WO2023170818A1 - Ｂｇａ高周波モジュール、ｂｇａ高周波モジュール用基板、および光通信モジュール - Google Patents

Ｂｇａ高周波モジュール、ｂｇａ高周波モジュール用基板、および光通信モジュール Download PDF

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WO2023170818A1
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pad
ground
signal
high frequency
frequency module
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PCT/JP2022/010287
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雅之 高橋
健 都築
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日本電信電話株式会社
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates

Definitions

  • the present disclosure relates to a BGA high frequency module, a BGA high frequency module substrate, and an optical communication module including the same.
  • compact optical transceivers capable of increasing transmission speed per module footprint have been put into practical use in the optical communications industry.
  • a compact optical transceiver of approximately 18.35 mm x 58.26 mm x 8.5 mm has been realized in the form factor of a transceiver for optical communication called Quad Small Form-factor Pluggable Double Density (hereinafter referred to as QSFP-DD). It has already been reported that it can be done.
  • QSFP-DD Quad Small Form-factor Pluggable Double Density
  • BGAs ball grid arrays
  • optical communication modules to be installed in such small optical transceivers.
  • PCB printed circuit board
  • FIG. 1 is a diagram illustrating the structure of a BGA high-frequency module 10 according to the prior art
  • FIG. b) shows a cross-sectional view at the position of the Ib-Ib cross-sectional line.
  • the BGA high-frequency module 10 according to the prior art has a module member 11 and a rear surface of the module member 11 in the longitudinal direction (X direction in FIG. 1) and width direction (Y direction in FIG. 1).
  • a plurality of pads 12 arranged at equal intervals are included. Note that, as an example, the pads 12 are arranged in seven rows and four columns, with seven pads 12 arranged in the X direction and four pads 12 arranged in the Y direction.
  • resin, ceramics, or the like may be used for the module member 11, and aluminum, copper, or the like may be used for the pad 12.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the structure of a PCB 20 for mounting a BGA high-frequency module 10 according to the prior art, and FIG. 2(a) shows the top surface (the surface facing the BGA high-frequency module 10 in FIG. 3, which will be described later).
  • FIG. 2(b) shows a plan view as seen from the top, and FIG. 2(b) shows a cross-sectional view at the position of the IIb-IIb cross-sectional line.
  • the PCB 20 includes a laminated substrate 21 in which a plurality of dielectric parts 211a-c and a plurality of ground planes 212a-c are laminated, and a top surface of the laminated substrate 21 in the longitudinal direction (X direction in FIG. 2).
  • the pads 22 are arranged in 7 rows and 4 columns, with 7 pads 22 arranged in the X direction and 4 pads 22 arranged in the Y direction.
  • Some pads 22 connected to ground planes 212a-c function as ground pads to stabilize signals. In FIG. 2, these ground pads are connected to ground plane 212c via through-hole vias 23a-c.
  • other pads such as signal terminals are connected to external circuits via surface wiring 24 formed on the top surface of the PCB 20. Alternatively, it is connected and wired to inner layer wiring formed on a lower layer substrate via a through-hole via.
  • an optical communication module 30 to be mounted on a small optical transceiver is manufactured.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of an optical communication module 30 in which the BGA high frequency module 10 is mounted on the PCB 20, and FIG. FIG. 3(b) is a cross-sectional view taken along the IIIb-IIIb cross-sectional line.
  • the BGA high frequency module 10 is mounted on the PCB 20, and the two are electrically connected via the solder balls 31 installed between the pads 12 and 22.
  • the optical communication module 30 can be manufactured by forming solder balls 31 on the pads 12 of the BGA high frequency module 10 and reflowing the solder balls 31 while being placed on the PCB 20.
  • the pads 12 of the BGA high frequency module serve as various terminals.
  • the terminals may include a DC terminal for supplying power, an analog or digital control terminal, and a signal terminal for inputting and outputting electrical signals.
  • the number of DC terminals varies greatly depending on the module, in the case of an optical communication module for coherent optical communication, a total of eight differential signal pairs, four pairs for transmitting and four pairs for receiving, are often used as signal terminals.
  • the signal terminals of the optical communication module are usually gathered at one end of the module in order to input and output signals to a signal processing processor adjacent to the optical communication module or a host device that constitutes an optical communication system.
  • the width of the PCB 20 is required to be smaller than the exterior, so it will be approximately 14-16 mm. .
  • the terminal arrangement if the differential signal pairs are arranged as GSSG (ground-signal-signal-ground), and if they share adjacent ground pads, the two differential signal pairs will be arranged as GSSG (Ground-Signal-Signal-Ground). It has seven terminals, allowing differential signals to be placed in a smaller area. Assuming such an arrangement, if the optical communication module 30 is for coherent optical communication, the total number of terminals will be 25 since there are eight differential signal pairs.
  • the distance between each solder ball 31 is generally about 0.25-0.8 mm, but here it is set to 0.5 mm as an example.
  • the size of pads and solder balls is limited by the package side of the optical communication module mounted on the BGA.
  • the diameter of the pad is substantially ⁇ 0.44 mm, and the gap between adjacent pads is as narrow as about 60 ⁇ m. Therefore, capacitance increases and impedance decreases, which may cause deterioration of high frequency passing characteristics (reduction in cutoff frequency) and high frequency reflection characteristics.
  • an optical communication module for example, optical communication module 30
  • a BGA high-frequency module is mounted on a PCB
  • signal quality degradation due to impedance reduction has been raised as an issue.
  • conventional techniques for reducing the size of terminals have their limits due to restrictions imposed by standards, and other methods are being sought.
  • the present disclosure has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a BGA that realizes miniaturization of an optical communication module without reducing the impedance between pads and solder balls.
  • the present invention provides a high frequency module, a BGA high frequency module substrate, and an optical communication module including at least one of them.
  • a BGA high-frequency module that includes a module member, a first signal pad arranged on the back surface of the module member, and a second signal pad adjacent to the first signal pad.
