WO2023175743A1 - 真空処理装置 - Google Patents

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WO2023175743A1
WO2023175743A1 PCT/JP2022/011723 JP2022011723W WO2023175743A1 WO 2023175743 A1 WO2023175743 A1 WO 2023175743A1 JP 2022011723 W JP2022011723 W JP 2022011723W WO 2023175743 A1 WO2023175743 A1 WO 2023175743A1
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WO
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wafer
vacuum processing
storage space
gas
processing apparatus
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PCT/JP2022/011723
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チェンピン スー
将次 藤田
悟史 山本
真一 磯崎
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株式会社日立ハイテク
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a vacuum processing apparatus for transporting and processing a substrate-shaped sample such as a semiconductor wafer into a vacuum processing container, in which the sample is placed under atmospheric pressure or a pressure close to atmospheric pressure. It relates to a vacuum processing apparatus in which the sample stored in a storage container arranged in an atmosphere side block of the vacuum processing apparatus is transported into the vacuum processing container in a vacuum side block where the pressure is reduced to a predetermined degree of vacuum, and in particular, the above-mentioned The present invention relates to a wafer transfer device that is disposed in an atmosphere side block and that transfers the sample within an interior that is at atmospheric pressure or a pressure that can be considered to be close to atmospheric pressure.
  • a vacuum processing chamber vacuum processing chamber
  • FOUP Front-Open Unified Pod
  • EFEM Equipment Equipment
  • semiconductor wafers are transported within a space inside a container that is placed under atmospheric pressure or an atmospheric pressure that is close to atmospheric pressure (approximately atmospheric pressure) and is brought to that pressure.
  • wafer transfer devices such as front end modules are required to maintain their internal spaces at a higher level of cleanliness.
  • the above-mentioned wafer transfer device has a lock chamber (load lock chamber) that serves as an interface between the FOUP and the vacuum side block to the atmosphere side block, and a place where wafers are transferred and delivered between the storage container and the FOUP.
  • a lock chamber load lock chamber
  • a downflow generation device such as an FFU equipped with a chemical filter
  • Efforts are made to prevent particles and moisture from adhering to wafers during transport. Therefore, the oxygen concentration and moisture content in the internal space are kept at the same level as in the interior of a building such as a clean room in which the vacuum processing equipment is installed.
  • HCl hydrogen chloride
  • HCN hydrogen cyanide
  • SiF 4 silicon tetrafluoride
  • HBr odor Halogen-based etching gases such as hydrogen chloride (hydrogen chloride) and F 2 (fluorine) are used, and some of these gases may remain on the wafer as hydrogen halide even after the aging treatment after the pattern processing described above. well known.
  • the processed wafers transferred from the vacuum side block are temporarily stored in a storage container placed inside the EFEM or externally connected to the EFEM, and then waited until the concentration of the remaining substances is sufficiently reduced.
  • a technology is being devised to make this possible.
  • the processed semiconductor wafers are transferred from the containment container to the original FOUP after the concentration of the residue drops below a predetermined level.
  • the standby containment vessel is connected to the side wall of the EFEM so that its opening communicates with an opening disposed in the side wall of the EFEM, and the space inside the containment vessel is constantly exposed to the atmosphere of the EFEM. It's open.
  • an aqueous solution of hydrogen chloride is commonly known as hydrochloric acid
  • the corrosive products made from hydrogen halides can cause wire patterns on the top surface of the wafer to break, shorts between wires, increased wire resistance, and parasitic capacitance. There is a risk that problems such as crosstalk may be caused.
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2015-23037
  • Patent Document 2 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2015-23037
  • purge gas or the like on the front surface of the container to remove air from inside the EFEM.
  • Patent Document 2 discloses that in order to suppress the humidity from increasing inside the FOUP due to the entry of gas from the outside when the front opening of the FOUP is opened, It is disclosed that when the opening of the FOUP is opened, a predetermined gas is supplied from two purge nozzles attached to the bottom plate of the opening.
  • the front opening of the conventional containment vessel When the front opening of the conventional containment vessel is opened and communicated with the inside of the EFEM, it becomes directly connected to the gas inside the EFEM, and the relatively high humidity airflow formed by the FFU enters the container. do.
  • the relatively high humidity airflow formed by the FFU even when supplying an inert gas inside the containment vessel to purge particles of substances that may be a source of contamination on or around the surface of processed wafers, it is possible to simply supply gas with relatively low humidity into the containment vessel.
  • the downflow gas from inside the containment container continues to enter from within the EFEM, filling the entire container with purge gas and maintaining the state in which it is removed outside the container. I know it's difficult. According to studies by the inventors, it has been found that with such a configuration, the humidity inside the container is reduced by only a few percent compared to the humidity inside the EFEM, and the environment inside the container cannot be sufficiently improved.
  • Patent Document 1 discloses a configuration in which a shower curtain is used to shield the airflow from the EFEM, but in order to sufficiently perform this shielding, it is necessary to supply a large amount of purge gas into the container, which increases the operating cost of the device. will increase. Furthermore, the oxygen level around the EFEM is lowered by the purge gas, and there is a possibility that surrounding workers may be exposed to the risk of running out of oxygen. Therefore, in this conventional technology, although it is possible to reduce the intrusion of particles inside the EFEM into the containment vessel by forming a shower curtain using compressed dry air such as CDA, it is necessary to supply a large amount of purge gas from the semiconductor manufacturing factory. Therefore, in order to operate a CDA with a large flow rate, there is a problem in that the cost of equipment and operation for installing semiconductor manufacturing equipment increases.
  • the above-mentioned conventional technology did not take such problems into consideration.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a vacuum processing apparatus that can reduce the humidity inside the containment vessel, reduce contamination of the wafers stored therein, and improve the processing yield. It is about providing.
  • the above purpose is to provide a vacuum processing unit having a vacuum container into which a wafer to be processed is transferred into a reduced pressure chamber, a lock chamber into which the wafer is transferred before or after processing, and a lock chamber into which the wafer is transferred before or after processing.
  • an atmospheric transport unit including a casing having an atmospheric transport chamber in which the wafer is transported through an interior in which the wafer is transported through an interior in which the wafer is connected to an atmospheric pressure and a gas flow is formed from above to below;
  • a vacuum processing apparatus comprising a wafer storage container having a storage space, a front end portion of which is attached to a wall surface of the casing, and the interior of which is communicated with an atmospheric transfer chamber through an opening disposed in the side wall, Exhaust ports are disposed inside the wafer storage container at the upper and lower ends of the storage space, behind the opening and in front of the storage space, and exhaust the gas in the storage space to the outside; and a manifold arranged at the rear of the storage space between the upper end and the lower end facing the opening and having a gas blow-off hole for supplying a predetermined gas into the storage space.
  • the present invention it is possible to provide a vacuum processing apparatus that can reduce the humidity inside the storage container, reduce contamination of wafers stored therein, and improve the processing yield.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a vacuum processing apparatus showing a schematic configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a perspective view of a vacuum processing apparatus showing a schematic configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of an atmospheric transport unit of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a wafer storage container of the atmospheric transport unit according to the embodiment shown in FIG. 2.
  • FIG. FIG. 3 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of a wafer storage container of the atmospheric transport unit according to the embodiment shown in FIG. 2;
  • FIG. 3 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of a wafer storage container of the atmospheric transport unit according to the embodiment shown in FIG. 2;
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of an upper exhaust port of the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. 4;
  • 6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a purge manifold of the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. 5.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a purge manifold of the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. 5.
  • FIG. 3 is a block diagram schematically showing the configuration of the wafer storage container shown in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a table showing an example of a change in humidity inside the wafer storage container with respect to a change in the angle of an exhaust hole of an exhaust port arranged in the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. 2;
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. 2;
  • the present invention provides at least one gas purge (introduction) port which is disposed in the EFEM and extends vertically at the back of the wafer storage part of the wafer storage container disposed in the EFEM in which a downflow is formed.
  • Gas exhaust ports are arranged at the upper and lower parts of the entrance of the wafer storage container facing the communicating opening and extend laterally, thereby reducing the humidity inside the storage container and preventing contamination of the wafers stored therein.
  • the present invention relates to a vacuum processing apparatus that can improve processing yield by reducing
  • FIGS. 1A to 11 Note that the same reference numerals in the figures indicate the same components.
  • FIG. 1A is a diagram schematically showing the general configuration of a vacuum processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view of the vacuum processing apparatus 100 seen from above, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the vacuum processing apparatus 100.
  • FIG. 3 is a perspective view showing the configuration.
  • the vacuum processing apparatus 100 of this embodiment includes an atmospheric block 101 placed on the front side (right side in FIG. 1A) and a vacuum block 102 placed on the rear side (left side in FIG. 1A).
  • the atmospheric block 101 is a part where a substrate-shaped sample such as a semiconductor wafer is transported under atmospheric pressure, and the positioning for storage is performed.
  • the vacuum block 102 is a part where a sample is transported under pressure reduced from atmospheric pressure. Alternatively, a process or the like is performed, and includes a part where the pressure is increased or decreased while the sample is placed.
  • the atmospheric block 101 has a casing having an outer shape of a rectangular parallelepiped or a similar shape to the extent that it can be considered as a rectangular parallelepiped, and has a space inside thereof at atmospheric pressure or an equivalent pressure that can be considered to be atmospheric pressure.
  • the atmospheric transport unit 106 includes an atmospheric transport unit 106, and is installed side by side along the front side of the casing of the atmospheric transport unit 106, and a substrate-shaped sample such as a semiconductor wafer for processing or cleaning is housed inside. It includes a plurality of cassette stands 107 on which FOUPs, which are cassette containers, are placed.
  • the atmospheric block 101 allows wafers, which are samples for processing or cleaning, stored inside each FOUP on the cassette table 107 to be transported between the FOUP and a vacuum block 102 connected to the back of the casing of the atmospheric transport unit 106.
  • An atmospheric transport robot 109 equipped with a wafer holding arm is disposed inside the casing of the atmospheric transport unit 106 to transport such wafers.
  • the vacuum block 102 includes a plurality of vacuum processing units 103-1, 103-2, 103-3, and 103-4 each having a vacuum container having a processing chamber inside which is subjected to reduced pressure and in which a sample is processed, and these vacuum processing units.
  • a vacuum container (lock chamber container) having a lock chamber 105 therein, which is a space arranged so as to be able to communicate with the housing, a vacuum container 104-1 arranged between two vacuum transfer containers and connected thereto, and a vacuum transfer chamber 104-1 and a vacuum container.
  • the transfer chamber 104-2 is provided with a vacuum container having therein a transfer intermediate chamber 108, which is a space for accommodating a wafer, which is communicated with the transfer chambers 104-2.
  • the vacuum block 102 includes a vacuum container whose interior is depressurized and can be maintained at a predetermined degree of vacuum.
  • the operations of the vacuum processing apparatus 100 such as internal sealing and opening in the lock chamber 105, depressurization, and pressurization operations are connected to each part that executes these operations via communication paths including wired or wireless communication so that signals can be sent and received. It is adjusted by a control device (not shown).
