WO2023145568A1 - 流体センサ - Google Patents

Abstract

駆動電圧が低く、且つ検出精度に優れた流体センサを提供する。本流体センサは、駆動電圧に応じて導体に電流が流れることにより発熱する発熱抵抗体と、発熱抵抗体の周囲に設けられ、発熱抵抗体周辺の温度を検出する温度検出体と、を有し、発熱抵抗体は、ヒータ部と、ヒータ部の周囲に設けられ、ヒータ部に接続する配線抵抗体と、を含み、ヒータ部は、導体が複数回折り返す折り返し構造を有し、電流が流れる方向と交差する方向に沿ったヒータ部における導体幅は、配線抵抗体の配線幅よりも狭い。

Description

流体センサ

　本発明は、流体センサに関する。

　従来、空気等の流体の流向や流速を検出する流体センサが知られている。流体センサは、空調機器における空気の流量制御や、自動車のエンジン内の空気の流量制御、さらには気象予測などにおける屋外の風向や風速の測定等において使用される。

　流体センサには、半導体基板の空洞部を覆って形成した電気絶縁膜の一方の面に発熱抵抗体を配置して空気流量を計測するものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、ヒータ等の発熱抵抗体には、ヒータ配線と、このヒータ配線を支持する基板とを備え、ヒータ配線は、複数の配線パターンを接続して形成されたものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特許第３４６１４６９号公報 特許第３６８７７２４号公報

　流体センサでは、駆動電圧が低く、且つ検出精度に優れたものが求められている。

　本発明は、駆動電圧が低く、且つ検出精度に優れた流体センサを提供することを目的とする。

　本流体センサ（１００）は、駆動電圧に応じて導体（１０Ａ）に電流が流れることにより発熱する発熱抵抗体（１０）と、発熱抵抗体（１０）の周囲に設けられ、発熱抵抗体（１０）周辺の温度を検出する温度検出体（１１）と、を有し、発熱抵抗体（１０）は、ヒータ部（１０ｘ）と、ヒータ部（１０ｘ）の周囲に設けられ、ヒータ部（１０ｘ）に接続する配線抵抗体（１０３）と、を含み、ヒータ部（１０ｘ）は、導体（１０Ａ）が複数回折り返す折り返し構造を有し、電流が流れる方向と交差する方向に沿ったヒータ部（１０ｘ）における導体幅（Ｌ１、Ｌ２）は、配線抵抗体１０３の配線幅（Ｌ３）よりも狭い。

　なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。

　本発明によれば、駆動電圧が低く、且つ検出精度に優れた流体センサを提供できる。

実施形態に係る流体センサの構成を例示する平面図である。 図１のII－II切断線に沿った断面図である。 実施形態に係る流体センサの構成を例示するブロック図である。 図１における領域IVの拡大平面図である。 実施形態に係る発熱抵抗体の構成を例示する平面図である。 実施形態に係る発熱抵抗体周辺の温度分布を例示する第１図である。 実施形態に係る発熱抵抗体周辺の温度分布を例示する第２図である。 第１変形例に係る発熱抵抗体の構成を例示する平面図である。 第１変形例に係る発熱抵抗体周辺の温度分布を例示する第１図である。 第１変形例に係る発熱抵抗体周辺の温度分布を例示する第２図である。 第２変形例に係る発熱抵抗体の構成を例示する平面図である。 第３変形例に係る発熱抵抗体の構成を例示する平面図である。 第４変形例に係る流体センサの構成を例示する断面図である。 第５変形例に係る流体センサの構成を例示する断面図である。

　以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を適宜省略する。

　なお、以下に示す図において、実施形態に係る流体センサが有する実装基板の直交する２つの辺に平行な軸を、それぞれＸ軸及びＹ軸とし、Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向をＺ軸とする。

　Ｘ軸方向で矢印が向いている方向を＋Ｘ方向、＋Ｘ方向の反対方向を－Ｘ方向と表記し、Ｙ軸方向で矢印が向いている方向を＋Ｙ方向、＋Ｙ方向の反対方向を－Ｙ方向と表記し、Ｚ軸方向で矢印が向いている方向を＋Ｚ方向、＋Ｚ方向の反対方向を－Ｚ方向と表記する。但し、これらのことは流体センサの使用時における向きを制限するものではなく、流体センサの使用時における向きは任意である。

　［実施形態］
　＜流体センサ１００の構成例＞
　図１から図４を参照して、実施形態に係る流体センサ１００の構成について説明する。図１は、流体センサ１００の構成を例示する平面図である。図２は、図１のII－II切断線に沿った断面図である。図３は、流体センサ１００の構成を例示するブロック図である。

　図１から図３に示すように、流体センサ１００は、センサチップ１と、実装基板２と、駆動回路３と、を有する。流体センサ１００は、センサチップ１により、流量、流速、流向等の流体の流れを検出し、流体の流れに応じた信号（以下、センサ信号という）を出力するセンサである。

　センサチップ１は、樹脂などの接着部材を用いて実装基板２の＋Ｚ方向側に固着（いわゆるダイボンディング）されることにより実装される。実装基板２の平面形状は、略矩形状である。

　センサチップ１は、発熱抵抗体１０と、温度検出体１１と、第１接続端子１２１と、第１供給配線１３１と、第２接続端子１２２と、第２供給配線１３２と、信号端子１２３と、信号配線１３３と、半導体基板１４と、薄膜構造体１５と、絶縁部１６と、を有する。

　図２に示すように、半導体基板１４は、開口部１４ｘを有する枠状のシリコン基板である。薄膜構造体１５は、複数の絶縁膜が積層されたものであり、開口部１４ｘを塞ぐように半導体基板１４上に設けられている。薄膜構造体１５における開口部１４ｘ上の領域を、メンブレン１５ｔと称する。薄膜構造体１５の厚みは０．５～５．０μｍ程度である。

　メンブレン１５ｔは、開口部１４ｘ上に配置されており、半導体基板１４と接していないため、熱容量が小さく、温度変化が生じやすい。メンブレン１５ｔには、発熱抵抗体１０と、複数の温度検出体１１と、が設けられている。

　複数の温度検出体１１は、発熱抵抗体１０の－Ｘ方向側に設けられた温度検出体１１ｕと、発熱抵抗体１０の＋Ｘ方向側に設けられた温度検出体１１ｄと、を含む。例えば図２の矢印Ｆのように流体が流れている場合には、温度検出体１１ｕは流れの上流側に位置し、温度検出体１１ｄは流れの下流側に位置することになる。