  • a differential signal pair including pads; a first ground pad disposed adjacent to the first signal pad; a second ground pad disposed adjacent to the second signal pad; a first distance between the first signal pad and the first ground pad; and a second distance between the second signal pad and the second ground pad.
  • FIG. 1A and 1B are diagrams illustrating the structure of a BGA high-frequency module 10 according to the prior art, in which FIG. 1A is a plan view seen from the back side, and FIG. It shows. These are diagrams illustrating the structure of a PCB 20 for mounting a BGA high-frequency module 10 according to the prior art, in which FIG. 2(a) is a plan view seen from the top side, and FIG. A cross-sectional view at each position is shown.
  • 3A is a diagram illustrating the structure of an optical communication module 30 in which a BGA high frequency module 10 is mounted on a PCB 20.
  • FIG. ) is a cross-sectional view at the position of the IIIb-IIIb cross-sectional line.
  • FIG. 4 is a diagram showing the structure of a BGA high frequency module 40 used in an optical communication module according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4(b) is a sectional view taken along the IVb-IVb sectional line
  • FIG. 4(c) is a plan view of a modified example.
  • FIG. 5A is a diagram showing the structure of an optical communication module 50 in which a BGA high frequency module 40 according to a first embodiment of the present disclosure is mounted on a PCB 51
  • FIG. 5A is a plan view when the PCB 51 is viewed from above
  • FIG. 5(b) is a cross-sectional view at the position of the Vb-Vb cross-sectional line.
  • FIG. 6A is a diagram showing the structure of a BGA high-frequency module 60 according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 6A is a plan view of the BGA high-frequency module 60 viewed from the back side
  • FIG. It is a cross-sectional view at the position of the -VIb cross-sectional line
  • 7A is a diagram showing the structure of a BGA high-frequency module 70 according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. It is a cross-sectional view at the position of the -VIIb cross-sectional line.
  • FIG. 8 is a diagram showing the structure of a PCB 80 according to a fourth embodiment of the present disclosure, in which FIG. 8(a) is a plan view of the PCB 80 seen from the top surface side, and FIG. It is a sectional view at the position of a section line.
  • the BGA high frequency module according to the present disclosure unlike the prior art, has a structure in which the distance between a signal pad and an adjacent ground pad is greater than the distance between other ground pads. Further, the PCB also has a structure in which at least one ground plane is partially removed. With such a structure, the distance between the signal pad and the ground pad and the distance between the signal pad and the ground plane are greater than in the prior art, so it is possible to suppress a decrease in impedance.
  • FIG. 4 is a diagram showing the structure of a BGA high frequency module 40 used in an optical communication module according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4(a) shows the back side of the BGA high frequency module 40
  • FIG. 4(b) is a sectional view taken along the IVb-IVb cross-sectional line
  • FIG. 4(c) is a plan view of a modified example.
  • the BGA high frequency module 40 according to the first embodiment of the present disclosure includes a first signal pad 421 and a second signal pad 421 adjacent to the first signal pad 421 on the back surface of the module member 41.
  • a differential signal pair 42 including a signal pad 422, a first ground pad 43 located adjacent to the first signal pad 421, and a second ground pad 43 located adjacent to the second signal pad 422. the distance between the ground pad 44 and the first signal pad, the distance between the first signal pad 421 and the first ground pad 43, and the distance between the second signal pad and the second ground pad. at least one third ground pad 45a-d disposed at a position farther apart than a second distance; and a position farther apart than the distance between the second signal pad 422 and the second ground pad 44. and fourth ground pads 46a-d located at.
  • the distance between the first signal pad 421 and the first ground pad 43 is the shortest, and the distance between the first signal pad 421 and the first ground pad 43 is the shortest.
  • the distance to other ground pads is always longer than the distance between the first signal pad 421 and the first ground pad 43.
  • the distance between the second signal pad 422 and the second ground pad 44 is the shortest, and the distance between the second signal pad 422 and other ground pads (for example, The distance from the fourth ground pad 46) is always longer than the distance between the second signal pad 422 and the second ground pad 44.
  • FIG. 4A shows a configuration in which each signal pad and ground pad are arranged in a rectangular shape on the XY plane, the arrangement method is not limited to this. As shown in c), each signal pad and ground pad may be arranged in a substantially circumferential or substantially hexagonal (honeycomb) shape.
  • each signal pad and ground pad may further include a ceramic coat retainer (not shown) for strength reinforcement.
  • the width of the ceramic coat is preferably about 70 ⁇ m, but is not limited to this.
  • FIG. 5 is a diagram showing the structure of an optical communication module 50 in which a BGA high-frequency module 40 according to the first embodiment of the present disclosure is mounted on a PCB 51, and FIG. 5(a) shows a case where the PCB 51 is viewed from above.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the Vb-Vb cross-sectional line.
  • the optical communication module 50 according to the first embodiment of the present disclosure has a structure in which the above-described BGA high frequency module 40 is mounted on a PCB 51 via a plurality of solder balls 52.
  • the signal pads and ground pads installed on the PCB 51 side are arranged facing each other so that the signal pads and ground pads of the BGA high frequency module 40 can be connected to each other via the solder balls 52.
  • the PCB 51 includes a laminated board in which a dielectric part and a ground plane are laminated, a through-hole via that electrically connects the ground plane and the ground pad, and a through-hole via that electrically connects the signal pad. and surface wiring. Note that the signal pad may be connected to the inner layer wiring via a through-hole via.
  • the third ground pad 45, the fourth ground pad 46, and the first The distance between the signal pad 421 and the second signal pad 422 is greater than the distance between the first ground pad 43 and the second ground pad 44 .
  • the distance between the signal pad and the ground pad is greater than that in the past, making it possible to suppress a decrease in impedance and suppress deterioration in signal quality.