  • the control device includes an external communication path and an interface for transmitting and receiving signals, a computing unit such as a microprocessor made of a semiconductor device, software that describes the calculation algorithm of the computing unit, values of signals to be communicated, etc.
  • the computer is configured to include storage devices such as RAM, ROM, hard disk, removable disk, etc. that store data therein, and communication lines that communicably connect these devices.
  • FIG. 2 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the atmospheric transport unit 106 of the embodiment shown in FIGS. 1A and 1B.
  • This figure shows the case of the EFEM 10, which is the casing of the atmospheric transport unit 106 shown in FIGS. 1A and 1B, in which the cassette table 107 is installed in the front, when looking backward from the front side.
  • the figure shows a vertical cross section of the casing taken along a plane parallel to the front of the casing.
  • the EFEM 10 has a plurality of wafers (W) placed inside it on at least one of the left and right side wall surfaces of the housing (in FIG. 2, the leftmost side wall in the figure) with gaps in the vertical direction.
  • a wafer storage container 13 having a storage space is attached through the openings of both.
  • the wafer storage container 13 faces the internal space of the EFEM 10 through an opening 21 arranged at the right end in the figure and an opening formed in the left end side wall surface of the EFEM 10.
  • the opening 21 of the wafer storage container 13 is maintained in an open state and communicated with the spaces inside each of the wafer storage container 13 and the EFEM 10. ing.
  • the wafer storage container 13 of this embodiment is mounted at a so-called intermediate height position, with its upper and lower ends separated by a predetermined distance from the upper and lower ends of the side wall of the case at the left end in the figure, respectively. It is being
  • the opening 21 is the approximately rectangular front end of the casing 13' (see FIG. 3) of the wafer storage container 13, and is a planar area formed by connecting the parts attached to the left end side wall of the EFEM 10. In the following description, the position of the plane is shown as a solid line or a broken line.
  • an opening 21 is in contact with an opening in the side wall of the EFEM 10 that is previously formed in the left end side wall of the EFEM 10 and around which the rectangular front end of the housing 13' is connected and attached, and is substantially in contact with the opening in the side wall of the EFEM 10.
  • the opening in the side wall and the opening 21 in the wafer storage container 13 will be described as being the same in the following description.
  • the space inside the casing 13' of the EFEM 10 constitutes a space (atmospheric transfer chamber) in which the wafer W is transferred between the lock chamber 105 and the FOUP placed on the cassette table 107.
  • a plurality of arms whose joints at both ends are connected to each other rotate around the joints, and a plurality of arms are placed in a state where the wafer W is placed and held on the tip of the arm at the end.
  • a transfer robot 11 (corresponding to the atmospheric transfer robot 109 in FIG. 1A) that transfers the wafer W by extending and contracting its arm is arranged.
  • an FFU (Fan Filter Unit) 14 is arranged, in which a plurality of fans are arranged in parallel horizontally (in the left-right direction in FIG. 2) to draw in air from above and flow it downward.
  • the atmosphere around the processing device 100 is sucked in and flows out into the casing, forming a vertical airflow f inside the casing.
  • the airflow f flows into the EFEM 10 from the outlet at the bottom of the FFU 14, as shown by the arrow in FIG. It flows out of the EFEM 10 through gaps between the louvers 12 arranged side by side in the left and right direction. Furthermore, the airflow f at the left end inside the EFEM 10 flows downward along the side wall of the upper case of the wafer storage container 13, flows downward from the upper end of the opening 21 of the wafer storage container 13, and then flows downward. The portion changes its course to the left in FIG. 2 and enters the space inside the wafer storage container 13. Therefore, relatively high humidity gas containing a predetermined amount of moisture flows into the wafer storage container 13 from inside the EFEM 10 .
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the wafer storage container 13 of the atmospheric transport unit 106 according to the embodiment shown in FIG.
  • This figure shows a cross section of the wafer storage container 13 taken along a horizontal plane at a predetermined height between the upper and lower ends of the opening 21 of the wafer storage container 13 shown in FIG. 2, with the opening 21 facing downward.
  • FIG. Therefore, the upper side of FIG. 3 shows the inner side of the housing 13' of the wafer storage container 13.
  • FIG. 4 which schematically shows the configuration of the wafer storage container 13 of the atmospheric transport unit 106 according to the embodiment shown in FIG.
  • An upper exhaust port 201 and a lower exhaust port 202 are provided at the lower end.
  • the operation of the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 suppresses the influence of the airflow f inside the EFEM 10 on the airflow inside the wafer storage container 13, and reduces the moisture supplied from the airflow f.
  • an inert gas is directed toward the center of the interior.
  • Purge manifolds 13A and 13B are arranged to which gas having a predetermined moisture content or humidity maintained at a low value is supplied.
  • purge manifolds 13C and 13D are provided at the rear (inner part) inside the housing 13'. A plurality of wafers W are carried into the spaces between these purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D, and are held on a stand (not shown) with gaps between them.
  • the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D are arranged around the wafer W at the four corners inside the housing 13' when viewed from above, so that the wafer W is stored with a gap between them. It is located in For this reason, the purge manifolds 13A and 13B are arranged so that the distance in the horizontal direction (left and right direction in the figure) is larger than the diameter of the wafer W, and when the wafer W is carried in and out of the housing 13', the purge manifolds The configuration is such that collision between 13A and 13B and the wafer W does not occur. Note that the distance between the purge manifolds 13C and 13D in the horizontal direction is smaller than the diameter of the wafer W.
  • Each of the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D is a cylindrical tube with a predetermined diameter, and an internal cavity along an axis in the vertical direction (direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. 3) is filled with nitrogen. and a source of inert gas such as argon.
  • Each of the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D is a gas through-hole having two rows of circular holes that create an air flow f as shown by arrows in FIG. 3 along the vertical (longitudinal) axis of the cylinder. Blowout holes 391 and 392 or 491 and 492 are arranged to communicate with the internal cavity.
  • the inert gas introduced into the cavity flows through these gas blow-off holes 391 and 392 and 491 and 492 along the direction of the arrow in FIG. 3 so that the gas inside the housing 13' is replaced with the inert gas.
  • the liquid flows out from the inside of the housing 13'.
  • each row of purge gas blow-off holes in this example 25 through-holes are arranged in the vertical direction. Further, the blowing holes in each row are arranged so that the direction of the inert gas blowing out from each row is at a different angle with respect to the center of the wafer W.
  • each purge gas blow-off hole is located at a position facing the vertical gap between two arbitrary wafers W stored one above the other when viewed from above, that is, each cylindrical pipe. It is formed at a height between these two wafers W on the cylindrical side wall of. As a result, inert gas is supplied toward the center of the wafer W from each of the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D in a total of eight directions.
  • FIG. 4 and 5 are longitudinal sectional views schematically showing the configuration of the wafer storage container 13 of the atmospheric transport unit 106 according to the embodiment shown in FIG. 2.
  • FIG. 4 shows a cross section of the wafer storage container 13 attached to the side wall of the EFEM 10 taken along a plane perpendicular to the opening
  • FIG. 5 shows the attached wafer storage container 13 viewed from the opening toward the back. It shows a vertical cross section when cut along a vertical plane.
  • 4 and 5 show the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 and the exhaust flow around them, and the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D and the gas flow f around them.
  • the wafer storage container 13 has an upper exhaust port 201 having a cylindrical shape near the upper end of the opening 21 having a size slightly smaller than the surface of the housing 13', and an upper exhaust port 201 near the lower end.
  • the lower exhaust port 202 has each cylindrical axis horizontally (left and right in FIG. 4), and as shown in FIG. They are placed two at a time parallel to the plane.
  • the two upper exhaust ports 201 and the two lower exhaust ports 202 near the lower end are attached with one end of each in contact with the left and right inner walls of the casing 13' of the wafer storage container 13, and are attached to the left and right sides of the opening 21. They are placed with a gap in the center of the direction.
  • the two cylindrical axes of each are arranged in positions that are similar to each other in the vertical and longitudinal directions of the housing 13' to the extent that they coincide or can be regarded as such.
  • the wafer storage container 13 has a wafer storage container 13 located on the bottom surface of the casing 13' between the two lower exhaust ports 202 when viewed from the front of the opening 21.
  • a detection sensor 25 is provided.
  • the wafer detection sensor 25 detects whether a wafer W exists in the wafer W storage space, which is a space inside the upper housing 13' (the presence or absence of a wafer W).
  • the wafer detection sensor 25 may be placed on the top surface of the housing 13' at a location above the opening 21 between the two upper exhaust ports 201.
  • each of the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 is a cylindrical tube, and has an axially extending space through which gas flows. Further, on the surface of the cylindrical side wall, there are a plurality of holes at predetermined intervals in the direction along the axis, and at positions facing the inside of the wafer storage container 13, through holes communicating with the internal space. Holes (exhaust holes) 191 and 192 are arranged. In this example, among the plurality of through holes (exhaust holes) 191 and 192, the through hole (exhaust hole) 191 of the upper exhaust port 201 is located at a position ( They are arranged in a row on the lower surface of the upper exhaust port 201 in FIG. Furthermore, in the through hole (exhaust hole) 192 of the lower exhaust port 202, there is a , are arranged in a row vertically above the axis of the lower exhaust port 202.
  • each of the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 connected to the side wall of the housing 13' is connected to an exhaust pump (not shown) connected to the outer wall of the housing 13', an exhaust pipe (not shown), and the housing.
  • the gas inside the wafer storage space of the housing 13' is communicated through the through hole disposed in the side wall member 13', and the gas inside the wafer storage space of the housing 13' is passed through the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 as shown by arrows in FIG.
  • the air is exhausted to the outside of the casing 13' through the through holes 191 and 192 arranged in the side walls of the port 201 and the lower exhaust port 202 and the internal space.
  • the wafer storage container 13 of this embodiment is attached at a position midway between the upper and lower ends on the left side wall 1001 when the EFEM 10 is viewed from the front, and is connected to the inside of the EFEM 10 through the opening 21. It's communicating.
  • the wafer W stored in the wafer storage space 1311 is sandwiched between the front and rear of the pair of purge manifolds 13A and 13B and the pair of purge manifolds 13C and 13D without contact.
  • the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D are arranged along the axial direction (height direction) of each cylindrical pipe.
  • Two rows of through holes are arranged at a predetermined interval so as to face the space between the plurality of wafers W in the housed state.
  • the inert gas introduced through these through holes forms an airflow f toward the wafer W or the center of its storage space along the horizontal direction (left-right direction in FIG. 5).
  • the broken line labeled as the opening 21 in this figure does not indicate that such a structure is placed at the end of the wafer storage container 13, but rather that it is located between the space inside the wafer storage container 13 and the inside of the EFEM 10. It simply shows the position of the surface that forms the boundary with the space of , as a line.
  • FIGS. 6 to 8 schematically show the configuration around the through holes of the upper exhaust port 201 and the purge manifolds 13A and 13C shown in FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 6 is a vertical sectional view schematically showing the configuration of the upper exhaust port of the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. 4. This figure shows an enlarged longitudinal cross-section taken along a vertical plane along line CC shown in FIG.
