JPH09270477A - セラミック基板 - Google Patents
セラミック基板Info
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- JPH09270477A JPH09270477A JP7644096A JP7644096A JPH09270477A JP H09270477 A JPH09270477 A JP H09270477A JP 7644096 A JP7644096 A JP 7644096A JP 7644096 A JP7644096 A JP 7644096A JP H09270477 A JPH09270477 A JP H09270477A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック基板とプリント配線基板との熱膨
張係数差に起因して実装時、接続部に十分な信頼性を得
ることができなかった。 【解決手段】 複数個の高融点はんだ層１３の平面視形
状を長円形状とし、長円形状の長手方向をセラミック基
板１の中心を基点とした放射状方向に則したものとす
る。
張係数差に起因して実装時、接続部に十分な信頼性を得
ることができなかった。 【解決手段】 複数個の高融点はんだ層１３の平面視形
状を長円形状とし、長円形状の長手方向をセラミック基
板１の中心を基点とした放射状方向に則したものとす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミック基板に関
し、より詳細にはメタライズ層からなる表層パッド、共
晶はんだよりも高融点のはんだからなる高融点はんだ
層、共晶はんだ、及び高融点のはんだボールあるいは金
属ボールからなる高融点ボール、を含んで構成されるバ
ンプ電極が形成されたパッケージ用のセラミック基板に
関する。
し、より詳細にはメタライズ層からなる表層パッド、共
晶はんだよりも高融点のはんだからなる高融点はんだ
層、共晶はんだ、及び高融点のはんだボールあるいは金
属ボールからなる高融点ボール、を含んで構成されるバ
ンプ電極が形成されたパッケージ用のセラミック基板に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの入出力端子数は高集積化
に伴い、増加する傾向にある。前記入出力端子数の増加
に伴い、パッケージにおいても多数の外部接続端子を備
え、かつ小型であるものの開発が望まれている。
に伴い、増加する傾向にある。前記入出力端子数の増加
に伴い、パッケージにおいても多数の外部接続端子を備
え、かつ小型であるものの開発が望まれている。
【０００３】従来のこの種のパッケージにあっては、前
記外部接続端子としてピン電極が形成された、いわゆる
ピン・グリッド・アレイ（以下、ＰＧＡと記す）タイプ
のものが主流であった。しかしながら前記ピン電極の径
を細くすることは強度上難しく、しかも前記ピン電極を
パッケージ基体に確実に固定するためには、これらピン
電極が接続される表層パッドの径も大きくしておく必要
があった。
記外部接続端子としてピン電極が形成された、いわゆる
ピン・グリッド・アレイ（以下、ＰＧＡと記す）タイプ
のものが主流であった。しかしながら前記ピン電極の径
を細くすることは強度上難しく、しかも前記ピン電極を
パッケージ基体に確実に固定するためには、これらピン
電極が接続される表層パッドの径も大きくしておく必要
があった。
【０００４】従ってピン電極間ピッチをあまり小さくす
ることは困難で、前記プリント配線基板に対する実装密
度を高めることも困難になっていた。
ることは困難で、前記プリント配線基板に対する実装密
度を高めることも困難になっていた。
【０００５】かかる課題に対拠するためのパッケージと
して、バンプ電極が外部接続端子として形成されたボー
ル・グリッド・アレイ（以下、ＢＧＡと記す）タイプの
ものが近年注目されている。該ＢＧＡタイプのパッケー
ジでは、前記ＰＧＡタイプのパッケージに比べて外部接
続端子数を著しく増やすことができ、プリント配線基板
への高密度実装が可能となる。
して、バンプ電極が外部接続端子として形成されたボー
ル・グリッド・アレイ（以下、ＢＧＡと記す）タイプの
ものが近年注目されている。該ＢＧＡタイプのパッケー
ジでは、前記ＰＧＡタイプのパッケージに比べて外部接
続端子数を著しく増やすことができ、プリント配線基板