  • FIG. 6 is a diagram showing the structure of a BGA high frequency module 60 according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 6(a) is a plan view of the BGA high frequency module 60 as seen from the back side
  • ) is a cross-sectional view at the position of the VIb-VIb cross-sectional line.
  • the BGA high frequency module 60 according to the second embodiment of the present disclosure has at least some of the signal pads and ground pads shared in the BGA high frequency module 40 described above. It has a structure in which high frequency modules are connected. As an example, as shown in FIG.
  • the BGA high frequency module 60 includes a differential signal pair 61 including a first signal pad 611 and a second signal pad 612, and a fifth A sixth ground pad 63 is arranged at a position where the distance between the ground pad 62 and the first signal pad 611 is greater than the distance between the first signal pad 611 and the second ground pad 44;
  • the sixth ground pads 64a to 64d are arranged at a distance from the second signal pad 622 than the distance between the second signal pad 622 and the fifth ground pad 62.
  • the second ground pad 44 and the fourth ground pads 46b and d are shared as the ground pads of the first signal pad 611.
  • the shared signal pads and ground pads are not limited to this, and any ground pad or signal pad included in the BGA high frequency module 60 may be shared as long as the above-mentioned arrangement of GSSGSS... is maintained. It's fine.
  • the BGA high-frequency module 60 may further arrange additional ground pads as long as the above-described distance relationship between the signal pad and the ground pad is not deviated from.
  • each signal pad and ground pad are arranged in a rectangular shape on the XY plane, but the arrangement is not limited to this.
  • each signal pad and ground pad The pads may be arranged substantially circumferentially.
  • each pad may further include a ceramic coat retainer (not shown) for strength reinforcement.
  • the width of the ceramic coat is preferably about 70 ⁇ m, but is not limited to this.
  • an optical communication module manufactured by mounting such a BGA high frequency module 60 on a PCB has a shorter distance between a signal pad and a ground pad than an optical communication module according to the conventional technology. are further apart than in the past, making it possible to prevent a drop in impedance and suppress deterioration in signal quality.
  • FIG. 7A and 7B are diagrams showing the structure of a BGA high-frequency module 70 according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 7 is a cross-sectional view at the position of the VIIb-VIIb cross-sectional line.
  • the first signal pad 421 of the BGA high frequency module 40 is the first signal pad 711
  • the second signal pad 422 is the first signal pad 711. This is a form in which the second signal pad 712 is replaced.
  • the first signal pad 711 and the second signal pad 712 differ from the first and second embodiments in that they have a shape in which at least a portion in the width direction is shaved.
  • the distance between the signal pad and the ground pad is the distance between the first signal pad 711 and the first ground pad 43, and the distance between the second signal pad 712 and the second ground pad.
  • the distance from the ground pad 44 to the ground pad 44 is the shortest.
  • the BGA high-frequency module 70 is depicted as not being connected as described in the second embodiment, but as in the second embodiment, at least the signal pad and the ground pad are connected. Connection may be made by sharing a part.
  • each pad may further include a ceramic coat retainer (not shown) for strength reinforcement.
  • FIG. 8 is a diagram showing the structure of a PCB 80 according to a fourth embodiment of the present disclosure, in which FIG. 8(a) is a plan view of the PCB 80 seen from the top surface side, and FIG. It is a sectional view at the position of a section line.
  • a PCB 80 according to the fourth embodiment of the present disclosure is configured to be connected to the above-described BGA high frequency module (for example, BGA high frequency module 10, 40, 60, 70) via solder balls.
  • BGA high frequency module for example, BGA high frequency module 10, 40, 60, 70
  • a differential signal pair including a first signal pad and a second signal pad adjacent to the first signal pad; and a first ground pad disposed adjacent to the first signal pad; , a second ground pad disposed adjacent to the second signal pad, and a first distance between the first signal pad and the first ground pad; at least one third ground pad located further away than the second distance between the second signal pad and the second ground pad; and at least one fourth ground pad located at a position farther away than the second distance.
  • the ground pad is connected to the ground plane in the lower layer of the multilayer board by the through-hole via, while the signal pad is connected to the surface wiring installed on the surface layer of the PCB. It is configured to be electrically connected and connected to an external terminal. Further, in some of the ground planes 81a and 81b, the portion directly under the signal pad is removed in a rectangular shape. In FIG. 8, the ground planes 81a and 81b have a rectangular shape, but the shape may be arbitrary as long as the portion directly under the signal pad is excluded.
  • the distance between the signal pad and the ground plane is greater than that of the conventional PCB 20. This reduces capacitance coupling between the ground plane and the signal pad, making it possible to prevent impedance from decreasing and suppressing signal quality from deteriorating.
  • the BGA high-frequency module mounted on the PCB 80 can be any type of BGA high-frequency module described in this specification, including the conventional technology, as long as the signal pad and the ground pad are arranged facing each other. It has a similar effect.
  • each pad may further include a ceramic coat retainer (not shown) for strength reinforcement.
  • connection may be made by sharing at least a portion of the signal pad and the ground pad.
  • the BGA high frequency module, the PCB, and the optical communication module in which at least one of them is mounted according to the present disclosure can suppress a decrease in impedance compared to the conventional technology. Therefore, application to small optical transceivers is expected.