  • the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 of this embodiment have one row of through holes having a circular cross section and arranged at predetermined intervals in the axial direction of the cylinder on the side wall surface of a cylindrical pipe.
  • the gas inside the wafer storage container 13 flows into the space inside the tubes through these through holes, and is discharged to the outside of the casing 13' of the wafer storage container 13 from the end of each tube.
  • Such a through hole is shown as exhaust hole 191 on FIG.
  • Ten to fifteen exhaust holes 191 are arranged in a row in the axial direction of the pipe in each of the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202.
  • the exhaust hole 191 of the upper exhaust port 201 shown in the cross section taken along the line CC shown in FIG. They are arranged so that the gas flows from the bottom to the top, forming an angle that is parallel or approximate enough to be considered parallel. That is, the upper exhaust port 201 is attached to the wafer storage container 13 so that the angle B1 between the horizontal surface of the wafer storage container 13 and the axis of the exhaust hole 191 is 90 degrees or an angle close to this. There is.
  • each through hole 191, 192 of the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 is determined by rotating each tube around its axis and connecting it to the housing 13' to fix the position. It is configured such that the user can increase or decrease the amount according to the use.
  • the angle B1 of the axis of the exhaust hole 191 of the upper exhaust port 201 or the exhaust hole 192 of the lower exhaust port 202 the amount of gas in the EFEM 10 flowing into the wafer storage container 13 and the direction of the gas flow are determined.
  • the adhesion of fine particles to the wafer W housed inside and the degree of contamination caused thereby are controlled. This point will be discussed later using figures.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the purge manifold of the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. This figure shows a cross section of the purge manifold 13A shown in FIG. 5 taken along a horizontal plane along the ZZ line.
  • the purge manifolds 13A and 13B of this embodiment each have a space between an internal cavity through which inert gas flows along the vertical axis and a cylindrical outer peripheral wall surface.
  • Two rows of gas blowing holes 391 and 392 are arranged in parallel vertically at a predetermined interval and each row has 25 gas blowing holes.
  • the gas blow-off hole 391 out of the two gas blow-off holes is located between the inside of the wafer storage container 13 and the space inside the EFEM 10 through which the inert gas is supplied, and is shown as a broken line in the figure.
  • the axis of the gas blowing hole 391 is formed so that the gas flows out parallel to the surface (opening surface) of the opening 21 in which the gas is located.
  • the gas blowing holes 392 forming the other row are arranged so that the supplied inert gas flows out toward the center of the wafer storage section inside the wafer storage container 13. That is, the gas blowing holes 392 constituting one row have circular openings whose center axes form an angle of 45° with respect to the axis of the gas blowing holes 391 constituting the other row, and the central axes of the circular openings form an angle of 45° with respect to the axis of the gas blowing holes 391 constituting the other row. It is formed.
  • the gas blowing holes 391 and 392 are arranged at symmetrical positions when viewed from the front of the opening 21 of the wafer storage container 13. Therefore, when the wafer W is stored in the storage section of the wafer storage container 13, the inert gas (purge gas) supplied from the row of gas blowing holes 392 of the purge manifold 13A is transmitted in the vertical direction passing through the center of the wafer W. The same applies to the purge gas that flows toward the axis of the purge manifold 13B and is similarly supplied from the row of gas blowing holes 392 of the purge manifold 13B.
  • purge gas supplied from the rows of gas blowouts 391 of each of the purge manifolds 13A and 13B is supplied to the ends of the opening 21 in the left and right direction inside the housing 13' immediately behind the opening 21 of the wafer storage container 13. They flow counter to each other towards the center.
  • each of the pairs of 25 gas blowing holes 391 and 392, each forming a row is arranged on the side wall surface of the purge manifolds 13A and 13B so that the axes of these openings are aligned with each other between the plurality of wafers W stored in the storage section. It is formed at the same height position between the wafer W and the top surface or bottom surface inside the casing 13' of the wafer storage container 13. With this configuration, even when 25 wafers W are stored inside the wafer storage container 13, the purge gas supplied from the gas blowing holes 391 and 392 can smoothly flow through the gaps between the wafers W.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the purge manifold of the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. This figure shows a cross section of the purge manifold 13C shown in FIG. 5 taken along the horizontal plane along line XX.
  • the purge manifolds 13C and 13D like the purge manifolds 13A and 13B, have 25 gases arranged vertically at predetermined intervals along the vertical axis of the cylindrical shape. It has two rows of blow-off holes made up of blow-off holes 491 and 492. These gas blow-off holes are arranged along the horizontal direction on the cylindrical outer wall surface of each purge manifold, with the axes of the centers of the circular openings forming an angle of 30 degrees with each other. Furthermore, the equal dividing lines of the angles formed by these axes are arranged so as to face the vertical axis passing through the center of the wafer W stored in the storage section of the wafer storage container 13.
  • the pair of purge manifolds 13C and 13D are arranged inside the casing 13', similarly to the purge manifolds 13A and 13B, at symmetrical positions with respect to a plane passing through the center of the wafer storage container 13 in the left-right direction, and each has Gas blow-off holes 491 and 492 are similarly arranged at symmetrical positions. Further, each of the pairs of gas blowing holes 491 and 492 constituting the two rows is connected to a wafer stored in the storage section of the wafer storage container 13, similarly to the pair of gas blowing holes 391 and 392 of the purge manifolds 13A and 13B. They are arranged at the same height position between the wafers W or between the wafer W and the top and bottom surfaces of the housing 13'.
  • the purge gas supplied from the gas blowing holes 491 and 492 flows smoothly through the gaps between the wafers W.
  • the purge gas from the purge manifolds 13A, 13B or 13C, 13D can be used to remove highly reactive particles that float and stay near the upper and lower surfaces of the wafer W, and remove the wafer storage. Particles inside the EFEM 10 that have flowed into the container 13 can be swept away in the direction of the central axis of the wafer W.
  • FIG. 9 is a block diagram schematically showing the configuration of the wafer storage container 13 shown in FIG. 2. As shown in FIG. 9
  • the purge gas control configuration shown in FIG. It includes a humidity sensor 26 that detects humidity and a wafer detection sensor 25 that detects the presence or absence of a wafer W in the storage section, and a controller 31 that receives signals output from these sensors. Furthermore, the controller 31 includes an exhaust valve 32 which is disposed on the exhaust pipe connected to each end of the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202, and which increases or decreases the amount and speed of the exhaust or adjusts the opening/closing of the pipe.
  • a flow rate controller (mass flow controller) 35 that is arranged on the purge gas supply pipe whose one end is connected to the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D and adjusts the flow rate and speed of the purge gas (inert gas), and their operations. It is connected so that it can send and receive signals that command the operation and signals that indicate the operating status.
  • the exhaust pipe line is connected to an exhaust pump such as a rotary pump on the downstream side of the exhaust valve 32 for the flow of exhaust gas, and the purge gas supply pipe is connected to a storage tank, which is an inert gas source, on the upstream side of the flow rate controller 35 for the flow of purge gas. It is connected to a purge gas supply means 34 that includes a valve that opens and closes the outflow of gas from and to the gas tank.
  • the controller 31 determines whether the wafer W is stored from the received output signal of the wafer detection sensor 25. If the controller 31 determines that the wafer W is not stored, the effect of rectifying the purge gas by the wafer W will be reduced, so the controller 31 sends a command signal to the exhaust valve 32 to maximize its opening. Adjust. This reduces turbulence when the gas flowing downward along the inner wall of the EFEM 10 above the opening 21 of the wafer storage container 13 in the space inside the EFEM 10 is separated from the side wall at the upper end of the opening 21. The amount and speed of gas flowing inside the wafer storage container 13 while changing its direction can be suppressed.
  • the controller 31 detects the humidity inside the wafer storage container 13 from the received signal from the humidity sensor 26, and stores the humidity in advance in the internal storage device as an objective function of the control sequence.
  • a command signal is sent to the flow controller 35 in accordance with the sequence or algorithm described in the software, and the purge gas from the purge gas supply means 34 is supplied to each of the purge manifolds 13A, 13B, or 13C, 13D. Adjust amount or speed.
  • the opening degree of the exhaust valve 32 is adjusted depending on the number of wafers W to be stored or carried in and out. From the above, depending on whether or not a wafer W is mounted in the wafer storage container 13, the exhaust gas can be exhausted through the exhaust pipe line 321 connected to the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 by adjusting the opening degree of the exhaust valve. By appropriately increasing or decreasing the amount, the airflow within the wafer storage container 13 can be made appropriate.
  • the purge manifolds 13A and 13B are arranged at the upper and lower end positions between the opening 21 and the purge manifolds 13A and 13B, and on both the left and right sides.
  • An upper exhaust port 201 which is four cylindrical ports having axes in the horizontal direction and has a plurality of exhaust holes 191 toward the inside of the wafer storage container 13 along the axial direction, and a plurality of exhaust holes.
  • the downward airflow formed by the FFU 14 arranged at the upper part inside the EFEM 10 flows along the side wall surface where the wafer storage container 13 at the left end of the EFEM 10 shown in FIG. 2 is installed. Furthermore, when the flow crosses the opening 21 in the vertical direction, the flow along the upper side wall of the opening 21 separates from the side wall and becomes turbulent, including a swirling flow. The turbulent components develop as a swirling flow as they move downward.
  • the openings 21 are opened from above by the operation of the upper exhaust port 201, which has a plurality of downward exhaust holes 191 and sucks and exhausts the gas inside the housing 13' from the bottom to the top.
  • the flow attempting to cross the area separates from the sidewalls early, forming a vortex component in the flow.
  • the kinetic energy of the downward airflow (downflow) flowing near the opening 21 is consumed, and the speed and force of the flow can be reduced.
  • the flow formed inside the wafer storage container 13 by the purge gas supplied from the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D to the internal storage section is combined with the flow from the rear of the wafer storage container 13 toward the front opening 21. components can be formed to a large extent.
  • the amount of swirling of the airflow inside the EFEM 10 flowing into the wafer storage container 13 through the opening 21 is suppressed, reducing the amount of gas inside the EFEM 10 near the opening 21 being drawn into the housing 13'. can do.
  • the relatively high-humidity gas that has entered the housing 13' from inside the EFEM 10 is gradually diluted. Therefore, even with a small amount of purge gas, the increase in humidity inside the wafer storage container 13 is suppressed, and volatile substances remaining on the surface of the wafer W or in its vicinity react with moisture to form corrosive products. can be reduced.
  • the cylindrical upper exhaust port 201 and lower exhaust port 202 arranged inside the wafer storage container 13 are located between the purge manifolds 13A, 13B and the opening 21 and inside the housing 13'.
  • the opening 21 from inside the EFEM 10 near the top and bottom surfaces of the EFEM 10 it is connected to the left and right ends of the housing 13' and arranged horizontally.
  • the above explanation of the effect is for a state in which the wafer W is not mounted in the wafer storage container 13, but when the wafer W is stored in the wafer storage container 13, the wafer W is placed on the rectifier plate.
  • the amount of purge gas retained between the wafers W can be more easily ensured than in the case where there are no wafers W, so that the inflow of gas with relatively high humidity inside the wafer storage container 13 can be more effectively reduced.
