WO2023139685A1 - 電子部品実装装置及び電子部品実装方法 - Google Patents

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WO2023139685A1
WO2023139685A1 PCT/JP2022/001776 JP2022001776W WO2023139685A1 WO 2023139685 A1 WO2023139685 A1 WO 2023139685A1 JP 2022001776 W JP2022001776 W JP 2022001776W WO 2023139685 A1 WO2023139685 A1 WO 2023139685A1
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WO
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electronic component
head
flux
dipping
mounting
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PCT/JP2022/001776
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English (en)
French (fr)
Inventor
信一 吉田
耕平 瀬山
Original Assignee
株式会社新川
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component mounting apparatus and an electronic component mounting method.
  • the electronic components are soldered to the substrate after the flux containing the oxide film remover, surface active agent, etc. is transferred to the bump electrodes of the electronic components.
  • Patent Document 1 discloses an electronic component mounting apparatus that includes a tray feeder section in which trays containing a plurality of semiconductor devices, which are electronic components, are set in advance, a transfer stage having a flux immersion area, a motherboard positioning section that positions and holds a motherboard, and a suction unit section that has a suction collet that suctions and holds electronic components.
  • the suction unit takes out the semiconductor device from the tray with the suction collet, immerses the bump electrodes of the electronic component in the flux in the flux immersion area, and then mounts the electronic component on the motherboard in the motherboard positioning portion.
  • the suction collet becomes hot because the bump electrodes are soldered when mounting the electronic component on the motherboard.
  • the high-temperature adsorption collet is cooled before the bump electrodes are immersed in the flux in order to suppress vaporization or deterioration of the flux in the flux immersion area, but this cooling time sometimes affects productivity.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an electronic component mounting apparatus and an electronic component mounting method with improved productivity.
  • An electronic component mounting apparatus includes an electronic component supply section that supplies electronic components having bump electrodes, a transfer stage that stores flux, a mounting stage on which a substrate is placed, a plurality of heads capable of picking up electronic components, and a controller that controls the operation of the plurality of heads. , to function.
  • control unit may control the maximum temperature during operation of the dipping head to be lower than the minimum temperature during operation of the bonding head.
  • the temperature range to be controlled for the dipping head and the bonding head is narrow. Therefore, the time required to change the temperature of the dipping head and bonding head can be shortened.
  • control unit may control the maximum temperature during operation of the dipping head to be lower than the activation temperature of the flux, and control the minimum temperature during operation of the bonding head to be higher than the activation temperature of the flux.
  • the maximum temperature during operation of the dipping head is lower than the activation temperature of the flux, the heating of the flux by the head can be suppressed, and the vaporization or deterioration of the flux can be suppressed. Further, since the minimum temperature during operation of the bonding head is higher than the flux activation temperature, the time required for flux activation can be shortened.
  • control unit may control the operating temperature of the dipping head to 20°C or higher and 90°C or lower, and the operating temperature of the bonding head to 150°C or higher and 350°C or lower.
  • the temperature of the dipping head by controlling the temperature of the dipping head to 20° C. or higher, it is possible to suppress cooling of the flux by the head and suppress an increase in the viscosity of the flux.
  • the temperature of the dipping head at 90° C. or less, the heating of the flux by the head can be suppressed, and the vaporization or deterioration of the flux can be suppressed.
  • the bonding head By controlling the bonding head to 150° C. or higher, the time required for flux activation can be shortened, and the time required for changing the temperature of the head during the mounting process can be shortened.
  • the temperature of the bonding head at 350° C. or less, it is possible to suppress the deterioration of the bump electrodes due to overheating.
  • the dipping head may have a cooling mechanism
  • the bonding head may have a heating mechanism and a cooling mechanism
  • the dipping head since the dipping head has a cooling mechanism, it is possible to suppress the temperature rise of the dipping head heated by the bonding head. Therefore, vaporization or deterioration of the flux in the immersion treatment can be suppressed.
  • the bonding head since the bonding head has a heating mechanism and a cooling mechanism, only the solder of the electronic component to be mounted can be quickly melted or solidified without thermally degrading the solder of the mounted electronic component.
  • the controller may transport the electronic component from the transfer stage to the mounting stage by the bonding head.
  • the electronic component is consistently held by the bonding head until it is picked up from the transfer stage and mounted on the substrate, it is possible to reduce the occurrence of defective products due to misalignment of the electronic component.
  • control section may transport the electronic component from the transfer stage to the mounting stage by the dipping head.
  • the heating of the flux by the head can be suppressed, and the vaporization or deterioration of the flux can be suppressed.
  • connection member that connects the dipping head and the bonding head may be further provided, and the dipping head and the bonding head may be configured to interlock in a direction along the mounting surface on which the electronic component is mounted on the mounting stage.
  • the configuration can be simplified compared to an electronic component mounting apparatus in which a plurality of heads are configured to be independently movable. Therefore, maintainability is improved, and the operating time of the apparatus can be extended.
  • the above aspect may further include a shielding member that inhibits heat exchange between the bonding head and the dipping head.
  • the dipping head and the bonding head may be configured to be independently movable in the direction along the mounting surface on which the electronic component is mounted on the mounting stage.
  • the immersion treatment and the mounting treatment can be performed in parallel. Therefore, productivity can be further improved.
  • An electronic component mounting method is an electronic component mounting method using an electronic component mounting apparatus comprising: an electronic component supply unit that supplies electronic components having bump electrodes; a transfer stage that stores flux; a mounting stage on which a substrate is placed; a plurality of heads that can pick up electronic components; It includes immersing in the fixed flux and mounting the electronic component on the substrate by a bonding head among the plurality of heads.
  • the above aspect may further include releasing the electronic component from the dipping head on the transfer stage and picking up the electronic component from the transfer stage by the bonding head.
  • the electronic component is consistently held by the bonding head until it is picked up from the transfer stage and mounted on the substrate, it is possible to reduce the occurrence of defective products due to misalignment of the electronic component.
  • the above aspect may further include controlling the maximum temperature during operation of the dipping head to be lower than the minimum temperature during operation of the bonding head by the control unit.
  • the temperature range to be controlled for the dipping head and the bonding head is narrow. Therefore, the time required to change the temperature of the dipping head and bonding head can be shortened.
  • FIG. 4 is a flowchart schematically showing an electronic component mounting method using the electronic component mounting apparatus according to the first embodiment; It is a figure which shows roughly the mode of process S130. It is a figure which shows roughly the mode of process S140. It is a figure which shows roughly the mode of process S160. It is a figure which shows roughly the mode of process S170. It is a figure which shows roughly the mode of process S130. It is a flowchart which shows roughly the modification of an electronic component mounting method. It is a figure which shows roughly the structure of the electronic component mounting apparatus which concerns on 2nd Embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of an electronic component mounting apparatus according to the first embodiment.
  • the electronic component mounting apparatus 1 is a flip chip bonder that solders the electronic components CP to the board BD.
  • the solder that joins the substrate BD and the electronic component CP is provided, for example, on the bump electrodes EB of the electronic component CP. However, the solder may be provided on the electrode pads of the substrate BD, or may be provided on both the bump electrodes EB and the electrode pads.
  • the electronic component mounting apparatus 1 includes a multi-head unit 100 , a control section 10 , an electronic component supply unit 20 , a transfer unit 30 and a mounting unit 40 .
  • the multi-head unit 100 includes a plurality of heads 110 and 120, a base member 130, a shielding member 140, and a head moving mechanism 150.
  • a plurality of heads 110 and 120 are configured to be able to pick up electronic components CP having bump electrodes EB.
  • the head 110 has a holding tool 111 , a heating tool 113 , a cooling tool 115 and an elevating mechanism 119 .
  • the holding tool 111 is tweezers for holding the electronic component CP, such as a suction collet.
  • the heating tool 113 is a heating mechanism for heating the holding tool 111, such as a ceramic heater.
  • the cooling tool 115 is a cooling mechanism for cooling the holding tool 111, and is, for example, a cooling channel or a Peltier element.
  • the elevating mechanism 119 is an elevating mechanism that elevates the holding tool 111 along a direction perpendicular to the transfer surface of the transfer unit 30 or the mounting surface of the mounting unit 40 (hereinafter referred to as the “vertical direction”), and is, for example, an electric cylinder or an actuator.
  • the head 120 has a holding tool 121 , a heating tool 123 , a cooling tool 125 and an elevating mechanism 129 . Since the head 120 has the same configuration as the head 110, the description of the components of the head 120 is omitted.
  • the heads 110 and 120 may further include a temperature sensor for detecting the temperature of the heads 110 and 120, a purge gas blowing mechanism for purging oxygen to suppress oxidation of the electrodes, and the like.
  • the purge gas is an inert gas with low reactivity with metals, such as nitrogen gas.
  • a plurality of heads 110 and 120 are attached to the base member 130 . That is, the elevating mechanisms 119 and 129 elevate the holding tools 111 and 121 with respect to the base member 130 .
  • the base member 130 connects the head 110 and the head 120 and corresponds to an example of a "connecting member" according to the present invention.
  • the shielding member 140 blocks heat exchange between the heads 110 and 120 .
  • the shielding member 140 is a plate-like member provided between the holding tool 111 and the holding tool 121, and is, for example, a heat insulating plate or a heat shielding plate.
  • the shielding member 140 may have a cooling mechanism.
