WO2023145926A1 - 半導体加工用粘着テープ - Google Patents

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WO2023145926A1
WO2023145926A1 PCT/JP2023/002811 JP2023002811W WO2023145926A1 WO 2023145926 A1 WO2023145926 A1 WO 2023145926A1 JP 2023002811 W JP2023002811 W JP 2023002811W WO 2023145926 A1 WO2023145926 A1 WO 2023145926A1
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WO
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semiconductor processing
adhesive tape
adhesive
adhesive layer
energy ray
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Application number
PCT/JP2023/002811
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English (en)
French (fr)
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由夏 村上
寛明 内田
渉 降旗
Original Assignee
大日本印刷株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Definitions

  • This disclosure relates to an adhesive tape for semiconductor processing.
  • adhesive tapes for semiconductor processing such as dicing tapes and back grind tapes are used to secure and protect parts.
  • Adhesive tape for semiconductor processing is required to be able to fix parts with sufficient adhesive strength during the processing process, and to be able to be easily peeled off without damaging the parts after the processing process.
  • energy ray-curable adhesive tapes have been actively developed (for example, Patent Documents 1 to 3).
  • Energy ray-curable adhesive tapes can be reduced in adhesive force by curing the adhesive layer with energy ray irradiation. It is possible to achieve both
  • the adhesive tape for semiconductor processing is attached to the adherend during the processing process, the adhesive tape for semiconductor processing and the adherend are in contact for a long time. Therefore, the components contained in the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing may migrate to the surface of the adherend, thereby contaminating the adherend. If the surface of the adherend is contaminated, it may cause poor adhesion or peeling in the subsequent steps of the semiconductor manufacturing process, such as the wiring process and the encapsulation process, resulting in a decrease in semiconductor performance and reliability. There's a problem.
  • the present disclosure has been made in view of the above circumstances, and the main purpose thereof is to provide a low-contamination adhesive tape for semiconductor processing.
  • the inventors of the present disclosure made intensive studies to solve the above problems, and as a result, obtained the following knowledge.
  • Contamination of the adherend by the adhesive tape for semiconductor processing is a change in the surface state of the adherend.
  • the inventors of the present disclosure have extensively studied methods for evaluating the surface state of an adherend, and focused on the color of the surface of the adherend. Furthermore, in semiconductors, as copper wiring is widely used with miniaturization and speeding up, attention was paid to copper foil as an adherend.
  • the change in the surface state of the copper foil as the adherend can be evaluated by the color difference ⁇ E * ab of the adherend surface of the copper foil before and after the adhesive tape for semiconductor processing is laminated and after the peeling, and furthermore, the color difference ⁇ E * ab was found to be suitable for evaluation of contamination of an adherend by an adhesive tape for semiconductor processing.
  • the present disclosure is based on such findings.
  • One embodiment of the present disclosure is a semiconductor processing adhesive tape having a substrate and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the substrate, wherein L Provided is an adhesive tape for semiconductor processing having a color difference ⁇ E * ab of 2.0 or less in a * a * b * color system.
  • the adhesive tape for semiconductor processing according to the present disclosure has the effect of being able to suppress contamination of adherends.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an adhesive tape for semiconductor processing in the present disclosure
  • FIG. It is process drawing which illustrates the manufacturing method of a semiconductor. It is process drawing which illustrates the manufacturing method of a semiconductor.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure has a substrate and an energy ray-curable adhesive layer disposed on one surface of the substrate, and has L * a * b * determined by the following test.
  • the color difference ⁇ E * ab in the color system is 2.0 or less.
  • (1) The surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to a copper foil to prepare a laminate.
  • the laminate is stored for 6 days in an environment where the temperature is 25° C. ⁇ 5° C., the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the laminate is irradiated with energy rays to cure the adhesive layer.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure.
  • a semiconductor processing adhesive tape 10 shown in FIG. In the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing 10, the color difference ⁇ E * ab determined by the test is equal to or less than a predetermined value.
  • the color difference ⁇ E * ab between the adhesion surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adhesion surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing, which is obtained by the above test. is less than or equal to a predetermined value. This indicates that there is little change in the surface condition of the adherend surface of the copper foil between before lamination and after peeling of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing.
  • the following three factors that change the surface condition of the copper foil There are, for example, the following three factors that change the surface condition of the copper foil.
  • the first is that adhesive residue is left when the adhesive tape for semiconductor processing is peeled off.
  • the second is that the components contained in the adhesive tape for semiconductor processing, especially the low-molecular-weight components migrate to the surface of the copper foil.
  • the third is that the components contained in the adhesive tape for semiconductor processing react with copper.
  • the color difference ⁇ E * ab when the color difference ⁇ E * ab is equal to or less than a predetermined value, it can be said that migration of components contained in the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing to the surface of the adherend can be suppressed. Moreover, it can be said that it can suppress that the component and copper which are contained in the adhesive tape for semiconductor processing react. Therefore, contamination of the adherend can be suppressed. Furthermore, it can be said that the adhesive residue on the adherend can be suppressed when the adhesive tape for semiconductor processing is peeled off. Therefore, it is possible to improve the performance and reliability of semiconductors.
  • Patent Document 1 discloses evaluating contamination of adherends by organic substances contained in the adhesive tape for semiconductor processing based on the water contact angle on the surface of the silicon wafer after the adhesive tape for semiconductor processing has been peeled off. ing.
  • the factors that change the surface condition of the adherend are not limited to the migration of the organic substances contained in the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing to the surface of the adherend.
  • the surface condition of the copper foil changes due to any of the above factors, it is considered to appear as a color difference. Therefore, in the present disclosure, by adopting the color difference ⁇ E * ab , the surface state of the adherend can be accurately evaluated, and further, the contamination of the adherend by the adhesive tape for semiconductor processing can be suitably evaluated. It is possible.
  • the color difference ⁇ E * ab in the L * a * b * color system obtained by the following test is 2.0 or less, preferably 1. 0.8 or less, more preferably 1.5 or less.
  • the color difference ⁇ E * ab is preferably small, and the lower limit is not particularly limited.
  • Test It has the following steps (1) to (5) in order.
  • (1) The surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to a copper foil to prepare a laminate.
  • the laminate is stored for 6 days in an environment where the temperature is 25° C. ⁇ 5° C., the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked.
  • (3) The adhesive tape for semiconductor processing of the laminate is irradiated with energy rays to cure the adhesive layer.
  • the adhesive tape for semiconductor processing is cut into a size of 40 mm or more in width and 100 mm or more in length.
  • a 35 ⁇ m-thick rolled copper foil “RCF-T5B” manufactured by Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd. is used as the copper foil.
  • the shiny surface of the rolled copper foil is wiped with isopropyl alcohol (IPA) and dried thoroughly.
  • IPA isopropyl alcohol
  • the humidity is 40% RH or more and 60% RH or less, and the energy rays are blocked, the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is placed on the glossy surface of the rolled copper foil, 2 kg Lamination is performed by reciprocating the roller twice. Moreover, at this time, if the adhesive tape for semiconductor processing has a separator, the separator may be peeled off to expose the adhesive layer.
  • the adhesive tape for semiconductor processing and the adherend are in contact for a long time. Therefore, in the above step (1), the storage conditions are set to standard temperature and humidity, and the storage period is set to be slightly longer.
  • the energy ray to be blocked is an energy ray capable of curing the energy ray-curable adhesive layer, and is appropriately selected according to the type of the adhesive layer. Energy rays will be described later.
  • the energy ray to be irradiated is an energy ray capable of curing the energy ray-curable adhesive layer, and is appropriately selected according to the type of the adhesive layer.
  • the energy ray irradiation conditions e.g., wavelength, integrated light intensity, etc.
  • Specific energy ray irradiation conditions include conditions under which ultraviolet rays with a wavelength of 400 nm or less, particularly ultraviolet rays with a wavelength of 365 nm are irradiated with an accumulated light amount of 200 mJ/cm 2 or more.
  • step (4) when peeling the adhesive tape for semiconductor processing from the laminate, it is preferable to set the peeling speed to about 100 mm/min or more and 1000 mm/min or less, for example.
  • the L * a * b * color system is a color system defined by the International Commission on Illumination (CIE) in 1976 and also defined in JIS Z8781-4.
  • ⁇ a * is the chromaticity a * of the copper foil adherend surface before lamination of the semiconductor processing adhesive tape, and the copper foil adherend surface after peeling of the semiconductor processing adhesive tape.
  • ⁇ b * is the difference between the chromaticity b * of the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the chromaticity b * of the copper foil after peeling the adhesive tape for semiconductor processing. It is the difference from the chromaticity b * of the adherend surface of the foil.
  • the lightness L * , chromaticity a * , and b * of the surface to be adhered of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the surface to be adhered of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing are in accordance with JIS Z8722. and can be measured using a spectrophotometer.
  • the measurement conditions are D65 light source, 10° field of view, and reflection measurement.
  • the spectrophotometer for example, a device capable of reflection measurement such as "Spectrophotometer SE6000" manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. can be used.
  • step (5) when measuring the lightness L * , chromaticity a * , and b * of the adherend surface of the copper foil after bonding the adhesive tape for semiconductor processing, the adhesive tape for semiconductor processing was measured from the laminate. After peeling off the tape, the measurement is performed as it is. On the other hand, when measuring the lightness L * , chromaticity a * , and b * of the surface to be adhered of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing, the surface to be adhered of the copper foil was wiped with isopropyl alcohol and thoroughly Measurements are taken after drying.
  • the adhesive force of the energy ray-curable adhesive layer is reduced by being cured by the irradiation of the energy ray.
  • the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is attached to the glossy surface of the rolled copper foil, not to the rough surface of the rolled copper foil. Therefore, the adhesive tape for semiconductor processing can be easily peeled off from the laminate. Therefore, it is considered that the peeling of the adhesive tape for semiconductor processing hardly deforms the copper foil. Therefore, the above-mentioned color difference ⁇ E * ab captures changes in the surface state of the copper foil due to the adhesive tape for semiconductor processing, and is not due to deformation of the copper foil.
  • the copper foil may be fixed in advance to a rigid substrate such as a SUS plate or glass plate with double-sided tape or the like before use.
  • Means for controlling the color difference ⁇ E * ab include, for example, a method of adjusting the composition of the substrate, a method of adjusting the method of forming the substrate, a method of adjusting the composition of the adhesive layer, and adjusting the degree of cross-linking of the adhesive. method, a method of arranging a primer layer between the substrate and the adhesive layer, and the like.
  • Methods for adjusting the composition of the substrate include, for example, methods for adjusting the content and molecular weight of additives. For example, by reducing the content of the additive, it is possible to suppress migration of components contained in the base material to the surface of the adherend via the adhesive layer, and as a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced. can be made smaller. Further, for example, by increasing the molecular weight of the additive, it is possible to suppress the migration of components contained in the base material to the surface of the adherend via the adhesive layer, resulting in the color difference ⁇ E * ab can be made smaller. Specifically, by using a polymer-type additive, it is possible to suppress migration of components contained in the base material to the surface of the adherend via the adhesive layer.
  • a method of adjusting the method of forming the base material for example, there is a method of sufficiently melting the resin composition when the resin composition is melted and molded.
  • the dispersibility of the additive contained in the resin composition is improved, so that the additive is stably present in the base material. This makes it possible to suppress migration of components contained in the base material to the surface of the adherend via the adhesive layer, and as a result, it is possible to reduce the color difference ⁇ E * ab .