　薄膜構造体１５上には、発熱抵抗体１０および温度検出体１１上を覆うように絶縁部１６が設けられている。絶縁部１６は、酸化シリコン等を含んで構成される絶縁膜である。絶縁部１６は薄膜構造体１５上に積層形成されている。

　図１に示すように、発熱抵抗体１０および温度検出体１１は、平面視においてメンブレン１５ｔの内側に形成されている。平面視におけるメンブレン１５ｔの形状は略円形であるが、これに限らず矩形状または多角形状であってもよい。

　センサチップ１の上面側には、複数の第１接続端子１２１と、複数の第２接続端子１２２と、複数の信号端子１２３が形成されている。複数の第１接続端子１２１のそれぞれは、対となる複数の第１供給配線１３１および複数の第１基板側接続端子２１を介して実装基板２に電気的に接続する。複数の第２接続端子１２２のそれぞれは、対となる複数の第２供給配線１３２および複数の第２基板側接続端子２２を介して実装基板２に電気的に接続する。複数の信号端子１２３のそれぞれは、対となる複数の信号配線１３３および複数の基板側信号端子２３を介して実装基板２に電気的に接続する。

　第１接続端子１２１、第２接続端子１２２、信号端子１２３、第１基板側接続端子２１、第２基板側接続端子２２および基板側信号端子２３は、それぞれボンディングパッドである。第１供給配線１３１、第２供給配線１３２および信号配線１３３は、それぞれボンディングワイヤである。

　本実施形態では、第１接続端子１２１、第１供給配線１３１、第２接続端子１２２および第２供給配線１３２のそれぞれは、金（Ａｕ）材料を含んで構成されている。また、第１接続端子１２１、第１供給配線１３１、第２接続端子１２２および第２供給配線１３２のそれぞれは、流体センサ１００の使用時に外気に露出する。

　図３において、発熱抵抗体１０は合成抵抗値Ｒｈの抵抗体、温度検出体１１ｕは抵抗値Ｒｕの抵抗体、温度検出体１１ｄは抵抗値Ｒｄの抵抗体である。発熱抵抗体１０の合成抵抗値Ｒｈは、１ｋΩ以下であることが好ましい。本実施形態では、合成抵抗値Ｒｈは、一例として８５０Ωである。

　駆動回路３は、センサチップ１の駆動制御を行うとともに、センサチップ１からセンサ信号を受信して流体の流れを算出する集積回路素子である。駆動回路３は、実装基板２上に実装され、第１駆動電圧Ｖｈを印加することにより発熱抵抗体１０を駆動させ、第２駆動電圧ＶＲを印加することにより温度検出体１１を駆動させる。第１駆動電圧Ｖｈは、発熱抵抗体の駆動電圧に対応する。また、駆動回路３は、センサチップ１から出力されるセンサ信号Ｖｓの大きさや正負の関係に基づき、流量や流向を算出することもできる。

　駆動回路３は、第１供給配線１３１および第１接続端子１２１を介して、発熱抵抗体１０に第１駆動電圧Ｖｈを印加する。また駆動回路３は、第２供給配線１３２および第２接続端子１２２を介して、温度検出体１１ｕおよび１１ｄを含む複数の温度検出体１１に第２駆動電圧ＶＲを印加する。第１駆動電圧Ｖｈおよび第２駆動電圧ＶＲそれぞれは、０．９Ｖ以下であると好ましく、０．７以下であるとさらに好ましい。本実施形態では、第１駆動電圧Ｖｈおよび第２駆動電圧ＶＲは、一例としてそれぞれ０．７Ｖである。

　＜センサチップ１の構成＞
　図４および図５を参照して、センサチップ１の構成について詳細に説明する。図４は、図１における領域IVの拡大平面図である。図５は、流体センサ１００が有する発熱抵抗体１０の構成を例示する平面図である。

　図４において、発熱抵抗体１０は、センサチップ１におけるメンブレン１５ｔの中心に配置されている。複数の温度検出体１１は、発熱抵抗体１０の周囲に設けられている。具体的には、複数の温度検出体１１は、発熱抵抗体１０を中心として略点対称となる位置に配置されている。４つの温度検出体１１のうち、２つの温度検出体１１は、発熱抵抗体１０を通るＸ軸の線上に配置されている。他の２つの温度検出体１１は、発熱抵抗体１０を通るＹ軸の線上に配置されている。つまり、温度検出体１１は直交する２軸方向に沿って配置されている。

　また、センサチップ１には、発熱抵抗体１０と第１接続端子１２１とを接続する導通線１２が設けられている。導通線幅Ｌ０は、電流が導通線１２を流れる方向と交差する方向における導通線１２の幅である。

　各温度検出体１１は、酸化バナジウム等を含んで構成された抵抗体である。

　Ｘ軸方向に沿って配置された２つの温度検出体１１ｕおよび１１ｄは、Ｘ軸方向に関する温度分布（温度差）を抵抗値の差として検出するために用いられる。Ｙ軸方向に配列された２つの温度検出体１１ｕおよび１１ｄは、Ｙ軸方向に関する温度分布（温度差）を抵抗値の差として検出するために用いられる。これらの温度検出体１１は、第２接続端子１２２を介して外部に設けられた複数の基準抵抗と接続されてブリッジ回路を構成し、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に関する温度差に対応するセンサ信号Ｖｓを出力する。

　発熱抵抗体１０は、白金（Ｐｔ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）、ポリシリコン（ｐ－Ｓｉ）等を含む導体１０Ａから構成されている。

　発熱抵抗体１０は、第１駆動電圧Ｖｈに応じて導体１０Ａを電流が流れることにより発熱する。発熱抵抗体１０は、発熱抵抗体１０上に位置する流体を、自身の発熱によって絶縁部１６を介して加熱し、発熱抵抗体１０周辺にある流体に温度分布を生じさせる。

　発熱抵抗体１０は、中心部１０１と、耳部１０２と、配線抵抗体１０３と、を含む。中心部１０１は、発熱抵抗体１０の中央に設けられている。耳部１０２は、中心部１０１の周囲に設けられ、中心部１０１に接続している。配線抵抗体１０３は、耳部１０２の周囲に設けられ、耳部１０２に接続している。これらのうち、中心部１０１および耳部１０２は、ヒータ部１０ｘを構成している。配線抵抗体１０３は、ヒータ部１０ｘの周囲に設けられ、ヒータ部１０ｘに接続している。

　図５に示すように、中心部１０１は、Ｙ軸方向に沿って２つに分割されている。中心部１０１Ａは、Ｙ軸方向に沿って２つに分割された中心部１０１のうちの一方の部分であり、中心部１０１Ｂは他方の部分である。なお、中心部１０１は、Ｙ軸方向に沿って２つに分割されているとしたが、分割された上下の中央付近を接続して１つの発熱抵抗体としてもよい。