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Abstract

パッドおよび半田ボール間のインピーダンスを低下させることなく光通信モジュールの小型化を実現する、ＢＧＡ高周波モジュール、ＢＧＡ高周波モジュール用基板、およびそれらの少なくとも１つを含む光通信モジュールを提供する。本開示によるＢＧＡ高周波モジュールは、第１の信号パッド、第２の信号パッドを含む差動信号ペアと、第１の信号パッドに隣接するように配置される第１のグランドパッドと、第２の信号パッドに隣接するように配置された第２のグランドパッドと、第１の信号パッドから、第１の信号パッドと第１のグランドパッドとの距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第３のグランドパッドと、第２の信号パッドから、第２の信号パッドと第２のグランドパッドとの距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第４のグランドパッドとを備える。

Description

ＢＧＡ高周波モジュール、ＢＧＡ高周波モジュール用基板、および光通信モジュール
　本開示は、ＢＧＡ高周波モジュール、ＢＧＡ高周波モジュール用基板、およびそれらを含む光通信モジュールに関する。
　近年、光通信産業においてモジュールフットプリントあたりの伝送速度の高速化が可能な、小型の光トランシーバの実用化が進んでいる。一例として、Quad Small Form-factor Pluggable Double Density（以下、ＱＳＦＰ－ＤＤという）と呼ばれる光通信向けのトランシーバのフォームファクターにおいて、１８．３５ｍｍ×５８．２６ｍｍ×８．５ｍｍ程度の小型な光トランシーバが実現できることが既に報告されている。このような小型の光トランシーバでは、搭載させる光通信モジュールに対し、従来までＩＣなどに用いられてきたボールグリッドアレイ(Ball Grid Array：以下、ＢＧＡという)を含む高周波モジュールの適用が進んでいる。加えて、このＢＧＡ高周波モジュールをプリント回路基板(Printed Circuit Board：以下、ＰＣＢという)上に実装する技術も、併せて進んでいる(例えば、非特許文献１参照)。近年では、光トランシーバの更なる小型化に対するニーズが高まっていることから、ＰＣＢ上にＢＧＡ高周波モジュールを実装した光通信モジュールに対して、さらなる小型化の要求が強くなっている。
　図１は、従来技術によるＢＧＡ高周波モジュール１０の構造を例示する図であり、図１（ａ）は裏面（後述する図３において、ＰＣＢ２０と対向する面）から見た平面図を、図１（ｂ）はIb-Ib断面線の位置における断面図を、それぞれ示している。図１に示される通り、従来技術によるＢＧＡ高周波モジュール１０は、モジュール部材１１と、モジュール部材１１の裏面に、長手方向（図１におけるＸ方向）および幅方向（図１におけるＹ方向）に対して等間隔で配置された複数のパッド１２と、を含む。なお、ここでは例として、パッド１２は、Ｘ方向に７個、Ｙ方向に４個配置された７行４列の形態を示している。また、モジュール部材１１には樹脂やセラミックスなどが、パッド１２にはアルミニウムや銅などが、それぞれ適用され得る。
　図２は、従来技術によるＢＧＡ高周波モジュール１０を搭載するためのＰＣＢ２０の構造を例示する図であり、図２（ａ）は、上面（後述する図３において、ＢＧＡ高周波モジュール１０と対抗する面）から見た平面図を、図２（ｂ）はIIb－IIb断面線の位置における断面図を、それぞれ示している。図２に示される通り、ＰＣＢ２０は、複数の誘電体部２１１ａ－ｃおよび複数のグランドプレーン２１２ａ－ｃが積層された積層基板２１と、積層基板２１の上面に、長手方向（図２におけるＸ方向）および幅方向（図２におけるＹ方向）に対して等間隔で配置された複数のパッド２２と、複数のパッド２２の一部とグランドプレーン２１２ａ－ｃとを電気的に接続するスルーホールビア２３ａ－ｃと、を含む。図１と同様に、ここでは例として、パッド２２は、Ｘ方向に７個、Ｙ方向に４個配置された７行４列の形態を示している。グランドプレーン２１２ａ－ｃと接続された一部のパッド２２は、信号を安定化させるグランドパッドとして機能する。図２では、これらのグランドパッドは、スルーホールビア２３ａ－ｃを介してグランドプレーン２１２ｃと接続される。図２（ａ）に示されるように、信号端子などの他のパッドは、ＰＣＢ２０の上面に形成された表層配線２４を介して、外部の回路に接続される。または、スルーホールビアを介して、より下層の基板に形成された内層配線に接続され、配線される。
　このような、ＰＣＢ２０の上に、上述したＢＧＡ高周波モジュール１０を実装することにより、小型の光トランシーバに搭載される光通信モジュール３０が製作される。
　図３は、ＢＧＡ高周波モジュール１０をＰＣＢ２０の上に搭載した、光通信モジュール３０の構造を例示する図であり、図３（ａ）は、ＢＧＡ高周波モジュール１０を上側として見た平面図であり、図３（ｂ）は、IIIb-IIIb断面線の位置における断面図である。図３に示される通り、光通信モジュール３０は、ＰＣＢ２０の上にＢＧＡ高周波モジュール１０が実装され、両者はパッド１２およびパッド２２の間に設置された半田ボール３１を介して、電気的に接続されている。通常は、光通信モジュール３０は、ＢＧＡ高周波モジュール１０のパッド１２上に半田ボール３１を形成し、ＰＣＢ２０の上に配置した状態でリフローすることにより、製作され得る。
　光通信モジュール３０を光通信向けのトランシーバに適用する場合、ＢＧＡ高周波モジュールのパッド１２は、様々な端子としての役割を担う。端子には、上述したグランドパッドの他に、電力を供給するためのＤＣ端子、アナログまたはデジタルの制御端子、そして、電気信号を入出力するための信号端子が含まれ得る。ＤＣ端子の個数はモジュールによって大きく異なるが、信号端子は、コヒーレント光通信用の光通信モジュールであれば、送信４対、受信４対の計８対の差動信号ペアが、しばしば用いられる。また、光通信モジュールの信号端子は、光通信モジュールに隣接する信号処理プロセッサや、光通信システムを構成するホスト装置に対して信号を入出力するため、通常は、モジュールの一端に集められる。