  • Methods for adjusting the composition of the adhesive layer include, for example, a method of adjusting the molecular weight of the adhesive main agent and additives, a method of adjusting the glass transition temperature of the adhesive main agent and additives, and a method of adjusting the compatibility of the adhesive main agent and additives. method, a method of adding a cross-linking agent, and a method of adjusting the type and number of functional groups of the adhesive main agent and the energy ray-curable compound.
  • the method of adjusting the molecular weight of the adhesive main agent by increasing the molecular weight of the adhesive main agent, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend.
  • the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • the method of adjusting the molecular weight of the additive by increasing the molecular weight of the additive, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend, resulting in , the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • a polymer type additive or by using an additive that can be crosslinked it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend. can.
  • the glass transition temperature of the adhesive main agent by increasing the glass transition temperature of the adhesive main agent, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend. As a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced. Further, for example, in the method of adjusting the glass transition temperature of the additive, by increasing the glass transition temperature of the additive, it is possible to suppress the migration of the components contained in the adhesive layer to the surface of the adherend. As a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • the compatibility of the main adhesive agent and additives by increasing the compatibility of the main adhesive agent and additives, the components contained in the adhesive layer are suppressed from migrating to the surface of the adherend. As a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • the compatibility of the main adhesive and additives can be adjusted by adjusting the polarity, molecular weight, composition ratio, mixing method, and the like of the main adhesive and additives.
  • the reaction between the functional group of the main adhesive agent and the cross-linking agent can reduce the unreacted functional groups that have not reacted with the cross-linking agent. Reaction with groups can be suppressed. As a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • the cohesive force is increased, so that the components contained in the adhesive layer can be suppressed from migrating to the surface of the adherend, and as a result, the color difference ⁇ E * ab can be made smaller.
  • the functional group that can react with the cross-linking agent is a functional group that is difficult to react with copper, so that the unreacted non-reacted with the cross-linking agent Even if the functional group remains, the reaction between copper and the functional group can be suppressed, and as a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • the energy ray-curable functional group or the functional group that can react with the cross-linking agent is a functional group that does not readily react with copper. Reaction between copper and functional groups can be suppressed, and as a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • the energy ray-curable functional group and the functional group capable of reacting with the cross-linking agent are reduced in the number of functional groups, so that copper and the functional group can suppress the reaction with As a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • the primer layer can suppress the migration of components contained in the substrate to the surface of the adherend via the adhesive layer, As a result, the color difference ⁇ E * ab can be reduced.
  • the adhesive strength to the SUS plate before energy beam irradiation is, for example, preferably 1 N/25 mm or more, more preferably 3 N/25 mm or more, and 5 N/ More preferably, it is 25 mm or more.
  • the adherend can be sufficiently fixed to the adhesive tape for semiconductor processing until the energy beam is irradiated.
  • the upper limit of the adhesive strength to the SUS plate is not particularly limited.
  • the adhesive force to the SUS plate is measured by JIS Z0237: 2009 (adhesive tape/adhesive sheet test method) test method method 1 (temperature 23 ° C humidity 50% RH, tape and sheet at 180 ° to the stainless steel test plate peeling off test method), and peeled off in the longitudinal direction of the test piece under conditions of a width of 25 mm, a peeling angle of 180°, and a peeling speed of 300 mm/min.
  • a SUS plate of SUS304, surface finish BA, thickness 1.5 mm, width 100 mm, and length 150 mm can be used as the SUS plate.
  • the adhesive strength to the SUS plate after irradiation with the energy beam is, for example, preferably 2 N/25 mm or less, more preferably 1 N/25 mm or less.
  • the adherend can be easily peeled off from the adhesive tape for semiconductor processing after irradiation with energy rays.
  • the lower limit of the adhesive strength to the SUS plate after the energy beam irradiation is not particularly limited, but can be, for example, 0.01 N/25 mm or more.
  • the adhesive strength to the SUS plate after energy beam irradiation can be measured by the following method.
  • the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor processing is irradiated with energy rays to be cured.
  • the energy beam can be irradiated from the substrate side surface of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing.
  • test method method 1 temperature 23 ° C humidity 50% RH, tape and sheet are peeled off at 180 ° against a stainless steel test plate.
  • the adhesive layer in the present disclosure is a member that is arranged on one surface of the substrate and has energy ray curability.
  • the energy ray-curable adhesive layer is cured by irradiation with an energy ray, thereby reducing its adhesive strength.
  • the energy ray-curable adhesive layer can fix the adherend by its initial adhesive strength.
  • the adhesive strength is reduced and the releasability is improved, so that the adherend can be detached or transferred.
  • Examples of energy rays include light rays such as far ultraviolet rays, ultraviolet rays, near ultraviolet rays, infrared rays, electromagnetic waves such as X-rays and gamma rays, as well as electron beams, proton rays, neutron rays, and the like. Among them, from the viewpoint of versatility, ultraviolet rays and electron beams are preferred, and ultraviolet rays are more preferred.
  • the adhesive layer is not particularly limited as long as it satisfies the above adhesive strength, and can contain, for example, at least a resin (adhesive main agent) and an energy ray-curable compound.
  • the adhesive layer contains an energy ray-curable compound, the energy ray-curable compound can be cured by irradiation with energy rays, thereby reducing the adhesive force, and at this time, the cohesive force increases, so the peeling becomes easier.
  • Resin (base adhesive) examples of the resin (adhesive main agent) include resins generally used as main agents for adhesives, such as acrylic resins, polyester resins, polyimide resins, and silicone resins. Among them, acrylic resins are preferable. By using an acrylic resin, adhesive residue on the adherend can be reduced.
  • the adhesive layer preferably contains at least an acrylic resin, an energy ray-curable compound, and a cross-linking agent.
  • the acrylic resin usually exists as a crosslinked product obtained by cross-linking the acrylic resins with a crosslinking agent, but the acrylic resin alone may be contained together with the crosslinked product.
  • the acrylic resin is not particularly limited, and for example, a (meth)acrylic acid ester polymer obtained by homopolymerizing a (meth)acrylic acid ester, a (meth)acrylic acid ester as a main component, and a (meth)acrylic acid ester (Meth)acrylic acid ester copolymers obtained by copolymerizing with other monomers can be mentioned. Among them, (meth)acrylic acid ester copolymers are preferred. Specific examples of (meth)acrylic acid esters and other monomers include those disclosed in JP-A-2012-31316. Other monomers can be used alone or in combination of two or more.
  • the acrylic resin is a (meth)acrylic acid ester copolymer obtained by copolymerizing a (meth)acrylic acid ester as a main component and a copolymerizable hydroxyl group-containing monomer with the above (meth)acrylic acid ester.
  • the (meth) acrylic acid ester copolymer obtained by copolymerization with the hydroxyl group-containing monomer and carboxyl group-containing monomer copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester It can be used preferably.
  • (meth)acrylic acid refers to at least one of acrylic acid and methacrylic acid.
  • the copolymerizable hydroxyl group-containing monomers and carboxyl group-containing monomers are not particularly limited, and for example, hydroxyl group-containing monomers and carboxyl group-containing monomers disclosed in JP-A-2012-31316 are used.
  • the ⁇ E * ab can be controlled by adjusting the molecular weight of the acrylic resin. Specifically, as described above, ⁇ E * ab can be reduced by increasing the molecular weight of the acrylic resin.
  • the weight average molecular weight of the acrylic resin is, for example, preferably 100,000 or more and 2,000,000 or less, more preferably 200,000 or more and 1,000,000 or less. By setting the weight-average molecular weight of the acrylic resin within the above range, it is possible to reduce adhesive residue and contamination on the adherend.
  • the weight average molecular weight is a value converted to polystyrene when measured by gel permeation chromatography (GPC).
  • the weight average molecular weight is, for example, HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation as a measuring device, TSKGEL-SUPERMULTIPORE-HZ-M manufactured by Tosoh Corporation as a column, THF as a solvent, and molecular weights of 1050 and 5970 as standards. It can be measured by using standard polystyrene of 18100, 37900, 96400, 706000.
  • ⁇ E * ab can be controlled by adjusting the glass transition temperature of the acrylic resin. Specifically, as described above, ⁇ E * ab can be reduced by increasing the glass transition temperature of the acrylic resin. The glass transition temperature of the acrylic resin is appropriately adjusted.
  • the acrylic resin may have energy ray-curable properties, and may have, for example, an energy ray-curable functional group in its side chain.
  • the energy ray-curable functional group preferably has, for example, an ethylenically unsaturated bond, and specific examples thereof include (meth)acryloyl groups, vinyl groups, and allyl groups.
  • the energy ray-curable compound is not particularly limited as long as it polymerizes upon exposure to energy rays, and examples thereof include compounds having an energy ray-curable functional group.
  • Examples of energy ray-curable compounds include energy ray-curable monomers, energy ray-curable oligomers, and energy ray-curable polymers.
  • the energy ray-curable polymer is a polymer different from the resin (main adhesive agent) described above.
  • energy ray-curable oligomers are preferable from the viewpoint of the balance of adhesive strength before and after energy ray irradiation.
  • an energy ray-curable monomer, an energy ray-curable oligomer, and an energy ray-curable polymer may be used in combination.
  • the adhesive layer is cured by three-dimensional cross-linking when irradiated with an energy ray to reduce the adhesive force and increase the cohesive force. can be prevented from being transferred to the adherend side.
  • energy ray-curable compounds include radically polymerizable compounds, cationic polymerizable compounds, and anionically polymerizable compounds.
  • radically polymerizable compounds are preferred. It has a high curing speed, can be selected from a wide variety of compounds, and can easily control physical properties such as adhesive strength before and after energy ray irradiation.
  • the number of energy ray-curable functional groups is preferably 2 or more per molecule, more preferably 3 or more per molecule, and 4 per molecule. More preferably, it is more than 5, and it is particularly preferable that it is 5 or more in one molecule.
  • the number of energy ray-curable functional groups is within the above range, the crosslink density of the pressure-sensitive adhesive layer after energy ray irradiation is sufficient, and desired peelability can be achieved. In addition, it is possible to suppress the occurrence of contamination and adhesive residue due to a decrease in cohesive force.
  • the upper limit of the number of energy ray-curable functional groups is not particularly limited.
  • the energy ray-curable compound may further have a functional group capable of reacting with the cross-linking agent.
  • functional groups include hydroxyl groups and carboxyl groups.
  • the energy ray-curable compound reacts with the cross-linking agent and cross-links with the resin (adhesive main agent), thereby further suppressing the occurrence of contamination and adhesive residue.
  • the energy ray-curable compound is preferably a radically polymerizable oligomer, more preferably a radically polymerizable polyfunctional oligomer.
  • Radically polymerizable oligomers include, for example, those disclosed in JP-A-2012-31316.
  • Radically polymerizable oligomers and radically polymerizable monomers may be used as the energy ray-curable compound, and among others, radically polymerizable polyfunctional oligomers and radically polymerizable polyfunctional monomers may be used.
  • radically polymerizable monomer examples include those disclosed in JP-A-2010-173091.
  • energy ray-curable compounds examples include (meth)acrylate-based monomers, (meth)acrylate-based oligomers, and (meth)acrylate-based polymers.
  • the energy ray-curable compound for example, urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, etc. can also be used.
  • the energy ray-curable compound may be used alone or in combination of two or more.