　耳部１０２は、中心部１０１Ａの一端に接続する耳部１０２Ａと、中心部１０１Ａの他端に接続する耳部１０２Ｂと、中心部１０１Ｂの一端に接続する耳部１０２Ｃと、中心部１０１Ｂの他端に接続する耳部１０２Ｄと、を含む。４つの耳部１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃおよび１０２Ｄは、Ｘ軸に対して略４５度方向となる位置に配置されており、中心部１０１を中心にして略点対称に配置されている。

　発熱抵抗体１０における中心部１０１および耳部１０２のそれぞれは、導体１０Ａが複数回折り返す折り返し構造を有する。

　中心部１０１における折り返し構造の折り返し回数は９回以下であり、耳部１０２における折り返し構造の折り返し回数は６回以下であることが好ましい。中心部１０１における折り返し回数の９回以下は、中心部１０１Ａおよび１０１Ｂそれぞれにおける折り返し回数が９回以下であることを意味する。耳部１０２における折り返し回数の６回以下は、４つの耳部１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃおよび１０２Ｄそれぞれにおける折り返し回数が６回以下であることを意味する。本実施形態では、一例として、中心部１０１における折り返し回数は７回であり、耳部１０２における折り返し回数は４回である。

　第１導体幅Ｌ１は、中心部１０１に含まれる導体１０ＡのＸ軸方向に沿った幅である。第１間隔Ｓ１は、中心部１０１に含まれる導体１０Ａ同士のＸ軸方向に沿った間隔である。第２導体幅Ｌ２は、耳部１０２に含まれる導体１０ＡのＸ軸方向に沿った幅である。第２間隔Ｓ２は、耳部１０２に含まれる導体１０Ａ同士のＸ軸方向に沿った間隔である。Ｘ軸方向は、導体１０Ａを電流が流れる方向と交差する方向に対応する。

　配線幅Ｌ３は、配線抵抗体１０３を電流が流れる方向と交差する方向に沿った、配線抵抗体１０３の幅である。

　本実施形態では、一例として、第１導体幅Ｌ１は５．０μｍ、第１間隔Ｓ１は３．０μｍ、第２導体幅Ｌ２は５．４μｍ、第２間隔Ｓ２は３．０μｍ、配線幅Ｌ３は１０．０μｍである。つまり、第１導体幅Ｌ１および第２導体幅Ｌ２は、それぞれ配線幅Ｌ３よりも狭い。第１導体幅Ｌ１は第２導体幅Ｌ２よりも狭い。第１間隔Ｓ１は第１導体幅Ｌ１よりも狭く、第２間隔Ｓ２は第２導体幅Ｌ２よりも狭い。Ｘ軸方向に沿った中心部１０１および耳部１０２それぞれにおける導体１０Ａの幅は、３．０μｍ以上である。配線幅Ｌ３は導通線幅Ｌ０よりも広い。

　また、本実施形態では、中心部１０１、耳部１０２および配線抵抗体１０３における抵抗値の比は、およそ１．０：１．４：１．０である。

　＜流体センサ１００の動作例＞
　流体センサ１００の動作を簡単に説明する。

　まず、駆動回路３が発熱抵抗体１０に第１駆動電圧Ｖｈを印加することにより、発熱抵抗体１０が発熱し、発熱抵抗体１０周辺の流体が、絶縁部１６を介して加熱される。この加熱により、発熱抵抗体１０周辺の流体に温度分布が生じる。この温度分布は、流体の流れがない場合には発熱抵抗体１０を中心として均等である。温度検出体１１の抵抗値ＲｕおよびＲｄはほぼ等しく、抵抗値の差はほぼゼロである。センサ信号Ｖｓの出力電圧は、略ＶＲ／２となる。

　一方、例えば、図２に示した矢印Ｆの方向に流体が流れている場合には、温度分布には、流体の流れに応じた偏りが生じる。この場合には、各温度検出体１１の抵抗値Ｒｕ、Ｒｄは、温度分布の偏りに応じて変化する。この抵抗値の変化量を表すセンサ信号Ｖｓがセンサチップ１から出力され、駆動回路３に入力される。駆動回路３は、入力されたセンサ信号Ｖｓに基づいて流体または流量等を算出できる。

　＜流体センサ１００による温度分布例＞
　流体センサ１００による温度分布の一例について説明する。図６および図７は、発熱抵抗体１０周辺の温度分布のシミュレーション結果を例示する図である。図６はＸ軸方向およびＹ軸方向に沿った温度分布を示し、図７は４５度方向に沿った温度分布を示している。図６および図７とも流れがない状態での温度分布を示している。

　図６および図７において、横軸は、発熱抵抗体１０を中心にした流体センサ１００上での位置を表し、縦軸は温度を表す。－Ａμｍの位置Ｐｕに温度検出体１１ｕの中心が配置され、Ａμｍの位置Ｐｄに温度検出体１１ｄの中心が配置される。グラフＴｘ、ＴｙおよびＴ４５は、温度分布の目標値を表し、グラフＤｘ、ＤｙおよびＤ４５は、流体センサ１００により形成される温度分布を表す。

　温度分布の目標値は、例えば、様々な温度分布により行った流体の検出実験データに基づき、適正な検出結果を得やすい温度分布として予め定められたものである。流体センサ１００により形成される温度分布が目標値である温度分布に近いほど、流体センサ１００による検出精度が高いことを意味する。

　図６および図７に示すように、流体センサ１００による温度分布は、温度分布の目標値Ｔ１およびＴ２にほぼ沿ったものとなった。Ｘ軸、Ｙ軸および４５度の各方向において、位置Ｐｕおよび位置Ｐｄにおける流体センサ１００による温度分布の目標値に対する差異は、温度の約２．０％程度であった。

　以上より、流体センサ１００による温度分布は、Ｘ軸、Ｙ軸および４５度の各方向において目標値に近いものとなり、流体センサ１００により優れた検出精度が得られることが分かった。

　比較のため、ヒータ部における導体幅を配線抵抗体の配線幅以上にしてシミュレーションを行ったところ、位置Ｐｕと位置Ｐｄとの間よりも外側位置における配線抵抗体の温度上昇により、特に４５度方向における温度が高くなり、目標値との差異が大きくなった。このような目標値との差異は、流向や流速等の流体特性の均一性に影響を与える。

