 상술된 과정을 실측값과 계산값의 오차가 일정 수준 이하가 될 때까지 반복할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, P(r)은 마스크에 조사한 EUV 광으로 정의되고, O(r)은 마스크 이미지로 정의될 수 있다.
도 12를 참조하면 dense line 패턴을 갖는 마스크에 대해 컨벤셔널(conventional) 조명계를 통해 획득된 공간 영역 이미지(a)와 다이폴(dipole) 조명계를 통해 획득된 공간 영역 이미지(b)를 비교하여 나타낸다. 또한, 도 13을 참조하면, dense line 패턴을 갖는 마스크에 대해 컨벤셔널(conventional) 조명계를 통해 획득된 공간 영역 이미지의 세기 분포(a)와 다이폴(dipole) 조명계를 통해 획득된 공간 영역 이미지의 세기 분포(b)를 비교하여 나타낸다.
도 12 및 도 13에서 확인할 수 있듯이, dense line 패턴을 갖는 마스크의 경우 컨벤셔널 조명계가 사용된 경우보다 다이폴 조명계가 사용된 경우 이미지의 contrast 및 해상도가 높은 것을 확인할 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치의 미러 스테이지를 설명하기 위한 도면이고, 도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 미러 스테이지의 상부 미러 스테이지를 설명하기 위한 도면이고, 도 16 및 도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 상부 미러 스테이지의 구동을 설명하기 위한 도면이고, 도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 미러 스테이지의 하부 미러 스테이지를 설명하기 위한 도면이고, 도 19 및 도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 하부 미러 스테이지의 구동을 설명하기 위한 도면이다.
도 14를 참조하면, 상기 미러 스테이지(300)는 EUV 광을 반사시켜 상기 EUV 광의 경로를 변경시키는 미러가 안착되는 상부 미러 스테이지(310), 및 상기 상부 미러 스테이지와 결합되어 상기 상부 미러 스테이지(310)를 지지하는 하부 미러 스테이지(320)를 포함할 수 있다. 상기 미러 스테이지(300)는 미러 틸팅 장치로도 정의될 수 있다.
도 15 내지 도 17을 참조하면, 상기 상부 미러 스테이지(310)는 제1 상부 플레이트(311), 제2 상부 플레이트(312), 제1 상부 구동 모듈(313), 제2 상부 구동 모듈(314), 미러 안착 모듈(315), 및 제3 상부 플레이트(316)를 포함할 수 있다.
상기 제1 상부 플레이트(311)는 제1 방향으로 연장되는 변과, 상기 제1 방향에 직각 방향인 제2 방향으로 연장되는 변으로 이루어진 사각 플레이트 형상을 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 방향은 도 16 및 도 17에 도시된 X축 방향일 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 방향은 도 16 및 도 17에 도시된 Y축 방향일 수 있다.
상기 제2 상부 플레이트(312)는 상기 제1 상부 플레이트(311) 상에 배치되고, 상기 제1 상부 플레이트(311)에 고정 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 상부 플레이트(312) 또한 상기 제1 상부 플레이트(311)와 같이 사각 플레이트 형상을 갖되, 상기 제2 상부 플레이트(312)의 면적은 상기 제1 상부 플레이트(311)의 면적보다 작을 수 있다.
상기 제1 상부 구동 모듈(313)은 상기 제2 상부 플레이트(312) 상에 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 상부 구동 모듈(313)은 'ㄴ' 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 상부 구동 모듈(313)은 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 제1 방향(X축 방향)과 상기 제2 방향(Y축 방향)의 직각 방향인 제3 방향을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 방향은 도 16 및 도 17에 도시된 Z축 방향일 수 있다.
상기 제2 상부 구동 모듈(314)은 상기 제1 상부 구동 모듈(313)의 내측에 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 상부 구동 모듈(314) 또한 'ㄴ' 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 상부 구동 모듈(314)은 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제2 방향(Y축 방향)을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전될 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 구동 모듈(314)은 상기 제1 상부 구동 모듈(313)의 동작에 따라 상기 제3 방향(Z축 방향)을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로도 회전될 수 있다.