  • the weight average molecular weight of the energy ray-curable compound is not particularly limited, for example, it is preferably 30,000 or less, more preferably 10,000 or less, and even more preferably 8,000 or less. If the weight-average molecular weight of the energy ray-curable compound is within the above range, it exhibits sufficient compatibility with the acrylic resin (adhesive main agent), and the adhesive layer exhibits the desired adhesive strength before irradiation with the energy ray. After irradiation, the generation of adhesive residue is suppressed, and the film can be easily peeled off.
  • the weight average molecular weight of the energy ray-curable resin composition can be, for example, 100 or more.
  • the content of the energy ray-curable compound is, for example, preferably 5 parts by mass or more and 150 parts by mass or less, and preferably 20 parts by mass or more and 150 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin (adhesive main agent). More preferably, it is 30 parts by mass or more and 100 parts by mass or less.
  • the content of the energy ray-curable compound is within the above range, the crosslink density of the adhesive layer after energy ray irradiation is sufficient, and desired peelability can be achieved. In addition, it is possible to suppress the occurrence of contamination and adhesive residue due to a decrease in cohesive force.
  • the adhesive layer can contain a polymerization initiator in addition to the resin (main adhesive) and the energy ray-curable compound.
  • a general photopolymerization initiator can be used as the polymerization initiator.
  • Specific examples include acetophenones, benzophenones, ⁇ -hydroxyketones, benzyl methyl ketals, ⁇ -aminoketones, and bisacylphosphine oxides.
  • the polymerization initiator is preferably a bisacylphosphine-based polymerization initiator. Since this polymerization initiator has heat resistance, when the adhesive composition is applied to the substrate and the energy beam is irradiated, even if the energy beam is irradiated through the substrate, the energy beam can be reliably Curable compounds can be cured.
  • the polymerization initiator preferably has absorption at a wavelength of 230 nm or more, and preferably has absorption at a wavelength of 300 nm or more and 400 nm or less.
  • a polymerization initiator can absorb wide energy rays with a wavelength of 300 nm or more and efficiently generate active species that induce polymerization reaction of the energy ray-curable compound. Therefore, the energy ray-curable compound can be efficiently cured even with a small amount of energy ray irradiation, and can be easily peeled off.
  • a resin or the like can be used as the base material, and many resins absorb energy rays with a wavelength of up to about 300 nm, but transmit energy rays with a wavelength of about 300 nm or more. Furthermore, in recent years, LED lamps with a wavelength of 300 nm or more are often used in energy beam irradiation devices. Therefore, by using a polymerization initiator having absorption at a wavelength of 230 nm or more, the energy ray-curable compound can be cured using the energy ray that has passed through the substrate.
  • the content of the polymerization initiator is, for example, preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the resin (main adhesive) and the energy ray-curable compound, and 0.3 parts by mass. Part or more and 6 parts by mass or less is more preferable. If the content of the polymerization initiator is less than the above range, the polymerization reaction of the energy ray-curable compound will not occur sufficiently, and the adhesive strength of the adhesive layer after energy ray irradiation will become excessively high, making it difficult to achieve peelability. Sometimes you can't. On the other hand, if the content of the polymerization initiator exceeds the above range, the cohesive force is lowered, which may cause contamination and adhesive residue.
  • the adhesive layer can contain a cross-linking agent in addition to the resin (main adhesive agent) and the energy ray-curable compound.
  • the cross-linking agent is not particularly limited as long as it cross-links at least between the resins (adhesive main agent), and can be appropriately selected according to the type of the resin (adhesive main agent). , epoxy-based cross-linking agents, metal chelate-based cross-linking agents, and the like. Specific examples of isocyanate-based cross-linking agents and epoxy-based cross-linking agents include those disclosed in JP-A-2012-31316. A crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • the content of the cross-linking agent can be appropriately set according to the type of the cross-linking agent. and more preferably 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less. If the content of the cross-linking agent is less than the above range, the adhesion may be poor, or cohesive failure may occur in the adhesive layer when the adherend is peeled off or transferred, resulting in adhesive residue. On the other hand, if the content of the cross-linking agent exceeds the above range, the cross-linking agent remains as an unreacted monomer in the adhesive layer after irradiation with the energy beam, causing contamination and adhesive residue due to a decrease in cohesive force. Sometimes.
  • Additives The adhesive layer may contain various additives as necessary. Additives include, for example, tackifiers, antistatic agents, plasticizers, silane coupling agents, metal chelating agents, surfactants, antioxidants, ultraviolet absorbers, colorants, preservatives, antifoaming agents, wetting agents, property modifiers, adhesion modifiers, and the like.
  • the ⁇ E * ab can be controlled by adjusting the glass transition temperature of the additive. Specifically, as described above, ⁇ E * ab can be reduced by increasing the glass transition temperature of the additive.
  • the glass transition temperature of the additive is not particularly limited. When the glass transition temperature of the additive is within the above range, the ⁇ E * ab can be easily adjusted to fall within the predetermined range.
  • the glass transition temperature of at least one additive is preferably within the above range.
  • ⁇ E * ab can be controlled by adjusting the molecular weight of the additive. Specifically, as described above, ⁇ E * ab can be reduced by increasing the molecular weight of the additive.
  • the weight average molecular weight of the additive is not particularly limited, it may be, for example, 100 or more and 200,000 or less, or 500 or more and 300,000 or less.
  • the adhesive layer may contain an adhesive force adjuster as described above.
  • adhesive strength modifiers include acrylic block copolymers and polyester resins.
  • acrylic block copolymers include Clarity series manufactured by Kuraray Co., Ltd. "LA3320 (Mw: about 115000)", etc.).
  • polyester resins include, for example, Toyobo's Vylon series (e.g., "Vylon 200 (Mn: about 17000)", “Vylon 600 (Mn: about 16000)", etc.), Unitika's Elitel series ( “Elitel UE3210 (Mw: about 20000)", “Elitel UE9200 (Mw: about 15000)", etc.).
  • ⁇ E * ab can be controlled by adjusting the content of the additive. Specifically, when the additive has a large molecular weight, the ⁇ E * ab can be reduced by reducing the content of the additive. The content of the additive is appropriately adjusted.
  • the thickness of the adhesive layer may be any thickness that provides sufficient adhesive strength and allows energy rays to penetrate to the inside, for example, 3 ⁇ m. 50 ⁇ m or more, preferably 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • a method for forming the adhesive layer for example, a method of applying an adhesive composition on a substrate, a method of applying an adhesive composition on a separator to form an adhesive layer, and a method of bonding the adhesive layer and the substrate together. is mentioned.
  • Substrate The substrate in the present disclosure is a member that supports the adhesive layer.
  • the substrate is not particularly limited, but it is preferable to reduce the adhesive strength of the adhesive layer by irradiating the adhesive layer from the substrate side of the adhesive tape for semiconductor processing to cure the adhesive layer. is preferably permeable to energy rays.
  • the Young's modulus of the substrate may be, for example, 2000 MPa or less, 1000 MPa or less, or 700 MPa or less.
  • the Young's modulus of the base material is, for example, preferably 20 MPa or higher, more preferably 30 MPa or higher, and even more preferably 40 MPa or higher.
  • the substrate is preferably expandable. If the Young's modulus of the base material is too low, the base material becomes extremely soft, which may make it difficult to spread the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing uniformly.
  • the Young's modulus of the substrate can be measured according to JIS K7127. Specific measurement conditions are shown below. ⁇ Specimen: Specimen type 5 ⁇ Distance between chucks: 60mm ⁇ Tensile speed: 100mm/min As a tensile tester, for example, "Tensilon RTF1150" manufactured by A&D Co., Ltd. can be used.
  • the material of the substrate preferably satisfies the above properties, and examples thereof include low-density polyethylene, high-density polyethylene, polypropylene, polybutene, polymethylpentene, polybutadiene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, and ethylene.
  • Olefin resins such as (meth)acrylic acid copolymers and ethylene (meth)acrylic acid ester copolymers; vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymers; polyester resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate ; urethane resin; polystyrene resin; polycarbonate resin;
  • materials for the base material include thermoplastic elastomers such as olefin elastomers, vinyl chloride elastomers, polyester elastomers, styrene elastomers, urethane elastomers, acrylic elastomers, and amide elastomers; isoprene rubber, butadiene rubber.
  • styrene-butadiene rubber styrene-butadiene rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile-butadiene rubber, butyl rubber, halogenated butyl rubber, acrylic rubber, urethane rubber, and polysulfide rubber. These may be used singly or in combination of two or more.
  • the substrate preferably contains an olefinic resin, a polyester resin, or a vinyl chloride resin. Since the vinyl chloride resin is softened by adding a plasticizer, by using a so-called soft vinyl chloride resin, it is possible to obtain a base material that does not have a yield point, as will be described later. On the other hand, unlike vinyl chloride resins, olefin resins and polyester resins do not contain a large amount of plasticizer, so the content of additives can be reduced, and the ⁇ E * ab tends to be small. .
  • vinyl chloride resins include polyvinyl chloride, chlorinated polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, chlorinated polyethylene, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-ethylene copolymer, and vinyl chloride-propylene copolymer.
  • chlorine-free resins include, for example, acrylonitrile-styrene copolymer, acrylonitrile-styrene-butadiene terpolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl (meth)acrylate copolymer, polyester etc.
  • the substrate optionally contains various additives such as plasticizers, fillers, antioxidants, light stabilizers, antistatic agents, lubricants, dispersants, flame retardants, colorants, and the like. good too.
  • ⁇ E * ab can be controlled by adjusting the molecular weight of the additive. Specifically, ⁇ E * ab can be reduced by increasing the molecular weight of the additive. The molecular weight of the additive is appropriately adjusted.
  • ⁇ E * ab can be controlled by adjusting the content of the additive. Specifically, when the additive has a small molecular weight, the ⁇ E * ab can be reduced by reducing the content of the additive. The content of the additive is appropriately adjusted. For example, when the substrate contains a vinyl chloride resin, the ⁇ E * ab can be reduced by reducing the content of the plasticizer.
  • the base material may be, for example, a single layer or multiple layers.
  • the surface of the adhesive layer side of the base material may be surface-treated in order to improve adhesion with the adhesive layer.
  • the surface treatment is not particularly limited, and examples thereof include corona treatment, plasma treatment, ozone treatment, flame treatment, primer treatment, alkali treatment and the like.
  • the thickness of the substrate is not particularly limited, and may be, for example, 20 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, may be 40 ⁇ m or more and 350 ⁇ m or less, or may be 50 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less. If the thickness of the substrate is within the above range, the substrate can be easily expanded and has sufficient strength to prevent breakage.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure can have other configurations, if necessary, in addition to the substrate and adhesive layer described above.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure may have a separator on the surface of the adhesive layer opposite to the substrate.
  • the separator can protect the adhesive layer.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure may have a primer layer between the substrate and the adhesive layer.
  • the primer layer can enhance the adhesion between the substrate and the adhesive layer.
  • the primer layer can prevent the components contained in the base material from migrating to the adherend via the adhesive layer, and as a result, the above ⁇ E * ab can be reduced.
  • a primer layer is arranged between the base material and the adhesive layer.
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present disclosure can be suitably used as an adhesive tape that temporarily fixes or protects components, such as a dicing tape or a back grind tape.
  • FIGS. 2(a) to 2(e) are process diagrams showing an example of a semiconductor manufacturing method using a semiconductor processing adhesive tape, and an example of using the semiconductor processing adhesive tape as a dicing tape.