　＜流体センサ１００の作用効果＞
　次に、流体センサ１００の作用効果について説明する。

　流体に腐食性の物質が含まれている環境下において、配線や接続端子を外気に露出させた流体センサを使用すると、配線や接続端子が腐食する場合がある。また、腐食を防止するためにエポキシ樹脂等の保護部材により配線や接続端子を覆うと、保護部材が流体の流れを阻害することにより、流体センサの検出精度が低下する場合がある。

　一方、保護部材を設ける代わりに、対候性に優れた金（Ａｕ）材料を配線や接続端子に使用すると、屋外、特に沿岸地域で流体センサを使用する際等に、海塩粒子の塩素（Ｃｌ）と金材料とが反応することによりイオンマイグレーション現象が発生し、配線や接続端子の短絡や断線が生じ、流体センサの安定性を確保できない場合がある。なお、流体センサの安定性とは、流体センサに含まれる配線や接続端子が短絡したり、断線したりすることなく、安定して動作する性能または性質をいう。

　本実施形態に係る流体センサ１００では、第１接続端子１２１、第１供給配線１３１、第２接続端子１２２および第２供給配線１３２のそれぞれは金材料を含んで構成されている。また第１駆動電圧Ｖｈおよび第２駆動電圧ＶＲは、それぞれ０．７Ｖである。

　第１接続端子１２１、第１供給配線１３１、第２接続端子１２２および第２供給配線１３２のそれぞれを、金材料を含んで構成することにより、流体センサ１００の対候性を向上させることができる。また、０．９Ｖ以下の電位差では金材料のイオンマイグレーション現象は生じにくいため、イオンマイグレーション現象による短絡または断線等を抑制できる。例えば、ｐＨが７程度の海塩粒子を含んだ液体（海水）が金材料を含む配線や端子に付着した状態において、これらの配線や端子に０．９Ｖ以上の電圧が印加されると、塩化金（ＡｕＣｌ）や水酸化金Ｉ（ＡｕＯＨ）が析出し、短絡や断線が発生する場合がある。配線や端子に印加される電圧が０．９Ｖ以下では金（Ａｕ）の状態を維持できる。以上により、本実施形態では、安定性に優れた流体センサ１００を提供できる。

　また、本実施形態では、第１接続端子１２１、第１供給配線１３１、第２接続端子１２２および第２供給配線１３２のそれぞれは、流体センサ１００の使用時に外気に露出し、保護部材を設けないため、保護部材が流体の流れに与える影響をなくし、流体センサ１００は優れた検出精度を得ることができる。

　また、本実施形態では、発熱抵抗体１０の合成抵抗値Ｒｈ（発熱抵抗体は抵抗値）は１ｋΩ以下であり、例えば７００～９００Ω程度である。合成抵抗値Ｒｈを低くすることにより、０．７Ｖの第１駆動電圧Ｖｈにより発熱抵抗体１０を駆動させた場合にも、大きい発熱量を得ることができる。

　また、本実施形態では、発熱抵抗体１０に含まれる中心部１０１および耳部１０２は、それぞれ導体１０Ａが複数回折り返す折り返し構造を有するため、発熱抵抗体１０を電流が流れる距離を長くできる。電流が流れる距離を長くすることにより、０．７Ｖの第１駆動電圧Ｖｈにより発熱抵抗体１０させた場合にも、大きい発熱量を得ることができる。

　また、本実施形態では、中心部１０１における第１導体幅Ｌ１（中心部における導体幅）および耳部１０２における第２導体幅Ｌ２（耳部における導体幅）は、それぞれ３．０μｍ以上である。これにより、中心部１０１および耳部１０２を流れる電流量が大きくできるため、０．７Ｖの第１駆動電圧Ｖｈにより発熱抵抗体１０させた場合にも、大きい発熱量を得ることができる。また、製造工程における発熱抵抗体１０の加工精度を向上させ、発熱抵抗体１０の加工ばらつきを、ウェハ面内において低減することができる。

　また、本実施形態では、中心部１０１の抵抗値と、耳部１０２の抵抗値と、配線抵抗体１０３の抵抗値との関係は、耳部１０２の抵抗値は、中心部１０１と配線抵抗体１０３の抵抗値よりも大きく、また、中心部１０１の抵抗値と配線抵抗体１０３の抵抗値は等しい。例えば、中心部１０１の抵抗値と、耳部１０２の抵抗値と、配線抵抗体１０３の抵抗値の比は１．０：１．４：１．０である。これにより、発熱抵抗体１０により狙いの温度分布を形成しつつ、発熱抵抗体１０の抵抗値を低くすることができる。また、耳部１０２の抵抗比率を下げて発熱量を大きくすることにより、配線抵抗体１０３での吸熱により検出精度が低下しやすい４５度方向における流体の検出精度を向上させ、検出精度の方向依存性を低減することができる。

　また、本実施形態では、中心部１０１における折り返し構造の折り返し回数は９回以下、耳部１０２における折り返し構造の折り返し回数は７回以下である。これにより、発熱抵抗体１０により狙いの温度分布を形成しつつ、発熱抵抗体１０の抵抗値を低くすることができる。

　また、本実施形態では、ヒータ部１０ｘは、導体１０Ａが複数回折り返す折り返し構造を有し、ヒータ部１０ｘにおける第１導体幅Ｌ１および第２導体幅Ｌ２（ヒータ部における導体幅）のそれぞれは、配線抵抗体１０３の配線幅Ｌ３よりも狭い。この構成により、０．７Ｖといった低い第１駆動電圧Ｖｈにより発熱抵抗体１０を駆動させた場合にも、メンブレン中心部で、より大きい発熱量が得られ、流体による温度分布変化の検出感度が高くなるため、流体センサ１００による検出精度が高くなる。また、配線抵抗体１０３が延伸する方向への放熱を抑制できるため、４５度方向における流体センサ１００の検出精度を高くすることができる。本実施形態では、配線抵抗体１０３が延伸する方向は、Ｘ軸に対して４５度方向である。これらの結果、駆動電圧が低く、且つ検出精度に優れた流体センサを提供できる。

　また、本実施形態では、中心部１０１に含まれる導体１０Ａ同士の第１間隔Ｓ１（間隔）は、第１導体幅Ｌ１よりも狭く、且つ耳部１０２に含まれる導体１０Ａ同士の第２間隔Ｓ２（間隔）は、第２導体幅Ｌ２よりも狭い。この構成により、第１導体幅Ｌ１および第２導体幅Ｌ２を広くしつつ、中心部１０１および耳部１０２が大型化することを抑制できる。

　また、本実施形態では、第１導体幅Ｌ１は第２導体幅Ｌ２よりも狭い。これにより、中心部１０１の抵抗値が高くなるため、０．７Ｖの第１駆動電圧Ｖｈにより発熱抵抗体１０させた場合にも、中心部１０１の発熱量を大きくすることができる。