  • the processing yield is improved.
  • FIG. 10 is a table showing an example of a change in the humidity inside the wafer storage container with respect to a change in the angle of the exhaust hole of the exhaust port arranged in the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG.
  • the relative humidity inside the wafer storage container 13 can be changed by changing the angle B1 of the exhaust hole 191 of the upper exhaust port 201.
  • the angle B1 in FIG. 6 has been explained as an angle with respect to a line perpendicular to the opening 21, but the angle B1 shown in FIG. 10 is different from the angle B1 explained in FIG.
  • the angle is based on a line parallel to the portion 21.
  • the reason why the magnitude of this relative humidity can be changed is that the time that the purge gas stays inside the wafer storage container 13 can be changed depending on the magnitude of the angle B1 of the exhaust hole 191.
  • the flow of purge gas is optimized by optimizing the angle B1 of the upper exhaust port 201 in the wafer storage container 13 with respect to the downward vertical direction of the exhaust hole 191 according to the amount of air flow in the EFEM 10. can do.
  • the angle B2 of the exhaust hole 192 of the lower exhaust port 202 with respect to the upward vertical direction may also be configured to be variably adjustable.
  • the arrangement of the exhaust holes 191 and 192 is based on the amount and speed of the airflow flowing from inside the EFEM 10 at different angles, which changes depending on the location where the wafer storage container 13 is installed in the EFEM 10, and the upper exhaust port 201, The user can select an appropriate one by considering the balance between the exhaust capacity of the lower exhaust port 202 and the amount of purge gas introduced from the purge manifolds 13A, 13B, 13C, and 13D.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the wafer storage container according to the embodiment shown in FIG. 2. This figure shows the position of the upper exhaust port 201 or the lower exhaust port 202 relative to the opening 21.
  • the installation positions of the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 and the opening 21 are determined as shown in FIG.
  • the distance L between is selected.
  • only the upper exhaust port 201 is shown.
  • the horizontal distance L between the central axis of the cylindrical upper exhaust port 201 arranged along the horizontal direction (left-right direction in FIG. 11) and the broken line indicating the position of the surface of the opening 21 is set to 45 mm. There is.
  • this distance L the flow direction and flow rate of the gas flowing from the inside of the EFEM 10 into the inside of the wafer storage container 13, or the amount of swirling flow changes, so by appropriately selecting the value of the distance L, Since the humidity and its distribution inside the wafer storage container 13 can be changed, the balance between the flow rate and speed of the gas inside the EFEM 10, the amount of purge gas supplied, and the amount of exhaust from the upper and lower exhaust ports is considered. Then, the user appropriately selects the distance L.
  • the flow of gas within the EFEM 10 depends on the number, opening degree, and shape of the louvers 12 shown in FIG. 2, or the position of the transfer robot 11.
  • the distance L between the upper exhaust port 201 and the lower exhaust port 202 and the opening 21 is set to 45 mm ⁇ 25 mm.
  • the wafer storage container is arranged to extend vertically on the back side of the wafer storage part of the wafer storage container placed in the EFEM in which a downflow is formed. and at least one gas purge (introduction) port, and gas exhaust ports extending laterally and disposed at the upper and lower portions of the entrance portion of the wafer storage container facing the opening communicating with the inside of the EFEM; It has a configuration that does not include a gas exhaust port along.
  • the present invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. stomach.
  • the embodiments described above are described in detail to explain the present invention in an easy-to-understand manner, and the present invention is not necessarily limited to having all the configurations described. Further, it is possible to add, delete, or replace a part of the configuration of each embodiment with other configurations.

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Abstract

減圧された内部に搬送された処理対象のウエハが処理される真空容器を有する真空処理ユニットと、内部に処理前または処理後のウエハが搬送されるロック室と、このロック室と接続され、且つ大気圧にされて上方から下方に向けてガスの流れが形成された内部をウエハが搬送される大気搬送室を有する筐体を含む大気搬送ユニットと、内部に処理済みウエハの格納空間を有し筐体の壁面に部が取り付けられ当該側壁に配置された開口を介して大気搬送室と内部が連通されるウエハ格納容器とを備えた真空処理装置であって、ウエハ格納容器の内部に、開口の後方であって格納空間の前方であって当該格納空間の上端部と下端部に配置されて格納空間のガスを外部に排気する排気ポートと、格納空間の後方に配置され開口に向けて上端部と下端部との間に配置され当該格納空間の内部に所定のガスを供給するガス吹出孔を有したマニホールドとを備えた。

Description

真空処理装置
　本発明は、半導体ウエハ等の基板状の試料を真空処理容器内に搬送して処理する真空処理装置であって、大気圧またはこれと見做せる程度に近似した圧力の下に配置された前記真空処理装置の大気側ブロックに配置された収納容器に収納された前記試料を所定の真空度に減圧される真空側ブロック内の前記真空処理容器内に搬送する真空処理装置に係り、特に、前記大気側ブロックに配置され大気圧またはこれと見做せる程度に近似した圧力にされた内部で前記試料が搬送されるウエハ搬送装置に関するものである。
　近年では、半導体デバイスの高集積化や微細化がますます進んでおり、半導体デバイスの回路がその上に形成される半導体ウエハの表面には、回路の欠陥を生起する虞のあるパーティクルや水分が付着しないようにウエハを清浄な環境で保持するように要求されている。例えば、その内部で半導体ウエハが処理される真空処理容器（真空処理チャンバ）や内部に格納するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ－Ｏｐｅｎ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）では、内部はより高い清浄の度合い（クリーン度）にすることが求められている。このことは、大気圧またはこれと見なせる程度に近似した雰囲気の圧力（略大気圧）の下に配置されて、当該圧力にされた容器の内部の空間内で半導体ウエハが搬送されるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）のようなウエハ搬送装置に対しても、その内部の空間をより高いクリーン度に維持することを同様に要求している。