  • a wafer 11 having a circuit formed thereon is attached to an adhesive tape 10 for semiconductor processing, and then, as shown in FIG. 2(b), the wafer 11 having a circuit formed thereon is attached.
  • a dicing process for cutting (dicing) into chips 12 is performed.
  • FIG. 2(c) an expanding step is performed in which the semiconductor processing adhesive tape 10 is stretched to widen the gap between the chips 12.
  • FIG. 2(a) an expanding step is performed in which the semiconductor processing adhesive tape 10 is stretched to widen the gap between the chips 12.
  • the energy ray-curable adhesive layer 2 of the adhesive tape 10 for semiconductor processing is irradiated with an energy ray to be cured to reduce the adhesive strength, and as shown in FIG. 12 is separated from the adhesive tape 10 for semiconductor processing, and a pick-up step of picking up the chip 12 is performed.
  • a mounting (die bonding) step is performed to bond the picked-up chip 12 to the substrate 30.
  • FIGS. 3(a) to 3(d) are process diagrams showing another example of the semiconductor manufacturing method using the semiconductor processing adhesive tape, and are an example of using the semiconductor processing adhesive tape as a dicing tape.
  • a wafer 11 having a circuit formed thereon is attached to an adhesive tape 10 for semiconductor processing, and then, as shown in FIG. A dicing process for cutting (dicing) into chips 12 is performed.
  • a transfer tape 40 is attached to the surface of the chip 12 opposite to the adhesive tape 10 for semiconductor processing. Energy rays are applied to the radiation-curable adhesive layer 2 to cure it, thereby reducing the adhesive strength, and as shown in FIG. is transferred to the transfer tape 40 .
  • Adhesive main agent A (acrylic acid ester copolymer, weight average molecular weight about 500,000, solid content 23%)
  • Adhesive main agent B (acrylic acid ester copolymer, weight average molecular weight of about 800,000, solid content of 20%)
  • ⁇ Urethane acrylate A (ultraviolet curable compound, 10-functional, molecular weight 500-1300)
  • ⁇ Urethane acrylate B (ultraviolet curable compound, 9-functional, molecular weight 4100, effective content 65%)
  • Urethane acrylate C (ultraviolet curable compound, hexafunctional, molecular weight 4200, effective content 60%)
  • Urethane acrylate D (ultraviolet curable compound, 10-functional, molecular weight 2000)
  • Pentaerythritol triacrylate (a mixture containing pentaerythritol triacrylate as a main
  • Example 1 In solid content ratio, 100 parts by mass of the adhesive main agent A, 50 parts by mass of the urethane acrylate A, 3 parts by mass of the cross-linking agent A, and 1.5 parts by mass of the polymerization initiator, a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1 : 1) was diluted to a solid content of 25% and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
  • the adhesive composition is applied so that the thickness after drying is 10 ⁇ m, and dried in an oven at 110 ° C. for 3 minutes to form an adhesive layer. formed.
  • PET polyethylene terephthalate
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 ⁇ m, and the following substrate was used. A tape was made.
  • a resin composition containing 70 parts by mass of vinyl chloride resin, 25 parts by mass of a plasticizer, and 0.3 parts by mass of nonylphenol was used to form a film by a calendering method, resulting in a poly A vinyl chloride (PVC) film was made.
  • Example 3 In the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 ⁇ m, and the following substrate was used. A tape was made.
  • Solid content ratio 100 parts by mass of main adhesive B, 75 parts by mass of urethane acrylate A, 0.35 parts by mass of cross-linking agent B, 7.5 parts by mass of polymerization initiator, and 40 parts by mass of adhesive force adjuster A , and 40 parts by mass of the adhesive strength adjusting agent B were diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) so that the solid content was 25%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition. .
  • a resin composition containing 70 parts by mass of vinyl chloride resin, 25 parts by mass of a plasticizer, and 0.3 parts by mass of nonylphenol was used as the base material, and a film was formed by a calendering method to obtain a polyimide film having a thickness of 70 ⁇ m.
  • a vinyl chloride (PVC) film was made.
  • Example 4 Same as Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was set to 30 ⁇ m and a polyethylene (PE) film ("Esmer VPM-S" manufactured by Nihon Matai Co., Ltd., thickness 100 ⁇ m) was used as the base material. Then, an adhesive tape for semiconductor processing was produced.
  • PE polyethylene
  • Example 5 Except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 ⁇ m, and the same polyvinyl chloride (PVC) film with a thickness of 90 ⁇ m as in Example 2 was used. , in the same manner as in Example 1, to prepare an adhesive tape for semiconductor processing.
  • PVC polyvinyl chloride
  • Example 6 Except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 ⁇ m, and the same polyvinyl chloride (PVC) film with a thickness of 90 ⁇ m as in Example 2 was used. , in the same manner as in Example 1, to prepare an adhesive tape for semiconductor processing.
  • PVC polyvinyl chloride
  • solid content ratio 100 parts by mass of adhesive main agent A, 75 parts by mass of pentaerythritol triacrylate, 3 parts by mass of cross-linking agent A, and 7.5 parts by mass of polymerization initiator were combined with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio: 1:1) to a solids content of 25% and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition.
  • Example 7 Except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 ⁇ m, and the same polyvinyl chloride (PVC) film with a thickness of 90 ⁇ m as in Example 2 was used. , in the same manner as in Example 1, to prepare an adhesive tape for semiconductor processing.
  • PVC polyvinyl chloride
  • solid content ratio 100 parts by mass of adhesive main agent A, 50 parts by mass of urethane acrylate D, 3 parts by mass of cross-linking agent A, and 5 parts by mass of polymerization initiator were combined with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1 ) to give a solid content of 25% and sufficiently dispersed to prepare a pressure-sensitive adhesive composition.
  • Example 8 A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the pressure-sensitive adhesive composition was prepared as follows.
  • solid content ratio 100 parts by mass of adhesive main agent A, 50 parts by mass of urethane acrylate D, 3 parts by mass of cross-linking agent A, and 5 parts by mass of polymerization initiator were combined with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1 ) to give a solid content of 25% and sufficiently dispersed to prepare a pressure-sensitive adhesive composition.
  • Example 1 In the same manner as in Example 1, except that the adhesive composition was prepared as follows, the thickness of the adhesive layer was 20 ⁇ m, and the following substrate was used. A tape was made.
  • Solid content ratio 100 parts by mass of main adhesive B, 75 parts by mass of urethane acrylate A, 0.35 parts by mass of cross-linking agent B, 7.5 parts by mass of polymerization initiator, and 40 parts by mass of adhesive force adjuster A , and 40 parts by mass of the adhesive strength adjusting agent B were diluted with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and toluene (mixing ratio 1:1) so that the solid content was 25%, and sufficiently dispersed to prepare an adhesive composition. .
  • a resin composition containing 70 parts by mass of a vinyl chloride resin, 40 parts by mass of a plasticizer, and 0.5 parts by mass of a stabilizer was used as a base material, and a film was formed by a casting method to a thickness of 70 ⁇ m.
  • a polyvinyl chloride (PVC) film was made.
  • Example 2 A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was produced in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 20 ⁇ m and the following base material was used.
  • a resin composition containing 70 parts by mass of a vinyl chloride resin, 40 parts by mass of a plasticizer, and 0.5 parts by mass of a stabilizer is used as a base material, and a film is formed by a casting method to form a polychlorinated film having a thickness of 70 ⁇ m.
  • a vinyl (PVC) film was made.
  • the laminate was laminated to the glossy surface of the copper foil by reciprocating it twice with a 2 kg roller to obtain a laminate.
  • the laminate was stored for 6 days in an environment with a temperature of 25° C. ⁇ 5° C., a humidity of 40% RH or more and 50% RH or less, and shielded from ultraviolet rays.
  • ultraviolet rays were irradiated so that the integrated light amount was 500 mJ/cm 2 to cure the adhesive layer.
  • the adhesive tape for semiconductor processing was peeled off from the laminate at a peel speed of 300 mm/min.
  • the wettability of the adherend surface of the copper foil after the peeling of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing was evaluated according to the following criteria.
  • Adhesive strength to SUS plate is determined by test method 1 of JIS Z0237: 2009 (adhesive tape/adhesive sheet test method) (temperature 23 ° C humidity 50% RH, tape and sheet on stainless steel test plate Measured by peeling the test piece in the length direction under the conditions of a width of 25 mm, a peeling angle of 180°, and a peeling speed of 300 mm/min.
  • the SUS plate used was SUS304, surface finish BA, thickness 1.5 mm, width 100 mm, length 150 mm.
  • the adhesive strength of the adhesive tape for semiconductor processing after UV irradiation to the SUS plate is determined according to JIS Z0237: 2009 (adhesive tape/adhesive sheet test method) test method method 1 (temperature 23 ° C humidity 50% RH, tape and sheet stainless steel Test method of peeling off at 180° to a test plate), the test piece was peeled off in the longitudinal direction under the conditions of a width of 25 mm, a peeling angle of 180°, and a peeling speed of 300 mm/min.
  • the SUS plate used was SUS304, surface finish BA, thickness 1.5 mm, width 100 mm, length 150 mm.
  • the color difference ⁇ E * ab is within a predetermined range, and the wettability of the adherend surface of the copper foil after peeling the adhesive tape for semiconductor processing is higher than the wettability of the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing. It was confirmed that there was almost no change.
  • the adhesive tapes for semiconductor processing of Comparative Examples 1 and 2 the color difference between the adhesion surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing and the adhesion surface of the copper foil after peeling of the adhesive tape for semiconductor processing.
  • ⁇ E * ab does not satisfy the predetermined range, and the wettability of the adherend surface of the copper foil before lamination of the adhesive tape for semiconductor processing is compared with the adhesion of the copper foil after peeling the adhesive tape for semiconductor processing. The wettability of the surface changed.
  • the above ⁇ E * ab does not necessarily correlate with the wettability. This suggests that the ⁇ E * ab can capture changes in the surface state of the copper foil that could not be captured by wettability.