　また、本実施形態では、温度検出体１１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向（直交する２軸方向）に沿って配置され、耳部１０２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に対して４５度方向に沿って配置されている。この構成により、導通線１２での放熱により検出精度が低下しやすい４５度方向における流体の検出精度を向上させ、検出精度の方向依存性を低減できる。

　また、耳部１０２を設けない構成では、Ｘ軸方向とＹ軸方向との間の方向への流速が速くなった場合等に、導通線１２の放熱による温度低下により温度分布が非対称となり、Ｘ軸方向とＹ軸方向との間の方向における検出精度が低下する。耳部１０２を設けることにより、導通線１２の方向の放熱を耳部１０２の発熱によって補い、Ｘ軸方向とＹ軸方向との間の方向における流体センサ１００の検出精度低下を抑制できる。

　また、本実施形態では、中心部１０１から配線抵抗体１０３を４方向へ引き出すことによって検出精度の方向依存性を低減できる。本実施形態では、中心部１０１はＹ軸方向沿って２つに分割されている例を説明しているが、中心部１０１がＸ軸方向に沿って分割されても、また、中心部の分割を中央付近で接続されても、同様の効果が得られる。

　なお、流体センサ１００における半導体基板１４、薄膜構造体１５、絶縁部１６、信号端子１２３および信号配線１３３は必須の構成部ではなく、流体センサ１００はこれらの構成部を有さなくても上記の作用効果を得ることができる。

　また、本実施形態では、第１駆動電圧Ｖｈおよび第２駆動電圧ＶＲがそれぞれ０．７Ｖである例を示したが、これに限定されず、第１駆動電圧Ｖｈおよび第２駆動電圧ＶＲがそれぞれ０．９Ｖ以下であれば、上記の作用効果が得られる。

　＜変形例＞
　実施形態に係る流体センサは、様々な変形が可能であるため、以下、各変形例について説明する。なお、以下に示す各変形例において、上述した実施形態と同一の構成部には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。

　（第１変形例）
　図８は、第１変形例に係る流体センサ１００ａが有する発熱抵抗体１０ａの構成を例示する平面図である。図８に示すように、発熱抵抗体１０ａは、中心部１０１ａと、耳部１０２ａと、配線抵抗体１０３ａと、を有する。発熱抵抗体１０ａの第１駆動電圧Ｖｈは０．８Ｖである。

　中心部１０１ａは、Ｙ軸方向に沿って２つに分割されている。中心部１０１Ａａは、Ｙ軸方向に沿って２つに分割された中心部１０１ａのうちの一方の部分であり、中心部１０１Ｂａは他方の部分である。

　耳部１０２ａは、中心部１０１Ａａの一端に接続する耳部１０２Ａａと、中心部１０１Ａａの他端に接続する耳部１０２Ｂａと、中心部１０１Ｂａの一端に接続する耳部１０２Ｃａと、中心部１０１Ｂａの他端に接続する耳部１０２Ｄａと、を含む。４つの耳部１０２Ａａ、１０２Ｂａ、１０２Ｃａおよび１０２Ｄａは、Ｘ軸に対して略４５度方向の位置に配置されており、中心部１０１ａを中心にして略点対称に配置されている。

　第１導体幅Ｌ１ａは、中心部１０１ａに含まれる導体１０ＡのＸ軸方向に沿った幅である。第１間隔Ｓ１ａは、中心部１０１ａに含まれる導体１０Ａ同士のＸ軸方向に沿った間隔である。第２導体幅Ｌ２ａは、耳部１０２ａに含まれる導体１０ＡのＸ軸方向に沿った幅である。第２間隔Ｓ２ａは、耳部１０２ａに含まれる導体１０Ａ同士のＸ軸方向に沿った間隔である。配線幅Ｌ３ａは、配線抵抗体１０３ａを電流が流れる方向と交差する方向に沿った、配線抵抗体１０３ａの幅である。

　本変形例では、一例として、第１導体幅Ｌ１ａは５．０μｍ、第１間隔Ｓ１ａは３．２μｍ、第２導体幅Ｌ２ａは５．０μｍ、第２間隔Ｓ２ａは３．２μｍ、配線幅Ｌ３ａは８．０μｍである。つまり、第１導体幅Ｌ１ａおよび第２導体幅Ｌ２ａは、それぞれ配線幅Ｌ３よりも狭い。第１導体幅Ｌ１ａと第２導体幅Ｌ２ａは略等しい。第１間隔Ｓ１は第１導体幅Ｌ１よりも狭く、第２間隔Ｓ２は第２導体幅Ｌ２よりも狭い。またＸ軸方向に沿った中心部１０１および耳部１０２それぞれにおける導体１０Ａの幅は、３．０μｍ以上である。

　また、本実施形態では、中心部１０１ａ、耳部１０２ａおよび配線抵抗体１０３ａにおける抵抗値の比は、およそ１．０：１．５：１．０である。

　上述した流体センサ１００では、中心部１０１の第１導体幅Ｌ１が耳部１０２の第２導体幅Ｌ２よりも狭いのに対し、本変形例では、中心部１０１ａの第１導体幅Ｌ１ａは耳部１０２ａの第２導体幅Ｌ２ａと等しい点が相違する。また流体センサ１００では、中心部１０１、耳部１０２および配線抵抗体１０３における抵抗値の比がおよそ１．０：１．４：１．０であるのに対し、本変形例では、中心部１０１ａ、耳部１０２ａおよび配線抵抗体１０３ａにおける抵抗値の比がおよそ１．０：１．５：１．０である点が相違する。さらに流体センサ１００では、第１駆動電圧Ｖｈおよび第２駆動電圧ＶＲがそれぞれ０．７Ｖであるのに対し、本変形例では第１駆動電圧Ｖｈおよび第２駆動電圧ＶＲがそれぞれ０．８Ｖである点が相違する。

　図９は、発熱抵抗体１０ａ周辺の温度分布を例示する第１図である。図１０は、発熱抵抗体１０ａ周辺の温度分布を例示する第２図である。図９の見方は図６と同様であり、図１０の見方は図７と同様である。

　図９および図１０に示すように、流体センサ１００による温度分布は、温度分布の目標値Ｔ１およびＴ２にほぼ沿ったものとなった。Ｘ軸、Ｙ軸および４５度の各方向において、位置Ｐｕおよび位置Ｐｄにおける流体センサ１００による温度分布の目標値に対する差異は、温度の約２．０％程度であった。