への高密度実装が可能となる。
【０００６】一般に前記バンプ電極は、図５に示したよ
うに構成されている。
うに構成されている。
【０００７】すなわち、セラミック基体１０上に表層パ
ッド１１が形成され、表層パッド１１上にはんだボール
等からなる高融点ボール１２がリフロー処理により固着
され、これら表層パッド１１と高融点ボール１２とによ
りバンプ電極１５が構成されている。
ッド１１が形成され、表層パッド１１上にはんだボール
等からなる高融点ボール１２がリフロー処理により固着
され、これら表層パッド１１と高融点ボール１２とによ
りバンプ電極１５が構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記ＢＧ
Ａタイプのパッケージを図６に示したようにプリント配
線基板２０へ実装すると、セラミック基体１０と通常樹
脂製であるプリント配線基板２０との間に存在する大き
な熱膨張係数差に起因し、バンプ電極１５に大きな熱応
力が作用し、亀裂が生じる場合がある。
Ａタイプのパッケージを図６に示したようにプリント配
線基板２０へ実装すると、セラミック基体１０と通常樹
脂製であるプリント配線基板２０との間に存在する大き
な熱膨張係数差に起因し、バンプ電極１５に大きな熱応
力が作用し、亀裂が生じる場合がある。
【０００９】かかる課題に対拠するものとして特開平７
−９４６２６号公報において、セラミック基体１０とプ
リント配線基板２０との接続間隔をできるだけ大きくと
り、バンプ電極１５の単位長さ当たりに作用する剪断応
力を小さくする方法が提案されている。しかしながら上
記方法を採用した場合であっても、なお上記課題が残
り、十分な信頼性を得ることは困難であった。
−９４６２６号公報において、セラミック基体１０とプ
リント配線基板２０との接続間隔をできるだけ大きくと
り、バンプ電極１５の単位長さ当たりに作用する剪断応
力を小さくする方法が提案されている。しかしながら上
記方法を採用した場合であっても、なお上記課題が残
り、十分な信頼性を得ることは困難であった。
【００１０】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、ＢＧＡタイプのパッケージをプリント配線基板へ十
分な信頼性をもって実装することができるセラミック基
板を提供することを目的としている。
り、ＢＧＡタイプのパッケージをプリント配線基板へ十
分な信頼性をもって実装することができるセラミック基
板を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るセラミック基板（１）は、
プリント配線基板への接続端子として表層パッド、高融
点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボールからなるバン
プ電極が形成されたセラミック基板であって、複数個の
前記高融点はんだ層の平面視形状が長円形状（楕円形状
を含む）をし、かつ長円形状をした前記高融点はんだ層
の長手方向がその一群の中心を基点とした放射状方向に
則していることを特徴としている。
達成するために本発明に係るセラミック基板（１）は、
プリント配線基板への接続端子として表層パッド、高融
点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボールからなるバン
プ電極が形成されたセラミック基板であって、複数個の
前記高融点はんだ層の平面視形状が長円形状（楕円形状
を含む）をし、かつ長円形状をした前記高融点はんだ層
の長手方向がその一群の中心を基点とした放射状方向に
則していることを特徴としている。
【００１２】上記セラミック基板によれば、パッケージ
のプリント配線基板への実装時、前記高融点はんだ層及
び高融点ボールが完全に溶融してしまうことはなく、パ
ッケージとプリント配線基板との接続間隔を大きくとる
ことができる。
のプリント配線基板への実装時、前記高融点はんだ層及
び高融点ボールが完全に溶融してしまうことはなく、パ
ッケージとプリント配線基板との接続間隔を大きくとる
ことができる。
【００１３】しかも、複数個の前記高融点はんだ層の平
面視形状が長円形状（楕円形状を含む）をし、かつ長円
形状をした前記高融点はんだ層の長手方向がその一群の
中心を基点とした放射状方向に則しているので、熱応力