  • the head moving mechanism 150 is a moving mechanism that moves the head 110 and the head 120 in a direction parallel to the transfer surface of the transfer unit 30 or the mounting surface of the mounting unit 40 (hereinafter referred to as "horizontal direction"), and is, for example, an orthogonal robot or a robot manipulator.
  • the head moving mechanism 150 moves the base member 130 . Therefore, the head 110 and the head 120 attached to the base member 130 are configured to interlock in the horizontal direction. Note that the head 110 and the head 120 may be configured to be independently movable along the horizontal direction.
  • the control unit 10 controls the multi-head unit 100. Specifically, the controller 10 causes the head 110 to function as a dipping head that dips the bump electrodes EB of the electronic component CP into the flux FX stored in the transfer unit 30 . The control unit 10 also causes the head 120 to function as a bonding head that mounts the electronic component CP on the substrate BD on the mounting unit 40 via the bump electrodes EB. The controller 10 controls the positions and temperatures of the heads 110 and 120 in order to assign the roles to the heads 110 and 120 in this manner. Further, the control unit 10 controls the holding tools 111 and 121 to cause the heads 110 and 120 to pick up or release the electronic component CP at appropriate timing.
  • the dipping head is a head dedicated to immersion processing, but the term “dedicated to immersion processing” as used herein means that the operation belonging to the immersion processing is exclusively executed without executing the operation belonging to the mounting processing among the immersion processing and the mounting processing, and the execution of other processing other than the immersion processing is not excluded.
  • the bonding head is a head dedicated to the mounting process, but the term “dedicated to the mounting process” as used herein means that the operation belonging to the mounting process is exclusively executed without executing the operation belonging to the immersion process among the respective processes of the immersion process and the mounting process, and the execution of other processes other than the mounting process is not excluded.
  • the control unit 10 controls the lifting mechanisms 119 and 129 and the head moving mechanism 150 in order to control the vertical and horizontal positions of the holding tools 111 and 121 of the heads 110 and 120 .
  • the control unit 10 picks up the electronic component CP from the electronic component supply unit 20, conveys the electronic component CP from the electronic component supply unit 20 to the transfer unit 30, and immerses the bump electrodes EB of the electronic component CP in the flux FX stored in the transfer unit 30.
  • the control unit 10 may release the electronic component CP on the transfer unit 30, or may release the electronic component CP after transporting the electronic component CP from the transfer unit 30 to the mounting unit 40.
  • the control unit 10 controls the position of the holding tool 121 of the head 120 to mount the electronic component CP on the board BD.
  • the control unit 10 may cause the head 120 to pick up the electronic component CP from the transfer stage 31 and convey the electronic component CP to the mounting stage 41, or may cause the head 110 to convey the electronic component CP from the transfer stage 31 to the mounting stage 41.
  • the electronic component mounting apparatus may further include an electronic component transfer section, where the electronic component may be transferred from the holding tool 111 of the head 110 to the holding tool 121 of the head 120 .
  • the control unit 10 controls the heating tools 113, 123 and the cooling tools 115, 125 of the heads 110, 120 in order to control the temperature during operation of the heads 110, 120 (hereinafter referred to as "operating temperature”).
  • the "operating temperature of the heads 110 and 120” means the temperature of the holding tools 111 and 121 when the electronic component mounting apparatus 1 is operated to perform the dipping process and the mounting process, and when the dipping process and the mounting process can be performed.
  • the control unit 10 controls the operating temperature of the head 110 within a suitable temperature range for the immersion process.
  • the controller 10 controls the temperature of the head 120 to be lower than the melting point of the solder.
  • the controller 10 controls the temperature of the head 120 to be higher than the melting point of the solder.
  • the temperature of the head 110 when picking up the electronic component CP from the transfer stage 31 will be referred to as "pre-processing temperature”
  • processing temperature the temperature when mounting the electronic component CP on the substrate BD
  • the lowest operating temperature of the head 120 is the pre-processing temperature
  • the highest operating temperature of the head 120 is the processing temperature.
  • the control unit 10 controls the maximum operating temperature of the head 110 to be lower than the minimum operating temperature of the head 120 .
  • the control unit 10 controls the maximum operating temperature of the head 110 to be lower than the activation temperature of the flux FX.
  • the control unit 10 preferably controls the operating temperature of the head 110 to 10° C. or higher and 120° C. or lower, more preferably 20° C. or higher and 90° C. or lower, and even more preferably 20° C. or higher and 60° C. or lower.
  • the control unit 10 controls the operating temperature of the head 120 so that the lowest operating temperature is lower than the melting point of the solder and the highest operating temperature is higher than the melting point of the solder.
  • the lowest operating temperature of the head 120 may be controlled to be higher than the activation temperature of the flux FX, for example.
  • the control unit 10 preferably controls the operating temperature of the head 120 to 100° C. or higher and 400° C. or lower, more preferably 150° C. or higher and 350° C. or lower, and even more preferably 200° C. or higher and 300° C. or lower.
  • the heating tool 113 of the head 110 may be omitted because the control unit 10 does not control the head 110 functioning as a dipping head to a high temperature range in which mounting processing is possible. Also, since the control unit 10 does not control the head 120 functioning as a bonding head to a low temperature range where the immersion process is possible, the cooling tool 125 of the head 120 may be omitted.
  • the control section 10 may acquire information regarding the operation status of at least one of the electronic component supply unit 20, the transfer unit 30, and the mounting unit 40, and control the multi-head unit 100 based on the information. Also, the control section 10 may control at least one of the electronic component supply unit 20 , the transfer unit 30 and the mounting unit 40 based on the operation status of the multi-head unit 100 .
  • the electronic component CP is supplied to the head 110 in the electronic component supply unit 20 .
  • the electronic component supply unit 20 corresponds to an example of the "electronic component supply section" according to the present invention.
  • the electronic component supply unit 20 is, for example, a tray feeder that supplies electronic components CP from a tray 21 containing electronic components CP.
  • the electronic component supply unit 20 may further include a holder that holds the tray 21, a conveyor that transports the tray 21, an orthogonal robot, a robot manipulator, or the like.
  • the electronic component supply unit 20 is not limited to the above, and may be, for example, a tape feeder.
  • the transfer unit 30 includes a transfer stage 31 that stores the flux FX.
  • the flux FX is stored at a uniform depth in the immersion area 33 of the transfer stage 31 .
  • the transfer unit 30 may further include a flux pod that supplies the flux FX to the immersion area 33, a squeegee that smoothes the surface of the flux FX in the immersion area 33, a temperature adjustment mechanism that adjusts the temperature of the flux FX, and an image analysis device that images the surface of the flux FX in the immersion area 33 before or after the transfer process and analyzes the transfer state of the flux FX to the bump electrodes EB.
  • the mounting unit 40 mounts the electronic component CP on the board BD.
  • the mounting unit 40 includes a mounting stage 41 on which the substrate BD is placed.
  • the mounting unit 40 may further include a temperature adjustment mechanism for adjusting the temperature of the substrate BD, a cover for covering the substrate BD, and a purge gas supply section for purging oxygen in the cover to suppress oxidation of the electrodes.
  • the electronic component mounting apparatus 1 may further include a transfer holding unit that temporarily holds the electronic component CP in order to transfer the electronic component CP from the head 110 to the head 120, and an image analysis device that takes an image of the bump electrode EB after transferring the flux FX and analyzes the transfer status of the flux FX to the bump electrode EB.
  • FIG. 2 is a flow chart schematically showing an electronic component mounting method using the electronic component mounting apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the state of step S130.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing the state of step S140.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing the state of step S160.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the state of step S170.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing the state of step S130.
  • each component of the multi-head unit 100 is controlled by the controller 10.
  • the head 110 functions as a dipping head and the head 120 functions as a bonding head.
  • the head 110 is also referred to as the "dipping head 110" and the head 120 as the "bonding head 120".
  • the dipping head 110 is controlled to about 25°C (S110).
  • the operating temperature of the dipping head 110 is not limited to about 25° C. as long as it is lower than the activation temperature of the flux FX, and may be controlled to about room temperature, for example. While the electronic component mounting apparatus 1 operates, the temperature of the dipping head 110 fluctuates due to the influence of the bonding head 120, but is preferably controlled to 20° C. or higher and 90° C. or lower, more preferably 20° C. or higher and 60° C. or lower, using the cooling tool 115.
  • the bonding head 120 is controlled to about 200°C (S120).
  • the bonding head 120 is controlled to the pre-processing temperature. That is, the bonding head 120 is controlled to the lowest operating temperature.
  • the temperature before processing is not limited to about 200° C., it is desirable to set the temperature as high as possible as long as it is below the melting point of the solder provided on the bump electrode EB and within a temperature range in which vaporization or deterioration of the flux FX stored in the transfer stage 31 is suppressed.
  • the time for the bonding head 120 to approach the flux FX is shorter than the immersion time. Therefore, even if the temperature of the bonding head 120 is about 200° C. higher than that of the dipping head 110, the temperature rise of the flux FX by the bonding head 120 can be sufficiently suppressed.
  • the electronic component CP is picked up by the dipping head 110 (S130).
  • the base member 130 is moved by controlling the head moving mechanism 150 so that the dipping head 110 overlaps the electronic component CP in the vertical direction.
  • the lifting mechanism 119 is controlled to lower the holding tool 111 vertically downward, and the holding tool 111 is controlled to pick up the electronic component CP.