　図１０でも同様に、流体センサ１００ａによる温度分布は、温度分布の目標値にほぼ沿ったものとなった。位置Ｐｕでは、目標値は３６．２℃、流体センサ１００ａによる温度は３６．５℃となり、位置Ｐｄでは、目標値は３６．２℃、流体センサ１００ａによる温度は３６．５℃となった。

　以上より、流体センサ１００ａによる温度分布は、Ｘ軸、Ｙ軸および４５度の各方向において目標値に近いものとなり、流体センサ１００ａにより優れた検出精度が得られることが分かった。

　流体センサ１００との相違点において流体センサ１００により得られる作用効果を除き、流体センサ１００ａにおいても、流体センサ１００と同等の作用効果が得られる。

　（第２変形例）
　図１１は、第２変形例に係る流体センサ１００ｂが有する発熱抵抗体１０ｂの構成を例示する平面図である。発熱抵抗体１０ｂは、中心部１０１ｂと、配線抵抗体１０３ｂと、を有する。

　中心部１０１ｂは、Ｙ軸方向に沿って２つに分割されている。中心部１０１Ａｂは、Ｙ軸方向に沿って２つに分割された中心部１０１ｂのうちの一方の部分であり、中心部１０１Ｂｂは他方の部分である。

　上述した流体センサ１００では、耳部１０２が設けられているのに対し、本変形例では、耳部が設けられていない点が主に相違する。

　流体センサ１００との相違点において流体センサ１００により得られる作用効果を除き、流体センサ１００ｂにおいても、流体センサ１００と同等の作用効果が得られる。

　（第３変形例）
　図１２は、第３変形例に係る流体センサ１００ｃが有する発熱抵抗体１０ｃの構成を例示する断面図である。発熱抵抗体１０ｃは、中心部１０１ｃと、配線抵抗体１０３ｃと、を有する。

　上述した流体センサ１００では、耳部１０２が設けられており、また中心部１０１がＹ軸方向に沿って２つに分割されているのに対し、本変形例では、耳部が設けられておらず、また中心部１０１ｃが分割されていない点が主に相違する。

　流体センサ１００との相違点において流体センサ１００により得られる作用効果を除き、流体センサ１００ｃにおいても、流体センサ１００と同等の作用効果が得られる。

　（第４変形例）
　図１３は、第４変形例に係る流体センサ１００ｄの構成を例示する断面図である。図１３の断面は、図１のII－II切断線を＋Ｘ軸方向に延長した切断線に沿った断面を表している。図１３に示すように、流体センサ１００ｄは樹脂部材２４を有する。

　流体センサ１００ｄでは、発熱抵抗体１０および温度検出体１１は、実装基板２に対して所定の高さＨ１の高さに配置されている。実装基板２には、第１基板側接続端子２１と、基板側配線３０と、が実装されている。

　実装基板２、駆動回路３、第１供給配線１３１および第２供給配線１３２のそれぞれの一部は、樹脂部材２４により覆われており、実装基板２に対する樹脂部材２４の高さＨ２は、高さＨ１と同じ、もしくは高さＨ１よりも低い。なお、第１供給配線１３１および第２供給配線１３２は、側面視において重なっているため、図１３では、符号を併記している。

　樹脂部材２４は、エポキシ樹脂等の絶縁性を有するものである。樹脂部材２４は、流動性を有する状態において、実装基板２、駆動回路３、第１供給配線１３１および第２供給配線１３２のそれぞれの一部を覆うように供給された後、固化することにより形成される。

　実装基板２、駆動回路３、第１供給配線１３１および第２供給配線１３２のそれぞれの一部を樹脂部材２４により覆うことによって、これらが腐食することを防止できる。また、樹脂部材２４の高さＨ２を高さＨ１と同じ、もしくは高さＨ１よりも低くすることにより、発熱抵抗体１０周辺を流れる流体の流れを樹脂部材２４が阻害しないため、流体センサ１００ｄにおける検出精度を高く確保することができる。

　上記以外の作用効果は、流体センサ１００と同様である。

　（第５変形例）
　図１４は、第５変形例に係る流体センサ１００ｅの構成を例示する断面図である。流体センサ１００ｅは、センサチップ１ｅと、樹脂膜１７と、を有する。センサチップ１ｅは、絶縁部１６を有さない点が、センサチップ１に対して相違する。

　発熱抵抗体１０、温度検出体１１、第１供給配線１３１および第２供給配線１３２は、樹脂膜１７により被覆されている。樹脂膜１７は、エポキシ樹脂等の絶縁性を有する膜である。

　樹脂膜１７は、流動性を有する状態において、発熱抵抗体１０、温度検出体１１、第１供給配線１３１および第２供給配線１３２を覆うように供給された後、固化することにより形成される。

　発熱抵抗体１０、温度検出体１１、第１供給配線１３１および第２供給配線１３２を樹脂膜１７により被覆することにより、これらの腐食を抑制でき、安定性に優れた流体センサ１００を提供できる。

　樹脂膜１７が厚いほど腐食を抑制する性能は高くなるが、発熱抵抗体１０周辺を流れる流体の流れを樹脂部材２４が阻害する場合があるため、樹脂膜１７の厚みは薄いことが好ましい。例えば樹脂膜１７の厚みは、３．０μｍ以下であることが好ましい。

　樹脂膜１７を設けた場合にも、流体センサを長期間使用すると、樹脂膜１７内に水分や塩素等が浸み込んで、発熱抵抗体１０、温度検出体１１、第１供給配線１３１および第２供給配線１３２を劣化させる場合がある。この場合にも、上述した流体センサ１００と同様の作用により、本変形例では、安定性に優れた流体センサ１００ｅを提供できる。