　一般に、上記のウエハ搬送装置は、内部でＦＯＵＰおよび真空側ブロックの大気側ブロックに対するインターフェースの役割を果たすロック室（ロードロック室）ならびに前記収納容器との間でウエハが搬送されて受け渡される箇所であり、化学フィルターを備えたＦＦＵといったダウンフロー発生装置により形成したダウンフローに浮遊する粒子を乗せて下方に押し流し濾過することで、ウエハ搬送装置の内部の空間に清浄な気流が形成されて、搬送中のウエハにパーティクルや水分が付着することの抑制が図られている。このため、内部の空間の酸素濃度や水分の量は、真空処理装置が設置されているクリーンルーム等の建屋の内部と同等程度に留められている。
　このような構成においても、ウエハ搬送装置の前面側で台上に乗せられたＦＯＵＰから半導体ウエハを取出して真空側ブロックに受け渡す際に、ＦＯＵＰとウエハ搬送装置内部との間に配置されたロードポートによってＦＯＵＰの前面の開口部が開かれると、ＦＯＵＰ容器内部の酸素濃度および湿度がＥＦＥＭと同じレベルまでに上昇してしまい、ＦＯＵＰ内部の環境が悪化してしまう。これを抑制するため、ＦＯＵＰの収納容器内に不活性ガス（例えば窒素ガス、アルゴンガス等）あるいは圧縮ドライエアを供給して内部の粒子をガスごと置換することが考えられている。
　しかしながら、真空処理容器で処理を施されて搬出された直後のウエハの周囲には、処理中に供給され或いは生成された反応性の高い物質の粒子が残留している。このため、このようなウエハがＦＯＵＰに搬入されるとＦＯＵＰ内に格納された他の処理前のウエハを汚染してしまう虞がある。例えば、プラズマを用いたウエハのエッチングにおいては、ウエハ上の薄膜のマスクや配線パターンをエッチングする際に、ＨＣｌ（塩化水素）、ＨＣＮ（シアン化水素）、ＳｉＦ４（四フッ化珪素）、ＨＢｒ（臭化水素）、Ｆ２（フッ素）等のハロゲン系エッチングガスが用いられ、これらのガスは、上記パターンの加工処理後のエージング処理の後でも、一部がハロゲン化水素としてウエハ上に残ることがよく知られている。
　そこで、ＥＦＥＭの内部に或いはこれに接続された外部に配置された格納容器内に真空側ブロックから搬送された処理後のウエハを一旦格納して、上記残留した物質の濃度が十分に下がるまで待機させる技術が考えられている。処理後の半導体ウエハは残留物の濃度が所定のもの以下に下がった後に格納容器から元のＦＯＵＰに搬送される。例えば、上記待機用の格納容器はその開口部がＥＦＥＭの側壁に配置された開口に連通するようにＥＦＥＭの側壁に接続されて設置され、格納容器の内部の空間はＥＦＥＭの雰囲気に対して常時開放されている。
　このような、処理前のウエハが真空側ブロックに搬送される前に或いは処理後のウエハが下のＦＯＵＰの元の位置に戻される前に一時的に内部に収納されるウエハの格納容器に対しても、内部のウエハのウエハにパーティクルや水分が付着して汚染が生じないようにすることが求められる。何故なら、ウエハを格納容器に搬入する際、容器内部の雰囲気もＥＦＥＭ内部と同程度の湿度を有していると、格納容器内において、上記残留したハロゲン系の生成物が水分と反応し腐食性物質を形成してしまう虞がある。例えば、塩化水素の水溶液は一般的に塩酸として知られており、ハロゲン化水素からなる腐食性の生成物によって、ウエハ上面の配線パターンが断線したり、配線間のショート、配線抵抗増加や寄生容量によるクロストーク等の障害が引き起こされてしまう虞がある。
　このような課題に対して、従来から半導体ウエハの収納容器内でのウエハの腐食や汚染の生起を抑制する技術が考えられてきた。例えば、特開２０１５－２３０３７号公報（特許文献１）では、ウエハの格納容器の前面ドアが大気開放される際に、容器の前面にパージガス等を用いてシャワーカーテンを形成し、ＥＦＥＭ内部からの相対的に高い湿度の気流が侵入することを抑制する技術が開示されている。
　特開２０１５－１７０７５２号公報（特許文献２）は、ＦＯＵＰの前部の開口が開放された際にＦＯＵＰ内部で外部からの気体（ガス）の進入により湿度が上昇することを抑制するために、ＦＯＵＰの開口が開放された際に開口部の底板に装着されている２個のパージノズルから所定のガスを供給することが開示されている。
特開２０１５－２３０３７号公報 特開２０１５－１７０７５２号公報
　従来の技術において、ウエハを元のＦＯＵＰに搬送して戻す前に格納して待機させる格納容器は、その開口がＥＦＥＭ内部と連結され連通している場合には、ダウンフローを含むＥＦＥＭ内部のガスの環境に曝されて同様の条件になる。このため格納されたウエハが内部で待機中に、処理後のウエハの表面や周囲に残留するハロゲン系物質が水分と反応し、腐食性の生成物を形成してウエハを汚染してしまう虞があった。
　従来技術に係る格納容器の前面の開口部を開放してＥＦＥＭ内部と連通させると、ＥＦＥＭの内部のガスと直結するようになり、ＦＦＵにより形成された相対的に高い湿度の気流が容器に侵入する。また、格納容器内部に不活性ガスを供給して処理済みウエハの表面または周囲の汚染源となる物質の粒子を内部から排出（パージ）する場合でも、単に容器内に相対的に湿度の小さいガスを容器内に供給するに過ぎない構成では、ＥＦＥＭ内から格納容器内のダウンフローのガスが進入し続け、パージ用のガスを容器内の全体に充満させて容器外に取り除かれた状態を維持し難いことが判っている。発明者らの検討によれば、このような構成では、容器内部の湿度は、ＥＦＥＭ内の湿度に比べ僅か数％しか低減されず十分に容器内の環境を改善できないことが判った。
　特許文献１では、シャワーカーテンを用いてＥＦＥＭからの気流を遮蔽する構成が開示されているが、この遮蔽を十分に行うには容器内に大量のパージガスを供給する必要があり、装置の運転コストが増加してしまう。さらには、パージガスによるＥＦＥＭ周囲の酸素レベルが低下してしまい、周囲の作業者が酸素の不足に陥る危険に晒される虞があった。そのため、本従来技術では、ＣＤＡといった圧縮乾燥空気を用いてシャワーカーテンを形成してＥＦＥＭ内の粒子の格納容器内への進入の低減を図れるものの、半導体製造工場からの大量のパージガスの供給が必要となり、大流量のＣＤＡを運用するには半導体製造装置を設置する設備や運転のコストが大きくなってしまう問題があった。
　また、発明者らの検討によれば、特許文献２のような従来技術では、ＥＦＥＭによるダウンフローは、ＥＦＥＭの壁に沿って下方に流れた後、ウエハの格納容器の開口部の上端で壁面から剥離して流れが乱れ、格納容器の開口部の下端の近傍では乱流状態に発達してしまう。このため、ＥＦＥＭ内の相対的に高い湿度のガスの多くは格納容器の開口部の下端部およびこれに面した箇所である底板の近傍から格納容器内部に進入することが判った。さらに、このような進入を防ぐ目的で底板の近傍からパージガスをＥＦＥＭ内部に向けて供給した場合には、ＥＦＥＭの上記高い湿度のガスの粒子が却って格納容器の内部に巻き込まれてしまう虞があることが判った。
　このような問題点について、上記の従来技術は考慮していなかった。本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、格納容器内部の湿度を低減して内部に格納されたウエハの汚染を低減して処理の歩留まりを向上できる真空処理装置を提供することにある。
　上記目的は、減圧された内部に搬送された処理対象のウエハが処理される真空容器を有する真空処理ユニットと、内部に処理前または処理後の前記ウエハが搬送されるロック室と、このロック室と接続され、且つ大気圧にされて上方から下方に向けてガスの流れが形成された内部を前記ウエハが搬送される大気搬送室を有する筐体を含む大気搬送ユニットと、内部に処理済みウエハの格納空間を有し前記筐体の壁面に前端部が取り付けられ当該側壁に配置された開口を介して大気搬送室と内部が連通されるウエハ格納容器とを備えた真空処理装置であって、
　前記ウエハ格納容器の内部に、前記開口の後方であって前記格納空間の前方であって当該格納空間の上端部と下端部に配置されて前記格納空間のガスを外部に排気する排気ポートと、前記格納空間の後方に配置され前記開口に向けて前記上端部と下端部との間に配置され当該格納空間の内部に所定のガスを供給するガス吹出孔を有したマニホールドとを備えたことにより達成される。
　本発明によれば、格納容器内部の湿度を低減して内部に格納されたウエハの汚染を低減して処理の歩留まりを向上できる真空処理装置を提供できる。
本発明の実施例に係る真空処理装置の概略の構成を示す真空処理装置の横断面図である。 本発明の実施例に係る真空処理装置の概略の構成を示す真空処理装置の斜視図である。 本発明の実施例に係る真空処理装置の大気搬送ユニットの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 図２に示す実施例に係る大気搬送ユニットのウエハ格納容器の構成の概略を示す横断面図である。 図２に示す実施例に係る大気搬送ユニットのウエハ格納容器の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 図２に示す実施例に係る大気搬送ユニットのウエハ格納容器の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 図４に示す実施例に係るウエハ格納容器の上方排気ポートの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 図５に示す実施例に係るウエハ格納容器のパージマニホールドの構成を模式的に示す横断面図である。 図５に示す実施例に係るウエハ格納容器のパージマニホールドの構成を模式的に示す横断面図である。 図２に示すウエハ格納容器の構成の概略を模式的に示すブロック図である。 図２に示す実施例に係るウエハ格納容器内に配置された排気ポートの排気孔の角度の変化に対するウエハ格納容器内部の湿度の変化の例を示す表である。 図２に示す実施例に係るウエハ格納容器の構成の概略を模式的に示す横断面図である。
　本発明は、内部にダウンフローが形成されるＥＦＥＭに配置されるウエハ格納容器のウエハ収納部の奥側に縦方向に延在して配置され少なくとも１つのガスパージ（導入）ポートと、ＥＦＥＭ内部に連通する開口に面するウエハ格納容器の入口部の上部および下部に配置され横方向に延在するガス排気ポートとを備えて、格納容器内部の湿度を低減して内部に格納されたウエハの汚染を低減して処理の歩留まりを向上できるようにした真空処理装置に関するものである。
　以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は原則として省略する。
　ただし、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。本発明の思想ないし趣旨から逸脱しない範囲で、その具体的構成を変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。
　以下、本発明の実施例を図１Ａ乃至１１を用いて説明する。なお、図中において同一符号は同一構成要素を示す。
　図１Ａは、本発明の実施例に係る真空処理装置１００の概略の構成を模式的に示す図で真空処理装置１００を上方から見た横断面図であり、図１Ｂは、真空処理装置１００の構成を示す斜視図である。
　本実施例の真空処理装置１００は、その前方側（図１Ａにおいて右側）に配置された大気ブロック１０１と後方側（図１Ａにおいて左側）に配置された真空ブロック１０２とを備えている。大気ブロック１０１は、大気圧下で半導体ウエハ等の基板状の試料が搬送され、収納の位置決め等がされる部分であり、真空ブロック１０２は大気圧から減圧された圧力下で試料が搬送され、或いは処理等が実施され、試料を載置した状態で圧力を上下させる部分を含んでいる。
　大気ブロック１０１は、外形が直方体或いはそれと見做せる程度に近似した同等の形状を有しその内部に大気圧またはこれと見做せる程度に近似した同等の圧力にされた空間を有する筐体を含む大気搬送ユニット１０６と、この大気搬送ユニット１０６の筐体の前面側の側面に沿って並べられて取付けられ、処理用又はクリーニング用の半導体ウエハ等の基板状の試料が内部に収納されているカセット容器であるＦＯＵＰがその上面に載せられる複数のカセット台１０７とを備えている。大気ブロック１０１は、カセット台１０７上の各ＦＯＵＰの内部に収納された処理用またはクリーニング用の試料であるウエハがＦＯＵＰと大気搬送ユニット１０６の筐体の背面に連結された真空ブロック１０２との間でやりとりされる箇所であり、大気搬送ユニット１０６の筐体の内部にはこのようなウエハの搬送のためにウエハ保持用のアームを備えた大気搬送ロボット１０９が配置されている。
　真空ブロック１０２は、内部に減圧され試料が処理される処理室を有する真空容器を備えた複数の真空処理ユニット１０３－１，１０３－２，１０３－３，１０３－４と、これらの真空処理ユニットと連結されその内部に試料を減圧下で搬送する真空搬送ロボット１１０－１、１１０－２を備えられた搬送用の空間である真空搬送室１０４－１，１０４－２を有する真空容器、及び当該真空搬送用の真空容器（真空搬送容器）と大気搬送ユニット１０６の筐体との間でこれらと接続されて配置されウエハを収納する空間であって真空搬送室１０４－１及び大気搬送ユニット１０６の筐体と連通可能に配置された空間であるロック室１０５を内部に有する真空容器（ロック室容器）、２つの真空搬送容器の間でこれらと接続されて配置され真空搬送室１０４－１及び真空搬送室１０４－２の間でこれらと連通可能にされたウエハ収納用の空間である搬送中間室１０８を内部に有する真空容器とを備えている。この真空ブロック１０２は、その内部は減圧されて所定の値の真空度の圧力に維持可能な真空容器を備えて構成されている。