Abstract

本開示においては、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、下記試験により求められる、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂが２．０以下である、半導体加工用粘着テープを提供する。試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。（１）上記半導体加工用粘着テープの上記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。（２）上記積層体を、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、６日間保管する。（３）上記積層体の上記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、上記粘着層を硬化させる。（４）上記積層体から上記半導体加工用粘着テープを剥離する。（５）上記半導体加工用粘着テープの貼合前の上記銅箔の被着面と、上記半導体加工用粘着テープの剥離後の上記銅箔の被着面との、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂを求める。

Description

半導体加工用粘着テープ
　本開示は、半導体加工用粘着テープに関する。
　半導体の製造工程では、部品の固定や保護のために、例えば、ダイシングテープやバックグラインドテープ等の半導体加工用粘着テープが用いられている。
　半導体加工用粘着テープには、加工工程中は部品を十分な粘着力で固定できるとともに、加工工程後は部品を破損することなく容易に剥離できることが求められる。
　このような半導体加工用粘着テープとしては、例えば、エネルギー線硬化型の粘着テープの開発が盛んに行われている（例えば特許文献１～３）。エネルギー線硬化型の粘着テープは、エネルギー線の照射により粘着層を硬化させることで粘着力を低下させることができるため、エネルギー線照射前の強粘着性と、エネルギー線照射後の易剥離性とを両立することが可能である。
国際公開第２０１５／１３３４２０号 特開２００５－２３１８８号公報 特開２０１４－１５４７９６号公報
　半導体加工用粘着テープは、加工工程中は被着体に貼合されているため、半導体加工用粘着テープと被着体とは長時間接触していることになる。そのため、半導体加工用粘着テープに含まれる成分が被着体の表面に移行すること等によって、被着体を汚染してしまうことがある。被着体の表面が汚染されていると、半導体の製造工程におけるその後の工程、例えば、配線工程、封止工程等において、密着不良や剥離の要因となり、半導体の性能や信頼性が低下するという問題がある。
　本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、低汚染性の半導体加工用粘着テープを提供することを主目的とする。
　本開示の発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記の知見を得た。半導体加工用粘着テープによる被着体の汚染は、被着体の表面状態が変化することである。本開示の発明者らは、被着体の表面状態の評価方法について鋭意検討を重ね、被着体表面の色に着目した。さらに、半導体においては、微細化および高速化に伴い、銅配線が広く使用されていることから、被着体として銅箔に着目した。そして、半導体加工用粘着テープの貼合前および剥離後の銅箔の被着面の色差ΔＥ＊ ａｂによって、被着体である銅箔の表面状態の変化を評価できること、さらには、上記色差ΔＥ＊ ａｂは、半導体加工用粘着テープによる被着体の汚染の評価に好適であることを見出した。本開示は、このような知見に基づくものである。
　本開示の一実施形態は、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、下記試験により求められる、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂが２．０以下である、半導体加工用粘着テープを提供する。試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。（１）上記半導体加工用粘着テープの上記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。（２）上記積層体を、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、６日間保管する。（３）上記積層体の上記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、上記粘着層を硬化させる。（４）上記積層体から上記半導体加工用粘着テープを剥離する。（５）上記半導体加工用粘着テープの貼合前の上記銅箔の被着面と、上記半導体加工用粘着テープの剥離後の上記銅箔の被着面との、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂを求める。
　本開示における半導体加工用粘着テープは、被着体の汚染を抑制することが可能であるという効果を奏する。
本開示における半導体加工用粘着テープの一例を示す概略断面図である。 半導体の製造方法を例示する工程図である。 半導体の製造方法を例示する工程図である。
　下記に、図面等を参照しながら本開示の実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
　本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。また、本明細書において、ある部材の面に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「面に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。
　以下、本開示の半導体加工用粘着テープについて説明する。
　本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有し、下記試験により求められる、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂが２．０以下である。試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。（１）上記半導体加工用粘着テープの上記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。（２）上記積層体を、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、６日間保管する。（３）上記積層体の上記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、上記粘着層を硬化させる。（４）上記積層体から上記半導体加工用粘着テープを剥離する。（５）上記半導体加工用粘着テープの貼合前の上記銅箔の被着面と、上記半導体加工用粘着テープの剥離後の上記銅箔の被着面との、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂを求める。
　図１は、本開示の半導体加工用粘着テープを例示する概略断面図である。図１における半導体加工用粘着テープ１０は、基材１と、基材１の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層２とを有している。半導体加工用粘着テープ１０においては、上記試験により求められる、上記色差ΔＥ＊ ａｂが、所定の値以下である。
　本開示においては、上記試験により求められる、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面と、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面との色差ΔＥ＊ ａｂが、所定の値以下である。これは、半導体加工用粘着テープの貼合前と剥離後とで、銅箔の被着面の表面状態の変化が少ないことを示している。
　ここで、銅箔の表面状態が変化する要因としては、例えば、下記の３つが挙げられる。１つ目は、半導体加工用粘着テープを剥離する際に、糊残りが生じることである。２つ目は、半導体加工用粘着テープに含まれる成分、特に低分子成分が、銅箔の表面に移行することである。３つ目は、半導体加工用粘着テープに含まれる成分と銅とが反応することである。上記のような要因によって銅箔の表面状態が変化した場合、色差として現れると考えられる。
　したがって、本開示においては、上記色差ΔＥ＊ ａｂが所定の値以下であることにより、半導体加工用粘着テープに含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制できるといえる。また、半導体加工用粘着テープに含まれる成分と銅とが反応するのを抑制できるといえる。よって、被着体の汚染を抑制することができる。さらに、半導体加工用粘着テープを剥離する際の、被着体への糊残りも抑制できるといえる。ゆえに、半導体の性能および信頼性を向上させることが可能である。
　なお、例えば特許文献１には、半導体加工用粘着テープの剥離後のシリコンウェハ表面の水接触角によって、半導体加工用粘着テープに含まれる有機物質による被着体の汚染を評価することが開示されている。しかし、上述したように、被着体の表面状態を変化させる要因は、半導体加工用粘着テープに含まれる有機物質が被着体の表面に移行することだけではない。
　これに対し、上述したように、上記のいずれの要因によって銅箔の表面状態が変化した場合であっても、色差として現れると考えられる。したがって、本開示においては、上記色差ΔＥ＊ ａｂを採用することにより、被着体の表面状態を的確に評価でき、さらに、半導体加工用粘着テープによる被着体の汚染を好適に評価することが可能である。
　以下、本開示の半導体加工用粘着テープの各構成について説明する。
１．半導体加工用粘着テープの特性
　本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、下記試験により求められる、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂが、２．０以下であり、好ましくは１．８以下であり、より好ましくは１．５以下である。上記色差ΔＥ＊ ａｂは小さいことが好ましく、下限は特に限定されない。
試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。
（１）上記半導体加工用粘着テープの上記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。
（２）上記積層体を、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、６日間保管する。
（３）上記積層体の上記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、上記粘着層を硬化させる。
（４）上記積層体から上記半導体加工用粘着テープを剥離する。
（５）上記半導体加工用粘着テープの貼合前の上記銅箔の被着面と、上記半導体加工用粘着テープの剥離後の上記銅箔の被着面との、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂを求める。
　上記工程（１）においては、まず、半導体加工用粘着テープを、幅４０ｍｍ以上、長さ１００ｍｍ以上の大きさにカットする。また、銅箔としては、福田金属箔粉工業社製の厚さ３５μｍの圧延銅箔「ＲＣＦ－Ｔ５Ｂ」を用いる。次いで、圧延銅箔の光沢面をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で拭き取り、十分に乾燥させる。その後、圧延銅箔の光沢面に、半導体加工用粘着テープの粘着層の面を貼合する。この際、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下で、半導体加工用粘着テープの粘着層の面を、圧延銅箔の光沢面に、２ｋｇローラで２往復させて貼合する。また、この際、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合には、セパレータを剥離して、粘着層を露出させればよい。
　なお、上述したように、半導体の製造工程においては、半導体加工用粘着テープと被着体とは長時間接触していることになる。そのため、上記工程（１）においては、保管条件について、標準的な温度および湿度とし、保管期間をやや長めに設定している。
　上記工程（２）において、遮断するエネルギー線は、エネルギー線硬化性の粘着層を硬化させることが可能なエネルギー線であり、粘着層の種類に応じて適宜選択される。エネルギー線については、後述する。
　上記工程（３）において、照射するエネルギー線は、エネルギー線硬化性の粘着層を硬化させることが可能なエネルギー線であり、粘着層の種類に応じて適宜選択される。また、エネルギー線の照射条件（例えば、波長、積算光量等）は、エネルギー線硬化性の粘着層を硬化させることが可能な条件であればよく、粘着層の組成、厚さ等に応じて適宜選択される。具体的なエネルギー線の照射条件としては、波長４００ｎｍ以下の紫外線、特に波長３６５ｎｍの紫外線を積算光量２００ｍＪ／ｃｍ２以上照射する条件等が挙げられる。
　上記工程（４）において、積層体から半導体加工用粘着テープを剥離するに際しては、例えば、剥離速度を１００ｍｍ／ｍｉｎ以上１０００ｍｍ／ｍｉｎ以下程度に設定することが好ましい。
　上記工程（５）において、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系は、１９７６年に国際照明委員会（ＣＩＥ）により定められ、ＪＩＳ　Ｚ８７８１－４にも規定されている表色系である。色差ΔＥ＊ ａｂは下記式により求められる。
　ΔＥ＊ ａｂ＝｛（ΔＬ＊）２＋（Δａ＊）２＋（Δｂ＊）２｝１／２
（上記式中、ΔＬ＊は、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の明度Ｌ＊と、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の明度Ｌ＊との差である。また、Δａ＊は、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の色度ａ＊と、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の色度ａ＊との差である。また、Δｂ＊は、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の色度ｂ＊と、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の色度ｂ＊との差である。）
　半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面および半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の明度Ｌ＊、色度ａ＊、ｂ＊は、ＪＩＳ　Ｚ８７２２に準拠し、分光光度計を用いて測定することができる。測定条件は、Ｄ６５光源、１０°視野、反射測定とする。分光光度計としては、例えば、日本電色工業社製「Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ　ＳＥ６０００」等、反射測定が可能な装置を用いることができる。
　また、上記工程（５）において、半導体加工用粘着テープの貼合後の銅箔の被着面の明度Ｌ＊、色度ａ＊、ｂ＊を測定するに際しては、積層体から半導体加工用粘着テープを剥離した後、そのまま測定を行う。一方、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の明度Ｌ＊、色度ａ＊、ｂ＊を測定するに際しては、銅箔の被着面をイソプロピルアルコールで拭き取り、十分に乾燥させた後、測定を行う。
　なお、エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することによって粘着力が低下する。また、上記工程（１）では、圧延銅箔の粗面ではなく、圧延銅箔の光沢面に半導体加工用粘着テープの粘着層の面を貼合する。そのため、積層体から半導体加工用粘着テープを容易に剥離することができる。よって、半導体加工用粘着テープの剥離によって銅箔が変形することはほとんどないと考えられる。したがって、上記色差ΔＥ＊ ａｂは、半導体加工用粘着テープによる銅箔の表面状態の変化をとらえており、銅箔の変形によるものではないと思料される。
　また、半導体加工用粘着テープの剥離による銅箔の変形が懸念される場合は、あらかじめ、銅箔をＳＵＳ板やガラス板等の剛直な基板に両面テープ等で固定してから用いてもよい。
　上記色差ΔＥ＊ ａｂを制御する手段としては、例えば、基材の組成を調整する方法、基材の形成方法を調整する方法、粘着層の組成を調整する方法、粘着剤の架橋度を調整する方法、基材と粘着層との間にプライマー層を配置する方法等が挙げられる。
　基材の組成を調整する方法としては、例えば、添加剤の含有量、分子量を調整する方法が挙げられる。例えば、添加剤の含有量を少なくすることにより、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。また、例えば、添加剤の分子量を大きくすることにより、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。具体的には、ポリマータイプの添加剤を用いることにより、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができる。