が作用する方向に関する前記高融点はんだ層の熱応力耐
性を高めることができる。
面視形状が長円形状（楕円形状を含む）をし、かつ長円
形状をした前記高融点はんだ層の長手方向がその一群の
中心を基点とした放射状方向に則しているので、熱応力
が作用する方向に関する前記高融点はんだ層の熱応力耐
性を高めることができる。
【００１４】また、本発明に係るセラミック基板（２）
は、プリント配線基板への接続端子として表層パッド、
高融点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボールからなる
バンプ電極が形成されたセラミック基板であって、角部
に形成される前記高融点はんだ層の平面視形状が長円形
状（楕円形状を含む）をし、かつ長円形状をした前記高
融点はんだ層の長手方向がその一群の中心を基点とした
放射状方向に則していることを特徴としている。
は、プリント配線基板への接続端子として表層パッド、
高融点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボールからなる
バンプ電極が形成されたセラミック基板であって、角部
に形成される前記高融点はんだ層の平面視形状が長円形
状（楕円形状を含む）をし、かつ長円形状をした前記高
融点はんだ層の長手方向がその一群の中心を基点とした
放射状方向に則していることを特徴としている。
【００１５】上記セラミック基板（２）によれば、もっ
とも大きな熱応力が作用する角部の高融点はんだ層の平
面視形状が長円形状となっているので、最も効率的に長
円形状の高融点はんだ層を活用して全体の熱応力耐性を
高めることができる。
とも大きな熱応力が作用する角部の高融点はんだ層の平
面視形状が長円形状となっているので、最も効率的に長
円形状の高融点はんだ層を活用して全体の熱応力耐性を
高めることができる。
【００１６】また残りの高融点はんだ層の平面視形状を
通常の円形状としておくことにより、製作が容易とな
る。
通常の円形状としておくことにより、製作が容易とな
る。
【００１７】また、本発明に係るセラミック基板（３）
は、プリント配線基板への接続端子として表層パッド、
高融点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボールからなる
バンプ電極が形成されたセラミック基板であって、外周
部に形成される前記高融点はんだ層の平面視形状が長円
形状（楕円形状を含む）をし、かつ長円形状をした前記
高融点はんだ層の長手方向がその一群の中心を基点とし
た放射状方向に則していることを特徴としている。
は、プリント配線基板への接続端子として表層パッド、
高融点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボールからなる
バンプ電極が形成されたセラミック基板であって、外周
部に形成される前記高融点はんだ層の平面視形状が長円
形状（楕円形状を含む）をし、かつ長円形状をした前記
高融点はんだ層の長手方向がその一群の中心を基点とし
た放射状方向に則していることを特徴としている。
【００１８】セラミック基板とＰＣＢ（プリント配線基
板）との熱膨張係数差に起因した熱応力は、セラミック
基板の中心からの距離が長くなる外周に近くなる程大き
な値となる。
板）との熱膨張係数差に起因した熱応力は、セラミック
基板の中心からの距離が長くなる外周に近くなる程大き
な値となる。
【００１９】上記セラミック基板（３）によれば、大き
な熱応力が作用するであろう部分の高融点はんだ層の平
面視形状が長円形状をしているので、セラミック基板と
ＰＣＢとの接続の信頼性を確実に向上させることができ
る。
な熱応力が作用するであろう部分の高融点はんだ層の平
面視形状が長円形状をしているので、セラミック基板と
ＰＣＢとの接続の信頼性を確実に向上させることができ
る。
【００２０】また、本発明に係るセラミック基板（４）
は、上記セラミック基板（１）〜（３）のいずれかにお
いて、前記高融点ボールの形状が前記高融点はんだ層の
形状に則して、長球形状（ラグビーボール形状を含む）
をしていることを特徴としている。
は、上記セラミック基板（１）〜（３）のいずれかにお
いて、前記高融点ボールの形状が前記高融点はんだ層の
形状に則して、長球形状（ラグビーボール形状を含む）
をしていることを特徴としている。
【００２１】上記セラミック基板（４）によれば、高融