　また、上記大気搬送ロボット１０９や真空搬送ロボット１１０－１、１１０－２の搬送の動作や複数の真空処理ユニット１０３－１，１０３－２，１０３－３，１０３－４におけるウエハを処理する動作、ロック室１０５における内部の密封、開放や減圧、昇圧の動作等真空処理装置１００の動作は、これらを実行する各部分と有線あるいは無線によるものを含む通信経路を介して信号の送受信可能に接続された図示しない制御装置により調節される。制御装置は、外部の通信の経路と信号の送受信を行うインターフェースと、半導体デバイス製のマイクロプロセッサ等の演算器、当該演算器の演算のアルゴリズムが記載されたソフトウエアや通信される信号の値等のデータを記憶するＲＡＭ，ＲＯＭやハードディスク、リムーバブルディスク等の記憶装置とこれらを通信可能に接続する通信線路とを含んで構成されている。
　図２は、図１Ａ及び図１Ｂに示す実施例の大気搬送ユニット１０６の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。本図は、図１Ａ及び図１Ｂに示す大気搬送ユニット１０６であってカセット台１０７が前面に設置された大気搬送ユニット１０６の筐体であるＥＦＥＭ１０を前方側の箇所から後方を向いて見た場合の、筐体の前面に平行な面で筐体を切った縦断面を示している。
　図２に示すとおり、ＥＦＥＭ１０は、筐体の左右方向の側壁面の少なくとも何れか一方（図２では図上左端の側壁）に、内部に複数枚のウエハ：Ｗを上下方向に隙間を開けて収納可能な収納空間を備えたウエハ格納容器１３が両者の開口を介して取り付けられている。図２の本実施例によると、ウエハ格納容器１３は、その図上右端に配置された開口部２１とＥＦＥＭ１０の左端の側壁面に形成された開口を介してＥＦＥＭ１０の内部の空間に面しており、ウエハ格納容器１３がＥＦＥＭ１０の側壁に取り付けられた状態で、ウエハ格納容器１３の開口部２１が開放された状態が維持され、ウエハ格納容器１３とＥＦＥＭ１０との各々の内部の空間に連通されている。
　なお、本実施例のウエハ格納容器１３は、その上端および下端が図上左端の筐体の側壁の上端部および下端部から各々所定の距離だけ離れた、謂わば中間の高さの位置に取り付けられている。また、開口部２１はウエハ格納容器１３の筐体１３’（図３参照）の凡そ矩形状となる最前端部であってＥＦＥＭ１０の左端の側壁に取り付けられる箇所を結んでできる面状の箇所を指しており、以下の説明では当該面の位置を示す実線または破線として示される。また、このような開口部２１はＥＦＥＭ１０の左端の側壁に予め形成されその周囲に筐体１３’の矩形状の前端部が接続して取り付けられるＥＦＥＭ１０側壁の開口と接しており、実質的に当該側壁の開口とウエハ格納容器１３の開口部２１とは以下の説明では同一のものとして説明される。
　ＥＦＥＭ１０の筐体１３’の内部の空間は、ロック室１０５とカセット台１０７上に乗せられたＦＯＵＰとの間でウエハＷが搬送される空間（大気搬送室）を構成する。この内部の空間には、両端の関節部同士が連結された複数のアームが当該関節部の周りに回転して、端部のアームの先端部にウエハＷが載せられ保持された状態で複数のアームを伸長、収縮させてウエハＷを搬送する搬送ロボット１１（図１Ａの大気搬送ロボット１０９に相当）が配置されている。ＥＦＥＭ１０の上部には、上方から引き込んだ気流を下方に流出する複数のファンが水平方向（図２において左右方向）に並設されたＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ、ファンフィルタユニット）１４が配置され、真空処理装置１００の周囲の雰囲気が吸い込まれて筐体内部に流出して、筐体内部に上下方向の気流の流れｆが形成されている。
　気流ｆは、図２において矢印で示すように、ＦＦＵ１４の下部の出口からＥＦＥＭ１０内部に流出し搬送ロボット１１の下方であってＥＦＥＭ１０の底部に配置され、幅の小さい板が隙間を開けて図上左右方向に並べて配置されたルーバー１２の隙間を通して、ＥＦＥＭ１０の外部に流出する。また、ＥＦＥＭ１０内部の左端部の気流ｆは、ウエハ格納容器１３の上方の筐体の側壁に沿って下方に流れて、ウエハ格納容器１３の開口部２１の上端部から下方に流れた後に、一部が図２において左側に進路を変えてウエハ格納容器１３の内部の空間に入り込むものとなっている。このため、ウエハ格納容器１３の内部には、所定の量の水分を含む、相対的に高い湿度のガスがＥＦＥＭ１０内部から流入することになる。
　図３は、図２に示す実施例に係る大気搬送ユニット１０６のウエハ格納容器１３の構成の概略を示す横断面図である。本図は、図２に示すウエハ格納容器１３の開口部２１の上下端の間の所定の高さ位置の水平な面でウエハ格納容器１３を切った横断面を、開口部２１を下側にして示した図である。このため、図３の上方がウエハ格納容器１３の筐体１３’の奥側を示している。
　図２に示した実施例に係る大気搬送ユニット１０６のウエハ格納容器１３の構成の概略を模式的に示した図４の縦断面図のように、本実施例では、開口部２１の上端部および下端部には、上方排気ポート２０１と下方排気ポート２０２の各々が備えられている。これらの上方排気ポート２０１、下方排気ポート２０２の動作により、ウエハ格納容器１３内部の気流に対するＥＦＥＭ１０内部の気流ｆから影響が抑制され、気流ｆから供給される水分が低減される。
　さらに、図３に示すように、ウエハ格納容器１３の筐体１３’の内部の前部であって上方排気ポート２０１と下方排気ポート２０２の後方には、内部の中心部に向けて不活性ガス等の所定の水分または湿度を低い値に維持されたガスが供給されるパージマニホールド１３Ａと１３Ｂが配置されている。さらに、筐体１３’内部の後部（奥部）には、パージマニホールド１３Ｃと１３Ｄが備えられている。これらパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄの間の空間に、複数枚のウエハＷが搬入されて、図示しないスタンド上に互いに隙間を開けて保持される。
　図３に示した例では、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、上方からみてウエハＷの周囲で筐体１３’の内部の四隅で、ウエハＷがこれらと隙間を開けて収納されるように配置されている。このため、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ同士は、その水平方向（図上左右方向）の距離がウエハＷの直径より大きくされて配置され、ウエハＷの筐体１３’内部に対する搬入出の際にパージマニホールド１３Ａ，１３ＢとウエハＷの衝突が生じないように構成されている。なお、パージマニホールド１３Ｃ，１３Ｄの水平方向の距離はウエハＷの直径よりは小さくされている。
　パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄの各々は、所定の径を有する円筒形状を有した管であって、上下方向（図３では紙面に垂直な方向）の軸に沿った内部の空洞は窒素やアルゴン等不活性ガスのガス源と連通されている。パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ各々は、円筒形の上下方向（長手方向）の軸に沿って図３で矢印で示すような気流ｆを作る２列の円形を有した貫通孔であるガス吹出孔３９１と３９２又は４９１と４９２が内部の空洞と連通して配置されている。空洞内に導入された不活性ガスは、筐体１３’内部のガスが不活性ガスと置換されるように、図３の矢印の方向にそってこれらのガス吹出孔３９１と３９２及び４９１と４９２から筐体１３’内部に流出する。
　本例のパージガス吹出孔の各列には、各々上下方向に２５個の貫通孔が配置されている。また、各列の吹出孔は、各々の列から吹き出す不活性ガスの向きがウエハＷの中心に対して異なる角度になるように配置されている。
　なお、図示していないが、各パージガス吹出孔は、上方から見て重ねて収納される任意の２枚のウエハＷの上下方向の隙間の空間に面する位置に、つまり、円筒形の各管の円筒形の側壁上のこれら２枚のウエハＷの間の高さ位置に形成される。この結果、各々のパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから合計で８つの方向に不活性ガスがウエハＷの中心に向けて供給される。
　図４および図５は、図２に示した実施例に係る大気搬送ユニット１０６のウエハ格納容器１３の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。図４は、ＥＦＥＭ１０の側壁に取り付けられたウエハ格納容器１３を、開口に沿った垂直な面で切った場合の断面を、また図５は、取り付けられたウエハ格納容器１３を開口から奥に向かう垂直な面で切った場合の縦断面を示している。図４，５では、上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２とこれらの周囲の排気の流れ、およびパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄとこれらの周囲の気体の流れｆを示している。
　図４に示すように、ウエハ格納容器１３は、筐体１３’の面よりも僅かに小さい大きさを有する開口部２１の上端近傍に円筒形の形状を有した上方排気ポート２０１と、下端近傍に下方排気ポート２０２が、各々の円筒形の軸を水平方向（図４において左右方向）にして、且つ、図５に示すように、当該軸は上方から見てウエハ格納容器１３の開口部２１の面に平行となる位置に、２つずつ配置されている。２つの上方排気ポート２０１および２つの下端近傍に下方排気ポート２０２は、各々の一つの端部がウエハ格納容器１３の筐体１３’の左右の内側壁に接して取り付けられ、開口部２１の左右方向についての中心部に隙間を開けて配置されている。さらに、各々の２つは、それらの円筒形の軸を筐体１３’の上下方向と前後方向についても合致またはこれと見なせる程度に近似した位置に配置されている。
　さらに、図４に示すように、ウエハ格納容器１３は、筐体１３’の底面であって、開口部２１の前方から見て、２つの下方排気ポート２０２同士の間の位置となる箇所にウエハ検知センサ２５を備えている。このウエハ検知センサ２５は、上方の筐体１３’内の空間であるウエハＷの収納空間にウエハＷが存在しているか（ウエハＷの有無）を検知する。このウエハ検知センサ２５は、筐体１３’の天面であって開口部２１上部の２つの上方排気ポート２０１の間となる箇所に配置されていても良い。
　図４に示すように、上方排気ポート２０１、下方排気ポート２０２の各々は、円筒形を有した管であって、内部にガスが通流する軸方向に延びた空間を備えている。さらに、円筒形の側壁の表面には、上記軸に沿った方向について予め定められた間隔の複数の箇所であって、ウエハ格納容器１３の内部に面した位置に、内部の空間と連通した貫通孔（排気孔）１９１，１９２が配置されている。本例では、複数の貫通孔（排気孔）１９１，１９２のうちは、上方排気ポート２０１の貫通孔（排気孔）１９１では、円筒形の側壁面の筐体１３’の底面に対向する位置（図４では上方排気ポート２０１の下側の面）に、特には、上方排気ポート２０１の軸の垂直下方の位置に列を成して配置されている。さらに、下方排気ポート２０２の貫通孔（排気孔）１９２では、円筒形の側壁面の筐体１３’の天面に対向する位置（図４では下方排気ポート２０２の上側の面）に、特には、下方排気ポート２０２の軸の垂直上方の位置に列を成して配置されている。
　上方排気ポート２０１、下方排気ポート２０２の各々の筐体１３’の側壁に接続された一端の内部は、筐体１３’の外側壁に接続された図示しない排気ポンプと図示しない排気管と筐体１３’側壁部材に配置された貫通孔とを通して連通され、筐体１３’のウエハ収納空間の内部のガスは、図４に上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２に矢印として示すように、上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２の側壁に配置された貫通孔１９１及び１９２と内部の空間を通って、筐体１３’の外部に排気として排出される。
　図５に示すように、本実施例のウエハ格納容器１３は、ＥＦＥＭ１０を前方から見て、左側の側壁１００１上の上下端の中間の位置に取り付けられ、ＥＦＥＭ１０の内部と開口部２１を介して連通している。ウエハ格納容器１３の内部には、開口部２１から奥側（図５において左側）に向かう方向について、上方排気ポート２０１、下方排気ポート２０２と、パージマニホールド１３Ａ（１３Ｂ）、ウエハ収納空間１３１１、パージマニホールド１３Ｃ（１３Ｄ）が、これらの順で配置されている。ウエハ収納空間１３１１に格納された状態でウエハＷは、前後がパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂの対とパージマニホールド１３Ｃ，１３Ｄの対とで非接触に挟まれる。