　このような光通信モジュールを小型化するためには、パッド１２、２２および半田ボール３１の各々の間隔を狭め、端子を密に配置する（端子を高密度化する）方法が挙げられる。しかしながら、端子の高密度化は、半田ボール３１間の静電容量の増大を引き起こし、それに伴って、グランドパッドや信号端子などの端子間における静電容量が増大するという課題がある。隣接する信号端子同士(差動信号ペア)や、信号端子とグランドパッド端子間における静電容量が増大すれば、インピーダンスが低下するため、インピーダンスマッチングが取れなくなり、結果的に、高周波通過特性(カットオフ周波数の低下)や高周波反射特性が劣化する。このように、ＢＧＡ高周波モジュールをＰＣＢ上に実装した光通信モジュールの小型化を図る場合、端子の高密度化をすれば、信号品質の低下が生じ得る。
　このような課題に対し、端子間の静電容量の増大を抑制させる従来技術として、パッド１２、２２および半田ボール３１を小さくすることが知られている。しかしながら、パッド１２、２２は、上述の通り、スルーホールビア２３ａ－ｃや引き出し線を介してグランドプレーン２１２ｃと接続する必要があるため、一定以上にパッド１２、２２および半田ボール３１を小さくすることは難しい。また、パッド１２、２２および半田ボール３１が小さくなることにより、実装が困難になるという別の問題も生じ得る。
　例として、上述した、１８．３５ｍｍ×５８．２６ｍｍ×８．５ｍｍ程度の大きさを有する小型フォームファクターQSFP-DDにて、光通信モジュール３０を実現する場合のパッド１２、２２および半田ボール３１の大きさを考える。幅（図１および２における、Ｙ方向の長さ）が１８．３５ｍｍの外装にＰＣＢ２０を搭載する場合、ＰＣＢ２０の基板の幅は、外装よりも小さいことが求められるため、１４－１６ｍｍ程度となる。
　一方で、端子の配置に着目すると、差動信号ペアをＧＳＳＧ(グランド-シグナル-シグナル-グランド)で配置する場合、隣接するグランドパッドを共有したとすれば、２対の差動信号ペアはＧＳＳＧＳＳＧの７端子となり、より小さな領域に差動信号を配置できる。このような配置を想定した場合、光通信モジュール３０がコヒーレント光通信用であれば、差動信号ペアは８対であるため、端子の総数は２５端子となる。半田ボール３１の各々の間隔は０．２５－０．８ｍｍ程度が一般的であるが、ここでは例として、０．５ｍｍとする。この場合、信号端子を一端に集めると１２ｍｍ程度の幅が必要となり、上述のＰＣＢ２０の幅１４－１６ｍｍ以内に収まることとなる。しかしながら、ＢＧＡについては、ＪＥＩＴＡ（Japan Electronics and Information Technology Industries Association：一般社団法人電子情報技術産業協会）などで規格が定められている。半田ボール３１の各々の間隔が０．５ｍｍの場合、パッドの径はノミナル値でφ０．３ｍｍ程度に定まってしまう。このため、パッドの小型化には、実質的な限界があると言える。
　また、ＢＧＡに搭載する光通信モジュールのパッケージ側からも、パッドや半田ボールの大きさが限定される。例えば、非特許文献１と同様に、セラミックスのパッケージ材が用いられる場合、パッドの強度確保のため、70μｍの幅を有するセラミックスコートの抑えが必要となる。このため、パッドの径は、実質的にφ０．４４ｍｍとなり、隣接するパッドとのギャップは６０μｍ程度と狭くなる。したがって、静電容量は増大し、インピーダンスの低下が生じることで、高周波通過特性(カットオフ周波数の低下)や高周波反射特性が劣化し得る。
　以上のことから、光トランシーバの小型化に有効な、ＢＧＡ高周波モジュールをＰＣＢ上に実装した光通信モジュール（例えば、光通信モジュール３０）では、端子の高密度化による更なる小型化が望まれているが、端子の高密度により、インピーダンス低下に起因する信号品質の低下が課題として挙げられている。このような課題に対し、端子（パッドおよび半田ボール）を小さくする従来技術では、規格等による制約の観点から限界があると言え、別の方法が求められている。
　本開示は、上記のような課題に対して鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、パッドおよび半田ボール間のインピーダンスを低下させることなく光通信モジュールの小型化を実現する、ＢＧＡ高周波モジュール、ＢＧＡ高周波モジュール用基板、およびそれらの少なくとも１つを含む光通信モジュールを提供することにある。
　上記のような課題に対し、本開示では、ＢＧＡ高周波モジュールであって、モジュール部材と、モジュール部材の裏面に配置され、第１の信号パッド、および第１の信号パッドに隣接する第２の信号パッドを含む差動信号ペアと、第１の信号パッドに隣接するように配置される第１のグランドパッドと、第２の信号パッドに隣接するように配置された第２のグランドパッドと、第１の信号パッドから、第１の信号パッドと第１のグランドパッドとの間の第１の距離、および第２の信号パッドと第２のグランドパッドとの間の第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第３のグランドパッドと、第２の信号パッドから、第１の距離および第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第４のグランドパッドと、を備えるＢＧＡ高周波モジュールを提供する。
従来技術によるＢＧＡ高周波モジュール１０の構造を例示する図であり、図１（ａ）は裏面側から見た平面図を、図１（ｂ）はIb-Ib断面線の位置における断面図を、それぞれ示している。 従来技術によるＢＧＡ高周波モジュール１０を搭載するためのＰＣＢ２０の構造を例示する図であり、図２（ａ）は、上面側から見た平面図を、図２（ｂ）はIIb－IIb断面線の位置における断面図を、それぞれ示している。 ＢＧＡ高周波モジュール１０をＰＣＢ２０の上に搭載した、光通信モジュール３０の構造を例示する図であり、図３（ａ）は、ＢＧＡ高周波モジュール１０を上側として見た平面図であり、図３（ｂ）は、IIIb-IIIb断面線の位置における断面図である。 本開示の第１の実施形態による、光通信モジュールに用いられるＢＧＡ高周波モジュール４０の構造を示す図であり、図４（ａ）は、ＢＧＡ高周波モジュール４０の裏面側から見た平面図、図４（ｂ）は、IVb-IVb断面線の位置における断面図、図４（ｃ）は変形例の平面図である。 