点はんだ層のみならず、高融点ボールの形状が長球形状
をしているので、前記バンプ電極の熱応力に対する耐性
がさらに向上することとなる。
点はんだ層のみならず、高融点ボールの形状が長球形状
をしているので、前記バンプ電極の熱応力に対する耐性
がさらに向上することとなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミック基
板の実施の形態を図面に基づいて説明する。
板の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２３】図１は、実施の形態に係るセラミック基板
がＰＣＢに実装された状態を示す要部の拡大断面図であ
る。
がＰＣＢに実装された状態を示す要部の拡大断面図であ
る。
【００２４】図中１はアルミナ等からなるセラミック基
板を示しており、セラミック基板１を構成するセラミッ
ク基体１０の所定箇所には垂直方向に多数（例えば７２
９本）のスルーホール（図示せず）が形成され、その一
端部がＰＣＢ２０側に露出している。
板を示しており、セラミック基板１を構成するセラミッ
ク基体１０の所定箇所には垂直方向に多数（例えば７２
９本）のスルーホール（図示せず）が形成され、その一
端部がＰＣＢ２０側に露出している。
【００２５】これら各スルーホールの他端部はセラミッ
ク基板１の半導体素子搭載面（図中上面）に形成された
表層パッド（図示せず）に電源用ベタパターン、アース
用ベタパターン、あるいは信号用配線層（いずれも図示
せず）を介して接続されている。
ク基板１の半導体素子搭載面（図中上面）に形成された
表層パッド（図示せず）に電源用ベタパターン、アース
用ベタパターン、あるいは信号用配線層（いずれも図示
せず）を介して接続されている。
【００２６】前記スルーホールの露出部はタングステン
（Ｗ）等からなる表層パッド１１に接続され、各表層パ
ッド１１の周縁部はアルミナコーティング層１６により
被覆され、表層パッド１１のセラミック基体１０からの
剥れが防止されている。表層パッド１１は平面視長円形
状（楕円形状を含む）をしており、表層パッド１１のア
ルミナコーティング層１６からの開口部１１ａも、表層
パッド１１と類似の平面視長円形状をしている。開口部
１１ａ上には高融点はんだ層１３が形成され、高融点は
んだ層１３上には共晶はんだ１４を介して高融点のはん
だボールあるいは銅（Ｃｕ）等の金属からなる高融点ボ
ール１２が固着されている。
（Ｗ）等からなる表層パッド１１に接続され、各表層パ
ッド１１の周縁部はアルミナコーティング層１６により
被覆され、表層パッド１１のセラミック基体１０からの
剥れが防止されている。表層パッド１１は平面視長円形
状（楕円形状を含む）をしており、表層パッド１１のア
ルミナコーティング層１６からの開口部１１ａも、表層
パッド１１と類似の平面視長円形状をしている。開口部
１１ａ上には高融点はんだ層１３が形成され、高融点は
んだ層１３上には共晶はんだ１４を介して高融点のはん
だボールあるいは銅（Ｃｕ）等の金属からなる高融点ボ
ール１２が固着されている。
【００２７】高融点はんだ層１３の平面視形状は開口部
１１ａの平面視形状と同様に長円形状をしており（図
２）、また高融点はんだ層１３の高さはセラミック基板
１とＰＣＢ２０との距離を大きく確保する意味からある
程度高い方が良く、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度に設
定される。また高融点はんだ層１３の大きさは長軸方向
長さが０．８〜１．５ｍｍ、短軸方向長さが０．５〜
１．０ｍｍの範囲で設定される。
１１ａの平面視形状と同様に長円形状をしており（図
２）、また高融点はんだ層１３の高さはセラミック基板
１とＰＣＢ２０との距離を大きく確保する意味からある
程度高い方が良く、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度に設
定される。また高融点はんだ層１３の大きさは長軸方向
長さが０．８〜１．５ｍｍ、短軸方向長さが０．５〜
１．０ｍｍの範囲で設定される。
【００２８】高融点ボール１２の径は高融点はんだ層１
３の長軸方向長さと略同じ大きさに設定される。
３の長軸方向長さと略同じ大きさに設定される。
【００２９】ＰＣＢ２０側の表層パッド（Ｐ）１９は平
面視円形状をしており、高融点ボール１２との間には共