상기 미러 안착 모듈(315)은 상기 제2 상부 구동 모듈(314)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 미러 안착 모듈(315)에는 상기 미러(200)가 안착되는 공간(LH)이 형성될 수 있다. 상기 미러 안착 모듈(315)은 상기 미러 안착 공간(LH)에 안착된 상기 미러(200)를 고정할 수 있다. 이에 따라, 상기 미러(200)는 상기 제1 상부 구동 모듈(313) 및 상기 제2 구동 모듈(314)의 동작에 의해 상기 제3 방향(Z축 방향) 및 상기 제2 방향(Y축 방향)을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전될 수 있다.
상기 제3 상부 플레이트(316)는 상기 제2 상부 구동 모듈(314)과 대향하도록, 상기 제1 상부 구동 모듈(313)의 외측에 배치될 수 있다.
도 18 내지 도 20을 참조하면, 상기 하부 미러 스테이지(320)는 제1 하부 플레이트(321), 제2 하부 플레이트(322), 제1 하부 구동 모듈(323), 제3 하부 플레이트(324), 및 제2 하부 구동 모듈(325)을 포함할 수 있다.
상기 제1 하부 플레이트(321)는 제1 방향으로 연장되는 변과, 상기 제1 방향에 직각 방향인 제2 방향으로 연장되는 변으로 이루어진 사각 플레이트 형상을 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 방향은 도 19 및 도 20에 도시된 X축 방향일 수 있다. 이와 달리, 상기 제2 방향은 도 19 및 도 20에 도시된 Y축 방향일 수 있다.
상기 제2 하부 플레이트(322)는 상기 제1 하부 플레이트(321) 상에 배치되고, 상기 제1 하부 플레이트(321)에 고정 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 하부 플레이트(322) 또한 상기 제1 하부 플레이트(321)와 같이 사각 플레이트 형상을 갖되, 상기 제2 하부 플레이트(322)의 면적은 상기 제1 하부 플레이트(321)의 면적보다 작을 수 있다.
상기 제1 하부 구동 모듈(323)은 상기 제2 하부 플레이트(322) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 하부 구동 모듈(323)은 상기 제2 방향(Y축 방향)을 따라 직선왕복운동 되도록, 상기 제2 하부 플레이트(322)와 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 하부 구동 모듈(323) 또한 상기 제2 하부 플레이트(322)와 같이 사각 플레이트 형상을 갖되, 상기 제1 하부 구동 모듈(323)의 면적은 상기 제2 하부 플레이트(322)의 면적과 같을 수 있다.
상기 제3 하부 플레이트(324)는 상기 제1 하부 구동 모듈(323) 상에 배치되고, 상기 제1 하부 구동 모듈(323)에 고정 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제3 하부 플레이트(324) 또한 상기 제2 하부 플레이트(322)와 같이 사각 플레이트 형상을 갖되, 상기 제3 하부 플레이트(324)의 면적은 상기 제2 하부 플레이트(322)의 면적과 같을 수 있다.
상기 제2 하부 구동 모듈(325)은 상기 제3 하부 플레이트(324) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 하부 구동 모듈(323)은 상기 제1 방향(X축 방향)을 따라 직선왕복운동 되도록, 상기 제3 하부 플레이트(324)와 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 하부 구동 모듈(325)은 또한 상기 제2 하부 플레이트(322)와 같이 사각 플레이트 형상을 갖되, 상기 제2 하부 구동 모듈(325)의 면적은 상기 제2 하부 플레이트(322)의 면적과 같을 수 있다.
결과적으로, 상기 미러 스테이지(300)는 상기 EUV 광(L)을 반사시켜 상기 EUV 광(L)의 경로를 변경시키는 상기 미러(200)가 안착되는 상기 상부 미러 스테이지(310), 및 상기 상부 미러 스테이지(310)와 결합되어 상기 상부 미러 스테이지(310)를 지지하는 상기 하부 미러 스테이지(320)를 포함하되, 상기 하부 미러 스테이지(320)는 제1 방향(X축 방향), 및 제2 방향(Y축 방향)으로 각각 직선왕복운동 하고, 상기 상부 미러 스테이지(310)는 상기 제3 방향(Z축 방향), 및 상기 제2 방향(Y축 방향)을 축으로 각각 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다. 이에 따라, 상기 미러 스테이지(300)와 결합된 상기 미러(200)는 다양한 각도를 갖도록 위치가 용이하게 변경될 수 있다. 이로 인해, 상기 마스크(M)로 조사되는 상기 EUV 광(L)의 입사각이 다양하게 제어될 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 장치가 설명되었다. 이하, 본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 방법이 설명된다.