　以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

　本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜１＞　駆動電圧に応じて発熱する導体からなる発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の周囲に設けられ、前記発熱抵抗体周辺の温度を検出する温度検出体と、を有し、前記発熱抵抗体は、ヒータ部と、前記ヒータ部の周囲に設けられ、前記ヒータ部に接続する配線抵抗体と、を含み、前記ヒータ部は、前記導体が複数回折り返す折り返し構造を有し、前記ヒータ部における導体幅は、前記配線抵抗体の幅よりも狭い、流体センサである。
＜２＞　前記折り返し構造に含まれる前記導体同士の間隔は、前記ヒータ部における導体幅よりも狭い、前記＜１＞に記載の流体センサである。
＜３＞　前記導体同士の間隔は、電流が流れる方向と交差する方向に沿った間隔である、前記＜２＞に記載の流体センサである。
＜４＞　前記導体幅は、電流が流れる方向と交差する方向に沿った幅である、前記＜１＞から前記＜３＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜５＞　前記ヒータ部は、前記ヒータ部の中央に設けられた中心部と、前記中心部の周囲に設けられ、前記中心部に接続する耳部と、を含み、前記中心部における導体幅は、前記耳部における導体幅よりも狭い、前記＜１＞から前記＜４＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜６＞　前記耳部の抵抗値は、前記中心部の抵抗値および前記配線抵抗体の抵抗値よりも大きい、前記＜５＞に記載の流体センサである。
＜７＞　前記中心部の抵抗値と、前記耳部の抵抗値と、前記配線抵抗体の抵抗値と、の比は、１．０：１．４：１．０である、前記＜５＞または前記＜６＞に記載の流体センサである。
＜８＞　前記中心部における前記折り返し構造の折り返し回数は、９回以下であり、前記耳部における前記折り返し構造の折り返し回数は、６回以下である、前記＜５＞から前記＜７＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜９＞　前記温度検出体は、直交する２軸方向に沿って配置され、前記耳部は、前記２軸方向に対して４５度方向に沿って配置されている、前記＜５＞から前記＜８＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜１０＞　前記中心部は、前記２軸方向のうちのいずれか１軸方向に沿って２つに分割されている、前記＜９＞に記載の流体センサである。
＜１１＞　前記駆動電圧は、０．９Ｖ以下である、前記＜１＞から前記＜１０＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜１２＞　前記駆動電圧は、０．７Ｖ以下である、前記＜１＞から前記＜１１＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜１３＞　前記ヒータ部における導体幅は、３μｍ以上である、前記＜１＞から前記＜１２＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜１４＞　発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の周囲に設けられ、前記発熱抵抗体周辺の温度を検出する温度検出体と、前記発熱抵抗体に接続する第１接続端子と、前記第１接続端子を介して前記発熱抵抗体に第１駆動電圧を供給する第１供給配線と、前記温度検出体に接続する第２接続端子と、前記第２接続端子を介して前記温度検出体に第２駆動電圧を供給する第２供給配線と、を有し、前記第１接続端子、前記第１供給配線、前記第２接続端子および前記第２供給配線のそれぞれは金材料を含んで構成され、前記第１駆動電圧および前記第２駆動電圧は、それぞれ０．９Ｖ以下である、流体センサである。
＜１５＞　前記発熱抵抗体の抵抗値は、１ｋΩ以下である、前記＜１４＞に記載の流体センサである。
＜１６＞　前記発熱抵抗体は、前記発熱抵抗体の中央に設けられた中心部と、前記中心部の周囲に設けられ、前記中心部に接続する耳部と、前記耳部の周囲に設けられ、前記耳部に接続する配線抵抗体と、を含み、前記中心部および前記耳部のそれぞれは、前記第１駆動電圧に応じて電流が流れる導体が、複数回折り返す折り返し構造を有する、前記＜１４＞または前記＜１５＞に記載の流体センサである。
＜１７＞　前記導体を電流が流れる方向と交差する方向に沿った、前記中心部および前記耳部それぞれにおける導体幅は、３．０μｍ以上である、前記＜１６＞に記載の流体センサである。
＜１８＞　前記耳部の抵抗値は、前記中心部の抵抗値および前記配線抵抗体の抵抗値よりも大きい、前記＜１６＞または前記＜１７＞に記載の流体センサである。
＜１９＞　前記中心部の抵抗値と、前記耳部の抵抗値と、前記配線抵抗体の抵抗値と、の比は、１．０：１．４：１．０である、前記＜１６＞から前記＜１８＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜２０＞
　前記中心部における前記折り返し構造の折り返し回数は、９回以下であり、前記耳部における前記折り返し構造の折り返し回数は、６回以下である、前記＜１６＞から前記＜１９＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜２１＞　前記発熱抵抗体と前記第１接続端子とを接続する導通線を有し、電流が前記配線抵抗体を流れる方向と交差する方向における前記配線抵抗体の幅は、電流が前記導通線を流れる方向と交差する方向における前記導通線の幅よりも広い、前記＜１６＞から前記＜２０＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜２２＞　実装基板と、前記実装基板上に実装され、前記第１駆動電圧および前記第２駆動電圧を印加することにより、前記発熱抵抗体および前記温度検出体を駆動させる駆動回路と、を有し、前記発熱抵抗体および前記温度検出体は、前記実装基板に対して所定の高さに配置され、前記実装基板、前記駆動回路、前記第１供給配線および前記第２供給配線における少なくとも一部は、樹脂部材により覆われており、前記実装基板に対する前記樹脂部材の高さは、前記所定の高さよりも低い、前記＜１４＞から前記＜２１＞のいずれか１つに記載の流体センサである。
＜２３＞　前記発熱抵抗体、前記温度検出体、前記第１供給配線、および前記第２供給配線の少なくとも一部は、樹脂膜により被覆されている、前記＜１４＞から前記＜２２＞のいずれか１つに記載の流体センサである。

　この出願は、２０２２年１月２６日に日本国特許庁に出願された日本国特許出願第２０２２－０１０４６０号、２０２２年１月２６日に日本国特許庁に出願された日本国特許出願第２０２２－０１０４６１号に基づいて、その優先権を主張するものであり、この日本国特許出願の全内容を含む。

１、１ｅ・・・センサチップ、２・・・実装基板、３・・・駆動回路、１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ・・・発熱抵抗体、１０Ａ・・・導体、１０ｘ・・・ヒータ部、１１、１１ｕ、１１ｄ・・・温度検出体、１２・・・導通線、１４・・・半導体基板、１４ｘ・・・開口部、１５・・・薄膜構造体、１５ｔ・・・メンブレン、１６・・・絶縁部、１７・・・樹脂膜、２１・・・第１基板側接続端子、２２・・・第２基板側接続端子、２３・・・基板側信号端子、２４・・・樹脂部材、３０・・・基板側配線、１００、１００ａ～１００ｅ・・・流体センサ、１０１、１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ａａ、１０１Ｂａ・・・中心部、１０２、１０２ａ、１０２Ａ、１０２Ｂ、１０２Ｃ、１０２Ｄ、１０２Ａａ、１０２Ｂａ、１０２Ｃａ、１０２Ｄａ・・・耳部、１０３、１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ・・・配線抵抗体、１２１・・・第１接続端子、１２２・・・第２接続端子、１２３・・・信号端子、１３１・・・第１供給配線、１３２・・・第２供給配線、１３３・・・信号配線、Ｆ・・・矢印、Ｖｈ・・・第１駆動電圧、ＶＲ・・・第２駆動電圧、Ｖｓ・・・センサ信号、Ｒｈ・・・合成抵抗値、Ｒｕ、Ｒｄ・・・抵抗値、Ｌ０・・・導通線幅、Ｌ１、Ｌ１ａ・・・第１導体幅、Ｌ２、Ｌ２ａ・・・第２導体幅、Ｌ３、Ｌ３ａ・・・配線幅、Ｓ１、Ｓ１ａ・・・第１間隔、Ｓ２、Ｓ２ａ・・・第２間隔、Ｐｕ、Ｐｄ・・・位置、Ｄｘ、Ｄｙ、Ｄ４５、Ｔｘ、Ｔｙ、Ｔ４５・・・グラフ、Ｈ１、Ｈ２・・・高さ