  • the elevating mechanism 119 is controlled to vertically raise the holding tool 111 holding the electronic component CP.
  • the bump electrodes EB of the electronic component CP are immersed in the flux FX (S140).
  • the head moving mechanism 150 is controlled to horizontally move the base member 130 so that the dipping head 110 overlaps the dipping area 33 in the vertical direction.
  • the lifting mechanism 119 is controlled to lower the holding tool 111 vertically downward to dip the bump electrodes EB of the electronic component CP into the flux FX.
  • the electronic component CP is released from the dipping head 110 (S150).
  • the holding tool 111 is controlled to release the electronic component CP, and the lifting mechanism 119 is controlled to lift the holding tool 111 vertically upward.
  • the electronic component CP is picked up by the bonding head 120 (S160).
  • the head moving mechanism 150 is controlled to horizontally move the base member 130 so that the head 110 overlaps the electronic component CP on the transfer stage 31 in the vertical direction.
  • the lifting mechanism 129 is controlled to lower the holding tool 121 vertically downward, and the holding tool 121 is controlled to pick up the electronic component CP.
  • the elevating mechanism 129 is controlled to vertically raise the holding tool 121 holding the electronic component CP.
  • the bump electrodes EB of the electronic component CP are pressed against the electrode pads of the substrate BD (S170).
  • the head moving mechanism 150 is controlled to horizontally move the base member 130 so that the bump electrodes EB of the electronic component CP overlap the electrode pads of the substrate BD in the vertical direction.
  • the lifting mechanism 129 is controlled to lower the holding tool 121 vertically downward to bring the bump electrodes EB of the electronic component CP into contact with the electrode pads of the substrate BD.
  • the flux FX transferred to the bump electrodes EB is heated by the head 120 and activated.
  • the temperature of the bonding head 120 is controlled to about 300°C (S180). At this time, the temperature of the bonding head 120 is raised from the pretreatment temperature and controlled to the treatment temperature. That is, the bonding head 120 is controlled to the highest operating temperature.
  • the processing temperature is not limited to about 300° C., but is appropriately set within a temperature range that is equal to or higher than the melting point of the solder provided on the bump electrode EB and does not deteriorate the solder.
  • step S180 the solder provided on the bump electrodes EB is melted, and the bump electrodes EB of the electronic component CP and the electrode pads of the substrate BD are soldered.
  • the electronic component CP is released from the bonding head 120 (S190).
  • the holding tool 121 is controlled to release the electronic component CP, and the lifting mechanism 129 is controlled to lift the holding tool 121 vertically upward.
  • step S130 is performed again. During this time, the flux FX is added to the immersion area 33 of the transfer stage 31, and the surface of the flux FX supplied to the immersion area 33 is leveled by the squeegee.
  • control unit 10 is configured to divide the functions of the plurality of heads 110 and 120 into a dipping head that dips the bump electrodes EB of the electronic component CP into the flux FX stored in the transfer stage 31 and a bonding head that mounts the electronic component CP on the substrate BD on the mounting stage 41 via the bump electrodes EB.
  • the head 120 it is not necessary to cool the head 120, which has reached a high temperature due to the mounting process, before the immersion process in order to suppress vaporization or deterioration of the flux FX.
  • the cooling time of the head 120 By omitting the cooling time of the head 120, the time required for mounting the electronic component CP on the substrate BD can be shortened, and the electronic component mounting apparatus 1 with improved productivity can be provided.
  • control unit 10 controls the maximum temperature during operation of the dipping head to be lower than the minimum temperature during operation of the bonding head.
  • the temperature range to be controlled for the dipping head and bonding head is narrow. Therefore, the time required to change the temperature of the dipping head and bonding head can be shortened.
  • control unit 10 controls the maximum temperature during operation of the dipping head to be lower than the activation temperature of the flux FX, and controls the minimum temperature during operation of the bonding head to be higher than the activation temperature of the flux FX.
  • the maximum temperature during operation of the dipping head is lower than the activation temperature of the flux FX, heating of the flux FX by the head 110 can be suppressed, and vaporization or deterioration of the flux FX can be suppressed.
  • the minimum temperature during operation of the bonding head is higher than the activation temperature of the flux FX, the time required for activating the flux FX can be shortened.
  • control unit 10 controls the operating temperature of the dipping head to 20°C or higher and 90°C or lower, and the operating temperature of the bonding head to 150°C or higher and 350°C or lower.
  • the temperature of the dipping head by controlling the temperature of the dipping head to 20° C. or higher, cooling of the flux FX by the head 110 can be suppressed, and an increase in the viscosity of the flux FX can be suppressed.
  • the temperature of the dipping head at 90° C. or less, heating of the flux FX by the head 110 can be suppressed, and vaporization or deterioration of the flux FX can be suppressed.
  • the bonding head By controlling the bonding head to 150° C. or higher, the time required to activate the flux FX can be shortened, and the time required to change the temperature of the head 120 during the mounting process can be shortened.
  • the temperature of the bonding head at 350° C. or lower, it is possible to suppress deterioration of the bump electrode EB caused by excessive heating.
  • the dipping head has a cooling mechanism
  • the bonding head has a heating mechanism and a cooling mechanism
  • the dipping head since the dipping head has a cooling mechanism, it is possible to suppress the temperature rise of the dipping head heated by the bonding head. Therefore, vaporization or deterioration of the flux FX in the immersion treatment can be suppressed.
  • the bonding head since the bonding head has a heating mechanism and a cooling mechanism, only the solder of the electronic component to be mounted can be quickly melted or solidified without thermally degrading the solder of the mounted electronic component.
  • control unit 10 transports the electronic component CP from the transfer stage 31 to the mounting stage 41 by the bonding head.
  • the electronic component CP is consistently held by the bonding head until it is picked up from the transfer stage 31 and mounted on the substrate BD, it is possible to reduce the occurrence of defective products due to misalignment of the electronic component CP.
  • the electronic component mounting apparatus 1 further includes a connecting member that connects the dipping head and the bonding head, and the dipping head and the bonding head are configured to interlock in the direction along the mounting surface of the mounting stage 41 on which the electronic component CP is mounted.
  • the configuration can be simplified compared to the electronic component mounting apparatus 1 in which a plurality of heads are configured to be independently movable. Therefore, maintainability is improved, and the operating time of the apparatus can be extended.
  • the electronic component mounting apparatus 1 further includes a shielding member 140 that blocks heat exchange between the bonding head and the dipping head.
  • the electronic component mounting method using the electronic component mounting apparatus 1 includes picking up the electronic component CP from the electronic component supply section with the dipping head of the plurality of heads 110 and 120, immersing the bump electrodes EB of the electronic component CP in the flux FX stored in the transfer stage 31 with the dipping head, and mounting the electronic component CP on the substrate BD with the bonding head of the plurality of heads 110 and 120.
  • it further includes releasing the electronic component CP from the dipping head on the transfer stage 31 and picking up the electronic component CP from the transfer stage 31 by the bonding head.
  • the electronic component CP is consistently held by the bonding head until it is picked up from the transfer stage 31 and mounted on the substrate BD, it is possible to reduce the occurrence of defective products due to misalignment of the electronic component CP.
  • control unit 10 further includes controlling the maximum temperature during operation of the dipping head to be lower than the minimum temperature during operation of the bonding head.
  • the temperature range to be controlled for the dipping head and bonding head is narrow. Therefore, the time required to change the temperature of the dipping head and bonding head can be shortened.
  • FIG. 8 is a flow chart schematically showing a modification of the electronic component mounting method.
  • the bonding head 120 is controlled to 300° C. (S220). That is, the bonding head 120 is controlled to a temperature of about 300° C., which is higher than the melting point of the solder, before coming into contact with the electronic component CP, and is kept at a constant temperature during subsequent soldering.
  • a step S130 of picking up the electronic component CP by the dipping head 110 and a step S140 of immersing the bump electrodes EB of the electronic component CP in the flux FX are performed.
  • the electronic component CP is placed on the board BD (S250).
  • the holding tool 111 is controlled to keep the dipping head 110 holding the electronic component CP when the bump electrode EB is immersed in the flux FX.
  • the lifting mechanism 119 is controlled to lift the holding tool 111 holding the electronic component CP vertically upward.
  • the head moving mechanism 150 is controlled to horizontally move the base member 130 so that the bump electrodes EB of the electronic component CP overlap the electrode pads of the substrate BD in the vertical direction.
  • the lifting mechanism 119 is controlled to lower the holding tool 111 vertically downward to bring the bump electrodes EB of the electronic component CP into contact with the electrode pads of the substrate BD.
  • the electronic component CP is released from the dipping head 110 (S260).
  • the holding tool 111 is controlled to release the electronic component CP, and the lifting mechanism 119 is controlled to lift the holding tool 111 vertically upward.
  • the bump electrodes EB of the electronic component CP are pressed against the electrode pads of the substrate BD (S270).
  • the head moving mechanism 150 is controlled to horizontally move the base member 130 so that the bonding head 120 overlaps the electronic component CP on the mounting stage 41 in the vertical direction.
  • the elevating mechanism 129 is controlled to lower the holding tool 121 vertically downward so that the holding tool 121 is brought into contact with the electronic component CP.
  • the electronic component CP is heated via the holding tool 121 to melt the solder and solder the bump electrodes EB and the electrode pads.