　上述の通り、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ（図５には、１３Ａ，１３Ｃのみが示されている）は、各々が円筒形の管路の軸方向（高さ方向）に沿って、収納された状態の複数のウエハＷ同士の間の空間に面して位置するように、所定の間隔で配置された２つの貫通孔の列を備えている。これらの貫通孔から導入される不活性ガスは、水平方向（図５で左右方向）に沿って、ウエハＷまたはその収納空間の中央部に向けて気流ｆを形成する。なお、本図に開口部２１として符号が付されている破線は、このような構造体がウエハ格納容器１３の端部に配置されているのではなく、ウエハ格納容器１３内部の空間とＥＦＥＭ１０内部の空間との境界となる面の位置を線として示しているに過ぎない。
　次に示す図６乃至８は、図４，５に示した上方排気ポート２０１、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｃの各々の貫通孔の周囲の構成の概略を示している。
　図６は、図４に示す実施例に係るウエハ格納容器の上方排気ポートの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。本図では、図４に示すＣ－Ｃ線に沿った垂直な面で切った場合の縦断面を拡大して示している。
　本実施例の上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２は、円筒形の管の側壁面上に円筒の軸方向について所定の間隔で配置された断面が円形を有した貫通孔の列を１つ有し、これらの貫通孔からウエハ格納容器１３内部のガスが管の内部の空間に流入して、各々の管の端部からウエハ格納容器１３の筐体１３’の外部に排出される。このような貫通孔は図６上に排気孔１９１として示されている。
　排気孔１９１は、上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２の各々で、管の軸方向について１０～１５個が配置され列を構成している。図６において、図４に示すＣ－Ｃ線に沿って切った断面に示される上方排気ポート２０１の排気孔１９１は、その円形の開口の軸が図上破線で示される開口部２１の面と平行またはこれと見なせる程度に近似した角度をなして、下方から上方にガスが流入するように配置されている。すなわち、ウエハ格納容器１３の水平な面と排気孔１９１の軸との成す角度であるＢ１は９０度又はこれに近似した角度となるように、上方排気ポート２０１がウエハ格納容器１３に取り付けられている。
　上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２の各貫通孔１９１，１９２の角度Ｂ１は、各々の管を軸回りに回転させて筐体１３’に接続して位置を固定することで、真空処理装置１００の使用者が使用に応じて増減して調節可能に構成されている。そして、上方排気ポート２０１の排気孔１９１または下方排気ポート２０２の排気孔１９２の軸の角度Ｂ１の大きさによって、ウエハ格納容器１３の内部に流入するＥＦＥＭ１０内のガスの量やガスの流れの向き、ひいては内部に収納されたウエハＷへの微粒子の付着とこれにより生起される汚染の度合いが調節される。この点については、図を用いて後述する。
　図７は、図５に示す実施例に係るウエハ格納容器のパージマニホールドの構成を模式的に示す横断面図である。本図では、図５に示したパージマニホールド１３ＡをＺ－Ｚ線に沿った水平面で切った場合の横断面を示している。
　図７に示すように、本実施例のパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂは、各々が上下方向の軸に沿って不活性ガスが通流する内部の空洞と円筒形の外周壁面との間に、上記軸方向に沿って上下に所定の間隔を開けて並列に配置された２つのガス吹出孔３９１と３９２との列を備え、各々の列はガス吹出孔を２５個有している。本図では、２つのガス吹出孔のうちガス吹出孔３９１は、これを通して供給される不活性ガスがウエハ格納容器１３内部とＥＦＥＭ１０内部の空間との間に位置して図上破線として示されている開口部２１の面（開口面）に平行に、且つ水平に流れ出るように、ガス吹出孔３９１の軸が形成されている。
　さらに、もう一方の列をなすガス吹出孔３９２は、供給される不活性ガスがウエハ格納容器１３の内部のウエハ収納部の中心に向けて流れ出るように、配置されている。すなわち、一方の列を構成するガス吹出孔３９２は円形を有する開口の中心軸が、他方の列を構成するガス吹出孔３９１の軸の方向に対し４５°の角度を成し、且つ水平方向に形成されている。
　このようなガス吹出孔３９１，３９２の配置は、パージマニホールド１３Ｂにおいては、ウエハ格納容器１３の開口部２１の前方から見て左右対象となる位置に形成されている。このため、パージマニホールド１３Ａのガス吹出孔３９２の列から供給される不活性ガス（パージガス）は、ウエハ格納容器１３の収納部にウエハＷが格納されていた場合にウエハＷの中心を通る上下方向の軸に向かって流れ、同様にパージマニホールド１３Ｂのガス吹出孔３９２の列から供給されるパージガスについても同様である。また、パージマニホールド１３Ａ、１３Ｂ各々のガス吹き出し３９１の列から供給されるパージガスは、ウエハ格納容器１３の開口部２１の直ぐ後方の筐体１３‘の内部において、開口部２１の左右方向の端部から中央部に向かって対抗して流れる。
　さらに、各々が列を構成する２５個のガス吹出孔３９１，３９２の対の各々は、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ側壁面上で、これらの開口の軸が収納部に格納された複数のウエハＷ同士の間、あるいはウエハＷとウエハ格納容器１３の筐体１３’内部の天面または底面との間の同じ高さ位置に形成されている。この構成により、ウエハ格納容器１３内部にウエハＷが２５枚収納された状態でも、ガス吹出孔３９１，３９２から供給されるパージガスはウエハＷ同士の間の隙間をスムーズに流れることができる。
　図８は、図５に示す実施例に係るウエハ格納容器のパージマニホールドの構成を模式的に示す横断面図である。本図では、図５に示したパージマニホールド１３ＣをＸ－Ｘ線に沿った水平面で切った場合の横断面を示している。
　本図に示しているように、パージマニホールド１３Ｃ，１３Ｄは、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂと同様に、その円筒形状の上下方向の軸に沿って上下方向に所定の間隔で配置された２５個のガス吹出孔４９１，４９２から構成された２つの吹出孔の列を有している。これらのガス吹出孔は、各々のパージマニホールドの円筒形の外側壁面上で、円形を有した開口の中心の軸同士が角度３０°を成して水平方向に沿って配置されている。さらに、これらの軸同士の成す角度の等分割線が、ウエハ格納容器１３の収納部に格納されたウエハＷの中心を通る上下方向の軸に向かうように配置されている。
　パージマニホールド１３Ｃ，１３Ｄの対は、筐体１３’の内部で、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂと同様に、ウエハ格納容器１３の左右方向の中心を通る面について左右対称の位置に配置され、各々が備えるガス吹出孔４９１，４９２も同様に対称の位置に配置されている。また、上記２列を構成するガス吹出孔４９１，４９２の対の各々は、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂのガス吹出孔３９１，３９２の対と同様に、ウエハ格納容器１３の収納部に格納されたウエハＷ同士の間またはウエハＷと筐体１３’の天面、底面との間の中間の同じ高さ位置に配置されている。この構成により、ウエハ格納容器１３内部にウエハＷが２５枚収納された状態でも、ガス吹出孔４９１，４９２から供給されるパージガスはウエハＷ同士の間の隙間をスムーズに流れる。このようにパージガスの流れが整えられることにより、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂまたは１３Ｃ，１３Ｄからのパージガスを用いて、ウエハＷの上下の表面の近傍に浮遊し滞留する反応性の高い粒子や、ウエハ格納容器１３内に流入したＥＦＥＭ１０内部の粒子をウエハＷの中心軸の方向に押し流すことができる。
　本実施例においてウエハ格納容器１３内へのパージガスの供給を制御する構成ついて図９を用いて説明する。図９は、図２に示すウエハ格納容器１３の構成の概略を模式的に示すブロック図である。
　収納部内のウエハＷの有無により、ウエハ格納容器１３内の気流の流れが影響されるため、図９に示すパージガスの制御の構成は、ウエハ格納容器１３の筐体１３’内に配置され内部の湿度を検知する湿度センサ２６および収納部内のウエハＷの有無を検知するウエハ検知センサ２５を備えて、これらから出力された信号を受信するコントローラ３１を備えている。さらに、コントローラ３１は、上方排気ポート２０１、下方排気ポート２０２の各々の端部と接続された排気管路上に配置され当該排気の量や速度を増減あるいは管路の開閉を調節する排気バルブ３２、およびパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄに一端部が接続されたパージガス供給管上に配置されパージガス（不活性ガス）の流量や速度を調節する流量制御器（マスフローコントローラ）３５と、これらの動作を指令する信号や動作の状態を示す信号を送受信可能に接続されている。なお、排気管路は排気の流れの排気バルブ３２下流側においてロータリーポンプ等の排気ポンプと接続され、パージガス供給管はパージガス流れの流量制御器３５の上流側において、不活性ガス源である貯留タンクやこれからのガスの流出を開放、閉塞するバルブを含むパージガス供給手段３４と接続されている。
　このような構成において、コントローラ３１は、受信したウエハ検知センサ２５の出力信号からウエハＷが格納されているかを判定する。コントローラ３１は、ウエハＷが格納されていないと判定した場合には、ウエハＷによるパージガスの整流の効果が小さくなるため、排気バルブ３２に指令信号を発信してその開度を最大にするように調節する。このことにより、ＥＦＥＭ１０内部の空間でウエハ格納容器１３の開口部２１上方のＥＦＥＭ１０の内側壁に沿って下向きに流れるガスを、開口部２１の上端において側壁から剥離させる際の乱れを低減して、ウエハ格納容器１３内部に向きを変えて流れるガスの量や速度を抑制することができる。また、これと並行して、コントローラ３１は、受信した湿度センサ２６からの信号からウエハ格納容器１３内部の湿度を検出し、その湿度を制御シーケンスの目的関数として、予め内部の記憶装置内に格納したソフトウエアに記載されたシーケンスまたはアルゴリズムに沿って、流量制御器３５に指令信号を発信して、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ、または１３Ｃ，１３Ｄの各々に、パージガス供給手段３４からのパージガスを供給の量または速度を調節する。
　コントローラ３１がウエハＷがウエハ格納容器１３内に格納されていると判断した場合には、格納される或いは搬入出されるウエハＷの枚数により、排気バルブ３２の開度が調節される。以上から、ウエハＷのウエハ格納容器１３内の搭載の有無により、上方排気ポート２０１と下方排気ポート２０２に接続している排気管路３２１を通した排気を排気バルブの開度を調節することで適切に増減して、ウエハ格納容器１３内の気流の流れを適切なものにすることができる。
　上記の実施例によれば、ウエハ格納容器１３の内部において、開口部２１とパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂとの間の上端部および下端部の各々の位置で、左右の両側の箇所に配置され左右方向（水平方向）に軸を有した４本の円筒形のポートであって、軸方向に沿ってウエハ格納容器１３の内部に向けて複数の排気孔１９１を有する上方排気ポート２０１、複数の排気孔１９２を有する下方排気ポート２０２を備えることにより、ＥＦＥＭ１０の内部からウエハ格納容器１３の内部に相対的に高い湿度のガスの流れが進入することを低減できる。すなわち、開口部２１からウエハ格納容器１３内部に侵入したＥＦＥＭ１０内部のガスは、少なくとも一部は上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２の動作によって排気管路３２１を介して筐体１３’外部に排出される。このことにより、ダウンフローの一部にウエハ格納容器１３が取り付けられたＥＦＥＭ１０の側壁から開口部２１に沿って流れた後に下方排気ポート２０２に向かう流れが形成され、当該流れをＥＦＥＭ１０の内部の他のダウンフローがウエハ格納容器１３内に侵入することを阻害するシーリング流として用いることができる。