本開示の第１の実施形態によるＢＧＡ高周波モジュール４０をＰＣＢ５１の上に搭載した光通信モジュール５０の構造を示す図であり、図５（ａ）は、ＰＣＢ５１を上から見た場合の平面図、図５（ｂ）はVb-Vb断面線の位置における断面図である。 本開示の第２の実施形態による、ＢＧＡ高周波モジュール６０の構造を示す図であり、図６（ａ）は、ＢＧＡ高周波モジュール６０の裏面側から見た平面図、図６（ｂ）は、VIb-VIb断面線の位置における断面図である。 本開示の第２の実施形態による、ＢＧＡ高周波モジュール７０の構造を示す図であり、図７（ａ）は、ＢＧＡ高周波モジュール７０の裏面側から見た平面図、図７（ｂ）は、VIIb-VIIb断面線の位置における断面図である。 図８は、本開示の第４の実施形態による、ＰＣＢ８０の構造を示す図であり、図８（ａ）は、ＰＣＢ８０の上面側から見た平面図、図８（ｂ）は、VIIIb-VIIIb断面線の位置における断面図である。
　以下に、図面を参照しながら本開示の種々の実施形態について詳細に説明する。同一または類似の参照符号は同一または類似の要素を示し重複する説明を省略する場合がある。材料および数値は例示を目的としており本開示の技術的範囲の限定を意図していない。以下の説明は、一例であって本開示の一実施形態の要旨を逸脱しない限り、一部の構成を省略若しくは変形し、または追加の構成とともに実施することができる。
　本開示における、ＢＧＡ高周波モジュールは、従来技術とは異なり、信号パッドと隣接するグランドパッドの距離に対し、他のグランドパッドの距離がそれよりも離れているような構造を有する。また、ＰＣＢにおいても、少なくとも１つのグランドプレーン一部が排された構造を有する。このような構造により、信号パッドとグランドパッドおよび信号パッドとグランドプレーンとの距離が、従来技術に比べて離れるため、インピーダンスの低下を抑制することが可能となる。
（第１の実施形態）
　図４は、本開示の第１の実施形態による、光通信モジュールに用いられるＢＧＡ高周波モジュール４０の構造を示す図であり、図４（ａ）は、ＢＧＡ高周波モジュール４０の裏面（後述する図５において、ＰＣＢ５０と対向する面）側から見た平面図、図４（ｂ）は、IVb-IVb断面線の位置における断面図、図４（ｃ）は変形例の平面図である。図４に示される通り、本開示の第１の実施形態による、ＢＧＡ高周波モジュール４０は、モジュール部材４１の裏面に、第１の信号パッド４２１、および第１の信号パッド４２１に隣接する第２の信号パッド４２２を含む差動信号ペア４２と、第１の信号パッド４２１に隣接するように配置された第１のグランドパッド４３と、第２の信号パッド４２２に隣接するように配置された第２のグランドパッド４４と、第１の信号パッドから、第１の信号パッド４２１と第１のグランドパッド４３との間の距離、および前記第２の信号パッドと前記第２のグランドパッドとの間の第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第３のグランドパッド４５ａ－ｄと、第２の信号パッド４２２と第２のグランドパッド４４との間の距離よりも離れた位置に配置される第４のグランドパッド４６ａ－ｄと、を含む。
　信号パッドとグランドパッドとの距離は、第１の信号パッド４２１を基準に考えると、第１の信号パッド４２１と第１のグランドパッド４３との距離が最も短く、第１の信号パッド４２１とそれ以外のグランドパッド（例えば、第３のグランドパッド４５）との距離は、第１の信号パッド４２１と第１のグランドパッド４３との距離よりも常に長くなるように配置されている。同様に、第２の信号パッド４２２を基準に考えると、第２の信号パッド４２２と第２のグランドパッド４４との距離が最も短く、第２の信号パッド４２２とそれ以外のグランドパッド（例えば、第４のグランドパッド４６）との距離は、第２の信号パッド４２２と第２のグランドパッド４４との距離よりも常に長くなるように配置されている。図４では、第３のグランドパッド４５ａ－ｄおよび第４のグランドパッド４６ａ－ｄは４つ配置した形態を示しているが、上述の距離の関係を逸脱しなければ、配置する数に限定はない。
　また、図４（ａ）では、各々の信号パッドおよびグランドパッドは、ＸＹ平面上に四角形状に配置した形態を示しているが、配列の仕方はこれに限定はされず、例えば、図４（ｃ）に示される通り、各々の信号パッドおよびグランドパッドは、略円周状、略六角形（ハニカム）状に配列されてもよい。
　さらに、各々の信号パッドおよびグランドパッドは、強度補強のためにセラミックスコートの抑え（図示せず）をさらに含んでもよい。セラミックスコートの幅は７０μｍ程度が好ましいが、これに限定はされない。
　図５は、本開示の第１の実施形態によるＢＧＡ高周波モジュール４０をＰＣＢ５１の上に搭載した光通信モジュール５０の構造を示す図であり、図５（ａ）は、ＰＣＢ５１を上から見た場合の平面図、図５（ｂ）はVb-Vb断面線の位置における断面図である。図５に示される通り、本開示の第１の実施形態による光通信モジュール５０は、上述のＢＧＡ高周波モジュール４０を、ＰＣＢ５１上に複数の半田ボール５２を介して実装した構造を有する。ここで、ＰＣＢ５１側に設置される信号パッドおよびグランドパッドは、ＢＧＡ高周波モジュール４０の信号パッドおよびグランドパッド同士が半田ボール５２を介して接続できるよう、対面的に配列されている。また、ＰＣＢ５１は、従来技術によるＰＣＢ２０と同様に、誘電体部とグランドプレーンが積層された積層基板と、グランドプレーンとグランドパッドを電気的に接続するスルーホールビアと、信号パッドと電気的に接続された表層配線と、を含む。なお、信号パッドは、スルーホールビアを介して内層配線と接続されてもよい。
　このような形態を有するＢＧＡ高周波モジュール４０およびそれを含む光通信モジュール５０では、等間隔にパッドが配置された従来技術とは異なり、第３のグランドパッド４５および第４のグランドパッド４６と第１の信号パッド４２１および第２の信号パッド４２２との距離が、第１のグランドパッド４３および第２のグランドパッド４４との距離よりも離れている。これにより、信号パッドとグランドパッドとの距離が従来よりも離れることで、インピーダンスの低下を抑制し、信号品質の劣化を抑制することが可能となる。
（第２の実施形態）