晶はんだ（Ｐ）１８が存在している。
面視円形状をしており、高融点ボール１２との間には共
晶はんだ（Ｐ）１８が存在している。
【００３０】セラミック基板１をＰＣＢ２０へ実装する
場合、ＰＣＢ２０の表層パッド（Ｐ）１９上に共晶はん
だ層を印刷により形成しておき、セラミック基板１側の
バンプ電極２５と表層パッド（Ｐ）１９とを位置合わせ
した後、治具を用いてセラミック基板１とＰＣＢ２０と
を仮固定させた状態でリフロー処理を施す。
場合、ＰＣＢ２０の表層パッド（Ｐ）１９上に共晶はん
だ層を印刷により形成しておき、セラミック基板１側の
バンプ電極２５と表層パッド（Ｐ）１９とを位置合わせ
した後、治具を用いてセラミック基板１とＰＣＢ２０と
を仮固定させた状態でリフロー処理を施す。
【００３１】図１に示した状態でセラミック基板１に熱
サイクル試験を施しても、高融点はんだ層１３は十分大
きな熱応力耐性を有し、高融点はんだ層１３は表層パッ
ド１１から容易には剥れない。
サイクル試験を施しても、高融点はんだ層１３は十分大
きな熱応力耐性を有し、高融点はんだ層１３は表層パッ
ド１１から容易には剥れない。
【００３２】上記実施の形態では表層パッド１１の平面
視形状を長円形状としたが、表層パッド１１の平面視形
状は別の実施の形態では円形状であっても差し支えな
い。その場合表層パッド１１の径は高融点はんだ層１３
の長軸長さと同じ位ある方が望ましい。
視形状を長円形状としたが、表層パッド１１の平面視形
状は別の実施の形態では円形状であっても差し支えな
い。その場合表層パッド１１の径は高融点はんだ層１３
の長軸長さと同じ位ある方が望ましい。
【００３３】また、別の実施の形態では、図３に示した
ように長円形状をした高融点はんだ層１３がセラミック
基板１の４隅に４個ずつ配置されていてもよい。
ように長円形状をした高融点はんだ層１３がセラミック
基板１の４隅に４個ずつ配置されていてもよい。
【００３４】かかる構成のセラミック基板１の方が製作
が容易であり、特に大きな熱応力が作用する４隅部分の
みの補強であってもかなり効果を発揮させることができ
る。
が容易であり、特に大きな熱応力が作用する４隅部分の
みの補強であってもかなり効果を発揮させることができ
る。
【００３５】また、さらに別の実施の形態では、図４に
示したように長円形状をした高融点はんだ層１３がセラ
ミック基板１の外周部に近い部分にのみ配置されていて
もよい。
示したように長円形状をした高融点はんだ層１３がセラ
ミック基板１の外周部に近い部分にのみ配置されていて
もよい。
【００３６】かかる構成でも十分大きな補強効果を得る
ことができる。
ことができる。
【００３７】また、さらに別の実施の形態では、図５に
示したように高融点はんだ層１３の平面視形状にあわせ
て長球形状をした高融点ボール２２が配置されている。
示したように高融点はんだ層１３の平面視形状にあわせ
て長球形状をした高融点ボール２２が配置されている。
【００３８】かかる構成とすることにより、さらにバン
プ電極３５の熱応力耐性を高めることができる。
プ電極３５の熱応力耐性を高めることができる。
【００３９】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るセラミック基
板の実施例及び比較例を説明する。
板の実施例及び比較例を説明する。
【００４０】＜実施例１＞ セラミック基板１の形成材料：アルミナ セラミック基板１の外形寸法：３５ｍｍ×３５ｍｍ×１ｍｍ 表層パッド１１の形成材料：タングステン（Ｗ） 形状 ：長円形状 寸法 ：０．８ｍｍ×１．０ｍｍ×２０μｍ 開口部１１ａの形状 ：長円形状 寸法 ：０．６ｍｍ×０．８ｍｍ 開口部１１ａにはＮｉ及びＡｕめっき処理を施しておいた 高融点はんだ層１３の形成材料 ：９５Ｐｂ−５Ｓｎ 形状 ：平面視長円形状 寸法 ：０．６ｍｍ×０．８ｍｍ 中心ピッチ：１．２７ｍｍ 個数 ：７２９ 形成方法 ：ペースト印刷後リフロー処理 高融点ボール１２の形成材料：９５Ｐｂ−５Ｓｎ 形状 ：球 寸法 ：０．８ｍｍ 形成方法：共晶はんだ１４ペーストを高融点はんだ層１ ３上に塗布し、治具を用いて共晶はんだ１４ ペースト上に仮置きした後リフロー処理を施 して形成した。
【００４１】＜実施例２＞セラミック基板１の４隅にお
ける各４個、合計１６個の表層パッド１１、開口部１１
ａ、高融点はんだ層１３の形状のみを長円形状（寸法は