  • step S190 the electronic component CP is released from the bonding head 120 (S190), and then the process returns to step S220.
  • control section 10 may cause the dipping head 110 to transport the electronic component CP from the transfer stage 31 to the mounting stage 41 .
  • the control section 10 does not have to transport the electronic component CP to the mounting stage 41 by the head 110 .
  • the control unit 10 may cause the head 110 to transport the electronic component CP from the transfer stage 31 to the delivery holding unit, and then release the electronic component CP from the head 110. Further, the control unit 10 may pick up the electronic component CP from the transfer holding unit by the head 120 and transport it to the mounting stage 41 . Also by this, the same effect as this modified example can be obtained.
  • FIG. 9 is a diagram schematically showing the configuration of an electronic component mounting apparatus according to the second embodiment.
  • the multiple heads 210, 220 are connected to the head moving mechanism 150 independently of each other. That is, the plurality of heads 210 and 220 are configured to be independently movable in the horizontal direction.
  • the immersion treatment and the mounting treatment can be performed in parallel. Therefore, productivity can be further improved.
  • the multi-head unit 200 may have separate head moving mechanisms for moving the heads 210 in the horizontal direction and head moving mechanisms for moving the heads 220 in the horizontal direction.

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Abstract

電子部品実装装置（１）は、バンプ電極（ＥＢ）を有する電子部品（ＣＰ）を供給する電子部品供給部（２０）と、フラックス（ＦＸ）を貯留する転写ステージ（３１）と、基板（ＢＤ）が載置される実装ステージ（４１）と、電子部品（ＣＰ）をピックアップ可能である複数のヘッドと、複数のヘッドの動作を制御する制御部（１０）とを備え、制御部（１０）は、複数のヘッドを、電子部品（ＣＰ）のバンプ電極（ＥＢ）を転写ステージ（３１）に貯留されたフラックス（ＦＸ）に浸漬させるディッピングヘッドと、実装ステージ（４１）の上の基板（ＢＤ）に対してバンプ電極（ＥＢ）を介して電子部品（ＣＰ）を実装させるボンディングヘッドと、に分担して機能させるように構成される。

Description

電子部品実装装置及び電子部品実装方法
　本願発明は、電子部品実装装置及び電子部品実装方法に関する。
　フリップチップボンディング方式による電子部品の実装工程においては、一般的に、酸化膜除去剤及び表面活性剤等を含むフラックスが電子部品のバンプ電極に転写された後、電子部品が基板に対してはんだ付けされる。
　例えば、特許文献１には、電子部品である半導体装置が複数収納されたトレイが予めセットされたトレイフィーダ部と、フラックス浸漬エリアを有する転写ステージと、マザーボードを位置決め保持するマザーボード位置決め部と、電子部品を吸着保持する吸着コレットを有する吸着ユニット部とを備える、電子部品搭載装置が開示されている。この電子部品搭載装置においては、吸着ユニットが、吸着コレットによってトレイから半導体装置を取り出し、電子部品のバンプ電極をフラックス浸漬エリアのフラックスに浸漬させ、その後、マザーボード位置決め部のマザーボードに電子部品を搭載する。
特許第４９６０１６０号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の電子部品搭載装置によれば、吸着コレットは、マザーボードに電子部品を搭載するときバンプ電極をはんだ付けするために高温となる。高温となった吸着コレットは、フラックス浸漬エリアのフラックスの気化又は劣化を抑制するために、バンプ電極をフラックスに浸漬する前に冷却されるが、この冷却時間が生産性に影響する場合があった。
　本願発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本願発明の目的は、生産性が向上した電子部品実装装置及び電子部品実装方法を提供することである。
　本願発明の一態様に係る電子部品実装装置は、バンプ電極を有する電子部品を供給する電子部品供給部と、フラックスを貯留する転写ステージと、基板が載置される実装ステージと、電子部品をピックアップ可能である複数のヘッドと、複数のヘッドの動作を制御する制御部とを備え、制御部は、複数のヘッドを、電子部品のバンプ電極を転写ステージに貯留されたフラックスに浸漬させるディッピングヘッドと、実装ステージの上の基板に対してバンプ電極を介して電子部品を実装させるボンディングヘッドと、に分担して機能させるように構成される。
　この態様によれば、実装処理のために高温となったヘッドを、フラックスの気化又は劣化を抑制するために浸漬処理の前に冷却する必要がない。ヘッドの冷却時間を省略することで、基板に対する電子部品の実装に要する時間を短縮することが可能となり、生産性が向上した電子部品実装装置を提供することができる。
　上記態様において、制御部は、ディッピングヘッドの動作中の最高温度がボンディングヘッドの動作中の最低温度よりも低くなるように制御してもよい。
　この態様によれば、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドの制御すべき温度範囲が狭い。このため、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドの温度を変化させるのに要する時間を短縮することができる。
　上記態様において、制御部は、ディッピングヘッドの動作中の最高温度がフラックスの活性化温度よりも低くなるよう制御し、ボンディングヘッドの動作中の最低温度がフラックスの活性化温度よりも高くなるように制御してもよい。
　この態様によれば、ディッピングヘッドの動作中の最高温度がフラックスの活性化温度よりも低いことで、ヘッドによるフラックスの加熱を抑制し、フラックスの気化又は劣化を抑制することができる。また、ボンディングヘッドの動作中の最低温度がフラックスの活性化温度よりも高いことで、フラックスの活性化に要する時間を短縮することができる。
　上記態様において、制御部は、ディッピングヘッドの動作中の温度を２０℃以上９０℃以下に制御し、ボンディングヘッドの動作中の温度を１５０℃以上３５０℃以下に制御してもよい。
　この態様によれば、ディッピングヘッドを２０℃以上に制御することで、ヘッドによるフラックスの冷却を抑制し、フラックスの粘度上昇を抑制することができる。ディッピングヘッドを９０℃以下に制御することで、ヘッドによるフラックスの加熱を抑制し、フラックスの気化又は劣化を抑制することができる。ボンディングヘッドを１５０℃以上に制御することで、フラックスの活性化に要する時間を短縮することができ、実装処理中にヘッドの温度を変化させるのに要する時間を短縮することができる。ボンディングヘッドを３５０℃以下に制御することで、過剰加熱に起因したバンプ電極の劣化を抑制することができる。
　上記態様において、ディッピングヘッドは冷却機構を有し、ボンディングヘッドは加熱機構と冷却機構とを有してもよい。
　この態様によれば、ディッピングヘッドが冷却機構を有することで、ボンディングヘッドによって加熱されたディッピングヘッドの昇温を抑制することができる。したがって、浸漬処理におけるフラックスの気化又は劣化を抑制することができる。また、ボンディングヘッドが加熱機構と冷却機構とを有することで、実装済みの電子部品のはんだを熱によって劣化させることなく、実装する電子部品のはんだのみを迅速に溶融又は固化させることができる。
　上記態様において、制御部は、ボンディングヘッドによって電子部品を転写ステージから実装ステージへと搬送してもよい。
　この態様によれば、転写ステージからピックアップして基板に実装するまで、電子部品を一貫してボンディングヘッドによって保持するため、電子部品の位置ずれによる不良品の発生を低減することができる。
　上記態様において、制御部は、ディッピングヘッドによって電子部品を転写ステージから実装ステージへと搬送してもよい。
　この態様によれば、転写ステージから電子部品をピックアップする際に、ヘッドによるフラックスの加熱を抑制し、フラックスの気化又は劣化を抑制することができる。
　上記態様において、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドを連結する連結部材をさらに備え、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドは、実装ステージにおける電子部品が載置される載置面に沿った方向において連動するように構成されてもよい。