본 발명의 실시 예에 따른 EUV 마스크 검사 방법은, 광원으로부터 제1 EUV 광을 생성하는 단계, 미러를 통해 상기 제1 EUV 광의 경로를 변경시켜, 마스크의 제1 영역 상에 상기 제1 EUV 광을 제1 각도로 조사하는 단계, 상기 마스크의 상기 제1 영역으로부터 회절된 상기 제1 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 제1 EUV 광의 제1 회절 패턴을 획득하는 단계, 상기 광원으로부터 제2 EUV 광을 생성하는 단계, 미러를 통해 상기 제2 EUV 광의 경로를 변경시켜, 상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제2 EUV 광을 상기 제1 각도와 다른 제2 각도로 조사하는 단계, 상기 마스크의 상기 제1 영역으로부터 회절된 상기 제2 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 제2 EUV 광의 제2 회절 패턴을 획득하는 단계, 상기 제1 회절 패턴 및 상기 제2 회절 패턴을 합성하여 조명계를 구현하는 단계, 및 상기 제1 회절 패턴 및 상기 제2 회절 패턴이 합성된 타겟 회절 패턴을 위상 복원 알고리즘을 통해 반복 연산하여 상기 마스크의 상기 제1 영역에 대한 공간 영역 이미지(aerial image)를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제1 EUV 광을 제1 각도로 조사하는 단계는, 상기 광원으로부터 생성된 상기 제1 EUV 광이 상기 마스크로 조사되도록 상기 미러의 위치를 변경시켜 상기 제1 EUV 광의 경로를 변경시키는 단계, 및 상기 마스크 상에 배치된 핀홀의 위치를 제어하여, 상기 미러를 통해 경로가 변경된 상기 제1 EUV 광이 상기 마스크의 상기 제1 영역으로 조사되도록 가이드하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제2 EUV 광을 제2 각도로 조사하는 단계는, 상기 광원으로부터 생성된 상기 제2 EUV 광이 상기 마스크로 조사되도록 상기 미러의 위치를 변경시켜 상기 제2 EUV 광의 경로를 변경시키는 단계, 및 상기 마스크 상에 배치된 핀홀의 위치를 제어하여, 상기 미러를 통해 경로가 변경된 상기 제2 EUV 광이 상기 마스크의 상기 제2 영역으로 조사되도록 가이드하는 단계를 포함할 수 있다.
이에 따라, 다양한 조명계가 용이하게 구현 가능함으로 마스크의 종류에 관계없이 고해상도의 공간 영역 이미지가 획득될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 조명계 조절을 통한 EUV 마스크 검사 장치 및 방법은 반도체 산업에 적용될 수 있다.