実施例１の場合と同じ）とした他は、従来のものと同様
に円形状とした。
ける各４個、合計１６個の表層パッド１１、開口部１１
ａ、高融点はんだ層１３の形状のみを長円形状（寸法は
実施例１の場合と同じ）とした他は、従来のものと同様
に円形状とした。
【００４２】 円形状の表層パッド１１の寸法 ：０．８ｍｍ 円形状の開口部１１ａの寸法 ：０．６ｍｍ 円形状の高融点はんだ層１３の寸法：０．６ｍｍ 円形状の高融点ボール１２の寸法 ：０．８ｍｍ ＜実施例３＞セラミック基板１の外周部（中心側を円形
状（径３０ｍｍ）に残す部分）のみにおける合計２５６
個の表層パッド１１、開口部１１ａ、高融点はんだ層１
３の形状のみを長円形状（寸法は実施例１の場合と同
じ）とした他は、従来のものと同様に円形状とした。
状（径３０ｍｍ）に残す部分）のみにおける合計２５６
個の表層パッド１１、開口部１１ａ、高融点はんだ層１
３の形状のみを長円形状（寸法は実施例１の場合と同
じ）とした他は、従来のものと同様に円形状とした。
【００４３】＜実施例４〜６＞長円形状の高融点はんだ
層１３に対応させて高融点ボール１２の形状をラグビー
ボール形状とした他は、実施例１〜３と同様の構成とし
た。
層１３に対応させて高融点ボール１２の形状をラグビー
ボール形状とした他は、実施例１〜３と同様の構成とし
た。
【００４４】＜比較例＞表層パッド１１、開口部１１
ａ、高融点はんだ層１３、高融点ボール１２のすべてが
円形状であるものを比較例とした。
ａ、高融点はんだ層１３、高融点ボール１２のすべてが
円形状であるものを比較例とした。
【００４５】各寸法は実施例２の場合の円形状のものと
同じ ＜評価＞ＰＣＢ２０にそれぞれの実施例及び比較例に係
るセラミック基板を各１０個ずつ実装し、セラミック基
板とＰＣＢ２０間でデージーチェーンを形成し、−４０
℃〜１２５℃の温度サイクル試験を行った。
同じ ＜評価＞ＰＣＢ２０にそれぞれの実施例及び比較例に係
るセラミック基板を各１０個ずつ実装し、セラミック基
板とＰＣＢ２０間でデージーチェーンを形成し、−４０
℃〜１２５℃の温度サイクル試験を行った。
【００４６】この時、デージーチェーンの抵抗を測定す
るために、デージーチェーン両端のＰＣＢ側の表層パッ
ドにリード線をはんだ付けし、この間の抵抗を連続的に
測定した。
るために、デージーチェーン両端のＰＣＢ側の表層パッ
ドにリード線をはんだ付けし、この間の抵抗を連続的に
測定した。
【００４７】抵抗値が初期値の２倍になった時点をバン
プ電極の損傷とした。
プ電極の損傷とした。
【００４８】
【図１】本発明の実施の形態に係るセラミック基板をプ
リント配線基板に実装した状態を示す要部の部分拡大断
面図である。
リント配線基板に実装した状態を示す要部の部分拡大断
面図である。
【図２】高融点はんだ層の平面形状及び配置状態を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】別の実施の形態における高融点はんだ層の平面
形状及び配置状態を示す平面図である。
形状及び配置状態を示す平面図である。
【図４】さらに別の実施の形態における高融点はんだ層
の平面形状及び配置状態を示す平面図である。
の平面形状及び配置状態を示す平面図である。
【図５】さらに別の実施の形態における要部の部分拡大
断面図である。
断面図である。
【図６】従来のセラミック基板をプリント配線基板に実
装した状態を示す要部の部分拡大断面図である。
装した状態を示す要部の部分拡大断面図である。
１ セラミック基板 １０ セラミック基体 １１ 表層パッド １１ａ 開口部 １２、２２ 高融点ボール １３ 高融点はんだ層 １４ 共晶はんだ １５、２５、３５ バンプ電極 １６ アルミナコーティング層 ２０ ＰＣＢ（プリント配線基板）
Claims (4)
- 【請求項１】 プリント配線基板への接続端子として表
層パッド、高融点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボー
ルからなるバンプ電極が形成されたセラミック基板であ
って、複数個の前記高融点はんだ層の平面視形状が長円
形状（楕円形状を含む）をし、かつ長円形状をした前記
高融点はんだ層の長手方向がその一群の中心を基点とし
た放射状方向に則していることを特徴とするセラミック
基板。 - 【請求項２】 プリント配線基板への接続端子として表