　この態様によれば、複数のヘッドが別個独立に移動可能に構成された電子部品実装装置に比べて、構成を簡略化することができる。したがって、メンテナンス性が向上し、装置の稼働時間を伸ばすことができる。
　上記態様において、ボンディングヘッドとディッピングヘッドとの熱交換を阻害する遮蔽部材をさらに備えてもよい。
　この態様によれば、ディッピングヘッドの昇温を抑制することができる。したがって、ヘッドによるフラックスの加熱を抑制し、フラックスの気化又は劣化を抑制することができる。
　上記態様において、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドは、実装ステージにおける電子部品が載置される載置面に沿った方向において別個独立に移動可能に構成されてもよい。
　この態様によれば、浸漬処理と実装処理とを平行して行うことができる。したがって、生産性をさらに向上させることができる。
　本願発明の他の一態様に係る電子部品実装方法は、バンプ電極を有する電子部品を供給する電子部品供給部と、フラックスを貯留する転写ステージと、基板が載置される実装ステージと、電子部品をピックアップ可能である複数のヘッドと、複数のヘッドの動作を制御する制御部とを備える電子部品実装装置を用いた電子部品実装方法であって、複数のヘッドのうちディッピングヘッドによって電子部品供給部から電子部品をピックアップすることと、ディッピングヘッドによって電子部品のバンプ電極を転写ステージに貯留されたフラックスに浸漬させることと、複数のヘッドのうちボンディングヘッドによって電子部品を基板に実装することとを含む。
　この態様によれば、実装処理のために高温となったヘッドを、フラックスの気化又は劣化を抑制するために浸漬処理の前に冷却する必要がない。ヘッドの冷却時間を省略することで、基板に対する電子部品の実装に要する時間を短縮することが可能となり、生産性が向上した電子部品実装方法を提供することができる。
　上記態様において、転写ステージにおいてディッピングヘッドから電子部品をリリースすることと、ボンディングヘッドによって転写ステージから電子部品をピックアップすることとをさらに含んでもよい。
　この態様によれば、転写ステージからピックアップして基板に実装するまで、電子部品を一貫してボンディングヘッドによって保持するため、電子部品の位置ずれによる不良品の発生を低減することができる。
　上記態様において、制御部によって、ディッピングヘッドの動作中の最高温度がボンディングヘッドの動作中の最低温度よりも低くなるように制御することをさらに含んでもよい。
　この態様によれば、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドの制御すべき温度範囲が狭い。このため、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドの温度を変化させるのに要する時間を短縮することができる。
　本願発明によれば、生産性が向上した電子部品実装装置及び電子部品実装方法を提供することができる。
第１実施形態に係る電子部品実装装置の構成を概略的に示す図である。 第１実施形態に係る電子部品実装装置を用いた電子部品実装方法を概略的に示すフローチャートである。 工程Ｓ１３０の様子を概略的に示す図である。 工程Ｓ１４０の様子を概略的に示す図である。 工程Ｓ１６０の様子を概略的に示す図である。 工程Ｓ１７０の様子を概略的に示す図である。 工程Ｓ１３０の様子を概略的に示す図である。 電子部品実装方法の変形例を概略的に示すフローチャートである。 第２実施形態に係る電子部品実装装置の構成を概略的に示す図である。
　以下、図面を参照しながら本願発明の実施形態について説明する。本実施形態の図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本願発明の技術的範囲を当該実施形態に限定して解するべきではない。
　＜第１実施形態＞
　まず、図１を参照しつつ、本願発明の第１実施形態に係る電子部品実装装置１の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る電子部品実装装置の構成を概略的に示す図である。
　電子部品実装装置１は、基板ＢＤに電子部品ＣＰをはんだ付けするフリップチップボンダである。基板ＢＤと電子部品ＣＰとを接合するはんだは、例えば電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢに設けられている。但し、はんだは、基板ＢＤの電極パッドに設けられてもよく、バンプ電極ＥＢ及び電極パッドの両方に設けられてもよい。電子部品実装装置１は、マルチヘッドユニット１００と、制御部１０と、電子部品供給ユニット２０と、転写ユニット３０と、実装ユニット４０とを備えている。
　マルチヘッドユニット１００は、複数のヘッド１１０，１２０と、ベース部材１３０と、遮蔽部材１４０と、ヘッド移動機構１５０とを備えている。
　複数のヘッド１１０，１２０は、バンプ電極ＥＢを有する電子部品ＣＰをピックアップ可能に構成されている。ヘッド１１０は、保持ツール１１１と、加熱ツール１１３と、冷却ツール１１５と、昇降機構１１９とを有している。保持ツール１１１は、電子部品ＣＰを保持するピンセットであり、例えば吸着コレット等である。加熱ツール１１３は、保持ツール１１１を加熱する加熱機構であり、例えばセラミックヒータ等である。冷却ツール１１５は保持ツール１１１を冷却する冷却機構であり、例えば冷却流路やペルチェ素子等である。昇降機構１１９は、保持ツール１１１を転写ユニット３０の転写面又は実装ユニット４０の実装面と直交する方向（以下、「鉛直方向」とする。）に沿って昇降させる昇降機構であり、例えば電動シリンダやアクチュエータ等である。ヘッド１２０は、保持ツール１２１と、加熱ツール１２３と、冷却ツール１２５と、昇降機構１２９とを有している。ヘッド１２０はヘッド１１０と同様の構成のため、ヘッド１２０の構成要素についての説明は省略する。ヘッド１１０，１２０には、さらに、ヘッド１１０，１２０の温度を検知する温度センサ、及び、酸素をパージして電極の酸化を抑制するパージガス吹出機構等が備えられてもよい。パージガスは、金属との反応性が低い不活性ガスであり、例えば窒素ガスである。
　ベース部材１３０には、複数のヘッド１１０，１２０が取り付けられている。すなわち、昇降機構１１９，１２９は、ベース部材１３０に対して保持ツール１１１，１２１を昇降させる。ベース部材１３０は、ヘッド１１０とヘッド１２０とを連結しており、本発明に係る「連結部材」の一例に相当する。
　遮蔽部材１４０は、ヘッド１１０とヘッド１２０との熱交換を阻害する。遮蔽部材１４０は、保持ツール１１１と保持ツール１２１との間に設けられた板状部材であり、例えば断熱板又は遮熱板である。遮蔽部材１４０は冷却機構を備えてもよい。
　ヘッド移動機構１５０は、ヘッド１１０及びヘッド１２０を転写ユニット３０の転写面又は実装ユニット４０の実装面と平行な方向（以下、「水平方向」とする。）に沿って移動させる移動機構であり、例えば直交ロボット又はロボットマニピュレータである。ヘッド移動機構１５０は、ベース部材１３０を移動させる。このため、ベース部材１３０に取り付けられたヘッド１１０とヘッド１２０とは水平方向に沿って連動するように構成されている。なお、ヘッド１１０とヘッド１２０とは、水平方向に沿って別個独立に移動可能に構成されてもよい。
　制御部１０は、マルチヘッドユニット１００を制御する。具体的には、制御部１０は、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢを転写ユニット３０に貯留されたフラックスＦＸに浸漬させるディッピングヘッドとしてヘッド１１０を機能させる。また、制御部１０は、実装ユニット４０の上の基板ＢＤに対してバンプ電極ＥＢを介して電子部品ＣＰを実装させるボンディングヘッドとしてヘッド１２０を機能させる。このようにヘッド１１０，１２０に役割分担させるために、制御部１０は、ヘッド１１０，１２０の位置及び温度を制御する。また、制御部１０は、保持ツール１１１，１２１を制御することで、ヘッド１１０，１２０に電子部品ＣＰを適切なタイミングでピックアップ又はリリースさせる。なお、本明細書において、ディッピングヘッドは浸漬処理専用のヘッドであるが、ここでいう「浸漬処理専用」とは、浸漬処理及び実装処理の各処理のうち、実装処理に属する動作を実行することなく、もっぱら浸漬処理に属する動作を実行することを意味し、浸漬処理以外のその他の処理を実行することを排除するものではない。また、同様に、ボンディングヘッドは実装処理専用のヘッドであるが、ここでいう「実装処理専用」とは、浸漬処理及び実装処理の各処理のうち、浸漬処理に属する動作を実行することなく、もっぱら実装処理に属する動作を実行することを意味し、実装処理以外のその他の処理を実行することを排除するものではない。
　制御部１０は、ヘッド１１０，１２０の保持ツール１１１，１２１の鉛直方向及び水平方向における位置を制御するために、昇降機構１１９，１２９及びヘッド移動機構１５０を制御する。制御部１０は、ヘッド１１０の保持ツール１１１の位置を制御することで、電子部品ＣＰを電子部品供給ユニット２０からピックアップさせ、電子部品ＣＰを電子部品供給ユニット２０から転写ユニット３０へと搬送させ、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢを転写ユニット３０に貯留されたフラックスＦＸに浸漬させる。制御部１０は、転写ユニット３０上で電子部品ＣＰをリリースさせてもよく、転写ユニット３０から実装ユニット４０へと電子部品ＣＰを搬送させてからリリースさせてもよい。制御部１０は、ヘッド１２０の保持ツール１２１の位置を制御することで、電子部品ＣＰを基板ＢＤに実装させる。制御部１０は、ヘッド１２０に転写ステージ３１から電子部品ＣＰをピックアップさせて実装ステージ４１まで電子部品ＣＰを搬送させてもよく、ヘッド１１０に転写ステージ３１から実装ステージ４１まで電子部品ＣＰを搬送させてもよい。なお、電子部品実装装置は、電子部品受渡部をさらに備え、そこで電子部品をヘッド１１０の保持ツール１１１からヘッド１２０の保持ツール１２１へと受け渡してもよい。