　基材の形成方法を調整する方法としては、例えば、樹脂組成物を溶融して成形する際に、樹脂組成物を十分に溶融させる方法が挙げられる。樹脂組成物を十分に溶融させることにより、樹脂組成物に含まれる添加剤の分散性が良くなるため、添加剤が基材中に安定的に存在することになる。これにより、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。
　粘着層の組成を調整する方法としては、例えば、粘着主剤や添加剤の分子量を調整する方法、粘着主剤や添加剤のガラス転移温度を調整する方法、粘着主剤および添加剤の相溶性を調整する方法、架橋剤を添加する方法、粘着主剤やエネルギー線硬化性化合物の官能基の種類や数を調整する方法が挙げられる。
　例えば、粘着主剤の分子量を調整する方法においては、粘着主剤の分子量を大きくすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。また、例えば、添加剤の分子量を調整する方法においては、添加剤の分子量を大きくすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。具体的には、ポリマータイプの添加剤を用いたり、架橋することが可能な添加剤を用いたりすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができる。
　また、例えば、粘着主剤のガラス転移温度を調整する方法においては、粘着主剤のガラス転移温度を高くすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。また、例えば、添加剤のガラス転移温度を調整する方法においては、添加剤のガラス転移温度を高くすることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。
　また、例えば、粘着主剤および添加剤の相溶性を調整する方法においては、粘着主剤および添加剤の相溶性を高めることにより、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。具体的には、粘着主剤および添加剤の極性、分子量、組成比、混合方法等を調整することにより、粘着主剤および添加剤の相溶性を調整することができる。
　例えば、架橋剤を添加する方法においては、粘着主剤の官能基と架橋剤とが反応することにより、架橋剤と反応しなかった未反応の官能基を低減することができ、例えば金属表面と官能基との反応を抑制できる。これにより、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。また、粘着主剤が架橋剤によって架橋することにより、凝集力が高まるため、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。
　また、例えば、粘着主剤の官能基の種類を調整する方法においては、架橋剤と反応し得る官能基について、銅と反応しにくい官能基とすることにより、架橋剤と反応しなかった未反応の官能基が残留したとしても、銅と官能基との反応を抑制でき、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。
　また、例えば、エネルギー線硬化性化合物の官能基の種類を調整する方法においては、エネルギー線硬化性官能基や架橋剤と反応し得る官能基について、銅と反応しにくい官能基とすることにより、銅と官能基との反応を抑制でき、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。また、例えば、エネルギー線硬化性化合物の官能基の数を調整する方法においては、エネルギー線硬化性官能基や架橋剤と反応し得る官能基について、官能基数を少なくすることにより、銅と官能基との反応を抑制できる。これにより、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。
　粘着剤の架橋度を調整する方法においては、粘着剤の架橋度を上げることにより、凝集力が高まるため、粘着層に含まれる成分が被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。
　基材と粘着層との間にプライマー層を配置する方法においては、プライマー層によって、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体の表面に移行するのを抑制することができ、その結果、上記色差ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。
　また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射前のＳＵＳ板に対する粘着力が、例えば、１Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、３Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましく、５Ｎ／２５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。上記のＳＵＳ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線を照射するまでの間、半導体加工用粘着テープに被着体を十分に固定することができる。一方、上記のＳＵＳ板に対する粘着力の上限は、特に限定されない。
　ここで、ＳＵＳ板に対する粘着力は、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定することができる。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いることができる。
　また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、例えば、２Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましく、１Ｎ／２５ｍｍ以下であることがより好ましい。エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線照射後には半導体加工用粘着テープから被着体を容易に剥離することができる。一方、上記のエネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力の下限は特に限定されないが、例えば、０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上とすることができる。
　ここで、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力は、下記の方法により、測定することができる。まず、半導体加工用粘着テープの粘着層にエネルギー線を照射し、硬化させる。この際、例えば、半導体加工用粘着テープの基材側の面からエネルギー線を照射することができる。次に、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力を測定することができる。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いることができる。
２．粘着層
　本開示における粘着層は、基材の一方の面に配置され、エネルギー線硬化性を有する部材である。エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。エネルギー線硬化性の粘着層においては、その初期粘着力により、被着体を固定することができる。また、エネルギー線硬化性の粘着層においては、エネルギー線を照射して硬化させることで粘着力が低下して剥離性が向上するため、被着体を剥離または転写することができる。
　エネルギー線としては、例えば、遠紫外線、紫外線、近紫外線、赤外線等の光線、Ｘ線、γ線等の電磁波の他、電子線、プロトン線、中性子線等が挙げられる。中でも、汎用性等の観点から、紫外線、電子線が好ましく、紫外線がより好ましい。
　粘着層としては、上記の粘着力を満たすものであれば特に限定されるものではなく、例えば、樹脂（粘着主剤）と、エネルギー線硬化性化合物とを少なくとも含有することができる。粘着層がエネルギー線硬化性化合物を含有することにより、エネルギー線の照射によりエネルギー線硬化性化合物を硬化させることで、粘着力を低下させることができ、また、このとき凝集力が高まるため、剥離が容易になる。
（１）樹脂（粘着主剤）
　樹脂（粘着主剤）としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂等、一般に粘着剤の主剤として用いられる樹脂が挙げられる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂を用いることにより、被着体への糊残りを低減することができる。
　よって、粘着層は、アクリル系樹脂と、エネルギー線硬化性化合物と、架橋剤とを少なくとも含有することが好ましい。粘着層内において、アクリル系樹脂は、通常、架橋剤によりアクリル系樹脂間が架橋されてなる架橋体として存在するが、架橋体と共にアクリル系樹脂の単体が含まれていてもよい。
（アクリル系樹脂）
　アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、（メタ）アクリル酸エステルを単独重合させた(メタ)アクリル酸エステル重合体、（メタ）アクリル酸エステルを主成分として（メタ）アクリル酸エステルと他の単量体とを共重合させた（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。中でも、（メタ）アクリル酸エステル共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルおよび他の単量体の具体例としては、特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。他の単量体は単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　中でも、アクリル系樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、上記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーとの共重合により得られる（メタ）アクリル酸エステル共重合体、または（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、上記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとの共重合により得られる（メタ）アクリル酸エステル共重合体を好適に用いることができる。
　なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸の少なくとも一方をいうものとする。
　共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとしては、特に限定されず、例えば特開２０１２－３１３１６号公報に開示される水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーが用いられる。
　アクリル系樹脂の分子量を調整することにより、上記ΔＥ＊ ａｂの制御が可能となる。具体的には、上述したように、アクリル系樹脂の分子量を大きくすることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。アクリル系樹脂の重量平均分子量は、例えば、１０万以上２００万以下であることが好ましく、２０万以上１００万以下であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることで、被着体への糊残りや汚染を低減することができる。
　ここで、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した際のポリスチレン換算値である。重量平均分子量は、例えば、測定装置に東ソー株式会社製のＨＬＣ－８２２０ＧＰＣを、カラムに東ソー株式会社製のＴＳＫＧＥＬ－ＳＵＰＥＲＭＵＬＴＩＰＯＲＥ－ＨＺ－Ｍを、溶媒にＴＨＦを、標準品として分子量が１０５０、５９７０、１８１００、３７９００、９６４００、７０６０００の標準ポリスチレンを用いることで測定することができる。
　また、アクリル系樹脂のガラス転移温度を調整することにより、上記ΔＥ＊ ａｂの制御が可能となる。具体的には、上述したように、アクリル系樹脂のガラス転移温度を高くすることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。アクリル系樹脂のガラス転移温度は、適宜調整される。
　また、アクリル系樹脂は、エネルギー線硬化性を有していてもよく、例えば、側鎖にエネルギー線硬化性官能基を有していてもよい。エネルギー線硬化性官能基としては、例えば、エチレン性不飽和結合を有することが好ましく、具体的には、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。
（２）エネルギー線硬化性化合物
　エネルギー線硬化性化合物は、エネルギー線の照射を受けて重合するものであれば特に限定されず、例えば、エネルギー線硬化性官能基を有する化合物が挙げられる。
　エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーが挙げられる。なお、エネルギー線硬化性ポリマーは、上記の樹脂（粘着主剤）とは異なるポリマーである。中でも、エネルギー線照射前後の粘着力のバランスの観点から、エネルギー線硬化性オリゴマーが好ましい。また、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーを組み合わせて用いてもよい。例えば、エネルギー線硬化性オリゴマーに加えてエネルギー線硬化性モノマーを用いる場合には、エネルギー線を照射した際に、粘着層を三次元架橋により硬化させて粘着力を低下させるとともに、凝集力を高めて被着体側へ転着させないようにすることができる。
　また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物、カチオン重合性化合物、アニオン重合性化合物等が挙げられる。中でも、ラジカル重合性化合物が好ましい。硬化速度が速く、また、多種多様な化合物から選択することができ、さらには、エネルギー線照射前後の粘着力等の物性を容易に制御することができる。
　エネルギー線硬化性化合物において、エネルギー線硬化性官能基の数は、１分子中に２個以上であることが好ましく、１分子中に３個以上であることがより好ましく、１分子中に４個以上であることがさらに好ましく、１分子中に５個以上であることが特に好ましい。エネルギー線硬化性官能基の数が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による汚染や糊残りの発生を抑制することができる。また、エネルギー線硬化性官能基の数の上限は、特に限定されない。
　また、エネルギー線硬化性化合物は、架橋剤と反応し得る官能基をさらに有していてもよい。このような官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。エネルギー線硬化性化合物が架橋剤と反応し、樹脂（粘着主剤）と架橋することで、汚染や糊残りの発生をさらに抑制することができる。
　エネルギー線硬化性化合物は、ラジカル重合性オリゴマーであることが好ましく、ラジカル重合性多官能オリゴマーであることがより好ましい。ラジカル重合性オリゴマーとしては、例えば特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。
　また、エネルギー線硬化性化合物として、ラジカル重合性オリゴマーおよびラジカル重合性モノマーを用いてもよく、中でも、ラジカル重合性多官能オリゴマーおよびラジカル重合性多官能モノマーを用いてもよい。ラジカル重合性モノマーとしては、例えば特開２０１０－１７３０９１号公報に開示されるものが挙げられる。
　また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、（メタ）アクリレート系モノマー、（メタ）アクリレート系オリゴマー、（メタ）アクリレート系ポリマー等を挙げることができる。また、エネルギー線硬化性化合物として、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等を用いることもできる。
　また、エネルギー線硬化性化合物は、市販品を用いてもよい。例えば、三菱ケミカル社製のウレタンアクリレート「紫光ＵＶ７６２０ＥＡ（分子量：４１００）」；根上工業社製のウレタンアクリレート「アートレジンＵＮ－９０５（分子量：５００００～２１００００）」、「アートレジンＵＮ－９０５ＤＵ１（分子量：２６０００）」、「アートレジンＵＮ－９５１ＳＣ（分子量：１２５００）」、「アートレジンＵＮ－９５２（分子量：６５００～９５００）」、「アートレジンＵＮ－９５３（分子量：１４０００～４００００）」、「アートレジンＵＮ－９５４（分子量：４２００）」、「アートレジンＨ－２１９（分子量：２５０００～５００００）」、「アートレジンＨ－３１５Ｍ（分子量：６６００）」、「アートレジンＨ－４１７Ｍ（分子量：４０００）」；大成ファインケミカル社製のアクリルウレタンポリマー「８ＢＲ－６００（分子量：１０００００）」；ＤＩＣ社製のポリマーアクリレート「ユニディックＶ－６８５０」；共栄社化学社製のアクリルポリマー「ＳＭＰ－２５０ＡＰ（分子量：２００００～３００００）」、「ＳＭＰ－３６０Ａ（分子量：２００００～３００００）」；昭和電工マテリアルズ社製のアクリル樹脂アクリレート「ＨＡ７９７５」等が挙げられる。