　すなわち、ＥＦＥＭ１０内部において上部に配置されたＦＦＵ１４により形成される下向きの気流は、図２に示すＥＦＥＭ１０左端のウエハ格納容器１３が設置された側壁面に沿って流れる。さらに、開口部２１に面する箇所ではこれを上下方向に横断するように流れる際に、開口部２１の上方の側壁に沿っていた流れは側壁から剥離して渦状に旋回する流れを含む乱れを含むものに変化して、下方に移動するに伴って乱れの成分は旋回流として発達していく。
　本実施例では、下向きの排気孔１９１の開口を複数有して下方から上方に向けて筐体１３’内部のガスを吸引して排気する上方排気ポート２０１の動作により、上方から開口部２１の領域を横切ろうとする流れが早期に側壁から剥離して、流れに渦の成分が形成される。このような渦が形成されると、開口部２１近傍を流れる下向きの気流（ダウンフロー）の運動エネルギーが消費され、流れの速度や勢いといった量を減らすことができる。この結果、ウエハ格納容器１３内部にパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから内部の収納部に供給されるパージガスによって形成される流れに、ウエハ格納容器１３の後部から前方の開口部２１に向かう流れの成分を大きく形成することができる。
　さらに、開口部２１を通してウエハ格納容器１３の内部に流入するＥＦＥＭ１０内部の気流は旋回の量が抑制された結果、開口部２１近傍のＥＦＥＭ１０内部のガスが筐体１３’内に巻き込まれる量を低減することができる。
　さらに、上記のシーリング流に沿って、筐体１３’内部にパージガスが供給されることで、ＥＦＥＭ１０内部から筐体１３’内に侵入した相対的に高湿のガスが徐々に希釈される。このため、少量のパージガスでもウエハ格納容器１３内部の湿度の上昇が抑制され、ウエハＷの表面やその近傍に残留する揮発性物質が水分と反応して腐食性を有する生成物が形成されることを低減できる。
　なお、本実施例では、ウエハ格納容器１３内部に配置される円筒形の上方排気ポート２０１及び下方排気ポート２０２は、パージマニホールド１３Ａ，１３Ｂと開口部２１との間であって筐体１３’内部の天面および底面の近傍でＥＦＥＭ１０内部から開口部２１を見て筐体１３’の左右各々の端部に接続させて水平に配置されており、当該天面近傍（上端部）および底面近傍（下端部）との間の所謂中間の箇所に排気ポートは配置されていない。これは、中間の箇所に配置する場合は、ウエハＷの搬入出の障害となることを避けるため必然的に筐体１３’の垂直な側壁面に沿って配置することになり、このような配置の場合、ＥＦＥＭ１０内部のガスの流入とウエハ格納容器１３内部のガスとが入れ換わる量が大きくなるからである。
　また、上記の効果の説明は、ウエハ格納容器１３内にウエハＷが搭載されていない状態についてのものであるが、ウエハＷがウエハ格納容器１３内に格納された場合では、ウエハＷが整流板の役割を果たすため、ウエハＷ間のパージガスの滞留量はウエハＷが無い場合に比べて確保しやすいため、より効果的にウエハ格納容器１３内部の相対的に高い湿度のガスの流入が低減されて、処理の歩留まりが向上される。
　図１０は、図２に示す実施例に係るウエハ格納容器内に配置された排気ポートの排気孔の角度の変化に対するウエハ格納容器内部の湿度の変化の例を示す表である。この図１０に示しているように、ウエハ格納容器１３の湿度は上方排気ポート２０１の排気孔１９１の角度Ｂ１によってウエハ格納容器１３内部の相対湿度の大きさを変化させることができる。ここで、図６における角度Ｂ１は開口部２１に対して垂直な線を基準として、それに対する角度として説明したが、図１０に示した角度Ｂ１は、図６で説明した角度Ｂ１と異なり、開口部２１に平行な線を基準にして、それに対する角度としている。
　この相対湿度の大きさを変化させることができる理由は、排気孔１９１の角度Ｂ１の大きさに応じて、ウエハ格納容器１３内部でのパージガスが滞留する時間を変化させることができるためであり、ＥＦＥＭ１０内の気流の流れについての量に応じてウエハ格納容器１３内の上方排気ポート２０１の排気孔１９１の下向き垂直の方向に対する角度Ｂ１の大きさを最適にすることにより、パージガスの流れを最適にすることができる。同様に、下方排気ポート２０２の排気孔１９２の上向き垂直の方向に対する角度Ｂ２も可変に調節可能に構成してもよい。
　なお、上方排気ポート２０１の排気孔１９１および下方排気ポート２０２の排気孔１９２は、開口が円形のみのものでなく、複数の孔を連結させた１本または複数本のスリット状の開口であっても良い。また、開口が円形状、楕円上あるいはスリット状の排気孔を複数の箇所に異なる角度Ｂ１を有するものとして配置しても良い。例えば、複数の排気孔のうちの一部を図１０における条件（Ｄ）の角度Ｂ１＝４５°となる位置および方向に配置し、他の排気孔を条件（Ａ）の角度Ｂ１＝０°のように開口部２１を示す垂直方向に伸びる面に平行になる位置と角度に配置してもよい。このような排気孔１９１及び１９２の配置は、ＥＦＥＭ１０にウエハ格納容器１３が設置される箇所に応じて変化するＥＦＥＭ１０内部からの角度を変えて流入する気流の量や速度と、上方排気ポート２０１、下方排気ポート２０２の排気の能力とパージマニホールド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄから導入されるパージガスの量とのバランスを考慮して、使用者が適切なものを選択することができる。
　図１１は、図２に示す実施例に係るウエハ格納容器の構成の概略を模式的に示す横断面図である。本図では、上方排気ポート２０１または下方排気ポート２０２の開口部２１に対する位置を示している。
　真空処理装置１００が用いるＥＦＥＭ１０の仕様に応じてウエハ格納容器１３を適切に運用することができるように、図１１に示すように、上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２の設置位置と開口部２１との間の距離Ｌが選択される。本図では、上方排気ポート２０１のみが図示されている。本例では、水平方向（図１１において左右方向）に沿って配置される円筒形の上方排気ポート２０１の中心軸と開口部２１の面の位置を示す破線との水平距離Ｌが４５ｍｍにされている。この距離Ｌの値に応じて、ＥＦＥＭ１０内部からウエハ格納容器１３内部に流入するガスの流れの向きや流量、あるいは旋回流の量が変化するため、距離Ｌの値を適切に選択することにより、ウエハ格納容器１３内部の湿度やその分布を変化させることができるので、ＥＦＥＭ１０内のガスの流量や速度、さらにはパージガスの供給量、上方及び下方の排気ポートからの排気の量とのバランスを鑑みて、使用者は距離Ｌを適切に選択する。
　例えば、ＥＦＥＭ１０内のガスの流れは、図２に示すルーバー１２の数や開度、形状、または搬送ロボット１１の位置に依存している。このような、ＥＦＥＭ１０内の流れの料の分布に合わせ、上方排気ポート２０１および下方排気ポート２０２の開口部２１との距離Ｌを４５ｍｍ±２５ｍｍにされている。
　以上に説明したように、本実施例に係るウエハ格納容器においては、内部にダウンフローが形成されるＥＦＥＭに配置されるウエハ格納容器のウエハ収納部の奥側に縦方向に延在して配置され少なくとも１つのガスパージ（導入）ポートと、ＥＦＥＭ内部に連通する開口に面するウエハ格納容器の入口部の上部および下部に配置され横方向に延在するガス排気ポートとを備え、入り口の左右側壁に沿ってはガス排気ポートを備えてない構成を有している。
　本実施例によれば、ウエハ搬送装置または半導体製造装置において、格納容器内部の湿度を低減して内部に格納されたウエハの汚染を低減して処理の歩留まりを向上させることができる。
　以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
１０…ＥＦＥＭ
１１…搬送ロボット
１２…ルーバー
１３…ウエハ格納容器
１４…ＦＦＵ
２１…開口部
２５…ウエハ検知センサ
２６…湿度センサ
３１…コントローラ
３２…排気バルブ
３３…排気ポンプ
３４…パージガス供給手段
３５…流量制御器
１００…真空処理装置
１０１…大気ブロック
１０２…真空ブロック
１０３－１，１０３－２，１０３－３，１０３－４…真空処理ユニット
１０４―１，１０４－２…真空搬送室
１０５…ロック室
１０６…大気搬送ユニット
１０７…カセット台
１０８…搬送中間室
１０９…大気搬送ロボット
１１０―１，１１０－２…真空搬送ロボット
１９１，１９２…排気孔
２０１…上方排気ポート
２０２…下方排気ポート
３９１，３９２，４９１，４９２…ガス吹出孔
１３Ａ，１３Ｂ…パージマニホールド
１３Ｃ，１３Ｄ…パージマニホールド
Ｂ１…上方排気ポートの排気孔角度
Ｂ２…下方排気ポートの排気孔角度
ｆ…気流
Ｗ…半導体ウエハ
Ｗｃ…半導体ウエハ中心

Claims (8)

  1. 　減圧された内部に搬送された処理対象のウエハが処理される真空容器を有する真空処理ユニットと、内部に処理前または処理後の前記ウエハが搬送されるロック室と、このロック室と接続され、且つ大気圧にされて上方から下方に向けてガスの流れが形成された内部を前記ウエハが搬送される大気搬送室を有する筐体を含む大気搬送ユニットと、内部に処理済みウエハの格納空間を有し前記筐体の側壁に前端部が取り付けられ当該側壁に配置された開口を介して大気搬送室と内部が連通されるウエハ格納容器とを備えた真空処理装置であって、
    　前記ウエハ格納容器の内部に、前記開口の後方であって前記格納空間の前方であって当該格納空間の上端部と下端部に配置されて前記格納空間のガスを外部に排気する排気ポートと、前記格納空間の後方に配置され前記開口に向けて前記上端部と下端部との間に配置され当該格納空間の内部に所定のガスを供給するガス吹出孔を有したマニホールドとを備えた真空処理装置。
  2. 　請求項１に記載の真空処理装置であって、
    　前記マニホールドが、前記開口から見て前記格納空間の左右両側の端部に配置された真空処理装置。
  3. 　請求項１または２に記載の真空処理装置であって、
    　前記格納空間と前記排気ポートとの間に配置され当該格納空間の内部に前記所定のガスを供給する別のマニホールドを備えた真空処理装置。
  4. 　請求項３に記載の真空処理装置であって、
    　前記別のマニホールドが、前記開口から見て前記格納空間の左右両側の端部に配置された真空処理装置。
  5. 　請求項１または２に記載の真空処理装置であって、
    　前記排気ポートが水平方向に軸が延在した管状の形状を有し、当該管状の形状の前記軸が前記開口に平行となるように配置された真空処理装置。
  6. 　請求項５に記載の真空処理装置であって、
    　前記排気ポートが、前記管状の形状の外側壁面上であって前記格納空間に面した箇所に少なくとも１つの排気孔を備えた真空処理装置。
  7. 　請求項６に記載の真空処理装置であって、
    　前記排気ポートが前記排気孔の前記格納空間に面する角度を調節可能に構成された真空処理装置。
  8. 　請求項１または２に記載の真空処理装置であって、
    　前記マニホールドは、軸が上下方向に延在する管状の形状を有して、当該管状の形状の外側壁面上の複数の箇所に前記ガス吹出孔を備え、当該ガス吹出孔が前記格納空間の内部に格納された前記ウエハと当該格納空間の天面または底面との間、或いは格納された複数のウエハ同士の間に位置する真空処理装置。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008258188A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2016086161A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 排出流の方向が単一のバッファステーション
JP2018198332A (ja) * 2018-09-05 2018-12-13 信越ポリマー株式会社 基板収納容器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6268425B2 (ja) 2013-07-16 2018-01-31 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ、ロードポート、ウェーハ搬送方法
JP6165653B2 (ja) 2014-03-07 2017-07-19 信越ポリマー株式会社 基板収納容器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008258188A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2016086161A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 排出流の方向が単一のバッファステーション
JP2018198332A (ja) * 2018-09-05 2018-12-13 信越ポリマー株式会社 基板収納容器

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