Claims (14)

  1. EUV 광을 생성하는 광원;
    상기 광원으로부터 생성된 상기 EUV 광이 마스크로 조사되도록 광의 경로를 변경시키는 미러;
    상기 미러와 결합되어, 상기 마스크로 조사되는 상기 EUV 광의 입사각이 제어되도록 상기 미러의 위치를 제어하는 미러 스테이지; 및
    상기 마스크를 통해 회절된 상기 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 EUV 광의 회절 패턴을 획득하는 검출 어레이를 포함하되,
    상기 마스크의 동일 영역에 서로 다른 각도로 조사된 제1 EUV 광과 제2 EUV 광의 회절 패턴들을 합성하여 조명계를 구현하는 것을 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 검출 어레이는, 상기 제1 EUV 광에 대한 제1 회절 패턴과 상기 제2 EUV 광에 대한 제2 회절 패턴을 합성하여 타겟 회절 패턴을 획득함으로써 상기 조명계를 구현하고,
    상기 타겟 회절 패턴을 통해 상기 제1 EUV 광 및 상기 제2 EUV 광이 조사된 상기 마스크의 영역에 대한 공간 영역 이미지(aerial image)를 획득하는 것을 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 EUV 광과 제2 EUV 광의 회절 패턴들이 합성되어 구현된 조명계는 2개의 폴이 180° 간격으로 배치된 다이폴(Dipole) 조명계를 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 EUV 광은 상기 마스크의 제1 영역에 상기 마스크 상부면의 법선을 기준으로 6°의 입사각보다 큰 각도로 조사되는 LAP(Large angle pole)로 조사되고,
    상기 제2 EUV 광은 상기 마스크의 상기 제1 영역에 상기 마스크 상부면의 법선을 기준으로 6°의 입사각보다 작은 각도로 조사되는 SAP(Small angle pole)로 조사되는 것을 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크 상에 배치되는 핀홀을 더 포함하되,
    상기 핀홀은 상기 마스크로 조사되는 상기 EUV 광이 상기 마스크의 특정 영역으로 집속되도록 가이드하는 것을 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 핀홀은 상기 EUV 광이 상기 미러로부터 상기 마스크로 조사되도록 가이드하는 입사홀, 및 상기 마스크로부터 회절된 상기 EUV 광이 상기 검출 어레이로 수집되도록 가이드하는 회절홀을 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 입사홀은 제1 내지 제4 입사홀을 포함하되,
    상기 제2 입사홀의 직경은 상기 제1 입사홀의 직경보다 크고,
    상기 제3 입사홀의 직경은 상기 제2 입사홀의 직경보다 크며,
    상기 제4 입사홀의 직경은 상기 제3 입사홀의 직경보다 큰 것을 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 EUV 광과 제2 EUV 광의 회절 패턴들이 합성되어 구현된 조명계는, 2개의 폴이 수직 방향으로 180° 간격으로 배치된 V-다이폴(V-dipole) 조명계, 2개의 폴이 수평 방향으로 180° 간격으로 배치된 H-다이폴(H-dipole) 조명계, 4개의 폴이 90° 간격으로 배치된 쿼드러폴(Quadrupole) 조명계, 폴이 원형을 이루는 원형(circular) 조명계, 및 폴이 환형을 이루는 환형(annular) 조명계 중 어느 하나의 조명계로 구현되는 것을 포함하는 EUV 마스크 검사 장치.
  9. 광원으로부터 제1 EUV 광을 생성하는 단계;
    미러를 통해 상기 제1 EUV 광의 경로를 변경시켜, 마스크의 제1 영역 상에 상기 제1 EUV 광을 제1 각도로 조사하는 단계;
    상기 마스크의 상기 제1 영역으로부터 회절된 상기 제1 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 제1 EUV 광의 제1 회절 패턴을 획득하는 단계;
    상기 광원으로부터 제2 EUV 광을 생성하는 단계;
    상기 미러를 통해 상기 제2 EUV 광의 경로를 변경시켜, 상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제2 EUV 광을 상기 제1 각도와 다른 제2 각도로 조사하는 단계;
    상기 마스크의 상기 제1 영역으로부터 회절된 상기 제2 EUV 광을 수집하여, 회절된 상기 제2 EUV 광의 제2 회절 패턴을 획득하는 단계; 및
    상기 제1 회절 패턴 및 상기 제2 회절 패턴을 합성하여 조명계를 구현하는 단계를 포함하는 EUV 마스크 검사 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제1 EUV 광을 제1 각도로 조사하는 단계는,
    상기 광원으로부터 생성된 상기 제1 EUV 광이 상기 마스크로 조사되도록 상기 미러의 위치를 변경시켜 상기 제1 EUV 광의 경로를 변경시키는 단계; 및
    상기 마스크 상에 배치된 핀홀의 위치를 제어하여, 상기 미러를 통해 경로가 변경된 상기 제1 EUV 광이 상기 마스크의 상기 제1 영역으로 조사되도록 가이드하는 단계를 포함하고,
    상기 마스크의 상기 제1 영역 상에 상기 제2 EUV 광을 제2 각도로 조사하는 단계는,
    상기 광원으로부터 생성된 상기 제2 EUV 광이 상기 마스크로 조사되도록 상기 미러의 위치를 변경시켜 상기 제2 EUV 광의 경로를 변경시키는 단계; 및
    상기 마스크 상에 배치된 핀홀의 위치를 제어하여, 상기 미러를 통해 경로가 변경된 상기 제2 EUV 광이 상기 마스크의 상기 제2 영역으로 조사되도록 가이드하는 단계를 포함하는 EUV 마스크 검사 방법.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 회절 패턴 및 상기 제2 회절 패턴을 합성하여 조명계를 구현하는 단계 이후,
    상기 제1 회절 패턴 및 상기 제2 회절 패턴이 합성된 타겟 회절 패턴을 위상 복원 알고리즘을 통해 반복 연산하여 상기 마스크의 상기 제1 영역에 대한 공간 영역 이미지(aerial image)를 획득하는 단계를 더 포함하는 EUV 마스크 검사 방법.