層パッド、高融点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボー
ルからなるバンプ電極が形成されたセラミック基板であ
って、角部に形成される前記高融点はんだ層の平面視形
状が長円形状（楕円形状を含む）をし、かつ長円形状を
した前記高融点はんだ層の長手方向がその一群の中心を
基点とした放射状方向に則していることを特徴とするセ
ラミック基板。 - 【請求項３】 プリント配線基板への接続端子として表
層パッド、高融点はんだ層、共晶はんだ及び高融点ボー
ルからなるバンプ電極が形成されたセラミック基板であ
って、外周部に形成される前記高融点はんだ層の平面視
形状が長円形状（楕円形状を含む）をし、かつ長円形状
をした前記高融点はんだ層の長手方向がその一群の中心
を基点とした放射状方向に則していることを特徴とする
セラミック基板。 - 【請求項４】 前記高融点ボールの形状が前記高融点は
んだ層の形状に則して、長球形状（ラグビーボール形状
を含む）をしていることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかの項に記載のセラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7644096A JPH09270477A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7644096A JPH09270477A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | セラミック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270477A true JPH09270477A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13605220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7644096A Pending JPH09270477A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270477A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100283252B1 (ko) * | 1997-11-28 | 2001-06-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 볼그리드어레이반도체패키지 |
| EP1039527A3 (en) * | 1999-03-24 | 2002-03-06 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Semiconductor device mounting structure |
| JP2004022893A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| US20100159645A1 (en) * | 1998-09-01 | 2010-06-24 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus and process of production thereof |
| CN106971945A (zh) * | 2016-01-14 | 2017-07-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 |
| WO2023170818A1 (ja) * | 2022-03-09 | 2023-09-14 | 日本電信電話株式会社 | Ｂｇａ高周波モジュール、ｂｇａ高周波モジュール用基板、および光通信モジュール |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP7644096A patent/JPH09270477A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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