　制御部１０は、ヘッド１１０，１２０の動作中の温度（以下、「動作温度」とする。）を制御するために、ヘッド１１０，１２０の加熱ツール１１３，１２３及び冷却ツール１１５，１２５を制御する。なお、ここでいう「ヘッド１１０，１２０の動作温度」とは、電子部品実装装置１を動作させて浸漬処理及び実装処理を実行している状態、並びに、浸漬処理及び実装処理が実行可能な状態における、保持ツール１１１，１２１の温度のことを意味する。制御部１０は、ヘッド１１０の動作温度を浸漬処理に好適な温度範囲に制御する。制御部１０は、ヘッド１２０が電子部品ＣＰを転写ステージ３１からピックアップするときは、ヘッド１２０をはんだの融点よりも低温に制御する。また、制御部１０は、ヘッド１２０が電子部品ＣＰを基板ＢＤに実装するときは、ヘッド１２０をはんだの融点よりも高温に制御する。以下、電子部品ＣＰを転写ステージ３１からピックアップするときのヘッド１１０の温度を「処理前温度」とし、電子部品ＣＰを基板ＢＤに実装するときの温度を「処理温度」とする。例えば、ヘッド１２０の動作温度の最低温度は処理前温度であり、ヘッド１２０の動作温度の最高温度は処理温度である。このように、ヘッド１１０，１２０の動作温度の制御範囲を限定することで、ヘッド１１０，１２０の温度変化が完了するまでにかかる時間が短縮される。
　制御部１０は、ヘッド１１０の動作温度の最高温度がヘッド１２０の動作温度の最低温度よりも低くなるように制御する。制御部１０は、ヘッド１１０の動作温度の最高温度がフラックスＦＸの活性化温度よりも低くなるように制御する。一例として、制御部１０は、ヘッド１１０の動作温度を１０℃以上１２０℃以下に制御するのが望ましく、２０℃以上９０℃以下に制御するのがさらに望ましく、２０℃以上６０℃以下に制御するのがさらに望ましい。また、制御部１０は、ヘッド１２０の動作温度の最低温度がはんだの融点よりも低くなり且つ最高温度がはんだの融点よりも高くなるように制御する。ヘッド１２０の動作温度の最低温度は、例えば、フラックスＦＸの活性化温度よりも高くなるように制御されてもよい。一例として、制御部１０は、ヘッド１２０の動作温度を１００℃以上４００℃以下に制御するのが望ましく、１５０℃以上３５０℃以下に制御するのがさらに望ましく、２００℃以上３００℃以下に制御するのがさらに望ましい。
　制御部１０は、ディッピングヘッドとして機能させるヘッド１１０を実装処理可能な高温域に制御しないため、ヘッド１１０の加熱ツール１１３は省略されてもよい。また、制御部１０は、ボンディングヘッドとして機能させるヘッド１２０を浸漬処理可能な低温域に制御しないため、ヘッド１２０の冷却ツール１２５は省略されてもよい。
　制御部１０は、電子部品供給ユニット２０，転写ユニット３０及び実装ユニット４０の少なくとも一つの動作状況に関する情報を取得し、当該情報に基いてマルチヘッドユニット１００を制御してもよい。また、制御部１０は、マルチヘッドユニット１００の動作状況に基づいて、電子部品供給ユニット２０、転写ユニット３０及び実装ユニット４０の少なくとも一つを制御してもよい。
　電子部品供給ユニット２０では、ヘッド１１０に電子部品ＣＰが供給される。電子部品供給ユニット２０は、本発明に係る「電子部品供給部」の一例に相当する。電子部品供給ユニット２０は、例えば、電子部品ＣＰが収容されたトレイ２１から電子部品ＣＰを供給するトレイフィーダである。なお、電子部品供給ユニット２０は、トレイ２１を保持する保持部並びに、トレイ２１を搬送するコンベア、直交ロボット又はロボットマニピュレータ、等をさらに備えてもよい。電子部品供給ユニット２０は上記に限定されるものではなく、例えばテープフィーダであってもよい。
　転写ユニット３０では、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢにフラックスＦＸが転写される。転写ユニット３０は、フラックスＦＸを貯留する転写ステージ３１を備えている。フラックスＦＸは、転写ステージ３１の浸漬エリア３３に一様な深さで貯留される。なお、転写ユニット３０は、フラックスＦＸを浸漬エリア３３に供給するフラックスポッド、浸漬エリア３３のフラックスＦＸ表面を均すスキージ、フラックスＦＸの温度を調整する温度調整機構、並びに、浸漬エリア３３のフラックスＦＸの転写処理前又は後の表面を撮像してバンプ電極ＥＢへのフラックスＦＸの転写状況を解析する画像解析装置等をさらに備えてもよい。
　実装ユニット４０では、基板ＢＤに電子部品ＣＰが実装される。実装ユニット４０は、基板ＢＤが載置される実装ステージ４１を備えている。なお、実装ユニット４０は、基板ＢＤの温度を調整する温度調整機構、基板ＢＤを覆うカバー、及び、当該カバー内の酸素をパージして電極の酸化を抑制するパージガス供給部等をさらに備えてもよい。
　電子部品実装装置１は、電子部品ＣＰをヘッド１１０からヘッド１２０へと受け渡すために電子部品ＣＰを一時的に保持する受渡用保持部、及び、フラックスＦＸ転写後のバンプ電極ＥＢを撮像してバンプ電極ＥＢへのフラックスＦＸの転写状況を解析する画像解析装置等をさらに備えてもよい。
　次に、図２～図７を参照しつつ、電子部品実装装置１を用いた電子部品実装方法の概要について説明する。図２は、第１実施形態に係る電子部品実装装置を用いた電子部品実装方法を概略的に示すフローチャートである。図３は、工程Ｓ１３０の様子を概略的に示す図である。図４は、工程Ｓ１４０の様子を概略的に示す図である。図５は、工程Ｓ１６０の様子を概略的に示す図である。図６は、工程Ｓ１７０の様子を概略的に示す図である。図７は、工程Ｓ１３０の様子を概略的に示す図である。以下の説明において、マルチヘッドユニット１００の各構成要素は制御部１０によって制御される。また、以下においては、ヘッド１１０をディッピングヘッドとして、ヘッド１２０をボンディングヘッドとして機能させる場合を説明するものとし、以下、ヘッド１１０を「ディッピングヘッド１１０」、ヘッド１２０を「ボンディングヘッド１２０」とも呼ぶこととする。
　まず、ディッピングヘッド１１０を２５℃程度に制御する（Ｓ１１０）。ディッピングヘッド１１０の動作温度は、フラックスＦＸの活性化温度よりも低ければ２５℃程度に限定されるものではなく、一例として室温程度に制御されてもよい。電子部品実装装置１の動作中、ディッピングヘッド１１０の温度はボンディングヘッド１２０の影響によって変動するが、冷却ツール１１５を用いて、望ましくは２０℃以上９０℃以下に制御され、さらに望ましくは２０℃以上６０℃以下に制御される。
　次に、ボンディングヘッド１２０を２００℃程度に制御する（Ｓ１２０）。このとき、ボンディングヘッド１２０は、処理前温度に制御される。すなわち、ボンディングヘッド１２０は、動作温度の最低温度に制御されている。処理前温度は２００℃程度に限定されるものではないが、バンプ電極ＥＢに設けられたはんだの融点以下であって、転写ステージ３１に貯留されたフラックスＦＸの気化又は劣化が抑制される温度範囲であれば、可能な限り高温に設定されるのが望ましい。後述するボンディングヘッド１２０による電子部品ＣＰのピックアップ時に、ボンディングヘッド１２０がフラックスＦＸに接近する時間は浸漬処理の時間に比べて短い。このため、ボンディングヘッド１２０がディッピングヘッド１１０よりも高温の２００℃程度であったとしても、ボンディングヘッド１２０によるフラックスＦＸの昇温は充分に抑制可能である。
　次に、ディッピングヘッド１１０によって電子部品ＣＰをピックアップする（Ｓ１３０）。図３に示すように、鉛直方向においてディッピングヘッド１１０が電子部品ＣＰに重なるように、ヘッド移動機構１５０を制御してベース部材１３０を移動させる。次に、昇降機構１１９を制御して保持ツール１１１を鉛直下向きに降下させ、保持ツール１１１を制御して電子部品ＣＰをピックアップさせる。その後、昇降機構１１９を制御して、電子部品ＣＰを保持した保持ツール１１１を鉛直上向きに上昇させる。
　次に、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢをフラックスＦＸに浸漬させる（Ｓ１４０）。まず、鉛直方向においてディッピングヘッド１１０が浸漬エリア３３に重なるように、ヘッド移動機構１５０を制御してベース部材１３０を水平方向に移動させる。次に、図４に示すように、昇降機構１１９を制御して保持ツール１１１を鉛直下向きに降下させ、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢをフラックスＦＸに浸漬させる。
　次に、電子部品ＣＰをディッピングヘッド１１０からリリースする（Ｓ１５０）。保持ツール１１１を制御して電子部品ＣＰをリリースし、昇降機構１１９を制御して保持ツール１１１を鉛直上向きに上昇させる。
　次に、ボンディングヘッド１２０によって電子部品ＣＰをピックアップする（Ｓ１６０）。まず、鉛直方向においてヘッド１１０が転写ステージ３１上の電子部品ＣＰに重なるように、ヘッド移動機構１５０を制御してベース部材１３０を水平方向に移動させる。次に、図５に示すように、昇降機構１２９を制御して保持ツール１２１を鉛直下向きに降下させ、保持ツール１２１を制御して電子部品ＣＰをピックアップさせる。その後、昇降機構１２９を制御して、電子部品ＣＰを保持した保持ツール１２１を鉛直上向きに上昇させる。
　次に、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢを基板ＢＤの電極パッドに押し当てる（Ｓ１７０）。まず、鉛直方向において電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢが基板ＢＤの電極パッドに重なるように、ヘッド移動機構１５０を制御してベース部材１３０を水平方向に移動させる。次に、図４に示すように、昇降機構１２９を制御して保持ツール１２１を鉛直下向きに降下させ、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢを基板ＢＤの電極パッドに接触させる。工程Ｓ１６０から工程Ｓ１７０までに間に、バンプ電極ＥＢに転写されたフラックスＦＸがヘッド１２０によって加熱され活性化する。
　次に、ボンディングヘッド１２０の温度を３００℃程度に制御する（Ｓ１８０）。このとき、ボンディングヘッド１２０は、処理前温度から昇温され、処理温度に制御される。すなわち、ボンディングヘッド１２０は、動作温度の最高温度に制御されている。処理温度は３００℃程度に限定されるものではなく、バンプ電極ＥＢに設けられたはんだの融点以上であって、はんだが劣化しない温度範囲において適宜設定される。工程Ｓ１８０において、バンプ電極ＥＢに設けられたはんだは溶融し、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢと基板ＢＤの電極パッドとがはんだ付けされる。
　次に、電子部品ＣＰをボンディングヘッド１２０からリリースする（Ｓ１９０）。保持ツール１２１を制御して電子部品ＣＰをリリースし、昇降機構１２９を制御して保持ツール１２１を鉛直上向きに上昇させる。
　その後、再び工程Ｓ１２０に戻り、ボンディングヘッド１２０を処理前温度に降温する。そして、図７に示すように、再び工程Ｓ１３０を実施する。この間に、転写ステージ３１の浸漬エリア３３にフラックスＦＸを追加し、スキージによって浸漬エリア３３に供給されたフラックスＦＸの表面を均しておく。