Claims (23)

1. 　駆動電圧に応じて発熱する導体からなる発熱抵抗体と、
   　前記発熱抵抗体の周囲に設けられ、前記発熱抵抗体周辺の温度を検出する温度検出体と、を有し、
   　前記発熱抵抗体は、ヒータ部と、前記ヒータ部の周囲に設けられ、前記ヒータ部に接続する配線抵抗体と、を含み、
   　前記ヒータ部は、前記導体が複数回折り返す折り返し構造を有し、
   　前記ヒータ部における導体幅は、前記配線抵抗体の幅よりも狭い、流体センサ。
2. 　前記折り返し構造に含まれる前記導体同士の間隔は、前記ヒータ部における導体幅よりも狭い、請求項１に記載の流体センサ。
3. 　前記導体同士の間隔は、電流が流れる方向と交差する方向に沿った間隔である、請求項２に記載の流体センサ。
4. 　前記導体幅は、電流が流れる方向と交差する方向に沿った幅である、請求項１または請求項２に記載の流体センサ。
5. 　前記ヒータ部は、前記ヒータ部の中央に設けられた中心部と、前記中心部の周囲に設けられ、前記中心部に接続する耳部と、を含み、
   　前記中心部における導体幅は、前記耳部における導体幅よりも狭い、請求項１または請求項２に記載の流体センサ。
6. 　前記耳部の抵抗値は、前記中心部の抵抗値および前記配線抵抗体の抵抗値よりも大きい、請求項５に記載の流体センサ。
7. 　前記中心部の抵抗値と、前記耳部の抵抗値と、前記配線抵抗体の抵抗値と、の比は、１．０：１．４：１．０である、請求項５または請求項６に記載の流体センサ。
8. 　前記中心部における前記折り返し構造の折り返し回数は、９回以下であり、
   　前記耳部における前記折り返し構造の折り返し回数は、６回以下である、請求項５に記載の流体センサ。
9. 　前記温度検出体は、直交する２軸方向に沿って配置され、
   　前記耳部は、前記２軸方向に対して４５度方向に沿って配置されている、請求項５に記載の流体センサ。
10. 　前記中心部は、前記２軸方向のうちのいずれか１軸方向に沿って２つに分割されている、請求項９に記載の流体センサ。
11. 　前記駆動電圧は、０．９Ｖ以下である、請求項１または請求項２に記載の流体センサ。
12. 　前記駆動電圧は、０．７Ｖ以下である、請求項１または請求項２に記載の流体センサ。
13. 　前記ヒータ部における導体幅は、３μｍ以上である、請求項１または請求項２に記載の流体センサ。
14. 　発熱抵抗体と、
    　前記発熱抵抗体の周囲に設けられ、前記発熱抵抗体周辺の温度を検出する温度検出体と、
    　前記発熱抵抗体に接続する第１接続端子と、
    　前記第１接続端子を介して前記発熱抵抗体に第１駆動電圧を供給する第１供給配線と、
    　前記温度検出体に接続する第２接続端子と、
    　前記第２接続端子を介して前記温度検出体に第２駆動電圧を供給する第２供給配線と、を有し、
    　前記第１接続端子、前記第１供給配線、前記第２接続端子および前記第２供給配線のそれぞれは金材料を含んで構成され、
    　前記第１駆動電圧および前記第２駆動電圧は、それぞれ０．９Ｖ以下である、流体センサ。
15. 　前記発熱抵抗体の抵抗値は、１ｋΩ以下である、請求項１４に記載の流体センサ。
16. 　前記発熱抵抗体は、
    　前記発熱抵抗体の中央に設けられた中心部と、
    　前記中心部の周囲に設けられ、前記中心部に接続する耳部と、
    　前記耳部の周囲に設けられ、前記耳部に接続する配線抵抗体と、を含み、
    　前記中心部および前記耳部のそれぞれは、前記第１駆動電圧に応じて電流が流れる導体が、複数回折り返す折り返し構造を有する、請求項１４または請求項１５に記載の流体センサ。
17. 　前記導体を電流が流れる方向と交差する方向に沿った、前記中心部および前記耳部それぞれにおける導体幅は、３．０μｍ以上である、請求項１６に記載の流体センサ。
18. 前記耳部の抵抗値は、前記中心部の抵抗値および前記配線抵抗体の抵抗値よりも大きい、請求項１６または請求項１７に記載の流体センサ。
19. 　前記中心部の抵抗値と、前記耳部の抵抗値と、前記配線抵抗体の抵抗値と、の比は、１．０：１．４：１．０である、請求項１６または請求項１７に記載の流体センサ。
20. 　前記中心部における前記折り返し構造の折り返し回数は、９回以下であり、
    　前記耳部における前記折り返し構造の折り返し回数は、６回以下である、請求項１６または請求項１７に記載の流体センサ。
21. 　前記発熱抵抗体と前記第１接続端子とを接続する導通線を有し、
    　電流が前記配
    線抵抗体を流れる方向と交差する方向における前記配線抵抗体の幅は、電流が前記導通線を流れる方向と交差する方向における前記導通線の幅よりも広い、請求項１６または請求項１７に記載の流体センサ。
22. 　実装基板と、
    　前記実装基板上に実装され、前記第１駆動電圧および前記第２駆動電圧を印加することにより、前記発熱抵抗体および前記温度検出体を駆動させる駆動回路と、を有し、
    　前記発熱抵抗体および前記温度検出体は、前記実装基板に対して所定の高さに配置され、
    　前記実装基板、前記駆動回路、前記第１供給配線および前記第２供給配線における少なくとも一部は、樹脂部材により覆われており、
    　前記実装基板に対する前記樹脂部材の高さは、前記所定の高さよりも低い、請求項１４または請求項１５に記載の流体センサ。
23. 　前記発熱抵抗体、前記温度検出体、前記第１供給配線、および前記第２供給配線の少なくとも一部は、樹脂膜により被覆されている、請求項１４または請求項１５に記載の流体センサ。

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