　エネルギー線硬化性化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、３０，０００以下であることが好ましく、１０，０００以下であることがより好ましく、８，０００以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量が上記範囲であれば、アクリル系樹脂（粘着主剤）と十分な相溶性を示し、粘着層が、エネルギー線照射前には所望の粘着力を示し、エネルギー線照射後には糊残りの発生が抑制され、容易に剥離可能となる。一方、エネルギー線硬化性樹脂組成物の重量平均分子量は、例えば、１００以上とすることができる。
　エネルギー線硬化性化合物の含有量は、例えば、樹脂（粘着主剤）１００質量部に対して、５質量部以上１５０質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上１５０質量部以下であることがより好ましく、３０質量部以上１００質量部以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の含有量が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による汚染や糊残りの発生を抑制することができる。
（３）重合開始剤
　粘着層は、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、重合開始剤を含有することができる。
　重合開始剤としては、一般的な光重合開始剤を用いることができる。具体的には、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α－ヒドロキシケトン類、ベンジルメチルケタール類、α－アミノケトン類、ビスアシルフォスフィンオキサイド類が挙げられる。エネルギー線硬化性化合物としてウレタンアクリレートを使用する場合には、重合開始剤がビスアシルフォスフィン系重合開始剤であることが好ましい。この重合開始剤は耐熱性を有するため、基材に粘着剤組成物を塗布してエネルギー線照射を行う際に、基材を介してエネルギー線照射を行う場合であっても、確実にエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。
　重合開始剤は、波長２３０ｎｍ以上に吸収を有することが好ましく、波長３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下に吸収を有することが好ましい。このような重合開始剤は、波長３００ｎｍ以上の幅の広いエネルギー線を吸収し、エネルギー線硬化性化合物の重合反応を誘発する活性種を効率的に生成することができる。そのため、少量のエネルギー線照射量でもエネルギー線硬化性化合物を効率的に硬化させることができ、容易に剥離可能となる。また、後述するように基材には樹脂等を用いることができ、樹脂には、波長３００ｎｍ程度までのエネルギー線を吸収するものの、波長３００ｎｍ程度以上のエネルギー線を透過するものが多い。さらに、近年では、エネルギー線照射装置において、波長３００ｎｍ以上のＬＥＤランプを使用することが多い。そのため、波長２３０ｎｍ以上に吸収を有する重合開始剤を用いることにより、基材を透過したエネルギー線を利用してエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。
　重合開始剤の含有量は、例えば、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物の合計１００質量部に対して、０．０１質量部以上１０質量部以下であることが好ましく、０．３質量部以上６質量部以下であることがより好ましい。重合開始剤の含有量が上記範囲に満たないと、エネルギー線硬化性化合物の重合反応が十分起こらず、エネルギー線照射後の粘着層の粘着力が過剰に高くなり、剥離性を実現することができない場合がある。一方、重合開始剤の含有量が上記範囲を超えると、凝集力が低下し、汚染や糊残りの発生の原因となる場合もある。
（４）架橋剤
　粘着層は、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、架橋剤を含有することができる。
　架橋剤は、少なくとも樹脂（粘着主剤）間を架橋するものであれば特に限定されるものではなく、樹脂（粘着主剤）の種類等に応じて適宜選択することができ、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。イソシアネート系架橋剤およびエポキシ系架橋剤の具体例としては、特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。架橋剤は、単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　架橋剤の含有量としては、架橋剤の種類に応じて適宜設定することができるが、例えば、樹脂（粘着主剤）１００質量部に対して、０．０１質量部以上１５質量部以下であることが好ましく、０．０１質量部以上１０質量部以下であることがより好ましい。架橋剤の含有量が上記範囲に満たないと、密着性が劣る場合や、被着体を剥離または転写する際に粘着層が凝集破壊を起こして糊残りが生じる場合がある。一方、架橋剤の含有量が上記範囲を超えると、エネルギー線照射後の粘着層中に架橋剤が未反応モノマーとして残留することで、凝集力の低下により汚染や糊残りの発生の原因となる場合がある。
（５）添加剤
　粘着層は、必要に応じて、各種添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、粘着付与剤、耐電防止剤、可塑剤、シランカップリング剤、金属キレート剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、着色剤、防腐剤、消泡剤、ぬれ性調整剤、粘着力調整剤等が挙げられる。
　添加剤のガラス転移温度を調整することにより、上記ΔＥ＊ ａｂの制御が可能となる。具体的には、上述したように、添加剤のガラス転移温度を高くすることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。添加剤のガラス転移温度は、特に限定されないが、例えば、５℃以上１５０℃以下であることが好ましく、１０℃以上１２０℃以下であることがより好ましい。添加剤のガラス転移温度が上記範囲内であることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを所定の範囲になるように容易に調整することができる。粘着層が添加剤を含む場合、少なくとも１つの添加剤のガラス転移温度が上記範囲内であることが好ましい。
　また、添加剤の分子量を調整することにより、上記ΔＥ＊ ａｂの制御が可能となる。具体的には、上述したように、添加剤の分子量を大きくすることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。添加剤の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、１００以上２００，０００以下であってもよく、５００以上３００，０００以下であってもよい。
　また、粘着層は、上述のように、粘着力調整剤を含んでいてもよい。粘着力調整剤としては、例えば、アクリル系ブロック共重合体、ポリエステル樹脂等が挙げられる。アクリル系ブロック共重合体としては、例えば、クラレ社製のクラリティシリーズ（例えば、「ＬＡ４２８５（Ｍｗ：約６５０００）」、「ＬＡ２２５０（Ｍｗ：約６７０００）」、「ＬＡ２１４０（Ｍｗ：約１２５０００）」、「ＬＡ３３２０（Ｍｗ：約１１５０００）」等）が挙げられる。また、ポリエステル樹脂としては、例えば、東洋紡社製のバイロンシリーズ（例えば、「バイロン２００（Ｍｎ：約１７０００）」、「バイロン６００（Ｍｎ：約１６０００）」等）、ユニチカ社製のエリーテルシリーズ（「エリーテルＵＥ３２１０（Ｍｗ：約２００００）」、「エリーテルＵＥ９２００（Ｍｗ：約１５０００）」等）が挙げられる。
　また、添加剤の含有量を調整することにより、上記ΔＥ＊ ａｂの制御が可能となる。具体的には、添加剤の分子量が大きい場合には、添加剤の含有量を少なくすることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。添加剤の含有量は、適宜調整される。
（６）粘着層の厚さおよび形成方法
　粘着層の厚さとしては、十分な粘着力が得られ、かつ、エネルギー線が内部まで透過することが可能な厚さであればよく、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上４０μｍ以下である。
　粘着層の形成方法としては、例えば、基材上に粘着剤組成物を塗布する方法や、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成し、粘着層および基材を貼り合わせる方法が挙げられる。
３．基材
　本開示における基材は、上記粘着層を支持する部材である。
　基材としては、特に限定されないが、半導体加工用粘着テープの基材側からエネルギー線を照射して粘着層を硬化させることにより、粘着層の粘着力を低下させることが好ましいことから、基材は、エネルギー線を透過するものであることが好ましい。
　基材のヤング率は、例えば、２０００ＭＰａ以下であってもよく、１０００ＭＰａ以下であってもよく、７００ＭＰａ以下であってもよい。また、基材のヤング率は、例えば、２０ＭＰａ以上であることが好ましく、３０ＭＰａ以上であることがより好ましく、４０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。中でも、基材は、エキスパンド可能であることが好ましい。基材のヤング率が低すぎると、基材が極端に柔らかくなり、半導体加工用粘着テープを均一に拡張することが困難になる可能性がある。
　ここで、基材のヤング率、ＪＩＳ　Ｋ７１２７に準拠して測定することができる。具体的な測定条件を下記に示す。
・試験片：試験片タイプ５
・チャック間距離：６０ｍｍ
・引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎ
引張試験機としては、例えば、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を用いることができる。
　基材の材質としては、上記の特性を満たすものであることが好ましく、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、ポリブタジエン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂；ウレタン樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリカーボネート樹脂；フッ素樹脂等が挙げられる。また、基材の材質としては、例えば、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等の熱可塑性エラストマー；イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム等のゴム系材料を挙げることができる。これらは１種単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　中でも、オレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂が好ましい。すなわち、基材は、オレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、または塩化ビニル樹脂を含有することが好ましい。塩化ビニル樹脂は可塑剤を添加することにより軟化するため、いわゆる軟質塩化ビニル樹脂を用いることにより、後述するように降伏点を有さない基材とすることができる。一方、オレフィン系樹脂やポリエステル樹脂は、塩化ビニル樹脂のように、可塑剤を多量に添加することはないため、添加剤の含有量を減らすことができ、上記ΔＥ＊ ａｂが小さくなる傾向にある。
　塩化ビニル樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリエチレン、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－エチレン共重合体、塩化ビニル－プロピレン共重合体、塩化ビニル－スチレン共重合体、塩化ビニル－イソブチレン共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－スチレン－無水マレイン酸三元共重合体、塩化ビニル－スチレン－アクリロニトリル三元共重合体、塩化ビニル－ブタジエン共重合体、塩化ビニル－イソプレン共重合体、塩化ビニル－塩素化プロピレン共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン－酢酸ビニル三元共重合体、塩化ビニル－マレイン酸エステル共重合体、塩化ビニル－メタクリル酸エステル共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－各種ビニルエーテル共重合体等の塩素含有樹脂；それらの塩素含有樹脂の混合物；それらの塩素含有樹脂と他の塩素を含まない樹脂との混合物、ブロック共重合体、グラフト共重合体等を挙げることができる。他の塩素を含まない樹脂としては、例えば、アクリロニトリル－スチレン共重合体、アクリロニトリル－スチレン－ブタジエン三元共重合体、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－エチル（メタ）アクリレート共重合体、ポリエステル等が挙げられる。
　基材は、必要に応じて、例えば、可塑剤、充填剤、酸化防止剤、光安定剤、帯電防止剤、滑剤、分散剤、難燃剤、着色剤等の各種の添加剤を含有していてもよい。
　また、添加剤の分子量を調整することにより、上記ΔＥ＊ ａｂの制御が可能となる。具体的には、添加剤の分子量を大きくすることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。添加剤の分子量は、適宜調整される。
　また、添加剤の含有量を調整することにより、上記ΔＥ＊ ａｂの制御が可能となる。具体的には、添加剤の分子量が小さい場合には、添加剤の含有量を少なくすることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。添加剤の含有量は、適宜調整される。例えば、基材が塩化ビニル樹脂を含有する場合には、可塑剤の含有量を少なくすることにより、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。
　基材は、例えば、単層であってもよく、多層であってもよい。
　基材の粘着層側の面には、粘着層との密着性を向上させるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、特に限定されず、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、フレーム処理、プライマー処理、アルカリ処理等が挙げられる。
　基材の厚さとしては、特に限定されず、例えば、２０μｍ以上５００μｍ以下であり、４０μｍ以上３５０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。基材の厚さが上記範囲内であれば、エキスパンドしやすく、また破断しない程度の十分な強度を有する基材とすることができる。
４．その他の構成
　本開示の半導体加工用粘着テープは、上記の基材および粘着層の他に、必要に応じて、他の構成を有することができる。
　本開示の半導体加工用粘着テープは、粘着層の基材とは反対側の面にセパレータを有していてもよい。セパレータにより粘着層を保護することができる。
　また、本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と粘着層との間にプライマー層を有していてもよい。プライマー層により基材および粘着層の密着性を高めることができる。また、プライマー層により、基材に含まれる成分が粘着層を介して被着体に移行するのを抑制でき、その結果、上記ΔＥ＊ ａｂを小さくすることができる。中でも、基材が塩化ビニル樹脂を含有する場合には、基材と粘着層との間にプライマー層が配置されていることが好ましい。
５．用途
　本開示の半導体加工用粘着テープは、例えば、ダイシングテープ、バックグラインドテープ等の、部品を一時的に固定または保護する粘着テープとして好適に用いることができる。
　図２（ａ）～（ｅ）は、半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法の一例を示す工程図であり、半導体加工用粘着テープをダイシングテープとして用いる例である。まず、図２（ａ）に示すように、回路が形成されたウェハ１１を半導体加工用粘着テープ１０に貼り付けた後、図２（ｂ）に示すように、回路が形成されたウェハ１１をチップ１２に切断（ダイシング）するダイシング工程を行う。次に、図２（ｃ）に示すように、半導体加工用粘着テープ１０を引き伸ばして、チップ１２同士の間隔を広げるエキスパンド工程を行う。次に、図示しないが、半導体加工用粘着テープ１０のエネルギー線硬化性の粘着層２にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、図２（ｄ）に示すように、チップ１２を半導体加工用粘着テープ１０から剥離して、チップ１２をピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、図２（ｅ）に示すように、ピックアップされたチップ１２を基板３０に接着するマウント（ダイボンディング）工程を行う。
　図３（ａ）～（ｄ）は、半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法の他の例を示す工程図であり、半導体加工用粘着テープをダイシングテープとして用いる例である。まず、図３（ａ）に示すように、回路が形成されたウェハ１１を半導体加工用粘着テープ１０に貼り付けた後、図３（ｂ）に示すように、回路が形成されたウェハ１１をチップ１２に切断（ダイシング）するダイシング工程を行う。次に、図３（ｃ）に示すように、チップ１２の半導体加工用粘着テープ１０とは反対側の面に転写テープ４０を貼り付けた後、図示しないが、半導体加工用粘着テープ１０のエネルギー線硬化性の粘着層２にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、図３（ｄ）に示すように、半導体加工用粘着テープ１０をチップ１２から剥離して、チップ１２を転写テープ４０に転写する転写工程を行う。