　以上説明した態様において、制御部１０は、複数のヘッド１１０，１２０を、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢを転写ステージ３１に貯留されたフラックスＦＸに浸漬させるディッピングヘッドと、実装ステージ４１の上の基板ＢＤに対してバンプ電極ＥＢを介して電子部品ＣＰを実装させるボンディングヘッドと、に分担して機能させるように構成されている。
　これによれば、実装処理のために高温となったヘッド１２０を、フラックスＦＸの気化又は劣化を抑制するために浸漬処理の前に冷却する必要がない。ヘッド１２０の冷却時間を省略することで、基板ＢＤに対する電子部品ＣＰの実装に要する時間を短縮することが可能となり、生産性が向上した電子部品実装装置１を提供することができる。
　一態様として、制御部１０は、ディッピングヘッドの動作中の最高温度がボンディングヘッドの動作中の最低温度よりも低くなるように制御する。
　これによれば、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドの制御すべき温度範囲が狭い。このため、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドの温度を変化させるのに要する時間を短縮することができる。
　一態様として、制御部１０は、ディッピングヘッドの動作中の最高温度がフラックスＦＸの活性化温度よりも低くなるよう制御し、ボンディングヘッドの動作中の最低温度がフラックスＦＸの活性化温度よりも高くなるように制御する。
　これによれば、ディッピングヘッドの動作中の最高温度がフラックスＦＸの活性化温度よりも低いことで、ヘッド１１０によるフラックスＦＸの加熱を抑制し、フラックスＦＸの気化又は劣化を抑制することができる。また、ボンディングヘッドの動作中の最低温度がフラックスＦＸの活性化温度よりも高いことで、フラックスＦＸの活性化に要する時間を短縮することができる。
　一態様として、制御部１０は、ディッピングヘッドの動作中の温度を２０℃以上９０℃以下に制御し、ボンディングヘッドの動作中の温度を１５０℃以上３５０℃以下に制御する。
　これによれば、ディッピングヘッドを２０℃以上に制御することで、ヘッド１１０によるフラックスＦＸの冷却を抑制し、フラックスＦＸの粘度上昇を抑制することができる。ディッピングヘッドを９０℃以下に制御することで、ヘッド１１０によるフラックスＦＸの加熱を抑制し、フラックスＦＸの気化又は劣化を抑制することができる。ボンディングヘッドを１５０℃以上に制御することで、フラックスＦＸの活性化に要する時間を短縮することができ、実装処理中にヘッド１２０の温度を変化させるのに要する時間を短縮することができる。ボンディングヘッドを３５０℃以下に制御することで、過剰加熱に起因したバンプ電極ＥＢの劣化を抑制することができる。
　一態様として、ディッピングヘッドは冷却機構を有し、ボンディングヘッドは加熱機構と冷却機構とを有する。
　これによれば、ディッピングヘッドが冷却機構を有することで、ボンディングヘッドによって加熱されたディッピングヘッドの昇温を抑制することができる。したがって、浸漬処理におけるフラックスＦＸの気化又は劣化を抑制することができる。また、ボンディングヘッドが加熱機構と冷却機構とを有することで、実装済みの電子部品のはんだを熱によって劣化させることなく、実装する電子部品のはんだのみを迅速に溶融又は固化させることができる。
　一態様として、制御部１０は、ボンディングヘッドによって電子部品ＣＰを転写ステージ３１から実装ステージ４１へと搬送する。
　これによれば、転写ステージ３１からピックアップして基板ＢＤに実装するまで、電子部品ＣＰを一貫してボンディングヘッドによって保持するため、電子部品ＣＰの位置ずれによる不良品の発生を低減することができる。
　一態様として、電子部品実装装置１は、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドを連結する連結部材をさらに備え、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドは、実装ステージ４１における電子部品ＣＰが載置される載置面に沿った方向において連動するように構成されている。
　これによれば、複数のヘッドが別個独立に移動可能に構成された電子部品実装装置１に比べて、構成を簡略化することができる。したがって、メンテナンス性が向上し、装置の稼働時間を伸ばすことができる。
　一態様として、電子部品実装装置１は、ボンディングヘッドとディッピングヘッドとの熱交換を阻害する遮蔽部材１４０をさらに備える。
　これによれば、ディッピングヘッドの昇温を抑制することができる。したがって、ヘッドによるフラックスＦＸの加熱を抑制し、フラックスＦＸの気化又は劣化を抑制することができる。
　また、電子部品実装装置１を用いた電子部品実装方法は、複数のヘッド１１０，１２０のうちディッピングヘッドによって電子部品供給部から電子部品ＣＰをピックアップすることと、ディッピングヘッドによって電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢを転写ステージ３１に貯留されたフラックスＦＸに浸漬させることと、複数のヘッド１１０，１２０のうちボンディングヘッドによって電子部品ＣＰを基板ＢＤに実装することとを含む。
　これによれば、実装処理のために高温となったヘッド１２０を、フラックスＦＸの気化又は劣化を抑制するために浸漬処理の前に冷却する必要がない。ヘッド１２０の冷却時間を省略することで、基板ＢＤに対する電子部品ＣＰの実装に要する時間を短縮することが可能となり、生産性が向上した電子部品実装方法を提供することができる。
　一態様として、転写ステージ３１においてディッピングヘッドから電子部品ＣＰをリリースすることと、ボンディングヘッドによって転写ステージ３１から電子部品ＣＰをピックアップすることとをさらに含む。
　これによれば、転写ステージ３１からピックアップして基板ＢＤに実装するまで、電子部品ＣＰを一貫してボンディングヘッドによって保持するため、電子部品ＣＰの位置ずれによる不良品の発生を低減することができる。
　一態様として、制御部１０によって、ディッピングヘッドの動作中の最高温度がボンディングヘッドの動作中の最低温度よりも低くなるように制御することをさらに含む。
　これによれば、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドの制御すべき温度範囲が狭い。このため、ディッピングヘッド及びボンディングヘッドの温度を変化させるのに要する時間を短縮することができる。
　以下に、第１実施形態の変形例及び第２実施形態について説明する。なお、第１実施形態に示した構成と同一又は類似の構成について同一又は類似の符号を付し、その説明を適宜省略する。また、同様の構成による同様の作用効果については、逐次言及しない。
　＜変形例＞
　まず、図８を参照しつつ、電子部品実装方法の一変形例について説明する。図８は、電子部品実装方法の変形例を概略的に示すフローチャートである。
　本変形例においては、ディッピングヘッド１１０を２５℃程度に制御する工程Ｓ１１０の後、ボンディングヘッド１２０を３００℃に制御する（Ｓ２２０）。すなわち、ボンディングヘッド１２０は、電子部品ＣＰに接触する前からはんだの融点よりも高温の３００℃程度に制御され、その後のはんだ付け中も一定の温度に制御される。次に、ディッピングヘッド１１０によって電子部品ＣＰをピックアップする工程Ｓ１３０と、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢをフラックスＦＸに浸漬させる工程Ｓ１４０とを実施する。
　次に、電子部品ＣＰを基板ＢＤ上に載置する（Ｓ２５０）。まず、保持ツール１１１を制御して、バンプ電極ＥＢがフラックスＦＸに浸漬したときに、ディッピングヘッド１１０が電子部品ＣＰを保持した状態を維持させる。次に、昇降機構１１９を制御して、電子部品ＣＰを保持した保持ツール１１１を鉛直上向きに上昇させる。次に、鉛直方向において電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢが基板ＢＤの電極パッドに重なるように、ヘッド移動機構１５０を制御してベース部材１３０を水平方向に移動させる。次に、昇降機構１１９を制御して保持ツール１１１を鉛直下向きに降下させ、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢを基板ＢＤの電極パッドに接触させる。
　次に、電子部品ＣＰをディッピングヘッド１１０からリリースする（Ｓ２６０）。保持ツール１１１を制御して電子部品ＣＰをリリースし、昇降機構１１９を制御して保持ツール１１１を鉛直上向きに上昇させる。
　次に、電子部品ＣＰのバンプ電極ＥＢを基板ＢＤの電極パッドに押し当てる（Ｓ２７０）。まず、鉛直方向においてボンディングヘッド１２０が実装ステージ４１上の電子部品ＣＰに重なるように、ヘッド移動機構１５０を制御してベース部材１３０を水平方向に移動させる。次に、昇降機構１２９を制御して保持ツール１２１を鉛直下向きに降下させ、保持ツール１２１に電子部品ＣＰを接触させる。次に、保持ツール１２１を介して電子部品ＣＰを加熱し、はんだを溶融させてバンプ電極ＥＢと電極パッドとをはんだ付けする。
　次に、電子部品ＣＰをボンディングヘッド１２０からリリースし（Ｓ１９０）、その後再び工程Ｓ２２０に戻る。
　このように、電子部品実装装置１において、制御部１０は、ディッピングヘッド１１０によって電子部品ＣＰを転写ステージ３１から実装ステージ４１へと搬送させてもよい。
　これによれば、転写ステージか３１ら電子部品ＣＰをピックアップする際に、ヘッド１２０によるフラックスＦＸの加熱を抑制し、フラックスＦＸの気化又は劣化を抑制することができる。
　なお、転写ステージ３１から電子部品ＣＰをピックアップするのがヘッド１１０であれば、制御部１０がヘッド１１０によって電子部品ＣＰを実装ステージ４１に搬送させる構成でなくてもよい。例えば、電子部品実装装置１が電子部品ＣＰを一時的に保持する受渡用保持部をさらに備える場合、制御部１０は、ヘッド１１０によって電子部品ＣＰを転写ステージ３１から受渡用保持部へと搬送させた後、ヘッド１１０から電子部品ＣＰをリリースさせてもよい。また、制御部１０は、ヘッド１２０によって電子部品ＣＰを受渡用保持部からピックアップし、実装ステージ４１へと搬送してもよい。これによっても、本変形例と同様の効果が得られる。
　＜第２実施形態＞