  12. EUV 광을 반사시켜 상기 EUV 광의 경로를 변경시키는 미러가 안착되는 상부 미러 스테이지, 및 상기 상부 미러 스테이지와 결합되어 상기 상부 미러 스테이지를 지지하는 하부 미러 스테이지를 포함하되,
    상기 하부 미러 스테이지는 제1 방향, 및 상기 제1 방향과 직각 방향인 제2 방향으로 각각 직선왕복운동 하고, 상기 상부 미러 스테이지는 상기 제1 방향과 상기 제2 방향의 직각 방향인 제3 방향, 및 상기 제2 방향을 축으로 각각 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 것을 포함하는 미러 틸팅 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 상부 미러 스테이지는,
    'ㄴ' 형상을 갖고, 상기 제3 방향을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하는 제1 상부 구동 모듈;
    'ㄴ' 형상을 갖고, 상게 1 상부 구동 모듈의 내측에 상기 제2 방향을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전되도록 결합되는 제2 상부 구동 모듈; 및
    상기 제2 상부 구동 모듈의 내측에 배치되고, 상기 미러가 안착되는 공간이 형성된 미러 안착 모듈을 포함하는 미러 틸팅 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 하부 미러 스테이지는,
    상기 제2 방향을 따라 직선왕복운동 되는 제1 하부 구동 모듈; 및
    상기 제1 하부 구동 모듈 상에 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 직선왕복운동 되는 제2 하부 구동 모듈을 포함하는 미러 틸팅 장치.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200056284A (ko) * 2018-11-14 2020-05-22 한국전자통신연구원 폴리곤 미러 어셈블리 및 스캔 장치
JP2020173296A (ja) * 2019-04-08 2020-10-22 株式会社ニューフレアテクノロジー Ｅｕｖマスクのパターン検査装置及びｅｕｖマスクのパターン検査方法
KR20210117622A (ko) * 2020-03-19 2021-09-29 삼성전자주식회사 Euv 마스크의 위상 측정 장치 및 방법과 그 방법을 포함한 euv 마스크의 제조방법
CN113791076A (zh) * 2021-08-24 2021-12-14 中国科学院微电子研究所 暗场成像检测系统
KR20220005361A (ko) * 2020-07-06 2022-01-13 삼성전자주식회사 경사 조명을 이용한 회절 기반 계측 장치 및 방법, 그 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200056284A (ko) * 2018-11-14 2020-05-22 한국전자통신연구원 폴리곤 미러 어셈블리 및 스캔 장치
JP2020173296A (ja) * 2019-04-08 2020-10-22 株式会社ニューフレアテクノロジー Ｅｕｖマスクのパターン検査装置及びｅｕｖマスクのパターン検査方法
KR20210117622A (ko) * 2020-03-19 2021-09-29 삼성전자주식회사 Euv 마스크의 위상 측정 장치 및 방법과 그 방법을 포함한 euv 마스크의 제조방법
KR20220005361A (ko) * 2020-07-06 2022-01-13 삼성전자주식회사 경사 조명을 이용한 회절 기반 계측 장치 및 방법, 그 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법
CN113791076A (zh) * 2021-08-24 2021-12-14 中国科学院微电子研究所 暗场成像检测系统

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