　図６は、本開示の第２の実施形態による、ＢＧＡ高周波モジュール６０の構造を示す図であり、図６（ａ）は、ＢＧＡ高周波モジュール６０の裏面側から見た平面図、図６（ｂ）は、VIb-VIb断面線の位置における断面図である。図６に示される通り、本開示の第２の実施形態による、ＢＧＡ高周波モジュール６０は、上述のＢＧＡ高周波モジュール４０において、信号パッドおよびグランドパッドの少なくとも一部が共有されることで、複数のＢＧＡ高周波モジュールが連結された構造を有する。例として、図６に示される通り、ＢＧＡ高周波モジュール６０は、第１の信号パッド６１１と第２の信号パッド６１２を含む差動信号ペア６１と、第２の信号パッド６１２に隣接する第５のグランドパッド６２と、第１の信号パッド６１１との距離が、第１の信号パッド６１１と第２のグランドパッド４４との距離より離れている位置に配置される第６のグランドパッド６３と、第２の信号パッド６２２との距離が、第２の信号パッド６２２と第５のグランドパッド６２との距離より離れている位置に配置される、第６のグランドパッド６４ａ－ｄと、をさらに含む。ここで、第２のグランドパッド４４、第４のグランドパッド４６ｂ、ｄが、第１の信号パッド６１１のグランドパッドとして共有されている。ただし、共有される信号パッドおよびグランドパッドはこれに限定はされず、上述したＧＳＳＧＳＳ・・・の配列が維持される限りは、ＢＧＡ高周波モジュール６０に含まれる任意のグランドパッドまたは信号パッドが共有されてよい。
　なお、第１の実施形態と同様に、ＢＧＡ高周波モジュール６０は、上述の信号パッドとグランドパッドとの距離の関係を逸脱しなければ、追加のグランドパッドをさらに配置してもよい。
　また、図６では、各々の信号パッドおよびグランドパッドは、ＸＹ平面上に四角形状に配置した形態を示しているが、配列の仕方はこれに限定はされず、例えば、各々の信号パッドおよびグランドパッドは、略円周上に配列されてもよい。
　加えて、各々のパッドは強度補強のためにセラミックスコートの抑え（図示せず）をさらに含んでもよい。セラミックスコートの幅は７０μｍ程度が好ましいが、これには限定されない。
　このようなＢＧＡ高周波モジュール６０をＰＣＢ上に実装することにより作製される光通信モジュールは、第１の実施形態と同様に、従来技術による光通信モジュールに比べて、信号パッドとグランドパッドとの距離が従来よりも離れるため、インピーダンスの低下を防ぎ、信号品質の劣化を抑制することが可能となる。
（第３の実施形態）
　図７は、本開示の第２の実施形態による、ＢＧＡ高周波モジュール７０の構造を示す図であり、図７（ａ）は、ＢＧＡ高周波モジュール７０の裏面側から見た平面図、図７（ｂ）は、VIIb-VIIb断面線の位置における断面図である。図７に示される通り、本開示の第３の実施形態によるＢＧＡ高周波モジュール７０は、ＢＧＡ高周波モジュール４０における第１の信号パッド４２１が第１の信号パッド７１１に、第２の信号パッド４２２が第２の信号パッド７１２に置き換わった形態である。第１の信号パッド７１１および第２の信号パッド７１２は、幅方向においての少なくとも一部が削られた形状を有するという点で、第１および第２の実施形態とは異なる。ただし、信号パッドおよびグランドパッドの距離は、第１および第２の実施形態と同様に、第１の信号パッド７１１と第１のグランドパッド４３との距離、および第２の信号パッド７１２と第２のグランドパッド４４との距離が最も短くなるように配置されている。
　なお、図７では、ＢＧＡ高周波モジュール７０は第２の実施形態で述べられるような連結はしていない形態として描写されているが、第２の実施形態と同様に、信号パッドおよびグランドパッドの少なくとも一部を共有することによって、連結をしてもよい。
　また、第１の実施形態と同様に、ＢＧＡ高周波モジュール６０においては、上述の距離を逸脱しなければ、配列は四角形に限定されない。また、各々のパッドは強度補強のためにセラミックスコートの抑え（図示せず）をさらに含んでもよい。
　このようなＢＧＡ高周波モジュール７０を、ＰＣＢ上に実装した光通信モジュールであっても、第１および第２の実施形態と同様に、パッド間のインピーダンスの低下を抑制することが可能となる。したがって、従来技術に比べ、信号品質の劣化を抑制できるという効果を奏する。
（第４の実施形態）
　図８は、本開示の第４の実施形態による、ＰＣＢ８０の構造を示す図であり、図８（ａ）は、ＰＣＢ８０の上面側から見た平面図、図８（ｂ）は、VIIIb-VIIIb断面線の位置における断面図である。図８に示される通り、本開示の第４の実施形態によるＰＣＢ８０は、上述したＢＧＡ高周波モジュール（例えば、ＢＧＡ高周波モジュール１０、４０、６０、７０）と半田ボールを介して接続されるよう、基板上面に、第１の信号パッド、および第１の信号パッドに隣接する第２の信号パッドを含む差動信号ペアと、第１の信号パッドに隣接するように配置される第１のグランドパッドと、第２の信号パッドに隣接するように配置された第２のグランドパッドと、第１の信号パッドから、第１の信号パッドと第１のグランドパッドとの間の第１の距離、および第２の信号パッドと第２のグランドパッドとの間の第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第３のグランドパッドと、第２の信号パッドから、第１の距離および第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第４のグランドパッドと、含む。
　さらに、本開示の第４の実施形態によるＰＣＢ８０では、グランドパッドが、スルーホールビアにより積層基板の下層にあるグランドプレーンと接続され、一方、信号パッドは、ＰＣＢの表層に設置された表層配線と電気的に接続され、外部の端子に接続されるように構成されている。また、一部のグランドプレーン８１ａ、ｂでは、信号バッドの直下にあたる箇所が矩形状に排されている。なお、図８では、グランドプレーン８１ａ、ｂの形状は矩形状としているが、信号バッドの直下にあたる箇所が排されていれば、形状は任意であってよい。
　このようなＰＣＢ８０の上にＢＧＡ高周波モジュール（例えば、ＢＧＡ高周波モジュール１０、４０または６０）を実装した光通信モジュールでは、信号パッドとグランドプレーンとの距離が従来技術であるＰＣＢ２０よりも離れている。これにより、グランドプレーンと信号パッドの静電容量的な結合が小さくなるため、インピーダンスの低下を防ぎ、信号品質の低下を抑制することが可能となる。