　次に、図９を参照しつつ、第２実施形態に係る電子部品実装装置２の構成について説明する。図９は、第２実施形態に係る電子部品実装装置の構成を概略的に示す図である。
　マルチヘッドユニット２００において、複数のヘッド２１０，２２０は、互いに独立してヘッド移動機構１５０に接続されている。すなわち、複数のヘッド２１０，２２０は、水平方向において別個独立に移動可能に構成されている。
　これによれば、浸漬処理と実装処理とを平行して行うことができる。したがって、生産性をさらに向上させることができる。
　なお、マルチヘッドユニット２００は、ヘッド移動機構１５０の代わりに、ヘッド２１０を水平方向に移動させるためのヘッド移動機構と、ヘッド２２０を水平方向に移動させるためのヘッド移動機構とを別々に有してもよい。
　以上説明したように、本願発明の一態様によれば、生産性が向上した電子部品実装装置及び電子部品実装方法を提供することができる。
　以上説明した実施形態は、本願発明の理解を容易にするためのものであり、本願発明を限定して解釈するためのものではない。実施形態が備える各要素並びにその配置、材料、条件、形状及びサイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、異なる実施形態で示した構成同士を部分的に置換し又は組み合わせることが可能である。
　１…電子部品実装装置
　１０…制御部
　１００…マルチヘッドユニット
　１１０，１２０…ヘッド
　１１１，１２１…保持ツール
　１１３，１２３…加熱ツール
　１１５，１２５…冷却ツール
　１１９，１２９…昇降機構
　１３０…ベース部材
　１４０…遮蔽部材
　１５０…ヘッド移動機構
　２０…電子部品供給ユニット
　２１…トレイ
　３０…転写ユニット
　３１…転写ステージ
　３３…浸漬エリア
　４０…実装ユニット
　４１…実装ステージ
　ＦＸ…フラックス
　ＣＰ…電子部品
　ＥＢ…バンプ電極
　ＢＤ…基板

Claims (13)

  1. 　バンプ電極を有する電子部品を供給する電子部品供給部と、
    　フラックスを貯留する転写ステージと、
    　基板が載置される実装ステージと、
    　前記電子部品をピックアップ可能である複数のヘッドと、
    　前記複数のヘッドの動作を制御する制御部と
    を備え、
    　前記制御部は、前記複数のヘッドを、前記電子部品の前記バンプ電極を前記転写ステージに貯留された前記フラックスに浸漬させるディッピングヘッドと、前記実装ステージの上の前記基板に対して前記バンプ電極を介して前記電子部品を実装させるボンディングヘッドと、に分担して機能させるように構成された、
    　電子部品実装装置。
  2. 　前記制御部は、前記ディッピングヘッドの動作中の最高温度が前記ボンディングヘッドの動作中の最低温度よりも低くなるように制御する、
    　請求項１に記載の電子部品実装装置。
  3. 　前記制御部は、前記ディッピングヘッドの動作中の最高温度が前記フラックスの活性化温度よりも低くなるよう制御し、前記ボンディングヘッドの動作中の最低温度が前記フラックスの活性化温度よりも高くなるように制御する、
    　請求項２に記載の電子部品実装装置。
  4. 　前記制御部は、前記ディッピングヘッドの動作中の温度を２０℃以上９０℃以下に制御し、前記ボンディングヘッドの動作中の温度を１５０℃以上３５０℃以下に制御する、
    　請求項２又は３に記載の電子部品実装装置。
  5. 　前記ディッピングヘッドは冷却機構を有し、
    　前記ボンディングヘッドは加熱機構と冷却機構とを有する、
    　請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品実装装置。
  6. 　前記制御部は、前記ボンディングヘッドによって前記電子部品を前記転写ステージから前記実装ステージへと搬送する、
    　請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品実装装置。
  7. 　前記制御部は、前記ディッピングヘッドによって前記電子部品を前記転写ステージから前記実装ステージへと搬送させる、
    　請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品実装装置。
  8. 　前記ディッピングヘッド及び前記ボンディングヘッドを連結する連結部材をさらに備え、
    　前記ディッピングヘッド及び前記ボンディングヘッドは、前記実装ステージにおける前記電子部品が載置される載置面に沿った方向において連動するように構成されている、
    　請求項１から７のいずれか１項に記載の電子部品実装装置。
  9. 　前記ボンディングヘッドと前記ディッピングヘッドとの熱交換を阻害する遮蔽部材をさらに備える、
    　請求項８に記載の電子部品実装装置。
  10. 　前記ディッピングヘッド及び前記ボンディングヘッドは、前記実装ステージにおける前記電子部品が載置される載置面に沿った方向において別個独立に移動可能に構成されている、
    　請求項１から７のいずれか１項に記載の電子部品実装装置。
  11. 　バンプ電極を有する電子部品を供給する電子部品供給部と、
    　フラックスを貯留する転写ステージと、
    　基板が載置される実装ステージと、
    　前記電子部品をピックアップ可能である複数のヘッドと、
    　前記複数のヘッドの動作を制御する制御部と
    を備える電子部品実装装置を用いた電子部品実装方法であって、
    　前記複数のヘッドのうちディッピングヘッドによって前記電子部品供給部から前記電子部品をピックアップすることと、
    　前記ディッピングヘッドによって前記電子部品の前記バンプ電極を前記転写ステージに貯留された前記フラックスに浸漬させることと、
    　前記複数のヘッドのうちボンディングヘッドによって前記電子部品を前記基板に実装することと
    を含む、
    　電子部品実装方法。
  12. 　前記転写ステージにおいて前記ディッピングヘッドから前記電子部品をリリースすることと、
    　前記ボンディングヘッドによって前記転写ステージから前記電子部品をピックアップすることと
    をさらに含む、
    　請求項１１に記載の電子部品実装方法。
  13. 　前記制御部によって、前記ディッピングヘッドの動作中の最高温度が前記ボンディングヘッドの動作中の最低温度よりも低くなるように制御することをさらに含む、
    　請求項１１又は１２に記載の電子部品実装方法。
     
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1022347A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd バンプ付きワークのボンディング装置
JP2000022394A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装装置および実装方法ならびにフラックス転写装置および転写方法
JP2006041462A (ja) * 2004-06-24 2006-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品搭載装置および電子部品搭載方法ならびにフラックス転写方法
JP2006190864A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品搭載装置および部品搭載方法
JP2007305726A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd ペースト転写装置
JP2013168456A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 部品装着装置および部品装着方法
JP2016192468A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 東レエンジニアリング株式会社 フラックス塗布方法およびフラックス塗布装置、ならびに実装装置
JP2019062199A (ja) * 2017-09-20 2019-04-18 エーエスエム・テクノロジー・シンガポール・ピーティーイー・リミテッド 発光素子のマトリックスを組み立てるためのギャングボンディングプロセス
JP2019114819A (ja) * 2013-03-28 2019-07-11 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1022347A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd バンプ付きワークのボンディング装置
JP2000022394A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装装置および実装方法ならびにフラックス転写装置および転写方法
JP2006041462A (ja) * 2004-06-24 2006-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品搭載装置および電子部品搭載方法ならびにフラックス転写方法
JP2006190864A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品搭載装置および部品搭載方法
JP2007305726A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd ペースト転写装置
JP2013168456A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 部品装着装置および部品装着方法
JP2019114819A (ja) * 2013-03-28 2019-07-11 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置
JP2016192468A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 東レエンジニアリング株式会社 フラックス塗布方法およびフラックス塗布装置、ならびに実装装置
JP2019062199A (ja) * 2017-09-20 2019-04-18 エーエスエム・テクノロジー・シンガポール・ピーティーイー・リミテッド 発光素子のマトリックスを組み立てるためのギャングボンディングプロセス

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