　なお、本開示は、上記実施形態に限定されない。上記実施形態は、例示であり、本開示における特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示における技術的範囲に包含される。
　以下、実施例および比較例を示し、本開示をさらに説明する。
［材料］
　下記に、粘着剤組成物に用いた材料を示す。
・粘着主剤Ａ（アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量　約５０万、固形分２３％）
・粘着主剤Ｂ（アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量　約８０万、固形分２０％）
・ウレタンアクリレートＡ（紫外線硬化性化合物、１０官能、分子量５００～１３００）
・ウレタンアクリレートＢ（紫外線硬化性化合物、９官能、分子量４１００、有効分６５％）
・ウレタンアクリレートＣ（紫外線硬化性化合物、６官能、分子量４２００、有効分６０％）
・ウレタンアクリレートＤ（紫外線硬化性化合物、１０官能、分子量２０００）
・ペンタエリスリトールトリアクリレート（ペンタエリスリトールトリアクリレートを主成分とし、ペンタエリスリトールテトラアクリレートを含む混合物）（紫外線硬化性化合物、３～４官能、分子量２８０～３６０）
・重合開始剤（ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ社製「Ｏｍｎｉｒａｄ　８１９」）
・架橋剤Ａ（イソシアネート系硬化剤（トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）系アダクト型（トリメチロールプロパン付加物））、固形分７５％）
・架橋剤Ｂ（エポキシ系硬化剤）
・架橋剤Ｃ（金属キレート系硬化剤）
・粘着力調整剤Ａ（アクリル系ブロック共重合体（メタクリル酸メチル－アクリル酸ブチル－メタクリル酸メチルのトリブロック共重合体）、重量平均分子量　約６５０００）
・粘着力調整剤Ｂ（アクリル系共重合体）
［実施例１］
　固形分比で、粘着主剤Ａ　１００質量部と、ウレタンアクリレートＡ　５０質量部と、架橋剤Ａ　３質量部と、重合開始剤１．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２５％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
　離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）セパレータ上に、乾燥後の厚さが１０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗工し、１１０℃オーブンで３分間乾燥させて、粘着層を形成した。
　次に、上記粘着層上に、基材（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、東洋紡社製「ＴＡ０５１」、厚さ５０μｍ）をラミネートした後、５０℃で３日間エージングを行い、半導体加工用粘着テープを作製した。
［実施例２］
　下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを２０μｍとしたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
　固形分比で、粘着主剤Ｂ　１００質量部と、ウレタンアクリレートＢ　４０質量部と、ウレタンアクリレートＣ　３０質量部と、架橋剤Ｂ　０．３５質量部と、架橋剤Ｃ　０．２質量部と、重合開始剤６質量部と、粘着力調整剤Ａ　０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２５％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
　また、基材として、塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤２５質量部と、ノニルフェノール０．３質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを作製した。
［実施例３］
　下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを２０μｍとしたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
　固形分比で、粘着主剤Ｂ　１００質量部と、ウレタンアクリレートＡ　７５質量部と、架橋剤Ｂ　０．３５質量部と、重合開始剤７．５質量部と、粘着力調整剤Ａ　４０質量部と、粘着力調整剤Ｂ　４０質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２５％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
　また、基材として、塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤２５質量部と、ノニルフェノール０．３質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを作製した。
［実施例４］
　粘着層の厚さを３０μｍとしたこと、および、基材として、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム（日本マタイ社製「エスマーＶＰＭ－Ｓ」、厚さ１００μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
［実施例５］
　下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを２０μｍとしたこと、および、実施例２と同様の厚さ９０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
　固形分比で、粘着主剤Ａ　１００質量部と、ペンタエリスリトールトリアクリレート　５０質量部と、架橋剤Ａ　３質量部と、重合開始剤５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２５％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
［実施例６］
　下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを２０μｍとしたこと、および、実施例２と同様の厚さ９０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
　固形分比で、粘着主剤Ａ　１００質量部と、ペンタエリスリトールトリアクリレート　７５質量部と、架橋剤Ａ　３質量部と、重合開始剤７．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２５％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
［実施例７］
　下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを２０μｍとしたこと、および、実施例２と同様の厚さ９０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
　固形分比で、粘着主剤Ａ　１００質量部と、ウレタンアクリレートＤ　５０質量部と、架橋剤Ａ　３質量部と、重合開始剤５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２５％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
［実施例８］
　下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
　固形分比で、粘着主剤Ａ　１００質量部と、ウレタンアクリレートＤ　５０質量部と、架橋剤Ａ　３質量部と、重合開始剤５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２５％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
［比較例１］
　下記のようにして粘着剤組成物を調製したこと、粘着層の厚さを２０μｍとしたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
　固形分比で、粘着主剤Ｂ　１００質量部と、ウレタンアクリレートＡ　７５質量部と、架橋剤Ｂ　０．３５質量部と、重合開始剤７．５質量部と、粘着力調整剤Ａ　４０質量部と、粘着力調整剤Ｂ　４０質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２５％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
　また、基材として、塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤４０質量部と、安定剤０．５質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを作製した。
［比較例２］
　粘着層の厚さを２０μｍとしたこと、および、下記の基材を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、半導体加工用粘着テープを作製した。
　基材として、塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤４０質量部と、安定剤０．５質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムを作製した。
［評価］
（１）色差ΔＥ＊ ａｂ
　まず、半導体加工用粘着テープを、幅４０ｍｍ以上、長さ１００ｍｍ以上の大きさにカットした。また、銅箔（福田金属箔粉工業社製「ＲＣＦ－Ｔ５Ｂ」、厚さ３５μｍ）の光沢面をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で拭き取り、十分に乾燥させた。次いで、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、紫外線を遮断した環境下で、半導体加工用粘着テープのセパレータを剥離して、粘着層を露出させ、半導体加工用粘着テープの粘着層の面を、銅箔の光沢面に、２ｋｇローラで２往復させて貼合し、積層体を得た。次に、積層体を、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上５０％ＲＨ以下、紫外線を遮断した環境下、６日間保管した。次に、積層体の半導体加工用粘着テープ側の面から、積算光量５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線を照射し、粘着層を硬化させた。次に、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、積層体から半導体加工用粘着テープを剥離した。
　ＪＩＳ　Ｚ８７２２に準拠し、分光光度計（日本電色工業社製「Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ　ＳＥ６０００」）を用いて、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面および半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の明度Ｌ＊、色度ａ＊、ｂ＊を測定し、ΔＥ＊ ａｂを求めた。測定条件は、Ｄ６５光源、１０°視野、反射測定とした。この際、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の色の測定に際しては、銅箔の被着面をイソプロピルアルコールで拭き取り、十分に乾燥させた後、測定を行った。
（２）濡れ性
　上記の半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面および半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面について、濡れ性を確認した。具体的には、ダインペン（ｅｎｅｒｃｏｎ社製「ＥｎｅｒＤｙｎｅ　ダインペンＶａｒｉｅｔｙ」）を用いて、上記の銅箔の被着面に線を引き、５秒間静置した。インクが保持されている場合は、濡れ性ありと判定し、インクが弾かれている場合は、濡れ性なしと判定した。ダインペンのダイン数は、３０、３８、４８とした。
　半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面については、３種類のダインペンのいずれも、濡れ性ありと判定された。
　半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の濡れ性について、下記基準にて評価した。
Ａ：３種類のダインペンのいずれも濡れ性ありと判定された。
Ｂ：３種類のダインペンのうち、２種類のダインペンは濡れ性あり、１種類のダインペンは濡れ性なしと判定された。
Ｃ：３種類のダインペンのうち、２種類以上のダインペンが濡れ性なしと判定された。
（３）ＳＵＳ板に対する粘着力
　ＳＵＳ板に対する粘着力は、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定した。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いた。
（４）エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力
　まず、半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線を照射し、粘着層を硬化させた。紫外線照射後の半導体加工用粘着テープのＳＵＳ板に対する粘着力は、ＪＩＳ　Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定した。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例１～８の半導体加工用粘着テープでは、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面と半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面との色差ΔＥ＊ ａｂが所定の範囲であり、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の濡れ性に対して、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の濡れ性がほとんど変化していないことが確認された。一方、比較例１～２の半導体加工用粘着テープでは、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面と半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面との色差ΔＥ＊ ａｂが所定の範囲を満たしておらず、半導体加工用粘着テープの貼合前の銅箔の被着面の濡れ性に対して、半導体加工用粘着テープの剥離後の銅箔の被着面の濡れ性が変化していた。
　また、実施例２、３によれば、上記ΔＥ＊ ａｂと濡れ性とは必ずしも相関するわけではない。このことから、上記ΔＥ＊ ａｂによって、濡れ性では捉えられなかった銅箔の表面状態の変化を捉えることができることが示唆された。
　１　…　基材
　２　…　粘着層
　１０　…　半導体加工用粘着テープ

Claims (3)

  1. 　基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、
    　下記試験により求められる、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂが２．０以下である、半導体加工用粘着テープ。
    試験：下記工程（１）～（５）を順に有する。
    （１）前記半導体加工用粘着テープの前記粘着層の面を銅箔に貼合し、積層体を作製する。
    （２）前記積層体を、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下、６日間保管する。
    （３）前記積層体の前記半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射し、前記粘着層を硬化させる。
    （４）前記積層体から前記半導体加工用粘着テープを剥離する。
    （５）前記半導体加工用粘着テープの貼合前の前記銅箔の被着面と、前記半導体加工用粘着テープの剥離後の前記銅箔の被着面との、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色差ΔＥ＊ ａｂを求める。
  2. 　エネルギー線照射前のＳＵＳ板に対する粘着力が、１Ｎ／２５ｍｍ以上である、請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
  3. 　エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、２Ｎ／２５ｍｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の半導体加工用粘着テープ。
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