　なお、ＰＣＢ８０上に実装するＢＧＡ高周波モジュールは、信号パッドおよびグランドパッドが対面的に配置されていれば、従来技術を含む、本明細書で述べられるいずれの形態のＢＧＡ高周波モジュールであっても、同様の効果を奏する。
　また、第１の実施形態と同様に、ＢＧＡ高周波モジュール６０においては、上述の距離を逸脱しなければ、配列は四角形に限定されない。また、各々のパッドは強度補強のためにセラミックスコートの抑え（図示せず）をさらに含んでもよい。加えて、第２の実施形態と同様に、信号パッドおよびグランドパッドの少なくとも一部を共有することによって、連結をしてもよい。
　以上述べた通り、本開示によるＢＧＡ高周波モジュール、ＰＣＢおよびこれらの少なくとも１つが実装された光通信モジュールは、従来技術と比べて、インピーダンス低下を抑制することが可能である。したがって、小型の光トランシーバへの適用が見込まれる。

Claims (7)

  1. 　ＢＧＡ高周波モジュールであって、
    　モジュール部材と、
    　前記モジュール部材の裏面に配置され、第１の信号パッド、および前記第１の信号パッドに隣接する第２の信号パッドを含む差動信号ペアと、
    　前記第１の信号パッドに隣接するように配置される第１のグランドパッドと、
    　前記第２の信号パッドに隣接するように配置された第２のグランドパッドと、
    　前記第１の信号パッドから、前記第１の信号パッドと前記第１のグランドパッドとの間の第１の距離、および前記第２の信号パッドと前記第２のグランドパッドとの間の第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第３のグランドパッドと、
    　前記第２の信号パッドから、前記第１の距離および前記第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第４のグランドパッドと、
    を備える、ＢＧＡ高周波モジュール。
  2. 　複数の前記差動信号ペアを含み、グランドパッドの少なくとも１つが共有された構造を有する、請求項１に記載のＢＧＡ高周波モジュール。
  3. 　前記第１の信号パッド、前記第２の信号パッド、前記第１のグランドパッド、前記第２のグランドパッド、前記第３のグランドパッド、前記第４のグランドパッドの少なくとも１つが、強度補強のためのセラミックスコートをさらに備える、請求項１または２に記載のＢＧＡ高周波モジュール。
  4. 　前記第１の信号パッド、前記第2の信号パッドの少なくとも１つが、隣接する信号パッドまたは隣接するグランドパッドの方向において、少なくとも一部が削られた形状を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＢＧＡ高周波モジュール。
  5. 　ＢＧＡ高周波モジュール用基板であって、
    　基板表層に裏面に配置され、第１の信号パッド、および前記第１の信号パッドに隣接する第２の信号パッドを含む差動信号ペアと、
    　前記第１の信号パッドに隣接するように配置される第１のグランドパッドと、
    　前記第２の信号パッドに隣接するように配置された第２のグランドパッドと、
    　前記第１の信号パッドから、前記第１の信号パッドと前記第１のグランドパッドとの間の第１の距離、および前記第２の信号パッドと前記第２のグランドパッドとの間の第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第３のグランドパッドと、
    　前記第２の信号パッドから、前記第１の距離および前記第２の距離よりも離れた位置に配置される、少なくとも１つの第４のグランドパッドと、
    を備える、ＢＧＡ高周波モジュール用基板。
  6. 　複数の誘電体部および複数のグランドプレーンが積層された積層基板と、
    　前記グランドパッドとグランドプレーンとを電気的に接続するスルーホールビアと、を備え、
    　前記グランドプレーンの少なくとも一部が、前記信号パッドの直下にあたる箇所が排された構造を有する、請求項５に記載のＢＧＡ高周波モジュール用基板。
  7. 　請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＢＧＡ高周波モジュールおよびＢＧＡ高周波モジュール用基板の少なくとも１つを備えた、光通信モジュール。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0430746U (ja) * 1990-07-04 1992-03-12
JPH09270477A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk セラミック基板
WO2005098359A1 (ja) * 2004-04-07 2005-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. 角速度計測装置
US20210057319A1 (en) * 2018-09-28 2021-02-25 Juniper Networks, Inc. Multi-pitch ball grid array

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0430746U (ja) * 1990-07-04 1992-03-12
JPH09270477A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk セラミック基板
WO2005098359A1 (ja) * 2004-04-07 2005-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. 角速度計測装置
US20210057319A1 (en) * 2018-09-28 2021-02-25 Juniper Networks, Inc. Multi-pitch ball grid array

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